JP2011035321A - Ｃｍｐ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】コンディショニングにより薄くなった研磨パッドを、適切なタイミングで新たな研磨パッドと交換することが可能となるＣＭＰ装置を提供する。
【解決手段】回転可能な研磨テーブル１０と、研磨テーブル１０上に配置された研磨パッド２０と、研磨パッド２０の研磨面上にスラリーを供給するスラリー供給部３０と、研磨パッド２０の研磨面に基板５０の被研磨面を押し当てる研磨ヘッド４０と、研磨パッド２０の研磨面をコンディショニングするコンディショナー６０と、廃液を排出するための廃液ライン７０と、前記廃液に含まれる粒子を測定する粒子測定部８０と、粒子測定部８０の測定結果を利用して、研磨パッド２０の交換タイミングを通知する通知部９０と、を有するＣＭＰ装置。
【選択図】図１

Description

本発明は、ＣＭＰ装置に関する。

半導体デバイスの製造プロセスにおいて、基板表面の平坦化に用いられるＣＭＰ装置がある。ＣＭＰ装置は、回転運動する研磨テーブルの上に、基板表面を研磨する研磨パッドを備え、回転する研磨パッド上に研磨スラリー（砥粒と化学成分からなる）を供給しつつ、基板表面を研磨パッドに押しつけることで、基板表面の平坦化を実現する。

ここで、研磨パッドの研磨面には、スラリーの保持力向上などの目的で凹凸が加工されている。この凹凸は、ＣＭＰプロセスを繰り返し行うと、目詰まりや、研磨パッドの研磨面の摩耗により、劣化してしまう。研磨パッドの研磨面の凹凸が劣化すると、ＣＭＰプロセスの安定性を保てない。そこで、通常、所定のタイミングにて研磨パッドの研磨面を、コンディショナーを用いて削り、目立て（コンディショニング）を行う。当然、この研磨パッドのコンディショニングを繰り返し行うと、研磨パッドの厚さは薄くなり、剛性が低下してしまう。剛性が低下すると、基板表面のＣＭＰプロセスにおいて所望する平坦性が得られなくなるなどの不都合が生じうる。そこで、研磨パッドが所定の厚さまで薄くなると、新たな研磨パッドと交換する。

特開２００６−９３２９６号公報

上述の通り、研磨パッドが所定の厚さまで薄くなると、新たな研磨パッドと交換することとなるが、この交換タイミングを適切に管理、判断するのが難しい。例えば、交換タイミングが早すぎると、まだ使用できる研磨パッドを廃棄してしまうこととなり、コスト増を招く。逆に、交換タイミングが遅れると、平坦な表面が得られていない基板が生成されることとなり、歩留りの低下を招く。

そこで、研磨パッドの適切な時期の交換を実現するため、所定のタイミングで研磨パッドをＣＭＰ装置から取り外し、測定器を利用して研磨パッドの厚さを測定する手段が考えられる。しかし、この手段は、作業性が悪すぎる。

特許文献１には、ＣＭＰ装置から研磨パッドを取り外さずに、研磨パッドの厚さを測定可能に構成されたＣＭＰ装置が記載されている。このＣＭＰ装置の断面模式図を、図２に示す。

これらの図に示すように、引用文献１に記載のＣＭＰ装置は、研磨テーブル１と、研磨パッド２と、スラリー供給部３と、研磨ヘッド４と、コンディショナー６と、センサー７と、を備え、基板５を研磨可能に構成されている。このＣＭＰ装置は、センサー７を利用して研磨パッド２の厚さを測定する。具体的には、センサー７を研磨パッド２に押し当て、金属性の研磨テーブル１との間に発生する渦電流の距離に依存する変化を検出し、距離に換算することで、研磨パッド２の厚さを測定する。

しかし、このセンサー７は、コンディショナー６の内部またはその近傍に設けられ、コンディショニングと並行して研磨パッド２の厚さを測定するよう構成されている。このような構成の場合、センサー７の表面が摩耗し、測定誤差を引き起こす恐れがある。

