JP2010511690A

JP2010511690A - 光活性化合物

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Publication number: JP2010511690A
Application number: JP2009539824A
Authority: JP
Inventors: ラーマン・エム・ダリル; レントキーウィクツ・デイビッド・エル
Original assignee: AZ Electronic Materials USA Corp
Current assignee: EMD Performance Materials Corp
Priority date: 2006-12-04
Filing date: 2007-12-03
Publication date: 2010-04-15
Also published as: TW200835673A; WO2008068617A8; US20080131810A1; CN101547913A; WO2008068617A3; WO2008068617A2; KR20090087912A; EP2102184A2; US7390613B1

Abstract

本発明は、式ＡｉＸｉＢｉの化合物に関する。式中、Ａｉ及びＢｉは、それぞれ独立して、有機オニウムカチオンであり；Ｘｉは式⁻Ｏ_３Ｓ−ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−ＳＯ_３ ⁻のアニオンである。これらの化合物は、光活性材料として有用である。

Description

本発明は、マイクロリソグラフィの分野においてフォトレジスト組成物に有用な新規の光活性化合物、特に半導体デバイスの製造においてネガ型及びポジ型パターンを像形成するのに有用な新規の光活性化合物、並びにフォトレジスト組成物及びフォトレジストに像形成する方法に関する。

フォトレジスト組成物は、微細化された電子部品の製造のためのマイクロリソグラフィプロセス、例えばコンピュータチップ及び集積回路の製造などにおけるマイクロリソグラフィプロセスおいて使用されている。これらのプロセスでは、一般的に、先ずフォトレジスト組成物のフィルムの薄い塗膜を、集積回路の製造に使用されるケイ素ウェハなどの基材上に塗布する。次いで、この被覆された基材をベーク処理して、フォトレジスト組成物中の溶剤を蒸発させて、被膜を基材上に定着させる。基材上に塗布されたこのフォトレジストを次に放射線による像様露光に付す。

この放射線露光は、被覆された表面の露光された領域において化学的な変化を引き起こす。可視光線、紫外線（ｕｖ）、電子ビーム及びＸ線放射エネルギーが、現在マイクロリソグラフィプロセスに常用されている放射線種である。この像様露光の後、被覆された基材を現像剤溶液で処理して、フォトレジストの放射線露光された領域または未露光の領域のいずれかを溶解除去する。半導体デバイスは微細化に向かう傾向があり、このような微細化に伴う問題を解決するために、より一層短い波長の放射線に感度を示す新しいフォトレジストや、精巧な多層系が使用されている。

フォトレジスト組成物には、ネガ型とポジ型の二つのタイプのものがある。リソグラフィプロセッシングにおいて特定の時点で使用されるフォトレジストの種類は、半導体デバイスの設計によって決定される。ネガ型フォトレジスト組成物を放射線で像様露光すると、放射線に曝された領域のフォトレジスト組成物が現像剤溶液に溶けにくくなり（例えば架橋反応が起こる）、他方、未露光の領域のフォトレジスト膜はこのような溶液に比較的可溶性のまま残る。それ故、露光されたネガ型レジストを現像剤で処理すると、フォトレジスト膜の未露光の領域が除去されて、被膜にネガ像が形成される。それによって、フォトレジスト組成物が付着していたその下にある基材表面の所望の部分が裸出される。

これに対し、ポジ型フォトレジスト組成物を放射線で像様露光すると、放射線に曝された領域のフォトレジスト組成物が現像剤溶液に溶けやすくなり（例えば転位反応が起こる）、他方で未露光の領域は現像剤溶液に比較的不溶性のまま残る。それ故、露光されたポジ型フォトレジストを現像剤で処理すると、塗膜の露光された領域が除去されて、フォトレジスト膜にポジ像が形成される。この場合もまた、下にある表面の所望の部分が裸出される。

