JP2011070020A - Antireflection structure and method for manufacturing the same - Google Patents
Antireflection structure and method for manufacturing the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011070020A JP2011070020A JP2009221296A JP2009221296A JP2011070020A JP 2011070020 A JP2011070020 A JP 2011070020A JP 2009221296 A JP2009221296 A JP 2009221296A JP 2009221296 A JP2009221296 A JP 2009221296A JP 2011070020 A JP2011070020 A JP 2011070020A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- antireflection structure
- atomic weight
- resist
- light
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
【課題】簡便で短時間で描画することができ、且つ、微細で滑らかな３次元形状の反射防止構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に遮光膜を形成し、遮光膜上に炭素原子よりも原子量の大きな元素を添加した炭素を主成分とするレジストを電子線露光よりパターン形成して、
原子量の大きな元素は原子量４５以上の元素であり、原子量４５以上の元素は、チタン（Ｔｉ）、臭素（Ｂｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、よう素（Ｉ）、バリウム（Ｂａ）のいずれかであることを特徴とする反射防止構造体の製造方法。
【選択図】図２The present invention provides a method for manufacturing a fine and smooth three-dimensional antireflection structure that can be drawn easily and in a short time.
A light-shielding film is formed on a substrate, and a resist composed mainly of carbon to which an element having an atomic weight larger than carbon atoms is added is formed on the light-shielding film by electron beam exposure.
The element having a large atomic weight is an element having an atomic weight of 45 or more, and the element having an atomic weight of 45 or more is any of titanium (Ti), bromine (Br), molybdenum (Mo), iodine (I), and barium (Ba). A method of manufacturing an antireflection structure, which is characterized by the above.
[Selection] Figure 2
Description
本発明は、反射防止構造体及びその製造方法に関し、特に、表面反射を防止または低減する反射防止構造体及びその製造方法に関するものである。 The present invention relates to an antireflection structure and a method for manufacturing the same, and more particularly to an antireflection structure for preventing or reducing surface reflection and a method for manufacturing the same.
テレビやパソコン、携帯電話などの表示機器や、自動車のスピードメータなどの計器カバーでは、視認性を向上させるため材質表面の光反射を防止、若しくは低減することが求められており、また、レンズ、プリズム素子、発光ダイオード、フォトダイオード、ＣＣＤなど、部品単位で光の反射を防止することによる機器の高性能化が注目されている。 Display devices such as televisions, personal computers and mobile phones, and instrument covers such as automobile speedometers are required to prevent or reduce light reflection on the surface of materials in order to improve visibility. Attention has been focused on improving the performance of devices by preventing reflection of light such as prism elements, light-emitting diodes, photodiodes, and CCDs.
光反射を防止する方法として、有機膜や無機膜などの薄膜をコーティングし、光の干渉を利用して反射光を低減する方法や、特許文献１には、微粒子を塗布することにより光を散乱させ、光の反射を防ぐ方法（特許文献１参照）が開示され、非特許文献１には、反射防止構造のような光が反射しない形状を構成することによる光散乱防止方法などが開示されている（非特許文献１参照）。 As a method for preventing light reflection, a method of coating a thin film such as an organic film or an inorganic film and reducing reflected light by utilizing light interference, or Patent Document 1 discloses scattering of light by applying fine particles. And a method for preventing light reflection (see Patent Document 1), and Non-Patent Document 1 discloses a light scattering prevention method by forming a shape that does not reflect light, such as an antireflection structure. (See Non-Patent Document 1).
しかし、有機膜や無機膜などの薄膜を塗布し、光の干渉を利用して反射を防止する方法では、製造方法は安価であるが、波長依存性があり、特定の波長のみにしか反射低減の性能を示さず、反射防止効果が小さいという欠点がある。これを克服するために全波長に対応できるように多層に膜をつける方法もあるが、製造工程数が多くなり、歩留まり低下や品質管理の煩雑化などにより高コスト化してしまうという問題がある。 However, the method of applying a thin film such as an organic film or an inorganic film and preventing reflection using light interference is inexpensive, but it is wavelength-dependent and reduces reflection only at specific wavelengths. However, the anti-reflection effect is small. In order to overcome this problem, there is a method of forming films in multiple layers so that all wavelengths can be handled. However, there are problems that the number of manufacturing steps increases and the cost is increased due to a decrease in yield and complexity of quality control.
