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JP2011061105A - Connection structure, power module, and method of manufacturing the same - Google Patents

Connection structure, power module, and method of manufacturing the same Download PDF

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JP2011061105A
JP2011061105A JP2009211241A JP2009211241A JP2011061105A JP 2011061105 A JP2011061105 A JP 2011061105A JP 2009211241 A JP2009211241 A JP 2009211241A JP 2009211241 A JP2009211241 A JP 2009211241A JP 2011061105 A JP2011061105 A JP 2011061105A
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JP
Japan
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metal layer
manufacturing
layer
metal
pad
Prior art date
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Application number
JP2009211241A
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Japanese (ja)
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Shiro Yamashita
志郎 山下
Ukyo Ikeda
宇亨 池田
Keiji Sato
桂司 佐藤
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Hitachi Astemo Ltd
Original Assignee
Hitachi Automotive Systems Ltd
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
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Abstract

【課題】
基板のパッドに対しリード端子を超音波接続する場合に、十分な接続強度であり、かつパッド破壊を抑えた高信頼な接続技術を提供する。
【解決手段】
金属ベース9及び絶縁膜8上のパッド8上に、パッド8及びリード端子11よりも硬いコーティング層14を形成する。超音波接続時には、超音波ツール13により超音波を印加することによってコーティング層14は破壊され、コーティング層14の両側にあるリード端子11とパッド10とが塑性流動により直接接続される。
【選択図】 図6
【Task】
Provided is a high-reliable connection technology that has sufficient connection strength and suppresses pad breakage when ultrasonically connecting a lead terminal to a pad on a substrate.
[Solution]
A coating layer 14 that is harder than the pad 8 and the lead terminal 11 is formed on the metal base 9 and the pad 8 on the insulating film 8. At the time of ultrasonic connection, the coating layer 14 is broken by applying ultrasonic waves with the ultrasonic tool 13, and the lead terminals 11 and the pads 10 on both sides of the coating layer 14 are directly connected by plastic flow.
[Selection] Figure 6

Description

本発明は、基板に対しリード端子を接続する技術に関する。   The present invention relates to a technique for connecting lead terminals to a substrate.

従来、車載モジュールは比較的信頼性要求レベルの低い車室内に搭載されていた。そして、エンジンルーム内等に設置されるユニットに対しワイヤハーネスと呼ばれる配線によって接続され、そのユニットの制御を行っていた。ところが近年、軽量化や低コスト化をねらいとしたワイヤハーネスの省略を目的とし、車室内からエンジンルーム内へ搭載される車載モジュールが増加している。エンジンルーム環境では、最高温度が車室内に比べて高くなるため、発熱部品を多く搭載する車載モジュールでは高放熱化が重要である。また、搭載スペースに制約があるため、モジュールの小型化の要求も高い。   Conventionally, the in-vehicle module has been mounted in a vehicle interior having a relatively low level of reliability requirement. And it connected with the wiring called a wire harness with respect to the unit installed in the engine room etc., and the unit was controlled. However, in recent years, an increasing number of in-vehicle modules are mounted from the vehicle interior to the engine room for the purpose of omitting wire harnesses aimed at reducing weight and cost. In the engine room environment, the maximum temperature is higher than in the passenger compartment, so high heat dissipation is important for in-vehicle modules equipped with many heat generating components. In addition, since the mounting space is limited, there is a high demand for miniaturization of the module.

中でも電力の変換や制御を行うパワーモジュールでは、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)チップやMOS(Metal-Oxide Semiconductor)チップなどの高発熱部品を数多く搭載する。モジュールの搭載環境温度や半導体の動作保証温度を考慮した場合、パワーモジュールに対し高放熱性が要求される。   In particular, power modules that convert and control power are equipped with many high heat-generating components such as IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chips and MOS (Metal-Oxide Semiconductor) chips. In consideration of the module mounting environment temperature and the guaranteed operation temperature of the semiconductor, high heat dissipation is required for the power module.

パワーモジュールの実装においては、部品を搭載する基板として熱抵抗の小さいセラミック基板や金属ベース基板等の高放熱基板が多く用いられている。セラミック基板はセラミック板の両面に導体層を形成する構造である。絶縁層に熱伝導性の良いセラミックを用いることにより放熱性を向上している。また、金属ベース基板はベースとなる金属板上に絶縁層を介して導体層を形成する構造である。絶縁層は熱伝導率が低いが、薄くすることにより熱抵抗を下げ熱伝導率の高いベース金属への放熱経路を確立している。従来は高放熱基板として信頼性の高いセラミック基板を用いることが多かったが、低コストの観点から、近年金属ベース基板を用いたパワーモジュールが多く開発されつつある。パワーモジュールの実装構造の例を図1に示す。   In mounting a power module, a high heat dissipation substrate such as a ceramic substrate having a low thermal resistance or a metal base substrate is often used as a substrate for mounting components. The ceramic substrate has a structure in which conductor layers are formed on both sides of a ceramic plate. Heat dissipation is improved by using ceramic with good thermal conductivity for the insulating layer. The metal base substrate has a structure in which a conductor layer is formed on a metal plate serving as a base via an insulating layer. Although the insulating layer has a low thermal conductivity, the thermal resistance is lowered by thinning the insulating layer to establish a heat dissipation path to the base metal having a high thermal conductivity. Conventionally, a highly reliable ceramic substrate is often used as the high heat dissipation substrate, but from the viewpoint of low cost, many power modules using a metal base substrate have been developed in recent years. An example of a power module mounting structure is shown in FIG.

このとき、外部端子の接続にはAlワイヤボンディングやリード端子が用いられる。このうち、リード端子は容易に端子幅を大きく端子厚を厚くすることが可能であり、流れる電流が大きいパワーモジュールにおいては有利である。Alワイヤボンディングにて接続する場合には、接続抵抗を下げるために相当数の接続が必要である。また、量産性に対する装置台数の影響が大きく、モジュールの生産台数が増加した場合新たな設備投資が必要となる。   At this time, Al wire bonding or lead terminals are used for connection of the external terminals. Among these, the lead terminal can easily increase the terminal width and the terminal thickness, which is advantageous in a power module having a large flowing current. When connecting with Al wire bonding, a considerable number of connections are required to reduce the connection resistance. In addition, the influence of the number of devices on mass productivity is large, and when the number of modules produced increases, new capital investment is required.

