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JP2011078193A - 映像表示装置 - Google Patents

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JP2011078193A
JP2011078193A JP2009226296A JP2009226296A JP2011078193A JP 2011078193 A JP2011078193 A JP 2011078193A JP 2009226296 A JP2009226296 A JP 2009226296A JP 2009226296 A JP2009226296 A JP 2009226296A JP 2011078193 A JP2011078193 A JP 2011078193A
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JP2009226296A
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Takutai Tamura
拓太 田村
Tomohisa Okuno
智久 奥野
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Sharp Corp
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Sharp Corp
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Abstract

【課題】電源装置におけるEMIの発生とスイッチング素子の温度上昇とのいずれを抑制するかを該電源装置が映像表示パネルに供給する電力に応じて調整することが可能な映像表示装置を提供すること。
【解決手段】テレビジョン受像機Xは,映像を表示する液晶パネル18と,入力されるスイッチング信号によりスイッチング動作をすることによって,液晶パネル18に供給する電力を制御するFET11a,11bを含むDC−DCコンバータ10とを備えてなり,DC−DCコンバータ10が液晶パネル18に供給する電力に応じて,スイッチ13a,13bによるゲート用抵抗12a,12bの両端の短絡の有無を切り換えることによって,FET11a,11bへのスイッチング信号の入力経路の抵抗値を設定する。
【選択図】図1

Description

本発明は,高周波で動作するスイッチング素子を備えたDC−DCコンバータによって映像表示パネルに印加する電圧を変化させる直流電源を備えた映像表示装置に関し,特に,前記直流電源におけるEMIの発生量の抑制を図る技術に関するものである。
一般に,映像を表示する液晶パネルを備えてなる液晶表示装置(映像表示装置の一例)では,その液晶パネルに映像を表示させる際に,映像の階調度に応じて各液晶素子の透過率を変更させるため,電源装置から各液晶素子の透過率に応じた電圧を液晶パネルに印加する必要がある。このような液晶表示装置に使用される電源装置には,入力された直流電圧を別の直流電圧に変換する際のエネルギー変換効率が重視されるため,リニア式のDC−DCコンバータではなく,スイッチング素子(MHzオーダー)を備えたDC−DCコンバータが採用されている。このDC−DCコンバータのスイッチング素子を動作させるために,スイッチング素子の制御端子(ゲート)に,高周波のスイッチング信号(パルス信号)が送られる。
このような電源装置では,高周波(数MHz)による高速な電流の変動に起因して電磁波ノイズ(以下,EMI(Electro-Magnetic Interference)と略す。)が発生する。このとき,EMIの発生量は,スイッチング素子に入力されるスイッチング信号のオーバーシュート・アンダーシュート(又は,髭状のスパイクノイズ)の振幅が大きくなり,該スイッチング素子の出力電流のオーバーシュート・アンダーシュートの振幅が大きくなるにつれて増大する。
このEMI発生の対策として,スイッチング素子へのスイッチング信号の入力経路上の抵抗値を高くする方法がある。前記入力経路上の抵抗値を高くすることによって,スイッチング素子に入力されるスイッチング信号のオーバシュート・アンダシュートの振幅が小さくなり,該スイッチング素子の出力電流のオーバシュート・アンダシュートも小さくなるため,該スイッチング素子によるEMIの発生を抑制することができる。
しかし,スイッチング素子へのスイッチング信号の抵抗値が高くなったことに伴い,スイッチング信号の立ち上がり時間・立下り時間が長くなると,スイッチング素子における損失(ドレイン損失)が増大し,スイッチング素子の温度が上昇してしまう。
そこで,例えば特許文献1では,プリンタの起動時と起動時以外との各状態に応じてスイッチング素子の制御端子の抵抗値を変更し,EMIの発生とスイッチング素子の昇温とのいずれを抑制するかを調整することが提案されている。
特開2006−158077号公報
しかしながら,特許文献1に記載の方法は,液晶パネルを有する映像表示装置のように,電源投入後もその液晶パネルの表示内容などによって電源装置が供給する電力が時々刻々変動するものにおいて,その変動を考慮してEMIの発生とスイッチング素子の温度上昇とのいずれを抑制するかを考慮したものではない。
