JP2010515119A - Ｅａｓおよびｕｈｆのコンビネーションタグ - Google Patents

Abstract

アイテムレベルのＵＨＦ機能性を小売タグに追加し、商店に設置されたＥＡＳシステムの整合性を維持することを可能にするコンビネーションＥＡＳ／ＵＨＦセキュリティタグ。ＥＡＳセキュリティ素子およびＵＨＦセキュリティ素子は実質的に共通の導電層から形成される。このコンビネーションタグはまた、タグを「遠距離場読み取り」タグから「近距離場読み取り」タグに変化させる機能も含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、セキュリティタグに関し、特に、電子商品監視および極超短波のコンビネーションタグとその製造方法を開示する。

本ＰＣＴ出願は、米国特許出願第１１／９５５，９１７号（２００７年１２月１３日出願）および米国特許仮出願第第６０／８７１，０１６号（２００６年１２月２０日出願）の両方の利益を主張するものであり、両件とも、名称は「ＥＡＳおよびＵＨＦのコンビネーションタグ」であり、参照により全開示が本明細書に組み込まれている。

小売アイテムの存在や、あるいは在庫または小売店からの小売アイテムの移動を追跡または検出することは、電子商品監視（ＥＡＳ）により行われるが、現在ではさらに、無線周波数識別（ＲＦＩＤ）もこれに含まれる。ＥＡＳまたはＲＦＩＤの検出は、典型的には、アイテムまたはその包装に、ＥＡＳ素子またはＲＦＩＤ素子をセキュリティタグの一部として貼り付けることによって行われ、これらのセキュリティタグが所定の電磁界（たとえば、小売店の出口に設置された台）にさらされると、セキュリティタグが活性化して、何らかの種類の警報および／または在荷データを受信機または他の検出器へ送信する。

２個の素子を１つのセキュリティタグの表面または内部に含めることが求められるようになっている。この場合、各セキュリティ素子は、別々の質問器／読み取り器システムに応答する。あくまで例として、２個のＥＡＳ素子、または２個のＲＦＩＤ素子、または１個のＥＡＳ素子および１個のＲＦＩＤ素子を、１つのセキュリティタグの表面または内部に位置させることが可能である。米国特許第５，５１０，７６９号（Ｋａｊｆｅｚら）、同第５，５１７，１９５号（Ｎａｒｌｏｗら）、および同第７，１０９，８６７号（Ｆｏｒｓｔｅｒ）の各明細書を参照されたい。したがって、在庫調べの目的で、商品に貼られているタグのＲＦＩＤ素子を読み取ることと、万一タグ付き商品が購入されていない状態で店の出口から移動された場合にＥＡＳ素子に質問することとを、同時に行うことが望ましい場合がある。１つの基板にループ／アンテナ構成を与える他の例が、テキサス・インストルメント社のＤａｌｌａｓ Ｉｎｌａｙや、インピンジ社のＰｒｏｐｅｌｌｏｒによって示されている。

共同所有されている米国特許第７，１２９，８４３号（Ｐｉｃｃｏｌｉら）の名称「増幅回路を備えたＬＣ共鳴回路」では、ＥＡＳ回路を取り囲む増幅シールドが開示されている。共同所有されている米国特許出願第１１／５４０，０００号（２００６年１０月１０日出願）の名称「たばこ包装用のセキュリティタグ」（米国特許出願公開第２００７／０１４６１４２号）では、たばこ包装の金属ライナから形成されたセキュリティ素子が金属パスに取り囲まれたセキュリティタグが開示されている。これらの文献は両方とも、参照により本明細書に組み込まれている。

米国特許第５，５１０，７６９号明細書 米国特許第５，５１７，１９５号明細書 米国特許第７，１０９，８６７号明細書 米国特許第７，１２９，８４３号明細書 米国特許出願公開第２００７／０１４６１４２号明細書

しかしながら、同じ導電材料を用いてＥＡＳ特性とＵＨＦ特性とを併せ持ち、同時に、強化されたＥＡＳ応答信号を発する複合セキュリティ素子を製造することが、依然として求められている。さらに、セキュリティタグにおいて、近距離場の読み取り機能を維持しながら、遠距離場の読み取り機能を不活性化させることも、依然として求められている。

