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JP2011110466A - パーフルオロコンパウンド排ガスの乾式除去装置 - Google Patents

パーフルオロコンパウンド排ガスの乾式除去装置 Download PDF

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Abstract

【課題】 パーフルオロコンパウンド(PFC)ガスを、シリコンやタングステンのクリーニングまたはエッチングに使用したときに排出される、PFC排出ガスの除去において、除去剤の交換頻度を少なくし、更に消費電力量を低減できる乾式除去装置を提供する。
【解決手段】 PFC排ガスを処理する、除去剤が充填されている除去筒を具備する乾式除去装置において、該排ガスを導入する導入口と処理されたガスを排出する排出口を有する、フッ化物ガスを除去するために水酸化カルシウムを主成分とする除去剤が充填されている前処理筒と、該排出口から排出されるガスを導入する導入口と処理されたガスを排出する排出口を有する、PFCガスを除去するためにアルカリ土類金属化合物を主成分とする除去剤が充填され且つ加熱手段を有する除去筒と、前処理筒の排出口からのガスを除去筒の導入口に導入する経路を具備することを特徴とする、乾式除去装置。
【選択図】 図2

Description

本発明は、半導体製造、液晶製造、または太陽電池製造において、クリーニングまたはエッチング時に排出されるパーフルオロコンパウンド(以下、PFCと略記する)排ガスの乾式除去装置に関するものである。
半導体、液晶および太陽電池などの製造プロセスでは、珪素やタングステンを除去するためのエッチングガスやクリーニングガスとして種々のパーフルオロコンパウンドガスが使用されており、これらはPFCガスと称されている。これらPFCガスには、CF、SF、C、NF、C、C、C、C、C、CH、CHFなどがあり、地球温暖化係数(GWP)がCOに比べ数千から数万倍と非常に高く、大気寿命も数千から数万倍と非常に長いことから、地球環境に与える影響は大きく除去する必要がある。また、PFCガスを使用した後のPFC排ガスには、未反応のPFCガス以外に、PFCガスがシリコン、タングステン、および金属表面に付着している水分等と反応し生成されたSiF、WF、HF、Fといったフッ化物ガスが共存しており、これらフッ化物ガスは、GWPが低いものの毒性が強く、PFCガスと同様に除去する必要がある。HF、Fの許容濃度はそれぞれ0.5体積ppm、1体積ppmと低く定められている。SiF、WFの許容濃度については、それぞれF原子の重量として2.5mg(F)/mと、HF、Fと同様に低く定められている。ここでいう許容濃度とはアメリカの産業衛生(労働衛生)の専門家で構成される ACGIH(American Conference of Govermental Industrial Hygienists:米国産業衛生専門家会議)が定めた作業環境における空気中の化学物質の許容できる定められたガス濃度である。
PFCガスの多くは、大気中で極めて安定であり、水にもわずかしか溶解しないため、アルカリ薬剤を用いた除去装置や湿式スクラバーといった従来の分解除去技術では処理ができない。また、燃焼ガスを利用した分解による除去技術があるが、ガス分解はするものの未分解成分が残留することや、分解除去後においてHFやSiFといったフッ化物ガスの生成があり、さらにそれらを水スクラバー等で除去しなければならない。
一方、PFCガスの分解には、乾式の除去剤を高温に加熱し反応させる乾式排ガス除去方法が一部に採用されている。これら除去剤はCaOやCaCOといったアルカリ土類金属化合物を主成分としており、下記反応式(1)〜(4)式のようにCaFやCaSOとして固定される(特許文献1〜4)。
CF+2CaO → 2CaF+CO(1)
SF+4CaO → 3CaF+CaSO(2)
CF+2CaCO→ 2CaF+3CO(3)
SF+4CaCO→ 3CaF+CaSO+4CO (4)
