JP2011043575A - Optical modulator - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光通信システムに応用可能な光変調器に関する。 The present invention relates to an optical modulator applicable to an optical communication system.
近年、光通信システムにおける帯域利用効率の向上に向け、無線通信分野で用いられるような多値変調方式を光通信へ導入する検討が盛んに行われている。 In recent years, in order to improve the band utilization efficiency in an optical communication system, studies have been actively conducted to introduce a multi-level modulation method used in the field of wireless communication into optical communication.
多値変調方式の一つとして、信号空間ダイアグラム上で格子状に信号点を配置する直交振幅変調(Quadrature Amplitude Modulation: QAM)方式が挙げられる。非特許文献1では、64値のQAM変調(64QAM)を用いた光伝送が報告されている。データレート6 Gb/sに対し、シンボルレートは1 Gbaudとなるため信号スペクトル幅が2 GHzと小さく、高いスペクトル利用効率(3 bit/s/Hz)を実現している。また非特許文献2では、16値のQAM変調(16QAM)及び直交偏波多重を用いた、112 Gb/s × 10チャネルのWDM伝送が報告されている。16QAMと偏波多重によりシンボルレートは14 Gbaudとなるため、波長チャネル間隔わずか25 GHzの狭チャネル間隔伝送を成功させている。 As one of the multi-level modulation schemes, there is a quadrature amplitude modulation (QAM) scheme in which signal points are arranged in a lattice pattern on a signal space diagram. Non-Patent Document 1 reports optical transmission using 64-value QAM modulation (64QAM). Since the symbol rate is 1 Gbaud with respect to the data rate of 6 Gb / s, the signal spectrum width is as small as 2 GHz, and high spectrum utilization efficiency (3 bits / s / Hz) is realized. Non-Patent Document 2 reports 112 Gb / s × 10 channel WDM transmission using 16-level QAM modulation (16QAM) and orthogonal polarization multiplexing. Since the symbol rate is 14 Gbaud due to 16QAM and polarization multiplexing, narrow channel spacing transmission with a wavelength channel spacing of only 25 GHz has been successful.
このように多値変調を用いた光伝送実験については近年多数報告されているが、一般に多値の光変調信号を生成するためには、比較的構成の複雑な光変調器が必要となる。 As described above, a large number of optical transmission experiments using multilevel modulation have been reported in recent years. Generally, in order to generate a multilevel optical modulation signal, a relatively complex optical modulator is required.
図1は、非特許文献1及び2を含む多くの例において用いられている、ネスト型マッハツェンダ干渉計(Mach−Zehnder Interferometer; MZI)構成を用いた光変調器(従来例1)を示す図である。図1に示すように、従来例1の光変調器は、大きなMZI回路の各アームに高周波の信号電極12−1〜12−4を備えたMZI変調回路1及び2が埋め込まれた(ネストされた)形となっており、各MZI変調回路からの出力光信号が位相シフタ14−1及び14−2により相対位相を調整された後、光結合回路16により結合され出力される構成となっている。各MZI変調回路をプッシュプル駆動し、両者の出力光信号を強度比1:1、位相差90度で出力ポートへ結合させることで、MZI変調回路1の出力信号をI相、MZI変調回路2の出力信号をQ相とする出力信号を得ることができる。各MZI変調回路を2値の駆動電気信号でプッシュプル駆動すれば直交位相変調(Quadrature Phase−Shift Keying; QPSK)信号が得られるため、本構成はしばしばQPSK変調器とも呼ばれるが、各MZI変調回路を4値で駆動すれば16QAM信号(非特許文献2)、8値で駆動すれば64QAM信号(非特許文献3)を得ることもできるなど駆動方法によりさまざまな変調方式に対応できるため、光ベクトル変調器、光IQ変調器などと呼ばれる場合も多い。さらには単側波帯(Single Side−Band;SSB)変調器として用いることもできる。なお本実施例ではZカットLiNbO3(LN)基板上に変調器が形成されている。良く知られている通り、LN結晶は電気光学(Electro−Optic; EO)効果の一種であるポッケルス効果を有し、電界印加による高速な屈折率変調が可能であるため、光変調器の材料として充分な実用導入実績がある。
FIG. 1 is a diagram showing an optical modulator (conventional example 1) using a nested Mach-Zehnder Interferometer (MZI) configuration used in many examples including Non-Patent Documents 1 and 2. is there. As shown in FIG. 1, in the optical modulator of Conventional Example 1, MZI modulation circuits 1 and 2 having high-frequency signal electrodes 12-1 to 12-4 are embedded in each arm of a large MZI circuit (nested). The output optical signals from the respective MZI modulation circuits are combined and output by the
図2は、非特許文献3、4及び5で提案されている、さらに複雑な光変調器(従来例2)を示す図である。図2に示すように、従来例2の光変調器は、前記従来例1に示したネスト型MZI変調回路が2個並列集積された形となっている。各ネスト型MZI変調回路を2系統の2値電気信号により駆動しQPSK信号を出力させ、それらを強度比4:1(電界振幅比2:1)、位相差ゼロまたは90度で結合させると、図3に示すような信号空間ダイアグラム上でのベクトル合成により16QAM信号が得られる。図2に示す従来例2のような構成は、2値電気信号のみによる駆動で16QAM信号を生成でき、多値電気信号を用いる必要が無いため、高速駆動に有利である。また非特許文献4で詳しく論じられている通り、MZI変調回路をアーム間位相差+π〜−πを与えるような電圧振幅で2値プッシュプル駆動すれば、駆動電気信号ノイズに起因する光出力の揺らぎを最小限に抑え、シンボル間干渉を抑制することができるというメリットもある。なお非特許文献6に示される通り、この構成をさらに拡張しネスト型MZI変調回路をN個並列接続して各々をQPSK駆動し、それらの出力を相対位相ゼロまたは90度、強度比4N-1:4N-2:・・・:4:1(電界振幅比2N-1:2N-2:・・・:2:1)で結合させれば、4NQAM信号の生成が可能である。 FIG. 2 is a diagram showing a more complicated optical modulator (conventional example 2) proposed in Non-Patent Documents 3, 4 and 5. As shown in FIG. 2, the optical modulator of Conventional Example 2 has a configuration in which two nested MZI modulation circuits shown in Conventional Example 1 are integrated in parallel. When each nest type MZI modulation circuit is driven by two systems of binary electrical signals to output a QPSK signal and combined with an intensity ratio of 4: 1 (electric field amplitude ratio of 2: 1) and a phase difference of zero or 90 degrees, A 16QAM signal is obtained by vector synthesis on a signal space diagram as shown in FIG. The configuration as in Conventional Example 2 shown in FIG. 2 is advantageous for high-speed driving because a 16QAM signal can be generated by driving only with a binary electric signal and there is no need to use a multi-level electric signal. As discussed in detail in Non-Patent Document 4, if the MZI modulation circuit is binary push-pull driven with a voltage amplitude that gives the phase difference between arms + π to −π, the optical output caused by the drive electric signal noise can be reduced. There is also an advantage that fluctuations can be minimized and interference between symbols can be suppressed. As shown in Non-Patent Document 6, this configuration is further expanded and N nested MZI modulation circuits are connected in parallel and each of them is QPSK driven, and their outputs are zero relative phase or 90 degrees, intensity ratio 4 N- 1 : 4 N-2 : ...: 4: 1 (electric field amplitude ratio 2 N-1 : 2 N-2 : ...: 2: 1), 4 N QAM signal can be generated It is.