フォトレジスト解像度とは、レジスト組成物が、露光及び現像の後に高いレベルの鋭い像縁をもってフォトマスクから基材へと転写できる最小の図形（feature）と定義される。多くの現在の最先端の製造用途では、１／２μｍ（ミクロン）未満のオーダーのフォトレジスト解像度が必要である。加えて、現像されたフォトレジストの壁の側面が基材に対してほぼ垂直であることが大概の場合において望まれる。レジスト膜の現像された領域と現像されていない領域との間のこのような明確な境界画定が基材へのマスク像の正確なパターン転写につながる。これは、微細化に向かう動向がデバイス上での微小寸法（critical dimentions）を小さくしているのでより一層重要な事柄となる。フォトレジスト寸法が１５０ｎｍ未満にまで減少された場合には、フォトレジストパターンの粗さ（ラフネス）が重要な問題となる。一般にラインエッジラフネス（line edge roughness）として知られる縁の粗さは、典型的には、ライン・アンド・スペースパターンの場合にはフォトレジストのラインに沿った粗さとして、コンタクトホールの場合には側壁の粗さとして観察される。エッジラフネスは、フォトレジストのリソグラフィ性能に悪影響を及ぼす恐れがあり、特に、微小寸法寛容度を低下させたり、フォトレジストのラインエッジラフネスを基材に転写させることがある。それ故、エッジラフネスを最小限に抑えるフォトレジストが非常に望ましい。

半ミクロン未満の形状が必要な場合には、約１００ｎｍ〜約３００ｎｍの間の短波長に感度のあるフォトレジストがしばしば使用される。特に好ましいものは、非芳香族系ポリマー、光酸発生剤、任意付加成分としての溶解防止剤、及び溶剤を含むフォトレジストである。

四分の一ミクロン未満の形状の像をパターン化するためには、高解像度の化学増幅型深紫外線（１００〜３００ｎｍ）ポジ型及びネガ型フォトレジストが利用可能である。現在まで、微細化に大きな進展をもたらした三つの主要な深紫外線（ｕｖ）露光技術があり、これらは２４８ｎｍ、１９３ｎｍ及び１５７ｎｍの放射線を放つレーザーを使用する。深紫外線に使用されるフォトレジストは、典型的には、酸不安定性基を有しそして酸の存在下に解保護化し得るポリマー、光を吸収すると酸を発生する光活性成分、及び溶剤を含む。

２４８ｎｍ用フォトレジストは、典型的には、置換されたポリヒドロキシスチレン及びそれのコポリマー、例えば米国特許第4,491,628号明細書（特許文献１）及び米国特許第5,350,660号明細書（特許文献２）に記載のものに基づく。他方、１９３ｎｍ露光用のフォトレジストは、芳香族類がこの波長で不透明なために、非芳香族系ポリマーを必要とする。米国特許第5,843,624号明細書（特許文献３）及び英国特許出願公開第2,320,718号明細書（特許文献４）は、１９３ｎｍ露光に有用なフォトレジストを開示している。一般的に、２００ｎｍ未満の露光用のフォトレジストには、脂肪環式炭化水素を含むポリマーが使用される。脂肪環式炭化水素は、多くの理由からポリマー中に導入される。すなわち、主には、これれが、耐エッチング性を向上させる比較的高い炭素：水素比を有し、またこれらは短い波長で透明性を供し、そして比較的高いガラス転移温度を有するからである。１５７ｎｍで感度のあるフォトレジストは、フッ化されたポリマーに基づく。これらのポリマーは、この波長で実質的に透明であることが知られている。フッ化基を含むポリマーから誘導されるフォトレジストは、国際公開第00/67072号パンフレット（特許文献５）及び国際公開第00/17712号パンフレット（特許文献６）に記載されている。

フォトレジストに使用されるポリマーは、像の形成に使用する波長で透明であるように設計されるが、他方で、光活性成分は、典型的には、感光性を最大化するために像形成波長で吸光性であるように設計される。フォトレジストの感光性は、光活性成分の吸光性に依存し、吸光性が高い程、酸を発生するのに必要なエネルギーが低くなり、フォトレジストの感光性が高くなる。

