JP2011079690A - Laser thermal stress dividing of thick plate glass using diffraction grating - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は脆性材料、なかんずく太陽電池基板用ガラスやフラットパネルディスプレィ用ガラスの熱応力割断方法に関する。以下、ワークの一例としてガラスの場合を紹介するが、本発明は脆性材料全般に対して適用できるものである。 The present invention relates to a method for cleaving thermal stress of brittle materials, especially glass for solar cell substrates and glass for flat panel displays. Hereinafter, although the case of glass will be introduced as an example of a workpiece, the present invention can be applied to all brittle materials.
最近ガラス割断において、過去数世紀にわたって使用されてきたダイアモンドチップによる機械的方法に代わって、レーザ光照射による熱応力割断法が使用されるようになってきた。 Recently, in the glass cleaving, the thermal stress cleaving method by laser light irradiation has been used in place of the diamond chip mechanical method which has been used for the past several centuries.
この方法によれば、機械的方法に固有の欠点、すなわちマイクロクラック発生によるガラス強度の低下、割断時のカレット発生による汚染、適用板厚の下限値の存在、などが一掃できる。 According to this method, defects inherent in the mechanical method, that is, a decrease in glass strength due to the occurrence of microcracks, contamination due to the occurrence of cullet at the time of cleaving, existence of a lower limit value of the applied plate thickness, etc. can be eliminated.
この結果、熱応力割断法によれば機械割断の後工程である研磨、洗浄が不要になり、面粗さ1μm以下の鏡面が得られ、製品外形寸法精度は±25μm以上になる。この方法は現在、板厚が0.7mmのフラットパネルディスプレィ用ガラスに用いられているが、今後は板厚5mmの太陽電池基板用ガラスに使用することが望まれている。 As a result, according to the thermal stress cleaving method, polishing and cleaning, which are subsequent processes of mechanical cleaving, are not required, a mirror surface having a surface roughness of 1 μm or less is obtained, and the product external dimension accuracy is ± 25 μm or more. This method is currently used for glass for flat panel displays having a thickness of 0.7 mm, but in the future, it is desired to use it for glass for solar cell substrates having a thickness of 5 mm.
同方法の原理は次の通りである。ガラスに局所的にレーザ光照射により、クラック、溶融、気化などが発生しない程度の加熱を行なう。この時ガラス加熱部は熱膨張しようとするが周辺ガラスからの反作用にあい十分な膨張ができず、照射点を中心として圧縮応力が発生する。周辺の非加熱領域でも、加熱部からの膨張に押されてさらに周辺に対して歪みが発生し、その結果圧縮応力が発生する。こうした圧縮応力は半径方向のものである。ところで物体に圧縮応力がある場合には、その直交方向にはポアソン比で関係付けられる引っ張り応力が発生する。ここでは、その方向は接線方向である。この様子を図2に示す。 The principle of this method is as follows. The glass is heated to the extent that cracks, melting, vaporization, etc. do not occur by laser irradiation locally. At this time, the glass heating section tries to expand thermally, but cannot sufficiently expand due to the reaction from the surrounding glass, and compressive stress is generated around the irradiation point. Even in the peripheral non-heated region, the peripheral portion is further distorted by the expansion from the heating portion, and as a result, compressive stress is generated. These compressive stresses are radial. By the way, when an object has a compressive stress, a tensile stress related to the Poisson's ratio is generated in the orthogonal direction. Here, the direction is a tangential direction. This is shown in FIG.
同図は、原点に中心をおくガウシアン分布の温度上昇がある場合の、半径方向応力成分σxと接線方向応力成分σyの場所による変化を示したものである。前者は終始圧縮応力(同図では負値)であるが、後者は加熱中心部では圧縮応力であるが、同中心から離れると引っ張り応力(同図で正値)に変化する。同図に示す応力分布を基礎とし、一般の温度分布に対しても、この応力分布の線型重ね合わせとして取り扱うことができる。その場合も、ガラス板上の各点において、圧縮応力と引っ張り応力が直交方向に発生することに違いは
ない。
This figure shows the change of the radial stress component σx and the tangential stress component σy depending on the location when there is a temperature rise in the Gaussian distribution centered at the origin. The former is compressive stress from the beginning to the end (negative value in the figure), while the latter is compressive stress at the heating center, but changes to tensile stress (positive value in the figure) when leaving the center. Based on the stress distribution shown in the figure, a general temperature distribution can be handled as a linear superposition of the stress distribution. Even in that case, there is no difference that compressive stress and tensile stress are generated in the orthogonal direction at each point on the glass plate.