従って,本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり,その目的とするところは,電源装置におけるEMIの発生とスイッチング素子の温度上昇とのいずれを抑制するかを該電源装置が映像表示パネルに供給する電力に応じて調整することが可能な映像表示装置を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明は,映像を表示する映像表示パネルと,入力されるスイッチング信号によりスイッチング動作をすることによって,前記映像表示パネルに供給する電力を制御するスイッチング素子を含む電源装置と,前記電源装置が前記映像表示パネルに供給する電力に応じて,前記スイッチング素子への前記スイッチング信号の入力経路の抵抗値を設定する抵抗値設定手段とを具備してなる映像表示装置として構成される。
本発明に係る前記映像表示装置は,時々刻々変動する前記電源装置が前記映像表示パネルに供給する電力に応じて,EMI対策を重視して入力経路の抵抗値を上げた設定にしたり,前記スイッチング素子の昇温対策を重視して前記入力経路の抵抗値を下げた設定にしたりすることができる。具体的な例として,前記電源装置としてDC−DCコンバータを使用し,前記スイッチング素子としてFET(Field effect transistor)を使用する場合に,前記電源装置に接続された前記映像表示パネルの消費電力の変動に応じてFETのゲート端子の入力経路の抵抗値を変更することによって,FETを高速動作させることに起因するEMIの抑制を重視した動作状態とFETのドレイン損失に起因する昇温抑制を重視した動作状態とを適宜変更することができる。但し,EMI対策の為に,ゲート端子の入力経路に接続された抵抗値を上げ過ぎると,ドレイン損失によってFETの温度が上昇し過ぎる可能性がある。
そこで,本発明に係る映像表示装置は,前記映像表示パネル及び/又は前記電源装置の温度を検出する温度検出手段をさらに備えてなり,前記抵抗値設定手段は,前記温度検出手段によって検出された温度が予め設定された所定の温度閾値より低くなるように前記入力経路の抵抗値を設定するものであることが望ましい。これによって,前記映像表示パネルや前記電源装置などの温度が,前記所定の温度閾値以上になることを防止しつつ,極力EMIを抑制することができる。
さらに好ましくは,本発明に係る前記映像表示装置は,前記所定の温度閾値を設定する温度閾値設定手段をさらに備えてなるものであることが考えられる。この場合,当該映像表示装置を設置する場所に応じて,前記温度閾値設定手段により前記所定の温度閾値を変更することが可能となるため,EMI対策と昇温対策とのバランスを変更することができる。例えば,当該映像表示装置を自動車内に搭載する場合には,他の装置によるEMIが多く,前記映像表示装置によるEMIの影響が低い一方,車内の温度上昇が問題になりやすいため,前記所定の温度閾値を比較的低めに設定することにより,EMI対策よりも温度上昇に重点をおいた運用を行うことができる。また,当該映像表示装置を病院に設置する場合には,エアコンなどによって温度上昇が抑えられる一方,他の機器へのEMIの影響が大きいことから,前記所定の温度閾値を比較的高めに設定することにより,温度上昇よりもEMI対策に重点をおいた運用を行うことができる。
具体的に,本発明の前記抵抗値設定手段が,前記入力経路上に接続された1又は複数の抵抗と,複数の前記各抵抗に並列に接続されて,前記各抵抗の両端の短絡の有無を切り換える複数の抵抗切替スイッチと,前記電源装置が前記映像表示パネルに供給する電力に応じて,複数の前記各抵抗切替スイッチによる前記各抵抗の両端の短絡の有無を切り換えることによって,前記入力経路の抵抗値を設定する抵抗制御手段とを具備してなる映像表示装置として構成される。この場合,前記抵抗制御手段によって,前記スイッチング素子に入力されるスイッチング信号(パルス信号)が経由する前記抵抗の数が前記複数の抵抗切換スイッチによって変更されることにより,前記入力経路の抵抗値が変更されることとなる。
ところで,前記電源装置から前記映像表示パネルに流れる電流値は,前記映像表示パネルの消費電力に対応する。そこで,本発明に係る前記映像表示装置は,前記映像表示パネルに供給されている電流値を検出する電流検出手段をさらに備えてなり,前記抵抗値設定手段は,前記電流検出手段によって検出された電流値が高いほど前記入力経路の抵抗値を大きく設定するものであることが考えられる。これにより,前記電源装置が前記映像表示パネルに供給する電力に応じて前記入力経路の抵抗値を設定することができるので,前記電源装置が前記映像表示パネルに供給する電力の変動に応じたEMI対策と昇温対策とのバランスを図ることができる。
また,前記抵抗値設定手段は,前記映像表示パネルの表示内容に応じて,前記入力経路の抵抗値を設定するものであることが考えられる。即ち,前記映像表示パネルの消費電力は,表示内容(例えば,映像の明るさの程度,映像情報の有無)によって異なるため,該表示内容に応じて前記入力経路の抵抗値を設定することにより,前記電源装置が前記映像表示パネルに供給する電力に応じたEMI対策と昇温対策とのバランスを図ることができる。
具体的に,前記抵抗値設定手段は,前記映像表示パネルに映像を表示させない場合の前記入力経路の抵抗値を前記映像表示パネルに映像を表示させる場合の前記入力経路の抵抗値よりも小さく設定するものであることが考えられる。また,ブランキング期間中は,映像表示中に比べて抵抗値を低く設定することが考えられる。この場合,前記映像表示パネルの消費電力は,映像を表示させる場合の方が映像を表示させない場合よりも大きくなるので,映像を表示させない場合の前記入力経路の抵抗値を映像を表示させる場合の前記入力経路の抵抗値よりも低くすることによって,EMI対策と昇温対策とのバランスを図ることができる。
