JP2010532098A - 基材処理のためのエッジリング配置 - Google Patents

Abstract

プラズマ処理チャンバ内の基材を処理する方法が提供される。基材は、チャックの上方に配置され、第１のエッジリングによって囲まれている。第１のエッジリングは、チャックから電気的に絶縁される。方法は、第２のエッジリングを提供することを含む。第２のエッジリングは、基材のエッジの下方に配置される。また、方法は、結合リングを提供することを含む。結合リングは、ＥＳＣ（静電チャック）アセンブリから第１のエッジリングへのＲＦ結合を容易にして、基材処理中に第１のエッジリングにエッジリング電位を有せしめ、基材処理中に、第１のエッジリングにおいてＲＦ結合を最大化せしめ、第２のエッジリングにおいてＲＦ結合を最小化せしめるように構成される。
【選択図】図３

Description

半導体産業の成長はプラズマ処理の進歩によって推進されてきた。半導体は競合性が極めて激しいため、デバイスメーカは生産量を最大化して基材で利用可能な表面積を効果的に利用したいものと考えられる。基材のプラズマ処理中、処理されているデバイスについて高い生産量を確保するために、複数のパラメータを制御しなければならない場合がある。欠陥デバイスの一般的原因は、基材処理中の均一性の欠如である。均一性に影響を与える可能性のある要因は、基材のエッジ効果である。欠陥デバイスのもう一つの原因は、輸送中に一つの基材の背面から別の基材に剥がれ落ちるポリマ副生成物に起因するものである場合がある。

現在の製造技術は、より高性能のデバイス、基材の形状をさらに縮小するための重圧、ならびにより新しい最適化された基材材料の実装に対する要求を抱えている。たとえば、より大きい基材（たとえば、＞３００ｍｍ）の中心からエッジまでの均一性を維持し、あるいは結果を処理することは次第に困難になってきている。一般に、所与の形状では、エッジに近い基材上のデバイスの数は基材のサイズが大きくなるにつれて増加する。同様に、所与の基材サイズでは、エッジに近い基材上のデバイスの数はデバイスの形状サイズが減少するにつれて増加する。たとえば、多くの場合、基材上のデバイスの総数の２０％以上が基材周囲の近くにある。

図１は、単一のホット・エッジ・リングを有する容量結合プラズマ処理システムの簡略図を示す。一般に、ソースＲＦ発生器１１２によって発生されるソースＲＦは、通常、プラズマを発生するとともに、容量性結合によってプラズマ密度を制御するために使用される。あるエッチングアプリケーションでは、ＲＦ電力が供給される下電極に対して上電極を接地しなければならない場合がある。ＲＦ電力は、２ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、および６０ＭＨｚの少なくとも一つである。さらに他のエッチングアプリケーションでは、同様のＲＦ周波数を用いて上電極と下電極の両方にＲＦ電力を供給しなければならない場合がある。

一般に、適切な一組のガスが上電極１０２の入り口から流入される。ガスは、その後、給電電極としての機能も果たす静電チャック（ＥＳＣ）１０８表面のホット・エッジ・リング（ＨＥＲ）１１６（たとえば、Ｓｉなど）とともに設置された半導体やガラス板などの基材１０６の露出領域を処理（たとえば、エッチングまたは蒸着）するために、イオン化されてプラズマ１０４を形成する。

ホット・エッジ・リング１１６は、一般に、ＥＳＣ１０８上の基材１０６の位置決めと、プラズマのイオンによる損傷から基材自体によって保護されない下層部品の遮蔽とを含む、多くの機能を実行する。ホット・エッジ・リング１１６は、図１に示されるように、基材１０６のエッジの下方かつ周囲に配置される。ホット・エッジ・リング１１２は、さらに結合リング１１４（たとえば、石英など）の上に位置してもよく、さらに結合リング１１４は、一般に、チャック１０８からホット・エッジ・リング１１６への電流路を提供するように構成される。