これら除去剤を高温に加熱して除去する方法においては、分解処理が進むにつれて、除去剤がフッ化カルシウム(CaF)や硫酸カルシウム(CaSO)に変換されるため、定期的な除去剤の交換が必要となる。
PFCガスがシリコン、タングステン、および金属表面に付着している水分等と反応し生成されたSiF、WF、HF、Fといったフッ化物ガスはPFCガスと同様な方法で高温に加熱された除去剤で除去することも可能であるが、安価な水酸化カルシウムを主成分とする除去剤を非加熱で容易に除去可能である。ただし、当該除去剤においても70℃以上に加熱した方が非加熱の場合よりも、反応速度が高く効率よく除去できることができる(特許文献5)。
半導体製造、液晶製造、または太陽電池製造において、クリーニングやエッチングに使用されるPFCガスは、ウエハーの大口径化や液晶サイズの大型化に伴い消費量が増大し、使用時に排出されるPFCを含有するPFC排出ガスも増大する傾向にある。したがって、これらPFC排ガスの除去を、効率よく大量に行うことが必要になってきている。
一般的に使用されている、CaOやCaCOといったアルカリ土類金属化合物を主成分した除去剤を、500℃〜900℃に加熱することにより、PFC排ガスのうちPFCガスを処理できるだけでなく、生成したSiF、WF、HF、Fといったフッ化物ガスを除去することも可能である。そのため、半導体製造工場等で使用されている、PFC排ガスの乾式除去装置では、当該除去剤でPFC排ガス中に含まれるPFCガスとフッ化物ガスを同時処理する方法が採られている。しかしながら、当該除去剤は高価であり、当該除去剤のみでPFC排ガスすなわち未反応のPFCガスと生成したフッ化物ガスのすべてを除去した場合、頻繁に除去剤を交換しなければならないといった問題がある。また、除去筒を加熱するためのヒータの消費電力量も多いといった問題もある。
特許第3228459号公報 特開2003−71244号公報 特許第3789277号公報 特開2005−26218号公報 特公平01−003139号公報
本発明は、PFC排ガスを高温に加熱して乾式で除去する装置において、除去剤の交換頻度を少なくし、さらに消費電力量を低減した乾式除去装置を提供することを目的としている。
本発明者は、かかる問題点に鑑み鋭意検討の結果、[1]半導体、液晶および太陽電池などの製造プロセスで、珪素やタングステンを除去するためのエッチングガスやクリーニングガスとしてPFCガスを使用したときに排出されるPFC排ガス中には、分解が困難なPFCガスと、PFCガスがシリコン、タングステンおよび金属表面に付着している水分等と反応して生成されるSiF、WF、HF、Fといったフッ化物ガスが共存しており、当該フッ化物ガスがPFCガスと同様な方法で高温に加熱された除去剤で除去することも可能であるが、非加熱の水酸化カルシウムを主成分とする安価な除去剤においても容易に除去可能であるため、当該除去剤を充填した前処理筒であらかじめ除去した後、PFCガスを除去するための除去筒で処理することにより、当該除去筒の除去剤の消耗を軽減できることを見出し、本発明に至ったものである。
さらには、[2]当該フッ化物ガスと水酸化カルシウムを主成分とする除去剤との反応を加熱して行った方が非加熱の場合よりも反応速度が高く効率よく除去できること、[3]PFC排ガス中のPFCガスを除去するために加熱された除去筒から、PFCが除去された高温のガスが排出され、この排ガスの熱を利用し、水酸化カルシウムを主成分とする除去剤を充填した当該フッ化物ガスを除去するための前処理筒を加熱可能であること、および[4]当該フッ化物ガスを除去するための前処理筒を加熱することにより、PFCガスを除去するための除去筒に導入するガスを予熱することから、効率よく当該フッ化物ガスを除去でき、さらには、当該除去筒を加熱するためのヒータの消費電力量も低減できることを見出し、本発明に至ったものである。
