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JP2011049378A - Multilayer substrate and electronic apparatus - Google Patents

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JP2011049378A
JP2011049378A JP2009196903A JP2009196903A JP2011049378A JP 2011049378 A JP2011049378 A JP 2011049378A JP 2009196903 A JP2009196903 A JP 2009196903A JP 2009196903 A JP2009196903 A JP 2009196903A JP 2011049378 A JP2011049378 A JP 2011049378A
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Abstract

【課題】多層基板内における電磁シールドを維持しつつ、柔軟なレイアウト設計を実現する。
【解決手段】
電磁シールド体Sは基板の下部にあるグランド多層のL3層,L2層を含む。L3層は、第1領域P1を残してベタ状に形成された第1グランド層32を備える。L2層は、平面視において前記第1領域P1を包摂し層の一部である第2領域Q1に、第1グランド層32と絶縁層16を挟んで形成された第2グランド層34を備える。そして、第1グランド層32と第2グランド層34とは、第1領域P1を取り囲むように並んでいる多数のスルーホール50により電気的に接続されている。
【選択図】図1
A flexible layout design is realized while maintaining an electromagnetic shield in a multilayer substrate.
[Solution]
The electromagnetic shield S includes a ground multilayer L3 layer and an L2 layer at the bottom of the substrate. The L3 layer includes a first ground layer 32 formed in a solid shape leaving the first region P1. The L2 layer includes a second ground layer 34 formed by sandwiching the first ground layer 32 and the insulating layer 16 in a second region Q1 that includes the first region P1 in a plan view and is a part of the layer. The first ground layer 32 and the second ground layer 34 are electrically connected by a large number of through holes 50 arranged so as to surround the first region P1.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は多層基板において不要な輻射をシールドする技術に関する。   The present invention relates to a technique for shielding unnecessary radiation in a multilayer substrate.

従来から、電源用や信号用の配線パターンを積層した多層基板がある。図6は、特許文献1で開示された多層プリント基板の断面図である。多層プリント基板では、信号層S1〜S4、電源層E1,E2、グランド層G1,G2が形成され、これらの配線パターンは絶縁層111〜117によって絶縁されている。そして、電源層E1,E2、信号層S2,S3を包み込むように、グランド層G1,G2の間がシールドG3により全面的に接続されている。これにより、電源−グランド層間で発生した電磁界を閉じ込め、外部への放射を抑制できるとしている。   Conventionally, there are multilayer substrates in which wiring patterns for power and signals are laminated. FIG. 6 is a cross-sectional view of the multilayer printed circuit board disclosed in Patent Document 1. In the multilayer printed board, signal layers S1 to S4, power supply layers E1 and E2, and ground layers G1 and G2 are formed, and these wiring patterns are insulated by insulating layers 111 to 117. The ground layers G1 and G2 are entirely connected by a shield G3 so as to enclose the power supply layers E1 and E2 and the signal layers S2 and S3. As a result, the electromagnetic field generated between the power source and the ground layer can be confined, and radiation to the outside can be suppressed.

特開2004-363347号公報JP 2004-363347 A

しかしながら、グランド層G1,G2は特定層を全て占有する形になっているため、多層基板のレイアウト設計上の制約となり得る。
本発明は、このような背景の下になされたものであって、多層基板内における電磁シールドを維持しつつ、より柔軟なレイアウト設計を実現できる技術を提供することを目的とする。
However, since the ground layers G1 and G2 occupy all the specific layers, it can be a restriction on the layout design of the multilayer board.
The present invention has been made under such a background, and an object thereof is to provide a technique capable of realizing a more flexible layout design while maintaining an electromagnetic shield in a multilayer board.