本明細書で引用される文献はすべて、参照により、その全体が本明細書に組み込まれている。

セキュリティタグは、電子商品監視（ＥＡＳ）素子と、ＲＦＩＤ集積回路を含む極超短波（ＵＨＦ）素子とを備える。ＵＨＦ素子はＥＡＳ素子に隣接して配置され、かつＥＡＳ素子を実質的に取り囲んでいる。

セキュリティタグは、電子商品監視（ＥＡＳ）素子と極超短波（ＵＨＦ）素子とを備え、該ＥＡＳ素子と該ＵＨＦ素子とは、共通の導電層から形成された部分を有する。
電子商品監視（ＥＡＳ）素子と、ＲＦＩＤ集積回路を含む極超短波（ＵＨＦ）素子とを備えるセキュリティタグを製造する方法であって、当該方法は、基板を用意すること、ＥＡＳ素子およびＵＨＦ素子に対応するパターンで基板に接着剤を塗布すること、接着剤に導電層を貼り付けること、導電層をカットして、ＥＡＳ素子の一部分およびＵＨＦ素子の一部分を形成すること、ＵＨＦ素子にＲＦＩＤチップストラップを貼り付け、ＥＡＳ素子にキャパシタストラップまたはキャパシタプレートを貼り付けること、ＵＨＦ素子にＲＦＩＤチップストラップを電気的に接続し、ＥＡＳ素子にキャパシタストラップまたはキャパシタプレートを電気的に接続すること、を備える。

強化されたＥＡＳ応答信号特性を示すコンビネーションＥＡＳ／ＵＨＦタグの第１の実施形態の平面図であり、ＲＦＩＤ＿ＵＨＦセキュリティ素子によって実質的に取り囲まれ、キャパシタストラップを用いたＥＡＳセキュリティ素子を示している。 図１の線２−２に沿った第１の実施形態の断面図である。 図１の線３−３に沿った第１の実施形態の断面図である。 ＥＡＳ素子のコイル部分と一体化されたダイポール構成を有するように形成されたコンビネーションＥＡＳ／ＵＨＦタグの第２の実施形態の平面図である。 図４の線５−５に沿った第２の実施形態の断面図である。 図４の線６−６に沿った第２の実施形態の断面図である。 図１のコンビネーションＥＡＳ／ＵＨＦタグの等価回路を示す図である。 図２のコンビネーションＥＡＳ／ＵＨＦタグの等価回路を示す図である。 図４のコンビネーションＥＡＳ／ＵＨＦタグの代替等価回路を示す図である。 基板に塗布されたパターン化された接着剤であって、図２のコンビネーションＥＡＳ／ＵＨＦタグの形状にパターン化された接着剤の等角図である。 パターン化された接着剤の上に貼り付けられて積層される導電材料（たとえば、アルミニウム）の層を示す図である。 図１０の線１１−１１に沿った図１０の積層の断面図である。 パターン化された接着剤の形状にカットされた導電材料の層を示す図である。 接着剤で基板に固定された導電材料の層を示す図であり、導電材料の層のうち接着剤で基板に固定されていない部分が除去された様子を示す図である。 形成されたコイルの上への貼り付けのために位置合わせされた、解放可能に固定された上部キャパシタプレートを含む積層を示す図である。 上部キャパシタプレートがコイルに貼り付けられる様子を示す貼り付け台の側面図である。 コイルとの電気的接続を形成するために所定位置で上部キャパシタプレートが圧着される様子を示す図である。 ループアンテナの上への貼り付けのために位置合わせされた、解放可能に固定されたチップストラップを含む積層を示す図である。 ループアンテナの上に配置されたＲＦＩＤチップストラップを示す図１７の線１８−１８に沿った断面図である。 ＲＦＩＤチップストラップがループアンテナと電気的に結合されていることを示すＲＦＩＤチップストラップの断面図である。 図１のコンビネーションＥＡＳ／ＵＨＦタグのための送信機／受信機システムを示す図である。 図２のコンビネーションＥＡＳ／ＵＨＦタグのための送信機／受信機システムを示す図である。 コンビネーションＥＡＳ／ＵＨＦタグの（第２の実施形態の代替バージョンである）第３の実施形態であって、ＥＡＳ素子と直接結合されたＲＦＩＤループに沿って、ＥＡＳ素子のコイル部分と一体化されたダイポール構成を有するように形成された第３の実施形態を示す図である。 図２２のコンビネーションＥＡＳ／ＵＨＦタグの等価回路を示す図である。 コンビネーションＥＡＳ／ＵＨＦタグの第４の実施形態であって、ＥＡＳ素子と直接結合されたＲＦＩＤループを含み、さらに、コンビネーションＥＡＳ／ＵＨＦタグに遠距離場および近距離場の読み取り機能を与える不活性化素子を介してＥＡＳ素子と接続されたダイポールを含む第４の実施形態を示す図である。 図２４のコンビネーションＥＡＳ／ＵＨＦタグの等価回路を示す図である。

