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JP2011151239A - Lead frame for led and method for manufacturing led module - Google Patents

Lead frame for led and method for manufacturing led module Download PDF

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JP2011151239A
JP2011151239A JP2010011908A JP2010011908A JP2011151239A JP 2011151239 A JP2011151239 A JP 2011151239A JP 2010011908 A JP2010011908 A JP 2010011908A JP 2010011908 A JP2010011908 A JP 2010011908A JP 2011151239 A JP2011151239 A JP 2011151239A
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Japan
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led
island
resin
lead frame
islands
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JP2010011908A
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Japanese (ja)
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Osamu Yoshioka
修 吉岡
Yoshitaka Ikeda
佳隆 池田
Taketo Tsukamoto
健人 塚本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
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    • H10W72/884
    • H10W74/00
    • H10W90/756

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Abstract

【課題】複数のLEDを高密度に搭載するのに好適なリードフレームであって、リードフレーム相互を樹脂が強固に密着できるような構造のリードフレームを提供するする。
【解決手段】複数のリード用アイランドと、各リード用アイランドに対応したLEDチップ搭載用のパッド部とリード用アイランドとが一体となった複数の共通アイランドとを有し、各リード用アイランドと、対応しない隣接する共通アイランドとを連結するタイバーとを備え、リード用アイランドもしく共通アイランドの少なくとも一方が吊りバーによりサポートフレームに連結していることを特徴とするLED用リードフレームである。
【選択図】図2
Provided is a lead frame suitable for mounting a plurality of LEDs at high density, and having a structure in which a resin can firmly adhere to each other.
A plurality of lead islands, and a plurality of common islands in which a lead island and an LED chip mounting pad corresponding to each lead island are integrated; An LED lead frame comprising: a tie bar that connects adjacent non-corresponding common islands, wherein at least one of the lead island or the common island is connected to a support frame by a suspension bar.
[Selection] Figure 2

Description

本発明は、複数個の発光ダイオードを面状に搭載するためのリードフレームの構造及びそれを用いたLEDモジュールの製造方法に関する。   The present invention relates to a structure of a lead frame for mounting a plurality of light emitting diodes in a planar shape, and a method of manufacturing an LED module using the lead frame.

一般的に、ウエハープロセスで製造される半導体集積回路(LSI、IC)や発光ダイオード(LED:Light Emitting Diode)等の電子素子は、厚みが1mm以下で大きさも1cm程度以下と小さく、また電力を供給して電気信号を入出力するための微細な端子を備え、端子数は数十から数千に至る場合もある。 In general, an electronic element such as a semiconductor integrated circuit (LSI, IC) or a light emitting diode (LED) manufactured by a wafer process has a thickness of 1 mm or less and a size of about 1 cm 2 or less, and power. In some cases, the number of terminals may be from several tens to several thousand.

したがって、これらの電子素子は、電子素子に形成された端子と同じピッチの端子を一方の面に有し、簡単で強固に外部装置に接続できる程度にまで拡大されたピッチの端子を他方の面に備える特別な基板に搭載して使用に供される。外部との電気接続は、この特別の基板の他方の面に形成された拡大されたピッチを有する端子を介してなされる。   Therefore, these electronic devices have terminals on one surface with the same pitch as the terminals formed on the electronic device, and terminals on the other surface with a pitch expanded to such an extent that it can be easily and firmly connected to an external device. It is mounted on a special board to prepare for use. Electrical connection to the outside is made through terminals having an enlarged pitch formed on the other surface of this special substrate.

ここで本発明の係わる電子素子としてのLEDやSiダイオードについては、電力を印加するだけの、端子を2個有する2端子型の電子素子であり、端子数が数百にも及ぶLSIやICに較べると端子数は少なく、当該電子素子(LEDやSiダイオード)を搭載する基板のサイズの問題を度外視すれば微細配線形成に伴う困難はほとんどない。   Here, the LED or Si diode as the electronic element according to the present invention is a two-terminal type electronic element having only two terminals to which electric power is applied, and is suitable for LSIs and ICs having hundreds of terminals. In comparison, the number of terminals is small, and if the problem of the size of the substrate on which the electronic element (LED or Si diode) is mounted is not taken into consideration, there is almost no difficulty in forming fine wiring.

したがって、2端子のLEDを搭載する特別な基板としては、LSIやIC用に開発されたセラミック基板、プリント基板、リードフレーム等をほとんどそのままの形で利用することができる。   Therefore, as a special substrate on which the two-terminal LED is mounted, a ceramic substrate, a printed circuit board, a lead frame, or the like developed for LSI or IC can be used almost as it is.

セラミック基板は、電気特性は良好であり、熱膨張率が低く、信頼性も優秀であるが、価格が高いという欠点がある。また、セラミックは、熱伝導性が樹脂よりは勝るが金属よりは劣るので、LEDに生じた熱を放散するために、一定の厚みの金属からなる放熱板をLEDに接する形で具える必要があるため、薄く、軽くすることが難しいという問題もある。LEDを液晶表示装置のバックライトとして使用する場合には、薄く、望ましくは軽くすることは特に重要な因子である。   A ceramic substrate has good electrical characteristics, a low coefficient of thermal expansion, and excellent reliability, but has a drawback of high cost. In addition, ceramic has better thermal conductivity than resin but is inferior to metal. Therefore, in order to dissipate the heat generated in the LED, it is necessary to provide a heat sink made of metal with a certain thickness in contact with the LED. Therefore, there is a problem that it is difficult to make it thin and light. When an LED is used as a backlight of a liquid crystal display device, it is a particularly important factor to make it thin and preferably light.

また、2端子のLEDを搭載する電子素子搭載用の基板として、プリント基板を用いた場合は、プリント基板の基材であるエポキシ樹脂やガラスエポキシ樹脂が、セラミックや金属に較べると熱抵抗が高いという問題があり、それを解消するため、基板の内層にCu(銅)、あるいはAl(アルミ)等の金属板を挿入したプリント基板を採用せざるを得ない。また、LEDから発せられた光を光源として効率よく利用するため、LEDから発せられた光を反射させ、その反射光を利用することも有るが、高光反射率を確保するために、LEDの背部の基板表面に光反射性のセラミックインクを塗布する工程を必要とし、いずれの処理も高価格化を伴うものである。   Moreover, when a printed circuit board is used as a substrate for mounting an electronic element on which a two-terminal LED is mounted, an epoxy resin or a glass epoxy resin that is a base material of the printed circuit board has a higher thermal resistance than a ceramic or a metal. In order to solve this problem, a printed board in which a metal plate such as Cu (copper) or Al (aluminum) is inserted into the inner layer of the board must be employed. In addition, in order to efficiently use the light emitted from the LED as a light source, the light emitted from the LED may be reflected and the reflected light may be used, but in order to ensure high light reflectance, the back of the LED A process of applying a light-reflective ceramic ink to the surface of the substrate is required, and both processes are expensive.

これに対し、電子素子搭載用に用いられるリードフレームは、多端子の電子素子の搭載には向かないが、板状の鉄−ニッケル等の合金薄板、銅−ニッケル−錫等の合金薄板からなるリードフレーム用金属材料を、塩化第二鉄等のエッチャントを用いてフォトエッチング加工するか、金型による打ち抜き加工にて製造することが可能なため極めて廉価に得ることが出来る。   On the other hand, a lead frame used for mounting an electronic element is not suitable for mounting a multi-terminal electronic element, but is composed of a plate-shaped alloy thin plate such as iron-nickel or an alloy thin plate such as copper-nickel-tin. Since the lead frame metal material can be manufactured by photo-etching using an etchant such as ferric chloride or by punching using a mold, it can be obtained at a very low cost.

一個のLEDチップを搭載するためのリードフレームとしては、計3個のアイランドを
備えたものが知られている。かかるリードフレームは、LEDチップが搭載される主表面としてのパッド部(アイランド部)と、該LEDチップと電気的接続をとるための、相互に電気的に絶縁され、かつ、パッド部(アイランド部)とも電気的に絶縁された二つのリード用アイランドとの計3個のアイランドを備えるものである。また、一個のLEDチップを搭載するためのリードフレームとして、計2個のアイランドを備えたものも知られている。すなわち、パッド部と前記2つのリード用アイランドのうちの一方のリード用アイランドとを共通にした1つの共通アイランドと、1つのリード用アイランドとの計2個のアイランドを備えるものである。
As a lead frame for mounting one LED chip, one having a total of three islands is known. Such a lead frame has a pad portion (island portion) as a main surface on which the LED chip is mounted and a pad portion (island portion) that is electrically insulated from each other for electrical connection with the LED chip. ) And three islands including two lead islands that are electrically insulated. Further, a lead frame for mounting one LED chip is also known which has a total of two islands. That is, a total of two islands are provided, one common island in which the pad portion and one of the two lead islands are shared, and one lead island.

