JP2011144229A - Cyanate resin composition, prepreg, laminated board, printed wiring board, and semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、シアネート樹脂組成物、プリプレグ、積層板、プリント配線板、及び半導体装置に関する。 The present invention relates to a cyanate resin composition, a prepreg, a laminated board, a printed wiring board, and a semiconductor device.
近年、電子機器の高機能化等の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには高密度実装化が進んでおり、これらに使用される高密度実装対応のプリント配線板等は、従来にも増して小型化かつ高密度化が進んでいる。
しかし、プリント配線板を薄型化した場合には、実装信頼性の低下、プリント配線板の反りが大きくなるという問題が生じる。
そのため、プリント配線板の絶縁層に用いられる樹脂組成物の硬化物は、熱膨張率が低く、高いガラス転移温度を有するシアネート樹脂組成物を用いた検討がなされている(例えば、先行文献1)。
In recent years, with the demand for higher functionality of electronic devices, etc., the integration of electronic components and the mounting of high-density packaging have been progressing. In addition, miniaturization and higher density are progressing.
However, when the printed wiring board is thinned, there arises a problem that mounting reliability is lowered and warping of the printed wiring board is increased.
Therefore, the hardened | cured material of the resin composition used for the insulating layer of a printed wiring board is examined using the cyanate resin composition which has a low coefficient of thermal expansion and has a high glass transition temperature (for example, prior literature 1). .
一方、プリント配線板の最外層に用いられるソルダーレジストは、通常感光性樹脂(フォトレジスト)が用いられる(引用文献2)。
一般に、ソルダーレジストは、光硬化性の材料であるため、光透過性が高い。
そのため、プリント配線板製造時において、ソルダーレジストを積層体の両面に形成し、回路露出部と被覆部を形成するため、一方から光を照射する、光が透過して他方の面に形成されたソルダーレジストにまで光が照射され、他方の面のソルダーレジストの硬化が進む問題があった。このため他方の面のソルダーレジストは、写真法による、露光現像ができず、導体回路の露出部と被覆部を任意のパターンで形成することができない問題があった。
On the other hand, the solder resist used for the outermost layer of the printed wiring board is usually a photosensitive resin (photoresist) (Cited document 2).
Generally, since a solder resist is a photocurable material, it has a high light transmittance.
Therefore, at the time of manufacturing a printed wiring board, a solder resist was formed on both sides of the laminate, and a circuit exposed part and a covering part were formed. There was a problem that the solder resist was irradiated with light and the solder resist on the other surface was cured. For this reason, the solder resist on the other surface cannot be exposed and developed by a photographic method, and there is a problem that the exposed portion and the covering portion of the conductor circuit cannot be formed in an arbitrary pattern.
上記問題を解決すべく、光遮蔽性物質をシアネート樹脂組成物に含有せしめて光の透過防止の役目をさせる方法が考えられている(例えば、引用文献3)。 In order to solve the above-mentioned problem, a method is considered in which a light-shielding substance is contained in a cyanate resin composition to prevent light from transmitting (for example, cited document 3).
しかしながら、シアネート樹脂組成物は、光遮蔽物質を含むことによりプリント配線板材料としての性能低下が生じる問題があった。例えば、ジアミノスチルベン系染料、フルオレセイン、チオフラビン、エオシンを、シアネート樹脂組成物に添加した場合、シアネート樹脂組成物で、前記光遮蔽物質が、分離したり、構造が破壊され、光吸収能力が低下したりする問題があった。 However, the cyanate resin composition has a problem in that performance degradation as a printed wiring board material is caused by including a light shielding substance. For example, when diaminostilbene dyes, fluorescein, thioflavine, and eosin are added to the cyanate resin composition, the light shielding material is separated or the structure is destroyed in the cyanate resin composition, resulting in a decrease in light absorption ability. There was a problem.
本発明は、高いガラス転移温度、優れた耐半田耐熱性を維持しつつ、光遮蔽性に優れたシアネート樹脂組成物、及び、当該樹脂組成物を用いたプリプレグ、積層板、樹脂シート、プリント配線板、並びに、半導体装置を提供するものである。 The present invention relates to a cyanate resin composition excellent in light shielding properties while maintaining a high glass transition temperature and excellent soldering heat resistance, and a prepreg, a laminate, a resin sheet, and a printed wiring using the resin composition A board and a semiconductor device are provided.
このような目的は、下記[1]〜[8]項に記載の本発明により達成される。
[1]シアネート樹脂および下記式(1)で表される化合物を必須成分とすることを特徴とするシアネート樹脂組成物。
(式中のR1、及びR2は、水素、又は、水酸基、エチル基、メチル基、ブチル基、ターシャリーブチル基、フェニル基、及びカルボキシル基よりなる群より選ばれる置換基を表し、R1とR2は、互いに同一であっても異なっていてもよい。)
[2][1]項に記載のシアネート樹脂組成物を基材に含浸させてなるプリプレグ。
[3]基材中に[1]項に記載のシアネート樹脂組成物を含浸してなる樹脂含浸基材層の少なくとも片面に金属箔を有することを特徴とする金属張積層板。
[4][1]項に記載のプリプレグ又は当該プリプレグを2枚以上重ね合わせた積層体の少なくとも片面に金属箔を重ね、加熱加圧することにより得られる金属張積層板。
[5][1]項に記載のシアネート樹脂組成物よりなる樹脂層をフィルム上、又は金属箔上に形成してなる樹脂シート。
[6][3]又は[4]項に記載の金属張積層板を内層回路基板に用いてなることを特徴とするプリント配線板。
[7]前記内層回路基板に[2]項に記載のプリプレグを少なくとも1層積層してなる[6]項に記載のプリント配線板
[8][6]、または[7]に記載のプリント配線板に半導体素子を搭載してなる半導体装置。
Such an object is achieved by the present invention described in the following items [1] to [8].
[1] A cyanate resin composition comprising a cyanate resin and a compound represented by the following formula (1) as essential components.
(R1 in the formula, and R2 is hydrogen or a hydroxyl group, an ethyl group, a methyl group, butyl group, tertiary butyl group, a phenyl group and a substituent selected from the group consisting of carboxyl group, and R 1 R 2 may be the same as or different from each other.
[2] A prepreg obtained by impregnating a base material with the cyanate resin composition according to the item [1].
[3] A metal-clad laminate having a metal foil on at least one surface of a resin-impregnated substrate layer obtained by impregnating the cyanate resin composition according to the item [1] in a substrate.
[4] A metal-clad laminate obtained by superimposing metal foil on at least one surface of the prepreg according to the item [1] or a laminate in which two or more prepregs are superposed and heating and pressing.
[5] A resin sheet formed by forming a resin layer comprising the cyanate resin composition according to the item [1] on a film or a metal foil.
[6] A printed wiring board comprising the metal-clad laminate according to the item [3] or [4] as an inner circuit board.
[7] Printed wiring board [8] [6] or [7] described in [6], wherein at least one layer of the prepreg described in [2] is laminated on the inner layer circuit board A semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on a plate.
本発明のシアネート樹脂組成物は、高いガラス転移温度を有し、半田耐熱性に優れ、さらに光遮蔽性に優れる。 The cyanate resin composition of the present invention has a high glass transition temperature, is excellent in solder heat resistance, and is excellent in light shielding properties.
