JP2011155568A - 撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】FDキズの影響を考慮した撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】撮影モードと、画素欠陥を検出する画素欠陥検出モードとに設定可能な撮像装置であって、絞りと、フォトダイオードと、フォトダイオードに蓄積された電荷を一旦蓄積し電圧に変換するアンプと、アンプをリセットするリセット手段と、を備えるMOSイメージセンサーと、画素欠陥検出モードに設定されている場合、絞りを閉じ、リセット手段がアンプをリセットした後、アンプが変換した電圧を出力するまでの時間を、撮影モードよりも長くなるようにMOSイメージセンサーを制御する制御手段と、を備える。
【選択図】図1
【解決手段】撮影モードと、画素欠陥を検出する画素欠陥検出モードとに設定可能な撮像装置であって、絞りと、フォトダイオードと、フォトダイオードに蓄積された電荷を一旦蓄積し電圧に変換するアンプと、アンプをリセットするリセット手段と、を備えるMOSイメージセンサーと、画素欠陥検出モードに設定されている場合、絞りを閉じ、リセット手段がアンプをリセットした後、アンプが変換した電圧を出力するまでの時間を、撮影モードよりも長くなるようにMOSイメージセンサーを制御する制御手段と、を備える。
【選択図】図1
Description
本発明はMOSイメージセンサーを搭載した撮像装置に関し、特に、MOSイメージセンサーの画素欠陥を検出できる撮像装置に関する。
特許文献1は、撮像装置を開示する。この撮像装置は、CCDイメージセンサーの画素欠陥を検出する。具体的には、この撮像装置は、同一の撮像条件下で得られた複数の画像信号に基づいてCCDイメージセンサーの欠陥画素アドレスを検出する。
これにより、点滅性欠陥を含めたすべての画素欠陥が補償された高性能な撮像装置を提供できる。
しかしながら、上記特許文献1に開示されている撮像装置は、CCDイメージセンサーの画素欠陥の検出を行うのみである。一方、CMOSイメージセンサーやNMOSイメージセンサー等のMOSイメージセンサーにおいては、CCDイメージセンサーにおいては生じないFD(フローティング・ディフュージョン)キズが発生し得る。特許文献1において、FDキズについては考慮されていない。
本発明は、FDキズの影響を考慮した撮像装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明にかかる撮像装置は、撮影モードと、画素欠陥を検出する画素欠陥検出モードとに設定可能な撮像装置であって、絞りと、フォトダイオードと、フォトダイオードに蓄積された電荷を一旦蓄積し電圧に変換するアンプと、アンプをリセットするリセット手段と、を備えるMOSイメージセンサーと、画素欠陥検出モードに設定されている場合、絞りを閉じ、リセット手段がアンプをリセットした後、アンプが変換した電圧を出力するまでの時間を、撮影モードよりも長くなるようにMOSイメージセンサーを制御する制御手段と、を備える。
これにより、FDキズの影響を考慮した撮像装置を提供できる。
〔1.実施の形態1〕
〔1−1.構成〕
〔1−1−1.電気的構成〕
本実施の形態にかかるデジタルビデオカメラ100の電気的構成について、図1を用いて説明する。図1は、デジタルビデオカメラ100の構成を示すブロック図である。デジタルビデオカメラ100は、ズームレンズ110等からなる光学系により形成された被写体像をCMOSイメージセンサー180で撮像する。CMOSイメージセンサー180で生成された映像データは、画像処理部190で各種処理が施され、メモリカード240に格納される。また、メモリカード240に格納された映像データは、液晶モニタ270で表示可能である。以下、デジタルビデオカメラ100の構成を詳細に説明する。
〔1−1.構成〕
〔1−1−1.電気的構成〕
本実施の形態にかかるデジタルビデオカメラ100の電気的構成について、図1を用いて説明する。図1は、デジタルビデオカメラ100の構成を示すブロック図である。デジタルビデオカメラ100は、ズームレンズ110等からなる光学系により形成された被写体像をCMOSイメージセンサー180で撮像する。CMOSイメージセンサー180で生成された映像データは、画像処理部190で各種処理が施され、メモリカード240に格納される。また、メモリカード240に格納された映像データは、液晶モニタ270で表示可能である。以下、デジタルビデオカメラ100の構成を詳細に説明する。
