JP2011178892A - Sealing agent for optical semiconductor element and optical semiconductor device using the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光半導体装置における発光素子である光半導体素子を封止するために用いられる光半導体素子用封止剤、並びに該光半導体素子用封止剤を用いた光半導体装置に関する。 The present invention relates to an optical semiconductor element sealing agent used for sealing an optical semiconductor element which is a light emitting element in an optical semiconductor device, and an optical semiconductor device using the optical semiconductor element sealing agent.
発光ダイオード(LED)などの光半導体素子は、携帯電話のバックライトなどに広く用いられている。また、光半導体素子を用いた光半導体装置は、消費電力が低くかつ寿命が長い。従って、光半導体装置は、自動車用ランプ、照明機器または看板などの幅広い用途に用いられている。そのため、光半導体装置は、より過酷な環境下でも使用し得ることが求められている。 Optical semiconductor elements such as light emitting diodes (LEDs) are widely used in backlights for mobile phones. In addition, an optical semiconductor device using an optical semiconductor element has low power consumption and a long lifetime. Therefore, the optical semiconductor device is used in a wide range of applications such as automobile lamps, lighting equipment, or signboards. Therefore, the optical semiconductor device is required to be usable even in a harsher environment.
光半導体装置に用いられている光半導体素子(例えばLED)が大気と直接触れると、大気中の水分又は浮遊するゴミ等により、光半導体素子の発光特性が急速に低下する。このため、上記光半導体素子は、通常、光半導体素子用封止剤で封止されている。 When an optical semiconductor element (for example, LED) used in an optical semiconductor device is in direct contact with the atmosphere, the light emission characteristics of the optical semiconductor element rapidly deteriorate due to moisture in the atmosphere or floating dust. For this reason, the said optical semiconductor element is normally sealed with the sealing compound for optical semiconductor elements.
下記の特許文献1には、光半導体素子用封止剤として、水添ビスフェノールAグリシジルエーテルと、脂環式エポキシモノマーと、潜在性触媒とを含むエポキシ樹脂材料が開示されている。このエポキシ樹脂材料は、熱カチオン重合により硬化する。 Patent Document 1 listed below discloses an epoxy resin material containing hydrogenated bisphenol A glycidyl ether, an alicyclic epoxy monomer, and a latent catalyst as a sealant for an optical semiconductor element. This epoxy resin material is cured by thermal cationic polymerization.
一方、エポキシ樹脂に代えて、青色から紫外領域の短波長の光に対する透過性が高く、耐熱性や耐光性に優れるシリコーン樹脂をLEDを封止する封止剤に用いる方法が知られている。 On the other hand, instead of an epoxy resin, a method is known in which a silicone resin that has a high transmittance with respect to light having a short wavelength in the blue to ultraviolet region and is excellent in heat resistance and light resistance is used as a sealant for sealing an LED.
例えば、下記の特許文献2には、架橋密度を高めたシリコーン樹脂系光半導体素子用封止剤が開示されている。
For example,
特許文献1や2に記載のような従来の光半導体素子用封止剤が、加熱と冷却とを繰り返し受ける過酷な環境で使用されると、封止剤にクラックが生じたり、封止剤がハウジング材等から剥離したりすることがある。
When the conventional sealing agent for optical semiconductor elements as described in
光半導体装置では、発光素子の背面側に達した光を反射させるために、発光素子の背面に、銀や銀を主体とする合金からなる電極や銀めっきされた電極が形成されていることがある。封止剤にクラックが生じたり、封止剤がハウジング材から剥離したりすると、電極が大気に晒される。この場合には、大気中に存在する硫化水素ガス又は亜硫酸ガス等の腐食性ガスによって、銀が変色することがある。電極が変色すると反射率が低下するため、発光素子が発する光の明るさが低下するという問題がある。 In an optical semiconductor device, in order to reflect light reaching the back side of the light emitting element, an electrode made of silver or an alloy mainly composed of silver or a silver plated electrode is formed on the back side of the light emitting element. is there. When the sealant cracks or the sealant peels from the housing material, the electrode is exposed to the atmosphere. In this case, silver may be discolored by a corrosive gas such as hydrogen sulfide gas or sulfurous acid gas present in the atmosphere. When the color of the electrode changes, the reflectance decreases, which causes a problem that the brightness of the light emitted from the light emitting element decreases.
本発明は、ガスバリア性に優れ、腐蝕ガスによる電極の変色が生じ難い、光半導体素子用封止剤、並びに該光半導体素子用封止剤を用いた光半導体装置を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide an optical semiconductor element encapsulant that is excellent in gas barrier properties and hardly causes discoloration of electrodes due to a corrosive gas, and an optical semiconductor device using the optical semiconductor element encapsulant. .
本発明の広い局面によれば、分子内に環状エーテル含有基を1個以上有するシリコーン樹脂と、液状のフェノール樹脂とを含有し、前記シリコーン樹脂は、平均組成式が下記一般式(1)で表される樹脂を含み、かつ下記式(a)より求められるフェニル基の含有比率が15〜60モル%である、光半導体素子用封止剤が提供される。 According to a wide aspect of the present invention, the silicone resin contains one or more cyclic ether-containing groups in the molecule and a liquid phenol resin, and the silicone resin has an average composition formula of the following general formula (1): Provided is an encapsulant for optical semiconductor elements, which contains a resin represented by the formula (a) and has a phenyl group content of 15 to 60 mol%.
一般式(1)中、a、b及びcは、それぞれa/(a+b+c)=0〜0.3、b/(a+b+c)=0.5〜0.9、及びc/(a+b+c)=0.1〜0.4を満たし、R1〜R6は、少なくとも1個が環状エーテル含有基及び/またはフェニル基を表し、前記環状エーテル含有基及びフェニル基以外のR1〜R6は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜8の炭化水素基又は直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜8のフッ素原子を有する炭化水素基を表す。R1〜R6は、同一であってもよく、異なっていてもよい。 In the general formula (1), a, b, and c are a / (a + b + c) = 0 to 0.3, b / (a + b + c) = 0.5 to 0.9, and c / (a + b + c) = 0. 1 to 0.4 are satisfied, and at least one of R 1 to R 6 represents a cyclic ether-containing group and / or a phenyl group, and R 1 to R 6 other than the cyclic ether-containing group and the phenyl group are linear Represents a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms or a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms. R 1 to R 6 may be the same or different.
フェニル基の含有比率(モル%)=(平均組成式が一般式(1)で表される樹脂の1分子あたりに含まれるフェニル基の平均個数×フェニル基の分子量/平均組成式が一般式(1)で表される樹脂成分の平均分子量)×100 ・・・式(a) Phenyl group content ratio (mol%) = (average number of phenyl groups contained in one molecule of resin whose average composition formula is represented by general formula (1) × molecular weight of phenyl group / average composition formula is general formula ( 1) Average molecular weight of the resin component represented by 1) × 100 Formula (a)
本発明に係る光半導体素子用封止剤のある特定の局面では、前記液状のフェノール樹脂は、アルコキシ基を有するケイ素化合物と、フェノール樹脂とを反応させて生成されるアルコキシシラン変性フェノール樹脂である。この場合には、ガスバリア性をより一層高めることができる。上記アルコキシ基を有するケイ素化合物としては、トリアルコキシシラン化合物またはテトラアルコキシシラン化合物が好適に用いられ、それによってガスバリア性を効果的に高めることができる。 In a specific aspect of the sealant for optical semiconductor elements according to the present invention, the liquid phenol resin is an alkoxysilane-modified phenol resin produced by reacting a silicon compound having an alkoxy group with a phenol resin. . In this case, the gas barrier property can be further enhanced. As the silicon compound having an alkoxy group, a trialkoxysilane compound or a tetraalkoxysilane compound is preferably used, whereby the gas barrier properties can be effectively enhanced.
より好ましくは、上記トリアルコキシシラン化合物が、フェニル基を含有することが望ましい。それによって、ガスバリア性をより一層高めることができる。 More preferably, the trialkoxysilane compound preferably contains a phenyl group. Thereby, the gas barrier property can be further enhanced.
本発明に係る光半導体装置は、光半導体素子と、該光半導体素子を封止するように設けられており、かつ本発明に従って構成された光半導体素子用封止剤とを備える。 An optical semiconductor device according to the present invention includes an optical semiconductor element, and an optical semiconductor element sealing agent that is provided to seal the optical semiconductor element and is configured according to the present invention.
本発明に係る光半導体素子用封止剤は、分子内に環状エーテル含有基を1個以上有するシリコーン樹脂と液状のフェノール樹脂とを含有し、シリコーン樹脂が上記特定の平均組成式を有し、フェニル基含有比率が15〜60モル%とされているので、ガスバリア性に優れている。 The encapsulant for optical semiconductor elements according to the present invention contains a silicone resin having at least one cyclic ether-containing group in the molecule and a liquid phenol resin, and the silicone resin has the above specific average composition formula, Since the phenyl group content is 15 to 60 mol%, the gas barrier property is excellent.
従って、本発明に係る光半導体素子用封止剤を用いて、例えば発光ダイオードなどの光半導体素子を封止して光半導体装置を構成した場合、腐蝕性ガス等による電極の変色が生じ難い。よって、光半導体装置の明るさの低下を抑制することが可能となる。また、上記のようにガスバリア性に優れているため、腐蝕性ガスに晒されるような過酷な環境のもとでも性能を安定に発現し得る光半導体装置を提供することが可能となる。 Therefore, when an optical semiconductor device is configured by sealing an optical semiconductor element such as a light emitting diode using the optical semiconductor element sealing agent according to the present invention, the electrode is hardly discolored by a corrosive gas or the like. Therefore, it is possible to suppress a decrease in brightness of the optical semiconductor device. In addition, since the gas barrier property is excellent as described above, it is possible to provide an optical semiconductor device that can stably exhibit performance even under a harsh environment exposed to a corrosive gas.
以下、本発明の詳細を説明する。 Details of the present invention will be described below.
〔分子内に環状エーテル含有基を1個以上有するシリコーン樹脂(A)〕
本発明に係る光半導体素子用封止剤は、分子内に1個以上の環状エーテル含有基を有する特定のシリコーン樹脂(A)を含む。このシリコーン樹脂(A)は、平均組成式が下記式(1)で表される樹脂である。
[Silicone resin (A) having at least one cyclic ether-containing group in the molecule]
The sealing agent for optical semiconductor elements which concerns on this invention contains the specific silicone resin (A) which has a 1 or more cyclic ether containing group in a molecule | numerator. This silicone resin (A) is a resin whose average composition formula is represented by the following formula (1).
上記式(1)中、a、b及びcはそれぞれ、a/(a+b+c)=0〜0.3、b/(a+b+c)=0.5〜0.9、及びc/(a+b+c)=0.1〜0.4を満たし、R1〜R6は、少なくとも1個が環状エーテル含有基及び/又はフェニル基を表し、上記環状エーテル含有基及びフェニル基以外のR1〜R6は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜8の炭化水素基又は直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜8のフッ素原子を有する炭化水素基を表す。上記式(1)中のR1〜R6は同一であってもよく、異なっていてもよい。 In the above formula (1), a, b and c are a / (a + b + c) = 0 to 0.3, b / (a + b + c) = 0.5 to 0.9, and c / (a + b + c) = 0. 1 to 0.4 is satisfied, and at least one of R 1 to R 6 represents a cyclic ether-containing group and / or a phenyl group, and R 1 to R 6 other than the cyclic ether-containing group and the phenyl group are linear Represents a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms or a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms. R 1 to R 6 in the above formula (1) may be the same or different.
