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JP2011059762A - System and method for controlling memory - Google Patents

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JP2011059762A
JP2011059762A JP2009205670A JP2009205670A JP2011059762A JP 2011059762 A JP2011059762 A JP 2011059762A JP 2009205670 A JP2009205670 A JP 2009205670A JP 2009205670 A JP2009205670 A JP 2009205670A JP 2011059762 A JP2011059762 A JP 2011059762A
Authority
JP
Japan
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memory control
calibration
memory
control system
parameters
Prior art date
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Pending
Application number
JP2009205670A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yohei Tsuzuki
洋平 都筑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To set a plurality of parameters necessary for memory access between a memory and a memory controller according to an environment in a device. <P>SOLUTION: A memory control system is configured of: a memory control part 10; a memory controller 20; and a memory 30, wherein a plurality of parameters between the memory 30 and the memory controller 20 are set. An adjustment method determination means 104 of the memory control part 10 determines a calibration method matched with the environmental change of the inside of the device from the plurality of calibration methods of the parameter, and a parameter setting means 105 sets a parameter by the determined calibration method, and a setting value storage means 106 stores the set setting value. <P>COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Description

本発明はメモリ制御システム及びメモリ制御方法、とくにメモリパラメータの設定を行うメモリ制御システム及びメモリ制御方法に関する。   The present invention relates to a memory control system and a memory control method, and more particularly to a memory control system and a memory control method for setting memory parameters.

近年、高速MPUのための主記憶として相補クロック信号に同期して動作するダブルデータレートSDRAMが用いられている。このダブルレート型メモリは、データストローブ信号(DQS)の立ち上がりタイミング及び立ち下がりタイミングの両方で同期してデータ信号(DQ)の読み書きが行われるメモリであり、DDR−SDRAM(Double Data Rate Dynamic Random Access Memory)やDDRをより高速化する規格としてJEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)半導体技術協会により策定されたDDR2,DDR3などがある。
ところで、これらのメモリの動作周波数は数百MHzにも達するため、メモリアクセスするタイミングマージンは極めて小さくなっており、プリント基板のパターンによるスキューなどが信号品質に与える影響も無視できなくなってきている。
In recent years, a double data rate SDRAM that operates in synchronization with a complementary clock signal is used as a main memory for a high-speed MPU. This double-rate memory is a memory in which data signals (DQ) are read and written in synchronization with both the rising timing and falling timing of the data strobe signal (DQS), and is a DDR-SDRAM (Double Data Rate Dynamic Random Access). Memory) and DDR2 and DDR3 established by the JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) Semiconductor Technology Association as standards for further speeding up DDR.
By the way, since the operating frequency of these memories reaches several hundred MHz, the timing margin for accessing the memory is extremely small, and the influence of the skew due to the pattern of the printed circuit board on the signal quality cannot be ignored.

そこで、このような問題に対応するため、ODT(On Die Termination)のON/OFF切り替え、ODTの抵抗値設定、ライトデータのラッチタイミングの微調整、リードデータのラッチタイミングの微調整など、様々な調整機能を備えたメモリコントローラが開発されている。
ところで、このように調整機能が増えると、機能毎に設定するパラメータ数も増えるため、それに伴ってパラメータの組み合わせの数も非常に多くなる。また、装置の環境が変化すると最適なパラメータは変わるため、その最適なパラメータを見付けるには多くの時間を必要とする。
Therefore, in order to deal with such problems, various on-off switching of ODT (On Die Termination), ODT resistance value setting, fine adjustment of write data latch timing, fine adjustment of read data latch timing, etc. Memory controllers with adjustment functions have been developed.
By the way, when the number of adjustment functions increases, the number of parameters set for each function increases, and accordingly, the number of parameter combinations also increases. Further, since the optimum parameter changes when the environment of the apparatus changes, it takes a lot of time to find the optimum parameter.

そこで、パラメータを時間変化する装置内部の環境に合ったものに調整する目的で、一定期間ごとにパラメータの再調整を実施し、温湿度等の環境変化に対応するメモリ制御システムが既に提案されている(特許文献1参照)。
このメモリ制御システムは、データストローブ信号(DQS)を遅延させてディレイ値を調整するディレイ調整手段を備え、ある特定の値を特定のアドレスに書き込み、ディレイ調整手段のディレイ値を変更しながら、前記アドレスと同じアドレスへ読み込み、両者の値を比較して正しい値が読めたか否かにより読み込み可能範囲を認識し、当該認識した読み込み可能範囲、つまりヴェリファイOKとなる範囲の中間値を前記ディレイ調整手段に設定するものである。
このメモリ制御システムは、確かにパラメータの再調整を可能にするが、一定期間ごとに全てのキャリブレーション(ここでは、パラメータの調整及び設定を行うことをキャリブレーションという)を行うため、微調整で済むような場合でもフルキャリブレーションのために不必要に時間を要する点でなお課題がある。
Therefore, a memory control system has already been proposed that adjusts the parameters at regular intervals to adjust the parameters to match the internal environment of the device that changes over time, and responds to environmental changes such as temperature and humidity. (See Patent Document 1).
The memory control system includes delay adjustment means for adjusting a delay value by delaying a data strobe signal (DQS), writing a specific value to a specific address, and changing the delay value of the delay adjustment means, Read to the same address as the address, compare both values and recognize whether or not the correct value was read, recognize the readable range, the intermediate value of the recognized readable range, that is, the range of verify OK is the delay adjustment means Is set to
Although this memory control system certainly allows readjustment of parameters, all calibrations (herein, calibration and setting of parameters are referred to as calibration) are performed at regular intervals. Even in the case where it can be completed, there is still a problem in that it takes time unnecessarily for full calibration.