図4は、2個のアイランドを有するリードフレームを使用したLEDモジュール40の一例の断面視の図である。リードフレームのLEDチップを搭載するパッド部41aは、その主表面側にLED44が搭載され、その裏面は空気中に露出されておりLED44から発生するジュール熱を放散させる。図示はしないが裏面には、放熱効率を高めるための放熱板が装着されることもある。LED44は、銀ペースト、半田などの導電性材料47を介してLEDチップ搭載部と一体となった一方の電極であるパッド部41aに接続し、他方の電極となるリード用アイランド41bとは金属ワイヤー45で電気的に接続させている。
また、LED44を囲むように内側が順傾斜する樹脂からなる土手43が形成され、該土手内部はLED44と金属ワイヤー45を覆うように封止用樹脂層46が埋設されている。土手43の内側には金属膜などからなる反射膜48が形成されることもある。二つのアイランド41a,41bは、短絡しないようにスリット42により完全に分離されており、スリット42には充填用絶縁樹脂49が充填されている。
FIG. 4 is a cross-sectional view of an example of an LED module 40 using a lead frame having two islands. The pad portion 41a on which the LED chip of the lead frame is mounted has the LED 44 mounted on its main surface side, and its back surface is exposed to the air, so that Joule heat generated from the LED 44 is dissipated. Although not shown, a heat radiating plate for improving the heat radiation efficiency may be attached to the back surface. The LED 44 is connected to a pad portion 41a which is one electrode integrated with the LED chip mounting portion through a conductive material 47 such as silver paste or solder, and the lead island 41b which is the other electrode is a metal wire It is electrically connected at 45.
Further, a bank 43 made of a resin whose inside is inclined forward is formed so as to surround the LED 44, and a sealing resin layer 46 is embedded in the bank so as to cover the LED 44 and the metal wire 45. A reflective film 48 made of a metal film or the like may be formed inside the bank 43. The two islands 41a and 41b are completely separated by a slit 42 so as not to short-circuit, and the slit 42 is filled with an insulating resin 49 for filling.

リードフレームは、図4から容易に理解できるように、金属部分だけに着目すれば互いに絶縁された複数の板状の金属片からなるアイランド41a,41bで構成されている。   As can be easily understood from FIG. 4, the lead frame is composed of islands 41a and 41b made of a plurality of plate-shaped metal pieces insulated from each other when attention is paid only to the metal portion.

したがって、リードフレームを製造するにあたり、手法的には、先ずアイランドとなる板状金属片11が一定の配置をとって、素材となる金属板からバラケないように、吊りバー12を介してサポートフレーム13にアイランド14を固定したリードフレーム基材10を形成する必要がある(図1(a)、(b)を参照)。次いで、相互の電気的導通を絶つために吊りバー12を最終的に切断する必要があるが、切断に先立ち、金属片11が、不要なサポートフレーム13から切り離されても分離しないように、アイランドとサポートフレーム13とが形成された部位以外の開口部19を樹脂で埋設して固定する。次に、LEDチップ16をリードフレーム基材の所定位置に固定して配線加工と封止加工を施す。しかる後、吊りバー部分12を断裁してサポートフレーム13から切り離して個々のLEDモジュールに相当する物を得、さらに保護ケース等に収容するケーシング加工を行って最終的に複数個のLEDモジュールを得る。この一連の加工処理は、個片にされるまでは、枚葉の金属基板あるいは長尺の金属板に多面付けすることで同時になされる。   Therefore, when manufacturing a lead frame, the method is to use a support frame via the suspension bar 12 so that the plate-like metal pieces 11 serving as islands are arranged in a certain manner and are not separated from the metal plate used as a material. It is necessary to form the lead frame base material 10 in which the island 14 is fixed to 13 (see FIGS. 1A and 1B). Then, it is necessary to finally cut the suspension bar 12 in order to break the electrical continuity with each other. However, prior to cutting, the island 11 is not separated even if the metal piece 11 is cut off from the unnecessary support frame 13. And the opening 19 other than the part where the support frame 13 is formed are embedded and fixed with resin. Next, the LED chip 16 is fixed to a predetermined position of the lead frame base material, and wiring processing and sealing processing are performed. After that, the suspension bar portion 12 is cut and separated from the support frame 13 to obtain the corresponding LED module, and further, the casing processing that is accommodated in a protective case or the like is performed to finally obtain a plurality of LED modules. . This series of processing is performed simultaneously by applying multiple faces to a single metal substrate or a long metal plate until it is made into individual pieces.

1個のLEDチップを搭載するリードフレーム基材を、金属板から多面取りするための多連リードフレームのフレームパターンについては特許文献1に記載がある。これによれば、1個のLEDチップに割り当てられているアイランドの数は、図4に示すように2つである。すなわち、1つのリード用アイランドと、当該リード用アイランドに対応した1つの共通アイランドとの2つのアイランドからなり、サポートフレームに支持された該アイランドを縦方向と横方向に周期的に並べた構成である。   Patent Document 1 describes a frame pattern of a multiple lead frame for taking a multiple surface of a lead frame substrate on which a single LED chip is mounted from a metal plate. According to this, the number of islands allocated to one LED chip is two as shown in FIG. In other words, the island is composed of two islands, one lead island and one common island corresponding to the lead island, and the islands supported by the support frame are arranged periodically in the vertical and horizontal directions. is there.

この他、下記特許文献2〜5には、LED等の電子素子を担持体へ搭載する技術、蓄熱を防止するための放熱技術が記載されている。   In addition, Patent Documents 2 to 5 below describe a technique for mounting an electronic element such as an LED on a carrier and a heat dissipation technique for preventing heat storage.

特許4205135号Japanese Patent No. 4205135 特開2003−347600号公報JP 2003-347600 A 特開2004−172160号公報JP 2004-172160 A 特開2007−220925号公報JP 2007-220925 A 特開2003−8071号公報JP 2003-8071 A

LEDチップは単体で使用されることは無論のこと、発光量(発光密度)を増やしたり、発光色の調整のために複数のLEDチップを平面的に近接して並べて使用する場合がある。特に、液晶表示装置用のバックライトとしては、光強度が強くなるように複数個のLEDチップを面状に並べて備えた、軽くて薄い光源が特に求められている。   Needless to say, the LED chip is used alone. In some cases, a plurality of LED chips are arranged in close proximity to each other in order to increase the light emission amount (light emission density) or to adjust the light emission color. In particular, as a backlight for a liquid crystal display device, a light and thin light source including a plurality of LED chips arranged in a plane shape so as to increase the light intensity is particularly required.

LEDチップを複数個密集させる場合には、通常は図4に示したような個別に樹脂充填と封止加工がされたLEDモジュールもしくはさらにケーシング加工を施した1個のLEDモジュールを縦横に複数個並べて一体化するのがほとんどである。この場合の問題は、発光に資するLEDチップの個数がモジュールの占有面積に対して少なく、嵩張るが発光密度が低いということである。また、厚みも厚く、軽量化が難しいという問題がある。   When a plurality of LED chips are densely packed, normally, a plurality of LED modules individually filled with resin and sealed as shown in FIG. 4 or one LED module further subjected to casing processing are arranged vertically and horizontally. Most of them are integrated side by side. The problem in this case is that the number of LED chips that contribute to light emission is small relative to the occupied area of the module, which is bulky but has a low light emission density. In addition, there is a problem that it is difficult to reduce the weight because the thickness is large.

さらに、LEDチップを担持するリードフレームが、発光体としての形態を保持するために、アイランド以外の開口部分を充填用樹脂で埋設するが、樹脂と金属の接触面積が少なく密着力が低くなり、剥離が起きたり長期信頼性に劣るという問題がある。あるいはそもそも樹脂の充填自体ががうまくいかないという問題がある。   Furthermore, the lead frame that carries the LED chip embeds the opening other than the island with a filling resin in order to maintain the form as a light emitter, but the contact area between the resin and the metal is small, and the adhesion is low. There is a problem that peeling occurs or long-term reliability is poor. In the first place, there is a problem that the resin filling itself does not go well.

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたもので、複数のLEDチップを搭載するのに好適な断裁単位としてのリードフレーム基材の構造を提供することである。より具体的には、単位面積あたりのLEDチップの搭載数が多く、リードフレーム基材を構成するアイランド金属片と充填用樹脂がより強固に接着できるように複数個のLEDチップを面状に配置可能な構造のリードフレーム基材を提供するとともに、該リードフレーム基材に複数のLEDチップを実装するためのLEDモジュールの製造方法を提供することを目的とした。   The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a lead frame base material structure as a cutting unit suitable for mounting a plurality of LED chips. More specifically, a large number of LED chips are mounted per unit area, and a plurality of LED chips are arranged in a plane so that the island metal pieces constituting the lead frame substrate and the filling resin can be more firmly bonded. An object of the present invention is to provide a lead frame base material having a possible structure and to provide a manufacturing method of an LED module for mounting a plurality of LED chips on the lead frame base material.

上記課題を達成するための、請求項1に係る発明は、吊りバーによりサポートフレームに連結し、互いに独立した、LEDチップ搭載用のパッド部とリード用アイランドとが一体となった複数の共通アイランドを備えることを特徴とするLED用リードフレームとしたものである。   In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 is a plurality of common islands that are connected to a support frame by a suspension bar and are independent from each other, and are integrated with LED pad mounting pads and lead islands. It is set as the lead frame for LED characterized by providing these.

本発明の請求項2に係る発明は、複数のリード用アイランドと、各リード用アイランドに対応したLEDチップ搭載用のパッド部とリード用アイランドとが一体となった複数の共通アイランドとを有し、各リード用アイランドと、対応しない隣接する共通アイランドとを連結するタイバーとを備え、リード用アイランドもしく共通アイランドの少なくとも一方が吊りバーによりサポートフレームに連結していることを特徴とするLED用リードフレームとしたものである。   The invention according to claim 2 of the present invention includes a plurality of lead islands, and a plurality of common islands in which the LED chip mounting pad portion corresponding to each lead island and the lead island are integrated. , Comprising a tie bar for connecting each lead island and an adjacent non-corresponding common island, wherein at least one of the lead island or the common island is connected to a support frame by a suspension bar It is a lead frame.