すなわち本発明は、パーフルオロコンパウンドガス(PFCガス)およびフッ化物ガスを含有する排ガスを処理する、除去剤が充填されている除去筒を具備する乾式除去装置において、該排ガスを導入する導入口と処理されたガスを排出する排出口を有する、フッ化物ガスを除去するために水酸化カルシウムを主成分とする除去剤が充填されている前処理筒と、該排出口から排出されるガスを導入する導入口と処理されたガスを排出する排出口を有する、PFCガスを除去するためにアルカリ土類金属化合物を主成分とする除去剤が充填され且つ加熱手段を有する除去筒と、前処理筒の排出口からのガスを除去筒の導入口に導入する経路を具備することを特徴とする、乾式除去装置を提供するものである。
さらに、該前処理筒が、該除去筒の排出口から排出される高温のガスを熱源とする加熱手段を有することを特徴とする、乾式除去装置を提供するものである。
本発明により、除去剤の交換頻度が低減でき、また、PFCガスを除去するための除去筒の排熱を利用することにより、該除去筒を加熱するためのヒータの消費電力量も低減することが可能となる。
本発明による第1の実施形態の例の概略図を示すものである。 本発明による第2の実施形態の例の概略図を示すものである。 比較例1に用いた装置の概略図を示す。
以下、本発明の内容を詳細に述べる。
本発明による第1の実施形態の例を、図1を用いて説明する。図1の例は、本発明の例を模式的に示す装置断面の概略図であり、PFC排ガス中の反応生成物であるフッ化物ガスをあらかじめ除去するための前処理筒2と、PFCガスを除去するための除去筒5が配管10で接続されている。矢印はPFC排ガスの流れ方向を示す。半導体製造、液晶製造、または太陽電池製造時に排出されるPFC排ガスは、ガス配管で接続されたガス導入口1から導入され、前処理筒2の下部から上部へと通過する。
前処理筒2ではPFC排ガス中のフッ化物ガスをあらかじめ除去するための水酸化カルシウムを主成分とする除去剤3が充填されている。前処理筒2でフッ化物ガスが除去されたPFC排ガスは、前処理筒2のガス排出口11から配管10を経て除去筒5のガス導入口12より導入され、除去筒5の上部から下部へと通過することによりPFCガスが除去され、ガス排出口9より排出される。
除去筒5にはPFCガスを除去するためのCaOまたはCaCOといったアルカリ土類金属化合物を主成分とする除去剤6が充填されている。除去筒5の周囲には、除去筒5を加熱するためのヒータ7が設置されており、除去筒5に充填された除去剤6は500〜900℃に加熱できる。ヒータ7の外周には、消費電力の低減を図る上で、放熱を抑えるための保温剤8を設置することが好ましいが、設置しなくてもよい。
以上の第1の実施形態によれば、以下に示す作用効果を奏する。
PFC排ガス中の反応生成物であるフッ化物ガスを非加熱でも除去可能な水酸化カルシウムを主成分とする安価な除去剤を充填した前処理筒であらかじめ除去するため、その後のPFCガスを除去するための除去筒での処理において、当該除去筒の除去剤の消耗を軽減できる。
前処理筒2においてPFC排ガス中のフッ化物ガスをより効率よく除去するためには、除去剤を加熱した方が好ましく、70℃以上にすることがより好ましい。そのためには、前処理筒をヒータ加熱すれば消費電力が増大する。そこで、さらに好ましい第2の実施形態の例を、図2に示す。図2の例は、本発明の例を模式的に示す装置断面の概略図であり、PFC排ガス中の反応生成物であるフッ化物ガスをあらかじめ除去するための前処理筒202と、PFCガスを除去するための除去筒205が配管210で接続されている。矢印はPFC排ガスの流れ方向を示す。半導体製造、液晶製造、または太陽電池製造時に排出されるPFC排ガスは、ガス配管で接続されたガス導入口201から導入され、前処理筒202の下部から上部へと通過する。
前処理筒202には、PFC排ガス中のフッ化物ガスをあらかじめ除去するための水酸化カルシウムを主成分とする除去剤203が充填され、前処理筒202の中央部には、前処理筒202内の除去剤203を過熱するための熱交換器204が設置され、除去筒205のガス排出口209が熱交換器204に配管213で接続されている。前処理筒202でフッ化物ガスが除去されたPFC排ガスは、前処理筒202のガス排出口211から配管210を経て除去筒205のガス導入口212より導入され、除去筒205の上部から下部へと通過することによりPFCガスが除去され、ガス排出口209より排出される。ガス排出口209より排出される排ガスは、熱交換器204内部を通過し排出される。該排ガスは高温であるため、熱交換器204により前処理筒202内の除去剤203が加熱される。このため、フッ化物ガスをあらかじめ除去するために前処理筒202に導入されたPFC排ガスも加熱されることとなる。したがって、熱交換器204は、前処理筒202と該排ガスとの熱交換ができればよいので、前処理筒202の外側に設置されてもよい。
