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JP2011009438A - 3d steric circuit board, and circuit module using the same - Google Patents

3d steric circuit board, and circuit module using the same Download PDF

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JP2011009438A
JP2011009438A JP2009151099A JP2009151099A JP2011009438A JP 2011009438 A JP2011009438 A JP 2011009438A JP 2009151099 A JP2009151099 A JP 2009151099A JP 2009151099 A JP2009151099 A JP 2009151099A JP 2011009438 A JP2011009438 A JP 2011009438A
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JP
Japan
Prior art keywords
circuit board
wiring pattern
metal lid
dimensional
dimensional circuit
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2009151099A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Mitsuru Kobayashi
充 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Electric Works Co Ltd filed Critical Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority to JP2009151099A priority Critical patent/JP2011009438A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-reliable 3D steric circuit board of a cavity structure, wherein the circuit board can be efficiently mounted without restriction of a wiring pattern even when a metal lid is used.SOLUTION: The 3D steric circuit board 10 including an insulating board 1 having a recessed part, a plurality of wiring patterns 11 formed on the recessed part 5 of the insulating board 1, and an engagement part 6 engaging with a metal lid 3 formed to seal a region surrounding the recessed part is structured such that, in the engagement part 6, a surface of at least one wiring pattern (grounding line) 11g out of the wiring patterns is formed high, and abuts on the metal lid 3.

Description

本発明は、3次元立体回路基板およびこれを用いた回路モジュールに係り、特にキャビティ構造を有するパッケージにおいて、金属蓋によるシールド構造に関するものである。   The present invention relates to a three-dimensional circuit board and a circuit module using the same, and particularly to a shield structure with a metal lid in a package having a cavity structure.

従来、窒化アルミニウム基板などの絶縁性3次元立体基板に導電回路を形成して3次元立体回路基板を形成したものが提案されている(たとえば特許文献1)。
このような3次元立体回路基板は、窒化アルミニウム基板の表面に導電性薄膜を形成し、その導電性薄膜における回路部と非回路部の少なくとも境界を含む領域に高エネルギービームを照射して導電性薄膜を除去してパターンを形成し、回路部の導電性薄膜にめっき処理を施した後、非回路部の導電性薄膜を除去することで、容易に所望の回路パターンを備えた回路基板を形成することができるとして、近年注目されている。
Conventionally, a conductive circuit is formed on an insulating three-dimensional three-dimensional substrate such as an aluminum nitride substrate to form a three-dimensional three-dimensional circuit substrate (for example, Patent Document 1).
Such a three-dimensional circuit board is formed by forming a conductive thin film on the surface of an aluminum nitride substrate and irradiating a region containing at least the boundary between the circuit portion and the non-circuit portion of the conductive thin film with a high energy beam. Remove the thin film to form a pattern, and after plating the conductive thin film in the circuit section, remove the conductive thin film in the non-circuit section to easily form a circuit board with the desired circuit pattern. In recent years it has been attracting attention as being able to.

このような3次元立体回路基板は、キャビティ構造を容易に形成することができることから、固体撮像装置やジャイロセンサ、圧力センサなど種々のデバイスの実装に用いられている。   Since such a three-dimensional circuit board can easily form a cavity structure, it is used for mounting various devices such as a solid-state imaging device, a gyro sensor, and a pressure sensor.

このようなデバイスにおいて、図6に示すように金属蓋103を形成するものが提案されている。
このように、チップ部品搭載面側から外部接続端子を導出するキャビティパッケージ構造では、金属蓋103を実装すると、3次元立体回路基板の配線パターン111とショートしてしまうため、金属蓋側の配線パターンはグランド(接地)配線GNDのみとし、それ以外の配線パターンは金属蓋のない側に配置する必要があった。このため回路設計上制約が大きく、実装が困難であるという問題があった。
また、図3に示すように、両側に蓋を形成する必要のある場合、片側を非金属にする必要があった。
Among such devices, a device that forms a metal lid 103 as shown in FIG. 6 has been proposed.
Thus, in the cavity package structure in which the external connection terminals are derived from the chip component mounting surface side, if the metal lid 103 is mounted, the wiring pattern on the metal lid side is short-circuited with the wiring pattern 111 of the three-dimensional circuit board. Is the ground (ground) wiring GND only, and the other wiring patterns need to be arranged on the side without the metal lid. For this reason, there is a problem that the circuit design has a great restriction and is difficult to mount.
Further, as shown in FIG. 3, when it is necessary to form lids on both sides, one side needs to be non-metallic.

特開2008−034555号公報JP 2008-034555 A

以上のように、3次元立体回路基板を用いて、小型で製造作業性の良い回路モジュールが形成できるにも関わらず、金属蓋を用いる場合には、配線パターンの形成に制約があった。
本発明は前記実情に鑑みてなされたもので、金属蓋を用いる場合にも配線パターンの制約なしに、効率よく実装することができ、信頼性の高いキャビティ構造の3次元立体回路基板を提供することを目的とする。
As described above, although a small-sized circuit module with good manufacturing workability can be formed using a three-dimensional circuit board, when a metal lid is used, there is a limitation in forming a wiring pattern.
The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a highly reliable three-dimensional circuit board having a cavity structure that can be efficiently mounted even when a metal lid is used without restriction of a wiring pattern. For the purpose.

そこで本発明は、凹部を有する絶縁性基板と、前記絶縁性基板の前記凹部に形成された複数の配線パターンと、前記凹部を囲む領域を封止するように形成される金属蓋と係合する係合部とを有する3次元立体回路基板であって、前記係合部において、前記配線パターンのうち、少なくとも1本の配線パターンの表面が高く形成され前記金属蓋と当接するように構成される。
この構成によれば、絶縁性基板の配線パターンの表面が周囲よりも突出して形成されて突出部を形成しているため、当該配線パターンを選択的に金属蓋に当接させることができ、回路設計の自由度を低下させることなく、形成可能である。
Therefore, the present invention engages with an insulating substrate having a recess, a plurality of wiring patterns formed in the recess of the insulating substrate, and a metal lid formed so as to seal a region surrounding the recess. A three-dimensional circuit board having an engagement portion, wherein the engagement portion is configured such that at least one of the wiring patterns has a high surface and is in contact with the metal lid. .
According to this configuration, since the surface of the wiring pattern of the insulating substrate is formed so as to protrude from the periphery to form a protruding portion, the wiring pattern can be selectively brought into contact with the metal lid, and the circuit It can be formed without reducing the degree of freedom of design.