米国特許第４，４９１，６２８号明細書米国特許第５，３５０，６６０号明細書米国特許第５，８４３，６２４号明細書英国特許出願公開第２，３２０，７１８号明細書国際公開第００／６７０７２号パンフレット国際公開第００／１７７１２号パンフレット米国特許第６，８４１，３３３号明細書米国特許第５，８７４，６１６号明細書国際公開第２００７／００７１７５号パンフレット米国特許第５，８７９，８５７号明細書国際公開第９７／３３，１９８号パンフレット欧州特許出願公開第７８９，２７８号明細書英国特許出願公開第２，３３２，６７９号明細書米国特許第６，６１０，４６５号明細書米国特許第６，１２０，９７７号明細書米国特許第６，１３６，５０４号明細書米国特許第６，０１３，４１６号明細書米国特許第５，９８５，５２２号明細書米国特許第５，６９３，４５３号明細書国際公開第００／２５１７８号パンフレット特開２０００−２７５８４５号公報特開２０００−１３７３２７号公報特開平０９−７３１７３号公報米国特許第６，６８６，４２９号明細書米国特許出願公開第２００４／０１６６４３３号米国特許出願第１０／３７１，２６２号明細書米国特許出願第１０／４４０，５４２号明細書国際公開第２００４／１０２２７２号パンフレット米国特許出願第１１／１７９，８８６号明細書米国特許出願第１１／３５５，７６２号明細書国際公開第２００７／００７１７５号パンフレット米国特許出願第１１／３５５，４００号明細書米国特許出願公開第２００４−０２２９１５５号明細書米国特許出願公開第２００５−０２７１９７４号明細書米国特許第５，８３７，４２０号明細書米国特許第６，１１１，１４３号明細書特許文献第６，３５８，６６５号明細書

Ｒ．Ｒ．Ｄａｍｍｅｌｅｔａｌ．，ＡｄｖａｎｃｅｓｉｎＲｅｓｉｓｔＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙａｎｄＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇ，ＳＰＩＥ，Ｖｏｌ．３３３３，ｐ１４４，（１９９８）Ｍ−Ｄ．Ｒａｈｍａｎｅｔａｌ，ＡｄｖａｎｃｅｓｉｎＲｅｓｉｓｔＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙａｎｄＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇ，ＳＰＩＥ，Ｖｏｌ．３６７８，ｐ１１９３，（１９９９）

本発明は、次式
ＡｉＸｉＢｉ
で表される化合物に関する。

前記式中、Ａｉ及びＢｉは、それぞれ独立して有機オニウムカチオンであり；そして
Ｘｉは、式⁻Ｏ_３Ｓ−ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−ＳＯ_３ ⁻で表されるアニオンであり、ここで、Ａｉ及びＢｉは、それぞれ