このように多値変調に用いられる光変調器においては、変調器内部で複数の光信号を所定の強度比及び相対位相で結合させる機能が必要となる。強度比及び相対位相は精確に調整されることが望ましい。ところが従来の技術では、相対位相の調整手段として位相シフタが設けられているものの、強度比の調整手段が具備されていなかった。図1に示した単独のネスト型光変調器においては、前述の通り相対強度は通常1:1として使用するため、例えば光軸(1×2カプラとして見た場合の入力ポートへ入射する光の進行方向)に対し線対称な構造を有するY字型カプラを用いれば比較的精度よく所望の強度比を得ることができ、強度比調整手段の必要性は必ずしも高くない。しかしながら、製造誤差による強度比ずれが大きい場合や、後述のように非対称な強度比(4:1など)で用いる場合等においては、強度比調整手段が備えられていることが望ましい。また、図2に示したようなさらに複雑な構成においては、一般に4:1など非対称な強度比に精度良く調整することが不可欠となる。非特許文献3では、一方のネスト型MZI変調回路を他方の1/2の電圧振幅で駆動することで出力光信号強度を75%減衰させ4:1の強度比を得ているが、この場合駆動電気信号の強度比調整が必要なため精確な調整は困難であり、またMZI変調回路をアーム間位相差+π/2〜−π/2の間で駆動することになるため非特許文献4に示されるようなシンボル間干渉の抑制効果も得られない。高精度な調整を可能にし、良好な出力信号を得るためには、駆動電圧振幅の減衰ではなく、変調器の光回路内に設けられた強度比調整手段を用いることが望ましい。 As described above, an optical modulator used for multilevel modulation needs to have a function of combining a plurality of optical signals with a predetermined intensity ratio and relative phase inside the modulator. It is desirable that the intensity ratio and the relative phase are accurately adjusted. However, in the conventional technique, although a phase shifter is provided as a relative phase adjusting means, an intensity ratio adjusting means is not provided. In the single nest type optical modulator shown in FIG. 1, since the relative intensity is usually set to 1: 1 as described above, for example, the optical axis (the light incident on the input port when viewed as a 1 × 2 coupler) is used. If a Y-shaped coupler having a line-symmetric structure with respect to the traveling direction) is used, a desired intensity ratio can be obtained with relatively high accuracy, and the necessity of intensity ratio adjusting means is not necessarily high. However, when the intensity ratio deviation due to a manufacturing error is large, or when used in an asymmetric intensity ratio (4: 1 or the like) as described later, it is desirable that an intensity ratio adjusting means is provided. In addition, in a more complicated configuration as shown in FIG. 2, it is indispensable to accurately adjust to an asymmetric intensity ratio such as 4: 1. In Non-Patent Document 3, the output optical signal intensity is attenuated by 75% by driving one nested MZI modulation circuit with a voltage amplitude of ½ of the other, and an intensity ratio of 4: 1 is obtained. Since it is necessary to adjust the intensity ratio of the drive electric signal, accurate adjustment is difficult, and the MZI modulation circuit is driven between the phase differences between arms + π / 2 to −π / 2. The effect of suppressing intersymbol interference as shown is not obtained. In order to enable high-precision adjustment and obtain a good output signal, it is desirable to use intensity ratio adjusting means provided in the optical circuit of the modulator instead of attenuation of the drive voltage amplitude.
図4(a)は、このような課題の解決手段として、特許文献1において提案されている、分岐比を調整可能な光分岐回路20を備えた光変調器の構成(従来例3)を示す図である。図4(b)は、分岐比を調整可能な光分岐回路20の詳細な構成を示す図である。特許文献1ではSSB変調器として用いることを想定しているが、回路構成は基本的に従来例1と同じネスト型MZI変調回路である。従来例3の光変調器の大きな特徴は、図5に示すような1枚のLN基板52と2枚の石英系平面光波回路(Planar Lightwave Circuit; PLC)基板50及び54の計3枚の基板の端面同士を直接接合したマルチチップ基板上に構成していることである。石英PLCはLNのようなEO効果は持たないが、伝播損失がLNより小さく、また熱光学(Thermo Optic; TO)効果や紫外線照射による石英ガラスの屈折率変化を利用した光路長の精確な調整が可能であることから、フィルタや光分岐、光結合といったパッシブな光回路を高精度、低損失かつコンパクトに作製するためのプラットフォームとして最適である。図4に示すように、従来例3の光変調器はLNとPLCの両基板プラットフォームの特長を生かした構成となっており、高速応答が要求されるMZI変調回路のアーム部分(信号電極24−1〜24−4を装荷された部分)をLN基板52上に、他の回路部分を全てPLC基板50及び54上に形成している。入力側のPLC基板(第1の基板)50上の光分岐部の各々を分岐比調整可能なMZI回路20−1〜20−3とすることで、それぞれ信号電極を装荷された4本のLN導波路(光変調手段)から出力ポートへ結合する光信号の強度比を精確に調整する手段を提供している。図4(b)に示すように、分岐比を調整可能なMZI回路20としては、片方の導波路アームに薄膜ヒータを装荷したTO位相シフタ204を設けた2×2のMZI回路を用いている。
FIG. 4A shows a configuration of an optical modulator (conventional example 3) provided with an
しかしながら上記従来例3のような強度比調整手段には、以下のような課題があった。 一般に分岐比を調整可能なMZI回路の光伝播方向(長手方向)サイズは、分岐比を調整することのできない単独の方向性結合器やY字型分岐回路と比べると、数mm〜1cm程度大きい。なぜならば、MZI回路はそもそも2個のカプラ(その各々は方向性結合器やY字型分岐回路)と2本のアームから構成され、各アームには相互の距離を十分大きくとるための展開部が必要であり、さらに分岐比を調整可能とするためアームには光路長を調整する部分(TO位相シフタや紫外線照射部分)を設ける必要がある。このようにサイズの大きいMZI回路を従来例3のように直列に接続してゆくと、回路サイズが増大してしまう。 However, the intensity ratio adjusting means as in Conventional Example 3 has the following problems. In general, the size of the light propagation direction (longitudinal direction) of an MZI circuit capable of adjusting the branching ratio is several mm to 1 cm larger than that of a single directional coupler or Y-shaped branching circuit in which the branching ratio cannot be adjusted. . This is because the MZI circuit is originally composed of two couplers (each of which is a directional coupler and a Y-shaped branch circuit) and two arms, and each arm has a development section for sufficiently increasing the mutual distance. In addition, in order to be able to adjust the branching ratio, it is necessary to provide the arm with a portion for adjusting the optical path length (a TO phase shifter or an ultraviolet irradiation portion). If such large MZI circuits are connected in series as in Conventional Example 3, the circuit size increases.
この影響は回路の集積度増大に伴い大きくなる。例えば、上記従来例2のような多値光変調器構成に、上記従来例3のアイディアを単純に適用した構成の光変調器が考えられる。 This effect increases as the degree of circuit integration increases. For example, an optical modulator having a configuration in which the idea of the conventional example 3 is simply applied to the multi-level optical modulator configuration as in the conventional example 2 can be considered.
図6(a)は、このような構成の光変調器(参考例1)の構成を示す図である。図6(b)は、参考例1の光変調器が備える分岐回路(分岐比を調整可能なMZI回路)の構成を示す図である。図6(a)に示すように、参考例1では、従来例3と同じくPLC−LN−PLCの3基板構成を採用し、従来例3に示されるネスト型MZI変調回路(分岐比を調整可能なMZI回路20−1〜20−6を含む)を2個並列接続した形態としている。さらに、入力ポートから各ネスト型MZI変調回路1及び2へ光を分岐する分岐回路20−7もまた分岐比を調整可能なMZI回路とし、その後段にそれぞれ位相調整のためのTO位相シフタ22−3及び22−6を配置している。すなわち参考例1の光変調器は、従来例3の光変調器を単純にさらに1段階スケールアップした構成である。このような構成とすることで、それぞれ信号電極24−1〜24−8を装荷された8本のLN導波路(光変調手段)から出力ポートへ結合する光信号の強度比を精確に調整することができる。従って、従来例2と同じく2値駆動による16QAM信号生成が可能で、かつ内部での光信号の強度比を精確に調整可能な多値光変調器を実現することができる。しかしながら、分岐比を調整可能なMZI回路が3段縦列接続されることになり、これらを全て(分岐比を調整できない)Y字型分岐等で構成した場合に比べ長手方向のサイズが数cm程度大きくなる。一般的なLN光変調器の長手方向基板サイズが10cm以下であることを考えると、これは無視できないサイズ増加である。 FIG. 6A is a diagram illustrating a configuration of the optical modulator having the above configuration (Reference Example 1). FIG. 6B is a diagram illustrating a configuration of a branch circuit (an MZI circuit capable of adjusting a branch ratio) included in the optical modulator of Reference Example 1. As shown in FIG. 6A, the reference example 1 adopts a PLC-LN-PLC three-substrate configuration as in the conventional example 3, and the nested MZI modulation circuit shown in the conventional example 3 (the branching ratio can be adjusted). Two MZI circuits 20-1 to 20-6) are connected in parallel. Further, the branch circuit 20-7 for branching light from the input port to each of the nested MZI modulation circuits 1 and 2 is also an MZI circuit capable of adjusting the branch ratio, and the TO phase shifter 22- 3 and 22-6 are arranged. In other words, the optical modulator of Reference Example 1 has a configuration in which the optical modulator of Conventional Example 3 is simply further scaled up by one stage. With such a configuration, the intensity ratio of the optical signal coupled to the output port from the eight LN waveguides (optical modulation means) loaded with the signal electrodes 24-1 to 24-8 is accurately adjusted. be able to. Therefore, a 16-QAM signal can be generated by binary driving as in Conventional Example 2, and a multi-level optical modulator capable of accurately adjusting the intensity ratio of the internal optical signal can be realized. However, MZI circuits that can adjust the branching ratio are connected in cascade in three stages, and the size in the longitudinal direction is about several centimeters compared to the case where all of these are configured with Y-shaped branches or the like (the branching ratio cannot be adjusted). growing. This is a non-negligible size increase considering that the longitudinal substrate size of a typical LN optical modulator is 10 cm or less.