図１の例では、絶縁体リング１１８および１２０は、ＥＳＣ１０８と接地リング１２２を絶縁するように構成される。石英カバー１２４は、接地リング１２２の上に配置される。結合リング１１４の材料は、ＥＳＣ１０８からＨＥＲ１１６へのＲＦ結合を最適化するために、石英または他の適切な材料であってもよい。たとえば、石英は、ＨＥＲ１１６へのＲＦ結合を最小化するために結合リング１１４として採用されてもよい。別の例では、ＨＥＲ１１６へのＲＦ結合を増加するために、結合リング１１４としてアルミニウムが採用されてもよい。

電場、プラズマ温度、およびプロセス化学からの負荷効果など、基材のエッジ効果によって、基材エッジの近くのプロセスの結果は、プラズマ処理中に基材の残りの（中心）領域と異なる可能性がある。たとえば、基材１０６エッジの周囲の電場は、ＲＦ結合からＨＥＲ１１６までの変化に起因して変化しよう。プラズマシースの等電位線は崩壊して、基材エッジの周囲に不均一なイオン角度分布を生じよう。

一般に、プロセスの均一性と垂直エッチングプロファイルを維持するために、電場は基材の全表面にわたって実質的に一定に保たれることが望ましい。プラズマ処理中、基材１０６とＨＥＲ１１６とのＲＦ結合バランスを設計によって最適化して、プロセスの均一性および垂直エッチングを維持しうる。たとえば、ＨＥＲ１１６へのＲＦ結合を最大ＲＦ結合が得られるように最適化して、均一なエッチングを得ることができる。ただし、プロセスの均一性を維持するためのＲＦ結合バランスは、傾斜エッジのポリマ蒸着に負担がかかるであろう。

エッチングプロセス中、ポリマ副生成物（たとえば、フッ素化ポリマなど）が基材背面および／または基材エッジ周辺に生じることは一般的であろう。フッ素化ポリマは、一般に、化学エッチング、またはフッ化炭素エッチングプロセス中に蒸着されたポリマ副生成物に事前に暴露されたフォトレジスト材料からなる。一般に、フッ素化ポリマは、Ｃ_ｘＨ_ｙＦ_ｚの化学反応式を有する物質であり、ここでｘ、ｚは０よりも大きい整数であり、ｙは０よりも大きいかまたは０に等しい整数である（たとえば、ＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_６、ＣＨ_２Ｆ_２、Ｃ_４Ｆ_８、Ｃ_５Ｆ_８など）。

しかし、複数の異なるエッチングプロセスの結果として連続的なポリマ層がエッジ領域に蒸着されると、一般に強力で粘着性のある有機結合がいずれは弱くなり、輸送中に剥がれ、別の基材上に剥がれ落ちることが多い。たとえば、基材は、しばしばカセットと呼ばれる実質的に清浄な容器を介してプラズマ処理システム間で組として一般に移動される。より高い場所に位置する基材が容器内で別の場所に移されると、ポリマ層の一部はダイが存在するより低い場所の基材上に落ち、デバイスの生産量に影響を与える可能性がある。

図２は、一組のエッジポリマが平面的な背面に蒸着されている基材の簡略図を示す。前述のように、エッチングプロセス中、ポリマ副生成物（エッジポリマ）が基材上に生じることは一般的であるかもしれない。この例では、ポリマ副生成物は、平面的な背面、すなわち、プラズマから離れた基材の面に蒸着されている。たとえば、ポリマの厚さは、約７０°で約２５０ｎｍ（２０２）、約４５°で２７０ｎｍ（２０４）、および０°で約１２０ｎｍ（２０６）である。一般に、ポリマの厚さが大きくなると、ポリマの一部が除去されて、別の基材またはチャックに落ちる確率が高くなり生産量に影響を与えるだろう。

たとえば、ＨＥＲ１１６へのＲＦ結合を最小限のＲＦ結合になるように最適化して、傾斜エッジへのポリマ副生成物の蒸着を抑制してもよい。しかし、傾斜エッジポリマ蒸着を最小化するためのＲＦ結合バランスは、基材エッジにおけるプロセス均一性を維持するために負担がかかるだろう。