及び
Ｙ−Ａｒ
から選択され、
ここでＡｒは、

ナフチルまたはアントリルから選択され；
Ｙは、

から選択され、
ここで、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_１Ａ、Ｒ_１Ｂ、Ｒ_２Ａ、Ｒ_２Ｂ、Ｒ_３Ａ、Ｒ_３Ｂ、Ｒ_４Ａ、Ｒ_４Ｂ、Ｒ_５Ａ及びＲ_５Ｂは、それぞれ独立して、Ｚ、水素、ＯＳＯ₂Ｒ₉、ＯＲ₂₀、一つまたはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基、モノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルカルボニル基、アリール、アラルキル、アリールカルボニルメチル基、アルコキシアルキル、アルコキシカルボニルアルキル、アルキルカルボニル、シクロアルキル環が一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルオキシカルボニルアルキル、シクロアルキル環が一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルオキシアルキル、直鎖状もしくは分枝状パーフルオロアルキル、モノシクロパーフルオロアルキルもしくはポリシクロパーフルオロアルキル、直鎖状もしくは分枝状アルコキシ鎖、ニトロ、シアノ、ハロゲン、カルボキシル、ヒドロキシル、スルフェート、トレシル、またはヒドロキシルから選択され
Ｒ₆及びＲ₇は、それぞれ独立して、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基、モノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルカルボニル基、アリール、アラルキル、直鎖状もしくは分枝状パーフルオロアルキル、モノシクロパーフルオロアルキルもしくはポリシクロパーフルオロアルキル、アリールカルボニルメチル基、ニトロ、シアノ、またはヒドロキシルから選択されるか、あるいはＲ₆及びＲ₇は、それらが結合するＳ原子と一緒になって、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない５、６もしくは７員の飽和もしくは不飽和環を形成し；
Ｒ₉は、アルキル、フルオロアルキル、パーフルオロアルキル、アリール、フルオロアリール、パーフルオロアリール、シクロアルキル環が一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基、シクロアルキル環が一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロフルオロアルキルもしくはポリシクロフルオロアルキル、またはシクロアルキル環が一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロパーフルオロアルキルもしくはポリシクロパーフルオロアルキル基から選択され；
Ｒ₂₀は、アルコキシアルキル、アルコキシカルボニルアルキル、アルキルカルボニル、シクロアルキル環が一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルオキシカルボニルアルキル、またはシクロアルキル環が一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルオキシアルキルであり；
Ｔは、直接結合、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない二価の直鎖状もしくは分枝状アルキル基、二価アリール基、二価アラルキル基、または一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない二価のモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基であり；
Ｚは、−（Ｖ）_j−（Ｃ（Ｘ１１）（Ｘ１２））_n−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ₈であり、ここで（ｉ）Ｘ１１もしくはＸ１２のうちの一つは、少なくとも一つのフッ素原子を含む直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖であり、他方は、水素、ハロゲン、または直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖であるか、あるいは（ｉｉ）Ｘ１１及びＸ１２の両方とも、少なくとも一つのフッ素原子を含む直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖であり；
Ｖは、直接結合、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない二価の直鎖状もしくは分枝状アルキル基、二価アリール基、二価アラルキル基、または一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない二価のモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基から選択される連結基であり；
Ｘ２は、水素、ハロゲン、または一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖であり；
Ｒ₈は、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基、またはアリールであり；
Ｘ３は、水素、直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、ハロゲン、シアノ、または─Ｃ（＝Ｏ）─Ｒ_５０であり、ここでＲ₅₀は、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、または−Ｏ−Ｒ₅₁であり、ここでＲ₅₁は、水素または直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖であり；
ｉ及びｋは、それぞれ独立して０または正の整数であり；
ｊは０〜１０であり；
ｍは０〜１０であり；
そしてｎは０〜１０であり、
上記の一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、直鎖状もしくは分枝状アルコキシ鎖、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基、モノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルカルボニル基、アルコキシアルキル、アルコキシカルボニルアルキル、アルキルカルボニル、シクロアルキル環が一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルオキシカルボニルアルキル、シクロアルキル環が一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルオキシアルキル、アラルキル、アリール、ナフチル、アントリル、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない５、６もしくは７員の飽和もしくは不飽和環、またはアリールカルボニルメチル基は、置換されていないか、またはＺ、ハロゲン、アルキル、Ｃ_1-8パーフルオロアルキル、モノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル、ＯＲ₂₀、アルコキシ、Ｃ_3-20環状アルコキシ、ジアルキルアミノ、二環式ジアルキルアミノ、ヒドロキシル、シアノ、ニトロ、トレシル、オキソ、アリール、アラルキル、酸素原子、ＣＦ₃ＳＯ₃、アリールオキシ、アリールチオ、及び次式（ＩＩ）〜（ＶＩ）

で表される基からなる群から選択される一つまたはそれ以上の基によって置換されており、前記式中、Ｒ₁₀及びＲ₁₁は、それぞれ独立して、水素原子、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、または一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基を表すか、あるいはＲ₁₀及びＲ₁₁は一緒になってアルキレン基を表して５もしくは６員の環を形成することができ；
Ｒ₁₂は、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基、またはアラルキルを表すか、あるいはＲ₁₀とＲ₁₂は一緒になってアルキレン基を表して、介在する−Ｃ−Ｏ−基と一緒になって５もしくは６員の環を形成し、この際、この環中の炭素原子は、酸素原子によって置き換えられているかまたは置き換えられておらず；
Ｒ₁₃は、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、または一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基を表し；
Ｒ₁₄及びＲ₁₅は、それぞれ独立して、水素原子、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、または一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基を表し；
Ｒ₁₆は、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基、アリール、またはアラルキルを表し；そして
Ｒ₁₇は、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基、アリール、アラルキル、−Ｓｉ（Ｒ₁₆）₂Ｒ₁₇で表される基、または−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ₁₆）₂Ｒ₁₇で表される基を表し、この際、前記の一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基、アリール、及びアラルキルは置換されていないか、または上述のように置換されている。