デジタルビデオカメラ100の光学系は、ズームレンズ110、OIS140、フォーカスレンズ170を含む。ズームレンズ110は、光学系の光軸に沿って移動することにより、被写体像を拡大又は縮小可能である。また、フォーカスレンズ170は、光学系の光軸に沿って移動することにより、被写体像のピントを調整する。
OIS140は、内部に光軸に垂直な面内で移動可能な補正レンズを有する。OIS140は、デジタルビデオカメラ100の振れを相殺する方向に補正レンズを駆動することにより、被写体像の振れを低減する。
ズームモータ130は、ズームレンズ110を駆動する。ズームモータ130は、パルスモータやDCモータ、リニアモータ、サーボモータなどで実現してもよい。ズームモータ130は、カム機構やボールネジなどの機構を介してズームレンズ110を駆動するようにしてもよい。検出器120は、ズームレンズ110が光軸上でどの位置に存在するのかを検出する。検出器120は、ズームレンズ110の光軸方向への移動に応じて、ブラシ等のスイッチによりズームレンズの位置に関する信号を出力する。
OISアクチュエータ150は、OIS140内の補正レンズを光軸と垂直な面内で駆動する。OISアクチュエータ150は、平面コイルや超音波モータなどで実現できる。また、検出器160は、OIS140内における補正レンズの移動量を検出する。
CMOSイメージセンサー180は、ズームレンズ110等からなる光学系で形成された被写体像を撮像して、映像データを生成する。CMOSイメージセンサー180は、露光、転送、電子シャッタなどの各種動作を行う。CMOSイメージセンサー180の各画素は、点滅キズやFDキズ等の画素欠陥を有している場合がある。
画像処理部190は、CMOSイメージセンサー180で生成された映像データに対して各種の処理を施す。画像処理部190は、CMOSイメージセンサー180で生成された映像データに対して処理を施し、液晶モニタ270に表示するための映像データを生成したり、メモリカード240に再格納するための映像データを生成したりする。例えば、画像処理部190は、CMOSイメージセンサー180で生成された映像データに対してガンマ補正やホワイトバランス補正、キズ補正などの各種処理を行う。また、画像処理部190は、CMOSイメージセンサー180の出力が所定の値よりも大きいか否かを判定し、各画素の点滅キズやFDキズ等の画素欠陥を検出する。また、画像処理部190は、CMOSイメージセンサー180で生成された映像データに対して、H.264規格やMPEG2規格に準拠した圧縮形式等により映像データを圧縮する。画像処理部190は、DSPやマイコンなどで実現可能である。
コントローラー210は、全体を制御する制御手段である。コントローラー210は、半導体素子などで実現可能である。コントローラー210は、ハードウェアのみで構成してもよいし、ハードウェアとソフトウェアとを組み合わせることにより実現してもよい。コントローラー210は、マイコンなどで実現できる。
メモリ200は、画像処理部190及びコントローラー210のワークメモリとして機能する。メモリ200は、例えば、DRAM、強誘電体メモリなどで実現できる。
液晶モニタ270は、CMOSイメージセンサー180で生成した映像データが示す画像や、メモリカード240から読み出した映像データが示す画像を表示可能である。
ジャイロセンサー220は、圧電素子等の振動材等で構成される。ジャイロセンサー220は、圧電素子等の振動材を一定周波数で振動させコリオリ力による力を電圧に変換して角速度情報を得る。ジャイロセンサー220から角速度情報を得、この揺れを相殺する方向にOIS内の補正レンズを駆動させることにより、デジタルビデオカメラ100は、使用者による手振れを補正する。
カードスロット230は、メモリカード240を着脱可能である。カードスロット230は、機械的及び電気的にメモリカード240と接続可能である。メモリカード240は、フラッシュメモリや強誘電体メモリなどを内部に含み、データを格納可能である。
内部メモリ280は、フラッシュメモリや強誘電低メモリなどで構成される。内部メモリ280は、デジタルビデオカメラ100全体を制御するための制御プログラム等を格納する。また、内部メモリ280は、前記画像処理部190がCMOSイメージセンサー180の画素欠陥を検出した場合に、その画素のアドレス情報等を格納する。