本発明によれば、回転可能な研磨テーブルと、前記研磨テーブル上に配置された研磨パッドと、前記研磨パッドの研磨面上にスラリーを供給するスラリー供給部と、前記研磨パッドの研磨面に基板の被研磨面を押し当てる研磨ヘッドと、前記研磨パッドの研磨面をコンディショニングするコンディショナーと、廃液を排出するための廃液ラインと、前記廃液に含まれる粒子を測定する粒子測定部と、前記粒子測定部の測定結果を利用して、前記研磨パッドの交換タイミングを通知する通知部と、を有するＣＭＰ装置が提供される。

本発明のＣＭＰ装置によれば、廃液ラインを通過する廃液に含まれる粒子（研磨パッドの削れ粒子など）の測定結果を利用して、研磨パッドの交換タイミングを判断し、通知することができる。よって、研磨パッドの交換タイミングを判断するために、研磨パッドを研磨テーブル上から取り外して、厚さを測定するなどという面倒な作業を行う必要がない。また、研磨パッドの交換タイミングを判断する構成部が物理的に摩耗するなどの心配もないので、適切な研磨パッドの交換タイミングを算出することができる。

本発明によれば、コンディショニングにより薄くなった研磨パッドを、適切なタイミングで新たな研磨パッドと交換することが可能となる。

本実施形態のＣＭＰ装置の断面模式図である。 特許文献１に記載のＣＭＰ装置の断面模式図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

なお、本実施形態のＣＭＰ装置を構成する粒子測定部、通知部は、任意のコンピュータのＣＰＵ、メモリ、メモリにロードされたプログラム（あらかじめ装置を出荷する段階からメモリ内に格納されているプログラムのほか、ＣＤなどの記憶媒体やインターネット上のサーバなどからダウンロードされたプログラムも含む）、そのプログラムを格納するハードディスクなどの記憶ユニット、ネットワーク接続用インタフェース、ディスプレイ、スピーカなどを中心に、ハードウエアとソフトウエアの任意の組合せによって実現される。そして、その実現方法、装置にはいろいろな変形例があることは、当業者には理解されるところである。
＜実施形態１＞

本実施形態のＣＭＰ装置１００の一例を図１の模式図に示す。図１は、ＣＭＰ装置１００の断面図である。図に示すように、本実施形態のＣＭＰ装置１００は、研磨テーブル１０と、研磨パッド２０と、スラリー供給部３０と、研磨ヘッド４０と、コンディショナー６０と、廃液ライン７０と、粒子測定部８０と、通知部９０と、を有する。

研磨テーブル１０は回転可能に構成されている。研磨パッド２０は、研磨テーブル１０の上に、研磨面が研磨テーブル１０と対向しないように配置される。図１の場合、研磨パッド２０の研磨面は図中上側を向いている。研磨パッド２０は、ポリウレタン樹脂で構成されているものを利用することができる。

スラリー供給部３０は、研磨パッド２０の研磨面上にスラリーを供給するよう構成されている。スラリーの種類、供給量、供給方法などは特段制限されず、従来技術に準じて設計することができる。例えばシリカ粒子、アルミナ粒子などの砥粒と、アルカリ溶液、酸化剤水溶液などの化学成分と、からなるスラリーを利用することができる。

研磨ヘッド４０は、図１に示すように、基板５０を保持し、研磨パッド２０の研磨面に基板５０の被研磨面を押し当てるよう構成されている。研磨ヘッド４０は、回転可能に構成されてもよい。

コンディショナ−６０は、研磨パッド２０の研磨面をコンディショニングするよう構成されている。コンディショニングとは、研磨パッド２０の研磨面を削り、研磨面の目立てなどを行うことである。このコンディショニングを行うことにより、研磨パッド２０による基板５０の研磨の安定性が確保される。コンディショナー６０としては、研磨パッド２０の研磨面と当接する面にダイヤを埋め込み、このダイヤにより研磨パッド２０の研磨面を削るように構成したものなどを利用することができる。コンディショナー６０は、図示するように、研磨パッド２０の研磨面と当接する面が、回転運動及び／又は揺動運動できるように構成されてもよい。なお、コンディショナー６０による研磨パッド２０の研磨面のコンディショニングは、基板５０の研磨と並行して行ってもよいし、または、基板５０の研磨を行っていないタイミングで、コンディショニングのみを独立して行ってもよい。