例えば、近年はプリント・コピー・スキャン・FAX等の機能を1台の装置に備えた複合機等において、省エネモードを備えたものが普及しているが、この複合機等の装置では、装置を使用しない期間は省エネモードに遷移することで消費電力の低減を図っている。この装置では、装置内部の環境(温湿度等)は、使用状況(プリント・コピー・スキャン・FAX等の頻度など)だけではなく、省エネ遷移前後においても変化する。そのため、DDR−SDRAM等のメモリアクセスに関する電気的特性を決める上記パラメータの設定はより頻繁に必要となる。
このような装置に上記従来公知のメモリ制御システムを採用した場合、そのフルキャリブレーションのための時間は一層大きくなるという問題がある。
For example, in recent years, multifunction devices equipped with functions such as printing, copying, scanning, and faxing in a single device have been widely equipped with an energy saving mode. During periods when it is not used, power consumption is reduced by shifting to the energy-saving mode. In this apparatus, the environment (temperature and humidity, etc.) inside the apparatus changes not only in the usage state (frequency of printing, copying, scanning, FAX, etc.) but also before and after the energy saving transition. Therefore, it is necessary to set the parameters more frequently that determine the electrical characteristics related to memory access such as DDR-SDRAM.
When such a conventionally known memory control system is adopted in such an apparatus, there is a problem that the time for full calibration becomes longer.

本発明は、上記従来の問題に鑑みてなされたものであって、キャリブレーション可能なメモリ制御システムにおいて、より短時間でキャリブレーションを行うことを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and an object thereof is to perform calibration in a shorter time in a memory control system that can be calibrated.

(1)本発明は、メモリ制御部と、メモリコントローラと、メモリとから成り、前記メモリとメモリコントローラ間におけるメモリアクセスのために必要な複数のパラメータを設定するメモリ制御システムであって、前記メモリ制御部は、前記パラメータについての複数のキャリブレーション方法から、装置内部の環境変化に合ったキャリブレーション方法を判定するキャリブレーション方法判定手段と、判定したキャリブレーション方法にしたがって当該キャリブレーションの対象となるパラメータのキャリブレーションを行う手段と、前記キャリブレーションにより設定したパラメータの設定値を記憶する設定値記憶手段と、を有することを特徴とするメモリ制御システムである。
(2)本願の他の発明は、メモリ制御部と、メモリコントローラと、メモリとから成り、前記メモリとメモリコントローラ間におけるメモリアクセスのために必要な複数のパラメータを設定するメモリ制御システムにおけるメモリ制御方法であって、前記メモリ制御部は、前記パラメータの複数の調整方法から装置内部の環境変化に合ったキャリブレーション方法を判定するキャリブレーション方法判定工程と、判定したキャリブレーション方法にしたがって当該キャリブレーションの対象となるパラメータのキャリブレーションを行う工程と、前記キャリブレーションにより設定したパラメータの設定値を記憶する設定値記憶工程と、を有することを特徴とするメモリ制御システムにおけるメモリ制御方法である。
(3)本願の更に他の発明は、上記(2)に記載されたメモリ制御システムにおけるメモリ制御方法の各工程を、コンピュータに実行させるためのプログラムである。
(4)本願の更に他の発明は、上記(3)に記載されたプログラムを記録したコンピュータに読み取り可能な記録媒体である。
(1) The present invention is a memory control system that includes a memory control unit, a memory controller, and a memory, and sets a plurality of parameters necessary for memory access between the memory and the memory controller. The control unit is a calibration method determination unit that determines a calibration method that matches a change in the environment inside the apparatus from a plurality of calibration methods for the parameter, and is subject to calibration according to the determined calibration method. A memory control system comprising: means for calibrating parameters; and setting value storage means for storing parameter setting values set by the calibration.
(2) Another invention of the present application includes a memory control unit, a memory controller, and a memory, and memory control in a memory control system that sets a plurality of parameters necessary for memory access between the memory and the memory controller. The memory control unit is a calibration method determining step for determining a calibration method suitable for an environmental change in the apparatus from a plurality of adjustment methods of the parameters, and the calibration according to the determined calibration method. A memory control method in a memory control system, comprising: a step of calibrating a target parameter, and a setting value storing step of storing a parameter setting value set by the calibration.
(3) Still another invention of the present application is a program for causing a computer to execute each step of the memory control method in the memory control system described in (2) above.
(4) Still another invention of the present application is a computer-readable recording medium recording the program described in (3) above.

