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JP2011060454A - Plasma treatment device - Google Patents

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JP2011060454A
JP2011060454A JP2009206042A JP2009206042A JP2011060454A JP 2011060454 A JP2011060454 A JP 2011060454A JP 2009206042 A JP2009206042 A JP 2009206042A JP 2009206042 A JP2009206042 A JP 2009206042A JP 2011060454 A JP2011060454 A JP 2011060454A
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JP
Japan
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probe
terminal
connection terminal
high voltage
holding
Prior art date
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Pending
Application number
JP2009206042A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masaki Iwasaki
政樹 岩崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sekisui Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sekisui Chemical Co Ltd
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Publication date
Application filed by Sekisui Chemical Co Ltd filed Critical Sekisui Chemical Co Ltd
Priority to JP2009206042A priority Critical patent/JP2011060454A/en
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Abstract

【課題】複数の処理ヘッドを含むプラズマ処理装置における各処理ヘッドへの供給電力の検査を簡易に行なえるようにする。
【解決手段】プラズマ処理装置の電源10から各電極ユニット23への電力供給ライン14にプローブ取付端子30を設ける。プローブ取付端子30に、検電手段50用の高電圧プローブ40の接続端子41を抜き差し可能に接続する。プローブ取付端子30の弾性保持部31によって、接続端子41を弾性的に押さえて保持する。
【選択図】図1
An object of the present invention is to make it possible to easily perform inspection of power supplied to each processing head in a plasma processing apparatus including a plurality of processing heads.
A probe mounting terminal is provided on a power supply line from a power supply of a plasma processing apparatus to each electrode unit. The connection terminal 41 of the high voltage probe 40 for the voltage detection means 50 is detachably connected to the probe mounting terminal 30. The connection terminal 41 is elastically pressed and held by the elastic holding portion 31 of the probe mounting terminal 30.
[Selection] Figure 1

Description

この発明は、被処理物をプラズマ処理する装置に関する。   The present invention relates to an apparatus for plasma processing an object to be processed.

処理ガスを電界印加によりプラズマ化して被処理物に接触させ、被処理物の表面をプラズマ処理する装置は公知である。
特許文献1のプラズマ処理装置には、処理ヘッドが複数設けられている。各処理ヘッドには、一対の電極からなる電極ユニットが収容されている。電極ユニットの一方の電極が、電力供給ラインを介して電源に接続されている。他方の電極が電気的に接地されている。電源からの電力供給によってこれら電極間に電界が印加され、処理ガスがプラズマ化される。これにより、処理ヘッドごとに被処理物の表面をプラズマ処理できる。
電極への供給電圧は1万ボルト以上である。
An apparatus that plasma-processes the surface of a processing object by converting the processing gas into plasma by applying an electric field and bringing it into contact with the processing object is known.
The plasma processing apparatus of Patent Document 1 is provided with a plurality of processing heads. Each processing head contains an electrode unit composed of a pair of electrodes. One electrode of the electrode unit is connected to a power source via a power supply line. The other electrode is electrically grounded. An electric field is applied between these electrodes by supplying power from the power source, and the processing gas is turned into plasma. Thereby, the surface of the workpiece can be plasma-treated for each processing head.
The supply voltage to the electrode is 10,000 volts or more.

プラズマ処理装置では、複数の電力供給ラインにそれぞれ高電圧プローブを設け、各高電圧プローブにオシロスコープを接続することにより、電力供給ラインごとの供給電力を検査することがある(特許文献2参照)。   In a plasma processing apparatus, a high voltage probe may be provided for each of a plurality of power supply lines, and an oscilloscope may be connected to each high voltage probe to inspect supply power for each power supply line (see Patent Document 2).

特開2005−116900号公報JP-A-2005-116900 特開2000−058296号公報(図6)Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-058296 (FIG. 6)

高電圧プローブは、供給電力等の検査時以外には使用する機会がほとんどない。このような高電圧プローブを複数の電力供給ラインの各々に常備しておくのは不経済であり装置コストの上昇にも繋がる。そこで、検査の際は、1つの高電圧プローブを複数の電力供給ラインに順次接続し、複数の処理ヘッドを1つずつ順次検査することにすれば、高電圧プローブを複数設置する必要がなく、装置コストを削減できる。しかし、その場合、次の処理ヘッドの検査に移る度に、高電圧プローブを1つ前の電力供給ラインから取り外し、次の電力供給ラインに取り付ける作業を要する。高圧プローブと電力供給ラインのプローブ取付端子との接続には、従来、ネジが用いられているため、高電圧プローブを付け替えるにはネジを回す必要がある。したがって、時間がかかるだけでなく、1万ボルト以上の高電圧が印加され得る部分に触れないと作業ができない場合があり、電源をオフにして行なうにしても、作業者の負担が大きい。   The high-voltage probe has almost no opportunity to use it except for inspection of supply power. Providing such a high-voltage probe in each of the plurality of power supply lines is uneconomical and leads to an increase in device cost. Therefore, at the time of inspection, if one high voltage probe is sequentially connected to a plurality of power supply lines and a plurality of processing heads are sequentially inspected one by one, it is not necessary to install a plurality of high voltage probes. Equipment cost can be reduced. However, in that case, every time the processing head is inspected, it is necessary to remove the high voltage probe from the previous power supply line and attach it to the next power supply line. Conventionally, a screw is used to connect the high-voltage probe and the probe mounting terminal of the power supply line. Therefore, it is necessary to turn the screw to replace the high-voltage probe. Therefore, not only is it time consuming, but there are cases where the work cannot be performed without touching a portion to which a high voltage of 10,000 volts or more can be applied, and even if the power is turned off, the burden on the operator is great.

