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JP2011164019A - 電流測定装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】導体と磁電変換素子との間の距離を補正でき、高感度かつ高精度で被検出電流を検出可能な電流測定装置を提供すること。
【解決手段】この電流測定装置1は、被検出電流が流れる導体11と、導体11に被検出電流が流れた際に発生する磁界の変化を検出して信号を出力する磁気センサ19、20と、磁気センサ19、20の出力から被検出電流の大きさを算出する演算部23とを備える。磁気センサ19、20は、導体11との間にそれぞれ異なる距離をとって配置され、演算部23は、磁気センサ19、20と導体11との間の距離を求め、求めた距離を用いて被検出電流の大きさを算出する。
【選択図】図1

Description

本発明は、導体の電流の大きさを測定する電流測定装置に関し、特に、導体を流れる電流を磁電変換素子を介して検出する電流測定装置に関する。
近年、電気自動車やソーラー電池などの分野では、電気自動車やソーラー電池装置の大出力化・高性能化に伴って、取り扱う電流値が大きくなってきており、直流大電流を非接触で測定する電流センサが広く用いられている。このような電流センサとしては、検出対象となる導体に流れる電流を、導体周囲の磁界の変化を介して検出する磁電変換素子を備えたものが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
かかる電流センサは、検出対象となる電流が流れるバスバと、このバスバの周りに配置されるシールド板と、バスバとシールド板との間において、バスバに電流が流れたときに発生する磁界の磁束密度が最小となる位置に配置される磁電変換素子とを備える。検出対象となる電流がバスバに流れた際には、バスバの周囲に発生した磁界の変化が磁電変換素子によって電圧に変換され、電流の大きさに応じた信号として出力される。この磁電変換素子からの出力信号を増幅回路で増幅し、検出回路で検出することによりバスバに流れる電流の大きさを検出する。
特開2008−151743号公報
ところで、電流センサは、製造時における磁電変換素子の取り付け位置の誤差や、電流センサ使用時における装置の発熱に伴う熱膨張、収縮により、磁電変換素子と検出対象となる導体との間の距離が変化する。磁電変換素子と導体との間の距離が変化した場合、磁電変換素子によって検出される磁界の磁束密度が変化し、導体を流れる電流の大きさの検出誤差が生じる問題がある。特許文献1記載の電流センサでは、電流が流れたときに発生する磁束密度の変化が最小となる位置付近に磁電変換素子を配置することにより、磁電変換素子と導体との間の距離が変化した場合の検出誤差を低減している。
しかしながら、特許文献1記載の電流センサでは、磁束密度の変化が最小となる位置付近に磁電変換素子を配置するため、電流センサの検出感度が低下する問題があった。また、磁束密度が最小となる位置付近に磁電変換素子を配置した場合においても、必ずしも効果的に検出誤差を低減することができない問題があった。
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、導体と磁電変換素子との間の距離を補正でき、高感度かつ高精度で被検出電流を検出可能な電流測定装置を提供することを目的とする。
本発明の電流測定装置は、被検出電流が流れる導体と、前記導体に被検出電流が流れた際に生ずる磁界の変化を検出する少なくとも2つの磁気センサと、前記磁気センサの出力から被検出電流の大きさを算出する演算部とを備え、前記少なくとも2つの磁気センサは、前記導体との間にそれぞれ異なる距離をとって配置され、前記演算部は、前記磁気センサの出力から、前記磁気センサと前記導体との間の距離を求め、前記距離を用いて前記被検出電流の大きさを算出することを特徴とする。