本発明によれば、複数のキャリブレーション方法から、環境変化が大きいときにはフルキャリブレーション、環境変化が小さいときには簡易キャリブレーションを行うというように、状況に合ったキャリブレーション方法を判別してキャリブレーションを実行するため、従来に比してキャリブレーションに要するトータルの時間を短縮することができる。   According to the present invention, from a plurality of calibration methods, calibration is performed by discriminating a calibration method suitable for the situation, such as full calibration when the environmental change is large, and simple calibration when the environmental change is small. As a result, the total time required for calibration can be shortened as compared with the prior art.

本発明の実施形態に係る、メモリパラメータの設定を行うメモリ制御システムの機能構成を概略的に示すブロック図である。It is a block diagram which shows roughly the function structure of the memory control system which sets a memory parameter based on embodiment of this invention. キャリブレーション方法判定手段の構成を概略的に示すブロック図である。It is a block diagram which shows roughly the structure of a calibration method determination means. パラメータ設定手段の構成を概略的に示すブロック図である。It is a block diagram which shows roughly the structure of a parameter setting means. メモリ制御システムにおいて実行されるキャリブレーション実施手順を示すフロー図である。It is a flowchart which shows the calibration implementation procedure performed in a memory control system.

本発明の実施の形態について添付図面を参照して説明する。
図1は、本発明の実施形態に係るメモリパラメータの設定を行う、メモリ制御システムの機能構成を概略的に示すブロック図である。
本メモリ制御部システムは、メモリ制御部10と、メモリ制御部10に対して接続されたメモリコントローラ20と、メモリコントローラ20に接続されたダブルレート型メモリ(DDR-SDRAM,DDR2-SDRAM,DDR3-SDRAM等)30とから成り、メモリ制御部10はメモリコントローラ20を介してメモリ30へのアクセスを行う。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a block diagram schematically showing a functional configuration of a memory control system for setting memory parameters according to an embodiment of the present invention.
This memory control unit system includes a memory control unit 10, a memory controller 20 connected to the memory control unit 10, and a double rate type memory (DDR-SDRAM, DDR2-SDRAM, DDR3- The memory control unit 10 accesses the memory 30 via the memory controller 20.

メモリ制御部10は、計時手段101と、温度監視手段102と、電圧監視手段103と、キャリブレーション方法判定手段104と、パラメータ設定手段105と、設定値記憶手段106と、キャリブレーション方法記憶手段107とから成っている。   The memory control unit 10 includes a time measuring unit 101, a temperature monitoring unit 102, a voltage monitoring unit 103, a calibration method determining unit 104, a parameter setting unit 105, a set value storage unit 106, and a calibration method storage unit 107. It consists of.

計時手段101は、時間を計測する手段であって、例えばRTC(Real Time Clock)などである。
温度監視手段102は、装置内部の温度を監視する手段であり、機器内部に設置する温度センサや、メモリコントローラの内部温度を監視するサーマルダイオードなどである。
電圧監視手段103は、メモリまたはメモリコントローラの供給電圧の電圧値を監視する手段である。
The time measuring means 101 is a means for measuring time, such as RTC (Real Time Clock).
The temperature monitoring unit 102 is a unit that monitors the temperature inside the apparatus, and is a temperature sensor installed inside the device, a thermal diode that monitors the internal temperature of the memory controller, or the like.
The voltage monitoring unit 103 is a unit that monitors the voltage value of the supply voltage of the memory or the memory controller.

キャリブレーション方法判定手段104は、図2に示すように、入力される様々な情報から調整の要否を判定するキャリブレーション要否判定手段104(1)、複数のメモリパラメータの再調整の方法の中からキャリブレーション方法を決定するキャリブレーション方法決定手段104(2)、キャリブレーション方法およびキャリブレーション実行命令をパラメータ設定手段に通知する通知手段104(3)を備えている。   As shown in FIG. 2, the calibration method determination unit 104 is a calibration necessity determination unit 104 (1) that determines whether adjustment is necessary from various pieces of input information, and a method for readjusting a plurality of memory parameters. Calibration method determining means 104 (2) for determining a calibration method from the inside, and notification means 104 (3) for notifying the parameter setting means of the calibration method and the calibration execution command are provided.

ここで、キャリブレーションの要否の判定に利用される情報としては(i)計時手段101による時間情報、(ii)温度センサによる温度監視手段102からの温度情報、(iii)電圧監視手段103からの電圧情報があり、キャリブレーション方法判定手段104は、予め決められたタイミングでパラメータの再キャリブレーションを実施するようプログラミングされている。   Here, information used for determining whether or not calibration is necessary includes (i) time information by the time measuring means 101, (ii) temperature information from the temperature monitoring means 102 by the temperature sensor, and (iii) from the voltage monitoring means 103. The calibration method determination unit 104 is programmed to perform parameter recalibration at a predetermined timing.