操作部材250は、使用者から画像の撮像指示を受け付ける部材である。ズームレバー260は、使用者からズーム倍率の変更指示を受け付ける部材である。
〔1−1−2.CMOSイメージセンサーの画素の回路構成〕
CMOSイメージセンサー180の画素の回路構成について、図2を用いて説明する。図2において、PD910は、撮像光を受光し電荷に変換するフォトダイオードである。転送部920は、PD910に蓄積された電荷をFD930に読み出すスイッチである。FD930は転送部920によって読み出された電荷を信号電圧に変換するフローティング・ディフュージョン・アンプである。リセット部940はFD930に蓄積された信号電圧をリセットするスイッチである。選択部950はFD930に蓄積された信号電圧を列信号線に読み出すスイッチである。
CMOSイメージセンサー180の画素の回路構成について、図2を用いて説明する。図2において、PD910は、撮像光を受光し電荷に変換するフォトダイオードである。転送部920は、PD910に蓄積された電荷をFD930に読み出すスイッチである。FD930は転送部920によって読み出された電荷を信号電圧に変換するフローティング・ディフュージョン・アンプである。リセット部940はFD930に蓄積された信号電圧をリセットするスイッチである。選択部950はFD930に蓄積された信号電圧を列信号線に読み出すスイッチである。
S/H部960は列信号線に読み出された信号電圧をサンプルとホールド動作するスイッチである。COMP970はサンプル・ホールドされた信号電圧を参照信号と比較してデジタル信号に変換するコンパレータである。
各スイッチを適切に制御することでCMOSイメージセンサー180は、撮像光の受光から信号の出力までの一連の動作をすることができる。この動作の詳細については後述する。
〔1−2.動作〕
〔1−2−1.CMOSイメージセンサー180の各画素の撮像中の駆動動作〕
CMOSイメージセンサー180の各画素の撮像中の駆動動作について、図3を用いて説明する。まず、注目する画素の信号電圧を出力するために選択部950のスイッチをONにする(パルスを立ち上げる)。次に、リセット部940のスイッチをONにしてFD930をリセット電圧まで引き上げ、残留している信号電圧を除去する。この状態でS/H部960のスイッチをONとし、リセット電圧をサンプル・ホールドする。次に転送部920のスイッチをONにしてPD910に蓄積された電荷をFD930に読み出す。引き続いて再度S/H部960のスイッチをONとし、信号電圧をサンプル・ホールドする。
〔1−2−1.CMOSイメージセンサー180の各画素の撮像中の駆動動作〕
CMOSイメージセンサー180の各画素の撮像中の駆動動作について、図3を用いて説明する。まず、注目する画素の信号電圧を出力するために選択部950のスイッチをONにする(パルスを立ち上げる)。次に、リセット部940のスイッチをONにしてFD930をリセット電圧まで引き上げ、残留している信号電圧を除去する。この状態でS/H部960のスイッチをONとし、リセット電圧をサンプル・ホールドする。次に転送部920のスイッチをONにしてPD910に蓄積された電荷をFD930に読み出す。引き続いて再度S/H部960のスイッチをONとし、信号電圧をサンプル・ホールドする。
以上の駆動動作により、図3の画素信号に示すようにFD930の電位が変動することになる。この期間において選択部950のスイッチはONのままになっているため、サンプル・ホールドされた各信号電圧は前記のCOMP970に入力される。同時にCOMP970にはランプ波形状の参照信号が入力されており、信号電圧と比較された結果、一致した箇所の参照信号のレベルをデジタル信号として出力する。以上の動作で得られた2つのデジタル信号(リセットレベルと信号レベル)は、後に差分を取ることで純粋な画素信号振幅として抽出することが出来る。また、この動作はCMOSイメージセンサー180上の水平方向に配置された一行分の全画素に対して同時に行われる。なお、図3中に示すようにリセット部940のスイッチが動作した直後から2回目のサンプル・ホールド動作直後すなわち信号レベルのサンプル・ホールドまでの期間はFDリーク成分が蓄積される期間であり、以下FDリーク時間と記す。