以下、本発明のシアネート樹脂組成物、プリプレグ、積層板、樹脂シート、プリント配線板、及び半導体装置について説明する。 Hereinafter, the cyanate resin composition, prepreg, laminate, resin sheet, printed wiring board, and semiconductor device of the present invention will be described.
本発明のシアネート樹脂組成物は、ガラス繊維基材等の基材に含浸させプリプレグ、前記プリプレグを用いた積層板に用いることができる。
或いは、シアネート樹脂組成物からなる樹脂層をフィルム、または金属箔上に積層してなる樹脂シートとして用いることができる。
また、本発明のシアネート樹脂組成物は、優れた絶縁性を有することから、例えばプリント配線板の絶縁層に用いることができる。
さらに本願発明のシアネート樹脂組成物は、低線膨張であり、耐熱性、及び導体回路との密着性に優れることから、半導体装置のインターポーザとして用いることができる。
The cyanate resin composition of the present invention can be impregnated in a substrate such as a glass fiber substrate and used for a prepreg and a laminate using the prepreg.
Or it can use as a resin sheet formed by laminating | stacking the resin layer which consists of a cyanate resin composition on a film or metal foil.
Moreover, since the cyanate resin composition of this invention has the outstanding insulation, it can be used for the insulating layer of a printed wiring board, for example.
Furthermore, since the cyanate resin composition of the present invention has low linear expansion and is excellent in heat resistance and adhesion to a conductor circuit, it can be used as an interposer for a semiconductor device.
半導体装置のプリント配線板としては、マザーボード、及びインターポーザが知られている。インターポーザは、マザーボードと同様のプリント配線板であるが、半導体素子(ベアチップ)又は半導体パッケージとマザーボードの間に介在し、マザーボード上に搭載される。
インターポーザは、マザーボードと同様に、半導体パッケージを実装する基板として用いても良いが、マザーボードと異なる特有の使用方法としては、パッケージ基板又はモジュール基板として用いられる。
As a printed wiring board of a semiconductor device, a mother board and an interposer are known. The interposer is a printed wiring board similar to the mother board, but is interposed between the semiconductor element (bare chip) or semiconductor package and the mother board and mounted on the mother board.
The interposer may be used as a substrate on which a semiconductor package is mounted in the same manner as a mother board. However, the interposer is used as a package substrate or a module substrate as a specific usage method different from the mother board.
パッケージ基板とは、半導体パッケージの基板としてインターポーザが用いられるという意味である。半導体パッケージには、半導体素子をリードフレーム上に搭載し、両者をワイアボンディングで接続し、樹脂で封止するタイプと、インターポーザをパッケージ基板として用い、半導体素子を当該インターポーザ上に搭載し、両者をワイアボンディング等の方法で接続し、樹脂で封止するタイプとがある。 The package substrate means that an interposer is used as a substrate of a semiconductor package. In a semiconductor package, a semiconductor element is mounted on a lead frame, both are connected by wire bonding and sealed with resin, and an interposer is used as a package substrate, and a semiconductor element is mounted on the interposer, There is a type that is connected by a method such as wire bonding and sealed with resin.
次に本発明のシアネート樹脂組成物について詳細を説明する。
尚、以下に説明する方法に、特に限定されるものではなく、公知の手法であれば用いることができる。
Next, details of the cyanate resin composition of the present invention will be described.
The method described below is not particularly limited, and any known method can be used.
本発明のシアネート樹脂組成物は、シアネート樹脂、及び下記一般式(1)で示される化合物を必須成分とする。このことにより、高いガラス転移温度を達成でき、優れた耐熱性、及び光遮蔽性に優れるものとなる。 The cyanate resin composition of the present invention contains a cyanate resin and a compound represented by the following general formula (1) as essential components. As a result, a high glass transition temperature can be achieved, and excellent heat resistance and light shielding properties can be achieved.
(式中のR1、及びR2は、水素、又は、水酸基、エチル基、メチル基、ブチル基、ターシャリーブチル基、フェニル基、及びカルボキシル基よりなる群より選ばれる置換基を表し、R1とR2は、互いに同一であっても異なっていてもよい。)
(R1 in the formula, and R2 is hydrogen or a hydroxyl group, an ethyl group, a methyl group, butyl group, tertiary butyl group, a phenyl group and a substituent selected from the group consisting of carboxyl group, and R 1 R 2 may be the same as or different from each other.
前記シアネート樹脂としては、特に限定されないが、例えば、2,2’-ビス(4-シアネートフェニル)プロパン、2,2’-ビス(4-シアネートフェニル)エタン、2,2’-ビス(4-シアネート-3,5-メチルフェニル)エタン、その他、特開2009−35728に記載のシアネート樹脂等が挙げられ、1種もしくは2種以上を適宜混合して使用することも可能である。これらのシアネート化合物は、そのまま使用してもよく、あるいはプレポリマー化したものを使用することもできる。
尚、プレポリマー化する方法は、特に限定されないが、例えば、50〜200℃程度に加熱することにより得られる。また、触媒の存在下で、加熱することによりプレポリマー化することができる。
The cyanate resin is not particularly limited. For example, 2,2′-bis (4-cyanatephenyl) propane, 2,2′-bis (4-cyanatephenyl) ethane, and 2,2′-bis (4- Other examples include cyanate-3,5-methylphenyl) ethane, and other cyanate resins described in JP-A-2009-35728. One or two or more may be used as appropriate. These cyanate compounds may be used as they are, or prepolymerized ones can also be used.
In addition, although the method to prepolymerize is not specifically limited, For example, it can obtain by heating to about 50-200 degreeC. Moreover, it can prepolymerize by heating in presence of a catalyst.
前記触媒は、特に限定されないが、例えば、鉱酸、ルイス酸などの酸類;ナトリウムアルコラートなど、第三級アミン類などの塩基;炭酸ナトリウムなどの塩類など;ビスフェノール化合物およびモノフェノール化合物のような活性水素含有化合物などである。 Examples of the catalyst include, but are not limited to, acids such as mineral acids and Lewis acids; bases such as sodium alcoholates and tertiary amines; salts such as sodium carbonate; and activities such as bisphenol compounds and monophenol compounds. And hydrogen-containing compounds.
前記式(1)で表される化合物は、スチルベン構造を有することにより、紫外及び可視部の光を吸収し、更にピラゾリン環を有することによりすることにより、着色性、鮮明度に優れることに加えて、長波長領域の光を遮蔽することができる。また、芳香族環をゆすることで耐熱性も向上する。
また前述のジアミノスチルベン系染料、フルオレセイン、チオフラビン、エオシンを用いた場合に生じる、光吸収能力が低下する問題も生じない。
The compound represented by the formula (1) has a stilbene structure, absorbs ultraviolet and visible light, and further has a pyrazoline ring, so that it has excellent colorability and sharpness. Thus, light in the long wavelength region can be shielded. Moreover, heat resistance is improved by shaking the aromatic ring.
Further, there is no problem that the light absorption ability is lowered when the above-mentioned diaminostilbene dye, fluorescein, thioflavine or eosin is used.
前記式(1)式中のR1、R2は、水素、又は、水酸基、エチル基、メチル基、ブチル基、ターシャリーブチル基、フェニル基、及びカルボキシル基よりなる群より選ばれる置換基を表し、R1とR2は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
R1、R2は、式(1)で表される化合物を合成する際に、従来の方法により容易に選択することができる。
R1、R2は、ターシャリーブチル基であることが好ましい。これにより十分な硬化性を発現し、高いガラス転移温度を有し、半田耐熱性に優れ、さらに光遮蔽性に優れる。
R 1 and R 2 in the formula (1) are hydrogen or a substituent selected from the group consisting of a hydroxyl group, an ethyl group, a methyl group, a butyl group, a tertiary butyl group, a phenyl group, and a carboxyl group. R1 and R2 may be the same or different.
