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JP2011249538A - 発光装置および照明装置 - Google Patents

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JP2011249538A JP2010120794A JP2010120794A JP2011249538A JP 2011249538 A JP2011249538 A JP 2011249538A JP 2010120794 A JP2010120794 A JP 2010120794A JP 2010120794 A JP2010120794 A JP 2010120794A JP 2011249538 A JP2011249538 A JP 2011249538A
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laser
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reflective polarizing
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泰雄 深井
Hidenori Kawanishi
秀典 河西
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Sharp Corp
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Abstract

【課題】光の取出し効率を向上させることが可能な発光装置を提供する。
【解決手段】この発光装置1は、直線偏光のレーザ光を出射する半導体レーザ素子2と、半導体レーザ素子2からのレーザ光が照射される蛍光体6と、半導体レーザ素子2から出射したレーザ光の通過領域に配置される反射型偏光フィルタ8とを備える。反射型偏光フィルタ8は、レーザ光の直線偏光を透過し、レーザ光の直線偏光の偏波面と直交する偏波面を有する直線偏光を反射する機能を有する。
【選択図】図1

Description

この発明は、発光装置および照明装置に関し、特に、レーザ発生器と蛍光体とを備えた発光装置および照明装置に関する。
従来、レーザ発生器と蛍光体とを備えた発光装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。
図18は、上記特許文献1に開示された光源装置(発光装置)の構造を示した断面図である。上記特許文献1には、図18に示すように、紫外線LD素子(レーザ発生器)1001と、紫外線LD素子1001の前方に設けられたコリメートレンズ1002と、コリメートレンズ1002の前方に設けられたアパーチャ1003と、アパーチャ1003の前方に設けられたコンデンサレンズ1004と、コンデンサレンズ1004の前方に設けられた蛍光体1005と、蛍光体1005の前方に設けられた紫外線反射鏡1006と、放物反射面の内側にコンデンサレンズ1004、蛍光体1005および紫外線反射鏡1006が配置されるように設けられた可視光反射鏡1007とを備えた光源装置が開示されている。
この光源装置では、紫外線LD素子1001から出射したコヒーレントな光であるレーザ光1010は、コリメートレンズ1002を通過することによって平行光線束となる。また、コリメートレンズ1002を通過したレーザ光1010は、アパーチャ1003、可視光反射鏡1007の孔(貫通穴)1007aおよびコンデンサレンズ1004を通過することによって蛍光体1005に集光される。
レーザ光1010が蛍光体1005に入射されると、蛍光体1005内で励起が起こり、レーザ光1010は蛍光体1005内で吸収され強度が弱められて、蛍光体1005からはインコヒーレントな光である自然放出光1011aが全方向に放出される。ここで、蛍光体1005に吸収されなかった光は蛍光体1005から漏れ出すが、この光は紫外線反射鏡1006で反射され、再び蛍光体1005に入射して吸収作用を受け、自然放出光1011aが全方向に放出される。
そして、蛍光体1005から自然放出されたインコヒーレントな光である自然放出光1011aは、可視光反射鏡1007で反射され、所定の方向に進む平行光線束1011bとなる。
なお、「コヒーレントな光」とは、時間的、空間的に位相がそろったコヒーレンス(干渉性)の高い光のことである。
特開2003−295319号公報
しかしながら、上記特許文献1の光源装置(発光装置)では、自然放出光1011aは、蛍光体1005から全方向に放出されるので、自然放出光1011aの一部は、可視光反射鏡1007の孔(貫通穴)1007aを通過して、紫外線LD素子1001側に戻って(逃げて)しまう。このため、光の取出し効率(利用効率)を向上させるのが困難であるという問題点がある。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、光の取出し効率を向上させることが可能な発光装置および照明装置を提供することである。
上記目的を達成するために、この発明の第1の局面による発光装置は、直線偏光のレーザ光を出射するレーザ発生器と、レーザ発生器からのレーザ光が照射される蛍光体と、レーザ発生器から出射したレーザ光の通過領域に配置される反射型偏光フィルタとを備え、反射型偏光フィルタは、レーザ光の直線偏光を透過し、レーザ光の直線偏光の偏波面と直交する偏波面を有する直線偏光を反射するように形成されている。
この第1の局面による発光装置では、上記のように、レーザ発生器から出射したレーザ光の通過領域に反射型偏光フィルタを配置し、反射型偏光フィルタを、レーザ光の直線偏光を透過し、レーザ光の直線偏光の偏波面と直交する偏波面を有する直線偏光を反射するように形成する。これにより、蛍光体から出射し、レーザ発生器側(反射型偏光フィルタ)に向かって進行する光のうち、レーザ光の直線偏光の偏波面と交差する偏波面を有する直線偏光を反射することができる。すなわち、レーザ発生器から出射するレーザ光が、例えばTE(Transverse Electric)波である場合、反射型偏光フィルタは、TE波を透過し、TM(Transverse Magnetic)波を反射するので、蛍光体から出射しレーザ発生器側(反射型偏光フィルタ)に向かって進行する光のうちのTM波成分を反射することができる。これにより、蛍光体から出射しレーザ発生器側(反射型偏光フィルタ)に向かって進行する光が、レーザ発生器側に戻って(逃げて)しまうのを抑制することができるとともに、その光の一部(TM波成分)を反射型偏光フィルタにより反射して利用することができる。その結果、光の取出し効率(利用効率)を向上させることができる。
上記第1の局面による発光装置において、蛍光体からの光を所定の方向に反射する反射鏡をさらに備えてもよい。
上記反射鏡を備える発光装置において、好ましくは、反射鏡は、レーザ発生器から出射したレーザ光が通過する貫通穴を含み、反射型偏光フィルタは、貫通穴を塞ぐように配置されている。このように構成すれば、蛍光体から出射した光が反射鏡の貫通穴を通過してレーザ発生器側に戻ってしまうのを容易に抑制することができる。これにより、光の取出し効率を容易に向上させることができる。