以上の動作が完了次第、抽出された画素信号を順次出力していく。図4は前記動作の結果得られる画素出力構成である。図4において、HD410は水平方向の開始・終了の基準となる水平同期信号である。VD420は垂直方向の開始・終了の基準となる垂直同期信号である。水平ブランキング期間430(HBLK430)は前述の駆動動作等を行う期間を示す水平ブランキング期間である。OB出力期間440はPD910上を物理的に遮光され暗時の基準となる画素信号(オプティカル・ブラック)を出力する期間である。マージン期間450はOB出力期間440との境界に位置し信号出力が不正規となるため映像データとして使用しない無効な画素を出力する期間である。有効画素期間460は実際に映像データとして使用する有効な画素信号を出力する期間である。なお、デジタルビデオカメラ100において前記VDの単位区間が1フレームを示しており、例えば約1/60秒ないし1/50秒で構成される。
〔1−2−2.FDキズの検出方法〕
本発明の実施の形態にかかるFDキズの検出方法について図5、図6を用いて説明する。本実施の形態にかかるデジタルビデオカメラ100は、被写体像を撮影する撮影モードと、CMOSイメージセンサー180の画素欠陥を検出する画素欠陥検出モードとに設定できる。画素欠陥検出モードにおいて、デジタルビデオカメラ100は、CMOSイメージセンサー180の欠陥画素を検出し、検出した欠陥画素を内部メモリ280に記憶する。デジタルビデオカメラ100は、FDキズを検出するためにCMOSイメージセンサー180の画素欠陥を強調する駆動をする。図5はFDキズを検出するための強調駆動の動作を示すタイミングチャートである。
本発明の実施の形態にかかるFDキズの検出方法について図5、図6を用いて説明する。本実施の形態にかかるデジタルビデオカメラ100は、被写体像を撮影する撮影モードと、CMOSイメージセンサー180の画素欠陥を検出する画素欠陥検出モードとに設定できる。画素欠陥検出モードにおいて、デジタルビデオカメラ100は、CMOSイメージセンサー180の欠陥画素を検出し、検出した欠陥画素を内部メモリ280に記憶する。デジタルビデオカメラ100は、FDキズを検出するためにCMOSイメージセンサー180の画素欠陥を強調する駆動をする。図5はFDキズを検出するための強調駆動の動作を示すタイミングチャートである。
CMOSイメージセンサー180を強調駆動する際、まず、不図示の絞りでCMOSイメージセンサー180の受光面を遮断する(絞りを閉じる)。次に図5における選択部950のスイッチをONにした後、リセット部940のスイッチをONにしてFD930をリセット電圧まで引き上げ、残留している信号電圧を除去する。この状態でS/H部960のスイッチをONとし、リセット電圧をサンプル・ホールドする。ここで一定期間この状態を保持することにより、FDリーク時間を引き延ばす。具体的には、撮影モードに設定されている場合よりも長時間この状態を保持することによりFDリーク時間を引き延ばす。
次に転送部920のスイッチをONにしてPD910に蓄積された電荷をFD930に読み出す。引き続いて再度S/H部960のスイッチをONとし、信号電圧をサンプル・ホールドする。
以上の駆動動作により、図5の画素信号に示すようにFD930の電位が変動することになる。この期間において選択部950のスイッチはONのままになっているため、サンプル・ホールドされた各信号電圧は前記のCOMP970に入力される。同時にCOMP970にはランプ波形状の参照信号が入力されており、信号電圧と比較された結果、一致した箇所の参照信号のレベルをデジタル信号として出力する。
以上の動作で得られた2つのデジタル信号(リセットレベルと信号レベル)は、後に差分を取ることでFDリーク成分となる。また、この動作はCMOSイメージセンサー180上の水平方向に配置された一行分の全画素に対して同時に行われる。