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、処理ガスをプラズマ化して被処理物に接触させてプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
前記プラズマ化のための電極をそれぞれ含む複数の電極ユニットと、
前記各電極ユニットを電源に接続する複数の電力供給ラインと、
前記各電力供給ラインに設けられ、オシロスコープ等の検電手段用の高電圧プローブの接続端子が抜き差し方向に抜き差し可能に接続されるプローブ取付端子と、
を備え、前記プローブ取付端子が、前記接続端子を前記抜き差し方向と交差する方向に弾性的に押さえて保持する弾性保持部を含むことを特徴とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and is a plasma processing apparatus for converting a processing gas into plasma and bringing it into contact with an object to be processed.
A plurality of electrode units each including an electrode for plasmatization;
A plurality of power supply lines connecting the electrode units to a power source;
A probe mounting terminal provided on each of the power supply lines, and connected so that a connection terminal of a high voltage probe for voltage detection means such as an oscilloscope can be inserted and removed
The probe mounting terminal includes an elastic holding portion that elastically holds and holds the connection terminal in a direction crossing the insertion / removal direction.

上記特徴によれば、1つの高電圧プローブを使い回すことで、各電極ユニットに供給される電力等の電気特性を検査することができる。したがって、電極ユニットごとに高電圧プローブを設備する必要がなく、装置コストを削減できる。高電圧プローブは、プローブ取付端子に差し込むだけで簡単にワンタッチで接続できる。弾性保持部が高電圧プローブの接続端子を弾性的に押さえて保持することで、高電圧プローブとプローブ取付端子を確実に接続して電気的に確実に導通させることができる。検査終了後は、高電圧プローブをプローブ取付端子から引き抜くだけで、接続を簡単に解除できる。さらに、高電圧プローブを別のプローブ取付端子に差し込むだけで、高電圧プローブの付け替え作業を簡単に行なうことができる。高電圧プローブのプローブ取付端子との着脱又は別のプローブ取付端子への付け替えのためにネジを回す等の煩雑な作業をしなくても済み、高電圧が印加され得る部分に触れなくても済む。よって、作業者の負担を軽減できる。   According to the above feature, electrical characteristics such as electric power supplied to each electrode unit can be inspected by using one high voltage probe. Therefore, it is not necessary to provide a high voltage probe for each electrode unit, and the apparatus cost can be reduced. A high-voltage probe can be easily connected with a single touch by simply inserting it into the probe mounting terminal. Since the elastic holding portion elastically presses and holds the connection terminal of the high voltage probe, the high voltage probe and the probe mounting terminal can be reliably connected and electrically connected electrically. After the inspection is completed, the connection can be easily released by simply pulling out the high voltage probe from the probe mounting terminal. Furthermore, the replacement work of the high voltage probe can be performed simply by inserting the high voltage probe into another probe mounting terminal. There is no need to perform complicated work such as turning the screw to attach / detach the high voltage probe to / from the probe mounting terminal or to replace it with another probe mounting terminal, and it is not necessary to touch the part where high voltage can be applied. . Therefore, the burden on the operator can be reduced.

前記弾性保持部が、互いの間に前記接続端子を受け容れる受容凹部を形成するよう環状に並べられた複数の板バネ状の保持片を含み、これら保持片が前記受容凹部を拡縮させるよう弾性変形可能であることが好ましい。接続端子を受容凹部に差し入れると、接続端子の周囲の各保持片が外側へ押されて受容凹部が広がるように、接続端子の太さに応じて受容凹部の自然状態での断面積を設定する。これにより、複数の保持片が接続端子を互いに異なる方向から弾性的に押さえ付ける。よって、接続端子をしっかりと保持でき、かつ高電圧プローブとプローブ取付端子を電気的に確実に導通させることができる。   The elastic holding portion includes a plurality of leaf spring-like holding pieces arranged in an annular shape so as to form a receiving recess for receiving the connection terminal therebetween, and the holding pieces are elastic to expand and contract the receiving recess. It is preferable to be deformable. Set the cross-sectional area of the receiving recess in its natural state according to the thickness of the connection terminal so that when the connecting terminal is inserted into the receiving recess, each holding piece around the connecting terminal is pushed outward and the receiving recess expands To do. Accordingly, the plurality of holding pieces elastically press the connection terminals from different directions. Therefore, the connection terminal can be firmly held, and the high voltage probe and the probe mounting terminal can be electrically connected reliably.

前記接続端子が、球形状をなしており、前記保持片には、前記接続端子の外面の一部が嵌まる円形の保持穴が形成されていることが好ましい。これにより、保持片の保持穴の周縁部分が接続端子の外面に弾性を持って押し当てられる。よって、接続端子を一層しっかりと保持でき、かつ高電圧プローブとプローブ取付端子を電気的に確実に導通させることができる。   It is preferable that the connection terminal has a spherical shape, and the holding piece is formed with a circular holding hole into which a part of the outer surface of the connection terminal is fitted. Thereby, the peripheral part of the holding hole of the holding piece is pressed against the outer surface of the connection terminal with elasticity. Therefore, the connection terminal can be held more firmly, and the high-voltage probe and the probe mounting terminal can be electrically connected reliably.

本発明によれば、1つの高電圧プローブを使い回すことで、各電極ユニットに供給される電力等の電気特性を検査することができる。したがって、電極ユニットごとに高電圧プローブを設備する必要がなく、装置コストを削減できる。高電圧プローブは、プローブ取付端子に差し込むだけで簡単にワンタッチで接続でき、そのプローブ取付端子から引き抜いて別のプローブ取付端子に差し込むだけで簡単に付け替えることができる。高電圧プローブのプローブ取付端子との着脱又は別のプローブ取付端子への付け替えのためにネジを回す等の煩雑な作業をしなくても済み、高電圧が印加され得る部分に触れなくても済む。よって、作業者の負担を軽減できる。   According to the present invention, electrical characteristics such as electric power supplied to each electrode unit can be inspected by using one high voltage probe. Therefore, it is not necessary to provide a high voltage probe for each electrode unit, and the apparatus cost can be reduced. A high-voltage probe can be easily connected by simply inserting it into the probe mounting terminal, and can be easily replaced by simply pulling out the probe mounting terminal and inserting it into another probe mounting terminal. There is no need to perform complicated work such as turning the screw to attach / detach the high voltage probe to / from the probe mounting terminal or to replace it with another probe mounting terminal, and it is not necessary to touch the part where high voltage can be applied. . Therefore, the burden on the operator can be reduced.