この構成によれば、検出対象となる電流が導体流れた際に導体の周囲に発生する磁界を、導体との間にそれぞれ異なる距離をとって配置された少なくとも2つの磁気センサで検出するので、距離差に応じた強度の出力信号を得ることが可能となる。このように、少なくとも2つの磁気センサから距離差に応じた強度の出力信号を得ることができるので、それぞれの信号を用いて磁気センサと導体との間の距離を補正することができる。これにより、電流測定装置の製造時における配置位置の誤差や、電流測定装置使用時における電流測定装置の構成部材の熱膨張によって変化したなど、磁気センサと導体との間の距離が設計値と変化した場合においても補正することが可能となる。このため、補正後の磁気センサと導体との間の距離を用いて被検出電流を算出することにより、高感度かつ高精度で電流値を検出することが可能となる。
また本発明は、上記電流測定装置において、前記演算部は、前記磁気センサの出力を用い、下記関係式(1)を用いた演算処理によって前記被検出電流の大きさを算出することが好ましい。
H=μoI/2πr…式(1)
(式(1)において、μoは真空の透磁率を表し、Hは磁界強度を表し、rは導体の中心Pと磁気センサとの間の距離を表す。)
この構成によれば、上記関係式(1)を用い、導体との間にそれぞれ異なる距離をとって配置された少なくとも2つの磁気センサの出力信号を用い、電流値を演算処理することにより被検出電流の電流値を精度よく検出することができる。また、導体近傍に磁気センサを配置した場合においても磁気センサと導体との間の距離を補正できるので、高感度の電流測定装置を実現することができる。
また本発明は、上記電流測定装置において、前記少なくとも二つの磁気センサは、同一のパッケージ材に内包されてなることが好ましい。この構成により、電流検出装置の小型化を実現することができる。
また本発明は、上記電流測定装置において、前記導体を介して前記磁気センサと対向配置された別の磁気センサを備え、前記演算部は、前記磁気センサの出力と前記別の磁気センサの出力との差分値から外乱ノイズの大きさを検出し、前記外乱ノイズの大きさを用いて前記被検出電流を算出することを特徴とする。
この構成によれば、磁気センサの出力信号と、磁気センサと異なる位置に配置された別のセンサの出力信号との差分値を用いて演算処理するので、例えば、磁気センサと別の磁気センサとに共に作用する地磁気などの外乱ノイズを除去することができる。このように、磁気センサに対して遮蔽物等を用いずに外乱ノイズを除去できるので、微弱な電流を検出することができ、高感度かつ高精度の電流測定装置を実現することができる。
また本発明は、上記電流測定装置において、前記演算部は、前記磁気センサと導体との間の距離を所定の時定数で補正して前記被検出電流を検出することが好ましい。この構成により、電流測定装置製造における磁気センサの設置位置の誤差や、電流測定装置の発熱に伴い電流測定装置の各種構成部材の熱膨張など、磁気センサと導体との間の距離が変化した場合においても適時出力信号の基準値を校正できるので、導体に流れる電流値を正確に検出することが可能となる。
また本発明は、上記電流測定装置において、前記磁気センサはGMR素子であることが好ましい。
本発明によれば、導体と磁電変換素子との間の距離を補正でき、高感度かつ高精度で被検出電流を検出可能な電流測定装置を提供することができる。
本発明の第1の実施の形態に係る電流測定装置の一例を示す図である。 (a)は、本発明の実施の形態に係る電流測定装置における磁気センサと導体との相対的な位置関係を示す図であり、(b)は、導体中心と磁気センサとの間の距離と磁気センサで検出される磁界強度との相関を示す図である。 本発明の第1の実施の形態に係る電流測定装置の演算処理を示す図である。 本発明の第1の実施の形態に係る電流測定装置の他の例を示す図である。 本発明の第2の実施の形態に係る電流測定装置を示す図である。 本発明の第2の実施の形態に係る電流測定装置の演算処理を示す図である。
以下、本発明の実施の形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
(第1の実施の形態)