廃液ライン７０は、廃液を排出するよう構成されている。ここでの廃液とは、基板５０の研磨および研磨パッド２０のコンディショニングなどにより、ＣＭＰ装置１００内で発生するあらゆる廃液が該当する。例えば、スラリー供給部３０から供給されたスラリーや、研磨パッド２０の研磨面上に供給された洗浄液（図示せず）などに起因する廃液が考えられる。

なお、これらの廃液の中には、一般的には以下のような粒子が含まれていると考えられるが、廃液ライン７０はこれらの粒子もあわせて排出する。

＜１＞研磨パッド２０の研磨面のコンディショニングと、基板５０の研磨を同時に並行して行った場合、廃液には、主に、（イ）基板５０の削れ粒子、（ロ）スラリー砥粒、（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子、（二）コンディショナー６０の削れ粒子などの粒子が含まれていると考えられる。

＜２＞研磨パッド２０の研磨面のコンディショニングを行わず、基板５の研磨のみを行った場合、廃液には、主に、（イ）基板５０の削れ粒子、（ロ）スラリー砥粒、（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子などの粒子が含まれていると考えられる。この場合の（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子は、基板５０の研磨時の摩耗によるものである。よって、コンディショナー６０により削られた（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子を含む＜１＞の場合に比べて、（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子の量は大幅に少ないと考えられる。

＜３＞基板５０の研磨を行わず、研磨パッド２０の研磨面のコンディショニングのみを行った場合、廃液には、主に、（イ）基板５０の削れ粒子、（ロ）スラリー砥粒、（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子、（二）コンディショナー６０の削れ粒子などの粒子が含まれていると考えられる。この場合の（イ）基板５０の削れ粒子とは、研磨パッド２０の研磨面の凹凸に詰まっていた基板５０の削れ粒子や、基板５０の研磨時に排出されずＣＭＰ装置１００内に残っていた基板５０の削れ粒子などが該当する。この（イ）基板５０の削れ粒子は、＜１＞、＜２＞の場合に比べて大幅に少ないと考えられる。

ここで、各粒子の平均的な大きさを比較する。一般的に利用される（ロ）スラリー砥粒の粒子径は、大体０．１〜０．２μｍ程度である。（ロ）スラリー砥粒により削られ発生する（イ）基板５０の削れ粒子は、通常、（ロ）スラリー砥粒より小さくなると考えられ、本発明者は実際にこの事実を確認している。（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子は、コンディショナー６０の先端が鋭角に尖ったダイヤモンドなどを、研磨パッド２０の研磨面に突き刺し、研磨面を掘り起こすように削ることで発生する。このようにして発生する（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子は比較的大きい。本発明者は実際に、通常、（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子は、（ロ）スラリー砥粒よりも大きくなることを確認している。（二）コンディショナー６０の削れ粒子とは、研磨パッド２０を削るためのダイヤモンドの削れ粒子のことであるが、本発明者は目視にてこの削れ粒子を確認したことはない。ダイヤモンド表面は摩耗しているため多少の削れ粒子は発生していると考えられるが、その大きさは、他の粒子（イ）（ロ）（ハ）に比べて十分に小さいと考えられる。以上より、一般的に廃液中に含まれると考えられる粒子の中では、（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子が一番大きく、次に大きいのが（ロ）スラリー砥粒である。以下、廃液中に含まれると考えられる粒子の種類およびその大きさの関係が上述したものであるケースを、「一般的ケース」とよぶ。

粒子測定部８０は、廃液ライン７０を通過する廃液に含まれる粒子を測定するよう構成されている。例えば、研磨パッド２０の研磨面のコンディショニングにより発生した廃液に含まれる粒子を測定してもよい。または、廃液ライン７０を通過するすべての廃液に含まれる粒子を測定してもよい。この測定とは、廃液中に含まれる粒子を認識し、大きさごとの粒子の数を測定することが該当する。大きさごとの粒子の数の測定は、所定の大きさの範囲を定め、その範囲の粒子の数を測定するものであってもよい。例えば、粒子径「０μｍ以上０．２μｍ未満」および「０．２μｍ以上」と２つの区分を定め、各区分の粒子の数を測定してもよい。または、粒子径「０．２μｍ以上」または「０．２μｍ以上０．４μｍ未満」などと１つの区分を定め、その区分の粒子の数のみを測定してもよい。