上記反射鏡を備える発光装置において、好ましくは、反射型偏光フィルタの蛍光体側の面は、反射鏡の反射面から蛍光体側に突出しないように配置されている。このように構成すれば、蛍光体から出射した光が、外周面(側面)から反射型偏光フィルタに入射するのを防止することができる。すなわち、反射型偏光フィルタに入射する光の全てを、反射型偏光フィルタの蛍光体側の面から入射させることができる。これにより、蛍光体から出射した光のうち、レーザ光の直線偏光の偏波面と交差する偏波面を有する直線偏光が、反射型偏光フィルタを透過するのを抑制することができる。その結果、光の取出し効率が低下するのを抑制することができる。また、レーザ発生器から出射したレーザ光が、反射型偏光フィルタに入射した際に反射型偏光フィルタの外周面(側面)から漏れ出すのを抑制することができる。これにより、光の取出し効率が低下するのをより抑制することができる。
上記反射鏡を備える発光装置において、好ましくは、反射鏡は、レーザ発生器から出射したレーザ光が通過する貫通穴を含み、反射型偏光フィルタは、貫通穴よりも大きい面積を有する。このように構成すれば、蛍光体から出射した光が反射鏡の貫通穴を通過してレーザ発生器側に戻ってしまうのを容易に抑制することができる。これにより、光の取出し効率を容易に向上させることができる。また、反射型偏光フィルタを、貫通穴の穴径に合わせて形成する必要がないので、反射型偏光フィルタを容易に製造することができる。
上記反射鏡が貫通穴を含む発光装置において、好ましくは、反射型偏光フィルタは、蛍光体とは反対側から貫通穴を塞ぐように配置されている。このように構成すれば、反射型偏光フィルタを、蛍光体側から貫通穴を塞ぐように配置する場合と異なり、反射鏡の反射面の一部が反射型偏光フィルタで覆われることがないので、光の取出し効率が低下するのを抑制することができる。
上記反射鏡が貫通穴を含む発光装置において、好ましくは、反射型偏光フィルタは、貫通穴に対向配置される第1領域と、第1領域の周囲を囲う第2領域とを含み、第2領域は、フォトニック結晶構造を有する。このように構成すれば、レーザ発生器から出射したレーザ光および蛍光体から出射した光が、反射型偏光フィルタに入射した際に反射型偏光フィルタの第1領域から第2領域に進入するのを抑制することができる。これにより、レーザ発生器から出射したレーザ光および蛍光体から出射した光が、反射型偏光フィルタの外周面(側面)から漏れ出すのを抑制することができる。その結果、光の取出し効率が低下するのを抑制することができる。
上記第1の局面による発光装置において、好ましくは、レーザ発生器から出射したレーザ光の通過領域に配置される光学部材をさらに備え、反射型偏光フィルタは、光学部材の表面上に形成されている。このように構成すれば、反射型偏光フィルタと光学部材とを一体的に形成することができるので、発光装置を、小型化・軽量化することができる。
上記反射型偏光フィルタが光学部材の表面上に形成されている発光装置において、光学部材は、導光部材およびレンズの少なくとも一方を含んでいてもよい。
上記光学部材が導光部材およびレンズの少なくとも一方を含む発光装置において、光学部材は、レーザ光入射面および第1レーザ光出射面を有する導光部材を含み、反射型偏光フィルタは、導光部材のレーザ光入射面および第1レーザ光出射面の少なくとも一方に形成されていてもよい。
上記光学部材が導光部材およびレンズの少なくとも一方を含む発光装置において、光学部材は、導光部材と、導光部材および蛍光体の間に配置されるレンズとを含み、反射型偏光フィルタは、レンズの表面上に形成されていてもよい。
上記第1の局面による発光装置において、好ましくは、レーザ発生器から出射したレーザ光の通過領域に配置される導光部材をさらに備え、導光部材は、レーザ光入射面と、レーザ光入射面よりも小さい面積を有する第2レーザ光出射面とを含む。このように構成すれば、導光部材の内部を通過するレーザ光を、集光することができる。これにより、例えば、複数のレーザ発生器から出射したレーザ光を、導光部材により集光して、1つの蛍光体に照射させることができる。その結果、複数のレーザ発生器を用いる場合にも、蛍光体の数が多くなるのを抑制することができるので、発光装置を、小型化・軽量化することができる。
上記第1の局面による発光装置において、好ましくは、反射型偏光フィルタは、レーザ発生器の第3レーザ光出射面上に形成されている。このように構成すれば、反射型偏光フィルタとレーザ発生器とを一体的に形成することができるので、発光装置を、小型化・軽量化することができる。また、発光装置を組み立てる際に、反射型偏光フィルタがレーザ発生器から出射したレーザ光の直線偏光を透過するように、レーザ発生器と反射型偏光フィルタとの角度調整を行う必要がなくなる。これにより、発光装置の組立工程を簡略化することができる。
上記第1の局面による発光装置において、好ましくは、蛍光体は、反射型偏光フィルタの第4レーザ光出射面上に設けられている。このように構成すれば、反射型偏光フィルタと蛍光体とを一体的に形成することができるので、発光装置を、小型化・軽量化することができる。
上記第1の局面による発光装置において、好ましくは、蛍光体からの光を所定の方向に反射する反射鏡と、レーザ発生器から出射したレーザ光の通過領域に配置される導光部材とをさらに備え、反射鏡は、レーザ発生器から出射したレーザ光が通過する貫通穴を含み、導光部材は、反射鏡の貫通穴に嵌め込まれている。このように構成すれば、貫通穴が大きくなるのを抑制することができるので、蛍光体からの光が貫通穴からレーザ発生器側に戻ってしまうのをより抑制することができる。
上記第1の局面による発光装置において、好ましくは、レーザ発生器は、半導体レーザ素子を含む。このように、レーザ光源(レーザ発生器)として半導体レーザ素子を用いれば、レーザ光源(レーザ発生器)を小型化・軽量化することできるので、発光装置を小型化・軽量化することできる。
上記第1の局面による発光装置において、好ましくは、反射型偏光フィルタは、多層膜偏光子を含む。このように構成すれば、反射型偏光フィルタを、例えば曲面上や、細かい(面積の小さい)部分にも、容易に形成することができる。
上記第1の局面による発光装置において、好ましくは、反射型偏光フィルタは、ワイヤーグリッドを含む。このように構成すれば、反射型偏光フィルタを、容易に形成することができる。
この発明の第2の局面による照明装置は、上記の構成の発光装置を備える。このように構成すれば、光の取出し効率を向上させることが可能な発光装置を得ることができる。
以上のように、本発明によれば、光の取出し効率を向上させることが可能な発光装置および照明装置を容易に得ることができる。
本発明の第1実施形態による発光装置の構造を示した断面図である。 図1に示した本発明の第1実施形態による発光装置の反射型偏光フィルタの構造を説明するための拡大図である。 本発明の第2実施形態による発光装置の構造を示した断面図である。 図3に示した本発明の第2実施形態による発光装置の反射型偏光フィルタの構造を説明するための拡大図である。 本発明の第3実施形態による発光装置の構造を示した断面図である。 本発明の第4実施形態による発光装置の構造を示した断面図である。 図6に示した本発明の第4実施形態による発光装置の透光部材の構造を示した正面図である。 図6に示した本発明の第4実施形態による発光装置の透光部材の構造を示した拡大正面図である。 本発明の第5実施形態による発光装置の構造を示した断面図である。 本発明の第6実施形態による発光装置の構造を示した断面図である。 本発明の第7実施形態による発光装置の構造を示した断面図である。 本発明の第8実施形態による発光装置の構造を示した断面図である。 本発明の第9実施形態による発光装置の構造を示した断面図である。 図13に示した本発明の第9実施形態による発光装置の導光部材の構造を説明するための平面図である。 本発明の第1変形例による発光装置の構造を示した断面図である。 本発明の第2変形例による発光装置の構造を示した断面図である。 本発明の第3変形例による発光装置の構造を示した断面図である。 上記特許文献1に開示された光源装置(発光装置)の構造を示した断面図である。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、理解を容易にするために、断面図であってもハッチングを施さない場合もある。