上記式(1)で表される樹脂が同一分子中に環状エーテル含有基とフェニル基とを有する場合には、上記式(1)中、R1〜R6は、少なくとも1個が環状エーテル含有基を表し、かつ少なくとも1個がフェニル基を表し、上記環状エーテル含有基及びフェニル基以外のR1〜R6は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜8の炭化水素基又は直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜8のフッ素原子を有する炭化水素基を表す。 When the resin represented by the formula (1) has a cyclic ether-containing group and a phenyl group in the same molecule, at least one of R 1 to R 6 in the formula (1) contains a cyclic ether. R 1 to R 6 other than the cyclic ether-containing group and the phenyl group are each a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms or a straight chain. Represents a branched or branched hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms.
平均組成式が上記式(1)で表される樹脂において、下記式(a)より求められるフェニル基の含有比率は15〜60モル%である。該フェニル基の含有比率の好ましい下限は20モル%、好ましい上限は55モル%である。フェニル基の含有比率が上記好ましい下限を満たすと、封止剤のガスバリア性をより一層高めることができる。フェニル基の含有比率が上記好ましい上限を満たすと、封止剤の剥離が生じ難くなる。 In the resin whose average composition formula is represented by the above formula (1), the content ratio of the phenyl group determined from the following formula (a) is 15 to 60 mol%. The preferable lower limit of the phenyl group content is 20 mol%, and the preferable upper limit is 55 mol%. When the content ratio of the phenyl group satisfies the preferable lower limit, the gas barrier property of the sealant can be further enhanced. When the content ratio of the phenyl group satisfies the preferable upper limit, peeling of the sealant is difficult to occur.
フェニル基の含有比率(モル%)=(平均組成式が一般式(1)で表される樹脂の1分子あたりに含まれるフェニル基の平均個数×フェニル基の分子量/平均組成式が一般式(1)で表される樹脂成分の平均分子量)×100 ・・・式(a) Phenyl group content ratio (mol%) = (average number of phenyl groups contained in one molecule of resin whose average composition formula is represented by general formula (1) × molecular weight of phenyl group / average composition formula is general formula ( 1) Average molecular weight of the resin component represented by 1) × 100 Formula (a)
上記炭素数1〜8の炭化水素基としては特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、イソプロピル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、t−ペンチル基、イソへキシル基、シクロヘキシル基が挙げられる。 The hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms is not particularly limited. For example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, n-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, Examples include n-octyl group, isopropyl group, isobutyl group, sec-butyl group, t-butyl group, isopentyl group, neopentyl group, t-pentyl group, isohexyl group, and cyclohexyl group.
上記シリコーン樹脂(A)は環状エーテル含有基を分子内に1個以上有する。該環状エーテル含有基としては特に限定されず、例えば、グリシジル含有基、エポキシシクロヘキシル含有基又はオキセタン含有基等の環状エーテル含有基が挙げられる。なかでも、グリシジル含有基又はエポキシシクロヘキシル含有基が好適である。 The silicone resin (A) has at least one cyclic ether-containing group in the molecule. The cyclic ether-containing group is not particularly limited, and examples thereof include cyclic ether-containing groups such as a glycidyl-containing group, an epoxycyclohexyl-containing group, and an oxetane-containing group. Of these, a glycidyl-containing group or an epoxycyclohexyl-containing group is preferable.
上記環状エーテル含有基は、骨格の一部に環状エーテル基を含む官能基である。上記環状エーテル含有基は、例えば、環状エーテル基を骨格に含み、アルキル基又はアルキルエーテル基等の他の骨格も含む官能基であってもよい。 The cyclic ether-containing group is a functional group containing a cyclic ether group in a part of the skeleton. The cyclic ether-containing group may be, for example, a functional group that includes a cyclic ether group in the skeleton and also includes another skeleton such as an alkyl group or an alkyl ether group.
上記グリシジル含有基としては特に限定されず、例えば、2,3−エポキシプロピル基、3,4−エポキシブチル基、4,5−エポキシペンチル基、2−グリシドキシエチル基、3−グリシドキシプロピル基又は4−グリシドキシブチル基等が挙げられる。 The glycidyl-containing group is not particularly limited. For example, 2,3-epoxypropyl group, 3,4-epoxybutyl group, 4,5-epoxypentyl group, 2-glycidoxyethyl group, 3-glycidoxy A propyl group, 4-glycidoxybutyl group, etc. are mentioned.
上記エポキシシクロヘキシル含有基としては特に限定されず、例えば、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基、又は3−(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロピル基等が挙げられる。 The epoxycyclohexyl-containing group is not particularly limited, and examples thereof include a 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl group or a 3- (3,4-epoxycyclohexyl) propyl group.
封止剤の耐熱衝撃性をより一層高める観点からは、上記環状エーテル含有基は、2−(
3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基であることが好ましい。
From the viewpoint of further increasing the thermal shock resistance of the sealant, the cyclic ether-containing group is 2- (
It is preferably a 3,4-epoxycyclohexyl) ethyl group.
平均組成式が式(1)で表される樹脂中の上記環状エーテル含有基の含有比率の好ましい下限は0.1モル%、より好ましい下限は1モル%、好ましい上限は50モル%、より好ましい上限は30モル%である。上記環状エーテル含有基の含有比率が上記好ましい下限を満たすと、シリコーン樹脂と後述の熱硬化剤としての液状のフェノール樹脂(B)との反応性が充分に高くなり、封止剤の硬化性をより一層高めることができる。上記環状エーテル含有基の含有比率が上記好ましい上限を満たすと、シリコーン樹脂(A)と液状のフェノール樹脂(B)との反応に関与しない環状エーテル含有基が少なくなるため、封止剤の耐熱性が高くなる。 The preferable lower limit of the content ratio of the cyclic ether-containing group in the resin whose average composition formula is represented by the formula (1) is 0.1 mol%, the more preferable lower limit is 1 mol%, and the preferable upper limit is 50 mol%, more preferable. The upper limit is 30 mol%. When the content ratio of the cyclic ether-containing group satisfies the preferable lower limit, the reactivity between the silicone resin and a liquid phenol resin (B) as a thermosetting agent described later is sufficiently high, and the curability of the sealant is increased. It can be further increased. When the content ratio of the cyclic ether-containing group satisfies the above preferable upper limit, the cyclic ether-containing group that does not participate in the reaction between the silicone resin (A) and the liquid phenol resin (B) decreases, so the heat resistance of the sealant Becomes higher.
上記環状エーテル含有基の含有比率とは、平均組成式が式(1)で表される樹脂中に含まれる上記環状エーテル含有基の比率である。具体的には、下記式(b)に基づいて求めた比率である。 The content ratio of the cyclic ether-containing group is a ratio of the cyclic ether-containing group contained in the resin whose average composition formula is represented by the formula (1). Specifically, the ratio is obtained based on the following formula (b).
環状エーテル含有基の含有比率(モル%)=(平均組成式が上記式(1)で表される樹脂の1分子あたりに含まれる環状エーテル含有基の平均個数×環状エーテル含有基の分子量/平均組成式が上記式(1)で表される樹脂の平均分子量)×100 ・・・式(b) Content ratio (mol%) of cyclic ether-containing group = (average number of cyclic ether-containing groups contained in one molecule of the resin whose average composition formula is represented by the above formula (1) × molecular weight of cyclic ether-containing group / average The average molecular weight of the resin whose composition formula is represented by the above formula (1)) × 100 Formula (b)
上記式(1)で表されるシリコーン樹脂(A)において、(R4R5SiO2/2)で表される構造単位(以下、二官能構造単位ともいう)は、下記式(1−2)で表される構造、すなわち、二官能構造単位中のケイ素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシル基又はアルコキシ基を構成する構造単位も二官能構造単位に含まれる。 In the silicone resin (A) represented by the above formula (1), a structural unit represented by (R 4 R 5 SiO 2/2 ) (hereinafter also referred to as a bifunctional structural unit) is represented by the following formula (1-2): ), That is, a structural unit in which one of oxygen atoms bonded to a silicon atom in the bifunctional structural unit constitutes a hydroxyl group or an alkoxy group is also included in the bifunctional structural unit.
(R4R5SiXO1/2) …式(1−2) (R 4 R 5 SiXO 1/2) ... formula (1-2)
上記式(1−2)中、Xは、OH又はORを表し、ORは、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜4のアルコキシ基を表す。上記式(1−2)中のR4及びR5は、環状エーテル含有基、フェニル基、直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜8の炭化水素基、又は直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜8のフッ素原子を有する炭化水素基である。 In the above formula (1-2), X represents OH or OR, and OR represents a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. R 4 and R 5 in the formula (1-2) are a cyclic ether-containing group, a phenyl group, a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, or a linear or branched carbon. It is a hydrocarbon group having a fluorine atom of number 1-8.
上記シリコーン樹脂(A)において、(R6SiO3/2)で表される構造単位(以下、三官能構造単位ともいう)は、下記式(1−3)又は(1−4)で表される構造、すなわち、三官能構造単位中のケイ素原子に結合した酸素原子の2つがそれぞれヒドロキシル基もしくはアルコキシ基を構成する構造、又は、三官能構造単位中のケイ素原子に結合した酸素原子の1つがヒドロキシル基もしくはアルコキシ基を構成する構造単位も二官能構造単位に含まれる。 In the silicone resin (A), the structural unit represented by (R 6 SiO 3/2 ) (hereinafter also referred to as trifunctional structural unit) is represented by the following formula (1-3) or (1-4). A structure in which two of the oxygen atoms bonded to the silicon atom in the trifunctional structural unit constitute a hydroxyl group or an alkoxy group, respectively, or one of the oxygen atoms bonded to the silicon atom in the trifunctional structural unit is A structural unit constituting a hydroxyl group or an alkoxy group is also included in the bifunctional structural unit.
(R6SiX2O1/2) …式(1−3)
(R6SiXO2/2) …式(1−4)
(R 6 SiX 2 O 1/2) ... formula (1-3)
(R 6 SiXO 2/2 ) Formula (1-4)
上記式(1−3)及び式(1−4)中、Xは、OH又はORを表し、ORは、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜4のアルコキシ基を表す。上記式(1−3)及び(1−4)中のR6は、環状エーテル含有基、フェニル基、直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜8の炭化水素基、又は直鎖状若しくは分岐状の炭素数1〜8のフッ素原子を有する炭化水素基である。 In the above formulas (1-3) and (1-4), X represents OH or OR, and OR represents a linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. R 6 in the above formulas (1-3) and (1-4) is a cyclic ether-containing group, a phenyl group, a linear or branched hydrocarbon group having 1 to 8 carbon atoms, or a linear or branched group. It is a hydrocarbon group having a fluorine atom having 1 to 8 carbon atoms.
