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JP2011061120A - Method of carrying wafer and wafer carrying device - Google Patents

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JP2011061120A
JP2011061120A JP2009211484A JP2009211484A JP2011061120A JP 2011061120 A JP2011061120 A JP 2011061120A JP 2009211484 A JP2009211484 A JP 2009211484A JP 2009211484 A JP2009211484 A JP 2009211484A JP 2011061120 A JP2011061120 A JP 2011061120A
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JP
Japan
Prior art keywords
wafer
liquid
wafers
wafer transfer
ejecting
Prior art date
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Pending
Application number
JP2009211484A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hironari Sekime
浩成 關目
Koichi Tomita
弘一 富田
Masataka Hara
正敬 原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel Precision Machining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Fine Tech Co Ltd
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Publication date
Application filed by Sumitomo Metal Fine Tech Co Ltd filed Critical Sumitomo Metal Fine Tech Co Ltd
Priority to JP2009211484A priority Critical patent/JP2011061120A/en
Priority to KR1020117029322A priority patent/KR101370578B1/en
Priority to PCT/JP2010/062303 priority patent/WO2011010683A1/en
Priority to CN201080033609.9A priority patent/CN102473666B/en
Publication of JP2011061120A publication Critical patent/JP2011061120A/en
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of carrying wafers and a wafer carrying device capable of separating the semiconductor wafers one by one without using manpower after cutting, for example, by a wire saw. <P>SOLUTION: The method of carrying wafers for carrying a plurality of stacked wafers Wf includes a process for jetting a liquid Lq toward the end face of the plurality of wafers Wf to generate a gap among the plurality of wafers Wf positioned within the liquid Lq and a process for picking up the wafers Wf positioned at least at the uppermost part from among the plurality of wafers Wf while the gap has been generated. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明は、たとえば太陽電池の材料に用いられる半導体ウエハを1枚ずつ搬送するウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置に関する。   The present invention relates to a wafer transfer method and a wafer transfer apparatus for transferring semiconductor wafers used, for example, as materials for solar cells one by one.

図15は、半導体ウエハの製造におけるワイヤソー装置を用いた切断工程を示している(たとえば特許文献1参照)。同図に示されたワイヤソー装置Xは、4つのガイドローラ93およびワイヤ94を備えており、半導体材料92をウエハ状に切断する装置である。ワイヤ94は、たとえばメッキが施されたピアノ線であり、4つのガイドローラ93に掛け回されており、図示された矢印の方向に送られる。半導体材料92は、たとえばガラスからなる保持部材91に接着剤によって接合された状態で、ワイヤ94に押し付けられる。ワイヤ94が半導体材料92を超えて保持部材91に到達すると、半導体材料92の切断が完了する。この切断により、保持部材91に各々の端縁が接合された状態で、複数枚のウエハが得られる。   FIG. 15 shows a cutting process using a wire saw device in the manufacture of a semiconductor wafer (see, for example, Patent Document 1). The wire saw apparatus X shown in the figure includes four guide rollers 93 and wires 94, and is an apparatus that cuts the semiconductor material 92 into a wafer. The wire 94 is, for example, a piano wire plated, is wound around four guide rollers 93, and is sent in the direction of the illustrated arrow. The semiconductor material 92 is pressed against the wire 94 in a state where it is bonded to a holding member 91 made of glass, for example, with an adhesive. When the wire 94 reaches the holding member 91 beyond the semiconductor material 92, the cutting of the semiconductor material 92 is completed. By this cutting, a plurality of wafers are obtained in a state where the respective edges are joined to the holding member 91.

しかしながら、切断を終えた後には、最終的に上記ウエハを1枚1枚分離した状態にする必要がある。この分離作業に先立って、切断粉の洗浄や、保持部材91からの剥離を目的として、上記ウエハは、洗浄液や接着剤を溶解する溶液に漬けられる。これらの液体によって上記ウエハがウエットの状態になると、となり合う上記ウエハどうしが張り付いてしまいやすい。このようなことでは、上記ウエハを1枚1枚分離した状態とすることは容易ではなく、たとえば作業者が手作業によって上記半導体ウエハを1枚ずつ取り上げるといった作業が強いられていた。   However, after finishing the cutting, it is necessary to finally separate the wafers one by one. Prior to this separation operation, the wafer is immersed in a solution that dissolves the cleaning liquid and the adhesive for the purpose of cleaning the cutting powder and peeling from the holding member 91. When the wafers are wet by these liquids, the wafers that are adjacent to each other are likely to stick to each other. For this reason, it is not easy to separate the wafers one by one. For example, an operator is forced to manually pick up the semiconductor wafers one by one.

特開2007−160431号公報JP 2007-160431 A

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、たとえばワイヤソーによる切断の後に、人手を介することなく半導体ウエハを1枚ずつ分離することが可能なウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置を提供することをその課題とする。   The present invention has been conceived under the circumstances described above. For example, a wafer transfer method and wafer transfer capable of separating semiconductor wafers one by one after being cut by a wire saw without human intervention. An object is to provide an apparatus.

本発明の第1の側面によって提供されるウエハ搬送方法は、積層された複数枚のウエハを搬送するウエハ搬送方法であって、液体中に位置する上記複数枚のウエハどうしの間のいずれかに隙間を生じさせるべく、上記複数枚のウエハの端面に向けて上記液体を噴出する工程と、上記隙間を生じさせた状態で、上記複数枚のウエハのうち少なくとも最上位に位置するウエハを取り上げる工程と、を備えることを特徴としている。   A wafer transfer method provided by the first aspect of the present invention is a wafer transfer method for transferring a plurality of stacked wafers, and is provided between any of the plurality of wafers positioned in a liquid. A step of ejecting the liquid toward the end surfaces of the plurality of wafers in order to generate a gap, and a step of picking up a wafer positioned at least on the top of the plurality of wafers in a state in which the gap is generated It is characterized by providing these.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記液体を噴出する工程は、上記ウエハの上記端面の延びる方向における上記端面の中央に向けて上記液体を噴出する第1の工程を含む。   In a preferred embodiment of the present invention, the step of ejecting the liquid includes a first step of ejecting the liquid toward the center of the end surface in the extending direction of the end surface of the wafer.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記液体を噴出する工程は、上記ウエハの上記端面の延びる方向において上記端面と重なる位置から上記端面に向けて上記液体を噴出する、上記第1の工程と異なる第2の工程をさらに含む。   In a preferred embodiment of the present invention, the step of ejecting the liquid includes the first step of ejecting the liquid from the position overlapping the end surface toward the end surface in the extending direction of the end surface of the wafer. A different second step is further included.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第1の工程における上記液体を噴出する方向と、上記第2の工程における上記液体を噴出する方向とは同一である。   In a preferred embodiment of the present invention, the direction in which the liquid is ejected in the first step is the same as the direction in which the liquid is ejected in the second step.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第1および第2の工程において噴出される上記液体は、上記ウエハの積層方向において同じ位置から噴出される。   In a preferred embodiment of the present invention, the liquid ejected in the first and second steps is ejected from the same position in the wafer stacking direction.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記液体を噴出する工程は、上記ウエハの上記端面の延びる方向における上記端面の外側から上記端面に向けて上記液体を噴出する第3の工程をさらに含む。   In a preferred embodiment of the present invention, the step of ejecting the liquid further includes a third step of ejecting the liquid from the outside of the end surface in the direction in which the end surface of the wafer extends toward the end surface.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第3の工程においては、上記最上位に位置するウエハの上側に向けて上記液体を噴出する。   In a preferred embodiment of the present invention, in the third step, the liquid is ejected toward the upper side of the uppermost wafer.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記ウエハの積層方向において、上記第1の工程において噴出される上記液体を、上記第3の工程において上記液体が噴出される位置より低い位置から噴出する。   In a preferred embodiment of the present invention, in the wafer stacking direction, the liquid ejected in the first step is ejected from a position lower than the position where the liquid is ejected in the third step.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記液体を噴出する工程においては、上記ウエハの積層方向に沿う扁平な形状で上記液体を噴出する。   In a preferred embodiment of the present invention, in the step of ejecting the liquid, the liquid is ejected in a flat shape along the stacking direction of the wafers.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記液体を噴出する工程は、上記ウエハを取り上げる工程の前後にわたって継続して実行されている。   In a preferred embodiment of the present invention, the step of ejecting the liquid is continuously performed before and after the step of picking up the wafer.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記複数枚のウエハのうち最上位にあったものを吸着した状態でこのウエハをその面内方向にスライドさせる吸着スライド手段によって、上記最上位のウエハから順に上記ウエハを搬送する工程をさらに備える。   In a preferred embodiment of the present invention, the top wafer among the plurality of wafers is sucked in an in-plane direction while the top wafer is sucked, and the wafer is sequentially moved from the top wafer. The method further includes a step of transporting the wafer.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記吸着スライド手段は、互いに離間した一対のローラと、上記一対のローラにかけまわされた無端ベルトとを備え、上記無端ベルトには、上記無端ベルトに囲まれ且つ減圧されうる空間とつながる複数の孔が設けられている。   In a preferred embodiment of the present invention, the suction slide means includes a pair of rollers spaced apart from each other and an endless belt wrapped around the pair of rollers, and the endless belt is surrounded by the endless belt. A plurality of holes connected to a space that can be decompressed are provided.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記液体を噴出する工程においては、上記複数枚のウエハに対して上記ウエハのスライド方向前方側から上記液体を噴出する。   In a preferred embodiment of the present invention, in the step of ejecting the liquid, the liquid is ejected from the front side of the wafer in the sliding direction with respect to the plurality of wafers.

