JP2011095143A - Infrared sensor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は赤外線センサに関し、より詳細には、赤外線を検知して、温度の測定、人・物の検出、ガス濃度の検出等をする赤外線センサであって、温度補正を精度よく高速に行える小型の赤外線センサに関する。 The present invention relates to an infrared sensor, and more specifically, an infrared sensor that detects infrared rays to measure temperature, detect people / things, detect gas concentration, etc. The present invention relates to an infrared sensor.
一般に、赤外線センサは、赤外線を検知して、対象物の温度を非接触で測定することができる。赤外線センサは、人体検出、非接触温度測定、及び大気中のガス濃度測定などの様々な用途で用いられている。従来の赤外線センサを使った温度計測の技術としては、特許文献1などが知られている。赤外線センサの視野部において樹脂と金属とをうまく組み合わせて、導光管となる金属部の温度が外界からの影響を受け難くなる構造にするとともに、視野部からの直接の影響を補正するために補正用温度計を視野部へ設けることにより、高精度な温度センサを実現している。また、特許文献2及び特許文献3のように、動的にパッケージの温度を制御して赤外線センサの温度変化を極力減らすような手法が知られている。また、特許文献4のようにサーミスタを複数利用して導光管の影響を補正する手法が知られている。
In general, an infrared sensor can detect infrared rays and measure the temperature of an object in a non-contact manner. Infrared sensors are used in various applications such as human body detection, non-contact temperature measurement, and atmospheric gas concentration measurement. As a temperature measurement technique using a conventional infrared sensor,
一般に、精度の高い温度計及び人感センサを実現するために、焦電センサ又はサーモパイル等の赤外線センサ素子をCANパッケージに入れ、さらに熱伝導性を高めるためにその周囲を金属ブロックなどで覆うことにより、比較的大型な構造となることが知られている。 In general, in order to realize a highly accurate thermometer and human sensor, an infrared sensor element such as a pyroelectric sensor or a thermopile is placed in a CAN package, and its periphery is covered with a metal block or the like to further increase thermal conductivity. Thus, it is known that the structure becomes relatively large.
このように、高精度の温度計及び人感センサにおいては、焦電センサ又はサーモパイル等の赤外線センサ素子を熱容量の大きいCANパッケージに内蔵したものを利用されることが多い。これらの周辺部には、赤外線センサの受光面に対して入射する赤外線の角度を制限するサイズ及び熱容量の大きい視野制限物、並びにヒートシンク等の外付け部品を装着しなければならず、小型化をすることが困難であった。 As described above, high-accuracy thermometers and human sensors are often used in which an infrared sensor element such as a pyroelectric sensor or a thermopile is incorporated in a CAN package having a large heat capacity. These peripheral parts must be equipped with external size components that limit the angle of infrared rays incident on the light receiving surface of the infrared sensor and have a large heat capacity, and external parts such as a heat sink. It was difficult to do.
本発明は、非接触温度計用途、人感センサ用途、ガスセンサ用途等で用いる赤外線センサであって、小型で高速かつ高精度な温度補償が可能な赤外線センサを提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an infrared sensor that is used for non-contact thermometer applications, human sensor applications, gas sensor applications, and the like, and is small, capable of temperature compensation with high speed and high accuracy.
このような課題を解決するために、請求項1に記載の赤外線センサは、温度センサ素子と、外部からの赤外線を受光する量子型の赤外線センサ素子と、前記赤外線センサ素子と前記温度センサ素子とを包み込む樹脂パッケージと、赤外線を前記赤外線センサ素子の受光面に導くように前記樹脂パッケージに設けられた開口部分とを備えることを特徴とする。
In order to solve such a problem, the infrared sensor according to
請求項2に記載の赤外線センサは、請求項1に記載の赤外線センサであって、前記温度センサ素子は、前記赤外線センサ素子と接するように配置されていることを特徴とする。 An infrared sensor according to a second aspect is the infrared sensor according to the first aspect, wherein the temperature sensor element is disposed in contact with the infrared sensor element.