上記式(1−2)〜(1−4)において、直鎖状又は分岐状の炭素数1〜4のアルコキシ基としては特に限定されず、例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、n−ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基又はt−ブトキシ基が挙げられる。 In the above formulas (1-2) to (1-4), the linear or branched alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is not particularly limited, and examples thereof include a methoxy group, an ethoxy group, an n-propoxy group, Examples thereof include n-butoxy group, isopropoxy group, isobutoxy group, sec-butoxy group and t-butoxy group.
上記式(1)中、a/(a+b+c)の下限は0、上限は0.3である。a/(a+b+c)が上記上限を満たすと、封止剤の耐熱性をより一層高めることができ、かつ封止剤の剥離をより一層抑制できる。より好ましい上限は0.25であり、さらに好ましくは0.2である。なお、aが0である場合、上記式(1)中、(R1R2R3SiO1/2)aの構造単位は存在しない。 In the above formula (1), the lower limit of a / (a + b + c) is 0, and the upper limit is 0.3. When a / (a + b + c) satisfies the above upper limit, the heat resistance of the sealant can be further increased, and peeling of the sealant can be further suppressed. A more preferred upper limit is 0.25, and even more preferred is 0.2. When a is 0, the structural unit of (R 1 R 2 R 3 SiO 1/2 ) a does not exist in the above formula (1).
上記式(1)中、b/(a+b+c)の下限は0.5、上限は0.9である。b/(a+b+c)が上記下限を満たすと、封止剤の硬化物が硬くなりすぎず、封止剤にクラックが生じ難くなる。b/(a+b+c)が上記上限を満たすと、封止剤のガスバリア性がより一層高くなる。より好ましい下限は0.6であり、より好ましい上限は0.85である。 In the above formula (1), the lower limit of b / (a + b + c) is 0.5, and the upper limit is 0.9. When b / (a + b + c) satisfies the above lower limit, the cured product of the sealant does not become too hard, and cracks are hardly generated in the sealant. When b / (a + b + c) satisfies the above upper limit, the gas barrier property of the sealant is further enhanced. A more preferred lower limit is 0.6, and a more preferred upper limit is 0.85.
上記式(1)中、c/(a+b+c)の下限は0.1、上限は0.4である。c/(a+b+c)が上記上限を満たすと、封止剤としての適正な粘度を維持することが容易であり、密着性をより一層高めることができる。より好ましい上限は0.35であり、さらに好ましい上限は0.3である。 In the above formula (1), the lower limit of c / (a + b + c) is 0.1, and the upper limit is 0.4. When c / (a + b + c) satisfies the above upper limit, it is easy to maintain an appropriate viscosity as a sealant, and adhesion can be further enhanced. A more preferred upper limit is 0.35, and a more preferred upper limit is 0.3.
上記式(1)で表されるシリコーン樹脂(A)について、テトラメチルシラン(以下、TMS)を基準に29Si−核磁気共鳴分析(以下、NMR)を行うと、置換基の種類によって若干の変動は見られるものの、上記式(1)中の(R1R2R3SiO1/2)aで表される構造単位に相当するピークは+10〜0ppm付近に現れ、上記式(1)中の(R4R5SiO2/2)b及び(1−2)の二官能構造単位に相当する各ピークは−10〜−50ppm付近に現れ、上記式(1)中の(R6SiO3/2)c、並びに(1−3)及び(1−4)の三官能構造単位に相当する各ピークは−50〜−80ppm付近に現れる。 When 29 Si-nuclear magnetic resonance analysis (hereinafter referred to as NMR) is performed on the basis of tetramethylsilane (hereinafter referred to as TMS) with respect to the silicone resin (A) represented by the above formula (1), it may slightly vary depending on the type of substituent. Although fluctuation is observed, a peak corresponding to the structural unit represented by (R 1 R 2 R 3 SiO 1/2 ) a in the above formula (1) appears in the vicinity of +10 to 0 ppm, and in the above formula (1) (R 4 R 5 SiO 2/2 ) b and each peak corresponding to the bifunctional structural unit of (1-2) appear in the vicinity of −10 to −50 ppm, and (R 6 SiO 3 in the above formula (1) / 2 ) c , and peaks corresponding to the trifunctional structural units of (1-3) and (1-4) appear in the vicinity of −50 to −80 ppm.
従って、29Si−NMRを測定し、それぞれのシグナルのピーク面積を比較することによって上記式(1)中の各構造単位の比率を測定できる。 Therefore, 29 Si-NMR is measured, and the ratio of each structural unit in the above formula (1) can be measured by comparing the peak areas of the respective signals.
但し、上記TMSを基準にした29Si−NMRの測定で上記式(1)中の構造単位の見分けがつかない場合は、29Si−NMRの測定結果だけではなく、1H−NMR及び19F−NMRの測定結果を必要に応じて用いることにより、上記式(1)中の各構造単位の比率を求めることができる。 However, in the case where the structural unit in the formula (1) cannot be identified by the 29 Si-NMR measurement based on the TMS, not only the 29 Si-NMR measurement result but also 1 H-NMR and 19 F The ratio of each structural unit in the above formula (1) can be determined by using the measurement result of -NMR as necessary.
平均組成式が式(1)で表される樹脂中のアルコキシ基の含有量の好ましい下限は0.5モル%、より好ましい下限は1モル%、好ましい上限は10モル%、より好ましい上限は5モル%である。アルコキシル基の含有量が上記好ましい範囲内であると、封止剤の耐熱性及び耐光性が飛躍的に向上する。これはシリコーン樹脂(A)中にアルコキシ基が含有されていることにより、硬化速度を飛躍的に向上させることができるため、硬化時での熱劣化が防止されるためであると考えられる。また、硬化速度が飛躍的に高くなると、硬化促進剤を添加する場合に、比較的少ない添加量でも充分な硬化性が得られる。 The preferable lower limit of the content of the alkoxy group in the resin whose average composition formula is represented by the formula (1) is 0.5 mol%, the more preferable lower limit is 1 mol%, the preferable upper limit is 10 mol%, and the more preferable upper limit is 5 Mol%. When the content of the alkoxyl group is within the preferable range, the heat resistance and light resistance of the sealant are dramatically improved. This is presumably because the silicone resin (A) contains an alkoxy group, so that the curing rate can be drastically improved, thereby preventing thermal deterioration during curing. Further, when the curing rate is remarkably increased, sufficient curability can be obtained even with a relatively small addition amount when a curing accelerator is added.
アルコキシ基の含有量が上記好ましい下限を満たすと、封止剤の硬化速度が充分に速くなり、封止剤の耐熱性が良好になる。アルコキシル基の含有量が上記好ましい上限を満たすと、シリコーン樹脂(A)及び調製後の封止剤の貯蔵安定性が高くなり、封止剤の耐熱性がより一層高くなる。 When the content of the alkoxy group satisfies the above preferable lower limit, the curing rate of the sealant is sufficiently increased, and the heat resistance of the sealant is improved. When content of an alkoxyl group satisfy | fills the said preferable upper limit, the storage stability of a silicone resin (A) and the sealing agent after preparation will become high, and the heat resistance of sealing agent will become still higher.
上記アルコキシ基の含有量は、平均組成式が式(1)で表される樹脂中に含まれる上記アルコキシ基の量を意味する。 Content of the said alkoxy group means the quantity of the said alkoxy group contained in resin whose average composition formula is represented by Formula (1).
上記シリコーン樹脂(A)はシラノール基を含有しないほうが好ましい。シリコーン樹脂(A)がシラノール基を含有しないと、シリコーン樹脂及び調製後の封止剤の貯蔵安定性が高くなる。上記シラノール基は、真空下での加熱により減少させることができる。シラノール基の含有量は、赤外分光法を用いて測定できる。 The silicone resin (A) preferably does not contain a silanol group. When the silicone resin (A) does not contain a silanol group, the storage stability of the silicone resin and the prepared sealant is increased. The silanol group can be reduced by heating under vacuum. The content of silanol groups can be measured using infrared spectroscopy.
シリコーン樹脂(A)の数平均分子量(Mn)の好ましい下限は1000、より好ましい下限は1500、好ましい上限は50000、より好ましい上限は15000である。シリコーン樹脂(A)の数平均分子量が上記好ましい下限を満たすと、熱硬化時に揮発成分が少なくなり、硬化による膜減りが少なくなる。シリコーン樹脂(A)の数平均分子量が上記好ましい上限を満たすと、粘度調節が容易である。 The preferable lower limit of the number average molecular weight (Mn) of the silicone resin (A) is 1000, the more preferable lower limit is 1500, the preferable upper limit is 50000, and the more preferable upper limit is 15000. When the number average molecular weight of the silicone resin (A) satisfies the above preferable lower limit, the volatile components are reduced at the time of thermosetting, and the film loss due to curing is reduced. When the number average molecular weight of the silicone resin (A) satisfies the preferable upper limit, the viscosity can be easily adjusted.
上記数平均分子量(Mn)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)を用い、標準物質としてポリスチレンを使用して作成した検量線に基づいて求めた値である。上記数平均分子量(Mn)は、Waters社製の測定装置(カラム:昭和電工社製 Shodex GPC LF−804(長さ300mm)を2本、測定温度:40℃、流速:1mL/分、溶媒:テトラヒドロフラン、標準物質:ポリスチレン)を用いて測定できる。 The said number average molecular weight (Mn) is the value calculated | required based on the analytical curve created using the gel as a standard substance using gel permeation chromatography (GPC). The number average molecular weight (Mn) was measured using two measuring devices manufactured by Waters (column: Shodex GPC LF-804 (length: 300 mm) manufactured by Showa Denko KK), measuring temperature: 40 ° C., flow rate: 1 mL / min, solvent: Tetrahydrofuran, standard substance: polystyrene).
上記シリコーン樹脂(A)を合成する方法としては特に限定されず、例えば、SiH基を有するシリコーン樹脂と、環状エーテル含有基を有するビニル化合物とのハイドロシリレーション反応により置換基を導入する第1の方法、並びに有機ケイ素化合物と環状エーテル含有基を有する有機ケイ素化合物とを縮合反応させる第2の方法等が挙げられる。 The method for synthesizing the silicone resin (A) is not particularly limited. For example, a first method of introducing a substituent by a hydrosilylation reaction between a silicone resin having a SiH group and a vinyl compound having a cyclic ether-containing group. And a second method in which an organosilicon compound and an organosilicon compound having a cyclic ether-containing group are subjected to a condensation reaction.
上記第1の方法において、上記ハイドロシリレーション反応は、必要に応じて触媒の存在下、SiH基とビニル基とを反応させる方法である。 In the first method, the hydrosilylation reaction is a method in which a SiH group and a vinyl group are reacted in the presence of a catalyst as necessary.
上記SiH基を有するシリコーン樹脂としては、分子内にSiH基を含有するものであって、上記環状エーテル含有基を有するビニル化合物を反応させた後に、上記シリコーン樹脂(A)となるようなものを使用すればよい。 The silicone resin having a SiH group is one that contains a SiH group in the molecule and becomes the silicone resin (A) after reacting the vinyl compound having the cyclic ether-containing group. Use it.