本発明の第2の側面によって提供されるウエハ搬送装置は、積層された複数枚のウエハを搬送するウエハ搬送装置であって、液体中に位置する上記複数枚のウエハの端面に向けて上記液体を噴出することにより、上記複数枚のウエハどうしの間のいずれかに隙間を生じさせる少なくとも1つの液体噴出手段と、上記隙間を生じさせた状態において、上記複数枚のウエハのうち少なくとも最上位に位置するウエハを受け取り可能なウエハ受け取り手段と、を備えることを特徴としている。   The wafer transfer apparatus provided by the second aspect of the present invention is a wafer transfer apparatus for transferring a plurality of stacked wafers, and the liquid is directed toward the end faces of the plurality of wafers located in the liquid. And at least one liquid ejecting means for creating a gap between any of the plurality of wafers, and at least the uppermost of the plurality of wafers in a state where the gap is created. And a wafer receiving means capable of receiving a positioned wafer.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記少なくとも1つの液体噴出手段は、上記ウエハの上記端面の延びる方向における上記端面の中央に向けて上記液体を噴出する第1の液体噴出手段を含む。   In a preferred embodiment of the present invention, the at least one liquid ejecting means includes first liquid ejecting means for ejecting the liquid toward the center of the end face in the extending direction of the end face of the wafer.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記少なくとも1つの液体噴出手段は、上記端面の延びる方向において上記端面と重なる位置に配置され且つ上記端面に向けて上記液体を噴出する、上記第1の液体噴出手段と異なる第2の液体噴出手段をさらに含む。   In a preferred embodiment of the present invention, the at least one liquid ejecting means is disposed at a position overlapping the end face in the extending direction of the end face and ejects the liquid toward the end face. Second liquid ejecting means different from the ejecting means is further included.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第1および第2の液体噴出手段はいずれも同一の方向に向かって上記液体を噴出する。   In a preferred embodiment of the present invention, both the first and second liquid ejecting means eject the liquid in the same direction.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記ウエハの積層方向において、上記第1の液体噴出手段と上記第2の液体噴出手段とは、同位に位置する。   In a preferred embodiment of the present invention, the first liquid ejecting means and the second liquid ejecting means are located in the same direction in the wafer stacking direction.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記少なくとも1つの液体噴出手段は、上記端面の延びる方向における上記端面の外側から上記端面に向けて上記液体を噴出する第3の液体噴出手段をさらに含む。   In a preferred embodiment of the present invention, the at least one liquid ejecting means further includes third liquid ejecting means for ejecting the liquid from the outside of the end face in the extending direction of the end face toward the end face.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第3の液体噴出手段はさらに、上記最上位に位置するウエハの上側に向けて上記液体を噴出する。   In a preferred embodiment of the present invention, the third liquid ejecting means further ejects the liquid toward the upper side of the uppermost wafer.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記ウエハの積層方向において、上記第1の液体噴出手段は、上記第3の液体噴出手段より低位に位置する。   In a preferred embodiment of the present invention, the first liquid ejecting means is positioned lower than the third liquid ejecting means in the wafer stacking direction.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記少なくとも1つの液体噴出手段のいずれかは、上記ウエハの積層方向に沿って扁平な形状の上記液体を噴出する。   In a preferred embodiment of the present invention, any one of the at least one liquid ejecting means ejects the liquid having a flat shape along the wafer stacking direction.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記ウエハ受け取り手段は、上記複数枚のウエハのうち最上位にあるものを吸着した状態で、このウエハをその面内方向にスライドさせる吸着スライド手段を含む。   In a preferred embodiment of the present invention, the wafer receiving means includes suction slide means for sliding the wafer in the in-plane direction with the uppermost one of the plurality of wafers being sucked.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記吸着スライド手段は、互いに離間した一対のローラと、上記一対のローラにかけまわされた無端ベルトとを備え、上記無端ベルトには、上記無端ベルトに囲まれ且つ減圧されうる空間とつながる複数の孔が設けられている。   In a preferred embodiment of the present invention, the suction slide means includes a pair of rollers spaced apart from each other and an endless belt wrapped around the pair of rollers, and the endless belt is surrounded by the endless belt. A plurality of holes connected to a space that can be decompressed are provided.

本発明の好ましい実施の形態においては、上記少なくとも1つの液体噴出手段は、上記複数のウエハに対して上記ウエハのスライド方向前方側に配置されている。   In a preferred embodiment of the present invention, the at least one liquid ejecting means is arranged on the front side in the sliding direction of the wafer with respect to the plurality of wafers.

このような構成によれば、液体中に積み上げられた上記複数枚のウエハにおいては、これらのウエハの端面に液体を噴出することにより、上記複数枚のウエハの間どうしのいずれかに隙間が生じさせられる。そのため、上記複数枚のウエハのうち最上位に位置するウエハは、上記液体を噴出する前と比べてより上方に位置することとなる。これにより、上記最上位に位置するウエハを適切に取り上げることができる。   According to such a configuration, in the plurality of wafers stacked in the liquid, a gap is generated between the plurality of wafers by ejecting the liquid onto the end surfaces of the wafers. Be made. Therefore, the uppermost wafer among the plurality of wafers is positioned higher than before the liquid is ejected. Thereby, it is possible to appropriately pick up the wafer positioned at the top.

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。   Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.

本発明に係るウエハ搬送装置の一例を示す全体概略図である。1 is an overall schematic diagram illustrating an example of a wafer transfer apparatus according to the present invention. 図1に示すウエハ搬送装置を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows the wafer conveyance apparatus shown in FIG. 図1に示したウエハ搬送装置の一部の構成のみを示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing only a part of the configuration of the wafer transfer apparatus shown in FIG. 1. 図1のIV−IV線に沿う要部断面図である。It is principal part sectional drawing in alignment with the IV-IV line of FIG. 図4の上側からみた平面図である。It is the top view seen from the upper side of FIG. 図1に示すウエハ搬送装置の吸着コンベアを斜め下方から見た要部斜視図である。It is the principal part perspective view which looked at the adsorption conveyor of the wafer conveyance apparatus shown in FIG. 1 from diagonally downward. 本発明に係るウエハ搬送方法において、ウエハを浮上させる工程を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows the process of levitating a wafer in the wafer conveyance method which concerns on this invention. 本発明に係るウエハ搬送方法において、ウエハを浮上させる工程を示す、図6と同様の要部斜視図である。FIG. 7 is a perspective view of relevant parts similar to FIG. 6, showing a step of floating a wafer in the wafer transfer method according to the present invention. 本発明に係るウエハ搬送方法において、ウエハを吸着する工程を示す、図6と同様の要部斜視図である。FIG. 7 is a perspective view of essential parts similar to FIG. 6, showing a process of sucking a wafer in the wafer transfer method according to the present invention. 本発明に係るウエハ搬送方法において、ウエハを吸着する工程を示す要部断面図である。In the wafer conveyance method concerning this invention, it is principal part sectional drawing which shows the process of adsorb | sucking a wafer. 本発明に係るウエハ搬送方法において、ウエハをスライドさせる工程を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows the process of sliding a wafer in the wafer conveyance method which concerns on this invention. 本発明に係るウエハ搬送方法において、ウエハをスライドさせる工程を示す、図6と同様の要部斜視図である。FIG. 7 is a perspective view of essential parts similar to FIG. 6, showing a step of sliding the wafer in the wafer transfer method according to the present invention. 本発明に係るウエハ搬送方法において、ウエハを中継コンベアに受け渡す工程を示す要部断面図である。In the wafer conveyance method which concerns on this invention, it is principal part sectional drawing which shows the process of delivering a wafer to a relay conveyor. 本発明にかかるウエハ搬送方法における最終工程を示す要部断面図である。It is principal part sectional drawing which shows the last process in the wafer conveyance method concerning this invention. ワイヤソー装置を用いた半導体材料の切断工程を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the cutting process of the semiconductor material using a wire saw apparatus.

以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.

図1は、本発明に係るウエハ搬送装置の一例を示している。本実施形態のウエハ搬送装置Aは、ウエハ槽1、吸着コンベア2、複数のノズル31、スポンジローラ32、ヒータ41、温度センサ42、ヒータ制御部43、中継コンベア5、装填コンベア6、スタッカ7、置台81、およびサポート部材82を備えている。   FIG. 1 shows an example of a wafer transfer apparatus according to the present invention. The wafer transfer apparatus A according to this embodiment includes a wafer tank 1, a suction conveyor 2, a plurality of nozzles 31, a sponge roller 32, a heater 41, a temperature sensor 42, a heater control unit 43, a relay conveyor 5, a loading conveyor 6, a stacker 7, A mounting table 81 and a support member 82 are provided.

ウエハ槽1は、鉛直方向上方が開口する容器状とされており、複数枚のウエハWfを、所定の液体Lqに浸した状態で収容するためのものである。複数枚のウエハWfは、後述する置台81に載置され、且つ、サポート部材82にガイドされている。複数枚のウエハWfは、上下に積み上げられた状態で液体Lq内につけられており、液体Lqの液面Lsに対して所定の角度傾斜した姿勢とされている。液体Lqは、たとえば水に適量の界面活性剤が混入されたものである。これらウエハWfの枚数は、たとえば1000枚程度である。ウエハWfの寸法の一例を挙げると、外形が156mm角であって、厚さが0.14〜0.18mmである。複数枚のウエハWfは、その最上位に位置するものの上面が後述する吸着コンベア2のウエハ吸着面22cと平行となるように積み上げられている。最上位のウエハWfの上面と吸着コンベア2のウエハ吸着面22cとの距離は、たとえば15〜35mmとされる。   The wafer tank 1 is formed in a container shape that opens upward in the vertical direction, and accommodates a plurality of wafers Wf in a state of being immersed in a predetermined liquid Lq. The plurality of wafers Wf are mounted on a mounting table 81 described later and guided by a support member 82. The plurality of wafers Wf are placed in the liquid Lq in a state where they are stacked up and down, and are inclined at a predetermined angle with respect to the liquid level Ls of the liquid Lq. The liquid Lq is obtained by mixing an appropriate amount of a surfactant in water, for example. The number of wafers Wf is, for example, about 1000. As an example of the dimensions of the wafer Wf, the outer shape is 156 mm square and the thickness is 0.14 to 0.18 mm. The plurality of wafers Wf are stacked so that the upper surface of the wafer Wf is parallel to a wafer suction surface 22c of the suction conveyor 2 described later. The distance between the upper surface of the uppermost wafer Wf and the wafer suction surface 22c of the suction conveyor 2 is, for example, 15 to 35 mm.