R 1 and R 2 can be easily selected by a conventional method when synthesizing the compound represented by the formula (1).
R 1 and R 2 are preferably a tertiary butyl group. Thereby, sufficient curability is expressed, the glass transition temperature is high, the solder heat resistance is excellent, and the light shielding property is excellent.
前記式(1)で表される化合物の配合量は特に限定されないが、シアネート樹脂100重量部中0.01%〜1.0%が好ましい。配合量が前記下限値未満では、一方の面に照射された光が、ソルダーレジスト(フォトレジストと呼ばれる場合もある。)を透過し、さらに積層板内に透過し、他方のソルダーレジストが硬化する場合がある。また、前記上限値より大きい場合では、式(1)で表される化合物が、凝集し、十分な光遮蔽効果が発現しない場合がある。 Although the compounding quantity of the compound represented by said Formula (1) is not specifically limited, 0.01%-1.0% are preferable in 100 weight part of cyanate resin. If the blending amount is less than the lower limit value, the light irradiated on one surface passes through a solder resist (sometimes called a photoresist), further passes through the laminated plate, and the other solder resist is cured. There is a case. Moreover, when larger than the said upper limit, the compound represented by Formula (1) may aggregate and a sufficient light-shielding effect may not be expressed.
本発明のシアネート樹脂組成物は、耐熱性、耐湿性等の特性やコスト等のバランスを考慮するとエポキシ樹脂を併用することが好ましい。
前記エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、エポキシ化ポリブタジエン、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂等が好ましく用いられ、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、サリチルアルデヒドフェノールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂がより好ましく用いられる。耐熱性の向上の点から、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂またはサリチルアルデヒドフェノールノボラック型エポキシ樹脂を用いることが特に好ましい。これらの樹脂は、単独で使用してもよく、また2種類以上を併用することもできる。
In the cyanate resin composition of the present invention, it is preferable to use an epoxy resin in combination in consideration of the balance between characteristics such as heat resistance and moisture resistance and cost.
The epoxy resin is not particularly limited, and for example, bisphenol type epoxy resin, novolak type epoxy resin, aliphatic chain epoxy resin, epoxidized polybutadiene, glycidyl ester type epoxy resin, glycidyl amine type epoxy resin and the like are preferably used. Bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol type epoxy resin such as bisphenol S type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, bisphenol A novolak type epoxy resin, novolak type epoxy such as salicylaldehyde phenol novolak type epoxy resin A resin is more preferably used. From the viewpoint of improving heat resistance, it is particularly preferable to use a bisphenol A novolak type epoxy resin, a cresol novolak type epoxy resin or a salicylaldehyde phenol novolak type epoxy resin. These resins may be used alone or in combination of two or more.
本発明のシアネート樹脂組成物は、硬化促進のため、促進剤を併用することも望ましい。促進剤の種類や配合量は特に限定するものではなく、例えばイミダゾール系化合物、有機リン系化合物、第3級アミン、第4級アンモニウム塩、金属塩等が用いられ、2種類以上を併用してもよい。 It is also desirable that the cyanate resin composition of the present invention is used in combination with an accelerator in order to accelerate curing. The type and amount of the accelerator are not particularly limited. For example, an imidazole compound, an organic phosphorus compound, a tertiary amine, a quaternary ammonium salt, a metal salt, or the like is used, and two or more types are used in combination. Also good.
本発明のシアネート樹脂組成物は、必要に応じて、上記成分以外の添加物を、特性を損なわない範囲で添加することができる。上記成分以外の成分は、例えば、エポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、シリコーンオイル型カップリング剤等のカップリング剤、シリカ、水酸化アルミニウム、タルク等の無機充填材、アクリル系重合物等の表面調整剤、染料及び顔料等の着色剤等、難燃剤等を挙げることができる。 The cyanate resin composition of this invention can add additives other than the said component in the range which does not impair a characteristic as needed. Components other than the above components include, for example, epoxy silane coupling agents, cationic silane coupling agents, amino silane coupling agents, titanate coupling agents, silicone oil type coupling agents, etc., silica, aluminum hydroxide Inorganic fillers such as talc, surface conditioners such as acrylic polymers, colorants such as dyes and pigments, flame retardants, and the like.
次に、プリプレグについて説明する。 Next, the prepreg will be described.
本発明のプリプレグは、上述のシアネート樹脂組成物を基材に含浸させてなるものである。これにより、耐熱性等の各種特性に優れたプリプレグを得ることができる。
前記基材としては、例えば、ガラス繊布、ガラス不繊布等のガラス繊維基材、あるいはガラス以外の無機化合物を成分とする繊布又は不繊布等の無機繊維基材、芳香族ポリアミド樹脂、ポリアミド樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂等の有機繊維で構成される有機繊維基材等が挙げられる。これら基材の中でも強度、吸水率の点でガラス織布に代表されるガラス繊維基材が好ましい。
The prepreg of the present invention is obtained by impregnating a base material with the above-described cyanate resin composition. Thereby, the prepreg excellent in various characteristics, such as heat resistance, can be obtained.
Examples of the base material include glass fiber base materials such as glass fiber cloth and glass non-woven cloth, or inorganic fiber base materials such as fiber cloth and non-fiber cloth containing inorganic compounds other than glass, aromatic polyamide resins, polyamide resins, Examples thereof include organic fiber base materials composed of organic fibers such as aromatic polyester resins, polyester resins, polyimide resins, and fluororesins. Among these base materials, glass fiber base materials represented by glass woven fabric are preferable in terms of strength and water absorption.
前記シアネート樹脂組成物を前記基材に含浸させる方法は、例えば、溶剤を用いシアネート樹脂組成物を樹脂ワニスにし、基材を樹脂ワニスに浸漬する方法、各種コーターによる塗布する方法、スプレーによる吹き付ける方法等が挙げられる。これらの中でも、基材を樹脂ワニスに浸漬する方法が好ましい。これにより、基材に対する樹脂組成物の含浸性を向上することができる。なお、基材を樹脂ワニスに浸漬する場合、通常の含浸塗布設備を使用することができる。 Examples of the method of impregnating the base material with the cyanate resin composition include, for example, a method in which a cyanate resin composition is made into a resin varnish using a solvent, the base material is immersed in the resin varnish, a method of applying with various coaters, and a spraying method of spraying Etc. Among these, the method of immersing the base material in the resin varnish is preferable. Thereby, the impregnation property of the resin composition with respect to a base material can be improved. In addition, when a base material is immersed in a resin varnish, a normal impregnation coating equipment can be used.
前記樹脂ワニスに用いられる溶媒は、前記シアネート樹脂組成物に対して良好な溶解性を示すことが望ましいが、悪影響を及ぼさない範囲で貧溶媒を使用しても構わない。良好な溶解性を示す溶媒としては、例えばN,N−ジメチルホルムアミド等が挙げられる。
前記樹脂ワニス中の固形分は、特に限定されないが、前記シアネート樹脂組成物の固形分40〜80重量%が好ましく、特に50〜65重量%が好ましい。これにより、樹脂ワニスの基材への含浸性を更に向上できる。
前記基材に前記シアネート樹脂組成物を含浸させ、所定温度、例えば80〜200℃で乾燥させることによりプリプレグを得ることができる。
The solvent used in the resin varnish desirably has good solubility in the cyanate resin composition, but a poor solvent may be used as long as it does not have an adverse effect. Examples of the solvent exhibiting good solubility include N, N-dimethylformamide.
