JP2011112369A

JP2011112369A - Semiconductor element, semiconductor device using the same, and method of inspecting semiconductor element

Info

Publication number: JP2011112369A
Application number: JP2009266171A
Authority: JP
Inventors: Motohiro Nakagawa; 源洋中川
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 2009-11-24
Filing date: 2009-11-24
Publication date: 2011-06-09

Abstract

【課題】非接触結合回路を備えた半導体素子においては、検査にかかるコストが増大し、かかる半導体素子を有する半導体装置の製造コストが増大する。
【解決手段】本発明の半導体素子は、通信部と、検査用通信部を有し、通信部は、非接触で信号伝送を行う第１の非接触結合部を備え、検査用通信部は、第１の非接触結合部と非接触結合する第２の非接触結合部を備える。
【選択図】図１In a semiconductor element provided with a non-contact coupling circuit, the cost for inspection increases, and the manufacturing cost of a semiconductor device having such a semiconductor element increases.
A semiconductor element of the present invention includes a communication unit and an inspection communication unit, and the communication unit includes a first non-contact coupling unit that performs signal transmission in a non-contact manner. A second non-contact coupling portion that is non-contact coupled with the first non-contact coupling portion is provided.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、半導体素子およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体素子の検査方法に関し、特に、他の半導体素子と非接触で通信することが可能な半導体素子およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体素子の検査方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor element, a semiconductor device using the semiconductor element, and a method for inspecting the semiconductor element, and more particularly to a semiconductor element capable of non-contact communication with other semiconductor elements, a semiconductor device using the semiconductor element, and a semiconductor element It relates to the inspection method.

近年、電子機器に組み込まれる半導体装置の高集積化に伴い、複数の半導体素子を積層し、各半導体素子間におけるデータ伝送を非接触により行う半導体装置が提案されている。このような半導体装置の一例が特許文献１に記載されている。特許文献１に記載された半導体装置は第１の回路チップと第２の回路チップからなり、第１の回路チップと第２の回路チップの基板上にそれぞれ電磁誘導コイルが形成されている。第１の回路チップと第２の回路チップをそれぞれの電磁誘導コイルが対向するように配置し、電磁誘導コイル同士を誘導性結合することにより交流的に接続することとしている。具体的には、第１の回路チップに形成された電磁誘導コイルが磁界信号を発生すると、第２の回路チップに形成された電磁誘導コイルには、第１の回路チップの電磁誘導コイルに入力された電流信号の微分値に比例した信号が誘起される。この誘起された信号を受信することによって、第１および第２の回路チップ間の信号伝送を非接触で行うこととしている。 2. Description of the Related Art In recent years, with the high integration of semiconductor devices incorporated in electronic devices, semiconductor devices have been proposed in which a plurality of semiconductor elements are stacked and data transmission between the semiconductor elements is performed in a non-contact manner. An example of such a semiconductor device is described in Patent Document 1. The semiconductor device described in Patent Document 1 includes a first circuit chip and a second circuit chip, and electromagnetic induction coils are respectively formed on substrates of the first circuit chip and the second circuit chip. The first circuit chip and the second circuit chip are arranged so that the electromagnetic induction coils face each other, and the electromagnetic induction coils are inductively coupled to each other to be connected in an alternating manner. Specifically, when the electromagnetic induction coil formed on the first circuit chip generates a magnetic field signal, the electromagnetic induction coil formed on the second circuit chip is input to the electromagnetic induction coil of the first circuit chip. A signal proportional to the differential value of the current signal is induced. By receiving this induced signal, signal transmission between the first and second circuit chips is performed in a non-contact manner.

また、電極間の容量性結合によって信号を非接触で伝送する技術が提案されている。容量性結合を用いた半導体装置の検査装置の一例が特許文献２に記載されている。特許文献２に記載された半導体装置の検査装置は、検査用ＬＳＩと、電源供給ユニットと、検査用ＬＳＩおよび電源供給ユニットとテスター間の接続用に配置した中間基板とから構成されている。そして検査用ＬＳＩと被検査ＬＳＩとの間のインターフェース構造は、検査用ＬＳＩ及び被検査ＬＳＩの各外部信号電極を近接させて容量結合により信号伝送を行う構造としている。 In addition, a technique for transmitting a signal in a non-contact manner by capacitive coupling between electrodes has been proposed. An example of a semiconductor device inspection apparatus using capacitive coupling is described in Patent Document 2. The semiconductor device inspection apparatus described in Patent Document 2 includes an inspection LSI, a power supply unit, and an intermediate substrate arranged for connection between the inspection LSI and the power supply unit and the tester. The interface structure between the inspection LSI and the LSI to be inspected is a structure in which the external signal electrodes of the inspection LSI and the LSI to be inspected are brought close to each other and signal transmission is performed by capacitive coupling.

特開平０７−２２１２６０号公報（段落「００１７」〜「００２０」、図１）Japanese Unexamined Patent Publication No. 07-212260 (paragraphs “0017” to “0020”, FIG. 1) 国際公開第２００７／０２９４２２号（段落「００７３」、「００９４」、図１）International Publication No. 2007/029422 (paragraphs “0073” and “0094”, FIG. 1)

上述したデータ伝送を非接触により行う半導体素子においては、非接触でデータ伝送を行うための非接触結合回路が必要となる。非接触結合回路は、例えば、送受信回路と伝送用コイルまたは伝送用電極とから構成される。非接触結合回路も通常の半導体装置と同じく、正常に製造されたかどうか検査する必要がある。しかし、この非接触結合回路に対する信号の入出力は、誘導性結合または容量性結合によって行う必要があるので、プローブニードルなどを用いた電気信号による信号の入出力は困難である。そのため非接触結合回路の動作を確認するためには、誘導性結合または容量性結合によって信号を入出力することが可能な検査装置、すなわちプローブニードルを用いた関連する半導体素子の検査装置とは異なる特殊な検査装置が別途必要となる。このとき、半導体素子上の非接触結合回路は微細であるため、検査装置との位置あわせを非常に高い精度で行う必要があり、検査装置には高精度が要求される。 In the semiconductor element that performs the above-described data transmission without contact, a non-contact coupling circuit for performing data transmission without contact is required. The non-contact coupling circuit is composed of, for example, a transmission / reception circuit and a transmission coil or a transmission electrode. It is necessary to inspect whether the non-contact coupling circuit is normally manufactured as in the case of a normal semiconductor device. However, since it is necessary to input / output signals to / from the non-contact coupling circuit by inductive coupling or capacitive coupling, it is difficult to input / output signals by an electrical signal using a probe needle or the like. Therefore, in order to confirm the operation of the non-contact coupling circuit, it is different from an inspection apparatus capable of inputting / outputting signals by inductive coupling or capacitive coupling, that is, an inspection apparatus for related semiconductor elements using a probe needle. Special inspection equipment is required separately. At this time, since the non-contact coupling circuit on the semiconductor element is fine, it is necessary to perform alignment with the inspection apparatus with very high accuracy, and the inspection apparatus is required to have high accuracy.

このように、関連する非接触結合回路を備えた半導体素子においては、動作を確認するための検査にかかるコストが増大するという問題点があった。 As described above, in the semiconductor element including the related non-contact coupling circuit, there is a problem that the cost for the inspection for confirming the operation increases.

上記問題を回避するため、伝送用コイルまたは伝送用電極を除いた送受信回路だけを検査することとした場合、送受信回路へ入出力する検査用電気信号が必要となる。そのため、プローブニードルを用いて検査用電気信号を入出力するための専用のパッドを半導体素子に搭載し、このパッドを送受信回路の入出力回路と接続する必要がある。しかし、このパッドは伝送用コイルや伝送用電極と比べ、より大きな面積を占有することになるので、かかる半導体素子の製造コストの増大を招く。さらに、このパッドは大きな寄生抵抗や寄生容量を有するので、非接触結合回路の性能を劣化させてしまう。したがって、プローブニードルを用いて非接触結合回路を構成する送受信回路だけの動作確認を行うことも困難であり、上記問題を回避することはできない。 In order to avoid the above problem, when only the transmission / reception circuit excluding the transmission coil or the transmission electrode is inspected, an electrical signal for inspection input / output to / from the transmission / reception circuit is required. Therefore, it is necessary to mount a dedicated pad for inputting / outputting the electrical signal for inspection using the probe needle on the semiconductor element and to connect this pad to the input / output circuit of the transmission / reception circuit. However, since this pad occupies a larger area than the transmission coil and the transmission electrode, the manufacturing cost of the semiconductor element is increased. Further, since this pad has a large parasitic resistance and parasitic capacitance, the performance of the contactless coupling circuit is deteriorated. Therefore, it is difficult to confirm the operation of only the transmission / reception circuit constituting the non-contact coupling circuit using the probe needle, and the above problem cannot be avoided.

一方、非接触結合回路の動作を確認する検査は行わないこととすると、半導体ウェハを個々の半導体素子毎に分割し、複数の半導体素子を実装して半導体装置を組み立てた後に、電気信号を入力して検査を行うことになる。したがって、半導体装置を組み立てた後に初めて、個々の半導体素子の良・不良の判別が可能となる。そのため、不良な半導体素子を実装する場合が生じてしまうため、関連する半導体装置の歩留まりが低下し、製造コストが増大するという問題点があった。 On the other hand, if the inspection to confirm the operation of the non-contact coupling circuit is not performed, the semiconductor wafer is divided into individual semiconductor elements, and after mounting a plurality of semiconductor elements and assembling the semiconductor device, an electric signal is input. Will be inspected. Therefore, it is possible to determine whether each semiconductor element is good or defective only after the semiconductor device is assembled. For this reason, there is a case where a defective semiconductor element is mounted, so that there is a problem that a yield of a related semiconductor device is lowered and a manufacturing cost is increased.