特許文献１に記載の微粒子を塗布することにより光を散乱させて反射を防止する方法では、微粒子の凝集、不均一な分散によるバラつきが発生してしまうという問題点があり、高精度で均一な反射防止機能を持たせることは難しい。 In the method of scattering light by applying fine particles described in Patent Document 1 to prevent reflection, there is a problem that fine particles are aggregated and uneven due to non-uniform dispersion. It is difficult to provide an antireflection function.
図１に示すモスアイ構造と呼ばれる反射防止構造については、高い反射防止性能を持つことが報告されているが、形成時に波長以下のサイズでの形状制御が必要であり、微細構造の形状作成が難しいという課題があった。 The antireflection structure called the moth-eye structure shown in FIG. 1 has been reported to have a high antireflection performance, but it is necessary to control the shape with a size below the wavelength at the time of formation, and it is difficult to create a shape of a fine structure. There was a problem.
一方、微細な形状を安価に転写できるという特徴から、産業分野でのナノインプリントの実用化が急激に進んできており、第一歩として光学部材への適用が有望視されている。 On the other hand, due to the feature that a fine shape can be transferred at a low cost, practical application of nanoimprinting in the industrial field has been rapidly progressing, and application to optical members is promising as the first step.
ナノインプリントでは、原版となるモールドの形状が等倍でそのまま転写されるため、モールドの作製には高精度と高解像度が必要であり、これらの特徴を持ち合わせている半導体製造技術におけるエッチングの応用によるモールド作成が盛んに研究されている。 In nanoimprinting, the shape of the original mold is transferred as it is at the same magnification. Therefore, high precision and high resolution are required for mold production. The mold is based on the application of etching in semiconductor manufacturing technology that has these characteristics. Creation is actively studied.
反射防止構造の光学部材では、可視光の波長以下のピッチで、且つ、滑らかなテーパ形状が必要であるなど、垂直形状形成に特化してきた半導体製造技術とは違った要求があり、３次元的な形状制御が必要なナノインプリントモールドの形成は一般に難しいことが知られている。 Optical members with an antireflection structure have different requirements from the semiconductor manufacturing technology that has specialized in vertical shape formation, such as the need for a smooth taper shape with a pitch less than the wavelength of visible light, and three-dimensional. It is known that it is generally difficult to form a nanoimprint mold that requires a specific shape control.
半導体製造技術を応用した反射防止構造の作製法として、特許文献２には、円柱形状からエッチングで反射防止構造の形状を作製する方法が開示されている（特許文献２参照）。しかし、特許文献２の方法では、レジストコート、露光、現像の工程を経て、更にその後エッチングとなるため工程数が多く、コストも高くなり、簡便な方法とはいえない。 As a method for producing an antireflection structure using a semiconductor manufacturing technique, Patent Document 2 discloses a method for producing a shape of an antireflection structure from a cylindrical shape by etching (see Patent Document 2). However, the method of Patent Document 2 is not a simple method because it undergoes resist coating, exposure, and development steps, followed by etching, which increases the number of steps and costs.
レジストのリソグラフィプロセスだけで反射防止構造体を製造することができれば、工程数を減らすことができ、低コスト化することができる。 If the antireflection structure can be manufactured only by the resist lithography process, the number of steps can be reduced and the cost can be reduced.