したがって、前述の先行技術の方法では、エッジの均一性に関して最適化するか、傾斜エッジのポリマ蒸着に関して最適化するかをトレードオフするために、ホット・エッジ・リングと基材との間のＲＦ結合バランスを必要とする。さらに、ウエハエッジとホット・リング・エッジとの間のアーク放電は、基材エッジにピッティング（孔）を生じ、デバイスに損傷をもたらして生産量を減少させるだろう。

本発明は、ある実施形態において、プラズマ処理チャンバにおける基材を処理する方法に関する。基材は、チャックの上方に配置され、第１のエッジリングによって囲まれる。第１のエッジリングは、チャックから電気的に絶縁される。方法は、第２のエッジリングを提供することを含む。第２のエッジリングは、基材のエッジの下方に配置される。方法は、結合リングを提供することをさらに含む。結合リングは、ＥＳＣ（静電チャック）アセンブリから第１のエッジリングへのＲＦ結合を容易にして、基材処理中に第１のエッジリングにエッジリング電位を有せしめ、基材処理中にＲＦ結合を第１のエッジリングにおいて最大化せしめ第２のエッジリングにおいて最小化せしめるように構成される。

上記の要旨は、本明細書に開示された本発明の多くの実施形態の一つのみに関し、本発明の技術的範囲を限定するものではなく、本発明の技術的範囲は本明細書の特許請求の範囲に記述される。本発明の上記特徴およびその他の特徴を、本発明の詳細な説明において以下の図と関連付けて以下でさらに詳しく説明する。

本発明は、添付図面の図において、制限としてではなく例として示され、同様の参照数字は類似の要素を表す。

単一のホット・エッジ・リングを有する容量結合されたプラズマ処理システムの簡略図を示す。 一組のエッジポリマが平面的な裏面に配置されている基材の簡略図を示す。 本発明の実施形態に従って、二つのエッジリングで構成される容量結合されたプラズマ処理システムの簡略図を示す。 本発明の実施形態に従って、複数のホット・エッジ・リングを有する複数周波数の容量結合されたプラズマ処理システムを示す。

本発明を、ここで添付図面に示されるような本発明のいくつかの実施形態を参照して詳しく説明する。以下の説明では、本発明の十分な理解を与えるために数多くの詳細情報を記述する。ただし、本発明はこれらの詳細情報の一部または全部を含まずに実施されてもよいことは当業者にとって明らかであろう。他の例では、本発明が不必要に分かりにくくならないように周知の工程段階および／または構造を詳しく説明していない。

方法および技術を含む様々な実施形態を後述する。本発明は本発明による技術の実施形態を実施するコンピュータ可読命令が記憶されるコンピュータ可読媒体を含む製品を包含してもよいことに留意すべきである。コンピュータ可読媒体は、たとえば、半導体、磁気、光磁気、光、またはコンピュータ可読コードを記憶するその他の形態のコンピュータ可読媒体を含んでもよい。さらに、本発明は、本発明の実施形態を実施する装置を包含してもよい。このような装置は、本発明の実施形態に関するタスクを実行するための専用および／またはプログラマブル回路を含んでもよい。このような装置の例として、適切にプログラムされるときの汎用コンピュータおよび／または専用コンピュータデバイスが挙げられ、本発明の実施形態に関する様々なタスクに適合されたコンピュータ／コンピュータデバイスおよび専用／プログラマブル回路の組合せを含んでもよい。

本発明の実施形態に従って、プラズマ処理パラメータの管理を強化するためにプラズマ処理システムを構成する配置が提供される。本発明の実施形態は、独立したＲＦ結合を複数のホット・リング・エッジに提供して基材と各エッジリングとの所望の電位差を生成することを含む。したがって、所与のプラズマプロセスに対するプラズマシースの等電位線は、基材の傾斜エッジからのポリマ副生成物のクリーニングを犠牲にすることなく、基材エッジにおける均一なエッチングを実現するように最適化されうる。