これらの応力のうち、直接割断に関係するのは引っ張り応力である。同応力が材料固有値である破壊靱性値を超える時には、破壊が随所に発生し制御不能である。これは破壊現象であって、加工ではない。本発明のような熱応力割断の場合には、引張り応力を同値以下に選定しておくので、この破壊は発生しない。 Of these stresses, the tensile stress is directly related to the cleaving. When the stress exceeds the fracture toughness value, which is a material specific value, fracture occurs everywhere and cannot be controlled. This is a destructive phenomenon, not processing. In the case of the thermal stress cleaving as in the present invention, the tensile stress is selected to be equal to or less than the same value, so this fracture does not occur.
ところが、引張り応力存在位置に亀裂がある場合には同先端では応力拡大が発生し、この増幅された引っ張り応力が材料の破壊靱性値を超えると亀裂が拡大する。すなわち亀裂の進展として、加工としての制御された割断が生じることになる。レーザ光照射点を走査することで、亀裂を延長させていくことができる。この熱応力割断では、割断面は結晶の劈開面に類似のものになるので、マイクロクラックもカレット発生もなく、前記した機械的方法の欠点が一掃できて、ガラスの加工方法としてきわめて優れた特性を有するものになる。 However, if there is a crack at the position where the tensile stress is present, stress expansion occurs at the tip, and if this amplified tensile stress exceeds the fracture toughness value of the material, the crack expands. That is, as the progress of the crack, controlled cleaving as processing occurs. By scanning the laser beam irradiation point, the crack can be extended. In this thermal stress cleaving, the fractured surface is similar to the cleavage plane of the crystal, so there is no generation of microcracks and cullet, and the disadvantages of the mechanical method described above can be eliminated, and the glass processing method is extremely excellent. Will have.
この熱応力割断には図3に示す二種類のものがある。図3(a)に示すのは、加熱2と冷却3の結果、ワーク1の表面層(たとえば深さ100μm)のみに亀裂4が発生するもので、一般に表面スクライブと称されている。5はスクライブ方向を示す。
There are two types of thermal stress cleaving shown in FIG. As shown in FIG. 3A, as a result of the
一方、図3(b)に示すものは、亀裂がワークの全厚みにわたって発生するもので一般にフルカットと称されている。5は割断方向、6は割断予定線を示す。同図に示すフルカットの場合、冷却を行なっていない。勿論冷却を行なった方が引っ張り応力形成には有利であるが、バルク的にワーク内部に及ぶ冷却方法がないからである。両者には、一長一短がある。前者ではスクライブ後にブレーク工程が必要であり、これが最大の欠点である。この工程は後者では不要であるが、同技術には大型ワークで割断速度が低下したり、ワーク端付近で割断位置精度が低下するなどのいわゆるサイズ効果という欠点がある。 On the other hand, what is shown in FIG. 3B is one in which cracks occur over the entire thickness of the workpiece and is generally referred to as full cut. 5 indicates a cleaving direction, and 6 indicates a cleaving line. In the case of the full cut shown in the figure, cooling is not performed. Of course, cooling is advantageous for forming the tensile stress, but there is no method for cooling the work in bulk. Both have advantages and disadvantages. The former requires a break process after scribing, which is the biggest drawback. This process is not necessary for the latter, but the technique has a drawback of a so-called size effect such that the cleaving speed is lowered for a large workpiece and the cleaving position accuracy is lowered near the end of the workpiece.
