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JP2011029365A - Semiconductor memory device, sheet-shaped substrate, housing-type semiconductor memory device, and method of manufacturing semiconductor memory device - Google Patents

Semiconductor memory device, sheet-shaped substrate, housing-type semiconductor memory device, and method of manufacturing semiconductor memory device Download PDF

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JP2011029365A
JP2011029365A JP2009172942A JP2009172942A JP2011029365A JP 2011029365 A JP2011029365 A JP 2011029365A JP 2009172942 A JP2009172942 A JP 2009172942A JP 2009172942 A JP2009172942 A JP 2009172942A JP 2011029365 A JP2011029365 A JP 2011029365A
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JP
Japan
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semiconductor memory
circuit board
housing
memory device
screw
Prior art date
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Pending
Application number
JP2009172942A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takakatsu Moriai
孝克 盛合
Toyokazu Eguchi
豊和 江口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Priority to US12/839,785 priority patent/US20110019356A1/en
Priority to US13/010,475 priority patent/US8787022B2/en
Publication of JP2011029365A publication Critical patent/JP2011029365A/en
Priority to US14/307,288 priority patent/US20140307382A1/en
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Abstract

【課題】筐体型半導体メモリ装置とモジュール型半導体メモリ装置とで回路パターンや搭載される部品の共通化を図ることのできる半導体メモリ装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体メモリ装置10は、回路パターン17が形成されて筐体内に収納可能とされた回路基板4と、回路基板上に搭載された不揮発性半導体メモリと、回路基板の一端部に配置されてホスト装置と接続するコネクタとを備える半導体メモリ装置であって、筐体の隅部には、筐体をホスト装置に固定するためのねじが挿入されるねじ孔が形成されており、コネクタの差込み方向に沿った回路基板の中心軸を筐体の中心軸に対してずらした配置で筐体内に回路基板が収納される場合に、回路基板をずらした方向側のねじ孔に挿入されて筐体の内側に突出するねじと干渉する回路基板の干渉部分4aを避けて回路パターンが形成され、干渉部分が切り欠かれている。
【選択図】図4
To provide a semiconductor memory device in which a circuit pattern and components to be mounted can be shared between a housing type semiconductor memory device and a module type semiconductor memory device.
A semiconductor memory device of the present invention includes a circuit board on which a circuit pattern is formed and can be stored in a housing, a non-volatile semiconductor memory mounted on the circuit board, and one end of the circuit board. And a connector for connecting to the host device, wherein a screw hole for inserting a screw for fixing the housing to the host device is formed at a corner of the housing. When the circuit board is housed in the housing with the center axis of the circuit board along the connector insertion direction being shifted from the center axis of the housing, the screw hole on the side where the circuit board is displaced A circuit pattern is formed to avoid the interference portion 4a of the circuit board that interferes with the screw that is inserted and protrudes to the inside of the housing, and the interference portion is cut away.
[Selection] Figure 4

Description

本発明は、半導体メモリ装置、シート状基板、筐体型半導体メモリ装置および半導体メモリ装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a semiconductor memory device, a sheet-like substrate, a housing type semiconductor memory device, and a method for manufacturing the semiconductor memory device.

従来、NAND型フラッシュメモリ等の不揮発性半導体メモリを有して利用されている半導体メモリ装置は、回路パターンが形成された回路基板上に、不揮発性半導体メモリが搭載されて構成されている。このような半導体メモリ装置において、回路基板に形成される回路パターンや搭載される部品の配置を共通化したり、複数の外部インターフェースに使用できるようにしたりする場合がある。例えば、特許文献1や特許文献2に、部品等の共通化により、開発コストや製造コストの抑制を図る技術が開示されている。   2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor memory device that is used with a nonvolatile semiconductor memory such as a NAND flash memory is configured by mounting a nonvolatile semiconductor memory on a circuit board on which a circuit pattern is formed. In such a semiconductor memory device, a circuit pattern formed on a circuit board and an arrangement of components to be mounted may be made common or used for a plurality of external interfaces. For example, Patent Document 1 and Patent Document 2 disclose techniques for reducing development costs and manufacturing costs by sharing parts and the like.

近年では、不揮発性半導体メモリを有する半導体メモリ装置を、ハードディスクドライブ(HDD)の筐体と同じ2.5インチタイプの筐体に収納して用いる場合(以下、筐体型半導体メモリ装置という)や、JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)で制定されるMO−297規格に準拠して、筐体等に収納せずに用いる場合(以下、モジュール型半導体メモリ装置という)がある。   In recent years, a semiconductor memory device having a non-volatile semiconductor memory is used by being housed in a 2.5-inch type housing same as a hard disk drive (HDD) housing (hereinafter referred to as a housing-type semiconductor memory device), There is a case where it is used without being housed in a housing or the like (hereinafter referred to as a module type semiconductor memory device) in accordance with the MO-297 standard established by JEDEC (Joint Electron Engineering Engineering Council).

しかしながら、特許文献1および特許文献2に開示の技術では、2.5インチタイプの筐体収納時の要求事項や、MO−297規格による要求事項を考慮しておらず、半導体メモリ装置を筐体型半導体メモリ装置とモジュール型半導体メモリ装置とで共通化することが困難であるという問題がある。   However, the techniques disclosed in Patent Document 1 and Patent Document 2 do not take into account the requirements for housing a 2.5-inch type housing or the requirements based on the MO-297 standard. There is a problem that it is difficult to share the semiconductor memory device and the module type semiconductor memory device.

特開2004−234440号公報JP 2004-234440 A 特開2003−132668号公報JP 2003-132668 A

本発明は、筐体型半導体メモリ装置とモジュール型半導体メモリ装置とで回路パターンや搭載される部品の共通化を図ることのできる半導体メモリ装置、シート状基板、筐体型半導体メモリ装置、および半導体メモリ装置の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention relates to a semiconductor memory device, a sheet-like substrate, a case-type semiconductor memory device, and a semiconductor memory device capable of sharing circuit patterns and mounted components between the case-type semiconductor memory device and the module-type semiconductor memory device. It aims at providing the manufacturing method of.