本発明の一つ以上の実施形態において、第１のホット・エッジ・リングは、基材のエッジ周辺に配置される。ある実施形態において、第１のＨＥＲは、ケイ素（Ｓｉ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、および／または二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）で作られてもよい。ある実施形態において、第１のＨＥＲは、結合リングにさらに位置して、基材と第１のＨＥＲの電位差を最小にするようにＥＳＣ下電極から第１のＨＥＲへのＲＦ結合を提供しうる。したがって、所与のプラズマプロセスに対するプラズマシースの等電位線は、基材のエッジに対するイオン衝撃を真っ直ぐに保つように最適化される。基材のエッジにおける垂直イオン衝撃は、プラズマ処理中に、基材の中心に対して均一なエッチングを保証するだろう。

ある実施形態において、絶縁体リングによって絶縁される第２のＨＥＲは、基材のエッジの下に配置される。第２のＨＥＲは、ある実施形態において、ケイ素（Ｓｉ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、および／または二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）から作られうる。第２のＨＥＲは、基材、第１のエッジリング、ＥＳＣ、およびＥＳＣ下本体から絶縁体リングによって絶縁される。絶縁体リングは、ＥＳＣ下電極からのＲＦ分離を実現するために石英などの絶縁材料から作られうる。本発明の実施形態は、基材と第２のＨＥＲとの間に高い電位差を提供し、基材の傾斜エッジに蒸着されたポリマ副生成物を除去するために基材の傾斜エッジにアーク放電を生じる。

本発明の別の実施形態において、第２のＨＥＲが基材の真下かつ絶縁体リングの上に配置される。ある実施形態において、第２のＨＥＲはＳｉＮまたはＳｉＯ_２から作られうる。ある実施形態において、第２のＨＥＲへのＲＦ結合は、基材と第２のＨＥＲとの間に最大電位差を提供してポリマ副生成物の洗浄のために基材の傾斜エッジにアーク放電を誘発するように最適化されよう。

本発明の特徴および長所は、以下の図および議論を参照するとよりよく理解されよう。図３は、本発明の実施形態に従って、二つのエッジリングを有する容量結合されたプラズマ処理システム３００の簡略図を示す。

プラズマ処理システム３００は、単一、二、または三周波数ＲＦ容量性放電システムであってもよい。ある例では、無線周波数は、たとえば、２ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、および６０ＭＨｚを含んでもよいが、これらに限定されない。プラズマ処理システム３００は、静電チャック（ＥＳＣ）３０８の上方に配置されている基材３０６を含むように構成されうる。ＥＳＣ ３０８は、給電電極としても働き、ＥＳＣ下電極３１０の上方に配置される。

たとえば、基材３０６が処理されている状況を考えてみよう。プラズマ処理中、接地までの経路（図を簡略化するために図示せず）を有する複数周波数ＲＦ発生器３１２は、ＲＦ整合回路網（図を簡略化するために図示せず）を介して低ＲＦバイアス電源をＥＳＣ下電極３１０に供給してもよい。ＲＦ発生器３１２からのＲＦ電力はガス（図を簡略化するために図示せず）と相互作用して上電極３０２と基材３０６との間のプラズマ３０４を点火してもよい。プラズマは、基材３０６をエッチングしおよび／または基材３０６に材料を蒸着して電子デバイスを形成するために採用されてもよい。

図３に示されるように、一定のエッチングアプリケーションでは、上電極３０２をＲＦ電力が供給される下電極に対して接地しなければならない場合がある。ＲＦ電力は、２ＭＨｚ、２７ＭＨｚ、および６０ＭＨｚの少なくとも一つである。さらに他のエッチングアプリケーションでは、同様のＲＦ周波数を用いて上電極と下電極の両方にＲＦ電力を供給しなければならない場合がある。