本発明に係る多層基板は、内部に配置された配線をシールドする電磁シールド体を含む多層基板であって、前記電磁シールド体は基板内にあるグランド多層を含み、前記グランド多層は、第1領域を囲むように形成された第1グランド層と、平面視において前記第1領域を包摂し層の一部である第2領域に、前記第1グランド層と絶縁層を隔てて形成された第2グランド層とから構成され、前記第1領域を取り囲むように並んでおり、前記第1グランド層と前記第2グランド層とを電気的に接続する複数のスルーホールを備えることを特徴とする。   The multilayer substrate according to the present invention is a multilayer substrate including an electromagnetic shield body that shields a wiring disposed therein, and the electromagnetic shield body includes a ground multilayer in the substrate, and the ground multilayer includes a first region. A first ground layer formed so as to surround the first ground layer, and a second region that includes the first region in plan view and is a part of the layer, with the first ground layer and the insulating layer being separated from each other. And a plurality of through-holes that are arranged so as to surround the first region and electrically connect the first ground layer and the second ground layer.

また、前記第2グランド層が形成された前記第2領域の外側の領域には、前記電磁シールド体の内部に配置された配線の動作周波数と比べてより低速な動作周波数の配線が配置されているとしても構わない。
また、前記電磁シールド体の内部に配置された配線は、高周波信号の配線を含み、前記複数のスルーホールの並びにおいて、前記第2グランド層に平行な方向における間隔は、前記高周波信号の前記絶縁層における波長の1/4以下であるとしても構わない。
In addition, in the region outside the second region where the second ground layer is formed, wiring having an operation frequency lower than that of the wiring disposed inside the electromagnetic shield body is disposed. It doesn't matter if you have.
In addition, the wiring disposed inside the electromagnetic shield body includes a high-frequency signal wiring, and the interval in the direction parallel to the second ground layer in the arrangement of the plurality of through holes is the insulation of the high-frequency signal. It does not matter even if it is 1/4 or less of the wavelength in the layer.

また、前記第2グランド層は、前記第2領域内の第3領域を囲むように形成されており、前記グランド多層は、さらに平面視において前記第3領域を包摂し層の一部である第4領域に、前記第2グランド層と絶縁層を隔てて形成された第3グランド層を含み、前記第3領域を取り囲むように並んでおり、前記第2グランド層と前記第3グランド層とを電気的に接続する複数のスルーホールを備えるとしても構わない。   The second ground layer is formed so as to surround the third region in the second region, and the ground multilayer further includes the third region in a plan view and is a part of the layer. The fourth region includes a third ground layer formed by separating the second ground layer and the insulating layer, and is arranged so as to surround the third region, and the second ground layer and the third ground layer are arranged. A plurality of through holes that are electrically connected may be provided.

また、本発明に係る電子機器は、前記多層基板を備える。   In addition, an electronic device according to the present invention includes the multilayer substrate.

本発明に係る多層基板によれば、多層基板内における電磁シールドを維持しつつ、より柔軟なレイアウト設計を実現することができる。   According to the multilayer substrate according to the present invention, a more flexible layout design can be realized while maintaining the electromagnetic shield in the multilayer substrate.

多層基板1を概念的に示す断面図である。1 is a sectional view conceptually showing a multilayer substrate 1. 多層基板1のL3層を概念的に示す平面図である。2 is a plan view conceptually showing an L3 layer of the multilayer substrate 1. FIG. 多層基板1のL2層を概念的に示す平面図である。2 is a plan view conceptually showing an L2 layer of the multilayer substrate 1. FIG. 多層基板2を概念的に示す断面図である。2 is a cross-sectional view conceptually showing a multilayer substrate 2. FIG. 多層基板2を概念的に示す平面図であり、(a)はL4層、(b)はL3層、(c)はL2層を示す。It is a top view which shows the multilayer substrate 2 notionally, (a) shows L4 layer, (b) shows L3 layer, (c) shows L2 layer. 従来(特許文献1)の多層プリント基板を概念的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows notionally the conventional multilayer printed circuit board (patent document 1).

(実施の形態1)
以下、図面を参照しながら実施の形態について説明する。
図1は実施の形態1に係る多層基板1を概念的に示す断面図である。
多層基板1は、一般的な携帯電話機の筐体に内蔵されている。特に、携帯電話機の筐体表面にある操作キー部分の直下に位置している。
(Embodiment 1)
Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a sectional view conceptually showing a multilayer substrate 1 according to the first embodiment.
The multilayer substrate 1 is built in a housing of a general mobile phone. In particular, it is located directly below the operation key portion on the surface of the casing of the mobile phone.