The solid content in the resin varnish is not particularly limited, but the solid content of the cyanate resin composition is preferably 40 to 80% by weight, and particularly preferably 50 to 65% by weight. Thereby, the impregnation property to the base material of a resin varnish can further be improved.
A prepreg can be obtained by impregnating the base material with the cyanate resin composition and drying at a predetermined temperature, for example, 80 to 200 ° C.
次に、樹脂シートについて説明する。 Next, the resin sheet will be described.
前記シアネート樹脂組成物を用いた樹脂シートは、前記樹脂ワニスからなる絶縁層をフィルム上、又は金属箔上に形成することにより得られる。 The resin sheet using the cyanate resin composition is obtained by forming an insulating layer made of the resin varnish on a film or a metal foil.
前記樹脂ワニス中のシアネート樹脂組成物の含有量は、特に限定されないが、45〜85重量%が好ましく、特に55〜75重量%が好ましい。 Although content of the cyanate resin composition in the said resin varnish is not specifically limited, 45 to 85 weight% is preferable and 55 to 75 weight% is especially preferable.
次に前記樹脂ワニスを、各種塗工装置を用いて、フィルム上、または金属箔上に塗工した後、これを乾燥する。または、樹脂ワニスをスプレー装置によりキャリアフィルムまたは金属箔に噴霧塗工した後、これを乾燥する。これらの方法により樹脂シートを作製することができる。 Next, the resin varnish is coated on a film or metal foil using various coating apparatuses, and then dried. Or after spray-coating a resin varnish on a carrier film or metal foil with a spray apparatus, this is dried. A resin sheet can be produced by these methods.
前記塗工装置は、特に限定されないが、例えば、ロールコーター、バーコーター、ナイフコーター、グラビアコーター、ダイコーター、コンマコーターおよびカーテンコーターなどを用いることができる。これらの中でも、ダイコーター、ナイフコーター、およびコンマコーターを用いる方法が好ましい。これにより、ボイドがなく、均一な絶縁層の厚みを有する樹脂シートを効率よく製造することができる。 Although the said coating apparatus is not specifically limited, For example, a roll coater, a bar coater, a knife coater, a gravure coater, a die coater, a comma coater, a curtain coater, etc. can be used. Among these, a method using a die coater, a knife coater, and a comma coater is preferable. Thereby, the resin sheet which does not have a void and has the thickness of a uniform insulating layer can be manufactured efficiently.
前記フィルムは、フィルム上に絶縁層を形成するため、取扱いが容易であるものを選択することが好ましい。また、樹脂シートの絶縁層を内層回路基板面に積層後、キャリアフィルムを剥離することから、内層回路基板に積層後、剥離が容易であるものであることが好ましい。したがって、前記フィルムは、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性を有した熱可塑性樹脂フィルムなどを用いることが好ましい。これらキャリアフィルムの中でも、ポリエステルで構成されるフィルムが最も好ましい。これにより、絶縁層から適度な強度で剥離することが容易となる。 It is preferable to select a film that is easy to handle because an insulating layer is formed on the film. Moreover, since the carrier film is peeled after laminating the insulating layer of the resin sheet on the inner layer circuit board surface, it is preferable that the resin sheet is easily peeled after being laminated on the inner layer circuit board. Accordingly, it is preferable to use, for example, a polyester resin such as polyethylene terephthalate or polybutylene terephthalate, or a thermoplastic resin film having heat resistance such as a fluorine resin or a polyimide resin. Among these carrier films, a film made of polyester is most preferable. This facilitates peeling from the insulating layer with an appropriate strength.
前記フィルムは、キャリアフィルムに絶縁層を形成するため、取扱いが容易であるものを選択することが好ましい。また、樹脂シートの絶縁層を内層回路基板面に積層後、フィルムを剥離することから、内層回路基板に積層後、剥離が容易であるものであることが好ましい。したがって、前記フィルムは、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル樹脂、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性を有した熱可塑性樹脂フィルムなどを用いることが好ましい。これらフィルムの中でも、ポリエステルで構成されるフィルムが最も好ましい。これにより、絶縁層から適度な強度で剥離することが容易となる。 It is preferable to select a film that is easy to handle because an insulating layer is formed on the carrier film. Moreover, since the film is peeled after the insulating layer of the resin sheet is laminated on the inner layer circuit board surface, it is preferable that the resin sheet is easily peeled after being laminated on the inner layer circuit board. Therefore, it is preferable to use, for example, a polyester resin such as polyethylene terephthalate or polybutylene terephthalate, a thermoplastic resin film having heat resistance such as a fluorine resin, or a polyimide resin. Among these films, a film composed of polyester is most preferable. This facilitates peeling from the insulating layer with an appropriate strength.
前記フィルムの厚さは、特に限定されないが、1〜100μmが好ましく、特に3〜50μmが好ましい。フィルムの厚さが前記範囲内であると、取扱いが容易で、また絶縁層表面の平坦性に優れる。 Although the thickness of the said film is not specifically limited, 1-100 micrometers is preferable and 3-50 micrometers is especially preferable. When the thickness of the film is within the above range, handling is easy and the flatness of the surface of the insulating layer is excellent.
前記金属箔は、前記フィルム同様、内層回路基板に樹脂シートを積層後、剥離して用いても良いし、また、金属箔をエッチングし導体回路として用いても良い。前記金属箔は、特に限定されないが、例えば、銅及び/又は銅系合金、アルミ及び/又はアルミ系合金、鉄及び/又は鉄系合金、銀及び/又は銀系合金、金及び金系合金、亜鉛及び亜鉛系合金、ニッケル及びニッケル系合金、錫及び錫系合金等の金属箔などを用いることができる。 Similar to the film, the metal foil may be used after being peeled off after laminating a resin sheet on the inner circuit board, or may be used by etching the metal foil as a conductor circuit. The metal foil is not particularly limited. For example, copper and / or copper-based alloy, aluminum and / or aluminum-based alloy, iron and / or iron-based alloy, silver and / or silver-based alloy, gold and gold-based alloy, Metal foils such as zinc and zinc alloys, nickel and nickel alloys, tin and tin alloys can be used.
前記金属箔の厚さは、特に限定されないが、0.1μm以上70μm以下であることが好ましい。さらには1μm以上35μ以下が好ましく、さらに好ましくは1.5μm以上18μm以下が好ましい。前記金属箔の厚さが上記下限値未満であると、金属箔の傷つき、ピンホールの発生し、金属箔をエッチングし導体回路として用いて場合、回路パターン成形時のメッキバラツキ、回路断線、エッチング液やデスミア液等の薬液の染み込みなどが発生する怖れがあり、前記上限値を超えると、金属箔の厚みバラツキが大きくなったり、金属箔粗化面の表面粗さバラツキが大きくなったりする場合がある。 The thickness of the metal foil is not particularly limited, but is preferably 0.1 μm or more and 70 μm or less. Further, it is preferably 1 μm or more and 35 μm or less, more preferably 1.5 μm or more and 18 μm or less. If the thickness of the metal foil is less than the above lower limit, the metal foil is scratched, pinholes are generated, and when the metal foil is etched and used as a conductor circuit, plating variations, circuit disconnection, etching during circuit pattern molding There is a risk of infiltration of chemicals such as liquid and desmear liquid. When the upper limit is exceeded, the thickness variation of the metal foil increases or the surface roughness variation of the metal foil roughened surface increases. There is a case.