図3は、置台81およびサポート部材82のみを一部透視化して示す斜視図である。図4は、図1のIV−IV線に沿う要部断面図である。図5は、図4の上側からみた平面図を示している。   FIG. 3 is a perspective view showing only the mounting table 81 and the support member 82 in a partially transparent manner. 4 is a cross-sectional view of a principal part taken along the line IV-IV in FIG. FIG. 5 shows a plan view seen from the upper side of FIG.

置台81は、複数枚のウエハWfを載置するためのものである。置台81は、たとえば塩化ビニル樹脂、またはガラスエポキシ樹脂からなる。図3、図4に示すように、置台81は、底台部811と、一対の板状部材812,813と、補助支持部材814とを備える。底台部811は、正方形状の平板状である。底台部811の外形はウエハWfとほぼ同程度の大きさであって、厚さがたとえば10mmである。   The mounting table 81 is for mounting a plurality of wafers Wf. The mounting table 81 is made of, for example, vinyl chloride resin or glass epoxy resin. As shown in FIGS. 3 and 4, the mounting table 81 includes a bottom portion 811, a pair of plate-like members 812 and 813, and an auxiliary support member 814. The bottom portion 811 has a square flat plate shape. The outer shape of the bottom portion 811 is approximately the same size as the wafer Wf and has a thickness of, for example, 10 mm.

一対の板状部材812,813、および補助支持部材814はいずれも、底台部811から図3、図4の上方に向かって起立している。一対の板状部材812,813、および補助支持部材814は互いに平行に配置されており、且つ、x1−x2方向に沿って延びる長板状である。一対の板状部材812,813、および補助支持部材814はいずれもウエハWfを支持するためのものである。一対の板状部材812,813のみを配置しても複数枚のウエハWfを支持できるが、補助支持部材814をさらに配置することによって、ウエハWfが下方にたわむことを抑制できる。一対の板状部材812,813、および補助支持部材814の寸法はたとえば、長辺が156mm、短辺が15〜35mm、厚さが2〜10mmである。   Each of the pair of plate-like members 812 and 813 and the auxiliary support member 814 stands from the bottom portion 811 toward the upper side of FIGS. The pair of plate-like members 812 and 813 and the auxiliary support member 814 are arranged in parallel to each other and have a long plate shape extending along the x1-x2 direction. The pair of plate-like members 812 and 813 and the auxiliary support member 814 are all for supporting the wafer Wf. Even if only a pair of plate-like members 812 and 813 is disposed, a plurality of wafers Wf can be supported. However, by further disposing the auxiliary support member 814, it is possible to suppress the wafer Wf from being bent downward. The dimensions of the pair of plate-like members 812 and 813 and the auxiliary support member 814 are, for example, a long side of 156 mm, a short side of 15 to 35 mm, and a thickness of 2 to 10 mm.

置台81においては、底台部811、一対の板状部材812,813、および補助支持部材814に挟まれることにより、2つの空間815が形成されている。空間815は、x1−x2方向において貫通している。また、空間815は、底台部811と反対側、すなわちウエハWfが載置される側に向かって露出している。   In the mounting table 81, two spaces 815 are formed by being sandwiched between the bottom base portion 811, the pair of plate-like members 812 and 813, and the auxiliary support member 814. The space 815 penetrates in the x1-x2 direction. In addition, the space 815 is exposed toward the side opposite to the bottom portion 811, that is, the side on which the wafer Wf is placed.

サポート部材82は、複数枚のウエハWfが位置ずれを起こさないように複数枚のウエハWfをガイドするためのものである。本実施形態では、サポート部材82は、置台81に連結されている。   The support member 82 is for guiding the plurality of wafers Wf so that the plurality of wafers Wf are not displaced. In the present embodiment, the support member 82 is connected to the mounting table 81.

サポート部材82は、たとえばガラスエポキシ樹脂、またはステンレススチールからなる。図3〜図5に示すように、サポート部材82は、一対の移動規制部821,822、および移動規制部823,824を備える。移動規制部821,822はいずれも、複数枚のウエハWfに対して方向x1側に配置されている。このように移動規制部821,822が配置されていることによって、複数枚のウエハWfが方向x1に移動することが規制される。移動規制部821,822はウエハWfの積層方向に沿って延びる長板状である。移動規制部821,822どうしは、互いに離間しており、その離間距離L1はたとえば101〜140mmである。また、当該離間距離はウエハWfの幅より小さい。   The support member 82 is made of, for example, glass epoxy resin or stainless steel. As illustrated in FIGS. 3 to 5, the support member 82 includes a pair of movement restriction portions 821 and 822 and movement restriction portions 823 and 824. All of the movement restricting portions 821 and 822 are arranged on the direction x1 side with respect to the plurality of wafers Wf. By thus disposing the movement restricting portions 821 and 822, the movement of the plurality of wafers Wf in the direction x1 is restricted. The movement restricting portions 821 and 822 have a long plate shape extending along the stacking direction of the wafers Wf. The movement restricting portions 821 and 822 are separated from each other, and the separation distance L1 is, for example, 101 to 140 mm. Further, the separation distance is smaller than the width of the wafer Wf.

移動規制部823は、複数枚のウエハWfに対して方向y1側に配置されており、移動規制部824は、複数枚のウエハWfに対して方向y2側に配置されている。このように移動規制部823,824が配置されていることによって、複数枚のウエハWfがy1−y2方向に移動することが規制される。移動規制部823,824は、ウエハWfの積層方向に沿って延びる長板状である。移動規制部823は移動規制部821と一体成型されており、移動規制部824は移動規制部824と一体成型されている。   The movement restricting portion 823 is disposed on the direction y1 side with respect to the plurality of wafers Wf, and the movement restricting portion 824 is disposed on the direction y2 side with respect to the plurality of wafers Wf. By arranging the movement restricting portions 823 and 824 in this manner, the movement of the plurality of wafers Wf in the y1-y2 direction is restricted. The movement restricting portions 823 and 824 have a long plate shape extending along the stacking direction of the wafers Wf. The movement restricting portion 823 is integrally formed with the movement restricting portion 821, and the movement restricting portion 824 is integrally formed with the movement restricting portion 824.

複数枚のウエハWfは、たとえばウエハ槽1の図1の左方において置台81上に積み上げられ且つサポート部材82にガイドされた状態で、コンベア11によってウエハ槽1の図中右方部分に送られてハンドリングされる。リフタ12は、たとえばサーボモータ(図示略)によって、少なくともウエハWfの1枚分の厚さに相当する精度で昇降自在とされている。リフタ12の昇降にしたがって、置台81、サポート部材82、およびウエハWfが昇降する。   The plurality of wafers Wf are, for example, stacked on the table 81 on the left side of the wafer tank 1 in FIG. 1 and guided by the support member 82, and are sent to the right part of the wafer tank 1 in the drawing by the conveyor 11. Are handled. The lifter 12 can be raised and lowered with an accuracy corresponding to at least the thickness of one wafer Wf by, for example, a servo motor (not shown). As the lifter 12 moves up and down, the mounting table 81, the support member 82, and the wafer Wf move up and down.

吸着コンベア2は、本発明で言う吸着スライド手段の一例に相当し、ウエハ槽1内においてその下方部分が液体Lqに漬かる位置に設けられている。図5に示すように、吸着コンベア2のy1−y2方向における大きさL2は、移動規制部821,822どうしの離間距離L1より小さく、たとえば100mmである。図2に示すように、吸着コンベア2は、1対のローラ21、1対の無端ベルト22、およびバキュームボックス23を備えている。   The suction conveyor 2 corresponds to an example of the suction slide means referred to in the present invention, and is provided in a position where the lower part of the wafer tank 1 is immersed in the liquid Lq. As shown in FIG. 5, the size L2 of the suction conveyor 2 in the y1-y2 direction is smaller than the separation distance L1 between the movement restricting portions 821 and 822, for example, 100 mm. As shown in FIG. 2, the suction conveyor 2 includes a pair of rollers 21, a pair of endless belts 22, and a vacuum box 23.

1対のローラ21は、互いに離間して平行配置されており、少なくともいずれかがサーボモータ(図示略)などの駆動源に連結されている。本実施形態では、図2に示されたローラ21は、図中の反時計回りに回転させられる。   The pair of rollers 21 are spaced apart from each other in parallel, and at least one of them is connected to a drive source such as a servo motor (not shown). In the present embodiment, the roller 21 shown in FIG. 2 is rotated counterclockwise in the drawing.

1対の無端ベルト22は、環状とされたたとえばゴム製の帯状ベルトであり、1対のローラ21に掛け回されている。図6に示すように、1対の無端ベルト22は、互いに平行に離間配置されている。図2および図6に示すように、各無端ベルト22のうちその周回方向の一部分である吸着区間22aには、複数の孔22bが形成されている。各孔22bは、無端ベルト22をその厚さ方向に貫通しており、液体Lqや空気が通過可能となっている。本実施形態においては、吸着区間22aの周回方向寸法は、ウエハWfの周回方向寸法とほぼ同じとされている。   The pair of endless belts 22 are, for example, rubber belt-like belts that are annular, and are wound around the pair of rollers 21. As shown in FIG. 6, the pair of endless belts 22 are spaced apart from each other in parallel. As shown in FIGS. 2 and 6, a plurality of holes 22 b are formed in the suction section 22 a which is a part of each endless belt 22 in the circumferential direction. Each hole 22b penetrates the endless belt 22 in its thickness direction, and allows liquid Lq and air to pass through. In the present embodiment, the circumferential dimension of the suction section 22a is substantially the same as the circumferential dimension of the wafer Wf.