請求項3に記載の赤外線センサは、請求項1又は2に記載の赤外線センサであって、前記開口部分の側面は、前記赤外線センサ素子と熱的に結合された金属フレームで覆われていることを特徴とする。
The infrared sensor according to
請求項4に記載の赤外線センサは、請求項1又は2に記載の赤外線センサであって、前記開口部分の側面を囲むように、前記赤外線センサ素子と熱的に結合された樹脂層を設け、前記樹脂層は、前記樹脂層の周囲の前記樹脂パッケージの樹脂より熱伝導率が高いことを特徴とする。
The infrared sensor according to
請求項5に記載の赤外線センサは、請求項1から4のいずれかに記載の赤外線センサであって、前記樹脂パッケージの前記開口部分の深さを5mm以下としたことを特徴とする。 An infrared sensor according to a fifth aspect is the infrared sensor according to any one of the first to fourth aspects, wherein a depth of the opening portion of the resin package is 5 mm or less.
請求項6に記載の赤外線センサは、請求項1から5のいずれかに記載の赤外線センサであって、前記樹脂パッケージにおいて前記開口部分を有する面に対向する面以外の面のいずれかの場所に、前記赤外線センサ素子及び前記温度センサ素子を外部に露出させないように切り欠けられた複数の切り欠け部を設けることを特徴とする。
The infrared sensor according to
本発明に係る赤外線センサは、サイズ及び熱容量の大きい視野制限物、並びにヒートシンク等を装着する必要がないため、赤外線センサ全体を小型化することができる。そのため、特別な光学系を用意することなく、本願発明に係る赤外線センサ及び後処理の信号処理系だけで、非常に小型の非接触温度計を構成することができる。したがって、PDA端末、携帯電話、腕時計及び小型電子機器などに容易に非接触温度計を組み込むことができる。さらに、使用する赤外線センサがサーモパイル又は焦電センサ等のような熱型の赤外線センサでなく、量子型の赤外線センサであるため、センサ自身の応答性が高速であり、熱容量の大きいCANパッケージを必要としないことにより、赤外線センサ自身の温度も変化も速いため、赤外線センサとパッケージの温度の追随性がよく、温度補正を高速かつ精度よく行うことができる。 The infrared sensor according to the present invention does not need to be fitted with a field-of-view limiter having a large size and a large heat capacity, and a heat sink, so that the entire infrared sensor can be miniaturized. Therefore, a very small non-contact thermometer can be configured only by the infrared sensor and the post-processing signal processing system according to the present invention without preparing a special optical system. Therefore, a non-contact thermometer can be easily incorporated in a PDA terminal, a mobile phone, a wristwatch, a small electronic device, and the like. Furthermore, since the infrared sensor to be used is not a thermal infrared sensor such as a thermopile or pyroelectric sensor, but a quantum infrared sensor, the sensor itself has a high responsiveness and requires a CAN package with a large heat capacity. In this case, since the temperature and change of the infrared sensor itself are fast, the temperature between the infrared sensor and the package is good and temperature correction can be performed at high speed and with high accuracy.
本発明に係る赤外線センサは、開口部分の側面を覆うように、量子型赤外線センサ素子と熱的に結合された金属フレームを設けることにより、量子型赤外線センサ素子と樹脂パッケージとの間の熱伝導性を高めることができ、量子型赤外線センサ素子と開口部分の温度の追随性がよいため、温度補正を高速に精度よく行うことができる。 The infrared sensor according to the present invention provides a heat conduction between the quantum infrared sensor element and the resin package by providing a metal frame thermally coupled to the quantum infrared sensor element so as to cover the side surface of the opening. The temperature can be improved, and the temperature of the quantum infrared sensor element and the opening portion can be well tracked, so that temperature correction can be performed at high speed and with high accuracy.
本発明に係る赤外線センサは、開口部分の側面を囲むように量子型赤外線センサ素子と熱的に結合された樹脂層を設け、該樹脂層がその周囲の樹脂パッケージの樹脂より熱伝導率が高くなるような構成とすることにより、外部の影響を受け難い赤外線センサを構成することができる。 The infrared sensor according to the present invention is provided with a resin layer thermally coupled to the quantum infrared sensor element so as to surround the side surface of the opening, and the resin layer has a higher thermal conductivity than the resin of the surrounding resin package. By adopting such a configuration, it is possible to configure an infrared sensor that is less susceptible to external influences.
本発明に係る赤外線センサは、樹脂パッケージの開口部分の深さを5mm以下とすることにより、量子型赤外線センサ素子と樹脂パッケージとの間の熱伝導率を高め、量子型赤外線センサ素子と樹脂パッケージとの温度差を少なくすることができ、温度補正を高速に精度よく行うことができる。 The infrared sensor according to the present invention increases the thermal conductivity between the quantum infrared sensor element and the resin package by setting the depth of the opening portion of the resin package to 5 mm or less, and the quantum infrared sensor element and the resin package. And temperature correction can be performed at high speed and with high accuracy.