また、前記金属箔は、キャリア箔付き極薄金属箔を用いることもできる。キャリア箔付き極薄金属箔とは、剥離可能なキャリア箔と極薄金属箔とを張り合わせた金属箔である。キャリア箔付き極薄金属箔を用いることで前記絶縁層の両面に極薄金属箔層を形成できることから、例えば、セミアディティブ法などで回路を形成する場合、無電解メッキを行うことなく、極薄金属箔を直接給電層として電解メッキすることで、回路を形成後、極薄銅箔をフラッシュエッチングすることができる。キャリア箔付き極薄金属箔を用いることによって、厚さ10μm以下の極薄金属箔でも、例えばプレス工程での極薄金属箔のハンドリング性の低下や、極薄銅箔の割れや切れを防ぐことができる。前記極薄金属箔の厚さは、0.1μm以上10μm以下が好ましい。さらに、0.5μm以上5μm以下が好ましく、さらに1μm以上3μm以下が好ましい。前記極薄金属箔の厚さが前記下限値未満であると、キャリア箔を剥離後の極薄金属箔の傷つき、極薄金属箔のピンホールの発生、ピンホールの発生による回路パターン成形時のメッキバラツキ、回路配線の断線、エッチング液やデスミア液等の薬液の染み込みなどが発生する怖れがあり、前記上限値を超えると、極薄金属箔の厚みバラツキが大きくなったり、極薄金属箔粗化面の表面粗さのバラツキが大きくなったりする場合がある。
通常、キャリア箔付き極薄金属箔は、プレス成形後の積層板に回路パターン形成する前にキャリア箔を剥離する。
The metal foil may be an ultrathin metal foil with a carrier foil. The ultrathin metal foil with a carrier foil is a metal foil obtained by laminating a peelable carrier foil and an ultrathin metal foil. Since an ultra-thin metal foil layer can be formed on both sides of the insulating layer by using an ultra-thin metal foil with a carrier foil, for example, when forming a circuit by a semi-additive method, etc. By electroplating the metal foil directly as the power feeding layer, the ultrathin copper foil can be flash etched after the circuit is formed. By using an ultra-thin metal foil with a carrier foil, even with an ultra-thin metal foil having a thickness of 10 μm or less, for example, a reduction in handling properties of the ultra-thin metal foil in a pressing process, and cracking or cutting of the ultra-thin copper foil are prevented. Can do. The thickness of the ultrathin metal foil is preferably 0.1 μm or more and 10 μm or less. Furthermore, it is preferably 0.5 μm or more and 5 μm or less, more preferably 1 μm or more and 3 μm or less. When the thickness of the ultrathin metal foil is less than the lower limit, the ultrathin metal foil is damaged after peeling the carrier foil, the pinhole of the ultrathin metal foil is generated, and the circuit pattern is formed by the generation of the pinhole. Plating variation, disconnection of circuit wiring, penetration of chemicals such as etching liquid and desmear liquid, etc. may occur. If the above upper limit is exceeded, the thickness variation of the ultrathin metal foil will increase or the ultrathin metal foil There may be a case where the roughness of the roughened surface becomes large.
Usually, an ultrathin metal foil with a carrier foil peels off the carrier foil before forming a circuit pattern on the press-molded laminate.
次に、積層板について説明する。 Next, a laminated board is demonstrated.
本発明の積層板は、上述のプリプレグを少なくとも1枚成形してなるものである。これにより、優れた耐熱性と密着性とを有し、さらに電気特性に優れた積層板を得ることができる。 The laminate of the present invention is formed by molding at least one prepreg described above. Thereby, the laminated board which has the outstanding heat resistance and adhesiveness, and was further excellent in the electrical property can be obtained.
プリプレグ1枚のときは、その上下両面もしくは片面に金属箔またはフィルムを重ねる。
また、プリプレグを2枚以上積層することもできる。プリプレグ2枚以上積層するときは、積層したプリプレグの最も外側の上下両面もしくは片面に金属箔またはフィルムを重ねる。尚、積層板に用いる金属箔またはフィルムは、前記樹脂シートに用いるものを用いることができる。
In the case of a single prepreg, a metal foil or film is stacked on both upper and lower surfaces or one surface.
Two or more prepregs can be laminated. When two or more prepregs are laminated, a metal foil or film is laminated on the outermost upper and lower surfaces or one surface of the laminated prepreg. In addition, what is used for the said resin sheet can be used for the metal foil or film used for a laminated board.
次に、プリプレグと金属箔、及び/またはフィルムとを重ねたものを加熱、加圧して成形することで積層板を得ることができる。
前記加熱する温度は、特に限定されないが、150〜240℃が好ましく、特に180〜220℃が好ましい。
また、前記加圧する圧力は、特に限定されないが、2〜5MPaが好ましく、特に2.5〜4MPaが好ましい。
Next, a laminate can be obtained by heating and pressurizing a laminate of a prepreg and a metal foil and / or a film.
The heating temperature is not particularly limited, but is preferably 150 to 240 ° C, and particularly preferably 180 to 220 ° C.
Moreover, the pressure to pressurize is not particularly limited, but is preferably 2 to 5 MPa, and particularly preferably 2.5 to 4 MPa.
次に、プリント配線板について説明する。プリント配線板の製造方法は、種々あるため以下に一例を説明するが、特に限定されるものでない。 Next, the printed wiring board will be described. Since there are various methods for producing a printed wiring board, an example will be described below, but it is not particularly limited.
前記の両面に銅箔を有する積層板を用い、ドリル等によりスルーホールを形成し、メッキにより前記スルーホールを充填した後、積層板の両面に、エッチング等により所定の導体回路(内層回路)を形成し、導体回路を黒化処理等の粗化処理することにより内層回路基板を作製する。 Using a laminated board having copper foil on both sides, forming through holes with a drill or the like, filling the through holes by plating, and then applying a predetermined conductor circuit (inner layer circuit) on both sides of the laminated board by etching or the like An inner layer circuit board is produced by forming and roughening the conductor circuit such as blackening treatment.
本発明のシアネート樹脂組成物を用いた場合、従来に比べ微細スルーホールを歩留まり良く形成することができ、また従来にスルーホール形成後の壁の凹凸が非常に小さなものとなる。特にレーザー加工によりスルーホールを形成する場合にスルーホール形成後の壁の凹凸が非常に小さなものとなる。 When the cyanate resin composition of the present invention is used, fine through-holes can be formed with a high yield as compared with the conventional case, and the unevenness of the wall after the formation of the through-hole is very small. In particular, when the through hole is formed by laser processing, the unevenness of the wall after forming the through hole becomes very small.
