JP2011186285A - 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】液晶表示装置等の電気光学装置において、ディスクリネーションを抑制することにより、表示画像の高品位化を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、隣り合う画素間に沿って形成された溝部（１２ａ）を表面に有する下地膜（１２）と、端部の少なくとも一部が溝部上に形成されることにより、表面に傾斜部（９ａ´）を有する画素電極（９ａ）とを備える。
【選択図】図６

Description

本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及びその製造方法、並びに該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクター等の電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、例えば液晶を保持する一対の基板上に設けられた画素電極及び対向電極間に、表示画像に対応した駆動電圧を印加することによって、これら電極間に挟持された液晶分子の配向状態を制御し、画像表示を行う。画素電極は画素毎に島状に形成されており、画素電極の各々には、相異なる駆動電圧が印加されている。そのため、相隣り合う画素電極間には、電位差に応じて横電界（即ち、基板面に平行な電界或いは基板面に平行な成分を含む斜めの電界）が生じ、液晶分子に配向不良を引き起こす原因となる。このように、配向不良が生じる領域（即ち、ドメイン領域）が存在すると、表示画像のコントラストの低下など種々の問題を引き起こす要因となる。このような問題に対して、特許文献１では画素電極を斜方積層によって形成することで、画素電極の端部表面を斜めに形成し、横電界の発生を抑制する技術が開示されている。

特開２００９−２０３３５号公報

上述の特許文献１に示すように、画素電極の端部表面を斜めに形成することは、横電界の抑制に貢献できると考えられる。しかしながら、特許文献１では、画素電極を、レジストをマスクとして導電性材料を斜方積層させることにより形成している。このような手法を用いて画素電極を形成した場合、基板上の広い領域（即ち、画素領域全体）に亘って、均一な形状を有する画素電極を形成することは困難であるという技術的問題点がある。また、画素電極の端部表面を斜めに形成する際に、当該角度の制御が困難であり、画素電極の形状にバラツキや、形状不良が生じやすいという技術的問題点もある。

本発明は例えば上述の課題に鑑みてなされたものであり、ディスクリネーションを抑制することにより高品位な画像表示が可能な電気光学装置及びその製造方法、並びに当該電気光学装置を具備する電子機器を提供することを課題とする。

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、一対の基板間に垂直配向液晶を挟持する電気光学装置であって、前記一対の基板の一方の基板上に、互いに交差するデータ線及び走査線と、前記基板上で平面的に見て、前記データ線及び前記走査線の交差に対応する画素のうち隣り合う画素間に沿って形成された溝部を表面に有する下地膜と、前記下地膜上に前記画素毎に形成されており、端部の少なくとも一部が前記溝部上に形成されることにより、表面に傾斜部を有する画素電極とを備える。

本発明の電気光学装置によれば、例えば、データ線から画素電極へ画像信号が制御され、所謂アクティブマトリックス方式による画像表示が可能となる。画像信号は、データ線及び画素電極間に電気的に接続されたトランジスターがオン又はオフされることによって、所定のタイミングでデータ線からトランジスターを介して画素電極に供給される。画素電極は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電材料からなる透明電極であり、基板上に互いに交差するように設けられたデータ線及び走査線の交差に対応して、基板上において表示領域となるべき領域に例えばマトリックス状に複数設けられている。

本発明に係る画素電極は、端部の少なくとも一部が下地膜の表面に形成された溝部上に形成されることにより、表面に傾斜部を有する。傾斜部は、画素電極の下地膜に形成された溝部に対応するように（即ち、下地膜の溝部上に形成されることによって）形成されており、画素電極間に生じる横電界を抑制する。

下地膜の表面に存在する溝部は、例えばエッチング等によって比較的精度よく形成することができる。そのため、その上層側に形成される画素電極の傾斜部の角度もまた精度よく形成することができる。従って、垂直配向液晶の種類や、画素を構成する各種要素の形状や位置などに応じて、ディスクリネーションが効果的に抑制できるように、傾斜部を精度よく、広い領域に亘って形成することができる。