本発明の目的は、上述した非接触結合回路を備えた半導体素子においては、検査にかかるコストが増大し、かかる半導体素子を有する半導体装置の製造コストが増大する、という課題を解決する半導体素子およびそれを用いた半導体装置ならびに半導体素子の検査方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a semiconductor element that solves the problem that in the semiconductor element including the above-described contactless coupling circuit, the cost for inspection increases and the manufacturing cost of a semiconductor device having such a semiconductor element increases. An object of the present invention is to provide a semiconductor device and a semiconductor element inspection method using the same.

本発明の半導体素子は、通信部と、検査用通信部を有し、通信部は、非接触で信号伝送を行う第１の非接触結合部を備え、検査用通信部は、第１の非接触結合部と非接触結合する第２の非接触結合部を備える。 The semiconductor element of the present invention includes a communication unit and an inspection communication unit. The communication unit includes a first non-contact coupling unit that performs non-contact signal transmission, and the inspection communication unit includes the first non-contact unit. A second non-contact coupling portion that is non-contact coupled with the contact coupling portion is provided.

本発明の半導体装置は、第１の半導体素子と、第１の半導体素子に結合した通信素子部とを有し、第１の半導体素子は、第１の基材部と、第１の基材部に配置された、非接触で信号伝送を行う第１の非接触結合部と、第１の非接触結合部と非接触結合する第２の非接触結合部を備え、第１の非接触結合部は、第１の送受信器と、第１の送受信器と接続された第１の送受信電極を有し、第２の非接触結合部は、第１の検査用送受信器と、第１の検査用送受信器と接続された第１の検査用送受信電極とを有し、第１の送受信電極と第１の検査用送受信電極は非接触結合するように配置され、通信素子部は、第２の基材部と、第２の基材部に配置された第２の送受信電極とを備え、第１の半導体素子と通信素子部は、第１の送受信電極と第２の送受信電極との間で非接触結合するように対向して配置されている。 The semiconductor device of the present invention includes a first semiconductor element and a communication element unit coupled to the first semiconductor element. The first semiconductor element includes a first base material part and a first base material. A first non-contact coupling unit that is disposed in the unit and performs non-contact signal transmission, and a second non-contact coupling unit that performs non-contact coupling with the first non-contact coupling unit. The unit includes a first transmitter / receiver and a first transmitter / receiver electrode connected to the first transmitter / receiver, and the second non-contact coupling unit includes a first inspection transmitter / receiver and a first inspection A first inspection transmission / reception electrode connected to the transmitter / receiver, the first transmission / reception electrode and the first inspection transmission / reception electrode are arranged so as to be contactlessly coupled, A first base element and a second transmission / reception electrode disposed on the second base part, wherein the first semiconductor element and the communication element section include the first transmission / reception electrode and the second transmission / reception; Opposed to being positioned to the non-contact coupling between the electrodes.

本発明の半導体素子の検査方法は、半導体素子を構成する、第１の非接触結合部を備えた通信部に第１のデータ信号を入力し、半導体素子を構成する、第１の非接触結合部と非接触結合する第２の非接触結合部を備えた検査用通信部から、第１のデータ信号の入力に応じて第２のデータ信号を取得し、第１のデータ信号と第２のデータ信号とを比較する工程を有する。 According to the semiconductor element inspection method of the present invention, a first data signal is input to a communication unit including a first non-contact coupling unit constituting the semiconductor element, and the first non-contact coupling constituting the semiconductor element. A second data signal is obtained in response to the input of the first data signal from the inspection communication unit including the second non-contact coupling unit that is non-contact coupled to the first data signal; Comparing the data signal.

本発明の半導体素子によれば、非接触結合回路を備えた場合であっても、検査にかかるコストを低減することができ、半導体素子を含む半導体装置の製造コストの増大を抑制することができる。 According to the semiconductor element of the present invention, even when a non-contact coupling circuit is provided, the cost for inspection can be reduced, and an increase in manufacturing cost of a semiconductor device including the semiconductor element can be suppressed. .

本発明の第１の実施形態に係る半導体素子の構成を示す平面図である。1 is a plan view showing a configuration of a semiconductor element according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第２の実施形態に係る半導体素子の構成を示す（ａ）断面図、および（ｂ）平面図である。It is (a) sectional drawing and (b) top view which show the structure of the semiconductor element which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施形態に係る別の半導体素子の構成を示す（ａ）断面図、および（ｂ）平面図である。It is (a) sectional drawing and (b) top view which show the structure of another semiconductor element which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施形態に係るさらに別の半導体素子の構成を示す（ａ）平面図、および（ｂ）断面図である。It is (a) top view and (b) sectional view showing the composition of another semiconductor device concerning a 2nd embodiment of the present invention. 本発明の第３の実施形態に係る半導体素子の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the semiconductor element which concerns on the 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the semiconductor device which concerns on the 4th Embodiment of this invention. 本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the semiconductor device which concerns on the 5th Embodiment of this invention. 本発明の第５の実施形態に係る別の半導体装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of another semiconductor device which concerns on the 5th Embodiment of this invention. 本発明の第６の実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the semiconductor device which concerns on the 6th Embodiment of this invention.

以下に、図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

〔第１の実施形態〕
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体素子１００の構成を示す平面図である。半導体素子１００は、通信部１１０と、検査用通信部１２０を有し、通信部１１０は他の半導体素子等と非接触で信号伝送を行う第１の非接触結合部１１１を備えている。検査用通信部１２０は第１の非接触結合部１１１と非接触で結合する第２の非接触結合部１２１を有する。ここで、第１および第２の非接触結合部は、誘導性結合または容量性結合を用いて非接触結合を行う構成とすることができる。 [First Embodiment]
FIG. 1 is a plan view showing the configuration of the semiconductor element 100 according to the first embodiment of the present invention. The semiconductor element 100 includes a communication unit 110 and an inspection communication unit 120, and the communication unit 110 includes a first non-contact coupling unit 111 that performs signal transmission in a non-contact manner with other semiconductor elements and the like. The inspection communication unit 120 includes a second non-contact coupling unit 121 coupled to the first non-contact coupling unit 111 in a non-contact manner. Here, the first and second non-contact coupling portions can be configured to perform non-contact coupling using inductive coupling or capacitive coupling.

本実施形態の半導体素子１００によれば、第１の非接触結合部１１１を介して通信部１１０が送受信するデータ信号を、第１の非接触結合部１１１と非接触で結合している第２の非接触結合部１２１によって検査用通信部１２０で読み出すことができる。これにより、通信部１１０の動作確認を非接触で行うことができる。そのため特別な検査装置を用いることなく、非接触で信号伝送を行う通信部１１０の検査をウェハ状態で行うことができるので、検査にかかるコストを低減することができる。その結果、半導体素子１００を含む半導体装置の製造には、良品の半導体素子１００のみを用いることができるので、かかる半導体装置の製造コストの増大を抑制することができる。 According to the semiconductor element 100 of the present embodiment, the second signal in which the data signal transmitted and received by the communication unit 110 via the first non-contact coupling unit 111 is coupled to the first non-contact coupling unit 111 in a non-contact manner. The non-contact coupling unit 121 can read out by the inspection communication unit 120. Thereby, the operation check of the communication unit 110 can be performed without contact. Therefore, since the inspection of the communication unit 110 that performs non-contact signal transmission can be performed in a wafer state without using a special inspection apparatus, the cost for the inspection can be reduced. As a result, since only the non-defective semiconductor element 100 can be used for manufacturing a semiconductor device including the semiconductor element 100, an increase in manufacturing cost of the semiconductor device can be suppressed.

〔第２の実施形態〕
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図２は、本発明の第２の実施形態に係る半導体素子２００の構成を示す（ａ）断面図、および（ｂ）平面図である。本実施形態による半導体素子２００は図２（ａ）に示すように、通信部として送信器２１１と送信器２１１と接続された送信電極２１２とを、検査用通信部として検査用受信器２２１と検査用受信器２２１に接続された検査用受信電極２２２とを備えている。送信器２１１と送信電極２１２は第１の非接触結合部を構成し、検査用受信器２２１と検査用受信電極２２２は第２の非接触結合部を構成する。ここで送信電極２１２と検査用受信電極２２２は非接触で結合するように配置されている。図２には、第１の非接触結合部および第２の非接触結合部はいずれも誘導性結合を用いて非接触結合を行う構成を示した。 [Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described. 2A is a cross-sectional view showing the configuration of a semiconductor device 200 according to the second embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a plan view thereof. 2A, the semiconductor element 200 according to the present embodiment includes a transmitter 211 as a communication unit and a transmission electrode 212 connected to the transmitter 211, and a test receiver 221 and a test as a test communication unit. And an inspection receiving electrode 222 connected to the receiving receiver 221. The transmitter 211 and the transmission electrode 212 constitute a first non-contact coupling portion, and the inspection receiver 221 and the inspection reception electrode 222 constitute a second non-contact coupling portion. Here, the transmission electrode 212 and the inspection reception electrode 222 are arranged so as to be coupled in a non-contact manner. FIG. 2 shows a configuration in which both the first non-contact coupling portion and the second non-contact coupling portion perform non-contact coupling using inductive coupling.