本願発明の一態様によれば、回路パターンが形成されて筐体内に収納可能とされた回路基板と、回路基板上に搭載された不揮発性半導体メモリと、回路基板の一端部に配置されてホスト装置と接続するコネクタとを備える半導体メモリ装置であって、筐体の隅部には、筐体をホスト装置に固定するためのねじが挿入されるねじ孔が形成されており、コネクタの差込み方向に沿った回路基板の中心軸を筐体の中心軸に対してずらした配置で筐体内に回路基板が収納される場合に、回路基板をずらした方向側の隅部に形成されたねじ孔に挿入されて筐体の内側に突出するねじと干渉する回路基板の干渉部分を避けて回路パターンが形成されていることを特徴とする半導体メモリ装置が提供される。   According to one aspect of the present invention, a circuit board on which a circuit pattern is formed and can be stored in a housing, a non-volatile semiconductor memory mounted on the circuit board, and a host disposed on one end of the circuit board A semiconductor memory device including a connector connected to the device, wherein a screw hole for inserting a screw for fixing the housing to the host device is formed at a corner portion of the housing, and a connector insertion direction When the circuit board is housed in the housing with the center axis of the circuit board along the direction shifted from the center axis of the housing, screw holes formed in the corners on the side where the circuit board is displaced There is provided a semiconductor memory device characterized in that a circuit pattern is formed avoiding an interference portion of a circuit board that interferes with a screw that is inserted and protrudes to the inside of a housing.

また、本願発明の一態様によれば、回路パターンが形成されて筐体内に収納可能とされた回路基板と、その回路基板の周囲に連結された周囲部とを備えるシート状基板であって、回路基板は、不揮発性半導体メモリが搭載可能とされるとともに一端部にホスト装置と接続するコネクタが配置可能とされ、筐体の隅部には、筐体をホスト装置に固定するためのねじが挿入されるねじ孔が形成されており、コネクタの差込み方向に沿った回路基板の中心軸を筐体の中心軸に対してずらした配置で筐体内に回路基板が収納される場合に、回路基板をずらした方向側の隅部に形成されたねじ孔に挿入されて筐体の内側に突出するねじと干渉する回路基板の干渉部分を避けて回路パターンが形成されていることを特徴とするシート状基板が提供される。   Moreover, according to one aspect of the present invention, there is provided a sheet-like substrate including a circuit board in which a circuit pattern is formed and can be stored in a housing, and a peripheral portion connected to the periphery of the circuit board, A non-volatile semiconductor memory can be mounted on the circuit board, and a connector for connecting to the host device can be disposed at one end. Screws for fixing the housing to the host device are provided at corners of the housing. When the circuit board is housed in the housing in which the screw hole to be inserted is formed and the center axis of the circuit board along the insertion direction of the connector is shifted from the center axis of the housing A circuit pattern is formed by avoiding an interference portion of a circuit board that interferes with a screw that is inserted into a screw hole formed at a corner portion on the side of the shifted direction and protrudes inside the housing. A shaped substrate is provided.

また、本願発明の一態様によれば、回路パターンが形成された回路基板上に不揮発性半導体メモリが搭載され、ホスト装置と接続するコネクタが回路基板の一端部に配置された半導体メモリ装置と、半導体メモリ装置を内部に収納する筐体と、を備え、筐体の隅部には、筐体をホスト装置に固定するためのねじが挿入されるねじ孔が形成され、半導体メモリ装置は、コネクタの差込み方向に沿った回路基板の中心軸を筐体の中心軸に対してずらして配置され、回路基板は、半導体メモリ装置をずらした方向側の隅部に形成されたねじ孔に挿入されて筐体の内側に突出するねじとの干渉部分が切除され、干渉部分を避けて回路パターンが形成されていることを特徴とする筐体型半導体メモリ装置が提供される。   Further, according to one aspect of the present invention, a semiconductor memory device in which a nonvolatile semiconductor memory is mounted on a circuit board on which a circuit pattern is formed, and a connector connected to the host device is disposed at one end of the circuit board; A housing for housing the semiconductor memory device therein, and a screw hole into which a screw for fixing the housing to the host device is inserted is formed at a corner of the housing. The central axis of the circuit board along the insertion direction is shifted with respect to the central axis of the housing, and the circuit board is inserted into a screw hole formed at a corner on the side where the semiconductor memory device is shifted. There is provided a housing type semiconductor memory device characterized in that an interference portion with a screw projecting to the inside of the housing is cut off, and a circuit pattern is formed avoiding the interference portion.

また、本願発明の一態様によれば、回路パターンが形成された回路基板と、回路基板上に搭載された不揮発性半導体メモリと、回路基板の一端部に配置されてホスト装置と接続するコネクタとを備え、ホスト装置に固定するためのねじが挿入されるねじ孔が隅部に形成された筐体内に、コネクタの差込み方向に沿った回路基板の中心軸を筐体の中心軸に対してずらした配置で収納可能とされる半導体メモリ装置の製造方法であって、筐体内に回路基板が収納される場合に、回路基板をずらした方向側の隅部に形成されたねじ孔に挿入されて筐体の内側に突出するねじと干渉する回路基板の干渉部分を避けて回路パターンを形成した回路基板と、その回路基板の周囲に連結された周囲部とを備えるシート状基板を作成し、筐体内に回路基板が収納される場合に、回路基板をずらした方向側の隅部に形成されたねじ孔に挿入されて筐体の内側に突出するねじと干渉する回路基板の干渉部分を切除し、シート状基板から周囲部を切り離すことを特徴とする半導体メモリ装置の製造方法が提供される。   Further, according to one aspect of the present invention, a circuit board on which a circuit pattern is formed, a nonvolatile semiconductor memory mounted on the circuit board, a connector that is disposed at one end of the circuit board and is connected to the host device, The center axis of the circuit board along the insertion direction of the connector is shifted with respect to the center axis of the casing in a casing in which a screw hole for inserting a screw for fixing to the host device is formed at the corner. A method of manufacturing a semiconductor memory device that can be stored in a different arrangement, and when a circuit board is stored in a housing, the circuit board is inserted into a screw hole formed in a corner portion on the side in which the circuit board is shifted. A sheet-like board is prepared, which includes a circuit board on which a circuit pattern is formed avoiding an interference portion of the circuit board that interferes with a screw protruding inside the casing, and a peripheral portion connected to the periphery of the circuit board. The circuit board is stored inside the body. When the circuit board is moved, the interference part of the circuit board that interferes with the screw that is inserted into the screw hole formed in the corner portion on the side where the circuit board is shifted and protrudes to the inside of the housing is cut off, and the periphery of the sheet board is removed. A method of manufacturing a semiconductor memory device is provided, wherein the part is separated.

本発明によれば、干渉部分避けて回路パターンを形成するので、筐体型半導体メモリ装置とモジュール型半導体メモリ装置とで回路パターンや搭載される部品の共通化を図ることができるという効果を奏する。   According to the present invention, since the circuit pattern is formed while avoiding the interference portion, the circuit pattern and the mounted components can be shared between the housing type semiconductor memory device and the module type semiconductor memory device.

