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JP2011034214A - メモリ制御装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】優先度の高いメモリアクセスの効率を低下させることなく、優先度の低いメモリアクセスの並列処理を実現できるようにする。
【解決手段】メモリアクセス要求を分割してメモリアクセス要求の優先度を判定し、優先度の高いメモリアクセス要求を保持する高優先度コマンドバッファ105と、優先度の低いメモリアクセス要求を保持する低優先度コマンドバッファ106とに振り分ける。そして、優先度の高いメモリアクセス要求と、優先度の低いメモリアクセス要求とを比較し、メモリコマンドの実行順序を決定し、メモリコマンドの実行順序に従って、優先度の高いメモリアクセス要求と優先度の低いメモリアクセス要求とを選択して実行するよう制御する。
【選択図】図1

Description

本発明はメモリ制御装置に関し、特に、メモリアクセス要求に対するアクセス制御に用いて好適な技術に関する。
近年、システムLSIの構成として、複数のバスマスタが1つのメモリデバイスを主記憶として共有するユニファイドメモリ構成が多く用いられ、また主記憶には一般的にDRAMが用いられている。このようなシステムでは、各バスマスタからのメモリアクセス要求に対するアクセス制御は、システムの性能に大きな影響を与える。
DRAMに保存された映像データを液晶表示素子(LCD)に出力する場合、データ読み出し/書き込みの繰り返し処理と、液晶表示回路が決められたフレームレートで映像表示するためのデータ読み出し処理とが並列実行される。したがって、CPUからのメモリアクセスの割り込みにより映像データ処理回路のデータ読み出し/書き込み処理が滞ってしまうと、液晶表示回路が読み出す伸張データが欠損し、LCDに正常な映像を出力できなくなる。このようなシステムの破綻を防ぐためには、リアルタイム処理が必要な映像データ処理回路のメモリアクセス帯域を制御し、一定期間内のデータ読み出し/書き込み処理の完了を保証する必要がある。
従来、アクセス要求に対する帯域を保証する方法として、複数のバスマスタからのメモリアクセス要求の実行順序及び実行頻度を、各バスマスタとメモリ制御回路とを接続するバスで調整するバスアービタ方式が一般的に用いられている。すなわち、複数のバスマスタからのメモリアクセスが競合した際に、ラウンドロビン方式で順次アクセスを許可したり、固定された優先度でアクセスを許可したりする。これにより、バスマスタ毎のメモリアクセス頻度を優先度に応じて可変にすることが可能となる。
特開平7−319756号公報
しかしながら、従来技術に示される手法では、メモリアクセス許可を切り替える際に優先度の高いバスマスタのメモリアクセスの効率が低下してしまうという問題がある。バスアービタ方式では、優先度の高いバスマスタに対して一定期間優先的にメモリアクセスを保証することが可能であるが、優先度の低いバスマスタに対しても一定の割合でメモリアクセスを許可する。このとき、メモリアクセス許可を切り替えるタイミングはラウンドロビン方式や固定優先方式といったバスアービタに内蔵された手順に従っており、直前のメモリアクセスとの連続性等は考慮されない。このため、優先度の低いバスマスタのメモリアクセス要求が、優先度の高いバスマスタの連続するメモリアクセス要求にバスアービタにて決定されたタイミングで割り込んでしまう。これにより、メモリアクセスの効率の低下、さらには優先度の高いメモリアクセスの帯域が保証されなくなる可能性がある。
本発明は前述の問題点に鑑み、優先度の高いメモリアクセスの効率を低下させることなく、優先度の低いメモリアクセスの並列処理を実現できるようにすることを目的としている。