ここで、送信器２１１と送信電極２１２、および検査用受信器２２１と検査用受信電極２２２は同一の基材部２０１上に配置されていることが望ましい。その理由は以下の通りである。異なる基材部２０１上に配置すると、両者をワイヤボンディングで接続するために電極パッドがそれぞれに必要となる。しかし、このパッドは送信電極２１２や検査用受信電極２２２と比べ、より大きな面積を占有することになるので、半導体素子２００の製造コストの増大を招く。さらに、このパッドは大きな寄生抵抗や寄生容量を有するので、非接触結合部の性能を劣化させる。送信器２１１と送信電極２１２、および検査用受信器２２１と検査用受信電極２２２を同一の基材部２０１上に配置することにより、基材部２０１上の配線を用いて接続できるようになるためパッドが不要となる。そのため、上記問題を回避することができる。 Here, it is desirable that the transmitter 211 and the transmission electrode 212, and the inspection receiver 221 and the inspection reception electrode 222 are disposed on the same base material part 201. The reason is as follows. If it arrange | positions on the different base material part 201, in order to connect both by wire bonding, an electrode pad is each required. However, since this pad occupies a larger area than the transmission electrode 212 and the inspection reception electrode 222, the manufacturing cost of the semiconductor element 200 is increased. Furthermore, since this pad has a large parasitic resistance and parasitic capacitance, the performance of the non-contact coupling portion is deteriorated. By arranging the transmitter 211 and the transmission electrode 212, and the inspection receiver 221 and the inspection reception electrode 222 on the same base material portion 201, the wiring on the base material portion 201 can be connected. No pad is required. Therefore, the above problem can be avoided.

図２（ｂ）を用いて、本実施形態による半導体素子２００の構成をさらに詳細に説明する。通信部は、検査データ信号を入力する第１の入出力部としての検査データ入力部２１３と送信用クロック２１４を備えている。検査用通信部は、検査用受信器２２１が受信した受信検査データ信号を出力する第２の入出力部としての検査データ出力部２２３とクロック遅延回路２２４を備えている。本実施形態では、検査データ入力部２１３と検査データ出力部２２３に接続され、検査データ信号と受信検査データ信号を比較する比較部２３０をさらに有する構成とした。 The configuration of the semiconductor device 200 according to the present embodiment will be described in further detail with reference to FIG. The communication unit includes a test data input unit 213 as a first input / output unit that inputs a test data signal, and a transmission clock 214. The test communication unit includes a test data output unit 223 and a clock delay circuit 224 as a second input / output unit that outputs a received test data signal received by the test receiver 221. In the present embodiment, the configuration further includes a comparison unit 230 that is connected to the test data input unit 213 and the test data output unit 223 and compares the test data signal with the received test data signal.

次に、本実施形態による半導体素子２００の動作について説明する。複数の半導体素子間において非接触で信号を伝送する場合、半導体素子２００の送信器２１１は送信データに依存した電気信号を送信クロックにあわせたタイミングで送信電極２１２に送出する。このとき通信相手となる半導体素子の受信電極には、誘導性結合または容量性結合に基づいて誘導信号が誘起される。その誘起された信号を受信クロックに同期して受信することにより受信データが得られ、複数の半導体素子間において非接触で信号が伝送される。 Next, the operation of the semiconductor element 200 according to the present embodiment will be described. When a signal is transmitted in a non-contact manner between a plurality of semiconductor elements, the transmitter 211 of the semiconductor element 200 sends an electrical signal depending on the transmission data to the transmission electrode 212 at a timing that matches the transmission clock. At this time, an inductive signal is induced on the receiving electrode of the semiconductor element serving as a communication partner based on inductive coupling or capacitive coupling. Reception data is obtained by receiving the induced signal in synchronization with the reception clock, and the signal is transmitted in a non-contact manner between a plurality of semiconductor elements.

半導体素子２００を検査する場合、半導体素子２００はデータ信号の入出力を誘導性結合または容量性結合を用いて行うため、上述したように通常のプローブニードルを用いて検査信号を入出力することは困難である。本実施形態では以下に説明するように、検査用受信器２２１と検査用受信電極２２２を搭載した構成とすることにより、特殊な検査装置を用いることなく半導体素子２００の検査を行うことができる。 When inspecting the semiconductor element 200, since the semiconductor element 200 performs input / output of data signals using inductive coupling or capacitive coupling, it is impossible to input / output inspection signals using a normal probe needle as described above. Have difficulty. In the present embodiment, as will be described below, the semiconductor element 200 can be inspected without using a special inspection apparatus by mounting the inspection receiver 221 and the inspection reception electrode 222.

送信器２１１に検査データ入力部２１３から検査データ信号を、送信用クロック２１４から送信クロック信号をそれぞれ入力すると、送信電極２１２に検査データに依存した電気信号が入力される。このとき、送信電極２１２と誘導性結合または容量性結合している検査用受信電極２２２に信号が誘起される。この信号を検査用受信器２２１により受信し、受信検査データ信号が得られる。検査用受信器２２１には、送信クロック信号をクロック遅延回路２２４によって遅延させたクロック信号が入力される。このときのクロック信号の遅延量は、送信器２１１から送信電極２１２を介して検査用受信電極２２２に信号が誘起される時間と略同一の時間量とすることが望ましい。 When a test data signal is input to the transmitter 211 from the test data input unit 213 and a transmission clock signal is input from the transmission clock 214, an electrical signal depending on the test data is input to the transmission electrode 212. At this time, a signal is induced in the test reception electrode 222 that is inductively coupled or capacitively coupled to the transmission electrode 212. This signal is received by the test receiver 221 to obtain a received test data signal. A clock signal obtained by delaying the transmission clock signal by the clock delay circuit 224 is input to the inspection receiver 221. The delay amount of the clock signal at this time is preferably set to be approximately the same as the time for which a signal is induced from the transmitter 211 to the receiving electrode 222 for inspection via the transmitting electrode 212.

比較部２３０に、検査データ入力部２１３から検査データ信号が、検査データ出力部２２３から受信検査データ信号がそれぞれ入力される。比較部２３０は検査データ信号と受信検査データ信号を比較し、両データ信号の一致・不一致に応じた信号を出力する。この比較部２３０の出力は、プローブニードル等を用いて外部のテスタに送出される。検査データ信号と受信検査データ信号が一致する場合、送信器２１１と送信電極２１２、および検査用受信器２２１と検査用受信電極２２２は適正に動作していると判断できるので、半導体素子２００は適正に製造された良品であると判定できる。一方、検査データ信号と受信検査データ信号が一致しない場合、送信器２１１、送信電極２１２、検査用受信器２２１、または検査用受信電極２２２のいずれかに不具合があり、半導体素子２００は不良品であると判定することができる。 A test data signal is input from the test data input unit 213 and a received test data signal is input from the test data output unit 223 to the comparison unit 230. The comparison unit 230 compares the test data signal with the received test data signal and outputs a signal corresponding to the coincidence / mismatch of the two data signals. The output of the comparison unit 230 is sent to an external tester using a probe needle or the like. When the inspection data signal and the received inspection data signal match, it can be determined that the transmitter 211 and the transmission electrode 212, and the inspection receiver 221 and the inspection reception electrode 222 are operating properly. It can be determined that the product is a non-defective product. On the other hand, if the test data signal and the received test data signal do not match, any of the transmitter 211, the transmission electrode 212, the test receiver 221 or the test reception electrode 222 is defective, and the semiconductor element 200 is defective. It can be determined that there is.

なお、検査データ信号の生成には、半導体素子２００上に配置した検査データ発生回路から検査データ信号を供給する方式、すなわち組み込み自己テスト（ＢＩＳＴ：Ｂｕｉｌｔ−ＩｎＳｅｌｆ−Ｔｅｓｔ）方式を用いることができる。これに限らず、プローブニードルを用いて外部のテスタ等から検査データ信号を供給することとしてもよい。 In order to generate the inspection data signal, a method of supplying an inspection data signal from an inspection data generation circuit disposed on the semiconductor element 200, that is, a built-in self-test (BIST) method can be used. . However, the inspection data signal may be supplied from an external tester or the like using a probe needle.

本実施形態では、図２に示すように、半導体素子２００は通信部として送信器２１１と送信電極２１２を、検査用通信部として検査用受信器２２１と検査用受信電極２２２とを備えることとした。しかし、これに限らず、図３に示すように、通信部として受信器３１１と受信器３１１と接続された受信電極３１２を、検査用通信部として検査用送信器３２１と検査用送信器３２１に接続された検査用送信電極３２２とを備えた半導体素子３００としてもよい。この場合、受信器３１１と受信電極３１２は第１の非接触結合部を構成し、検査用送信器３２１と検査用送信電極３２２は第２の非接触結合部を構成する。受信電極３１２と検査用送信電極３２２は非接触で結合するように配置される。本実施形態では、受信器３１１と受信電極３１２、および検査用送信器３２１と検査用送信電極３２２は同一の基材部３０１上に配置した。 In the present embodiment, as shown in FIG. 2, the semiconductor element 200 includes a transmitter 211 and a transmission electrode 212 as a communication unit, and a test receiver 221 and a test reception electrode 222 as a test communication unit. . However, the present invention is not limited to this, and as shown in FIG. 3, the receiver 311 connected to the receiver 311 and the receiver 311 as the communication unit, and the inspection transmitter 321 and the inspection transmitter 321 as the inspection communication unit. The semiconductor element 300 may be provided with the inspection transmission electrode 322 connected thereto. In this case, the receiver 311 and the reception electrode 312 constitute a first non-contact coupling portion, and the inspection transmitter 321 and the inspection transmission electrode 322 constitute a second non-contact coupling portion. The reception electrode 312 and the inspection transmission electrode 322 are arranged so as to be coupled in a non-contact manner. In the present embodiment, the receiver 311 and the reception electrode 312, and the inspection transmitter 321 and the inspection transmission electrode 322 are disposed on the same base material 301.