ただし、リード端子の接続にはんだを用いる場合、以下に示すことが懸念される。このパワーモジュールはその外部端子によりその他のモジュールと接続されるが、その接続に同様にはんだを用いるとすると、その加熱により外部端子とパワーモジュールを接続しているはんだを再溶融させる可能性がある。同じ融点のはんだを用いることはできないため異なる複数種のはんだが必要となり、組み立てプロセスが複雑化する。   However, when solder is used to connect the lead terminals, there are concerns about the following. This power module is connected to other modules by its external terminals. If solder is used for the connection, the solder connecting the power module and the external terminals may be remelted by heating. . Since solders having the same melting point cannot be used, different types of solder are required, and the assembly process is complicated.

この問題の解決策として、パワーモジュールの基板に対しリード端子を超音波接続する方法がある。超音波接続はリード端子と基板パッドとの直接接合であるため、その他のモジュールと外部端子をはんだにより接合する場合においても再溶融という問題はない。   As a solution to this problem, there is a method in which lead terminals are ultrasonically connected to the substrate of the power module. Since the ultrasonic connection is a direct bonding between the lead terminal and the substrate pad, there is no problem of remelting when the other module and the external terminal are bonded by solder.

特開平6-169161JP-A-6-169161 特開平10-261664JP 10-261664

超音波接続の断面模式図を図2に示す。超音波接続は、基板のパッド上に供給した端子に対し、ツールにより加圧しながら超音波振動をさせることにより端子をパッドに接続する技術である。端子とパッドとの界面では、この超音波振動により端子及びパッドに形成されている酸化膜や付着している汚染物が除去され、新生面どうしが密着することにより接続がなされる。接続後のリード端子/パッド界面をSEM観察した結果を図3に示す。接続界面においてリード端子材とパッド材が局所的に交じり合った塑性流動領域が形成されていることが分かる。   A schematic cross-sectional view of ultrasonic connection is shown in FIG. The ultrasonic connection is a technique for connecting a terminal to the pad by causing ultrasonic vibration to be applied to the terminal supplied on the pad of the substrate while applying pressure with a tool. At the interface between the terminal and the pad, the ultrasonic vibration removes the oxide film formed on the terminal and the pad and the attached contaminants, and the new surfaces are brought into close contact with each other to establish a connection. The result of SEM observation of the lead terminal / pad interface after connection is shown in FIG. It can be seen that a plastic flow region is formed in which the lead terminal material and the pad material locally cross at the connection interface.

ただし、この超音波接続は加圧しながら接続するプロセスであるため、金属ベース基板を用いる場合、接続中にパッドにダメージが発生する。接続後にパッドが破壊した例を図4に示す。   However, since this ultrasonic connection is a process of connecting while applying pressure, when using a metal base substrate, the pad is damaged during the connection. An example in which the pad is destroyed after connection is shown in FIG.

また、図4のようなパッドの破壊が発生する位置を示したものを図5に示す。小型化の要求の高いパワーモジュールでは、リード端子を狭ピッチで接続する必要がある。このため、ツールのヘッドサイズよりも端子接続部のサイズを小さくする場合が存在する。このとき、接続プロセスにおいてはリード端子の端部が加圧されながら接続されるため、パッドのツールにより加圧されている端子下部と端子のない加圧されていない部分との境界部、すなわち図5に示す端子端部直下において、超音波印加時に応力集中を起こして破壊する。   FIG. 5 shows a position where the pad breaks as shown in FIG. In power modules that are highly demanded for miniaturization, it is necessary to connect the lead terminals at a narrow pitch. For this reason, there is a case where the size of the terminal connection portion is made smaller than the head size of the tool. At this time, since the end portion of the lead terminal is connected while being pressed in the connection process, the boundary portion between the lower portion of the terminal pressed by the pad tool and the unpressurized portion without the terminal, that is, the figure Directly under the terminal end shown in FIG.

このような問題に対し、端子接続部のサイズを大きくする、ツールのヘッドサイズを小さくするという対策が考えられる。しかし、端子接続部のサイズを大きくすることは小型化に不利である。また、ツールのヘッドサイズを小さくする場合は、端子を保持するメッシュ部分について超音波印加時の保持力の低下が懸念され、効果的にリード端子とパッドの界面に超音波エネルギーを伝えられず、リード端子の接続強度が低下する可能性がある。よって、メッシュ部分の構造適正化といった新たな開発課題を生むことになる。   To deal with such a problem, it is conceivable to increase the size of the terminal connection part or reduce the head size of the tool. However, increasing the size of the terminal connection is disadvantageous for miniaturization. In addition, when reducing the head size of the tool, there is a concern about the decrease in holding power when applying ultrasonic waves to the mesh part holding the terminals, and ultrasonic energy cannot be effectively transmitted to the interface between the lead terminal and the pad, The connection strength of the lead terminal may be reduced. Therefore, a new development problem such as structural optimization of the mesh portion is generated.

一方、別の対策として、超音波印加条件である加圧力や振幅を小さく、印加時間を短くするという方法がある。ただし、これは同時にリード端子の接続強度を低下させる要因となり、接続プロセスのマージンを小さくするデメリットがある。   On the other hand, as another countermeasure, there is a method of reducing the applied pressure and amplitude, which are ultrasonic application conditions, and shortening the application time. However, this simultaneously causes a reduction in the connection strength of the lead terminals, and has the disadvantage of reducing the connection process margin.

本発明の課題は、金属ベース基板のパッドに対しリード端子を超音波接続する場合において、パッド破壊のない高強度な接続部を得ることである。   The subject of this invention is obtaining the high intensity | strength connection part which does not destroy a pad, when connecting a lead terminal with the pad of a metal base board ultrasonically.