このガラスのレーザ光照射による表面スクライブ技術はコンドラテンコ ブラディミアー ステパノビッチによって精力的に開発され、特許文献1の日本特許が成立している。同特許は、特許文献2及び3の欧州特許ならびに米国特許としても成立している。 同氏はレーザ光としてCO2レーザ光を選択した。
This surface scribing technology by laser irradiation of glass has been vigorously developed by Kondratenco Bradymier Stepanovic, and the Japanese Patent of
同じくCO2レーザを用いて表面スライブを行う技術で、ビームスプリッターによって円対称レーザビームを直線上に配列した複数個のビームスポット列に変換する技術の特許文献4の日本特許が成立している。 Similarly, a Japanese patent of Patent Document 4 has been established in which a surface sliver is performed using a CO2 laser, and a technique of converting a circularly symmetric laser beam into a plurality of beam spot arrays arranged in a straight line by a beam splitter.
以上の表面スクライブ特許に対して、前記した欠点を除去するべく図3(b)に示すフルカット技術開発が追求され、希土類元素ドープガラスに対して半導体レーザを照射する技術の特許文献5の日本特許が成立している。
In order to eliminate the above-mentioned defects, the full-cut technology development shown in FIG. 3 (b) was pursued for the above surface scribing patent. A patent has been granted.
熱応力割断がフルカットになるか表面スクライブにとどまるかは、ワーク加熱が表面現象にとどまるかあるいはバルク現象である(非特許文献1のレーザによる)かの差によって、熱応力が表面層のみに発生するかあるいはワークの全厚みにわたって発生するかの差違による。前記したように、両者にはメリット、デメリットがあるので、目的に応じて使い分ければよい。本特許は表面スクライブにおいて、ガラス板厚が太陽電池用の5mm程度を対象にできるように技術改良したものである。 Whether the thermal stress cleaving becomes a full cut or a surface scribe depends on whether the workpiece heating is a surface phenomenon or a bulk phenomenon (by the laser of Non-Patent Document 1), the thermal stress is applied only to the surface layer. Depending on whether it occurs or occurs over the entire thickness of the workpiece. As described above, since both have merits and demerits, they may be properly used according to the purpose. This patent is a technical improvement in surface scribe so that the glass plate thickness can be about 5 mm for solar cells.
レーザ光照射等による熱応力割断は、機械的方法よりも高品位加工法であることに特徴がある。一方、同加工法にも欠点がある。表面スクライブの欠点の一つは、厚板ガラスに適用できないことである。現在、同技術はフラットパネルディスプレィ用ガラス割断に使用されており、この場合のガラス板厚は通常0.7mmである。CO2レーザ光をガラス表面に照射すると、深さ3.7μmの表面層で入射エネルギーの99%が吸収されてしまう。このため、スライブ深さは通常200μm程度に限定される。板厚が0.7mmの場合、200μmのスクライブ深さがあれば後続の機械ブレークは可能である。ところが板厚が5mm程度になると、このスクライブ深さでは機械ブレークができない。今日のスクライブ技術では太陽電池用ガラスのレーザ割断は行われていない。 The thermal stress cleaving due to laser light irradiation or the like is characterized by a higher quality processing method than a mechanical method. On the other hand, this processing method also has drawbacks. One drawback of surface scribe is that it cannot be applied to thick glass. At present, this technique is used for cleaving glass for flat panel displays, and the glass plate thickness in this case is usually 0.7 mm. When the glass surface is irradiated with CO2 laser light, 99% of the incident energy is absorbed by the surface layer having a depth of 3.7 μm. For this reason, the sliver depth is usually limited to about 200 μm. If the plate thickness is 0.7 mm, a subsequent mechanical break is possible with a scribe depth of 200 μm. However, when the plate thickness is about 5 mm, a mechanical break is not possible at this scribe depth. With today's scribe technology, laser cutting of solar cell glass is not performed.
この問題を解決するために、本発明では亀裂先端の応力拡大現象を利用する。板厚5mmのガラスに深さ200μmの表面スクライブがある場合、亀裂を一挙に上下方向に進展させることはできない。
In order to solve this problem, the present invention uses the stress intensity phenomenon at the crack tip. When there is a surface scribe having a depth of 200 μm in a glass having a thickness of 5 mm, the crack cannot be propagated in the vertical direction all at once.
