JP2011086788A - 高周波用磁性材料及び高周波デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】磁性粒子に関する条件を最適化することで、高周波用磁性材料の低損失化を実現すること。
【解決手段】磁性粒子が樹脂材料中に分散されてなる高周波用磁性材料であって、磁性粒子は略球形であり、樹脂材料に磁性粒子は１〜６０ｖｏｌ％含まれており、磁性粒子の飽和磁束密度は１テスラ以上であり、磁性粒子の磁気異方性定数は、立方晶系材料ではＫ１＜±８００×１０^３（Ｊ／ｍ^３）、一軸異方性材料ではＫｕ＜±４００×１０^３（Ｊ／ｍ^３）である。
【選択図】図２

Description

本発明は、高周波磁用性材料及び高周波デバイスに関する。

従来から、磁性材料は、各種磁気応用製品に用いられている。このような磁性材料のうち、弱い磁界で大きな磁化の変化をする材料をソフト磁性材料という。

ソフト磁性材料は、材料の種別から金属系材料、アモルファス材料、酸化物材料に分類される。ソフト磁性材料のうち、周波数がＭＨｚ以上の高周波では、抵抗率が高く、うず電流損失を抑制できる酸化物材料（フェライト材料）が用いられている。例えば、高周波で用いられるフェライト材料として、Ｎｉ−Ｚｎフェライト材料などが知られている。

このようなフェライト材料を含むソフト磁性材料では、１ＧＨｚ程の高周波において、磁気共鳴に伴う複素透磁率実部Ｒｅ（μ）の減衰と複素透磁率虚部Ｉｍ（μ）の増加が生じる。このうち、複素透磁率虚部Ｉｍ（μ）は、Ｐ＝１／２・ωμ_０Ｉｍ（μ）Ｈ^２で表されるエネルギー損失Ｐを生じさせるため、複素透磁率虚部Ｉｍ（μ）が高い値であることは、磁心あるいはアンテナといった応用の上では実用上好ましくない。ここで、ωは角周波数、μ_０は、真空の透磁率、Ｈは磁界の強さを示す。
一方、複素透磁率実部Ｒｅ（μ）は、電磁波を集める効果あるいは電磁波に対する波長短縮効果の大きさを示す値であるため、高い値であることが実用上好ましい。

また、磁性材料のエネルギー損失（磁気損失）を表す指標として、タンジェントデルタ（ｔａｎδ＝Ｉｍ（μ）／Ｒｅ（μ））が用いられる場合もある。タンジェントデルタが大きい値であると、磁性材料中で磁気エネルギーが熱エネルギーに変換され、必要なエネルギーの伝達効率が悪化する。このため、タンジェントデルタは低い値であることが好ましい。以下、磁気損失をタンジェントデルタ（ｔａｎδ）として説明する。

ソフト磁性材料には、高周波帯（ＧＨｚ帯）においてもｔａｎδの低い薄膜材料が存在する。例えば、Ｆｅ基高電気抵抗軟磁性膜やＣｏ系高電気抵抗膜といった薄膜材料が存在する。しかし、薄膜材料はその体積が小さいがゆえに、適用範囲が制限されてしまう。加えて、薄膜作成のプロセスが複雑であり高価な設備を使用しなければならないという問題がある。

このような問題を解決するために、樹脂中に磁性材料を分散させた複合磁性材料に対して、樹脂成型技術を適用した例がある。例えば、ナノ結晶軟磁性体材料を粉末として得たものを樹脂と複合することによって、広帯域における電波吸収特性に優れている電磁波吸収体を提供する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開平１１−３５４９７３号公報

樹脂成型技術を用いて、高周波用の各種磁気応用製品に適用可能な磁性材料（高周波用磁性材料）を成型する場合、磁性粒子に関する条件（磁性粒子の形状、磁性粒子の樹脂への含有量、磁性粒子の飽和磁化及び磁性粒子の磁気異方性定数）は、ｔａｎδの低下（低損失化）を実現するために重要なパラメータである。
このため、磁性粒子に関する条件を最適化することで、高周波用磁性材料の低損失化を実現する要請があった。