本発明のメモリ制御装置は、バスマスタからのメモリアクセス要求を受けてメモリデバイスにメモリコマンドを発行するメモリ制御装置であって、前記バスマスタからのメモリアクセス要求をメモリコマンド単位に分割する分割手段と、前記分割手段によって分割されたメモリアクセス要求の優先度を判定する判定手段と、前記判定手段によって判定された優先度の高いメモリアクセス要求を保持する第1の保持手段と、前記判定手段によって判定された優先度の低いメモリアクセス要求を保持する第2の保持手段と、前記第1の保持手段に保持された優先度の高いメモリアクセス要求と、前記第2の保持手段に保持された優先度の低いメモリアクセス要求とを比較し、メモリコマンドの実行の順序を決定する決定手段と、前記メモリコマンドの実行の順序に従って、前記優先度の高いメモリアクセス要求と前記優先度の低いメモリアクセス要求とを選択して実行する実行手段とを備えることを特徴とする。
本発明によれば、複数のバスマスタからの共有メモリアクセスにおいて、優先度の高いメモリアクセスの効率を低下させることなく、優先度の低いメモリアクセスの並列処理を実行することができる。
本発明の実施形態に係るメモリ制御回路の構成例を示すブロック図である。 生成されるメモリコマンド情報の一例を示す図である。 メモリコマンド情報の生成手順の一例を示すフローチャートである。 DRAMバスの挙動を示す図である。 高優先度コマンドバッファの状態を示す図である。 低優先度コマンドバッファの状態を示す図である。 メモリバス未使用期間の算出方法を示す図である。 メモリバス使用期間の算出方法を示す図である。 DRAMバスの挙動を示す図である。
(第1の実施形態)
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
図1は、本実施形態に係るメモリ制御装置100の構成例を示すブロック図である。
図1において、バスマスタ101からメモリデバイスである共有のDRAM111へメモリアクセスが要求されると、その要求がバス102を介してメモリ制御装置100に転送される。メモリ制御装置100で受け付けられたメモリアクセス要求は、コマンド分割回路103によってメモリコマンド単位の実行情報を有するメモリコマンド情報に分割される。メモリコマンド情報は、発行元であるバスマスタ101の識別子を元に優先度振り分け回路104により、高優先度メモリコマンド情報、低優先度メモリコマンド情報に振り分けられる。そして、それぞれ第1の保持手段である高優先度コマンドバッファ105、または第2の保持手段である低優先度コマンドバッファ106に保持される。
各コマンドバッファに入力されたメモリコマンド情報は、先頭のメモリコマンド情報からメモリコマンド制御回路109に順次転送される。メモリコマンド情報は、転送可能なあるタイミングにおいて、選択回路108により高優先度コマンドバッファ105あるいは低優先度コマンドバッファ106のメモリコマンド情報のどちらか1つだけが選択される。メモリコマンド比較回路107は、低優先度メモリコマンドが高優先度メモリコマンドの間に、メモリバスの効率が低下することなく挿入可能であるかどうかを判断する。低優先度メモリコマンドが挿入可能な場合は、選択回路108に対して入力切り替え信号が出力され、メモリコマンド制御回路109に低優先度メモリコマンドが転送される。
次に、本実施形態のコマンド分割回路103の詳細について図2及び図3を参照しながら説明する。
バスマスタ101からのメモリアクセス要求は、データ転送開始アドレス、データ転送長及びデータ転送方向(読み出し/書き込み)により構成される。コマンド分割回路103は、これらの情報をもとにメモリアクセス要求を実行するのに必要な一連のメモリコマンド情報を生成する。
図2は、生成されるメモリコマンド情報の一例を示す図である。
図2に示すように、メモリコマンド情報は、コマンド種類(CMD)、チップセレクト信号(CS)、バンクセレクト信号(BS)、ロウアドレス信号(ROW)が含まれる。さらに、カラムアドレス信号(COL)、バーストイネーブル信号(BEN),バスマスタ識別子(ID)が含まれる。