本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の基本構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the basic composition of the plasma processing apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 上記プラズマ処理装置のプローブ取付端子の具体的態様を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the specific aspect of the probe attachment terminal of the said plasma processing apparatus. 上記プローブ取付端子に高電圧プローブを接続した状態を示す正面断面図である。It is front sectional drawing which shows the state which connected the high voltage probe to the said probe attachment terminal. 上記プローブ取付端子を収容したハウジングの平面図である。It is a top view of the housing which accommodated the said probe attachment terminal. 上記プローブ取付端子及び高電圧プローブの接続構造の変形例を示す正面断面図である。It is front sectional drawing which shows the modification of the connection structure of the said probe attachment terminal and a high voltage probe. 上記プローブ取付端子及び高電圧プローブの接続構造の他の変形例を示す正面断面図である。It is front sectional drawing which shows the other modification of the connection structure of the said probe attachment terminal and a high voltage probe. 上記プローブ取付端子及び高電圧プローブの接続構造の他の変形例を示す正面断面図である。It is front sectional drawing which shows the other modification of the connection structure of the said probe attachment terminal and a high voltage probe.

以下、本発明の一実施形態を図面にしたがって説明する。
図1は、被処理物9をプラズマ処理する装置1を示したものである。被処理物9は、特に限定がなく、ガラス基板でもよく、連続フィルムでもよく、半導体ウェハでもよい。プラズマ処理装置1は、電源10と、複数(図では3つ)の処理ヘッド20を備えている。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 shows an apparatus 1 for plasma processing an object 9 to be processed. The workpiece 9 is not particularly limited, and may be a glass substrate, a continuous film, or a semiconductor wafer. The plasma processing apparatus 1 includes a power source 10 and a plurality (three in the figure) of processing heads 20.

電源10は、直流整流部11と、インバータ12(パルスユニット)と、高圧トランス13を含む。直流整流部11は、商用交流電圧を直流に整流する。インバータ12は、整流後の直流をスイッチングしてパルス状の交流電圧に変換する。高圧トランス13は、インバータ12の出力電圧を昇圧する。昇圧後の電圧は、1万ボルト以上であり、例えば15000〜17000Vである。高圧トランス13から複数(図では3つ)の電力供給ライン14が、それぞれ対応する処理ヘッド20へ延び出ている。   The power supply 10 includes a DC rectifying unit 11, an inverter 12 (pulse unit), and a high voltage transformer 13. The DC rectifying unit 11 rectifies the commercial AC voltage to DC. The inverter 12 switches the rectified direct current to convert it into a pulsed alternating voltage. The high voltage transformer 13 boosts the output voltage of the inverter 12. The voltage after boosting is 10,000 volts or more, for example, 15000-17000V. A plurality (three in the figure) of power supply lines 14 extend from the high-voltage transformer 13 to the corresponding processing heads 20.

各処理ヘッド20には、電界印加電極21と接地電極22の組みからなる電極ユニット23が収容されている。各処理ヘッド20ひいては各電極ユニット23の電界印加電極21に、対応する電力供給ライン14が接続されている。接地電極22は、電気的に接地されている。少なくとも一方の電極21,22の対向面には固体誘電体層(図示省略)が設けられている。電源10から電力が電力供給ライン14を介して電界印加電極21に供給され、電極21,22間に電界が印加される。これにより、電極21,22間の空間が、大気圧近傍の放電空間24になる。
ここで、大気圧近傍とは、1.013×10〜50.663×10Paの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡便化を考慮すると、1.333×10〜10.664×10Paが好ましく、9.331×10〜10.397×10Paがより好ましい。
Each processing head 20 accommodates an electrode unit 23 composed of a set of an electric field applying electrode 21 and a ground electrode 22. A corresponding power supply line 14 is connected to each processing head 20 and thus to the electric field applying electrode 21 of each electrode unit 23. The ground electrode 22 is electrically grounded. A solid dielectric layer (not shown) is provided on the opposing surface of at least one of the electrodes 21 and 22. Electric power is supplied from the power supply 10 to the electric field applying electrode 21 through the power supply line 14, and an electric field is applied between the electrodes 21 and 22. Thereby, the space between the electrodes 21 and 22 becomes a discharge space 24 near atmospheric pressure.
Here, the vicinity of the atmospheric pressure refers to a range of 1.013 × 10 4 to 50.663 × 10 4 Pa, and considering the ease of pressure adjustment and the simplification of the apparatus configuration, 1.333 × 10 4 to 10.664 × 10 4 Pa is preferable, and 9.331 × 10 4 to 10.9797 × 10 4 Pa is more preferable.

図示は省略するが、電極21,22間の空間24に処理ガス供給系が接続されている。処理ガス供給系は、処理目的に応じた処理ガスを電極間空間24に供給する。例えば、被処理物9の親水化処理を行なう場合、処理ガスはO、N等を含む。被処理物9の撥水化処理やエッチング処理を行なう場合、処理ガスはCF等のフッ素系成分を含む。この処理ガスが電極21,22間でプラズマ化されて被処理物9に接触する。これにより、処理ヘッド20ごとに被処理物9をプラズマ表面処理できる。 Although not shown, a processing gas supply system is connected to the space 24 between the electrodes 21 and 22. The processing gas supply system supplies a processing gas corresponding to the processing purpose to the interelectrode space 24. For example, when performing the hydrophilic treatment of the article 9 to be processed, the processing gas contains O 2 , N 2, and the like. When water repellent treatment or etching treatment is performed on the workpiece 9, the treatment gas contains a fluorine-based component such as CF 4 . This processing gas is converted into plasma between the electrodes 21 and 22 and comes into contact with the workpiece 9. Thereby, the to-be-processed object 9 can be plasma-surface-treated for every process head 20. FIG.