また本発明は、上記3次元立体回路基板において、前記絶縁性基板は、配線パターンを形成する領域の一部が周囲よりも突出して形成されて突出部を形成し、前記配線パターンは金属蓋と当接するものを含む。
この構成によれば、絶縁性基板の配線パターンを形成する領域の一部が周囲よりも突出して形成されて突出部を形成しているため、配線パターンは周囲と同一工程で形成することで周囲よりも突出して形成することができ、特性に影響を与えることなく、容易に形成可能である。
According to the present invention, in the three-dimensional circuit board, the insulating substrate is formed such that a part of a region where a wiring pattern is formed protrudes from the periphery to form a protruding portion, and the wiring pattern includes a metal lid and Including those that abut.
According to this configuration, since a part of the region for forming the wiring pattern of the insulating substrate is formed so as to protrude from the periphery to form the protruding portion, the wiring pattern is formed in the same process as the periphery. And can be easily formed without affecting the characteristics.

また本発明は、上記3次元立体回路基板において、前記配線パターンはその一部が、周囲よりも突出して形成されて突出部を形成し、前記配線パターンは金属蓋と当接するものを含む。
この構成によれば、ある領域のみ、突起を形成するなどの方法をとることで、金属蓋と当接するように配線パターンの一部を、突出させることで3次元立体回路基板自体の設計を変更することなく、容易に形成可能である。
According to the present invention, in the three-dimensional circuit board, a part of the wiring pattern is formed to protrude from the periphery to form a protruding portion, and the wiring pattern is in contact with a metal lid.
According to this configuration, the design of the 3D circuit board itself is changed by projecting a part of the wiring pattern so as to abut the metal lid by taking a method such as forming a protrusion only in a certain region. And can be easily formed.

また本発明は、上記3次元立体回路基板において、前記突出部を形成する配線パターンは接地パターンであるものを含む。
この構成によれば、金属蓋を接地プレートとして利用することができ、外部からのノイズを素早く、接地電位に逃がし、電気的な信号の品質(S/N比)の向上を図ることができる。
According to the present invention, in the three-dimensional circuit board, the wiring pattern forming the protruding portion is a ground pattern.
According to this configuration, the metal lid can be used as a ground plate, noise from the outside can be quickly released to the ground potential, and the quality of the electrical signal (S / N ratio) can be improved.

また本発明は、上記3次元立体回路基板において、前記突出部を形成する配線パターンは、信号線を構成する配線パターンと隣接して形成されるものを含む。
この構成によれば、信号線のノイズを効率よく、接地電位に逃がし、電気的な信号の品質(S/N比)の向上を図ることができる。
According to the present invention, in the above-described three-dimensional circuit board, the wiring pattern that forms the protruding portion is formed adjacent to a wiring pattern that constitutes a signal line.
According to this configuration, the noise of the signal line can be efficiently released to the ground potential, and the quality of the electrical signal (S / N ratio) can be improved.

また本発明は、上記3次元立体回路基板において、前記突出部を形成する配線パターンは、少なくとも2つであり、互いに相対向する辺上に形成されるものを含む。
この構成によれば、安定して金属蓋を突出部で支持し、3次元立体回路基板上に金属蓋を装着することができる。
Further, the present invention includes the above-described three-dimensional circuit board including at least two wiring patterns forming the projecting portions and formed on sides facing each other.
According to this configuration, the metal lid can be stably supported by the protruding portion, and the metal lid can be mounted on the three-dimensional circuit board.

また本発明の回路モジュールは、凹部を有する絶縁性基板と、前記絶縁性基板の前記凹部に形成された複数の配線パターンと、前記凹部を囲む領域を封止するように形成される金属蓋と係合する係合部とを有し、前記係合部において、前記配線パターンのうち、少なくとも1本の接地用配線パターンの表面が高く形成された3次元立体回路基板と、前記凹部に搭載されたチップ部品と、前記チップ部品に接続された接地用配線パターン表面の表面が高く形成され、前記金属蓋と当接するとともに、周囲に封止樹脂が充填される。   The circuit module of the present invention includes an insulating substrate having a recess, a plurality of wiring patterns formed in the recess of the insulating substrate, and a metal lid formed so as to seal a region surrounding the recess. A three-dimensional circuit board in which at least one grounding wiring pattern surface of the wiring patterns is formed high in the engaging part, and the engaging part is mounted in the recess. The surface of the chip part and the surface of the grounding wiring pattern connected to the chip part are formed high, abuts on the metal lid, and is filled with a sealing resin.

また本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記絶縁性基板は、配線パターンを形成する領域の一部が周囲よりも突出して形成され、前記配線パターンは金属蓋と当接するものを含む。   According to the present invention, in the above circuit module, the insulating substrate includes a part in which a region for forming a wiring pattern is protruded from the periphery, and the wiring pattern is in contact with a metal lid.

また本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記配線パターンはその一部が、周囲よりも突出して形成され、前記配線パターンが金属蓋と当接するものを含む。   According to the present invention, in the above circuit module, a part of the wiring pattern is formed so as to protrude from the periphery, and the wiring pattern is in contact with a metal lid.

また本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記突出部を形成する配線パターンは接地パターンであるものを含む。   According to the present invention, in the above circuit module, the wiring pattern forming the protruding portion is a ground pattern.

また本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記突出部を形成する配線パターンは、信号線を構成する配線パターンと隣接して形成されたものを含む。   According to the present invention, in the above circuit module, the wiring pattern that forms the protruding portion includes a wiring pattern that is formed adjacent to a wiring pattern that forms a signal line.

また本発明は、上記回路モジュールにおいて、前記突出部を形成する配線パターンは、少なくとも2つであり、互いに相対向する辺上に形成されたものを含む。   According to the present invention, in the above circuit module, at least two wiring patterns forming the projecting portion are formed on opposite sides.

以上説明してきたように、本発明によれば接地パターンのみ一段高くなっており、金属蓋と導電性接着剤とによって接続されるので、外部からのノイズをすばやく接地線に逃がし、電気的な信号の品質を向上することができる。
また金属蓋はエポキシ樹脂などの封止樹脂を用いて封止することで、半田実装時にセンサ部へのフラックスなどの浸入を防止することができる。
As described above, according to the present invention, only the ground pattern is raised one step higher, and since it is connected by the metal lid and the conductive adhesive, noise from the outside is quickly released to the ground line, and an electrical signal is transmitted. Can improve the quality.
Further, the metal lid is sealed with a sealing resin such as an epoxy resin, so that intrusion of flux or the like into the sensor portion can be prevented during solder mounting.

