JP2011141451A - Photocrosslinkable resin composition - Google Patents
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Abstract
【課題】表面に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂層を形成し、アルカリ水溶液によって光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行った後、回路パターンの露光、現像処理を行う回路基板の製造方法において、光架橋性樹脂層を薄膜化した後、樹脂層表面が剥き出しの状態でも酸素による重合阻害の影響をほとんど受けない光架橋性樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】(a)表面に導電層が設けられている基板上に光架橋性組成物を含有してなる光架橋性樹脂層を形成する工程、(b)アルカリ水溶液によって未硬化部の光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、(c)回路パターンの露光工程、(d)現像工程を含むレジストパターンの作製方法で使用される光架橋性組成物が、ジアルキルアミノベンゼン構造を有する化合物を含有してなることを特徴とする光架橋性樹脂組成物。
【選択図】図1An object of the present invention is to form a photocrosslinkable resin layer on a substrate having a conductive layer on the surface, perform a thinning process on the photocrosslinkable resin layer with an alkaline aqueous solution, and then perform exposure and development of a circuit pattern. In a method for producing a circuit board, the present invention is to provide a photocrosslinkable resin composition that is hardly affected by polymerization inhibition by oxygen even when the surface of the resin layer is exposed after the photocrosslinkable resin layer is thinned.
(A) a step of forming a photocrosslinkable resin layer containing a photocrosslinkable composition on a substrate provided with a conductive layer on the surface; (b) light of an uncured portion by an alkaline aqueous solution; A photocrosslinkable composition used in a method for producing a resist pattern including a step of thinning a crosslinkable resin layer, (c) a circuit pattern exposure step, and (d) a development step has a dialkylaminobenzene structure. A photocrosslinkable resin composition comprising a compound.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、光架橋性樹脂組成物に関する。 The present invention relates to a photocrosslinkable resin composition.
プリント配線板やリードフレームの製造方法として、表面に導電層を設けた絶縁性基板あるいは導電性基板の回路部にエッチングレジスト層を設け、露出している非回路部の導電層をエッチング除去して導電パターンを形成するサブトラクティブ法がある。また、絶縁性基板の回路部にメッキ法で導電層を設けていくアディティブ法やセミアディティブ法がある。 As a method of manufacturing printed wiring boards and lead frames, an etching resist layer is provided on an insulating substrate having a conductive layer on the surface or a circuit portion of the conductive substrate, and the exposed conductive layer of the non-circuit portion is removed by etching. There is a subtractive method for forming a conductive pattern. In addition, there are an additive method and a semi-additive method in which a conductive layer is provided on a circuit portion of an insulating substrate by a plating method.
近年の電子機器の小型、多機能化に伴い、機器内部に使用されるプリント配線板やリードフレームも高密度化や導電パターンの微細化が進められており、サブトラクティブ法により、現在では導体幅が50〜80μm未満、導体間隙が50〜80μmの導電パターンが製造されている。また、さらなる高密度化、微細配線化が進み、導体幅あるいは導体間隙50μm未満の超微細な導電パターンが求められるようになってきている。それに伴って、導電パターンの精度やインピーダンスの要求も高くなっている。このような微細な導電パターンを形成するため、従来から、サブトラクティブ法に代わり、セミアディティブ法が検討されているが、製造工程が大幅に増加するという問題や電解メッキ銅の接着強度不足等の問題があった。そのため、サブトラクティブ法でプリント配線板やリードフレームを製造するのが主流となっている。 As electronic devices have become smaller and more multifunctional in recent years, printed wiring boards and lead frames used inside the devices have been increased in density and conductive patterns. Has a conductive pattern of 50 to less than 80 μm and a conductor gap of 50 to 80 μm. In addition, with higher density and finer wiring, ultrafine conductive patterns with a conductor width or conductor gap of less than 50 μm have been required. Along with this, the requirements for the accuracy and impedance of the conductive pattern are also increasing. In order to form such a fine conductive pattern, a semi-additive method has been studied instead of the subtractive method. However, there are problems such as a significant increase in the manufacturing process and insufficient adhesive strength of electrolytically plated copper. There was a problem. For this reason, the production of printed wiring boards and lead frames by the subtractive method has become the mainstream.
サブトラクティブ法において、エッチングレジスト層は、感光性材料を用いた露光現像工程を有するフォトファブリケーション法、スクリーン印刷法、インクジェット法等によって形成される。この中でも、フォトファブリケーション法におけるネガ型のドライフィルムレジストと呼ばれるシート状の光架橋性樹脂層を用いた方法は、取り扱い性に優れ、テンティングによるスルーホールの保護が可能なことから好適に用いられている。 In the subtractive method, the etching resist layer is formed by a photofabrication method, a screen printing method, an ink jet method or the like having an exposure and development process using a photosensitive material. Among these, the method using a sheet-like photocrosslinkable resin layer called a negative dry film resist in the photofabrication method is preferably used because it is easy to handle and can protect through holes by tenting. It has been.
光架橋性樹脂層を用いた方法では、基板上に光架橋性樹脂組成物を含有してなる光架橋性樹脂層を形成し、露光現像工程を経てエッチングレジスト層が形成される。微細な導電パターンを形成するためには、微細なエッチングレジスト層を形成させることが必要不可欠である。このために、できる限りエッチングレジスト層の膜厚を薄くする必要がある。光架橋性樹脂層として一般的なドライフィルムレジストでは、例えば、10μm以下の膜厚にすると、ゴミを核とした気泡の混入や凹凸追従性の低下が原因となり、エッチングレジスト層の剥がれや断線が発生するという問題があり、微細なエッチングレジスト層を形成させることは困難であった。 In the method using a photocrosslinkable resin layer, a photocrosslinkable resin layer containing a photocrosslinkable resin composition is formed on a substrate, and an etching resist layer is formed through an exposure and development process. In order to form a fine conductive pattern, it is indispensable to form a fine etching resist layer. Therefore, it is necessary to make the etching resist layer as thin as possible. For dry film resists that are common as photocrosslinkable resin layers, for example, if the film thickness is 10 μm or less, the etching resist layer may be peeled off or disconnected due to the inclusion of bubbles with dust as a core and a decrease in irregularity followability. There is a problem that it occurs, and it is difficult to form a fine etching resist layer.
このような問題を解決すべく、あらかじめ基板上に厚い光架橋性樹脂層を形成し、次に、アルカリ水溶液を用いて光架橋性樹脂層を薄膜化した後、回路パターンの露光、現像を行うレジストパターンの作製方法によって、エッチングレジスト層を形成する方法が提案されている(例えば、特許文献1参照)。 In order to solve such problems, a thick photocrosslinkable resin layer is formed on the substrate in advance, and then the photocrosslinkable resin layer is thinned using an alkaline aqueous solution, and then the circuit pattern is exposed and developed. There has been proposed a method of forming an etching resist layer by a resist pattern manufacturing method (see, for example, Patent Document 1).
図1及び図2を用いて、特許文献1に記載されているレジストパターンの作製方法を説明する。図1では、基板2としては、片表面に導電層4を設けた絶縁性基板5を使用している。工程(a)では、基板2の導電層4上に光架橋性樹脂層1を形成する。工程(b)では、アルカリ水溶液によって、未硬化の光架橋性樹脂層1の薄膜化処理を行う。工程(c)では、回路パターンに相当する部分の光架橋性樹脂層1を露光し、架橋部3を形成する。工程(d)では、未硬化の光架橋性樹脂層1を現像により除去し、レジストパターンを得る。
A method for producing a resist pattern described in
図2では、基板2としては、孔6を有し、表面及び孔内部に導電層4が設けられている絶縁性基板5を使用している。工程(a)では、孔6を塞ぐような状態で、基板2の表面の導電層4上に光架橋性樹脂層1を形成する。工程(e)では、一部の光架橋性樹脂層1を露光して架橋させ、架橋部3を形成する。図2では、孔2上及びその周囲部を露光している。工程(b)では、未硬化の光架橋性樹脂層1の薄膜化処理を行う。工程(c)では、回路パターンに相当する部分の光架橋性樹脂層1を露光し、架橋部3を形成する。工程(d)では、未硬化の光架橋性樹脂層1を現像により除去し、レジストパターンを得る。図2の方法によれば、孔上及びその周囲部にテンティング強度を有する厚いエッチングレジスト層を形成することができる。
In FIG. 2, as the
しかしながら、特許文献1の方法にはいくつかの問題があった。第1の問題は、酸素による重合阻害である。光架橋性樹脂層は、ラミネータ装置によって、支持層フィルムに積層された状態で基板上に形成されるが、工程(b)において、光架橋性樹脂層を薄膜化する前に、支持層フィルムを剥離する必要がある。そのため、薄膜化後の光架橋性樹脂層表面は空気中の酸素にさらされ、工程(c)における露光において、酸素による重合阻害が発生しやすい。フォトツールを用いた密着露光では、空気中の酸素を除去できるため、重合阻害はほとんど起こらないが、光架橋性樹脂層表面のタック性、異物による欠陥が問題になる場合がある。そこで、薄膜化後に支持層フィルムを再積層すれば、酸素阻害の問題がなく、光架橋性樹脂層表面はタックフリーとなり作業性が向上するが、支持層フィルムを再積層するための装置が必要になって工程数が増える。さらに、支持層フィルムの回折光により解像度が低下するため、高精細な画線の再現性が劣る場合があった。よって、工程(b)で薄膜化された光架橋性樹脂層には、酸素による重合阻害を受けにくくするために、光架橋性樹脂層の表面における硬化性(以下、「表面硬化性」という)が高いことが求められている。
However, the method of
第2の問題は、図2のレジストパターンの作製方法で形成される段差に関連するものである。図2の工程(c)において、密着露光で回路パターンを露光しようとしても、孔上及びその周囲部に段差があるため、密着が不十分となるだけでなく、光漏れによるショート欠陥が発生しやすくなることである。非接触露光であれば、段差が原因の問題は起こりにくくなるが、酸素による重合阻害は発生する。そこで、酸素阻害を回避するため、光架橋性樹脂層薄膜化後に支持層フィルムを再積層しようとしても、段差でフィルムが追従できず、段差の周囲で回折光による解像度の低下が起こる場合があった。さらに、ラミネータ装置等を使って支持層フィルムを再積層しようとすると、段差で未硬化の光架橋性樹脂層に凹みが発生し、エッチングレジスト層の耐久性が低下する場合があった。 The second problem is related to the level difference formed by the resist pattern manufacturing method of FIG. In step (c) of FIG. 2, even if an attempt is made to expose a circuit pattern by contact exposure, there is a step on the hole and its peripheral part, so that not only contact is insufficient, but a short defect due to light leakage occurs. It will be easier. In the case of non-contact exposure, a problem due to a step is less likely to occur, but polymerization inhibition due to oxygen occurs. Therefore, in order to avoid oxygen inhibition, even if the support layer film is re-laminated after the photocrosslinkable resin layer is thinned, the film cannot follow the step, and the resolution may be reduced by diffracted light around the step. It was. Furthermore, when the support layer film is re-laminated using a laminator apparatus or the like, a dent is generated in the uncured photocrosslinkable resin layer at a step, and the durability of the etching resist layer may be lowered.
第3の問題は、図2の工程(e)で露光した部分(以下、「厚膜部分」という)における問題である。厚膜部分では、表面硬化性だけでなく、内部または深部における硬化性(以下、「内部硬化性」、「深部硬化性」という)が重要になり、内部硬化性または深部硬化性が不足すると、密着不良によるエッチングレジスト層の剥がれが発生しやすくなる傾向があった。 The third problem is a problem in the portion exposed in step (e) in FIG. 2 (hereinafter referred to as “thick film portion”). In the thick film part, not only the surface curability but also the curability in the inside or deep part (hereinafter referred to as “internal curability”, “deep curability”) becomes important, and if the internal curability or deep curability is insufficient, There was a tendency for the etching resist layer to peel off due to poor adhesion.