(第1実施形態)
図1および図2を参照して、本発明の第1実施形態による発光装置1の構造について説明する。
本発明の第1実施形態による発光装置1は、車両用前照灯などの照明装置としても用いることができるもので、図1に示すように、半導体レーザ素子2と、半導体レーザ素子2の前方に配置されたコリメートレンズ3と、コリメートレンズ3の前方に配置された透光部材4と、透光部材4の前方に配置されたレンズ5と、レンズ5の前方に配置された蛍光体6と、反射鏡7とを備えている。これら、半導体レーザ素子2、コリメートレンズ3、透光部材4、レンズ5および蛍光体6は、一直線上に配置されている。なお、半導体レーザ素子2は、本発明の「レーザ発生器」の一例である。
半導体レーザ素子2は、例えば青紫色のレーザ光を出射(発振)し、レーザ光源として機能する。また、半導体レーザ素子2は、直線偏光のレーザ光を出射する。なお、半導体レーザ素子2から出射されるレーザ光は、コヒーレントな光である。
コリメートレンズ3は、例えば平凸レンズにより形成されており、半導体レーザ素子2からのレーザ光を、平行光にして前方に透過させる機能を有する。なお、コリメートレンズ3を透過したレーザ光のビームスポット径は、例えば約5mmである。
透光部材4は、例えば、約5mmの厚みを有するSiO2(ガラス)基板により形成されている。なお、透光部材4の厚みが小さくなるにしたがって、レーザ光の伝搬ロス(透光部材4を透過する際のレーザ光の損失)が低減される。このため、後述する反射型偏光フィルタ8の機械的強度が確保できるのであれば、透光部材4を設けなくてもよい。また、反射型偏光フィルタ8の機械的強度が確保できるのであれば透光部材4を設けなくてもよいことは、後述する第2〜第5実施形態および本発明の第1変形例も同様である。
また、透光部材4は、半導体レーザ素子2側に形成されたレーザ光入射面4aと、半導体レーザ素子2とは反対側に形成されたレーザ光出射面4bとを含む。
ここで、第1実施形態では、透光部材4のレーザ光入射面4aおよびレーザ光出射面4bには、反射型偏光フィルタ8が設けられている。
また、透光部材4および反射型偏光フィルタ8は、反射鏡7の後述する貫通穴7aの穴径と同じまたは少しだけ小さい直径を有するように形成されている。そして、透光部材4および反射型偏光フィルタ8は、反射鏡7の後述する貫通穴7aに嵌め込まれており、貫通穴7aを塞いでいる。なお、透光部材4および反射型偏光フィルタ8の外周面(側面)と反射鏡7の後述する貫通穴7aの内周面との間に、図示しない接着材などを配置することにより、透光部材4および反射型偏光フィルタ8を、反射鏡7の後述する貫通穴7aに固定してもよい。
また、第1実施形態では、反射型偏光フィルタ8は、反射鏡7の後述する貫通穴7aから突出しないように配置されている。具体的には、レーザ光入射面4a上の反射型偏光フィルタ8の後面(半導体レーザ素子2側の最外面)は、反射鏡7の外面7bよりも外側(半導体レーザ素子2側)に出ないように配置されている。また、レーザ光出射面4b上の反射型偏光フィルタ8の前面(半導体レーザ素子2とは反対側の最外面)は、反射鏡7の後述する内面7cよりも内側(半導体レーザ素子2とは反対側(蛍光体6側))に出ないように配置されている。なお、第1実施形態では、レーザ光出射面4b上の反射型偏光フィルタ8の前面は、反射鏡7の後述する内面7cと一致する(段差が生じない)ように配置されている。また、反射型偏光フィルタ8の前面は、本発明の「反射型偏光フィルタの蛍光体側の面」の一例である。
また、第1実施形態では、反射型偏光フィルタ8は、半導体レーザ素子2からのレーザ光(直線偏光)を透過し、レーザ光の偏波面と直交する偏波面を有する直線偏光を反射するように形成されている。すなわち、半導体レーザ素子2から出射されるレーザ光が、例えばTE波であるとすると、後述するように、反射型偏光フィルタ8は、蛍光体6からの光のTM波成分を反射するように形成されている。
具体的には、第1実施形態では、図2に示すように、反射型偏光フィルタ8は、複屈折率を有する誘電体材料を用いた多層膜偏光子により形成されており、透光部材4側から順に、CaCO3層8aとSiO2層8bとが、交互に50層ずつ積層されることにより形成されている。
また、反射型偏光フィルタ8は、真空蒸着法やスパッタリング法といった一般的に知られている薄膜形成方法を用いて、透光部材4の表面(レーザ光入射面8aおよびレーザ光出射面8b)上に形成されている。
ここで、CaCO3(CaCO3層8a)は、直線偏光の偏波面の違いにより異なる屈折率を有するとともに、TE波に対して約1.48の屈折率を有し、TM波に対して約1.66の屈折率を有する。SiO2(SiO2層8b)は、約1.45の屈折率を有する。
また、CaCO3層8aおよびSiO2層8bは、反射しようとする光(蛍光体6からの可視光)の中心波長をλ(例えば510nm)とし、層(CaCO3層8aおよびSiO2層8b)の屈折率をnとした場合、λ/(4n)の厚みに形成されている。
すなわち、CaCO3のTM波に対する屈折率は約1.66であるから、CaCO3層8aの厚みは、λ/(4n)=510/(4×約1.66)=約76.8nmである。その一方、SiO2の屈折率は約1.45であるから、SiO2層8bの厚みは、λ/(4n)=510/(4×約1.45)=約87.9nmである。
なお、図1に示すように、レーザ光入射面4a上の反射型偏光フィルタ8と、レーザ光出射面4b上の反射型偏光フィルタ8とは、透光部材4を中心として対称の構造に形成されている。
そして、反射型偏光フィルタ8が、半導体レーザ素子2からのレーザ光(TE波)を透過し、レーザ光の偏波面と直交する偏波面を有するTM波を反射するように、半導体レーザ素子2と反射型偏光フィルタ8とが角度調節されている。言い換えると、半導体レーザ素子2および反射型偏光フィルタ8は、半導体レーザ素子2からのレーザ光の直線偏光の偏波面と、反射型偏光フィルタ8が透過させる直線偏光の偏波面とが一致するように、配置されている。
なお、第1実施形態では、反射型偏光フィルタ8を、透光部材4のレーザ光入射面4aとレーザ光出射面4bとの両方に設けているが、反射型偏光フィルタ8は、透光部材4のレーザ光入射面4aおよびレーザ光出射面4bのいずれか一方のみに設けてもよい。ただし、TM波に対する反射型偏光フィルタ8の反射率は、例えば90%程度であるので、反射型偏光フィルタ8を、レーザ光入射面4aとレーザ光出射面4bとの両方に設ける方が好ましい。
レンズ5は、例えば両凸レンズにより形成されており、半導体レーザ素子2からのレーザ光を、蛍光体6に集光する機能を有する。なお、レンズ5は、図示しない保持部材により反射鏡7に固定されていてもよい。
蛍光体6は、半導体レーザ素子2からのレーザ光を、例えば青色光、緑色光および赤色光などからなる可視光に変換し出射する機能を有する。この蛍光体6から出射される可視光は、TE波成分だけでなくTM波成分も含んでいるとともに、全方向に出射される。また、蛍光体6から出射される青色光、緑色光および赤色光は、混色されると白色光になるので、白色の可視光が外部に向かって出射されることになる。また、蛍光体6は、図示しない保持部材により固定されていてもよい。なお、蛍光体6から出射される可視光は、インコヒーレントな光である。