本発明の課題は、磁性粒子に関する条件を最適化することで、高周波用磁性材料の低損失化を実現することである。

上記課題を解決するため、請求項１に記載の発明の高周波用磁性材料は、
磁性粒子が樹脂材料中に分散されてなる高周波用磁性材料であって、
前記磁性粒子は略球形であり、前記樹脂材料に前記磁性粒子は１〜６０ｖｏｌ％含まれており、前記磁性粒子の飽和磁束密度は１Ｔ以上であり、前記磁性粒子の磁気異方性定数は、立方晶系材料ではＫ１＜±８００×１０^３（Ｊ／ｍ^３）、一軸異方性材料ではＫｕ＜±４００×１０^３（Ｊ／ｍ^３）である。

請求項２に記載の発明の高周波用磁性材料は、
磁性粒子が樹脂材料中に分散されてなる高周波用磁性材料であって、
前記磁性粒子は略球形であり、平均粒径ｄが０．１＜ｄ＜１（μm）であり、かつ各粒径における相対粒子体積ｆ(ｄ)が、Σ｛ｆ（ｄ）・ｄ^２｝ ＜ ６．７×１０^−１２なる関係を満たす。

請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の高周波用磁性材料において、
前記磁性粒子は、扁平率が０．３６から２．５０である。

請求項４に記載の発明の高周波デバイスは、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の高周波用磁性材料を適用したアンテナ、回路基板及びインダクタの少なくとも１つからなる。

本発明によれば、磁性粒子に関する条件を最適化することで、高周波用磁性材料の低損失化を実現することができる。

磁性粒子の粒径に対する透磁率Ｒｅ（μ）の計算結果を示した図である。 磁性粒子の粒径に対する透磁率Ｒｅ（μ）及びｔａｎδの計算結果を示した図である。 （Ａ）は、磁性粒子の直径（ｄ）と厚さ（ｔ）とを示した図である。（Ｂ）は、磁性粒子の扁平率に対する透磁率Ｒｅ（μ）及びｔａｎδの計算結果を示した図である。 磁性粒子の飽和磁束密度に対する透磁率Ｒｅ（μ）及びｔａｎδの計算結果を示した図である。 磁性粒子が立方晶系の場合における磁気異方性定数Ｋ１に対する透磁率Ｒｅ（μ）及びｔａｎδの計算結果を示した図である。 磁性粒子が一軸異方性材料の場合における磁気異方性定数Ｋｕに対する透磁率Ｒｅ（μ）及びｔａｎδの計算結果を示した図である。 樹脂に対する磁性粒子の充填率を変えた場合の高周波用磁性材料の透磁率Ｒｅ（μ_{ｃｏｍｐ．}）及びｔａｎδ_{ｃｏｍｐ．}の計算結果を示した図である。 従来の高周波用磁性材料と、本発明の高周波用磁性材料とにおける透磁率Ｒｅ（μ_{ｃｏｍｐ．}）及びｔａｎδ_{ｃｏｍｐ．}を示した図である。 高周波用磁性材料を適用したアンテナの一例を示した図である。 高周波用磁性材料を適用したアンテナの一例を示した図である。 高周波用磁性材料を適用したインダクタの一例を示した図である。 高周波用磁性材料を適用した回路基板の一例を示した図である。

以下、添付図面を参照して、本発明に係る実施の形態を詳細に説明する。ただし、発明の範囲は、図示例に限定されない。

先ず、図１及び図２を参照して、複素透磁率実部Ｒｅ（μ）及びｔａｎδの計算結果について説明する。

図１及び図２に示す複素透磁率実部Ｒｅ（μ）及びｔａｎδの計算においては、材料はＦｅ（鉄）、磁性材料の形状は球形、周波数は１ＧＨｚとし、磁性粒子の孤立粒子単体の特性を計算した。ここで、高周波の複素比透磁率（高周波複素比透磁率）μ＝Ｒｅ（μ）−ｊ・Ｉｍ（μ）（ｊは、虚数単位）、ｔａｎδ＝Ｉｍ（μ）／Ｒｅ（μ）で定義される。通常用いられる比透磁率とは複素比透磁率の実部Ｒｅ（μ）に相当する。以下、本実施の形態では、単に透磁率Ｒｅ（μ）として説明する。