以下、図面を参照しながら本発明を説明する。これらの図面において、類似の参照符号は類似の要素を指している。
本発明は、ＥＡＳセキュリティ素子とＲＦＩＤ ＵＨＦ（極超短波）セキュリティ素子とを組み合わせることを伴う。本発明は、アイテムレベルのＵＨＦ機能性を小売タグに追加することと、商店に設置されたＥＡＳシステムの整合性を維持することとを可能にする。従来の目標は、ＥＡＳシステムおよびＥＡＳタグを捨て、これらをＲＦＩＤシステムおよびＲＦＩＤタグに完全に置き換えることであった。本発明の第１の実施形態２０Ａでは、ＲＦＩＤ ＵＨＦセキュリティ素子を近接させることで、ＥＡＳセキュリティ素子の応答信号を強化する。本発明の第２の実施形態２０Ｂでは、コイルとキャパシタの構成を用いたＥＡＳセキュリティ素子が、一体型ダイポールアンテナ素子によって強化されており、ＲＦＩＤ ＵＨＦセキュリティ素子をほぼ取り囲んでいる。両実施形態とも、これらの二重セキュリティ素子の大部分が共通の導電層から形成されており、そのため、これらの二重セキュリティ素子の生産の費用効率が高くなる。

従来のＥＡＳセキュリティ素子は、電気的に結合されて、通常は約８．２ＭＨｚの周波数レンジに同調されたキャパシタと多重巻回コイルとからなる共振回路を含んでいる。ＲＦＩＤセキュリティ素子は、１３．５６ＭＨｚ以上の周波数に同調されたアンテナに電気的に結合されたＲＦＩＤ ＩＣを含んでいる。この周波数が高くなるにつれて、セキュリティタグを検出できる距離（「読み取り距離」とも呼ばれる）も長くなる。したがって、ＥＡＳセキュリティ素子およびＲＦＩＤセキュリティ素子は、より高い周波数、特に極超短波であるＵＨＦ（たとえば、８５０ＭＨｚ〜１２００ＭＨｚ）で動作することが望ましい。典型的には、ＥＡＳセキュリティ素子およびＲＦＩＤセキュリティ素子は、２つの独立したプロセスで形成される。

図１は、強化されたＥＡＳ応答信号特性を示すコンビネーションＥＡＳ／ＵＨＦタグ２０Ａの平面図である。図７は、ＥＡＳ／ＵＨＦタグ２０Ａの等価回路を示す。具体的には、タグ２０Ａは、ＥＡＳセキュリティ素子２４とＵＨＦセキュリティ素子２６とを含んでいる。ＥＡＳセキュリティ素子は、コイル２２４およびキャパシタを含んでいる。あくまで例として、このキャパシタは、コイル２２４と電気的に接続されて共振回路を形成することが可能なキャパシタストラップ２２５を含んでよい。キャパシタストラップの詳細は、米国特許出願第１１／５３９，９９５号（２００６年１０月１０日出願）の名称「キャパシタストラップ」で開示されており、これは、参照により開示全体が本明細書に組み込まれており、また、本出願と同じ譲受人、すなわち、チェックポイントシステムズ社によって所有されている。したがって、キャパシタストラップ２２５をコイル２２４に貼り付けることにより、ＥＡＳセキュリティ素子は、特定の周波数帯に同調され、対応する質問器または読み取り器に対して固有の応答信号で応答する。あくまで例として、ＥＡＳセキュリティ素子２４は、およそ８．２ＭＨｚに同調される。ＵＨＦセキュリティ素子２６はＲＦＩＤ集積回路（ＩＣ）を含んでおり、これは、アンテナ、典型的には、（ダイポール素子２８Ａおよび２８Ｂで形成された）ダイポールアンテナに電気的に結合された「チップストラップ」２５として実装されている。最近では、このＩＣの取り付けは、導電性フランジを各ＩＣ接点に電気的に結合してチップストラップ２５を形成することによって行われている。たとえば、米国特許第６，９４０，４０８号（Ｆｅｒｇｕｓｏｎら）、同第６，６６５，１９３号（Ｃｈｕｎｇら）、同第６，１８１，２８７号（Ｂｅｉｇｅｌ）、および同第６，１００，８０４号（Ｂｒａｄｙら）、ならびに米国特許出願第１１／５３９，９９５号の各明細書を参照されたい。これらはすべて、参照により本明細書に組み込まれている。