パラメータ設定手段105は、図3に示すように、パラメータの管理手段105(1)と、リード・ライト・ヴェリファイテストを実施するテスト手段105(2)と、パラメータを決定するパラメータ決定手段105(3)と、パラメータを設定するパラメータ設定手段105(4)等を備え、キャリブレーション方法判定手段104で判定されたキャリブレーション方法にしたがって、リード・ライト・ヴェリファイテストを実施し、その結果に従いメモリパラメータの設定を行う。また設定値記憶手段106との間で設定値をリード又はライトする機能も備える。   As shown in FIG. 3, the parameter setting unit 105 includes a parameter management unit 105 (1), a test unit 105 (2) that performs a read / write / verify test, and a parameter determination unit 105 ( 3) and parameter setting means 105 (4) for setting parameters, etc., and a read / write / verify test is performed according to the calibration method determined by the calibration method determining means 104, and the memory is Set the parameters. Also, it has a function of reading or writing setting values with the setting value storage means 106.

設定値記憶手段106は、メモリパラメータの設定情報を記録・保持するパラメータのキャリブレーションにおけるリード・ライト・ヴェリファイテストを実施する際のテスト結果なども記憶してもよい。
記憶手段の例としては、HDD(ハードディスクドライブ)やSSD(solid state driveまたはsolid state disk)などの不揮発性記憶装置に記憶されたプログラム、またはそのプログラムが展開されたDRAM(Dynamic Random Access Memory)等の揮発性メモリなどがある。
The set value storage means 106 may also store test results when performing a read / write / verify test in calibration of parameters for recording / holding memory parameter setting information.
Examples of storage means include programs stored in non-volatile storage devices such as HDD (hard disk drive) and SSD (solid state drive or solid state disk), or DRAM (Dynamic Random Access Memory) in which the program is expanded, etc. Such as volatile memory.

キャリブレーション方法記憶手段107は、パラメータにキャリブレーション方法を記憶する手段であって複数のキャリブレーション方法を記憶している。
キャリブレーション方法としては、例えば、次のような方法がある。
(1)フルキャリブレーション:全てのパラメータの組み合わせをテストするキャリブレーション方法。
(2)詳細キャリブレーション:パラメータの組み合わせを絞ることでフルキャリブレーションよりも調整時間を短縮できるキャリブレーション方法。
(3)簡易キャリブレーション:詳細キャリブレーションよりさらにパラメータの組み合わせを絞ることで、調整時間を大幅に短縮できるキャリブレーション方法。環境変化が小さいときに実施することを想定している。
その記憶手段としては、プログラムが記憶された、例えばHDDやSSDなどの不揮発性記憶装置、または上記プログラムが展開されたDRAM等の揮発性メモリなどがある。
The calibration method storage means 107 is a means for storing a calibration method in a parameter, and stores a plurality of calibration methods.
As a calibration method, for example, there are the following methods.
(1) Full calibration: a calibration method for testing all parameter combinations.
(2) Detailed calibration: A calibration method in which adjustment time can be shortened compared to full calibration by narrowing down the combination of parameters.
(3) Simple calibration: a calibration method that can significantly reduce the adjustment time by further narrowing down the combination of parameters than the detailed calibration. It is assumed to be implemented when the environmental change is small.
As the storage means, there is a nonvolatile storage device such as an HDD or an SSD in which a program is stored, or a volatile memory such as a DRAM in which the program is expanded.

メモリコントローラ20は、パラメータ(レジスタ)を備え、メモリ30へ信号を送信する機能、メモリ30から信号を受信する機能を備え、メモリ30とメモリ制御部10のインターフェイスをなす。   The memory controller 20 includes parameters (registers), has a function of transmitting a signal to the memory 30 and a function of receiving a signal from the memory 30, and serves as an interface between the memory 30 and the memory control unit 10.

図4は、以上の構成からなるメモリ制御システムにおいて実行されるキャリブレーション実施手順を示すフロー図である。
図4において、先ず機器の電源をONし(S101)、パラメータ設定手段105によりパラメータの初期設定を行う(S102)。これにより機器は待機状態となる(S103)。ここで、キャリブレーション方法判定手段104によってパラメータのキャリブレーション方法の要否を判定する(S104)。
キャリブレーションが不必要であれば(S104、NO)ステップS103の待機状態へ戻り、キャリブレーションが必要であれば(S104、YES)、次にキャリブレーション方法判定手段104がキャリブレーション方法についてフルキャリブレーションか、詳細キャリブレーションか、簡易キャリブレーションかを判定し(S105)、キャリブレーション方法とキャリブレーション実行命令をパラメータ設定手段105に通知すると共に、フルキャリブレーションであれば、次にパラメータ設定手段105によりフルキャリブレーションを行い、メモリパラメータを決定する(S106)。詳細キャリブレーションであれば、パラメータ設定手段105により詳細キャリブレーションを行い、メモリパラメータを決定する(S107)。簡易キャリブレーションであれば、パラメータ設定手段105により簡易キャリブレーションを行い、メモリパラメータを決定する(S108)。その後、パラメータ設定手段105によりパラメータを設定する(S109)。
FIG. 4 is a flowchart showing a calibration execution procedure executed in the memory control system having the above configuration.
In FIG. 4, first, the power of the device is turned on (S101), and the parameter setting means 105 performs initial parameter settings (S102). As a result, the device enters a standby state (S103). Here, the necessity of the parameter calibration method is determined by the calibration method determination means 104 (S104).
If calibration is not necessary (S104, NO), the process returns to the standby state in step S103. If calibration is necessary (S104, YES), the calibration method determination unit 104 then performs full calibration for the calibration method. Whether the calibration is detailed calibration or simple calibration (S105), the calibration method and the calibration execution instruction are notified to the parameter setting means 105. Full calibration is performed to determine memory parameters (S106). If it is a detailed calibration, a detailed calibration is performed by the parameter setting means 105 to determine a memory parameter (S107). If it is simple calibration, simple calibration is performed by the parameter setting means 105 to determine a memory parameter (S108). Thereafter, parameters are set by the parameter setting means 105 (S109).