粒子測定部８０の測定を実現する手段としては、例えばレーザー散乱光方式を利用してもよい。レーザー散乱光方式とは、試料中にレーザーの収束光を照射し、試料中に含まれる粒子に当たり散乱した散乱光を検出して、光の強度から濁度を演算する方式である。この方式を利用する場合、前記廃液ライン７０の少なくとも一部領域には、前記レーザーによる測定が可能となる部分（レーザーを透過できる部分）を設ける必要がある。例えば、廃液ライン７０の少なくとも一部領域を、石英ガラスで構成してもよい。

ここで、粒子測定部８０による粒子の測定は、（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子を測定することを目的としている。本実施形態のＣＭＰ装置１００は、（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子を測定し、その測定結果を利用して、研磨パッド２０の適切な交換タイミングを算出する。

よって、粒子測定部８０は、廃液中に含まれる粒子の種類および該粒子の大きさの関係を考慮して、（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子を精度高く測定できるよう、測定する粒子の大きさの範囲を定める必要がある。例えば、廃液中に含まれる粒子の種類、および、それらの粒子の大きさの関係が上述した一般的ケースである場合には、粒子測定部８０は、粒子径「０．２μｍ以上」の粒子の数のみを測定するよう構成してもよい。一般的ケースにおける、廃液ライン７０を通過する廃液中に含まれる複数種類の粒子の大きさの関係は上述した通り、（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子が一番大きく、次に大きいのが（ロ）スラリー砥粒である。（ロ）スラリー砥粒の大きさ（粒子径）は大体０．１〜０．２μｍ程度であるので、粒子径「０．２μｍ以上」の粒子の数のみを測定すれば、測定誤差を小さくして、（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子を測定することができる。なお、前記はあくまで一例であり、その他、粒子径「０．２５μｍ以上」の粒子の数のみを測定してもよいし、粒子径「０．３μｍ以上」の粒子の数のみを測定してもよいし、実際に使用するスラリー砥粒の大きさに応じて、どの大きさの粒子の数を測定するのか定めてもよい。また、廃液中に含まれる粒子の種類、および、それらの粒子の大きさの関係が「一般的ケース」と異なる場合には、その関係に応じて、適切に、（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子を精度高く測定できるように定めればよい。

また、上述の通り、粒子測定部８０による粒子の測定は、（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子を測定することを目的としている。（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子は、「研磨パッド２０の研磨面のコンディショニング時」、および、「基板５０の研磨時」に発生すると考えられるが、本実施形態の粒子測定部８０は、「研磨パッド２０の研磨面のコンディショニング時」に発生する（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子を測定することを必須とし、「基板５０の研磨時」に発生する（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子を測定することは必須としない。すなわち、研磨パッド２０の研磨面のコンディショニングと、基板５０の研磨と、を並行して行わず、各々別個に行うような場合には、粒子測定部８０は、研磨パッド２０の研磨面のコンディショニングにより発生した廃液中の粒子のみを測定してもよい。

なぜならば、基板５０の研磨時に発生する（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子は摩耗によるものであるため、その量は、研磨パッド２０の研磨面のコンディショニング時に発生する（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子よりも十分少ない。よって、基板５０の研磨時に発生する（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子の量の変動は、研磨パッド２０の研磨面のコンディショニング時に発生する（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子の量の変動の誤差の範囲内であると考えることができる。このため、研磨パッド２０の研磨面のコンディショニング時に発生した廃液中に含まれる粒子のみを測定するよう構成しても、十分な精度を確保して、研磨パッド２０の交換タイミングを算出することができる。逆に、基板５０の研磨時には大量の（イ）基板５０の削れ粒子が発生すると考えられるため、基板５０の研磨時の粒子を測定しないこととすると、データのノイズを軽減することが可能となり、望ましい。

