JP2011113595A - 熱アシスト磁気ヘッドスライダ及びヘッドジンバルアセンブリ - Google Patents

Abstract

【課題】熱アシスト磁気ヘッドスライダ及びヘッドジンバルアセンブリにおいて、半導体レーザ部自身の発熱による結合損失の増大を抑え、コンタミネーションの発生を防止する。
【解決手段】熱アシスト磁気ヘッドスライダは、浮上スライダ１と、金属膜２と、半導体レーザ部３とで構成される。浮上スライダ１の浮上面とは反対側の面と半導体レーザ部３の間に、半導体レーザ部３からの光が通過する部分に開口部１６を有する金属膜２が配置され、前記開口部１６に屈折率整合材１７が設けられる。前記金属膜２の屈折率整合材１７を含む下面が前記浮上スライダの浮上面側とは反対側の面に密着して配置され、前記金属膜２の屈折率整合材１７を含む上面に前記半導体レーザ部３が密着して配置される。
【選択図】図２

Description

本発明は、磁気ディスク装置の高記録密度化を実現するための磁気ヘッドスライダ及びヘッドジンバルアセンブリに係り、特に熱アシスト記録のための磁気ヘッドスライダ及びヘッドジンバルアセンブリに関する。

モバイルＰＣや、ワークステーション、大容量サーバなどのコンピュータシステムの急速な高性能化が進んでおり、その外部記憶装置である磁気ディスク装置には、高記録密度化が要求されている。磁気ディスク装置の高記録密度化のためには、磁気記録媒体と磁気ヘッドスライダの距離を低減すること、磁気記録媒体の磁性膜を構成する結晶粒径を微細化すること、磁気記録媒体の保磁力を増大させることが必要である。磁気記録媒体において、結晶粒径を微細化することはノイズを低減することにつながるが、一方、粒子が熱的に不安定になるという問題が生じる。したがって、結晶粒径を微細化して、さらに熱安定性も確保するためには、磁気記録媒体の磁性層の異方性磁界を大きくする必要がある。このことは、情報の記録に必要なヘッド磁界強度もさらに大きくする必要があるということを意味する。しかしながら、記録用磁気ヘッドの大きさには限りがあるため、異方性磁界をあげる、すなわち保磁力を上げることが困難になる。その結果、高記録密度化ができなくなる。

これを解決するために、記録の瞬間にだけ磁気記録媒体を光で加熱し、磁気記録媒体の保磁力を低下させる近接場光を用いた熱アシスト記録方式が提案されている。近接場光は光の波長以下の微小物体近傍に局在した電磁場であり、金属体に光を入射させると、金属体中にプラズモン共鳴が励起され、その先端部近傍には強い近接場光が発生する。その時の近接場光の照射スポット径は数１０ｎｍであり、磁気記録媒体の結晶粒径と同程度の大きさの部分を加熱することが可能となる。そのため、従来の記録用磁気ヘッドでは、記録磁界が不足して記録が困難であった超高記録密度用の高い異方性磁界強度、すなわち高保磁力をもつ磁気記録媒体に対して、微小領域のみ加熱することによって保磁力を下げて、記録を可能にする。

通常、光源としては、磁気ディスク装置内で使用する観点から、小型で低消費電力の半導体レーザが用いられる。半導体レーザからの光を近接場光発生素子に導くためには、光学部品、例えば、反射ミラー、レンズ、光ファイバー、光導波路などが使用される。しかしながら、上記の光学部品の使用は、結合部で光学損失（以下、結合損失と称す）を増大させるため、できるだけ少ない部品で行うことが必要である。少部品化は、光路長が短くなるので減衰による損失も小さくなるので好ましい。したがって、光源である半導体レーザ部を磁気ヘッドスライダ近傍に配置させることが、最も損失を小さくできる構成である。

このように、半導体レーザ部を磁気ヘッドスライダに配置した熱アシスト記録に係わる公知技術として、例えば特許文献１や特許文献２に記載された技術がある。
特許文献１には、半導体レーザ部を磁気ヘッドスライダの浮上面とは垂直方向に配置し、光を近接場光発生素子に光導波路で導く方法が開示されている。
特許文献２では、半導体レーザ部を磁気ヘッドスライダの浮上面と平行方向に配置し、回折光学素子によって、光の進行方向を９０度変更し、屈折率調整層及び光導波路を経由して、近接場光発生素子に導いている。