特に画素電極の傾斜部は、垂直配向液晶のプレチルト方向に位置する部分に形成されているとよい。この場合、垂直配向液晶の配向方向に基づいてディスクリネーションが発生しやすい箇所、即ち垂直配向液晶のプレチルト方向に位置する画素電極の端部に傾斜部を重点的に設けることにより、効果的に横電界の発生を抑制し、ディスクリネーションの少ない高品位な画像表示を実現することができる。

また、本発明は、画素電極が光反射性を有する導電性材料から形成された、反射型の電気光学装置にも適用することが可能である。

本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に、下地膜を形成する下地膜形成工程と、前記下地膜の表面に溝部を形成する溝部形成工程と、前記溝部形成工程の後に、前記下地膜上に導電層を形成する導電層形成行程と、前記溝部上に端部の少なくとも一部が形成されるように、前記導電層をパターニングすることにより、表面に傾斜部を有する画素電極を形成する画素電極形成工程とを備える。

本発明によれば、上述の電気光学装置（各種態様を含む）を好適に製造することができる。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像を表示可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、携帯オーディオプレーヤ、ワードプロセッサ、デジタルカメラ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネル等の各種電子機器を実現できる。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。

本実施形態に係る液晶装置を、ＴＦＴアレイ基板上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。 図１のＨ−Ｈ´線断面図である。 本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。 本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域における構成を示す平面図である。 図４から画素電極９ａを抽出し、その詳細な形状を模式的に示す平面図である。 図５におけるＩ−Ｉ´線断面図である。 本実施形態に係る液晶装置の製造方法を工程順に示す工程断面図である。 本実施形態に係る電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクターの構成を示す平面図である。

＜電気光学装置＞
先ず、本発明に係る電気光学装置の実施形態について、図１及び図２を参照して説明する。尚、本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のアクティブマトリックス駆動方式の液晶装置を挙げる。

本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、本発明の実施形態に係る液晶装置を、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アレイ基板上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。

図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０が対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０は、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の基板からなる。尚、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０は、本発明に係る「一対の基板」の一例である。

ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に、本発明に係る「垂直配向液晶」の一例である液晶層５０が設けられている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外光硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外光照射により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されていてもよい。この場合、ギャップ材は、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。

周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側には、サンプリング回路７が設けられている。この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側の額縁領域には、走査線駆動回路１０４が設けられている。

ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。更に、外部回路接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のトランジスターや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。この積層構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透明材料からなる画素電極９ａが、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。

画素電極９ａは、後述する対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表面、即ち画素電極９ａ上には、配向膜１６が画素電極９ａを覆うように形成されている。

対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上には、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向するように形成されている。尚、対向基板２０上には、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、カラーフィルタが形成されていてもよい。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。

尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、サンプリング回路７等に加えて、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。

次に、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａにおける電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａを構成するマトリックス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。

図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリックス状に形成された複数の画素の夫々には、画素電極９ａ、及びＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、液晶装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１が電気的に接続されており、液晶装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。

液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。

ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線３００に接続されている。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。

次に、本実施形態に係る液晶装置において、図４を参照して画像表示領域１０ａにおける、電気光学動作を行うために配置された電極及び配線等の位置関係を説明する。図４は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａにおける構成を示す平面図である。尚、図４では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。

ＴＦＴアレイ基板１０の画像表示領域１０ａ上には、走査線１１及びデータ線６ａが、夫々Ｘ方向及びＹ方向に沿って配置されており、データ線６ａと走査線１１の交差付近にＴＦＴ３０が形成されている。

走査線１１は、遮光性の導電材料、例えば、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）等から形成されている。ＴＦＴ３０の半導体層３０aを含むように半導体層ａより幅広に形成されている。走査線１１は半導体層３０ａより下層側に配置されており、ＴＦＴ３０を構成する半導体層３０ａよりも幅広に形成することによって、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクター等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光に対してＴＦＴ３０のチャネル領域３０ｂを殆ど或いは完全に遮光できるように配置されている。