本発明の課題は、(a)表面に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂組成物を含有してなる光架橋性樹脂層を形成する工程、(b)アルカリ水溶液によって未硬化の光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、(c)回路パターンの露光工程、(d)現像工程を含んでなるレジストパターンの作製方法で使用される光架橋性樹脂組成物において、光架橋性樹脂層を薄膜化した後、樹脂層表面が剥き出しの状態でも酸素による重合阻害の影響をほとんど受けない高い表面硬化性を有する光架橋性樹脂組成物を提供することである。 An object of the present invention is (a) a step of forming a photocrosslinkable resin layer containing a photocrosslinkable resin composition on a substrate provided with a conductive layer on the surface, (b) uncured by an alkaline aqueous solution. In the photocrosslinkable resin composition used in the method for producing a resist pattern comprising the step of thinning the photocrosslinkable resin layer of (c), the exposure step of the circuit pattern, and (d) the development step, An object of the present invention is to provide a photocrosslinkable resin composition having high surface curability that is hardly affected by polymerization inhibition by oxygen even after the surface of the resin layer is exposed after the crosslinkable resin layer is thinned.
また、工程(a)と工程(b)との間に、(e)一部の光架橋性樹脂層を露光して硬化させる工程を含む場合に、表面硬化性だけでなく、厚膜部分の内部硬化性または深部硬化性をも得られる光架橋性樹脂組成物を提供することである。 Moreover, when including the process of exposing and hardening a one part photocrosslinkable resin layer between process (a) and process (b), not only surface curability but a thick film part is also included. The object is to provide a photocrosslinkable resin composition that can also provide internal curability or deep curability.
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、
(a)表面に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂組成物を含有してなる光架橋性樹脂層を形成する工程、(b)アルカリ水溶液によって未硬化の光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、(c)回路パターンの露光工程、(d)現像工程を含んでなるレジストパターンの作製方法で使用される光架橋性樹脂組成物において、
(A)カルボキシル基を含有するポリマー、(B)分子内に少なくとも1個の重合可能なエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物、(C)光重合開始剤、(D)重合禁止剤を含有してなり、(C)成分として、ジアルキルアミノベンゼン構造を有する化合物が(C)成分全体に対して4.0〜15質量%、かつ、光架橋性樹脂組成物に対して0.20〜0.60質量%含有されてなることを特徴とする光架橋性樹脂組成物を見出した。
As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have
(A) a step of forming a photocrosslinkable resin layer containing a photocrosslinkable resin composition on a substrate having a conductive layer on the surface, (b) an uncured photocrosslinkable resin layer by an aqueous alkali solution In the photocrosslinkable resin composition used in the method for producing a resist pattern comprising the step of performing a thinning process of (c), an exposure step of a circuit pattern, and (d) a development step,
(A) a polymer containing a carboxyl group, (B) a photopolymerizable compound having at least one polymerizable ethylenically unsaturated group in the molecule, (C) a photopolymerization initiator, and (D) a polymerization inhibitor. As a component (C), the compound having a dialkylaminobenzene structure is 4.0 to 15% by mass with respect to the total component (C), and 0.20 to 0.20 with respect to the photocrosslinkable resin composition. The present inventors have found a photocrosslinkable resin composition characterized by containing 0.60% by mass.
また、(a)表面に導電層が設けられている基板上に光架橋性樹脂組成物を含有してなる光架橋性樹脂層を形成する工程、(e)一部の光架橋性樹脂層を露光して硬化させる工程、(b)アルカリ水溶液によって未硬化の光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う工程、(c)回路パターンの露光工程、(d)現像工程を含んでなるレジストパターンの作製方法で使用される光架橋性樹脂組成物において、
(A)カルボキシル基を含有するポリマー、(B)分子内に少なくとも1個の重合可能なエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物、(C)光重合開始剤、(D)重合禁止剤を含有してなり、(C)成分として、ジアルキルアミノベンゼン構造を有する化合物が(C)成分全体に対して4.0〜15質量%、かつ、光架橋性樹脂組成物に対して0.20〜0.60質量%含有されてなり、さらに、アシルフォスフィンオキサイド化合物が(C)成分全体に対して20〜75質量%、かつ、光架橋性樹脂層に対して1.00〜3.00質量%含有されてなる光架橋性樹脂組成物を見出した。
(A) a step of forming a photocrosslinkable resin layer containing a photocrosslinkable resin composition on a substrate having a conductive layer on the surface; (e) a part of the photocrosslinkable resin layer; A step of exposing and curing, (b) a step of thinning the uncured photocrosslinkable resin layer with an alkaline aqueous solution, (c) an exposure step of a circuit pattern, and (d) a resist pattern comprising a development step In the photocrosslinkable resin composition used in the production method,
(A) a polymer containing a carboxyl group, (B) a photopolymerizable compound having at least one polymerizable ethylenically unsaturated group in the molecule, (C) a photopolymerization initiator, and (D) a polymerization inhibitor. As a component (C), the compound having a dialkylaminobenzene structure is 4.0 to 15% by mass with respect to the total component (C), and 0.20 to 0.20 with respect to the photocrosslinkable resin composition. Further, the acylphosphine oxide compound is contained in an amount of 20 to 75% by mass with respect to the entire component (C), and 1.00 to 3.00% by mass with respect to the photocrosslinkable resin layer. % Photocrosslinkable resin composition was found.
本発明の光架橋性組成物において、(C)成分として、ジアルキルアミノベンゼン構造を有する化合物が(C)成分全体に対して4.0〜15質量%、かつ、光架橋性樹脂組成物に対して0.20〜0.60質量%含有されていることで、薄膜化した後の光架橋性樹脂層表面が剥き出しの状態で露光されても、酸素による重合阻害の影響をほとんど受けない高い表面硬化性が得られる。 In the photocrosslinkable composition of the present invention, as the component (C), the compound having a dialkylaminobenzene structure is 4.0 to 15% by mass relative to the total component (C), and the photocrosslinkable resin composition. 0.20 to 0.60% by mass, and even if the photocrosslinkable resin layer surface after thinning is exposed in an exposed state, the surface is hardly affected by polymerization inhibition by oxygen Curability is obtained.
酸素による重合阻害とは、光重合開始剤から生成する開始ラジカルや光重合性化合物の重合過程で生成する重合末端ラジカルが酸素にトラップされてできるパーオキシラジカルの重合能力が低いために、重合反応が停止することである。特に、光架橋性樹脂層が薄い場合には、硬化不良を生じやすい。具体的には、薄膜化後の光架橋性樹脂層の厚みが15μm未満になると、重合開始までの誘導期間の出現、重合速度の低下、光重合性化合物の反応率の低下といった現象が現れ、重合阻害が目立つようになって解像度が低下する。そこに、高い電子供与性と連鎖移動能を有するジアルキルアミノベンゼン構造を有する化合物を添加することにより、水素引き抜き能のあるパーオキシラジカルがアルキルアミンから水素を引き抜いて、アミノアルキルラジカルとなり、重合が開始される。また、生成したアミノアルキルラジカルは酸素を捕捉することもできるため、系内の酸素濃度を低減させる効果もある。 Inhibition of polymerization by oxygen means that the polymerization ability of peroxy radicals generated by the trapping of radicals generated by photopolymerization initiators and polymerization end radicals generated during the polymerization of photopolymerizable compounds is low. Is to stop. In particular, when the photocrosslinkable resin layer is thin, poor curing tends to occur. Specifically, when the thickness of the photocrosslinkable resin layer after thinning is less than 15 μm, phenomena such as the appearance of an induction period until the start of polymerization, a decrease in polymerization rate, and a decrease in the reaction rate of the photopolymerizable compound appear, Polymerization inhibition becomes conspicuous and resolution is lowered. By adding a compound having a dialkylaminobenzene structure having high electron donating properties and chain transfer ability, a peroxy radical having a hydrogen abstracting ability extracts hydrogen from the alkylamine to become an aminoalkyl radical, and polymerization is performed. Be started. Moreover, since the produced aminoalkyl radical can also capture oxygen, there is an effect of reducing the oxygen concentration in the system.
また、本発明の光架橋性樹脂組成物において、(C)成分として、さらにアシルフォスフィンオキサイド化合物を(C)成分全体に対して20〜75質量%、かつ、光架橋性樹脂組成物に対して1.00〜3.00質量%含有されていることで、工程(a)と工程(b)との間に、(e)一部の光架橋性樹脂層を露光して硬化させる工程を含んでいる場合に、表面硬化性だけでなく、厚膜部分の内部硬化性または深部硬化性が向上する。 Moreover, in the photocrosslinkable resin composition of the present invention, as the component (C), the acylphosphine oxide compound is further added in an amount of 20 to 75% by mass based on the total component (C), and the photocrosslinkable resin composition. (E) a step of exposing and curing a part of the photocrosslinkable resin layer between the step (a) and the step (b). When it contains, not only surface curability but internal curability or deep part curability of a thick film part improves.
表面硬化性、内部硬化性及び深部硬化性は、光架橋性樹脂層の吸光度の影響を受ける。一般的には、吸光度が低くなると表面硬化性が低下し、吸光度が高くなると内部硬化性または深部硬化性が低下する。そこで、これを改良するために、複数の光重合開始剤を組み合わせる。すなわち、開始剤効率の高い表面硬化性に優れた光重合開始剤とフォトブリーチング効果を有する内部硬化性または深部硬化性に優れた光重合開始剤を組み合わせる。フォトブリーチング効果とは、光反応によってアシルフォスフィンオキサイド化合物中のP−O結合が開裂し共役系が切れることで、分解後には紫外線を吸収しなくなり、内部に紫外線が透過しやすくなることである。つまり、光照射によって、開始剤自身の紫外線透過を妨害するフィルター効果を徐々になくすことで、厚膜の内部または深部の硬化性を高めることができる。 Surface curability, internal curability, and deep curability are affected by the absorbance of the photocrosslinkable resin layer. In general, the lower the absorbance, the lower the surface curability, and the higher the absorbance, the internal or deep curability. Therefore, in order to improve this, a plurality of photopolymerization initiators are combined. That is, a photopolymerization initiator having high initiator efficiency and excellent surface curability is combined with a photopolymerization initiator having a photobleaching effect and excellent in internal or deep curability. The photobleaching effect is that the P—O bond in the acylphosphine oxide compound is cleaved by the photoreaction and the conjugated system is broken, so that it does not absorb ultraviolet light after decomposition and the ultraviolet light is easily transmitted inside. is there. That is, the curability of the inside or the deep part of the thick film can be enhanced by gradually eliminating the filter effect that obstructs the ultraviolet transmission of the initiator itself by light irradiation.
以下、本発明の光架橋性樹脂組成物について詳細に説明する。 Hereinafter, the photocrosslinkable resin composition of the present invention will be described in detail.
<工程(a)>
工程(a)では、表面に導電層が設けられている基板上の少なくとも片面に、光架橋性樹脂組成物を含有してなる光架橋性樹脂層を形成する。光架橋性樹脂層の形成には、例えば、加熱したゴムロールを加圧して押し当てる熱圧着方式のラミネータ装置を用いることができる。加熱温度は100℃以上であることが好ましい。基板には、アルカリ脱脂、酸洗等の前処理を施してもよい。
<Process (a)>
In the step (a), a photocrosslinkable resin layer containing the photocrosslinkable resin composition is formed on at least one surface of the substrate having a conductive layer on the surface. For the formation of the photocrosslinkable resin layer, for example, a thermocompression laminator device that presses and presses a heated rubber roll can be used. The heating temperature is preferably 100 ° C. or higher. The substrate may be subjected to pretreatment such as alkali degreasing and pickling.