図1は、半導体メモリ装置の平面図であって、(a)モジュール型半導体メモリ装置に用いられる半導体メモリ装置を示す図、(b)筐体型半導体メモリ装置に用いられる半導体メモリ装置を示す図である。FIG. 1 is a plan view of a semiconductor memory device, (a) a diagram showing a semiconductor memory device used in a module type semiconductor memory device, and (b) a diagram showing a semiconductor memory device used in a housing type semiconductor memory device. is there. 図2は、筐体型半導体メモリ装置の内部構造を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing the internal structure of the housing type semiconductor memory device. 図3は、筐体型半導体メモリ装置の干渉部を拡大した部分拡大斜視図であって、(a)ねじ孔にねじが挿入されていない状態を示す図、(b)ボトム側からねじ孔にねじが挿入された状態を示す図である。FIGS. 3A and 3B are partially enlarged perspective views in which the interference portion of the housing type semiconductor memory device is enlarged, in which FIG. 3A is a diagram illustrating a state in which no screw is inserted into the screw hole, and FIG. It is a figure which shows the state by which was inserted. 図4は、図4に示す回路パターンのうち干渉部の周辺を拡大した部分拡大平面図である。FIG. 4 is a partially enlarged plan view in which the periphery of the interference part is enlarged in the circuit pattern shown in FIG. 図5は、図4に示すA−A線に沿った矢視断面図であって、(a)モジュール型半導体メモリ装置に用いられる回路基板4を示す図、(b)筐体型半導体メモリ装置に用いられる回路基板を示す図である。5 is a cross-sectional view taken along line AA shown in FIG. 4, and (a) a diagram showing a circuit board 4 used in a module type semiconductor memory device, and (b) a case type semiconductor memory device. It is a figure which shows the circuit board used. 図6は、シート状基板の平面図である。FIG. 6 is a plan view of the sheet-like substrate. 図7は、半導体メモリ装置のPC板加工装置の概略構成を示すブロック図である。FIG. 7 is a block diagram showing a schematic configuration of the PC board processing apparatus of the semiconductor memory device. 図8は、半導体メモリ装置のPC板加工工程を説明するためのフローチャートである。FIG. 8 is a flowchart for explaining a PC board processing step of the semiconductor memory device.

以下に添付図面を参照して、本発明の実施の形態にかかる半導体メモリ装置を詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではない。   Hereinafter, a semiconductor memory device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, this invention is not limited by this embodiment.

(第1の実施の形態)
図1は、半導体メモリ装置の平面図であって、(a)モジュール型半導体メモリ装置に用いられる半導体メモリ装置を示す図、(b)筐体型半導体メモリ装置に用いられる半導体メモリ装置を示す図である。図2は、筐体型半導体メモリ装置20の内部構造を示す平面図である。図2では、内部構造を明らかにするために、蓋を取り外した状態で示している。
(First embodiment)
FIG. 1 is a plan view of a semiconductor memory device, (a) a diagram showing a semiconductor memory device used in a module type semiconductor memory device, and (b) a diagram showing a semiconductor memory device used in a housing type semiconductor memory device. is there. FIG. 2 is a plan view showing the internal structure of the housing type semiconductor memory device 20. In FIG. 2, in order to clarify an internal structure, it has shown with the cover removed.

なお、モジュール型半導体メモリ装置15とは、JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)で制定されるMO−297規格に準拠して、半導体メモリ装置10を筐体等に収納せずに用いるものをいう。すなわち、モジュール型半導体メモリ装置15では、半導体メモリ装置10そのものがモジュール型半導体メモリ装置15となる。また、筐体型半導体メモリ装置20とは、ハードディスクドライブ(HDD)の筐体と同じ2.5インチタイプの筐体22に、半導体メモリ装置10を収納して用いるものをいう。   The module type semiconductor memory device 15 is a device that uses the semiconductor memory device 10 without being housed in a housing or the like in accordance with the MO-297 standard established by JEDEC (Joint Electron Engineering Engineering Council). That is, in the module type semiconductor memory device 15, the semiconductor memory device 10 itself becomes the module type semiconductor memory device 15. The housing-type semiconductor memory device 20 is a device in which the semiconductor memory device 10 is housed and used in a 2.5-inch housing 22 that is the same as the housing of a hard disk drive (HDD).

半導体メモリ装置10は、回路基板4、不揮発性半導体メモリ12、コントローラ14、コネクタ16を有して構成される。不揮発性半導体メモリ12、コントローラ14、コネクタ16は、回路基板4上に搭載される。回路基板4は、合成樹脂を重ねて形成された多層構造になっており、第1の実施の形態では8層構造となっている。回路基板4には、合成樹脂で構成された各層の表面あるいは内層に様々な形状で回路パターンが形成されている。回路基板4に形成された回路パターンを介して、回路基板4上に搭載された不揮発性半導体メモリ12と、コントローラ14と、コネクタ16との間が電気的に接続される。   The semiconductor memory device 10 includes a circuit board 4, a nonvolatile semiconductor memory 12, a controller 14, and a connector 16. The nonvolatile semiconductor memory 12, the controller 14, and the connector 16 are mounted on the circuit board 4. The circuit board 4 has a multilayer structure formed by overlapping synthetic resins, and has an eight-layer structure in the first embodiment. On the circuit board 4, circuit patterns are formed in various shapes on the surface or inner layer of each layer made of synthetic resin. The nonvolatile semiconductor memory 12 mounted on the circuit board 4, the controller 14, and the connector 16 are electrically connected via a circuit pattern formed on the circuit board 4.

不揮発性半導体メモリ12は、例えばNANDフラッシュメモリである。NANDフラッシュメモリ等の不揮発性半導体メモリ12を用いて半導体メモリ装置10を構成することで、データの読み込み性能の向上、耐衝撃性能の向上、消費電力の抑制を図ることができる。第1の実施の形態では、回路基板4の一方の面に4つの不揮発性半導体メモリが配置される。また、回路基板4の他方の面には不揮発性半導体メモリ12を制御する1つのコントローラ14が配置される。コネクタ16は、回路基板4の一端部に配置される。コネクタ16は、コンピュータ等のホスト装置と半導体メモリ装置10とを接続するインターフェースである。コネクタ16は、例えば、接続インターフェース規格であるSATA規格に準拠するように、その形状等が定められている。   The nonvolatile semiconductor memory 12 is, for example, a NAND flash memory. By configuring the semiconductor memory device 10 using the nonvolatile semiconductor memory 12 such as a NAND flash memory, it is possible to improve the data reading performance, the impact resistance performance, and the power consumption. In the first embodiment, four nonvolatile semiconductor memories are arranged on one surface of the circuit board 4. One controller 14 for controlling the nonvolatile semiconductor memory 12 is disposed on the other surface of the circuit board 4. The connector 16 is disposed at one end of the circuit board 4. The connector 16 is an interface for connecting the host device such as a computer and the semiconductor memory device 10. The shape of the connector 16 is determined so as to comply with, for example, the SATA standard which is a connection interface standard.

