JP2011118377A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (2)

1. 第１の基板と、
   第２の基板と、
   前記第１の基板と、前記第２の基板との間の液晶とを有し、
   前記第１の基板は、画素部と、駆動回路部と、第１の導電層とを有し、
   前記画素部は、第１のトランジスタを有し、
   前記駆動回路部は、第２のトランジスタを有し、
   前記第１のトランジスタは、第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層と重なる領域を有する第１のゲート電極とを有し、
   前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体層と、前記第２の酸化物半導体層と重なる領域を有する第２のゲート電極とを有し、
   前記第１の導電層は、前記第２の酸化物半導体層の上方で、前記第２の酸化物半導体層と重なる領域を有し、
   前記第２の基板は、第２の導電層と、第３の導電層とを有し、
   前記第２の導電層は、前記２の酸化物半導体層と重なる領域を有し、
   前記第３の導電層は、前記第１の酸化物半導体層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第２の導電層は、開口部を有することを特徴とする半導体装置。