多層基板1は、表面からL6〜L1に至る6層と各層間に介在する絶縁層10,12,14,16,18とが順次積層されてなる。
各層間に介在する絶縁層10,12,14,16,18は、例えば、酸化シリコン(SiO)の材料から構成される。
L6〜L1の各層の構成は次の通りである。
The multilayer substrate 1 is formed by sequentially stacking six layers from the surface to L6 to L1 and insulating layers 10, 12, 14, 16, and 18 interposed between the layers.
The insulating layers 10, 12, 14, 16, 18 interposed between the respective layers are made of, for example, a silicon oxide (SiO 2 ) material.
The structure of each layer of L6 to L1 is as follows.

L6層は、LSI(Large Scale Integrated circuit)やキャパシタなどの各種電子部品20が実装され、また、デジタル信号用配線(高速バス・低速バス・各種信号)である配線層22を含んでいる。配線層22のデジタル信号用配線の材料としては、例えば、銅(Cu)やポリシリコンを用いる。
ここで高速バスとは、バスのクロック周波数が数十MHz以上といったものであり、例えば携帯電話機のカメラが撮影した画像の伝送路として用いられる。このような高速バスは、不要な輻射が放射されやすい。不要な輻射が携帯電話機のアンテナにまで達すると、受信感度や通話品質に悪影響をもたらす。
The L6 layer includes various electronic components 20 such as an LSI (Large Scale Integrated circuit) and a capacitor, and includes a wiring layer 22 that is a digital signal wiring (high-speed bus, low-speed bus, various signals). As a material for the digital signal wiring of the wiring layer 22, for example, copper (Cu) or polysilicon is used.
Here, the high-speed bus has a bus clock frequency of several tens of MHz or more, and is used, for example, as a transmission path for images taken by a mobile phone camera. Such a high-speed bus tends to emit unnecessary radiation. When unnecessary radiation reaches the antenna of the mobile phone, it adversely affects reception sensitivity and call quality.

これに対して、低速バスとは、バスのクロック周波数が数MHz以下といったものであり、高速バスと比べると不要な輻射の影響が比較的少ない。
また、L6層の表面は矩形状をしたシールド上蓋23で覆われており、シールド上蓋23によりL6層から上方向への輻射が遮蔽される。
L5層は、上記配線層22と同様なデジタル信号用配線である配線層24を含む。
In contrast, a low-speed bus has a bus clock frequency of several MHz or less, and is relatively less affected by unnecessary radiation than a high-speed bus.
The surface of the L6 layer is covered with a rectangular shield upper lid 23, and the shield upper lid 23 shields radiation from the L6 layer in the upward direction.
The L5 layer includes a wiring layer 24 that is a digital signal wiring similar to the wiring layer 22.

L4層は、上記配線層22と同様なデジタル信号用配線である配線層26を含む。
また、L6層からL3層へと貫通するスルーホール48が形成されている。スルーホール48は、上側がシールド上蓋23に電気的に接し、下側がL3層のグランド層32に電気的に接しており、L6層からL3層の間を、側方から取り囲むようにして多数形成されている。スルーホール48の直径は、例えば100μm程度である。また、スルーホール48のL6層を平面視したときにおける隣り合うスルーホール48どうしの間隔は、例えば2mm程度と、電磁波を外部に漏らさないように密な間隔で形成されている。
The L4 layer includes a wiring layer 26 that is a digital signal wiring similar to the wiring layer 22.
Further, a through hole 48 penetrating from the L6 layer to the L3 layer is formed. A large number of through-holes 48 are formed so that the upper side is in electrical contact with the shield upper lid 23 and the lower side is in electrical contact with the ground layer 32 of the L3 layer, and the L6 layer to the L3 layer are surrounded from the side. Has been. The diameter of the through hole 48 is, for example, about 100 μm. Further, when the L6 layer of the through hole 48 is viewed in plan, the interval between the adjacent through holes 48 is, for example, about 2 mm, and is formed with a close interval so as not to leak electromagnetic waves to the outside.