表面に導電層が設けられている基板としては、プリント配線板またはリードフレーム用基板が挙げられる。プリント配線板としては、例えば、フレキシブル基板、リジッド基板が挙げられる。フレキシブル基板の絶縁性基板の厚さは5〜125μmで、その両面もしくは片面に1〜35μmの金属箔層が導電層として設けられており、可撓性が大きい。絶縁性基板の材料には、通常、ポリイミド、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンテレフタレート、液晶ポリマー等が用いられる。絶縁性基板上に金属箔層を有する材料は、接着剤で貼り合わせる接着法、金属箔上に絶縁性基板材料である樹脂の液を塗布するキャスト法、スパッタリングや蒸着法で絶縁性基板である樹脂フィルム上に形成した厚さ数nmの薄い導電層(シード層)の上に電解メッキで金属箔層を形成するスパッタ/メッキ法、熱プレスで貼り付けるラミネート法等のいかなる方法で製造したものを用いてもよい。金属箔層の金属としては、銅、アルミニウム、銀、ニッケル、クロム、あるいはそれらの合金等のいかなる金属を用いることができるが、銅が一般的である。 Examples of the substrate having a conductive layer on the surface include a printed wiring board and a lead frame substrate. Examples of the printed wiring board include a flexible substrate and a rigid substrate. The thickness of the insulating substrate of the flexible substrate is 5 to 125 μm, and a metal foil layer of 1 to 35 μm is provided as a conductive layer on both sides or one side, and the flexibility is high. As the material for the insulating substrate, polyimide, polyamide, polyphenylene sulfide, polyethylene terephthalate, liquid crystal polymer, or the like is usually used. The material having the metal foil layer on the insulating substrate is an insulating substrate by an adhesive method of bonding with an adhesive, a casting method of applying a resin liquid which is an insulating substrate material on the metal foil, a sputtering method or a vapor deposition method. Produced by any method such as sputtering / plating method, which forms a metal foil layer by electrolytic plating on a thin conductive layer (seed layer) with a thickness of several nanometers formed on a resin film, or laminating method, which is attached by hot press. May be used. As a metal of the metal foil layer, any metal such as copper, aluminum, silver, nickel, chromium, or an alloy thereof can be used, but copper is generally used.
リジッド基板としては、エポキシ樹脂またはフェノール樹脂等を浸漬させた紙基材またはガラス基材を重ねて絶縁性基板とし、その片面もしくは両面に金属箔を導電層として載置し、加熱及び加圧により積層して、金属箔層が設けられたものが挙げられる。また、内層配線パターン加工後、プリプレグ、金属箔等を積層して作製する多層用のシールド板、貫通孔や非貫通孔を有する多層板も挙げられる。厚みは60μm〜3.2mmであり、プリント基板としての最終使用形態により、その材質と厚みが選定される。金属箔層の材料としては、銅、アルミニウム、銀、金等が挙げられるが、銅が最も一般的である。これらプリント基板の例は、「プリント回路技術便覧」((社)日本プリント回路工業会編、1987年刊行、(株)日刊工業新聞社刊)や「多層プリント回路ハンドブック」(J.A.スカーレット編、1992年刊行、(株)近代化学社刊)に記載されている。リードフレーム用基板としては、鉄ニッケル合金、銅系合金等の基板が挙げられる。 As a rigid substrate, a paper substrate or glass substrate soaked with epoxy resin or phenol resin is laminated to form an insulating substrate, and a metal foil is placed on one or both sides as a conductive layer, and heated and pressed. A laminated layer provided with a metal foil layer can be used. Moreover, the multilayer board which has a through-hole and a non-through-hole, and the multilayer shield board produced by laminating | stacking a prepreg, metal foil, etc. after an inner layer wiring pattern process is also mentioned. The thickness is 60 μm to 3.2 mm, and the material and thickness thereof are selected according to the final use form as a printed circuit board. Examples of the material for the metal foil layer include copper, aluminum, silver, and gold. Copper is the most common. Examples of these printed circuit boards are “Printed Circuit Technology Handbook” (edited by Japan Printed Circuit Industry Association, published in 1987, published by Nikkan Kogyo Shimbun Co., Ltd.) and “Multilayer Printed Circuit Handbook” (JA Scarlet). Ed., Published in 1992, published by Modern Chemical Co., Ltd.). Examples of the lead frame substrate include iron nickel alloy and copper alloy substrates.
表面に導電層が設けられている基板として、孔を有し、表面及び孔内部に導電層が設けられている基板を用いることができ、例えば、絶縁性基板表面に金属箔層を有する基板に対して、ドリルやレーザーによって孔を形成し、次に、無電解めっき、電解めっき等のめっき処理を施して、孔内部を含む表面にめっき金属層を形成することによって作製される。 As a substrate provided with a conductive layer on the surface, a substrate having holes and a conductive layer provided on the surface and inside the holes can be used. For example, a substrate having a metal foil layer on the surface of an insulating substrate. On the other hand, a hole is formed by a drill or a laser, and then a plating process such as electroless plating or electrolytic plating is performed to form a plated metal layer on the surface including the inside of the hole.
光架橋性樹脂層とは露光部が架橋して現像液に不溶化する樹脂層である。光架橋性樹脂層の厚みは15〜100μmであることが好ましく、20〜50μmであることがより好ましい。この厚みが15μm未満では、ゴミを核とした気泡の混入や凹凸追従性不良によって、レジスト剥がれや断線が発生する場合がある。一方、100μmを超えると、光架橋性樹脂層の製造コストが高くなるだけでなく、光架橋性樹脂層のエッジフュージョンが顕著で保存性が悪くなる場合がある。光架橋性樹脂層は、ポリエステル等の支持層フィルムとポリエチレン等の保護フィルムとで挟まれた構造であってもよく、この場合、保護フィルムを剥がし、光架橋性樹脂層と支持層フィルムが積層された状態で、ラミネートされる。 The photocrosslinkable resin layer is a resin layer in which the exposed portion is crosslinked and insolubilized in the developer. The thickness of the photocrosslinkable resin layer is preferably 15 to 100 μm, and more preferably 20 to 50 μm. If the thickness is less than 15 μm, resist peeling or disconnection may occur due to the mixing of bubbles with dust as a core and the uneven followability. On the other hand, when the thickness exceeds 100 μm, not only the production cost of the photocrosslinkable resin layer is increased, but also the edge fusion of the photocrosslinkable resin layer is remarkable and the storage stability may be deteriorated. The photocrosslinkable resin layer may have a structure sandwiched between a support layer film such as polyester and a protective film such as polyethylene. In this case, the protective film is peeled off and the photocrosslinkable resin layer and the support layer film are laminated. In this state, it is laminated.
<工程(e)>
工程(e)は、工程(a)と工程(b)の間に設けられ、一部の光架橋性樹脂層を露光して硬化させる。例えば、孔を有し、表面及び孔内部に導電層が設けられている基板を用いて、テンティングが可能なように、孔上及びその周囲部(以下、「ランド部」という)の光架橋性樹脂層を露光して硬化させる。露光方式としては、キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、UV蛍光灯を光源とした反射画像露光、フォトツールを用いた片面あるいは両面密着露光、プロキシミティ方式、プロジェクション方式、レーザー(ガスレーザー、レーザーダイオード、固体レーザー)またはUVを光源に用いた直接描画方式(ダイレクトイメージング)等が挙げられる。この中でも、ダイレクトイメージングは、フォトツールを必要とせず、多品種小ロット、短納期に適した露光方式であり、近年、環境を配慮したフォトリソグラフィー法として注目されている。
<Process (e)>
The step (e) is provided between the step (a) and the step (b), and a part of the photocrosslinkable resin layer is exposed and cured. For example, using a substrate having a hole and a conductive layer provided on the surface and inside the hole, photocrosslinking of the hole and its peripheral part (hereinafter referred to as “land part”) so that tenting is possible. The photosensitive resin layer is exposed and cured. Exposure methods include xenon lamps, high-pressure mercury lamps, low-pressure mercury lamps, ultra-high-pressure mercury lamps, reflection image exposure using UV fluorescent lamps as light sources, single-sided or double-sided contact exposure using photo tools, proximity method, projection method, laser (gas Laser, laser diode, solid state laser) or direct drawing method (direct imaging) using UV as a light source. Among these, direct imaging does not require a photo tool and is an exposure method suitable for a wide variety of small lots and a short delivery time, and has recently attracted attention as an environment-friendly photolithography method.
<工程(b)>
工程(b)では、アルカリ水溶液によって未硬化の光架橋性樹脂層の薄膜化処理を行う。より詳しくは、高濃度のアルカリ水溶液によって未硬化の光架橋性樹脂層上に不溶化ミセル層を形成させ、その後、それを低濃度化することで一挙に再分散させ溶解除去することによって薄膜化処理を行う。光架橋性樹脂層上に支持層フィルムが設けられている場合には、剥がしてから薄膜化処理を実施する。薄膜化処理とは、光架橋性樹脂層の厚みを略均一に薄くする処理のことであり、詳しくは、薄膜化処理を施す前の厚みの0.05〜0.9倍の厚みまで薄くすることを言う。
<Step (b)>
In the step (b), the uncured photocrosslinkable resin layer is thinned with an alkaline aqueous solution. More specifically, a thinning process is performed by forming an insolubilized micelle layer on an uncured photocrosslinkable resin layer with a high-concentration alkaline aqueous solution, and then re-dispersing and dissolving at once by reducing the concentration. I do. When the support layer film is provided on the photocrosslinkable resin layer, the thinning treatment is performed after the film is peeled off. The thinning treatment is a treatment for reducing the thickness of the photocrosslinkable resin layer substantially uniformly. Specifically, the thickness is reduced to 0.05 to 0.9 times the thickness before the thinning treatment. Say that.
アルカリ水溶液は、無機アルカリ性化合物を5〜20質量%含有する。5質量%未満では、ミセルが不溶化し難く溶解除去途中で可溶化されたミセルが溶解拡散して、薄膜化処理で面内ムラが発生する。また、20質量%を超えると、無機アルカリ性化合物の析出が起こりやすく、液の経時安定性、作業性に劣る。溶液のpHは9〜12の範囲とすることが好ましい。また、界面活性剤、消泡剤、溶剤等を適宜少量添加することもできる。 Alkaline aqueous solution contains 5-20 mass% of inorganic alkaline compounds. If it is less than 5% by mass, the micelles are hardly insolubilized, so that the micelles solubilized in the middle of dissolution and removal are dissolved and diffused, and in-plane unevenness occurs in the thinning process. Moreover, when it exceeds 20 mass%, precipitation of an inorganic alkaline compound will occur easily and it is inferior to the temporal stability of a liquid, and workability | operativity. The pH of the solution is preferably in the range of 9-12. In addition, a small amount of a surfactant, an antifoaming agent, a solvent, and the like can be added as appropriate.