更に本発明は、上記の化合物の使用、及びフォトレジスト組成物中の光酸発生剤としてのそれの好ましい態様にも関する。

本発明は更に、酸不安定性基を含むポリマー及び上記の化合物を、（ａ）式ＡｉＸｉ１Ｂｉを有する化合物（式中、Ａｉ及びＢｉは上記に定義された通りであり、そしてＸｉ１は、式Ｑ−Ｒ_５００−ＳＯ_３ ⁻のアニオンであり、ここでＱは、⁻Ｏ_３Ｓ及び⁻Ｏ_２Ｃから選択され、そしてＲ₅₀₀は、線状もしくは分枝状アルキル、シクロアルキル、アリール、またはこれらの組み合わせから選択される基であり、これらの基は、カテナリーＳもしくはＮを含むかまたは含まず、ここで前記のアルキル、シクロアルキル、及びアリール基は、置換されていないか、またはハロゲン、置換されていないかもしくは置換されたアルキル、置換されていないかもしくは置換されたＣ_1-8パーフルオロアルキル、ヒドロキシル、シアノ、スルフェート、及びニトロからなる群から選択される一つもしくはそれ以上の基によって置換されている）；及び（ｂ）式ＡｉＸｉ２を有する化合物（式中、Ａｉは、上で定義したような有機オニウムカチオンであり、そしてＸｉ２はアニオンである）；及びこれらの（ａ）と（ｂ）との混合物から選択される一種またはそれ以上の追加の光酸発生剤と一緒に含む、フォトレジスト組成物にも関する。

上記のＸｉ２アニオンの例としては、ＣＦ₃ＳＯ₃ ⁻、ＣＨＦ₂ＳＯ₃ ⁻、ＣＨ₃ＳＯ₃ ⁻、ＣＣl₃ＳＯ₃ ⁻、Ｃ₂Ｆ₅ＳＯ₃ ⁻、Ｃ₂ＨＦ₄ＳＯ₃ ⁻、Ｃ₄Ｆ₉ＳＯ₃ ⁻、カンフルスルホネート、パーフルオロオクタンスルホネート、ベンゼンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、パーフルオロトルエンスルホネート、（Ｒｆ１ＳＯ₂）₃Ｃ⁻ 及び（Ｒｆ１ＳＯ₂）₂Ｎ⁻、並びにＲｇ−Ｏ−Ｒｆ２−ＳＯ₃ ⁻などが挙げられ、前記式中、各々のＲｆ１は、独立して、高度にフッ化されたもしくは過フッ化されたアルキル、またはフッ化アリール基からなる群から選択され、そして任意の二つのＲｆ１基の組み合わせが結合して橋を形成する場合には環状であることができ、更に、Ｒｆ１アルキル鎖は１〜２０個の炭素原子を含み、そして直鎖状、分枝状または環状であることができ、そうして二価の酸素、三価の窒素または六価の硫黄が骨格鎖中に割り込むことができ、更にはＲｆ１が環状構造を含む場合は、この構造は５もしくは６個の環員を有し、その環員のうちの一つもしくは二つは随意にヘテロ原子であることもでき、Ｒｆ２は、線状もしくは分枝状（ＣＦ₂）_j（ｊは４〜１０の整数である）、及びＣ₁〜Ｃ₁₂シクロパーフルオロアルキル二価基（これは、パーフルオロＣ_1-10アルキルで置換されているかもしくは置換されていない）からなる群から選択され、Ｒｇは、Ｃ₁〜Ｃ₂₀の線状、分枝状、モノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀線状、分枝状、モノシクロアルケニルもしくはポリシクロアルケニル、アリール及びアラルキルからなる群から選択され、但し、前記のアルキル、アルケニル、アラルキル、及びアリール基は、置換されていないかもしくは置換されており、一つもしくはそれ以上のカテナリー酸素原子を含むかもしくは含まず、また随意に部分的にフッ化されているかもしくは過フッ化されていてもよい。このようなＸｉ１アニオンの例には、（Ｃ_２Ｆ_５ＳＯ_２）_２Ｎ⁻、（Ｃ_４Ｆ_９ＳＯ_２）_２Ｎ⁻、（Ｃ_８Ｆ_１７ＳＯ_２）_３Ｃ⁻、（ＣＦ_３ＳＯ_２）_３Ｃ⁻、（ＣＦ_３ＳＯ_２）_２Ｎ⁻、（ＣＦ_３ＳＯ_２）_２（Ｃ_４Ｆ_９ＳＯ_２）Ｃ⁻、（Ｃ_２Ｆ_５ＳＯ_２）_３Ｃ⁻、（Ｃ_４Ｆ_９ＳＯ_２）_３Ｃ⁻、（ＣＦ_３ＳＯ_２）_２（Ｃ_２Ｆ_５ＳＯ_２）Ｃ⁻、（Ｃ_４Ｆ_９ＳＯ_２）（Ｃ_２Ｆ_５ＳＯ_２）_２Ｃ⁻、（ＣＦ_３ＳＯ_２）（Ｃ_４Ｆ_９ＳＯ_２）Ｎ⁻、［（ＣＦ_３）_２ＮＣ_２Ｆ_４ＳＯ_２］_２Ｎ⁻、（ＣＦ_３）_２ＮＣ_２Ｆ_４ＳＯ_２Ｃ⁻ （ＳＯ_２ＣＦ_３）_２、（３，５−ビス（ＣＦ_３）Ｃ_６Ｈ_３）ＳＯ_２Ｎ⁻ＳＯ_２ＣＦ_３、Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２Ｃ⁻⁻（ＳＯ_２ＣＦ_３）_２、Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２Ｎ⁻⁻ＳＯ_２ＣＦ_３、