本実施の形態に係る電流測定装置は、検出電流が流れる導体と、導体に被検出電流が流れた際に生ずる磁界の変化を検出し、信号を出力する少なくとも2つの磁気センサとを備える。磁気センサから出力された信号は演算部で演算処理され、磁気センサと導体との間の距離の補正と導体を流れる電流値の算出とが共に行われる。以下、図1を参照して、本実施の形態に係る電流測定装置の構成について説明する。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る電流測定装置の一例を示す断面模式図である。図1に示すように、電流測定装置1は、筺体10と、この筺体10内部に配置され、被検出電流が流れる導体11とを備えて構成される。筺体10は、導体11を上下から挟み込む上支持体12及び下支持体13と、上支持体12と下支持体13とを導体11に締付ける取付け手段であるボルト14、15及びナット16、17と、から構成される。導体11は、断面視円形形状を有し、紙面手前−奥側方向に延在している。上支持体12は、導体11の径よりも大きな幅を有し、導体11に対して両側方に貫通孔が設けられている。下支持体13は、上支持体12と対応する形状を有し、上支持体12の貫通孔と対向する位置に貫通孔が設けられている。上支持体12及び下支持体13の貫通孔には、ボルト14、15が上支持体12側から挿通されている。ボルト14、15は、下端が下支持体13の下面から突出し、この突出部分にナット16、17が締め付け可能に構成されている。
上支持体12の内部には、配線を有する基材18と、導体11に流れる電流を検出する磁気センサ19、20とが配置されている。基材18は、主面が導体11の中心部と対向するように、上支持体12内部の中央部に配置されている。基材18の下側(導体11側)の主面にはパッケージング材21が配置され、このパッケージング材21内には磁気センサ19が封入されている。基材18の上側の主面にはパッケージング材22が配置され、このパッケージング材22内には磁気センサ20が配置されている。磁気センサ19、20は、導体11に流れた際に生ずる磁界の変化を検出し、基材18に設けられた配線を介して演算部(不図示)に信号を出力できるように配置されている。すなわち、本実施の形態においては、導体11−磁気センサ19間の距離と導体11−磁気センサ20間の距離とがそれぞれ異なるように磁気センサ19、20が配置されている。このように2つの磁気センサ19、20を配置することにより、導体11に電流が流れた場合に生ずる導体11の周囲の磁界の変化を異なる磁界強度で検出できるように構成されている。
次に、図2(a)、(b)を参照して、磁気センサ19、20と導体11との間の距離と磁気センサ19、20で検出される磁界強度との相関について説明する。なお、図2(a)は、図1に示した電流測定装置1の導体11と磁気センサ19、20と間の相対的な位置関係を模式的に示した図であり、他の構成部材は省略している。図2(b)は、導体11中心Pと磁気センサ19、20との間の距離と磁気センサで検出される磁界強度との相関を示す図である。図2(b)においては、図2(a)に示す導体11と磁気センサ19、20との間の距離rを横軸に示し、磁気センサ19、20で検出される磁界強度Hを縦軸に示している。
図2(a)に示すように、磁気センサ19と導体11の中心Pとは距離D1離れて配置されており、磁気センサ19と磁気センサ20とは、基材18を介して距離D2離れて配置されている。磁気センサ20と導体11の中心Pとは距離D3(D1+D2)離れて配置されている。
図2(b)に示すように、導体11に同一の電流を流した場合において、導体11の中心PとD1離れて配置される磁気センサ19で検出される磁界強度はH1である。一方、導体11の中心PとD1+D2離れて配置される磁気センサ20で検出される磁界強度は、磁気線センサ19で検出されるH1より相対的に小さいH2となる。このように、本実施の形態では、導体11からの距離が大きくなるにつれて磁気センサ19、20で検出される磁界強度が小さくなる。
本発明者らは、上述したような導体11の中心Pと磁気センサ19、20との間の距離と、磁気センサ19、20で検出される磁界強度の大きさと、の相関について詳細に調べた。その結果、図2(b)の曲線L1に示すように、導体11の中心Pと磁気センサ19、20との間の距離rと磁気センサ19、20で検出される磁界強度Hとの間には、下記関係式(1)で表わされる相関があることを見出した。