従来はLED1個に対し2つのアイランドが割り当てられていたが、複数個のLEDを直列に接続することを目的とする上記の発明によれば実質的に1つである。
電流は、アイランド1→前記アイランド1に搭載したLED1→金属ワイヤー→アイランド2→前記アイランド2に搭載したLED2→金属ワイヤー・・のように流れるからである。
さらに、請求項2によれば離間したアイランドがタイバーで互いに結び付けられているので、樹脂固定時においても形態の安定性が高まる。
Conventionally, two islands are assigned to one LED. However, according to the above-mentioned invention for the purpose of connecting a plurality of LEDs in series, it is substantially one.
This is because the current flows as follows: island 1 → LED 1 mounted on the island 1 → metal wire → island 2 → LED 2 mounted on the island 2 → metal wire.
Furthermore, according to the second aspect, since the separated islands are connected to each other by the tie bar, the stability of the form is enhanced even when the resin is fixed.

本発明の請求項3に係る発明は、前記タイバーの厚みが前記アイランドの厚みより薄いことを特徴とする請求項2に記載のLED用リードフレームとしたものである。   The invention according to claim 3 of the present invention is the LED lead frame according to claim 2, wherein the thickness of the tie bar is smaller than the thickness of the island.

本構成は、フレームの厚みを同じに設定せず、一部の厚みを薄くするものである。該部分を設置することで樹脂の面内流動性が増大するとともに、樹脂と金属との接触面積を増やすものである。   In this configuration, the thickness of the frame is not set to be the same, and a part of the thickness is reduced. By installing this portion, the in-plane fluidity of the resin is increased and the contact area between the resin and the metal is increased.

本発明の請求項4に係る発明は、金属薄板の表裏からのエッチングにより前記アイランドが形成され、ハーフエッチングにより前記タイバーが形成されることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のLED用リードフレームとしたものである。   The invention according to claim 4 of the present invention is characterized in that the island is formed by etching from the front and back of a thin metal plate, and the tie bar is formed by half etching. The LED lead frame described in the item.

本発明の請求項5に係る発明は、前記LEDリードフレームが多面付けされていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項にLED用リードフレームとしたものである。   The invention according to claim 5 of the present invention is the LED lead frame according to any one of claims 1 to 4, wherein the LED lead frame is multifaceted.

本発明の請求項6に係る発明は、請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のLED用リードフレームを用いた、複数のLEDを搭載するLEDモジュールの製造方法であって、少なくとも、
1.LED用リードフレームの開口部分を、リードフレームと樹脂が面一となるように第一の樹脂で埋設し、樹脂/リードフレーム一体型構造体とする工程、
2.タイバーにより接続する複数のアイランドの一つのアイランドと該アイランドに隣接する別のタイバーにより接続する複数のアイランドの一つのアイランドとを、LEDを介在させて金属ワイヤーあるいは半田により電気的に接続し、LEDをアイランドに搭載する工程、
3.同じモジュールに属する全てのLEDを内側に含むように第一の樹脂によりリフレクターを形成する工程、
4.前記LEDと電気接続部分を第二の樹脂でモールドする工程、
5.吊りバー部分を断裁して複数のLEDを備える個々のLEDモジュールとする工程、
とを有することを特徴とするLEDモジュールの製造方法としたものである。
Invention of Claim 6 of this invention is a manufacturing method of the LED module which mounts several LED using the LED lead frame of any one of Claim 1-5, Comprising: At least ,
1. A step of embedding the opening portion of the LED lead frame with a first resin so that the resin is flush with the lead frame, to form a resin / lead frame integrated structure;
2. One island of a plurality of islands connected by a tie bar and one island of a plurality of islands connected by another tie bar adjacent to the island are electrically connected by a metal wire or solder with an LED interposed therebetween. The process of mounting the
3. Forming a reflector with a first resin so as to include all LEDs belonging to the same module inside;
4). Molding the LED and the electrical connection portion with a second resin;
5. Cutting the suspension bar portion into individual LED modules comprising a plurality of LEDs,
It is set as the manufacturing method of the LED module characterized by having.

本発明の請求項7に係る発明は、前記第一の樹脂が高光反射性樹脂であることを特徴とする請求項6に記載のLEDモジュールの製造方法としたものである。   The invention according to claim 7 of the present invention is the LED module manufacturing method according to claim 6, wherein the first resin is a highly light-reflective resin.

本発明によれば、光の前方への取り出し効率が増大する。   According to the present invention, the light extraction efficiency to the front increases.

本発明の請求項8に係る発明は、前記第一の樹脂がセラミック微粒子を含有することを特徴とする請求項6から請求項7のいずれか1項に記載のLEDモジュールの製造方法としたものである。   The invention according to claim 8 of the present invention is the LED module manufacturing method according to any one of claims 6 to 7, wherein the first resin contains ceramic fine particles. It is.

本発明によれば樹脂部の反射率が向上し光の前方への取り出し効率が向上する。また、熱伝導性も高まる。   According to the present invention, the reflectance of the resin portion is improved, and the light extraction efficiency is improved. In addition, thermal conductivity is increased.

本発明のリードフレームを用いれば、同一のリードフレーム上に複数個のLEDチップを面状に配置することが可能になる。そのため、断裁単位としてのリードフレーム上に、LEDチップを直列接続で複数個搭載することを目的とする上記のフレームパターンは、
1個のLEDチップをケーシングして直列接続する場合に比べ、電極として必要な金属アイランドの数が半減される。その結果、LEDチップを高密度で実装するか、放熱用に空気中に露出する金属フレーム部分の面積を大きくするかのいずれかの選択が可能になる。あるいは、両者を一定程度所望の割合で並立させることが可能となる。また、LED以外の2端子素子である制御用のSiダイオードも同一リードフレーム上であって、かつ、同一面上に搭載することができる。そのため、本発明のリードフレームにLEDチップを搭載し面状の光源とすれば、面状の光源を必要とする液晶表示装置用のバックライトとして用いることが可能となる。
If the lead frame of the present invention is used, a plurality of LED chips can be arranged in a planar shape on the same lead frame. Therefore, on the lead frame as a cutting unit, the frame pattern for the purpose of mounting a plurality of LED chips in series connection,
The number of metal islands required as an electrode is halved compared to the case where a single LED chip is casing and connected in series. As a result, it is possible to select either mounting the LED chips at a high density or increasing the area of the metal frame portion exposed to the air for heat dissipation. Alternatively, both can be juxtaposed at a desired ratio to a certain extent. Further, a control Si diode, which is a two-terminal element other than an LED, can also be mounted on the same lead frame and on the same surface. Therefore, if an LED chip is mounted on the lead frame of the present invention to form a planar light source, it can be used as a backlight for a liquid crystal display device that requires a planar light source.

さらに、LEDチップや金属ワイヤーを保護するための封止用樹脂を堰き止めるために必要な領域であって、リードフレーム上で確保する必要がある領域等も、共通化するすることで一部省略できるので、その分コンパクトなリードフレームとなり、仕上がるLEDモジュールもコンパクトになる。当然、面付け数も増やすことができるので低コスト化が図れる。   In addition, some areas that are necessary for damming the sealing resin for protecting the LED chip and the metal wire and that need to be secured on the lead frame are partially omitted by sharing them. As a result, the lead frame becomes compact, and the finished LED module becomes compact. Naturally, since the number of impositions can be increased, the cost can be reduced.

さらにまた、リードフレームの厚みに変化を持たせ、且つタイバーでアイランドを固定してあるので、開口部を埋設してフレーム/樹脂面を面一に成型する際に、樹脂の流動性が高まり、樹脂厚の均一性とアイランドの上下水平方向の位置が安定する。同時に樹脂/フレーム間の接触面積が増えるので剥離の少ない耐久性のある薄いLEDモジュールを製造できる。加えて、埋設に使う樹脂に反射率の高い樹脂を使用することで光取り出し効率の高いLEDモジュールとすることができる。   Furthermore, since the thickness of the lead frame is changed and the island is fixed with a tie bar, the fluidity of the resin is improved when the frame is embedded in the opening and the frame / resin surface is molded. The uniformity of the resin thickness and the horizontal position of the island are stable. At the same time, since the contact area between the resin and the frame is increased, a durable thin LED module with less peeling can be manufactured. In addition, an LED module with high light extraction efficiency can be obtained by using a resin having a high reflectance for the resin used for embedding.

なお、本発明のリードフレームは、平面状としても構わないが、リードフレームの使用用途によっては、段差や、湾曲を設けることであっても構わない。   The lead frame of the present invention may be planar, but depending on the use purpose of the lead frame, a step or a curve may be provided.

(a)〜(d)は、本発明になるリードフレームのアイランドパターンの基本構成を説明する図及び電気的接続状態を説明する図である。(A)-(d) is a figure explaining the basic composition of the island pattern of the lead frame which becomes this invention, and a figure explaining an electrical connection state. (a)〜(c)は、基本となるアイランドパターンを2個のLED搭載用に修正した場合のアイランドパターンの一例を説明する図及び電気的接続状態を説明する図である。(A)-(c) is a figure explaining an example of the island pattern at the time of correcting the basic island pattern for mounting two LED, and a figure explaining an electrical connection state. 本発明になるLEDモジュールの製造方法を説明する工程図の一部の図である。It is a partial figure of process drawing explaining the manufacturing method of the LED module which becomes this invention. 1個のLEDを備えるLEDモジュールの構造を説明する模式的な図である。It is a typical figure explaining the structure of an LED module provided with one LED. 金型を用いたリードフレームへの樹脂モールドの一例を説明する断面視の図である。It is a figure of the cross-sectional view explaining an example of the resin mold to the lead frame using a metal mold | die. 充填樹脂の光反射機能を模式的に説明する図である。It is a figure which illustrates typically the light reflection function of filling resin.

本発明は、金型によって吊りバー部分を断裁することによって得られる打ち抜かれたリードフレームが備えるアイランドとタイバーの配置形状及び断面形状を規定するものであって、特に複数のLEDチップの搭載に好適なアイランドパターンの基本的な性格に関するものである。   The present invention defines an arrangement shape and a cross-sectional shape of an island and a tie bar included in a punched lead frame obtained by cutting a suspension bar portion with a mold, and is particularly suitable for mounting a plurality of LED chips. This is about the basic character of the island pattern.