コマンド種別(CMD)には、DRAM111のページ制御に必要なプリチャージコマンド(PRE)がある。さらに、アクティブコマンド(ACT)とDRAM111とからのデータ読み出し/書き込み制御のためのリードコマンド(READ)、ライトコマンド(WRITE)がある。CS,BS,ROW,COLは、メモリコマンド発行の対象となるDRAM111のチップ、バンクおよびページを指定する指標である。これらの指標の一部は、コマンドによってはケアされないものもある。例えば、PREコマンドを発行する場合にCOL情報は使用されない。また、READまたはWRITEコマンドを発行する場合にROW情報は使用されない。
BENは、データ転送の有効範囲を示す指標である。DRAM111は一回のREAD/WRITEコマンド発行で転送するデータ長が固定となる。このため、メモリアクセス要求が一回のREAD/WRITEコマンドで転送できるデータ長より大きい場合は、複数回のREAD/WRITEコマンド発行が必要となる。逆に、メモリアクセス要求が一回のREAD/WRITEコマンドで転送されるデータ長より小さい場合は、データマスク信号を用いて有効なデータ範囲を指定する。BENは、READ/WRITEコマンド実行時のデータマスク信号制御に使用される。バス識別子IDは優先度振り分け回路に参照され、分割されたメモリアクセス要求の優先度振り分けに利用される。
図3は、コマンド分割回路103におけるメモリコマンド情報の生成手順の一例を示すフローチャートである。
図3において、コマンド分割回路103は、バスマスタからのメモリ転送要求を受け付けると、まず、ステップS301において、転送開始アドレスをDRAM111におけるCS,BS,ROW,COLに対応する情報にデコードする。
次に、ステップS302において、ページ制御コマンド生成を行う。このステップS302では、ステップS301で生成されたCS, BS, ROW,COLを元に、対応するDRAM111のページのオープン/クローズの状況に応じてPREあるいはACTコマンド発行が必要であるか否かを判断する。そして、一度そのページをクローズ状態に戻すためのプリチャージコマンド(PRE)と、ROWに対応するページをオープン状態にするためのアクティブコマンド(ACT)とをメモリコマンド情報として生成する。
また、アクセス対象となるCS、BSにおいてオープンでない場合は、ROWに対応するページをオープン状態にするためのアクティブコマンド(ACT)を発行するようなメモリコマンド情報のみが生成される。一方、アクセス対象となるCS,BSにおいてROWに対応するページが既にオープンになっている場合は、ページ制御コマンドは発行する必要がないためメモリコマンド情報は生成されない。
次に、ステップS303において、アクセス要求データ長に応じてREAD(読み出し)/WRITE(書き込み)コマンドの発行回数を決定し、発行回数分のメモリコマンド情報を生成する。そして、処理を終了する。例えば、メモリアクセス要求データ長が32バイト、DRAM111のREAD/WRITEコマンド発行一回あたりのデータ転送長が16バイトである場合、発行回数は32/16=2となり2回のREADあるいはWRITEコマンド発行が必要となる。この場合、有効なデータ転送のビート長を示すBENはいずれのREAD/WRITEコマンドに対しても4となる。別の例としてメモリアクセス要求データ長が12で、DRAM111のREAD/WRITEコマンド発行1回あたりのデータ転送長が16バイトである場合、12/16=0.75となり1回のREADあるいはWRITEコマンドが発行される。ここで、有効データ転送のビート長は最初の3ビート分のみであるため、BENには3が設定される。
次に、優先度振り分け回路104について説明する。優先度振り分け回路104は、前記分割されたメモリコマンドに含まれている優先度情報をもとに高優先度コマンドバッファ105、及び低優先度コマンドバッファ106へメモリコマンドを振り分ける。本実施形態のように複数のバスマスタが存在する場合は、優先度情報としてバスマスタ識別情報(識別子)を用いることができる。優先度振り分け回路104にあらかじめ優先すべきバスマスタの情報を記憶させておくことにより、優先度の高いバスマスタからのメモリ要求を高優先度コマンドバッファに振り分けることが可能となる。また、バスマスタが1つの場合には、本実施形態とは異なるが、メモリアクセス要求にアクセス優先度識別情報を持たせることで優先度振り分け回路の実装が可能である。