本発明に係る赤外線センサは、樹脂パッケージの表面に切り欠け部を設け、外気との接触面をさらに増加させることによって、赤外線センサ素子自身の温度と樹脂パッケージ部とが常に同じ温度となる。その結果、樹脂パッケージに内蔵した温度センサ素子のみで必要な赤外線センサ素子の温度補正を迅速かつ精度よく行うことができる。 In the infrared sensor according to the present invention, by providing a notch portion on the surface of the resin package and further increasing the contact surface with the outside air, the temperature of the infrared sensor element itself and the resin package portion are always the same temperature. As a result, the necessary temperature correction of the infrared sensor element can be performed quickly and accurately with only the temperature sensor element incorporated in the resin package.
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
図1は、本発明に係る赤外線センサの斜視図である。図2は、本発明に係る赤外線センサの断面図である。図1、2に示すように、本発明に係る赤外線センサは、樹脂パッケージ1と、樹脂パッケージ1内に包み込まれた量子型赤外線センサ素子4及び温度センサ素子5とを備える。樹脂パッケージ1には、開口部分2が設けられている。
FIG. 1 is a perspective view of an infrared sensor according to the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view of an infrared sensor according to the present invention. As shown in FIGS. 1 and 2, the infrared sensor according to the present invention includes a
量子型赤外線センサ素子4及び温度センサ素子5は、薄型の樹脂パッケージ1に埋め込まれている。温度センサ素子5は、量子型赤外線センサ素子4に近接するように配置されている。開口部分2は、量子型赤外線センサ素子4の受光面3上の樹脂パッケージ1をくり貫くことによって設けられる。この開口部分2は、量子型赤外線センサ素子4の受光面3へ光を導く導光管及び視野を絞る視野制限部の役割を果たす。開口部分2の形状は特に制限がなく、四角形でも丸型でもよい。後述するように、必要に応じて、開口部分2を塞ぐように樹脂パッケージ1に薄膜の光学フィルタを取り付けてもよい。開口部分2は、複数あってもよく、開口部分2の深さは、数mm以下である。
The quantum
本発明に係る赤外線センサは、赤外線センサ素子の信号を増幅し、温度センサ素子からの温度信号から一意に決めた値を加減する信号処理回路と、信号処理回路とのインターフェース用の端子(図示せず)を備える。ここで、信号処理回路とは、赤外線センサ素子からの信号を増幅するとともに、温度センサ素子からの温度信号に基づき、補正演算を行う回路である。これにより、温度センサ素子の出力から赤外線センサ素子の出力の温度補正を容易に行うことができる。 An infrared sensor according to the present invention amplifies a signal of an infrared sensor element and adjusts a value uniquely determined from a temperature signal from the temperature sensor element, and a terminal for interface with the signal processing circuit (not shown) Prepared). Here, the signal processing circuit is a circuit that amplifies a signal from the infrared sensor element and performs a correction operation based on the temperature signal from the temperature sensor element. Thereby, temperature correction of the output of an infrared sensor element can be easily performed from the output of a temperature sensor element.
また、本発明に係る赤外線センサは、樹脂パッケージ1内に、量子型赤外線センサ素子4及び温度センサ素子5の信号を取り出す端子(図示せず)を備える構成としてもよい。つまり、信号処理回路部を別パッケージとしてもよい。
In addition, the infrared sensor according to the present invention may have a configuration in which a terminal (not shown) for extracting signals from the quantum
さらに、後述するように、樹脂パッケージ1に切り欠き部分を複数設けた構造にしてもよい。これにより、表面積を大きくすることができ、より効果的に樹脂パッケージ1の温度と量子型赤外線センサ素子4の温度とを同一にすることができる。