半導体素子３００は、図３（ｂ）に示すように、通信部は、受信器３１１が受信した検査データ信号を出力する第１の入出力部としての検査データ出力部３２３とクロック遅延回路３２４を備えた構成とすることができる。検査用通信部は、送信検査データ信号を入力する第２の入出力部としての検査データ入力部３１３と送信用クロック３１４を備えた構成とすることができる。そして半導体素子３００は、検査データ出力部３２３と検査データ入力部３１３に接続され、検査データ信号と送信検査データ信号を比較する比較部３３０をさらに有している。 As shown in FIG. 3B, in the semiconductor element 300, the communication unit includes a test data output unit 323 and a clock delay circuit 324 as a first input / output unit that outputs a test data signal received by the receiver 311. It can be set as the structure provided. The inspection communication unit can be configured to include an inspection data input unit 313 and a transmission clock 314 as a second input / output unit that inputs a transmission inspection data signal. The semiconductor element 300 further includes a comparison unit 330 that is connected to the inspection data output unit 323 and the inspection data input unit 313 and compares the inspection data signal with the transmission inspection data signal.

半導体素子３００は、半導体素子２００と同様に、以下のように動作する。半導体素子３００を検査する場合、検査用送信器３２１に検査データ入力部３１３から送信検査データ信号を、送信用クロック３１４から送信クロック信号をそれぞれ入力すると、検査用送信電極３２２に検査データに依存した電気信号が入力される。このとき、検査用送信電極３２２と誘導性結合または容量性結合している受信電極３１２に信号が誘起される。この信号を受信器３１１により受信し、検査データ信号が得られる。受信器３１１には、送信クロック信号をクロック遅延回路３２４によって遅延させたクロック信号が入力される。このときのクロック信号の遅延量は、検査用送信器３２１から検査用送信電極３２２を介して受信電極３１２に信号が誘起される時間と略同一の時間量とすることが望ましい。 Similar to the semiconductor element 200, the semiconductor element 300 operates as follows. When the semiconductor element 300 is inspected, if the transmission inspection data signal is input from the inspection data input unit 313 and the transmission clock signal from the transmission clock 314 to the inspection transmitter 321, the inspection transmission electrode 322 depends on the inspection data. An electric signal is input. At this time, a signal is induced in the reception electrode 312 that is inductively coupled or capacitively coupled to the inspection transmission electrode 322. This signal is received by the receiver 311 and an inspection data signal is obtained. A clock signal obtained by delaying the transmission clock signal by the clock delay circuit 324 is input to the receiver 311. The amount of delay of the clock signal at this time is desirably substantially the same amount of time as a signal is induced in the reception electrode 312 from the inspection transmitter 321 via the inspection transmission electrode 322.

比較部３３０に、検査データ入力部３１３から送信検査データ信号が、検査データ出力部３２３から検査データ信号がそれぞれ入力される。比較部３３０は送信検査データ信号と検査データ信号を比較し、両データ信号の一致・不一致に応じた信号を出力する。送信検査データ信号と検査データ信号が一致する場合、受信器３１１と受信電極３１２、および検査用送信器３２１と検査用送信電極３２２は適正に動作していると判断できるので、半導体素子３００は適正に製造された良品であると判定できる。 The comparison unit 330 receives the transmission inspection data signal from the inspection data input unit 313 and the inspection data signal from the inspection data output unit 323. The comparison unit 330 compares the transmission inspection data signal and the inspection data signal, and outputs a signal corresponding to the coincidence / mismatch of both data signals. When the transmission inspection data signal and the inspection data signal match, it can be determined that the receiver 311 and the reception electrode 312 and the inspection transmitter 321 and the inspection transmission electrode 322 are operating properly. It can be determined that the product is a non-defective product.

上述したように、半導体素子２００においては、通信部との検査データ信号の入出力を、半導体素子２００上に搭載した検査用受信器２２１と検査用受信電極２２２を用いて誘導性結合または容量性結合によって実現している。また半導体素子３００においては、通信部との検査データ信号の入出力を、半導体素子３００上に搭載した検査用送信器３２１と検査用送信電極３２２を用いて誘導性結合または容量性結合によって実現している。そのため、半導体素子２００および半導体素子３００と外部のテスタ等との間で誘導性結合または容量性結合による信号の入出力を行うことなく半導体素子の検査が可能となる。その結果、特別な検査装置を用いることなく、従来のプローブニードルを備えた検査装置を用いて、実装する前に各半導体素子を検査することができるので、検査にかかるコストを低減することができる。また、半導体素子２００、３００を含む半導体装置の製造には、良品の半導体素子を用いることができるので、かかる半導体装置の製造コストの増大を抑制することができる。 As described above, in the semiconductor element 200, input / output of the inspection data signal with the communication unit is inductively coupled or capacitively performed using the inspection receiver 221 and the inspection reception electrode 222 mounted on the semiconductor element 200. It is realized by combining. Further, in the semiconductor element 300, input / output of inspection data signals with the communication unit is realized by inductive coupling or capacitive coupling using the inspection transmitter 321 and the inspection transmission electrode 322 mounted on the semiconductor element 300. ing. Therefore, the semiconductor element can be inspected without performing input / output of signals by inductive coupling or capacitive coupling between the semiconductor element 200 and the semiconductor element 300 and an external tester or the like. As a result, each semiconductor element can be inspected before mounting using a conventional inspection device equipped with a probe needle without using a special inspection device, so that the cost for the inspection can be reduced. . In addition, since a non-defective semiconductor element can be used for manufacturing a semiconductor device including the semiconductor elements 200 and 300, an increase in manufacturing cost of the semiconductor device can be suppressed.

本実施形態では、検査データ信号と受信検査データ信号、または送信検査データ信号と検査データ信号とを、半導体素子上に配置された比較部２３０、３３０を用いて比較し、両データ信号の一致・不一致から半導体素子２００、３００の良否を判定することとした。これに限らず、これらのデータ信号をプローブニードル等によって読み出し、半導体素子の外部に設置した検査装置等により半導体素子の良否を判定することとしてもよい。 In the present embodiment, the inspection data signal and the reception inspection data signal, or the transmission inspection data signal and the inspection data signal are compared using the comparison units 230 and 330 disposed on the semiconductor element, and the two data signals are matched. The quality of the semiconductor elements 200 and 300 is determined from the mismatch. However, the present invention is not limited to this, and these data signals may be read by a probe needle or the like, and the quality of the semiconductor element may be determined by an inspection device or the like installed outside the semiconductor element.

本実施形態による半導体素子２００、３００は図２、３に示すように、送信電極２１２に隣接して検査用受信電極２２２を配置し、受信電極３１２に隣接して検査用送信電極３２２を配置することとした。しかし、これに限らず、これらの電極が誘導性結合または容量性結合を構成する配置であれば、他の構成であっても用いることができる。 As shown in FIGS. 2 and 3, in the semiconductor elements 200 and 300 according to the present embodiment, the inspection reception electrode 222 is disposed adjacent to the transmission electrode 212, and the inspection transmission electrode 322 is disposed adjacent to the reception electrode 312. It was decided. However, the present invention is not limited to this, and any other configuration can be used as long as these electrodes constitute an inductive coupling or a capacitive coupling.

また、本実施形態による半導体素子２００、３００は図２、３に示すように、送信用クロック２１４、３１４に同期して信号を伝送することとした。しかし、これに限らず、信号伝送をクロックに同期しない非同期型信号伝送で行うこととしてもよい。この場合、クロック遅延回路２２４、３２４は不要となる。 In addition, the semiconductor elements 200 and 300 according to the present embodiment transmit signals in synchronization with the transmission clocks 214 and 314 as shown in FIGS. However, the present invention is not limited to this, and the signal transmission may be performed by asynchronous signal transmission that is not synchronized with the clock. In this case, the clock delay circuits 224 and 324 are not necessary.

図４に、送信器４１１と送信電極４１２、および検査用受信器４２１と検査用受信電極４２２を有し、検査用受信電極４２２が送信電極４１２の内側に配置された半導体素子４００を示す。図４（ａ）は半導体素子４００の平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）中の４Ｂ−４Ｂ線における断面図である。この場合でも、送信電極４１２と検査用受信電極４２２を非接触で結合するように配置することができる。なお、誘導性結合によって信号の伝送をする場合、送信電極４１２および検査用受信電極４２２を構成するコイルの配置位置によって誘導信号の極性が逆になる場合がある。その場合には、送受信データの極性が同一になるように、それぞれの電極を接続することとすればよい。 FIG. 4 shows a semiconductor element 400 having a transmitter 411 and a transmission electrode 412, and a test receiver 421 and a test reception electrode 422, and the test reception electrode 422 is disposed inside the transmission electrode 412. 4A is a plan view of the semiconductor element 400, and FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line 4B-4B in FIG. 4A. Even in this case, the transmitting electrode 412 and the receiving electrode for inspection 422 can be arranged so as to be coupled in a non-contact manner. Note that in the case of transmitting a signal by inductive coupling, the polarity of the induction signal may be reversed depending on the arrangement positions of the coils constituting the transmission electrode 412 and the inspection reception electrode 422. In that case, the electrodes may be connected so that the polarities of the transmitted and received data are the same.

〔第３の実施形態〕
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。第２の実施形態においては、半導体素子２００は送信器２１１と検査用受信器２２１を備え、半導体素子３００は受信器３１１と検査用送信器３２１を備えることとした。これに対し本実施形態による半導体素子５００は送信器５１１と受信器６１１の両方を備え、半導体素子５００の検査時には、送信器５１１または受信器６１１の一方を検査用送信器または検査用受信器として動作させることを特徴とする。 [Third Embodiment]
Next, a third embodiment of the present invention will be described. In the second embodiment, the semiconductor element 200 includes the transmitter 211 and the inspection receiver 221, and the semiconductor element 300 includes the receiver 311 and the inspection transmitter 321. On the other hand, the semiconductor element 500 according to the present embodiment includes both the transmitter 511 and the receiver 611. When the semiconductor element 500 is inspected, one of the transmitter 511 and the receiver 611 is used as an inspection transmitter or an inspection receiver. It is characterized by operating.