除去筒205にはPFCガスを除去するためのCaOまたはCaCOといったアルカリ土類金属化合物を主成分とする除去剤206が充填されている。除去筒205の周囲には、除去筒205を加熱するためのヒータ207が設置されており、除去筒205に充填された除去剤206は500〜900℃に加熱できる。ヒータ207、配管210、または配管213の外周には、消費電力の低減を図る上で、放熱を抑えるための保温剤208を設置することが好ましいが、設置しなくてもよい。
以上の第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の作用効果と、以下に示す作用効果を奏する。
PFC排ガス中のフッ化物ガスと、水酸化カルシウムを主成分とする除去剤との反応を加熱して行うことにより、非加熱の場合よりも反応速度が高く効率よく該フッ化物ガスを除去でき、該加熱に、PFC排ガス中のPFCガスを除去するために加熱された除去筒から排出される、PFCが除去された高温のガスの熱を利用でき、さらには、当該フッ化物ガスを除去するための前処理筒を加熱することにより、PFCガスを除去するための除去筒に導入するガスを予熱できることから、効率よく該フッ化物ガスを除去でき、当該除去筒を加熱するためのヒータの消費電力量も低減できる。
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
本実施例は、図2に示す第2の実施形態の例である。図2において、窒素中にPFCガスとしてCF=500体積ppm、SF=500体積ppm、C=500体積ppm、NF=500体積ppm、C=500体積ppm、C=500体積ppm、C=500体積ppm、C=500体積ppm、C=500体積ppm、CH=500体積ppm、CHF=500体積ppmの濃度で含有させ、また、フッ化物ガスとしてSiF=1000体積ppm、WF=1000体積ppm、HF=1000体積ppm、F=1000体積ppmの濃度で含有させた混合ガスを、処理対象ガスのPFC排ガスとして総流量100L/minでガス導入口201から導入した。
前処理筒202は内径300mm、高さ1300mmのステンレス管で、高さ方向で1100mmまでフッ化物ガスの除去剤を充填した。フッ化物ガスの除去剤には、水酸化カルシウム95質量%、水酸化ナトリウム5質量%の混合物を、平均粒径3mmに成形した粒状のものを使用した。
熱交換器204は外径42.7mm、厚さ3mmのステンレス管の周囲に厚さ1mm、高さ16mmのフィンを5.08mmの等間隔で螺旋状に1100mmの長さで配置したもので、前処理筒203の中央部に設置した。PFCガスの除去筒205は内径200mm、高さ1200mmのステンレス管で、高さ方向で1100mmまでPFCガスの除去剤が充填される。PFCガスの除去剤は酸化カルシウム95質量%、酸化カリウム5質量%の混合物を、平均粒径3mmに成形した粒状のものを使用した。ヒータ207は最大電力10kWのものを使用し、PFCガスの除去筒205を800℃に加熱した。
フッ化物ガスの前処理筒202のガス排出口211から排出されるガス中の、SiF、WF、HF、およびFの濃度を、吸引式ガス検知管で測定した。吸引式ガス検知管は、ガステック製で、型番17Lの検知管を用い、1体積ppm以上のSiF、WF、HF、Fが検出できる。その結果、PFC排ガス導入開始から51時間まではいずれも検出下限の1体積ppm未満であり、それ以後は検出された。
PFCガスの除去筒205のガス排出口209から排出されるガス中の、CF、SF、C、NF、C、C、C、C、C、CH、およびCHFの濃度を、赤外線吸光分析計で測定した。赤外線吸光分析計はMIDAC社製(型式IGA−2000)で、1体積ppm以下のCF、SF、C、NF、C、C、C、C、C、CH、CHFが検出できる。その結果、PFC排ガス導入開始から47時間まではいずれも検出下限の1体積ppm未満であり、それ以後は検出された。