Furthermore, as will be described later, the
さらに、開口部分2の最上部から樹脂パッケージ1の底部までの高さは、10mm以下とすることができる。これにより、パッケージの熱容量を小さくできることに加え、十分な視野制限を確保でき、近距離の非接触温度計としての使用が可能となる。
Furthermore, the height from the top of the
以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施例について説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
図3は、本発明の実施例1に係る赤外線センサの断面図である。上記のように、量子型赤外線センサ素子4と温度センサ素子5とを薄型の樹脂パッケージ1に埋め込み、量子型赤外線センサ素子4の受光面3を露出するように樹脂パッケージ1に開口部分2を設ける。開口部分2は、視野制限部の役割を果たす。樹脂パッケージ1は、開口部分2の深さが5mm以下になるような薄型の樹脂パッケージ1とする。このような薄型の樹脂パッケージ1を用いることにより、開口部分2の側面の樹脂パッケージ1と量子型赤外線センサ素子4との温度差を小さくすることができる。図3では、開口部分2を塞ぐように、樹脂パッケージ1に5μm以下の波長をカットする光学フィルタが取りつけられている。量子型赤外線センサ素子4には、InSbを用いた室温動作型の赤外線センサ素子を用いた。
FIG. 3 is a cross-sectional view of the infrared sensor according to
図3のように、開口部分2の側面を囲むように、量子型赤外線センサ素子4と熱的に結合された熱伝導性の高い樹脂層又は金属フレーム8を設けることができる。熱伝導性の高い樹脂層又は金属フレーム8において熱伝導性の高い樹脂をする場合、通常のPPS樹脂の熱伝導率は、0.4W/m・K程度であるが、樹脂に金属フィラーを入れるなどして、熱伝導率を数W/m・Kまで高めた樹脂が知られており、それを利用してもよい。
As shown in FIG. 3, a resin layer or
さらに、近年では熱伝導率が25W/m・K程度まで高められた樹脂も知られている。そのような熱伝導性の高い樹脂を開口部分2の側面を囲むように設けることで、量子型赤外線センサ素子4の温度と開口部分2の側面の温度とをほぼ同じにすることができる。これにより、量子型赤外線センサ素子4と樹脂パッケージ1との間の熱伝導性を高めることができ、温度補正を高速に精度よく行うことができる。熱伝導性の高い樹脂層又は金属フレーム8において金属フレームを使用する場合も同様に、量子型赤外線センサ素子4と樹脂パッケージ1との間の熱伝導性を高めることができ、量子型赤外線センサ素子4と開口部分の温度の追随性がよいため、温度補正を高速に精度よく行うことができる。
Furthermore, in recent years, resins having a thermal conductivity increased to about 25 W / m · K are also known. By providing such a resin with high thermal conductivity so as to surround the side surface of the
外部からの熱伝導の影響を抑えるために、開口部分2の側面に、赤外線センサ素子と熱的に結合された特定の樹脂層を設け、その特定の樹脂層がその周囲の樹脂パッケージ1の樹脂より熱伝導率が高くなるような構成としてもよい。例えば、開口部分2の側面を囲むように熱伝導性の高い樹脂層を設け、それ以外の部分の樹脂パッケージ1には、熱伝導性の悪い樹脂を使用することができる。これにより、外部の影響を受け難い赤外線センサを構成することができる。
In order to suppress the influence of heat conduction from the outside, a specific resin layer thermally coupled to the infrared sensor element is provided on the side surface of the
このような熱伝導性の高い樹脂又は金属フレーム8は、はじめに、熱伝導性の高い樹脂又は金属フレーム8以外の部分を一体でモールド成型した後、熱伝導性の高い樹脂又は金属フレーム8を別途モールドした筒状のものを後付けで挿入・貼り付けし、組み込むことによって設けることができる。また、最初に量子型赤外線センサ素子4と熱伝導性の高い樹脂又は金属フレーム8のモールド部品とを張り合わせておき、後で一体成型することによって設けてもよい。
Such a resin or
外部の温度の影響は受けやすくとも、量子型赤外線センサ素子4の温度と開口部分2の側面の樹脂パッケージ1の温度とが同じになりやすければ、高速な温度モニターにより量子型赤外線センサ素子4の温度特性を高速に補正することができる。
If the temperature of the quantum
図4は、樹脂パッケージ1の内部の温度と外部の温度とが均一になるように、樹脂パッケージ1のサイズを可能な限り小型化した例である。視野制限部を残して、パッケージ樹脂1の厚さを薄くすることにより、パッケージ樹脂1から量子型赤外線センサ素子4への熱伝導効率を上げるような構造となる。図示はしていないが、信号取り出し用にリード線及びパッドを備えている。図4のような構造では、外部の温度の影響は受けやすいが、量子型赤外線センサ素子4と開口部分2の側面の樹脂パッケージ1との間に温度差を生じにくいので、量子型赤外線センサ素子4の温度特性を高速に補正することが可能である。以下、外部の温度の影響は受けやすいが、量子型赤外線センサ素子4と開口部分2の側面の樹脂パッケージ1との間に温度差を生じにくい構造の例について説明する。
FIG. 4 shows an example in which the size of the