次に、ステップS104,S105,S108の処理について詳細を説明する。
(ステップS104)の処理説明
キャリブレーション方法判定手段104によるキャリブレーション要否の判定方法としては次のような方法がある。
(1)温度監視手段102、電圧監視手段103、計時手段101からの入力情報をもとにキャリブレーション要否を判定する方法。具体的には、
(i)温度監視手段102、計時手段101の情報を基に、温度の時間変化が大きいときにキャリブレーション要と判定する方法。
(ii)電圧監視手段103、計時手段101の情報を基に、電圧の時間変化が大きいときにキャリブレーション要と判定する方法。
(2)予め決まったタイミングでキャリブレーションを実施するようプログラミングしておく方法。
この方法によれば上記(1)のような温度監視手段や電圧監視手段が不要なのでその分コストダウンできる。
Next, details of the processing of steps S104, S105, and S108 will be described.
Explanation of Processing in (Step S104) As a method for determining the necessity of calibration by the calibration method determining means 104, there are the following methods.
(1) A method for determining whether calibration is necessary based on input information from the temperature monitoring unit 102, the voltage monitoring unit 103, and the time measuring unit 101. In particular,
(I) A method of determining that calibration is necessary when the time change of temperature is large based on information of the temperature monitoring unit 102 and the time measuring unit 101.
(Ii) A method of determining that the calibration is necessary when the time change of the voltage is large based on the information of the voltage monitoring unit 103 and the time measuring unit 101.
(2) A method of programming to perform calibration at a predetermined timing.
According to this method, the temperature monitoring means and the voltage monitoring means as described in the above (1) are unnecessary, and the cost can be reduced accordingly.

上記(2)の方法において、複合機のような画像形成装置の場合は、
(i)プリント、コピー、スキャン、FAXなどのジョブの終了後にはキャリブレーション要と判定してキャリブレーションを実施する、即ち、これらの動作終了後には装置が動作することによって、機器内部の温度が上昇し、環境変化が大きくなる。そこで予めこれらの動作後に適切なタイミングでキャリブレーションを実施するようプログラミングしておく。
(ii)プリント、コピー、スキャン、FAXの終了後、一定期間新たなジョブがないときにキャリブレーション要と判定してキャリブレーションを実施する、即ち、ジョブを実行したことで機器内部の温度が上昇したのち、一定期間新たなジョブがない場合、機器内部の温度が下がるのでキャリブレーション必要と判定する、などが挙げられる。
In the method (2) above, in the case of an image forming apparatus such as a multifunction peripheral,
(i) After completion of a job such as printing, copying, scanning, and faxing, it is determined that calibration is necessary, and calibration is performed. It rises and changes in the environment increase. Therefore, programming is performed in advance so that calibration is performed at an appropriate timing after these operations.
(ii) After printing, copying, scanning, and faxing, when there is no new job for a certain period, it is determined that calibration is necessary, and calibration is performed, that is, the temperature inside the device rises due to execution of the job. After that, when there is no new job for a certain period, the temperature inside the device is lowered, and it is determined that calibration is necessary.

(ステップS105)の処理の説明
キャリブレーション方法の判定は、基本的には、環境変化が大きいときにはフルキャリブレーション、環境変化が中位のときは詳細キャリブレーション、小さいときには簡易キャリブレーションとするのが望ましい。
キャリブレーション方法の判定方法としては次のような方法がある。
(1)温度監視手段102、電圧監視手段103、計時手段101からの入力情報を基にフル、詳細又は簡易キャリブレーションを判定する方法。具体的には、
(i)温度監視手段102、計時手段101の情報を基に、温度の時間変化の大きさによってフル、詳細又は簡易キャリブレーションを判定する。
(ii)電圧監視手段103、計時手段101の情報を基に、電圧の時間変化の大きさによってフル、詳細又は簡易キャブリレーションを判定する方法。
(2)予め決まったタイミングでフルキャリブレーションか、詳細キャリブレーションか、簡易キャリブレーションかを判定するようにプログラミングしておく方法。
Explanation of processing in (Step S105) Basically, the calibration method is determined by full calibration when the environmental change is large, detailed calibration when the environmental change is middle, and simple calibration when the environmental change is small. desirable.
As a determination method of the calibration method, there are the following methods.
(1) A method for determining full, detailed, or simple calibration based on input information from the temperature monitoring unit 102, the voltage monitoring unit 103, and the time measuring unit 101. In particular,
(I) Based on the information of the temperature monitoring means 102 and the time measuring means 101, full, detailed or simple calibration is determined according to the magnitude of the temperature change over time.
(Ii) A method for determining full, detailed, or simple calibration based on the magnitude of the time change in voltage based on information of the voltage monitoring unit 103 and the time measuring unit 101.
(2) A method of programming so as to determine whether full calibration, detailed calibration, or simple calibration is performed at a predetermined timing.