以下、本発明を実施の形態を想定して説明するが、「サポートフレーム」、「吊りバー」、を本明細書では下記のように定義する。   Hereinafter, the present invention will be described assuming an embodiment. In this specification, “support frame” and “hanging bar” are defined as follows.

図1(a)〜(d)は、LED用リードフレーム(以下、リードフレームをLFと記す)の第1の実施形態に係る図であるが、本発明の特徴を端的に示すものである。   FIGS. 1A to 1D are views according to a first embodiment of an LED lead frame (hereinafter, the lead frame is referred to as LF), and briefly illustrate the features of the present invention.

図1(b)は、4個のLEDチップと2個のSiダイオードを搭載するために略4角形の
アイランド11を備えるLF基材10を例示する上面視の図である。図中右側の縦に並んだ2個のアイランド15、15'はSiダイオード17を搭載する部分であるが、LFの仕様によっては2個のアイランド15、15'は無くても構わない。LED搭載用のアイランド11は、吊りバー12、12'によってサポートフレーム13に連結されている。一番左のアイランド14は、電極用のアイランドであって、一番右のアイランド15、15'は、Siダイオード搭載用であるが外部接続用の電極も兼ねている。いずれも吊りバー12によりサポートフレーム13とつながっている。
FIG. 1B is a top view illustrating the LF substrate 10 including a substantially quadrangular island 11 for mounting four LED chips and two Si diodes. The two islands 15 and 15 'arranged in the vertical direction on the right side in the figure are portions where the Si diode 17 is mounted, but the two islands 15 and 15' may be omitted depending on the specification of the LF. The LED mounting island 11 is connected to the support frame 13 by suspension bars 12 and 12 '. The leftmost island 14 is an electrode island, and the rightmost islands 15 and 15 'are for mounting Si diodes, but also serve as electrodes for external connection. Both are connected to a support frame 13 by a suspension bar 12.

図1(c)は、図1(b)中のX−X'線における断面視の図である。端面形状が楔形なのは、表裏から同じ深さになるようにエッチング加工した場合の仕上がり形状を模式的且つ誇張してに示したものである。金型で打ち抜いた場合には断面は垂直になる。非対称にエッチング加工すれば断面は歪んだ楔形になる。   FIG. 1C is a cross-sectional view taken along line XX ′ in FIG. The wedge shape of the end surface is a schematic and exaggerated illustration of the finished shape when etching is performed so as to be the same depth from the front and back. When punched with a mold, the cross section becomes vertical. If the etching process is performed asymmetrically, the cross section becomes a distorted wedge shape.

図1(d)は、アイランド11とアイランド15にLED16とSiダイオード17を導電材料18を介して搭載し、それぞれの電子素子と隣接するアイランドを金属ワイヤー21で結線した様子を示す模式図である。左右のアイランド14,15は、外部と接続するリード端子の役目を果たす部分である。この部分は、外部に露出している部分を含むことがあるので、その意味で長さを長めに描いている。
電流は右のアイランド15→Siダイオード17→金属ワイヤー21→アイランド→LED16→金属ワイヤー→・・・・→アイランド14と流れる。外部との接続にはアイランドの表裏いずれかの面が利用できる。すなわち、本実施例では、LED用チップを搭載するパッド部とリード用アイランドとを一体とした1つの共通アイランドを図中右から4つ配置し、一番左側のアイランドをリード用アイランドとしている。
FIG. 1D is a schematic diagram showing a state in which an LED 16 and an Si diode 17 are mounted on the island 11 and the island 15 via the conductive material 18 and the island adjacent to each electronic element is connected by the metal wire 21. . The left and right islands 14 and 15 serve as lead terminals connected to the outside. Since this portion may include a portion exposed to the outside, the length is drawn longer in that sense.
The current flows through the right island 15 → Si diode 17 → metal wire 21 → island → LED 16 → metal wire →... → island 14. Either the front or back of the island can be used to connect to the outside. In other words, in this embodiment, four common islands are arranged from the right in the drawing in which the pad portion on which the LED chip is mounted and the lead island are integrated, and the leftmost island is used as the lead island.

図1(a)は、断裁単位としてのLF基材(同図(b))を多面付けした多連リードフレームの構成を模式的に示す図である。多連リードフレームは、長尺形式、枚葉形式とも、加工処理は、例えば図1(a)の破線で囲まれた部分ごとに一括して行われ、最終的には図1(b)の破線部20で示す位置で断裁される。図では断裁単位の数は4×6であるが適宜設定される。   FIG. 1 (a) is a diagram schematically showing a configuration of a multiple lead frame in which an LF substrate (FIG. 1 (b)) as a cutting unit is multifaceted. For multiple lead frames, both long and single wafer formats are processed in batches, for example, for each part surrounded by a broken line in FIG. 1 (a), and finally in FIG. 1 (b). Cutting is performed at the position indicated by the broken line portion 20. In the figure, the number of cutting units is 4 × 6, but is set as appropriate.

図1(e)は、LEDとSiダイオードの接続状態を示す回路図である。   FIG.1 (e) is a circuit diagram which shows the connection state of LED and Si diode.

ここで断裁単位としてのLF基材とは図1(b)で示す部分である。後述するように、樹脂でLF基材の開口部19を充填しつつ外形形状を整え、しかる後LF基材10にLEDチップを搭載し電気的結線を行う。さらに必要な加工処理を施した後、破線20に沿って断裁する。これによって、4個のLEDチップを搭載したLEDモジュールが得られる。図から明らかあるが、LEDチップの搭載数に特に限界があるわけではなく、アイランドの配置数は適宜設定して構わない。   Here, the LF base material as a cutting unit is a portion shown in FIG. As will be described later, the outer shape is adjusted while filling the opening portion 19 of the LF base material with a resin, and then an LED chip is mounted on the LF base material 10 for electrical connection. Further, after performing necessary processing, cutting is performed along the broken line 20. As a result, an LED module having four LED chips is obtained. As is apparent from the figure, the number of LED chips mounted is not particularly limited, and the number of islands may be set as appropriate.

図1と図4とを比べると、2つのアイランド41a,41bを備えるLEDモジュール40を複個数個並べるよりも、複数のアイランド11を備える一枚のLF10に直接LEDチップを搭載する図1の方が、アイランド11を電極として使用するのでLEDチップに割り当てられるアイランド11の数が半減している。図4の二つのアイランド41a,41bが一つになったものが並んだものに等しく、これは放熱面積が広くなったことに相当する。あるいは、より高密度でLEDチップが実装できるということである。   Comparing FIG. 1 and FIG. 4, the LED chip is directly mounted on one LF 10 having a plurality of islands 11 rather than arranging a plurality of LED modules 40 having two islands 41a and 41b. However, since the island 11 is used as an electrode, the number of islands 11 assigned to the LED chip is halved. This is equivalent to a combination of two islands 41a and 41b in FIG. 4, which corresponds to an increase in the heat radiation area. Or, LED chips can be mounted at a higher density.

図2(a)〜(c)は、第2の実施形態に係る図である。基本パターンである図1の正方形のアイランド11を、並列接続である2個のLEDチップを1つの共通アイランドに搭載できるように中央部にくびれを持たせるように変形したものであり、対応するリード用アイランドも同様に中央部にくびれを持たせている。ここで「タイバー30」とは、リード
用アイランド(例えば、22b、22d)に対応するLEDチップが搭載される共通アイランドと隣接した自己に対応しない他の共通アイランド(22a、22c)とを電気的に結ぶ金属部分であり、アイランドの形成時に同時に形成され。本実施の形態ではタイバー30は、リード用アイランド(例えば、22b、22d)のくびれ部と、自己に対応しない隣接する共通アイランド(22a、22c)のくびれ部とを結んでいる。そのため本実施の形態では、共通アイランドと、リード用アイランドと、タイバー30とで各々H字型のパターンを形成しているが、タイバー30は、アイランドの形状と配置によって種々の形態をとりえる。アイランドの正方形形状や長方形形状も単なる例示であって、LEDチップが搭載可能で、ワイヤーボンディング用パッドが採れる形状であれば別の形状であっても構わない。
2A to 2C are diagrams according to the second embodiment. The basic pattern of the square island 11 shown in Fig. 1 is modified to have a constriction at the center so that two LED chips connected in parallel can be mounted on one common island. The island is also constricted in the center. Here, “tie bar 30” is an electrical connection between the common island on which the LED chip corresponding to the lead island (for example, 22b, 22d) is mounted and the other common island (22a, 22c) that does not correspond to self adjacent to the common island. It is a metal part that connects to the island and formed at the same time as the island is formed. In the present embodiment, the tie bar 30 connects the constricted portion of the lead island (for example, 22b, 22d) and the constricted portion of the adjacent common island (22a, 22c) that does not correspond to itself. Therefore, in the present embodiment, the common island, the lead island, and the tie bar 30 form an H-shaped pattern, but the tie bar 30 can take various forms depending on the shape and arrangement of the islands. The square or rectangular shape of the island is merely an example, and other shapes may be used as long as the LED chip can be mounted and a wire bonding pad can be taken.