次に前記内層回路基板の上面、及び/または下面に、前述した樹脂シート、または前述したプリプレグを形成し、加熱加圧成形する。
具体的には、前記樹脂シート、またはプリプレグと内層回路基板とを合わせて、真空加圧式ラミネーター装置などを用いて真空加熱加圧成形させる。その後、熱風乾燥装置等で加熱硬化させることにより内層回路基板上に絶縁層を形成することができる。
ここで加熱加圧成形する条件としては特に限定されないが、一例を挙げると、温度60〜160℃、圧力0.2〜3MPaで実施することができる。また、加熱硬化させる条件としては特に限定されないが、一例を挙げると、温度140〜240℃、時間30〜120分間で実施することができる。
Next, the above-described resin sheet or the above-described prepreg is formed on the upper surface and / or the lower surface of the inner layer circuit board, and is heated and pressed.
Specifically, the resin sheet or prepreg and the inner layer circuit board are combined and subjected to vacuum heating and pressing using a vacuum pressurizing laminator apparatus or the like. Thereafter, the insulating layer can be formed on the inner circuit board by heat-curing with a hot air drying device or the like.
Although it does not specifically limit as conditions to heat-press form here, if an example is given, it can implement at the temperature of 60-160 degreeC, and the pressure of 0.2-3 MPa. Moreover, it is although it does not specifically limit as conditions to heat-harden, If an example is given, it can implement in temperature 140-240 degreeC and time 30-120 minutes.
または、前記樹脂シート、またはプリプレグを内層回路基板に重ね合わせ、これを平板プレス装置などを用いて加熱加圧成形することにより内層回路基板上に絶縁層を形成することもできる。
ここで加熱加圧成形する条件としては、特に限定されないが、一例を挙げると、温度140〜240℃、圧力1〜4MPaで実施することができる。
Alternatively, the insulating layer can also be formed on the inner layer circuit board by superimposing the resin sheet or prepreg on the inner layer circuit board and then heat-pressing the resin sheet or prepreg using a flat plate press apparatus or the like.
Although it does not specifically limit as conditions to heat-press form here, If an example is given, it can implement at the temperature of 140-240 degreeC, and the pressure of 1-4 MPa.
上述した方法にて得られた積層体は、絶縁層表面を過マンガン酸塩、重クロム酸塩等の酸化剤などにより粗化処理した後、金属メッキにより新たな導電配線回路を形成することができる。 The laminated body obtained by the above-described method can form a new conductive wiring circuit by metal plating after roughening the surface of the insulating layer with an oxidizing agent such as permanganate or dichromate. it can.
本発明のシアネート樹脂組成物を用いた場合、従来に比べ微細配線加工に優れ、導体回路を形成した際の導体幅(ライン)、及び導体間(スペース)が非常に狭い配線を歩留まり良く形成することができる。 When the cyanate resin composition of the present invention is used, it is excellent in fine wiring processing as compared with the prior art, and forms a wiring with a very narrow conductor width (line) and conductor (space) when a conductor circuit is formed with a high yield. be able to.
その後、前記絶縁層を加熱することにより硬化させる。硬化させる温度は、特に限定されないが、例えば、160℃〜240℃の範囲で硬化させることができる。好ましくは180℃〜200℃で硬化させることである。
次に、絶縁層に、炭酸レーザー装置を用いて開口部を設け、電解銅めっきにより絶縁層表面に外層回路形成を行い、外層回路と内層回路との導通を図る。なお、外層回路には、半導体素子を実装するための接続用電極部を設ける。
その後、最外層にソルダーレジストを形成し、露光・現像により半導体素子が実装できるよう接続用電極部を露出させ、ニッケル金メッキ処理を施し、所定の大きさに切断し、プリント配線板を得ることができる。
Thereafter, the insulating layer is cured by heating. Although the temperature to harden | cure is not specifically limited, For example, it can be hardened in the range of 160 to 240 degreeC. Preferably it is made to harden | cure at 180 to 200 degreeC.
Next, an opening is provided in the insulating layer by using a carbonic acid laser device, and an outer layer circuit is formed on the surface of the insulating layer by electrolytic copper plating to achieve conduction between the outer layer circuit and the inner layer circuit. The outer layer circuit is provided with a connection electrode portion for mounting a semiconductor element.
After that, a solder resist is formed on the outermost layer, the connection electrode part is exposed so that a semiconductor element can be mounted by exposure and development, nickel gold plating treatment is performed, and a printed wiring board is obtained by cutting to a predetermined size. it can.
本発明のシアネート樹脂組成物を用いた場合、ニッケル金メッキの際に従来のエポキシ樹脂組成物を用いた場合に比べ、絶縁層にニッケル等の金属原子が残らないため、電気信頼性に優れる。 When the cyanate resin composition of the present invention is used, since metal atoms such as nickel do not remain in the insulating layer as compared with the case of using a conventional epoxy resin composition during nickel gold plating, the electrical reliability is excellent.
次に、半導体装置について説明する。 Next, a semiconductor device will be described.
半導体装置は、上述したプリント配線板に半導体素子を実装し、製造することができる。半導体素子の実装方法、封止方法は特に限定されない。例えば、半導体素子とプリント配線板とを、フリップチップボンダーなどを用いてプリント配線板上の接続用電極部と半導体素子の半田バンプの位置合わせを行う。その後、IRリフロー装置、熱板、その他加熱装置を用いて半田バンプを融点以上に加熱し、プリント配線配板上の接続用電極部と半田バンプとを溶融接合することにより接続する。そして、プリント配線板と半導体素子との間に液状封止樹脂を充填し、硬化させることで半導体装置を得ることができる。 A semiconductor device can be manufactured by mounting a semiconductor element on the printed wiring board described above. The mounting method and the sealing method of the semiconductor element are not particularly limited. For example, a semiconductor element and a printed wiring board are aligned using a flip chip bonder or the like, and a connection electrode portion on the printed wiring board and a solder bump of the semiconductor element are aligned. Thereafter, the solder bump is heated to the melting point or higher by using an IR reflow device, a hot plate, or other heating device, and the connection electrode portion on the printed wiring board and the solder bump are connected by fusion bonding. And a semiconductor device can be obtained by filling and hardening a liquid sealing resin between a printed wiring board and a semiconductor element.
以下、実施例および比較例により、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。 Hereinafter, although an example and a comparative example explain the present invention in detail, the present invention is not limited to this.
(実施例1)
1.樹脂ワニスの調製
ノボラック型シアネート樹脂(ロンザジャパン株式会社製、プリマセットPT−30)22.0重量%、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業社製N−690)13.0重量%、式(1)で表される化合物(1-フェニル-3-(4-tert-ブチルスチリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)ピラゾリン)中央合成社製HR−50 0.05重量部、無機充填剤として球状シリカ(平均粒子径0.5μm)65.0重量%、ナフテン酸コバルト0.1重量%に固形分が70%となるようにN,N−ジメチルホルムアミドと混合し、樹脂ワニスを得た。
Example 1
1. Preparation of resin varnish 22.0% by weight of novolak cyanate resin (Lonza Japan Co., Ltd., Primaset PT-30), 13.0% by weight of cresol novolac epoxy resin (N-690, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) Compound represented by formula (1) (1-phenyl-3- (4-tert-butylstyryl) -5- (4-tert-butylphenyl) pyrazoline) Chuo Gosei Co., Ltd., HR-50 0.05 parts by weight, Resin varnish is mixed with N, N-dimethylformamide so that the solid content is 70% by weight with spherical silica (average particle size 0.5 μm) 65.0% by weight, cobalt naphthenate 0.1% by weight as inorganic filler. Got.