図6に本発明におけるリード端子接続後の断面構造の一例を示す。本発明では、金属ベース基板のパッドに対し、コーティング層が形成されている。そのコーティング層はリード端子や基板のパッドよりも硬い物質である。このパッドに対し、超音波接続によりリード端子を接続する。接続時にそのコーティング層は破壊され、リード端子とパッドが接続される。   FIG. 6 shows an example of a cross-sectional structure after connecting the lead terminals in the present invention. In the present invention, a coating layer is formed on the pad of the metal base substrate. The coating layer is a material harder than the lead terminal or the substrate pad. A lead terminal is connected to this pad by ultrasonic connection. At the time of connection, the coating layer is destroyed, and the lead terminal and the pad are connected.

本発明によれば、コーティング層はリード端子やパッドよりも硬く、パッドのダメージに対する抑止効果がある。また、その厚さが薄く、端子材とパッド材とが局所的に交じり合う塑性流動領域の形成を妨げることなく、そのコーティング層がない場合に比べても遜色ない高強度な接続を実現する。   According to the present invention, the coating layer is harder than the lead terminal and the pad, and has an effect of suppressing damage to the pad. In addition, a high-strength connection comparable to the case without the coating layer is realized without hindering the formation of a plastic flow region where the thickness is thin and the terminal material and the pad material locally intersect.

パワーモジュールの実装構造の例を示した断面模式図である。It is the cross-sectional schematic diagram which showed the example of the mounting structure of a power module. 超音波接続の例を示した断面模式図である。It is the cross-sectional schematic diagram which showed the example of the ultrasonic connection. SEMによる超音波接続後のリード端子/パッド界面の断面観察図である。It is a cross-sectional observation figure of the lead terminal / pad interface after ultrasonic connection by SEM. 超音波接続後にパッドが破壊した例を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the example which the pad destroyed after ultrasonic connection. 基板上方より見た、き裂の発生する端子端部直下を示した外観模式図である。It is the external appearance schematic diagram which looked at the terminal edge part from which the crack generate | occur | produced seen from the board | substrate upper direction. 本発明におけるリード端子接続後の接続部断面模式図である。It is a connection part cross section schematic diagram after the lead terminal connection in this invention. 本発明におけるリード端子接続前の接続部断面模式図である。It is a connection section section schematic diagram before lead terminal connection in the present invention. 従来におけるリード端子接続前の接続部断面模式図である。It is the connection part cross-sectional schematic diagram before the lead terminal connection in the past. パッドのコーティング材が厚い場合の接続後の接続部断面模式図である。It is a connection part section schematic diagram after connection when the coating material of a pad is thick. 端子端部直下の位置にコーティング材を形成させたパッドを持つ基板を用いて接続した場合の接続部の例を示した外観模式図である。It is the external appearance schematic diagram which showed the example of the connection part at the time of connecting using the board | substrate which has a pad in which the coating material was formed in the position directly under a terminal end part. 実施例に示す実験を行うに当たり、用いた洗浄条件及びNiめっき条件を示した図である。It is the figure which showed the washing | cleaning conditions and Ni plating conditions which were used in performing the experiment shown in an Example. 実施例1において、Cu板(Cu無垢品、Niめっき品)に対しリード端子を超音波接続した後のリード端子/Cu板界面の断面観察図である。In Example 1, it is a cross-sectional observation figure of the lead terminal / Cu board interface after carrying out ultrasonic connection of the lead terminal with respect to Cu board (Pure Cu goods, Ni plating goods). 実施例1において、Cu板(Cu無垢品、Niめっき品)に対するリード端子の超音波接続後に行ったせん断試験結果を示した図である。In Example 1, it is the figure which showed the shear test result performed after the ultrasonic connection of the lead terminal with respect to Cu board (Cu pure product, Ni plating product).

本発明の実施形態について図面を用いて説明する。図7に本発明における接続前の接続部断面構造を示す。基板は金属ベース基板であり、一番下の金属ベース9上に絶縁層8が形成され、その上に配線層(図示せず)が形成される。そして、その配線層の一部であるパッド10に対し、リード端子11が接続されるが、このパッド10上にリード端子11やパッド10よりも硬いコーティング層14が薄く形成される。ここで硬いとは、その材料の弾性率が高いということである。   Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 7 shows a cross-sectional structure of the connection portion before connection in the present invention. The substrate is a metal base substrate. An insulating layer 8 is formed on the lowermost metal base 9, and a wiring layer (not shown) is formed thereon. The lead terminal 11 is connected to the pad 10 which is a part of the wiring layer, and the coating layer 14 which is harder than the lead terminal 11 and the pad 10 is thinly formed on the pad 10. Here, “hard” means that the elastic modulus of the material is high.

先に述べた図6に接続後の断面構造を示す。リード端子11はツール13により加圧され、超音波振動が起こることにより、パッド10との界面において摺動する。このとき、接続界面ではリード端子11の酸化膜や界面に存在する汚染物が除去されるのと同時に、パッド上のコーティング層14が破壊される。そして、リード端子材とパッド材さらには破壊されたコーティング材が局所的に交じり合った塑性流動領域が形成され、接続が完了する。   FIG. 6 described above shows a cross-sectional structure after connection. The lead terminal 11 is pressed by the tool 13 and slides at the interface with the pad 10 due to ultrasonic vibration. At this time, the oxide film of the lead terminal 11 and the contaminants existing at the interface are removed at the connection interface, and at the same time, the coating layer 14 on the pad is destroyed. Then, a plastic flow region in which the lead terminal material, the pad material, and the broken coating material are locally mixed is formed, and the connection is completed.