また,本発明に係る映像表示装置は,所定の期間毎に,その期間内に前記映像表示パネルに表示させる映像の階調の平均値を算出する平均階調算出手段をさらに備えてなり,前記抵抗値設定手段は,前記平均階調算出手段によって算出された平均値に応じて,前記入力経路の抵抗値を設定するものであることが考えられる。例えば,表示する横1ライン毎に映像内容に応じて,前記入力経路の抵抗値を設定することによって,前記電源装置が前記映像表示パネルに供給する電力に応じて適宜EMI対策と昇温対策とのバランスを図ることができる。尚,一般的に前記映像表示パネルがノーマリーブラックの液晶表示パネルの場合,階調の平均値が白色に近いほど消費電力が高くなり,ノーマリーホワイトの液晶表示パネルの場合,階調の平均値が白色に近いほど消費電力が低くなる。
本発明によれば,前記電源装置におけるEMIの発生と前記スイッチング素子の温度上昇とのいずれを抑制するかを該電源装置が前記映像表示パネルに供給する電力に応じて調整することが可能となる。
本発明の実施形態に係る映像表示装置の一例であるテレビジョン受像機Xの概略構成を表すブロック図。 テレビジョン受像機XにおけるEMI発生のタイミングと抵抗値を変更するタイミングとのシーケンス図。 図2のEMI発生のタイミングと抵抗値を変更するタイミングとのシーケンスの要部拡大図。
以下添付図面を参照しながら,本発明の実施の形態について説明し,本発明の理解に供する。尚,以下の実施の形態は,本発明を具体化した一例であって,本発明の技術的範囲を限定する性格のものではない。
まず,図1に示される概略構成図を参照しつつ,本発明の実施形態に係るテレビジョン受像機Xの構成について説明する。
図1に示されるように,テレビジョン受像機Xは,DC−DCコンバータ10,液晶パネル18,液晶駆動部19,電流検出器21,温度計22,モード切替設定部24,負荷判別部25,T−CON40及び映像用メモリ41等を備えている。
DC−DCコンバータ10は,FET11a,FET11b,ゲート用抵抗12a,12b,スイッチ13a,13b,パルス信号発生器14,ゲート抵抗制御部15,入力コンデンサ16a,出力コンデンサ16b,コイル17,直流電源31を備えている。なお,DC−DCコンバータ10は,電源装置の一例である。
液晶パネル18は,各画素に対応して設けられ,印加される電圧に応じて光の透過量が変動する多数の液晶素子を備えており,各画素の液晶素子に印加される電圧に応じて映像を表示する映像表示パネルの一例である。なお,本発明に係る映像表示装置は,液晶パネルを有する液晶表示装置に限らず,他にプラズマディスプレイ,ブラウン管,有機EL(Electro-Luminescence)ディスプレイなどを有する映像表示装置も本発明に係る映像表示装置の一例である。
液晶駆動部19は,液晶パネル18の各画素に対応して配置されたトランジスタをオン・オフして液晶素子への印加電圧(液晶パネル18の横1ライン(走査ライン)毎に印加する電圧である走査信号電圧及び,液晶パネル18の各画素毎に印加する電圧である表示信号電圧)を制御して,映像を表示させる。また,前記液晶駆動部19は,液晶パネル18の走査ライン数よりも多くのレジスタを有するシフトレジスタと,DC−DCコンバータ10の直流電圧のレベルを変換して液晶パネル18の各液晶素子のゲートを印加するレベル変換器とを備える。尚,液晶駆動部19の前記シフトレジスタの最初の数レジスタと最後の数レジスタを除く他の全てのレジスタが,液晶パネル18の走査ラインに対応しており,各前記レジスタの値(0又は1)を液晶駆動部19の前記レベル変換器に出力する。また,液晶駆動部19の前記レベル変換器が,各前記レジスタの値(0又は1)に応じて直流電圧を変換し,液晶パネル18の各液晶素子のゲートを印加する。
直流電源31は,例えば商用交流電圧(AC100V)を所定の直流電圧に変換して出力するものである。
入力コンデンサ16aは,直流電源31から供給される電流のノイズ成分を除去する。
コイル17は,FET11aがオンすると,直流電源31から流れる電流を磁界エネルギーとして蓄え,FET11aがオフすると,蓄えた磁界エネルギーを放出して,出力コンデンサ16b,液晶駆動部19側に電流を流す。これにより,DC−DCコンバータ10では,直流電源31からの出力電圧が,コイル17による磁界エネルギーの重畳によって昇圧されることとなる。出力コンデンサ16bは,コイル17からの出力電圧を平滑化直流電圧にする。
FET11a,FET11bは,ゲートに入力されるスイッチング信号に従ってソース−ドレイン間の通電の有無を切り換えるスイッチング動作を行うことによって,液晶パネル18に供給する電力を制御するスイッチング素子の一例である。
具体的に,FET11aは,ゲートに印加された電圧値が所定の値(例えば,0.7V)より高い場合に,ソース−ドレイン間を通電状態にする。一方,FET11bは,ゲートに印加された電圧値が所定の値(例えば,0.7V)より低い場合に,ソース−ドレイン間を通電状態にする。従って,後述のパルス信号発生器14から入力されるスイッチング信号に基づくFET11a及びFET11bのスイッチング動作は相反する動作となる。