本出願の発明２０Ａの一つの特徴として、ＥＡＳセキュリティ素子２４をほぼ取り囲むようにＵＨＦセキュリティ素子２６を配置して「コンビネーションタグ」を形成することにより、ＥＡＳセキュリティ素子の応答信号がＵＨＦセキュリティ素子２６の近傍にない場合に比べて、このＥＡＳセキュリティ素子の応答信号が強化されて、かなり遠い距離での読み取りまたは「認識」が可能になることがわかっている。このようにＵＨＦセキュリティ素子２６がＥＡＳセキュリティ素子２４を近傍で取り囲むことによって、ＥＡＳセキュリティ素子２４にかけられる電磁束が増える。さらに、ＥＡＳセキュリティ素子２４を通って静電荷が放電されるのではなくＵＨＦセキュリティ素子２６を通って静電荷が放電されるという点で、このＵＨＦセキュリティ素子２６による取り囲みは、ＥＡＳセキュリティ素子２４に対する静電気保護として機能する。

具体的には、図２０は、ＥＡＳ送信機２およびＥＡＳ受信器４を示している。ＥＡＳ送信機２が質問信号６を発すると、従来のＥＡＳタグの場合よりも、格段に遠い距離でＥＡＳ／ＵＨＦタグ応答信号１００を検出することが可能となる。表１は、単独のＥＡＳセキュリティ素子２４の場合（「ＥＡＳ単独」）、ＵＨＦセキュリティ素子２６が近接しているＥＡＳセキュリティ素子２４の場合（「ダイポール付きＥＡＳ」）、ならびに単独のＵＨＦセキュリティ素子２６の場合（「ＵＨＦ」）の応答データを示している。データからわかるように、ダイポール付きＥＡＳの振幅は、「ＥＡＳ単独」の振幅より大きかった。このことは、ＥＡＳセキュリティ素子２４の読み取りが、近距離場（たとえば、３〜５フィート）よりも長い距離で可能であることを示している。さらに、チェックポイントシステム社の４１０タグ・シリーズである「ゴールドスタンダード（Ｇｏｌｄ Ｓｔａｎｄａｒｄ）」（ＧＳＴ）の応答信号と比べると、１以上のＧＳＴレーティングが、コンビネーションタグを用いて達成された。

図２〜３は、コンビネーションタグ２０Ａの構造を示す。図２からわかるように、タグ２０Ａは、ＥＡＳセキュリティ素子２４が取り付けられた運搬体（ｃａｒｒｉｅｒ）または基板２３で支持されている。同様に、ＵＨＦセキュリティ素子２６のダイポール素子２８Ａ／２８Ｂも、運搬体または基板２３に固定されている。図３は、ダイポール素子２８Ａと２８Ｂとの間の間隔Ｇにわたってチップストラップ２５が結合されている様子を示す。コンビネーションタグ２０ＡのＥＡＳセキュリティ素子２４およびＵＨＦセキュリティ素子２６の形成は、以下で説明されるコンビネーションＥＡＳ／ＵＨＦタグ２０Ｂの形成と同様であることを理解されたい。さらに、ＥＡＳセキュリティ素子２４を個別に形成することと、ＵＨＦセキュリティ素子２６を個別に形成することとは、米国特許出願第１１／４００，９３２号（２００６年４月１０日出願）（名称「トランスファー・テープ・ストラップ・プロセス」）の明細書に示されており、これの全開示が、参照により本明細書に組み込まれている。