比較のために、コーティング層がない従来の場合の接続後の断面構造を図8に示す。その他の構成は図7と同様である。金属ベース9上に絶縁層8が形成され、その上に配線層が形成される金属ベース基板に対し、その配線層の一部であるパッド10に対してリード端子11が超音波接続されている。リード端子11とパッド10の界面では、同じく超音波振動により酸化膜や汚染物が除去されており、リード端子材とパッド材が局所的に交じり合った塑性流動領域101が形成されている。ただし、図5に示すような端子端部直下では、パッドに対し図4に示すようなき裂が発生している。   For comparison, FIG. 8 shows a cross-sectional structure after connection in a conventional case without a coating layer. Other configurations are the same as those in FIG. An insulating layer 8 is formed on a metal base 9, and a lead terminal 11 is ultrasonically connected to a pad 10 which is a part of the wiring layer on a metal base substrate on which a wiring layer is formed. . At the interface between the lead terminal 11 and the pad 10, oxide films and contaminants are similarly removed by ultrasonic vibration, and a plastic flow region 101 in which the lead terminal material and the pad material are locally mixed is formed. However, a crack as shown in FIG. 4 is generated in the pad just below the terminal end as shown in FIG.

一方、コーティング層14が厚い場合の接続後の断面構造の例を図9に示す。コーティング層14が厚い場合には、コーティング層14が破壊されず、接続前の状態を保っている。この場合には、塑性流動領域が形成されないため、接続強度はコーティング層14のない場合に比べて低下する。よって、コーティング層14は、超音波接合で破壊可能な程度に薄くする必要がある。   On the other hand, FIG. 9 shows an example of a cross-sectional structure after connection when the coating layer 14 is thick. When the coating layer 14 is thick, the coating layer 14 is not destroyed and the state before connection is maintained. In this case, since the plastic flow region is not formed, the connection strength is reduced as compared with the case where the coating layer 14 is not provided. Therefore, the coating layer 14 needs to be thin enough to be broken by ultrasonic bonding.

上記図6、図8、図9を比較して分かるように、金属ベース基板のパッド10上にコーティング層14を形成させることにより、基板のパッドを破壊することを抑止できる。また、コーティング層14を薄くすることにより、接続界面ではリード端子材とパッド材さらにはコーティング層14が局所的に交じり合った塑性流動領域が形成され、高強度な接続を得ることができる。なお、上記ではパッド10側にコーティング層14を形成したが、パッド10側ではなくリード11表面にコーティング層14を形成しても、同様の効果が得られる。   As can be seen by comparing FIGS. 6, 8, and 9, the formation of the coating layer 14 on the pad 10 of the metal base substrate can prevent the substrate pad from being destroyed. Further, by making the coating layer 14 thin, a plastic flow region in which the lead terminal material, the pad material, and the coating layer 14 are locally mixed is formed at the connection interface, and a high-strength connection can be obtained. Although the coating layer 14 is formed on the pad 10 side in the above, the same effect can be obtained even if the coating layer 14 is formed on the surface of the lead 11 instead of the pad 10 side.

図6、図7、図8において、金属ベース9の厚さは例えば2mm、絶脂層8の厚さは例えば0.1mm、配線層(パッド10)の厚さは例えば0.1mm、リード端子11の厚さは例えば0.6mmである。配線層の上に形成するコーティング層の厚さは100nm以下である。   6, 7, and 8, the thickness of the metal base 9 is 2 mm, for example, the thickness of the degreased layer 8 is 0.1 mm, the thickness of the wiring layer (pad 10) is 0.1 mm, for example, The thickness is 0.6 mm, for example. The thickness of the coating layer formed on the wiring layer is 100 nm or less.

また、各部材の具体例として、金属ベース9は例えばAlやAl合金(Alを主材料とする合金。主材料とは、50%以上を占める元素)、CuやCu合金(Cuを主材料とする合金)、FeやFe系合金(Feを主材料とする合金)等が望ましい。また、絶縁層8は樹脂やセラミックが適当である。樹脂を用いる場合には樹脂中に放熱フィラーを混入させるのがよい。配線層に関しては同じくAlやAl合金、CuやCu合金、FeやFe系合金等が良い。リード端子11には配線層と同一種の部材を選定するのが適当である。可能ならば、焼きなまし等により配線層よりも軟らかくしても良い。   As specific examples of each member, the metal base 9 is made of, for example, Al or Al alloy (Al alloy as the main material. The main material is an element occupying 50% or more), Cu or Cu alloy (Cu as the main material). Alloy), Fe and Fe-based alloys (alloys mainly composed of Fe) are desirable. The insulating layer 8 is suitably made of resin or ceramic. When using a resin, it is preferable to mix a heat dissipating filler in the resin. For the wiring layer, Al, Al alloy, Cu, Cu alloy, Fe, Fe alloy, etc. are also good. It is appropriate to select the same type of member as the wiring layer for the lead terminal 11. If possible, the wiring layer may be softened by annealing or the like.

また、コーティング層14の材料はリード端子11や配線層よりも硬いものを選定する必要がある。配線層とリード端子11の材料としてCuやCu合金を選定している場合、Cr、Fe、Mo、Ni、Pt、Ta、V、W等が適当である。配線層及びリード端子11の材料が両方ともAlやAl合金を選定している場合には、上記に加えPdやTiも適用可能である。コーティング層14の製法は、めっき、蒸着、スパッタ等が挙げられる。   Further, it is necessary to select a material harder than the lead terminal 11 and the wiring layer as the material of the coating layer 14. When Cu or Cu alloy is selected as the material of the wiring layer and the lead terminal 11, Cr, Fe, Mo, Ni, Pt, Ta, V, W, etc. are suitable. When both the wiring layer and the lead terminal 11 are made of Al or Al alloy, Pd and Ti can be applied in addition to the above. Examples of the manufacturing method of the coating layer 14 include plating, vapor deposition, and sputtering.