図2は、L3層を概念的に示す平面図である。図2のA−A線で切断した断面の一部分が図1に概ね対応しているが、寸法は精確には対応していない。
図2に示すように、L3層は、領域P1内に形成された配線層30と、この領域P1の残余部分である、大半な面にベタ状に形成されたグランド層32とを備える。
そして、領域P1の周縁部には領域P1を取り囲むようにして所定の間隔l(例えば、間隔lは2mm程度。)ごとに34個のスルーホール50が形成されている。スルーホール50は、例えば絶縁層16中にスルーホール用の穴を開けて、その穴に銅粉を埋め込むことにより形成されたものである。
FIG. 2 is a plan view conceptually showing the L3 layer. Although a part of the cross section cut along the line AA in FIG. 2 generally corresponds to FIG. 1, the dimensions do not correspond accurately.
As shown in FIG. 2, the L3 layer includes a wiring layer 30 formed in the region P1 and a ground layer 32 formed in a solid shape on the most surface, which is the remaining portion of the region P1.
Then, 34 through holes 50 are formed at predetermined intervals l (for example, the interval l is about 2 mm) so as to surround the region P1 at the peripheral edge of the region P1. The through hole 50 is formed, for example, by opening a hole for a through hole in the insulating layer 16 and embedding copper powder in the hole.

スルーホール50の直径は、例えば100μm〜200μm程度である。スルーホール50により、L3層のグランド層32とL2層のグランド層34とが電気的に接続されている。
図3は、L2層を概念的に示す平面図である。図2のB−B線で切断した断面の一部分が図1に概ね対応している。
The diameter of the through hole 50 is, for example, about 100 μm to 200 μm. Through the through hole 50, the ground layer 32 of the L3 layer and the ground layer 34 of the L2 layer are electrically connected.
FIG. 3 is a plan view conceptually showing the L2 layer. A part of a cross section taken along the line BB in FIG. 2 substantially corresponds to FIG.

図3に示すように、L2層は、L2層を平面視したときに(多層基板1を平面視したときに)、領域P1より一回り大きい大きさ(これはスルーホール50の面積を確保するためである。)の領域Q1に形成されたグランド層34と、上述した操作キーのキーマトリックス回路や低速バス用の配線層36、さらに上記グランド層34からは隔てて形成されたグランド層38を備える。   As shown in FIG. 3, the L2 layer has a size slightly larger than the region P1 when the L2 layer is viewed in plan (when the multilayer substrate 1 is viewed in plan) (this ensures the area of the through hole 50). The ground layer 34 formed in the region Q 1, the key matrix circuit for the operation keys and the wiring layer 36 for the low-speed bus, and the ground layer 38 formed separately from the ground layer 34. Prepare.

L1層は、上記配線層36と同様な操作キーのキーマトリックス回路や低速バス用の配線層38を含む。
図1に示すように、多層基板1においては、L6層の表面のシールド上蓋23、L6層からL3層までの側面のスルーホール48により配線層24,26,30などから放射される上方向や横方向への不要な輻射をシールドする。また、下方向への不要な輻射は、L3層のグランド層32の一部とL2層のグランド層34によりシールドする。さらに、34個のスルーホール50により、L3層のグランド層32とL2層のグランド層34とのすき間方向への不要な輻射をシールドすることができる。
The L1 layer includes a key matrix circuit of operation keys similar to the wiring layer 36 and a wiring layer 38 for a low-speed bus.
As shown in FIG. 1, in the multilayer substrate 1, the upper direction radiated from the wiring layers 24, 26, 30 and the like by the shield upper lid 23 on the surface of the L6 layer and the through holes 48 on the side surfaces from the L6 layer to the L3 layer Shield unwanted radiation in the horizontal direction. Further, unnecessary radiation downward is shielded by a part of the ground layer 32 of the L3 layer and the ground layer 34 of the L2 layer. Furthermore, the 34 through holes 50 can shield unnecessary radiation in the gap direction between the ground layer 32 of the L3 layer and the ground layer 34 of the L2 layer.