本発明の実施の形態1の回路モジュールを示す断面図Sectional drawing which shows the circuit module of Embodiment 1 of this invention 同回路モジュールに用いられる3次元立体回路基板の斜視図A perspective view of a three-dimensional circuit board used in the circuit module 同要部拡大斜視図Enlarged perspective view of the main part 同要部拡大断面図であり、(a)は図3のA−A断面に相当し、(b)は図3のB−B断面に相当するが、金属蓋を載せた状態を示す。It is the principal part expanded sectional view, (a) is equivalent to the AA cross section of FIG. 3, (b) is equivalent to the BB cross section of FIG. 3, but shows the state which mounted the metal cover. 本発明の実施の形態1の回路モジュールを示す断面図、(a)は接地線の断面を示す図、(b)は信号線の断面を示す図Sectional drawing which shows the circuit module of Embodiment 1 of this invention, (a) is a figure which shows the cross section of a ground wire, (b) is a figure which shows the cross section of a signal wire | line 従来例の回路モジュールを示す図The figure which shows the circuit module of the conventional example

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
(実施の形態1)
以下、本実施の形態に係る3次元立体回路基板およびこれを用いて形成した回路モジュールについて、図面を参照して説明する。
図1は、本実施の形態1の回路モジュールを示す断面図、図2はこの回路モジュールに用いられる3次元立体回路基板の斜視図、図3はその要部拡大斜視図、図4はその要部拡大断面図であり、(a)は図3のA−A断面に相当し、(b)は図3のB−B断面に相当するが、金属蓋を載せた状態を示す。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
(Embodiment 1)
Hereinafter, a three-dimensional circuit board according to the present embodiment and a circuit module formed using the same will be described with reference to the drawings.
1 is a cross-sectional view showing a circuit module according to the first embodiment, FIG. 2 is a perspective view of a three-dimensional circuit board used in the circuit module, FIG. 3 is an enlarged perspective view of an essential part thereof, and FIG. It is a partial expanded sectional view, (a) is equivalent to the AA cross section of FIG. 3, (b) is equivalent to the BB cross section of FIG. 3, but shows the state which mounted the metal cover.

この回路モジュールは、配線パターン11のうち、接地線11gを構成する配線パターンが、信号線11sを構成する配線パターンよりも突出して形成され、前記接地線11gが金属蓋3と当接するように構成され、金属蓋3と3次元立体回路基板10との隙間にはエポキシ樹脂からなる封止樹脂12が充填されたことを特徴とするものである。   This circuit module is configured such that, of the wiring patterns 11, the wiring pattern constituting the ground line 11 g is formed so as to protrude from the wiring pattern constituting the signal line 11 s, and the ground line 11 g contacts the metal lid 3. The gap between the metal lid 3 and the three-dimensional circuit board 10 is filled with a sealing resin 12 made of an epoxy resin.

すなわち、この回路モジュールは、凹部(キャビティ)5を有する窒化アルミニウムセラミックからなる絶縁性基板1と、この絶縁性基板1の凹部5から外周面に乗り上げるように形成された複数の配線パターン11と、凹部5を囲む領域を封止するように形成される金属蓋3と係合する係合部6とを有し、この係合部6において、配線パターン11のうち、2本の接地用配線パターン(接地線)11gの表面が信号線11sよりも高く形成された3次元立体回路基板10上に、チップ部品を搭載してなるもので、チップ部品に接続された接地線11g表面が高く形成され、金属蓋3と当接するとともに、周囲に封止樹脂12が充填される。なおこの段差は0.01mm以上とするのが望ましい。100は実装基板としてのプリント配線基板である。   That is, the circuit module includes an insulating substrate 1 made of an aluminum nitride ceramic having a recess (cavity) 5, and a plurality of wiring patterns 11 formed so as to run from the recess 5 of the insulating substrate 1 to the outer peripheral surface, An engagement portion 6 that engages with the metal lid 3 formed so as to seal the region surrounding the recess 5, and in the engagement portion 6, two of the wiring patterns 11 are connected to the grounding wiring pattern. A chip component is mounted on the three-dimensional three-dimensional circuit board 10 in which the surface of the (ground line) 11g is formed higher than the signal line 11s, and the surface of the ground line 11g connected to the chip component is formed high. In addition to being in contact with the metal lid 3, the periphery is filled with the sealing resin 12. This step is desirably 0.01 mm or more. Reference numeral 100 denotes a printed wiring board as a mounting board.

そしてこの配線パターンは図3に要部拡大図を示すように、2本の信号線11sを挟むように2本の接地線11gが形成されている。この接地線11gは図4(b)に要部拡大図を示すように、選択的に一段高くなった3次元立体回路基板10上に形成されており、接地線11g表面が3次元立体回路基板10上で選択的に一段高くなっている。そこで、金属蓋3を係合部6に載置したとき、接地線11gのみが金属蓋3と導電性接着剤とによって接続される。このようにして信号線11sは金属蓋3と接触することなく、接地線11gのみが3次元立体回路基板10との係合部6で金属蓋3と接続される。   In this wiring pattern, as shown in an enlarged view of the main part in FIG. 3, two ground lines 11g are formed so as to sandwich the two signal lines 11s. As shown in the enlarged view of the main part in FIG. 4B, the ground line 11g is formed on the three-dimensional circuit board 10 that is selectively raised one step higher, and the surface of the ground line 11g is a three-dimensional circuit board. 10 is a step higher selectively. Therefore, when the metal lid 3 is placed on the engaging portion 6, only the ground wire 11g is connected by the metal lid 3 and the conductive adhesive. Thus, the signal line 11 s is not in contact with the metal lid 3, and only the ground wire 11 g is connected to the metal lid 3 at the engaging portion 6 with the three-dimensional circuit board 10.

なお、ここでセンサチップ2はキャビティ5内に収納され、ボンディングワイヤ7を介して信号線11s、接地線11gに接続されている。
また、信号処理回路を構成する処理チップ4は3次元立体回路基板10の裏面側に搭載され、センサチップ2と同様、ボンディングワイヤ7を介して信号線11s、接地線11gに接続されている。
Here, the sensor chip 2 is housed in the cavity 5 and connected to the signal line 11 s and the ground line 11 g via the bonding wire 7.
Further, the processing chip 4 constituting the signal processing circuit is mounted on the back side of the three-dimensional circuit board 10 and is connected to the signal line 11s and the ground line 11g through the bonding wire 7 in the same manner as the sensor chip 2.