そして、コーティング層14はき裂の発生しやすい部分、すなわち図5に示す端子端部直下に存在していれば良い。リード端子下部は、塑性流動領域の形成により接続がなされる部分であるため、コーティング層14は必須ではない。よって、図10に示すような端子端部直下の位置にコーティング層14を形成させたパッドを持つ基板を用いてもよい。また、この場合、リード端子下部のコーティング層14の無い部分にて接続がなされるため、コーティング層14は100nm以上あっても良い。   And the coating layer 14 should just exist in the part which is easy to generate | occur | produce a crack, ie, the terminal edge part shown in FIG. Since the lower portion of the lead terminal is a portion to be connected by forming the plastic flow region, the coating layer 14 is not essential. Therefore, a substrate having a pad on which a coating layer 14 is formed at a position immediately below the terminal end as shown in FIG. 10 may be used. In this case, since the connection is made at a portion where the coating layer 14 below the lead terminal is not present, the coating layer 14 may be 100 nm or more.

特開平6-169161では、接続部材と被接続部材の少なくとも一方の接続面に超微粒子膜を形成し、その超微粒子膜を介して接続部材と被接続部材を超音波接続することにより、接続部材に対するダメージ軽減する方法を提案している。この方法による接続では、接続後に超微粒子膜を介した接続構造となるため、この接続部の接続強度は超微粒子膜自体の破壊強度に依存すると考えられる。この超微粒子膜を用いれば接続のエネルギーを小さくすることができることから、この超微粒子膜は接続部材や被接続部材に比べて同等もしくは軟らかい物質であると想像できるため、接続強度は低下する可能性がある。   In JP-A-6-169161, a connecting member is formed by forming an ultrafine particle film on at least one connecting surface of a connecting member and a connected member, and ultrasonically connecting the connecting member and the connected member via the ultrafine particle film. Proposes ways to reduce damage to Since the connection by this method is a connection structure through the ultrafine particle film after the connection, it is considered that the connection strength of this connection part depends on the breaking strength of the ultrafine particle film itself. Since the connection energy can be reduced by using this ultrafine particle film, it can be imagined that this ultrafine particle film is equivalent or softer than the connection member and the connected member, so the connection strength may be reduced. There is.

また特開平10-261664も、同様に電極パッドに対して金属層を間に介し、金属スタッドを超音波接続することにより、素子のダメージを軽減する方法を提案している。この間に介する金属層は金属スタッドよりも同等あるいは軟らかい物質であるため、前述の理由により同様に接続強度が低下する可能性がある。   Similarly, Japanese Patent Laid-Open No. 10-261664 proposes a method of reducing element damage by ultrasonically connecting a metal stud to the electrode pad with a metal layer interposed therebetween. Since the metal layer interposed between them is a material that is equivalent or softer than the metal stud, there is a possibility that the connection strength similarly decreases due to the above-described reason.

本発明では、リード端子材とパッド材の直接的な接続であるため、接続強度の低下は生じない。   In the present invention, since the lead terminal material and the pad material are directly connected, the connection strength does not decrease.

パッド10としてのCu板に対してリード端子11を接続する実験を行い、本発明の効果について検証した。厚さ0.6mmのCu板に対し、酸洗浄を施したもの(Cu無垢品)及び酸洗浄の後Niめっきを施したもの(Niめっき品:約30nm厚)を用意した。Cu無垢品は、Cu板に対して酸洗、水洗を行い、Niめっき品については、さらにPd活性化、水洗、Niめっき、水洗を行なった。洗浄条件及びNiめっき条件の詳細を図11に示す。リード端子は長さ5mm、幅0.6mm、厚さ0.6mmのCuリードを用いた。このCuリードに対して同様に酸洗浄を行った後、用意したCu板(Cu無垢品及びNiめっき品)に対して超音波接続した。接続条件は、加圧力;80N/mm2、振幅;9?m、印加時間;0.1s、0.2s、0.4sとした。この超音波接続に用いたツールのヘッドサイズはCuリードの幅である0.6mmよりも大きな2mm角のものを用いた。 An experiment was conducted to connect the lead terminal 11 to the Cu plate as the pad 10 to verify the effect of the present invention. A 0.6 mm thick Cu plate was prepared by acid cleaning (solid Cu product) and by acid cleaning and Ni plating (Ni plated product: about 30 nm thick). The pure Cu product was subjected to pickling and water washing on the Cu plate, and the Ni plated product was further subjected to Pd activation, water washing, Ni plating, and water washing. Details of the cleaning conditions and Ni plating conditions are shown in FIG. The lead terminal used was a Cu lead having a length of 5 mm, a width of 0.6 mm, and a thickness of 0.6 mm. The Cu lead was similarly subjected to acid cleaning, and then ultrasonically connected to the prepared Cu plate (solid Cu product and Ni plated product). Connection conditions are applied pressure: 80 N / mm 2 , amplitude: 9? m, application time; 0.1 s, 0.2 s, 0.4 s. The head size of the tool used for this ultrasonic connection was 2 mm square larger than the Cu lead width of 0.6 mm.

超音波接続後に断面観察を行った。断面研磨の後研磨面をウェットエッチし、SEM観察を行った。観察結果を図12に示す。図12より、Cu無垢品のCuリードの端部においてCu板中にき裂が存在していた。一方、Niめっき品に関しては、超音波振動により接続界面はCu板表面からは沈んではいるものの、き裂は存在していなかった。また、Niめっき品において、接続界面にCuリード及びCu板のそれぞれのCuとNiめっきのNiとが交じり合った塑性流動領域が形成されていた。   Cross-sectional observation was performed after ultrasonic connection. After cross-section polishing, the polished surface was wet etched and SEM observation was performed. The observation results are shown in FIG. From FIG. 12, there was a crack in the Cu plate at the end of the Cu lead of the solid Cu product. On the other hand, for the Ni-plated product, although the connection interface was sunk from the Cu plate surface due to ultrasonic vibration, there was no crack. Further, in the Ni plated product, a plastic flow region where Cu of each of the Cu lead and the Cu plate and Ni of the Ni plating cross each other was formed at the connection interface.