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、複数の光変調回路を含み、各変調回路から出力され出力ポートへの結合する光信号の強度比を精確に調整する手段を有する集積型光変調器を、コンパクトに実現することである。 The present invention has been made in view of such problems, and an object thereof is to accurately adjust the intensity ratio of an optical signal output from each modulation circuit and coupled to an output port, including a plurality of optical modulation circuits. It is to realize an integrated optical modulator having means for compactly.
本発明は、このような目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、メイン入力ポートおよびメイン出力ポートを有する光変調器であって、nを2以上の整数とし、前記メイン入力ポートに入力された光信号をn本の出力ポートに分岐する光分岐手段と、n個の光変調手段と、mをnと等しい整数またはnよりも1少ない整数とし、m個の光強度調整手段と、n本の入力ポートに入力された光信号を結合させ前記メイン出力ポートに出力する光結合手段とを備え、iを1以上n以下の整数とし、前記光変調手段は、任意のiについて、前記光分岐手段のi番目の出力ポートと前記光結合手段のi番目の入力ポートとを結ぶ光路中に配置されており、jを1以上m以下の整数とし、前記光強度調整手段は、任意のjについて、前記光分岐手段のj番目の出力ポートとj番目の前記光変調手段とを結ぶ光路中またはj番目の前記光変調手段と前記光結合手段のj番目の入力ポートとを結ぶ光路中に配置されていることを特徴とする。 In order to achieve such an object, the present invention provides an optical modulator having a main input port and a main output port, wherein n is an integer of 2 or more, and the main input Optical branching means for branching an optical signal input to a port to n output ports, n optical modulation means, m is an integer equal to n or an integer less than n, and m light intensity adjustments And optical coupling means for combining optical signals input to n input ports and outputting the combined optical signals to the main output port, wherein i is an integer of 1 to n, and the optical modulation means is an arbitrary i Is arranged in an optical path connecting the i-th output port of the optical branching means and the i-th input port of the optical coupling means, j is an integer of 1 to m, and the light intensity adjusting means is , For any j, the optical branching hand In the optical path connecting the j-th output port and the j-th optical modulation means, or in the optical path connecting the j-th optical modulation means and the j-th input port of the optical coupling means. Features.
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の前記光強度調整手段の各々が、2本のアーム光導波路とそれらを結ぶ2個の光カプラからなり、前記アーム光導波路間の光路長差を調整することにより出力光の光強度を調整可能なマッハツェンダ回路であることを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, each of the light intensity adjusting means according to the first aspect includes two arm optical waveguides and two optical couplers connecting them, and the optical path length between the arm optical waveguides. It is a Mach-Zehnder circuit capable of adjusting the light intensity of output light by adjusting the difference.
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の前記マッハツェンダ回路が、前記2本のアーム光導波路の各々の光路長を互いに独立に調整することにより出力光の光強度及び光位相を任意に調整可能なマッハツェンダ回路であることを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, the Mach-Zehnder circuit according to the second aspect can arbitrarily adjust the optical intensity and optical phase of the output light by independently adjusting the optical path lengths of the two arm optical waveguides. It is a Mach-Zehnder circuit that can be adjusted to the above.
請求項4に記載の発明は、請求項2又は3に記載の前記光変調器がモニタ出力ポートを更に備え、前記マッハツェンダ回路は、前記メイン出力ポート及び前記モニタ出力ポートに接続される2本の出力ポートを有することを特徴とする。 According to a fourth aspect of the present invention, the optical modulator according to the second or third aspect further includes a monitor output port, and the Mach-Zehnder circuit is connected to the main output port and the monitor output port. It has an output port.
請求項5に記載の発明は、請求項1に記載の前記光変調手段の各々が高周波信号電極を装荷された直線導波路または単一のマッハツェンダ干渉計回路またはネスト型マッハツェンダ干渉計回路であることを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention, each of the optical modulation means according to the first aspect is a linear waveguide loaded with a high-frequency signal electrode, a single Mach-Zehnder interferometer circuit, or a nested Mach-Zehnder interferometer circuit. It is characterized by.
請求項6に記載の発明は、請求項1に記載の前記光変調器が、端面同士が直接接合された3枚の基板上に形成された平面光波回路からなり、第一及び第三の基板上に形成された平面光波回路が石英系ガラスからなり、第二の基板上に形成された平面光波回路が電界印加により屈折率または光吸収特性が変化する多元系酸化物、化合物半導体またはポリマからなり、前記光変調手段の各々が前記第二の基板上に形成された高速位相シフタを含み、前記光強度調整手段が前記第一または第三の基板上に形成され、前記光分岐手段が前記第一の基板上に形成され、前記光結合手段が前記第三の基板上に形成されていることを特徴とする。 According to a sixth aspect of the present invention, the optical modulator according to the first aspect comprises a planar lightwave circuit formed on three substrates whose end faces are directly bonded to each other, and the first and third substrates. The planar lightwave circuit formed on the substrate is made of silica glass, and the planar lightwave circuit formed on the second substrate is made of a multi-component oxide, compound semiconductor, or polymer whose refractive index or light absorption property changes when an electric field is applied. Each of the light modulation means includes a high-speed phase shifter formed on the second substrate, the light intensity adjusting means is formed on the first or third substrate, and the light branching means is the It is formed on a first substrate, and the optical coupling means is formed on the third substrate.
以上説明したように、本発明によれば、m個(n≧m≧n−1を満たす整数)の前記光強度調整手段により、n個(nはn≧2を満たす整数)の前記光変調手段から出力されメイン出力ポートへ結合する光信号の強度比を精確に調整することができ、且つj番目(jは1〜mの間の整数)の前記光強度調整手段は、任意のjについて、前記光分岐手段のj番目の出力ポートとj番目の前記光変調手段を結ぶ光路中もしくはj番目の前記光変調手段と前記光結合手段のj番目の入力ポートとを結ぶ光路中に配置されるため、前記光強度調整手段は全て並列に接続されることになり、強度比調整手段の直列接続による回路サイズ増大を回避しコンパクトな集積型光変調器を構成することができる。 As described above, according to the present invention, n (n is an integer satisfying n ≧ 2) light modulations by m (integers satisfying n ≧ m ≧ n−1). The intensity ratio of the optical signal output from the means and coupled to the main output port can be accurately adjusted, and the j-th (j is an integer between 1 and m) light intensity adjusting means , Disposed in the optical path connecting the jth output port of the optical branching means and the jth optical modulation means, or in the optical path connecting the jth optical modulation means and the jth input port of the optical coupling means. Therefore, the light intensity adjusting means are all connected in parallel, and an increase in circuit size due to the series connection of the intensity ratio adjusting means can be avoided, and a compact integrated optical modulator can be configured.