特開２００９−５４２０５号公報 特開２００８−１００２６号公報

特許文献１に記載のように、半導体レーザ部を磁気ヘッドスライダ側面に設けた場合において、半導体レーザ部は、構造的に片もちばりの構造となるため、磁気ヘッドスライダが磁気記録媒体を浮上する際には、大きく振動してしまう。そのため、半導体レーザ部の光出射口と光導波路の光入射口とで相対ずれが発生する。その結果、結合損失が生じる問題がある。結合損失の増大は、消費電力の増加となり、大きな課題である。

一方、特許文献２に記載の技術においては、半導体レーザ部は、光を発生するばかりでなく、半導体レーザ部が熱源としても作用する。具体的には、半導体レーザ駆動時には、半導体レーザ部のレーザ発振が開始される発振しきい値の電流値までの領域は、全て熱に変換され、これらは半導体レーザ部自身を発熱させる。本公知例では、熱対策については、言及されていない。また、本公知例の屈折率調整材は、ＵＶ硬化樹脂であるポリメチルフェニルシランが使用されている。この材料は熱によって熱分解し、シロキサン等のコンタミネーションが発生する。このコンタミネーションは、磁気ディスク装置にとって、浮上を阻害する物質であり、一旦発生すると、最悪の場合、ヘッドクラッシュが発生する確率が高い。その結果、磁気ディスク装置の信頼性を損なう課題があった。

本発明は従来の熱アシスト磁気記録方式の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、熱アシスト磁気ヘッドスライダにおいて、半導体レーザ部自身の発熱による結合損失の増大を抑え、コンタミネーションの発生を防止することである。

上記目的を達成するために、本発明の熱アシスト磁気ヘッドスライダにおいては、情報を記録、再生する記録・再生素子と、近接場光を発生する近接場光発生素子とが浮上面側に配置され、前記浮上面側とは異なる面に、加熱用光源としての半導体レーザ部が配置され、前記半導体レーザ部からの光を前記近接場光発生素子に導くコア部とクラッド部とを有する光導波路を備える熱アシスト磁気ヘッドスライダであって、
前記浮上面側とは異なる面と前記半導体レーザ部の間に、半導体レーザ部からの光が通過する部分に開口部を有する金属膜が配置され、前記開口部に屈折率整合材が設けられ、前記金属膜の前記屈折率整合材を含む下面が前記浮上面側とは異なる面に密着して配置され、前記金属膜の前記屈折率整合材を含む上面に前記半導体レーザ部が密着して配置されていることを特徴とする。
前記浮上面側とは異なる面は、浮上面と反対側の面であることが望ましい。
前記光導波路のコア部の屈折率はクラッド部の屈折率よりも高いことが望ましい。
前記屈折率整合材の屈折率は、前記光導波路のコア部の屈折率とクラッド部の屈折率の範囲内に入っていることが望ましい。
前記屈折率整合材はＡｌ_２Ｏ_３、または分子末端基にＯＨ基を有するフッ素系有機化合物、具体的にはパーフロロポリエーテルであることが望ましい。
前記金属膜は、Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｔｉの中から選ばれた金属、もしくは前記金属のうち２種類以上の合金であることが望ましい。

上記目的を達成するために、本発明の熱アシスト磁気ヘッドスライダにおいては、情報を記録、再生する記録・再生素子と、近接場光を発生する近接場光発生素子とが浮上面側に配置され、前記浮上面側とは異なる面に、加熱用光源としての半導体レーザ部が配置され、前記半導体レーザ部からの光を前記近接場光発生素子に導くコア部とクラッド部とを有する光導波路を備える熱アシスト磁気ヘッドスライダであって、
前記浮上面側とは異なる面と前記半導体レーザ部の間に、溝部と該溝部の前記半導体レーザ部からの光が通過する部分に漏斗状開口部を有する基板が配置され、該基板の漏斗状開口部に第１の屈折率整合材と該第１の屈折率整合材の周囲に当該第１の屈折率整合材よりも屈折率が低い第２の屈折率整合材が設けられ、前記基板の上に前記漏斗状開口部を除いて金属膜が配置され、前記半導体レーザ部は前記基板の溝部に合致する段差部を有し、前記基板は前記浮上面側とは異なる面に密着して配置され、前記半導体レーザ部は前記金属膜に密着して配置されていることを特徴とする。
前記第１の屈折率整合材は、分子末端基にＯＨ基を有するフッ素系有機化合物、具体的には、パーフロロポリエーテルであることが望ましい。
前記第２の屈折率整合材は酸化物またはフッ素系の化合物、具体的にはＭｇＦ_２であることが望ましい。
前記金属膜は、Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｔｉの中から選ばれた金属、もしくは前記金属のうち２種類以上の合金であるが望ましい。