上記構成によれば、接地線11gの形成される領域で3次元立体回路基板10が一段高くなっており、金属蓋3を係合部6に載置したとき、接地線11gのみが金属蓋3と導電性接着剤とによって接続される。一方金属蓋3と3次元立体回路基板10との係合部にはエポキシ樹脂からなる封止樹脂12が充填されるので、外部からのノイズをすばやく接地線に逃がし、電気的な信号の品質を向上することができる。
また金属蓋はエポキシ樹脂などの封止樹脂を用いて封止することで、半田実装時にセンサ部へのフラックスなどの浸入を防止することができる。
According to the above configuration, the three-dimensional circuit board 10 is raised by one step in the area where the ground line 11g is formed, and when the metal lid 3 is placed on the engaging portion 6, only the ground line 11g is the metal lid 3. And a conductive adhesive. On the other hand, since the engagement portion between the metal lid 3 and the three-dimensional circuit board 10 is filled with the sealing resin 12 made of epoxy resin, noise from the outside is quickly released to the ground wire, and the quality of the electrical signal is improved. Can be improved.
Further, the metal lid is sealed with a sealing resin such as an epoxy resin, so that intrusion of flux or the like into the sensor portion can be prevented during solder mounting.

次にこの回路モジュールを構成する3次元立体回路基板の製造方法について説明する。
この3次元立体回路基板10を形成するための絶縁性基板1は、窒化アルミニウム粉体材料を成形して焼結し、所望の立体形状をもつ窒化アルミニウム基板として形成される(ステップ1)。
次いで、この絶縁性基板1を加熱してその表面を酸化処理して酸化層(薄膜絶縁層)を形成する(ステップ2)。
こののち、酸化層の上に金属からなる衝撃緩衝層を形成する(ステップ3)。
そしてこの、衝撃緩衝層の上にスパッタリング、蒸着、イオンプレーティングなどの物理蒸着法によるメタライズ処理工程を経て導電性薄膜を成膜する(ステップ4)。
そして、レーザビームなどの高エネルギービームを照射し回路部/非回路部の分離を行う(ステップ5)。
こののち、回路部のめっきによる厚膜化を行ってめっき層を形成する(ステップ6)。
そして、非回路部に残留する導電性薄膜をエッチングし、配線パターン11を完成する。
Next, a method for manufacturing a three-dimensional circuit board constituting the circuit module will be described.
The insulating substrate 1 for forming the three-dimensional circuit board 10 is formed as an aluminum nitride substrate having a desired three-dimensional shape by molding and sintering an aluminum nitride powder material (step 1).
Next, the insulating substrate 1 is heated to oxidize the surface to form an oxide layer (thin film insulating layer) (step 2).
After that, an impact buffer layer made of metal is formed on the oxide layer (step 3).
Then, a conductive thin film is formed on the impact buffer layer through a metallization process by physical vapor deposition such as sputtering, vapor deposition, ion plating, etc. (step 4).
Then, a high energy beam such as a laser beam is irradiated to separate the circuit portion / non-circuit portion (step 5).
After that, the circuit portion is thickened by plating to form a plating layer (step 6).
Then, the conductive thin film remaining in the non-circuit portion is etched to complete the wiring pattern 11.

ここで、3次元立体回路基板10を形成するための絶縁性基板1の形成に際しては、窒化アルミニウムを粉末成形、焼結することにより形成される。窒化アルミニウム基板材の形成に用いる原料である窒化アルミニウム粉は、還元窒化法、直接窒化法,気相合成法などの方法を用いて製造される。また、窒化アルミニウムは難焼結材料であるため、イットリア(Y)やカルシア(CaO)などを焼結助剤として原料に添加してもよい。 Here, when forming the insulating substrate 1 for forming the three-dimensional three-dimensional circuit board 10, it is formed by powder-molding and sintering aluminum nitride. Aluminum nitride powder, which is a raw material used for forming an aluminum nitride substrate material, is manufactured using a method such as a reduction nitriding method, a direct nitriding method, or a vapor phase synthesis method. Further, since aluminum nitride is a hardly sintered material, yttria (Y 2 O 3 ), calcia (CaO), or the like may be added to the raw material as a sintering aid.

そして、この窒化アルミニウム粉末を用いて3次元形状に成形する工程では、通常セラミックスの成形で用いられる圧縮成形、押出成形、射出成形、テープ成形などの方法を適用することができる。なかでも特に、射出成形が好適である。また、成形方法によっては、原料に流動性や可塑性を付与するために、有機溶剤や樹脂などの有機物を添加することもできる。   In the step of forming the aluminum nitride powder into a three-dimensional shape, methods such as compression molding, extrusion molding, injection molding, and tape molding that are usually used for molding ceramics can be applied. Of these, injection molding is particularly preferred. Further, depending on the molding method, an organic substance such as an organic solvent or a resin can be added in order to impart fluidity and plasticity to the raw material.

そして上述により原材料を成形後、必要に応じて、成形品に含まれる有機物を除去するために脱脂が行われる。この脱脂工程では、室温から600℃程度まで徐々に温度を上げていき、成形品に含まれる有機物を溶出させる。脱脂時の雰囲気は、大気下でも窒素などの不活性ガス下でもよい。   And after shaping | molding a raw material by the above-mentioned, degreasing is performed in order to remove the organic substance contained in a molded article as needed. In this degreasing step, the temperature is gradually raised from room temperature to about 600 ° C. to elute organic substances contained in the molded product. The atmosphere during degreasing may be in the air or under an inert gas such as nitrogen.

その後、成形品を焼結することで緻密化された焼結体として3次元形状の窒化アルミニウム基板(絶縁性基板1)が得られる。この焼結工程は、雰囲気を窒素などの不活性ガスに置換し、1800℃程度まで徐々に温度を上げて行われる。大気中などの酸化性雰囲気で焼結を行うと、窒化アルミニウムの粒界にアルミナが析出してしまう。そのため、焼結速度が低下するばかりではなく、窒化アルミニウム以外の成分が混入し、焼結体の熱伝導率も低下する。そこで、窒化アルミニウムの焼結は、窒素などの不活性雰囲気下で行う必要がある。   Then, a three-dimensional aluminum nitride substrate (insulating substrate 1) is obtained as a compacted sintered body by sintering the molded product. This sintering step is performed by substituting the atmosphere with an inert gas such as nitrogen and gradually raising the temperature to about 1800 ° C. When sintering is performed in an oxidizing atmosphere such as the air, alumina is precipitated at the grain boundaries of aluminum nitride. Therefore, not only the sintering speed decreases, but also components other than aluminum nitride are mixed, and the thermal conductivity of the sintered body also decreases. Therefore, it is necessary to sinter aluminum nitride under an inert atmosphere such as nitrogen.