図2に示すように、バキュームボックス23は、無端ベルト22の内側空間に配置されており、断面矩形状のたとえばSUS製の箱である。バキュームボックス23の高さ方向寸法は、無端ベルト22の内側どうしの間隔とほぼ同じとなっている。このため、バキュームボックス23の上下面に沿って、無端ベルト22が摺動する。各無端ベルト22は、ローラ21の駆動によって、図2における矢印方向(反時計回り)に周回させられる。すなわち、ローラ21が回転駆動すると、無端ベルト22のうちバキュームボックス23に対して下側に位置する部分(ウエハ吸着面22c)は、図中左方から右方に向けてスライドする。   As shown in FIG. 2, the vacuum box 23 is disposed in the inner space of the endless belt 22 and is a box made of, for example, SUS having a rectangular cross section. The dimension in the height direction of the vacuum box 23 is substantially the same as the interval between the inner sides of the endless belt 22. For this reason, the endless belt 22 slides along the upper and lower surfaces of the vacuum box 23. Each endless belt 22 is rotated in the direction of the arrow (counterclockwise) in FIG. That is, when the roller 21 is driven to rotate, a portion of the endless belt 22 positioned below the vacuum box 23 (wafer suction surface 22c) slides from left to right in the drawing.

バキュームボックス23は、3つの区画室231,232,233を有する。これらの区画室231,232,233は、1対のローラ21が離間する方向に沿って並べられている。バキュームボックス23には、複数の孔23bが形成されている。複数の孔23bは、バキュームボックス23の下側部分に設けられており、本実施形態においては、バキュームボックス23の下側部分のほぼ全面に設けられている。区画室231,232,233には、それぞれ吸気口23aが設けられている。   The vacuum box 23 has three compartments 231, 232 and 233. These compartments 231, 232 and 233 are arranged along the direction in which the pair of rollers 21 are separated. A plurality of holes 23 b are formed in the vacuum box 23. The plurality of holes 23b are provided in the lower portion of the vacuum box 23. In the present embodiment, the plurality of holes 23b are provided in substantially the entire lower portion of the vacuum box 23. The compartments 231, 232, and 233 are each provided with an air inlet 23a.

図2によく表れているように、吸着コンベア2は、液体Lqの液面Lsに対して若干傾いた姿勢とされている。より具体的には、吸着コンベア2の右端が左端よりも上位となるように傾斜している。   As clearly shown in FIG. 2, the suction conveyor 2 is inclined slightly with respect to the liquid level Ls of the liquid Lq. More specifically, the suction conveyor 2 is inclined so that the right end is higher than the left end.

吸気口23aには、ホース24、バルブユニット27、脱水槽25を介してポンプ26が接続されている。ホース24は、たとえば樹脂からなる可撓性を有する配管部品である。バルブユニット27は、区画室231,232,233ののうちいずれをポンプ26と接続するかを切替可能とされている。脱水槽25は、バキュームボックス23を介して吸引した空気から液体Lqを分離するためのものである。ポンプ26は、吸着コンベア2によってウエハWfを吸着することが可能な程度に、無端ベルト22に収容された格好となっているバキュームボックス23内の空間を減圧するための減圧源である。   A pump 26 is connected to the intake port 23a through a hose 24, a valve unit 27, and a dehydration tank 25. The hose 24 is a flexible piping component made of resin, for example. The valve unit 27 can switch which of the compartments 231, 232, and 233 is connected to the pump 26. The dewatering tank 25 is for separating the liquid Lq from the air sucked through the vacuum box 23. The pump 26 is a depressurization source for depressurizing the space in the vacuum box 23 accommodated in the endless belt 22 to such an extent that the wafer Wf can be adsorbed by the adsorption conveyor 2.

複数のノズル31は、液体Lqを吐出する部品であり、液体Lqの噴流を生じさせる。これらのノズル31にはそれぞれ、配管(図示略)を介して吐出ポンプ(図示略)が接続されている。本実施形態においては、図2に示すように、ノズル31は、積み上げられた複数枚のウエハWfに対して図中右方に配置されており、複数枚のウエハWfの端面Wfaに向けて液体Lqを噴出させる姿勢で設けられている。ノズル31はいずれも、ウエハWfの積層方向において扁平な形状の液体Lqを噴出可能である(図示略)。ノズル31から吐出される液体Lqの流量は、たとえば9L/min程度である。   The plurality of nozzles 31 are components that discharge the liquid Lq, and generate a jet of the liquid Lq. Each of these nozzles 31 is connected to a discharge pump (not shown) via a pipe (not shown). In the present embodiment, as shown in FIG. 2, the nozzle 31 is arranged on the right side in the drawing with respect to the stacked wafers Wf, and the liquid is directed toward the end faces Wfa of the plurality of wafers Wf. It is provided in a posture for ejecting Lq. Any of the nozzles 31 can eject a liquid Lq having a flat shape in the stacking direction of the wafers Wf (not shown). The flow rate of the liquid Lq discharged from the nozzle 31 is, for example, about 9 L / min.

図4、図5を用いて、複数のノズル31の詳細な配置状態について説明する。これらの図において、y1−y2方向における中央に配置されたものをノズル311とし、ノズル311と隣り合うものをノズル312とし、y1−y2方向における最外側に配置されたものをノズル313としている。   A detailed arrangement state of the plurality of nozzles 31 will be described with reference to FIGS. 4 and 5. In these drawings, the nozzle 311 is arranged at the center in the y1-y2 direction, the nozzle 312 is adjacent to the nozzle 311, and the nozzle 313 is arranged at the outermost side in the y1-y2 direction.

ノズル311は、y1−y2方向(ウエハWfの端面Wfaの延びる方向)におけるウエハWfの端面Wfaの中央に向けて液体Lqを噴出する。ノズル311からの噴流がウエハWfの端面Wfaに当たる位置としては、複数のウエハWfの最上位のものから数枚分(5〜6枚程度)の位置である。ノズル311が液体Lqを噴出する方向は、方向x1に一致する。ノズル312は、y1−y2方向においてウエハWfの端面Wfaと重なる位置に配置されている。また、図4に示すように、ノズル312は、ウエハWfの積層方向においてノズル311と同位に配置されている。ノズル312は、ウエハWfの端面Wfaの一端寄りの部分に向けて、液体Lqを噴出する。ノズル312からの噴流がウエハWfの端面Wfaに当たる位置としては、複数のウエハWfの最上位のものから数枚分(5〜6枚程度)の位置である。ノズル312が液体Lqを噴出する方向も、方向x1に一致する。   The nozzle 311 ejects the liquid Lq toward the center of the end surface Wfa of the wafer Wf in the y1-y2 direction (the direction in which the end surface Wfa of the wafer Wf extends). The position at which the jet flow from the nozzle 311 hits the end face Wfa of the wafer Wf is a position corresponding to several sheets (about 5 to 6 sheets) from the uppermost one of the plurality of wafers Wf. The direction in which the nozzle 311 ejects the liquid Lq coincides with the direction x1. The nozzle 312 is disposed at a position overlapping the end surface Wfa of the wafer Wf in the y1-y2 direction. Further, as shown in FIG. 4, the nozzle 312 is disposed at the same position as the nozzle 311 in the stacking direction of the wafer Wf. The nozzle 312 ejects the liquid Lq toward a portion near one end of the end face Wfa of the wafer Wf. The position where the jet flow from the nozzle 312 hits the end face Wfa of the wafer Wf is a position of several sheets (about 5 to 6 sheets) from the uppermost one of the plurality of wafers Wf. The direction in which the nozzle 312 ejects the liquid Lq also coincides with the direction x1.

図4、図5に示すように、ノズル313は、y1−y2方向においてウエハWfの端面Wfaの外側に配置されている。図4に示すように、ノズル313は、ウエハWfの積層方向において、ノズル311,312に比べて、上位に配置されている。ノズル313は、ウエハWfの端面Wfaの一端近傍に向けてやや上向きに液体Lqを噴出する。好ましくは、ノズル313は、複数枚のウエハWfの最上位のものよりも上側に向けて、且つ、ノズル313からの噴流が吸着コンベア2に至るように、液体Lqを噴出するとよい。ノズル313による液体Lqの噴出方向は、ウエハWfの面内方向に対して、たとえば15〜20度の角度をなしている。   As shown in FIGS. 4 and 5, the nozzle 313 is disposed outside the end face Wfa of the wafer Wf in the y1-y2 direction. As shown in FIG. 4, the nozzle 313 is arranged higher than the nozzles 311 and 312 in the wafer Wf stacking direction. The nozzle 313 ejects the liquid Lq slightly upward toward the vicinity of one end of the end face Wfa of the wafer Wf. Preferably, the nozzle 313 may eject the liquid Lq toward the upper side of the uppermost one of the plurality of wafers Wf and so that the jet flow from the nozzle 313 reaches the adsorption conveyor 2. The ejection direction of the liquid Lq from the nozzle 313 is, for example, 15 to 20 degrees with respect to the in-plane direction of the wafer Wf.

スポンジローラ32は、表面部分がスポンジからなるローラである。スポンジローラ32は、吸着コンベア2の直下において、積み上げられた複数枚のウエハWfに対して図中右方に配置されている。スポンジローラ32は、図示しないたとえばモータに連結されており、回転可能とされている。本実施形態においては、スポンジローラ32は、ブラケットによって吸着コンベア2に対して固定されている。   The sponge roller 32 is a roller whose surface is made of sponge. The sponge roller 32 is disposed rightward in the drawing with respect to the plurality of stacked wafers Wf immediately below the suction conveyor 2. The sponge roller 32 is connected to a motor (not shown), for example, and is rotatable. In the present embodiment, the sponge roller 32 is fixed to the suction conveyor 2 by a bracket.