以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施例について説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
図5は、本発明の実施例2に係る赤外線センサの断面図である。上記のように、量子型赤外線センサ素子4と温度センサ素子5とを薄型の樹脂パッケージ1に埋め込み、量子型赤外線センサ素子4の受光面3を露出するように樹脂パッケージ1に開口部分2を設ける。開口部分2は、視野制限部の役割を果たす。樹脂パッケージ1において開口部分2が設けられている面のいずれかの場所に、量子型赤外線センサ素子4近傍まで切り欠き部分7を設ける。このように、切り欠き部分を設けて外部との接触面をさらに増加させることによって、開口部分2の側面の樹脂パッケージ1と量子型赤外線センサ素子4との温度差が少なくなるような構造となる。
FIG. 5 is a cross-sectional view of an infrared sensor according to
量子型赤外線センサ素子4及び開口部分2の側面の樹脂パッケージ1の温度を高速で追従する必要があるため、開口部分2の側面に熱伝導性の高い樹脂又は金属フレーム8を設け、量子型赤外線センサ素子4と熱的に結合するとよい。開口部分2の側面の熱伝導性の高い樹脂又は金属フレーム8以外の樹脂パッケージ1の材質としては、熱伝導性の悪い樹脂(通常の樹脂)を使用する。また、切り込み部分7の周囲に、部分的に熱伝導性の高い樹脂又は金属フレーム8を設けてもよい。好ましくは、切り込み部分7と量子型赤外線センサ素子4とを繋ぐように、熱伝導性の高い樹脂又は金属フレーム8を設けるとよい。切り欠き部分7を設けることによって、開口部分2の側面と量子型赤外線センサ素子4との温度差が少なくなるため、開口部分2の側面の樹脂パッケージ1の温度と量子型赤外線センサ素子4の温度との追随性がよく、温度補正を高速かつ精度よく行うことができる。
Since it is necessary to follow the temperature of the
必要に応じて、開口部分2を塞ぐように樹脂パッケージ1に光学フィルタ6を取りつけてもよい。
If necessary, the
以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施例について説明する。図6は、本発明の実施例3に係る赤外線センサの断面図である。上記のように、量子型赤外線センサ素子4と温度センサ素子5を薄型の樹脂パッケージ1に埋め込み、量子型赤外線センサ素子4の受光面3を露出するように樹脂パッケージ1に開口部分2を設ける。開口部分2は、視野制限部の役割を果たす。樹脂パッケージ1において開口部分2が設けられている面及び樹脂パッケージ1において開口部分2を有する面と対向する面以外の面のいずれかの場所に、量子型赤外線センサ素子4近傍まで切り欠き部分7を設ける。このように、切り欠き部分を設けて外部との接触面をさらに増加させることによって、開口部分2の側面の樹脂パッケージ1と量子型赤外線センサ素子4との温度差が少なくなるような構造となる。
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 6 is a cross-sectional view of an infrared sensor according to
実施例2で説明したように、開口部分2の側面に熱伝導性の高い樹脂又は金属フレーム8を設け、量子型赤外線センサ素子4と熱的に結合するとよい。開口部分2の側面の熱伝導性の高い樹脂又は金属フレーム8以外の樹脂パッケージ1の材質としては、熱伝導性の悪い樹脂(通常の樹脂)を使用する。また、切り込み部分7の周囲に、部分的に熱伝導性の高い樹脂又は金属フレーム8を設けてもよい。好ましくは、切り込み部分7と量子型赤外線センサ素子4とを繋ぐように、熱伝導性の高い樹脂又は金属フレーム8を設けるとよい。
As described in the second embodiment, a resin or
また、実施例2と併せて、樹脂パッケージ1において開口部分2を有する面と対向する面以外の面のいずれかの場所に、量子型赤外線センサ素子4近傍まで切り欠き部分7を設けてもよい。
Further, in combination with the second embodiment, the
切り欠き部分7を設けることによって、開口部分2の側面の樹脂パッケージ1と量子型赤外線センサ素子4との温度差が少なくなるため、開口部分2の側面の温度と量子型赤外線センサ素子4の温度との追随性がよく、温度補正を高速かつ精度よく行うことができる。
By providing the
必要に応じて、開口部分2を塞ぐように樹脂パッケージ1に光学フィルタ6を取りつけてもよい。
If necessary, the
1 樹脂パッケージ
2 開口部分
3 受光部
4 量子型赤外線センサ素子
5 温度センサ素子
6 光学フィルタ
7 切り欠き部分
8 熱伝導性の高い樹脂又は金属フレーム
DESCRIPTION OF
Claims (6)
外部からの赤外線を受光する量子型の赤外線センサ素子と、
前記赤外線センサ素子と前記温度センサ素子とを包み込む樹脂パッケージと、
赤外線を前記赤外線センサ素子の受光面に導くように前記樹脂パッケージに設けられた開口部分と
を備えることを特徴とする赤外線センサ。 A temperature sensor element;
A quantum-type infrared sensor element that receives infrared rays from the outside;
A resin package enclosing the infrared sensor element and the temperature sensor element;
An infrared sensor, comprising: an opening provided in the resin package so as to guide infrared light to a light receiving surface of the infrared sensor element.