図１は、磁性粒子の粒径に対する透磁率Ｒｅ（μ）の計算結果を示した図である。横軸は磁性粒子の粒径を示す。縦軸は透磁率Ｒｅ（μ）を示す。透磁率Ｒｅ（μ）の計算は、マイクロマグネティックシミュレーションを用いた。マイクロマグネティックシミュレーションでは、高周波磁界に対する磁化応答をフーリエ変換し、複素磁化率χ＝Ｒｅ（χ）−ｊ・Ｉｍ（χ）を求め、透磁率Ｒｅ（μ）＝１＋Ｒｅ（χ）として求めた。

上記条件に基づいて計算を行うと、図１に示すように、磁性粒子の粒径が０．１〜１μｍにおいて、透磁率Ｒｅ（μ）は、ほぼ一定値「７」となった。

図２は、磁性粒子の粒径に対するｔａｎδの計算結果を示した図である。横軸は磁性粒子の粒径を示す。縦軸はｔａｎδを示す。ｔａｎδは磁気損失成分（ｔａｎδｍ）と、うず電流損失成分（ｔａｎδｅ）とを分離して計算した。このうち、磁気損失成分（ｔａｎδｍ）の計算はマイクロマグネティックシミュレーションを用いて計算した。また、うず電流損失成分（ｔａｎδｅ）の計算はｔａｎδｅ＝πｄ^２μ_０Ｒｅ（μ）ｆ／ｃρ（ｄ：粒径、μ_０：真空の透磁率、Ｒｅ（μ）：透磁率、ｆ：周波数（１ＧＨｚ）、ｃ：形状係数（球形では２０）、ρ：抵抗率）を用いて計算した。そして、磁気損失成分と、うず電流損失成分とを合算した値をｔａｎδとして計算した。

上記条件に基づいて計算を行うと、図２に示すように、粒径０．１〜１μｍにおいて、ｔａｎδ＝０．１以下の値が得られる。また、粒径が０．２〜０．５μｍの範囲では、ｔａｎδ＝０．０５以下といった、より低い値が得られる。

次に、図３を参照して、磁性粒子の扁平率に対する透磁率Ｒｅ（μ）及びｔａｎδの特性（計算結果）について説明する。扁平率は、図３（Ａ）に示す磁性粒子の直径（ｄ）／厚さ（ｔ）に相当する。図３（Ｂ）の横軸は扁平率（ｄ／ｔ）を示す。縦軸は１ＧＨｚにおける透磁率Ｒｅ（μ）及びｔａｎδの値を示す。図３（Ｂ）に示すように、扁平率０．３６〜２．５０の範囲において、ｔａｎδは約０．１以下の低い値を示す。

次に、図４を参照して、磁性粒子の飽和磁束密度に対する透磁率Ｒｅ（μ）及びｔａｎδの特性について説明する。図４の横軸は、磁性粒子の飽和磁束密度の値Ｍｓ（Ｔ）を示す。縦軸は１ＧＨｚにおける透磁率Ｒｅ（μ）及びｔａｎδの値を示す。図４に示すように、飽和磁束密度が１Ｔ以上の場合、ｔａｎδは約０．１以下の低い値を示す。

次に、図５及び図６を参照して、磁気異方性定数に対する透磁率Ｒｅ（μ）及びｔａｎδの特性について説明する。図５は、磁性粒子が立方晶系の場合における磁気異方性定数Ｋ１に対する透磁率Ｒｅ（μ）及びｔａｎδの特性を示した図である。図５の横軸は立方晶系材料における磁気異方性定数Ｋ１を示す。縦軸は１ＧＨｚにおける透磁率Ｒｅ（μ）及びｔａｎδの値を示す。図５に示すように、磁気異方性定数Ｋ１＜±８００×１０^３（Ｊ／ｍ^３）の範囲内では、ｔａｎδは約０．１以下の低い値を示す。

図６は、磁性粒子が一軸異方性材料の場合における磁気異方性定数Ｋｕに対する透磁率Ｒｅ（μ）及びｔａｎδの特性を示した図である。図６の横軸は一軸異方性材料における磁気異方性定数Ｋｕを示す。縦軸は１ＧＨｚにおける透磁率Ｒｅ（μ）及びｔａｎδの値を示す。図６に示すように、磁気異方性定数Ｋｕ＜±４００×１０^３（Ｊ／ｍ^３）の範囲内では、ｔａｎδは約０．１以下の低い値を示す。