上記目的を達成するために、本発明のヘッドジンバルアセンブリにおいては、上記熱アシスト磁気ヘッドスライダを、前記金属膜を介してサスペンションのジンバルばねに固定し、ロードビームに設けられたピボットを前記半導体レーザ部の上部に当接させるものである。

本発明によれば、熱アシスト磁気ヘッドスライダ及びヘッドジンバルアセンブリにおいて、半導体レーザ部自身の発熱による結合損失の増大を抑え、コンタミネーションの発生を防止することができる。

実施例１による熱アシスト磁気ヘッドスライダの組み立て斜視図である。 実施例１による熱アシスト磁気ヘッドスライダの断面図である。 実施例１による熱アシスト磁気ヘッドスライダの効果を示す図である。 実施例１の熱アシスト磁気ヘッドスライダをヘッドジンバルアセンブリにしたときの模式図である。 実施例１の熱アシスト磁気ヘッドスライダをヘッドジンバルアセンブリにしたときの組み立て斜視図である。 実施例２による熱アシスト磁気ヘッドスライダの組み立て斜視図である。 実施例２による熱アシスト磁気ヘッドスライダの断面図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施例を説明する。

図１は、実施例１による熱アシスト磁気ヘッドスライダの組み立て斜視図である。図２は実施例１による熱アシスト磁気ヘッドスライダの断面図を示す。実施例１の熱アシスト磁気ヘッドスライダでは、磁気記録媒体を浮上する浮上スライダ１と、金属膜２及び半導体レーザ部３からなり、それぞれが接着剤等により積層される。浮上スライダ１は、スライダ基板４と記録再生素子、光導波路及び近接場光発生部を含む薄膜磁気ヘッド部５から構成される。スライダ基板４はＡｌ_２Ｏ_３とＴｉＣの焼結体に代表される材料からなっている。磁気記録媒体上を浮上させるための浮上面には、イオンミリングやエッチングなどのプロセスによって微細な段差（ステップ軸受け）が設けられており、磁気記録媒体と対向して空気圧力を発生する役目をしている。

薄膜磁気ヘッド部５では、記録素子６および再生素子７はＡｌ_２Ｏ_３の絶縁膜８の中に形成される。記録素子６は主磁極９と補助磁極１０とを備える垂直磁気記録用の単磁極型記録ヘッドであり、主磁極９から漏れ出る磁界によって磁気記録媒体に記録が行われる。再生素子７は磁気シールド１１間に配置され、磁気抵抗効果素子からなる。記録素子６と再生素子７の間には、近接場光発生素子１２と、近接場光発生素子１２に光を導くために光導波路１３（コア１３ａ及びクラッド１３ｂから構成される）が形成されている。光導波路のコア１３ａの材質はＴａ_２Ｏ_５（屈折率２．１８）とし、クラッド１３ｂの材質はＳｉＯ_２（屈折率１．４８）とした。導波路１３の断面形状は正方形とし、幅は５００ｎｍである。

近接場光発生素子１２の形状は、平面状の三角形とし、材質はＡｕ、長さは１００ｎｍとした。近接場光発生素子周辺部１４は、近接場光強度の低下防止のために、屈折率がコア１３ａの屈折率よりも小さくなるような材質で構成され、近接場光発生素子１２を覆っている。本実施例では、近接場光発生素子周辺部１４の材質はＳｉＯ_２とした。近接場光発生素子１２の形状は平面状の三角形以外にも矩形状、台形状、Ｃ字形状、Ｈ字形状でもよい。近接場光発生素子１２の材質は導電性を有したものであればよく、Ａｕ以外に、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉなどの金属、またはこれらの金属２種類以上の合金から選ばれたものである。