上記環状エーテル含有基を有するビニル化合物としては、分子内に1個以上の環状エーテル含有基を有するビニル化合物であれば特に限定されず、例えば、ビニルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、グリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレート又はビニルシクロヘキセンオキシドなどのエポキシ基含有化合物が挙げられる。 The vinyl compound having a cyclic ether-containing group is not particularly limited as long as it is a vinyl compound having one or more cyclic ether-containing groups in the molecule. For example, vinyl glycidyl ether, allyl glycidyl ether, glycidyl methacrylate, glycidyl acrylate Alternatively, an epoxy group-containing compound such as vinylcyclohexene oxide can be used.
上記第2の方法において、環状エーテル骨格を有さない有機ケイ素化合物と環状エーテル含有基を有する有機ケイ素化合物とを縮合反応させる具体的な方法としては、例えば、環状エーテル含有基を有さない有機ケイ素化合物と環状エーテル含有基を有する有機ケイ素化合物とを、水と酸性触媒又は塩基性触媒との存在下で反応させる方法が挙げられる。 In the second method, as a specific method for the condensation reaction between an organosilicon compound having no cyclic ether skeleton and an organosilicon compound having a cyclic ether-containing group, for example, an organic compound having no cyclic ether-containing group is used. Examples thereof include a method in which a silicon compound and an organic silicon compound having a cyclic ether-containing group are reacted in the presence of water and an acidic catalyst or a basic catalyst.
上記シリコーン樹脂(A)を得る際に用いられ、環状エーテル含有基を有さない有機ケイ素化合物としては、例えば、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、イソプロピル(メチル)ジメトキシシラン、シクロヘキシル(メチル)ジメトキシシラン、メチル(フェニル)ジメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン又はフェニルトリメトキシシラン等が挙げられる。 Examples of the organosilicon compound that is used in obtaining the silicone resin (A) and does not have a cyclic ether-containing group include trimethylmethoxysilane, trimethylethoxysilane, triphenylmethoxysilane, triphenylethoxysilane, and dimethyldimethoxysilane. , Dimethyldiethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, isopropyl (methyl) dimethoxysilane, cyclohexyl (methyl) dimethoxysilane, methyl (phenyl) dimethoxysilane, methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane , Ethyltriethoxysilane, hexyltrimethoxysilane, octyltrimethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, and the like.
さらに、上記シリコーン樹脂(A)を得る際に用いられ、環状エーテル含有基を有する有機ケイ素化合物としては、例えば、3−グリシドキシプロピル(ジメチル)メチルメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル(ジメチル)メトキシシラン、3−グリシドキシプロピル(メチル)ジメトキシシラン、3−グリシドキシプロピル(メチル)ジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピル(メチル)ジブトキシシラン、2,3−エポキシプロピル(メチル)ジメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル(メチル)ジメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル(メチル)ジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン又は2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシランが挙げられる。 Furthermore, examples of the organosilicon compound having a cyclic ether-containing group that are used in obtaining the silicone resin (A) include 3-glycidoxypropyl (dimethyl) methylmethoxysilane and 2- (3,4-epoxy). (Cyclohexyl) ethyl (dimethyl) methoxysilane, 3-glycidoxypropyl (methyl) dimethoxysilane, 3-glycidoxypropyl (methyl) diethoxysilane, 3-glycidoxypropyl (methyl) dibutoxysilane, 2,3 -Epoxypropyl (methyl) dimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl (methyl) dimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl (methyl) diethoxysilane, 3-glycidoxypropyl Trimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltri Tokishishiran, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane or 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl triethoxy silane.
上記酸性触媒としては、例えば、無機酸、有機酸、無機酸の酸無水物又は誘導体、有機酸の酸無水物又は誘導体が挙げられる。 Examples of the acidic catalyst include inorganic acids, organic acids, acid anhydrides or derivatives of inorganic acids, and acid anhydrides or derivatives of organic acids.
上記無機酸としては、例えば、リン酸、ホウ酸又は炭酸が挙げられる。上記有機酸としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フマル酸、マレイン酸又はオレイン酸が挙げられる。 Examples of the inorganic acid include phosphoric acid, boric acid, and carbonic acid. Examples of the organic acid include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, lactic acid, malic acid, tartaric acid, citric acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, fumaric acid, maleic acid or oleic acid Is mentioned.
上記塩基性触媒としては、例えば、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属のアルコキシド又はアルカリ金属のシラノール化合物が挙げられる。 Examples of the basic catalyst include alkali metal hydroxides, alkali metal alkoxides, and alkali metal silanol compounds.
上記アルカリ金属の水酸化物としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム又は水酸化セシウムが挙げられる。上記アルカリ金属のアルコキシドとしては、例えば、ナトリウム−t−ブトキシド、カリウム−t−ブトキシド又はセシウム−t−ブトキシドが挙げられる。 Examples of the alkali metal hydroxide include sodium hydroxide, potassium hydroxide, and cesium hydroxide. Examples of the alkali metal alkoxide include sodium-t-butoxide, potassium-t-butoxide, and cesium-t-butoxide.
上記アルカリ金属のシラノール化合物としては、例えば、ナトリウムシラノレート化合物、カリウムシラノレート化合物又はセシウムシラノレート化合物が挙げられる。なかでも、カリウム系触媒及びセシウム系触媒が好適である。 Examples of the alkali metal silanol compound include a sodium silanolate compound, a potassium silanolate compound, and a cesium silanolate compound. Of these, potassium-based catalysts and cesium-based catalysts are preferred.
〔液状のフェノール樹脂(B)〕
本発明に係る光半導体素子用封止剤は、液状のフェノール樹脂(B)を含む。液状のフェノール樹脂(B)は、上記環状エーテル含有基と反応可能な熱硬化剤として作用する。従って、本発明に係る光半導体素子用封止剤は、熱硬化性組成物である。
[Liquid phenolic resin (B)]
The encapsulant for optical semiconductor elements according to the present invention contains a liquid phenol resin (B). The liquid phenol resin (B) acts as a thermosetting agent capable of reacting with the cyclic ether-containing group. Therefore, the encapsulant for optical semiconductor elements according to the present invention is a thermosetting composition.
上記フェノール樹脂(B)としては、液状であれば特に限定されない。 The phenol resin (B) is not particularly limited as long as it is liquid.
上記液状のフェノール樹脂(B)は、一種のみが用いられても良く、2種以上が併用されてもよい。 As for the said liquid phenol resin (B), only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
好ましくは、上記液状のフェノール樹脂(B)として、アルコキシ基を有するケイ素化合物と、フェノール樹脂とを反応させて生成されるアルコキシシラン変性フェノール樹脂が用いられ、その場合には、ガスバリア性をより効果的に高めることができる。上記アルコキシ基を有するケイ素化合物しては、トリアルコキシシラン化合物で、テトラアルコキシシラン化合物、ジアルコキシシラン化合物、モノアルコキシシラン化合物などを挙げることができる。 Preferably, as the liquid phenolic resin (B), an alkoxysilane-modified phenolic resin produced by reacting a silicon compound having an alkoxy group with a phenolic resin is used. In that case, the gas barrier property is more effective. Can be enhanced. Examples of the silicon compound having an alkoxy group include trialkoxysilane compounds such as tetraalkoxysilane compounds, dialkoxysilane compounds, and monoalkoxysilane compounds.
上記アルコキシ基を有するケイ素化合物としては、より好ましくは、トリアルコキシシラン化合物またはテトラアルコキシシラン化合物が用いられる。それによって、ガスバリア性をより一層高めることができる。 As the silicon compound having an alkoxy group, a trialkoxysilane compound or a tetraalkoxysilane compound is more preferably used. Thereby, the gas barrier property can be further enhanced.
上記トリアルコキシシラン化合物として、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリメトキシメチルシランなどを挙げることができる。 Examples of the trialkoxysilane compound include trimethoxysilane, triethoxysilane, and trimethoxymethylsilane.
上記テトラアルコキシシラン化合物としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシランなどを挙げることができる。 Examples of the tetraalkoxysilane compound include tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, and tetrapropoxysilane.
さらに好ましくは、上記アルコキシ基を有するケイ素化合物として、フェニル基を含有するトリアルコキシシラン化合物が用いられる。それによって、ガスバリア性をさらに高めることができる。 More preferably, a trialkoxysilane compound containing a phenyl group is used as the silicon compound having an alkoxy group. Thereby, the gas barrier property can be further enhanced.
このようなフェニル基を含有するトリアルコキシシラン化合物としては、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、トリメトキシ[3−(フェニルアミノ)プロピル]シランなどを挙げることができる。 Examples of such a trialkoxysilane compound containing a phenyl group include phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, and trimethoxy [3- (phenylamino) propyl] silane.
上記アルコキシ基を有するケイ素化合物と反応してアルコキシシラン変性フェノール樹脂を生成する上記フェノール樹脂としては、特に限定されず、上記ビスフェノールA、ビスフェノールC、ビスフェノールM等のビスフェノールやフェノールノボラック、クレゾールノボラック、ビスフェノールAノボラック、臭素化フェノールノボラック、臭素化ビスフェノールAノボラックなどを用いることができる。 The phenol resin that reacts with the silicon compound having an alkoxy group to produce an alkoxysilane-modified phenol resin is not particularly limited, and is bisphenol such as bisphenol A, bisphenol C, bisphenol M, phenol novolac, cresol novolac, bisphenol. A novolak, brominated phenol novolak, brominated bisphenol A novolak and the like can be used.
液状のフェノール樹脂(B)の含有量は特に限定されない。シリコーン樹脂(A)100重量部に対して、液状のフェノール樹脂(B)の含有量の好ましい下限は1重量部、より好ましい下限は5重量部、好ましい上限は70重量部、より好ましい上限は50重量部である。液状のフェノール樹脂(B)の含有量が上記好ましい下限及び上限を満たすと、封止剤における架橋反応が充分に進行し、耐熱性及び耐光性が高くなるとともに、透湿度が充分に低くなる。 The content of the liquid phenol resin (B) is not particularly limited. The preferable lower limit of the content of the liquid phenolic resin (B) is 1 part by weight, the more preferable lower limit is 5 parts by weight, the preferable upper limit is 70 parts by weight, and the more preferable upper limit is 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the silicone resin (A). Parts by weight. When content of a liquid phenol resin (B) satisfy | fills the said preferable minimum and upper limit, the crosslinking reaction in sealing agent will fully advance, while heat resistance and light resistance will become high, and a water vapor transmission rate will become low enough.
また、本発明に係る光半導体素子用封止剤では、上記液状のフェノール樹脂(B)以外に、他の熱硬化剤を併用してもよい。このような他の熱硬化剤としては、脂肪族アミン、芳香族アミン、メルカプト化合物、酸無水物、イミダゾール、アミンアダクト、ヒドラジン、第3級アミン、有機ホスフィンまたはジシアンジアミドなどを挙げることができる。 Moreover, in the sealing agent for optical semiconductor elements which concerns on this invention, you may use another thermosetting agent together with the said liquid phenol resin (B). Examples of such other thermosetting agents include aliphatic amines, aromatic amines, mercapto compounds, acid anhydrides, imidazoles, amine adducts, hydrazines, tertiary amines, organic phosphines, and dicyandiamide.
(硬化促進剤)
本発明に係る光半導体素子用封止剤は、硬化促進剤をさらに含有することが好ましい。
(Curing accelerator)
The encapsulant for optical semiconductor elements according to the present invention preferably further contains a curing accelerator.