次に、図７を参照して、樹脂への磁性粒子の含有率（充填率）を変えた場合の複合材料（高周波用磁性材料）の透磁率Ｒｅ（μ_{ｃｏｍｐ．}）及びｔａｎδ_{ｃｏｍｐ．}の計算結果を説明する。本実施の形態では、図１〜図６に示す磁性粒子単体の透磁率Ｒｅ（μ）及びｔａｎδと区別するために、高周波用磁性材料における透磁率をＲｅ（μ_{ｃｏｍｐ．}）、タンジェントデルタをｔａｎδ_{ｃｏｍｐ．}として説明する。充填率とは複合材料全体の体積に対する磁性粒子の体積割合と定義した。

具体的には、図７は、粒径０．２μｍのＦｅ粒子を用いた場合において、充填率を変えることで得られる透磁率Ｒｅ（μ_{ｃｏｍｐ．}）及びｔａｎδ_{ｃｏｍｐ．}の計算結果の特性を示した図である。横軸は充填率αを示す。縦軸は透磁率Ｒｅ（μ_{ｃｏｍｐ．}）及びｔａｎδ_{ｃｏｍｐ．}を示す。ここで、複合材料としての特性は充填率αを用いて、透磁率Ｒｅ（μ_{ｃｏｍｐ．}）＝１＋α・Ｒｅ（χ）、ｔａｎδ_{ｃｏｍｐ．}＝αＩｍ（χ）／（１＋αＲｅ（χ））で表される。この式を計算することにより、図７に示す透磁率Ｒｅ（μ_{ｃｏｍｐ．}）とｔａｎδ_{ｃｏｍｐ．}との関係が得られる。

図７に示す透磁率Ｒｅ（μ_{ｃｏｍｐ．}）とｔａｎδ_{ｃｏｍｐ．}との関係を参照することにより、製品設計（磁気応用製品の設計）に応じた適当な充填率を選ぶことが可能となる。また、充填率を選ぶ際に、充填率を過剰に高くすることは、混練性及び成形性を悪化させ、かつ磁性粒子間の磁気的相互作用を通じて磁化損失を増加させる。すなわち、充填率を過剰に高くすることは好ましくない。このため、充填率は、１〜６０ｖｏｌ％が好ましい。

以上は単一の粒径を有する場合の計算結果であったが、現実に調製できる粒子の粒径は分布を有しており、図２に示したように粒径が大きい粒子が混在すると渦電流損失によるｔａｎδの増加が生じる事となる。各粒径における相対粒子体積をｆ（ｄ）とすると、粒径分布を考慮した渦電流損失によるｔａｎδは、Σ｛ｆ（ｄ）・ｔａｎδｅ｝で表される。ここで相対粒子体積ｆ（ｄ）とは、粒径ｄを代表値とする粒径範囲に含まれる粒子の合計体積が全粒子の合計体積に対して占める割合の事である。ｔａｎδｅ＝πｄ^２μ_０Ｒｅ（μ）ｆ／ｃρなる関係と、μ_０＝４π×１０^−７、Ｒｅ（μ）＝６．７（図１における粒径０．１から１μｍにおける平均の透磁率）、ｆ＝１（ＧＨｚ）、ｃ＝２０、ρ＝８．９×１０^−８（Ω・ｍ）を用いると、次の関係を満たす場合に、ｔａｎδは０．１未満の低い値が得られる。
Σ｛ｆ（ｄ）・ｄ^２｝＜ ６．７×１０^−１２

次に、図１〜図７の計算結果に基づく条件により作製した成形体（高周波用磁性材料）の特性について説明する。図８は、従来の高周波用磁性材料における透磁率Ｒｅ（μ_{ｃｏｍｐ．}）及びｔａｎδ_{ｃｏｍｐ．}（図８の従来例（１）（２）に該当）と、図１〜図７の計算結果に基づき選定した条件（磁性粒子は略球形、磁性粒子の含有量は１〜６０ｖｏｌ％、飽和磁束密度は１Ｔ以上、磁性粒子の磁気異方性定数は立方晶系材料では±８００×１０^３（Ｊ／ｍ^３）、一軸異方性材料では±４００×１０^３（Ｊ／ｍ^３）との条件）に基づいて作製した高周波用磁性材料における透磁率Ｒｅ（μ_{ｃｏｍｐ．}）及びｔａｎδ_{ｃｏｍｐ．}（図８の本発明に該当）とを示した図である。