図1に示すように、ヒータ41は、液体Lqに漬かっており、たとえばウエハ槽1の壁面付近に配置されている。このヒータ41としては、液体加熱用のものが用いられる。ヒータ41が駆動すると、液体Lqが加熱されて当該液体Lqの温度が上昇する。ヒータ41は、ケーブルを介してヒータ制御部43につながっており、ヒータ制御部43からの電気信号によってその駆動が制御される。   As shown in FIG. 1, the heater 41 is immersed in the liquid Lq, and is disposed, for example, near the wall surface of the wafer tank 1. As the heater 41, a liquid heating one is used. When the heater 41 is driven, the liquid Lq is heated and the temperature of the liquid Lq rises. The heater 41 is connected to the heater control unit 43 via a cable, and its driving is controlled by an electric signal from the heater control unit 43.

温度センサ42は、液体Lqに漬かっており、たとえばウエハ槽1の壁面付近に配置されている。温度センサ42としては、たとえば液温測定用のサーミスタを採用することができる。温度センサ42からの出力信号は、ケーブルを介してヒータ制御部43に伝送される。   The temperature sensor 42 is immersed in the liquid Lq, and is disposed, for example, near the wall surface of the wafer tank 1. As the temperature sensor 42, for example, a thermistor for measuring a liquid temperature can be employed. An output signal from the temperature sensor 42 is transmitted to the heater control unit 43 via a cable.

ヒータ制御部43は、ヒータ41に駆動電力を供給するためのものであり、ウエハ槽1の外部に設けられている。ヒータ制御部43は、温度センサ42からの電気信号に応じてヒータ41の駆動を制御する制御回路を備える。ヒータ制御部43による制御としては、たとえば温度センサ42での測定温度が所定の温度範囲となるようにヒータ41の駆動を制御する、いわゆるフィードバック制御が挙げられる。   The heater control unit 43 is for supplying driving power to the heater 41 and is provided outside the wafer tank 1. The heater control unit 43 includes a control circuit that controls driving of the heater 41 in accordance with an electrical signal from the temperature sensor 42. Examples of the control by the heater control unit 43 include so-called feedback control that controls the driving of the heater 41 so that the temperature measured by the temperature sensor 42 falls within a predetermined temperature range.

中継コンベア5は、吸着コンベア2の下流側において、液面Lsの上方に配置されている。中継コンベア5は、後述する手順によって吸着されたウエハWfを吸着コンベア2から受け渡される。   The relay conveyor 5 is disposed above the liquid level Ls on the downstream side of the suction conveyor 2. The relay conveyor 5 receives the wafer Wf sucked by the procedure described later from the suction conveyor 2.

装填コンベア6は、中継コンベア5の下流側に配置されている。装填コンベア6は、中継コンベア5から受け取ったウエハWfを、スタッカ7へと装填するのに用いられる。   The loading conveyor 6 is disposed on the downstream side of the relay conveyor 5. The loading conveyor 6 is used to load the wafer Wf received from the relay conveyor 5 into the stacker 7.

スタッカ7は、複数枚のウエハWfを1枚ずつ格納するためのものであり、鉛直方向に互いに平行に配列された複数のポケット71を有している。装填コンベア6からウエハWfが送られてくると、このウエハWfがあるポケット71に装填される。すると、図示しない昇降手段によってスタッカ7はポケット71の一段分だけ上昇される。これにより、次のウエハWfを装填可能な状態となる。   The stacker 7 is for storing a plurality of wafers Wf one by one, and has a plurality of pockets 71 arranged in parallel to each other in the vertical direction. When the wafer Wf is sent from the loading conveyor 6, the wafer Wf is loaded into a pocket 71. Then, the stacker 7 is raised by one step of the pocket 71 by lifting means (not shown). As a result, the next wafer Wf can be loaded.

次に、本発明に係るウエハ搬送方法の一例について、図7〜図14を参照しつつ以下に説明する。図7〜図13においては、理解の便宜上、置台81、サポート部材82の記載を省略しているが、実際には、複数枚のウエハWfは置台81に載置され、かつサポート部材82にガイドされたまま以下の工程が行われる。   Next, an example of the wafer transfer method according to the present invention will be described below with reference to FIGS. In FIG. 7 to FIG. 13, the description of the mounting table 81 and the support member 82 is omitted for the sake of easy understanding, but actually, a plurality of wafers Wf are mounted on the mounting table 81 and guided to the support member 82. The following steps are performed as they are.

まず、図7に示すように、無端ベルト22の吸着区間22aを、積み上げられたウエハWfの直上に位置させる。この時、最上位のウエハWfの上面と吸着コンベア2のウエハ吸着面22cとの距離は、たとえば15〜35mmである。吸着区間22aがこの位置にあるときは、バキュームボックス23の複数の孔23bのうち区画室231,232に設けられたものが、吸着区間22aと重なっている。また、このときバルブユニット27を切り替えることにより、区画室231,232とポンプ26とを接続し、区画室233とポンプ26とを遮断する。これとともに、ポンプ26を駆動させ、区画室231,232の内圧を負圧とする。ここで、ヒータ41を駆動することにより、あらかじめ液体Lqの温度を30℃以上にしておく。   First, as shown in FIG. 7, the suction section 22a of the endless belt 22 is positioned immediately above the stacked wafers Wf. At this time, the distance between the upper surface of the uppermost wafer Wf and the wafer suction surface 22c of the suction conveyor 2 is, for example, 15 to 35 mm. When the adsorption section 22a is at this position, the plurality of holes 23b of the vacuum box 23 provided in the compartments 231 and 232 overlap the adsorption section 22a. At this time, by switching the valve unit 27, the compartments 231 and 232 and the pump 26 are connected, and the compartment 233 and the pump 26 are shut off. At the same time, the pump 26 is driven, and the internal pressure of the compartments 231 and 232 is set to a negative pressure. Here, the temperature of the liquid Lq is set to 30 ° C. or higher in advance by driving the heater 41.

次いで、複数のノズル31からウエハWfの端面Wfaに向けて所定の吐出圧力で液体Lqを噴出する(図4〜図6参照)。ノズル31からの吐出圧力によって、液体Lqが噴き付けられる部位において、ウエハWfどうしの間や、ウエハWfの最上部の上側に液体Lqが侵入する。そうすると、図8に示すように、最上位のウエハWfを含む複数枚のウエハWfは、互いの間に隙間が生じるように浮き上がる。そして、最上位のウエハWfは、無端ベルト22の吸着区間22a(ウエハ吸着面22c)に近接する。   Next, the liquid Lq is ejected from the plurality of nozzles 31 toward the end face Wfa of the wafer Wf at a predetermined discharge pressure (see FIGS. 4 to 6). The liquid Lq enters between the wafers Wf or above the uppermost portion of the wafer Wf at the part where the liquid Lq is sprayed by the discharge pressure from the nozzle 31. Then, as shown in FIG. 8, the plurality of wafers Wf including the uppermost wafer Wf are lifted so that a gap is formed between them. The uppermost wafer Wf is close to the suction section 22a (wafer suction surface 22c) of the endless belt 22.

吸着コンベア2において、区画室231,232の内圧が負圧であることから、吸着区間22aの直下近傍にある最上位のウエハWfが上方に引き寄せられる。そして、図9および図10に示すように、最上位のウエハWfが吸着区間22aに吸着される。   In the suction conveyor 2, since the internal pressure of the compartments 231 and 232 is negative, the uppermost wafer Wf in the vicinity immediately below the suction section 22a is drawn upward. Then, as shown in FIGS. 9 and 10, the uppermost wafer Wf is sucked into the suction section 22a.

次いで、ノズル31からの液体Lqの噴出を停止する。そして図11および図12に示すように、ローラ21を駆動することにより無端ベルト22を反時計回りに周回させる。これにより、吸着されたウエハWfが図中右方にスライドされる。このとき、スポンジローラ32を反時計回りに回転させておく。すると、スライドするウエハWfは、その先端から順にスポンジローラ32の上方をこれに接しながら通過する。これにより、ウエハWfにはスライド方向と反対方向に向けて抵抗力が付与される。仮に、最上位に位置していたウエハWfとその直下にあったウエハWfとが、誤って2枚取りされた場合、この抵抗力によって下方のウエハWfを取り除くことができる。さらに、液体Lqに混入された界面活性剤は、2枚のウエハWfどうしの間に液体Lqが侵入することを好適に促進する。なお、本記載ではノズル31からの液体Lqの噴出を停止しているが、ノズル31からの液体Lqの噴出を停止させずに以下の一連の工程を続けて行ってもよい。   Next, the ejection of the liquid Lq from the nozzle 31 is stopped. Then, as shown in FIGS. 11 and 12, by driving the roller 21, the endless belt 22 is rotated counterclockwise. Thereby, the attracted wafer Wf is slid rightward in the figure. At this time, the sponge roller 32 is rotated counterclockwise. Then, the sliding wafer Wf passes through the top of the sponge roller 32 in order from the tip while contacting the wafer Wf. As a result, a resistance force is applied to the wafer Wf in the direction opposite to the sliding direction. If two wafers Wf that are positioned at the top and the wafer Wf that is directly below them are mistakenly taken, the lower wafer Wf can be removed by this resistance force. Furthermore, the surfactant mixed in the liquid Lq suitably promotes the penetration of the liquid Lq between the two wafers Wf. In the present description, the ejection of the liquid Lq from the nozzle 31 is stopped, but the following series of steps may be continued without stopping the ejection of the liquid Lq from the nozzle 31.