各電力供給ライン14にプローブ取付端子30が設けられている。各電力供給ライン14から端子接続ライン15が分岐され、この端子接続ライン15にプローブ取付端子30が接続されている。複数(図では3つ)のプローブ取付端子30は、互いに同一構造になっている。電力供給ライン14、端子接続ライン15、プローブ取付端子30は、1万ボルト以上(例えば15000〜17000V)の高圧系である。プローブ取付端子30に、高電圧プローブ40の接続端子41が図1において矢印aにて示す抜き差し方向に抜き差し可能に接続される。高電圧プローブ40にケーブル51を介してオシロスコープ50(検電手段)が接続される。高電圧プローブ40は、プローブ取付端子30の電圧を1000分の1程度に降下させてオシロスコープ50に入力する。オシロスコープ50により、対応する処理ヘッド20への供給電力(供給電圧、供給電流を含む)の大きさや波形等の電気特性を検査することができる。   Each power supply line 14 is provided with a probe attachment terminal 30. A terminal connection line 15 is branched from each power supply line 14, and a probe mounting terminal 30 is connected to the terminal connection line 15. A plurality (three in the figure) of probe mounting terminals 30 have the same structure. The power supply line 14, the terminal connection line 15, and the probe attachment terminal 30 are a high voltage system of 10,000 volts or more (for example, 15000 to 17000 V). The connection terminal 41 of the high voltage probe 40 is connected to the probe mounting terminal 30 so as to be removable in the insertion / removal direction indicated by the arrow a in FIG. An oscilloscope 50 (electric detection means) is connected to the high voltage probe 40 via a cable 51. The high voltage probe 40 drops the voltage of the probe mounting terminal 30 to about 1/1000 and inputs it to the oscilloscope 50. The oscilloscope 50 can inspect electrical characteristics such as the magnitude and waveform of the power supplied to the corresponding processing head 20 (including supply voltage and supply current).

プローブ取付端子30は、弾性保持部31を含む。弾性保持部31は、接続端子41を弾性的に押さえ付ける。接続端子41の押さえ方向は、抜き差し方向aと交差し、好ましくは直交している。   The probe attachment terminal 30 includes an elastic holding portion 31. The elastic holding portion 31 elastically presses the connection terminal 41. The pressing direction of the connection terminal 41 intersects with the insertion / removal direction a, and is preferably orthogonal.

図2は、プローブ取付端子30の具体的構造を示したものである。プローブ取付端子30は、ホルダ32と、端子本体33を備えている。ホルダ32は、樹脂にて構成され、上面が開放された箱状になっている。端子本体33は、金属の板にて構成され、ホルダ32の内部に水平に収容されている。端子本体33に端子接続ライン15の端部が接続されている。   FIG. 2 shows a specific structure of the probe mounting terminal 30. The probe attachment terminal 30 includes a holder 32 and a terminal main body 33. The holder 32 is made of resin and has a box shape with an upper surface opened. The terminal body 33 is made of a metal plate and is horizontally accommodated inside the holder 32. An end of the terminal connection line 15 is connected to the terminal body 33.

端子本体33の上面に弾性保持部31が設けられている。弾性保持部31は、4つ(複数)の保持部材34を有している。各保持部材34は、L字状に折曲された金属の板にて構成されている。保持部材34の水平な基部片35が端子本体33にネジ止め等の固定手段にて固定されている。保持部材34の垂直な保持片36が、端子本体33から上に突出されている。保持部材34は、基部片35と保持片36の角度を少し変えると元の角度に戻ろうとする弾性復元力を生じる。したがって、保持片36は、該保持片36の面と直交する方向に付勢力を発揮する板バネになっている。各保持片36の中央部には円形の保持穴37が形成されている。   An elastic holding portion 31 is provided on the upper surface of the terminal body 33. The elastic holding portion 31 has four (plural) holding members 34. Each holding member 34 is configured by a metal plate bent in an L shape. A horizontal base piece 35 of the holding member 34 is fixed to the terminal body 33 by fixing means such as screws. A vertical holding piece 36 of the holding member 34 protrudes upward from the terminal body 33. The holding member 34 generates an elastic restoring force to return to the original angle when the angle between the base piece 35 and the holding piece 36 is slightly changed. Therefore, the holding piece 36 is a leaf spring that exerts an urging force in a direction orthogonal to the surface of the holding piece 36. A circular holding hole 37 is formed at the center of each holding piece 36.

4つの保持部材34の保持片36どうしが前後左右に向き合い平面視で正方形の環状になるよう配置されている。4つの保持部材34の基部片35は互いに外側に向けられている。   The holding pieces 36 of the four holding members 34 are arranged so as to face each other in the front-rear and left-right directions so as to form a square ring shape in plan view. The base pieces 35 of the four holding members 34 are directed outward from each other.

4つの保持片36どうしの間に受容凹部38が画成されている。受容凹部38は、平面視で四角形の空間になっている。4つの保持片36の各々が当該保持片36の面と直交する方向に弾性変形することで、受容凹部38が拡縮可能になっている。   A receiving recess 38 is defined between the four holding pieces 36. The receiving recess 38 is a rectangular space in plan view. Each of the four holding pieces 36 is elastically deformed in a direction perpendicular to the surface of the holding piece 36, so that the receiving recess 38 can be expanded and contracted.