無機アルカリ性化合物としては、リチウム、ナトリウムまたはカリウムの炭酸塩または重炭酸塩等のアルカリ金属炭酸塩、カリウム、ナトリウムのリン酸塩等のアルカリ金属リン酸塩、リチウム、ナトリウムまたはカリウムの水酸化物等のアルカリ金属水酸化物、カリウム、ナトリウムのケイ酸塩等のアルカリ金属ケイ酸塩、カリウム、ナトリウムの亜硫酸塩等のアルカリ金属亜硫酸塩を使用することができる。このうち、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか1種を含むことが好ましい。さらに、光架橋性樹脂層の溶解能力、処理液のpHを維持する緩衝能力、装置のメンテナンス性等の点から、アルカリ金属炭酸塩が特に好ましい。 Inorganic alkaline compounds include alkali metal carbonates such as lithium, sodium or potassium carbonates or bicarbonates, alkali metal phosphates such as potassium and sodium phosphates, lithium, sodium or potassium hydroxides, etc. Alkali metal hydroxides, alkali metal silicates such as potassium and sodium silicates, and alkali metal sulfites such as potassium and sodium sulfites can be used. Among these, it is preferable to include at least one of inorganic alkali compounds selected from alkali metal carbonates, alkali metal phosphates, alkali metal hydroxides, and alkali metal silicates. Furthermore, alkali metal carbonates are particularly preferred from the viewpoints of the ability to dissolve the photocrosslinkable resin layer, the buffering ability to maintain the pH of the treatment liquid, the maintainability of the apparatus, and the like.
光架橋樹脂層の薄膜化処理である工程(b)は、少なくとも2つの工程に分離して処理されることが好ましい。まず、高濃度のアルカリ水溶液を過剰に供給することにより、溶解途中でミセル化された光架橋性樹脂層成分を一旦不溶化し、処理液中への溶解拡散を抑制する。次いで、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか1種を含むpH5〜10、より好ましくはpH6〜8の水溶液または水を供給し、不溶化された光架橋性樹脂層成分を再分散させて溶解除去する。水溶液のpHが5未満では、再分散により溶け込んだ光架橋性樹脂成分が凝集し、不溶性のスラッジとなって薄膜化した光架橋性樹脂層表面に付着する。一方、水溶液のpHが10を超えると、光架橋性樹脂層の溶解拡散が促進され、面内で膜厚ムラが発生するため好ましくない。水溶液のpHは、硫酸、リン酸、塩酸等を用いて適宜調整される。また、水溶液の供給流量は多い方が好ましく、供給流量が不足すると、不溶化された光架橋性樹脂層成分の再分散性が悪くなり、溶解不良が起こりやすくなる。その結果、薄膜化後の光架橋性樹脂層表面に不溶解成分の析出が見られ、タック性が問題になる場合がある。 The step (b), which is a thinning treatment of the photocrosslinked resin layer, is preferably processed separately in at least two steps. First, by supplying an excessively high concentration aqueous alkali solution, the photocrosslinkable resin layer component that has been micellized in the middle of dissolution is once insolubilized to suppress dissolution and diffusion into the treatment liquid. Next, an aqueous solution or water having a pH of 5 to 10, more preferably a pH of 6 to 8, containing at least any one of inorganic alkali compounds selected from alkali metal carbonates, alkali metal phosphates, and alkali metal silicates is supplied. Then, the insolubilized photocrosslinkable resin layer component is redispersed and dissolved and removed. When the pH of the aqueous solution is less than 5, the photocrosslinkable resin component dissolved by redispersion aggregates and becomes insoluble sludge and adheres to the thinned photocrosslinkable resin layer surface. On the other hand, if the pH of the aqueous solution exceeds 10, dissolution and diffusion of the photocrosslinkable resin layer is promoted, and film thickness unevenness occurs in the surface, which is not preferable. The pH of the aqueous solution is appropriately adjusted using sulfuric acid, phosphoric acid, hydrochloric acid or the like. Further, it is preferable that the supply flow rate of the aqueous solution is large. If the supply flow rate is insufficient, the redispersibility of the insolubilized photocrosslinkable resin layer component is deteriorated, and poor dissolution tends to occur. As a result, precipitation of insoluble components is observed on the surface of the photocrosslinkable resin layer after thinning, and tackiness may become a problem.
薄膜化処理の方法として、ディップ方式、バトル方式、スプレー方式、ブラッシング、スクレーピング等があり、スプレー方式が光架橋性樹脂層の溶解速度の点からは最も適している。スプレー方式の場合、処理条件(温度、時間、スプレー圧)は、使用する光架橋性樹脂層の溶解速度に合わせて適宜調整される。具体的には、処理温度は10〜50℃が好ましく、より好ましくは15〜40℃、さらに好ましくは15〜35℃である。また、スプレー圧は0.01〜0.5MPaとするのが好ましく、さらに好ましくは0.02〜0.3MPaである。 There are a dipping method, a battle method, a spray method, brushing, scraping and the like as a thinning method, and the spray method is most suitable from the viewpoint of the dissolution rate of the photocrosslinkable resin layer. In the case of the spray method, the treatment conditions (temperature, time, spray pressure) are appropriately adjusted according to the dissolution rate of the photocrosslinkable resin layer to be used. Specifically, the treatment temperature is preferably 10 to 50 ° C, more preferably 15 to 40 ° C, and further preferably 15 to 35 ° C. The spray pressure is preferably 0.01 to 0.5 MPa, and more preferably 0.02 to 0.3 MPa.
<工程(c)>
工程(c)では、回路パターンの露光を行う。回路パターンの露光方法としては、キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、UV蛍光灯を光源とした反射画像露光、フォトツールを用いた片面あるいは両面密着露光、プロキシミティ方式、プロジェクション方式、直接描画方式(ダイレクトイメージング)等が挙げられる。本発明に係わるレジストパターンの作製方法においては、光架橋性樹脂層を薄膜化処理した後、樹脂層表面が剥き出しの状態であるため、密着露光方式では、異物や傷による欠陥が発生する場合がある。また、薄膜化処理後の光架橋性樹脂層はタック性を有する場合があり、フォトツールの汚染を引き起こす。そこで、上記の密着露光以外の非接触露光では、異物や傷、タック性の問題がなく有効であると考えられ、特に、フォトツールを必要としないダイレクトイメージングは最も適した露光方式であると言える。
<Step (c)>
In step (c), the circuit pattern is exposed. Circuit pattern exposure methods include xenon lamps, high-pressure mercury lamps, low-pressure mercury lamps, ultra-high pressure mercury lamps, reflection image exposure using UV fluorescent lamps as light sources, single-sided or double-sided contact exposure using photo tools, proximity method, projection method, Examples include a direct drawing method (direct imaging). In the method for producing a resist pattern according to the present invention, since the surface of the resin layer is exposed after thinning the photocrosslinkable resin layer, the contact exposure method may cause defects due to foreign matter or scratches. is there. In addition, the photocrosslinkable resin layer after the thinning treatment may have tackiness and cause contamination of the phototool. Therefore, non-contact exposure other than the above-described contact exposure is considered to be effective without problems of foreign matter, scratches, and tackiness. In particular, direct imaging that does not require a photo tool is the most suitable exposure method. .
さらに、工程(a)と工程(b)との間に工程(e)として、あらかじめランド部を露光した場合、露光した厚膜部分と薄膜化された光架橋性樹脂層に段差ができるため、密着露光では回折光による影響が大きく、解像度の低下が起こる場合がある。さらに、露光工程が2回あるため、フォトツールを必要とする露光方式ではコスト的に不利になる。そこで、非接触方式のダイレクトイメージング露光を行えば、ランド部と薄膜化樹脂層の段差で起こる回折光による解像度の低下は発生せず、フォトツールも必要としないため、最も好適な露光方式であると言える。 Further, as a step (e) between the step (a) and the step (b), when the land portion is exposed in advance, there is a step in the exposed thick film portion and the thinned photocrosslinkable resin layer, In the contact exposure, the influence of the diffracted light is large, and the resolution may be lowered. Furthermore, since there are two exposure steps, the exposure method that requires a photo tool is disadvantageous in terms of cost. Therefore, non-contact direct imaging exposure is the most suitable exposure method because it does not cause a decrease in resolution due to diffracted light that occurs at the step between the land portion and the thin resin layer, and does not require a photo tool. It can be said.
<光架橋性樹脂組成物>
本発明の光架橋性樹脂組成物は、(A)カルボキシル基を含有するポリマー、(B)分子内に少なくとも1個の重合可能なエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物、(C)光重合開始剤、(D)重合禁止剤を含有してなる。
<Photocrosslinkable resin composition>
The photocrosslinkable resin composition of the present invention comprises (A) a polymer containing a carboxyl group, (B) a photopolymerizable compound having at least one polymerizable ethylenically unsaturated group in the molecule, and (C) light. It contains a polymerization initiator and (D) a polymerization inhibitor.
(A)カルボキシル基を含有するポリマーとしては、例えば、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、スチレン系樹脂、エポキシ系樹脂、アミド系樹脂、アミドエポキシ系樹脂、アルキド系樹脂、フェノール系樹脂の有機高分子が挙げられる。これらは、1種を単独でまたは2種以上を組み合わせて用いてもよい。アルカリ水溶液への溶解性が高いことから、アクリル系樹脂を用いることが好ましい。アクリル系樹脂としては、(メタ)アクリレートを主成分とし、これにエチレン性不飽和カルボン酸及びその他の共重合可能なエチレン性不飽和基を有する単量体(以下、重合性単量体という)を共重合させてなるアクリル系重合体であればよい。 (A) Examples of the polymer containing a carboxyl group include organic polymers such as acrylic resins, methacrylic resins, styrene resins, epoxy resins, amide resins, amide epoxy resins, alkyd resins, and phenol resins. Is mentioned. You may use these individually by 1 type or in combination of 2 or more types. It is preferable to use an acrylic resin because of its high solubility in an alkaline aqueous solution. As the acrylic resin, a monomer having (meth) acrylate as a main component and having an ethylenically unsaturated carboxylic acid and other copolymerizable ethylenically unsaturated groups (hereinafter referred to as a polymerizable monomer). Any acrylic polymer may be used as long as it is copolymerized.
上記(メタ)アクリレートとしては、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、イソプロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、n−ヘキシル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、テトラヒドロフルフリル(メタ)アクリレート、2−(ジメチルアミノ)エチル(メタ)アクリレート、2−(ジエチルアミノ)エチル(メタ)アクリレート、2,2,2−トリフルオロエチル(メタ)アクリレート、2,2,3,3−テトラフルオロプロピル(メタ)アクリレート等が挙げられる。 Examples of the (meth) acrylate include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, n-hexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, tetrahydrofur Furyl (meth) acrylate, 2- (dimethylamino) ethyl (meth) acrylate, 2- (diethylamino) ethyl (meth) acrylate, 2,2,2-trifluoroethyl (meth) acrylate Rate, 2,2,3,3-tetrafluoro propyl (meth) acrylate.
上記エチレン性不飽和カルボン酸として、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等のモノカルボン酸が好適に用いられ、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等のジカルボン酸や、それらの無水物やハーフエステルを用いることもできる。これらの中でも、アクリル酸、メタクリル酸が特に好ましい。 Monocarboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid, and crotonic acid are preferably used as the ethylenically unsaturated carboxylic acid, and dicarboxylic acids such as maleic acid, fumaric acid, and itaconic acid, and anhydrides and half esters thereof. It can also be used. Among these, acrylic acid and methacrylic acid are particularly preferable.
上記その他の重合性単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、p−メチルスチレン、p−エチルスチレン、p−メトキシスチレン、p−エトキシスチレン、p−クロロスチレン、p−ブロモスチレン、(メタ)アクリロニトリル、(メタ)アクリルアミド、ジアセトンアクリルアミド、ビニルトルエン、酢酸ビニル、ビニル−n−ブチルエーテル等が挙げられる。 Examples of the other polymerizable monomers include styrene, α-methylstyrene, p-methylstyrene, p-ethylstyrene, p-methoxystyrene, p-ethoxystyrene, p-chlorostyrene, p-bromostyrene, (Meth) acrylonitrile, (meth) acrylamide, diacetone acrylamide, vinyl toluene, vinyl acetate, vinyl n-butyl ether and the like can be mentioned.