上記硬化促進剤としては特に限定されず、例えば、イミダゾール類、第3級アミン類及び該第3級アミン類の塩類、ホスホニウム塩類、アミノトリアゾール類、金属触媒類等が挙げられる。硬化促進剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 The curing accelerator is not particularly limited, and examples thereof include imidazoles, tertiary amines and salts of the tertiary amines, phosphonium salts, aminotriazoles, metal catalysts and the like. As for a hardening accelerator, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記イミダゾール類としては、2−メチルイミダゾール及び2−エチル−4−メチルイミダゾール等が挙げられる。上記第3級アミン類としては、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7等が挙げられる。上記ホスフィン類としては、トリフェニルホスフィン等が挙げられる。上記ホスホニウム塩類としては、トリフェニルホスホニウムブロマイド等が挙げられる。上記金属触媒類としては、オクチル酸錫及びジブチル錫ジラウレートなどの錫系金属触媒類、オクチル酸亜鉛などの亜鉛系金属触媒類、並びにアルミニウム、クロム、コバルト及びジルコニウムなどのアセチルアセトナート等が挙げられる。 Examples of the imidazoles include 2-methylimidazole and 2-ethyl-4-methylimidazole. Examples of the tertiary amines include 1,8-diazabicyclo (5,4,0) undecene-7. Examples of the phosphines include triphenylphosphine. Examples of the phosphonium salts include triphenylphosphonium bromide. Examples of the metal catalysts include tin-based metal catalysts such as tin octylate and dibutyltin dilaurate, zinc-based metal catalysts such as zinc octylate, and acetylacetonates such as aluminum, chromium, cobalt, and zirconium. .
上記硬化促進剤の含有量は特に限定されない。シリコーン樹脂(A)100重量部に対して、上記硬化促進剤の含有量の好ましい下限は0.01重量部、より好ましい下限は0.05重量部、好ましい上限5重量部、より好ましい上限は1.5重量部である。硬化促進剤の含有量が上記好ましい下限を満たすと、硬化促進剤の添加効果を充分に得ることができる。上記効果促進剤の含有量が上記好ましい上限を満たすと、封止剤の硬化物が着色し難くなり、更に耐熱性及び耐光性が低下し難くなる。 The content of the curing accelerator is not particularly limited. The preferable lower limit of the content of the curing accelerator is 0.01 parts by weight, the more preferable lower limit is 0.05 parts by weight, the preferable upper limit is 5 parts by weight, and the more preferable upper limit is 1 part with respect to 100 parts by weight of the silicone resin (A). .5 parts by weight. If content of a hardening accelerator satisfy | fills the said preferable minimum, the addition effect of a hardening accelerator can fully be acquired. When content of the said effect accelerator satisfy | fills the said preferable upper limit, it will become difficult to color the hardened | cured material of sealing agent, and also it will become difficult to reduce heat resistance and light resistance.
(カップリング剤)
本発明に係る光半導体素子用封止剤は、接着性を付与するために、カップリング剤をさらに含有してもよい。
(Coupling agent)
The encapsulant for optical semiconductor elements according to the present invention may further contain a coupling agent in order to impart adhesiveness.
上記カップリング剤としては特に限定されず、例えば、シランカップリング剤等が挙げられる。該シランカップリング剤としては、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。カップリング剤は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 It does not specifically limit as said coupling agent, For example, a silane coupling agent etc. are mentioned. Examples of the silane coupling agent include vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and γ-methacryloxypropyltrimethoxy. Silane, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, etc. are mentioned. As for a coupling agent, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
シリコーン樹脂(A)100重量部に対して、カップリング剤の含有量の好ましい下限は0.1重量部、好ましい上限は5重量部である。カップリング剤の含有量が0.1重量部以上であると、カップリング剤の添加効果が充分に発揮される。カップリング剤の含有量が5重量部以下であると、余剰のカップリング剤が揮発し難くなり、封止剤を硬化させたときに、高温環境下で硬化物の厚みがより一層減少し難くなる。 The preferable lower limit of the content of the coupling agent is 0.1 parts by weight and the preferable upper limit is 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the silicone resin (A). When the content of the coupling agent is 0.1 parts by weight or more, the effect of adding the coupling agent is sufficiently exhibited. When the content of the coupling agent is 5 parts by weight or less, the excess coupling agent is less likely to volatilize, and when the sealant is cured, the thickness of the cured product is less likely to be reduced in a high temperature environment. Become.
(他の成分)
本発明に係る光半導体素子用封止剤は、本発明の効果を妨げない範囲で、シリコーン樹脂(A)以外の硬化性化合物を含有してもよい。該硬化性化合物としては例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基又はエポキシ基を有する化合物が挙げられる。中でも、エポキシ化合物が好ましい。エポキシ化合物は従来公知のエポキシ化合物を用いることができ、特に限定されない。
(Other ingredients)
The encapsulant for optical semiconductor elements according to the present invention may contain a curable compound other than the silicone resin (A) as long as the effects of the present invention are not hindered. Examples of the curable compound include compounds having an amino group, a urethane group, an imide group, a hydroxyl group, a carboxyl group, or an epoxy group. Among these, an epoxy compound is preferable. A conventionally well-known epoxy compound can be used for an epoxy compound, and it is not specifically limited.
本発明に係る光半導体素子用封止剤は、蛍光体をさらに含有してもよい。上記蛍光体は、本発明の光半導体素子用封止剤を用いて封止する発光素子が発する光を吸収し、蛍光を発生することによって、最終的に所望の色の光を得ることができるように作用する。上記蛍光体は、発光素子が発する光によって励起され蛍光を発し、発光素子が発する光と蛍光体が発する蛍光との組み合わせによって、所望の色の光を得ることができる。 The encapsulant for optical semiconductor elements according to the present invention may further contain a phosphor. The phosphor absorbs light emitted from the light emitting element encapsulated with the encapsulant for optical semiconductor elements of the present invention and generates fluorescence, thereby finally obtaining light of a desired color. Acts as follows. The phosphor is excited by light emitted from the light emitting element to emit fluorescence, and light of a desired color can be obtained by a combination of light emitted from the light emitting element and fluorescence emitted from the phosphor.
例えば、発光素子として紫外線LEDチップを使用して最終的に白色光を得ることを目的とする場合には、青色蛍光体、赤色蛍光体及び緑色蛍光体を組み合わせて用いることが好ましい。発光素子として青色LEDチップを使用して最終的に白色光を得ることを目的とする場合には、緑色蛍光体及び赤色蛍光体を組み合わせて用いるか、又は、黄色蛍光体を用いることが好ましい。上記蛍光体は、1種のみが用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 For example, when it is intended to finally obtain white light using an ultraviolet LED chip as a light emitting element, it is preferable to use a combination of a blue phosphor, a red phosphor and a green phosphor. When it is intended to finally obtain white light using a blue LED chip as a light emitting element, it is preferable to use a combination of a green phosphor and a red phosphor, or a yellow phosphor. As for the said fluorescent substance, only 1 type may be used and 2 or more types may be used together.
上記青色蛍光体としては特に限定されず、例えば、(Sr、Ca、Ba、Mg)10(PO4)6Cl2:Eu、(Ba、Sr)MgAl10O17:Eu、(Sr、Ba)3MgSi2O8:Eu等が挙げられる。 The blue phosphor is not particularly limited. For example, (Sr, Ca, Ba, Mg) 10 (PO 4 ) 6 Cl 2 : Eu, (Ba, Sr) MgAl 10 O 17 : Eu, (Sr, Ba) 3 MgSi 2 O 8 : Eu and the like.
上記赤色蛍光体としては特に限定されず、例えば、(Sr、Ca)S:Eu、(Ca、Sr)2SI5N8:Eu、CaSiN2:Eu、CaAlSiN3:Eu、Y2O2S:Eu、La2O2S:Eu、LiW2O8:(Eu、Sm)、(Sr、Ca、Bs、Mg)10(PO4)8Cl2:(Eu、Mn)、Ba3MgSi2O8:(Eu、Mn)等が挙げられる。 The red phosphor is not particularly limited. For example, (Sr, Ca) S: Eu, (Ca, Sr) 2 SI 5 N 8 : Eu, CaSiN 2 : Eu, CaAlSiN 3 : Eu, Y 2 O 2 S : Eu, La 2 O 2 S: Eu, LiW 2 O 8 : (Eu, Sm), (Sr, Ca, Bs, Mg) 10 (PO 4 ) 8 Cl 2 : (Eu, Mn), Ba 3 MgSi 2 And O 8 : (Eu, Mn).
上記緑色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Y3(Al、Ga)5O12:Ce、SrGa2S4:Eu、Ca3Sc2Si3O12:Ce、SrSiON:Eu、ZnS:(Cu、Al)、BaMgAl10O17(Eu、Mn)、SrAl2O4:Eu等が挙げられる。 The green phosphor is not particularly limited, and for example, Y 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Ce, SrGa 2 S 4 : Eu, Ca 3 Sc 2 Si 3 O 12 : Ce, SrSiON: Eu, ZnS: (Cu, Al), BaMgAl 10 O 17 (Eu, Mn), SrAl 2 O 4 : Eu, and the like.
上記黄色蛍光体としては特に限定されず、例えば、Y3Al5O12:Ce、(Y、Gd)3Al5O12:Ce、Tb3Al5O12:Ce、CaGa2S4:Eu、Sr2SiO4:Eu等が挙げられる。 Is not particularly restricted but includes the yellow phosphor, for example, Y 3 Al 5 O 12: Ce, (Y, Gd) 3 Al 5 O 12: Ce, Tb 3 A l5 O 12: Ce, CaGa 2 S 4: Eu , Sr 2 SiO 4 : Eu, and the like.
さらに、上記蛍光体としては、有機蛍光体であるペリレン系化合物等が挙げられる。 Furthermore, examples of the phosphor include perylene compounds that are organic phosphors.
本発明に係る光半導体素子用封止剤は、必要に応じて、分散剤、酸化防止剤、消泡剤、着色剤、変性剤、レベリング剤、光拡散剤、熱伝導性フィラー、難燃剤等の添加剤をさらに含有してもよい。 The optical semiconductor element sealant according to the present invention includes a dispersant, an antioxidant, an antifoaming agent, a colorant, a modifier, a leveling agent, a light diffusing agent, a thermally conductive filler, a flame retardant, and the like as necessary. The additive may be further contained.
なお、光半導体素子用封止剤は、上記環状エーテル含有基及びフェニル基を有するシリコーン樹脂を主成分とするA液と上記液状フェノール樹脂(B)を主成分とするB液とを別々に調整しておき、使用直前にA液とB液を混合して調整してもよい。 In addition, the sealing agent for optical semiconductor elements prepared separately the A liquid which has the said cyclic ether containing group and the silicone resin which has a phenyl group as a main component, and B liquid which has the said liquid phenol resin (B) as a main component. A liquid A and a B liquid may be mixed and adjusted immediately before use.