反射鏡7は、例えば金属製である。また、反射鏡7は、透光部材4と反射型偏光フィルタ8とを合わせた厚みよりも大きいまたは同じ厚みを有する。
また、反射鏡7の中央部には、半導体レーザ素子2からのレーザ光を通過させるための貫通穴7aが形成されている。すなわち、貫通穴7a、透光部材4および反射型偏光フィルタ8は、半導体レーザ素子2から出射したレーザ光の通過領域に配置されている。
また、反射鏡7の内面7cは、蛍光体6からの光を前方に反射する機能を有する反射面で形成されている。この内面7cは、例えば放物面に形成されている。なお、内面7cは、楕円面の一部であってもよいし、上下方向や左右方向に非対称な面であってもよい。また、内面7cは、本発明の「反射面」の一例である。
この発光装置1では、半導体レーザ素子2から出射したレーザ光は、コリメートレンズ3を透過することにより平行光になる。そして、コリメートレンズ3を透過したレーザ光は、透光部材4および反射型偏光フィルタ8を透過し、レンズ5により集光されて蛍光体6に照射される。
そして、レーザ光は、蛍光体6により、インコヒーレントな可視光に変換され、全方向に出射する。蛍光体6から出射した可視光の大部分は、そのまま前方に出射し、または、反射鏡7により反射されて前方に出射する。その一方、蛍光体6から出射した可視光の一部は、反射鏡7の貫通穴7aに向かって進行する。
そして、第1実施形態では、反射鏡7の貫通穴7aに向かって進行する可視光のTM波成分は、反射型偏光フィルタ8により反射されて前方に出射する。
第1実施形態では、上記のように、半導体レーザ素子2から出射したレーザ光の通過領域に配置される反射型偏光フィルタ8を、レーザ光の直線偏光を透過し、レーザ光の直線偏光の偏波面と直交する偏波面を有する直線偏光を反射するように形成する。これにより、蛍光体6から出射し、半導体レーザ素子2側(反射鏡7の貫通穴7a)に向かって進行する光(可視光)のうち、レーザ光の直線偏光の偏波面と交差する偏波面を有する直線偏光を反射することができる。すなわち、半導体レーザ素子2から出射するレーザ光が、例えばTE波である場合、反射型偏光フィルタ8は、TE波を透過し、TM波を反射するので、蛍光体6から出射し半導体レーザ素子2側(反射鏡7の貫通穴7a)に向かって進行する光のうちのTM波成分を反射することができる。これにより、蛍光体6から出射し半導体レーザ素子2側(反射鏡7の貫通穴7a)に向かって進行する光が、貫通穴7aを通過して半導体レーザ素子2側に戻って(逃げて)しまうのを抑制することができるとともに、その光の一部(TM波成分)を反射型偏光フィルタ8により反射して利用することができる。その結果、光の取出し効率(利用効率)を向上させることができる。
また、第1実施形態では、上記のように、反射型偏光フィルタ8を、貫通穴7aを塞ぐように配置することによって、蛍光体6から出射した光(可視光)が反射鏡7の貫通穴7aを通過して半導体レーザ素子2側に戻ってしまうのを容易に抑制することができる。これにより、光の取出し効率を容易に向上させることができる。
また、第1実施形態では、上記のように、レーザ光出射面4b上の反射型偏光フィルタ8の前面(半導体レーザ素子2とは反対側の最外面)を、反射鏡7の内面7cから蛍光体6側に突出しないように配置する。これにより、蛍光体6から出射した光が、外周面(側面)から透光部材4や反射型偏光フィルタ8に入射するのを防止することができる。すなわち、反射型偏光フィルタ8に入射する光の全てを、反射型偏光フィルタ8の蛍光体6側の面から入射させることができる。これにより、蛍光体6から出射した光のうち、レーザ光の直線偏光の偏波面と交差する偏波面を有する直線偏光が、反射型偏光フィルタ8を透過するのを抑制することができる。その結果、光の取出し効率が低下するのを抑制することができる。また、半導体レーザ素子2から出射したレーザ光が、透光部材4や反射型偏光フィルタ8に入射した際に透光部材4や反射型偏光フィルタ8の外周面(側面)から漏れ出すのを抑制することができる。これにより、光の取出し効率が低下するのをより抑制することができる。
同様に、レーザ光入射面4a上の反射型偏光フィルタ8の後面(半導体レーザ素子2側の最外面)を、反射鏡7の外面7bから外側(半導体レーザ素子2側)に突出しないように配置することによって、光の取出し効率が低下するのを抑制することができる。
また、第1実施形態では、上記のように、レーザ光源(レーザ発生器)として半導体レーザ素子2を用いることによって、レーザ光源を小型化・軽量化することできるので、発光装置1を小型化・軽量化することできる。
また、第1実施形態では、上記のように、反射型偏光フィルタ8を、多層膜偏光子により形成することによって、反射型偏光フィルタ8を容易に形成することができる。
(第2実施形態)
この第2実施形態では、図3および図4を参照して、上記第1実施形態と異なり、反射型偏光フィルタ18がワイヤーグリッドにより形成されている場合について説明する。
本発明の第2実施形態による発光装置11では、図3に示すように、透光部材4のレーザ光入射面4aおよびレーザ光出射面4bに、反射型偏光フィルタ18が設けられている。
第2実施形態では、透光部材4は、透光性を有していれば、SiO2基板以外の、例えばSiC基板やその他の材料により形成されていてもよい。
反射型偏光フィルタ18は、上記第1実施形態の反射型偏光フィルタ8と同様、透光部材4のレーザ光入射面4aおよびレーザ光出射面4bのいずれか一方のみに設けられていてもよい。
また、反射型偏光フィルタ18は、上記第1実施形態の反射型偏光フィルタ8と同様、半導体レーザ素子2からのレーザ光(直線偏光)を透過し、レーザ光の偏波面と直交する偏波面を有する直線偏光を反射するように形成されている。すなわち、半導体レーザ素子2から出射されるレーザ光が、例えばTE波であるとすると、反射型偏光フィルタ18は、蛍光体6からの光のTM波成分を反射するように形成されている。
ここで、第2実施形態では、反射型偏光フィルタ18は、ワイヤーグリッドにより形成されている。具体的には、反射型偏光フィルタ18は、図4に示すように、例えばAl(アルミニウム)からなる複数の金属細線18aにより形成されている。この複数の金属細線18aは、例えば、水平方向(図4の紙面に対して垂直方向)に延びるように形成されている。また、複数の金属細線18aは、例えば、約100nmの線幅を有するとともに、可視光の波長(例えば約510nm)よりも小さいピッチ(例えば200nm)で配置されている。また、複数の金属細線18aは、例えば約100nmの厚みを有するように形成されている。
なお、複数の金属細線18a(ワイヤーグリッド)は、金属細線18aの延びる方向(水平方向)と直交する方向に振動する直線偏光(例えばTE波)を透過し、金属配線18aの延びる方向に振動する直線偏光(例えばTM波)を反射させる機能を有する。
より詳細に説明すると、金属細線18aの線幅は小さいので、金属細線18aの延びる方向と直交する方向に振動する光(例えばTE波)は、金属細線18aの自由電子に吸収されない。このため、金属細線18aの延びる方向と直交する方向に振動する光は、反射型偏光フィルタ8を透過する。その一方、金属細線18aの延びる方向に振動する光(例えばTM波)は、金属細線18aの自由電子に吸収され、自由電子は、再び電磁波を生成する。このため、金属細線18aの延びる方向に振動する光は、金属細線18aで反射される。
また、第2実施形態では、金属細線18a(反射型偏光フィルタ18)は、真空蒸着法やスパッタリング法といった一般的に知られている薄膜形成方法を用いて、透光部材4の表面(レーザ光入射面4aおよびレーザ光出射面4b)上に形成されている。