しかし、ガラスの端部付近の限定した領域においてのみ板厚方向に機械ブレークを実行し、その後スクライブ線に沿った方向に機械ブレ−クを進展させて行き、ガラスの全長にわたって機械ブレ−クを実行すればよい。機械ブレークは、一度開始できればその後の継続は比較的容易であるが、最初の開始が困難である。そのため、上記したガラス端部の領域では特別にスクライブ深さを200μmでなく、ほとんど全板厚に近い数値にする必要がある。 However, a mechanical break is executed only in a limited area near the edge of the glass in the thickness direction, and then the mechanical break is advanced in the direction along the scribe line. Just do it. A mechanical break is relatively easy to continue once it can be started, but is difficult to start first. For this reason, the scribe depth is not limited to 200 μm in the above-described region of the glass edge portion, and it is necessary to make the scribe depth almost the same as the total plate thickness.
本発明によれば、熱応力割断の有する高品質を実現しながら、対象板厚を太陽電池用ガラスの5mmまで増大させることができる。レーザによるガラス割断は、加工品質上の多くのすばらしい技術上の利点がありながら、いまだに過去数世紀にわたって使用されてきたダイアモンドチップによる機械的方式を置換できないできた。本発明はそうした事態を一変するものである。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, object plate | board thickness can be increased to 5 mm of the glass for solar cells, implement | achieving the high quality which a thermal stress cleaving has. Laser glass breaking has many great technical advantages in processing quality, but has not been able to replace the diamond tip mechanical system that has been used over the past centuries. The present invention changes such a situation.
本発明によって実現されるガラスの熱応力割断のメリットに次に挙げるものがある。
1)割断を従来方法に比較して大幅に高速度で実現することができる。
2)割断後の研磨、洗浄などの後工程が不要である。
3)割断面近傍におけるマイクロクラック発生がなく、ワークの材料強度が高い値になる。
4)割断面にカレットの付着がなく、清浄である。
5)割断位置精度が高くなる。
6)割断面がガラス表面に対して、十分に垂直である。
7)割断面が鏡面で、面粗さが良好である。
9)割断の自動化ができる。
The advantages of the thermal stress cleaving of glass realized by the present invention include the following.
1) Cleaving can be realized at a significantly higher speed than the conventional method.
2) No post-process such as polishing or cleaning after cleaving is required.
3) There is no generation of micro cracks in the vicinity of the fractured surface, and the material strength of the workpiece is high.
4) There is no adhesion of cullet on the cut surface and it is clean.
5) The cleaving position accuracy is increased.
6) The fractured surface is sufficiently perpendicular to the glass surface.
7) The fractured surface is a mirror surface and the surface roughness is good.
9) The cleaving can be automated.
この発明を可能にするスクライブ線方向における表面スクライブ深さの変化の様子を、図1の模式図に示す。同図は板厚5mmのソーダガラスの場合であり、これは通常の太陽電池ガラスの厚さである。縦方向はガラス板厚ならびに表面スクライブ深さに対応し、横方向はスクライブ方向である。図に示すようにガラス端部のスクライブ開始点からある長さ(発明者らの実証実験では10mmから20mm程度であった)範囲では、スクライブ深さは3−4mm程度と深く、その後は図1に示すように徐々に正常のスクイライブ深さ200μmに減少する。レーザ走査速度は照射レーザ出力70Wの場合に30−53mm/Sであったが、ガラス端部で深いスクライブを得るのに20mm/Sまで低速にすると効果的であった FIG. 1 is a schematic diagram showing how the surface scribe depth changes in the scribe line direction enabling the present invention. The figure shows a case of soda glass having a thickness of 5 mm, which is the thickness of a normal solar cell glass. The vertical direction corresponds to the glass plate thickness and the surface scribe depth, and the horizontal direction is the scribe direction. As shown in the figure, the scribe depth is as deep as about 3-4 mm in a certain length range (from about 10 mm to 20 mm in the inventor's demonstration experiment) from the scribe start point of the glass edge, and thereafter, FIG. As shown in FIG. 4, the normal squibing depth is gradually reduced to 200 μm. The laser scanning speed was 30-53 mm / S when the irradiation laser output was 70 W, but it was effective to reduce the speed to 20 mm / S to obtain a deep scribe at the glass edge.