なお、共同所有されている米国特許第７，１２９，８４３号（Ｐｉｃｃｏｌｉら）および米国特許出願公開第２００７／０１４６１４２号（両方とも既述）に対するコンビネーションタグ２０Ａの優位点は、とりわけ、共通層から２つのセキュリティ素子（たとえば、ＲＦＩＤダイポールとＥＡＳ共振回路）が作成されると同時に、ＥＡＳ回路の応答信号の強化に影響を及ぼすことである。既述のように、このことにより、セキュリティタグ全体が、異なる検出システムに対して適応可能になり、顧客に大きな恩恵がもたらされる。

図４は、コンビネーションＥＡＳ／ＵＨＦタグ２０Ｂを示す。タグ２０Ｂでは、コイル１２６およびキャパシタ１２８の構成を用いたＥＡＳセキュリティ素子１２４が、一体型ダイポールアンテナ素子１２５Ａおよび１２５Ｂによって強化され、これらすべてが共通の導電層から形成されている。第１の実施形態２０Ａでは、ＥＡＳ回路の応答信号の強化が、重要な特徴の１つであったのに対し、ＥＡＳ／ＵＨＦタグ２０Ｂの重要な特徴は、共通の材料層を用いた二重タグ（ＥＡＳおよびＲＦＩＤ）の構造である。図８は、ＥＡＳ／ＵＨＦタグ２０Ｂの等価回路を示す。具体的には、ダイポール素子１２５Ａ／１２５Ｂは、コイル１２６と一体成形されている。キャパシタ１２８は、一方のダイポール素子１２５Ａと追加キャパシタプレート１２８Ａとによって形成されており、プレート１２８Ａは、ダイポール素子１２５Ａの上方に配置されており、ダイポール素子１２５Ａとプレート１２８Ａとの間に誘電体が配置されている。素子１２５Ａ／１２５Ｂの端部とコイル１２６とによって区画された領域１３３の内側には、ＥＡＳセキュリティ素子１２４に同様に近接して配置されたループアンテナ１３０にＲＦＩＤ ＩＣが電気的に結合されている。ループアンテナ１３０は、単独では、第１のＵＨＦ周波数（たとえば、７００ＭＨｚ）に同調されている。しかしながら、ループアンテナ１３０に近接してＥＡＳセキュリティ素子１２４を配置することにより、ループアンテナ１３０から発せられるＲＦＩＤ信号は強化され（たとえば、ループアンテナ１３０は、より高い周波数（たとえば、８６０〜９５０ＭＨｚ帯）に同調され）、これによって、より遠い距離での読み取りが可能になる。図２１は、ＥＡＳ送信機３およびＥＡＳ受信機５を示している。ＥＡＳ送信機２が質問信号７を発すると、ＥＡＳセキュリティ素子１２４は、応答信号９を発することによって、同調された周波数に応答する。ＲＦＩＤ読み取り器信号１１が発せられると、ＵＨＦセキュリティ素子は、応答信号１３をＲＦＩＤ読み取り器へ送信する。表２は、この実施形態２０Ｂの特性を示している。

図５〜６は、コンビネーションタグ２０Ｂの構造を示す。図５からわかるように、タグ２０Ｂは、ＥＡＳセキュリティ素子１２４が取り付けられた運搬体または基板１２３で支持されている。同様に、ループアンテナ１３０も、運搬体または基板１２３に固定されている。図６は、ループアンテナの端部１３１Ａと１３１Ｂとの間の間隔Ｇにわたってチップストラップ２５が結合されている様子を示す。

図８Ａは、別の同様の実施形態の等価回路を示す。
コンビネーションＥＡＳ／ＵＨＦタグ２０Ｂが形成される様子を、図９〜１９に示す。具体的には、まず、パターン化された接着剤３００（図９）が、基板層１２３に塗布される。次に、図１０〜１１に示されるように、パターン化された接着剤３００の上に、導電層３０２（たとえば、アルミニウム）が貼り付けられる。図１２に示されるように、導電層３０２は、パターン化された接着剤３００の形状にカットされる。導電層３０２のうち、パターン化された接着剤３００が下にない部分が除去されることにより、所望のコイル１２６および部分キャパシタ１２８の構成が残り、これらは、図１３に示されるように、一体型ダイポールアンテナ素子１２５Ａおよび１２５Ｂによって補強されている。コンビネーションタグ２０Ｂを完成させるには、ダイポール素子１２５Ａの一部の上に上部キャパシタプレート１２８を配置し、ループアンテナ１３０にチップストラップ２５を結合させる。図１４は、複数のキャパシタプレート１２８Ａ（そのうちの１つだけが図示されている）を含むウェブ３０４を示す。ウェブ３０４は、１つのキャパシタプレート１２８がダイポールアンテナ素子１２５Ａの一部と正しく位置合わせされるように、配置される。なお、キャパシタプレート１２８Ａは、第１の接着剤層３０６と、導電層３０８と、第２の接着剤層３１０とを含んでいる。第１の接着剤層３０６は、ダイポールアンテナ１２５Ａの一部との直接接触を行い、キャパシタ１２８の誘電層として機能する。導電層３０８は、キャパシタ１２８の、実際の「他方のプレート」を形成する。第２の接着剤層３１０は、ダイポールアンテナ１２５Ａの一部へのウェブ３００の貼り付けの前に、ウェブ３００にキャパシタプレート１２８Ａを解放可能に固定する。