(A)カルボキシル基を含有するポリマーにおいて、2種類以上を組み合わせて用いる場合のポリマーの組み合わせとしては、例えば、異なる共重合成分を有する2種類以上のポリマーの組み合わせ、異なる質量平均分子量を有する2種類以上のポリマーの組み合わせ、異なる分散度(質量平均分子量/数平均分子量)を有する2種類以上のポリマーの組み合わせが挙げられる。 (A) In the polymer containing a carboxyl group, as a combination of two or more kinds of polymers, for example, a combination of two or more kinds of polymers having different copolymerization components, two kinds having different mass average molecular weights Combinations of the above polymers and combinations of two or more types of polymers having different dispersities (mass average molecular weight / number average molecular weight) can be mentioned.
(A)カルボキシル基を含有するポリマーの酸価は、50〜350mgKOH/gであることが好ましく、100〜300mgKOH/gであることがさらに好ましい。薄膜化処理においてアルカリ水溶液を用いる場合、この酸価が、50mgKOH/g未満では溶解までの時間が長くなるだけでなく、溶解不良が発生しやすい傾向があり、一方、350mgKOH/gを超えると、アルカリ溶液に対する溶解拡散が速すぎて、薄膜化処理における膜厚制御が困難になる傾向がある。また、光架橋した部分の現像液に対する耐久性が低下する場合があり、工程(c)で光架橋させた部分が工程(d)で溶解してしまうことがある。 (A) The acid value of the polymer containing a carboxyl group is preferably 50 to 350 mgKOH / g, and more preferably 100 to 300 mgKOH / g. When an alkaline aqueous solution is used in the thinning treatment, when the acid value is less than 50 mgKOH / g, not only the time until dissolution is prolonged, but there is a tendency that poor dissolution is likely to occur, whereas when it exceeds 350 mgKOH / g, The dissolution and diffusion in the alkaline solution tends to be too fast, making it difficult to control the film thickness in the thinning process. In addition, the durability of the photocrosslinked portion with respect to the developer may be reduced, and the photocrosslinked portion in step (c) may be dissolved in step (d).
(A)カルボキシル基を含有するポリマーの質量平均分子量は、10,000〜150,000であることが好ましく、10,000〜100,000であることがより好ましい。質量平均分子量が、10,000未満ではアルカリ水溶液に対する耐久性が低下する傾向があり、一方、150,000を超えると溶解までの時間が長くなりすぎる傾向がある。 (A) The mass average molecular weight of the polymer containing a carboxyl group is preferably 10,000 to 150,000, and more preferably 10,000 to 100,000. When the mass average molecular weight is less than 10,000, durability against an alkaline aqueous solution tends to decrease, whereas when it exceeds 150,000, the time until dissolution tends to be too long.
(A)成分の配合量は、(A)成分及び(B)成分の総量に対して40〜65質量%であることが好ましく、45〜55質量%であることがより好ましい。(A)成分の配合量が、40質量%未満では光架橋した部分の化学的強度、機械的強度が低くなる傾向がある。また、被膜性が悪くなるという問題がある。(A)成分の配合量が、65質量%を超えると光架橋性が低下することがある。 (A) The compounding quantity of a component is preferably 40-65 mass% with respect to the total amount of (A) component and (B) component, and it is more preferable that it is 45-55 mass%. When the blending amount of the component (A) is less than 40% by mass, the chemical strength and mechanical strength of the photocrosslinked portion tend to be low. Moreover, there exists a problem that film property worsens. When the blending amount of the component (A) exceeds 65% by mass, the photocrosslinking property may be deteriorated.
(B)分子内に少なくとも1個の重合可能なエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物としては、例えば、多価アルコールにα,β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物;ビスフェノールA系(メタ)アクリレート化合物;グリシジル基含有化合物にα,β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物;分子内にウレタン結合を有する(メタ)アクリレート化合物等のウレタンモノマー;ノニルフェノキシポリエチレンオキシアクリレート;γ−クロロ−β−ヒドロキシプロピル−β′−(メタ)アクリロイルオキシエチル−o−フタレート、β−ヒドロキシアルキル−β′−(メタ)アクリロイルオキシアルキル−o−フタレート等のフタル酸系化合物;(メタ)アクリル酸アルキルエステル、EO、PO変性ノニルフェニル(メタ)アクリレート等が挙げられる。ここで、EO及びPOは、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドを示し、EO変性された化合物は、エチレンオキサイド基のブロック構造を有するものであり、PO変性された化合物は、プロピレンオキサイド基のブロック構造を有するものである。これらの光重合性化合物は単独で、または2種類以上を組み合わせて用いることができる。 (B) As a photopolymerizable compound having at least one polymerizable ethylenically unsaturated group in the molecule, for example, a compound obtained by reacting an α, β-unsaturated carboxylic acid with a polyhydric alcohol; bisphenol A-type (meth) acrylate compound; a compound obtained by reacting a glycidyl group-containing compound with an α, β-unsaturated carboxylic acid; a urethane monomer such as a (meth) acrylate compound having a urethane bond in the molecule; nonylphenoxypolyethyleneoxy Acrylate; phthalic acid compounds such as γ-chloro-β-hydroxypropyl-β ′-(meth) acryloyloxyethyl-o-phthalate, β-hydroxyalkyl-β ′-(meth) acryloyloxyalkyl-o-phthalate; (Meth) acrylic acid alkyl ester, EO, PO modified nonylphenyl ( Data) acrylate, and the like. Here, EO and PO represent ethylene oxide and propylene oxide, the EO-modified compound has a block structure of ethylene oxide group, and the PO-modified compound has a block structure of propylene oxide group. Is. These photopolymerizable compounds can be used alone or in combination of two or more.
(B)成分の配合量は、光架橋性樹脂層に対して35〜55質量%であることが好ましく、40〜50質量%であることがより好ましい。(B)成分の配合量が、35質量%未満では、薄膜化時に基材表面のハレーションによる影響で、未露光部において半架橋領域が発生しやすくなって、解像度が悪化することがあり、一方、55質量%を超えると、膜表面のタック性が顕著になることがあるだけでなく、硬化後の光架橋性樹脂層が脆くなることがある。 (B) The compounding quantity of a component is preferably 35-55 mass% with respect to a photocrosslinkable resin layer, and it is more preferable that it is 40-50 mass%. When the blending amount of the component (B) is less than 35% by mass, a half-crosslinked region is likely to occur in an unexposed part due to the influence of halation on the surface of the base material when the film is thinned, and the resolution may deteriorate. If it exceeds 55% by mass, not only the tackiness of the film surface may become remarkable, but also the photocrosslinkable resin layer after curing may become brittle.
(D)重合禁止剤としては、ハイドロキノン、p−メトキシフェノール、tert−ブチル−カテコール、2,6−ジ−tert−ブチル−p−クレゾール、ピロガロール、β−ナフトール、フェノチアジン等が挙げられる。これらは単独で、または2種類以上を組み合わせて使用される。 Examples of the polymerization inhibitor (D) include hydroquinone, p-methoxyphenol, tert-butyl-catechol, 2,6-di-tert-butyl-p-cresol, pyrogallol, β-naphthol, phenothiazine and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
(D)成分の配合量は、光架橋性樹脂層に対して、0.01〜0.3質量%が好ましく、0.03〜0.2質量%がより好ましい。0.01質量%未満では、重合反応の抑制効果が小さく、薄膜化後の光架橋性樹脂層において、未露光部の半架橋部が発生しやすくなることがある。一方、0.3質量%を超えると、光架橋性樹脂層の感度低下が著しくなり、露光部においても架橋が不十分になることがある。 (D) 0.01-0.3 mass% is preferable with respect to a photocrosslinkable resin layer, and, as for the compounding quantity of a component, 0.03-0.2 mass% is more preferable. If it is less than 0.01% by mass, the effect of suppressing the polymerization reaction is small, and in the photocrosslinkable resin layer after thinning, a semi-crosslinked portion of an unexposed portion may easily occur. On the other hand, when it exceeds 0.3% by mass, the sensitivity of the photocrosslinkable resin layer is significantly lowered, and the exposed portion may be insufficiently crosslinked.
さらに、光架橋性樹脂層に(E)ハレーション防止剤を添加してもよい。(E)成分を含有させると、基材表面の反射による散乱光を吸収し、未露光部の半架橋領域の発生を抑制することができる。(E)ハレーション防止剤としては、280〜430nm領域に吸収波長領域を持つものであればよく、アクリジン染料、アニリン黒、アントラキノン染料、アジン染料、アゾ染料、アゾメチン染料、ベンゾキノン染料、ナフトキノン染料、インジゴイド染料、インドフェノール、インドアニリン、インダミン、ナフトールイミド染料、ニグロシン及びインジュリン、ニトロ及びニトロソ染料、オキサジン及びオキサジン染料、酸化染料、フタロシアニン染料、ポリメチン染料、キノフタロン染料、硫化染料、トリアリールメタン及びジアリールメタン染料、チアジン染料、チアゾール染料、キサンテン染料等のハレーション防止用染料や無機及び有機顔料、サリチル酸フェニル系、ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系及びアクリレート系紫外線吸収剤等が挙げられる。 Further, (E) an antihalation agent may be added to the photocrosslinkable resin layer. When the component (E) is contained, scattered light due to reflection on the surface of the substrate can be absorbed, and generation of a semi-crosslinked region in an unexposed portion can be suppressed. (E) Any antihalation agent may be used as long as it has an absorption wavelength region in the range of 280 to 430 nm. Acridine dye, aniline black, anthraquinone dye, azine dye, azo dye, azomethine dye, benzoquinone dye, naphthoquinone dye, indigoid Dyes, indophenol, indoaniline, indamine, naphtholimide dyes, nigrosine and indulin, nitro and nitroso dyes, oxazine and oxazine dyes, oxidation dyes, phthalocyanine dyes, polymethine dyes, quinophthalone dyes, sulfur dyes, triarylmethane and diarylmethane dyes , Thiazine dyes, thiazole dyes, xanthene dyes, antihalation dyes, inorganic and organic pigments, phenyl salicylates, benzophenones, benzotriazoles, and acrylates System ultraviolet absorbers, and the like.
(E)成分の配合量は、光架橋性樹脂層に対して0.05〜0.5質量%であればよい。0.05質量%未満では、基材表面のハレーションの防止効果が不十分な場合があり、一方、0.5質量%を超えると、光架橋性樹脂層の感度低下が著しくなり、露光部においても架橋が不十分になることがある。 (E) The compounding quantity of a component should just be 0.05-0.5 mass% with respect to a photocrosslinkable resin layer. If it is less than 0.05% by mass, the effect of preventing the halation of the substrate surface may be insufficient. On the other hand, if it exceeds 0.5% by mass, the sensitivity of the photocrosslinkable resin layer will be significantly reduced, and in the exposed area. However, crosslinking may be insufficient.
光架橋性樹脂層を薄膜化した後、樹脂層表面が剥き出しの状態でも酸素による重合阻害を抑制するため、本発明の光架橋性樹脂組成物は、(C)光重合開始剤のうち、光重合促進剤としてジアルキルアミノベンゼン構造を有する化合物を含有してなる。ジアルキルアミノベンゼン構造を有する化合物としては、ジアルキルアミノベンゾフェノン化合物、ジアルキルアミノベンゾエート化合物が好ましく、4,4′−ジメチルアミノベンゾフェノン、4,4′−ジエチルアミノベンゾフェノン、エチル−4−ジメチルアミノベンゾエート(商品名:DAROCUR EDB、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製)、2−エチルヘキシル−4−ジメチルアミノベンゾエート(商品名:DAROCUR EHA、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製)等がある。 In order to suppress polymerization inhibition by oxygen even after the surface of the resin layer is exposed after the photocrosslinkable resin layer is thinned, the photocrosslinkable resin composition of the present invention comprises (C) a photopolymerization initiator, It contains a compound having a dialkylaminobenzene structure as a polymerization accelerator. As the compound having a dialkylaminobenzene structure, a dialkylaminobenzophenone compound and a dialkylaminobenzoate compound are preferable, and 4,4′-dimethylaminobenzophenone, 4,4′-diethylaminobenzophenone, ethyl-4-dimethylaminobenzoate (trade name: DAROCUR EDB, manufactured by Ciba Specialty Chemicals), 2-ethylhexyl-4-dimethylaminobenzoate (trade name: DAROCUR EHA, manufactured by Ciba Specialty Chemicals), and the like.