本発明に係る光半導体素子用封止剤の硬化温度は特に限定されない。光半導体素子用封止剤の硬化温度の好ましい下限は80℃、より好ましい下限は100℃、好ましい上限は180℃、より好ましい上限は150℃である。硬化温度が上記好ましい下限を満たすと、封止剤の硬化が充分に進行する。硬化温度が上記好ましい上限を満たすと、パッケージの熱劣化が起こり難い。 The curing temperature of the encapsulant for optical semiconductor elements according to the present invention is not particularly limited. The preferable lower limit of the curing temperature of the encapsulant for optical semiconductor elements is 80 ° C, the more preferable lower limit is 100 ° C, the preferable upper limit is 180 ° C, and the more preferable upper limit is 150 ° C. When the curing temperature satisfies the above preferable lower limit, curing of the sealant proceeds sufficiently. When the curing temperature satisfies the above preferable upper limit, the package is unlikely to be thermally deteriorated.
硬化には特に限定されないが、ステップキュア方式を用いることが好ましい。ステップキュア方式は、一旦低温で仮硬化させておき、その後に高温で硬化させる方法である。ステップキュア方式の使用により、封止剤の硬化収縮を抑えることができる。 Although it does not specifically limit to hardening, It is preferable to use a step cure system. The step cure method is a method in which the resin is temporarily cured at a low temperature and then cured at a high temperature. By using the step cure method, curing shrinkage of the sealant can be suppressed.
本発明に係る光半導体素子用封止剤の製造方法としては特に限定されず、例えば、ホモディスパー、ホモミキサー、万能ミキサー、プラネタリウムミキサー、ニーダー、三本ロール、ビーズミル等の混合機を用いて、常温又は加温下で、上述したシリコーン樹脂、熱硬化剤、及び必要に応じて配合される他の成分を混合する方法等が挙げられる。 The method for producing the encapsulant for optical semiconductor elements according to the present invention is not particularly limited.For example, using a mixer such as a homodisper, a homomixer, a universal mixer, a planetarium mixer, a kneader, a three roll, a bead mill, Examples include a method of mixing the above-described silicone resin, thermosetting agent, and other components blended as necessary at room temperature or under heating.
本発明に係る光半導体素子用封止剤は上記組成を有するため、ガスバリア性に優れている。従って、硫化水素ガスまたは硫酸ガス等の大気中に存在する腐蝕性ガスの透過を抑制することができる。一般に、表面が銀からなる電極、例えば銀もしくは銀を主体とする合金からなる電極や銀めっき層を表面に有する電極は、これらの腐蝕性ガスに晒されると変色する。しかしながら、本発明によれば、上記腐蝕性ガスの透過が抑制されるので、表面が銀からなる電極の変色を確実に抑制することができる。よって、電極による反射率の低下を抑制でき、光半導体素子が発する光の明るさの低下を抑制することができる。 Since the encapsulant for optical semiconductor elements according to the present invention has the above composition, it has excellent gas barrier properties. Therefore, permeation of corrosive gas existing in the atmosphere such as hydrogen sulfide gas or sulfuric acid gas can be suppressed. In general, an electrode whose surface is made of silver, for example, an electrode made of silver or an alloy composed mainly of silver, or an electrode having a silver plating layer on its surface changes color when exposed to these corrosive gases. However, according to this invention, since the permeation | transmission of the said corrosive gas is suppressed, discoloration of the electrode which the surface consists of silver can be suppressed reliably. Therefore, it is possible to suppress a decrease in reflectance due to the electrodes, and it is possible to suppress a decrease in brightness of light emitted from the optical semiconductor element.
本発明が適用される光半導体素子としては、半導体を用いた発光素子であれば特に限定されず、例えば、上記発光素子が発光ダイオードである場合、例えば、基板上にLED形式用半導体材料を積層した構造が挙げられる。この場合、半導体材料としては、例えば、GaAs、GaP、GaAlAs、GaAsP、AlGaInP、GaN、InN、AlN、InGaAlN、SiC等が挙げられる。 The optical semiconductor element to which the present invention is applied is not particularly limited as long as it is a light emitting element using a semiconductor. For example, when the light emitting element is a light emitting diode, for example, an LED type semiconductor material is laminated on a substrate. Structure. In this case, examples of the semiconductor material include GaAs, GaP, GaAlAs, GaAsP, AlGaInP, GaN, InN, AlN, InGaAlN, and SiC.
上記基板としては、例えば、サファイア、スピネル、SiC、Si、ZnO、GaN単結晶等が挙げられる。また、必要に応じ基板と半導体材料の間にバッファー層が形成されていてもよい。上記バッファー層としては、例えば、GaN、AlN等が挙げられる。 Examples of the substrate include sapphire, spinel, SiC, Si, ZnO, and GaN single crystal. In addition, a buffer layer may be formed between the substrate and the semiconductor material as necessary. Examples of the buffer layer include GaN and AlN.
本発明に係る光半導体装置は、具体的には、例えば、発光ダイオード装置、半導体レーザー装置、フォトカプラ等が挙げられる。このような光半導体装置は、例えば、液晶ディスプレイ等のバックライト、照明、各種センサー、プリンター、コピー機等の光源、車両用計測器光源、信号灯、表示灯、表示装置、面状発光体の光源、ディスプレイ、装飾、各種ライト又はスイッチング素子等に好適に用いることができる。 Specific examples of the optical semiconductor device according to the present invention include a light emitting diode device, a semiconductor laser device, and a photocoupler. Such optical semiconductor devices include, for example, backlights for liquid crystal displays, illumination, various sensors, light sources for printers, copiers, etc., vehicle measuring instrument light sources, signal lights, indicator lights, display devices, and light sources for planar light emitters. It can be suitably used for displays, decorations, various lights or switching elements.
(光半導体装置の実施形態)
図1は、本発明の一実施形態に係る光半導体装置を示す正面断面図である。
(Embodiment of optical semiconductor device)
FIG. 1 is a front sectional view showing an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
本実施形態の光半導体装置1は、ハウジング2を有する。ハウジング2の内にLEDからなる光半導体素子3が実装されている。ハウジング2の光反射性を有する内面2aがこの光半導体素子3の周囲を取り囲んでいる。内面2aは、内面2aの径が開口端に向かうにつれて大きくなるように形成されている。従って、光半導体素子3から発した光のうち、内面2aに到達した光が内面2aにより反射され、光半導体素子3の前方側に進行する。光半導体素子3を封止するように、内面2aで囲まれた領域内には、光半導体素子用封止剤4が充填されている。
The optical semiconductor device 1 of this embodiment has a
なお、図1に示す構造は、本発明に係る光半導体装置の一例にすぎず、光半導体素子3の実装構造等には適宜変形され得る。 The structure shown in FIG. 1 is merely an example of an optical semiconductor device according to the present invention, and can be appropriately modified to the mounting structure of the optical semiconductor element 3.
以下に、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. The present invention is not limited to the following examples.
(合成例1)
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン(23g)ジメチルジメトキシシラン(180g)、フェニルトリメトキシシラン(100g)、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(100g)、を入れ50℃で攪拌した。次に、水酸化カリウム0.7gを水107gに溶かした水溶液をゆっくりと滴下した後、50℃で6時間攪拌して反応させた。次に、反応液に酢酸(0.8g)を加え、減圧して揮発成分を除去し、反応液をろ過して酢酸カリウムを除去してシリコーン樹脂(A1)を得た。シリコーン樹脂(A1)の数平均分子量(Mn)は2200であり、29Si−NMRより同定した化学構造は、
(Me3SiO1/2)0.08(Me2SiO2/2)0.58(PhSiO3/2)0.19(EpSiO3/2)0.15
であり、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基の比率は19モル%、フェニル基の比率は15モル%であり、エポキシ当量は691g/eq.であった。
(Synthesis Example 1)
To a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, trimethylmethoxysilane (23 g) dimethyldimethoxysilane (180 g), phenyltrimethoxysilane (100 g), 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltri Methoxysilane (100 g) was added and stirred at 50 ° C. Next, an aqueous solution in which 0.7 g of potassium hydroxide was dissolved in 107 g of water was slowly added dropwise, and the reaction was stirred at 50 ° C. for 6 hours. Next, acetic acid (0.8 g) was added to the reaction solution, the pressure was reduced to remove volatile components, and the reaction solution was filtered to remove potassium acetate to obtain a silicone resin (A1). The number average molecular weight (Mn) of the silicone resin (A1) is 2200, and the chemical structure identified from 29 Si-NMR is
(Me 3 SiO 1/2 ) 0.08 (Me 2 SiO 2/2 ) 0.58 (PhSiO 3/2 ) 0.19 (EpSiO 3/2 ) 0.15
The ratio of 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl group is 19 mol%, the ratio of phenyl group is 15 mol%, and the epoxy equivalent is 691 g / eq. Met.
なお、分子量は、シリコーン樹脂(A1)(10mg)にテトラヒドロフラン(1mL)を入れ溶解するまで攪拌し、Waters社製の測定装置(カラム:昭和電工社製 Shodex GPC LF−804(長さ300mm)×2本、測定温度:40℃、流速:1mL/min、溶媒:テトラヒドロフラン、標準物質:ポリスチレン)を用いてGPC測定により測定した。また、エポキシ当量は、JIS K−7236に準拠して求めた。 The molecular weight was measured by adding tetrahydrofuran (1 mL) to silicone resin (A1) (10 mg) until dissolved, and measuring device manufactured by Waters (column: Shodex GPC LF-804 (length: 300 mm) manufactured by Showa Denko KK) × Measurement was performed by GPC measurement using two tubes, measurement temperature: 40 ° C., flow rate: 1 mL / min, solvent: tetrahydrofuran, standard substance: polystyrene). Moreover, the epoxy equivalent was calculated | required based on JISK-7236.
(合成例2)
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン(25g)、ジメチルジメトキシシラン(208g)、ジフェニルジメトキシシシラン(71g)、フェニルトリメトキシシラン(58g)、及び2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(111g)を入れ、50℃で攪拌した。次に、水酸化カリウム0.8gを水117gに溶かした水溶液をゆっくりと滴下した後、50℃で6時間攪拌して反応させた。次に、反応液に酢酸(0.9g)を加え、減圧して揮発成分を除去し、反応液をろ過して酢酸カリウムを除去して、シリコーン樹脂(A2)を得た。シリコーン樹脂(A2)の数平均分子量(Mn)は1800であり、29Si−NMRより同定した化学構造は、
(Me3SiO1/2)0.08(Me2SiO2/2)0.57(Ph2SiO2/2)0.10(PhSiO3/2)0.10(EpSiO3/2)0.15
であった。上記化学構造におけるEpは、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基を示す。シリコーン樹脂(A2)において、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基の含有比率は17モル%、フェニル基の含有比率は21モル%であり、エポキシ当量は723g/eq.であった。
(Synthesis Example 2)
In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, trimethylmethoxysilane (25 g), dimethyldimethoxysilane (208 g), diphenyldimethoxysilane (71 g), phenyltrimethoxysilane (58 g), and 2- (3,4-Epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane (111 g) was added and stirred at 50 ° C. Next, an aqueous solution in which 0.8 g of potassium hydroxide was dissolved in 117 g of water was slowly added dropwise, and the mixture was reacted by stirring at 50 ° C. for 6 hours. Next, acetic acid (0.9 g) was added to the reaction solution, the pressure was reduced to remove volatile components, and the reaction solution was filtered to remove potassium acetate to obtain a silicone resin (A2). The number average molecular weight (Mn) of the silicone resin (A2) is 1800, and the chemical structure identified from 29 Si-NMR is
(Me 3 SiO 1/2 ) 0.08 (Me 2 SiO 2/2 ) 0.57 (Ph 2 SiO 2/2 ) 0.10 (PhSiO 3/2 ) 0.10 (EpSiO 3/2 ) 0. 15
Met. Ep in the above chemical structure represents a 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl group. In the silicone resin (A2), the content ratio of 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl group is 17 mol%, the content ratio of phenyl group is 21 mol%, and the epoxy equivalent is 723 g / eq. Met.