図５は、本実施形態による半導体素子５００の構成を示す平面図である。半導体素子５００は送信器５１１、送信電極５１２、受信器６１１、および受信器６１１と接続された受信電極６１２を有する。本実施形態では第２の実施形態と異なり、半導体素子５００はさらに、受信電極６１２と非接触結合する検査用電極５１５と、送信電極５１２と検査用電極５１５のいずれか一方を選択して送信器５１１と接続する電極選択器５１６とを備えている。 FIG. 5 is a plan view showing the configuration of the semiconductor element 500 according to the present embodiment. The semiconductor element 500 includes a transmitter 511, a transmission electrode 512, a receiver 611, and a reception electrode 612 connected to the receiver 611. In the present embodiment, unlike the second embodiment, the semiconductor element 500 further selects one of the inspection electrode 515 and the transmission electrode 512 and the inspection electrode 515 that are contactlessly coupled to the reception electrode 612, and transmits the transmitter. 511 and an electrode selector 516 to be connected.

また、半導体素子５００は、送信データ信号を入力する第１の入出力部としての送信データ入力部５１３と送信用クロック５１４、および受信器６１１が受信した受信データ信号を出力する第２の入出力部としての受信データ出力部６２３と受信用クロック６１４とを備えている。本実施形態では、送信データ入力部５１３と受信データ出力部６２３に接続され、送信データ信号と受信データ信号を比較する比較部５３０を有する構成とした。 The semiconductor element 500 also includes a transmission data input unit 513 as a first input / output unit that inputs a transmission data signal, a transmission clock 514, and a second input / output that outputs a reception data signal received by the receiver 611. A reception data output unit 623 and a reception clock 614 are provided. In this embodiment, the transmission data input unit 513 and the reception data output unit 623 are connected, and the comparison unit 530 that compares the transmission data signal and the reception data signal is provided.

次に、本実施形態による半導体素子５００の動作について説明する。複数の半導体素子間において非接触で信号を伝送する場合、電極選択器５１６は送信器５１１と送信電極５１２を接続し、送信器５１１は送信データ信号に依存した電気信号を送信クロックにあわせたタイミングで送信電極５１２に送出する。一方、受信器６１１は受信電極６１２から受信クロックに同期して受信データ信号を受信する。 Next, the operation of the semiconductor element 500 according to the present embodiment will be described. When signals are transmitted in a non-contact manner between a plurality of semiconductor elements, the electrode selector 516 connects the transmitter 511 and the transmission electrode 512, and the transmitter 511 has a timing that matches an electric signal depending on the transmission data signal with the transmission clock. Is sent to the transmission electrode 512. On the other hand, the receiver 611 receives the reception data signal from the reception electrode 612 in synchronization with the reception clock.

半導体素子５００を検査する場合、電極選択器５１６は送信器５１１と検査用電極５１５を接続し、送信器５１１は送信データ信号に依存した電気信号を検査用電極５１５に送出する。このとき、検査用電極５１５と受信電極６１２は誘導性結合または容量性結合により非接触結合しているので、受信器６１１は受信電極６１２に誘起された信号を受信し、受信データ信号を取得する。この送信データ信号は送信データ入力部５１３を介して、また受信データ信号は受信データ出力部６２３を介してそれぞれ比較部５３０に入力される。比較部５３０は送信データ信号と受信データ信号を比較し、両データ信号の一致・不一致に応じた信号を出力する。送信データ信号と受信データ信号が一致する場合、送信器５１１、受信器６１１、および受信電極６１２は適正に動作していると判断できるので、半導体素子５００は適正に製造された良品であると判定できる。 When inspecting the semiconductor element 500, the electrode selector 516 connects the transmitter 511 and the inspection electrode 515, and the transmitter 511 sends an electrical signal depending on the transmission data signal to the inspection electrode 515. At this time, since the inspection electrode 515 and the reception electrode 612 are non-contact coupled by inductive coupling or capacitive coupling, the receiver 611 receives a signal induced in the reception electrode 612 and acquires a reception data signal. . The transmission data signal is input to the comparison unit 530 via the transmission data input unit 513 and the reception data signal is input to the comparison unit 530 via the reception data output unit 623, respectively. The comparison unit 530 compares the transmission data signal and the reception data signal, and outputs a signal corresponding to the coincidence / mismatch of both data signals. If the transmission data signal and the reception data signal match, it can be determined that the transmitter 511, the receiver 611, and the reception electrode 612 are operating properly, so that the semiconductor element 500 is determined to be a properly manufactured good product. it can.

本実施形態の半導体素子５００においては、検査用電極５１５は受信電極６１２と非接触結合し、電極選択器５１６は送信電極５１２と検査用電極５１５のいずれか一方を選択して送信器５１１と接続することとした。これに限らず、検査用電極５１５は送信電極５１２と非接触結合し、電極選択器５１６は受信電極６１２と検査用電極５１５のいずれか一方を選択して受信器６１１と接続することとしてもよい。 In the semiconductor element 500 of this embodiment, the inspection electrode 515 is non-contact coupled to the reception electrode 612, and the electrode selector 516 selects either the transmission electrode 512 or the inspection electrode 515 and connects to the transmitter 511. It was decided to. Not limited to this, the inspection electrode 515 may be contactlessly coupled to the transmission electrode 512, and the electrode selector 516 may select either the reception electrode 612 or the inspection electrode 515 and connect to the receiver 611. .

本実施形態による半導体素子５００は送信器５１１と受信器６１１の両方を備え、半導体素子５００の検査時には、送信器５１１または受信器６１１の一方を検査用送信器または検査用受信器として動作させる。そのため、第２の実施形態の半導体素子２００が備える検査用受信器２２１と検査用受信電極２２２、または半導体素子３００が備える検査用送信器３２１と検査用送信電極３２２が不要となる。したがって、半導体素子２００と半導体素子３００を共に用いる場合に比べ、半導体素子の素子面積を低減することができる。すなわち本実施形態によれば、非接触結合回路を備えた半導体素子の検査にかかるコストを低減するとともに、製造コストをも低減することができる。その結果、かかる半導体素子を含む半導体装置の製造コストの増大をさらに抑制することができる。 The semiconductor element 500 according to the present embodiment includes both a transmitter 511 and a receiver 611. When the semiconductor element 500 is inspected, one of the transmitter 511 or the receiver 611 is operated as an inspection transmitter or an inspection receiver. Therefore, the inspection receiver 221 and the inspection reception electrode 222 included in the semiconductor element 200 of the second embodiment, or the inspection transmitter 321 and the inspection transmission electrode 322 included in the semiconductor element 300 are not necessary. Accordingly, the element area of the semiconductor element can be reduced as compared with the case where both the semiconductor element 200 and the semiconductor element 300 are used. That is, according to the present embodiment, it is possible to reduce the cost for inspecting the semiconductor element provided with the non-contact coupling circuit and also reduce the manufacturing cost. As a result, an increase in manufacturing cost of a semiconductor device including such a semiconductor element can be further suppressed.

本実施形態では、送信データ信号と受信データ信号を、半導体素子上に配置された比較部５３０を用いて比較し、両データ信号の一致・不一致から半導体素子５００の良否を判定することとした。これに限らず、これらのデータ信号をプローブニードル等によって読み出し、半導体素子の外部に設置した検査装置等により半導体素子の良否を判定することとしてもよい。 In the present embodiment, the transmission data signal and the reception data signal are compared using the comparison unit 530 disposed on the semiconductor element, and the quality of the semiconductor element 500 is determined from the coincidence / mismatch of both data signals. However, the present invention is not limited to this, and these data signals may be read by a probe needle or the like, and the quality of the semiconductor element may be determined by an inspection device or the like installed outside the semiconductor element.

〔第４の実施形態〕
次に、本発明の第４の実施形態について説明する。図６に、本実施形態による半導体装置１０００の断面図を示す。半導体装置１０００は第１の半導体素子１１００と通信素子部１２００が積層された構成を有する。 [Fourth Embodiment]
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. FIG. 6 is a sectional view of the semiconductor device 1000 according to the present embodiment. The semiconductor device 1000 has a structure in which a first semiconductor element 1100 and a communication element unit 1200 are stacked.

第１の半導体素子１１００は、第１の基材部１１０１と、第１の基材部１１０１上に配置された通信部と検査用通信部を有する。通信部は、第１の送受信器１１１１と、第１の送受信器１１１１と接続された第１の送受信電極１１１２とを備える。検査用通信部は、第１の検査用送受信器１１２１と、第１の検査用送受信器１１２１と接続された第１の検査用送受信電極１１２２とを備える。ここで、第１の送受信電極１１１２と第１の検査用送受信電極１１２２は非接触で結合するように配置されている。 The first semiconductor element 1100 includes a first base part 1101, a communication part arranged on the first base part 1101, and an inspection communication part. The communication unit includes a first transmitter / receiver 1111 and a first transmitter / receiver electrode 1112 connected to the first transmitter / receiver 1111. The inspection communication unit includes a first inspection transceiver 1121 and a first inspection transmission / reception electrode 1122 connected to the first inspection transceiver 1121. Here, the first transmission / reception electrode 1112 and the first inspection transmission / reception electrode 1122 are arranged in a non-contact manner.