唯１つのホット・エッジ・リングが採用される先行技術とは対照的に、プラズマ処理システム３００は、ある実施形態において、複数のホット・エッジ・リング（ＨＥＲ）、たとえば、第１のＨＥＲ３１４および第２のＨＥＲ３２６で構成される。第１のＨＥＲ３１４は、ある実施形態において、基材３０６の周囲に設置される。第１のＨＥＲ３１４は、ある実施形態において、ケイ素（Ｓｉ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、および／または二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）から作られうる。絶縁体リング３２０は、第１のＨＥＲ３１４と接地リング３２２との間を絶縁してもよい。接地リング３２２の上には石英カバーリング３２４が配置される。第１のＨＥＲ３１４は、さらに結合リング３１８上に位置してもよい。結合リング３１８は、ＥＳＣアセンブリ、たとえば、ＥＳＣ３０８およびＥＳＣ下電極３１０から第１のＨＥＲ３１４にＲＦ結合を提供するために、アルミニウムやグラファイトなどの導電材料から作られてもよい。

ＥＳＣアセンブリからＨＥＲ３１４へのＲＦ結合は、ある実施形態に従って、最小限の電位差（Ｖ１−Ｖ２）を生成するために、基材３３２の上方のＲＦシース電圧（Ｖ１）の領域と基材エッジリング３３０の上方のＲＦシース電圧（Ｖ２）の領域との間に同様のプラズマシースを実現するように最適化されよう。したがって、所与のプラズマプロセスに対するプラズマシースの等電位線は、基材３０６のエッジに対するイオン衝撃を真っ直ぐに保つように最適化される。基材３０６のエッジにおける垂直イオン衝撃は、プラズマ処理中に基材の中心に対する均一なエッチングを保証するだろう。

図３の実施において、絶縁体リング３１６によって絶縁される第２のＨＥＲ３２６は、実施形態に従って、基材３０６のエッジの真下に配置される。第２のＨＥＲ３２６は、ある実施形態において、ケイ素（Ｓｉ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、および／または二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）から作られうる。第２のＨＥＲ３２６は、本発明の実施形態に従って、基材３０６、第１のエッジリング３１４、ＥＳＣ３０８、およびＥＳＣ下本体３１０から絶縁体リング３１６によって絶縁される。絶縁体リング３１６は、ＥＳＣアセンブリからのＲＦ分離を実現するために、石英などの絶縁体材料から作られてもよい。

第２のＨＥＲ３２６へのＲＦ結合は最小化される可能性があるので、第２のＨＥＲ３２６の誘起電圧（Ｖ３）は、基材３０６の電圧（Ｖ１）に比べて低くてもよい。基材３０６と第２のＨＥＲ３２６の電位差（Ｖ１−Ｖ３）は、高くてもよい。基材３０６と第２のＨＥＲ３２６の高い電位差に起因して、基材３０６の傾斜エッジでアーク放電が発生しうる。通常、アーク放電は、望ましくない無制御の事象である。しかし、基材の傾斜エッジにはデバイスがない。従って、アーク放電、すなわち、基材３０６の傾斜エッジ表面のマイクロエクスプロージョン（微小の爆発）は、本発明の実施形態に従って、基材の傾斜エッジに蒸着されたポリマ副生成物を除去するために洗浄機構として望ましい。

先行技術では、唯１つのＨＥＲがあり、ＨＥＲへのＲＦ結合は基材エッジにおける均一なエッチングか、傾斜エッジ表面のポリマ副生成物の蒸着かのバランスをとるように最適化される。先行技術の方法と違って、均一なエッチングおよびポリマ副生成物蒸着の傾斜エッジのクリーニングを実現するために、各ホット・エッジ・リングに対して独立したＲＦ結合を有する複数のＨＥＲが採用されよう。

図３において議論された前述の方法および配置のほかに、各ＨＥＲに対して別々のＲＦ結合を提供するために複数のＨＥＲが採用される可能性のある他の実施形態が提供されよう。図４は、本発明の実施形態に従って、複数のホット・エッジ・リングを有する複数周波数の容量結合されたプラズマ処理システム４００を示す。プラズマ処理システム４００は、接地された上電極４０２、基材４０６、静電チャック（ＥＳＣ）４０８、ＥＳＣ下電極４１０、絶縁体リング４２０、接地リング４２２、および石英カバーリング４２４を含むように構成されうる。