受容凹部38に高電圧プローブ40の先端の接続端子41が垂直(図1の矢印aに対応する方向)に引き抜き可能に受け入れられる。接続端子41は、球状になっている。詳しくは、接続端子41は、長径を高電圧プローブ40の軸方向(図2において上下)に向けた楕円球状になっている。接続端子41の短径は、前後又は左右に対向する2つの保持片36どうしの自然状態における距離より少し大きい。図3に示すように、接続端子41を受容凹部38内に嵌め込んだ状態では、接続端子41の軸方向の中央部(外面の一部)が各保持片36の保持穴37に少し入り込んでいる。保持片36の保持穴37の周縁部分が接続端子41の外周面に弾性を持って押し当てられている。接続端子41の先端部(下端部)が端子本体33の上面に接触している。   The connection terminal 41 at the tip of the high voltage probe 40 is received in the receiving recess 38 in such a manner that it can be pulled out vertically (in the direction corresponding to the arrow a in FIG. 1). The connection terminal 41 is spherical. Specifically, the connection terminal 41 has an oval shape with the major axis directed in the axial direction (up and down in FIG. 2) of the high voltage probe 40. The short diameter of the connection terminal 41 is slightly larger than the distance in the natural state between the two holding pieces 36 facing front and rear or left and right. As shown in FIG. 3, in the state where the connection terminal 41 is fitted in the receiving recess 38, the axial center portion (a part of the outer surface) of the connection terminal 41 slightly enters the holding hole 37 of each holding piece 36. Yes. The peripheral portion of the holding hole 37 of the holding piece 36 is pressed against the outer peripheral surface of the connection terminal 41 with elasticity. The front end (lower end) of the connection terminal 41 is in contact with the upper surface of the terminal body 33.

図4に示すように、複数(図では3つ)のプローブ取付端子30は、ハウジング60の内部に横に並んで収容されている。ハウジング60の上板61には、プローブ取付端子30の数に対応する複数(図では3つ)のプローブ挿通穴62が形成されている。各プローブ挿通穴62は、対応するプローブ取付端子30の弾性保持部31の真上に配置されている。図3に示すように、接続端子41を受容凹部38内に嵌め込んだ状態では、高電圧プローブ40の本体部42の先端部(下端部)が、プローブ挿通穴62の周縁にて支持されている。   As shown in FIG. 4, a plurality (three in the figure) of probe mounting terminals 30 are housed side by side inside the housing 60. A plurality (three in the figure) of probe insertion holes 62 corresponding to the number of probe mounting terminals 30 are formed in the upper plate 61 of the housing 60. Each probe insertion hole 62 is disposed directly above the elastic holding portion 31 of the corresponding probe attachment terminal 30. As shown in FIG. 3, in the state where the connection terminal 41 is fitted in the receiving recess 38, the tip (lower end) of the main body 42 of the high voltage probe 40 is supported by the periphery of the probe insertion hole 62. Yes.

上記構成のプラズマ処理装置1においては、何れのプローブ取付端子30にも高電圧プローブ40が取り付けられていない状態で、被処理物9の表面処理を行なうことができる。高電圧プローブ40は、プラズマ処理装置1全体で1つだけ設備すればよい。何れか1つのプローブ取付端子30に上記1つの高電圧プローブ40を接続した状態で、被処理物9の表面処理を行なってもよい。   In the plasma processing apparatus 1 having the above configuration, the surface treatment of the workpiece 9 can be performed in a state where the high voltage probe 40 is not attached to any of the probe attachment terminals 30. Only one high voltage probe 40 may be provided in the entire plasma processing apparatus 1. The surface treatment of the workpiece 9 may be performed in a state where the one high voltage probe 40 is connected to any one of the probe mounting terminals 30.

プラズマ表面処理に先立ち、或いはメンテナンス等に際して、電源10から各処理ヘッド20の電界印加電極21に供給される電力(電圧、電流を含む)の大きさや波形等の電気特性を検査するときは、電源10を停止したうえで、複数の処理ヘッド20のうち1つを選択し、その処理ヘッド20に対応するプローブ取付端子30に上記1つの高電圧プローブ40を接続する。すなわち、高電圧プローブ40の接続端子41を、上記対応するプローブ取付端子30の真上のプローブ挿通穴62からハウジング60の内部に差し入れる。更に、その接続端子41を、上記対応するプローブ取付端子30の受容凹部38内に差し込む。すると、接続端子41が各保持片36を外側へ押して受容凹部38を広げながら受容凹部38内に入る。やがて、高電圧プローブ40の軸方向の中央部が各保持片36の保持穴37に少し入り込む。このとき、各保持片36が受容凹部38を縮める方向へ僅かに戻る。そして、各保持片36の保持穴37の周縁部分が接続端子41の外周面に弾性的に押し当てられる。したがって、4つの保持片36が、接続端子41を四方から弾性的に押さえ付ける。これにより、接続端子41を弾性保持部31によってしっかりと保持できる。さらに、高電圧プローブ本体部41の下端部をプローブ挿通穴62の周縁にて支持できる。このようにして、高電圧プローブ40を、上記対応するプローブ取付端子30に簡単かつ確実に接続できる。   Prior to plasma surface treatment or during maintenance, etc., when inspecting electrical characteristics such as the magnitude and waveform of power (including voltage and current) supplied from the power source 10 to the electric field applying electrode 21 of each processing head 20, the power source 10 is stopped, one of the plurality of processing heads 20 is selected, and the one high voltage probe 40 is connected to the probe mounting terminal 30 corresponding to the processing head 20. That is, the connection terminal 41 of the high voltage probe 40 is inserted into the housing 60 from the probe insertion hole 62 directly above the corresponding probe mounting terminal 30. Further, the connection terminal 41 is inserted into the receiving recess 38 of the corresponding probe mounting terminal 30. Then, the connection terminal 41 enters the receiving recess 38 while pushing the holding pieces 36 outward to widen the receiving recess 38. Eventually, the central portion of the high voltage probe 40 in the axial direction slightly enters the holding hole 37 of each holding piece 36. At this time, each holding piece 36 slightly returns in the direction of shrinking the receiving recess 38. Then, the peripheral portion of the holding hole 37 of each holding piece 36 is elastically pressed against the outer peripheral surface of the connection terminal 41. Accordingly, the four holding pieces 36 elastically press the connection terminal 41 from four directions. Thereby, the connection terminal 41 can be firmly held by the elastic holding portion 31. Further, the lower end of the high voltage probe main body 41 can be supported by the periphery of the probe insertion hole 62. In this way, the high voltage probe 40 can be easily and reliably connected to the corresponding probe mounting terminal 30.