次に、各コマンドバッファと選択回路108、メモリコマンド制御回路109の関係について説明する。高優先度コマンドバッファ105及び低優先度コマンドバッファ106は、コマンド分割回路103で生成されたメモリアクセス要求をメモリコマンド情報単位で保持する。各々に保持されたメモリコマンドは選択回路108からの制御信号を得て、バッファの先頭にあるメモリコマンド情報からメモリコマンド制御回路109に順次転送される。バッファの先頭に保持されたメモリコマンド情報が実行された後は、2番目以降のメモリコマンド情報が1段分バッファ先頭位置に向かってシフトする。各バッファの先頭にあるメモリコマンド情報は、選択回路108により択一的にメモリコマンド制御回路109に送られる。
メモリコマンド制御回路109は、受け付けたメモリコマンド情報をDRAM111のメモリコマンドに変換して実行する。また、メモリコマンド制御回路109は、DRAM111の各種タイミング制約に基づいて発行するメモリコマンドの発行間隔制御を行う。例えばメモリコマンド制御回路109は、ACTコマンド発行後に同CS,BSの同ページに対するREAD/WRITEコマンド発行までの間隔を3サイクル経てから発行するようなタイミング制御を行う。
図4は、高優先度コマンドバッファ105が、図5に示すような状態にある場合の選択回路108とメモリコマンド制御回路109との間、及びDRAMバス110の挙動を示す図である。なお、図5においては、右端がバッファの先頭位置とする。また、本実施形態では、メモリコマンド制御回路109が選択回路108から最大2つまでのメモリコマンド情報を受け取ることができるものとする。そして、メモリコマンド情報の受け付けからDRAMバス110へのメモリコマンド実行までの最小サイクルを1サイクルとする。また、DRAMバス110は、DDRタイプのDRAM111を想定しており、動作モードとしてはCasLatencyが2サイクル、BurstLengthが4ビートとする。
図4において、信号(メモリコマンド情報、メモリコマンド入力Ready)は選択回路108とメモリコマンド制御回路109との間のデータ転送を示している。メモリコマンド情報は、選択回路108からメモリコマンド制御回路109に転送され、メモリコマンド入力Readyはメモリコマンド制御回路109から選択回路108に転送される。選択回路108は、メモリコマンド入力Ready信号がアサートされている間、1サイクル毎にコマンドバッファの先頭メモリコマンド情報を抜き出し、メモリコマンド制御回路109に転送する。メモリコマンド制御回路109は、受け付けたメモリコマンド情報が2つ以上になるとメモリコマンド入力Ready信号をデアサートする。
図4の下段にある3つの信号(Command、Address、Data)は、DRAMバス110上のデータ転送を示している。図4の時刻T2において、図5に示す高優先度コマンドバッファ105の先頭のREADコマンドが実行されている。続いて、時刻T3において、2番目に位置する(実際には時刻T2ではバッファの先頭にシフトしている)PREコマンドが実行されている。さらに、ACTコマンドを発行する際には、メモリコマンド制御回路109においてDRAM111のタイミングパラメータtRPを満たすために2サイクルのウェイトが挿入され、時刻T6においてACTコマンドが発行される。
また、図5に示す高優先度コマンドバッファ105の4番目に位置するWRITEコマンドを発行する際には、DRAM111のタイミングパラメータtRCDを満たすために1サイクルのウェイトが挿入される。そして、時刻T8において、WRITEコマンドが実行されている。さらに、最後のREADコマンドを発行する際には、DRAM111のタイミングパラメータtWTRを満たすために4サイクルのウェイトが挿入され、時刻T13において、READコマンドが実行されている。