図１５からわかるように、（反時計回りに回転する）ローラ３１２が、ウェブ３００の裏側に圧力をかけて、キャパシタプレート１２８Ａをウェブ３００から離してダイポール部分１２５Ａに貼り付ける。第１の接着剤層３０６は、第２の接着剤層３１０より強力な接着剤を含むため、キャパシタプレート１２８Ａは、ローラ３１２から圧力がかかると、ウェブ３００から離れる。この時点で、導電層３０８の一端が、コイル１２６と電気的に結合される必要がある。そのために、図１６に示されるように、圧着（またはホットスタンプなど）が行われて、キャパシタプレート１２８Ａの一端３１４（図１４）とコイル１２６上の導電端子３１６（図１４）との間に電気的接続が形成される。結果として、キャパシタ１２８が形成される。

残るステップは、ループアンテナ１３０にチップストラップ２５を結合させることである。図１７に示されるように、複数のチップストラップ２５（そのうちの１つだけが図示されている）を含むウェブ３１８が、１つのチップストラップ２５がループアンテナ端部１３１Ａ／１３１Ｂと正しく位置合わせされるように、配置される。なお、チップストラップ２５は、（図１９に最も明白に示されるような）第１の接着剤層３２０と、導電素子３２２Ａ／３２２Ｂと、第２の接着剤層３２４とを含んでいる。第１の接着剤層３２０は、ループアンテナ端部１３１Ａ／１３１Ｂとの直接接触を行う。導電素子３２２Ａ／３２２Ｂは、チップストラップ２５のＩＣの導電延長部となる。第２の接着剤層３１０は、ループアンテナ端部１３１Ａ／１３１Ｂへのウェブ３１８の貼り付けの前に、ウェブ３１８にチップストラップ２５を解放可能に固定する。

図１８からわかるように、（反時計回りに回転する）ローラ３２６が、ウェブ３１８の裏側に圧力をかけて、チップストラップ２５をウェブ３１８から離してループアンテナ端部１３１Ａ／１３１Ｂに貼り付ける。第１の接着剤層３２０は、第２の接着剤層３２４より強力な接着剤を含むため、チップストラップ２５は、ローラ３２６から圧力がかかると、ウェブ３１８から離れる。この時点で、導電素子３２２Ａ／３２２Ｂは、ループアンテナ端部１３１Ａ／１３１Ｂと、それぞれ電気的に結合される必要がある。そのために、図１９に示されるように、熱溶接／圧着が行われて、導電素子（３２２Ａおよび３２２Ｂ）とそれぞれに対応するループアンテナ端部（１３１Ａおよび１３１Ｂ）との間に電気的接続が形成される。結果として、ＲＦＩＤループアンテナ１３０が形成される。

図２２は、第３の実施形態を示しており、これは、コンビネーションＥＡＳ／ＵＨＦタグ２０Ｂの代替バージョン２０Ｂ’である。タグ２０Ｂ’では、コイル１２６およびキャパシタ１２８の構成を用いたＥＡＳセキュリティ素子１２４が、一体型ダイポールアンテナ素子１２５Ａおよび１２５Ｂ、ならびにＲＦＩＤループ１３０によって補強され、これらすべてが共通の導電層から形成されている。図２３は、ＥＡＳ／ＵＨＦタグ２０Ｂ’の等価回路を示す。代替バージョン２０Ｂ’は、あらゆる態様が、前述された第２の実施形態２０Ｂと同じである。唯一異なる点は、ループアンテナ１３０が、ブリッジ４０２および４０３を介してコイル１２６と直接結合されていることである。さらに、代替バージョン２０Ｂ’の形成は、図９〜１０および１２〜１３においてブリッジ４０２／４０３を含む。