図８に示す本発明に係る成形体（高周波用磁性材料）の評価方法について説明する。なお、以下に説明する成形体（高周波用磁性材料）は粒径に分布を持っている。このため、本実施の形態では、平均粒径を体積基準の粒度分布におけるメジアン径（Ｄ５０）と定義して説明する。粒度分布の測定は、静的光散乱法などによって評価することが可能である。

先ず、自公転式混錬装置を用いて、平均粒径０．４μｍのＦｅ粒子を熱硬化性エポキシ樹脂に分散させ、ペースト状の流動体を得た。また、このとき、Ｆｅ粒子の熱硬化性エポキシ樹脂に対する充填率は３０ｖｏｌ％とした。そして、ペースト状の流動体を、ホットプレート上６０℃で３．５時間加熱硬化させ、縦１０（ｍｍ）×横１０（ｍｍ）×厚さ１（ｍｍ）の成形体を得た。この成形体を、機械的加工によって縦４（ｍｍ）×横４（ｍｍ）×厚さ０．７（ｍｍ）とし、市販の高周波透磁率測定装置を用いて透磁率Ｒｅ（μ_{ｃｏｍｐ．}）及びｔａｎδ_{ｃｏｍｐ．}を評価した。図８は、この評価結果を示したものである。また、図８に示す従来例は、平均粒径１．９μｍのＦｅ粒子を用いた複合材料（高周波用磁性体）及び平均粒径０．４μｍのＮｉ粒子を用いた複合材料（高周波用磁性体）の透磁率Ｒｅ（μ_{ｃｏｍｐ．}）及びｔａｎδ_{ｃｏｍｐ．}である。

図８に示すように、本発明におけるｔａｎδ_{ｃｏｍｐ．}は、全周波数領域にわたって従来例のｔａｎδ_{ｃｏｍｐ．}よりも値が低減されている。

次に、図９〜図１２を参照して、本発明に係る高周波用磁性材料を高周波デバイス（アンテナ、インダクタ、回路基板）に適用した一例を説明する。

図９及び図１０は、高周波用磁性材料を適用したアンテナの一例を示した図である。図９（Ａ）に示すアンテナＡＮＴ１は、高周波用磁性材料１Ａと、グランド板２Ａと、電極３Ａと、を備えて構成される。ＡＮＴ１は、グランド板２Ａの上に高周波用磁性材料１Ａが形成され、高周波用磁性材料１Ａの上に電極３Ａが形成される構成となる。

図９（Ｂ）に示すアンテナＡＮＴ２は、高周波用磁性材料１Ｂと、電極３Ｂと、交流電源４と、を備えて構成される。交流電源４は、交流電源の給電ポイントを示す（図９（Ｃ）（Ｄ）及び図１０に示す交流電源４も同様）。ＡＮＴ２は、高周波用磁性材料１Ｂの上に電極３Ｂが形成される構成となる。このとき、高周波用磁性材料１Ｂに電極３Ｂが組み込まれる構成としてもよい。

図９（Ｃ）に示すアンテナＡＮＴ３は、高周波用磁性材料１Ｃと、電極３Ｃと、交流電源４と、を備えて構成される。ＡＮＴ３は、電極３Ｃが高周波用磁性材料1Ｃの内部に配される構成としても良い。

図９（Ｄ）に示すアンテナＡＮＴ４は、高周波用磁性材料１Ｄと、グランド板２Ｄと、電極３Ｄと、交流電源４と、を備えて構成される。ＡＮＴ４は、グランド板２Ｄの上に高周波用磁性材料１Ｄが形成され、高周波用磁性材料１Ｄに電極３Ｄが組み込まれる構成となる。また、電極３Ｄが高周波用磁性材料1Ｃの内部に配される構成としても良い。

図１０に示すアンテナＡＮＴ５は、高周波用磁性材料１Ｅと、グランド板２Ｅと、電極３Ｅと、を備えて構成される。ＡＮＴ５は、グランド板２Ｅの少なくとも一面と同じ高さに高周波用磁性材料１Ｅの一面が形成され、高周波用磁性材料１Ｅの上に電極３Ｅが形成される構成となる。