FET11aのソース−ドレイン間が通電状態になると,直流電源31からコイル17に流れる電流が磁界エネルギーとしてコイル17に蓄積され,ソース−ドレイン間が非通電状態になると,コイル17に蓄積された磁界エネルギーが放出される。FET11aのソース−ドレイン間が非通電状態になる際には,FET11bのゲートに印加される電圧が所定の値より低くなり,FET11bのソース−ドレイン間が通電状態になるので,コイル17から放出される磁界エネルギーは電流となり,FET11bのソース−ドレイン間を介して,出力コンデンサ16b及び液晶駆動部19に流れる。このように,FET11a,FET11bのソース−ドレイン間の通電・非通電が繰り返されることによって,直流電源31によって印加される直流電圧は,一旦コイル17で磁界エネルギーとして蓄積された後に,出力コンデンサ16bで平滑されて,変換後の直流電圧となり,液晶駆動部19に印加される。
パルス信号発生器14は,液晶駆動部19が液晶パネル18の各液晶素子に印加する電圧に応じて,該電圧に対応するデューティ比(OFFに対するONの比率)のパルス信号を発生させ,FET11a,11b各々にスイッチング信号として入力するものである。これにより,FET11aのソース−ドレイン間に電流が流れる時間が変わるので,コイル17に蓄積される磁界エネルギー量が変化し,液晶パネル18に印加する電圧を制御できる。具体的に,液晶パネル18に印加する電圧を高くする場合にはデューティ比を大きくし,印加する電圧を低くする場合にはデューティ比を低くする。尚,説明の都合上,図1中に2つパルス信号発生器14を記載しているが,1つでもよい。
ゲート用抵抗12a,12b各々は,パルス信号発生器14からFET11a,FET11bのゲートへのスイッチング信号の入力経路上に直列に接続された抵抗素子である。前記FET11a,11bのゲートへのスイッチング信号の入力経路上の抵抗値が大きくなるほど,パルス信号発生器14からFET11a,FET11bのゲートに送られるパルスの立ち上がり時間・立下り時間が長くなる。一方,前記FET11a,11bのゲートへのスイッチング信号の入力経路上の抵抗値が小さくなるほど,パルス信号発生器14からFET11a,FET11bのゲートへのスイッチング信号及びFET11a,FET11bの出力電流のオーバーシュート,アンダーシュートは大きくなる。以下,FET11a,FET11bのゲートへのスイッチング信号の入力経路の抵抗値をゲート抵抗と称する。
例えば,ゲート用抵抗12a,12b各々は,同じ抵抗値であっても,或いは10KΩ,20KΩ,30KΩ,50KΩ等の異なる抵抗値であってもよい。また,ゲート用抵抗12a,12b各々は,直列に接続するのみならず,並列に接続したり,直列・並列を組み合わせた接続にしてもよい。尚,ゲート用抵抗12a,12bは,前記入力経路上に接続された1又は複数の抵抗の一例である。
スイッチ13a,13b各々は,各ゲート用抵抗12a,12bに並列に接続され,各ゲート用抵抗12a,12bの両端の短絡の有無を切り換える抵抗切替スイッチの一例である。スイッチ13a,13bの切り換え動作によって,FET11a,FET11bのゲート抵抗が変わる。
映像用メモリ41は,液晶パネル18に表示させる1ライン毎の映像情報を一時記憶するものである。
T−CON(Timing−CONtroller)40は,液晶駆動部19が液晶パネル18の各素子を駆動させるクロックなどのパルス信号を生成出力する。その際に,T−CON40は,液晶分子の劣化を防止するために液晶パネル18に印加する電圧をフレームやライン毎に反転した反転パルス信号をも生成出力する。さらに,T−CON40は,受信した映像信号や映像用メモリ41の信号を液晶パネル18の各素子が,正しく画像,色を表現できるようなフォーマットにデータを並び替えて,液晶駆動部19に信号を送る。また,T−CON40は,FET11a,FET11bのゲートに入力されるパルスの立ち上がり・立下りタイミングとスイッチ13a,13bを切り換えるタイミングとが重なって,EMIの発生原因となるノイズがスイッチング信号に重畳されることを防止するために,FET11a,FET11bのゲートに入力されるパルスの立ち上がり・立下りタイミングとは異なるタイミングでスイッチ13a,13bのオン・オフを切り換えるためのクロック信号をゲート抵抗制御部15に出力する。また,T−CON40は,映像用メモリ41に記憶された情報を液晶駆動部19と負荷判別部25とに出力する。
電流検出器21は,DC−DCコンバータ10によって変換された直流電圧を液晶駆動部19に印加する際に流れる電流値を検出し,検出された電流値を負荷判別部25に出力する。電流検出器21によって検出された電流値の変動は,液晶パネル18が表示画像の階調度に応じて各液晶素子の透過率を変更する際に印加する電圧の変動に比例する。尚,電流検出器21は,電流検出手段の一例である。
温度計22は,液晶パネル18やDC−DCコンバータ10,テレビジョン受像機Xの温度を測定したり,他の温度検出部(過熱防止回路等,不図示)から出力された温度の値を受取り,温度の値を負荷判別部25に出力する。尚,温度計22は,温度検出手段の一例である。
負荷判別部25は,DC−DCコンバータ10が液晶パネル18に供給する電力に応じて,スイッチ13a,13bのオン・オフを制御するためのゲート抵抗制御信号をゲート抵抗制御部15に出力する。具体的に,負荷判別部25は,電流検出器21から出力された電流値,温度計22から出力された温度の値,及び予め設定された上限温度(所定の温度閾値の一例)に応じて,スイッチ13a,13bのオン・オフを制御するためのゲート抵抗制御信号をゲート抵抗制御部15に出力する。