図1では、このような不要な輻射をシールドするシールド上蓋23、スルーホール48、グランド層32の一部、L2層のグランド層34、およびスルーホール50が接続された箱状の部分を電磁シールド体Sとして示している。
また、図2に示すように、従来のように、グランド層だけで特定層を全部占有することはなく、L3層のグランド層32に囲まれた領域である領域P1内には配線層30を設けることができるので、L3層を有効に活用できる。
In FIG. 1, a box-like portion to which the shield upper lid 23 for shielding such unnecessary radiation, the through hole 48, a part of the ground layer 32, the ground layer 34 of the L2 layer, and the through hole 50 is connected is electromagnetically shielded. Shown as body S.
Further, as shown in FIG. 2, the specific layer is not occupied entirely by the ground layer as in the prior art, and the wiring layer 30 is provided in the region P1 that is surrounded by the ground layer 32 of the L3 layer. Therefore, the L3 layer can be used effectively.

さらに、L2層においても、グランド層34の領域Q1以外の部分である領域R1には、配線層36やグランド層38を設けている。従来のようにグランド層だけで特定層を全部占有する場合と比べて、柔軟なレイアウト設計に貢献することができる。ひいては多層基板の薄型化や低コスト化への寄与も期待できる。
なお、上述のように、不要な輻射が放射されやすい高速バスなどは、電磁シールド体S内部に収容することが好ましい。これに対して不要な輻射の影響が少ない低速バスは電磁シールド体Sの外側に配するようにであっても構わない。上述のように本実施の形態によれば、柔軟なレイアウト設計できるため、電磁シールド体Sの内部に入れるべき高速バスを中に入れ込み、内部に入れる必要のない低速バスを外に出すように設計することが容易となる。
Further, also in the L2 layer, the wiring layer 36 and the ground layer 38 are provided in the region R1 which is a portion other than the region Q1 of the ground layer 34. Compared to the conventional case where all the specific layers are occupied only by the ground layer, it is possible to contribute to a flexible layout design. As a result, it can be expected to contribute to thinning and cost reduction of the multilayer substrate.
As described above, a high-speed bus that easily emits unnecessary radiation is preferably accommodated in the electromagnetic shield body S. On the other hand, a low-speed bus that is less affected by unnecessary radiation may be arranged outside the electromagnetic shield body S. As described above, according to the present embodiment, since a flexible layout design can be performed, the high-speed bus that should be put inside the electromagnetic shield body S is inserted inside, and the low-speed bus that does not need to be put inside is designed to go outside. Easy to do.

また、L2層とL3層とは電磁シールド体Sの下部(底部)を構成する層(グランド多層)となっていると言える。
(実施の形態2)
実施の形態1では、電磁シールド体Sの下部を構成するグランド多層がL2層とL3層の2層であったのに対して、本実施の形態2では、電磁シールド体Sの下部を構成するグランド多層をL4層〜L2層までの3層として、より多彩なレイアウトを可能にするものである。
Further, it can be said that the L2 layer and the L3 layer are layers (ground multilayer) constituting the lower part (bottom part) of the electromagnetic shield body S.
(Embodiment 2)
In the first embodiment, the ground multilayer constituting the lower part of the electromagnetic shield body S is two layers of the L2 layer and the L3 layer, whereas in the second embodiment, the lower part of the electromagnetic shield body S is constituted. The ground multilayer is composed of three layers from L4 layer to L2 layer, thereby enabling more various layouts.

図4は、実施の形態2に係る多層基板2を概念的に示す断面図である。グランド多層の構成が異なる以外は、図1に示した多層基板1と基本的には同様であるので、同じ部材に同じ符号を付して説明を省略する。なお、電磁シールド体S内には図示をしないが図1同様に配線層が形成されている。
図4に示すように、L6層からL4層へと貫通するスルーホール52が形成されている。スルーホール52は、上側がシールド上蓋23に電気的に接し、下側がL4層のグランド層62に電気的に接しており、L6層からL4層の間を、側方から取り囲むようにして多数形成されている。
FIG. 4 is a sectional view conceptually showing the multilayer substrate 2 according to the second embodiment. Since it is basically the same as the multilayer substrate 1 shown in FIG. 1 except that the configuration of the ground multilayer is different, the same members are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. In addition, although not illustrated in the electromagnetic shield body S, the wiring layer is formed like FIG.
As shown in FIG. 4, a through hole 52 penetrating from the L6 layer to the L4 layer is formed. A large number of through-holes 52 are formed so that the upper side is in electrical contact with the shield upper lid 23 and the lower side is in electrical contact with the ground layer 62 of the L4 layer, and the L6 layer to the L4 layer are surrounded from the side. Has been.