キャパシタプレート１２８およびチップストラップ２５が貼り付けられる順序は、本発明の方法を限定するものではなく、いずれが先に貼り付けられてもよく、実質的に同時に貼り付けられてもよいことを理解されたい。

図２４〜２５は、第４の実施形態２０Ｃを示しており、この例では、セキュリティタグを、遠距離場構成においても、さらには近距離場構成においても不活性化することが可能である。このことは、店に戻されたアイテムによってセキュリティアラームがオフに設定されることがなく、タグが返納台においてスキャンされたときに、アイテム／値付け情報が返納台に提供されるようにする場合に、大きな利点を顧客に提供する。したがって、遠距離場の構造を不活性化することにより、セキュリティタグは、アラームがオフにされることを防ぎ、タグが、そのアイテムＩＤおよび値付けに関して質問されることを可能にする。

具体的には、図２４に示されるように、第４の実施形態２０Ｃは、ＲＦＩＤループ５３０、（プレート５２８および５２８Ａからなるキャパシタと、コイル５２６とを有する）ＥＡＳセキュリティ素子５２４、ならびにダイポール素子５２５Ａおよび５２５Ｂを含むなど、いくつかの点で、第３の実施形態と同様である。一方、第３の実施形態２０Ｂ’とは異なり、ダイポール素子５２５Ａおよび５２５Ｂは、ＥＡＳセキュリティ素子コイル５２６と一体型には形成されておらず、不活性化素子５２７（たとえば、ヒューズ、ディンプル（dimple）、または他の任意の種類の切断動作可能な構造）が、ＥＡＳセキュリティ素子コイル５２６の一部分を形成しており、当該部分がダイポール素子５２５Ａ／５２５Ｂと接続されている。通常動作中にコンビネーションＥＡＳ／ＵＨＦタグ２０Ｃが質問場（ＵＨＦ周波数帯）にさらされると、ＲＦＩＤコンテンツを含む応答信号が、「遠距離場」と見なされる３〜４メートル（約１５〜２０フィート）先で読み取られることが可能である。しかしながら、タグが、不活性化素子５２７が動作しているような不活性化場にさらされた場合は、ダイポール素子５２５Ａおよび５２５Ｂが応答信号送信から切り離され、応答信号送信は、ＥＡＳセキュリティ素子５２４のみに委ねられる。ＲＦＩＤコンテンツを含む、ＥＡＳセキュリティ素子経由の読み取りの距離は、およそ１フィートであって、これは「近距離場」と見なされる。

具体的な例を参照しながら本発明を詳細に説明したが、当業者であれば明らかなように、本発明の思想および範囲から逸脱することなく、様々な変更および修正を本発明に施すことが可能である。

Claims (22)