ＣＦ_３ＣＨＦＯ（ＣＦ_２）_４ＳＯ_３ ⁻、ＣＦ_３ＣＨ_２Ｏ（ＣＦ_２）_４ＳＯ_３ ⁻、ＣＨ_３ＣＨ_２Ｏ（ＣＦ_２）_４ＳＯ_３ ⁻、ＣＨ_３ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ（ＣＦ_２）_４ＳＯ_３ ⁻、ＣＨ_３Ｏ（ＣＦ_２）_４ＳＯ_３ ⁻、Ｃ_２Ｈ_５Ｏ（ＣＦ_２）_４ＳＯ_３ ⁻、Ｃ_４Ｈ_９Ｏ（ＣＦ_２）_４ＳＯ_３ ⁻、Ｃ_６Ｈ_５ＣＨ_２Ｏ（ＣＦ_２）_４ＳＯ_３ ⁻、Ｃ_２Ｈ_５ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＳＯ_３ ⁻、ＣＨ_２＝ＣＨＣＨ_２Ｏ（ＣＦ_２）_４ＳＯ_３ ⁻、ＣＨ_３ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＳＯ_３ ⁻、Ｃ_４Ｈ_９ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＳＯ_３ ⁻、Ｃ_８Ｈ_１７Ｏ（ＣＦ_２）_２ＳＯ_３ ⁻、及びＣ_４Ｈ_９Ｏ（ＣＦ_２）_２ＳＯ_３ ⁻などが挙げられる。適当なアニオンの他の例は、米国特許第6,841,333号明細書（特許文献７）及び米国特許第5,874,616号明細書（特許文献８）に見出すことができる。

ＡｉＸｉ２の例には、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムビス−パーフルオロエタンスルホンイミド、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、４−（１−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムビス−（パーフルオロブタンスルホニル）イミド、４−（１−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムビス−（パーフルオロエタンスルホニル）イミド、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウムビス−パーフルオロブタンスルホニル）イミド、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウムビス−（パーフルオロエタンスルホニル）イミド、トルエンジフェニルスルホニウムビス−（パーフルオロブタンスルホニル）イミド、トルエンジフェニルスルホニウムビス−（パーフルオロエタンスルホニル）イミド、トルエンジフェニルスルホニウム−（トリフルオロメチルパーフルオロブチルスルホニル）イミド、トリス−（ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルホニウム−（トリフルオロメチルパーフルオロブチルスルホニル）イミド、トリス−（ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルホニウムビス−（パーフルオロブタンスルホニル）イミド、トリス−（ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルホニウム−ビス−（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、及びこれらの類似物、並びに当業者には既知の他の光酸発生剤などが挙げられる。