2.プリプレグの作製
上記により調製した樹脂ワニスを基材に含浸して、150℃で5分間乾燥させて、0.1mmのプリプレグを得た。
2. Preparation of Prepreg The resin varnish prepared as described above was impregnated into a base material and dried at 150 ° C. for 5 minutes to obtain a 0.1 mm prepreg.
3.積層板の作製
上記により作成したプリプレグの両面に厚み12μmの銅箔(三井金属製3EC−M3VLP)を重ねあわせて、220℃、3MPaで加熱加圧成型し、0.1mmの銅箔を両面に有する積層板を得た。
積層板の厚みは、0.4mmであった。
3. Fabrication of laminated plate A 12 μm thick copper foil (3EC-M3VLP made by Mitsui Metals) was superimposed on both sides of the prepreg produced as described above, and heat-press molded at 220 ° C. and 3 MPa, and a 0.1 mm copper foil was formed on both sides. The laminated board which has is obtained.
The thickness of the laminated board was 0.4 mm.
4.プリント配線板の作製
前記で得られた積層板に、0.1mmのドリルビットを用いてスルーホール加工を行った後、メッキによりスルーホールを充填した。さらに、両面をエッチングにより回路形成し、内層回路基板として用いた。前記内層回路基板の表裏に、前記で得られたプリプレグを重ね合わせ、これを、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度100℃、圧力1MPaにて真空加熱加圧成形させた。これを、熱風乾燥装置にて170℃で60分間加熱し硬化させて、積層体を得た。
4). Fabrication of Printed Wiring Board The laminated board obtained above was subjected to through hole processing using a 0.1 mm drill bit, and then filled with through holes by plating. Further, a circuit was formed on both sides by etching and used as an inner layer circuit board. The prepreg obtained above was superposed on the front and back of the inner layer circuit board, and this was subjected to vacuum heating and press molding at a temperature of 100 ° C. and a pressure of 1 MPa using a vacuum pressurizing laminator apparatus. This was heated and cured at 170 ° C. for 60 minutes in a hot air drying apparatus to obtain a laminate.
次に、表面の電解銅箔層に黒化処理を施した後、炭酸ガスレーザーで、層間接続用のφ60μmのビアホールを形成した。次いで、70℃の膨潤液(アトテックジャパン社製、スウェリングディップ セキュリガント P)に5分間浸漬し、さらに80℃の過マンガン酸カリウム水溶液(アトテックジャパン社製、コンセントレート コンパクト CP)に15分浸漬後、中和してビアホール内のデスミア処理を行った。次に、フラッシュエッチングにより電解銅箔層表面を1μm程度エッチングした後、無電解銅メッキを厚さ0.5μmで行い、電解銅メッキ用レジスト層を厚さ18μm形成しパターン銅メッキし、温度200℃時間60分加熱してポストキュアした。次いで、メッキレジストを剥離し全面をフラッシュエッチングして、L/S=20/20μmのパターンを形成した。
最後に回路表面にソルダーレジスト(太陽インキ社製PSR4000/AUS308)を厚さ20μm形成しプリント配線板を得た。
Next, the surface electrolytic copper foil layer was subjected to blackening treatment, and a φ60 μm via hole for interlayer connection was formed by a carbon dioxide gas laser. Next, it is immersed in a swelling solution at 70 ° C. (Atotech Japan Co., Swelling Dip Securigant P) for 5 minutes, and further immersed in an aqueous solution of potassium permanganate at 80 ° C. (Concentrate Compact CP, manufactured by Atotech Japan) for 15 minutes. Then, it neutralized and the desmear process in a via hole was performed. Next, after the surface of the electrolytic copper foil layer is etched by about 1 μm by flash etching, electroless copper plating is performed with a thickness of 0.5 μm, a resist layer for electrolytic copper plating is formed with a thickness of 18 μm, and pattern copper plating is performed. The film was post-cured by heating at 60 ° C. for 60 minutes. Next, the plating resist was peeled off and the entire surface was flash etched to form a pattern of L / S = 20/20 μm.
Finally, a solder resist (PSR4000 / AUS308 manufactured by Taiyo Ink Co., Ltd.) having a thickness of 20 μm was formed on the circuit surface to obtain a printed wiring board.
5.半導体装置の製造
半導体装置の製造に用いるプリント配線板は、前記で得られたプリント配線板であって、半導体素子の半田バンプ配列に相当するニッケル金メッキ処理が施された接続用電極部を配したものを50mm×50mmの大きさに切断し使用した。半導体素子(TEGチップ、サイズ15mm×15mm、厚み0.8mm)は、Sn/Pb組成の共晶で形成された半田バンプを有し、半導体素子の回路保護膜はポジ型感光性樹脂(住友ベークライト社製CRC−8300)で形成されたものを使用した。半導体装置の組み立ては、まず、半田バンプにフラックス材を転写法により均一に塗布し、次にフリップチップボンダー装置を用い、多層プリント配線板上に加熱圧着により搭載した。次に、IRリフロー炉で半田バンプを溶融接合した後、液状封止樹脂(住友ベークライト社製、CRP−4152S)を充填し、液状封止樹脂を硬化させることで半導体装置を得た。尚、液状封止樹脂の硬化条件は、温度150℃、120分の条件であった。
5. Manufacturing of Semiconductor Device A printed wiring board used for manufacturing a semiconductor device is a printed wiring board obtained as described above, and provided with a connecting electrode portion subjected to nickel gold plating corresponding to a solder bump arrangement of a semiconductor element. The thing was cut into a size of 50 mm × 50 mm and used. A semiconductor element (TEG chip, size 15 mm × 15 mm, thickness 0.8 mm) has a solder bump formed of a eutectic of Sn / Pb composition, and a circuit protective film of the semiconductor element is a positive photosensitive resin (Sumitomo Bakelite). What was formed by company CRC-8300) was used. In assembling the semiconductor device, first, a flux material was uniformly applied to the solder bumps by a transfer method, and then mounted on a multilayer printed wiring board by thermocompression bonding using a flip chip bonder device. Next, after solder bumps were melt-bonded in an IR reflow furnace, a liquid sealing resin (manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd., CRP-4152S) was filled and the liquid sealing resin was cured to obtain a semiconductor device. The curing condition of the liquid sealing resin was a temperature of 150 ° C. and 120 minutes.
(実施例2、比較例1、及び比較例2)
実施例2、比較例1、及び比較例2は、表1に記載の配合表に従い樹脂ワニスを調製した以外は、実施例1と同様に樹脂ワニス、プリプレグ、積層板、樹脂シート、プリント配線板、及び半導体装置を作製した。
尚、用いた原料を以下に示す。
(1)シアネート樹脂/ノボラック型シアネート樹脂:ロンザジャパン社製・「プリマセットPT−30」、シアネート当量124
(2)エポキシ樹脂/クレゾールノボラック型エポキシ樹脂:大日本インキ化学工業社製 「N−690」)、エポキシ当量220g/eq
(3)マレイミド樹脂/3−エチル−5−メチル−4−マレイミドフェニル)メタン:ケイアイ化成(株)製、「BMI−70」
(4)式(1)で表される化合物/1−フェニル−3−(4−ターシャリーブチルスチリル)−5−(4−ターシャリーブチルフェニル)ピラゾリン:中央合成社製・「品番HR−50」
(5)フルホレセイン:関東化学社製・「品番フルオレセイン」
(6)硬化促進剤/ナフテン酸コバルト:日本化学産業社製・「品番ナフテン酸Co」
(7)無機充填材/溶融シリカ;アドマテックス社製・「品番SO−25R」、平均粒子0.5μm
(Example 2, Comparative Example 1, and Comparative Example 2)
Example 2, Comparative Example 1, and Comparative Example 2 were the same as in Example 1 except that the resin varnish was prepared according to the recipe shown in Table 1. Resin varnish, prepreg, laminate, resin sheet, printed wiring board A semiconductor device was manufactured.