なお、分子量及びエポキシ当量は、合成例1と同様にして求めた。 The molecular weight and epoxy equivalent were determined in the same manner as in Synthesis Example 1.
(合成例3)
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン(254g)、ジフェニルジメトキシシシラン(106g)、及び2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(111g)を入れ、50℃で攪拌した。次に、水酸化カリウム0.8gを水116gに溶かした水溶液をゆっくりと滴下した後、50℃で6時間攪拌して反応させた。次に、反応液に酢酸(0.9g)を加え、減圧して揮発成分を除去し、反応液をろ過して酢酸カリウムを除去して、シリコーン樹脂(A3)を得た。シリコーン樹脂(A3)の数平均分子量(Mn)は1600であり、29Si−NMRより同定した化学構造は、
(Me2SiO2/2)0.70(Ph2SiO2/2)0.15(EpSiO3/2)0.15
であった。上記化学構造におけるEpは、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基を示す。シリコーン樹脂(A3)において、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基の含有比率は17モル%、フェニル基の含有比率は21モル%であり、エポキシ当量は742g/eq.であった。
(Synthesis Example 3)
In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, dimethyldimethoxysilane (254 g), diphenyldimethoxysilane (106 g), and 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane (111 g) And stirred at 50 ° C. Next, an aqueous solution in which 0.8 g of potassium hydroxide was dissolved in 116 g of water was slowly added dropwise, and the mixture was reacted by stirring at 50 ° C. for 6 hours. Next, acetic acid (0.9 g) was added to the reaction liquid, the pressure was reduced to remove volatile components, and the reaction liquid was filtered to remove potassium acetate to obtain a silicone resin (A3). The number average molecular weight (Mn) of the silicone resin (A3) is 1600, and the chemical structure identified from 29 Si-NMR is
(Me 2 SiO 2/2 ) 0.70 (Ph 2 SiO 2/2 ) 0.15 (EpSiO 3/2 ) 0.15
Met. Ep in the above chemical structure represents a 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl group. In the silicone resin (A3), the content ratio of 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl group is 17 mol%, the content ratio of phenyl group is 21 mol%, and the epoxy equivalent is 742 g / eq. Met.
なお、分子量及びエポキシ当量は、合成例1と同様にして求めた。 The molecular weight and epoxy equivalent were determined in the same manner as in Synthesis Example 1.
(合成例4)
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた1000mLのセパラブルフラスコに、トリメチルメトキシシラン(23g)、ジメチルジメトキシシラン(115g)、フェニルトリメトキシシラン(71g)、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(133g)、ジフェニルジメトキシシラン(88g)、及びシクロヘキシルジメトキシメチルシラン(51g)を入れ、50℃で攪拌した。次に、水酸化カリウム0.8gを水117gに溶かした水溶液をゆっくりと滴下した後、50℃で6時間攪拌して反応させた。次に、反応液に酢酸(0.8g)を加え、減圧して揮発成分を除去し、反応液をろ過して酢酸カリウムを除去して、シリコーン樹脂(A4)を得た。シリコーン樹脂(A4)の数平均分子量(Mn)は1500であり、29Si−NMRより同定した化学構造は、
(Me3SiO1/2)0.08(Me2SiO2/2)0.41(PhSiO3/2)0.13(EpSiO3/2)0.15(Ph2SiO2/2)0.13(Me(C6H11)SiO2/2)0.10
であった。上記化学構造におけるEpは、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基を示す。シリコーン樹脂(A4)において、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基の含有比率は16モル%、フェニル基の含有比率は25モル%であり、シクロヘキシル基の含有比率は7モル%であり、エポキシ当量は810g/eq.であった。
(Synthesis Example 4)
In a 1000 mL separable flask equipped with a thermometer, a dropping device and a stirrer, trimethylmethoxysilane (23 g), dimethyldimethoxysilane (115 g), phenyltrimethoxysilane (71 g), 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl Trimethoxysilane (133 g), diphenyldimethoxysilane (88 g), and cyclohexyldimethoxymethylsilane (51 g) were added and stirred at 50 ° C. Next, an aqueous solution in which 0.8 g of potassium hydroxide was dissolved in 117 g of water was slowly added dropwise, and the mixture was reacted by stirring at 50 ° C. for 6 hours. Next, acetic acid (0.8 g) was added to the reaction solution, the pressure was reduced to remove volatile components, and the reaction solution was filtered to remove potassium acetate to obtain a silicone resin (A4). The number average molecular weight (Mn) of the silicone resin (A4) is 1500, and the chemical structure identified from 29 Si-NMR is
(Me 3 SiO 1/2 ) 0.08 (Me 2 SiO 2/2 ) 0.41 (PhSiO 3/2 ) 0.13 (EpSiO 3/2 ) 0.15 (Ph 2 SiO 2/2 ) 0. 13 (Me (C 6 H 11 ) SiO 2/2 ) 0.10
Met. Ep in the above chemical structure represents a 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl group. In the silicone resin (A4), the content ratio of 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl group is 16 mol%, the content ratio of phenyl group is 25 mol%, and the content ratio of cyclohexyl group is 7 mol%. , Epoxy equivalent was 810 g / eq. Met.
なお、分子量及びエポキシ当量は、合成例1と同様にして求めた。 The molecular weight and epoxy equivalent were determined in the same manner as in Synthesis Example 1.
(合成例5)
攪拌機と冷却管を備えた500mlのフラスコに、フェノール樹脂(本州化学工業(株)製、BisP−M)75g、フェニルトリメトキシシラン75g、メチルエチルケトン100gおよび触媒としてジブチル錫ジラウレート0.15gを加え、100℃ で5時間、脱メタノール反応させた。次に、80℃で減圧し揮発成分を除去し、液状のアルコキシシラン変性フェノール樹脂(B1)を得た。
(Synthesis Example 5)
To a 500 ml flask equipped with a stirrer and a condenser, 75 g of phenol resin (BisP-M, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), 75 g of phenyltrimethoxysilane, 100 g of methyl ethyl ketone and 0.15 g of dibutyltin dilaurate as a catalyst were added. The demethanol reaction was carried out at 5 ° C. for 5 hours. Next, the pressure was reduced at 80 ° C. to remove volatile components, and a liquid alkoxysilane-modified phenol resin (B1) was obtained.
(合成例6)
攪拌機と冷却管を備えた500mlのフラスコに、フェノール樹脂(本州化学工業(株)製、BisP−M)100g、フェニルトリメトキシシラン50g、メチルエチルケトン100gおよび触媒としてジブチル錫ジラウレート0.15g を加え、100℃ で5時間、脱メタノール反応させた。次に、80℃で減圧し揮発成分を除去し、液状のアルコキシシラン変性フェノール樹脂(B2)を得た。
(Synthesis Example 6)
To a 500 ml flask equipped with a stirrer and a condenser, 100 g of phenol resin (BisP-M, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), 50 g of phenyltrimethoxysilane, 100 g of methyl ethyl ketone and 0.15 g of dibutyltin dilaurate as a catalyst were added. The demethanol reaction was carried out at 5 ° C. for 5 hours. Next, the pressure was reduced at 80 ° C. to remove volatile components, and a liquid alkoxysilane-modified phenol resin (B2) was obtained.
(合成例7)
攪拌機と冷却管を備えた500mlのフラスコに、フェノール樹脂(本州化学工業(株)製、BisP−M)75g、メチルトリメトキシシラン75g、メチルエチルケトン100gおよび触媒としてジブチル錫ジラウレート0.15gを加え、100℃で5時間、脱メタノール反応させた。次に、80℃で減圧し揮発成分を除去し、液状のアルコキシシラン変性フェノール樹脂(B3)を得た。
(Synthesis Example 7)
To a 500 ml flask equipped with a stirrer and a condenser, 75 g of phenol resin (BisP-M, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), 75 g of methyltrimethoxysilane, 100 g of methyl ethyl ketone and 0.15 g of dibutyltin dilaurate as a catalyst were added. Demethanol reaction was carried out at 5 ° C. for 5 hours. Next, the pressure was reduced at 80 ° C. to remove volatile components, and a liquid alkoxysilane-modified phenol resin (B3) was obtained.
(合成例8)
攪拌機と冷却管を備えた500mlのフラスコに、フェノール樹脂(本州化学工業(株)製、BisP−M)100g、メチルトリメトキシシラン50g、メチルエチルケトン100gおよび触媒としてジブチル錫ジラウレート0.15gを加え、100℃で5時間、脱メタノール反応させた。次に、80℃で減圧し揮発成分を除去し、液状のアルコキシシラン変性フェノール樹脂(B4)を得た。
(Synthesis Example 8)
To a 500 ml flask equipped with a stirrer and a condenser, 100 g of phenol resin (BisP-M, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), 50 g of methyltrimethoxysilane, 100 g of methyl ethyl ketone and 0.15 g of dibutyltin dilaurate as a catalyst were added. Demethanol reaction was carried out at 5 ° C. for 5 hours. Next, the pressure was reduced at 80 ° C. to remove volatile components, and a liquid alkoxysilane-modified phenol resin (B4) was obtained.
(合成例9)
攪拌機と冷却管を備えた500mlのフラスコに、フェノール樹脂(本州化学工業(株)製、BisP−M)75g、テトラメトキシシラン75g、メチルエチルケトン100gおよび触媒としてジブチル錫ジラウレート0.15gを加え、100℃で5時間、脱メタノール反応させた。次に、80℃で減圧し揮発成分を除去し、液状のアルコキシシラン変性フェノール樹脂(B5)を得た。
(Synthesis Example 9)
To a 500 ml flask equipped with a stirrer and a condenser, 75 g of phenol resin (BisP-M, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), 75 g of tetramethoxysilane, 100 g of methyl ethyl ketone and 0.15 g of dibutyltin dilaurate as a catalyst were added, and 100 ° C. For 5 hours. Next, the pressure was reduced at 80 ° C. to remove volatile components, and a liquid alkoxysilane-modified phenol resin (B5) was obtained.
(実施例1)
合成例1で得られたシリコーン樹脂(A1)70gと、合成例5で得られた液状のアルコキシシラン変性フェノール樹脂(B1)30g、トリフェニルフォスフィン(硬化促進剤、和光純薬社製)0.5gと、サンドスタブ P−EPQ(酸化防止剤、クラリアント社製)0.1gとを混合した後、脱泡し、光半導体素子用封止剤を得た。
Example 1
70 g of the silicone resin (A1) obtained in Synthesis Example 1, 30 g of the liquid alkoxysilane-modified phenol resin (B1) obtained in Synthesis Example 5, triphenylphosphine (curing accelerator, manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) 0 0.5 g and 0.1 g of sand stub P-EPQ (antioxidant, manufactured by Clariant) were mixed and defoamed to obtain an encapsulant for optical semiconductor elements.