モジュール型半導体メモリ装置15用の半導体メモリ装置10と筐体型半導体メモリ装置20用の半導体メモリ装置10とでは、半導体メモリ装置10を構成する回路基板4の形状の一部が異なっている。具体的には、筐体型半導体メモリ装置20用の半導体メモリ装置10の回路基板4は、その一部が切除されて切欠き7となっている。   The semiconductor memory device 10 for the module type semiconductor memory device 15 and the semiconductor memory device 10 for the housing type semiconductor memory device 20 are different in part of the shape of the circuit board 4 constituting the semiconductor memory device 10. Specifically, a part of the circuit board 4 of the semiconductor memory device 10 for the housing type semiconductor memory device 20 is cut away to form a notch 7.

図2に示すように、筐体型半導体メモリ装置20に用いられる場合、半導体メモリ装置10はその中心軸AXが筐体22の中心軸BXに対してずらして配置される。これは、筐体22に対するコネクタ16の位置がSerial ATA Revision 2.6等の所定の規格により定められているために、中心軸AXと中心軸BXとの間にずれが生じる。中心軸AXと中心軸BXとがずれることで、回路基板4の一辺が筐体22の壁面に近接する。   As shown in FIG. 2, when used in the housing type semiconductor memory device 20, the semiconductor memory device 10 is arranged such that the central axis AX is shifted from the central axis BX of the housing 22. This is because the position of the connector 16 with respect to the housing 22 is determined by a predetermined standard such as Serial ATA Revision 2.6, so that a deviation occurs between the central axis AX and the central axis BX. By shifting the central axis AX and the central axis BX, one side of the circuit board 4 approaches the wall surface of the housing 22.

図3は、筐体型半導体メモリ装置20の干渉部を拡大した部分拡大斜視図であって、(a)ねじ孔にねじが挿入されていない状態を示す図、(b)サイド側からねじ孔にねじが挿入された状態を示す図である。筐体型半導体メモリ装置20は、コンピュータ等のホスト装置に固定される際に、筐体22のサイド側またはボトム側から固定用のねじ(筐体固定手段)24が挿入される。ねじ24を挿入するために、筐体22の隅部には、サイド側とボトム側にそれぞれねじ孔22aが形成されている。   3 is a partially enlarged perspective view in which the interference portion of the housing type semiconductor memory device 20 is enlarged, (a) a view showing a state in which no screw is inserted into the screw hole, and (b) from the side to the screw hole. It is a figure which shows the state in which the screw was inserted. When the housing-type semiconductor memory device 20 is fixed to a host device such as a computer, a fixing screw (housing fixing means) 24 is inserted from the side or bottom side of the housing 22. In order to insert the screws 24, screw holes 22a are formed in the corners of the housing 22 on the side and bottom sides, respectively.

半導体メモリ装置10の中心軸AXをずらした方向側のねじ孔22aに挿入されたねじ24は、筐体22の内側に突出して、筐体22の壁面に近接した回路基板4の一部(干渉部4a)と干渉する。   The screw 24 inserted into the screw hole 22 a on the direction side where the central axis AX of the semiconductor memory device 10 is shifted protrudes to the inside of the housing 22 and a part of the circuit board 4 close to the wall surface of the housing 22 (interference) Part 4a).

筐体型半導体メモリ装置20に用いられる回路基板4では、干渉部4aが切除されて切欠き7が形成されているので、実際にねじ24と回路基板4とが干渉することを回避することができる。したがって、ねじ24との干渉により回路基板4が破壊されたり曲げられたりすることを防ぐことができる。具体的には、切欠き7は、半導体メモリ装置10が筐体22に収納された際に、筐体22の壁面に近接する一辺上であってコネクタ16の近傍に形成される。   In the circuit board 4 used in the housing type semiconductor memory device 20, the interference portion 4a is cut away and the notch 7 is formed, so that the actual interference between the screw 24 and the circuit board 4 can be avoided. . Therefore, it is possible to prevent the circuit board 4 from being broken or bent due to the interference with the screw 24. Specifically, the notch 7 is formed on one side close to the wall surface of the housing 22 and in the vicinity of the connector 16 when the semiconductor memory device 10 is accommodated in the housing 22.

一方、モジュール型半導体メモリ装置15は、例えば、JEDECのMO−297規格によりその外形寸法等が規定される。モジュール型半導体メモリ装置15は、半導体メモリ装置10を筐体に収納せずに用いるため、半導体メモリ装置10そのものの外形寸法等が規定されることになる。これにより、半導体メモリ装置10を構成する回路基板4の外形寸法等も規定される。   On the other hand, the external dimensions of the module type semiconductor memory device 15 are defined by, for example, JEDEC MO-297 standard. Since the module type semiconductor memory device 15 is used without housing the semiconductor memory device 10 in a housing, the outer dimensions and the like of the semiconductor memory device 10 itself are defined. Thereby, the external dimensions and the like of the circuit board 4 constituting the semiconductor memory device 10 are also defined.

JEDECのMO−297規格では、切欠き7に相当する部分に、孔4cを備えるように規定されている。したがって、モジュール型半導体メモリ装置15では回路基板4に切欠き7を形成することが困難である。しかし、モジュール型半導体メモリ装置15では、半導体メモリ装置10は筐体22に収納されないので、切欠き7が形成されていない場合であっても、ねじ24との干渉が問題にならない。なお、孔4cは、モジュール型半導体メモリ装置15を、コンピュータ等のホスト装置に対してねじを用いて固定する際等に使用される。なお、筐体型半導体メモリ装置20では、孔4cの近傍に形成された孔4dを用いて半導体メモリ装置10を筐体22に固定する。   The JEDEC MO-297 standard specifies that a hole 4 c is provided in a portion corresponding to the notch 7. Therefore, it is difficult to form the notch 7 in the circuit board 4 in the module type semiconductor memory device 15. However, in the module type semiconductor memory device 15, since the semiconductor memory device 10 is not housed in the housing 22, the interference with the screw 24 does not become a problem even when the notch 7 is not formed. The hole 4c is used when the module type semiconductor memory device 15 is fixed to a host device such as a computer by using a screw. In the housing type semiconductor memory device 20, the semiconductor memory device 10 is fixed to the housing 22 using a hole 4 d formed in the vicinity of the hole 4 c.