H=μoI/2πr…式(1)
(式(1)において、μoは真空の透磁率、Hは磁気センサ19、20で検出される磁界強度、rは導体11の中心Pと磁気センサ19、20との間の距離、Iは導体11に流れる電流値を表す。)
また、本発明者らは、上記関係式(1)により、磁気センサ19で検出される磁界強度H1が下記関係式(2)となり、磁気センサ20で検出される磁界強度H2が下記関係式(3)となることに着眼し、事前に設定した磁気センサ19と磁気センサ20との間の距離D2を用いることにより、磁気センサ19と導体11の中心Pとの間の距離D1を下記関係式(4)で補正できることを見出した。そして、下記関係式(4)で補正したD1を用いた下記関係式(5)の演算処理により、磁気センサ19によって導体11に流れる電流値を正確に検出できることを見出した。以下、図3を参照して、下記関係式(2)〜下記関係式(5)を用いた信号処理の具体例について説明する。
H1=μoI/2πD1…式(2)
H2=μoI/2π(D1+D2)…式(3)
D1=D2(H2/H1−1)…式(4)
I=2πD1H1/μo…式(5)
図3は、本実施の形態に係る電流測定装置の信号処理を示す図である。図3に示すように、まず、磁気センサ19の出力信号と磁気センサ20の出力信号とが演算部23に入力される(ステップS1及びステップS2)。演算部23では、磁気センサ19および磁気センサ20の出力信号より、磁界強度H1及びH2を算出し、算出された磁界強度H1、H2及び電流測定装置設計時に設定したD2の値を用い、上記関係式(4)より磁気センサ19と導体11との間の距離D1を補正する(ステップS3)。この演算処理により、磁気センサ19と導体11との間の距離の電流測定装置製造時の誤差、及び電流測定処置の使用条件における磁気センサ19と導体11との間の距離の変化を補正できる。
次に、補正した磁気センサ19と導体11との間の距離D1を用い、上記式(5)によって磁気センサ19に流れる電流値Iを算出する(ステップS4)。次いで、算出された電流値Iが演算部23から出力される(ステップS5)。以上のようにして、磁気センサ19と導体11の中心Pとの間の距離D1が補正され、導体11を流れる正確な電流値を検出することができる。
なお、図3のステップS3に示した導体11と磁気センサ19との間の距離D1の補正は、電流測定装置1の使用時に所定の時定数(タイミング)で行えばよく、必ずしも電流値Iの測定ごとに行う必要はない。例えば、電流測定装置の使用開始時に距離D1の補正を行い、その後は距離D1の補正を行わずに電流値を測定してもよい。また、距離D1が変化しやすい状況では、電流値の測定毎に距離D1を補正してもよい。
なお、図3に示した例は、演算処理の一例を示すものであり、磁気センサ20と導体11との間の距離を補正し、磁気センサ20の出力信号によって導体11を流れる電流値を検出する構成としてもよい。
図1に示した配置例においては、導体11として断面円形の導体を用いる場合について説明しているが、断面が矩形状など、他の形状の導体を用いた場合にも同様に適用することができる。
なお、磁気センサ19、20は、図1に示したように、上支持体12の断面視において、上支持体12主面の垂直方向に対して重なるように配置することが好ましい。このように磁気センサ19、20を配置することにより、各磁気センサ19、20で検出される磁界の影響差を低減することができ、導体11に電流が流れた際に生じる磁界強度の検出誤差を低減することができる。
また、本実施の形態では、磁気センサ19、20は、検出感度がほぼ等しいものを用いることが好ましい。検出感度が等しい磁気センサ19、20を用いることにより、演算処理を軽減でき、導体11を流れる電流値の算出が容易となる。なお、本実施の形態では、検出感度が異なる磁気センサ19、20を用いることもできる。この場合には、磁気センサ19、20の出力信号の処理において、それぞれの検出感度に応じた増幅回路を用いることにより、磁気センサ19、20の検出感度を補正することもできる。この場合には、上記関係式(1)を用い、磁気センサ19、20の検出感度に応じて図2(a)に示した曲線L1を補正することにより、導体11を流れる電流値を算出することが可能となる。