その後、電源10を駆動し、電源10からの高電圧電力を電力供給ライン14を介して各処理ヘッド20に供給する。このとき、電源10からの例えば15000〜17000V程度の高電圧が、各電力供給ライン14から端子接続ライン15を介して各プローブ取付端子30の端子本体33にも印加される。更に、上記対応するプローブ取付端子30においては、上記高電圧が弾性保持部31を介して接続端子41に印加される。4つの保持片36からなる弾性保持部31が接続端子41に弾性的に押し当てられているため、弾性保持部31と接続端子41を電気的に確実に導通でき、電圧を弾性保持部31を介して接続端子41に確実に伝えることができる。この電圧が、高電圧プローブ40によって1000分の1程度まで下げられ、オシロスコープ50へ送給される。これにより、オシロスコープ50によって、上記選択した処理ヘッド20に供給される電力等の電気特性を検査することができる。   Thereafter, the power supply 10 is driven, and high voltage power from the power supply 10 is supplied to each processing head 20 via the power supply line 14. At this time, a high voltage of, for example, about 15000 to 17000 V from the power supply 10 is also applied to the terminal main body 33 of each probe mounting terminal 30 from each power supply line 14 via the terminal connection line 15. Further, in the corresponding probe mounting terminal 30, the high voltage is applied to the connection terminal 41 via the elastic holding portion 31. Since the elastic holding part 31 composed of the four holding pieces 36 is elastically pressed against the connection terminal 41, the elastic holding part 31 and the connection terminal 41 can be electrically and reliably connected to each other, and the voltage is applied to the elastic holding part 31. Via the connection terminal 41. This voltage is lowered to about 1/1000 by the high voltage probe 40 and supplied to the oscilloscope 50. As a result, the oscilloscope 50 can inspect electrical characteristics such as the power supplied to the selected processing head 20.

上記1つの処理ヘッド20についての検査を終了した後、電源10を停止したうえで、高電圧プローブ40を引き上げる。すると、接続端子41が、保持片36を弾性変形させながら保持穴37から外れ、更に弾性保持部31から上へ外れる。これにより、接続端子41を上記対応するプローブ取付端子30から簡単に取り外すことができる。更に、接続端子41をプローブ挿通穴62から引き抜き、ハウジング60の外部に取り出す。   After the inspection of the one processing head 20 is finished, the power supply 10 is stopped and the high voltage probe 40 is pulled up. Then, the connection terminal 41 is detached from the holding hole 37 while elastically deforming the holding piece 36 and is further released upward from the elastic holding portion 31. Thereby, the connection terminal 41 can be easily removed from the corresponding probe mounting terminal 30. Further, the connection terminal 41 is pulled out from the probe insertion hole 62 and taken out of the housing 60.

次に、上記検査済みの処理ヘッド20を除く処理ヘッド20を新たに選択し、上述した手順と同様にして、当該新たに選択した処理ヘッド20に対応するプローブ取付端子30に高電圧プローブ40を接続する。そして、オシロスコープ50によって、当該新たに選択した処理ヘッド20への供給電力等の電気特性を検査する。検査終了後、高電圧プローブ40を引き抜く。このようにして、1つの高電圧プローブ40を複数のプローブ取付端子30に順次接続することで、全ての処理ヘッド20について電気特性を検査することができる。したがって、高電圧プローブ40は1つだけ用意すればよく、プローブ取付端子30ごとに高電圧プローブ40を設備する必要がなく、装置コストを削減できる。   Next, a processing head 20 other than the inspected processing head 20 is newly selected, and the high voltage probe 40 is attached to the probe mounting terminal 30 corresponding to the newly selected processing head 20 in the same manner as described above. Connecting. Then, the oscilloscope 50 inspects electrical characteristics such as power supplied to the newly selected processing head 20. After the inspection is completed, the high voltage probe 40 is pulled out. In this way, the electrical characteristics of all the processing heads 20 can be inspected by sequentially connecting one high voltage probe 40 to the plurality of probe mounting terminals 30. Therefore, only one high-voltage probe 40 needs to be prepared, and it is not necessary to provide a high-voltage probe 40 for each probe mounting terminal 30, thereby reducing the apparatus cost.

高電圧プローブ40は、プローブ取付端子30に差し込むだけで簡単にワンタッチで接続でき、そのプローブ取付端子30から引き抜いて別のプローブ取付端子30の弾性保持部31に差し込むだけで簡単に付け替えることができる。高電圧プローブ40のプローブ取付端子30との着脱又は別のプローブ取付端子30への付け替えのために、ネジを回す等の煩雑な作業は不要である。更に、端子本体33や接続端子41等の高電圧が印加され得る部分に触れる必要もない。よって、作業者の負担を軽減できる。   The high voltage probe 40 can be easily connected by simply inserting it into the probe mounting terminal 30, and can be easily replaced by simply pulling out the probe mounting terminal 30 and inserting it into the elastic holding portion 31 of another probe mounting terminal 30. . In order to attach / detach the high voltage probe 40 to / from the probe mounting terminal 30 or to replace it with another probe mounting terminal 30, complicated work such as turning a screw is unnecessary. Furthermore, it is not necessary to touch a portion to which a high voltage such as the terminal main body 33 and the connection terminal 41 can be applied. Therefore, the burden on the operator can be reduced.