無端ベルト22が周回すると、吸着区間22aが区画室231,232と重なる位置から区画室232,233と重なる位置へと移動する。このときには、図11によく表れているように、バルブユニット27を切り替えることにより、区画室232,233とポンプ26とを接続し、区画室231とポンプ26とを遮断する。これにより、区画室232,233の内圧が負圧となり、区画室231はその内圧が強い負圧となる状態から解除される。   When the endless belt 22 circulates, the suction section 22a moves from a position overlapping the compartments 231 and 232 to a position overlapping the compartments 232 and 233. At this time, as clearly shown in FIG. 11, by switching the valve unit 27, the compartments 232 and 233 and the pump 26 are connected, and the compartment 231 and the pump 26 are shut off. As a result, the internal pressure of the compartments 232 and 233 becomes negative, and the compartment 231 is released from the state where the internal pressure becomes a strong negative pressure.

次いで、図13に示すように、さらに無端ベルト22を周回させる。すると、吸着されたウエハWfは、さらに右方へとスライドし、中継コンベア5へと受け渡される。図示された状態においては、吸着区間22aは区画室233のみと重なっている。このときには、バルブユニット27を切り替えることにより、区画室233とポンプ26とを接続し、区画室231,232とポンプ26とを遮断する。   Next, as shown in FIG. 13, the endless belt 22 is further circulated. Then, the attracted wafer Wf slides further to the right and is delivered to the relay conveyor 5. In the illustrated state, the adsorption section 22a overlaps only the compartment 233. At this time, by switching the valve unit 27, the compartment 233 and the pump 26 are connected, and the compartments 231 and 232 and the pump 26 are shut off.

この後は、中継コンベア5、装填コンベア6を経由して、ウエハWfがスタッカ7に装填される。一方、吸着コンベア2は、無端ベルト22をさらに周回させるとともに、バルブユニット27を切り替えることにより、再び図7に示す状態となる。そして、リフタ12が、積み上げられた複数枚のウエハWfをその一枚分の厚さに相当する高さだけ上昇させることにより、次のウエハWfを吸着可能な状態となる。以上に述べた工程を順次繰り返すことにより、積み上げられた複数枚のウエハWfを1枚ずつ搬送し、スタッカ7へと装填できる。   Thereafter, the wafer Wf is loaded into the stacker 7 via the relay conveyor 5 and the loading conveyor 6. On the other hand, the suction conveyor 2 is brought into the state shown in FIG. 7 again by rotating the endless belt 22 and switching the valve unit 27. Then, the lifter 12 raises the stacked plurality of wafers Wf by a height corresponding to the thickness of the single wafer, so that the next wafer Wf can be adsorbed. By sequentially repeating the steps described above, a plurality of stacked wafers Wf can be transferred one by one and loaded into the stacker 7.

そして上記の工程を順次繰り返した結果、最終的に図14に示すように、置台81に載置されたウエハWfの数が数枚程度となる。ウエハWfの数が数枚程度となった場合、ウエハWfの端面Wfaに向けてノズル31から噴出された液体Lqは、ウエハWfを載置している置台81の空間815にも侵入する。そのため、ウエハWfは数枚であっても、互いの間に隙間が生じるように浮き上がる。その後、上記と同様の工程を経ることにより、置台81に載置されたウエハWfをほぼ全てスタッカ7へと装填できる。   As a result of sequentially repeating the above steps, finally, as shown in FIG. 14, the number of wafers Wf mounted on the mounting table 81 is about several. When the number of wafers Wf is about several, the liquid Lq ejected from the nozzle 31 toward the end surface Wfa of the wafer Wf also enters the space 815 of the mounting table 81 on which the wafer Wf is placed. Therefore, even if there are several wafers Wf, they float up so that a gap is formed between them. Thereafter, through the same process as described above, almost all of the wafers Wf placed on the placing table 81 can be loaded into the stacker 7.

次に、本実施形態のウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置Aの作用について説明する。   Next, the operation of the wafer transfer method and wafer transfer apparatus A of this embodiment will be described.

複数枚のウエハWfは、たとえばワイヤソーを用いた切断工程の後に、洗浄工程や接着剤の溶解工程を経るために濡れた状態となる。これらの濡れたウエハWfを大気中におくと、互いに張り付いてしまい、1枚ずつに分離することは困難である。本実施形態によれば、液体Lq中に積み上げられた複数枚のウエハWfにおいては、これらウエハWfの端面Wfaに液体Lqを噴出することにより、最上位にあるウエハWfを含む複数枚のウエハWfの間に隙間が生じさせられる。すなわち、最上位のウエハWfとこれに隣接する直下のウエハWfとの間に隙間があるため、ウエハWfどうしが張り付いた状態は解消されて、最上位に位置するウエハWfを適切に吸着コンベア2に吸着させることができる。   The plurality of wafers Wf are in a wet state because, for example, a cutting process using a wire saw is followed by a cleaning process and an adhesive dissolving process. When these wet wafers Wf are placed in the atmosphere, they stick to each other and it is difficult to separate them one by one. According to the present embodiment, in the plurality of wafers Wf stacked in the liquid Lq, the plurality of wafers Wf including the uppermost wafer Wf are ejected by ejecting the liquid Lq to the end faces Wfa of the wafers Wf. A gap is created between the two. That is, since there is a gap between the uppermost wafer Wf and the wafer Wf immediately below the uppermost wafer Wf, the state where the wafers Wf are stuck to each other is eliminated, and the wafer Wf located at the uppermost position is appropriately sucked by the conveyor. 2 can be adsorbed.

さらに本実施形態においては、ノズル31を、図4、図5のように配置し、且つ、ノズル31から噴出される液体Lqの方向を調整したことで、複数枚のウエハWfどうしの間に隙間を生じさせやすくなっている。   Furthermore, in the present embodiment, the nozzle 31 is arranged as shown in FIGS. 4 and 5 and the direction of the liquid Lq ejected from the nozzle 31 is adjusted, so that there is a gap between the plurality of wafers Wf. It is easy to cause.

発明者らの試験によると、本実施形態によれば、ノズル311を設けない場合と比べて、より多くのウエハWfどうしの間に隙間を生じさせやすくっており、ウエハWfをより早く浮上させることができた。また、ノズル312もしくはノズル313を設けない場合と比べて、複数枚のウエハWfをより確実に浮上させることができた。   According to the tests by the inventors, according to the present embodiment, it is easier to create a gap between more wafers Wf than in the case where the nozzle 311 is not provided, and the wafers Wf can be floated faster. I was able to. In addition, the plurality of wafers Wf can be floated more reliably than in the case where the nozzle 312 or the nozzle 313 is not provided.

なお同図に示すように、必ずしも、ノズル31としてノズル311,312,313のいずれをも配置する必要はない。たとえば、ノズル31として、ノズル311,312のみを配置したり、ノズル311,313のみを配置したり、ノズル312,313のみを配置したりしてもよい。もしくは、ノズル31として、ノズル311のみを配置したり、ノズル312のみを配置したり、ノズル313のみを配置したりしてもよい。   As shown in the figure, it is not always necessary to dispose any of the nozzles 311, 312 and 313 as the nozzle 31. For example, as the nozzle 31, only the nozzles 311 and 312 may be arranged, only the nozzles 311 and 313 may be arranged, or only the nozzles 312 and 313 may be arranged. Alternatively, only the nozzle 311, only the nozzle 312, or only the nozzle 313 may be disposed as the nozzle 31.

ノズル31はいずれも、ウエハWfの積層方向において扁平な形状の液体Lqを噴出可能である。これによっても、複数枚のウエハWfどうしの間に隙間を生じさせやすくなっている。   Any of the nozzles 31 can eject the liquid Lq having a flat shape in the stacking direction of the wafers Wf. This also facilitates the formation of a gap between the plurality of wafers Wf.

図4、図5に示したように、複数枚のウエハWfは、サポート部材82にガイドされている。特に、複数枚のウエハWfは、一対の移動規制部821,822により、方向x1における移動が規制されている。そのため、ウエハWfに対し方向x1に向かってノズル31から液体Lqが噴出されても、当該液体Lqによる力を受けてウエハWfは方向x1において位置ずれをしてしまうといったおそれが少ない。このような構成は、最上位にあるウエハWfを的確に吸着するのに適している。また、一対の移動規制部823,824によって、方向y1および方向y2に向かうウエハWfの移動が規制されている。このような構成も、最上位にあるウエハWfを的確に吸着するのに適している。なお、上記実施形態では一対の移動規制部821,822はそれぞれ、別個の板状の部材である例を示したが、一対の移動規制部821,822は、一体の部材における2つの部位であってもかまわない。   As shown in FIGS. 4 and 5, the plurality of wafers Wf are guided by the support member 82. In particular, the movement of the plurality of wafers Wf in the direction x1 is restricted by the pair of movement restricting portions 821 and 822. Therefore, even when the liquid Lq is ejected from the nozzle 31 toward the direction x1 with respect to the wafer Wf, the wafer Wf is less likely to be displaced in the direction x1 due to the force of the liquid Lq. Such a configuration is suitable for accurately adsorbing the uppermost wafer Wf. Further, the movement of the wafer Wf in the direction y1 and the direction y2 is restricted by the pair of movement restricting portions 823 and 824. Such a configuration is also suitable for accurately adsorbing the uppermost wafer Wf. In the above embodiment, the pair of movement restricting portions 821 and 822 is an example of a separate plate-like member, but the pair of movement restricting portions 821 and 822 are two portions of an integral member. It doesn't matter.