なお、本実施形態を実現する上で、基板５０の研磨時に発生する（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子の測定を除外するものではない。研磨パッド２０の研磨面のコンディショニング時に発生する（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子のみならず、基板５０の研磨時に発生する（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子をも測定するよう構成しても、本実施形態の効果を十分に実現することができる。

通知部９０は、粒子測定部８０の測定結果を利用して、研磨パッド２０の交換タイミングをユーザに通知するよう構成されている。「粒子測定部８０の測定結果」とは、（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子をターゲットとして行った測定結果であり、例えば、粒子径「０．２μｍ以上」の粒子の数の測定結果などが該当する。

ここで、通知部９０が研磨パッド２０の交換タイミングを通知するためには、通知部９０は交換タイミングを判断する必要がある。この判断は以下のような手段により実現してもよい。

例えば、通知部９０は、廃液に含まれる所定の大きさの粒子の数の積算数を基に、研磨パッド２０の交換タイミングを判断してもよい。具体的には、コンディショニングにより削られ発生する（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子の量の積算数と、研磨パッド２０の適切な交換タイミングと、の関係をあらかじめ実験により把握する。そして、通知部９０は、適切な交換タイミングとなる「コンディショニングにより削られ発生する（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子の量の積算数」を保持しておき、この積算数と、「粒子測定部８０の測定結果」を基に算出した所定の大きさの粒子の数の積算数と、を大小比較することで、適切な交換タイミングを判断してもよい。

通知部９０が、研磨パッド２０の交換タイミングとなったことを通知する手段としては特段制限されず、例えばスピーカを介して音声情報により通知してもよいし、または、ディスプレイを介して画像情報により通知してもよい。

なお、通知部９０は、廃液に含まれる所定の大きさの粒子の数の単位時間当たりの変動数を基に、コンディショナー６０の交換タイミングを判断することもできる。コンディショナー６０が劣化すると、劣化前と比べて、コンディショニングにより削られ発生する（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子の数の単位時間あたりの変動数はコンディショナー６０の劣化にともない減少するので、単位時間あたりの変動数が小さくなる。よって、通知部９０は、適切な交換タイミングとなる「コンディショニングにより削られ発生する（ハ）研磨パッド２０の削れ粒子の数の単位時間あたりの変動数」を保持しておき、この変動数と、「粒子測定部８０の測定結果」を基に算出した所定の大きさの粒子の数の単位時間当たりの変動数と、を大小比較することで、適切なコンディショナー６０の交換タイミングを判断してもよい。そして、コンディショナー６０の交換タイミングになったことを、音声情報や画像情報により通知してもよい。

このような本実施形態のＣＭＰ装置によれば、面倒な作業を行わず、適切な研磨パッドの交換時期を把握することができる。その結果、まだ使用できる研磨パッドを交換してしまうことにより生じうるコスト増や、研磨パッドの交換が遅れたことにより生じうる歩留りの低下などの問題を回避することが可能となる。
＜実施形態２＞

実施形態２のＣＭＰ装置１００は、実施形態１のＣＭＰ装置１００を基本とし、粒子測定部８０および通知部９０の構成が異なる。以下、粒子測定部８０および通知部９０の構成について説明する。なお、その他の構成については実施形態１と同様であるので、ここでの詳細な説明は省略する。

実施形態１の粒子測定部８０は、例えばレーザー散乱光方式を利用して、廃液に含まれる粒子の大きさごとの粒子の数を測定した。これに対し、実施形態２の粒子測定部８０は、廃液に含まれる粒子の大きさごとの重量の積算数を測定するよう構成されている。例えば、所定の大きさの範囲を定め、その範囲の粒子の重量を測定してもよい。具体的には、粒子径「０μｍ以上０．２μｍ未満」および「０．２μｍ以上」と２つの区分を定め、各区分の粒子の重量の積算数を測定してもよい。または、粒子径「０．２μｍ以上」などと１つの区分を定め、その区分の粒子の重量の積算数を測定してもよい。この実現手段としては特段制限されないが、例えば、フィルタを用いて所定の区分の粒子を分別し、分別した粒子の重量を測定するようにしてもよい。