ジアルキルアミノベンゼン構造を有する化合物の含有量は、(C)成分全体に対して4.0〜15質量%であり、より好ましくは5.0〜12質量%であり、さらに好ましくは6.0〜9.0質量%である。光架橋性樹脂組成物に対する含有量は0.20〜0.60質量%であり、より好ましくは0.25〜0.50質量%であり、さらに好ましくは0.30〜0.40質量%である。ジアルキルアミノベンゼン構造を有する化合物が、(C)成分全体に対して4.0質量%未満、または、光架橋性樹脂組成物に対して0.20質量%未満では、酸素による重合阻害を十分に抑制できない。一方、(C)成分全体に対して15質量%を超える、または、光架橋性樹脂組成物に対して0.60質量%を超えると、光架橋性樹脂層表面での光吸収が増大しすぎて、硬化後の光架橋性樹脂層が極端な逆台形型になり、基板との密着性が不足してレジスト剥離が起こりやすくなる。 Content of the compound which has a dialkylaminobenzene structure is 4.0-15 mass% with respect to the whole (C) component, More preferably, it is 5.0-12 mass%, More preferably, it is 6.0- It is 9.0 mass%. Content with respect to a photocrosslinkable resin composition is 0.20-0.60 mass%, More preferably, it is 0.25-0.50 mass%, More preferably, it is 0.30-0.40 mass%. is there. When the compound having a dialkylaminobenzene structure is less than 4.0% by mass relative to the total component (C) or less than 0.20% by mass with respect to the photocrosslinkable resin composition, sufficient inhibition of polymerization by oxygen is achieved. It cannot be suppressed. On the other hand, if it exceeds 15% by mass with respect to the total component (C) or exceeds 0.60% by mass with respect to the photocrosslinkable resin composition, light absorption on the surface of the photocrosslinkable resin layer increases excessively. Thus, the photocrosslinkable resin layer after curing becomes an extremely inverted trapezoidal shape, and the adhesion to the substrate is insufficient, so that resist peeling is likely to occur.
さらに、工程(e)を含むレジストパターンの作製方法において、薄膜化前の厚膜部分と薄膜化後の薄膜部分の両方において、所望の表面硬化性、内部硬化性及び深部硬化性を得るために、(C)光重合開始剤として、さらに、アシルフォスフィンオキサイド化合物を含有させる。アシルフォスフィンオキサイド化合物の含有量は、(C)成分全体に対して20〜75質量%であり、好ましくは25〜70質量%であり、さらに好ましくは30〜60質量%である。光架橋性樹脂組成物に対する含有量は1.00〜3.00質量%であり、好ましくは1.20〜2.80質量%であり、さらに好ましくは1.50〜2.50質量%である。アシルフォスフィンオキサイド化合物は、2,4,6−トリメチルベンゾイル−ジフェニルフォスフィンオキサイド(商品名:DAROCUR TPO、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製)、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルフォスフィンオキサイド(商品名:IRGACURE 819、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製)等がある。アシルフォスフィンオキサイド化合物が、(C)成分全体に対して20質量%未満、または、光架橋性樹脂組成物に対して1.0質量%未満では、フォトブリーチングによる効果が十分に得られない場合がある。一方、(C)成分全体に対して75質量%を超える、または、光架橋性樹脂組成物に対して3.0質量%を超えると、内部硬化性または深部硬化性が顕著になって、ハレーションによる裾引きが大きくなることがあり、好ましくない場合がある。 Further, in the resist pattern manufacturing method including the step (e), in order to obtain desired surface curability, internal curability, and deep curability in both the thick film portion before thinning and the thin film portion after thinning. (C) An acylphosphine oxide compound is further contained as a photopolymerization initiator. Content of an acyl phosphine oxide compound is 20-75 mass% with respect to the whole (C) component, Preferably it is 25-70 mass%, More preferably, it is 30-60 mass%. Content with respect to a photocrosslinkable resin composition is 1.00-3.00 mass%, Preferably it is 1.20-2.80 mass%, More preferably, it is 1.50-2.50 mass%. . Acylphosphine oxide compounds are 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenylphosphine oxide (trade name: DAROCUR TPO, manufactured by Ciba Specialty Chemicals), bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine. Fin oxide (trade name: IRGACURE 819, manufactured by Ciba Specialty Chemicals) and the like. If the acylphosphine oxide compound is less than 20% by mass relative to the total component (C) or less than 1.0% by mass with respect to the photocrosslinkable resin composition, the effect of photobleaching cannot be sufficiently obtained. There is a case. On the other hand, when it exceeds 75% by mass with respect to the total component (C) or exceeds 3.0% by mass with respect to the photocrosslinkable resin composition, the internal curability or deep curability becomes significant, and halation occurs. The tailing due to may increase and may not be preferable.
ジアルキルアミノベンゼン構造を有する化合物及びアシルフォスフィンオキサイド化合物以外の(C)光重合開始剤としては、ベンゾフェノン化合物(ベンゾフェノン、4−ベンゾイルジフェニルスルフィド)、ベンゾイン化合物(ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル)、アセトフェノン化合物(アセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン)、アントラキノン化合物(2−メチルアントラキノン、2−エチルアントラキノン)、ベンジルケタール化合物(アセトフェノンジメチルケタール、ベンジルジメチルケタール)、チオキサントン化合物(2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン)、ビスイミダゾール類(2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジ(メトキシフェニル)イミダゾール二量体、2−(o−フルオロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(o−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体、2−(p−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体)等がある。 (C) Photopolymerization initiators other than compounds having a dialkylaminobenzene structure and acylphosphine oxide compounds include benzophenone compounds (benzophenone, 4-benzoyldiphenyl sulfide), benzoin compounds (benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether) Acetophenone compounds (acetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone), anthraquinone compounds (2-methylanthraquinone, 2-ethylanthraquinone), benzyl ketal compounds (acetophenone dimethyl ketal, benzyl dimethyl ketal), thioxanthone compounds (2, 4-dimethylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone), bisimidazoles (2- (o-chlorophenyl) -4,5- Phenylimidazole dimer, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-di (methoxyphenyl) imidazole dimer, 2- (o-fluorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- ( o-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (p-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer) and the like.
ジアルキルアミノベンゼン構造を有する化合物及びアシルフォスフィンオキサイド化合物以外の(C)成分は、光架橋性樹脂組成物に対して1〜10質量%であることが好ましく、2〜8質量%であることがより好ましい。1質量%未満では光架橋性が不十分となる傾向があり、一方、10質量%を超えると、光架橋性樹脂層表面での光吸収が増大しすぎて、光架橋性樹脂層内部の光架橋が不十分となる傾向がある。 The component (C) other than the compound having a dialkylaminobenzene structure and the acylphosphine oxide compound is preferably 1 to 10% by mass, and 2 to 8% by mass with respect to the photocrosslinkable resin composition. More preferred. If the amount is less than 1% by mass, the photocrosslinkability tends to be insufficient. On the other hand, if the amount exceeds 10% by mass, light absorption on the surface of the photocrosslinkable resin layer increases excessively, and light in the photocrosslinkable resin layer increases. There is a tendency for crosslinking to be insufficient.
<工程(d)>
工程(d)では、光架橋していない光架橋性樹脂層を現像液で除去して、エッチングレジスト層を形成する。現像方法としては、使用する光架橋性樹脂層に見合った現像液を用い、基板の上下方向から基板表面に向かってスプレーを噴射する。一般的には、0.3〜2質量%の炭酸ナトリウム水溶液が使用される。
<Step (d)>
In the step (d), the photocrosslinkable resin layer that has not been photocrosslinked is removed with a developing solution to form an etching resist layer. As a developing method, a developer corresponding to the photocrosslinkable resin layer to be used is used, and spray is sprayed from the vertical direction of the substrate toward the substrate surface. In general, an aqueous sodium carbonate solution of 0.3 to 2% by mass is used.
以下、実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited to this Example.
実施例1〜34、比較例1〜29
(光架橋性樹脂組成物溶液の調液)
表1〜6に示す各成分を混合し、光架橋性樹脂組成物溶液を得た。表1〜6における各成分配合量の単位は質量部である。なお、(A)成分については溶液の質量部を表す。また、表7〜12は、ジアルキルアミノベンゼン構造を有する化合物及びアシルフォスフィンオキサイド化合物の(C)成分及び光架橋性樹脂組成物に対する含有量(質量%)である。
Examples 1-34, Comparative Examples 1-29
(Preparation of photocrosslinkable resin composition solution)
Each component shown to Tables 1-6 was mixed, and the photocrosslinkable resin composition solution was obtained. The unit of each component compounding amount in Tables 1-6 is a mass part. In addition, (A) component represents the mass part of a solution. Tables 7 to 12 show the content (% by mass) of the compound having a dialkylaminobenzene structure and the acylphosphine oxide compound with respect to the component (C) and the photocrosslinkable resin composition.
表1〜表6において、(A)成分は以下の通りである。
(A−1)成分;メチルメタクリレート/n−ブチルアクリレート/メタクリル酸を質量比64/15/21で共重合させた共重合樹脂(1−メトキシ−2−プロパノールを溶剤とした40質量%溶液)
In Tables 1 to 6, the component (A) is as follows.
Component (A-1): a copolymer resin obtained by copolymerizing methyl methacrylate / n-butyl acrylate / methacrylic acid at a mass ratio of 64/15/21 (40% by mass solution using 1-methoxy-2-propanol as a solvent)
表1〜表6において、(B)成分は以下の通りである。
(B−1)成分;2,2′−ビス(4−メタクリロキシペンタエトキシフェニル)プロパン(商品名:BPE−500、新中村化学工業社製)
(B−2)成分;トリメチロールプロパントリアクリレート(商品名:TMP−A、共栄社化学社製)
In Tables 1 to 6, the component (B) is as follows.
Component (B-1): 2,2′-bis (4-methacryloxypentaethoxyphenyl) propane (trade name: BPE-500, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.)
Component (B-2): trimethylolpropane triacrylate (trade name: TMP-A, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.)
表1〜表6において、(C)成分は以下の通りである。
(C−1)成分;2−(2′−クロロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール二量体
(C−2)成分;4,4′−ジエチルアミノベンゾフェノン
(C−3)成分;エチル−4−ジメチルアミノベンゾエート(商品名:DAROCUR EDB、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製)
(C−4)成分;2−エチルヘキシル−4−ジメチルアミノベンゾエート(商品名:DAROCUR EHA、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製)
(C−5)成分;2,4,6−トリメチルベンゾイル−ジフェニルフォスフィンオキサイド(商品名:DAROCUR TPO、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製)
(C−6)成分;ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルフォスフィンオキサイド(商品名:IRGACURE 819、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製)
In Tables 1 to 6, the component (C) is as follows.