吸着コンベア2のy1−y2方向における大きさL2は、移動規制部821,822どうしの離間距離L1より小さい。そのため、図14に示したように、移動規制部821,822に妨げられることなく、吸着コンベア2は複数枚のウエハWfの積層方向において移動することが可能となっている。これは、吸着コンベア2を複数枚のウエハWfの最上位のものにより接近させるのに適している。そのため、吸着コンベア2により、当該最上位のウエハWfをより吸着しやすくなっている。   The size L2 of the suction conveyor 2 in the y1-y2 direction is smaller than the separation distance L1 between the movement restricting portions 821 and 822. Therefore, as shown in FIG. 14, the suction conveyor 2 can move in the stacking direction of the plurality of wafers Wf without being obstructed by the movement restricting portions 821 and 822. This is suitable for bringing the suction conveyor 2 closer to the uppermost one of the plurality of wafers Wf. Therefore, the uppermost wafer Wf is more easily sucked by the suction conveyor 2.

ウエハWfをスライドさせる吸着コンベア2を用いれば、吸着したウエハWfを積み上げられた複数枚のウエハWfの直上からスムーズに退避させることができる。このとき、複数枚のウエハWfが大きく乱されるおそれが少ない。   If the suction conveyor 2 that slides the wafers Wf is used, the sucked wafers Wf can be smoothly retracted from directly above the stacked wafers Wf. At this time, there is little possibility that the plurality of wafers Wf are greatly disturbed.

複数枚のウエハWfは、最上位に位置するものの上面が吸着コンベア2のウエハ吸着面22cと平行となるように積み上げられている。このため、ノズル31からの液体噴出により浮上してきた最上位のウエハWfの全面に対して、吸着コンベア2による吸着力が略均等に作用する。このような構成は、最上位にあるウエハWfを的確に吸着するのに適している。また、ウエハ吸着面22cは、ウエハWfのスライド方向前方側(図中右方)が上位となるように傾斜しているため、ウエハWfを短い移動行程で効率よく搬送するのに適している。   The plurality of wafers Wf are stacked so that the upper surface of the wafer Wf is parallel to the wafer suction surface 22c of the suction conveyor 2. For this reason, the suction force by the suction conveyor 2 acts substantially evenly on the entire surface of the uppermost wafer Wf that has floated due to the ejection of liquid from the nozzle 31. Such a configuration is suitable for accurately adsorbing the uppermost wafer Wf. Further, since the wafer suction surface 22c is inclined so that the front side in the sliding direction of the wafer Wf (the right side in the figure) is higher, it is suitable for efficiently transporting the wafer Wf in a short movement process.

ノズル31は、複数枚のウエハWfに対してウエハWfのスライド方向前方側(図中右方)に配置されており、積み上げられたウエハWfの端面Wfaに向けて液体Lqを噴出する。すなわち、ノズル31からはウエハWfのスライド方向とは逆方向に液体Lqが噴出される。そのため、最上位に位置していたウエハWfは、吸着コンベア2からスライド方向前方に移動する力を受けるものの、最上位に位置していたウエハWfの直下にあるウエハWfは、ノズル31から噴出される液体Lqにより、上記スライド方向と逆方向に向かう力を受ける。これにより、最上位に位置していたウエハWfの直下にあるウエハWfが誤って運ばれるのを抑制することができる。   The nozzle 31 is arranged on the front side in the sliding direction of the wafer Wf with respect to the plurality of wafers Wf (right side in the figure), and ejects the liquid Lq toward the end surface Wfa of the stacked wafers Wf. That is, the liquid Lq is ejected from the nozzle 31 in the direction opposite to the sliding direction of the wafer Wf. Therefore, although the wafer Wf located at the uppermost position receives a force that moves forward in the sliding direction from the suction conveyor 2, the wafer Wf immediately below the wafer Wf located at the uppermost position is ejected from the nozzle 31. The liquid Lq receives a force in the direction opposite to the sliding direction. Thereby, it is possible to prevent the wafer Wf immediately below the wafer Wf positioned at the top from being erroneously carried.

複数枚のウエハWfが漬かる液体Lqは、ヒータ41により加熱され、常温よりも高温とされている。当該液体Lqは加熱されると粘度が低下する性質を有するため、隣り合うウエハWfどうしの間に液体Lqが侵入することが促進される。その結果、複数枚のウエハWfのうち最上位に位置するウエハWfを、これの直下に隣接するウエハWfから分離しやすくなり、最上位のウエハWfを適切に取り上げることができる。   The liquid Lq in which the plurality of wafers Wf are immersed is heated by the heater 41 and is set to a temperature higher than room temperature. Since the liquid Lq has a property of decreasing in viscosity when heated, the liquid Lq is promoted to enter between adjacent wafers Wf. As a result, the wafer Wf positioned at the top of the plurality of wafers Wf can be easily separated from the wafer Wf adjacent immediately below the wafer Wf, and the top wafer Wf can be picked up appropriately.

区画室231,232,233のうち吸着区間22aと重ならないものを、順次ポンプ26に対して遮断することにより、吸着区間22a以外の部分によって吸着したいウエハWf以外のウエハWfを誤って吸着してしまうことを防止することができる。   Of the compartments 231, 232, and 233, those that do not overlap with the suction section 22 a are sequentially shut off to the pump 26, so that the wafer Wf other than the wafer Wf to be sucked by a part other than the suction section 22 a is erroneously sucked. Can be prevented.

置台81には、空間815が形成されている。置台81をこのような構成にすることで、図14に示したように置台81に載置された複数枚のウエハWfの枚数が少なくなっても、より確実にこれらのウエハWfどうしの間に隙間を生じさせることができる。これにより、複数枚のウエハWfのうち下方に位置するものを、吸着コンベア2により吸着し、搬送することが可能となる。これにより、吸着コンベア2により吸着されずに置台81に載置されたままとなるウエハWfを、より少なくすることができる。   A space 815 is formed in the mounting table 81. By configuring the mounting table 81 as described above, even when the number of the plurality of wafers Wf mounted on the mounting table 81 is reduced as shown in FIG. 14, the wafers Wf are more reliably disposed between the wafers Wf. A gap can be generated. As a result, the wafer Wf positioned below can be sucked and transported by the suction conveyor 2. As a result, the number of wafers Wf that remain mounted on the mounting table 81 without being sucked by the suction conveyor 2 can be reduced.

また、上記の工程において、ウエハWfを取り上げる度にノズル31からの液体Lqの噴出を停止することなく、ノズル31からの液体Lqの噴出を継続した場合には、最上位に位置するウエハWfが浮上している状態を維持できる。そのため、ウエハWfが浮上していない状態に戻った後に、再びウエハWfを浮上させることが必要なくなる。その結果、上記ウエハの搬送工程の効率化を図りうる。   In the above process, when the ejection of the liquid Lq from the nozzle 31 is continued without stopping the ejection of the liquid Lq from the nozzle 31 each time the wafer Wf is picked up, the wafer Wf positioned at the uppermost position is It can maintain a floating state. Therefore, it becomes unnecessary to lift the wafer Wf again after returning to the state where the wafer Wf is not lifted. As a result, the efficiency of the wafer transfer process can be improved.

本発明に係るウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係るウエハ搬送方法およびウエハ搬送装置の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。   The wafer transfer method and the wafer transfer apparatus according to the present invention are not limited to the above-described embodiments. The specific configurations of the wafer transfer method and the wafer transfer apparatus according to the present invention can be varied in design in various ways.

A ウエハ搬送装置
Lq 液体
Ls 液面
Wf ウエハ
Wfa 端面
1 ウエハ槽
2 吸着コンベア(ウエハ受け取り手段)
5 中継コンベア
6 装填コンベア
7 スタッカ
11 コンベア
12 リフタ
21 ローラ
22 無端ベルト
22a 吸着区間
22b 孔
22c ウエハ吸着面
23 バキュームボックス
231,232,233 区画室
23a 吸気口
23b 孔
24 ホース
25 脱水槽
26 ポンプ
27 バルブユニット
31 ノズル(液体噴出手段)
311 ノズル(第1の液体噴出手段)
312 ノズル(第2の液体噴出手段)
313 ノズル(第3の液体噴出手段)
32 スポンジローラ
41 ヒータ
42 温度センサ
43 ヒータ制御部
71 ポケット
81 置台
811 底台部
812,813 板状部材
814 補助支持部材
815 空間
82 サポート部材
821〜824 移動規制部
A Wafer transfer device Lq Liquid Ls Liquid level Wf Wafer Wfa End surface 1 Wafer tank 2 Suction conveyor (wafer receiving means)
5 Relay Conveyor 6 Loading Conveyor 7 Stacker 11 Conveyor 12 Lifter 21 Roller 22 Endless Belt 22a Adsorption Section 22b Hole 22c Wafer Adsorption Surface 23 Vacuum Box 231, 232, 233 Compartment Chamber 23a Inlet 23b Hole 24 Hose 25 Dehydration Tank 26 Pump 27 Valve Unit 31 Nozzle (Liquid ejecting means)
311 nozzle (first liquid ejection means)
312 nozzle (second liquid ejection means)
313 nozzle (third liquid ejection means)
32 Sponge roller 41 Heater 42 Temperature sensor 43 Heater control unit 71 Pocket 81 Mounting base 811 Bottom base part 812, 813 Plate member 814 Auxiliary support member 815 Space 82 Support members 821 to 824 Movement restriction part

Claims (25)