図5(a)に示すように、L4層では、領域P2の周縁部に領域P2を取り囲むようにして34個のスルーホール54が並べて形成されている。並んでいるスルーホール54の隣りどうしの間隔はスルーホール50(図2)同様に例えば2mm程度である。
図5(b)に示すように、L3層においては、領域Q2(領域P2より一回り大きい)にグランド層64が形成されている。グランド層64は領域Tの部分が中空となっている。つまり領域Q2は、領域Tを囲むという位置関係にある。
As shown in FIG. 5A, in the L4 layer, 34 through holes 54 are formed side by side so as to surround the region P2 in the peripheral portion of the region P2. The interval between adjacent through holes 54 is, for example, about 2 mm, similarly to the through hole 50 (FIG. 2).
As shown in FIG. 5B, in the L3 layer, the ground layer 64 is formed in the region Q2 (one size larger than the region P2). The ground layer 64 is hollow in the region T. That is, the region Q2 has a positional relationship of surrounding the region T.

この領域Tの周縁部には領域Tを取り囲むようにして10個のスルーホール56が、例えば2mm程度の間隔で並べて形成されている。
図5(c)に示すように、L2層においては、領域U(領域Tより一回り大きい)にグランド層66が形成されている。
多層基板2においては、シールド体Sにより内部の配線層などから放射される不要な輻射をシールドできる。内部から上方向や横方向への不要な輻射は、シールド上蓋23およびスルーホール52によりシールドする。また、下方向への不要な輻射は、L4層のグランド層62の一部とL3層のグランド層64、およびL2層のグランド層66によりシールドする。さらに、スルーホール54により、L4層のグランド層62とL3層のグランド層64とのすき間方向への不要な輻射をシールドし、また、スルーホール56により、L3層のグランド層64とL2層のグランド層66とのすき間方向への不要な輻射をシールドできる。
Ten through holes 56 are formed at the periphery of the region T so as to surround the region T, for example, at intervals of about 2 mm.
As shown in FIG. 5C, in the L2 layer, the ground layer 66 is formed in the region U (one size larger than the region T).
In the multilayer substrate 2, unnecessary radiation radiated from an internal wiring layer or the like can be shielded by the shield body S. Unnecessary radiation from the inside upward or laterally is shielded by the shield upper lid 23 and the through hole 52. Further, unnecessary downward radiation is shielded by a part of the ground layer 62 of the L4 layer, the ground layer 64 of the L3 layer, and the ground layer 66 of the L2 layer. Furthermore, unnecessary radiation in the gap direction between the ground layer 62 of the L4 layer and the ground layer 64 of the L3 layer is shielded by the through hole 54, and the ground layer 64 of the L3 layer and the L2 layer of the L2 layer are shielded by the through hole 56. Unwanted radiation in the gap direction with the ground layer 66 can be shielded.