実施形態２の粒子測定部８０は、上述した点で実施形態１の粒子測定部８０と相違する。なお、実施形態２の粒子測定部８０のその他の構成については、実施形態１の粒子測定部８０と同様である。

実施形態２の通知部９０は、廃液に含まれる所定の大きさの粒子の重量の積算数を基に、研磨パッド２０の交換タイミングを判断する。具体的には、コンディショニング時や基板５０の研磨時に削られ発生する研磨パッド２０の削れ粒子の重量の積算数と、研磨パッド２０の適切な交換タイミングと、の関係をあらかじめ実験により把握する。そして、通知部９０は、前記実験により算出された適切な交換タイミングとなる「研磨パッド２０の削れ粒子の重量の積算数」を保持しておき、この積算数と、「粒子測定部８０の測定結果」を基に算出した所定の大きさの粒子の重量の積算数と、を大小比較することで、適切な交換タイミングを判断する。

なお、実施形態１で説明した通り、基板５０の研磨時に削られ発生する研磨パッド２０の削れ粒子は、コンディショニング時に削られ発生する研磨パッド２０の削れ粒子よりも十分少ない。よって、通知部９０は、コンディショニングにより削られ発生する研磨パッド２０の削れ粒子の重量の積算数と、研磨パッド２０の適切な交換タイミングと、の関係をあらかじめ実験により把握する。そして、通知部９０は、適切な交換タイミングとなる「コンディショニングにより削られ発生する研磨パッド２０の削れ粒子の重量の積算数」を保持しておき、この積算数と、「粒子測定部８０の測定結果」を基に算出した所定の大きさの粒子の積算数と、を大小比較することで、適切な交換タイミングを判断してもよい。実施形態２の通知部９０のその他の構成については、実施形態１の通知部９０と同様である。

このような本実施形態のＣＭＰ装置によれば、面倒な作業を行わず、適切な研磨パッドの交換時期を把握することができる。その結果、まだ使用できる研磨パッドを交換してしまうことにより生じうるコスト増や、研磨パッドの交換が遅れたことにより生じうる歩留りの低下などの問題を回避することが可能となる。

１０ 研磨テーブル
２０ 研磨パッド
３０ スラリー供給部
４０ 研磨ヘッド
５０ 基板
６０ コンディショナー
７０ 廃液ライン
８０ 粒子測定部
９０ 通知部
１００ ＣＭＰ装置

Claims (7)

1. 回転可能な研磨テーブルと、
   前記研磨テーブル上に配置された研磨パッドと、
   前記研磨パッドの研磨面上にスラリーを供給するスラリー供給部と、
   前記研磨パッドの研磨面に基板の被研磨面を押し当てる研磨ヘッドと、
   前記研磨パッドの研磨面をコンディショニングするコンディショナーと、
   廃液を排出するための廃液ラインと、
   前記廃液に含まれる粒子を測定する粒子測定部と、
   前記粒子測定部の測定結果を利用して、前記研磨パッドの交換タイミングを通知する通知部と、
   を有するＣＭＰ装置。
2. 前記粒子測定部は、前記研磨パッドの研磨面のコンディショニングにより発生した廃液に含まれる粒子を測定する請求項１に記載のＣＭＰ装置。
3. 前記粒子測定部は、前記廃液ラインを通過するすべての廃液に含まれる粒子を測定する請求項１または２に記載のＣＭＰ装置。
4. 前記粒子測定部は、
   前記廃液に含まれる粒子の、大きさごとの粒子の数を測定する請求項１から３のいずれか一に記載のＣＭＰ装置。
5. 前記通知部は、
   前記廃液に含まれる所定の大きさの粒子の数の積算数を基に、研磨パッドの交換タイミングを判断し、通知する請求項４に記載のＣＭＰ装置。
6. 前記粒子の前記所定の大きさは、粒子径０．２μｍ以上である請求項５に記載のＣＭＰ装置。
7. 前記粒子測定部は、
   レーザー散乱光方式を利用して、前記廃液に含まれる粒子を測定する請求項１から６のいずれか一に記載のＣＭＰ装置。

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