第１の送受信器１１１１と第１の送受信電極１１１２は第１の非接触結合部を構成し、第１の検査用送受信器１１２１と第１の検査用送受信電極１１２２は第２の非接触結合部を構成する。第１の送受信器１１１１を送信器として構成した場合には、第１の検査用送受信器１１２１は検査用受信器とすることができる。逆に、第１の送受信器１１１１を受信器として構成した場合には、第１の検査用送受信器１１２１は検査用送信器とすることができる。 The first transmitter / receiver 1111 and the first transmitter / receiver electrode 1112 constitute a first non-contact coupling portion, and the first inspection transmitter / receiver 1121 and the first inspection transmitter / receiver electrode 1122 are a second non-contact coupling portion. Configure. When the first transceiver 1111 is configured as a transmitter, the first inspection transceiver 1121 can be an inspection receiver. Conversely, when the first transmitter / receiver 1111 is configured as a receiver, the first test transmitter / receiver 1121 can be a test transmitter.

通信素子部１２００は第２の基材部１２０１と、第２の基材部１２０１上に配置された第２の送受信電極１２１２とを有する。第２の基材部１２０１として、本実施形態では絶縁膜を用いた。 The communication element unit 1200 includes a second base material part 1201 and a second transmission / reception electrode 1212 arranged on the second base material part 1201. In this embodiment, an insulating film is used as the second base material portion 1201.

第１の半導体素子１１００と通信素子部１２００は、第１の送受信電極１１１２と第２の送受信電極１２１２との間で非接触結合するように対向して配置され、第１の半導体素子１１００と第２の通信素子部１２００との間で非接触によりデータ信号が伝送される。非接触結合には、誘導性結合または容量性結合を用いた構成を採用することができる。 The first semiconductor element 1100 and the communication element unit 1200 are disposed to face each other so as to be non-contact coupled between the first transmission / reception electrode 1112 and the second transmission / reception electrode 1212. A data signal is transmitted between the two communication element units 1200 in a non-contact manner. For the non-contact coupling, a configuration using inductive coupling or capacitive coupling can be adopted.

第１の半導体素子１１００においては、第１の送受信器１１１１が第１の送受信電極１１１２を介して送受信するデータ信号を、第１の送受信電極１１１２と非接触で結合している第１の検査用送受信電極１１２２によって第１の検査用送受信器１１２１で読み出すことができる。これにより、第１の送受信器１１１１と第１の送受信電極１１１２の動作確認を非接触で行うことができる。 In the first semiconductor element 1100, a first inspection device in which a data signal transmitted and received by the first transceiver 1111 via the first transmission / reception electrode 1112 is coupled to the first transmission / reception electrode 1112 in a non-contact manner. Data can be read out by the first transmitter / receiver 1121 by the transmitter / receiver electrode 1122. Thereby, the operation check of the first transmitter / receiver 1111 and the first transmitter / receiver electrode 1112 can be performed without contact.

以上より、第１の半導体素子１１００を実装する前に、第１の半導体素子１１００の検査をウェハ状態で行うことが可能となる。したがって、本実施形態によれば、半導体装置１０００は良品の第１の半導体素子１１００から構成されたものとすることができるので、半導体装置１０００の製造コストの増大を抑制することができる。 As described above, the first semiconductor element 1100 can be inspected in the wafer state before the first semiconductor element 1100 is mounted. Therefore, according to the present embodiment, the semiconductor device 1000 can be composed of the non-defective first semiconductor element 1100, and thus an increase in manufacturing cost of the semiconductor device 1000 can be suppressed.

〔第５の実施形態〕
次に、本発明の第５の実施形態について説明する。図７に、本実施形態による半導体装置２０００の断面図を示す。図７（ａ）に示すように、半導体装置２０００は第１の半導体素子１１００と通信素子部２２００を有する。本実施形態の半導体装置２０００は、通信素子部２２００が対向電極部２２１０と通信基板部２２２０を有する点で、第４の実施形態による半導体装置１０００と異なる。 [Fifth Embodiment]
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described. FIG. 7 is a sectional view of the semiconductor device 2000 according to the present embodiment. As shown in FIG. 7A, the semiconductor device 2000 includes a first semiconductor element 1100 and a communication element unit 2200. The semiconductor device 2000 according to the present embodiment is different from the semiconductor device 1000 according to the fourth embodiment in that the communication element unit 2200 includes a counter electrode unit 2210 and a communication substrate unit 2220.

第１の半導体素子１１００は、第１の基材部１１０１と、第１の基材部１１０１上に配置された通信部と検査用通信部を有する。通信部は、第１の送受信器１１１１と、第１の送受信器１１１１と接続された第１の送受信電極１１１２とを備える。検査用通信部は、第１の検査用送受信器１１２１と、第１の検査用送受信器１１２１と接続された第１の検査用送受信電極１１２２とを備える。第１の送受信器１１１１と第１の送受信電極１１１２は第１の非接触結合部を構成し、第１の検査用送受信器１１２１と第１の検査用送受信電極１１２２は第２の非接触結合部を構成する。 The first semiconductor element 1100 includes a first base part 1101, a communication part arranged on the first base part 1101, and an inspection communication part. The communication unit includes a first transmitter / receiver 1111 and a first transmitter / receiver electrode 1112 connected to the first transmitter / receiver 1111. The inspection communication unit includes a first inspection transceiver 1121 and a first inspection transmission / reception electrode 1122 connected to the first inspection transceiver 1121. The first transmitter / receiver 1111 and the first transmitter / receiver electrode 1112 constitute a first non-contact coupling portion, and the first inspection transmitter / receiver 1121 and the first inspection transmitter / receiver electrode 1122 are a second non-contact coupling portion. Configure.

図７（ｂ）に示すように、第１の送受信器を送信器１１１１Ｔとして構成した場合には、第１の送受信電極は送信電極１１１２Ｔと、第１の検査用送受信器は検査用受信器１１２１Ｒと、第１の検査用送受信電極は検査用受信電極１１２２Ｒとすることができる。ここで、送信電極１１１２Ｔと検査用受信電極１１２２Ｒは非接触で結合するように配置されている。 As shown in FIG. 7B, when the first transmitter / receiver is configured as the transmitter 1111T, the first transmitter / receiver electrode is the transmission electrode 1112T, and the first inspection transmitter / receiver is the inspection receiver 1121R. The first inspection transmission / reception electrode can be the inspection reception electrode 1122R. Here, the transmission electrode 1112T and the reception electrode for inspection 1122R are arranged so as to be coupled in a non-contact manner.

逆に図７（ｃ）に示すように、第１の送受信器を受信器１１１１Ｒとして構成した場合には、第１の送受信電極は受信電極１１１２Ｒと、第１の検査用送受信器は検査用送信器１１２１Ｔと、第１の検査用送受信電極は検査用送信電極１１２２Ｔとすることができる。ここで、受信電極１１１２Ｒと検査用送信電極１１２２Ｔは非接触で結合するように配置されている。 Conversely, as shown in FIG. 7C, when the first transmitter / receiver is configured as the receiver 1111R, the first transmitter / receiver electrode is the reception electrode 1112R, and the first inspection transmitter / receiver is the test transmitter. The tester 1121T and the first inspection transmission / reception electrode may be the inspection transmission electrode 1122T. Here, the reception electrode 1112R and the inspection transmission electrode 1122T are arranged so as to be coupled in a non-contact manner.

対向電極部２２１０は、第２の基材部２２１１と、第２の基材部２２１１上に配置された第２の送受信電極２２１２とを有する。通信基板部２２２０は第３の基材部２２２１に第２の送受信器２２２２を備えている。第２の送受信器２２２２と第２の送受信電極２２１２は電気配線２２３０によって接続されている。本実施形態では、第２の基材部２２１１として絶縁膜を、第３の基材部２２２１として半導体基板を用いた。 The counter electrode portion 2210 includes a second base material portion 2211 and a second transmission / reception electrode 2212 disposed on the second base material portion 2211. The communication board unit 2220 includes a second transmitter / receiver 2222 in the third base material unit 2221. The second transmitter / receiver 2222 and the second transmitter / receiver electrode 2212 are connected by an electrical wiring 2230. In this embodiment, an insulating film is used as the second base material portion 2211, and a semiconductor substrate is used as the third base material portion 2221.

ここで、図７（ｂ）に示す場合には、第２の送受信電極として第２の受信電極２２１２Ｒを、第２の送受信器として第２の受信器２２２２Ｒを用いることができる。また、図７（ｃ）に示す場合には、第２の送受信電極として第２の送信電極２２１２Ｔを、第２の送受信器として第２の送信器２２２２Ｔを用いることができる。 In the case shown in FIG. 7B, the second receiving electrode 2212R can be used as the second transmitting / receiving electrode, and the second receiver 2222R can be used as the second transmitting / receiving device. In the case shown in FIG. 7C, the second transmitter electrode 2212T can be used as the second transmitter / receiver electrode, and the second transmitter 2222T can be used as the second transmitter / receiver.

第１の半導体素子１１００において、第１の送受信器１１１１が第１の送受信電極１１１２を介して送受信するデータ信号を、第１の送受信電極１１１２と非接触で結合している第１の検査用送受信電極１１２２によって第１の検査用送受信器１１２１で読み出すことができる。これにより、第１の送受信器１１１１と第１の送受信電極１１１２の動作確認を非接触で行うことができる。 In the first semiconductor element 1100, a first test transmission / reception in which a data signal transmitted / received by the first transceiver 1111 via the first transmission / reception electrode 1112 is coupled to the first transmission / reception electrode 1112 in a non-contact manner. The data can be read out by the first inspection transceiver 1121 by the electrode 1122. Thereby, the operation check of the first transmitter / receiver 1111 and the first transmitter / receiver electrode 1112 can be performed without contact.