1. セキュリティタグであって、
   電子商品監視（ＥＡＳ）素子と、無線周波数識別（ＲＦＩＤ）集積回路を含む極超短波（ＵＨＦ）素子とを備え、前記ＵＨＦ素子は、前記ＥＡＳ素子に隣接して配置され、かつ前記ＥＡＳ素子を実質的に取り囲んでいる、セキュリティタグ。
2. 前記ＵＨＦ素子は、前記ＥＡＳ素子の周囲に実質的に隣接するように配置された２つのダイポールアンテナ素子を含む、請求項１に記載のセキュリティタグ。
3. 前記ＥＡＳ素子は、コイルおよびキャパシタの構成を含む、請求項２に記載のセキュリティタグ。
4. 前記ＥＡＳ素子は矩形形状からなり、前記ダイポールアンテナ素子は、前記矩形形状に対応するように構成されている、請求項２に記載のセキュリティタグ。
5. セキュリティタグであって、
   電子商品監視（ＥＡＳ）素子と、極超短波（ＵＨＦ）素子とを備え、前記ＥＡＳ素子と前記ＵＨＦ素子とは、共通の導電層から形成された部分を有する、セキュリティタグ。
6. 前記ＥＡＳ素子は、コイルおよびキャパシタの回路を含み、当該回路は、前記コイルの部分と一体化されたダイポールアンテナ素子を有し、前記ＵＨＦ素子は、無線周波数識別（ＲＦＩＤ）集積回路を含むループアンテナを含み、かつ前記コイルに近接して配置されている、請求項５に記載のセキュリティタグ。
7. 前記ダイポールアンテナ素子は、互いに向かい合う端部を含み、当該端部は前記ＵＨＦ素子が前記コイルと近接して配置される領域を前記コイルとともに画定する、請求項６に記載のセキュリティタグ。
8. 前記ＵＨＦ素子は前記コイルに接続されている、請求項５に記載のセキュリティタグ。
9. 前記ＥＡＳ素子は、コイルおよびキャパシタの回路を含み、当該回路は、不活性化素子を介して前記コイルの部分に接続されたダイポールアンテナ素子を有し、前記ＵＨＦ素子は、無線周波数識別（ＲＦＩＤ）集積回路を含むループアンテナを含み、かつ前記コイルに接続されている、請求項５に記載のセキュリティタグ。
10. 前記不活性化素子はヒューズである、請求項９に記載のセキュリティタグ。
11. 電子商品監視（ＥＡＳ）素子と、ＲＦＩＤ集積回路を含む極超短波（ＵＨＦ）素子とを備えるセキュリティタグを製造する方法であって、
    基板を用意すること、
    前記ＥＡＳ素子および前記ＵＨＦ素子に対応するパターンで前記基板に接着剤を塗布すること、
    前記接着剤に導電層を貼り付けること、
    前記導電層をカットして、前記ＥＡＳ素子の一部分および前記ＵＨＦ素子の一部分を形成すること、
    前記ＵＨＦ素子にＲＦＩＤチップストラップを貼り付け、前記ＥＡＳ素子にキャパシタストラップまたはキャパシタプレートを貼り付けること、
    前記ＵＨＦ素子に前記ＲＦＩＤチップストラップを電気的に接続し、前記ＥＡＳ素子に前記キャパシタストラップまたは前記キャパシタプレートを電気的に接続すること、
    を備える方法。
12. 前記ＥＡＳ素子の一部分は、前記キャパシタストラップと電気的に接続されたコイルを含む、請求項１１に記載の方法。
13. 前記ＵＨＦ素子の一部分は、前記ＲＦＩＤチップストラップと電気的に接続されたダイポール素子を備える、請求項１２に記載の方法。
14. 前記ＥＡＳ素子の一部分は、一体型ダイポール素子を有するコイルを含み、前記キャパシタプレートは、前記コイルと電気的に接続されている、請求項１１に記載の方法。
15. 前記ＵＨＦ素子の一部分は、一対の開放端を有するループを含み、前記開放端は、前記ＲＦＩＤチップストラップと電気的に接続されている、請求項１４に記載の方法。
16. 前記ＥＡＳ素子および前記ＵＨＦ素子に対応するパターンで前記基板に接着剤を塗布することは、前記ＵＨＦ素子が前記ＥＡＳ素子と近接するように前記接着剤を塗布することを含む、請求項１１に記載の方法。
17. 前記ＥＡＳ素子および前記ＵＨＦ素子に対応するパターンで前記基板に接着剤を塗布することは、開放端を有する延長部の形状に前記接着剤を塗布して、前記一体型ダイポール素子を形成することを含む、請求項１４に記載の方法。
18. 前記コイルと前記開放端を有する延長部とにより、前記ＵＨＦ素子が配置される領域が区画される、請求項１７に記載の方法。
19. 前記ＥＡＳ素子および前記ＵＨＦ素子に対応するパターンで前記基板に接着剤を塗布することは、コイル形状に前記接着剤を塗布するとともに、前記コイル形状の前記接着剤を実質的に取り囲むバンド形状に前記接着剤を塗布することを含む、請求項１１に記載の方法。
20. 前記ＥＡＳ素子および前記ＵＨＦ素子に対応するパターンで前記基板に接着剤を塗布することは、前記ＵＨＦ素子が前記ＥＡＳ素子に接続されるように前記接着剤を塗布することを含む、請求項１１に記載の方法。
21. 前記導電層をカットして、前記ＥＡＳ素子の一部分を形成することは、前記ＥＡＳ素子に不活性化素子を組み込むことを含む、請求項１１に記載の方法。
22. 前記ＥＡＳ素子はコイルを含み、前記不活性化素子はヒューズである、請求項２１に記載の方法。

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