(実施例2)
合成例5で得られた液状のアルコキシシラン変性フェノール樹脂(B1)を合成例6で得られた液状のアルコキシシラン変性フェノール樹脂(B2)に変更したこと以外は実施例1と同様にして封止剤を得た。
(Example 2)
Sealed in the same manner as in Example 1 except that the liquid alkoxysilane-modified phenol resin (B1) obtained in Synthesis Example 5 was changed to the liquid alkoxysilane-modified phenol resin (B2) obtained in Synthesis Example 6. An agent was obtained.
(実施例3)
合成例5で得られた液状のアルコキシシラン変性フェノール樹脂(B1)を合成例7で得られた液状のアルコキシシラン変性フェノール樹脂(B3)に変更したこと以外は実施例1と同様にして封止剤を得た。
(Example 3)
Sealed in the same manner as in Example 1 except that the liquid alkoxysilane-modified phenol resin (B1) obtained in Synthesis Example 5 was changed to the liquid alkoxysilane-modified phenol resin (B3) obtained in Synthesis Example 7. An agent was obtained.
(実施例4)
合成例5で得られた液状のアルコキシシラン変性フェノール樹脂(B1)を合成例8で得られた液状のアルコキシシラン変性フェノール樹脂(B4)に変更したこと以外は実施例1と同様にして封止剤を得た。
Example 4
Sealed in the same manner as in Example 1 except that the liquid alkoxysilane-modified phenol resin (B1) obtained in Synthesis Example 5 was changed to the liquid alkoxysilane-modified phenol resin (B4) obtained in Synthesis Example 8. An agent was obtained.
(実施例5)
合成例1で得られたシリコーン樹脂(A1)を合成例2で得られたシリコーン樹脂(A2)に変更したこと以外は実施例1と同様にして封止剤を得た。
(Example 5)
A sealant was obtained in the same manner as in Example 1 except that the silicone resin (A1) obtained in Synthesis Example 1 was changed to the silicone resin (A2) obtained in Synthesis Example 2.
(実施例6)
合成例1で得られたシリコーン樹脂(A1)を合成例3で得られたシリコーン樹脂(A3)に変更したこと以外は実施例1と同様にして封止剤を得た。
(Example 6)
A sealant was obtained in the same manner as in Example 1 except that the silicone resin (A1) obtained in Synthesis Example 1 was changed to the silicone resin (A3) obtained in Synthesis Example 3.
(実施例7)
合成例1で得られたシリコーン樹脂(A1)を合成例4で得られたシリコーン樹脂(A4)に変更したこと以外は実施例1と同様にして封止剤を得た。
(Example 7)
A sealant was obtained in the same manner as in Example 1 except that the silicone resin (A1) obtained in Synthesis Example 1 was changed to the silicone resin (A4) obtained in Synthesis Example 4.
(実施例8)
合成例5で得られた液状のアルコキシシラン変性フェノール樹脂(B1)を合成例9で得られた液状のアルコキシシラン変性フェノール樹脂(B5)に変更したこと以外は実施例1と同様にして封止剤を得た。
(Example 8)
Sealed in the same manner as in Example 1 except that the liquid alkoxysilane-modified phenol resin (B1) obtained in Synthesis Example 5 was changed to the liquid alkoxysilane-modified phenol resin (B5) obtained in Synthesis Example 9. An agent was obtained.
(実施例9)
合成例1で得られたシリコーン樹脂(A1)を95g、合成例5で得られた液状のアルコキシシラン変性フェノール樹脂(B1)を5gに変更したこと以外は実施例1と同様にして封止剤を得た。
Example 9
Sealant as in Example 1 except that 95 g of the silicone resin (A1) obtained in Synthesis Example 1 and 5 g of the liquid alkoxysilane-modified phenol resin (B1) obtained in Synthesis Example 5 were changed. Got.
(実施例10)
合成例1で得られたシリコーン樹脂(A1)を30g、合成例5で得られた液状のアルコキシシラン変性フェノール樹脂(B1)を70gに変更したこと以外は実施例1と同様にして封止剤を得た。
(Example 10)
Sealant as in Example 1 except that 30 g of the silicone resin (A1) obtained in Synthesis Example 1 was changed to 70 g of the liquid alkoxysilane-modified phenol resin (B1) obtained in Synthesis Example 5 Got.
(比較例1)
合成例1で得られたシリコーン樹脂(A1)100gと、硬化剤としてリカシッドMH−700G(酸無水物、新日本理化社製)25gと、U−CATSA 102(硬化促進剤、サンアプロ社製)0.3gと、サンドスタブ P−EPQ(酸化防止剤、クラリアント社製)0.1gとを混合した後、脱泡し、光半導体素子用封止剤を得た。
(Comparative Example 1)
100 g of the silicone resin (A1) obtained in Synthesis Example 1, 25 g of Ricacid MH-700G (an acid anhydride, manufactured by Shin Nippon Chemical Co., Ltd.) as a curing agent, and U-CATSA 102 (a curing accelerator, manufactured by San Apro) 0 .3 g and 0.1 g of sand stub P-EPQ (antioxidant, manufactured by Clariant) were mixed and defoamed to obtain an encapsulant for optical semiconductor elements.
(比較例2)
合成例2で得られたシリコーン樹脂(A2)100gと、硬化剤としてリカシッドMH−700G(酸無水物、新日本理化社製)25gと、U−CATSA 102(硬化促進剤、サンアプロ社製)0.3gと、サンドスタブ P−EPQ(酸化防止剤、クラリアント社製)0.1gとを混合した後、脱泡し、光半導体素子用封止剤を得た。
(Comparative Example 2)
100 g of the silicone resin (A2) obtained in Synthesis Example 2, 25 g of Ricacid MH-700G (an acid anhydride, manufactured by Shin Nippon Chemical Co., Ltd.) as a curing agent, and U-CATSA 102 (a curing accelerator, manufactured by San Apro) 0 .3 g and 0.1 g of sand stub P-EPQ (antioxidant, manufactured by Clariant) were mixed and defoamed to obtain an encapsulant for optical semiconductor elements.
(比較例3)
合成例1で得られたシリコーン樹脂(A1)を10g、合成例5で得られた液状のアルコキシシラン変性フェノール樹脂(B1)を90gに変更したこと以外は実施例1と同様にして封止剤を得た。
(Comparative Example 3)
Sealant as in Example 1 except that 10 g of the silicone resin (A1) obtained in Synthesis Example 1 was changed to 90 g of the liquid alkoxysilane-modified phenol resin (B1) obtained in Synthesis Example 5 Got.
(比較例4)
合成例1で得られたシリコーン樹脂(A1)を99.5g、合成例5で得られた液状のアルコキシシラン変性フェノール樹脂(B1)を0.5gに変更したこと以外は実施例1と同様にして封止剤を得た。
(Comparative Example 4)
The same procedure as in Example 1 was conducted except that 99.5 g of the silicone resin (A1) obtained in Synthesis Example 1 and 0.5 g of the liquid alkoxysilane-modified phenol resin (B1) obtained in Synthesis Example 5 were changed. To obtain a sealant.
〔評価〕
(光半導体の作製)
光半導体素子として、主発光ピークは460nmのLEDチップからなる光半導体素子を用意した。この光半導体素子を、銀めっきされたリード電極を有し、PPA樹脂からなるハウジング材にダイボンディング材を用いて実装した。光半導体素子と上記リード電極とを金ワイヤーにより電気的に接続した。このようにして得られた構造に、実施例1〜7または比較例1,2で作製した光半導体素子用封止剤を注入し、100℃で3時間加熱し、さらに130℃で3時間加熱し、光半導体素子用封止剤を硬化させた。このようにして、光半導体装置を得た。
[Evaluation]
(Production of optical semiconductor)
As an optical semiconductor element, an optical semiconductor element composed of an LED chip having a main emission peak of 460 nm was prepared. This optical semiconductor element was mounted on a housing material having a silver-plated lead electrode and made of PPA resin using a die bonding material. The optical semiconductor element and the lead electrode were electrically connected by a gold wire. Into the structure thus obtained, the encapsulant for optical semiconductor elements prepared in Examples 1 to 7 or Comparative Examples 1 and 2 was injected, heated at 100 ° C. for 3 hours, and further heated at 130 ° C. for 3 hours. Then, the encapsulant for optical semiconductor elements was cured. In this way, an optical semiconductor device was obtained.
(ガス腐食試験)
上記で作成した光半導体装置を、40℃及び90RH%の雰囲気下のチャンバー内に入れた。次に、チャンバー内に、硫化水素ガス及び二酸化硫黄ガスを導入し、硫化水素ガス濃度を3ppm、二酸化硫黄ガス濃度を10ppmとした。1日後、1週間後及び2週間後に、チャンバーから光半導体装置を取り出し、銀めっきされたリード電極を目視により観察した。銀めっき部分に変色が見られない場合を◎、茶褐色に変色した箇所の面積の合計が目視で観察した領域中5〜25%程度見られる場合を○、茶色に変色した箇所の面積の合計が目視により観察した領域の25%を超え、75%以下の場合を△、目視により観察した領域のほとんどすべてが黒色に変色している場合を×と判定した。
(Gas corrosion test)
The optical semiconductor device created above was placed in a chamber under an atmosphere of 40 ° C. and 90 RH%. Next, hydrogen sulfide gas and sulfur dioxide gas were introduced into the chamber to adjust the hydrogen sulfide gas concentration to 3 ppm and the sulfur dioxide gas concentration to 10 ppm. One day later, one week later, and two weeks later, the optical semiconductor device was taken out of the chamber, and the silver-plated lead electrode was visually observed. The case where no discoloration is seen in the silver-plated portion, ◎, the case where about 5 to 25% of the total area of the brown-colored portion is observed in the visually observed region is ○, the total area of the brown-colored portion is A case where it exceeded 25% and 75% or less of the visually observed region was evaluated as Δ, and a case where almost all of the visually observed region was changed to black was determined as ×.
結果を下記の表1に示す。 The results are shown in Table 1 below.
1…光半導体装置
2…ハウジング
2a…内面
3…光半導体素子
4…光半導体素子用封止剤
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ...
Claims (5)
前記シリコーン樹脂は、平均組成式が下記一般式(1)で表される樹脂を含み、かつ下記式(a)より求められるフェニル基の含有比率が15〜60モル%である、光半導体素子用封止剤。
R1〜R6は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
フェニル基の含有比率(モル%)=(平均組成式が一般式(1)で表される樹脂の1分子あたりに含まれるフェニル基の平均個数×フェニル基の分子量/平均組成式が一般式(1)で表される樹脂成分の平均分子量)×100 ・・・式(a) Containing a silicone resin having one or more cyclic ether-containing groups in the molecule and a liquid phenolic resin;
The silicone resin includes an resin having an average composition formula represented by the following general formula (1), and a phenyl group content ratio determined by the following formula (a) is 15 to 60 mol%. Sealant.
R 1 to R 6 may be the same or different.
Phenyl group content ratio (mol%) = (average number of phenyl groups contained in one molecule of resin whose average composition formula is represented by general formula (1) × molecular weight of phenyl group / average composition formula is general formula ( 1) Average molecular weight of the resin component represented by 1) × 100 Formula (a)
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|---|---|---|---|---|
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2010
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