以下、図面を参照しながら本発明に係る光変調器の実施例について詳細に説明する。 以下に示す本発明の実施例において、光変調器の高速位相シフタを構成する材料としてはLNを用いる。但し本発明はこれに限られるものではなく、LNの代わりに同じくポッケルス効果を有するKTa1-xNbxO3やK1-yLiyTa1-xNbxO3などの多元系酸化物結晶、電界吸収(Electro−Absorption: EA)効果や量子閉じ込めシュタルク効果(Quantum Confined Stark Effect: QCSE)による屈折率または吸収係数の変調が可能なGaAs系やInP系の化合物半導体、クロモフォアなどのEO効果を有するポリマを用いることもできる。なお、以下に示す実施例ではLiNbO3の結晶軸方向はZカット、すなわち結晶の6回回転軸が基板面に垂直な基板を用いるものとするが、軸方向はXカットすなわち6回回転軸が基板面に平行で位相シフタ部分の導波路に垂直な基板を用いても良い。但しXカットを用いる場合は電界印加方向が異なるため、各実施例において参照する図面における位相シフタ電極(信号電極)の位置が異なる。 Hereinafter, embodiments of an optical modulator according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the following embodiments of the present invention, LN is used as a material constituting the high-speed phase shifter of the optical modulator. However, the present invention is not limited to this, and multi-element oxides such as KTa 1-x Nb x O 3 and K 1-y Li y Ta 1-x Nb x O 3 which also have the Pockels effect instead of LN. EO effects such as crystal, electro-absorption (EA) effect and quantum confined Stark effect (Quantum Confined Stark Effect: QCSE) that can modulate the refractive index or absorption coefficient of GaAs or InP compound semiconductors, chromophores, etc. It is also possible to use a polymer having In the examples shown below, the crystal axis direction of LiNbO 3 is Z-cut, that is, a substrate whose crystal rotation axis is perpendicular to the substrate surface is used, but the axis direction is X-cut, that is, the six-rotation axis is A substrate parallel to the substrate surface and perpendicular to the waveguide of the phase shifter portion may be used. However, since the electric field application direction is different when X cut is used, the position of the phase shifter electrode (signal electrode) in the drawings referred to in each embodiment is different.
また、以下に示す実施例においては、端面同士が直接接合された3枚の基板上に形成された平面光波回路により光変調器を構成している。第一の基板及び第三の基板はシリコン基板上にSiO2を主成分とするガラスからなる光導波路が形成されたPLCである。光導波路は、コアが方形でクラッド中に埋め込まれている埋め込み型で、コアとクラッドとの比屈折率差が1.5%のものを用いている。第二の基板はLN基板であり、この上に光導波路が形成されている。なお、本発明の効果は上記の基板種類に限定されるものではなく、第二の基板としては前述の通り他の多元系酸化物や化合物半導体、EOポリマなどを用いることができ、また第一及び第三の基板としても石英基板上の石英系導波路や、シリコン導波路、ポリマ導波路など他の材料からなる低損失な導波路の基板を用いることもできる。石英系光導波路はLNのようなEO効果を持たないが、分岐、カプラ、曲げ、フィルタなど低損失かつ小型な様々なパッシブ光回路を構成することができ、光スプリッタや光合分波器として充分な実用導入実績がある。実際、Ti拡散LN導波路は伝播損失が0.3dB/cm程度、最小曲げ半径が数cm程度であるのに対し、石英系導波路は伝播損失0.01dB/cm程度もしくはそれ以下、また非屈折率差1.5%の場合の最小曲げ半径は1.5mmであり、いずれもLN導波路より優れている。3基板構成の基本的なコンセプトは、異種基板を接合した構成とすることで、各導波路材料のもつ特徴をそれぞれ生かすことである。すなわち、高速な応答が要求される変調器の位相シフタ部分にはLN導波路を用い、高速応答は要求されないが小型で低損失であることが求められる変調器の分岐、合波や位相調整を担う部分については石英系PLCを用いることで、全体として高性能な光変調器を実現している。図5は、基板同士の接続を表す斜視図である。2枚の石英系PLC基板の間にLN基板が挟まれた構成となっており、各基板は紫外線硬化型接着剤を用いて端面接続されている。第一及び第三の基板にはそれぞれ入力光ファイバ及び出力光ファイバが接続されている。第二の基板上のTi拡散LN導波路はスポットサイズ約3.6μmのものを用い、また第一及び第三の石英系導波路の端面部ではスポットサイズ変換導波路を用いてスポットサイズをLN導波路と整合させており、これにより結合損失は平均0.2dB、損失ばらつき0.1dB以内と非常に良好な光結合が得られている。またこの端面接続の方法は、信頼性も含め十分な実績のある光導波回路基板と光ファイバーアレイとを接続する方法と技術的に等しいため、同じく十分な信頼性を有する。なお、以下の実施例では全て、LN基板上には信号電極を装荷された直線導波路のみが配置され、カプラ等他の回路要素は全てPLC上に配置されているが、本発明の適用範囲はこのような構成に限られるものではない。例えば、LN基板上に、それぞれ2個のY字型カプラとそれらを結ぶ2本のアーム導波路からなるMZI変調回路がアレイ状に並び、それ以外の回路部分がPLC上に形成された構成も可能である。 In the embodiments described below, the optical modulator is constituted by a planar lightwave circuit formed on three substrates whose end faces are directly bonded to each other. The first substrate and the third substrate are PLCs in which an optical waveguide made of glass mainly composed of SiO 2 is formed on a silicon substrate. The optical waveguide is an embedded type in which the core is rectangular and embedded in the clad, and the relative refractive index difference between the core and the clad is 1.5%. The second substrate is an LN substrate, on which an optical waveguide is formed. The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned substrate types, and as described above, other multi-element oxides, compound semiconductors, EO polymers, etc. can be used as the second substrate. As the third substrate, a quartz substrate on a quartz substrate, a substrate of a low-loss waveguide made of another material such as a silicon waveguide, a polymer waveguide, or the like can be used. Quartz-based optical waveguides do not have the EO effect of LN, but can form various low-loss and small passive optical circuits such as branches, couplers, bends, and filters, and are sufficient as optical splitters and optical multiplexers / demultiplexers Has a practical introduction record. Actually, the Ti diffusion LN waveguide has a propagation loss of about 0.3 dB / cm and a minimum bending radius of about several cm, whereas the quartz-based waveguide has a propagation loss of about 0.01 dB / cm or less, and non- When the refractive index difference is 1.5%, the minimum bending radius is 1.5 mm, which is superior to the LN waveguide. The basic concept of the three-substrate configuration is to make use of the characteristics of each waveguide material by combining different substrates. In other words, an LN waveguide is used for the phase shifter portion of a modulator that requires a high-speed response, and branching, multiplexing, and phase adjustment of a modulator that does not require high-speed response but is required to be small and have low loss. As for the responsible portion, a quartz PLC is used to realize a high-performance optical modulator as a whole. FIG. 5 is a perspective view showing the connection between the substrates. An LN substrate is sandwiched between two quartz PLC substrates, and each substrate is end-face connected using an ultraviolet curable adhesive. An input optical fiber and an output optical fiber are connected to the first and third substrates, respectively. The Ti diffusion LN waveguide on the second substrate has a spot size of about 3.6 μm, and the end size of the first and third quartz-based waveguides uses a spot size conversion waveguide to change the spot size to LN. Matching with the waveguide, the coupling loss is 0.2 dB on average and the loss variation is within 0.1 dB, so that very good optical coupling is obtained. Further, this end face connection method is technically equivalent to a method of connecting an optical waveguide circuit substrate and an optical fiber array, which have a sufficient track record including reliability, and therefore has sufficient reliability. In all of the following embodiments, only the straight waveguide loaded with signal electrodes is arranged on the LN substrate, and all other circuit elements such as couplers are arranged on the PLC. Is not limited to such a configuration. For example, an MZI modulation circuit comprising two Y-shaped couplers and two arm waveguides connecting the two Y-shaped couplers is arranged in an array on the LN substrate, and other circuit portions are formed on the PLC. Is possible.