そこで、特許文献３には、光の露光を使ったリソグラフィだけで反射防止構造を製造する方法が開示されている。しかし、特許文献３に記載の方法では、複数回の露光が必要であり、露光エネルギーも“露光回数＋１”階調しか設定できず、また、露光波長により解像性に制限を受けるという問題がある。 Therefore, Patent Document 3 discloses a method of manufacturing an antireflection structure only by lithography using light exposure. However, the method disclosed in Patent Document 3 requires a plurality of exposures, the exposure energy can be set only to “exposure count + 1” gradation, and the resolution is limited by the exposure wavelength. is there.
これに対し、非特許文献２では、５０ｋｅＶや１００ｋｅＶなどの高加速電圧の電子線による描画（露光）では、露光波長依存による解像性の制限がなくなり、また、パターン毎、ショット毎に露光エネルギーを設定できるため、より高精度にレジスト形状を制御することが可能であり、実際に複雑な３次元形状であるフレネルレンズの作製などではこのような方法が用いられている（非特許文献２参照）。 On the other hand, in Non-Patent Document 2, in drawing (exposure) with an electron beam having a high acceleration voltage such as 50 keV or 100 keV, there is no limitation on resolution depending on the exposure wavelength, and the exposure energy for each pattern and each shot. Therefore, it is possible to control the resist shape with higher accuracy, and such a method is used in manufacturing a Fresnel lens that is actually a complicated three-dimensional shape (see Non-Patent Document 2). ).
しかし、電子線露光におけるショット毎の露光エネルギー設定においては、曲面形状に加工したい部分を微小図形に分割して描画しなければならず、ショット数が激増し、描画時間が膨大なものとなってしまい高コスト化してしまうという問題がある。 However, in setting the exposure energy for each shot in electron beam exposure, the portion to be processed into a curved surface must be divided into small figures and drawn, resulting in a drastic increase in the number of shots and a huge drawing time. There is a problem that the cost is increased.
また、電子線描画とレジストとを用いたリソグラフィプロセスだけで反射防止構造を作製する際には、描画のショット数が激増することにより、描画時間が膨大になってしまうという問題がある。 In addition, when an antireflection structure is manufactured only by a lithography process using electron beam drawing and a resist, there is a problem that the drawing time becomes enormous due to a drastic increase in the number of drawing shots.
本発明は、簡便で短時間で描画することができ、且つ、微細で滑らかな３次元形状の反射防止構造体の製造方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a method for producing an antireflection structure having a three-dimensional shape which is simple and can be drawn in a short time, and which is fine and smooth.
本発明の請求項１に係る発明は、基板上に遮光膜を形成し、遮光膜上に炭素原子よりも原子量の大きな元素を添加した炭素を主成分とするレジストを電子線露光よりパターン形成をすることを特徴とする反射防止構造体の製造方法としたものである。 In the invention according to claim 1 of the present invention, a light shielding film is formed on a substrate, and a resist mainly composed of carbon to which an element having an atomic weight larger than carbon atoms is added is formed on the light shielding film by electron beam exposure. This is a manufacturing method of an antireflection structure characterized by:
本発明の請求項２に係る発明は、原子量の大きな元素は原子量４５以上の元素であることを特徴とする請求項１に記載の反射防止構造体の製造方法としたものである。 The invention according to claim 2 of the present invention is the method for manufacturing an antireflection structure according to claim 1, wherein the element having a large atomic weight is an element having an atomic weight of 45 or more.
本発明の請求項３に係る発明は、原子量４５以上の元素は、チタン（Ｔｉ）、臭素（Ｂｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、よう素（Ｉ）、バリウム（Ｂａ）のいずれかであることを特徴とする請求項１または２に記載の反射防止構造体の製造方法としたものである。 In the invention according to claim 3 of the present invention, the element having an atomic weight of 45 or more is any one of titanium (Ti), bromine (Br), molybdenum (Mo), iodine (I), and barium (Ba). It is set as the manufacturing method of the reflection preventing structure of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned.