次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において既述の形態と重複する構成に関しては図面に同一符号を付して説明を省略する。
図5は、高電圧プローブ40の接続端子41とプローブ取付端子30との接続構造の変形例を示したものである。プローブ取付端子本体33の上面における4つの保持片37にて囲まれた部分の中央部には、陥入凹部39が形成されている。陥入凹部39は、部分球面状になっている。この陥入凹部39にプローブ接続端子41の先端部が嵌り込んで面接触している。これによって、プローブ取付端子本体33とプローブ接続端子41との接触面積を大きくでき、高電圧プローブ40とプローブ取付端子30とを一層確実に導通させることができる。
Next, another embodiment of the present invention will be described. In the following embodiments, the same reference numerals are given to the drawings for the same configurations as those already described, and the description thereof is omitted.
FIG. 5 shows a modification of the connection structure between the connection terminal 41 of the high voltage probe 40 and the probe mounting terminal 30. An indented recess 39 is formed at the center of the portion surrounded by the four holding pieces 37 on the upper surface of the probe mounting terminal body 33. The indented recess 39 has a partial spherical shape. The distal end portion of the probe connection terminal 41 is fitted into the indented recess 39 and is in surface contact. Thereby, the contact area between the probe attachment terminal main body 33 and the probe connection terminal 41 can be increased, and the high-voltage probe 40 and the probe attachment terminal 30 can be more reliably conducted.

図6は、高電圧プローブ40の接続端子41とプローブ取付端子30との接続構造の他の変形例を示したものである。弾性保持部31の保持片36の上下方向の中央部分が、外側に円弧状に湾曲している。かつ保持片36には保持穴37が設けられていない。保持片36の円弧状の内側面が、プローブ接続端子41の外周面に弾性的に接触している。これによって、プローブ取付端子本体33とプローブ接続端子41との接触面積を大きくでき、高電圧プローブ40とプローブ取付端子30とを一層確実に導通させることができる。   FIG. 6 shows another modification of the connection structure between the connection terminal 41 of the high voltage probe 40 and the probe mounting terminal 30. A central portion in the vertical direction of the holding piece 36 of the elastic holding portion 31 is curved outward in an arc shape. The holding piece 36 is not provided with a holding hole 37. The arc-shaped inner surface of the holding piece 36 is in elastic contact with the outer peripheral surface of the probe connection terminal 41. Thereby, the contact area between the probe attachment terminal main body 33 and the probe connection terminal 41 can be increased, and the high-voltage probe 40 and the probe attachment terminal 30 can be more reliably conducted.

さらに、プローブ取付端子本体33の上面における4つの保持片37にて囲まれた部分の中央部には、陥入孔33hが形成されている。プローブ接続端子41の先端部が陥入孔33hに入り込むとともに陥入孔33hの上側の周縁に接している。   Further, an indentation hole 33 h is formed at the center of the portion surrounded by the four holding pieces 37 on the upper surface of the probe attachment terminal body 33. The tip of the probe connection terminal 41 enters the indentation hole 33h and is in contact with the upper peripheral edge of the indentation hole 33h.

図7は、高電圧プローブ40の接続端子41とプローブ取付端子30との接続構造の他の変形例を示したものである。この変形例では、プローブ接続端子41の先端面(下端面)が平らになっている。この平らなプローブ接続端子41の先端面が、プローブ取付端子本体33の上面に面接触している。これによって、プローブ取付端子本体33とプローブ接続端子41との接触面積を大きくでき、高電圧プローブ40とプローブ取付端子30とを一層確実に導通させることができる。   FIG. 7 shows another modification of the connection structure between the connection terminal 41 of the high voltage probe 40 and the probe mounting terminal 30. In this modification, the tip end surface (lower end surface) of the probe connection terminal 41 is flat. The distal end surface of the flat probe connection terminal 41 is in surface contact with the upper surface of the probe mounting terminal body 33. Thereby, the contact area between the probe attachment terminal main body 33 and the probe connection terminal 41 can be increased, and the high-voltage probe 40 and the probe attachment terminal 30 can be more reliably conducted.