さらには、以下に示す実施例では、調整可能なMZI回路としてアームにTO位相シフタを備えたPLC回路を用いているが、TO位相シフタを備えないMZI回路を用い、紫外線照射によって調整を行うことも可能である。 Furthermore, in the embodiment shown below, a PLC circuit having a TO phase shifter on an arm is used as an adjustable MZI circuit, but an MZI circuit not having a TO phase shifter is used, and adjustment is performed by ultraviolet irradiation. Is also possible.
(第一の実施例)
図7(a)は、本発明の第一の実施例である集積型光変調器の構成を示す図である。図7(a)に示す光変調器は、石英系PLC基板50と、LN基板52と、石英系PLC基板54とを備える。
(First embodiment)
FIG. 7A is a diagram showing a configuration of an integrated optical modulator according to the first embodiment of the present invention. The optical modulator shown in FIG. 7A includes a
石英系PLC基板50上には、1×2カプラ21−1〜21−7と、調整可能なMZI回路30−1〜30−8とが配置されている。
On the
1×2カプラ21−1〜21−7は3段に直列に接続され、1つの入力ポートと8つの出力ポートを有する光分岐回路(光分岐手段)を構成する。また、一段目の1×2カプラ21−1と2段目の1×2カプラ21−2〜21−3との間及び二段目の1×2カプラ21−2〜21−3と3段目の1×2カプラ21−4〜21−7との間には、位相調整のためのTO位相シフタ22−1〜22−6を配置している。光分岐回路の出力ポートと後述する光変調手段とを結ぶ光路には、調整可能なMZI回路(光強度調整手段)30−1〜30−8が並列に配置されている。 The 1 × 2 couplers 21-1 to 21-7 are connected in series in three stages, and constitute an optical branch circuit (optical branch means) having one input port and eight output ports. Further, the first stage 1 × 2 coupler 21-1 and the second stage 1 × 2 couplers 21-2 to 21-3 and the second stage 1 × 2 couplers 21-2 to 21-3 and the third stage Between the 1 × 2 couplers 21-4 to 21-7 of the eye, TO phase shifters 22-1 to 22-6 for phase adjustment are arranged. Adjustable MZI circuits (light intensity adjusting means) 30-1 to 30-8 are arranged in parallel on the optical path connecting the output port of the optical branching circuit and the light modulating means described later.
石英系PLC基板54上には、2×1カプラ26−1〜26−7が配置されている。2×1カプラ26−1〜26−7は3段に直列に接続され、8つの入力ポートと1つの出力ポートを有する光結合回路(光結合手段)を構成する。光結合回路の各入力ポートには、後述する光変調手段がそれぞれ接続されている。
2 × 1 couplers 26-1 to 26-7 are arranged on the
LN基板52上には、8本の直線導波路が配置されている。8本の直線導波路には各々信号電極24−1〜24−8が装荷されている。信号電極が装荷された直線導波路はLN基板と共に光変調手段を構成する。すなわち、本実施例の光変調器は、8個の光変調手段を有する。
On the
図7(b)は、光の強度の減衰量を調整可能なMZI回路30の構成を示す図である。図7(b)に示す調整可能なMZI回路30は、1×2カプラ208と、2×1カプラ210と、1×2カプラ208の出力ポートと2×1カプラ210の入力ポートを接続する2本のアーム導波路の一方に設けられたTO位相シフタ204とを備えた1×1のMZI回路である。調整可能なMZI回路30は、1×2カプラ208の入力ポートが石英系PLC基板50上の光分岐回路の出力ポートに接続され、2×1カプラ210の出力ポートがLN基板52上の光変調手段に接続され、光変調手段から出力される光強度を調整する光強度調整手段を構成する。すなわち、本実施例の光変調器は、8個の光強度調整手段を有し、これらを用いて、8個の光変調手段から出力される光の強度比をそれぞれ調整する強度比調整手段を構成する。
FIG. 7B is a diagram illustrating a configuration of the
1×2カプラ(21−2、21−4,21−5)、TO位相シフタ(22−1,22−2)、調整可能なMZI回路(30−1〜30−4)、光変調手段(信号電極24−1〜24−4を含む)及び2×1カプラ(26−1〜26−3)はネスト型MZI変調回路1を構成し、1×2カプラ(21−3、21−6,21−7)、TO位相シフタ(22−4,22−5)、調整可能なMZI回路(30−5〜30−8)、光変調手段(信号電極24−5〜24−8を含む)及び2×1カプラ(26−4〜26−6)はネスト型MZI変調回路2を構成する。 1 × 2 coupler (21-2, 21-4, 21-5), TO phase shifter (22-1 and 22-2), adjustable MZI circuit (30-1 to 30-4), light modulation means ( Signal electrodes 24-1 to 24-4) and 2 × 1 couplers (26-1 to 26-3) constitute a nested MZI modulation circuit 1, and 1 × 2 couplers (21-3, 21-6, 21-6). 21-7), TO phase shifters (22-4, 22-5), adjustable MZI circuits (30-5 to 30-8), light modulation means (including signal electrodes 24-5 to 24-8) and The 2 × 1 couplers (26-4 to 26-6) constitute a nested MZI modulation circuit 2.
本実施例の光変調器は、前記参考例1と同じく、ネスト型MZI変調回路が2個並列に集積されており、強度比調整手段として強度減衰量を調整可能なMZI回路を備えた形態となっているが、その配置を工夫することで回路サイズを低減している。 The optical modulator of the present embodiment, like the first reference example, has a configuration in which two nested MZI modulation circuits are integrated in parallel and includes an MZI circuit capable of adjusting intensity attenuation as intensity ratio adjusting means. However, the circuit size is reduced by devising the arrangement.
本実施例では、光分岐回路及び光結合回路は全て(分岐比を調整できない)1×2のY字型カプラ(21−1〜21−7)及び2×1のY字型カプラ(26−1〜26−7)で構成され、入力ポート側PLC50の3段直列接続された1×2カプラによる1×8の光分岐手段の8本の出力ポートと、それぞれ信号電極を装荷された8本のLN基板上の導波路(光変調手段)を結ぶ光路中にそれぞれ調整可能なMZI回路(光強度調整手段)が配置されている。すなわち調整可能なMZI回路は全て並列に配置されている。このような配置とすることで、参考例1と同様、各光変調手段から出力ポートへ結合する光信号の強度比の精確な調整を可能としつつ、回路サイズを縮小することができる。なぜならば、参考例1では入力ポート側のPLC基板内で長手方向に調整可能なMZI回路が3段直列に並んでいたのに対し、本実施例ではそれと同等な機能が出力ポート側PLC基板内で長手方向に並んだ3段のY字型カプラと1段の調整可能なMZIで実現されている。Y字型カプラの長手方向サイズは展開部を除き一般に数百μm〜1mm程度であるのに対し、調整可能なMZI回路の長手方向サイズは展開部を除き一般に4mm〜1cm程度であるため、本実施例の構成により参考例1に対して数mm〜数cm程度の長手方向サイズの縮小が可能となる。
In this embodiment, all of the optical branching circuit and the optical coupling circuit (the branching ratio cannot be adjusted) are 1 × 2 Y-shaped couplers (21-1 to 21-7) and 2 × 1 Y-shaped couplers (26− 1 to 26-7), 8 output ports of 1 × 8 optical branching means by 1 × 2 coupler connected in series in three stages of input
(第二の実施例)
図8(a)は、本発明の第二の実施例である集積型光変調器の構成を示す図である。
図8(a)に示す光変調器は、石英系PLC基板50と、LN基板52と、石英系PLC基板54とを備える。
(Second embodiment)
FIG. 8A is a diagram showing a configuration of an integrated optical modulator according to the second embodiment of the present invention.