半導体レーザ部３は、基板がＧａＡｓ、ＩｎＰ、サファイア等から選ばれた材料でできており、内部には活性層やクラッド層が形成されている。半導体レーザ部３は端面発光型レーザを使用し、光の進行方向に対して４５度の角度をなすマイクロミラー１５を形成している。その結果、半導体レーザ部３から発光される初期の光は、浮上スライダ１の長手方向と平行であるが、４５度傾斜マイクロミラー１５によって、出射する光を約９０度回転させ、浮上スライダ１の浮上面とは反対側に存在する光導波路１３の入射口とカップリングできる。半導体レーザ部３と浮上スライダ１の間の金属膜２は、半導体レーザ部３からの熱を放熱するために、導電性の高いＡｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ等、あるいはそれらの合金から選ばれた材料から出来ており、実施例１ではＣｕを用いた。

金属膜２は、スパッタ法、蒸着法、メッキ法などによって形成し、厚さとしては、例えば０．５μｍ〜１０μｍ程度に設定するとよい。また、半導体レーザ部３と光導波路１３の光軸部分には、直径１０〜３０μｍの開口部１６を設けている。開口部１６は半導体レーザ部３の本体に覆われるような構成である。この開口部１６の内部には、Ａｌ_２Ｏ_３（屈折率１．６０）からなる屈折率整合材１７が配置されている。薄膜磁気ヘッド部５内のＡｌ_２Ｏ_３絶縁膜８の屈折率（屈折率１．５０）よりも高めにしている。これは、屈折率整合材１７をスパッタ法等で形成する際に、Ａｒ等のガス圧を変化させることによって、調整は可能である。また、屈折率整合材１７として、磁気記録媒体を構成する潤滑剤分子式と同じ骨格を持ち、分子末端基にＯＨ基を有するフッ素系有機化合物、例えば、パーフロロポリエーテル（屈折率１．４）を用いることができる。

半導体レーザ部３から出射された光が屈折率整合材１７を通過する際に、半導体レーザ出射口／屈折率整合材１７の界面及び屈折率整合材１７／光導波路のコア１３ａの界面では、界面間の屈折率差によって反射の程度が変化する。このため、その屈折率差を小さくしたほうが好ましく、結合時の損失を小さくできる。

図３は、実施例１の屈折率整合材１７を半導体レーザ部３と光導波路１３の間に挿入した場合と、従来例の屈折率整合材を使用しない(空気のみ)場合の光学損失の比較計算結果である。光スポット形状を直径２μｍのガウシアンビームとして計算を行った。実施例１の屈折率整合材を用いた場合、２μｍ面内方向に光軸が位置ずれした場合の光学損失は０．３ｄＢであるのに対して、従来例の場合、その光学損失は０．８ｄＢである。このことから、磁気ヘッド部の光軸上に屈折率整合材１７を配置することによって、従来例の屈折率整合材１７を使用しない場合、すなわち開口部（空気）のみの場合に比べ、結合損失を小さくできることがわかる。位置ずれによる光導波路に入力できなかった光は、反射や光部品へ吸収される。そして、それらの結合損失は、熱に変換されたりする。その結果、熱膨張によって、位置ずれを増大させる課題がある。

実施例１では、屈折率整合材１７は金属膜２に覆われているため、結合損失によって発生した熱を金属膜２で放熱させることが可能となる。その結果、熱膨張による光軸の位置ずれを低減することが可能となって、好ましい。また、屈折率整合材１７の上面では半導体レーザ部３に、下面では光導波路１３と完全に密着して接している。そのため、屈折率整合材１７と空気とが直接触れ合うことが無いので、コンタミネーションの発生を抑制する効果がある。また、屈折率整合材１７の材料の選択の幅が広がる長所をもつ。

次に、本実施例の熱アシスト磁気ヘッドスライダをヘッドジンバルアセンブリとして組み込んだ。図４は、実施例１の熱アシスト磁気ヘッドスライダをヘッドジンバルアセンブリにした時の模式図である。熱アシスト磁気ヘッドスライダは、板バネ状のサスペンション１８に取り付けられている。サスペンション１８は、基材（ロードビーム）１８ａと、荷重を与えるピボット１８ｂと浮上スライダを回転自由にさせるジンバルばね１８ｃから構成される。ジンバルばね１８ｃは、サスペンションの基材１８ａの根元から取り付けられており、スライダ基板４上の金属膜２と接着剤により固定される。ピボット１８ｂは、熱アシスト磁気ヘッドスライダの中心位置に相当する、半導体レーザ部３の上部に当接させる。従来の磁気ディスク用のアセンブリに比べ、半導体レーザ部３の部分が高くなるため、ジンバルばね部１８ｃの根本付近を曲げ部１９として、これに対処している。図５はサスペンション基材１８ａとピボット１８ｂを省略した時の組み立て斜視図である。半導体レーザ部３からの熱は、金属膜２を介して、ジンバルばね部１８ｃに放熱される構成としている。さらにピボット１８ｂと半導体レーザ部３とが当接しているので、ここからも放熱される効果がある。