本発明の請求項４に係る発明は、基板と、基板上に形成された遮光膜と、遮光膜上に電子線露光によりパターン形成された炭素原子よりも原子量の大きな元素を添加した炭素を主成分とするレジストと、を備えることを特徴とする反射防止構造体としたものである。 The invention according to claim 4 of the present invention is mainly composed of a substrate, a light-shielding film formed on the substrate, and carbon added with an element having an atomic weight larger than the carbon atoms patterned on the light-shielding film by electron beam exposure. And an anti-reflective structure characterized by comprising a resist as a component.
本発明の請求項５に係る発明は、原子量の大きな元素は原子量４５以上の元素であることを特徴とする請求項４に記載の反射防止構造体としたものである。 The invention according to claim 5 of the present invention is the antireflection structure according to claim 4, wherein the element having a large atomic weight is an element having an atomic weight of 45 or more.
本発明の請求項６に係る発明は、原子量４５以上の元素は、チタン（Ｔｉ）、臭素（Ｂｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、よう素（Ｉ）、バリウム（Ｂａ）のいずれかであることを特徴とする請求項４または５に記載の反射防止構造体としたものである。 In the invention according to claim 6 of the present invention, the element having an atomic weight of 45 or more is any one of titanium (Ti), bromine (Br), molybdenum (Mo), iodine (I), and barium (Ba). The antireflection structure according to claim 4 or 5, wherein the structure is an antireflection structure.
本発明の請求項７に係る発明は、請求項４乃至６のいずれかに記載の反射防止構造体が低減すべき光の波長以下のピッチでアレイ状に配列されてなる光学素子としたものである。 The invention according to claim 7 of the present invention is an optical element in which the antireflection structure according to any one of claims 4 to 6 is arranged in an array at a pitch equal to or less than the wavelength of light to be reduced. is there.
本発明の請求項８に係る発明は、反射防止構造体が三角錐構造であることを特徴とする請求項７記載の光学素子としたものである。 The invention according to claim 8 of the present invention is the optical element according to claim 7, wherein the antireflection structure has a triangular pyramid structure.
本発明によれば、簡便で短時間で描画することができ、且つ、微細で滑らかな３次元形状の反射防止構造体の製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the antireflection structure of a three-dimensional shape which can be drawn simply and in a short time, and is fine and smooth can be provided.
以下、本発明の実施の形態を、図を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
本発明の実施の形態に係る反射防止構造体は、導電性金属膜付き６インチＱｚ基板（石英基板）を準備し、この基板にレジストを膜厚２００ｎｍ〜１０００ｎｍでコートする。レジストの膜厚は、所望する反射防止構造体の高さや、製造のし易さを考慮して選択する。 The antireflection structure according to the embodiment of the present invention prepares a 6-inch Qz substrate (quartz substrate) with a conductive metal film, and coats the substrate with a resist with a film thickness of 200 nm to 1000 nm. The film thickness of the resist is selected in consideration of the desired height of the antireflection structure and ease of manufacture.
レジストは、ポジ型、ネガ型のどちらでもよく、電子線で感光するフォトレジスストでも構わない。 The resist may be either a positive type or a negative type, and may be a photo resist that is exposed to an electron beam.
ネガ型のレジストでは、エネルギー蓄積部で架橋反応が起こることにより、現像後にレジストパターンとして残り、反射防止構造を持ったレジストパターンを形成することができる。 In the case of a negative resist, a cross-linking reaction takes place in the energy storage part, so that it remains as a resist pattern after development and a resist pattern having an antireflection structure can be formed.
ポジ型のレジストでは、インプリントによる転写や、電鋳などにより、反転版をとることにより反射防止構造体を形成することができる。 In the case of a positive resist, an antireflection structure can be formed by taking a reverse plate by imprint transfer or electroforming.