実施の形態2の多層基板2によれば、電磁シールドを維持しつつ、領域P2のみならず領域Tにも配線層を設けることができるので、より柔軟なレイアウト設計に貢献できる。
<補足>
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記の内容に限定されず、本発明の目的とそれに関連又は付随する目的を達成するための各種形態においても実施可能であり、例えば、以下であっても構わない。
(1)図1などには特に示していないが、L6〜L1の層において電源層を含むようにしてもよいし、L6〜L4,L1などの層においても必要に応じてグランド層を含むようにしてもよい。
(2)領域P1の形状は図2に示したものに限られない。領域P1内に形成したい配線層の配線規模(本数、長さなど)によって変更され得る。
(3)領域Q1は、領域P1より一回り大きい大きさとして説明したが、多層基板1を平面視したときに領域Q1が領域P1を包み入れる(包摂する)大きさであれば、電磁シールド体Sの底部分としての役割を果たすことができる。
(4)グランド層32、グランド層34のグランド電位は、携帯電話機のアンテナのグラウンドラインと電気的に接続することで、同アンテナのグランドに相当する電位に設定すると、特にアンテナへの不要な輻射を防止できるため有効である。
(5)L3層のグランド層32に接続するグランド層はL2層に形成するとして説明したが、必ずしも絶縁層を挟んで隣接する層である必要はない。例えばL1層に形成して、L3層のグランド層とL1層のグランド層とをスルーホールで接続するとしても構わない。
(6)スルーホール50を並べる所定間隔l(エル)は、高速バスを含むことがある配線である配線層24,26,30などの高周波信号の波長の1/4以下、特に1/4に対して十分狭ければシールド効果が得られる。
According to the multilayer substrate 2 of the second embodiment, the wiring layer can be provided not only in the region P2 but also in the region T while maintaining the electromagnetic shield, which can contribute to a more flexible layout design.
<Supplement>
As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to said content, It can implement also in the various forms for achieving the objective of this invention, its related or incidental object, for example, The following may also be used.
(1) Although not particularly shown in FIG. 1 and the like, the power supply layer may be included in the L6 to L1 layers, and the ground layer may be included in the L6 to L4 and L1 layers as necessary. .
(2) The shape of the region P1 is not limited to that shown in FIG. It can be changed depending on the wiring scale (number, length, etc.) of the wiring layer to be formed in the region P1.
(3) The region Q1 has been described as having a size that is slightly larger than the region P1, but if the region Q1 is large enough to enclose (include) the region P1 when the multilayer substrate 1 is viewed in plan, the electromagnetic shield body It can serve as the bottom part of S.
(4) When the ground potential of the ground layer 32 and the ground layer 34 is set to a potential corresponding to the ground of the antenna by being electrically connected to the ground line of the antenna of the mobile phone, particularly unnecessary radiation to the antenna. It is effective because it can prevent.
(5) Although it has been described that the ground layer connected to the ground layer 32 of the L3 layer is formed in the L2 layer, the ground layer is not necessarily adjacent to the insulating layer. For example, it may be formed in the L1 layer, and the ground layer of the L3 layer and the ground layer of the L1 layer may be connected by a through hole.
(6) The predetermined interval l (L) for arranging the through holes 50 is ¼ or less, particularly ¼ of the wavelength of the high frequency signal of the wiring layers 24, 26, and 30 that are wirings that may include a high-speed bus. If it is narrow enough, a shielding effect can be obtained.

具体的には、高周波信号の波長λは、λ=C/{f・(εr1/2}(C:光速、f:周波数、εr:絶縁層の比誘電率)の式から求められる。
一例として、高周波信号の周波数fが2GHzであれば、εr=1とすると、上の式から波長λは150mmであるので、間隔lはその1/4の38mmに対して十分狭く設定することが好ましい。
(7)実施の形態では、携帯電話機内に搭載される多層基板1を例に挙げて説明したが、携帯電話機に限らず、各種電子機器(特にノイズが問題となりやすい通信機器)などに搭載される多層基板に適用することができる。
Specifically, the wavelength λ of the high-frequency signal is obtained from an equation of λ = C / {f · (ε r ) 1/2 } (C: speed of light, f: frequency, ε r : relative dielectric constant of the insulating layer). It is done.
As an example, if the frequency f of the high-frequency signal is 2 GHz, if ε r = 1, the wavelength λ is 150 mm from the above equation, so the interval l should be set sufficiently narrow with respect to ¼ of 38 mm. Is preferred.
(7) In the embodiment, the multilayer substrate 1 mounted in the mobile phone has been described as an example. However, the multilayer substrate 1 is not limited to the mobile phone and is mounted on various electronic devices (especially communication devices in which noise is likely to be a problem). It can be applied to a multilayer substrate.

本発明に係る多層基板は、自由度の高いレイアウト設計に寄与する。   The multilayer substrate according to the present invention contributes to a layout design with a high degree of freedom.