たとえば、基材４０６が処理されている状況を考えてみよう。プラズマ４０４は、ガス（図を簡略化するために図示せず）がＲＦ電力発生器４１２からのＲＦ電力と相互作用するとき発生されよう。プラズマ４０４は、電子デバイスを形成するために、基材４０６をエッチングおよび／または基材４０６に材料を蒸着するように採用されてもよい。

前述のように、電場、プラズマ温度、およびプロセス化学からの負荷効果など、基材エッジ効果が原因で、基材エッジの近くのプロセスの結果が基材の残りの（中心）領域とは異なる場合がある。たとえば、プラズマシースの等電位線は崩壊して、基材エッジの周囲に不均一なイオン角度分布を生じる場合がある。

図４の実施において、第１のＨＥＲ４１４は、結合リング４１８の上方かつ基材４０６のエッジの周囲に配置される。ある実施形態において、第１のＨＥＲ４１４は、ケイ素から作られうる。ある実施形態において、第１のＨＥＲ４１４へのＲＦ結合は、基材のエッジにおいて均一なエッチングを実現するために、基材４０６と第１のＨＥＲ４１４の間に最小限の電位差（Ｖ１−Ｖ２）を提供するように最適化されよう。

したがって、基材４３２の上方のプラズマシースに対する基材エッジリング４３０の上方のプラズマシースの等電位線は、基材４０６のエッジに対するイオン衝撃を真っ直ぐに保つように最適化される。基材４０６のエッジにおける垂直イオン衝撃は、プラズマ処理中に基材の中心に対する均一なエッチングを保証するだろう。

図４に示されるように、第２のＨＥＲ４２６は、基材４０６の真下かつ絶縁体リング４１６の上に配置される。ある実施形態において、第２のＨＥＲ４２６は、ＳｉＯまたはＳｉＯ_２から作られてもよい。ある実施形態において、第２のＨＥＲ４２６へのＲＦ結合は、基材４０６と第２のＨＥＲ４２６との間に最大電位差（Ｖ１−Ｖ３）を提供してポリマ副生成物のクリーニングのために基材の傾斜エッジにアーク放電を誘発するように最適化されよう。

上記の内容から分かるように、本発明の実施形態は、外部のハードウェアデバイスを採用することなく提供されている複数のＨＥＲから各ホット・エッジ・リングの独立したＲＦ結合の方法および配置を提供する。複数のＨＥＲへの独立したＲＦ結合を採用することによって、基材エッジにおけるエッチングの均一性は、傾斜エッジにおけるポリマ副生成物のクリーニングとトレードオフでなく、実現できる。さらに、ホット・エッジ・リング配置の構成は、簡単であり、現在のプラズマ処理装置を改造するのに費用がかからない。

本発明をいくつかの好ましい実施形態に関して説明してきたが、本発明の技術的範囲に入る変更、置換、および等効物がある。また、発明の名称、発明の概要、および要約書は、便宜のために記載されているものであり、本明細書の特許請求の範囲を理解するために使用されるべきでない。また、本発明の方法および装置には多くの代替的実施方法があることにも留意されたい。本明細書には様々な例が記載されているが、これらの例は説明のためのものであり、本発明に関して限定するものではない。さらに、本出願において、一組の「ｎ個」の項目は、その組のゼロまたはそれ以上の項目を表す。したがって、以下に添付の特許請求の範囲は、本発明の趣旨および技術的範囲に入るすべての上記変更、置換、および等効物を含むと解釈されるものとする。

Claims (18)