図2(a)はリードフレームの上面視の図であるが、4個にアイランドを分けた意義がわかるように、LEDチップ16と金属ワイヤー21の位置を破線で示してある。2個のLEDチップが並列接続され、それが直列に4組並んだものである。本実施の形態に係る回路図は図2(c)に記載した。尚、Siダイオードはワイヤーボンディング接続ではなく、2個のアイランドを跨ぐように設置するように描いている。このような接続も可能である。
また、Siダイオードを配置するアイランドはLFの仕様によっては、設ける場所を変更して構わず、または設けなくても構わない。
FIG. 2A is a top view of the lead frame. The positions of the LED chip 16 and the metal wire 21 are indicated by broken lines so that the significance of dividing the island into four can be understood. Two LED chips are connected in parallel, and four sets are arranged in series. A circuit diagram according to this embodiment is shown in FIG. It should be noted that the Si diode is drawn so as to straddle two islands instead of wire bonding connection. Such a connection is also possible.
Further, depending on the specifications of the LF, the island where the Si diode is arranged may or may not be provided.

タイバー30はアイランド22を電気的に接続するとともに、これら板状のアイランド小片が相対的な位置関係を加工処理工程(特にモールト゛樹脂注入)で維持できるように(フラフラしないように)結び付ける働きもするものである。特にワイヤーボンディング予定箇所のアイランドに水平・垂直方向での位置ズレが生じたまま固定されてしまうと、ワイヤーボンディングに断線などの不具合が生じる恐れがあるからである。   The tie bar 30 electrically connects the islands 22 and also functions to connect the plate-like island pieces so that the relative positional relationship can be maintained in the processing step (particularly, molding resin injection) (not to fluff). Is. This is because in particular, if the island is fixed to the island where the wire bonding is planned while being displaced in the horizontal and vertical directions, the wire bonding may be broken.

また、図2(a)の部分断面図を示す図2(b)の凹み部分23、24は、タイバー30に相当し、当該部位の厚みは他の部位に比べて薄く設定している。特に図ではタイバー30の裏面部分を薄くしている。この構成のほうが、後に開口部19を充填用樹脂を用いて充填し成型する場合に、樹脂が流動しやすくなるため成形性に優れ、且つ樹脂と金属フレームが接触する面積が増えて耐久性が増す効果があり、より好ましいからである。なお、薄くする部位はタイバー30部に限定するものでなく、アイランド部や吊りバー部あるいはサポートフレームにあっても構わない。樹脂充填装置の構造とアイランドの配置を考慮して決めることになる。   Moreover, the recessed parts 23 and 24 of FIG.2 (b) which show the fragmentary sectional view of Fig.2 (a) are equivalent to the tie bar 30, and the thickness of the said part is set thinly compared with the other part. In particular, in the figure, the back surface portion of the tie bar 30 is thinned. In this configuration, when the opening 19 is filled and molded later with a filling resin, the resin is easy to flow, so that the moldability is excellent and the area where the resin and the metal frame are in contact with each other is increased and the durability is increased. This is because it has an increasing effect and is more preferable. The thinned portion is not limited to 30 tie bars, but may be in an island portion, a suspension bar portion, or a support frame. This is determined in consideration of the structure of the resin filling device and the arrangement of islands.

次に、本発明になるLED用リードフレームとLEDモジュールの製造方法を説明する。   Next, the manufacturing method of the LED lead frame and LED module according to the present invention will be described.

まず、鉄−ニッケル等の合金薄板又は銅−ニッケル−錫等の金属合金製の板状の金属材料を準備し、脱脂等定法の洗浄処理を施した後、板状金属材料の表面にフォトレジストを塗布・乾燥してフォトレジスト層を形成する。   First, a sheet metal material made of an alloy thin plate such as iron-nickel or a metal alloy such as copper-nickel-tin is prepared, subjected to a cleaning process such as degreasing, and then a photoresist is applied to the surface of the plate metal material. Is applied and dried to form a photoresist layer.

次いで、LEDあるいはSiダイオードを搭載するアイランド、アイランドを接続するタイバー、アイランドを支持する吊りバー及びサポートフレーム等の金属パターンを形成するために、所定のパターンを有するフォトマスクを介してフォトレジスト層を露光し、次いで、フォトレジスト層に現像処理を施し、必要に応じて硬膜処理を行う。これにより、前述のパターンに対応する部位にレジストパターンが形成され、それ以外の部位のレジストが除去される。   Next, in order to form a metal pattern such as an island for mounting an LED or Si diode, a tie bar for connecting the island, a suspension bar for supporting the island, and a support frame, a photoresist layer is formed through a photomask having a predetermined pattern. Next, the photoresist layer is subjected to a development process, and a hardening process is performed as necessary. As a result, a resist pattern is formed at a site corresponding to the aforementioned pattern, and the resist at other sites is removed.

同様に、該板状金属材料の裏面にもフォトレジストを塗布してフォトレジスト層を形成
する。パターン露光、現像等という前述の工程を繰り返す。通常は、表裏のフォトレジストパターンは、表裏で面対称であるが、タイバー部位の厚みを薄く設定する場合は、所定のフォトマスクを使用して当該部位の表面側にはフォトレジストから露出した部位を設けず、裏面からのみエッチングが進むようにする所謂ハーフエッチング法を用いるのが望ましい。なお、タイバーにハーフエッチングを行う際、表面、裏面のどちらの面側から行っても構わない。しかし、表面側からのみハーフエッチングを行い、裏面側にダイバーを残すようにすれば、充填樹脂にて樹脂封止を行った際、裏面側にタイバーが樹脂より露出するので、放熱面が増えるため放熱性が向上するといえ好ましいといえる。
Similarly, a photoresist is applied to the back surface of the plate-shaped metal material to form a photoresist layer. The aforementioned steps such as pattern exposure and development are repeated. Normally, the photoresist pattern on the front and back is plane-symmetrical on the front and back, but when the thickness of the tie bar part is set thin, a part exposed from the photoresist on the surface side of the part using a predetermined photomask It is desirable to use a so-called half-etching method in which the etching proceeds only from the back surface without providing a film. When half etching is performed on the tie bar, it may be performed from either the front side or the back side. However, if half-etching is performed only from the front side and the diver is left on the back side, the tie bar is exposed from the resin on the back side when the resin is sealed with the filling resin, so the heat dissipation surface increases. It can be said that it is preferable that heat dissipation is improved.

次に、該板状金属材料の裏面に耐腐食用の樹脂フィルムを貼着し、該板状金属材料の表面側から表面のフォトレジスト非形成部を所定の深度、通常は中央まで塩化第二鉄等のエッチャントを用いてエッチング加工処理(ハーフエッチング処理)を行う。その後、洗浄などを行い、その表面に耐腐食用の樹脂フィルムを貼着する。   Next, a corrosion-resistant resin film is adhered to the back surface of the plate-shaped metal material, and the photoresist non-formed portion on the surface of the plate-shaped metal material is moved from the surface side to the predetermined depth, usually the center. Etching processing (half etching processing) is performed using an etchant such as iron. Thereafter, washing is performed, and a corrosion-resistant resin film is attached to the surface.

次に、該板状金属材料の裏面の耐腐食用の樹脂フィルムを剥がし、該板状金属材料の裏面側から、裏面のフォトレジスト非形成部を所定の深度、通常は中央まで塩化第二鉄等のエッチャントを用いてエッチング加工処理を行う。これにより、表面、裏面に各々対応するレジストパターンが形成されていない金属部位に貫通部もしくはハーフエッチング部位が形成され、リードフレームの上面視開口部となる。この処理は、多面付けにて行われ、図1、図2に記載したようなLEDリードフレーム10が形成される(図3(a))。   Next, the corrosion-resistant resin film on the back surface of the plate-shaped metal material is peeled off, and ferric chloride is formed from the back surface side of the plate-shaped metal material to the non-photoresist-formed portion on the back surface to a predetermined depth, usually the center Etching processing is performed using an etchant such as. As a result, a penetrating portion or a half-etched portion is formed in the metal portion where the corresponding resist pattern is not formed on the front surface and the back surface, and becomes an opening portion of the lead frame as viewed from above. This process is performed by multiple imposition, and the LED lead frame 10 as shown in FIGS. 1 and 2 is formed (FIG. 3A).

リードフレーム10は、上記のようにフォトリソ法以外に金型によるプレス法も適用できるが、金属部分の厚さが異なる部位を含むような場合、微細なパターンを含む場合、表裏のエッチング深度を違えるような場合には、フォトリソ法が好適である。
また、タイバー部分に設けたような厚みを薄くするような処理は、表裏を問わず、タイバー以外の部位、例えばLED搭載用アイランドであってLED搭載やワイヤーボンディング用パッドに影響を与えないような部位とかサポートフレーム内についても行うことができる。
As described above, the lead frame 10 can be applied by a pressing method using a mold in addition to the photolithography method. However, when the metal frame includes a portion having a different thickness, when the fine pattern is included, the front and back etching depths are different. In such a case, the photolithography method is suitable.
In addition, the process of reducing the thickness as provided in the tie bar part, regardless of the front and back, is a part other than the tie bar, for example, an LED mounting island and does not affect the LED mounting or wire bonding pad. This can also be done in the part or in the support frame.

次に、図5に示すような充填用金型を使用して、前記リードフレーム10の開口部19に、リードフレーム面と略面一になるように、モールド用充填樹脂4を埋設する。   Next, using a filling mold as shown in FIG. 5, the mold filling resin 4 is embedded in the opening 19 of the lead frame 10 so as to be substantially flush with the lead frame surface.