次に、レーザ処理工程(ステップ5)で高エネルギービームを照射された後においても高い絶縁性を維持するため、あらかじめ、窒化アルミニウム基板(絶縁性基板1)の表面を酸化処理して酸化層(図示せず)を形成しておく。この酸化層を形成する酸化処理の方法としては、例えば大気中での加熱処理が行われる。この方法では、窒化アルミニウム基板材は、室温から1000℃まで毎時100℃程度で昇温させた後、1000℃で数時間〜数十時間保持され、その表面に薄膜絶縁層をなす酸化層が形成される。   Next, in order to maintain high insulation even after irradiation with a high energy beam in the laser processing step (step 5), the surface of the aluminum nitride substrate (insulating substrate 1) is oxidized beforehand to form an oxide layer ( (Not shown). As a method of oxidation treatment for forming this oxide layer, for example, heat treatment in the atmosphere is performed. In this method, the aluminum nitride substrate material is heated from room temperature to 1000 ° C. at about 100 ° C. per hour and then held at 1000 ° C. for several hours to several tens of hours to form an oxide layer forming a thin film insulating layer on the surface. Is done.

また、大気中ではなく加圧した水蒸気中で処理を行うことによって、大気中の場合と比較してより低温かつ短時間で酸化処理を行うこともできる。また、酸化層2の形成は、加熱による酸化処理に限定されず、他の成膜方法、例えば、化学蒸着法(CVD法)や、スパッタリング法で行ってもよい。そして、これらの方法のうち、大気中での加熱処理が膜厚管理の面で最も容易である。   Further, by performing the treatment not in the atmosphere but in pressurized water vapor, the oxidation treatment can be performed at a lower temperature and in a shorter time than in the atmosphere. The formation of the oxide layer 2 is not limited to the oxidation treatment by heating, but may be performed by other film forming methods such as chemical vapor deposition (CVD) or sputtering. Of these methods, heat treatment in the atmosphere is easiest in terms of film thickness management.

そして、この酸化層上に、スパッタリング、蒸着、イオンプレーティングなどの物理蒸着法(PVD法)、またはプラズマCVDなどの化学蒸着法(CVD法)によって、簡易に金属の衝撃緩衝層(図示せず)を形成する。この衝撃緩衝層には、酸化層より成膜速度が早い金属が用いられ、その厚さは、1〜10μm(望ましくは、2〜5μm)に形成されており、レーザ処理工程(ステップ5)での高エネルギービーム照射時に、高エネルギービームの衝撃を緩衝して、高エネルギービームを窒化アルミニウム基板に到達させないようにする機能を有する。   Then, a metal impact buffer layer (not shown) is easily formed on the oxide layer by physical vapor deposition (PVD method) such as sputtering, vapor deposition, ion plating, or chemical vapor deposition (CVD method) such as plasma CVD. ). The shock buffer layer is made of a metal having a higher deposition rate than the oxide layer, and has a thickness of 1 to 10 μm (preferably 2 to 5 μm). In the laser processing step (step 5), When the high energy beam is irradiated, the impact of the high energy beam is buffered to prevent the high energy beam from reaching the aluminum nitride substrate.

次に、銅をターゲットとするスパッタリングによって、導電性薄膜を形成する(メタライズ処理工程:ステップ4)。この導電性薄膜は、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングなどの物理蒸着法により形成される。また、物理蒸着法に限定されることなく化学蒸着法などの他の方法で行ってもよい。導電性薄膜は、銅のほか、ニッケル、金、アルミニウム、チタン、モリブデン、クロム、タングステン、スズ、鉛などの単体金属、又は黄銅、NiCrなどの合金を用いてもよい。   Next, a conductive thin film is formed by sputtering using copper as a target (metallization process: step 4). This conductive thin film is formed by physical vapor deposition methods such as sputtering, vacuum vapor deposition, and ion plating. Moreover, you may perform by other methods, such as a chemical vapor deposition method, without being limited to a physical vapor deposition method. In addition to copper, the conductive thin film may be made of a single metal such as nickel, gold, aluminum, titanium, molybdenum, chromium, tungsten, tin, or lead, or an alloy such as brass or NiCr.

そして、レーザ処理工程(ステップ5)がなされる。ここでは、導電性薄膜における回路部と非回路部との境界部分に高エネルギービーム、例えば電磁波ビームであるレーザビームが照射され、その部分の導電性薄膜が蒸発除去されて、その除去部によって回路部と非回路部とが分離され、所定の回路パターンが形成される。   Then, a laser processing step (Step 5) is performed. Here, a high energy beam, for example, a laser beam, which is an electromagnetic wave beam, is irradiated on the boundary portion between the circuit portion and the non-circuit portion in the conductive thin film, and the conductive thin film in that portion is evaporated and removed. The part and the non-circuit part are separated, and a predetermined circuit pattern is formed.

次にめっき処理工程(ステップ6)がなされる。ここでは、回路部に給電されて電流が流れ、回路部の部分が例えば電解銅めっきにより厚膜化されて、めっき層が形成される。このとき、非回路部には電流が流れず、非回路部の部分はめっきされないので、その膜厚はもとのままの薄膜の状態にある。   Next, a plating process (step 6) is performed. Here, power is supplied to the circuit portion to cause a current to flow, and the portion of the circuit portion is thickened by, for example, electrolytic copper plating to form a plating layer. At this time, no current flows through the non-circuit portion, and the non-circuit portion is not plated, so that the film thickness remains as it is.

そしてエッチング処理工程(ステップ7)が実行され、回路パターン形成面全体をエッチングすることにより、下地の酸化層が現れるように、非回路部および衝撃緩衝層が除去されて、配線パターン11が形成された3次元回路基板10が完成する。そして外部接続端子を構成する配線パターン上にニッケルめっきおよび金めっきを行う。   Then, an etching process (step 7) is performed, and the entire circuit pattern forming surface is etched to remove the non-circuit portion and the shock buffering layer so that the underlying oxide layer appears, and the wiring pattern 11 is formed. The three-dimensional circuit board 10 is completed. Then, nickel plating and gold plating are performed on the wiring pattern constituting the external connection terminal.