なお、電流測定装置1において磁気センサ19、20の配置は、導体11に電流が流れた際に生じる磁界の変化を異なる検出感度で検出できる範囲であれば特に限定されず、図1に示した例と異なる配置としてもよい。図4に本実施の形態に係る電流測定装置の他の例を示す。図4に示す電流測定装置2においては、上支持体12内において、基材18の導体11側の主面に同一のパッケージング材31に封入された磁気センサ32、33が積層されている。このように、同一のパッケージング材31内に磁気センサ32、33を配置することにより、電流測定装置を小型化することができる。
基材18としては、シリコン基板、ガラス基板、などを用いることができる。また、これらの基板上に酸化シリコンなどの絶縁膜を形成した基板を用いてもよい。
磁気センサ19、20としては、磁束密度の変化を抵抗や電圧に変換する磁電変換作用を有する磁電変換素子であれば特に限定されず、ホール素子、ホールIC,MR素子、GMR(Giant Magneto Resistive effect)素子、TMR素子などを用いることができる。これらの中でも、所望の方向に対しては高い磁場感度を有し、検出対象以外の方向に対しては低い磁場感度を有するGMR素子、TMR素子などを磁気センサ19、20として用いることが好ましい。また、GMR素子としては、反強磁性層、固定磁性層(ピンド層)、非磁性層、フリー磁性層を有する多層膜で構成されるスピンバルブ型GMR素子などを用いることができる。
なお、本実施の形態では、取付け手段としてボルト14、15及びナット16、17を用いたが、上支持体12及び下支持体13を導体11に取り付ける部材であれば各種部材を用いることができる。取付け手段の材質としては、磁気センサ19、20で検出される磁界に影響を及ぼさないものであれば各種材料を用いることができる。これらの中でも導体11の周囲に形成される磁界への影響の小さい非磁性材料を用いることが好ましい。
以上説明したように、本実施の形態によれば、導体11に対して異なる距離に配置された磁気センサ19及び磁気センサ20を用いることにより、磁気センサ19と導体11との間の距離D1を補正することができる。このため、電流測定装置の製造時などに磁気センサ19と導体11の中心Pとの間の距離D1が変化した場合にも、導体11を流れる正確な電流値を検出することができる。特に、導体11に高出力の電流が流れる場合には、導体11の周囲の部材の熱膨張が大きくなることが生じ得るが、本実施の形態によれば、距離D1を補正することにより、正確な電流値を検出することができる。また、磁気センサ19を導体の近傍に配置した場合においても正確な電流値を検出できる。
また、本実施の形態においては、導体11が被覆されている場合においても、磁気センサ19、20の出力信号を用いて磁気センサ19と導体11との間の距離を補正できる。特に、導体11を導体11の材質と異なる材料で被覆する場合には、熱膨張などによる導体11と磁気センサ19との間の距離D1の変化が大きくなることが生じ得る。このような場合においても、正確な電流値を検出することが可能となる。
(第2の実施の形態)
次に、図5を参照して本発明の第2の実施の形態に係る電流測定装置3について説明する。尚、図1に示した電流測定装置1と同一の構成を有する部分には、同一の符号を付して説明を省略し、電流測定装置1との相違点を中心に説明する。
図5に示すように、本実施の形態に係る電流測定装置3は、下支持体13の内部に配線を有する基材51が配置されている。基材51は、下支持体13内部の中央部に、その主面が導体11の中心部と対向するように配置されている。上支持体12内において、基材51の導体11側の主面には、パッケージング材52に封入された磁気センサ53が配置されている。磁気センサ53は、磁気センサ53と導体11との間の距離と、上支持体12内に配置された磁気センサ19と導体11との間の距離と、が等距離になるように下支持体13内に配置されている。磁気センサ53の出力信号は、基材51の配線を介して演算部に出力される。すなわち、電流測定装置3においては、磁気センサ53は、上支持体12内に配置された磁気センサ19、20に対し、導体11を介して下支持体13内に対向配置されている。このように磁気センサ53を配置することにより、磁気センサ53の出力信号を用いて電流測定装置3に作用する地磁気などの外乱ノイズの影響を軽減することができる。