The optical modulator shown in FIG. 8A includes a
石英系PLC基板50上には、1×2カプラ21−1〜21−7が配置されている。1×2カプラ21−1〜21−7は3段に直列に接続され、このうちの1段目の1×2カプラ21−1と2段目の1×2カプラ21−2及び21−3とが、1つの入力ポートと4つの出力ポートを有する光分岐回路(光分岐手段)を構成する。
On the
石英系PLC基板54上には、2×1カプラ26−1〜26−7が配置されている。2×1カプラ26−1〜26−7は3段に直列に接続され、このうち2段目の2×1カプラ26−5及び26−6と3段目の2×1カプラ26−7とが、4つの入力ポートと1つの出力ポートを有する光結合回路(光結合手段)を構成する。1段目の2×1カプラ26−1〜26−4の出力ポートと2段目のカプラ26−5及び26−6の入力ポート(光結合回路の入力ポート)との間には、後述する光の減衰量を調整可能なMZI回路40−1〜40−4が並列に配置されている。
2 × 1 couplers 26-1 to 26-7 are arranged on the
LN基板52上には、8本の直線導波路が配置されている。8本の直線導波路には各々信号電極24−1〜24−8が装荷されている。信号電極が装荷された8本の直線導波路のうち隣り合う2本は、その両端の1×2カプラ21及び2×1カプラ26と共に光変調手段を構成する。具体的には、1×2カプラ21−4、直線導波路(信号電極24−1,24−2を含む)及び2×1カプラ(26−1)はMZI変調回路1を構成し、1×2カプラ21−5、直線導波路(信号電極24−3,24−4を含む)及び2×1カプラ(26−2)はMZI変調回路2を構成する。同様に、1×2カプラ21−6、直線導波路(信号電極24−5,24−6を含む)及び2×1カプラ(26−3)はMZI変調回路3を構成し、1×2カプラ21−7、直線導波路(信号電極24−7,24−8を含む)及び2×1カプラ(26−4)はMZI変調回路4を構成する。4つのMZI変調回路(光変調手段)は、光結合回路の入力ポートに接続されている。光結合回路の出力ポートと光変調手段とを結ぶ光路には、それぞれ調整可能なMZI回路(光強度調整手段)30−1〜30−8が配置されている。
On the
図8(b)は、調整可能なMZI回路40の構成を示す図である。図8(b)に示す調整可能なMZI回路40は、2×2 3dBカプラ202と、2×2 3dBカプラ206と、2×2カプラ202の出力ポートと2×2カプラ206の入力ポートを接続する2本のアーム導波路にそれぞれ設けられたTO位相シフタ204−1及び204−2とを備えた2×2のMZI回路である。調整可能なMZI回路40は、2×2カプラ202の入力ポートの1つが1段目の2×1カプラ26の出力ポートに接続され、2×2カプラ206の出力ポートの1つが2段目の2×1カプラ26の入力ポートに接続される。調整可能なMZI回路40の2×2カプラ206の出力ポートの他の1つがモニターポートとして使用される。すなわち、本実施例の光変調器は、4個の光強度調整手段を有し、これらを用いて、各光変調手段から出力される光の強度比を調整する強度比調整手段を構成する。
FIG. 8B is a diagram illustrating a configuration of the
本実施例の光変調器の構成は、前記実施例1と同じネスト型MZI変調回路を2個並列集積した集積型光変調器だが、以下4つの点でさらなる工夫を加えている。 The configuration of the optical modulator of the present embodiment is an integrated optical modulator in which two nested MZI modulation circuits, which are the same as those of the first embodiment, are integrated in parallel, but further improvements are added in the following four points.
1点目は、調整可能なMZI回路を入力ポート側ではなく出力ポート側のPLCに備えている点である。光強度の調整は入力ポート側、出力ポート側どちらで行っても本質的に変わりはないが、後者の方が後に述べるモニタ光取り出し機能を付加する場合に回路レイアウト上有利となる。 The first point is that an adjustable MZI circuit is provided in the PLC on the output port side instead of the input port side. The adjustment of light intensity is essentially the same regardless of whether it is performed on the input port side or the output port side, but the latter is advantageous in terms of circuit layout when a monitor light extraction function described later is added.
2点目は、光の減衰量を調整可能なMZI回路が、LN基板上の導波路の直後ではなく、2本のLN基板上の導波路と2個のPLC上のY字型カプラからなるMZI変調回路(本実施例における光変調手段)の直後に配置されている点である。前述の通り、MZI変調回路はアーム間位相差+π〜−πを与えるような電圧振幅で2値プッシュプル駆動すれば、駆動電気信号ノイズに起因する光出力の揺らぎを最小限に抑え、シンボル間干渉を抑制することができるが、この効果が得られるのはMZI変調回路内で各アームから出力ポートに結合する光信号強度比が1:1の場合である。光信号強度比1:1を精度よく実現することは比較的容易であり、本実施例のように光軸(1×2カプラとして見た場合の入力ポートへ入射する光の進行方向)に対し線対称な構造を有するY字型カプラを2個用いるか、結合率がほぼ3dBである2×2方向性結合器やマルチモード干渉(Multimode Interference: MMI)カプラを2個用い、MZI変調回路としての入力ポートと出力ポートをクロス配置(入力側と出力側のカプラの中心を結ぶ直線に対し、入力ポートと出力ポートが互いに異なる側となる配置)とすればよく、MZI変調回路の内部での光強度調整の必要性は必ずしも高くない。このことから本実施例では、MZI変調回路の外部に調整可能なMZI回路40を設ける構成とした。これにより調整可能なMZI回路の総数は、実施例1では8個であったのに対し、本実施例では4個に削減されている。なお直列に接続されたY分岐及びMZI回路の段数は実施例1と同じであるため、コンパクトに回路を構成できる点は変わらない。
The second point is that the MZI circuit capable of adjusting the amount of light attenuation is not immediately after the waveguide on the LN substrate, but is composed of two waveguides on the LN substrate and two Y-shaped couplers on the PLC. The point is that it is arranged immediately after the MZI modulation circuit (the light modulation means in this embodiment). As described above, if the binary push-pull drive is performed with a voltage amplitude that gives the phase difference between arms + π to −π, the MZI modulation circuit minimizes the fluctuation of the optical output caused by the drive electric signal noise, and between the symbols. Although interference can be suppressed, this effect is obtained when the ratio of the intensity of the optical signal coupled from each arm to the output port in the MZI modulation circuit is 1: 1. It is relatively easy to accurately realize the optical signal intensity ratio of 1: 1, and the optical axis (the traveling direction of light incident on the input port when viewed as a 1 × 2 coupler) as in this embodiment. Two Y-shaped couplers having a line-symmetric structure are used, or two 2 × bidirectional couplers having a coupling rate of about 3 dB and two multimode interference (MMI) couplers are used as an MZI modulation circuit. The input port and the output port of the MZI modulation circuit may be arranged in a cross arrangement (an arrangement in which the input port and the output port are different from each other with respect to the straight line connecting the centers of the couplers on the input side and the output side). The necessity for light intensity adjustment is not necessarily high. Therefore, in this embodiment, an
3点目は、調整可能なMZI回路40において、TO位相シフタを片アームではなく両アームに配置している点である。これにより、1個の調整可能なMZI回路40によって光強度に加え光位相の調整機能も兼ねることができるため、MZI回路外に独立に位相シフタを設ける必要が無く、更なる回路サイズ削減が可能となる。TO位相シフタの長手方向サイズは一般に数mm以下であるため、従来例1に対する回路サイズ削減効果は数mm以下程度である。以下に、図8(b)に示す両アームTO位相シフタ付きMZI回路40によって光強度と位相の両方の調整機能を兼ねられる理由について説明する。2個の2×2の3dBカプラ202及び206とそれらを結ぶ2本のアームからなるMZI回路において、各アームのTO位相シフタ204−1,204−2で与えられる光位相遅延量をそれぞれφ1、φ2とする。強度1の光が入力されたとき、クロス配置における出力光電界は
The third point is that in the
となる。すなわち出力光強度はΔφの関数であり、出力光位相はφavgの関数である。両アームのTO位相シフタを用いればΔφ、φavgは互いに独立に制御できるため、出力光強度及び位相を任意に設定することができる。なおTO位相シフタへの印加電力がゼロのときφ1=0、φ2=0とすると、ヒータ制御であるためφ1≧0、φ2≧0である。 It becomes. That is, the output light intensity is a function of Δφ, and the output light phase is a function of φ avg . If the TO phase shifters of both arms are used, Δφ and φ avg can be controlled independently of each other, so that the output light intensity and phase can be arbitrarily set. If φ 1 = 0 and φ 2 = 0 when the applied electric power to the TO phase shifter is zero, φ 1 ≧ 0 and φ 2 ≧ 0 because of heater control.