具体的には、真空蒸着法やスパッタリング法などを用いて、透光部材4の表面(レーザ光入射面4aおよびレーザ光出射面4b)上に、約100nmの厚みを有するAl層(図示せず)が形成される。そして、フォトリソグラフィ技術などを用いて、Al層のうちの金属細線18aとなる領域以外の領域上に、レジストパターン層(図示せず)が形成される。なお、レジストパターン層は、電子線露光またはナノプリントや、その他の方法により形成することも可能である。
その後、RIE(Reactive Ion Etching)法などを用いて、Al層の所定領域が除去されることによって、金属細線18aが形成される。なお、金属細線18aは、RIBE(Reactive Ion Beam Etching)法、または、ICP(Inductively Coupled Plasma)エッチング法や、その他の方法により形成することも可能である。
第2実施形態のその他の構造は、上記第1実施形態と同様である。
第2実施形態では、上記のように、反射型偏光フィルタ18を、レーザ光の直線偏光を透過し、レーザ光の直線偏光の偏波面と直交する偏波面を有する直線偏光を反射するように形成する。これにより、上記第1実施形態と同様、光の取出し効率(利用効率)を向上させることができる。
また、第2実施形態では、上記のように、反射型偏光フィルタ18を、ワイヤーグリッドにより形成することによって、反射型偏光フィルタ18を、容易に形成することができる。
なお、第2実施形態のその他の効果は、上記第1実施形態と同様である。
(第3実施形態)
この第3実施形態では、図5を参照して、上記第1および第2実施形態と異なり、透光部材24および反射型偏光フィルタ28が反射鏡27の貫通穴27aに嵌め込まれていない場合について説明する。
本発明の第3実施形態による発光装置21では、図5に示すように、透光部材24および反射型偏光フィルタ28は、反射鏡27の貫通穴27aの穴径よりも大きい外形を有するように形成されている。すなわち、透光部材24および反射型偏光フィルタ28は、反射鏡27の貫通穴27aよりも大きい面積を有するように形成されている。
そして、反射型偏光フィルタ28は、反射鏡27の外面27bに当接されており、貫通穴27aを外側(蛍光体6とは反対側)から塞いでいる。すなわち、反射型偏光フィルタ28の前面(半導体レーザ素子2とは反対側の最外面)は、反射鏡27の内面27cよりも内側(半導体レーザ素子2とは反対側(蛍光体6側))に出ないように配置されている。なお、反射鏡27は、上記第1および第2実施形態の反射鏡7よりも小さい厚みに形成されていてもよい。また、内面27cは、本発明の「反射面」の一例である。
また、透光部材24および反射型偏光フィルタ28は、接着材(図示せず)などを用いて反射鏡27に接着されていてもよいし、保持部材(図示せず)を用いて固定されていてもよい。
また、第3実施形態の反射型偏光フィルタ28は、上記第1実施形態のように多層膜偏光子により形成されていてもよいし、上記第2実施形態のようにワイヤーグリッド(金属細線)により形成されていてもよい。なお、反射型偏光フィルタが、多層膜偏光子により形成されていてもよいし、ワイヤーグリッドにより形成されていてもよいことは、第4実施形態以降も同様である。
第3実施形態のその他の構造および製造方法は、上記第1および第2実施形態と同様である。
第3実施形態では、上記のように、反射型偏光フィルタ28を、貫通穴27aよりも大きい面積を有するように形成する。これにより、蛍光体6から出射した光が反射鏡27の貫通穴27aを通過して半導体レーザ素子2側に戻ってしまうのを容易に抑制することができる。これにより、光の取出し効率を容易に向上させることができる。また、透光部材24および反射型偏光フィルタ28を、貫通穴27aの穴径に合わせて形成する必要がないので、透光部材24および反射型偏光フィルタ28を容易に製造することができる。
また、第3実施形態では、上記のように、反射型偏光フィルタ28を、蛍光体6とは反対側から貫通穴27aを塞ぐように配置する。これにより、反射型偏光フィルタ28を、蛍光体6側から貫通穴27aを塞ぐように配置する場合と異なり、反射鏡27の内面27cの一部が反射型偏光フィルタ28で覆われることがないので、光の取出し効率が低下するのを抑制することができる。
なお、第3実施形態のその他の効果は、上記第1および第2実施形態と同様である。
(第4実施形態)
この第4実施形態では、図6〜図8を参照して、上記第3実施形態と異なり、透光部材34の一部がフォトニック結晶構造を有する場合について説明する。
本発明の第4実施形態による発光装置31では、図6に示すように、透光部材34および反射型偏光フィルタ38は、反射鏡27の貫通穴27aの穴径よりも大きい外形を有するように形成されている。
ここで、第4実施形態では、透光部材34および反射型偏光フィルタ38は、上記第3実施形態の透光部材24および反射型偏光フィルタ28よりも大きい外形を有するように形成されていてもよい。
透光部材34は、図7に示すように、反射鏡27の貫通穴27a(図6参照)に対向配置される領域(図7の2点鎖線で囲われた円形状の領域)34aと、領域34aの周囲を囲う領域34bとを含む。なお、領域34aは、本発明の「第1領域」の一例であり、領域34bは、本発明の「第2領域」の一例である。
そして、第4実施形態では、透光部材34の領域34bは、2次元フォトニック結晶構造を有する。この2次元フォトニック結晶構造は、蛍光体6からの可視光の中心波長(例えば約510nm)を遮断するフォトバンドギャップを有するように形成されている。
具体的には、図8に示すように、透光部材34の領域34bには、複数の円形状の貫通孔34cが形成されている。この複数の貫通孔34cは、三角格子状に設けられている。また、複数の貫通孔34cは、約100nmの内径を有するとともに、約180nmのピッチ(周期)Pで配置されている。
また、2次元フォトニック結晶構造(複数の貫通孔34c)は、透光部材34の表面上に多層膜偏光子やワイヤーグリッドが形成される前の状態で、電子線露光やフォトリソグラフィ技術などを用いて形成される。
具体的には、電子線露光やフォトリソグラフィ技術などを用いて、SiO2基板(透光部材34)のうちの貫通孔34cとなる領域以外の領域上に、レジストパターン層(図示せず)が形成される。
そして、RIE法、ICPエッチング法またはRIBE法などを用いて、SiO2基板の所定領域が除去されることによって、2次元フォトニック結晶構造(複数の貫通孔34c)を有する透光部材34が形成される。
その後、透光部材34の表面上に、多層膜偏光子またはワイヤーグリッドからなる反射型偏光フィルタ38が形成される。
なお、第4実施形態のその他の構造および製造方法は、上記第1〜第3実施形態と同様である。
第4実施形態では、上記のように、反射型偏光フィルタ38の領域34bに、2次元フォトニック結晶構造を形成する。これにより、半導体レーザ素子2から出射したレーザ光および蛍光体6から出射した光が、反射型偏光フィルタ38に入射した際に反射型偏光フィルタ38の領域34aから領域34bに進入するのを抑制することができる。これにより、半導体レーザ素子2から出射したレーザ光および蛍光体6から出射した光が、反射型偏光フィルタ38の外周面(側面)から漏れ出すのを抑制することができる。その結果、光の取出し効率が低下するのをより抑制することができる。
なお、第4実施形態のその他の効果は、上記第1〜第3実施形態と同様である。
(第5実施形態)
この第5実施形態では、図9を参照して、上記第1〜第4実施形態と異なり、半導体レーザ素子2から出射したレーザ光を、導光部材43を用いて蛍光体6に導光する場合について説明する。