ＴＦＴ３０は、半導体層３０ａと、ゲート電極３０ｂとを含んで構成されている。半導体層３０ａは、ソース領域３０ａ１、チャネル領域３０ａ２、ドレイン領域３０ａ３からなる。尚、チャネル領域３０ａ２とソース領域３０ａ１、又は、チャネル領域３０ａ２とドレイン領域３０ａ３との界面にはＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域が形成された、所謂ＬＤＤ構造を有していてもよい。

ゲート電極３０ｂは、例えば導電性ポリシリコンから形成されており、ゲート絶縁膜に開口されたコンタクトホール３４を介して、走査線１１に電気的に接続されている。これにより、ゲート電極３０ｂに走査信号が印加されることによって、ＴＦＴ３０がオン／オフ制御されるように構成されている。

データ線６ａはコンタクトホール３１を介してソース領域３０ａ１に電気的に接続されており、ソース領域３０ａ１に対して画像信号を供給する。ドレイン領域３０ａ３は、コンタクトホール３２を介して中継層７に電気的に接続されている。中継層７は更に、コンタクトホール３３を介して画素電極９ａに接続されている。即ち、中継層７は、ドレイン領域３０ａ３及び画素電極９ａ間を中継接続することにより、ＴＦＴ３０のドレイン領域３０ａ３から出力された画像信号に対応する駆動電圧を画素電極９ａに印加する。

ここで、図５及び図６を参照して、画素電極９ａの構造について更に詳しく説明する。図５は、図４から画素電極９ａを抽出し、その詳細な形状を模式的に示す平面図である。図６は図５におけるＩ−Ｉ´線断面図である。尚、図５及び図６では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また、図６では、説明の便宜上、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０上における積層構造を適宜省略している。

画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、正方形状に形成されている。図５において点線９ａ１及び９ａ２で囲まれた領域では、画素電極９ａの端部に沿って、表面が斜めに形成されることにより傾斜部９ａ´が形成されている。

画素電極９ａの下地膜である層間絶縁膜１２は、表面に溝部１２ａを有している。層間絶縁膜１２は、本発明に係る「下地膜」の一例である。画素電極９ａの傾斜部９ａ´は、画素電極９ａの端部が当該溝部１２ａ上に形成されることにより、溝部１２ａに対応するように形成されている。即ち、傾斜部９ａ´の傾斜角度は、層間絶縁膜１２の表面における溝部１２ａの深さ及び角度を制御することによって調整可能である。

画素電極９ａの端部に傾斜部９ａ´を設けることにより、互いに異なる駆動電圧が印加される隣り合う画素電極９ａ間に生じる横電界を抑制することができる（図６に示す矢印を参照）。

尚、本実施形態では、傾斜部９ａ´は、画素電極９ａの端部のうち、液晶層５０を構成する垂直配向液晶のプレチルト方向（図５の点線矢印を参照）に位置する部分にのみ形成されているが、画素電極９ａの端部に沿って（即ち、画素電極９ａの外周に沿って）設けられていてもよい。

＜製造方法＞
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態を、図７を参照して説明する。図７は、本実施形態に係る液晶装置の製造方法を工程順に示す工程断面図である。

図７（ａ）に示すように、例えばシリコン基板、石英基板、ガラス基板等の基板１０を用意する。ここで、好ましくはＮ₂（窒素）等の不活性ガス雰囲気下、約８５０〜１３００℃、より好ましくは１０００℃の高温で熱処理し、後に実施される高温プロセスにおいて基板１０に生じる歪みが少なくなるように前処理しておく。

このように処理されたＴＦＴアレイ基板１０上に導電層及び絶縁層を適宜エッチングなどによりパターニングすることで、積層構造（例えば、データ線、走査線及びＴＦＴなど）を形成する。尚、当該積層構造については、図７において説明の便宜上、図示を省略することとする。