一方、超音波接続されているCuリードに対し、せん断試験を行うことにより接続強度を測定した。せん断試験条件は、せん断速度200?m/s、せん断高さ60?mにて行った。せん断試験結果を図13に示す。図13より、Cu無垢品に対してNiめっき品のせん断強度は同程度であった。以上により、Niめっきを形成させた場合においても高強度な接続部が得られることが分かり、本発明の効果が確認できた。   On the other hand, the connection strength was measured by performing a shear test on the Cu leads that were ultrasonically connected. Shear test condition is shear rate 200? m / s, shear height 60? I went at m. The shear test results are shown in FIG. From FIG. 13, the shear strength of the Ni-plated product was similar to that of the pure Cu product. From the above, it was found that even when Ni plating was formed, a high strength connecting portion was obtained, and the effect of the present invention was confirmed.

Cu板に対してリード端子を接続する実験を行い、コーティング層の厚さの影響を検証した。厚さ0.6mmのCu板に対し、酸洗浄の後Niめっきを施したものを用意した。Niめっきはその厚さを30nm、100nm、150nmと条件を変えて実験した。リード端子は実施例1と同じ、長さ5mm、幅0.6mm、厚さ0.6mmのCuリードを用いた。同様に酸洗浄を行った後、用意したCu板に対して超音波接続した。洗浄条件及びNiめっき条件、超音波接続条件に関しては実施例1と同条件にて行った。この超音波接続に用いたツールのヘッドサイズは、同様にCuリードの幅である0.6mmよりも大きな2mm角のものを用いた。   An experiment was conducted to connect the lead terminal to the Cu plate, and the effect of the coating layer thickness was verified. A Cu plate having a thickness of 0.6 mm was prepared by performing nickel plating after acid cleaning. The Ni plating was experimented by changing the thickness to 30 nm, 100 nm, and 150 nm. As the lead terminal, a Cu lead having a length of 5 mm, a width of 0.6 mm, and a thickness of 0.6 mm, as in Example 1, was used. Similarly, after acid cleaning, ultrasonic connection was made to the prepared Cu plate. The cleaning conditions, Ni plating conditions, and ultrasonic connection conditions were the same as in Example 1. Similarly, the head size of the tool used for this ultrasonic connection was 2 mm square larger than 0.6 mm which is the width of the Cu lead.

超音波接続後に断面観察を行った。断面研磨の後研磨面をウェットエッチし、SEM観察を行った。その結果、今回検討したサンプルに関してはき裂は存在していなかった。また、30nm品及び100nm品においては、接続界面にCuリード及びCuパッドのそれぞれのCuとNiめっきのNiとが交じり合った塑性流動領域が形成されていたが、一方150nm品においてはNiめっきの残存部は見られるものの、塑性流動領域は確認できなかった。   Cross-sectional observation was performed after ultrasonic connection. After cross-section polishing, the polished surface was wet etched and SEM observation was performed. As a result, no cracks existed in the samples examined this time. In addition, in the 30 nm product and the 100 nm product, a plastic flow region was formed in which the Cu of the Cu lead and the Cu pad and Ni of the Ni plating were mixed with each other at the connection interface, whereas in the 150 nm product, the Ni plating was performed. Although the remaining part was seen, the plastic flow region could not be confirmed.

また同様に、せん断試験より接続強度を測定した。同条件でのせん断試験結果から、実施例1におけるCu無垢品のせん断強度に比べ、30nm品、100nm品では同程度であった。一方、150nm品では明らかな接続強度の低下が見られた。以上により、Niめっきの厚さに関して、超音波接合により破壊されてめっきの両側にあるリードとパッドが塑性流動可能になる程度に(例えば100nm以下に)する必要があることが分かった。   Similarly, the connection strength was measured by a shear test. From the result of the shear test under the same conditions, compared with the shear strength of the pure Cu product in Example 1, it was almost the same for the 30 nm product and the 100 nm product. On the other hand, the 150 nm product showed a clear decrease in connection strength. From the above, it has been found that the thickness of the Ni plating needs to be such that the leads and pads on both sides of the plating can be plastically flowed (for example, 100 nm or less) by ultrasonic bonding.

金属ベース基板に対し、リード端子を接続する実験を行い、本発明の効果について確認した。厚さ105?mのCu配線をもつAlベース基板(Al金属ベース上に絶縁膜がある)上のCuパッドに対し、酸洗浄を施したのみのもの(Cu無垢品)及び酸洗浄の後Niめっきを施したもの(Niめっき品:約30nm厚)を用意した。リード端子は実施例1と同じ、長さ5mm、幅0.6mm、厚さ0.6mmのCuリードを用いた。同様に酸洗浄を行った後、用意したAlベース基板上のCuパッドに対して超音波接続した。洗浄条件及びNiめっき条件、超音波接続条件に関しては実施例1と同条件にて行った。この超音波接続に用いたツールのヘッドサイズは、同様にCuリードの幅である0.6mmよりも大きな2mm角のものを用いた。   Experiments for connecting lead terminals to a metal base substrate were conducted to confirm the effects of the present invention. Thickness 105? Cu pads on an Al base substrate (with an insulating film on an Al metal base) with Cu wiring of m were subjected to acid cleaning only (solid Cu product) and Ni plating after acid cleaning A thing (Ni-plated product: about 30 nm thick) was prepared. As the lead terminal, a Cu lead having a length of 5 mm, a width of 0.6 mm, and a thickness of 0.6 mm, as in Example 1, was used. Similarly, after acid cleaning, ultrasonic connection was made to the Cu pad on the prepared Al base substrate. The cleaning conditions, Ni plating conditions, and ultrasonic connection conditions were the same as in Example 1. Similarly, the head size of the tool used for this ultrasonic connection was 2 mm square larger than 0.6 mm which is the width of the Cu lead.