すなわち、リードフレーム10を収める所定の内部形状とした凹部を予め形成している金型50の凹部内に、リードフレーム10を装填する。なお、金型としては図5に示すように、蓋となる板状の上金型50aと、溶融した充填樹脂4を注入する注入口52と連通するリードフレーム10(多面付けリードフレーム)を装填可能な凹部53を内部空間として形成した下金型50bとの2枚構成とし、下金型50bの凹部53にリードフレーム10(多面付けリードフレーム)を装填後に、上金型50aで下金型50bに蓋をして型締めするものが一般的である。   That is, the lead frame 10 is loaded into a recess of the mold 50 in which a recess having a predetermined internal shape for accommodating the lead frame 10 is previously formed. In addition, as shown in FIG. 5, a lead frame 10 (multi-sided lead frame) that communicates with a plate-shaped upper mold 50a serving as a lid and an injection port 52 for injecting molten filler resin 4 is loaded. The lower mold 50b is formed with a lower mold 50b in which a possible recess 53 is formed as an internal space. After the lead frame 10 (multi-sided lead frame) is loaded into the recess 53 of the lower mold 50b, the upper mold 50a is used as the lower mold. Generally, 50b is covered and clamped.

次いで、注入口52から、凹部53(内部空間)内に加熱溶融した充填樹脂4を注入して、装填されたリードフレーム10(多面付けリードフレーム)の開口部に充填樹脂4が充填されて成型されたLED用リードフレームが得られる。成型後、冷却して上金型を外し、リードフレームを下金型から取り出す。これにより、搭載用アイランド、吊りバー、サポートフレームの表裏面、及び、タイバーの一方の面が空気中に露呈し、開口部が樹脂充填されタイバーの他方の面が充填樹脂で被覆された、概ね平坦に成型されたLEDチップ搭載用リードフレームが形成される(図3(b))。   Next, the filling resin 4 heated and melted is injected into the recess 53 (internal space) from the injection port 52, and the opening portion of the loaded lead frame 10 (multi-sided lead frame) is filled with the filling resin 4 and molded. Thus obtained LED lead frame is obtained. After molding, it is cooled and the upper mold is removed, and the lead frame is taken out from the lower mold. As a result, the mounting island, the suspension bar, the front and back surfaces of the support frame, and one side of the tie bar are exposed to the air, the opening is filled with resin, and the other side of the tie bar is covered with the filled resin. A flat LED chip mounting lead frame is formed (FIG. 3B).

なお、金型内のLFに充填樹脂を充填する際、ダイバー30の厚みを薄くしているので、ダイバー30部で充填樹脂の流れが妨げられることが無くなり、樹脂は凹部の全域に行き渡り、充填樹脂に気泡が生じることを防止できる。   In addition, when filling the filling resin into the LF in the mold, the thickness of the diver 30 is reduced, so that the flow of the filling resin is not hindered by the 30 parts of the diver, and the resin spreads over the entire area of the recess and fills. Air bubbles can be prevented from occurring in the resin.

また本発明によれば、タイバーによりリード用アイランドと共通アイランドとを連結させているので、各アイランドをサポートフレームに連結させる吊りバーの数を間引きし減らすことが可能になる。例えば図2の例では、各アイランドを全て吊りバーでサポートフレームに連結させておらず、一つ置きにアイランドを吊りバーサポートフレームに連結させている。すなわち、リード用アイランドと共通アイランドとを全て吊りバーでサポートフレームに連結させる必要が無くなり、吊りバーの数を間引きし減らせるので、充填樹脂の充填の際に樹脂の流れを妨げる吊りバーを減らすことが可能になり、金型内での樹脂の流れをスムーズに出来、充填樹脂に気泡が生じることを防止できる。   According to the present invention, since the lead island and the common island are connected by the tie bar, the number of suspension bars connecting each island to the support frame can be thinned out and reduced. For example, in the example of FIG. 2, each island is not connected to the support frame by the suspension bar, but every other island is connected to the suspension bar support frame. In other words, it is not necessary to connect all of the lead island and the common island to the support frame with a suspension bar, and the number of suspension bars can be reduced, so that the number of suspension bars that hinder the flow of the resin when filling with the filled resin is reduced. This makes it possible to smoothly flow the resin in the mold and prevent bubbles from forming in the filled resin.

充填樹脂を溶融状態にてモールド加工する際、及びモールド加工後は、該充填樹脂4が、タイバーの段差状部32又はアイランドのテーパー状部33によって保持され、かつ、そのことによって充填樹脂4とリードフレーム10との接触面積は大きくなる。そのため、充填樹脂4とリードフレーム10とは強固に密着することになり、充填樹脂からのリードフレームの脱落、もしくは、リードフレームからの充填樹脂の脱落を防止できる。   When the filling resin is molded in a molten state and after the molding, the filling resin 4 is held by the stepped portion 32 of the tie bar or the tapered portion 33 of the island, and thereby the filling resin 4 and The contact area with the lead frame 10 is increased. For this reason, the filling resin 4 and the lead frame 10 are firmly in close contact with each other, and the dropping of the lead frame from the filling resin or the dropping of the filling resin from the lead frame can be prevented.

なお、図1、および図2中に示す吊りバー12は、エッチング加工処理後に、アイランド部11及び端子部14、15がサポートフレーム13から脱落するのを防止するために、必要な期間、アイランド11等該吊りバー12がないと分離してしまう金属片をサポートフレーム13に連結保持しておくために形成しているもので、吊りバー12を切断して、リードフレームをサポートフレームから取り外すことでリードフレームが得られる。なお、側断面図においては、吊りバー部12の図示は省略している。吊りバー部12の切断時期は、LEDチップの搭載後、または、樹脂モールド後が挙げられるが、適宜設定して構わない。また、上述した説明では、エッチング加工は、表裏の面に各々1回ずつ行い、計2回行っているが、表裏から同時に行う1回のエッチングで金属材料にエッチング加工を行うことであっても構わない。   The suspension bar 12 shown in FIG. 1 and FIG. 2 has the island 11 for a necessary period in order to prevent the island portion 11 and the terminal portions 14 and 15 from falling off the support frame 13 after the etching process. It is formed to keep the metal piece separated without the suspension bar 12 connected to the support frame 13 by cutting the suspension bar 12 and removing the lead frame from the support frame. A lead frame is obtained. In the side sectional view, illustration of the suspension bar portion 12 is omitted. The cutting time of the suspension bar portion 12 may be after the LED chip is mounted or after resin molding, but may be set as appropriate. Further, in the above description, the etching process is performed once for each of the front and back surfaces, a total of two times. However, even if the metal material is etched by one etching performed simultaneously from the front and back surfaces, I do not care.

次に裏面を図示はしないが保護フィルムで被覆した後、LEDチップ16と隣接するアイランド11との電気的接続を行う際の接続性を向上させるため、アイランドの所定箇所に銀メッキ処理を施して銀メッキ層34を形成する(図3(c))。   Next, after covering the back surface with a protective film (not shown), a silver plating process is performed on a predetermined part of the island in order to improve the connectivity when the LED chip 16 and the adjacent island 11 are electrically connected. A silver plating layer 34 is formed (FIG. 3C).

次に、スクリーン印刷法により、LEDチップの端子とアイランドの導通をとるための半田ペースト35をアイランドの所定位置に塗布する(図3(d))。   Next, a solder paste 35 for electrically connecting the LED chip terminal and the island is applied to a predetermined position of the island by screen printing (FIG. 3D).

その後、LED16とSiダイオード17を所定箇所に装着し、そのままリフロー炉中を通過させた後冷却すると、該電子素子の一方の電極が半田35を介してアイランドに接合し固定される。次に、ワイヤーボンディングにより、電子素子上の端子とアイランドの銀メッキ部分を金属ワイヤー21にて接続する(図3(e))。   Thereafter, the LED 16 and the Si diode 17 are mounted at predetermined positions, and after passing through the reflow furnace as they are, when cooled, one electrode of the electronic element is bonded and fixed to the island via the solder 35. Next, the terminal on the electronic element and the silver-plated portion of the island are connected by the metal wire 21 by wire bonding (FIG. 3E).

ワイヤーボンディングエリアへのメッキは、銀メッキに変えて、金メッキ、パラジウムメッキとしても構わない。また、電気的接続エリア面に銀メッキ、金メッキ、パラジウムメッキを行うのに先立ち、耐熱拡散性に優れたNi(ニッケル)メッキ等の下地メッキを行っても構わない。さらには、アイランドの放熱用裏面側にも、銀メッキ、金メッキ、パラジウムメッキや、Ni(ニッケル)メッキ等の下地メッキを行っても構わない。外部との電気的接続に使用することもできるからである。   The plating on the wire bonding area may be gold plating or palladium plating instead of silver plating. Further, prior to performing silver plating, gold plating, or palladium plating on the surface of the electrical connection area, a base plating such as Ni (nickel) plating having excellent heat resistance diffusibility may be performed. Furthermore, it is also possible to perform base plating such as silver plating, gold plating, palladium plating, or Ni (nickel) plating on the back side of the island for heat dissipation. This is because it can also be used for electrical connection with the outside.

次に、封止用の透明樹脂5を層状に塗布するが、それに先立ってLEDチップを囲むように、例えばディスペンサを用いて土手43を形成する。但し該土手43は必ずしも必須ではない。   Next, a transparent resin 5 for sealing is applied in a layer form, and prior to this, a bank 43 is formed using, for example, a dispenser so as to surround the LED chip. However, the bank 43 is not necessarily essential.

次に、前記アイランドのLED搭載面より上面側に、ディスペンサ吐出または、スクリーン印刷などにより透明樹脂5を塗布し、LEDチップ16及び金属ワイヤー21を含めて、透明樹脂5で層状に被覆する(図3(f))。なお、本実施例では、透明樹脂5は層状としているが、半球状のドーム状としても構わない。   Next, a transparent resin 5 is applied on the upper surface side of the island from the LED mounting surface by dispenser discharge or screen printing or the like, and the LED chip 16 and the metal wire 21 are covered in a layered manner with the transparent resin 5 (see FIG. 3 (f)). In this embodiment, the transparent resin 5 has a layered shape, but may have a hemispherical dome shape.