そして、このように形成された積層構造上に、画素電極９ａの下地膜となる層間絶縁膜１２を形成する。

続いて図７（ｂ）に示すように、層間絶縁膜１２上にレジスト（図不示）を形成し、当該レジストをマスクとしてエッチング等によってパターニングすることにより、層間絶縁膜１２の表面に溝部１２ａを形成する。尚、溝部１２ａの深さは、後に上層側に形成される画素電極９ａの端部に設けられる傾斜部９ａ´の角度を決定する要因となるため、液晶層５０を構成する垂直配向液晶の種類や画素電極９ａ間の距離などに基づいて、ディスクリネーションを好適に抑制可能なように適宜選択するとよい。

続いて、図７（ｃ）に示すように、溝部１２ａが表面に形成された層間絶縁膜１２上に、導電層９を形成する。導電層９は導電性材料から形成するとよく、例えば透過型の液晶装置の場合はＩＴＯなどの透明な導電性材料を用い、反射型の液晶装置の場合はアルミニウムなどの光反射性に優れた導電性材料を用いるとよい。尚、反射型の液晶装置であっても別途反射層を有する場合などには、導電層９をＩＴＯなどの透過な導電性材料から形成してもよいことは言うまでもない。

続いて、図７（ｄ）に示すように、層間絶縁膜１２上に形成した導電層９を、図５に示したようなパターンにエッチングによりパターニングし、画素電極９ａを形成する。この際、画素電極９ａの端部がＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、層間絶縁膜１２の溝部１２ａ上に位置するようにパターニングする。すると、導電層９のうち溝部１２ａに位置する部分が傾斜部９ａ´として表面が斜めに形成される。

画素電極９ａ上には配向膜（図不示）を形成し、ＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造が完成する。

続いて図７（ｅ）に示すように、積層構造が形成されたＴＦＴアレイ基板１０は、別途用意された対向基板２０と貼り合わされる。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には垂直配向液晶が封入されることにより液晶層５０が形成され、本実施形態に係る液晶装置が完成する。

＜電子機器＞
次に、図８を参照しながら、上述した液晶装置を電子機器の一例であるプロジェクターに適用した場合を説明する。上述した液晶装置は、プロジェクターのライトバルブとして用いられている。図８は、プロジェクターの構成例を示す平面図である。

図８に示すように、プロジェクター１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等の構成を有しており、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

尚、図８を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

９ａ…画素電極、９ａ´…傾斜部、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１…走査線、１２…層間絶縁膜、１２ａ…溝部、２０…対向基板、２１…対向電極、５０…液晶層

Claims (5)

1. 一対の基板間に垂直配向液晶を挟持する電気光学装置であって、
   前記一対の基板の一方の基板上に、
   互いに交差するデータ線及び走査線と、
   前記基板上で平面的に見て、前記データ線及び前記走査線の交差に対応する画素のうち隣り合う画素間に沿って形成された溝部を表面に有する下地膜と、
   前記下地膜上に前記画素毎に形成されており、端部の少なくとも一部が前記溝部上に形成されることにより、表面に傾斜部を有する画素電極と
   を備えることを特徴とする電気光学装置。
2. 前記傾斜部は、前記画素電極の端部のうち前記垂直配向液晶のプレチルト方向に位置する部分に沿って形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記画素電極は光反射性を有する導電性材料から形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 基板上に、
   下地膜を形成する下地膜形成工程と、
   前記下地膜の表面に溝部を形成する溝部形成工程と、
   前記溝部形成工程の後に、前記下地膜上に導電層を形成する導電層形成行程と、
   前記溝部上に端部の少なくとも一部が形成されるように、前記導電層をパターニングすることにより、表面に傾斜部を有する画素電極を形成する画素電極形成工程と
   を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
5. 請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備することを特徴とする電子機器。

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