第１の半導体素子１１００と通信素子部２２００は、第１の送受信電極１１１２と第２の送受信電極２２１２との間で非接触結合するように対向して配置され、第１の半導体素子１１００と第２の通信素子部２２００との間で非接触によりデータ信号が伝送される。このとき、本実施形態によれば、第２の送受信器２２２２は対向電極部２２１０とは異なる通信基板部２２２０に配置されているので、送受信するデータ信号を処理する構成の自由度を増大させることができる。 The first semiconductor element 1100 and the communication element unit 2200 are arranged to face each other so as to be non-contact coupled between the first transmission / reception electrode 1112 and the second transmission / reception electrode 2212. The data signal is transmitted between the two communication element units 2200 in a non-contact manner. At this time, according to the present embodiment, the second transmitter / receiver 2222 is disposed on the communication board unit 2220 different from the counter electrode unit 2210, so that the degree of freedom of the configuration for processing the data signal to be transmitted / received is increased. Can do.

本実施形態では、第２の基材部２２１１は絶縁膜としたが、これに限らず、図８に示すように配線基板２２１３を用いることとしてもよい。図８（ａ）は図７（ｂ）に、図８（ｂ）は図７（ｃ）にそれぞれ対応する場合を示す。配線基板２２１３上に第２の送受信電極２２１２を形成した対向電極部２２１０を半導体素子１１００と対向させ、例えば樹脂等により封止することができる。この場合は、第２の送受信電極２２１２の配置の自由度を増大させることができる。 In the present embodiment, the second base material portion 2211 is an insulating film. However, the present invention is not limited to this, and a wiring substrate 2213 may be used as shown in FIG. FIG. 8A shows a case corresponding to FIG. 7B, and FIG. 8B shows a case corresponding to FIG. 7C. The counter electrode portion 2210 in which the second transmitting / receiving electrode 2212 is formed on the wiring substrate 2213 can be opposed to the semiconductor element 1100 and sealed with, for example, a resin or the like. In this case, the degree of freedom of arrangement of the second transmission / reception electrode 2212 can be increased.

通信素子部２２００を構成する第２の送受信電極２２１２、第２の送受信器２２２２の配置は上述したものに限られない。第２の送受信電極２２１２が半導体素子１１００の第１の送受信電極１１１２と対向し、第２の送受信電極２２１２と第２の送受信器２２２２が電気的に接続された構成であれば、他の配置構成とすることができる。 The arrangement of the second transmission / reception electrode 2212 and the second transmission / reception device 2222 constituting the communication element unit 2200 is not limited to that described above. If the second transmission / reception electrode 2212 is opposed to the first transmission / reception electrode 1112 of the semiconductor element 1100 and the second transmission / reception electrode 2212 and the second transmission / reception device 2222 are electrically connected, other arrangement configurations are possible. It can be.

〔第６の実施形態〕
次に、本発明の第６の実施形態について説明する。図９に、本実施形態による半導体装置３０００の断面図を示す。半導体装置３０００は第１の半導体素子３１００と第２の半導体素子３２００が積層された構成を有し、通信素子部が第２の半導体素子３２００を備える点で、第４の実施形態による半導体装置１０００と異なる。 [Sixth Embodiment]
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described. FIG. 9 is a sectional view of the semiconductor device 3000 according to the present embodiment. The semiconductor device 3000 has a configuration in which a first semiconductor element 3100 and a second semiconductor element 3200 are stacked, and the communication device unit includes the second semiconductor element 3200, so that the semiconductor device 1000 according to the fourth embodiment. And different.

第１の半導体素子３１００は、第１の送受信器３１１１と、第１の送受信器３１１１と接続された第１の送受信電極３１１２と、第１の検査用送受信器３１２１と、第１の検査用送受信器３１２１と接続された第１の検査用送受信電極３１２２を備える。第１の送受信電極３１１２と第１の検査用送受信電極３１２２は非接触で結合するように配置されている。ここで、第１の送受信器３１１１を送信器として構成した場合には、第１の検査用送受信器３１２１は検査用受信器とすることができる。 The first semiconductor element 3100 includes a first transmitter / receiver 3111, a first transmitter / receiver electrode 3112 connected to the first transmitter / receiver 3111, a first inspection transmitter / receiver 3121, and a first inspection transmitter / receiver. The first inspection transmission / reception electrode 3122 connected to the device 3121 is provided. The first transmission / reception electrode 3112 and the first inspection transmission / reception electrode 3122 are arranged so as to be coupled in a non-contact manner. Here, when the first transceiver 3111 is configured as a transmitter, the first inspection transceiver 3121 can be an inspection receiver.

第２の半導体素子３２００は、第２の送受信器３２１１と、第２の送受信器３２１１と接続された第２の送受信電極３２１２と、第２の検査用送受信器３２２１と、第２の検査用送受信器３２２１と接続された第２の検査用送受信電極３２２２を備える。第２の送受信電極３２１２と第２の検査用送受信電極３２２２は非接触で結合するように配置されている。ここで、上述したように第１の送受信器３１１１を送信器として構成した場合には、第２の送受信器３２１１を受信器とし、第２の検査用送受信器３２２１は検査用送信器とすることができる。 The second semiconductor element 3200 includes a second transmitter / receiver 3211, a second transmitter / receiver electrode 3212 connected to the second transmitter / receiver 3211, a second inspection transmitter / receiver 3221, and a second inspection transmitter / receiver. A second inspection transmission / reception electrode 3222 connected to the device 3221. The second transmission / reception electrode 3212 and the second inspection transmission / reception electrode 3222 are arranged so as to be coupled in a non-contact manner. Here, when the first transmitter / receiver 3111 is configured as a transmitter as described above, the second transmitter / receiver 3211 is a receiver, and the second test transmitter / receiver 3221 is a test transmitter. Can do.

第１の半導体素子３１００と第２の半導体素子３２００は、第１の送受信電極３１１２と第２の送受信電極３２１２との間で非接触結合するように対向して配置され、第１の半導体素子３１００と第２の半導体素子３２００との間で非接触によりデータ信号が伝送される。上述の非接触結合には、誘導性結合または容量性結合を用いた構成を採用することができる。 The first semiconductor element 3100 and the second semiconductor element 3200 are arranged to face each other so as to be contactlessly coupled between the first transmission / reception electrode 3112 and the second transmission / reception electrode 3212. And the second semiconductor element 3200 transmit data signals in a non-contact manner. A configuration using inductive coupling or capacitive coupling can be adopted as the non-contact coupling described above.

第１の半導体素子３１００においては、第１の送受信器３１１１が第１の送受信電極３１１２を介して送受信するデータ信号を、第１の送受信電極３１１２と非接触で結合している第１の検査用送受信電極３１２２によって第１の検査用送受信器３１２１で読み出すことができる。 In the first semiconductor element 3100, a first test signal in which a data signal transmitted / received by the first transmitter / receiver 3111 via the first transmitter / receiver electrode 3112 is coupled to the first transmitter / receiver electrode 3112 in a non-contact manner. Data can be read out by the first transmitter / receiver 3121 by the transmitter / receiver electrode 3122.

同様に、第２の半導体素子３２００においては、第２の送受信器３２１１が第２の送受信電極３２１２を介して送受信するデータ信号を、第２の送受信電極３２１２と非接触で結合している第２の検査用送受信電極３２２２によって第２の検査用送受信器３２２１で読み出すことができる。 Similarly, in the second semiconductor element 3200, the second transmitter / receiver 3211 couples the data signal transmitted / received via the second transmitter / receiver electrode 3212 to the second transmitter / receiver electrode 3212 in a non-contact manner. The second inspection transmitter / receiver 3221 can be read by the inspection transmission / reception electrode 3222.

これにより、第１の送受信器３１１１と第１の送受信電極３１１２、および第２の送受信器３２１１と第２の送受信電極３２１２の動作確認を非接触で行うことができる。そのため、第１の半導体素子３１００および第２の半導体素子３２００の検査を、各半導体素子を実装する前にウェハ状態で行うことが可能となる。 Thereby, the operation check of the first transmitter / receiver 3111 and the first transmitter / receiver electrode 3112 and the second transmitter / receiver 3211 and the second transmitter / receiver electrode 3212 can be performed without contact. Therefore, the inspection of the first semiconductor element 3100 and the second semiconductor element 3200 can be performed in a wafer state before mounting each semiconductor element.

以上より、本実施形態によれば、半導体装置３０００は良品の第１の半導体素子３１００と良品の第２の半導体素子３２００から構成されたものとすることができるので、半導体装置３０００の製造コストの増大を抑制することができる。 As described above, according to the present embodiment, the semiconductor device 3000 can be composed of the non-defective first semiconductor element 3100 and the non-defective second semiconductor element 3200. Therefore, the manufacturing cost of the semiconductor device 3000 can be reduced. The increase can be suppressed.

ここで、第１の半導体素子３１００および第２の半導体素子３２００の検査は、実際の使用環境に近い条件で行うことが望ましい。そのために、第１の送受信電極３１１２と第１の検査用送受信電極３１２２との間の非接触結合の強度を、第１の送受信電極３１１２と第２の送受信電極３２１２との間の非接触結合の強度と同程度とすることができる。同様に、第２の送受信電極３２１２と第２の検査用送受信電極３２２２との間の非接触結合の強度を、第１の送受信電極３１１２と第２の送受信電極３２１２との間の非接触結合の強度と同程度とすることができる。 Here, the inspection of the first semiconductor element 3100 and the second semiconductor element 3200 is desirably performed under conditions close to the actual use environment. Therefore, the strength of the non-contact coupling between the first transmission / reception electrode 3112 and the first transmission / reception electrode 3122 is set to be equal to the strength of the non-contact coupling between the first transmission / reception electrode 3112 and the second transmission / reception electrode 3212. It can be as high as the strength. Similarly, the strength of the non-contact coupling between the second transmission / reception electrode 3212 and the second inspection transmission / reception electrode 3222 is equal to the strength of the non-contact coupling between the first transmission / reception electrode 3112 and the second transmission / reception electrode 3212. It can be as high as the strength.