実施例２について図６〜図７を用いて説明するが、実施例１と同一で、同じ機能を持つものは同じ番号で示し、説明は省略する。実施例２では、半導体レーザ部３の光出射口と光導波路１３の光入射口との距離（以下、光路長とする）が小さい場合の実施例について開示する。この光路長が小さければ小さい程、結合損失は小さくなることが知られている。実施例２の光路長は２０μｍとしている。本実施例ではＳｉ基板をエッチングにより除去することで、光路長が小さい構造を提供する。

図６は実施例２の組み立て図を示し、図７は実施例２の熱アシスト磁気ヘッドスライダの断面図を示す。基板としては、Ｓｉ基板２０を用い、厚さ１００μｍとした。開口部１６と開口部近辺をエッチングにより除去し、漏斗状の開口部１６と溝部（段差部）２１を設けた。溝部２１の深さは８０μｍである。漏斗状開口部の下穴の直径は２０μｍ、上穴は５０μｍとしている。その後、漏斗状開口部１６に第２の屈折率整合材１７ｂとなるＭｇＦ_２をスパッタ法等により形成した。次に半導体レーザ部３が取りつけられる面に、数μｍの厚さの導電性の高い金属膜２を形成した。具体的にはＡｕを形成した。

薄膜磁気ヘッド部５内に存在する光導波路１３のコア１３ａと近接場光発生素子周辺部１４をＡｌ_２Ｏ_３、クラッド１３ｂをＭｇＦ_２にした。第１の屈折率整合材１７ａは、磁気記録媒体を構成する潤滑剤分子式と同じ骨格を持ち、分子末端基にＯＨ基を有するフッ素系有機化合物、例えば、パーフロロポリエーテル（屈折率１．４）である。第２の屈折率整合材１７ｂは、ＭｇＦ_２（屈折率１．３２）を使用した。

次に、スライダ基板４に薄膜磁気ヘッド部５を形成した後に、磁気ヘッドスライダの浮上面とは反対側の面に前記のＳｉ基板２０を接着剤等によって接着した。さらに、数ｍｇのパーフロロポリエーテルを開口部１６の上面から滴下することで、第１の屈折率整合材１７ａとした。最後に第１の屈折率整合材１７ａが開口部から漏れないように、半導体レーザ部３を接着剤により固着させた。ここで、半導体レーザ部３のマイクロミラー１５が形成された部分と、Ｓｉ基板２０の段差部２１が密接に接触するために、半導体レーザ部３の製作初期段階で、半導体レーザ部３の基板を除去して段差部を形成しておけば、図７に示したように、半導体レーザ部３と金属膜２とは密接して組み立てることができる。

第１の屈折率整合材１７ａの屈折率は１．４である。そのため、半導体レーザ出射口からの光は、前記の第１の屈折率整合材１７ａを通過して、光導波路のコア１３ａに入射される。第１の屈折率整合材１７ａの屈折率は前記第２の屈折率整合材１７ｂの屈折率よりも大きい構成としている。そのため、光が光軸からずれた漏れ光も第１の屈折率整合材１７ａと第２の屈折率整合材１７ｂの界面で反射され、光導波路１３のコア１３ａへ導かれる。その結果、金属膜２への吸収が抑えられるメリットをもつ。開口部を漏斗状にすることで、半導体レーザ部３の出射口からの光が位置ずれするのを防止できる。さらに、第１の屈折率整合材１７ａの上面では半導体レーザ部３に、下面では光導波路１３と完全に密着して接している。そのため、光照射時の熱膨張によって、開口部が膨張したとしても、第１の屈折率整合材１７ａと空気とが直接触れ合うことが無く、コンタミネーションの発生を抑制することができる効果がある。第１の屈折率整合材１７ａであるパーフロロポリエーテルは、磁気ディスク用の潤滑剤として使用されており、一般的な産業用の鉱油に比べ、熱を加えても蒸発しにくいものである。これらのパーフロロポリエーテルの分子量が高くなればより蒸発しにくくなる。したがって、熱によって分解や蒸発を抑える観点から、分子量を例えば１０００以上に設定したものを第１の屈折率整合材に使用しても問題はない。