次に、回路基板4に形成された回路パターン17の構成について説明する。図5は、干渉部4aの周辺を拡大した部分拡大平面図である。図5は、図4に示すA−A線に沿った矢視断面図であって、(a)モジュール型半導体メモリ装置15に用いられる回路基板4を示す図、(b)筐体型半導体メモリ装置20に用いられる回路基板4を示す図である。回路パターン17には導電性の金属材料、例えば銅が用いられる。回路パターン17は回路基板4の平面視における略全域に形成されているが、図4に示すように、干渉部4aを避けて形成されている。また、干渉部4aを切除する際の切断ライン(切欠き7の形成ライン)と回路パターン17との間に間隔(回路パターンが形成されない樹脂領域)Yが設けられており、第1の実施の形態では、Y=0.5mmとなっている。ここで、半導体メモリ装置10では、孔4cに挿入されるねじと回路パターン17とを接触させて接地を行うことがある。間隔Yを所定の距離に抑えることで、ねじの頭部と回路パターン17を接触さることができ、接地を行うことが可能となる。   Next, the configuration of the circuit pattern 17 formed on the circuit board 4 will be described. FIG. 5 is a partially enlarged plan view in which the periphery of the interference portion 4a is enlarged. 5 is a cross-sectional view taken along line AA shown in FIG. 4, and (a) a diagram showing a circuit board 4 used in the module type semiconductor memory device 15, and (b) a case type semiconductor memory device. 2 is a diagram showing a circuit board 4 used in FIG. The circuit pattern 17 is made of a conductive metal material such as copper. The circuit pattern 17 is formed over substantially the entire area of the circuit board 4 in plan view, but is formed so as to avoid the interference portion 4a as shown in FIG. Further, an interval (resin region in which no circuit pattern is formed) Y is provided between the cutting line (the forming line of the notch 7) and the circuit pattern 17 when the interference portion 4a is cut off, and the first embodiment In the form, Y = 0.5 mm. Here, in the semiconductor memory device 10, the screw is inserted into the hole 4 c and the circuit pattern 17 may be contacted to perform grounding. By suppressing the distance Y to a predetermined distance, the screw head and the circuit pattern 17 can be brought into contact with each other, and grounding can be performed.

なお、回路パターン17は、図4に示した層とは異なる他の層にも形成されており、図4はその一例を示したに過ぎない。また、図4に示した層とは異なるすべての層においても、干渉部4aを避けて回路パターン17が形成されており、間隔Yも設けられている。また、干渉部4aには、不揮発性半導体メモリ12等の各デバイスも配置されない。   The circuit pattern 17 is also formed on another layer different from the layer shown in FIG. 4, and FIG. 4 only shows an example. Also, in all layers different from the layers shown in FIG. 4, the circuit pattern 17 is formed avoiding the interference portion 4a, and the interval Y is also provided. In addition, each device such as the nonvolatile semiconductor memory 12 is not arranged in the interference unit 4a.

図5(b)に示すように、干渉部4aを切除する際の切断ラインと回路パターン17との間に所定の間隔Yが設けられているので、干渉部4aを切除した際の縁部4bに回路パターン17が露出しない。   As shown in FIG. 5B, since a predetermined interval Y is provided between the cutting line when the interference portion 4a is cut off and the circuit pattern 17, the edge portion 4b when the interference portion 4a is cut off. The circuit pattern 17 is not exposed.

図6は、シート状基板の平面図である。シート状基板2は、回路基板4、周囲部6を有して構成される。周囲部6は、回路基板4の周囲を囲むように設けられており、連結部8を介して回路基板4と連結されている。周囲部6は、外形に凹凸のある回路基板4の周囲を囲んで、シート状基板2としての外形を略方形形状にすることで、不揮発性半導体メモリ12を搭載する際の回路基板4の取り扱い性を向上させる。   FIG. 6 is a plan view of the sheet-like substrate. The sheet substrate 2 includes a circuit board 4 and a peripheral portion 6. The peripheral portion 6 is provided so as to surround the periphery of the circuit board 4, and is connected to the circuit board 4 through the connecting portion 8. The peripheral portion 6 surrounds the periphery of the circuit board 4 having an uneven outer shape, and the outer shape as the sheet-like substrate 2 is formed into a substantially square shape, whereby the circuit board 4 is handled when the nonvolatile semiconductor memory 12 is mounted. Improve sexiness.

また、回路基板4には判別部9が形成される(図1も参照)。判別部9は、回路基板4が、モジュール型半導体メモリ装置15に用いられるものであるか、筐体型半導体メモリ装置20に用いられるものであるかを判別するために形成されるものである。また、判別部9により、回路基板4に搭載されている部品のロット番号等の製造上必要な情報を管理することもできる。判別部9は、例えば、回路基板4の表面から読み取り可能に印刷された二次元コードである。判別部9は、不揮発性半導体メモリ12等が搭載される前に、マーカー等で印刷される。判別部9は、不揮発性半導体メモリ12等が搭載される位置を避けて形成されており、不揮発性半導体メモリ12等が搭載されたあとも読み取り可能となっている。なお、判別部9は、半導体メモリ装置10が、モジュール型半導体メモリ装置15に用いられるものであるか、筐体型半導体メモリ装置20に用いられるものであるかを判別できればよく、二次元コードに限られない。例えば、バーコードであってもよいし、ICチップであってもよい。また、回路基板4に形成された凹凸等の形状の違いであってもよい。また、判別部9は、図示した位置以外の場所に形成されても構わない。例えば、不揮発性半導体メモリ12等の各デバイスの表面に印刷されていても構わない。   Further, a discrimination portion 9 is formed on the circuit board 4 (see also FIG. 1). The determination unit 9 is formed to determine whether the circuit board 4 is used for the module type semiconductor memory device 15 or the case type semiconductor memory device 20. The determination unit 9 can also manage information necessary for manufacturing such as a lot number of components mounted on the circuit board 4. The determination unit 9 is, for example, a two-dimensional code printed so as to be readable from the surface of the circuit board 4. The determination unit 9 is printed with a marker or the like before the nonvolatile semiconductor memory 12 or the like is mounted. The determination unit 9 is formed avoiding the position where the nonvolatile semiconductor memory 12 or the like is mounted, and can be read after the nonvolatile semiconductor memory 12 or the like is mounted. Note that the determination unit 9 only needs to be able to determine whether the semiconductor memory device 10 is used for the module type semiconductor memory device 15 or the case type semiconductor memory device 20, and is limited to a two-dimensional code. I can't. For example, a barcode or an IC chip may be used. Further, it may be a difference in shape such as unevenness formed on the circuit board 4. Further, the determination unit 9 may be formed at a place other than the illustrated position. For example, it may be printed on the surface of each device such as the nonvolatile semiconductor memory 12.