次に、図１１を参照して、高周波用磁性材料を適用したインダクタ１１１の一例について説明する。図１１に示すように、インダクタ１１１は、高周波用磁性材料１Ｆと、端子１１と、巻線１２と、を備えて構成される。この構成により、高周波用磁性材料１Ｆはインダクタ１１１に適用される。

次に、図１２を参照して、高周波用磁性材料を適用した回路基板１２１の一例について説明する。図１１に示すように、回路基板は、高周波用磁性材料１Ｆと、ランド２１と、ビアホール２２と、内部電極２３と、実装部品２４，２５と、を備えて構成される。図１２は全層に高周波磁性材料１Ｆが用いられているが、この内の少なくとも１層に高周波磁性材料１Ｆを用いるとしても良い。この構成により、高周波用磁性材料１Ｆは回路基板１２１に適用される。

以上、本実施の形態によれば、磁性粒子を略球形、含有量を１〜６０ｖｏｌ％、飽和磁化を１Ｔ以上、磁気異方性定数を立方晶系材料では±８００×１０^３（Ｊ／ｍ^３）、一軸異方性材料では±４００×１０^３（Ｊ／ｍ^３）とすることにより、ｔａｎδを０．１以下にすることができる。このため、高周波用磁性材料の低損失化を図ることができる。

また、扁平率が０．３６から２．５０の範囲では、ｔａｎδを０．１以下とすることができる。このため、扁平率の条件として、０．３６から２．５０の範囲まで許容されるので、磁性粒子製造プロセス条件の厳密な制御が不要となり、高周波用磁性材料を作製するためのコストを低減することができる。

また、高周波用磁性材料を、アンテナ、回路基板及びインダクタの少なくとも１つに適用することができる。これにより、例えば、アンテナにｔａｎδの低い高周波用磁性材料を適用することで、アンテナの放射効率を高めることができる。

なお、上記実施の形態における記述は、本発明に係る高周波用磁性材料及び高周波デバイスの一例であり、これに限定されるものではない。

例えば、磁性粒子の表面に非磁性材料（リン酸塩、シリカ等）がコーティングされており、当該コーティングされた磁性粒子を用いて高周波用磁性材料を形成することとしてもよい。

また、上記実施の形態では、磁性材料と樹脂との複合材料を高周波用磁性材料としたがこれに限定されるものではない。例えば、磁性材料と無機物質（無機誘電体、ガラスフィラー、導電材料）との複合材料を高周波用磁性材料としてもよい。

また、樹脂として、各種熱硬化性樹脂又は各種熱可塑性樹脂を用いることとしてもよい。

また、混錬装置として、押出機、ニーダー、ビーズミル等を用いることとしてもよい。

また、成形方法として、射出成形、押出成形、圧縮成形等を用いることとしてもよい。

１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ 高周波用磁性材料
２Ａ，２Ｄ，２Ｅ グランド板
３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ，３Ｅ 電極

Claims (4)

1. 磁性粒子が樹脂材料中に分散されてなる高周波用磁性材料であって、
   前記磁性粒子は略球形であり、前記樹脂材料に前記磁性粒子は１〜６０ｖｏｌ％含まれており、前記磁性粒子の飽和磁束密度は１Ｔ以上であり、前記磁性粒子の磁気異方性定数は、立方晶系材料ではＫ１＜±８００×１０^３（Ｊ／ｍ^３）、一軸異方性材料ではＫｕ＜±４００×１０^３（Ｊ／ｍ^３）である高周波用磁性材料。
2. 磁性粒子が樹脂材料中に分散されてなる高周波用磁性材料であって、
   前記磁性粒子は略球形であり、平均粒径ｄが０．１＜ｄ＜１（μm）であり、かつ各粒径における相対粒子体積ｆ(ｄ)が、Σ｛ｆ（ｄ）・ｄ^２｝ ＜ ６．７×１０^−１２なる関係を満たす高周波用磁性材料。
3. 前記磁性粒子は、扁平率が０．３６から２．５０である請求項１又は２に記載の高周波用磁性材料。
4. 請求項１乃至３のいずれか一項に記載の高周波用磁性材料を適用したアンテナ、回路基板及びインダクタの少なくとも１つからなる高周波デバイス。

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