通常、５０ｋｅＶや１００ｋｅＶなどの高加速電圧での電子線描画におけるレジスト中の露光エネルギーのプロファイルは図２（ｂ）に示すようなデジタルなものとなる。これではレジスト形状は垂直となってしまい、滑らかなテーパ形状を形成することはできないため、上述のフレネルレンズ形成方法では図２（ｃ）に示すようにショットを分割し、露光量の割り振りをすることによって斜めの形状を形成している。 Usually, the profile of the exposure energy in the resist in electron beam drawing at a high acceleration voltage such as 50 keV or 100 keV is a digital one as shown in FIG. In this case, since the resist shape becomes vertical and a smooth taper shape cannot be formed, the above-described Fresnel lens forming method divides a shot and allocates an exposure amount as shown in FIG. As a result, an oblique shape is formed.
しかし、図２（ｃ）に示す方法だと本来１ショットであったものをショットを分割することになり、ショット数が数倍となってしまい、描画時間が膨大になってしまうという問題があった。 However, the method shown in FIG. 2C divides a shot from what was originally a single shot, which increases the number of shots several times, resulting in a huge drawing time. It was.
本発明の実施の形態において、レジストに原子量４５以上の大きい元素、例えばチタン（Ｔｉ、原子量４７．９）、臭素（Ｂｒ、原子量７９．９）、モリブデン（Ｍｏ、原子量９５．９）、よう素（Ｉ、原子量１２６．９）、バリウム（Ｂａ、原子量１３７．３）を添加することにより、レジスト中での電子線の散乱（前方散乱）を大きくすることにより、１ショットでも露光時のエネルギーが図２(ａ)に示すような連続的で滑らかなテーパ形状とすることができ、描画時間を増やすことなく、滑らかなテーパ形状のレジストパターンを得る事ができる。 In the embodiment of the present invention, the resist contains a large element having an atomic weight of 45 or more, such as titanium (Ti, atomic weight 47.9), bromine (Br, atomic weight 79.9), molybdenum (Mo, atomic weight 95.9), iodine. By adding (I, atomic weight 126.9) and barium (Ba, atomic weight 137.3), the scattering of electron beams in the resist (forward scattering) is increased, so that the energy during exposure can be increased even with one shot. A continuous and smooth tapered shape as shown in FIG. 2A can be obtained, and a smooth tapered resist pattern can be obtained without increasing the drawing time.
レジストに添加する元素、添加量を電子線シミュレーションすることにより、露光時のレジストのエネルギー分布を予測することができ、所望の形状となるよう制御することができる。 By performing electron beam simulation on the element and the amount added to the resist, the energy distribution of the resist at the time of exposure can be predicted and controlled to have a desired shape.
本発明の実施の形態において、例えば、基板をクロム（Ｃｒ）１００ｎｍ、下地を石英（Ｑｚ）６．３５ｍｍとし、レジストに電子線の散乱を強める元素として、臭素（Ｂｒ、原子量７９．９）を２０％添加し、５０ｋｅＶの加速電圧でレジストの膜厚を０．３μｍに露光した場合、図３（ａ）に示す電子線散乱のシミュレーションによると、電子の軌跡（幅１０μｍ×深さ５μｍエリア）が広がりを持ったテーパ形状になる。同様に、図４（ａ）に示す電子線散乱のシミュレーションによるとレジストに蓄積されるエネルギー分布（半径５μｍ×深さ５μｍエリア）がテーパ形状になり、図５（ｂ）に示す電子線散乱のシミュレーションによるとレジストに蓄積されるエネルギー分布（半径１μｍ×深さ１μｍエリア）がテーパ形状になる。 In the embodiment of the present invention, for example, the substrate is chromium (Cr) 100 nm, the base is quartz (Qz) 6.35 mm, and bromine (Br, atomic weight 79.9) is used as an element that enhances electron beam scattering in the resist. When 20% is added and the resist film thickness is exposed to 0.3 μm with an acceleration voltage of 50 keV, the electron trajectory (width 10 μm × depth 5 μm area) according to the electron beam scattering simulation shown in FIG. Becomes a tapered shape. Similarly, according to the electron beam scattering simulation shown in FIG. 4A, the energy distribution accumulated in the resist (radius 5 μm × depth 5 μm area) is tapered, and the electron beam scattering shown in FIG. According to the simulation, the energy distribution accumulated in the resist (radius 1 μm × depth 1 μm area) is tapered.