第２の屈折率整合材１７ｂは低屈折率にするため、使用される材料は酸化物やフッ素系の化合物が主体となる。パーフロロポリエーテルの分子末端基がＯＨ基を持つことによって、これらの分子末端基ＯＨ基と酸化物やフッ素系の化合物とは強く化学吸着するので、熱等の外力に対しても、化学変化を起こしにくく好ましい。

一方、仮に熱膨張で第１の屈折率整合材がわずかに漏れたとしても、磁気ディスク装置に使用されている潤滑剤と、分子的に同じ骨格をもったものなので、親和性がよく、問題はない。

以上のような構成とすることにより、目的は達成される。特に、実施例２によれば、光路長を小さく設定しているので、結合損失をより小さくすることが可能である。

本発明の熱アシスト磁気ヘッドスライダ及びヘッドジンバルアセンブリは、高記録密度の磁気ディスク装置に適用することができる。

１…浮上スライダ、２…金属膜、３…半導体レーザ部、４…スライダ基板、５…薄膜磁気ヘッド部、６…記録素子、７…再生素子、８…アルミナ絶縁膜、９…主磁極、１０…補助磁極、１１…磁気シールド、１２…近接場光発生素子、１３…光導波路、１３ａ…コア、１３ｂ…クラッド、１４…近接場光発生素子周辺部、１５…マイクロミラー、１６…開口部、１７…屈折率整合材、１７ａ…第１の屈折率整合材、１７ｂ…第２の屈折率整合材、１８…サスペンション、１８ａ…基材、１８ｂ…ピボット、１８ｃ…ジンバルばね部、１９…曲げ部、２０…Ｓｉ基板、２１…溝部。

Claims (20)

