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JP2011114341A5 - - Google Patents

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JP2011114341A5
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Claims (10)

  1. LEDチップと、
    前記LEDチップを実装する本体部と、
    前記LEDチップを介し互いに向かい合うように前記本体部から延長されて夫々具備され、前記LEDチップから放出される光を反射させる一対の反射部と、
    前記LEDチップを封止するように前記一対の反射部の間に形成され、中央領域が凹んだ上部面を具備するモールディング部と、
    を含む発光素子パッケージ。
  2. 前記反射部は、前記本体部の短軸方向の側面より長さが長い長軸方向の側面の縁に沿って具備されることを特徴とする請求項1に記載の発光素子パッケージ。
  3. 前記モールディング部は、前記一対の反射部を垂直に横切る上部面の中心が前記本体部の両短軸方向の側面と平行に所定の深さだけ陥没し、前記短軸方向側面から前記中心に向かってなだらかな曲線を描く傾きで形成されることを特徴とする請求項1または2に記載の発光素子パッケージ。
  4. 前記反射部は、その上部面が前記モールディング部の上部面と対応する形状を有することを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の発光素子パッケージ。
  5. 前記反射部は、その上部面が前記モールディング部の上部面の凹んだ中央の頂点まで前記本体部の上部に延長されて形成されることを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の発光素子パッケージ。
  6. 前記反射部は、上部面が前記モールディング部の上部面の長軸方向の側面の両端まで前記本体部の上部に延長され形成されることを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載の発光素子パッケージ。
  7. 前記モールディング部は、前記LEDチップから放出される光の波長を変換する蛍光物質を含有することを特徴とする請求項1から6の何れか1項に記載の発光素子パッケージ。
  8. 金属プレートに複数のリード端子をパターニングして具備する段階と、
    前記リード端子の各々にLEDチップを実装し、前記リード端子と電気的に連結する段階と、
    前記リード端子の各々の周囲に本体部を形成し、前記LEDチップを介し互いに向かい合う反射部を前記本体部上に形成する段階と、
    前記LEDチップと前記リード端子を封止するように前記反射部の間にモールディング部を形成する段階と、
    前記LEDチップの各々の位置に対応し前記モールディング部の上部面に凹んで陥没した頂点を形成する段階と、
    ダイシングする段階と、
    を含む発光素子パッケージの製造方法。
  9. 前記反射部を形成する段階は、パターニングされた前記リード端子の各々の周囲の溝に樹脂等をモールディングして形成される前記本体部上に、前記発光素子パッケージの長軸方向の側面に沿って反射部材を複数形成することを含む請求項8に記載の発光素子パッケージの製造方法。
  10. 前記モールディング部の上部面に頂点を形成する段階は、前記頂点に対応する形状が加工された枠をプレスして形成することを含む請求項8または9に記載の発光素子パッケージの製造方法。
JP2010252964A 2009-11-27 2010-11-11 発光素子パッケージ及びその製造方法 Pending JP2011114341A (ja)