(C-1) component; 2- (2'-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer (C-2) component; 4,4'-diethylaminobenzophenone (C-3) component; ethyl-4- Dimethylaminobenzoate (trade name: DAROCUR EDB, manufactured by Ciba Specialty Chemicals)
Component (C-4): 2-ethylhexyl-4-dimethylaminobenzoate (trade name: DAROCUR EHA, manufactured by Ciba Specialty Chemicals)
Component (C-5): 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenylphosphine oxide (trade name: DAROCUR TPO, manufactured by Ciba Specialty Chemicals)
Component (C-6): bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide (trade name: IRGACURE 819, manufactured by Ciba Specialty Chemicals)
表1〜表6において、(D)成分は以下の通りである。
(D−1)成分;p−メトキシフェノール
In Tables 1 to 6, the component (D) is as follows.
(D-1) component; p-methoxyphenol
(ドライフィルムレジストの作製)
ポリエステルフィルムからなる支持層フィルム(膜厚25μm)上に、スリットダイコーターを用いて上記光架橋性樹脂組成物溶液を塗布し、乾燥させた後、ポリエチレンフィルムからなる保護フィルム(膜厚30μm)をラミネートして、膜厚40μmの光架橋性樹脂層を有する実施例1〜34、比較例1〜29のドライフィルムレジストを作製した。
(Preparation of dry film resist)
On the support layer film (film thickness 25 μm) made of a polyester film, the photocrosslinkable resin composition solution is applied using a slit die coater and dried, and then a protective film (film thickness 30 μm) made of a polyethylene film is formed. Lamination was performed to prepare dry film resists of Examples 1 to 34 and Comparative Examples 1 to 29 having a photocrosslinkable resin layer having a thickness of 40 μm.
(エッチングレジスト層の作製1)
<工程(a)>
ガラス基材エポキシ樹脂銅張積層板(面積170mm×255mm、銅箔厚み12μm、基材厚み0.1mm、商品名:CCL−E170、三菱ガス化学社製)上に、耐熱シリコンゴムライニング表面処理されたラミネートロールを備えたドライフィルム用ラミネータを用いて、保護フィルムを剥がしながら、ロール温度100℃、エアー圧力0.30MPa、ラミネート速度0.50m/minにて、実施例1〜15、比較例1〜11のドライフィルムレジストをそれぞれラミネートした。
(Preparation of etching resist layer 1)
<Process (a)>
A heat-resistant silicone rubber lining is surface-treated on a glass substrate epoxy resin copper clad laminate (area 170 mm × 255 mm, copper foil thickness 12 μm, substrate thickness 0.1 mm, product name: CCL-E170, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company). Examples 1 to 15 and Comparative Example 1 at a roll temperature of 100 ° C., an air pressure of 0.30 MPa, and a laminating speed of 0.50 m / min while peeling off the protective film using a laminator for dry film equipped with a laminated roll. Each of ˜11 dry film resists was laminated.
<工程(b)>
支持層フィルムを剥離した後、10質量%の炭酸ナトリウム水溶液(液温度25℃、スプレー圧0.05MPa)で処理した後、pH8に調整された0.1質量%の炭酸ナトリウム水溶液(液温25℃、スプレー圧0.15MPa)を光架橋性樹脂層1cm2当たり0.2L/minの供給流量で十分に洗浄処理を行い、その後、冷風乾燥させ、薄膜化された光架橋性樹脂層を得た。
<Step (b)>
After peeling off the support layer film, it was treated with a 10% by mass sodium carbonate aqueous solution (liquid temperature 25 ° C., spray pressure 0.05 MPa), and then adjusted to pH 8 by 0.1% by mass sodium carbonate aqueous solution (liquid temperature 25). (C, spray pressure 0.15 MPa) is sufficiently washed at a supply flow rate of 0.2 L / min per 1 cm 2 of the photocrosslinkable resin layer, and then dried with cold air to obtain a thinned photocrosslinkable resin layer. It was.
<工程(c)>
ダイレクトイメージング露光機(装置名:LI−8500、大日本スクリーン製造社製)を用い、ライン/スペース=15/15、20/20、25/25μmのパターンを露光した。
<Step (c)>
Using a direct imaging exposure machine (device name: LI-8500, manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.), patterns of line / space = 15/15, 20/20, 25/25 μm were exposed.
<工程(d)>
1質量%の炭酸ナトリウム水溶液(液温度30℃、スプレー圧0.15MPa)を用いて現像処理を行い、レジストパターンを作製した。
<Step (d)>
Development processing was performed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (solution temperature 30 ° C., spray pressure 0.15 MPa) to prepare a resist pattern.
(膜減り評価)
レーザー顕微鏡(装置名:VK−8500、キーエンス社製)を用いて得られたレジストパターンの膜厚を測定し、酸素阻害による膜減りを表面硬化性として評価した。評価結果を表13及び表14に示す。
○・・・膜減り量が0.5μm未満
△・・・膜減り量が0.5μm以上1.5μm未満
×・・・膜減り量が1.5μm以上
(Evaluation of film reduction)
The film thickness of the resist pattern obtained using a laser microscope (device name: VK-8500, manufactured by Keyence Corporation) was measured, and film loss due to oxygen inhibition was evaluated as surface curability. The evaluation results are shown in Table 13 and Table 14.
○: Film loss is less than 0.5 μm Δ: Film loss is from 0.5 μm to less than 1.5 μm × ... Film loss is 1.5 μm or more
(解像性評価)
走査型電子顕微鏡(装置名:JSM−6510、日本電子社製)を用いてレジストパターンの解像性を観察した。結果を表13及び表14に示す。
○・・・アンダーカットあるいは裾引きがほとんどなく、レジスト剥離やショート欠陥もない
△・・・アンダーカットあるいは裾引きによる線太りはあるが、実用上問題ないレベル
×・・・アンダーカットあるいは裾引きが大きく、実用上問題となるショート欠陥がある
(Resolution evaluation)
The resolution of the resist pattern was observed using a scanning electron microscope (device name: JSM-6510, manufactured by JEOL Ltd.). The results are shown in Table 13 and Table 14.
○ ・ ・ ・ There is almost no undercut or skirting, and there is no resist peeling or short-circuit defect. △ ・ ・ ・ There is a line thickness due to undercut or skirting, but there is no practical problem. Is large, and there is a short defect that is a practical problem.
(断面形状評価)
走査型電子顕微鏡(装置名:JSM−6510、日本電子社製)を用いてレジストの断面形状を観察した。結果を表13及び表14に示す。図3は、絶縁性基板5に導電層4を載置した基板2上に作製された光架橋性樹脂層の架橋部3によるレジストパターンの断面形状を示す断面図であり、この(A)〜(E)で評価した。
(A)・・・膜減りなく、レジスト形状も良好
(B)・・・膜減りはないが、アンダーカットが発生
(C)・・・膜減りはないが、顕著なアンダーカットがあり、レジスト剥離が発生
(D)・・・膜減りとハレーションによる裾引きが発生
(E)・・・膜減りとハレーションによる裾引きが顕著に発生し、レジストのショート欠陥が発生
(Cross sectional shape evaluation)
The cross-sectional shape of the resist was observed using a scanning electron microscope (device name: JSM-6510, manufactured by JEOL Ltd.). The results are shown in Table 13 and Table 14. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a cross-sectional shape of a resist pattern formed by a
(A): No film reduction, good resist shape (B): No film reduction, but undercut occurs (C): No film reduction, but there is significant undercut, resist Peeling occurs (D) ... Falling due to film reduction and halation (E) ... Falling due to film reduction and halation occurs significantly, resulting in resist short defects
実施例1〜15において、光重合開始剤成分に対するジアルキルアミノベンゼン構造を有する化合物の配合量によって、表面硬化性が変化し、レジストの断面形状の改善や膜減りの抑制に効果的であることが分かった。また、一般的には、薄膜化後の光架橋性樹脂層の厚みが薄くなるにつれ、酸素阻害による膜減り及びハレーション起因の裾引きが発生しやすくなる傾向があるが、ジアルキルアミノベンゼン構造を有する化合物を適量添加することによって良好なレジストパターンを形成させることができた。 In Examples 1 to 15, the surface curability varies depending on the compounding amount of the compound having a dialkylaminobenzene structure relative to the photopolymerization initiator component, and is effective in improving the cross-sectional shape of the resist and suppressing film loss. I understood. In general, as the thickness of the photocrosslinkable resin layer after thinning becomes thinner, there is a tendency that film loss due to oxygen inhibition and tailing due to halation tend to occur, but it has a dialkylaminobenzene structure. A good resist pattern could be formed by adding an appropriate amount of the compound.
比較例1〜11において、ジアルキルアミノベンゼン構造を有する化合物の配合量が、本発明の範囲よりも少ない場合、表面硬化性が不十分で、膜減り及びハレーションによる裾引きがあり、レジストのショート欠陥が発生していた。また、本発明の範囲よりも多い場合、表面硬化性が高くなりすぎて光架橋性樹脂層の内部または深部の硬化が不十分となり、レジストの断面形状が逆台形化することによりレジスト剥離が発生していた。 In Comparative Examples 1 to 11, when the compounding amount of the compound having a dialkylaminobenzene structure is less than the range of the present invention, the surface curability is insufficient, the film is reduced and the tailing due to halation occurs, and the resist has a short defect. Had occurred. In addition, when the amount is larger than the range of the present invention, the surface curability becomes too high, the curing of the inside or the deep part of the photocrosslinkable resin layer becomes insufficient, and resist stripping occurs due to the cross-sectional shape of the resist being inverted trapezoidal. Was.
(エッチングレジスト層の作製2)
<工程(a)>
ガラス基材エポキシ樹脂銅張積層板に、ドリルを用いて直径500μmの貫通孔を100穴ずつ形成した後、貫通孔内部と銅箔上に10μm厚のめっき銅層を形成した孔あり銅張積層板上に、耐熱シリコンゴムライニング表面処理されたラミネートロールを備えたドライフィルム用ラミネータを用いて、保護フィルムを剥がしながら、ロール温度100℃、エアー圧力0.30MPa、ラミネート速度0.50m/minにて、実施例16〜34、比較例12〜29のドライフィルムレジストをラミネートした。
(Production of etching resist layer 2)
<Process (a)>
A glass-based epoxy resin copper-clad laminate is formed with 100 holes each having a diameter of 500 μm using a drill, and then a copper-clad laminate with holes in which a plated copper layer having a thickness of 10 μm is formed inside the through-hole and on the copper foil. Using a laminator for dry film equipped with a laminate roll with a heat-resistant silicon rubber lining surface treated on the plate, while peeling off the protective film, the roll temperature was 100 ° C., the air pressure was 0.30 MPa, and the laminating speed was 0.50 m / min. The dry film resists of Examples 16 to 34 and Comparative Examples 12 to 29 were laminated.
<工程(e)>
光架橋性樹脂層を薄膜化する前に、ダイレクトイメージング露光機(装置名:LI−8500、大日本スクリーン製造社製)を用い、孔に対して片側100μmのランドを設けたランド部のみを露光した。
<Process (e)>
Before thinning the photocrosslinkable resin layer, use a direct imaging exposure machine (device name: LI-8500, manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.) to expose only the land with a 100 μm land on one side of the hole did.