本発明の第5実施形態による発光装置41は、図9に示すように、半導体レーザ素子2と、半導体レーザ素子2の前方に配置された集光レンズ42と、集光レンズ42の前方に配置された導光部材43と、導光部材43の前方に配置されたレンズ44と、レンズ44の前方に配置される透光部材4および反射型偏光フィルタ8と、蛍光体6と、反射鏡7とを備えている。なお、透光部材4の表面には、多層膜偏光子からなる反射型偏光フィルタ8ではなく、ワイヤーグリッドからなる反射型偏光フィルタ18を設けてもよい。
集光レンズ42は、例えば両凸レンズにより形成されており、半導体レーザ素子2からのレーザ光を、集光して導光部材43に入射させる機能を有する。
導光部材43は、例えば、約0.1mm〜約3.0mmの直径を有する光ファイバにより形成されている。このように、導光部材43を光ファイバにより形成することによって、半導体レーザ素子2の配置位置の自由度を向上させることが可能である。また、半導体レーザ素子2を既存の放熱部材に取り付けることも可能であるので、半導体レーザ素子2で発生する熱を放熱させるための放熱部材を別途設ける必要がない。
また、導光部材43は、半導体レーザ素子2側(集光レンズ42側)に配置されるレーザ光入射面43aと、蛍光体6側(レンズ44側)に配置されるレーザ光出射面43bとを含む。
このレーザ光入射面43a(導光部材43の半導体レーザ素子2側の端部)、集光レンズ42および半導体レーザ素子2は、一直線上に配置されている。また、レーザ光出射面43b(導光部材43の蛍光体6側の端部)、レンズ44、透光部材4、反射型偏光フィルタ8および蛍光体6は、一直線上に配置されている。
また、導光部材43は、入射したレーザ光を全反射させながらレンズ44に導光する機能を有する。
また、第5実施形態では、導光部材43は、偏波保持ファイバにより形成されており、半導体レーザ素子2からのレーザ光は、偏波面が保持された状態で、レンズ44に導光される。
レンズ44は、例えば両凸レンズにより形成されており、導光部材43からのレーザ光を、集光して透光部材4および反射型偏光フィルタ8に入射させる機能を有する。なお、レンズ44は、導光部材43からのレーザ光を集光せず、例えば平行光にするように形成されていてもよい。また、導光部材43から蛍光体6までの距離が十分小さい場合や、蛍光体6が十分大きい場合には、導光部材43から出射したレーザ光の全てを蛍光体6に照射させることが可能であるので、レンズ44を設けなくてもよい。
また、反射型偏光フィルタ8が、導光部材43を通過したレーザ光(直線偏光)を透過し、レーザ光の偏波面と直交する偏波面を有する直線偏光を反射するように、半導体レーザ素子2(または導光部材43)と反射型偏光フィルタ8とが角度調節されている。
なお、第5実施形態のその他の構造および製造方法は、上記第1〜第4実施形態と同様である。
また、第5実施形態のその他の効果は、上記第1〜第4実施形態と同様である。
(第6実施形態)
この第6実施形態では、図10を参照して、上記第1〜第5実施形態と異なり、反射型偏光フィルタ58がレンズ55の表面に形成されている場合について説明する。
本発明の第6実施形態による発光装置51では、図10に示すように、透光部材は設けられておらず、反射型偏光フィルタ58は、レンズ55の表面(レーザ光入射面およびレーザ光出射面)に形成されている。すなわち、第6実施形態では、反射鏡27の貫通穴27aは、透光部材や反射型偏光フィルタ58により塞がれていない。なお、レンズ55は、例えば上記第1実施形態のレンズ5と同様の構造に形成されている。また、レンズ55は、本発明の「光学部材」の一例である。
なお、第6実施形態のその他の構造および製造方法は、上記第1〜第5実施形態と同様である。
第6実施形態では、上記のように、反射型偏光フィルタ58を、レンズ55の表面上に形成する。これにより、反射型偏光フィルタ58とレンズ55とを一体的に形成することができるので、発光装置51を、小型化・軽量化することができる。
なお、第6実施形態のその他の効果は、上記第1〜第5実施形態と同様である。
(第7実施形態)
この第7実施形態では、図11を参照して、上記第6実施形態と異なり、半導体レーザ素子2から出射したレーザ光を、導光部材43を用いて蛍光体6に導光する場合について説明する。
本発明の第7実施形態による発光装置61は、図11に示すように、半導体レーザ素子2と、集光レンズ42と、導光部材43と、レンズ64と、反射型偏光フィルタ68と、蛍光体6と、反射鏡67とを備えている。なお、レンズ64は、本発明の「光学部材」の一例である。
反射鏡67の貫通穴67aは、導光部材43の直径と同じまたは少しだけ大きい内径を有する。
そして、第7実施形態では、導光部材43の蛍光体6側の端部は、反射鏡67の貫通穴67aに嵌め込まれている。すなわち、導光部材43のレーザ光出射面43bは、反射鏡67の内面67cよりも内側(半導体レーザ素子2とは反対側(蛍光体6側))に配置されている。
レンズ64は、例えば上記第5実施形態のレンズ44と同様の構造に形成されている。また、レンズ64は、導光部材43の直径よりも大きく、かつ、上記第6実施形態のレンズ55よりも小さい直径を有する。
また、第7実施形態では、上記第6実施形態と同様、透光部材は設けられておらず、反射型偏光フィルタ68は、レンズ64の表面(レーザ光入射面およびレーザ光出射面)に形成されている。
なお、第7実施形態では、導光部材43と蛍光体6との間に、レンズ64を設けているが、導光部材43から出射したレーザ光を集光させる必要がないのであれば、レンズ64の代わりに、例えば平板状の透光部材を設けてもよい。
第7実施形態のその他の構造および製造方法は、上記第5および第6実施形態と同様である。
第7実施形態では、上記のように、反射鏡67に、半導体レーザ素子2から出射したレーザ光が通過する貫通穴67aを形成し、導光部材43を、反射鏡67の貫通穴67aに嵌め込んでいる。これにより、貫通穴67aが大きくなるのを抑制することができるので、蛍光体6からの光が貫通穴67aから半導体レーザ素子2側に戻ってしまうのをより抑制することができる。
なお、第7実施形態のその他の効果は、上記第1〜第6実施形態と同様である。
(第8実施形態)
この第8実施形態では、図12を参照して、上記第1〜第7実施形態と異なり、半導体レーザ素子2の表面に反射型偏光フィルタ78が形成されている場合について説明する。
本発明の第8実施形態による発光装置71は、図12に示すように、半導体レーザ素子2と、反射型偏光フィルタ78と、蛍光体6と、反射鏡77とを備えている。
ここで、第8実施形態では、半導体レーザ素子2のレーザ光出射面(前面)2a上に、例えばワイヤーグリッドからなる反射型偏光フィルタ78が形成されている。なお、反射型偏光フィルタ78は、多層膜偏光子により形成されていてもよい。また、レーザ光出射面2aは、本発明の「第3レーザ光出射面」の一例である。
また、半導体レーザ素子2のレーザ光出射面2aおよび反射型偏光フィルタ78は、同じ大きさの直径(外形)を有するように形成されている。
反射鏡77の貫通穴77aは、半導体レーザ素子2のレーザ光出射面2aおよび反射型偏光フィルタ78の直径(外形)と同じまたは少しだけ大きい内径(内形)を有する。
そして、半導体レーザ素子2および反射型偏光フィルタ78は、反射鏡77の貫通穴77aに嵌め込まれて固定されており、貫通穴77aを塞いでいる。
なお、第8実施形態のその他の構造および製造方法は、上記第1〜第7実施形態と同様である。