超音波接続後に断面観察を行った。断面研磨の後研磨面をウェットエッチし、SEM観察を行った。Cu無垢品のCuリードの端部においてCuパッド中にき裂が存在していたが、Niめっき品に関してき裂は存在していなかった。また、Niめっき品において、接続界面にCuリード及びCuパッドのそれぞれのCuとNiめっきのNiとが交じり合った塑性流動領域が形成されていた。   Cross-sectional observation was performed after ultrasonic connection. After cross-section polishing, the polished surface was wet etched and SEM observation was performed. There was a crack in the Cu pad at the end of the Cu lead of the solid Cu product, but there was no crack in the Ni plated product. Further, in the Ni-plated product, a plastic flow region where Cu of each of the Cu lead and the Cu pad and Ni of the Ni plating cross each other was formed at the connection interface.

また同様に、せん断試験より接続強度を測定した。同条件でのせん断試験結果から、Cu無垢品に対してNiめっき品のせん断強度は同程度であった。以上により、金属ベース基板に対してもNiめっきを形成させた場合に高強度な接続部が得られることが分かり、本発明の効果が確認できた。   Similarly, the connection strength was measured by a shear test. From the result of the shear test under the same conditions, the Ni-plated product had the same shear strength as the pure Cu product. From the above, it was found that a high-strength connection portion was obtained when Ni plating was formed on a metal base substrate, and the effect of the present invention was confirmed.

高度情報化社会において電気エネルギーの需要は高く、また、環境問題における省エネや、CO2排出の低減を目的とした化石燃料削減によるオール電化等の要求から、電力を高効率で使用するパワーエレクトロニクスの役割がますます重要になると考えられる。パワーエレクトロニクス分野においてはモジュール高発熱化の問題は大きく、高放熱化構造の検討が必須である。今回検討したモジュールは車載用途であるが、本発明構造は、車載用途の他、小型化、高放熱化の要求されるモジュールに対し有効であると考えられる。 In the highly information-oriented society, demand for electrical energy is high, and the demand for power electronics that uses power with high efficiency has been increasing due to demands for energy saving in environmental issues and all electrification by reducing fossil fuels for the purpose of reducing CO 2 emissions. Roles are expected to become increasingly important. In the field of power electronics, the problem of high heat generation of the module is significant, and it is essential to study a structure with high heat dissipation. Although the module examined this time is for in-vehicle use, it is considered that the structure of the present invention is effective for not only in-vehicle use but also a module that requires miniaturization and high heat dissipation.

1・・・セラミック基板
2・・・配線層
3・・・セラミック板
4・・・はんだ
5・・・電子部品
6・・・外部端子
7・・・金属ベース基板
8・・・絶縁層
9・・・金属ベース
10・・・パッド
11・・・リード端子
12・・・メッシュ部分
13・・・超音波ツールのヘッド
14・・・コーティング層
50・・・発熱部品
100・・・リード端子材とパッド材及び破壊されたコーティング材が局所的に交じり合った塑性流動領域が形成されている接続面
101・・・リード端子材とパッド材が局所的に交じり合った塑性流動領域が形成されている接続面
200・・・パッド中に発生したき裂
201・・・超音波ツールのヘッド端部の位置
202・・・リード端子端部がパッドと接触する部分
1 ... Ceramic substrate
2 ... Wiring layer
3 Ceramic plate
4 ... Solder
5 ... Electronic components
6 ... External terminal
7 ... Metal base substrate
8 ... Insulating layer
9 ... Metal base
10 ... pad
11 ... Lead terminal
12 ... Mesh part
13 ... Ultrasonic tool head
14 ... Coating layer
50 ... Heat generation parts
100: Connection surface in which a plastic flow region is formed where lead terminal material, pad material and broken coating material are locally mixed
101... Connection surface in which a plastic flow region in which the lead terminal material and the pad material locally intersect is formed
200 ... Cracks generated in the pad
201 ... Position of head end of ultrasonic tool
202 ... The part where the end of the lead terminal contacts the pad

Claims (14)