レジストに電子線を散乱するための原子量の大きな元素を添加することにより、レジスト中での前方散乱径が大きくなり、三角錐状の蓄積エネルギー分布を得ることができ、これを現像することにより反射防止構造体を得ることができる。 By adding an element with a large atomic weight to scatter the electron beam to the resist, the forward scattering diameter in the resist becomes large, and a triangular pyramid-shaped accumulated energy distribution can be obtained, which is reflected by developing it. A prevention structure can be obtained.
上記レジストを用いることにより、電子線描画でのショット数（描画時間）を増加させることなく、微細で滑らかな３次元形状の反射防止構造体を製造することができる。 By using the resist, a fine and smooth three-dimensional antireflection structure can be produced without increasing the number of shots (drawing time) in electron beam drawing.
上記レジストに添加する元素種、添加量により、レジストの前方散乱径を制御することができる。 The forward scattering diameter of the resist can be controlled by the element type and amount added to the resist.
例えば、基板をクロム（Ｃｒ）１００ｎｍ、下地を石英（Ｑｚ）６．３５ｍｍとし、通常のレジストの組成を炭素（Ｃ）８１．７％、水素（Ｈ）６．６％、酸素（Ｏ）１１．７％とし、５０ｋｅＶの加速電圧でレジストの膜厚を０．３μｍに露光した場合、図３（ｂ）に示す電子線散乱のシミュレーションによると、電子の軌跡（幅１０μｍ×深さ５μｍエリア）は垂直に近い形となる。同様に、図４（ｂ）に示す電子線散乱のシミュレーションによるとレジストに蓄積されるエネルギー分布（半径５μｍ×深さ５μｍエリア）が垂直に近い形となり、図５（ｂ）に示す電子線散乱のシミュレーションによるとレジストに蓄積されるエネルギー分布（半径１μｍ×深さ１μｍエリア）が垂直に近い形になることが分かっている。 For example, the substrate is chromium (Cr) 100 nm, the base is quartz (Qz) 6.35 mm, and the normal resist composition is carbon (C) 81.7%, hydrogen (H) 6.6%, oxygen (O) 11. When the resist film thickness is exposed to 0.3 μm at an acceleration voltage of 50 keV with an acceleration voltage of 50%, the electron trajectory (width 10 μm × depth 5 μm area) according to the electron beam scattering simulation shown in FIG. Is almost vertical. Similarly, according to the electron beam scattering simulation shown in FIG. 4B, the energy distribution accumulated in the resist (radius 5 μm × depth 5 μm area) is nearly vertical, and the electron beam scattering shown in FIG. According to the simulation, it has been found that the energy distribution accumulated in the resist (radius 1 μm × depth 1 μm area) is nearly vertical.
本発明の実施の形態に係る反射防止構造体は、低減すべき光の波長以下のピッチでアレイ状に配列する光学素子として用いることができる。光学素子としては、レンズ、プリズム素子、発光ダイオード、フォトダイオード、ＣＣＤなどに用いることができる。 The antireflection structure according to the embodiment of the present invention can be used as an optical element arranged in an array at a pitch equal to or less than the wavelength of light to be reduced. As an optical element, it can be used for a lens, a prism element, a light emitting diode, a photodiode, a CCD, or the like.
ＰＨＳポリマーにＢｒを、重量比２０％修飾した電子線用ネガ型レジストを準備する。 A negative resist for electron beam is prepared by modifying PHS polymer with Br by 20% by weight.
Ｃｒ遮光膜付き６インチＱｚ基板に、上記レジストを膜厚４００ｎｍでコートし、１２０℃にて１０分間ベークし、残留溶媒を除去する。この作製したものを基板という。 The resist is coated with a film thickness of 400 nm on a 6-inch Qz substrate with a Cr light-shielding film, and baked at 120 ° C. for 10 minutes to remove residual solvent. This produced is called a substrate.