ゲート抵抗制御部15は,負荷判別部25からの前記ゲート抵抗制御信号とT−CON40からのクロック信号とに従って,スイッチ13a,13bのオン・オフを切り替えることにより,ゲート抵抗を設定する。なお,負荷判別部25及びゲート抵抗制御部15の具体的動作については後段で詳述する。
なお,モード切替設定部24は,負荷判別部25における判断指標として用いられる前記上限温度を予め設定し,負荷判別部25に入力する。ここに,前記上限温度を設定するときのモード切替設定部24が温度閾値設定手段に相当する。具体的に,モード切換設定部24は,不図示のリモコンなどの操作入力部へのユーザ操作やテレビジョン受像機Xの動作に係る設定内容に応じて上限温度を予め設定する。もちろん,前記上限温度は,テレビジョン受像機Xの製造時などに初期設定されたものであってもよい。
以下,図2及び図3を参照しつつ,テレビジョン受像機XにおけるDC−DCコンバータ10の動作の一例について説明する。
ここでは,負荷判別部25が,電流検出器21から出力された電流値と温度計22から出力された温度の値とに基づいて,ゲート抵抗制御信号をゲート抵抗制御部15に出力し,FET11a,FET11bのゲート抵抗をゲート抵抗制御部15によって変更させる場合を例に挙げて説明する。なお,FET11a,11bのゲートに入力されるスイッチング信号のオーバーシュート及びアンダーシュート各々によるEMIの発生量への影響は同様であるため,ここでは,オーバーシュートの場合のみを例に挙げて図示及びその説明を行う。
ここに,図2の(a)はGCK(ゲートクロック信号),(b)はGSP(ゲートスタートパルス),(c)はソースドライバ用アナログ電圧AVDD(Vout),(d)はFET11aのゲート信号,(e1)はFET11aのドレイン電圧(液晶パネル18を印加するための平滑化前の電圧),(e2)はFET11bのドレイン電圧,(f)はゲート抵抗制御部15が出力するゲート抵抗制御信号,(g)は温度計22が出力する温度情報の信号である。
GCKとGSPは,液晶パネル18に映像を表示させる際に,液晶駆動部19を駆動するための制御信号である。ゲート抵抗制御信号は,ゲート抵抗制御部15がオフするスイッチ13a,13bの数に関する情報を示しており,その値が大きいほどFET11a,11bへのスイッチング信号の入力経路上で直列接続されるゲート用抵抗12a,12bの数が増加し,該FET11a,11bのゲート抵抗が大きくなる。
先ず,図2(a),(b)に示すように,T−CON40から液晶駆動部19にGSPとGCKが入力され,液晶駆動部19のシフトレジスタは,GSPの信号レベルをGCKの立ち上がりで取り込み先頭レジスタの1ビットの信号とし,該1ビットの信号をGCKが立ち下がるタイミングで後段のレジスタにシフトしていく。その後,前記シフトレジスタの液晶パネル18の走査ラインに対応するレジスタの値が1になると,液晶駆動部19の前記レベル変換器が,該走査ラインの各液晶素子のゲートを直流電圧により印加してオン状態にし,1ラインの画像の書き込みが開始される。このとき,GCKが立ち下がるタイミング付近では,液晶パネル18が各液晶素子の透過率を変動させるために該液晶パネル18に供給すべき電力が大きくなり,ソースドライバ用アナログ電圧AVDDが不足する(図2(c)参照)。
そのため,ソースドライバ用アナログ電圧AVDDの値が低くなる部分では,液晶駆動部19は,液晶パネル18に必要な印加電圧(負荷)を確保するべく,パルス信号発生器14で生成されるスイッチング信号のデューティー比を高めて,FET11a,FET11bのドレイン電流を増大させる。このとき,DC−DCコンバータ10では,液晶パネル18に映像を表示させるために液晶駆動部19から液晶パネル18に印加される電圧が,高周波のスイッチング信号に基づくFET11a,11bのスイッチング動作によって生成される(図2(d)参照)。ここで,前述したように,FET11a,FET11bにおけるEMIの発生量は,FET11a,11bのドレイン電圧のオーバーシュート,アンダーシュートが大きいほど,即ちDC−DCコンバータ10から液晶パネル18に供給する電力が大きいほど多くなる。特に,DC−DCコンバータ10から液晶パネル18に供給する電力が大きいほど,FET11a,11bのゲートに入力されるスイッチング信号のオーバーシュート,アンダーシュートによるFET11a,11bのドレイン電圧のオーバーシュート,アンダーシュートへの影響が大きくなる。
そこで,DC−DCコンバータ10では,負荷判別部25及びゲート抵抗制御部15が,FET11a,11bのオーバーシュートの振幅を抑制するべく,該DC−DCコンバータ10が液晶パネル18に供給する電力(負荷)に応じてFET11a,11bのゲート抵抗を設定する。具体的に,負荷判別部25及びゲート抵抗制御部15は,DC−DCコンバータ10から液晶パネル18に供給する電力が大きいほどFET11a,11bのゲート抵抗を高く,液晶パネル18に供給する電力が小さいほどFET11a,11bのゲート抵抗を低く設定する。
より詳細には,負荷判別部25が,DC−DCコンバータ10から液晶パネル18に供給される電力の大きさの判断指標となる電流検出器21によって検出された電流値に応じて,ゲート抵抗制御部15に出力するゲート抵抗制御信号の値を「0」〜「3」の範囲で制御する。そして,ゲート抵抗制御部15は,前記ゲート抵抗制御信号に応じてスイッチ13a,13bによるゲート抵抗12a,12bの短絡の有無を切り替えることにより,FET11a,11bに接続されたゲート用抵抗12a,12bの数を切り替え,FET11a,11b各々のゲート抵抗を設定する。