第1の金属層の上に第2の金属層を接続する接続構造の製造方法であって、
前記第1の金属層上に、前記第1の金属層及び前記第2の金属層よりも硬い材料によるコーティング層を形成する工程と、
前記コーティング層上に前記第2の金属層を配置し、超音波を印加して前記第1の金属層と第2の金属層を接合する工程と、
を含むことを特徴とする接続構造の製造方法。
A method for manufacturing a connection structure for connecting a second metal layer on a first metal layer, comprising:
Forming a coating layer of a material harder than the first metal layer and the second metal layer on the first metal layer;
Disposing the second metal layer on the coating layer and applying ultrasonic waves to join the first metal layer and the second metal layer;
The manufacturing method of the connection structure characterized by including.
請求項1に記載の接続構造の製造方法において、
超音波による接続時に前記コーティング層が破壊され、前記第1の金属層と第2の金属層が接合されることを特徴とする接続構造の製造方法。
In the manufacturing method of the connection structure according to claim 1,
The method for manufacturing a connection structure, wherein the coating layer is destroyed at the time of connection by ultrasonic waves, and the first metal layer and the second metal layer are joined.
請求項2に記載の接続構造の製造方法において、
前記第1の金属層とは前記第2の金属層とは、塑性流動により接続されることを特徴とする接続構造の製造方法。
In the manufacturing method of the connection structure according to claim 2,
A method of manufacturing a connection structure, wherein the first metal layer is connected to the second metal layer by plastic flow.
請求項1乃至3のいずれかに記載の接続構造の製造方法において、
前記第1の金属層または前記第2の金属層の材料がCuまたはCu合金であり、
前記コーティング層は、Cr、Fe、Mo、Ni、Pt、Ta、V、Wのいずれかの膜であることを特徴とする接続構造の製造方法。
In the manufacturing method of the connection structure in any one of Claims 1 thru | or 3,
The material of the first metal layer or the second metal layer is Cu or Cu alloy,
The method for manufacturing a connection structure, wherein the coating layer is a film of any one of Cr, Fe, Mo, Ni, Pt, Ta, V, and W.
請求項1乃至3のいずれかに記載の接続構造の製造方法において、
前記第1の金属層及び前記第2の金属層の材料がAlまたはAl合金であり、
前記コーティング層は、Cr、Fe、Mo、Ni、Pt、Ta、V、W、Pd、Tiのいずれかの膜であることを特徴とする接続構造の製造方法。
In the manufacturing method of the connection structure in any one of Claims 1 thru | or 3,
The material of the first metal layer and the second metal layer is Al or Al alloy,
The method for manufacturing a connection structure, wherein the coating layer is a film of any one of Cr, Fe, Mo, Ni, Pt, Ta, V, W, Pd, and Ti.
請求項1乃至5のいずれかに記載の接続構造の製造方法であり、
前記第1の金属層は、第3の金属層上に形成された絶縁層上に形成されていることを特徴とする接続構造の製造方法。
It is a manufacturing method of the connection structure according to any one of claims 1 to 5,
The method of manufacturing a connection structure, wherein the first metal layer is formed on an insulating layer formed on a third metal layer.
導電板と、
前記導電板上の絶縁層と、
前記絶縁層の上の配線及び金属パッドと、
前記金属パッド接続された端子とを備えたパワーモジュールの製造方法において、
前記金属パッド上に前記金属パッドと前記端子よりも硬い材料によるコーティング層を形成し、
前記端子を前記コーティング層上に配置し、
超音波印加により前記コーティング層が破壊されて前記金属パッドと前記端子とが接続されることを特徴とするパワーモジュールの製造方法。
A conductive plate;
An insulating layer on the conductive plate;
Wiring and metal pads on the insulating layer;
In the manufacturing method of the power module comprising the metal pad connected terminal,
Forming a coating layer of a material harder than the metal pad and the terminal on the metal pad;
Placing the terminal on the coating layer;
A method of manufacturing a power module, wherein the coating layer is broken by application of ultrasonic waves to connect the metal pad and the terminal.
請求項7に記載のパワーモジュールの製造方法において、
前記端子に面している前記金属パッド上の、前記端子の端部が接触する部分及びその周辺において前記金属パッドと前記端子を構成する金属よりも硬い材料によるコーティング層を配置し、
超音波による接続時に前記コーティング層が破壊され、
前記金属パッドと前記端子が接続されることを特徴とする接続構造を有するパワーモジュールの製造方法。
In the manufacturing method of the power module of Claim 7,
On the metal pad facing the terminal, a coating layer made of a material harder than the metal constituting the metal pad and the terminal is disposed in and around the portion where the end of the terminal contacts, and the periphery thereof,
The coating layer is destroyed when connected by ultrasonic waves,
A method of manufacturing a power module having a connection structure, wherein the metal pad and the terminal are connected.
請求項7または請求項8に記載のパワーモジュールの製造方法において、
前記コーティング層の厚さが100nm以下であることを特徴とするパワーモジュールの製造方法。
In the manufacturing method of the power module of Claim 7 or Claim 8,
A method for manufacturing a power module, wherein the coating layer has a thickness of 100 nm or less.
請求項7乃至9のいずれかに記載のパワーモジュールの製造方法において、
前記第1の金属層または前記第2の金属層の材料がCuまたはCu合金であり、
前記コーティング層は、Cr、Fe、Mo、Ni、Pt、Ta、V、Wのいずれかの膜であることを特徴とするパワーモジュールの製造方法。
In the manufacturing method of the power module in any one of Claims 7 thru | or 9,
The material of the first metal layer or the second metal layer is Cu or Cu alloy,
The method for manufacturing a power module, wherein the coating layer is a film of any one of Cr, Fe, Mo, Ni, Pt, Ta, V, and W.
請求項7乃至9のいずれかに記載のパワーモジュールの製造方法において、
前記第1の金属層及び前記第2の金属層の材料がAlまたはAl合金であり、
前記コーティング層は、Cr、Fe、Mo、Ni、Pt、Ta、V、W、Pd、Tiのいずれかの膜であることを特徴とするパワーモジュールの製造方法。
In the manufacturing method of the power module in any one of Claims 7 thru | or 9,
The material of the first metal layer and the second metal layer is Al or Al alloy,
The method for manufacturing a power module, wherein the coating layer is a film of any one of Cr, Fe, Mo, Ni, Pt, Ta, V, W, Pd, and Ti.
第1の金属層の上に第2の金属層が接続された接続構造において、
前記第1の金属層上に、前記第1の金属層及び前記第2の金属層よりも硬い材料によるコーティング層が形成され、
前記コーティング層が破片上になっている領域にて、前記第2の金属層が前記第1の金属層と塑性流動により接続されていることを特徴とする接続構造。
In the connection structure in which the second metal layer is connected to the first metal layer,
A coating layer made of a material harder than the first metal layer and the second metal layer is formed on the first metal layer,
The connection structure, wherein the second metal layer is connected to the first metal layer by plastic flow in a region where the coating layer is on the fragments.
第1の金属層、第1の絶縁層、第2の金属層とがこの順で並び構成され、かつ第2の金属層に対し、第1の絶縁層と反対側の面に第3の金属層を接続する構造を有するパワーモジュールの配線板であって、
前記第3の金属層に面している前記第2の金属層上の、前記第3の金属層の端部が接触する部分を含む領域において、前記第2の金属層及び前記第3の金属層よりも硬い材料によるコーティング層が配置されていることを特徴とするパワーモジュールの配線板。
The first metal layer, the first insulating layer, and the second metal layer are arranged in this order, and the third metal is disposed on the surface opposite to the first insulating layer with respect to the second metal layer. A power module wiring board having a structure for connecting layers,
The second metal layer and the third metal in a region on the second metal layer facing the third metal layer, including a portion where the end portion of the third metal layer contacts. A power module wiring board, wherein a coating layer made of a material harder than the layer is disposed.
請求項13に記載のパワーモジュールの配線板において、
前記第1の金属層は、導電板であり、
前記第2の金属層は、配線及び金属パッドであり、
前記第3の金属層は、端子であることを特徴とするパワーモジュールの配線板。
In the power module wiring board according to claim 13,
The first metal layer is a conductive plate;
The second metal layer is a wiring and a metal pad,
The power module wiring board, wherein the third metal layer is a terminal.
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