上記(2)の方法において、複合機のような画像形成装置の場合は、
(i)プリント、コピー、FAX受信の後はフルキャリブレーション、スキャン、FAX送信の場合は簡易キャリブレーションと判定して実施する。
つまり、前者の場合はエンジンが稼動するので機器内部の温度上昇が大きくなる。したがってフルキャリブレーションと判定して実施する。
後者の場合は、メモリコントローラ20は動作するが、エンジンは動作しないので、機器内部の温度上昇は限定的と考え、簡易キャリブレーションと判定して実施する。
(ii)電源ON直後はフルキャリブレーションと判定して実施する。この場合は、電源ON後は急激な温度変化があるためフルキャリブレーションを実施する方がよい。
(iii)省エネモードから復帰したときは簡易キャリブレーションと判定して実施する。
In the method (2) above, in the case of an image forming apparatus such as a multifunction peripheral,
(I) After printing, copying, and FAX reception, in the case of full calibration, scanning, and FAX transmission, it is determined that simple calibration is performed.
That is, in the former case, since the engine operates, the temperature rise inside the device increases. Therefore, it is determined to be full calibration.
In the latter case, the memory controller 20 operates, but the engine does not operate. Therefore, the temperature rise inside the device is considered to be limited, and it is determined that the simple calibration is performed.
(Ii) Immediately after the power is turned on, it is determined as full calibration. In this case, it is better to perform full calibration since there is a rapid temperature change after the power is turned on.
(Iii) When returning from the energy saving mode, it is determined to be simple calibration.

上記(iii)において、つまり、省エネモードからの復帰時は、内部環境変化(例えば温度上昇)が急激に大きくなる。一方、省エネモードから復帰するということは、何らかのジョブの実行要求があるということであるから、本来であれば急激な温度変化があるためキャリブレーションを実施するところであるが、キャリブレーションに時間が掛かり過ぎるとジョブの実行が遅れ、ユーザにストレスを与えることになる。そこで省エネモードからの復帰時には簡易キャリブレーションと判定して実施することで、メモリアクセス品質を一定程度高めるとともに、ユーザにもストレスを感じさせないようにすることができる。その際、簡易キャリブレーションの実施であってもメモリアクセス品質を高めるために、電源ON直後のフルキャリブレーションで設定した設定値をデフォルトとして設定し、それから簡易キャリブレーションを実施する方法を採るのがよい。   In the above (iii), that is, at the time of return from the energy saving mode, the internal environment change (for example, temperature rise) increases rapidly. On the other hand, returning from the energy-saving mode means that there is a request to execute some job, so calibration is performed because there is a sudden temperature change, but it takes time. If it passes, the execution of the job will be delayed, and the user will be stressed. Therefore, by determining that the simple calibration is performed when returning from the energy saving mode, it is possible to improve the memory access quality to a certain degree and to prevent the user from feeling stress. At that time, in order to improve the memory access quality even when performing simple calibration, the setting value set by full calibration immediately after the power is turned on is set as the default, and then the method of performing simple calibration is adopted. Good.

(ステップS108)の処理の説明
次に、簡易キャリブレーションについて説明する。
(1)各パラメータの設定値候補を現在の設定に近い値に絞ってキャリブレーションを行う。これにより、パラメータの組み合わせ数が大幅に減り、キャリブレーション時間を大幅に削減できる。環境変化に影響されやすいパラメータは設定範囲を比較的広く(例えば、現在の設定値の±3段階まで)、影響を受けにくいパラメータは設定範囲を比較的狭く(例えば、現在の設定値の±1段階まで)といったように、パラメータによってふり幅(設定範囲)を変えることで、パラメータ設定品質を高めつつ、時間短縮効果を上げることが可能である。
Explanation of Processing in (Step S108) Next, simple calibration will be described.
(1) Calibration is performed by narrowing the setting value candidates of each parameter to values close to the current setting. Thereby, the number of parameter combinations is greatly reduced, and the calibration time can be greatly reduced. Parameters that are susceptible to environmental changes have a relatively wide setting range (for example, up to ± 3 levels of the current setting value), and parameters that are not easily affected have a relatively narrow setting range (for example, ± 1 of the current setting value). By changing the swing width (setting range) according to the parameter as in the case of the stage, it is possible to improve the parameter setting quality and improve the time reduction effect.

(2)キャリブレーション対象パラメータ数自体を削減してキャリブレーションを行う。この場合、複数のパラメータを環境変化に影響されやすいパラメータ、されにくいパラメータに分類し、影響されやすいパラメータのみについてキャリブレーションを行う。
(3)上記(1)と(2)キャリブレーションの組み合わせでさらにキャリブレーション時間を削減することができる。
(2) Calibration is performed by reducing the number of calibration target parameters themselves. In this case, a plurality of parameters are classified into parameters that are easily affected by environmental changes and parameters that are difficult to be affected, and only the parameters that are easily affected are calibrated.
(3) Calibration time can be further reduced by a combination of (1) and (2) calibration.