ここに,係る動作を行うときのゲート抵抗制御部15及び負荷判別部25が抵抗制御手段の一例であり,ゲート用抵抗12a,12b,スイッチ13a,13b,ゲート抵抗制御部15及び負荷判別部25が抵抗値設定手段の一例である。
これにより,DC−DCコンバータ10から液晶パネル18に供給される電力が大きい場合に,FET11a,11bにおけるオーバーシュートを抑制し,EMIの発生量を抑制することができる。
具体的に,液晶駆動部19による画像の書き込みが行われ,ソースドライバ用アナログ電圧AVDDが低下する間,即ち液晶パネル18に供給する電力が高くなるタイミングでは,ゲート抵抗制御部15及び負荷判別部25によって,電流検出器21によって検出された電流値が高くなるほどFET11a,11bのゲート抵抗が高く設定される。例えば,図2に示す例では,初めのGCKの入力後,前記ゲート抵抗制御信号は「0」から「3」に変更されている(図2(f))。
ここに,図3は,図2(c)〜(e2)の破線部を拡大した図である。図3に示すように,電流検出器21によって検出された電流値が高くなることに応じてFET11a,11bのゲート抵抗が高く設定されると,FET11a,11bのゲート信号の立ち上がりがなまる(緩やかに行われる)ことになる(図3(d)の破線部参照)。そのため,その間のFET11a,11bのゲート信号のオーバーシュートが低減され,ドレイン電圧におけるオーバーシュートが低減されることとなり(図3(e1)(e2)の破線部参照),FET11a,11bにおけるEMIの発生量が抑制される。
ところで,FET11a,11bのゲート抵抗が高くなり,該FET11a,11bの立ち上がりがなまってその遷移時間が長くなると,該FET11a,11bの温度はドレイン損失によって上昇することになる。
そのため,負荷判別部25及びゲート抵抗制御部15は,電流検出器21によって検出された電流値のみならず,温度計22によって検出された液晶パネル18やDC−DCコンバータ10,テレビジョン受像機Xの温度にも基づいて,該温度計22による検出温度が予め設定された上限温度より低くなるように,FET11a,11bのゲート抵抗を設定する。ここでは,前記モード切替設定部24によって,前記上限温度が予め50℃に設定されている場合を例に挙げて説明する。
この場合,図2(g)に示すように,温度計22からの温度情報の信号が,前記上限温度よりも低い「30」℃である旨を示すものである場合,負荷判別部25は,FET11a,11bのゲート抵抗を定めるゲート抵抗制御信号を,電流検出器21によって検出された電流値に応じて「0」〜「3」の範囲で設定する。
例えば,図2における一つ目のGCK信号の入力後には,ソースドライバ用アナログ電圧AVDDの低下が大きく液晶パネル18に供給される電力が大きくなるため,ゲート抵抗制御信号は最大の「3」に設定される。これにより,FET11a,11bのゲートには全てのゲート用抵抗12a,12bが接続されることとなり,ゲート抵抗が最大値となる。これにより,FET11a,11bのEMIの発生量が最も抑制される状態となる。
一方,図2(g)に示すように,温度計22からの温度情報の信号が,前記上限温度以上である「50」℃である旨を示すものである場合,負荷判別部25は,ゲート抵抗制御信号を予め設定された上限値を上限とする範囲で設定する。この上限値は,温度計22による検出温度を前記上限温度よりも低い状態に維持することができる値として予め設定されたものである。例えば,前記上限値は,予め行われた実験やシミュレーションの結果に応じて設定しておけばよい。ここでは,前記ゲート抵抗制御信号の上限値が「2」であるものとする。
この場合,図2における三つ目のGCK信号の入力後には,一つ目のGCK信号の入力時と同様に,ソースドライバ用アナログ電圧AVDDの低下が大きく液晶パネル18に供給される電力が大きくなり,本来はゲート抵抗制御信号は最大の「3」に設定されるべきであるが,負荷判別部25は,ゲート抵抗制御信号の上限値を,温度計22による検出温度に応じて「2」に制限する。これにより,FET11a,11bではドレイン損失が低減されて発熱量が抑制され,温度計22による検出温度が前記上限温度よりも低くなるという温度状態を維持することができる。
従って,DC−DCコンバータ10では,前記上限温度「50」℃よりも低い状態を維持しつつ,FET11a,11bのEMIの発生量を極力抑制することができる。
以上説明したように本発明の映像表示装置の一例であるテレビジョン受像機Xによれば,DC−DCコンバータ10が液晶パネル18に供給する電力(ここでは液晶パネル18に流れる電流値)に応じて,FET11a,11bへのスイッチング信号の入力経路の抵抗値を増減させることにより,EMIの発生を抑制し,又は,温度上昇を抑制することができる。
特に,温度計22による検出温度が予め設定された上限温度よりも低くなるようにFET11a,11bへのスイッチング信号の入力経路の抵抗値の設定範囲を制限することで,該上限温度よりも低い温度状態を維持しつつ,FET11a,11bによるEMIの発生量を極力抑制することができる。
前記実施の形態では,前記DC−DCコンバータ10から液晶パネル18に供給する電力の大きさの判断指標として前記電流検出器21によって検出された電流値を用い,該電流値に応じて前記FET11a,11bのゲート抵抗を設定する場合を例に挙げて説明した。