本発明は、上記実施形態に限定されず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の改変をなすことができる。
例えば、処理ヘッド20、電力供給ライン14、プローブ取付端子30の数は、3つに限られず、2つでもよく、4つ以上でもよい。
弾性保持部31の板バネ状の保持片36の数は、4つに限られず、2つ又は3つでもよく、5つ以上でもよく、1つだけでもよい。
図1に示す電極ユニット23は、平行平板電極21,22にて構成されていたが、これに限られず、一対のロール電極にて構成されていてもよく、ロール電極及び平板電極にて構成されていてもよく、ロール電極及び円筒凹面を有する電極にて構成されていてもよい。
図1に示すプラズマ処理装置1は、被処理物9が各処理ヘッド20の電極間空間24の外部に配置され、電極間空間24でプラズマ化された処理ガスが電極間空間24から噴出されて被処理物9に吹き付けられる所謂リモート式のプラズマ処理装置であったが、本発明は、被処理物9が各処理ヘッド20の電極間空間24の内部に配置され、プラズマが被処理物9に直接的に照射される所謂ダイレクト式のプラズマ処理装置にも適用できる。
複数の実施形態の一部の構成要素を互いに組み合わせてもよい。たとえば、図6に示す変形態様において、プローブ取付端子本体33に孔33hに代えて図5に示す変形態様の陥入凹部39を形成してもよい。図6に示す変形態様において、プローブ取付端子本体33に孔33hを形成するのに代えて、図7に示すように、プローブ接続端子41の先端面を平取りしてプローブ取付端子本体33の上面に面接触させてもよい。
検電手段は、電気特性を検出できるものであればよく、オシロスコープ50に限られず、電圧計測器でもよく、電流計測器でもよい。
本発明は、大気圧近傍下でのプラズマ処理に限られず、減圧下でのプラズマ処理にも適用できる。
本発明は、洗浄、表面改質(親水化、撥水化等)、成膜、エッチング、アッシング等の種々の表面処理に適用できる。
The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, the number of processing heads 20, power supply lines 14, and probe attachment terminals 30 is not limited to three, and may be two, or four or more.
The number of leaf spring-like holding pieces 36 of the elastic holding portion 31 is not limited to four, but may be two or three, may be five or more, or may be only one.
The electrode unit 23 shown in FIG. 1 is configured by the parallel plate electrodes 21 and 22, but is not limited thereto, and may be configured by a pair of roll electrodes, and is configured by a roll electrode and a plate electrode. It may be configured by a roll electrode and an electrode having a cylindrical concave surface.
In the plasma processing apparatus 1 shown in FIG. 1, an object to be processed 9 is disposed outside the interelectrode space 24 of each processing head 20, and a processing gas that has been converted into plasma in the interelectrode space 24 is ejected from the interelectrode space 24. Although the so-called remote type plasma processing apparatus is sprayed on the workpiece 9, in the present invention, the workpiece 9 is disposed in the interelectrode space 24 of each processing head 20, and the plasma is applied to the workpiece 9. The present invention can also be applied to a so-called direct type plasma processing apparatus that is directly irradiated.
Some constituent elements of the embodiments may be combined with each other. For example, in the modification shown in FIG. 6, the probe mounting terminal main body 33 may be formed with an indented recess 39 of the modification shown in FIG. 5 instead of the hole 33h. In the modification shown in FIG. 6, instead of forming the hole 33h in the probe mounting terminal main body 33, the top surface of the probe mounting terminal main body 33 is flattened as shown in FIG. The surface may be contacted.
The voltage detection means is not limited to the oscilloscope 50 as long as it can detect electrical characteristics, and may be a voltage measuring instrument or a current measuring instrument.
The present invention is not limited to plasma processing under atmospheric pressure, but can be applied to plasma processing under reduced pressure.
The present invention can be applied to various surface treatments such as cleaning, surface modification (hydrophilization, water repellency, etc.), film formation, etching, ashing and the like.

本発明は、例えば液晶表示装置の偏光フィルムの製造や半導体装置の製造に適用できる。   The present invention can be applied to, for example, the production of a polarizing film for a liquid crystal display device and the production of a semiconductor device.

1 プラズマ処理装置
9 被処理物
10 電源
11 直流整流部
12 インバータ
13 高圧トランス
14 電力供給ライン
15 端子接続ライン
20 処理ヘッド
21 電界印加電極
22 接地電極
23 電極ユニット
24 電極間空間
30 プローブ取付端子
31 弾性保持部
32 ホルダ
33 端子本体
33a 陥入孔
34 保持部材
35 基部片
36 保持片
37 保持穴
38 受容凹部
39 陥入凹部
40 高電圧プローブ
41 接続端子
42 プローブ本体部
50 オシロスコープ(検電手段)
51 ケーブル
60 ハウジング
61 上板
62 プローブ挿通穴
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Plasma processing apparatus 9 To-be-processed object 10 Power supply 11 DC rectification part 12 Inverter 13 High voltage transformer 14 Power supply line 15 Terminal connection line 20 Processing head 21 Electric field application electrode 22 Ground electrode 23 Electrode unit 24 Interelectrode space 30 Probe attachment terminal 31 Elasticity Holding portion 32 Holder 33 Terminal body 33a Indentation hole 34 Holding member 35 Base piece 36 Holding piece 37 Holding hole 38 Receiving recess 39 Indentation recess 40 High voltage probe 41 Connection terminal 42 Probe body portion 50 Oscilloscope (electric detection means)
51 Cable 60 Housing 61 Upper plate 62 Probe insertion hole

Claims (3)

処理ガスをプラズマ化して被処理物に接触させてプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
前記プラズマ化のための電極をそれぞれ含む複数の電極ユニットと、
前記各電極ユニットを電源に接続する複数の電力供給ラインと、
前記各電力供給ラインに設けられ、検電手段用の高電圧プローブの接続端子が抜き差し方向に抜き差し可能に接続されるプローブ取付端子と、
を備え、前記プローブ取付端子が、前記接続端子を前記抜き差し方向と交差する方向に弾性的に押さえて保持する弾性保持部を含むことを特徴とするプラズマ処理装置。
A plasma processing apparatus for converting a processing gas into plasma and bringing it into contact with an object to be processed to perform plasma processing,
A plurality of electrode units each including an electrode for plasmatization;
A plurality of power supply lines connecting the electrode units to a power source;
A probe mounting terminal provided in each of the power supply lines, to which a connection terminal of a high-voltage probe for voltage detection means is connected in a removable manner;
And the probe mounting terminal includes an elastic holding portion that elastically holds and holds the connection terminal in a direction crossing the insertion / removal direction.
前記弾性保持部が、互いの間に前記接続端子を受け容れる受容凹部を形成するよう環状に並べられた複数の板バネ状の保持片を含み、これら保持片が前記受容凹部を拡縮させるよう弾性変形可能であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。   The elastic holding portion includes a plurality of leaf spring-like holding pieces arranged in an annular shape so as to form a receiving recess for receiving the connection terminal therebetween, and the holding pieces are elastic to expand and contract the receiving recess. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein the plasma processing apparatus is deformable. 前記接続端子が、球形状をなしており、
前記保持片には、前記接続端子の外面の一部が嵌まる円形の保持穴が形成されていることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。
The connection terminal has a spherical shape;
The plasma processing apparatus according to claim 2, wherein the holding piece is formed with a circular holding hole into which a part of the outer surface of the connection terminal is fitted.
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