<工程(b)>
ランド部の光架橋性樹脂層を硬化させた後、支持層フィルムを剥離した後、ランド部以外の未硬化の光架橋性樹脂層の厚みが20、15、10、5μmになるように、10質量%の炭酸ナトリウム水溶液(液温度25℃、スプレー圧0.05MPa)で処理した後、pH8に調整された0.1質量%の炭酸ナトリウム水溶液(液温25℃、スプレー圧0.15MPa)を光架橋性樹脂層1cm2当たり0.2L/minの供給流量で十分に洗浄処理を行い、その後、冷風乾燥させ、薄膜化された光架橋性樹脂層を得た。
<Step (b)>
After curing the photocrosslinkable resin layer in the land portion, the support layer film is peeled off, and then the uncured photocrosslinkable resin layer other than the land portion has a thickness of 10, 15, 10, 5 μm. After treatment with a mass% sodium carbonate aqueous solution (liquid temperature 25 ° C., spray pressure 0.05 MPa), a 0.1 mass% sodium carbonate aqueous solution (liquid temperature 25 ° C., spray pressure 0.15 MPa) adjusted to pH 8 was added. The photocrosslinkable resin layer was sufficiently washed at a supply flow rate of 0.2 L / min per 1 cm 2 , and then dried with cold air to obtain a thinned photocrosslinkable resin layer.
<工程(c)、工程(d)>
薄膜化処理後、実施例1と同様に、工程(c)、工程(d)処理を行い、レジストパターンを作製した。1質量%の炭酸ナトリウム水溶液(液温度30℃、スプレー圧0.15MPa)を用いて現像処理を行い、レジストパターンを作製した。
<Process (c), process (d)>
After the thinning treatment, the steps (c) and (d) were performed in the same manner as in Example 1 to produce a resist pattern. Development processing was performed using a 1% by mass aqueous sodium carbonate solution (solution temperature 30 ° C., spray pressure 0.15 MPa) to prepare a resist pattern.
(膜減り評価)
レーザー顕微鏡(装置名:VK−8500、キーエンス社製)を用いて得られたレジストパターンの膜厚を測定し、酸素阻害による膜減りを表面硬化性として評価した。評価結果を表15〜表18に示す。
○・・・膜減り量が0.5μm未満
△・・・膜減り量が0.5μm以上1.5μm未満
×・・・膜減り量が1.5μm以上
(Evaluation of film reduction)
The film thickness of the resist pattern obtained using a laser microscope (device name: VK-8500, manufactured by Keyence Corporation) was measured, and film loss due to oxygen inhibition was evaluated as surface curability. The evaluation results are shown in Tables 15-18.
○: Film loss is less than 0.5 μm Δ: Film loss is from 0.5 μm to less than 1.5 μm × ... Film loss is 1.5 μm or more
(解像性評価)
走査型電子顕微鏡(装置名:JSM−6510、日本電子社製)を用いてレジストパターンの解像性を観察した。結果を表15〜表18に示す。
○・・・アンダーカットあるいは裾引きがほとんどなく、レジスト剥離やショート欠陥もない
△・・・アンダーカットあるいは裾引きによる線太りはあるが、実用上問題ないレベル
×・・・アンダーカットあるいは裾引きが大きく、実用上問題となるショート欠陥がある
(Resolution evaluation)
The resolution of the resist pattern was observed using a scanning electron microscope (device name: JSM-6510, manufactured by JEOL Ltd.). The results are shown in Tables 15-18.
○ ・ ・ ・ There is almost no undercut or skirting, and there is no resist peeling or short-circuit defect. △ ・ ・ ・ There is a line thickness due to undercut or skirting, but there is no practical problem. Is large, and there is a short defect that is a practical problem.
(断面形状評価)
走査型電子顕微鏡(装置名:JSM−6510、日本電子社製)を用いてレジストの断面形状を観察した。結果を表15〜表18に示す。図4は、孔6を有し、孔内部と絶縁性基板5表面に導電層4が設けられている基板2上に作製された光架橋性樹脂層の架橋部3によるレジストパターンの断面形状を示す断面図であり、この(A)〜(E)で評価した。
(A)・・・厚膜部分(ランド部)、薄膜部分(薄膜化された光架橋性樹脂層)ともに膜減りなく、レジスト形状も良好。
(B)・・・厚膜部分、薄膜部分ともに膜減りはないが、厚膜部分でアンダーカットが発生
(C)・・・厚膜部分、薄膜部分ともに膜減りはないが、厚膜部分で顕著なアンダーカットがあり、レジスト剥離が発生
(D)・・・厚膜部分、薄膜部分ともに膜減りはないが、薄膜部分でアンダーカットが発生
(E)・・・厚膜部分は膜減りなく、レジスト形状も良好であるが、薄膜部分で膜減りとハレーションによる裾引きが発生
(F)・・・厚膜部分だけでなく薄膜部分でも膜減りとハレーションによる裾引きがあり、薄膜部分でレジストのショート欠陥が発生
(Cross sectional shape evaluation)
The cross-sectional shape of the resist was observed using a scanning electron microscope (device name: JSM-6510, manufactured by JEOL Ltd.). The results are shown in Tables 15-18. FIG. 4 shows the cross-sectional shape of the resist pattern formed by the
(A)... Thick film portion (land portion) and thin film portion (thinned photocrosslinkable resin layer) are not reduced and the resist shape is good.
(B) ... There is no film reduction in the thick film part and the thin film part, but undercut occurs in the thick film part (C) ... There is no film reduction in both the thick film part and the thin film part, but in the thick film part There is a remarkable undercut, and resist peeling occurs (D) ... there is no film reduction in the thick film part and thin film part, but an undercut occurs in the thin film part (E) ... there is no film reduction in the thick film part , Resist shape is good, but thinning and tailing due to halation occur in the thin film part (F) ... There is filming and tailing due to halation not only in the thick film part but also in the thin film part. Short defect occurs
(断面形状評価)
実施例16〜34において、厚膜部分と薄膜部分でともに良好なレジストパターンを作製するため、ジアルキルアミノベンゼン構造を有する化合物及びアシルフォスフィンオキサイド化合物を添加した。前者は、表面硬化性に起因し、特に薄膜部分での膜減り及びハレーションによる裾引きを抑制に効果的だった。その際、厚膜部分で内部硬化性または深部硬化性が不十分となるのを避けるため、アシルフォスフィンオキサイド化合物の添加が非常に有効であることが分かった。この2つの光重合開始剤を組み合わせて適量配合することにより、厚膜部分と薄膜部分の両方で良好なレジストパターンを形成させることができた。
(Cross sectional shape evaluation)
In Examples 16 to 34, a compound having a dialkylaminobenzene structure and an acylphosphine oxide compound were added in order to produce a good resist pattern in both the thick film portion and the thin film portion. The former was effective in suppressing film reduction and tailing due to halation, particularly due to surface curability. At that time, it was found that the addition of an acylphosphine oxide compound is very effective in order to avoid insufficient internal or deep curability at the thick film portion. By combining these two photopolymerization initiators in an appropriate amount and mixing them, it was possible to form a good resist pattern in both the thick film portion and the thin film portion.
比較例12〜29において、ジアルキルアミノベンゼン構造を有する化合物の配合量が、本発明の範囲よりも少ない場合、表面硬化性が不十分で、薄膜部分だけでなく、厚膜部分でも膜減り及びハレーションによる裾引きがあり、特に、薄膜部分でレジストのショート欠陥が発生していた。また、本発明の範囲よりも多い場合、表面硬化性が高くなりすぎて厚膜部分で十分な硬化深度が得られず、ランド部のレジストが剥離していた。一方、厚膜部分の内部または深部硬化性を向上させる目的で添加したアシルフォスフィンオキサイド化合物の配合量が、本発明の範囲よりも少ないと、厚膜部分の硬化深度が不十分で、アンダーカットによるレジスト剥離が発生した。また、本発明の範囲よりも多くなると、薄膜部分での深部硬化性が顕著になり、ハレーション起因の裾引きが増大した。 In Comparative Examples 12 to 29, when the compounding amount of the compound having a dialkylaminobenzene structure is less than the range of the present invention, the surface curability is insufficient, and not only the thin film part but also the thick film part is reduced in film thickness and halation. In particular, resist short defects occurred in the thin film portion. Further, when the amount is larger than the range of the present invention, the surface curability becomes too high, and a sufficient depth of curing cannot be obtained at the thick film portion, and the resist in the land portion is peeled off. On the other hand, if the amount of the acylphosphine oxide compound added for the purpose of improving the internal or deep curability of the thick film portion is less than the range of the present invention, the depth of cure of the thick film portion is insufficient, and the undercut Due to this, resist peeling occurred. Moreover, when it exceeded the range of this invention, the deep-part curability in a thin film part became remarkable, and the tailing resulting from halation increased.
本発明は、サブトラクティブ法を用いた微細な金属パターンの作製に広く利用される。例えば、プリント配線板やリードフレームの製造方法として利用することができる。 The present invention is widely used for producing a fine metal pattern using a subtractive method. For example, it can be used as a method for manufacturing a printed wiring board or a lead frame.
1 光架橋性樹脂層(未架橋部)
2 基板
3 光架橋性樹脂層の架橋部
4 導電層
5 絶縁性基板
6 孔
1 Photocrosslinkable resin layer (uncrosslinked part)
2
Claims (2)
(A)カルボキシル基を含有するポリマー、(B)分子内に少なくとも1個の重合可能なエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物、(C)光重合開始剤、(D)重合禁止剤を含有してなり、(C)成分として、ジアルキルアミノベンゼン構造を有する化合物が(C)成分全体に対して4.0〜15質量%、かつ、光架橋性樹脂組成物に対して0.20〜0.60質量%含有されてなることを特徴とする光架橋性樹脂組成物。 (A) a step of forming a photocrosslinkable resin layer containing a photocrosslinkable resin composition on a substrate having a conductive layer on the surface, (b) an uncured photocrosslinkable resin layer by an aqueous alkali solution In the photocrosslinkable resin composition used in the method for producing a resist pattern comprising the step of performing a thinning process of (c), an exposure step of a circuit pattern, and (d) a development step,
(A) a polymer containing a carboxyl group, (B) a photopolymerizable compound having at least one polymerizable ethylenically unsaturated group in the molecule, (C) a photopolymerization initiator, and (D) a polymerization inhibitor. As a component (C), the compound having a dialkylaminobenzene structure is 4.0 to 15% by mass with respect to the total component (C), and 0.20 to 0.20 with respect to the photocrosslinkable resin composition. A photocrosslinkable resin composition comprising 0.60% by mass.
(A)カルボキシル基を含有するポリマー、(B)分子内に少なくとも1個の重合可能なエチレン性不飽和基を有する光重合性化合物、(C)光重合開始剤、(D)重合禁止剤を含有してなり、(C)成分として、ジアルキルアミノベンゼン構造を有する化合物が(C)成分全体に対して4.0〜15質量%、かつ、光架橋性樹脂組成物に対して0.20〜0.60質量%含有されてなり、さらに、アシルフォスフィンオキサイド化合物が(C)成分全体に対して20〜75質量%、かつ、光架橋性樹脂層に対して1.00〜3.00質量%含有されてなる光架橋性樹脂組成物。 (A) a step of forming a photocrosslinkable resin layer containing the photocrosslinkable resin composition on a substrate having a conductive layer on the surface; (e) exposing a part of the photocrosslinkable resin layer; (B) a step of thinning the uncured photocrosslinkable resin layer with an alkaline aqueous solution, (c) a circuit pattern exposure step, and (d) a method for producing a resist pattern comprising a development step In the photocrosslinkable resin composition used in
(A) a polymer containing a carboxyl group, (B) a photopolymerizable compound having at least one polymerizable ethylenically unsaturated group in the molecule, (C) a photopolymerization initiator, and (D) a polymerization inhibitor. As a component (C), the compound having a dialkylaminobenzene structure is 4.0 to 15% by mass with respect to the total component (C), and 0.20 to 0.20 with respect to the photocrosslinkable resin composition. Further, the acylphosphine oxide compound is contained in an amount of 20 to 75% by mass with respect to the entire component (C), and 1.00 to 3.00% by mass with respect to the photocrosslinkable resin layer. % Photocrosslinkable resin composition.
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