積層された複数枚のウエハを搬送するウエハ搬送方法であって、
液体中に位置する上記複数枚のウエハどうしの間のいずれかに隙間を生じさせるべく、上記複数枚のウエハの端面に向けて上記液体を噴出する工程と、
上記隙間を生じさせた状態で、上記複数枚のウエハのうち少なくとも最上位に位置するウエハを取り上げる工程と、を備えることを特徴とする、ウエハ搬送方法。
A wafer transfer method for transferring a plurality of stacked wafers,
Injecting the liquid toward the end surfaces of the plurality of wafers in order to create a gap between any of the plurality of wafers located in the liquid;
Picking up at least the uppermost wafer of the plurality of wafers in a state where the gap is generated.
上記液体を噴出する工程は、上記ウエハの上記端面の延びる方向における上記端面の中央に向けて上記液体を噴出する第1の工程を含む、請求項1に記載のウエハ搬送方法。   2. The wafer transfer method according to claim 1, wherein the step of ejecting the liquid includes a first step of ejecting the liquid toward the center of the end face in a direction in which the end face of the wafer extends. 上記液体を噴出する工程は、上記ウエハの上記端面の延びる方向において上記端面と重なる位置から上記端面に向けて上記液体を噴出する、上記第1の工程と異なる第2の工程をさらに含む、請求項2に記載のウエハ搬送方法。   The step of ejecting the liquid further includes a second step different from the first step, in which the liquid is ejected toward the end surface from a position overlapping the end surface in a direction in which the end surface of the wafer extends. Item 3. The wafer transfer method according to Item 2. 上記第1の工程における上記液体を噴出する方向と、上記第2の工程における上記液体を噴出する方向とは同一である、請求項3に記載のウエハ搬送方法。   The wafer transfer method according to claim 3, wherein a direction in which the liquid is ejected in the first step and a direction in which the liquid is ejected in the second step are the same. 上記第1および第2の工程において噴出される上記液体は、上記ウエハの積層方向において同じ位置から噴出される、請求項3または4に記載のウエハ搬送方法。   The wafer transfer method according to claim 3 or 4, wherein the liquid ejected in the first and second steps is ejected from the same position in the wafer stacking direction. 上記液体を噴出する工程は、上記ウエハの上記端面の延びる方向における上記端面の外側から上記端面に向けて上記液体を噴出する第3の工程をさらに含む、請求項2ないし5のいずれかに記載のウエハ搬送方法。   The step of ejecting the liquid further includes a third step of ejecting the liquid from the outside of the end surface in the direction in which the end surface of the wafer extends toward the end surface. Wafer transfer method. 上記第3の工程においては、上記最上位に位置するウエハの上側に向けて上記液体を噴出する、請求項6に記載のウエハ搬送方法。   The wafer transfer method according to claim 6, wherein in the third step, the liquid is ejected toward an upper side of the wafer positioned at the uppermost position. 上記ウエハの積層方向において、上記第1の工程において噴出される上記液体を、上記第3の工程において上記液体が噴出される位置より低い位置から噴出する、請求項6または7に記載のウエハ搬送方法。   The wafer transfer according to claim 6 or 7, wherein the liquid ejected in the first step is ejected from a position lower than a position from which the liquid is ejected in the third step in the wafer stacking direction. Method. 上記液体を噴出する工程においては、上記ウエハの積層方向に沿う扁平な形状で上記液体を噴出する、請求項1ないし8のいずれかに記載のウエハ搬送方法。   9. The wafer transfer method according to claim 1, wherein, in the step of ejecting the liquid, the liquid is ejected in a flat shape along the wafer stacking direction. 上記液体を噴出する工程は、上記ウエハを取り上げる工程の前後にわたって継続して実行されている、請求項1ないし9のいずれかに記載のウエハ搬送方法。   10. The wafer transfer method according to claim 1, wherein the step of ejecting the liquid is continuously performed before and after the step of picking up the wafer. 上記複数枚のウエハのうち最上位にあったものを吸着した状態でこのウエハをその面内方向にスライドさせる吸着スライド手段によって、上記最上位のウエハから順に上記ウエハを搬送する工程をさらに備える、請求項1ないし10のいずれかに記載のウエハ搬送方法。   A step of conveying the wafer in order from the top wafer by suction slide means for sliding the wafer in the in-plane direction with the top wafer among the plurality of wafers being sucked; The wafer transfer method according to claim 1. 上記吸着スライド手段は、互いに離間した一対のローラと、上記一対のローラにかけまわされた無端ベルトとを備え、
上記無端ベルトには、上記無端ベルトに囲まれ且つ減圧されうる空間とつながる複数の孔が設けられている、請求項11に記載のウエハ搬送方法。
The suction slide means includes a pair of rollers spaced apart from each other, and an endless belt wound around the pair of rollers,
The wafer transfer method according to claim 11, wherein the endless belt is provided with a plurality of holes connected to a space surrounded by the endless belt and capable of being depressurized.
上記液体を噴出する工程においては、上記複数枚のウエハに対して上記ウエハのスライド方向前方側から上記液体を噴出する、請求項11または12に記載のウエハ搬送方法。   The wafer transfer method according to claim 11 or 12, wherein, in the step of ejecting the liquid, the liquid is ejected from the front side in the sliding direction of the wafer to the plurality of wafers. 積層された複数枚のウエハを搬送するウエハ搬送装置であって、
液体中に位置する上記複数枚のウエハの端面に向けて上記液体を噴出することにより、上記複数枚のウエハどうしの間のいずれかに隙間を生じさせる少なくとも1つの液体噴出手段と、
上記隙間を生じさせた状態において、上記複数枚のウエハのうち少なくとも最上位に位置するウエハを受け取り可能なウエハ受け取り手段と、を備えることを特徴とする、ウエハ搬送装置。
A wafer transfer apparatus for transferring a plurality of stacked wafers,
At least one liquid ejecting means that creates a gap between the plurality of wafers by ejecting the liquid toward the end surfaces of the plurality of wafers located in the liquid;
And a wafer receiving means capable of receiving at least the uppermost wafer among the plurality of wafers in a state in which the gap is generated.
上記少なくとも1つの液体噴出手段は、上記ウエハの上記端面の延びる方向における上記端面の中央に向けて上記液体を噴出する第1の液体噴出手段を含む、請求項14に記載のウエハ搬送装置。   15. The wafer transfer apparatus according to claim 14, wherein the at least one liquid ejecting unit includes a first liquid ejecting unit that ejects the liquid toward a center of the end surface in a direction in which the end surface of the wafer extends. 上記少なくとも1つの液体噴出手段は、上記端面の延びる方向において上記端面と重なる位置に配置され且つ上記端面に向けて上記液体を噴出する、上記第1の液体噴出手段と異なる第2の液体噴出手段をさらに含む、請求項15に記載のウエハ搬送装置。   The at least one liquid ejecting means is disposed at a position overlapping with the end face in the extending direction of the end face, and ejects the liquid toward the end face. The second liquid ejecting means is different from the first liquid ejecting means. The wafer transfer apparatus according to claim 15, further comprising: 上記第1および第2の液体噴出手段はいずれも同一の方向に向かって上記液体を噴出する、請求項16に記載のウエハ搬送装置。   The wafer transfer apparatus according to claim 16, wherein both the first and second liquid ejecting means eject the liquid in the same direction. 上記ウエハの積層方向において、上記第1の液体噴出手段と上記第2の液体噴出手段とは、同位に位置する、請求項16または17に記載のウエハ搬送装置。   18. The wafer conveyance device according to claim 16, wherein the first liquid ejecting unit and the second liquid ejecting unit are located at the same position in the wafer stacking direction. 上記少なくとも1つの液体噴出手段は、上記端面の延びる方向における上記端面の外側から上記端面に向けて上記液体を噴出する第3の液体噴出手段をさらに含む、請求項15ないし18のいずれかに記載のウエハ搬送装置。   The at least one liquid ejecting means further includes third liquid ejecting means for ejecting the liquid from the outside of the end face toward the end face in the extending direction of the end face. Wafer transfer device. 上記第3の液体噴出手段はさらに、上記最上位に位置するウエハの上側に向けて上記液体を噴出する、請求項19に記載のウエハ搬送装置。   20. The wafer transfer apparatus according to claim 19, wherein the third liquid ejecting unit further ejects the liquid toward an upper side of the uppermost wafer. 上記ウエハの積層方向において、上記第1の液体噴出手段は、上記第3の液体噴出手段より低位に位置する、請求項19または20に記載のウエハ搬送装置。   21. The wafer conveyance device according to claim 19, wherein the first liquid ejecting unit is positioned lower than the third liquid ejecting unit in the wafer stacking direction. 上記少なくとも1つの液体噴出手段のいずれかは、上記ウエハの積層方向に沿って扁平な形状の上記液体を噴出する、請求項14ないし21のいずれかに記載のウエハ搬送装置。   The wafer transfer apparatus according to any one of claims 14 to 21, wherein any one of the at least one liquid ejecting means ejects the liquid having a flat shape along a stacking direction of the wafers. 上記ウエハ受け取り手段は、上記複数枚のウエハのうち最上位にあるものを吸着した状態で、このウエハをその面内方向にスライドさせる吸着スライド手段を含む、請求項14ないし22に記載のウエハ搬送装置。   23. The wafer transfer according to claim 14, wherein the wafer receiving means includes suction slide means for sliding the wafer in an in-plane direction with the uppermost one of the plurality of wafers being sucked. apparatus. 上記吸着スライド手段は、互いに離間した一対のローラと、上記一対のローラにかけまわされた無端ベルトとを備え、
上記無端ベルトには、上記無端ベルトに囲まれ且つ減圧されうる空間とつながる複数の孔が設けられている、請求項23に記載のウエハ搬送装置。
The suction slide means includes a pair of rollers spaced apart from each other, and an endless belt wound around the pair of rollers,
24. The wafer transfer apparatus according to claim 23, wherein the endless belt is provided with a plurality of holes connected to a space surrounded by the endless belt and capable of being depressurized.
上記少なくとも1つの液体噴出手段は、上記複数のウエハに対して上記ウエハのスライド方向前方側に配置されている、請求項23または24に記載のウエハ搬送装置。   25. The wafer transfer apparatus according to claim 23, wherein the at least one liquid ejecting unit is disposed on the front side in the sliding direction of the wafer with respect to the plurality of wafers.
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