不揮発性半導体メモリ12やコントローラ14は、周囲部6が連結されたシート状基板2の状態で回路基板4部分に対して搭載される。分割機のドリルを用いて連結部8を切断することで、周囲部6を切り離して、シート状基板2から半導体メモリ装置10を得ることができる。回路基板4の切欠き7は、連結部8を切断する際に形成される。第1の実施の形態では、不揮発性半導体メモリ12やコントローラ14が搭載された状態のシート状基板2から周囲部6を切り離すことで、1枚のシート状基板2から4つの半導体メモリ装置10を得ることができる。なお、1枚のシート状基板2から得ることができる半導体メモリ装置10の数は4つに限られず、より大きなシート状基板を用いて、より多くの半導体メモリ装置10を1枚のシート状基板から得ることができるように構成してもよい。また、1枚のシート状基板から1つの半導体メモリ装置10を得ることができるように構成してもよい。   The nonvolatile semiconductor memory 12 and the controller 14 are mounted on the circuit board 4 in the state of the sheet-like board 2 to which the peripheral part 6 is connected. The semiconductor memory device 10 can be obtained from the sheet-like substrate 2 by cutting the connecting portion 8 using a drill of a dividing machine to cut the peripheral portion 6. The notch 7 of the circuit board 4 is formed when the connecting portion 8 is cut. In the first embodiment, by separating the peripheral portion 6 from the sheet-like substrate 2 on which the nonvolatile semiconductor memory 12 and the controller 14 are mounted, four semiconductor memory devices 10 are formed from one sheet-like substrate 2. Obtainable. Note that the number of semiconductor memory devices 10 that can be obtained from one sheet-like substrate 2 is not limited to four, and a larger sheet-like substrate is used to make more semiconductor memory devices 10 one sheet-like substrate. You may comprise so that it can obtain from. Moreover, you may comprise so that the one semiconductor memory device 10 can be obtained from one sheet-like board | substrate.

図7は、半導体メモリ装置10のPC板加工装置(製造装置)の概略構成を示すブロック図である。PC板加工装置30は、ドリル31、読取部33、制御部34を備えて構成される。ドリル31は、シート状基板2の連結部8を切断したり、干渉部4aを切除したりする切断部として機能する。読取部33は、判別部9を読み取り、回路基板4が、モジュール型半導体メモリ装置15に用いられるものであるか、筐体型半導体メモリ装置20に用いられるものであるかを判別する。制御部34は、読取部33による判別結果に基づいて、加工データを自動読み込みし、ドリル31を制御して、連結部8を切断させたり、干渉部4aを切除させたりする。   FIG. 7 is a block diagram showing a schematic configuration of a PC board processing apparatus (manufacturing apparatus) of the semiconductor memory device 10. The PC plate processing apparatus 30 includes a drill 31, a reading unit 33, and a control unit 34. The drill 31 functions as a cutting portion that cuts the connecting portion 8 of the sheet-like substrate 2 or cuts the interference portion 4a. The reading unit 33 reads the determination unit 9 to determine whether the circuit board 4 is used for the module type semiconductor memory device 15 or the case type semiconductor memory device 20. The control unit 34 automatically reads the processing data based on the determination result by the reading unit 33 and controls the drill 31 to cut the coupling unit 8 or cut the interference unit 4a.

図8は、半導体メモリ装置10のPC板加工工程を説明するためのフローチャートである。まず、シート状基板2に、不揮発性半導体メモリ12、コントローラ14、コネクタ16が搭載される(ステップS1)。次に、判別部9が読み取られ、判別結果に基づいて加工データが自動的に読み込まれる(ステップS2)。回路基板4が筐体型半導体メモリ装置20に用いられるものであると判別された場合には(ステップS3,Yes)、連結部8が切断されるとともに、干渉部4aがドリルによって切除されて切欠き7が形成される(ステップS4)。これにより、1枚のシート状基板2から切欠き7が形成された4つの半導体メモリ装置10が得られる。   FIG. 8 is a flowchart for explaining a PC board processing step of the semiconductor memory device 10. First, the non-volatile semiconductor memory 12, the controller 14, and the connector 16 are mounted on the sheet-like substrate 2 (step S1). Next, the determination unit 9 is read, and machining data is automatically read based on the determination result (step S2). When it is determined that the circuit board 4 is used for the housing type semiconductor memory device 20 (step S3, Yes), the connecting portion 8 is cut, and the interference portion 4a is cut away by a drill. 7 is formed (step S4). Thereby, four semiconductor memory devices 10 in which the notches 7 are formed from one sheet-like substrate 2 are obtained.

また、ステップS3において、回路基板4が筐体型半導体メモリ装置20に用いられるものではなく、モジュール型半導体メモリ装置15に用いるものであると判別された場合には(ステップS3,No)、切欠き7は形成されずに、連結部8の切断が行われる(ステップS5)。これにより、1枚のシート状基板2から切欠き7が形成されていない4つの半導体メモリ装置10が得られる。なお、切欠き7を形成する工程と、連結部8を切断する工程は、別々の工程で行われてもよく、どちらの工程が先に行われても構わない。   If it is determined in step S3 that the circuit board 4 is not used for the housing type semiconductor memory device 20 but is used for the module type semiconductor memory device 15 (step S3, No), the notch 7 is not formed, but the connecting portion 8 is cut (step S5). As a result, four semiconductor memory devices 10 in which notches 7 are not formed from one sheet-like substrate 2 are obtained. Note that the step of forming the notch 7 and the step of cutting the connecting portion 8 may be performed in separate steps, and either step may be performed first.