1. 情報を記録、再生する記録・再生素子と、近接場光を発生する近接場光発生素子とが浮上面側に配置され、前記浮上面側とは異なる面に、加熱用光源としての半導体レーザ部が配置され、前記半導体レーザ部からの光を前記近接場光発生素子に導くコア部とクラッド部とを有する光導波路を備える熱アシスト磁気ヘッドスライダにおいて、
   前記浮上面側とは異なる面と前記半導体レーザ部の間に、半導体レーザ部からの光が通過する部分に開口部を有する金属膜が配置され、前記開口部に屈折率整合材が設けられ、前記金属膜の前記屈折率整合材を含む下面が前記浮上面側とは異なる面に密着して配置され、前記金属膜の前記屈折率整合材を含む上面に前記半導体レーザ部が密着して配置されていることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドスライダ。
2. 請求項１記載の熱アシスト磁気ヘッドスライダにおいて、前記浮上面側とは異なる面は、浮上面と反対側の面であることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドスライダ。
3. 請求項１記載の熱アシスト磁気ヘッドスライダにおいて、前記光導波路のコア部の屈折率はクラッド部の屈折率よりも高いことを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドスライダ。
4. 請求項３記載の熱アシスト磁気ヘッドスライダにおいて、前記屈折率整合材の屈折率は、前記光導波路のコア部の屈折率とクラッド部の屈折率の範囲内に入っていることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドスライダ。
5. 請求項１記載の熱アシスト磁気ヘッドスライダにおいて、前記屈折率整合材はＡｌ_２Ｏ_３であることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドスライダ。
6. 請求項１記載の熱アシスト磁気ヘッドスライダにおいて、前記屈折率整合材は、分子末端基にＯＨ基を有するフッ素系有機化合物であることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドスライダ。
7. 請求項１記載の熱アシスト磁気ヘッドスライダにおいて、前記屈折率整合材は、パーフロロポリエーテルであることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドスライダ。
8. 請求項１記載の熱アシスト磁気ヘッドスライダにおいて、前記金属膜は、Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｔｉの中から選ばれた金属、もしくは前記金属のうち２種類以上の合金であることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドスライダ。
9. 請求項１記載の熱アシスト磁気ヘッドスライダにおいて、前記屈折率整合材はＡｌ_２Ｏ_３であり、前記金属膜は、Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｔｉの中から選ばれた金属、もしくは前記金属のうち２種類以上の合金であることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドスライダ。
10. 請求項１記載の熱アシスト磁気ヘッドスライダにおいて、前記屈折率整合材はパーフロロポリエーテルであり、前記金属膜は、Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｔｉの中から選ばれた金属、もしくは前記金属のうち２種類以上の合金であることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドスライダ。
11. 請求項１記載の熱アシスト磁気ヘッドスライダにおいて、前記近接場光発生素子はＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｎｉの中から選ばれた金属、もしくは前記金属のうち２種類以上の合金であることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドスライダ。
12. 情報を記録、再生する記録・再生素子と、近接場光を発生する近接場光発生素子とが浮上面側に配置され、前記浮上面側とは異なる面に、加熱用光源としての半導体レーザ部が配置され、前記半導体レーザ部からの光を前記近接場光発生素子に導くコア部とクラッド部とを有する光導波路を備える熱アシスト磁気ヘッドスライダにおいて、
    前記浮上面側とは異なる面と前記半導体レーザ部の間に、溝部と該溝部の前記半導体レーザ部からの光が通過する部分に漏斗状開口部を有する基板が配置され、該基板の漏斗状開口部に第１の屈折率整合材と該第１の屈折率整合材の周囲に当該第１の屈折率整合材よりも屈折率が低い第２の屈折率整合材が設けられ、前記基板の上に前記漏斗状開口部を除いて金属膜が配置され、前記半導体レーザ部は前記基板の溝部に合致する段差部を有し、前記基板は前記浮上面側とは異なる面に密着して配置され、前記半導体レーザ部は前記金属膜に密着して配置されていることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドスライダ。
13. 請求項１２記載の熱アシスト磁気ヘッドスライダにおいて、前記浮上面側とは異なる面は、浮上面と反対側の面であることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドスライダ。
14. 請求項１２記載の熱アシスト磁気ヘッドスライダにおいて、前記光導波路のコア部の屈折率は前記クラッド部の屈折率よりも高いことを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドスライダ。
15. 請求項１２記載の熱アシスト磁気ヘッドスライダにおいて、前記第１の屈折率整合材は、分子末端基にＯＨ基を有するフッ素系有機化合物であることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドスライダ。
16. 請求項１２記載の熱アシスト磁気ヘッドスライダにおいて、前記第１の屈折率整合材は、パーフロロポリエーテルであることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドスライダ。
17. 請求項１５記載の熱アシスト磁気ヘッドスライダにおいて、前記第２の屈折率整合材は酸化物またはフッ素系の化合物であることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドスライダ。
18. 請求項１５記載の熱アシスト磁気ヘッドスライダにおいて、前記第２の屈折率整合材は、ＭｇＦ_２であることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドスライダ。
19. 請求項１２記載の熱アシスト磁気ヘッドスライダにおいて、前記金属膜は、Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｔｉの中から選ばれた金属、もしくは前記金属のうち２種類以上の合金であることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドスライダ。
20. 情報を記録、再生する記録・再生素子と、近接場光を発生する近接場光発生素子とが浮上面側に配置され、前記浮上面側とは異なる面に、加熱用光源としての半導体レーザ部が配置され、前記半導体レーザ部からの光を前記近接場光発生素子に導くコア部とクラッド部とを有する光導波路を備える熱アシスト磁気ヘッドスライダであって、
    前記浮上面側とは異なる面と前記半導体レーザ部の間に、半導体レーザ部からの光が通過する部分に開口部を有する金属膜が配置され、前記開口部に屈折率整合材が設けられ、前記金属膜の前記屈折率整合材を含む下面が前記浮上面側とは異なる面に密着して配置され、前記金属膜の前記屈折率整合材を含む上面に前記半導体レーザ部が密着して配置されている熱アシスト磁気ヘッドスライダと、
    ロードビームと、前記ロードビームに設けられたピボットと、前記ロードビームに一端が取り付けられたジンバルばねとを有するサスペンションとを備え、
    前記熱アシスト磁気ヘッドスライダは前記金属膜を介して前記ジンバルばねに固定され、前記半導体レーザ部の上部は前記ピボットに当接していることを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。

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