この後、この3次元回路基板10上に、センサチップ2および処理チップ4を順次搭載し、ワイヤボンディングにより電気的接続を行った後、金属蓋を載せ、半田リフロー工程を経て、エポキシ樹脂からなる封止樹脂12を充填し、回路モジュールが完成する。   Thereafter, the sensor chip 2 and the processing chip 4 are sequentially mounted on the three-dimensional circuit board 10 and are electrically connected by wire bonding, and then a metal lid is placed thereon, and after a solder reflow process, is made of an epoxy resin. The circuit module is completed by filling the sealing resin 12.

なお、前記実施の形態1では、3次元立体回路基板そのものを接地線形成領域で高くなるように形成したが、これに限定されることなく、3次元立体回路基板は通例の形状に成型しておき、配線パターン上の所定領域のみ、半田バンプあるいは導電性樹脂ペーストなどの導体からなる突起を形成することで、金属蓋と当接するように配線パターンの一部を、突出させるようにしてもよい。これにより、3次元立体回路基板自体の設計を変更することなく、容易に形成可能である。   In the first embodiment, the 3D circuit board itself is formed so as to be higher in the ground line formation region. However, the present invention is not limited to this, and the 3D circuit board is molded into a usual shape. Alternatively, only a predetermined region on the wiring pattern may be formed with a protrusion made of a conductor such as a solder bump or a conductive resin paste so that a part of the wiring pattern protrudes so as to contact the metal lid. . Thereby, it can be formed easily without changing the design of the 3D circuit board itself.

(実施の形態2)
次に本発明の実施の形態2について説明する。
前記実施の形態1では3次元立体回路基板の形成にあたり焼結成形により形成したが、本実施の形態では多層セラミックを用いた積層基板で構成し、凹部からなるキャビティ領域内の段差の形成を容易にするものである。図5(a)は接地線の断面を示す図、図5(b)は信号線の断面を示す図である。
本実施の形態の回路基板は、図5(a)および(b)に示すように、複数の絶縁層10a〜10h間に内部導体層21が形成されてなる積層基板110と、この積層基板110の表面に形成され且つ内部導体層21と電気的に接続された表面導体層22と、積層基板110の前記絶縁層10a〜10hの少なくとも1層を選択的に除去して形成されたキャビティ領域5とを有し、絶縁層10a〜10hのうち最上層および最下層から2層目に位置する絶縁層10g、10bが、積層基板110の積層方向に垂直な面上に突出し、空間部を介して相対向する脚部を形成しており、表面導体層22が、この脚部の突出端面に到達するように伸張し、外部接続用端子部23を構成したものである。
(Embodiment 2)
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
In the first embodiment, the three-dimensional circuit board is formed by sintering molding. However, in this embodiment, it is formed of a multilayer substrate using a multilayer ceramic, and it is easy to form a step in a cavity region formed of a recess. It is to make. FIG. 5A is a diagram showing a cross section of the ground line, and FIG. 5B is a diagram showing a cross section of the signal line.
As shown in FIGS. 5A and 5B, the circuit board according to the present embodiment includes a laminated board 110 in which an internal conductor layer 21 is formed between a plurality of insulating layers 10a to 10h, and the laminated board 110. A cavity region 5 formed by selectively removing at least one of the surface conductor layer 22 formed on the surface of the substrate and electrically connected to the internal conductor layer 21 and the insulating layers 10a to 10h of the multilayer substrate 110. Of the insulating layers 10a to 10h, the insulating layers 10g and 10b located in the second layer from the uppermost layer and the lowermost layer protrude on the plane perpendicular to the stacking direction of the stacked substrate 110, Opposing leg portions are formed, and the surface conductor layer 22 is extended so as to reach the projecting end face of the leg portion to constitute the external connection terminal portion 23.

ここで、図5(a)および(b)に示すように、絶縁層のうち最上層および最下層10h、10aと、2層目に位置する絶縁層10g、10bの端面とで形成される階段状の段差を有し、前記最上層および最下層から、2層目に位置する絶縁層10g、10bの端面近傍に露出する内部導体層21の一部を覆うように表面導体層22が形成される。   Here, as shown in FIGS. 5A and 5B, steps formed by the uppermost and lowermost layers 10h and 10a of the insulating layers and the end surfaces of the insulating layers 10g and 10b located in the second layer. A surface conductor layer 22 is formed so as to cover a part of the inner conductor layer 21 exposed in the vicinity of the end faces of the insulating layers 10g and 10b located in the second layer from the uppermost layer and the lowermost layer. The

そして、半導体チップ(図示せず)を3次元立体回路基板上に搭載した後、金属蓋3を形成した場合、図5(a)に示すように、配線パターン11のうち接地線11gとなるものは、キャビティ領域5内に突出せしめられた絶縁層10g上に形成されているため、金属蓋3を載せた時にこの接地線11gと金属蓋とが当接する。   Then, when a metal lid 3 is formed after mounting a semiconductor chip (not shown) on a three-dimensional three-dimensional circuit board, as shown in FIG. Is formed on the insulating layer 10g projecting into the cavity region 5, the ground wire 11g and the metal lid come into contact with each other when the metal lid 3 is placed.

一方、配線パターンの内信号線11sは、図5(b)に示すように、接地線11gよりも一段低い層(絶縁層10f上に形成され、ビアホールHを介して、表面導体層22に接続され外部接続端子23に接続されている。
キャビティ領域5内においては、複数の内部導体層21同士を電気的に接続するビアホールHの1つが絶縁層10cから10fの側面および絶縁層10b表面に露出しており、このビアホールの端面の内部導体層21を覆うとともに、および絶縁層10b表面の内部導体層21のように表面導体層22が形成される。そしてこの表面導体層にセンサチップ2がフリップチップ実装されている。なお信号線11sおよび接地線11gは、3次元立体回路基板の表面では内部導体層21と表面導体層22との積層膜で構成され、絶縁層内およびビアホール内では内部導体層21で構成されている。
On the other hand, as shown in FIG. 5B, the inner signal line 11s of the wiring pattern is formed on a layer that is one step lower than the ground line 11g (formed on the insulating layer 10f and connected to the surface conductor layer 22 via the via hole H). The external connection terminal 23 is connected.
In the cavity region 5, one of the via holes H that electrically connect the plurality of inner conductor layers 21 is exposed on the side surfaces of the insulating layers 10 c to 10 f and the surface of the insulating layer 10 b, and the inner conductor on the end face of the via hole A surface conductor layer 22 is formed so as to cover the layer 21 and like the inner conductor layer 21 on the surface of the insulating layer 10b. The sensor chip 2 is flip-chip mounted on the surface conductor layer. The signal line 11s and the ground line 11g are constituted by a laminated film of the inner conductor layer 21 and the surface conductor layer 22 on the surface of the three-dimensional circuit board, and are constituted by the inner conductor layer 21 in the insulating layer and the via hole. Yes.