上記基板を、電子線描画装置にて露光を行う。パターンは光の波長以下のピッチのドットアレイとし、ドットサイズは２０ｎｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、６０ｎｍ、８０ｎｍ、１００ｎｍ、１２０ｎｍ、１５０ｎｍ、１７０ｎｍ、２００ｎｍ、２２０ｎｍ、２５０ｎｍ、２７０ｎｍ、３００ｎｍとした。このとき、描画時のドーズ量を３μＣ／ｃｍ２〜３０μＣ／ｃｍ２とし、露光後、２３℃の現像液にて９０秒間現像を行い、レジストパターンを得た。 The substrate is exposed by an electron beam drawing apparatus. The pattern was a dot array with a pitch equal to or less than the wavelength of light, and the dot size was 20 nm, 30 nm, 40 nm, 60 nm, 80 nm, 100 nm, 120 nm, 150 nm, 170 nm, 200 nm, 220 nm, 250 nm, 270 nm, and 300 nm. At this time, the dose at the time of drawing was set to 3 μC / cm 2 to 30 μC / cm 2, and after exposure, development was performed with a developer at 23 ° C. for 90 seconds to obtain a resist pattern.
得られたレジストパターンに白金（Ｐｔ）を膜厚５ｎｍでスパッタし、パターン部の光の反射を確認したところ反射光の顕著な低下を確認し、反射防止構造体が形成されていることが確認できた。 Sputtering platinum (Pt) to the obtained resist pattern with a film thickness of 5 nm and confirming the reflection of the light of the pattern portion confirmed a remarkable decrease in the reflected light and confirmed that the antireflection structure was formed. did it.
本発明は、レンズ、プリズム素子、発光ダイオード、フォトダイオード、ＣＣＤなど、反射を防止すべき部位全てに適用できる。 The present invention can be applied to all parts where reflection should be prevented, such as a lens, a prism element, a light emitting diode, a photodiode, and a CCD.
Claims (8)
前記遮光膜上に炭素原子よりも原子量の大きな元素を添加した炭素を主成分とするレジストを電子線露光よりパターン形成をすることを特徴とする反射防止構造体の製造方法。 Forming a light-shielding film on the substrate;
A method of manufacturing an antireflection structure, comprising: patterning a resist mainly composed of carbon, to which an element having an atomic weight larger than carbon atoms is added, on the light shielding film by electron beam exposure.
前記基板上に形成された遮光膜と、
前記遮光膜上に電子線露光によりパターン形成された炭素原子よりも原子量の大きな元素を添加した炭素を主成分とするレジストと、
を備えることを特徴とする反射防止構造体。 A substrate,
A light-shielding film formed on the substrate;
A resist mainly composed of carbon to which an element having a larger atomic weight than carbon atoms patterned by electron beam exposure is formed on the light-shielding film;
An antireflection structure characterized by comprising:
The optical element according to claim 7, wherein the antireflection structure has a triangular pyramid structure.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009221296A JP2011070020A (en) | 2009-09-25 | 2009-09-25 | Antireflection structure and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009221296A JP2011070020A (en) | 2009-09-25 | 2009-09-25 | Antireflection structure and method for manufacturing the same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011070020A true JP2011070020A (en) | 2011-04-07 |
Family
ID=44015369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009221296A Pending JP2011070020A (en) | 2009-09-25 | 2009-09-25 | Antireflection structure and method for manufacturing the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2011070020A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190072472A (en) * | 2017-12-15 | 2019-06-25 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | Antireflective film, method of producing antireflective film, and eyeglass type display |
| KR20190075837A (en) * | 2017-12-21 | 2019-07-01 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | Antireflective film, method of producing antireflective film, and eyeglass type display |
-
2009
- 2009-09-25 JP JP2009221296A patent/JP2011070020A/en active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190072472A (en) * | 2017-12-15 | 2019-06-25 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | Antireflective film, method of producing antireflective film, and eyeglass type display |
| JP2019109500A (en) * | 2017-12-15 | 2019-07-04 | 信越化学工業株式会社 | Antireflection coating, method for manufacturing antireflection coating, and glasses type display |