第8実施形態では、上記のように、反射型偏光フィルタ78を、半導体レーザ素子2のレーザ光出射面2a上に形成することによって、反射型偏光フィルタ78と半導体レーザ素子2とを一体的に形成することができるので、発光装置71を、小型化・軽量化することができる。また、発光装置71を組み立てる際に、反射型偏光フィルタ78が半導体レーザ素子2から出射したレーザ光の直線偏光を透過するように、半導体レーザ素子2と反射型偏光フィルタ78との角度調整を行う必要がなくなる。これにより、発光装置71の組立工程を簡略化することができる。
また、第8実施形態のその他の効果は、上記第1〜第7実施形態と同様である。
(第9実施形態)
この第9実施形態では、図13および図14を参照して、上記第1〜第8実施形態と異なり、集光機能を有する導光部材83を用いる場合について説明する。
本発明の第9実施形態による発光装置81では、図13に示すように、複数の半導体レーザ素子2(図14参照)と、導光部材83と、反射型偏光フィルタ88aおよび88bと、蛍光体86と、反射鏡87とを備えている。なお、導光部材83は、本発明の「光学部材」の一例である。
導光部材83は、透光性を有する材料により形成されているとともに、集光機能を有する。
具体的には、導光部材83は、図13および図14に示すように、例えば四角錐台形状に形成されており、レーザ光入射面83aと、レーザ光入射面83aよりも面積の小さいレーザ光出射面83bとを含む。なお、レーザ光出射面83bは、本発明の「第1レーザ光出射面」および「第2レーザ光出射面」の一例である。
また、レーザ光出射面83bは、上下方向の長さおよび水平方向の長さが反射鏡87の貫通穴87aの内径よりも小さくなるように形成されているとともに、半導体レーザ素子2側(または蛍光体86側)から見て、反射鏡87の貫通穴87a内に収まる大きさに形成されている。
また、第9実施形態では、図14に示すように、導光部材83のレーザ光入射面83aに対向するように、複数(例えば4つ)の半導体レーザ素子2が配置されている。これら複数の半導体レーザ素子2は、共振器(図示せず)の延長線が略一点に集中するように配置されている。そして、複数の半導体レーザ素子2から出射した光は、導光部材83に入射した後、導光部材83の表面部分で全反射されながら、レーザ光出射面83bに集光される。なお、導光部材83の形状により、複数の半導体レーザ素子2から出射したレーザ光をレーザ光出射面83bに集光させることが可能であるので、複数の半導体レーザ素子2を、共振器(図示せず)の延長線が略一点に集中するように配置しなくてもよい。すなわち、複数の半導体レーザ素子2を、例えば、共振器(図示せず)が互いに平行になるように配置してもよい。
また、第9実施形態では、導光部材83のレーザ光入射面83a上に反射型偏光フィルタ88aが形成されており、レーザ光出射面83b上に反射型偏光フィルタ88bが形成されている。
蛍光体86は、反射鏡87の内面87cよりも内側(半導体レーザ素子2とは反対側)に配置されている。なお、内面87cは、本発明の「反射面」の一例である。
第9実施形態のその他の構造および製造方法は、上記第1〜第8実施形態と同様である。
第9実施形態では、上記のように、導光部材83に、レーザ光入射面83aと、レーザ光入射面83aよりも小さい面積を有するレーザ光出射面83bとを設けることによって、導光部材83の内部を通過するレーザ光を、集光することができる。これにより、複数の半導体レーザ素子2から出射したレーザ光を、導光部材83により集光して、1つの蛍光体86に照射させることができる。その結果、複数の半導体レーザ素子2を用いる場合にも、蛍光体86の数が多くなるのを抑制することができるので、発光装置81を、より小型化・軽量化することができる。
また、第9実施形態では、上記のように、反射型偏光フィルタ88aおよび88bを、導光部材83のレーザ光入射面83aおよびレーザ光出射面83bに形成する。これにより、反射型偏光フィルタ88aおよび88bと導光部材83とを一体的に形成することができるので、発光装置81を、より小型化・軽量化することができる。
また、第9実施形態のその他の効果は、上記第1〜第8実施形態と同様である。
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
例えば、本発明の発光装置は、インジケータランプ(表示灯)、イルミネーションランプ(電球)、プロジェクタまたはレーザポインタや、その他の各種発光装置に適用可能である。また、本発明の発光装置は、自動車(車両)等の移動体用前照灯、表示装置用のバックライト、室内用照明装置、サーチライトまたは内視鏡用照明装置や、その他の各種照明装置にも適用可能である。
また、上記実施形態では、レーザ光を可視光に変換した例について示したが、本発明はこれに限らず、レーザ光を可視光以外の光に変換してもよい。例えば、レーザ光を赤外光に変換する場合には、セキュリティ用CCDカメラの夜間照明装置や、赤外線暖房機の赤外線発光装置などにも適用可能である。
また、上記実施形態では、レーザ発生器として、半導体レーザ素子を用いた例について示したが、本発明はこれに限らず、半導体レーザ素子以外のレーザ発生器を用いてもよい。
また、上記実施形態では、青紫色のレーザ光を出射する半導体レーザ素子と、レーザ光を青色光、緑色光、赤色光からなる可視光に変換して出射する蛍光体とを設け、青色光、緑色光および赤色光が混色されることにより白色光を出射するように構成した例について説明したが、本発明はこれに限らず、例えば、青色光のレーザ光を出射する半導体レーザ素子と、青色光の一部を黄色光に変換して出射する蛍光体とを設けてもよいし、他の色の光を出射する半導体レーザ素子および蛍光体を設けてもよい。また、白色光以外の光を出射するように、半導体レーザ素子および蛍光体を構成してもよい。
また、上記実施形態では、反射型偏光フィルタを、多層膜偏光子やワイヤーグリッドにより形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、反射型偏光フィルタを、多層膜偏光子およびワイヤーグリッド以外により形成してもよい。
また、例えば上記第1実施形態では、多層膜偏光子を、CaCO3およびSiO2を用いて形成した例について説明したが、本発明はこれに限らず、多層膜偏光子を、例えばアルミナやポリマーなどの、CaCO3およびSiO2以外の材料を用いて形成してもよい。
また、例えば上記第1実施形態では、CaCO3層とSiO2層とを50層ずつ積層して多層膜偏光子を形成した例について説明したが、本発明はこれに限らず、CaCO3層およびSiO2層の層数は、任意の数に設定可能である。
また、例えば上記第2実施形態では、ワイヤーグリッド(金属細線)を、Alにより形成した例について説明したが、本発明はこれに限らず、ワイヤーグリッドを、ステンレス、Au、AgまたはCuなどの他の金属材料により形成してもよい。
また、例えば上記第3実施形態では、透光部材および反射型偏光フィルタを、反射鏡の貫通穴を外側から塞ぐように配置した例について示したが、本発明はこれに限らず、透光部材および反射型偏光フィルタを、反射鏡の貫通穴を内側(蛍光体側)から塞ぐように配置してもよい。
上記第4実施形態では、フォトニック結晶構造を形成するために、SiO2基板(透光部材)に貫通孔を形成した例ついて説明したが、本発明はこれに限らず、SiO2基板(透光部材)が所望の機能を満たすのであれば、SiO2基板(透光部材)に貫通していない孔を形成してもよい。
また、上記実施形態では、反射型偏光フィルタから所定の距離を隔てて蛍光体を配置した例ついて説明したが、本発明はこれに限らず、図15に示した本発明の第1変形例による発光装置91のように、反射型偏光フィルタ98のレーザ光出射面(第4レーザ光出射面)98a上に、蛍光体96を接合(接着)し、反射型偏光フィルタ98と蛍光体96とを一体的に形成してもよい。