以上のように、回路パターン17は回路基板4の干渉部4aを避けて形成され、不揮発性半導体メモリ12等の各デバイスも干渉部4aを避けて配置されるので、モジュール型半導体メモリ装置15に用いる場合と、筐体型半導体メモリ装置20に用いる場合とにかかわらず、回路基板4の回路パターン17や各デバイスの配置を共通化することができる。すなわち、切欠き7の有無にかかわらず、回路基板4の回路パターン17や各デバイスの配置を共通化することができる。これにより、回路パターン17や各デバイスの配置の設計コストを抑制することができる。また、実装評価や性能評価も共通化できるので、評価コストの抑制も図ることができる。また、搭載する各デバイスの共通化も図ることができるので、各デバイスの選定コストの抑制も図ることができる。また、半導体メモリ装置10を、モジュール型半導体メモリ装置15に用いる場合には、切欠き7を形成しないことで、MO−297規格で要求される孔4cの形成について満足させることができるし、筐体型半導体メモリ装置20に用いる場合には、切欠き7を形成することで、ねじ24と回路基板4との干渉を回避することができる。   As described above, the circuit pattern 17 is formed so as to avoid the interference portion 4a of the circuit board 4, and each device such as the nonvolatile semiconductor memory 12 is also arranged so as to avoid the interference portion 4a. Regardless of whether it is used or the case of the housing type semiconductor memory device 20, the circuit pattern 17 of the circuit board 4 and the arrangement of each device can be made common. That is, the circuit pattern 17 of the circuit board 4 and the arrangement of each device can be made common regardless of the presence or absence of the notch 7. Thereby, the design cost of arrangement of the circuit pattern 17 and each device can be suppressed. In addition, since mounting evaluation and performance evaluation can be made common, the evaluation cost can be suppressed. In addition, since each device to be mounted can be shared, the selection cost of each device can be reduced. Further, when the semiconductor memory device 10 is used for the module type semiconductor memory device 15, the notch 7 is not formed, so that the formation of the hole 4c required by the MO-297 standard can be satisfied. When used in the body-type semiconductor memory device 20, interference between the screw 24 and the circuit board 4 can be avoided by forming the notch 7.

また、干渉部4aを避けて回路パターン17が形成されているので、切欠き7を形成する際に、ドリル31に回路パターン17を切断させずに済む。これにより、切欠き7を形成する際に、ドリル31に樹脂のみを切断させることができるので、ドリル31の長寿命化を図ることができる。また、図5(b)に示すように、干渉部4aを切断した際の縁部4bに回路パターン17が露出しないので、縁部4bに金属バリが発生しにくい。これにより、回路基板4の各層間に形成された回路パターン17同士を、金属バリが短絡させてしまうといった問題が発生するのを抑えることができる。また、金属バリが回路基板4から離脱し、別の場所で短絡等の問題を引き起こすことを抑えることができる。   Further, since the circuit pattern 17 is formed so as to avoid the interference portion 4a, it is not necessary to cause the drill 31 to cut the circuit pattern 17 when the notch 7 is formed. Thereby, when forming the notch 7, since only the resin can be cut by the drill 31, the life of the drill 31 can be extended. Further, as shown in FIG. 5B, since the circuit pattern 17 is not exposed at the edge 4b when the interference part 4a is cut, metal burrs are hardly generated at the edge 4b. Thereby, it can suppress that the problem that a metal burr short-circuits between the circuit patterns 17 formed between each layer of the circuit board 4 generate | occur | produces. Further, it is possible to prevent the metal burr from being detached from the circuit board 4 and causing a problem such as a short circuit in another place.

なお、第1の実施の形態では、シート状基板2から周囲部6を切り離す際に、干渉部4aを切除して切欠き7を形成しているが、これに限られない。例えば、周囲部6を切り離す際に切欠き7を形成せずにモジュール型半導体メモリ装置15としてストックしておき、事後的に筐体型半導体メモリ装置20に用いることになった場合に、干渉部4aを切除して切欠き7を形成してもよい。   In the first embodiment, when the peripheral portion 6 is cut off from the sheet-like substrate 2, the interference portion 4a is cut away to form the cutout 7. However, the present invention is not limited to this. For example, when the peripheral portion 6 is cut off, the notched portion 7 is not formed and stocked as the module type semiconductor memory device 15 and later used in the housing type semiconductor memory device 20. The notch 7 may be formed by cutting off the.

また、第1の実施の形態では、半導体メモリ装置のPC板加工装置を例に挙げて説明したが、これに限られない。例えば、半導体メモリ装置の製造工程を分割機等の製造装置に行わせるための製造プログラムとして提供してもよい。   In the first embodiment, the PC board processing apparatus of the semiconductor memory device has been described as an example. However, the present invention is not limited to this. For example, the semiconductor memory device manufacturing process may be provided as a manufacturing program for causing a manufacturing apparatus such as a divider to perform the manufacturing process.

AX,BX 中心軸、 Y 間隔、 2 シート状基板、 4 回路基板、 4a 干渉部、 4b 縁部、 4c,4d 孔、 6 周囲部、 7 切欠き、 8 連結部、 9 判別部、 10 半導体メモリ装置、 12 不揮発性半導体メモリ、 14 コントローラ、 15 モジュール型半導体メモリ装置、 16 コネクタ、 20 筐体型半導体メモリ装置、 22 筐体、 22a ねじ孔、 24 ねじ(筐体固定手段)、 30 PC板加工装置、 31 ドリル、 33 読取部、 34 制御部   AX, BX central axis, Y interval, 2 sheet-like substrate, 4 circuit board, 4a interference part, 4b edge part, 4c, 4d hole, 6 peripheral part, 7 notch, 8 connecting part, 9 discriminating part, 10 semiconductor memory Device, 12 nonvolatile semiconductor memory, 14 controller, 15 module type semiconductor memory device, 16 connector, 20 housing type semiconductor memory device, 22 housing, 22a screw hole, 24 screw (housing fixing means), 30 PC board processing device , 31 drill, 33 reading unit, 34 control unit

Claims (5)