実際には、導電ペーストが所定のパターンに印刷塗布されたセラミックス製のグリーンシートを積層した積層体を焼成することでセラミックス製の絶縁層10a乃至10hの間に複数の内部導体層21が形成されてなる積層基板110と、積層基板10の表面に形成されビアホールHを介して内部導体層21と電気的に接続された表面導体層22とを備えている。また本実施の形態では、積層基板110を厚み方向において縦横に分断することにより一枚の回路基板から複数個の回路基板を分割する構造となっている。   Actually, a plurality of internal conductor layers 21 are formed between the ceramic insulating layers 10a to 10h by firing a laminated body in which ceramic green sheets having conductive paste printed and applied in a predetermined pattern are baked. And a surface conductor layer 22 formed on the surface of the multilayer substrate 10 and electrically connected to the internal conductor layer 21 via the via hole H. In this embodiment, a plurality of circuit boards are divided from one circuit board by dividing the laminated substrate 110 vertically and horizontally in the thickness direction.

積層基板110の表裏両面にダイシング用の溝(図示せず)を縦横に形成している。さらに、各回路基板に相当する部分には、厚み方向(図5における上下方向)から見て略正方形の凹部5からなるキャビティ領域が設けられている。この凹部5は、複数層(図示例では8層)の絶縁層10cから10hを貫通する深さを有し、底面には絶縁層10aの表面が露出している。   Dicing grooves (not shown) are formed vertically and horizontally on the front and back surfaces of the multilayer substrate 110. Further, a portion corresponding to each circuit board is provided with a cavity region composed of a substantially square recess 5 when viewed from the thickness direction (vertical direction in FIG. 5). The recess 5 has a depth penetrating through a plurality of layers (eight in the illustrated example) of the insulating layers 10c to 10h, and the surface of the insulating layer 10a is exposed on the bottom surface.

次にこの回路基板の製造方法について説明する。
そしてこの回路基板は、以下の工程で形成することができる。まず、表面に内部導体層21となる導体層のパターンを形成した所定領域に穴(ビアホール)Hを有する絶縁性シート(絶縁層)を積層し、素子搭載用の凹部5を有するとともに、多層配線構造を有する積層体を形成する
この積層工程においては、絶縁性のセラミックグリーンシートにビアホール、凹部形成用穴を形成した後、内部導体層のパターンを形成し、ビアホールに導電性材料を充填しながら順次所定枚数積層し、ここでは8層の絶縁層からなる積層体を形成する。
そして、この積層体の表面および裏面に、前記最表面および最裏面の絶縁層の突出端面に到達するように伸張し、外部接続用端子部を構成するように、表面導体層を形成し、積層基板110を形成する。
Next, a method for manufacturing this circuit board will be described.
And this circuit board can be formed in the following steps. First, an insulating sheet (insulating layer) having a hole (via hole) H is laminated on a predetermined area in which a pattern of a conductor layer to be an internal conductor layer 21 is formed on the surface, and a recess 5 for mounting an element is provided. In this laminating step, via holes and recess formation holes are formed in an insulating ceramic green sheet, an internal conductor layer pattern is formed, and a conductive material is filled in the via holes. A predetermined number of layers are sequentially stacked, and here, a stacked body including eight insulating layers is formed.
Then, on the front and back surfaces of this laminate, a surface conductor layer is formed to extend to reach the protruding end faces of the insulating layers on the outermost surface and the outermost surface, and to form an external connection terminal portion. A substrate 110 is formed.

そしてこの積層基板110を、ダイシングラインに沿って分割する。   Then, the laminated substrate 110 is divided along dicing lines.

このように、積層基板を用いることで極めて容易に段差を持つ3次元立体回路基板を形成することができ、容易に信頼性の高い回路モジュールを形成することが可能となる。   In this way, a three-dimensional circuit board having a step can be formed very easily by using a laminated substrate, and a highly reliable circuit module can be easily formed.

またこの構成では、この表面導体層が、絶縁層の突出端面に到達するように伸張し、外部接続用端子部を構成するようにしているため、ダイシングが容易でかつ、実装面を揃えた、高精度の垂直実装が可能となる。なおダイシング面近傍で、空間部を形成するようにして、積層基板を形成し、ダイシングすることで、高速切断が可能でかつまっすぐな切断面を得ることができる。従って絶縁層のうちの少なくとも2層が、前記積層基板の積層方向に垂直な面上に突出し、空間部を介して相対向する脚部を形成するようにすることが可能となる。   In this configuration, since the surface conductor layer extends to reach the protruding end surface of the insulating layer and constitutes the external connection terminal portion, dicing is easy and the mounting surface is aligned. High-precision vertical mounting is possible. In addition, by forming a laminated substrate in the vicinity of the dicing surface and forming the laminated substrate and dicing, a high-speed cutting can be performed and a straight cutting surface can be obtained. Accordingly, at least two of the insulating layers protrude on a surface perpendicular to the stacking direction of the stacked substrate, and it is possible to form legs that face each other through the space.

なお、前記実施の形態1および2では、窒化アルミニウム基板からなるセラミック製の3次元立体回路基板を用いたが、このほかアルミナ、炭化ケイ素などのセラミック系材料のほか、PPS(ポリフェニレンスルフィド)、PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)、ポリフタルアミドなどの樹脂材料で形成されたものも有効である。また、3次元立体回路基板、絶縁性を有していればよく、樹脂製材料、セラミック系材料のほかに、銅やアルミニウムなどを所定形状に成形し、その上に絶縁材料を被覆したメタルコア基板、多層セラミック基板、積層樹脂基板などを用いることも可能である。   In Embodiments 1 and 2, a ceramic three-dimensional circuit board made of an aluminum nitride substrate is used. In addition to ceramic materials such as alumina and silicon carbide, PPS (polyphenylene sulfide) and PEEK are used. Those formed from resin materials such as (polyetheretherketone) and polyphthalamide are also effective. Also, a three-dimensional circuit board, a metal core board that only needs to have insulating properties, in addition to a resin material and a ceramic material, is formed into a predetermined shape such as copper or aluminum, and is coated with an insulating material. A multilayer ceramic substrate, a laminated resin substrate, or the like can also be used.