1 多層基板
10,12,14,16,18 絶縁層
24,26,30 配線層
32 グランド層(第1グランド層)
34 グランド層(第2グランド層)
50 スルーホール(複数のスルーホール)
L2 グランド多層うちの1層(図1,図4)
L3 グランド多層のうちの1層(図1,図4)
L4 グランド多層うちの1層(図4)
P1 領域(第1領域)
P2 領域(第1領域)
Q1 領域(第2領域)
Q2 領域(第2領域)
T 領域(第3領域)
U 領域(第4領域)
R1 領域(第2領域Q1を囲む領域)
S 電磁シールド体
l 間隔
1 Multilayer substrate 10, 12, 14, 16, 18 Insulating layer 24, 26, 30 Wiring layer 32 Ground layer (first ground layer)
34 Ground layer (second ground layer)
50 through holes (multiple through holes)
One of the L2 ground multilayers (Figures 1 and 4)
One of the L3 ground multilayers (Figures 1 and 4)
One of the L4 ground multilayers (Figure 4)
P1 area (first area)
P2 area (first area)
Q1 area (second area)
Q2 area (second area)
T region (third region)
U area (4th area)
R1 region (region surrounding the second region Q1)
S Electromagnetic shield body l Interval

Claims (5)

内部に配置された配線をシールドする電磁シールド体を含む多層基板であって、
前記電磁シールド体は基板内にあるグランド多層を含み、
前記グランド多層は、
第1領域を囲むように形成された第1グランド層と、
平面視において前記第1領域を包摂し層の一部である第2領域に、前記第1グランド層と絶縁層を隔てて形成された第2グランド層とから構成され、
前記第1領域を取り囲むように並んでおり、前記第1グランド層と前記第2グランド層とを電気的に接続する複数のスルーホール
を備えることを特徴とする多層基板。
A multilayer substrate including an electromagnetic shield body that shields wiring disposed inside,
The electromagnetic shield includes a ground multilayer in a substrate,
The ground multilayer is
A first ground layer formed so as to surround the first region;
The second region that includes the first region in a plan view and is a part of the layer is configured by a second ground layer that is formed by separating the first ground layer and the insulating layer,
A multilayer substrate comprising a plurality of through-holes arranged so as to surround the first region and electrically connecting the first ground layer and the second ground layer.
前記第2グランド層が形成された前記第2領域の外側の領域には、前記電磁シールド体の内部に配置された配線の動作周波数と比べてより低速な動作周波数の配線が配置されている
ことを特徴とする請求項1に記載の多層基板。
Wiring having a lower operating frequency than the operating frequency of the wiring arranged inside the electromagnetic shield body is arranged in a region outside the second region where the second ground layer is formed. The multilayer substrate according to claim 1.
前記電磁シールド体の内部に配置された配線は、高周波信号の配線を含み、
前記複数のスルーホールの並びにおいて、前記第2グランド層に平行な方向における間隔は、前記高周波信号の前記絶縁層における波長の1/4以下である
ことを特徴とする請求項1に記載の多層基板。
The wiring disposed inside the electromagnetic shield body includes high-frequency signal wiring,
2. The multilayer according to claim 1, wherein in the arrangement of the plurality of through holes, an interval in a direction parallel to the second ground layer is ¼ or less of a wavelength of the high-frequency signal in the insulating layer. substrate.
前記第2グランド層は、前記第2領域内の第3領域を囲むように形成されており、
前記グランド多層は、さらに
平面視において前記第3領域を包摂し層の一部である第4領域に、前記第2グランド層と絶縁層を隔てて形成された第3グランド層を含み、
前記第3領域を取り囲むように並んでおり、前記第2グランド層と前記第3グランド層とを電気的に接続する複数のスルーホール
を備えることを特徴とする請求項1に記載の多層基板。
The second ground layer is formed so as to surround a third region in the second region,
The ground multilayer further includes a third ground layer formed in a fourth region that includes the third region in a plan view and is a part of the layer with the second ground layer and the insulating layer separated from each other,
The multilayer substrate according to claim 1, further comprising a plurality of through holes that are arranged so as to surround the third region and electrically connect the second ground layer and the third ground layer.
上記請求項1から4のいずれか1項に記載の多層基板を備える電子機器。   An electronic device comprising the multilayer substrate according to any one of claims 1 to 4.
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