次に、本実施形態のメモリコマンド比較回路107について詳細を説明する。メモリコマンド比較回路107は、高優先度のメモリコマンドを実行する時のメモリバス未使用期間の算出と、算出された期間に低優先度のメモリコマンドが発行可能か否かの判定を行い、発行可能な場合は選択回路108に出力する制御信号の切り替えを行う。図7は、高優先度のメモリコマンドを実行する時のメモリバス未使用期間の算出方法を示す図である。メモリバスの未使用期間は、連続する2つの高優先度のメモリコマンド間でコマンドバス、データバスのそれぞれについて算出される。
また、図8は、低優先度のメモリコマンドを実行する時のメモリバス使用期間の算出方法を示す図である。メモリコマンド比較回路107は、高優先度コマンドバッファ105が更新される毎にコマンドバッファの先頭のメモリコマンドとそれに続く2番目のメモリコマンドとの間でメモリバス未使用期間を算出する。そして、低優先度コマンドバッファ106の先頭に保持されたメモリコマンドのコマンドバス使用期間、データバス使用期間と比較する。そして、高優先度のメモリコマンドを実行する時のメモリバス未使用期間が低優先度のメモリコマンド実行の使用期間と等しいか大きい場合は、低優先のメモリコマンドを高優先のメモリコマンドの先頭のメモリコマンドに続いて発行可能であると判断する。そして、選択回路108への入力切り替え信号をアサートする。
図9は、高優先度コマンドバッファ105が図5に示す状態で、かつ低優先度コマンドバッファ106の状態が図6に示すような状態であるような場合のDRAMバス110のコマンドの順序の挙動を示す図である。ここで、タイミング制約をtRP=3サイクル、tRCD=2サイクル、CasLatency=2サイクル、BurstLength=4ビート、tWTR=3サイクルとする。
まず、高優先度コマンドバッファ105のREADコマンドが先頭に来た時点でメモリコマンド比較回路107は、高優先度コマンドバッファ105の先頭から2つのメモリコマンドと低優先度コマンドバッファ106の先頭メモリコマンドとを比較する。そして、低優先度のメモリコマンドが実行可能であるかどうか判断する。図7に示す例では、高優先度コマンドバッファ105の先頭から2つのメモリコマンドはRD-PRE(diff. bank)であり、コマンドバス、データバスの未使用期間は0となる。さらに、図8に示す例では、低優先度コマンドバッファ106の先頭のメモリコマンド情報はREADであるので、実行には1サイクル以上のコマンドバス使用期間が必要であるため、コマンド発行は不可能と判断される。
次に、高優先度コマンドバッファ105のPRE−ACTと低優先度コマンドバッファ106のREADとが比較される。高優先度のPRE-ACTコマンドを実行する時のコマンドバスの未試用期間は(tRP−1)=(3−1)=2サイクルであり、コマンドの発行が可能である。さらに、データバスの未試用期間は、(tRP+tRCD−1)=(3+2−1)=4サイクルであり、低優先度のREADの実行に必要なデータバス使用期間は(CL+BL/2−1)=(2+4+4/2−1)=3サイクルであり、条件を満たす。よって、高優先度のPREコマンドに続いて低優先度のREADが発行可能と判断される。この場合には、メモリコマンド比較回路107は、高優先度コマンドバッファ105のPREコマンドに続いて低優先度コマンドバッファ106のREADコマンドがメモリコマンド制御回路109に転送されるように選択回路108へ入力切り替え信号を出力する。
次に、高優先度コマンドバッファ105のACT-WRITEと低優先度のACTとが比較される。高優先度のACT-WRITEを実行する時のコマンドバス未使用期間は(tRCD−1)=1サイクルであり、低優先度のACTコマンドの発行に必要なコマンドバス使用期間1サイクルを満たす。よってこの場合も高優先度のACTコマンドに続いて低優先度のACTがメモリコマンド制御回路109に転送される。さらに、高優先度コマンドバッファ105のWRITE-READと低優先度のWRITEとが比較される。高優先度のWRITE-READを実行する時のコマンドバスの未使用期間は4サイクルで、データバスの未使用期間も4サイクルである。一方、低優先度のWRITEを実行する時のコマンドバス使用期間は1サイクル、データバスの使用期間は2サイクルであり、条件を満たす。したがって、高優先度のWRITEに続いて低優先度のWRITEがメモリコマンド制御回路109に転送される。