次に、本実施の形態に係る電流測定装置3の検出原理について説明する。
図5に示すように、導体11に紙面手前−奥側方向に電流が流れた際には、平面視において、導体11の周囲に時計回りの向きを有する同心円状の磁界M1が発生する。この磁界M1は、導体11から離れるにつれて磁界強度が小さくなる。一方、地磁気などの外乱ノイズは、磁界M2に示すように、一方向からほぼ均等に作用する。このように、地磁気などの外乱ノイズは、電流測定装置3内においてほぼ均等に作用するので、磁気センサ19で検出される外乱ノイズの磁界強度と磁気センサ53で検出される外乱ノイズとはほぼ等しくなる。このため、磁気センサ19の出力信号と磁気センサ53の出力信号との差分値を算出することにより、磁気センサ19で検出された磁界強度中の外来ノイズ成分を相殺することができるので、さらに導体11を流れる電流の検出精度をさらに向上させることができる。
なお、図5に示すように、磁気センサ19、20、53の配置は、それぞれの磁化容易軸M3(感度軸方向)を同一方向としてもよい。上述したように、導体11に電流が流れた場合、導体11の周囲に時計回りの向きを有する同心円状の磁界M1が発生する。この磁界M1は、上支持体12内に配置された磁気センサ19、20と下支持体13内に配置された磁気センサ53とでは、逆方向に作用する。このため、磁気センサ19、20及び53の磁化容易軸M3の方向を同一方向とした場合、磁気センサ19、20と磁気センサ53とで位相が異なる磁界強度を検出することも可能となる。このように、電流測定装置3では、位相が異なる磁界強度を検出できるので、それぞれの出力信号を用いることにより、更に導体11を流れる電流の検出精度を向上することもできる。
次に、図6を参照して本実施の形態に係る電流測定装置3の信号処理について説明する。なお、図6に示す演算処理においては、説明の重複を避けるため、図3と同一の演算処理についての説明は省略する。
図6に示すように、まず、磁気センサ19の出力信号、磁気センサ20の出力信号、及び磁気センサ53の出力信号が演算部54に入力される(ステップS11〜ステップS13)。演算部54では、磁気センサ19の出力信号及び磁気センサ20の出力信号を用い、磁気センサ19の出力信号と磁気センサ53の出力信号との差分値が検出されると共に(ステップS14)磁気センサ19と導体11との間の距離の補正が行われる(ステップS15)。
次いで、補正後の磁気センサ19の出力信号から算出された電流値と、磁気センサ19の出力信号と磁気センサ53の出力信号との差分値と、を用い、磁気センサ19の出力信号から外乱ノイズ成分を除去して導体11に流れる電流値を算出する(ステップS16)。次いで、算出された電流値が演算部54から出力される(ステップS17)。以上のようにして、電流測定装置3に作用する外乱ノイズの影響を除去することができ、導体11を流れる正確な電流値を算出することができる。
以上説明したように、本実施の形態によれば、導体11を介して磁気センサ19、20と磁気センサ53とを対向配置し、磁気センサ53の出力信号と磁気センサ19の出力信号とを用いて演算処理することにより、電流測定装置3に作用する外乱ノイズの影響を除去することができる。特に、本実施の形態においては、シールド板などの遮蔽板を用いることなく、外乱ノイズの影響を除去できるので、導体11を流れ電流値の検出感度を低下することがない。これにより、特に検出感度及び検出精度が高い電流検出精度を有する電流測定装置を実現することができる。
次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。
[実施例]
図1に示す構成の電流測定装置を作製し、電流の検出感度及び測定誤差を調べた。