The raw materials used are shown below.
(1) Cyanate resin / Novolac type cyanate resin: Lonza Japan Co., Ltd. “Primaset PT-30”, cyanate equivalent 124
(2) Epoxy resin / cresol novolac type epoxy resin: “N-690” manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), epoxy equivalent of 220 g / eq
(3) Maleimide resin / 3-ethyl-5-methyl-4-maleimidophenyl) methane: manufactured by Keisei Kasei Co., Ltd., “BMI-70”
(4) Compound represented by formula (1) / 1-phenyl-3- (4-tertiarybutylstyryl) -5- (4-tertiarybutylphenyl) pyrazoline: manufactured by Chuo Gosei Co., Ltd., “Product No. HR-50 "
(5) Full Hole Sein: “Part No. Fluorescein” manufactured by Kanto Chemical Co.
(6) Curing accelerator / Cobalt naphthenate: Nippon Kagaku Sangyo Co., Ltd. “Part No. Naphthenic Acid Co”
(7) Inorganic filler / fused silica; manufactured by Admatechs, “Part No. SO-25R”, average particle 0.5 μm
実施例及び比較例の樹脂ワニスの配合表、及び配合表に従い調整した樹脂ワニス、当該樹脂ワニスを用いて作製したプリプレグ、積層板、樹脂シート、プリント配線板、及び半導体装置等について行った評価結果を表1に示す。 Example and comparative examples of resin varnishes, and resin varnishes prepared according to the formulation table, prepregs prepared using the resin varnishes, laminates, resin sheets, printed wiring boards, semiconductor devices, and other evaluation results Is shown in Table 1.
(評価方法)
前記評価は、以下の方法により行った。
(Evaluation methods)
The evaluation was performed by the following method.
(1)ガラス転移温度
前記で得られた両面に銅箔を有する積層板の銅箔を全面エッチングし、所定のサイズの試料を切り出し、DMA装置(TAインスツルメント社製DMA2980)を用いて5℃/分の割合で昇温しながら、周波数1Hzの歪みを与えて動的粘弾性の測定を行った。ガラス転移温度は、tanδが最大値を示す温度とした。
(1) Glass transition temperature The copper foil of the laminated board which has copper foil on the both surfaces obtained above is etched on the whole surface, a sample of a predetermined size is cut out, and 5 using a DMA apparatus (DMA 2980 manufactured by TA Instruments). While increasing the temperature at a rate of ° C./minute, a dynamic viscoelasticity was measured by applying a strain of a frequency of 1 Hz. The glass transition temperature was a temperature at which tan δ exhibited a maximum value.
(2)半田耐熱性
得られた積層板を50mm×50mmにグラインダーソーでカットした後、エッチングにより銅箔を1/4だけ残した試料を作製し、JISC 6481に準拠して測定した。測定は、121℃、100%、2時間、PCT吸湿処理を行った後に、288℃の半田槽に30秒間浸漬した後で外観の異常の有無を調べた。
(2) Solder heat resistance After the obtained laminated plate was cut into a 50 mm × 50 mm grinder saw, a sample in which only 1/4 of the copper foil was left by etching was prepared, and measured according to JISC 6481. In the measurement, after performing a PCT moisture absorption treatment at 121 ° C., 100% for 2 hours, it was immersed in a solder bath at 288 ° C. for 30 seconds, and then the presence or absence of appearance abnormality was examined.
(3)光遮蔽性
得られた積層板を全面エッチングして銅を除去し、その基板の両面にソルダーレジスト(太陽インキ製「PSR−4000」)を50μmの厚さで塗布し、80℃で15分乾燥した。
その後、一方の面にネガフィルムを当て、他方の面より紫外線照射機(オーク製作所製)にて365nm、1.2J/cm2の紫外線を照射し、炭酸ナトリウム溶液にて現像し、ネガフィルムを当てた面のソルダーレジスト残存の有無を調べた。
ソルダーレジストが残存する場合は、ネガフィルムを当てた面のソルダーレジストまで光が透過し、ソルダーレジストの少なくとも一部が硬化したことを示す。これを表1中、「裏露光あり」とした。一方、ソルダーレジストの残存がない場合は、光が透過していないと判断できる。これを表1中、「裏露光なし」とした。
(3) Light shielding properties The obtained laminate is etched on the entire surface to remove copper, and a solder resist (“PSR-4000” manufactured by Taiyo Ink) is applied to both sides of the substrate to a thickness of 50 μm at 80 ° C. Dried for 15 minutes.
Then, a negative film is applied to one surface, and 365 nm, 1.2 J / cm 2 of ultraviolet light is irradiated from the other surface with an ultraviolet irradiator (manufactured by Oak Manufacturing), developed with a sodium carbonate solution, and a negative film is applied. The presence of remaining solder resist on the surface was examined.
When the solder resist remains, light is transmitted to the solder resist on the surface to which the negative film is applied, indicating that at least a part of the solder resist is cured. In Table 1, this was designated as “with back exposure”. On the other hand, when no solder resist remains, it can be determined that light is not transmitted. This was defined as “no back exposure” in Table 1.
表1から明らかなように、実施例1、2は、いずれもシアネート樹脂および一般式(1)で表される化合物を必須成分とする本発明のシアネート樹脂組成物を用いた結果であり、ガラス転移温度が高く、半田耐熱性、紫外線遮蔽性に優れていた。 As is clear from Table 1, Examples 1 and 2 are the results of using the cyanate resin composition of the present invention containing both the cyanate resin and the compound represented by the general formula (1) as essential components. The transition temperature was high, and solder heat resistance and UV shielding were excellent.
これに対し、比較例1は一般式(1)で表される化合物を含まなかったため裏露光が生じた。
また、比較例2はフルオレセインを用いたため、ガラス点移温度が低下した。
On the other hand, since Comparative Example 1 did not contain the compound represented by the general formula (1), back exposure occurred.
Moreover, since the comparative example 2 used fluorescein, the glass point transition temperature fell.
本発明のシアネート樹脂組成物は、ガラス点移転が高く、半田耐熱性に優れ、両面同時露光でも裏露光を生じないので薄型で高性能が要求されるインターポーザ、半導体装置に有用に用いることができる。 The cyanate resin composition of the present invention has high glass point transfer, excellent solder heat resistance, and does not cause back exposure even with double-sided simultaneous exposure, so it can be usefully used for interposers and semiconductor devices that are thin and require high performance. .
Claims (8)
(式中のR1、及びR2は、水素、又は、水酸基、エチル基、メチル基、ブチル基、ターシャリーブチル基、フェニル基、及びカルボキシル基よりなる群より選ばれる置換基を表し、R1とR2とは、互いに同一であっても異なっていてもよい。) A cyanate resin composition comprising a cyanate resin and a compound represented by the following formula (1) as essential components.
(Wherein R 1 and R 2 represent hydrogen or a substituent selected from the group consisting of a hydroxyl group, an ethyl group, a methyl group, a butyl group, a tertiary butyl group, a phenyl group, and a carboxyl group; 1 and R 2 may be the same or different from each other.
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