1 絶縁性基板
2 センサチップ
3 金属蓋
4 処理チップ
5 凹部(キャビティ)
6 係合部
7 ボンディングワイヤ
10 3次元立体回路基板
11 配線パターン
11g 接地線
11s 信号線
12 封止樹脂
21 内部導体層
22 表面導体層
23 外部接続用端子部
103 金属蓋
110 積層基板
111 配線パターン
1 Insulating substrate 2 Sensor chip 3 Metal lid 4 Processing chip 5 Recessed portion (cavity)
6 Engagement section 7 Bonding wire 10 3D circuit board 11 Wiring pattern 11g Ground line 11s Signal line 12 Sealing resin 21 Internal conductor layer 22 Surface conductor layer 23 External connection terminal section 103 Metal lid 110 Multilayer board 111 Wiring pattern

Claims (12)

凹部を有する絶縁性基板と、
前記絶縁性基板の前記凹部に形成された複数の配線パターンと、
前記凹部を囲む領域を封止するように形成される金属蓋と係合する係合部とを有する3次元立体回路基板であって、
前記係合部において、前記配線パターンのうち、少なくとも1本の配線パターンの表面が高く形成され前記金属蓋と当接するように形成された3次元立体回路基板。
An insulating substrate having a recess;
A plurality of wiring patterns formed in the recesses of the insulating substrate;
A three-dimensional circuit board having an engaging portion that engages with a metal lid formed so as to seal a region surrounding the recess,
In the engagement portion, a three-dimensional circuit board formed such that at least one of the wiring patterns has a high surface and is in contact with the metal lid.
請求項1に記載の3次元立体回路基板であって、
前記絶縁性基板は、配線パターンを形成する領域の一部が周囲よりも突出して形成されて突出部を形成し、前記配線パターンは金属蓋と当接する3次元立体回路基板。
The three-dimensional circuit board according to claim 1,
The insulating substrate is a three-dimensional circuit board in which a part of a region for forming a wiring pattern is formed so as to protrude from the periphery to form a protruding portion, and the wiring pattern is in contact with a metal lid.
請求項1に記載の3次元立体回路基板であって、
前記配線パターンはその一部が、周囲よりも突出して形成されて突出部を形成し、前記配線パターンは金属蓋と当接する3次元立体回路基板。
The three-dimensional circuit board according to claim 1,
A part of the wiring pattern is formed so as to protrude from the periphery to form a protruding portion, and the wiring pattern is a three-dimensional circuit board in contact with a metal lid.
請求項1乃至3のいずれかに記載の3次元立体回路基板であって、
前記突出部を形成する配線パターンは接地パターンである3次元立体回路基板。
A three-dimensional circuit board according to any one of claims 1 to 3,
A three-dimensional circuit board in which the wiring pattern forming the protruding portion is a ground pattern.
請求項1乃至5のいずれかに記載の3次元立体回路基板であって、
前記突出部を形成する配線パターンは、信号線を構成する配線パターンと隣接して形成された3次元立体回路基板。
A three-dimensional circuit board according to any one of claims 1 to 5,
The wiring pattern forming the protruding portion is a three-dimensional circuit board formed adjacent to the wiring pattern constituting the signal line.
請求項1乃至5のいずれかに記載の3次元立体回路基板であって、
前記突出部を形成する配線パターンは、少なくとも2つであり、互いに相対向する辺上に形成された3次元立体回路基板。
A three-dimensional circuit board according to any one of claims 1 to 5,
There are at least two wiring patterns that form the protrusions, and the three-dimensional circuit board is formed on opposite sides.
凹部を有する絶縁性基板と、
前記絶縁性基板の前記凹部に形成された複数の配線パターンと、
前記凹部を囲む領域を封止するように形成される金属蓋と係合する係合部とを有し、
前記係合部において、前記配線パターンのうち、少なくとも1本の接地用配線パターンの表面が高く形成された3次元立体回路基板と、
前記凹部に搭載されたチップ部品と、
前記チップ部品に接続された接地用配線パターン表面の表面が高く形成され、
前記金属蓋と当接するとともに、周囲に封止樹脂を充填した回路モジュール。
An insulating substrate having a recess;
A plurality of wiring patterns formed in the recesses of the insulating substrate;
An engagement portion that engages with a metal lid that is formed to seal the region surrounding the recess,
In the engagement portion, among the wiring patterns, at least one three-dimensional circuit board formed with a high surface of the ground wiring pattern;
A chip component mounted in the recess;
The surface of the ground wiring pattern surface connected to the chip component is formed high,
A circuit module which is in contact with the metal lid and is filled with a sealing resin.
請求項7に記載の回路モジュールであって、
前記絶縁性基板は、配線パターンを形成する領域の一部が周囲よりも突出して形成され、前記配線パターンは金属蓋と当接する回路モジュール。
The circuit module according to claim 7,
The insulating substrate is a circuit module in which a part of a region for forming a wiring pattern is formed so as to protrude from the periphery, and the wiring pattern is in contact with a metal lid.
請求項7に記載の回路モジュールであって、
前記配線パターンはその一部が、周囲よりも突出して形成され、前記配線パターンが金属蓋と当接する回路モジュール。
The circuit module according to claim 7,
A circuit module in which a part of the wiring pattern is formed so as to protrude from the periphery, and the wiring pattern is in contact with a metal lid.
請求項7乃至9のいずれかに記載の回路モジュールであって、
前記突出部を形成する配線パターンは接地パターンである回路モジュール。
A circuit module according to any one of claims 7 to 9,
A circuit module in which the wiring pattern forming the protruding portion is a ground pattern.
請求項7乃至10のいずれかに記載の回路モジュールであって、
前記突出部を形成する配線パターンは、信号線を構成する配線パターンと隣接して形成された回路モジュール。
A circuit module according to any one of claims 7 to 10,
The circuit pattern in which the wiring pattern forming the protruding portion is formed adjacent to the wiring pattern forming the signal line.
請求項7乃至11のいずれかに記載の回路モジュールであって、
前記突出部を形成する配線パターンは、少なくとも2つであり、互いに相対向する辺上に形成された回路モジュール。
The circuit module according to any one of claims 7 to 11,
There are at least two wiring patterns that form the protrusions, and the circuit module is formed on sides facing each other.
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