また、ヒータ207の消費電力は2.1kWであった。
処理対象ガスのPFC排ガス、前処理筒202、およびPFCの除去筒205は実施例1と同様であるが、除去筒205のガス排出口209からの配管213を熱交換器204に接続しないことにより排ガスを前処理筒202の熱交換器204を通過させないで排出させた。したがって、前処理筒202に充填された除去剤203は加熱されない。なお、前処理筒202内に設置された熱交換器204は不要であるが、実施例1と条件を同一にするために同様のものを使用した。
実施例1と同様に、前処理筒202のガス排出口211から排出されるガス中の、SiF、WF、HF、およびFの濃度を、吸引式ガス検知管で測定した。その結果、PFC排ガス導入開始から26時間まではいずれも検出下限の1体積ppm未満であり、それ以後は検出された。
実施例1と同様に、PFCガスの除去筒205のガス排出口209から排出されるガス中の、CF、SF、C、NF、C、C、C、C、C、CH、およびCHFの濃度を、赤外線吸光分析計で測定した。その結果、PFC排ガス導入開始から34時間まではいずれも検出下限の1体積ppm未満であり、それ以後は検出された。
また、ヒータ4の消費電力は4.1kWであった。
[比較例1]
図3に、本例の装置断面の概略図を示す。ガス導入口301とガス排出口309を有する除去筒305には、除去剤306が充填されている。除去筒305の周囲には、除去筒305を加熱するためのヒータ307が設置されている。また、ヒータ307の外周には、放熱を抑えるための保温剤308が設置されている。PFC排ガスは、ガス配管で接続されたガス導入口301から除去筒305に導入され、除去筒305の上部から下部へと通過し、ガス排出口309より排出される。
処理対象ガスのPFC排ガス、PFC排ガスの流量、除去筒、除去剤、ヒータ、加熱温度は、実施例1と同じ条件でPFC排ガスを除去筒305に導入した。このとき、除去筒305のガス排出口309からから排出されるガス中の、CF、SF、C、NF、C、C、C、C、C、CH、およびCHFの濃度を、赤外線吸光分析計で測定した。その結果、PFC排ガス導入開始から17時間まではいずれも検出下限の1体積ppm未満であり、それ以後は検出された。
また、ヒータ4の消費電力は4.1kWであった。
上記の結果を表1に記載した。
本発明は、半導体製造、液晶製造、または太陽電池製造において、PFCガスがクリーニングまたはエッチングに使用されたときに排出される、PFC排ガスの乾式除去装置として有用である。
1、201、301、12、212・・・ガス導入口
2、202・・・前処理筒
3、203、6、206、306・・・除去剤
204・・・熱交換器
5、205、305・・・除去筒
7、207、307・・・ヒータ
8、208、308・・・保温剤
9、209、309、11、211・・・ガス排出口
10、210、213・・・配管

Claims (2)

  1. パーフルオロコンパウンドガス(PFCガス)およびフッ化物ガスを含有する排ガスを処理する、除去剤が充填されている除去筒を具備する乾式除去装置において、該排ガスを導入する導入口と処理されたガスを排出する排出口を有する、フッ化物ガスを除去するために水酸化カルシウムを主成分とする除去剤が充填されている前処理筒と、該排出口から排出されるガスを導入する導入口と処理されたガスを排出する排出口を有する、PFCガスを除去するためにアルカリ土類金属化合物を主成分とする除去剤が充填され且つ加熱手段を有する除去筒と、前処理筒の排出口からのガスを除去筒の導入口に導入する経路を具備することを特徴とする、乾式除去装置。
  2. 該前処理筒が、該除去筒の排出口から排出される高温のガスを熱源とする加熱手段を有することを特徴とする、請求項1に記載の乾式除去装置。
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