一方,電流検出器21によって検出された電流値に代えて,前記液晶パネル18の表示内容をDC−DCコンバータ10から液晶パネル18に供給する電力の大きさの判断指標として用い,該液晶パネル18の表示内容に応じて前記FET11a,11bのゲート抵抗を設定してもよい。もちろん,電流検出器21によって検出された電流値と前記液晶パネル18の表示内容との両方に応じて前記FET11a,11bのゲート抵抗を設定することも考えられる。
例えば,負荷判別部25が,横1ライン(所定の期間の一例)毎にその期間内に液晶パネル18に表示させる映像の階調の平均値を算出する平均階調算出機能をさらに備え,算出した横1ラインの階調平均に応じてゲート抵抗制御部15に入力するゲート抵抗制御信号を設定するものであることが考えられる。なお,負荷判別部25は,映像用メモリ41に記憶された映像データに基づいて横1ラインの階調平均を算出する。ここに,前記平均階調算出機能を具現するときの負荷判別部25が手段に相当する。
例えば,液晶パネル18がノーマリーブラックで,映像の階調が0〜255(黒色から白色に対応)の範囲で示されるものであるとき,負荷判別部25は,算出した階調平均が0〜127である場合にはゲート抵抗制御信号を「0」〜「3」の範囲で設定し,算出された階調平均が128〜255である場合にはゲート抵抗制御信号を「0」〜「2」の範囲で設定することが考えられる。
なお,負荷判別部25が備えるライン平均階調算出機能は,横1ライン毎の階調の平均値を算出することに限らず,1フレーム毎や数ライン毎又は数フレーム毎に平均値を算出するものであってもよい。
また,液晶パネル18の表示内容の他の例として,テレビジョン受像機Xが所定の時間内に普通の使用状態で表示するフレームの倍数のフレームを表示する倍速モードで動作するか否かに応じて,前記FET11a,11bのゲート抵抗を設定することも考えられる。
具体的に,負荷判別部25は,通常モードで動作する場合には,ゲート抵抗制御信号の値を「0」に設定し,倍速モードで動作する場合には,ゲート抵抗制御信号の値を「3」に設定して,FET11a,11bのゲート抵抗を調整することが考えられる。これにより,DC−DCコンバータ10から液晶パネル18に供給される電力が増加する倍速モードにおけるEMIの発生量を抑制することができる。また,通常モード及び倍速モードのいずれであるかに応じて,ゲート抵抗制御信号の設定可能範囲を変更することも考えられる。
なお,この場合には,例えばモード切替設定部24が,当該テレビジョン受像機Xのメイン制御部(不図示)から動作モードを示すモード信号を取得し,負荷判別部25にそのモード信号を入力することが考えられる。これにより,負荷判別部25は,そのモード信号に基づいて通常モード及び倍速モードのいずれかであるかを判断することが可能である。
さらに,液晶パネル18の表示内容の他の例として,テレビジョン受像機Xによって受信されて液晶パネル18に表示されているテレビジョン放送のチャンネルが変わった際に,元のチャンネルの映像表示が終わってから次のチャンネルの映像表示が始まるまでの期間(ブランク期間)であるか否かに応じて,前記FET11a,11bのゲート抵抗を設定することも考えられる。
具体的に,負荷判別部25は,液晶パネル18に映像を表示させる場合には,ゲート抵抗制御信号を「2」に設定し,液晶パネル18に映像を表示させない場合は,ゲート抵抗制御信号を液晶パネル18に映像を表示させる場合よりも小さい「0」に設定することが考えられる。即ち,液晶パネル18に映像を表示させない場合のFET11a,11bのゲート抵抗が,液晶パネル18に映像を表示させる場合のFET11a,11bのゲート抵抗よりも小さく設定されることとなる。これにより,液晶パネル18に映像を表示させる場合にはEMIの発生を抑制し,液晶パネル18に映像を表示させない場合にはFET11a,11bの不要な温度上昇を抑制することができる。なお,水平同期信号や垂直同期信号におけるブランキング期間も同様に,FET11a,11bのゲート抵抗を低く設定することが考えられる。
なお,この場合には,例えばモード切替設定部24が,当該テレビジョン受像機Xのメイン制御部(不図示)からチャンネルの切替信号を取得し,負荷判別部25にそのチャンネルの切替信号を入力することが考えられる。これにより,負荷判別部25は,そのチャンネルの切替信号に基づいて液晶パネル18に映像が表示されるか否かを判断することが可能である。
ここでは,ユーザが任意にDC−DCコンバータ10の温度上昇とEMIの発生量とのいずれを優先するかのモードを選択し得る構成について説明する。
まず,モード切替設定部24は,ユーザによるリモコンなどの操作に応じて,DC−DCコンバータ10の温度上昇を抑制する「昇温抑制モード」と,EMIの発生量を抑制する「EMI抑制モード」とのいずれを選択し,そのモードの内容を負荷判別部25に入力する。なお,「昇温抑制モード」は,例えば自動車内でテレビジョン受像機Xを使用する場合など,EMI抑制よりも温度上昇の抑制を重視する場合に用いられる。また,「EMI抑制モード」は,例えば病院内でテレビジョン受像機Xを使用する場合など,EMI抑制を重視する場合に用いられる。
そして,負荷判別部25は,モード切替設定部24から「昇温抑制モード」である旨が通知された場合には,前記ゲート抵抗制御信号の上限値を「2」に設定し,モード切替設定部24から「EMI抑制モード」である旨が通知された場合には,前記ゲート抵抗制御信号の上限値を「3」に設定する。