4点目は、調整可能なMZI回路40の出力側の2ポートのうち1ポート(クロス側)をメイン出力ポート、他の1ポート(スルー側)をモニタ出力ポートとして用いている点である。モニタ出力ポートはそのままPLCチップ端部まで引き出されており、ここへ光ファイバを接続することでモニタ光を取り出すことができる。これにより、各MZI変調回路の光出力を個別にモニタすることができ、DCバイアスや駆動信号の電圧振幅等の調整を行うことができる。すなわち本実施例においては、調整可能なMZI回路40が光強度調整、光位相調整、及びモニタ用タップの3役を兼ねている。なおモニタ光を回路外部へ取り出す手段としては、上記の他に例えば45度ミラーを用いてPLC基板54の垂直上方へ取り出す方法も考えられる。
The fourth point is that, of the two ports on the output side of the
以上の通り、本実施例では十分な数の強度比調整手段を有しつつ、コンパクトで、かつ各光変調回路をモニタする手段も備えた集積型光変調器を実現している。 As described above, the present embodiment realizes an integrated optical modulator that has a sufficient number of intensity ratio adjusting means, is compact, and includes means for monitoring each optical modulation circuit.
なお本実施例に示した変調器は、図3に示した従来例2と同じ駆動原理で16QAM変調信号を生成できるだけでなく、例えば図9に示す通り各MZI変調回路から出力ポートへ結合する光信号強度比を16:4:1:0(電界強度比4:2:1:0)とし相対位相を全てゼロとすることで4値強度変調(4−level Amplitude−Shift Keying:4ASK)と2値位相変調(Binary Phase−Shift Keying:BPSK)を組み合わせた4ASK−BPSK変調信号を生成することもできる。当然ながら、同様の駆動は前記実施例1の構成でも可能である。 The modulator shown in the present embodiment can not only generate a 16QAM modulation signal on the same driving principle as the conventional example 2 shown in FIG. 3, but also, for example, optical signals coupled from each MZI modulation circuit to the output port as shown in FIG. The signal intensity ratio is 16: 4: 1: 0 (electric field intensity ratio 4: 2: 1: 0), and the relative phases are all zero, whereby four-level intensity modulation (4-ASK) and 2 A 4ASK-BPSK modulation signal combined with binary phase-shift keying (BPSK) can also be generated. Of course, the same driving is possible with the configuration of the first embodiment.
(第三の実施例)
図10(a)は、本発明の第三の実施例である集積型光変調器の構成を示す図である。図10(a)に示す光変調器は、石英系PLC基板50と、LN基板52と、石英系PLC基板54とを備える。
(Third embodiment)
FIG. 10A is a diagram showing a configuration of an integrated optical modulator which is a third embodiment of the present invention. The optical modulator shown in FIG. 10A includes a
石英系PLC基板50上には、1×2カプラ21−1〜21−11が配置されている。1×2カプラ21−1が有する2つの出力ポートのうちの1つには1×2カプラ21−2の入力ポートが接続され、他の出力ポートには1×2カプラ21−8の入力ポートが接続される。1×2カプラ21−8が有する2つの出力ポートには1×2カプラ21−3及び21−9の入力ポートがそれぞれ接続される。さらに、1×2カプラ21−2,21−3及び21−9が有する2つの出力ポートには、1×2カプラ21−4と21−5、21−6と21−7及び21−10と21−11の入力ポートがそれぞれ接続される。1×2カプラ21−1及び21−8は、1つの入力ポートと3つの出力ポートを有する光分岐回路(光分岐手段)を構成する。
On the
LN基板52上には、12本の直線導波路が配置されている。12本の直線導波路には各々信号電極24−1〜24−12が装荷されている。
On the
石英系PLC基板54上には、2×1カプラ26−1〜26−11と、調整可能なMZI回路40−1〜40−3が配置されている。2×1カプラ26−1〜26−6の入力ポートはそれぞれLN基板52上の12本の直線導波路に接続される。2×1カプラ26−1及び26−2の出力ポートは2×1カプラ26−7の入力ポートに接続され、2×1カプラ26−3及び26−4の出力ポートは2×1カプラ26−8の入力ポートに接続され、2×1カプラ26−5及び26−6の出力ポートは2×1カプラ26−9の入力ポートに接続される。2×1カプラ26−8及び26−9の出力ポートは2×1カプラ26−10の入力ポートに接続され、2×1カプラ26−7及び26−10の出力ポートは2×1カプラ26−11の入力ポートに接続される。2×1カプラ26−10及び26−11は、3つの入力ポートと1つの出力ポートを有する光結合回路(光結合手段)を構成する。2×1カプラ26−7〜26−9の出力ポートと光結合回路の入力ポートとの間には、光の減衰量を調整可能なMZI回路40−1〜40−3が並列に配置されている。
On the
図10(b)は、調整可能なMZI回路40の構成を示す図である。図8(b)に示す調整可能なMZI回路40の構成と同一であるので詳細な説明は省略する。本実施例では、調整可能なMZI回路40−1〜40−3を構成する2×2カプラ202の入力ポートの1つが2×1カプラ26−7〜26−9の出力ポートに接続され、2×2カプラ206の出力ポートの1つが光結合回路の入力ポートに接続される。
FIG. 10B is a diagram showing the configuration of the
LN基板52上の信号電極が装荷された12本の直線導波路のうち隣り合う4本は、その両端のそれぞれ2段に接続された1×2カプラ21と及び2×1カプラ26と共に光変調手段を構成する。具体的には、1×2カプラ21−2,21−4及び21−5、光変調手段(信号電極24−1〜24−4を含む)及び2×1カプラ26−1,26−2及び26−7はネスト型MZI変調回路1を構成し、1×2カプラ21−3,21−6及び21−7、光変調手段(信号電極24−5〜24−8を含む)及び2×1カプラ26−3,26−4及び26−8はネスト型MZI変調回路2を構成し、1×2カプラ21−9,21−10及び21−11、光変調手段(信号電極24−9〜24−12を含む)及び2×1カプラ26−5,26−6及び26−9はネスト型MZI変調回路3を構成する。
Of the 12 linear waveguides loaded with signal electrodes on the
本実施例の光変調器の構成は、さらに集積規模を大きくし、ネスト型MZI変調回路を3個並列接続した構成となっている。このような構成により、図10に示す通り、2値電気信号のみによる駆動で64QAM信号を生成できるが、そのためには各ネスト型MZI変調回路(本実施例における光変調手段)から出力ポートへ結合する光信号強度比が16:4:1(電界振幅比4:2:1)となるよう精確に調整する必要がある。本実施例では、光分岐回路(1×3)及び光結合回路(3×1)は1×2及び2×1のY字型カプラで構成され、各ネスト型MZI変調回路と光結合回路の3本の入力ポートを結ぶ光路中にそれぞれ調整可能なMZI回路が配置されている。調整可能なMZI回路は前記実施例2と同じく両アームにTO位相シフタを備えメイン出力ポートとモニタ出力ポートを備えた構成となっており、光強度調整、光位相調整、モニタ用タップの3役を兼ねた回路となっている。 The configuration of the optical modulator of the present embodiment is a configuration in which the integration scale is further increased and three nested MZI modulation circuits are connected in parallel. With such a configuration, as shown in FIG. 10, a 64QAM signal can be generated by driving only with a binary electric signal. For this purpose, each nest type MZI modulation circuit (optical modulation means in this embodiment) is coupled to an output port. It is necessary to accurately adjust the optical signal intensity ratio to be 16: 4: 1 (electric field amplitude ratio 4: 2: 1). In this embodiment, the optical branch circuit (1 × 3) and the optical coupling circuit (3 × 1) are configured by 1 × 2 and 2 × 1 Y-shaped couplers, and each of the nested MZI modulation circuits and the optical coupling circuit An adjustable MZI circuit is arranged in each of the optical paths connecting the three input ports. The adjustable MZI circuit has a structure in which both arms are equipped with a TO phase shifter and a main output port and a monitor output port, as in the second embodiment, and has three functions: light intensity adjustment, optical phase adjustment, and monitor tap. It is a circuit that doubles as.