ステップS107で行う詳細キャリブレーションは、フルキャリブレーションと上述の簡易キャリブレーションの間で、例えばオペレータがキャリブレーション項目を任意に選択できるようにすることができる。
なお、この詳細キャリブレーションを省略して、フルキャリブレーションと簡易キャリブレーションのみの処理とすることもできる。
The detailed calibration performed in step S107 can allow the operator to arbitrarily select a calibration item between full calibration and the above-described simple calibration, for example.
Note that this detailed calibration can be omitted and only full calibration and simple calibration can be performed.

以上、メモリ制御システムにおいて実行されるキャリブレーション実施手順を説明したが、これらの処理はキャリブレーション実施手順と命令を記録したコンピュータプログラムを作成し、これをメモリ制御システム部全体の制御を行うコンピュータ(図示せず)で実行することができる。
また、上記コンピュータプログラムは、コンピュータ読取可能なCD−ROM、DVD−ROM等の周知の記録媒体に記録することができる。
The calibration execution procedure executed in the memory control system has been described above. These processes create a computer program that records the calibration execution procedure and instructions, and this is a computer that controls the entire memory control system unit ( (Not shown).
The computer program can be recorded on a known recording medium such as a computer-readable CD-ROM or DVD-ROM.

本発明の実施形態について説明したが、その特徴をまとめると以下のとおりである。
(1)メモリ制御システムにおいて、メモリとメモリコントローラとの間のメモリ動作を決定する複数のパラメータを設定するメモリ制御システムにおいて、パラメータのキャリブレーション方法を複数備えるため、状況によってキャリブレーション内容を変えるので状況に応じたキャリブレーションを実施することができる。
(2)複数のキャリブレーション方法のうちの少なくとも1つが、他のキャリブレーション方法を簡易化したもの(以下簡易キャリブレーション)なので、簡易キャリブレーションを選択した場合には、キャリブレーション時間を短縮できる。
(3)前記簡易キャリブレーションが各パラメータの設定値候補を現在の設定値に近い値に絞ることができるため、つまり、例えば現在の設定値の±1段階の設定値に絞ることで、パラメータの組み合わせ数が大幅に減り、キャリブレーション時間を大幅に削減できる。
(4)前記詳細又は簡易キャリブレーションでは、キャリブレーションを行う対象パラメータの種類を限定するため、パラメータの組み合わせ数が一定程度或いは大幅に減り、キャリブレーション時間を一定程度或いは大幅に削減できる。
Although the embodiment of the present invention has been described, the features are summarized as follows.
(1) In a memory control system, a plurality of parameters calibration methods are set in a memory control system for setting a plurality of parameters for determining a memory operation between a memory and a memory controller. Calibration according to the situation can be performed.
(2) Since at least one of the plurality of calibration methods is a simplified version of the other calibration methods (hereinafter referred to as simple calibration), the calibration time can be shortened when simple calibration is selected.
(3) Since the simple calibration can narrow the set value candidates of each parameter to a value close to the current set value, that is, for example, by narrowing down to the set value of ± 1 step of the current set value, The number of combinations is greatly reduced and the calibration time can be greatly reduced.
(4) In the detailed or simple calibration, since the types of target parameters to be calibrated are limited, the number of parameter combinations can be reduced to a certain level or greatly, and the calibration time can be reduced to a certain level or greatly.

10・・・メモリ制御部、20・・・メモリコントローラ、30・・・メモリ、101・・・計時手段、102・・・温度監視手段、103・・・電圧監視手段、104・・・キャリブレーション方法判定手段、105・・・パラメータ設定手段、106・・・設定値記憶手段、107・・・キャリブレーション方法記憶手段。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Memory control part, 20 ... Memory controller, 30 ... Memory, 101 ... Time measuring means, 102 ... Temperature monitoring means, 103 ... Voltage monitoring means, 104 ... Calibration Method determining means, 105... Parameter setting means, 106... Setting value storage means, 107.

特開2003−99321号公報JP 2003-99321 A

Claims (12)