これにより,ユーザによって「昇温抑制モード」が選択されている場合には,負荷判別部25は,前記ゲート抵抗制御信号を上限値「2」とする「0」〜「2」の範囲で設定することとなり,FET11a,11bの昇温が重点的に抑制される。一方,ユーザによって「EMI抑制モード」が選択されている場合には,負荷判別部25は,前記ゲート抵抗制御信号を上限値「3」とする「0」〜「3」の範囲で設定することとなり,FET11a,11bにおけるEMIの発生抑制が重点的に図られる。
また,前記ゲート抵抗制御信号の上限値の制限の開始時点を変更することで,FET11a,11bの昇温を重点的に抑制するか,EMIの発生量を重点的に抑制することも考えられる。例えば負荷判別部25が,ユーザによって「昇温抑制モード」が選択されている場合には,前記上限温度を「50」℃に設定し,「EMI抑制モード」が選択されている場合には,前記上限温度を「60」℃に設定することにより,前記ゲート抵抗制御信号の上限値の制限の開始時点を変更することが可能である。
ところで,前記実施の形態では,温度計22による検出温度が上限温度を超えている場合に,前記ゲート抵抗制御信号の上限値を制限し,その制限の範囲内でDC−DCコンバータ10から液晶パネル18に供給する電力(電流検出器21によって検出された電流値)に応じてFET11a,11bのゲート抵抗を設定する場合について説明した。
一方,負荷判別部25が,液晶パネル18に供給する電力及び温度計22による検出温度と,FET11a,11bのゲート抵抗の値との対応関係を予め定めた対応情報を記憶しており,該対応情報に基づいてFET11a,11bのゲート抵抗を設定することも他の実施例として考えられる。
また,温度計22による検出温度によって前記ゲート抵抗制御信号の上限値,即ちFET11a,11bのゲート抵抗の上限値を,複数段階に分けて制限することも考えられる。例えば,温度計22の検出温度が「50」℃になるまではゲート抵抗制御信号の範囲を「0〜3」,温度計22の検出温度が「60」℃になるまではゲート抵抗制御信号を「0〜2」の範囲で設定し,温度計22の検出温度が「70」℃になるまではゲート抵抗制御信号を「0〜1」の範囲で設定することが考えられる。
X :テレビジョン受像機(映像表示装置の一例)
10 :DC−DCコンバータ(電源装置の一例)
11a :FET(スイッチング素子の一例)
11b :FET(スイッチング素子の一例)
12a :ゲート用抵抗
12b :ゲート用抵抗
13a :スイッチ
13b :スイッチ
14 :パルス信号発生器
15 :ゲート抵抗制御部
16a :入力コンデンサ
16b :出力コンデンサ
17 :コイル
18 :液晶パネル(映像表示パネルの一例)
19 :液晶駆動部
21 :電流検出器
22 :温度計
24 :モード切替設定部
25 :負荷判別部
31 :直流電源
40 :T−CON
41 :映像用メモリ

Claims (8)

  1. 映像を表示する映像表示パネルと,
    入力されるスイッチング信号によりスイッチング動作をすることによって,前記映像表示パネルに供給する電力を制御するスイッチング素子を含む電源装置と,
    前記電源装置が前記映像表示パネルに供給する電力に応じて,前記スイッチング素子への前記スイッチング信号の入力経路の抵抗値を設定する抵抗値設定手段と,
    を具備してなる映像表示装置。
  2. 前記映像表示パネル及び/又は前記電源装置の温度を検出する温度検出手段をさらに備えてなり,
    前記抵抗値設定手段は,前記温度検出手段によって検出された温度が予め設定された所定の温度閾値より低くなるように前記入力経路の抵抗値を設定するものである請求項1に記載の映像表示装置。
  3. 前記所定の温度閾値を設定する温度閾値設定手段をさらに備えてなる請求項2に記載の映像表示装置。
  4. 前記抵抗値設定手段が,
    前記入力経路上に接続された1又は複数の抵抗と,
    複数の前記各抵抗に並列に接続されて,前記各抵抗の両端の短絡の有無を切り換える複数の抵抗切替スイッチと,
    前記電源装置が前記映像表示パネルに供給する電力に応じて,複数の前記各抵抗切替スイッチによる前記各抵抗の両端の短絡の有無を切り換えることによって,前記入力経路の抵抗値を設定する抵抗制御手段と,
    を具備してなる請求項1〜3のいずれかに記載の映像表示装置。
  5. 前記映像表示パネルに供給されている電流値を検出する電流検出手段をさらに備えてなり,
    前記抵抗値設定手段は,前記電流検出手段によって検出された電流値が高いほど前記入力経路の抵抗値を大きく設定するものである請求項1〜4のいずれかに記載の映像表示装置。
  6. 前記抵抗値設定手段は,前記映像表示パネルの表示内容に応じて,前記入力経路の抵抗値を設定するものである請求項1〜5のいずれかに記載の映像表示装置。
  7. 前記抵抗値設定手段は,前記映像表示パネルに映像を表示させない場合の前記入力経路の抵抗値を前記映像表示パネルに映像を表示させる場合の前記入力経路の抵抗値よりも小さく設定するものである請求項6に記載の映像表示装置。
  8. 所定の期間毎に,その期間内に前記映像表示パネルに表示させる映像の階調の平均値を算出する平均階調算出手段をさらに備えてなり,
    前記抵抗値設定手段は,前記平均階調算出手段によって算出された平均値に応じて,前記入力経路の抵抗値を設定するものである請求項6に記載の映像表示装置。
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