基材としては、シリコン基板を酸化した基板を使用した。
磁気センサとしては、GMR素子を使用した。
[比較例]
比較対象としての従来の電流測定装置を作製して電流の検出感度及び測定誤差を調べた。
従来の電流測定装置の構成は、電流が流れる一つの導体に対して、その電流の大きさを検出する磁気センサを一つ設けた構成である。
基材としては、シリコン基板を酸化した基板を使用した。
磁気センサとしては、GMR素子を使用した。
(電流値の測定)
実施例及び比較例で作製した電流測定装置を用いて0から30Aの電流値で2Aごとに出力を測定する条件で検出感度を測定した。結果を表1に示す。なお、表1において、感度は、実施例の電流測定装置で検出された電流値と比較例の電流測定装置で検出された電流値との比較値を示している。また、誤差は電流源に接続したリファレンスの電流プローブの感度を基準とし、実施例及び比較例の電流測定装置で検出された電流値との感度の違いで判断した。
Figure 2011164019
表1に示すように、実施例で用いた電流測定装置は、検出感度が高く、検出誤差が小さかった。一方、比較例として用いた従来の電流測定装置は、検出感度が低く、検出誤差が大きかった。
本発明は上記実施の形態1、2に限定されず、種々変更して実施することができる。また、上記実施の形態1、2における材料、磁気センサの配置位置、厚さ、大きさ、製法などは適宜変更して実施することが可能である。その他、本発明は、本発明の範囲を逸脱しないで適宜変更して実施することができる。
本発明は、電気自動車のモータ駆動用の電流値や、ソーラー電池の電流値を検出する電流検出装置などに適用することが可能である。
1、2、3 電流測定装置
10 筺体
11 導体
12 上支持体
13 下支持体
14、15 ボルト
16、17 ナット
18、51 基材
19、20、32、33、53 磁気センサ
21、22、31、52 パッケージング材
23、54 演算部

Claims (6)

  1. 被検出電流が流れる導体と、前記導体に被検出電流が流れた際に生ずる磁界の変化を検出する少なくとも2つの磁気センサと、前記磁気センサの出力から被検出電流の大きさを算出する演算部とを備え、
    前記少なくとも2つの磁気センサは、前記導体との間にそれぞれ異なる距離をとって配置され、前記演算部は、前記磁気センサの出力から、前記磁気センサと前記導体との間の距離を求め、前記距離を用いて前記被検出電流の大きさを算出することを特徴とする電流測定装置。
  2. 前記演算部は、前記磁気センサの出力を用い、下記関係式(1)を用いた演算処理によって前記被検出電流の大きさを算出することを特徴とする請求項1記載の電流測定装置。
    H=μoI/2πr…式(1)
    (式(1)において、μoは真空の透磁率を表し、Hは磁界強度を表し、rは導体の中心Pと磁気センサとの間の距離を表す。)
  3. 前記少なくとも二つの磁気センサは、同一のパッケージ材に内包されてなることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の電流測定装置。
  4. 前記導体を介して前記磁気センサと対向配置された別の磁気センサを備え、前記演算部は、前記磁気センサの出力と前記別の磁気センサの出力との差分値から外乱ノイズの大きさを検出し、前記外乱ノイズの大きさを用いて前記被検出電流を算出することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の電流測定装置。
  5. 前記演算部は、前記磁気センサと前記導体との間の距離を所定の時定数で補正して前記被検出電流を検出することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の電流測定装置。
  6. 前記磁気センサはGMR素子であることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の電流測定装置。
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