メモリ制御部と、メモリコントローラと、メモリとから成り、前記メモリとメモリコントローラ間におけるメモリアクセスのために必要な複数のパラメータを設定するメモリ制御システムであって、
前記メモリ制御部は、前記パラメータについての複数のキャリブレーション方法から、装置内部の環境変化に合ったキャリブレーション方法を判定するキャリブレーション方法判定手段と、
判定したキャリブレーション方法にしたがって当該キャリブレーションの対象となるパラメータのキャリブレーションを行う手段と、
前記キャリブレーションにより設定したパラメータの設定値を記憶する設定値記憶手段と、
を有することを特徴とするメモリ制御システム。
A memory control system comprising a memory control unit, a memory controller, and a memory, and sets a plurality of parameters necessary for memory access between the memory and the memory controller,
The memory control unit includes a calibration method determination unit that determines a calibration method that matches a change in environment inside the apparatus from a plurality of calibration methods for the parameter;
Means for calibrating the parameters to be calibrated according to the determined calibration method;
Setting value storage means for storing setting values of parameters set by the calibration;
A memory control system comprising:
請求項1に記載されたメモリ制御システムにおいて、
前記環境変化は、機内の温度変化、同電圧変化、時間経過、電源ON、省エネ状態からの復帰、動作の停止の少なくともいずれか一つであることを特徴とするメモリ制御システム。
The memory control system of claim 1, wherein
The memory control system according to claim 1, wherein the environmental change is at least one of a temperature change in the machine, a change in the same voltage, a lapse of time, a power ON, a return from an energy saving state, and an operation stop.
請求項1または2に記載されたメモリ制御システムにおいて、
前記複数のキャリブレーション方法のうちの少なくとも1つが、他のキャリブレーション方法におけるパラメータ数を制限したものであることを特徴とするメモリ制御システム。
The memory control system according to claim 1 or 2,
At least one of the plurality of calibration methods is a memory control system in which the number of parameters in other calibration methods is limited.
請求項1または2に記載されたメモリ制御システムにおいて、
簡易キャリブレーションは各パラメータの設定値候補を現在の設定値に近い値に絞ることによって行うことを特徴とするメモリ制御システム。
The memory control system according to claim 1 or 2,
A memory control system characterized in that simple calibration is performed by narrowing the set value candidates for each parameter to a value close to the current set value.
請求項1または2に記載されたメモリ制御システムにおいて、
前記簡易キャリブレーションは、調整するパラメータ数を制限して行うことを特徴とするメモリ制御システム。
The memory control system according to claim 1 or 2,
The simple calibration is performed by limiting the number of parameters to be adjusted.
メモリ制御部と、メモリコントローラと、メモリとから成り、前記メモリとメモリコントローラ間におけるメモリアクセスのために必要な複数のパラメータを設定するメモリ制御システムにおけるメモリ制御方法であって、
前記メモリ制御部は、前記パラメータの複数の調整方法から装置内部の環境変化に合ったキャリブレーション方法を判定するキャリブレーション方法判定工程と、
判定したキャリブレーション方法にしたがって当該キャリブレーションの対象となるパラメータのキャリブレーションを行う工程と、
前記キャリブレーションにより設定したパラメータの設定値を記憶する設定値記憶工程と、
を有することを特徴とするメモリ制御システムにおけるメモリ制御方法。
A memory control method in a memory control system, comprising a memory control unit, a memory controller, and a memory, and sets a plurality of parameters required for memory access between the memory and the memory controller,
The memory control unit is a calibration method determination step for determining a calibration method suitable for an environmental change inside the apparatus from a plurality of adjustment methods of the parameters;
Calibrating the parameters to be calibrated according to the determined calibration method;
A set value storing step for storing set values of parameters set by the calibration;
A memory control method in a memory control system.
請求項6に記載されたメモリ制御システムにおけるメモリ制御方法であって、
前記環境変化は、機内の温度変化、同電圧変化、時間経過、電源ON、省エネ状態からの復帰、動作の停止の少なくともいずれか一つであることを特徴とするメモリ制御システムにおけるメモリ制御方法。
A memory control method in the memory control system according to claim 6, comprising:
The memory control method in a memory control system, wherein the environmental change is at least one of a temperature change in the machine, a change in the same voltage, a lapse of time, a power ON, a return from an energy saving state, and an operation stop.
請求項6または7に記載されたメモリ制御システムにおけるメモリ制御方法であって、
前記複数のキャリブレーション方法のうちの少なくとも1つが、他のキャリブレーション方法におけるパラメータ数を制限したものであることを特徴とするメモリ制御システムにおけるメモリ制御方法。
A memory control method in a memory control system according to claim 6 or 7, comprising:
A memory control method in a memory control system, wherein at least one of the plurality of calibration methods has a limited number of parameters in another calibration method.
請求項6または7に記載されたメモリ制御システムにおけるメモリ制御方法であって、
簡易キャリブレーションは各パラメータの設定値候補を現在の設定値に近い値に絞ることによって行うことを特徴とするメモリ制御システムにおけるメモリ制御方法。
A memory control method in a memory control system according to claim 6 or 7, comprising:
A memory control method in a memory control system, wherein the simple calibration is performed by narrowing the set value candidates of each parameter to a value close to a current set value.
請求項6または7に記載されたメモリ制御システムにおけるメモリ制御方法であって、
前記簡易キャリブレーションは、調整するパラメータ数を制限して行うことを特徴とするメモリ制御システムにおけるメモリ制御方法。
A memory control method in a memory control system according to claim 6 or 7, comprising:
The memory control method in a memory control system, wherein the simple calibration is performed by limiting the number of parameters to be adjusted.
請求項6ないし10のいずれかに記載されたメモリ制御システムにおけるメモリ制御方法の各工程を、コンピュータに実行させるためのプログラム。   A program for causing a computer to execute each step of the memory control method in the memory control system according to claim 6. 請求項11に記載されたプログラムを記録したコンピュータに読み取り可能な記録媒体。   A computer-readable recording medium on which the program according to claim 11 is recorded.
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