回路パターンが形成された回路基板と、前記回路基板上に搭載された不揮発性半導体メモリと、前記回路基板の一端部に配置されてホスト装置と接続するコネクタとを備え、ホスト装置に固定するためのねじが挿入されるねじ孔が隅部に形成された筐体内に、前記コネクタの差込み方向に沿った前記回路基板の中心軸を前記筐体の中心軸に対してずらした配置で収納可能とされる半導体メモリ装置であって、
前記筐体内に前記回路基板が収納される場合に、前記回路基板をずらした方向側の隅部に形成された前記ねじ孔に挿入されて前記筐体の内側に突出するねじと干渉する前記回路基板の干渉部分を避けて前記回路パターンが形成されていることを特徴とする半導体メモリ装置。
A circuit board on which a circuit pattern is formed, a nonvolatile semiconductor memory mounted on the circuit board, and a connector that is disposed at one end of the circuit board and is connected to the host device, and is fixed to the host device In a case where a screw hole into which a screw is inserted is formed at a corner, the central axis of the circuit board along the insertion direction of the connector can be stored in an arrangement shifted from the central axis of the case. A semiconductor memory device,
When the circuit board is housed in the housing, the circuit interferes with a screw that is inserted into the screw hole formed at a corner portion on the side in which the circuit board is displaced and protrudes to the inside of the housing. A semiconductor memory device, wherein the circuit pattern is formed to avoid an interference portion of a substrate.
回路パターンが形成されて筐体内に収納可能とされた回路基板と、その回路基板の周囲に連結された周囲部とを備えるシート状基板であって、
前記回路基板は、不揮発性半導体メモリが搭載可能とされるとともに一端部にホスト装置と接続するコネクタが配置可能とされ、
前記筐体の隅部には、前記筐体を前記ホスト装置に固定するためのねじが挿入されるねじ孔が形成されており、
前記コネクタの差込み方向に沿った前記回路基板の中心軸を前記筐体の中心軸に対してずらした配置で前記筐体内に前記回路基板が収納される場合に、前記回路基板をずらした方向側の隅部に形成された前記ねじ孔に挿入されて前記筐体の内側に突出するねじと干渉する前記回路基板の干渉部分を避けて前記回路パターンが形成されていることを特徴とするシート状基板。
A circuit board having a circuit pattern formed therein and capable of being stored in a housing, and a sheet-like board having a peripheral portion connected to the periphery of the circuit board,
The circuit board can be mounted with a non-volatile semiconductor memory and a connector connected to the host device can be disposed at one end.
A screw hole into which a screw for fixing the casing to the host device is inserted is formed at the corner of the casing,
When the circuit board is housed in the housing in an arrangement in which the center axis of the circuit board along the insertion direction of the connector is shifted from the center axis of the housing, the direction side in which the circuit board is displaced The circuit pattern is formed so as to avoid an interference portion of the circuit board that interferes with a screw that is inserted into the screw hole formed in a corner portion of the housing and protrudes to the inside of the housing. substrate.
回路パターンが形成された回路基板上に不揮発性半導体メモリが搭載され、ホスト装置と接続するコネクタが前記回路基板の一端部に配置された半導体メモリ装置と、
前記半導体メモリ装置を内部に収納する筐体と、を備え、
前記筐体の隅部には、前記筐体を前記ホスト装置に固定するためのねじが挿入されるねじ孔が形成され、
前記半導体メモリ装置は、前記コネクタの差込み方向に沿った前記回路基板の中心軸を前記筐体の中心軸に対してずらして筐体に配置され、
前記回路基板は、前記半導体メモリ装置をずらした方向側の隅部に形成された前記ねじ孔に挿入されて前記筐体の内側に突出する前記ねじとの干渉部分が切除され、前記干渉部分を避けて前記回路パターンが形成されていることを特徴とする筐体型半導体メモリ装置。
A non-volatile semiconductor memory is mounted on a circuit board on which a circuit pattern is formed, and a semiconductor memory device in which a connector for connecting to a host device is disposed at one end of the circuit board;
A housing for housing the semiconductor memory device therein,
A screw hole into which a screw for fixing the casing to the host device is inserted is formed at the corner of the casing,
The semiconductor memory device is disposed in the housing by shifting the central axis of the circuit board along the insertion direction of the connector with respect to the central axis of the housing,
The circuit board is inserted into the screw holes formed at the corners on the side where the semiconductor memory device is shifted, and an interference portion with the screw protruding to the inside of the housing is removed, and the interference portion is removed. A housing type semiconductor memory device characterized in that the circuit pattern is formed to avoid.
前記回路基板は、前記干渉部分が切除された切欠き部の縁部を避けて前記回路パターンが形成されていることを特徴とする請求項3に記載の筐体型半導体メモリ装置。   4. The housing type semiconductor memory device according to claim 3, wherein the circuit pattern is formed on the circuit board so as to avoid an edge portion of a notch portion where the interference portion is cut off. 5. 回路パターンが形成された回路基板と、前記回路基板上に搭載された不揮発性半導体メモリと、前記回路基板の一端部に配置されてホスト装置と接続するコネクタとを備え、前記ホスト装置に固定するためのねじが挿入されるねじ孔が隅部に形成された筐体内に、前記コネクタの差込み方向に沿った前記回路基板の中心軸を前記筐体の中心軸に対してずらした配置で収納可能とされる半導体メモリ装置の製造方法であって、
前記筐体内に前記回路基板が収納される場合に、前記回路基板をずらした方向側の隅部に形成された前記ねじ孔に挿入されて前記筐体の内側に突出するねじと干渉する前記回路基板の干渉部分を避けて前記回路パターンを形成した前記回路基板と、その回路基板の周囲に連結された周囲部とを備えるシート状基板を作成し、
前記筐体内に前記回路基板が収納される場合に、前記回路基板をずらした方向側の隅部に形成された前記ねじ孔に挿入されて前記筐体の内側に突出するねじと干渉する前記回路基板の干渉部分を切除し、
前記シート状基板から前記周囲部を切り離すことを特徴とする半導体メモリ装置の製造方法。
A circuit board having a circuit pattern formed thereon, a non-volatile semiconductor memory mounted on the circuit board, and a connector disposed at one end of the circuit board and connected to the host device, and fixed to the host device. Can be housed in a housing in which a screw hole for inserting a screw is inserted in a corner portion, with the center axis of the circuit board being shifted from the center axis of the housing along the insertion direction of the connector A method of manufacturing a semiconductor memory device,
When the circuit board is housed in the housing, the circuit interferes with a screw that is inserted into the screw hole formed at a corner portion on the side in which the circuit board is displaced and protrudes to the inside of the housing. Creating a sheet-like substrate comprising the circuit board on which the circuit pattern is formed while avoiding an interference part of the substrate, and a peripheral part connected to the periphery of the circuit board;
When the circuit board is housed in the housing, the circuit interferes with a screw that is inserted into the screw hole formed at a corner portion on the side in which the circuit board is displaced and protrudes to the inside of the housing. Cut off the interference part of the substrate,
A method of manufacturing a semiconductor memory device, wherein the peripheral portion is separated from the sheet-like substrate.
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JP2009172942A Pending JP2011029365A (en) 2009-07-24 2009-07-24 Semiconductor memory device, sheet-shaped substrate, housing-type semiconductor memory device, and method of manufacturing semiconductor memory device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US8984375B2 (en) 2011-12-16 2015-03-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor storage device, method for controlling the same and control program
CN106683691A (en) * 2017-01-09 2017-05-17 深圳信息职业技术学院 Solid state disk device for computer

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