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|---|---|
| JP (1) | JP2011095143A (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013185874A (en) * | 2012-03-06 | 2013-09-19 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | Infrared detector |
| WO2013150718A1 (en) * | 2012-04-06 | 2013-10-10 | パナソニック株式会社 | Illuminating light source |
| JP2015197311A (en) * | 2014-03-31 | 2015-11-09 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | Infrared sensor |
| WO2021062436A1 (en) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | The Procter & Gamble Company | Systems and methods for thermal radiation detection |
| CN113447132A (en) * | 2020-03-27 | 2021-09-28 | 维沃移动通信有限公司 | Electronic equipment |
| US11592336B2 (en) | 2019-09-27 | 2023-02-28 | The Procter & Gamble Company | Systems and methods for thermal radiation detection |
| US11709130B2 (en) | 2020-10-09 | 2023-07-25 | Asahi Kasel Microdevices Corporation | Signal output apparatus and concentration measurement system |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6351469U (en) * | 1986-09-20 | 1988-04-07 | ||
| JP2005150393A (en) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Sharp Corp | Light emitting / receiving element submount |
| WO2006095834A1 (en) * | 2005-03-09 | 2006-09-14 | Asahi Kasei Emd Corporation | Optical device and optical device manufacturing method |
| JP2009021307A (en) * | 2007-07-10 | 2009-01-29 | Sharp Corp | Semiconductor device, imaging device, and manufacturing method thereof |
| JP2009123804A (en) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Sharp Corp | SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, POWER CONTROL DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND MODULE |
-
2009
- 2009-10-30 JP JP2009250285A patent/JP2011095143A/en active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6351469U (en) * | 1986-09-20 | 1988-04-07 | ||
| JP2005150393A (en) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Sharp Corp | Light emitting / receiving element submount |
| WO2006095834A1 (en) * | 2005-03-09 | 2006-09-14 | Asahi Kasei Emd Corporation | Optical device and optical device manufacturing method |
| JP2009021307A (en) * | 2007-07-10 | 2009-01-29 | Sharp Corp | Semiconductor device, imaging device, and manufacturing method thereof |
| JP2009123804A (en) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Sharp Corp | SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, POWER CONTROL DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND MODULE |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013185874A (en) * | 2012-03-06 | 2013-09-19 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | Infrared detector |
| WO2013150718A1 (en) * | 2012-04-06 | 2013-10-10 | パナソニック株式会社 | Illuminating light source |
| JP5576989B2 (en) * | 2012-04-06 | 2014-08-20 | パナソニック株式会社 | Light source for illumination |
| JP2015197311A (en) * | 2014-03-31 | 2015-11-09 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | Infrared sensor |
| WO2021062436A1 (en) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | The Procter & Gamble Company | Systems and methods for thermal radiation detection |
| US11585697B2 (en) | 2019-09-27 | 2023-02-21 | The Procter & Gamble Company | Systems and methods for thermal radiation detection |
| US11592336B2 (en) | 2019-09-27 | 2023-02-28 | The Procter & Gamble Company | Systems and methods for thermal radiation detection |
| US11906362B2 (en) | 2019-09-27 | 2024-02-20 | The Procter & Gamble Company | Systems and methods for thermal radiation detection |
| US12025500B2 (en) | 2019-09-27 | 2024-07-02 | The Procter & Gamble Company | Systems and methods for thermal radiation detection |
| US12117345B2 (en) | 2019-09-27 | 2024-10-15 | The Procter & Gamble Company | Systems and methods for thermal radiation detection |
| CN113447132A (en) * | 2020-03-27 | 2021-09-28 | 维沃移动通信有限公司 | Electronic equipment |
| US11709130B2 (en) | 2020-10-09 | 2023-07-25 | Asahi Kasel Microdevices Corporation | Signal output apparatus and concentration measurement system |
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