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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6154392B2 (ja) * 2012-02-16 2017-06-28 シチズン電子株式会社 発光ダイオードおよび発光ダイオードを有する照明装置
KR102242660B1 (ko) * 2013-09-11 2021-04-21 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 소자 및 이를 포함하는 백라이트 유닛과 이의 제조 방법
KR101488454B1 (ko) * 2013-09-16 2015-01-30 서울반도체 주식회사 Led 패키지 및 그 제조방법
CN108847440A (zh) * 2015-04-22 2018-11-20 株式会社流明斯 发光器件封装
KR102374529B1 (ko) * 2015-05-29 2022-03-17 엘지디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지와 그의 제조 방법, 이를 이용한 백라이트 유닛과 액정 표시 장치
KR101763893B1 (ko) * 2015-06-03 2017-08-01 주식회사 굿엘이디 광원 유닛 및 이의 제조 방법
KR101665102B1 (ko) 2015-06-10 2016-10-12 주식회사 레다즈 발광소자 패키지 및 그의 제조방법
US10008648B2 (en) 2015-10-08 2018-06-26 Semicon Light Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR102426861B1 (ko) * 2015-12-02 2022-07-29 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지
EP3200248B1 (en) * 2016-01-28 2020-09-30 Maven Optronics Co., Ltd. Light emitting device with asymmetrical radiation pattern and manufacturing method of the same
TWI608636B (zh) * 2016-01-28 2017-12-11 行家光電股份有限公司 具非對稱性光形的發光裝置及其製造方法
KR102116988B1 (ko) * 2016-08-11 2020-06-01 삼성전자 주식회사 광원 모듈, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
KR101865786B1 (ko) * 2016-11-09 2018-06-11 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법
KR101863538B1 (ko) * 2017-04-19 2018-06-04 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법
KR101877241B1 (ko) * 2017-06-29 2018-07-11 주식회사 세미콘라이트 반도체 발광소자
KR20190074233A (ko) * 2017-12-19 2019-06-27 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 모듈
JP6848997B2 (ja) * 2018-04-11 2021-03-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR20200019514A (ko) * 2018-08-14 2020-02-24 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 발광 다이오드 패키지를 포함하는 디스플레이 장치
JP6993589B2 (ja) * 2019-12-11 2022-02-04 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置を用いた面発光装置
JP7534626B2 (ja) 2020-12-17 2024-08-15 日亜化学工業株式会社 発光装置及び面状光源

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004039778A (ja) * 2002-07-02 2004-02-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明用発光素子
KR100586965B1 (ko) * 2004-05-27 2006-06-08 삼성전기주식회사 발광 다이오드 소자
KR100586968B1 (ko) * 2004-05-28 2006-06-08 삼성전기주식회사 Led 패키지 및 이를 구비한 액정표시장치용 백라이트어셈블리
KR100576866B1 (ko) * 2004-06-16 2006-05-10 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 그 제조방법
US7352011B2 (en) 2004-11-15 2008-04-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wide emitting lens for LED useful for backlighting
KR100631901B1 (ko) * 2005-01-31 2006-10-11 삼성전기주식회사 Led 패키지 프레임 및 이를 채용하는 led 패키지
DE102005061431B4 (de) * 2005-02-03 2020-01-02 Samsung Electronics Co., Ltd. LED-Einheit der Art Seitenausstrahlung
KR100674871B1 (ko) * 2005-06-01 2007-01-30 삼성전기주식회사 측면 발광형 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
KR100691179B1 (ko) * 2005-06-01 2007-03-09 삼성전기주식회사 측면 발광형 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
US8168989B2 (en) * 2005-09-20 2012-05-01 Renesas Electronics Corporation LED light source and method of manufacturing the same
KR20070055152A (ko) 2005-11-25 2007-05-30 서울반도체 주식회사 발광소자 및 이를 이용한 백라이트 유닛
KR100790741B1 (ko) * 2006-09-07 2008-01-02 삼성전기주식회사 엘이디 패키지용 렌즈의 제작 방법
JP2008135709A (ja) * 2006-10-31 2008-06-12 Sharp Corp 発光装置、画像表示装置、およびその製造方法
KR100930171B1 (ko) * 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
JP4826470B2 (ja) * 2006-12-28 2011-11-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2008226928A (ja) * 2007-03-08 2008-09-25 Sharp Corp 発光装置およびその製造方法、ならびに照明装置
KR20090047306A (ko) * 2007-11-07 2009-05-12 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
TW200943590A (en) * 2008-01-22 2009-10-16 Alps Electric Co Ltd Led package and manufacturing method therefor
US8258526B2 (en) * 2008-07-03 2012-09-04 Samsung Led Co., Ltd. Light emitting diode package including a lead frame with a cavity
JP2013005709A (ja) * 2011-06-20 2013-01-07 Hiromichi Kinoshita バッテリー大型発電システム

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