スライブ深さがこのような分布の場合、同深部に領域を限定をして、全板厚にわたって機械ブレークが容易に可能である。同領域を超えてスクライブ深さが200μmと浅くなっても、機械ブレークを徐々にスクライブ方向に進展させていくことが容易である。このように、スクライブ線に沿ったスクライブ深さを図1に示すものにして、5mm程度の厚板を全長にわたって機械ブレークすることができる。 When the sliver depth has such a distribution, a mechanical break can be easily performed over the entire plate thickness by limiting the region to the deep portion. Even when the scribe depth is as shallow as 200 μm beyond the region, it is easy to gradually advance the mechanical break in the scribe direction. Thus, the scribe depth along the scribe line is as shown in FIG. 1, and a thick plate of about 5 mm can be mechanically broken over the entire length.
図1に示すスクライブ分布の作成法としては、スクライブ深さ増加のためにレーザビーム走査速度を低速化することを前記した。ここでは、熱応力発生機構上ガラス端部ではスクライブ深さが端部以外よりも深くなることを、図4を用いて説明する。図4では、ある条件下のレーザビーム照射によるガラス加熱に対するレーザビーム走査方向についての、ガラス板に誘起される応力拡大係数K1の変化の様子を示す。レーザビーム走査は連続的に行っているが、図4では同ビームが7点に至った場合の応力拡大係数分布を、加熱温度分布とともに示している。ここでは、スクライブ深さに直接関係する応力拡大係数の変化についてのみ注目する。図4でレーザビーム位置が端部から10mm、30mm、100mmの3位置の場合の応力拡大係数分布を見ると、いずれの場合でも同係数がガラス端部付近で大きな値をとることが分かる。この応力分布の増大が、スクライブ深さの増大に直結している。図4はある加熱条件下のデータであるが、ここに示される傾向は一般的なものである。 As described above, the method of creating the scribe distribution shown in FIG. 1 is to reduce the laser beam scanning speed in order to increase the scribe depth. Here, it will be described with reference to FIG. 4 that the scribing depth becomes deeper at the glass end portion than at the end portion due to the thermal stress generation mechanism. FIG. 4 shows a change in the stress intensity factor K1 induced in the glass plate in the laser beam scanning direction with respect to glass heating by laser beam irradiation under certain conditions. Laser beam scanning is performed continuously. In FIG. 4, the stress intensity factor distribution when the beam reaches seven points is shown together with the heating temperature distribution. Here, we focus only on changes in the stress intensity factor that are directly related to the scribe depth. In FIG. 4, it can be seen that the stress intensity factor distribution when the laser beam position is three positions of 10 mm, 30 mm, and 100 mm from the end portion has a large value in the vicinity of the glass end portion in any case. This increase in stress distribution is directly linked to the increase in scribe depth. FIG. 4 shows data under certain heating conditions, but the trend shown here is general.
さて、これからは実施例について説明する。本発明は図3の(a)に示す表面スクライブに属する。したがって、ガラス表面上をCO2レーザ光照射による加熱とその背後を冷却液噴霧による冷却手段が追従して走査される。また、スクライブが開始されるガラス端部には、初亀裂が設けられている。こうした技術の原理ならびに方法については、今や周知である。 Now, examples will be described. The present invention belongs to the surface scribe shown in FIG. Accordingly, the surface of the glass is scanned by heating by CO2 laser light irradiation and the cooling means by spraying the cooling liquid behind the glass surface. Moreover, the initial crack is provided in the glass edge part from which scribing is started. The principles and methods of these techniques are now well known.