以上より、メモリコマンド制御回路109へは、図9に示すように、READ、PRE、READ(低優先度)、ACT、ACT(低優先度)、WRITE、WRITE(低優先度)、READの順にメモリコマンドが転送される。その結果、図4、図9に示すように、低優先度のメモリコマンドは高優先度のメモリコマンドの実行を妨げないタイミングで実行される。また、図9の入力切り替えReady信号は、メモリコマンド制御回路109から選択回路108に入力されるメモリコマンド入力Ready信号と同期している。入力切り替えReady信号がデアサートされている場合は、メモリコマンド比較回路107は入力切り替え信号を同じ値でアサート保持し続ける。
(その他の実施形態)
また、本発明は、以下の処理を実行することによっても実現される。即ち、上述した実施形態の機能を実現するソフトウェア(プログラム)を、ネットワーク又は各種記憶媒体を介してシステム或いは装置に供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータ(またはCPUやMPU等)がプログラムを読み出して実行する処理である。
101 バスマスタ、103 コマンド分割回路、104 優先度振り分け回路、105 高優先度コマンドバッファ、106 低優先度コマンドバッファ、107 メモリコマンド比較回路、108 選択回路、109 メモリコマンド制御回路、110 DRAMバス、111 DRAM

Claims (5)

  1. バスマスタからのメモリアクセス要求を受けてメモリデバイスにメモリコマンドを発行するメモリ制御装置であって、
    前記バスマスタからのメモリアクセス要求をメモリコマンド単位に分割する分割手段と、
    前記分割手段によって分割されたメモリアクセス要求の優先度を判定する判定手段と、
    前記判定手段によって判定された優先度の高いメモリアクセス要求を保持する第1の保持手段と、
    前記判定手段によって判定された優先度の低いメモリアクセス要求を保持する第2の保持手段と、
    前記第1の保持手段に保持された優先度の高いメモリアクセス要求と、前記第2の保持手段に保持された優先度の低いメモリアクセス要求とを比較し、メモリコマンドの実行の順序を決定する決定手段と、
    前記メモリコマンドの実行の順序に従って、前記優先度の高いメモリアクセス要求と前記優先度の低いメモリアクセス要求とを選択して実行する実行手段とを備えることを特徴とするメモリ制御装置。
  2. 前記メモリデバイスはDRAMであることを特徴とする請求項1に記載のメモリ制御装置。
  3. 前記分割手段は、前記メモリアクセス要求を前記メモリデバイスのアクセスごとに分割し、前記メモリデバイスのデータ転送のメモリアクセスを終了するのに必要な回数の読み出しまたは書き込みコマンドを生成することを特徴とする請求項1に記載のメモリ制御装置。
  4. 前記決定手段は、前記優先度の高いメモリアクセス要求のメモリコマンドを実行する時に、前記メモリデバイスのタイミング制約によるメモリバスの未使用期間を算出する算出手段と、前記優先度の低いメモリコマンドが前記メモリバスの未試用期間に発行可能か否かを判定する手段と、前記判定する手段による判定の結果に従い、どちらのメモリコマンドを発行するかを決定する手段とを有することを特徴とする請求項1に記載のメモリ制御装置。
  5. 前記判定手段は、前記バスマスタからのメモリアクセス要求に含まれるバスマスタ識別情報、またはアクセス優先度識別情報に基づいてメモリアクセス要求の優先度を判定することを特徴とする請求項1に記載のメモリ制御装置。
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