また、上記第5および第7実施形態では、光ファイバからなる導光部材の表面上に反射型偏光フィルタを形成しない例について説明したが、本発明はこれに限らず、図16に示した本発明の第2変形例による発光装置101のように、光ファイバからなる導光部材(光学部材)103のレーザ光出射面(第1レーザ光出射面)103b上に反射型偏光フィルタ108を一体的に形成してもよい。また、導光部材103のレーザ光入射面103a上に反射型偏光フィルタ108を一体的に形成してもよい。なお、光ファイバからなる導光部材103の表面(レーザ光入射面103aやレーザ光出射面103b)上に反射型偏光フィルタ108を形成する場合、反射型偏光フィルタ108を、例えば多層膜偏光子により形成してもよい。
また、例えば上記第9実施形態では、複数の半導体レーザ素子と、集光機能を有する導光部材とを設けた例について示したが、本発明はこれに限らず、半導体レーザ素子を1つだけ設ける場合であっても、集光機能を有する導光部材を用いてもよい。この場合にも、レーザ光を集光することにより、蛍光体を小さくすることができるので、発光装置を小型化・軽量化することができる。
また、上記実施形態では、蛍光体の前方に反射鏡を設けない例について説明したが、本発明はこれに限らず、図17に示した本発明の第3変形例による発光装置111のように、蛍光体86の前方に反射鏡112を設けてもよい。この場合、反射鏡112を、蛍光体86からの光を蛍光体86に反射させるように構成してもよい。このように構成すれば、蛍光体86から出射した光がそのまま発光装置111から出射されることがない。すなわち、蛍光体86から出射した光は、一旦反射鏡87に反射されて発光装置111から出射されるので、発光装置111の照射範囲を制御することができる。
また、蛍光体86の厚みが小さい場合には、蛍光体86に変換されずに蛍光体86を透過してしまうレーザ光が発生する場合があるが、蛍光体86の前方に反射鏡112を設けることによって、蛍光体86を透過したレーザ光を再度蛍光体86に入射させ、可視光に変換させることができる。
1、11、21、31、41、51、61、71、81、91、101、111 発光装置
2 半導体レーザ素子(レーザ発生器)
2a レーザ光出射面(第3レーザ光出射面)
6、86、96 蛍光体
7、27、67、77、87 反射鏡
7a、27a、67a、77a、87a 貫通穴
7c、27c、87c 内面(反射面)
8、18、28、38、58、68、78、88a、88b、98、108 反射型偏光フィルタ
34a 領域(第1領域)
34b 領域(第2領域)
55、64 レンズ(光学部材)
83、103 導光部材(光学部材)
83a、103a レーザ光入射面
83b レーザ光出射面(第1レーザ光出射面、第2レーザ光出射面)
93b レーザ光出射面(第1レーザ光出射面、第2レーザ光出射面)
98a レーザ光出射面(第4レーザ光出射面)
103b レーザ光出射面(第1レーザ光出射面)

Claims (19)

  1. 直線偏光のレーザ光を出射するレーザ発生器と、
    前記レーザ発生器からのレーザ光が照射される蛍光体と、
    前記レーザ発生器から出射したレーザ光の通過領域に配置される反射型偏光フィルタとを備え、
    前記反射型偏光フィルタは、前記レーザ光の直線偏光を透過し、前記レーザ光の直線偏光の偏波面と直交する偏波面を有する直線偏光を反射するように形成されていることを特徴とする発光装置。
  2. 前記蛍光体からの光を所定の方向に反射する反射鏡をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記反射鏡は、前記レーザ発生器から出射したレーザ光が通過する貫通穴を含み、
    前記反射型偏光フィルタは、前記貫通穴を塞ぐように配置されていることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
  4. 前記反射型偏光フィルタの前記蛍光体側の面は、前記反射鏡の反射面から前記蛍光体側に突出しないように配置されていることを特徴とする請求項2または3に記載の発光装置。
  5. 前記反射鏡は、前記レーザ発生器から出射したレーザ光が通過する貫通穴を含み、
    前記反射型偏光フィルタは、前記貫通穴よりも大きい面積を有することを特徴とする請求項2〜4のいずれか1項に記載の発光装置。
  6. 前記反射型偏光フィルタは、前記蛍光体とは反対側から前記貫通穴を塞ぐように配置されていることを特徴とする請求項5に記載の発光装置。
  7. 前記反射型偏光フィルタは、前記貫通穴に対向配置される第1領域と、前記第1領域の周囲を囲う第2領域とを含み、
    前記第2領域は、フォトニック結晶構造を有することを特徴とする請求項5または6に記載の発光装置。
  8. 前記レーザ発生器から出射したレーザ光の通過領域に配置される光学部材をさらに備え、
    前記反射型偏光フィルタは、前記光学部材の表面上に形成されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の発光装置。
  9. 前記光学部材は、導光部材およびレンズの少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項8に記載の発光装置。
  10. 前記光学部材は、レーザ光入射面および第1レーザ光出射面を有する導光部材を含み、
    前記反射型偏光フィルタは、前記導光部材の前記レーザ光入射面および前記第1レーザ光出射面の少なくとも一方に形成されていることを特徴とする請求項9に記載の発光装置。
  11. 前記光学部材は、前記導光部材と、前記導光部材および前記蛍光体の間に配置される前記レンズとを含み、
    前記反射型偏光フィルタは、前記レンズの表面上に形成されていることを特徴とする請求項9または10に記載の発光装置。
  12. 前記レーザ発生器から出射したレーザ光の通過領域に配置される導光部材をさらに備え、
    前記導光部材は、レーザ光入射面と、前記レーザ光入射面よりも小さい面積を有する第2レーザ光出射面とを含むことを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の発光装置。
  13. 前記反射型偏光フィルタは、前記レーザ発生器の第3レーザ光出射面上に形成されていることを特徴とする請求項1〜12のいずれか1項に記載の発光装置。
  14. 前記蛍光体は、前記反射型偏光フィルタの第4レーザ光出射面上に設けられていることを特徴とする請求項1〜13のいずれか1項に記載の発光装置。
  15. 前記蛍光体からの光を所定の方向に反射する反射鏡と、
    前記レーザ発生器から出射したレーザ光の通過領域に配置される導光部材とをさらに備え、
    前記反射鏡は、前記レーザ発生器から出射したレーザ光が通過する貫通穴を含み、
    前記導光部材は、前記反射鏡の貫通穴に嵌め込まれていることを特徴とする請求項1〜14のいずれか1項に記載の発光装置。
  16. 前記レーザ発生器は、半導体レーザ素子を含むことを特徴とする請求項1〜15のいずれか1項に記載の発光装置。
  17. 前記反射型偏光フィルタは、多層膜偏光子を含むことを特徴とする請求項1〜16のいずれか1項に記載の発光装置。
  18. 前記反射型偏光フィルタは、ワイヤーグリッドを含むことを特徴とする請求項1〜17のいずれか1項に記載の発光装置。
  19. 請求項1〜18のいずれか1項に記載の発光装置を備えることを特徴とする照明装置。
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