ここで、前述したFDリーク時間の決め方について下記詳細に述べる。FDキズはFDリーク時間に比例して伸長する特性を持っているため、FDリーク時間を引き延ばすことによりFDキズの信号レベルを高くすることが出来る。その結果、FDキズ検出時に暗電流成分等の影響を受けずにFDキズを検出することが可能となる。FDリーク時間はできるだけ長い方がFDキズの高い強調効果を得られるが、デジタルビデオカメラ100においては前述のように1フレームが約1/60秒ないし1/50秒で構成されるため、この制約の範囲内で最大のFDリーク時間をとる方が効果的である。また、CMOSイメージセンサー180の動作は前述のように水平方向に配置された一行分の全画素に対して同時に行われる。そこでFDキズ検出動作時には最小限の画素のみを読み出すこととし、1HD期間における画素出力期間を短くすることによって水平ブランキング期間を長く確保する。すなわち図4におけるOB出力期間440およびマージン期間450の水平部分を読み出さずにスキップし、水平ブランキング期間430をその分長くすることでFDリーク時間も長く出来る。
以上の動作の結果得られる画素出力構成を図6に示す。図6において、HD610は水平方向の開始・終了の基準となる水平同期信号である。VD620は垂直方向の開始・終了の基準となる垂直同期信号である。水平ブランキング期間630(HBLK630)は前述の駆動動作等を行う期間を示す水平ブランキング期間630である。OB出力期間640はPD910上を物理的に遮光され暗時の基準となる画素信号(オプティカル・ブラック)を出力する期間である。マージン期間650はOB出力期間640との境界に位置し信号出力が不正規となるため映像データとして使用しない無効な画素を出力する期間である。有効画素期間660は実際に映像データとして使用する有効な画素信号を出力する期間である。前述のようにOB出力期間640およびマージン期間650の水平部分はスキップされ、その分水平ブランキング期間630の水平幅が長く確保されている。
このようにして得られたFDキズ成分を検出するために、図1における画像処理部190は図6に示す画素出力構成にあわせてキズ補正の処理範囲を変更する。すなわちOB出力期間640およびマージン期間650の水平部分を除いた有効画素期間660のみを参照してFDキズを補正する。なお、本発明にかかるデジタルビデオカメラ100において、画像処理部190で行われるキズ補正は、公知のキズ補正方法であり、特許文献1に開示されている「欠陥アドレスが登録された画素に関しての近隣画素による補完」が採用されている。
以上の動作により、FDリークに起因する画素欠陥を正確に検出・補正でき、高品位な映像を得ることが出来る。本発明を実施しない場合、FDキズレベルを伸長することが出来ないため画素欠陥検出時に暗電流成分等のノイズ成分と切り分けが出来ず、FDキズの位置を正しく検出することが出来ない。
〔2.他の実施の形態〕
以上により、本発明の実施の形態として、実施の形態1を説明した。しかし、本発明は、これらには限定されない。そこで、本発明の他の実施の形態を本欄にまとめて説明する。
〔2.他の実施の形態〕
以上により、本発明の実施の形態として、実施の形態1を説明した。しかし、本発明は、これらには限定されない。そこで、本発明の他の実施の形態を本欄にまとめて説明する。
本実施の形態にかかるデジタルカメラ100の光学系及び駆動系は、図1に示すものに限定されない。例えば、図1では3群構成の光学系を例示しているが、他の群構成のレンズ構成としてもよい。また、それぞれのレンズは、1つのレンズで構成してもよく、複数のレンズから構成されるレンズ群として構成してもよい。
また、実施の形態1では、撮像手段として、CMOSイメージセンサー180を例示したが、本発明はこれに限定されない。例えば、NMOSイメージセンサーで構成してもよい。
また、実施の形態1では、1フレームの時間が約1/60秒ないし1/50秒に制約された条件下で例示したが、本発明はこれに限定されない。例えば図7に示すように1HD期間を2倍に伸長することで、より高いFDキズ強調を行うことも出来る。この場合、1フレームの時間は約1/30秒若しくは1/25秒となるが、図1における画像処理部190等の動作をこれにあわせることで同様にFDキズ補正が可能となる。なお、1HD期間の伸長は2倍に限ったことではなく、3倍以上でも同様の効果が得られることはいうまでもない。
本発明は、デジタルビデオカメラ、デジタルスチルオカメラ、カメラ機能付き携帯電話に適用できる。
100 デジタルビデオカメラ
110 ズームレンズ
120 検出器
130 ズームモータ
140 OIS
150 OISアクチュエータ
160 検出器
170 フォーカスレンズ
180 CMOSイメージセンサー
190 画像処理部
200 メモリ
210 コントローラー
220 ジャイロセンサー
230 カードスロット
240 メモリカード