| KR102112423B1 (en) | 2017-12-15 | 2020-05-18 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | Antireflective film, method of producing antireflective film, and eyeglass type display |
| TWI763958B (en) * | 2017-12-15 | 2022-05-11 | 日商信越化學工業股份有限公司 | Antireflective film, method of producing antireflective film, and eyeglass type display |
| JP7222674B2 (en) | 2017-12-15 | 2023-02-15 | 信越化学工業株式会社 | ANTI-REFLECTING FILM, METHOD FOR MANUFACTURING ANTI-REFLECTING FILM, AND GLASS-TYPE DISPLAY |
| US11762127B2 (en) | 2017-12-15 | 2023-09-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Antireflective film including a photoresist material containing a polymer compound having an aromatic group, method of producing antireflective film, and eyeglass type display |
| KR20190075837A (en) * | 2017-12-21 | 2019-07-01 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | Antireflective film, method of producing antireflective film, and eyeglass type display |
| KR102112424B1 (en) | 2017-12-21 | 2020-05-18 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | Antireflective film, method of producing antireflective film, and eyeglass type display |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Gale et al. | Fabrication of continuous-relief micro-optical elements by direct laser writing in photoresists | |
| CN101825730B (en) | Optical element, method for manufacturing master for manufacturing optical element, and photoelectric conversion device | |
| US8133642B2 (en) | Metal optical grayscale mask and manufacturing method thereof | |
| WO2016125219A1 (en) | Antireflection film, optical member, optical device, and method for producing antireflection film | |
| US11237305B2 (en) | Diffuser plate | |
| CN103901519A (en) | Rectangular-hole single-stage diffraction grating | |
| JP2004012856A (en) | Optical element, mold for optical element, and method for manufacturing optical element | |
| Leontowich et al. | Sub-25 nm direct write (maskless) X-ray nanolithography | |
| TWI613522B (en) | Manufacturing method for microstructure, and microstructure | |
| US9937675B2 (en) | Transfer mold and manufacturing method for structure | |
| JP2011070020A (en) | Antireflection structure and method for manufacturing the same | |
| Amata et al. | Additive fabrication of SiO2-based micro-optics with lag-free depth and reduced roughness | |
| JP5211762B2 (en) | Antireflection structure manufacturing method, antireflection structure, and optical member | |
| JP2013193454A (en) | Method of manufacturing master mold, method of manufacturing mold, and surface processing method used for them | |
| US20240230969A1 (en) | Fabrication of optical gratings using a resist contoured based on grey-scale lithography | |
| Qiao et al. | Nanofabrication Toward High-Resolution and Large Area | |
| TWI836590B (en) | Optical body, master disk, and manufacturing method of optical body | |
| Alkaisi et al. | Three-dimensional patterning using ultraviolet nanoimprint lithography | |
| US20230417964A1 (en) | Diffractive optical elements and methods for manufacturing diffractive optical elements | |
| JP2018109744A (en) | Methods and apparatus for fabricating ic chips with tilted patterning | |
| WO2011071380A1 (en) | Method for manufacturing a multilayer structure with a lateral pattern for application in the xuv wavelength range, and bf and lmag structures manufactured according to this method | |
| Luo | Fabrication techniques | |
| EP1842100A1 (en) | Exposure method, method for forming projecting and recessed pattern, and method for manufacturing optical element | |
| JP5464058B2 (en) | Nanoimprint mold manufacturing method, optical element manufacturing method, and resist pattern forming method | |
| JP6054698B2 (en) | Manufacturing method of fine structure |