本発明のLEDモジュールにおいては、LEDチップ16が透明樹脂層5の層内に埋設された状態で発光するため、LEDチップ16から発せられた光を透明樹脂5から外側に出射すにあたり高い光利得性を持たせることが重要である。そのために、例えば、光透過性のあるアクリル系樹脂(ポリメタメチルアクリレート樹脂)などの透明性の良好な樹脂を選定することは勿論であるが、本発明者は特に、前記充填樹脂4として、充填樹脂4と透明樹脂5との境界面において、高い反射性を有する樹脂を使用するのが望ましい。   In the LED module of the present invention, the LED chip 16 emits light in a state where it is embedded in the transparent resin layer 5, so that a high optical gain is obtained when the light emitted from the LED chip 16 is emitted from the transparent resin 5 to the outside. It is important to have sex. For this purpose, for example, a resin having good transparency such as an acrylic resin (polymethamethyl acrylate resin) having light transmittance is selected, but the present inventor in particular, as the filling resin 4, It is desirable to use a resin having high reflectivity at the boundary surface between the filling resin 4 and the transparent resin 5.

前記充填樹脂4として、LEDチップから発せられた光を充填樹脂表面で反射し、外部に放出できるよう高い反射率を有することが望ましいが、その他に、耐熱性、耐光性、熱導電性、高い光拡散性を有することも望ましい。そのため、前記充填樹脂4として、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネイト樹脂、芳香族系ポリエステル樹脂(不飽和ポリエステル樹脂)、ポリフタルアミド(PPA)、液晶ポリマ(LCP)などの有機高分子材料が望ましく、1種の樹脂又は、複数種の樹脂の混合樹脂を用いて構わない。   It is desirable that the filling resin 4 has a high reflectance so that light emitted from the LED chip is reflected on the surface of the filling resin and can be emitted to the outside, but in addition, heat resistance, light resistance, thermal conductivity, high It is also desirable to have light diffusibility. Therefore, as the filling resin 4, for example, epoxy resin, modified epoxy resin, silicone resin, acrylic resin, polycarbonate resin, aromatic polyester resin (unsaturated polyester resin), polyphthalamide (PPA), liquid crystal polymer (LCP) Organic polymer materials such as these are desirable, and one type of resin or a mixed resin of a plurality of types of resins may be used.

充填樹脂4の光屈折率n1 と透明樹脂5の光屈折率n2 との関係を、n1 >n2 に設定することが、充填樹脂4と透明樹脂5との境界面における高い反射率を得るために適当であり、屈折率の差が大きいほど高い反射を行うことになる。しかし、樹脂の屈折率は概ね2以下であり、樹脂だけで屈折率差を大きくするには限界が有る。そのため、本発明においては、充填樹脂4として、上記の1種の樹脂又は複数種の樹脂の混合樹脂を主体とする樹脂に、粉状物質や粒状物質などの添加剤を混合した光拡散性樹脂を使用することを提案する。かかる充填樹脂では、その屈折率nを2以上にできるため、充填樹脂4と透明樹脂5との境界面における高い反射性を得ることができる。なお、充填樹脂4に添加する添加剤としては、例えば、SiO2、TiO2、Al23、酸化ジルコニウム、セラミック材、又はそれらの混合物などの微粒子が上げられ、主体樹脂に対する添加剤の混合比率は本発明においては適宜に設定することができる。例えば1%〜20%、若しくはそれ以上である。 In order to obtain a high reflectance at the boundary surface between the filling resin 4 and the transparent resin 5, the relationship between the light refractive index n1 of the filling resin 4 and the light refractive index n2 of the transparent resin 5 is set to n1> n2. It is appropriate, and the higher the difference in refractive index, the higher the reflection. However, the refractive index of the resin is approximately 2 or less, and there is a limit in increasing the refractive index difference only with the resin. Therefore, in the present invention, as the filling resin 4, a light diffusing resin in which an additive such as a powdery substance or a granular substance is mixed with a resin mainly composed of the above-mentioned one kind of resin or a mixed resin of plural kinds of resins. Suggest to use. In such a filling resin, since the refractive index n can be 2 or more, high reflectivity at the boundary surface between the filling resin 4 and the transparent resin 5 can be obtained. Examples of the additive to be added to the filling resin 4 include fine particles such as SiO 2 , TiO 2 , Al 2 O 3 , zirconium oxide, ceramic material, or a mixture thereof. The ratio can be set appropriately in the present invention. For example, it is 1% to 20% or more.

以下に、充填樹脂に反射性を持たせることによる効果を説明する。図6に示すように、LEDチップ16から発せられた光Lは、透明樹脂5中を進行して外部に放出される。しかし、LEDチップ16から発せられた光の一部は、外部(空気)と接触する透明樹脂5の境界で反射する(図6中の反射光M(全反射光や半反射光など))。充填樹脂に高い反射率を持たせた場合、透明樹脂5の境界で反射した反射光M(空気と透明樹脂5との界面における全反射光や半反射光など)が、充填樹脂の表面に到達した際に、再度反射光を反射させることが可能になり、充填樹脂の表面で再反射した再反射光NをLEDチップより放出させることが可能になる。一方、充填樹脂が反射率を持たない場合、反射光Mはそのまま充填樹脂中に進入してしまい、LEDチップからの放出が無くなる。   Below, the effect by giving reflectivity to filling resin is demonstrated. As shown in FIG. 6, the light L emitted from the LED chip 16 travels through the transparent resin 5 and is emitted to the outside. However, a part of the light emitted from the LED chip 16 is reflected at the boundary of the transparent resin 5 in contact with the outside (air) (reflected light M (total reflection light, semi-reflection light, etc. in FIG. 6)). When the filling resin has a high reflectance, the reflected light M reflected at the boundary of the transparent resin 5 (total reflection light or semi-reflection light at the interface between the air and the transparent resin 5) reaches the surface of the filling resin. In this case, the reflected light can be reflected again, and the re-reflected light N re-reflected on the surface of the filling resin can be emitted from the LED chip. On the other hand, when the filling resin does not have reflectivity, the reflected light M enters the filling resin as it is, and is not emitted from the LED chip.

このように、充填樹脂に高い反射率を持たせることで、LEDチップ16から発せられた光を効率よく外部に取り出すことが可能となる。   In this way, by giving the filling resin a high reflectance, it is possible to efficiently extract the light emitted from the LED chip 16 to the outside.

なお、LEDチップ搭載用表面、電気的接続エリアに金属メッキを行った場合、メッキ面にて反射光Mを再反射光Nとすることが出来るので、LEDチップ16から発せられた光を効率よく利用するには好ましい。   In addition, when metal plating is performed on the LED chip mounting surface and the electrical connection area, the reflected light M can be converted to re-reflected light N on the plated surface, so that the light emitted from the LED chip 16 can be efficiently used. It is preferable to use.

さらに充填樹脂表面に、光反射率の優れたセラミックインクなどをコーティングするこ
とも、LEDチップ16から発せられた光を効率よく利用する上で好ましいといえる。
Furthermore, it can be said that it is preferable to coat the surface of the filled resin with a ceramic ink having an excellent light reflectivity in order to efficiently use the light emitted from the LED chip 16.

かかる構造を可能としたリードフレーム10においては、上部半分のテーパー状部のテーパーは例えばハの字状であり、下部半分のテーパー状部のテーパーは例えば逆ハの字状と、上部構造部と下部構造部の各々のテーパー方向は逆方向となっている。そのため、例えば、アイランドとアイランドとで挟まれた部位の充填樹脂は、上側の面(上部構造部側の面)と下側の面(下部構造部側の面)との間にくびれた部位を有するようになる。リードフレーム10は、このくびれ部の上下で各々逆の方向のテーパ部となった側面で充填樹脂を保持するため、充填樹脂からのリードフレームの脱落を防止できる。   In the lead frame 10 that enables such a structure, the taper of the upper half taper portion is, for example, a C shape, and the taper of the lower half taper portion is, for example, an inverted C shape, The taper directions of the lower structure portions are opposite to each other. Therefore, for example, the filling resin in the part sandwiched between the islands has a constricted part between the upper surface (the surface on the upper structure part side) and the lower surface (the surface on the lower structure part side). To have. Since the lead frame 10 holds the filling resin on the side surfaces that are tapered in the opposite direction above and below the constricted portion, it is possible to prevent the lead frame from dropping off from the filling resin.