250 操作部材
260 ズームレバー
270 液晶モニタ
280 内部メモリ
410 HD
420 VD
430 HBLK
440 OB出力期間
450 マージン期間
460 有効画素期間
610 HD
620 VD
630 HBLK
640 OB出力期間
650 マージン期間
660 有効画素期間
710 HD
720 VD
730 HBLK
740 OB出力期間
750 マージン期間
760 有効画素期間
910 PD
920 転送部
930 FD
940 リセット部
950 選択部
960 S/H部
970 COMP
110 ズームレンズ
120 検出器
130 ズームモータ
140 OIS
150 OISアクチュエータ
160 検出器
170 フォーカスレンズ
180 CMOSイメージセンサー
190 画像処理部
200 メモリ
210 コントローラー
220 ジャイロセンサー
230 カードスロット
240 メモリカード
250 操作部材
260 ズームレバー
270 液晶モニタ
280 内部メモリ
410 HD
420 VD
430 HBLK
440 OB出力期間
450 マージン期間
460 有効画素期間
610 HD
620 VD
630 HBLK
640 OB出力期間
650 マージン期間
660 有効画素期間
710 HD
720 VD
730 HBLK
740 OB出力期間
750 マージン期間
760 有効画素期間
910 PD
920 転送部
930 FD
940 リセット部
950 選択部
960 S/H部
970 COMP
Claims (2)
- 撮影モードと、画素欠陥を検出する画素欠陥検出モードとに設定可能な撮像装置であって、
絞りと、
フォトダイオードと、前記フォトダイオードに蓄積された電荷を一旦蓄積し電圧に変換するアンプと、前記アンプをリセットするリセット手段と、を備えるMOSイメージセンサーと、
前記画素欠陥検出モードに設定されている場合、前記絞りを閉じ、前記リセット手段が前記アンプをリセットした後、前記アンプが変換した電圧を出力するまでの時間を、前記撮影モードよりも長くなるように前記MOSイメージセンサーを制御する制御手段と、を備える、
撮像装置。 - 前記画素欠陥検出モードに設定されている場合において、前記MOSイメージセンサーの出力が所定の値よりも大きいか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段が所定の値よりも大きいと判断した場合に、その画素に関する情報を記憶する記憶手段と、をさらに備える、
請求項1に記載の撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010016560A JP2011155568A (ja) | 2010-01-28 | 2010-01-28 | 撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010016560A JP2011155568A (ja) | 2010-01-28 | 2010-01-28 | 撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011155568A true JP2011155568A (ja) | 2011-08-11 |
Family
ID=44541185
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP (1) | JP2011155568A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014116830A (ja) * | 2012-12-11 | 2014-06-26 | Canon Inc | 撮像装置及び欠陥画素検出方法 |
-
2010
- 2010-01-28 JP JP2010016560A patent/JP2011155568A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014116830A (ja) * | 2012-12-11 | 2014-06-26 | Canon Inc | 撮像装置及び欠陥画素検出方法 |
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