実施例2と異なり、光の減衰量を調整可能なMZI回路はMZI変調回路(本実施例では計6個)の直後ではなくネスト型MZI変調回路(計3個)の直後に配置されており、ネスト型MZI変調回路内で各MZI変調回路からの出力信号光の強度比を調整する手段は備えていないが、それは以下の理由による。本実施例の変調器は図10に示す原理で64QAM変調信号を生成する目的に特化しており、各ネスト型MZI変調回路はQPSK駆動することを前提として設計されている。この場合ネスト型MZI変調回路内における各MZI変調回路からの出力信号光は常に強度比1:1で結合させるため、前述の理由によりこの部分での光強度比調整の必要性は必ずしも高くない。故に本実施例ではよりシンプルに回路を構成する観点から調整可能なMZI回路をネスト型MZI変調回路の後段に配置している。 Unlike the second embodiment, the MZI circuit capable of adjusting the amount of light attenuation is arranged not immediately after the MZI modulation circuit (total of six in this embodiment) but immediately after the nested MZI modulation circuit (total of three). No means for adjusting the intensity ratio of the output signal light from each MZI modulation circuit is provided in the nested MZI modulation circuit for the following reason. The modulator of this embodiment is specialized for the purpose of generating a 64QAM modulated signal based on the principle shown in FIG. 10, and each nested MZI modulation circuit is designed on the assumption that it is QPSK driven. In this case, since the output signal light from each MZI modulation circuit in the nested MZI modulation circuit is always coupled at an intensity ratio of 1: 1, the necessity of adjusting the light intensity ratio at this portion is not necessarily high for the reasons described above. Therefore, in this embodiment, an MZI circuit that can be adjusted from the viewpoint of configuring the circuit more simply is arranged at the subsequent stage of the nested MZI modulation circuit.
なお本実施例と同等の光変調器を構成する他のアプローチとして、ネスト型MZI変調回路の直後に調整可能なMZI回路を配置するのではなく、参考例1のアイディアを応用し3×1光結合回路の2×1カプラの部分を調整可能なMZI回路とする方法も考えられる。しかしながら、この方法では調整可能なMZI回路が長手方向に2段直列接続された構成となるため、図10の配置と比べやはり数mm〜数cm長手方向のサイズが増大する。さらには、各ネスト型MZI変調回路の出力を個別にモニタするためには、各ネスト型MZI変調回路と3×1光結合回路の各入力ポートとの間に新たにタップ回路を設けなければならないため更なる回路サイズ増大となる。このことからも、参考例1のように光分岐部または結合部に調整可能なMZI回路を直列につないで用いるのではなく、本発明のように変調回路と光分岐部または結合部の間に調整可能なMZI回路を並列に配置することにより、よりコンパクトに回路を構成できることがわかる。 As another approach for constructing an optical modulator equivalent to the present embodiment, the adjustable MZI circuit is not arranged immediately after the nested MZI modulation circuit, but the idea of Reference Example 1 is applied to apply 3 × 1 light. A method is also conceivable in which the 2 × 1 coupler portion of the coupling circuit is an adjustable MZI circuit. However, in this method, the adjustable MZI circuit has a configuration in which two stages are connected in series in the longitudinal direction, so that the size in the longitudinal direction of several millimeters to several centimeters increases as compared with the arrangement of FIG. Furthermore, in order to individually monitor the output of each nested MZI modulation circuit, a tap circuit must be newly provided between each nested MZI modulation circuit and each input port of the 3 × 1 optical coupling circuit. Therefore, the circuit size is further increased. Therefore, instead of using an adjustable MZI circuit connected in series to the optical branching unit or coupling unit as in Reference Example 1, it is used between the modulation circuit and the optical branching unit or coupling unit as in the present invention. It can be seen that the circuit can be configured more compactly by arranging the adjustable MZI circuit in parallel.
なお、以上説明した各実施例においては、光変調手段の個数が光強度調整手段(調整可能なMZI回路)の個数と同一の場合を説明したが、調整可能なMZI回路の個数を1つ減らし、調整可能なMZI回路が接続されていない光変調手段の出力強度を基準として、調整可能なMZI回路の光強度減衰量を設定するように構成してもよい。 In each of the embodiments described above, the case where the number of light modulating means is the same as the number of light intensity adjusting means (adjustable MZI circuits) has been described. However, the number of adjustable MZI circuits is reduced by one. The light intensity attenuation amount of the adjustable MZI circuit may be set on the basis of the output intensity of the light modulation means to which the adjustable MZI circuit is not connected.
10 光分岐回路
12 信号電極
14 位相シフタ
16 光結合回路
21,208 1×2カプラ
20,30,40 調整可能なMZI回路
22,204 TO位相シフタ
24 信号電極
26,210 2×1カプラ
50,54 石英系PLC基板
52 LiNbO3基板
202,206 2×2 3dBカプラ
DESCRIPTION OF
Claims (6)
nを2以上の整数とし、前記メイン入力ポートに入力された光信号をn本の出力ポートに分岐する光分岐手段と、
n個の光変調手段と、
mをnと等しい整数またはnよりも1少ない整数とし、m個の光強度調整手段と、
n本の入力ポートに入力された光信号を結合させ前記メイン出力ポートに出力する光結合手段と
を備え、
iを1以上n以下の整数とし、前記光変調手段は、任意のiについて、前記光分岐手段のi番目の出力ポートと前記光結合手段のi番目の入力ポートとを結ぶ光路中に配置されており、
jを1以上m以下の整数とし、前記光強度調整手段は、任意のjについて、前記光分岐手段のj番目の出力ポートとj番目の前記光変調手段とを結ぶ光路中またはj番目の前記光変調手段と前記光結合手段のj番目の入力ポートとを結ぶ光路中に配置されている
ことを特徴とする光変調器。 An optical modulator having a main input port and a main output port,
an optical branching means for branching an optical signal input to the main input port to n output ports, wherein n is an integer of 2 or more;
n light modulation means;
m is an integer equal to n or an integer less than n, and m light intensity adjusting means;
optical coupling means for coupling optical signals input to the n input ports and outputting the combined optical signals to the main output port;
i is an integer not less than 1 and not more than n, and the optical modulation means is arranged in an optical path connecting the i-th output port of the optical branching means and the i-th input port of the optical coupling means for an arbitrary i. And
j is an integer not smaller than 1 and not larger than m, and the light intensity adjusting means is, for an arbitrary j, in the optical path connecting the j-th output port of the optical branching means and the j-th light modulating means or the j-th An optical modulator, wherein the optical modulator is disposed in an optical path connecting the optical modulation means and the jth input port of the optical coupling means.
前記マッハツェンダ回路は、前記メイン出力ポート及び前記モニタ出力ポートに接続される2本の出力ポートを有することを特徴とする請求項2又は3に記載の光変調器。 A monitor output port;
4. The optical modulator according to claim 2, wherein the Mach-Zehnder circuit has two output ports connected to the main output port and the monitor output port. 5.
第一及び第三の基板上に形成された平面光波回路が石英系ガラスからなり、
第二の基板上に形成された平面光波回路が電界印加により屈折率または光吸収特性が変化する多元系酸化物、化合物半導体またはポリマからなり、
前記光変調手段の各々が前記第二の基板上に形成された高速位相シフタを含み、
前記光強度調整手段が前記第一または第三の基板上に形成され、前記光分岐手段が前記第一の基板上に形成され、前記光結合手段が前記第三の基板上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の光変調器。 The optical modulator is an optical modulator composed of a planar lightwave circuit formed on three substrates whose end faces are directly bonded to each other,
The planar lightwave circuit formed on the first and third substrates is made of silica glass,
The planar lightwave circuit formed on the second substrate is composed of a multi-component oxide, a compound semiconductor, or a polymer whose refractive index or light absorption property changes when an electric field is applied,
Each of the light modulation means includes a high-speed phase shifter formed on the second substrate,
The light intensity adjusting means is formed on the first or third substrate, the light branching means is formed on the first substrate, and the optical coupling means is formed on the third substrate. The optical modulator according to claim 1.
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