図3(a)ではレーザ光は断面形状が小円の場合が示されているが、スクライブが直線状であったり同深さを深くしたい場合には、ガラスの加熱時間を長くする目的で、断面形状がラインビームであるレーザ光を使用するとよい。レーザ発振器から射出されるレーザ光は、通常断面形状が円形のガウシアンビームであるので、種々の方法でビ−ムの断面形状を変換しなければならない。 In FIG. 3 (a), the laser beam shows a case where the cross-sectional shape is a small circle. However, in the case where the scribe is linear or if the depth is to be increased, the heating time of the glass is increased. Laser light having a cross-sectional shape of a line beam may be used. Since the laser light emitted from the laser oscillator is usually a Gaussian beam having a circular cross-sectional shape, the cross-sectional shape of the beam must be converted by various methods.
その一つの方法を図5に示す。それは、レーザ発振器7から射出されるガウシアンレーザビーム8をラインビームホモジナイザーとしての回折格子型光学素子(DOE)9を用いてラインビームに変換したものを使用するものである。図5は、この変換の様子を示す模式図である。図5中10は、DOEを通過後のレーザビームを示し、所定位置において設計仕様であるラインビーム11が実現する。このラインビームとしては、幅0.1−1mm、長さ25mm程度のものが標準的に使用される。この場合長さ方向には均一強度分布であるが、幅方向は均一にもできるしガウシアンにもできる。また、強度分布を入射レーザビーム径、位置などを調整して変化させることもできる。本実施例の場合、割断位置精度がより増大したり、表面スクライブ深さがより深く出来たりする。
One method is shown in FIG. It uses a Gaussian laser beam 8 emitted from a laser oscillator 7 converted into a line beam using a diffraction grating type optical element (DOE) 9 as a line beam homogenizer. FIG. 5 is a schematic diagram showing the state of this conversion. In FIG. 5,
こうした工程後に、スクライブ線に沿って機械ブレークを実行する。 After these steps, a machine break is performed along the scribe line.
以上説明したのは本発明の機能を実現するためのいくつかの実施例であって、本発明の精神はその他の多くの方法で実現可能であることは言を俟たない。 What has been described above are several embodiments for realizing the functions of the present invention, and it goes without saying that the spirit of the present invention can be realized in many other ways.
このように、ガラスの熱応力割断が太陽電池やフラットパネルディスプレィの製造過程に導入されれば、加工速度、加工品質、経済性などの向上、従来技術の弱点克服において、その効果ははかり知れないものになる。これらの加工が現在はダイアモンドカッターで行われており、カレット発生のための切断後の洗浄工程の必要性や、マイクロクラックの存在による材料強度低下などの問題を呈している。本発明による熱応力割断で、こうした問題を解決することができる。 In this way, if the thermal stress cleaving of glass is introduced into the manufacturing process of solar cells and flat panel displays, the effect is immeasurable in improving processing speed, processing quality, economy, etc., and overcoming the weaknesses of conventional technologies. Become a thing. These processes are currently performed with a diamond cutter, which presents problems such as the necessity of a cleaning step after cutting for generating cullet and a reduction in material strength due to the presence of microcracks. Such a problem can be solved by the thermal stress cleaving according to the present invention.
1 ワーク
2 加熱
3 冷却
4 表面スクライブ
5 スクライブ方向または割断方向
6 割断予定線
7 レーザ発振器
8 ガウシアンレーザビーム
9 回折格子型光学素子(DOE)
10 DOE通過後のレーザビーム
11 ラインビーム断面形状
1 Work
2 Heating 3 Cooling 4 Surface scribing 5 Scribe direction or cleaving direction 6 Cleavage line 7 Laser oscillator 8 Gaussian laser beam 9 Diffraction grating type optical element (DOE)
10 Laser beam after passing through DOE 11 Line beam cross-sectional shape
Claims (1)
A glass surface scriber device with a cooling unit that converts CO2 laser light into a line beam by a diffraction grating optical element, irradiates the glass surface with scanning, and follows and scans the scanning laser beam at the same speed. In this case, the scribing depth is increased by reducing the scanning speed near the scribe start point at the glass edge, facilitating a subsequent mechanical break in the same region, Characterized by progressing over an area.
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