2、LED搭載用アイランド
4、モールド用充填樹脂
5、透明樹脂
10、リードフレーム(基材)
11、LED搭載用アイランド
12、吊りバー
13、サポートフレーム
14、電極としてのアイランド
15、Siダイオード搭載用アイランド
16、LED
17、Siダイオード
18、導電材料
19、リードフレーム開口部
20、断裁線
21、金属ワイヤー
22、アイランド
23、24、凹み部分
30、タイバー
32、タイバーの段差状部(凹部)
33、アイランドのテーパー状部
34、銀メッキ層
35、半田ペースト
41a,41b、アイランド、あるいはパッド
42、スリット
43、土手
44、LED
45、金属ワイヤー
46、封止用樹脂層
47、導電材料
48、反射膜
49、モールド用絶縁樹脂
50、金型
L、LED発光光線
M、反射光
N、再反射光
Z、1単位フレーム
2, LED mounting island 4, mold filling resin 5, transparent resin 10, lead frame (base material)
11, LED mounting island 12, suspension bar 13, support frame 14, island 15 as an electrode, Si diode mounting island 16, LED
17, Si diode 18, conductive material 19, lead frame opening 20, cutting line 21, metal wire 22, islands 23 and 24, recessed portion 30, tie bar 32, stepped portion (concave portion) of tie bar
33, taper portion 34 of island, silver plating layer 35, solder paste 41a, 41b, island or pad 42, slit 43, bank 44, LED
45, metal wire 46, sealing resin layer 47, conductive material 48, reflective film 49, insulating resin 50 for mold, mold L, LED emission light M, reflected light N, re-reflected light Z, 1 unit frame

Claims (8)

吊りバーによりサポートフレームに連結し、互いに独立した、LEDチップ搭載用のパッド部とリード用アイランドとが一体となった複数の共通アイランドを備えることを特徴とするLED用リードフレーム。   An LED lead frame comprising a plurality of common islands that are connected to a support frame by a suspension bar and are independent of each other, each of which is a pad part for mounting an LED chip and a lead island. 複数のリード用アイランドと、各リード用アイランドに対応したLEDチップ搭載用のパッド部とリード用アイランドとが一体となった複数の共通アイランドとを有し、各リード用アイランドと、対応しない隣接する共通アイランドとを連結するタイバーとを備え、リード用アイランドもしく共通アイランドの少なくとも一方が吊りバーによりサポートフレームに連結していることを特徴とするLED用リードフレーム。   It has a plurality of lead islands and a plurality of common islands in which the LED chip mounting pads corresponding to the lead islands and the lead islands are integrated, and the lead islands are adjacent to each other and do not correspond to each other. A lead frame for an LED comprising: a tie bar for connecting to a common island, wherein at least one of the lead island or the common island is connected to a support frame by a suspension bar. 前記タイバーの厚みが前記アイランドの厚みより薄いことを特徴とする請求項2に記載のLED用リードフレーム。   3. The LED lead frame according to claim 2, wherein a thickness of the tie bar is smaller than a thickness of the island. 金属薄板への表裏からのエッチングにより前記アイランドが形成され、ハーフエッチングにより前記タイバーが形成されていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のLED用リードフレーム。   The LED lead frame according to any one of claims 1 to 3, wherein the islands are formed by etching from the front and back sides of the metal thin plate, and the tie bars are formed by half etching. 前記LEDリードフレームが多面付けされていることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項にLED用リードフレーム。   The LED lead frame according to any one of claims 1 to 4, wherein the LED lead frame is multifaceted. 請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のLED用リードフレームを用いた、複数のLEDを搭載するLEDモジュールの製造方法であって、少なくとも、
1.LED用リードフレームの開口部分を、リードフレームと樹脂が面一となるように第一の樹脂で埋設し、樹脂/リードフレーム一体型構造体とする工程、
2.タイバーにより接続する複数のアイランドの一つのアイランドと該アイランドに隣接する別のタイバーにより接続する複数のアイランドの一つのアイランドとを、LEDを介在させて金属ワイヤーあるいは半田により電気的に接続し、LEDをアイランドに搭載する工程、
3.同じモジュールに属する全てのLEDを内側に含むように第一の樹脂によりリフレクターを形成する工程、
4.前記LEDと電気接続部分を第二の樹脂でモールドする工程、
5.吊りバー部分を断裁して複数のLEDを備える個々のLEDモジュールとする工程、
とを有することを特徴とするLEDモジュールの製造方法。
A method for manufacturing an LED module on which a plurality of LEDs are mounted using the LED lead frame according to any one of claims 1 to 5, comprising at least:
1. A step of embedding the opening portion of the LED lead frame with a first resin so that the resin is flush with the lead frame, to form a resin / lead frame integrated structure;
2. One island of a plurality of islands connected by a tie bar and one island of a plurality of islands connected by another tie bar adjacent to the island are electrically connected by a metal wire or solder with an LED interposed therebetween. The process of mounting the
3. Forming a reflector with a first resin so as to include all LEDs belonging to the same module inside;
4). Molding the LED and the electrical connection portion with a second resin;
5. Cutting the suspension bar portion into individual LED modules comprising a plurality of LEDs,
The manufacturing method of the LED module characterized by having these.
前記第一の樹脂が高光反射性樹脂であることを特徴とする請求項6に記載のLEDモジュールの製造方法。   The method of manufacturing an LED module according to claim 6, wherein the first resin is a highly light reflecting resin. 前記第一の樹脂がセラミック微粒子を含有することを特徴とする請求項6から請求項7のいずれか1項に記載のLEDモジュールの製造方法。   The method for manufacturing an LED module according to claim 6, wherein the first resin contains ceramic fine particles.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013115310A (en) * 2011-11-30 2013-06-10 Nitto Denko Corp Substrate for element connection, method for manufacturing the same, and light-emitting diode device
JP2013239540A (en) * 2012-05-14 2013-11-28 Shin Etsu Chem Co Ltd Substrate for optical semiconductor device, manufacturing method of substrate for optical semiconductor device, optical semiconductor device, and manufacturing method of optical semiconductor device
JP2013239539A (en) * 2012-05-14 2013-11-28 Shin Etsu Chem Co Ltd Substrate for optical semiconductor device, manufacturing method of substrate for optical semiconductor device, optical semiconductor device, and manufacturing method of optical semiconductor device
JP2014064003A (en) * 2012-09-21 2014-04-10 Advanced Optoelectronic Technology Inc Light-emitting diode package and method for manufacturing the same
JP2014064006A (en) * 2012-09-21 2014-04-10 Advanced Optoelectronic Technology Inc Light-emitting diode package and method for manufacturing the same
JP2014064004A (en) * 2012-09-21 2014-04-10 Advanced Optoelectronic Technology Inc Light-emitting diode package and method for manufacturing the same
JP2014120696A (en) * 2012-12-19 2014-06-30 Rohm Co Ltd LED module
JP2017220684A (en) * 2011-08-23 2017-12-14 大日本印刷株式会社 Optical semiconductor device lead frame, optical semiconductor device lead frame with resin, optical semiconductor device, manufacturing method of optical semiconductor device lead frame with resin, and manufacturing method of optical semiconductor device
JP2017228810A (en) * 2017-10-05 2017-12-28 ローム株式会社 LED module

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6126212U (en) * 1984-07-24 1986-02-17 キムラ電機株式会社 Thin lighting plate
JPH09321344A (en) * 1996-03-29 1997-12-12 Rohm Co Ltd LED light emitting device and surface emitting lighting device using the same
JP2001052513A (en) * 1999-08-04 2001-02-23 Hamamatsu Photonics Kk Floodlight
JP2007134376A (en) * 2005-11-08 2007-05-31 Akita Denshi Systems:Kk Light emitting diode device and manufacturing method thereof
JP2008010562A (en) * 2006-06-28 2008-01-17 Nippon Leiz Co Ltd Light source device and flat illumination device
JP2008072092A (en) * 2006-07-13 2008-03-27 Cree Inc Lead frame based package for solid state light emitting devices and method of forming a lead frame based package for solid state light emitting devices

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6126212U (en) * 1984-07-24 1986-02-17 キムラ電機株式会社 Thin lighting plate
JPH09321344A (en) * 1996-03-29 1997-12-12 Rohm Co Ltd LED light emitting device and surface emitting lighting device using the same
JP2001052513A (en) * 1999-08-04 2001-02-23 Hamamatsu Photonics Kk Floodlight
JP2007134376A (en) * 2005-11-08 2007-05-31 Akita Denshi Systems:Kk Light emitting diode device and manufacturing method thereof
JP2008010562A (en) * 2006-06-28 2008-01-17 Nippon Leiz Co Ltd Light source device and flat illumination device
JP2008072092A (en) * 2006-07-13 2008-03-27 Cree Inc Lead frame based package for solid state light emitting devices and method of forming a lead frame based package for solid state light emitting devices

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017220684A (en) * 2011-08-23 2017-12-14 大日本印刷株式会社 Optical semiconductor device lead frame, optical semiconductor device lead frame with resin, optical semiconductor device, manufacturing method of optical semiconductor device lead frame with resin, and manufacturing method of optical semiconductor device
JP2013115310A (en) * 2011-11-30 2013-06-10 Nitto Denko Corp Substrate for element connection, method for manufacturing the same, and light-emitting diode device
EP2600428A3 (en) * 2011-11-30 2015-07-29 Nitto Denko Corporation Element-connecting board, producing method thereof, and light emitting diode device
JP2013239540A (en) * 2012-05-14 2013-11-28 Shin Etsu Chem Co Ltd Substrate for optical semiconductor device, manufacturing method of substrate for optical semiconductor device, optical semiconductor device, and manufacturing method of optical semiconductor device
JP2013239539A (en) * 2012-05-14 2013-11-28 Shin Etsu Chem Co Ltd Substrate for optical semiconductor device, manufacturing method of substrate for optical semiconductor device, optical semiconductor device, and manufacturing method of optical semiconductor device
CN103426995A (en) * 2012-05-14 2013-12-04 信越化学工业株式会社 Substrate for optical semiconductor apparatus, method for manufacturing the same, optical semiconductor apparatus, and method for manufacturing the same
CN103426996A (en) * 2012-05-14 2013-12-04 信越化学工业株式会社 Substrate for optical semiconductor apparatus, method for manufacturing the same, optical semiconductor apparatus and method for manufacturing the same
JP2014064003A (en) * 2012-09-21 2014-04-10 Advanced Optoelectronic Technology Inc Light-emitting diode package and method for manufacturing the same
JP2014064006A (en) * 2012-09-21 2014-04-10 Advanced Optoelectronic Technology Inc Light-emitting diode package and method for manufacturing the same
JP2014064004A (en) * 2012-09-21 2014-04-10 Advanced Optoelectronic Technology Inc Light-emitting diode package and method for manufacturing the same
JP2014120696A (en) * 2012-12-19 2014-06-30 Rohm Co Ltd LED module
JP2017228810A (en) * 2017-10-05 2017-12-28 ローム株式会社 LED module

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