また、同じ理由から、第１の送受信器３１１１と第２の検査用送受信器３２２１、および、第２の送受信器３２１１と第１の検査用送受信器３１２１は、信号の送受信能力がそれぞれ同程度であることが望ましい。また、送受信器と検査用送受信器はそれぞれ同様の回路構成により形成されていることが好適である。 For the same reason, the first transmitter / receiver 3111 and the second inspection transmitter / receiver 3221 and the second transmitter / receiver 3211 and the first inspection transmitter / receiver 3121 have the same signal transmission / reception capabilities. It is desirable to be. Moreover, it is preferable that the transmitter / receiver and the test transmitter / receiver are each formed by the same circuit configuration.

上述した第１から第６の実施形態において、通信部の検査実施時以外は、検査用通信部の動作を停止させることが望ましい。これによって半導体素子の消費電力を削減することができる。また、通信部の検査実施時以外は、検査用送信（受信）電極と検査用送信（受信）器との間を電気的に遮断することが望ましい。これによって通信部間の信号伝送強度の劣化を防ぐことができる。 In the first to sixth embodiments described above, it is desirable to stop the operation of the inspection communication unit except during the inspection of the communication unit. As a result, the power consumption of the semiconductor element can be reduced. Further, it is desirable to electrically cut off between the inspection transmission (reception) electrode and the inspection transmission (reception) device except when the communication unit is inspected. As a result, it is possible to prevent deterioration in signal transmission strength between communication units.

本発明は上記実施形態に限定されることなく、特許請求の範囲に記載した発明の範囲内で、種々の変形が可能であり、それらも本発明の範囲内に含まれるものであることはいうまでもない。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications are possible within the scope of the invention described in the claims, and it is also included within the scope of the present invention. Not too long.

１００、２００、３００、４００、５００半導体素子
１１０通信部
１１１第１の非接触結合部
１２０検査用通信部
１２１第２の非接触結合部
２０１、３０１基材部
２１１、４１１、５１１、１１１１Ｔ送信器
２１２、４１２、５１２、１１１２Ｔ送信電極
２１３、３１３検査データ入力部
２１４、３１４、５１４送信用クロック
２２１、４２１、１１２１Ｒ検査用受信器
２２２、４２２、１１２２Ｒ検査用受信電極
２２３、３２３検査データ出力部
２２４、３２４クロック遅延回路
２３０、３３０、５３０比較部
３１１、６１１、１１１１Ｒ受信器
３１２、６１２、１１１２Ｒ受信電極
３２１、１１２１Ｔ検査用送信器
３２２、１１２２Ｔ検査用送信電極
５１３送信データ入力部
５１５検査用電極
５１６電極選択器
６１４受信用クロック
６２３受信データ出力部
１０００、２０００、３０００半導体装置
１１００、３１００第１の半導体素子
１１０１第１の基材部
１１１１、３１１１第１の送受信器
１１１２、３１１２第１の送受信電極
１１２１、３１２１第１の検査用送受信器
１１２２、３１２２第１の検査用送受信電極
１２００、２２００通信素子部
１２０１、２２１１第２の基材部
１２１２、２２１２第２の送受信電極
２２１０対向電極部
２２１２Ｔ第２の送信電極
２２１２Ｒ第２の受信電極
２２１３配線基板
２２２０通信基板部
２２２１第３の基材部
２２２２第２の送受信器
２２２２Ｔ第２の送信器
２２２２Ｒ第２の受信器
２２３０電気配線
３２００第２の半導体素子
３２１１第２の送受信器
３２１２第２の送受信電極
３２２１第２の検査用送受信器
３２２２第２の検査用送受信電極 100, 200, 300, 400, 500 Semiconductor element 110 Communication unit 111 First non-contact coupling unit 120 Inspection communication unit 121 Second non-contact coupling unit 201, 301 Base material unit 211, 411, 511, 1111T Transmitter 212, 412, 512, 1112T Transmission electrode 213, 313 Inspection data input unit 214, 314, 514 Transmission clock 221, 421, 1121R Inspection receiver 222, 422, 1122R Inspection reception electrode 223, 323 Inspection data output unit 224 324 Clock delay circuit 230, 330, 530 Comparison unit 311, 611, 1111R Receiver 312, 612, 1112R Reception electrode 321, 1121T Inspection transmitter 322, 1122T Inspection transmission electrode 513 Transmission data input unit 515 Inspection electrode 516 Electrode selection Selector 614 Receive clock 623 Receive data output unit 1000, 2000, 3000 Semiconductor device 1100, 3100 First semiconductor element 1101 First base material part 1111, 3111 First transmitter / receiver 1112, 3112 First transmit / receive electrode 1121 3121 First transmitter / receiver 1122, 3122 First transmitter / receiver electrode 1200, 2200 Communication element unit 1201, 2112 Second base material unit 1212, 2212 Second transmitter / receiver electrode 2210 Counter electrode unit 2212T Second Transmission electrode 2212R Second reception electrode 2213 Wiring board 2220 Communication board part 2221 Third base material part 2222 Second transceiver 2222T Second transmitter 2222R Second receiver 2230 Electrical wiring 3200 Second semiconductor element 3211 Second transceiver 3212 Reception electrode 3221 second testing transceiver 3222 second testing reception electrode

Claims

A communication unit and an inspection communication unit;
The communication unit includes a first non-contact coupling unit that performs non-contact signal transmission,
The inspection communication unit includes a second non-contact coupling unit that is non-contact coupled to the first non-contact coupling unit.

2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the first and second non-contact coupling portions constitute non-contact coupling by inductive coupling or capacitive coupling.

The first non-contact coupling portion includes a transmitter and a transmission electrode;
The second non-contact coupling portion has an inspection receiver and an inspection reception electrode,
The semiconductor element according to claim 1, wherein the transmitting electrode and the receiving electrode for inspection are arranged to be contactlessly coupled.

The first non-contact coupling portion includes a receiver and a receiving electrode;
The second non-contact coupling portion has an inspection transmitter and an inspection transmission electrode,
The semiconductor element according to claim 1, wherein the reception electrode and the inspection transmission electrode are disposed so as to be contactlessly coupled.

The first non-contact coupling portion includes a transmitter and a transmission electrode;
The second non-contact coupling portion includes a receiver and a receiving electrode;
An inspection electrode that is non-contact coupled to the receiving electrode;
The semiconductor element according to claim 1, further comprising: an electrode selector that selects one of the transmission electrode and the inspection electrode and connects to the transmitter.

The first non-contact coupling portion includes a receiver and a receiving electrode;
The second non-contact coupling portion includes a transmitter and a transmission electrode;
An inspection electrode that is non-contact coupled to the transmission electrode;
The semiconductor element according to claim 1, further comprising: an electrode selector that selects one of the receiving electrode and the inspection electrode and connects to the receiver.

The communication unit includes a first input / output unit that inputs and outputs data signals,
The inspection communication unit includes a second input / output unit for inputting / outputting a data signal,
The data signal input to the first input / output unit and the data signal output from the second input / output unit, or the data signal input to the second input / output unit and the first input / output unit The semiconductor device according to claim 1, further comprising: a comparison unit that compares the data signal output from the data signal.

The semiconductor device according to claim 1, wherein the communication unit and the inspection communication unit are disposed on the same base material unit.

A first semiconductor element; and a communication element unit coupled to the first semiconductor element;
The first semiconductor element includes a first base part, a first non-contact coupling part that is disposed on the first base part and performs non-contact signal transmission, and the first non-contact A second non-contact coupling portion that is non-contact coupled to the coupling portion;
The first non-contact coupling unit includes a first transmitter / receiver and a first transmitter / receiver electrode connected to the first transmitter / receiver,
The second non-contact coupling unit includes a first inspection transceiver and a first inspection transmission / reception electrode connected to the first inspection transceiver,
The first transmission / reception electrode and the first inspection transmission / reception electrode are arranged to be contactlessly coupled,
The communication element unit includes a second base material part, and a second transmission / reception electrode disposed on the second base material part,
The first semiconductor element and the communication element unit are disposed to face each other so as to be contactlessly coupled between the first transmission / reception electrode and the second transmission / reception electrode.

The communication element unit includes a counter electrode unit including the second base material unit and the second transmission / reception electrode, and a communication substrate unit including a third base material unit and a second transmitter / receiver. The semiconductor device according to claim 9, wherein the second transmitting / receiving electrode and the second transmitting / receiving device are connected.

The communication element unit includes a second semiconductor element,
The second semiconductor element is connected to the second transmitter / receiver, the second transmitter / receiver electrode connected to the second transmitter / receiver, the second transmitter / receiver for inspection, and the second transmitter / receiver for inspection. The semiconductor device according to claim 9, further comprising: a second inspection transmission / reception electrode, wherein the second transmission / reception electrode and the second inspection transmission / reception electrode are arranged to be coupled in a non-contact manner.

The first data signal is input to the communication unit including the first non-contact coupling unit constituting the semiconductor element,
In response to the input of the first data signal, the second non-contact coupling unit configured to contact the first non-contact coupling unit and the second non-contact coupling unit, which constitutes the semiconductor element, Get the data signal,
A method for inspecting a semiconductor device, comprising: comparing the first data signal and the second data signal.