1. プラズマ処理チャンバ内で、基材を処理する方法であって、前記基材はチャックの上方に配置され、第１のエッジリングによって囲まれており、前記第１のエッジリングは前記チャックから電気的に絶縁されており、
   前記基材のエッジの下方に配置される第２のエッジリングを提供することと、
   結合リングを提供することと、を含み、
   前記結合リングは、ＥＳＣ（静電チャック）アセンブリから前記第１のエッジリングへのＲＦ結合を容易にして、基材処理中に前記第１のエッジリングにエッジリング電位を有せしめ、前記基材処理中に、前記第１のエッジリングにおいて前記ＲＦ結合を最大化せしめ、前記第２のエッジリングにおいて前記ＲＦ結合を最小化せしめるように構成されることを特徴とする方法。
2. 前記第２のエッジリングを封入するように構成される絶縁体リングを提供することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 絶縁体リングを提供することをさらに含み、前記第２のエッジリングは前記絶縁体リングの上方に配置されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
4. 前記第１のホット・エッジ・リングは、ケイ素、窒化ケイ素、および二酸化ケイ素の少なくとも一つを含む材料から形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
5. 前記結合リングは、導電材料、アルミニウム、およびグラファイトの少なくとも一つを含む材料から形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
6. 前記第２のホット・エッジ・リングは、ケイ素、窒化ケイ素、および二酸化ケイ素の少なくとも一つを含む材料から形成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
7. 前記絶縁体リングは、絶縁体材料および石英の少なくとも一つを含む材料から形成されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
8. 前記絶縁体リングは、絶縁体材料および石英の少なくとも一つを含む材料から形成されることを特徴とする請求項３に記載の方法。
9. 前記チャックに供給されている前記ＲＦ電力は、約２ＭＨｚ、約２７ＭＨｚ、および約６０ＭＨｚの少なくとも一つを含む一組のＲＦ周波数を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
10. 基材を処理するように構成されたプラズマ処理チャンバを有するプラズマ処理システムであって、前記基材はチャックの上方に配置され、第１のエッジリングによって囲まれており、前記第１のエッジリングは前記チャックから電気的に絶縁されており、
    前記基材のエッジの下方に配置されている第２のエッジリングと、
    結合リングと、を備え、
    前記結合リングはＥＳＣ（静電チャック）アセンブリから前記第１のエッジリングへのＲＦ結合を容易にして、基材処理中に前記第１のエッジリングにエッジリング電位を有せしめ、前記基材処理中に、前記第１のエッジリングにおいて前記ＲＦ結合を最大化せしめ、前記第２のエッジリングにおいて前記ＲＦ結合を最小化せしめるように構成されることを特徴とするプラズマ処理システム。
11. 前記第２のエッジリングを封入するように構成される絶縁体リングをさらに備えることを特徴とする請求項１０に記載のプラズマ処理システム。
12. 絶縁体リングをさらに備え、前記第２のエッジリングは前記絶縁体リングの上方に配置されることを特徴とする請求項１０に記載のプラズマ処理システム。
13. 前記第１のホット・エッジ・リングは、ケイ素、窒化ケイ素、および二酸化ケイ素の少なくとも一つを含む材料から形成されることを特徴とする請求項１０に記載のプラズマ処理システム。
14. 前記結合リングは、導電材料、アルミニウム、およびグラファイトの少なくとも一つを含む材料から形成されることを特徴とする請求項１０に記載のプラズマ処理システム。
15. 前記第２のホット・エッジ・リングは、ケイ素、窒化ケイ素、および二酸化ケイ素の少なくとも一つを含む材料から形成されることを特徴とする請求項１０に記載のプラズマ処理システム。
16. 前記絶縁体リングは、絶縁体材料および石英の少なくとも一つを含む材料から形成されることを特徴とする請求項１１に記載のプラズマ処理システム。
17. 前記絶縁体リングは、絶縁体材料および石英の少なくとも一つを含む材料から形成されることを特徴とする請求項１２に記載のプラズマ処理システム。
18. 前記チャックに供給されている前記ＲＦ電力は、約２ＭＨｚ、約２７ＭＨｚ、および約６０ＭＨｚの少なくとも一つを含む一組のＲＦ周波数を有することを特徴とする請求項１０に記載のプラズマ処理システム。

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