本発明の光酸発生剤と追加の光酸発生剤ＡｉＸｉ１Ｂｉ、ＡｉＸｉ２及びこれらの混合物との比率は、約１：１〜約１：４、更には約１：１．２５〜約１：３．５の範囲であることができる。

本発明の光酸発生剤を用いた被覆された基材の製造法、及び被覆された基材も、本願により提供される。
［発明の詳細な説明］
本発明は、次式
ＡｉＸｉＢｉ
で表される化合物に関する。
但し前記式中、Ａｉ及びＢｉはそれぞれ独立して有機オニウムカチオンであり；そして
Ｘｉは、式⁻Ｏ_３Ｓ−ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−ＳＯ_３ ⁻で表されるアニオンであり、
ここで、Ａｉ及びＢｉは、それぞれ

及び
Ｙ−Ａｒ
から選択され、
ここで、Ａｒは、

ナフチルまたはアントリルから選択され；
Ｙは、

から選択され、
ここで、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_１Ａ、Ｒ_１Ｂ、Ｒ_２Ａ、Ｒ_２Ｂ、Ｒ_３Ａ、Ｒ_３Ｂ、Ｒ_４Ａ、Ｒ_４Ｂ、Ｒ_５Ａ、及びＲ_５Ｂは、それぞれ独立して、Ｚ、水素、ＯＳＯ₂Ｒ₉、ＯＲ₂₀、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基、モノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルカルボニル基、アリール、アラルキル、アリールカルボニルメチル基、アルコキシアルキル、アルコキシカルボニルアルキル、アルキルカルボニル、シクロアルキル環が一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルオキシカルボニルアルキル、シクロアルキル環が一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルオキシアルキル、直鎖状もしくは分枝状パーフルオロアルキル、モノシクロパーフルオロアルキルもしくはポリシクロパーフルオロアルキル、直鎖状もしくは分枝状アルコキシ鎖、ニトロ、シアノ、ハロゲン、カルボキシル、ヒドロキシル、スルフェート、トレシルまたはヒドロキシルから選択され；
Ｒ₆及びＲ₇は、それぞれ独立して、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基、モノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルカルボニル基、アリール、アラルキル、直鎖状もしくは分枝状パーフルオロアルキル、モノシクロパーフルオロアルキルもしくはポリシクロパーフルオロアルキル、アリールカルボニルメチル基、ニトロ、シアノ、またはヒドロキシルから選択されるか、あるいはＲ₆及びＲ₇は、それらが結合するＳ原子と一緒になって、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない５、６もしくは７員の飽和もしくは不飽和環を形成し；
Ｒ₉は、アルキル、フルオロアルキル、パーフルオロアルキル、アリール、フルオロアリール、パーフルオロアリール、シクロアルキル環が一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基、シクロアルキル環が一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロフルオロアルキルもしくはポリシクロフルオロアルキル基、またはシクロアルキル環が一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロパーフルオロアルキルもしくはポリシクロパーフルオロアルキル基から選択され；
Ｒ₂₀は、アルコキシアルキル、アルコキシカルボニルアルキル、アルキルカルボニル、シクロアルキル環が一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルオキシカルボニルアルキル、またはシクロアルキル環が一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルオキシアルキルであり；
Ｔは、直接結合、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない二価の直鎖状もしくは分枝状アルキル基、二価のアリール基、二価のアラルキル基、または一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない二価のモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基であり；
Ｚは、−（Ｖ）_j−（Ｃ（Ｘ１１）（Ｘ１２））_n−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ₈であり、ここで、（ｉ）Ｘ１１またはＸ１２のうちの一つは、少なくとも一つのフッ素原子を含む直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖であり、そして他方は、水素、ハロゲン、または直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖であるか、あるいは（ｉｉ）Ｘ１１とＸ１２の両方とも、少なくとも一つのフッ素原子を含む直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖であり；
Ｖは、直接結合、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない二価の直鎖状もしくは分枝状アルキル基、二価のアリール基、二価のアラルキル基、または一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない二価のモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基から選択される連結基であり；
Ｖは、直接結合、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない二価の直鎖状もしくは分枝状アルキル基、二価のアリール基、二価のアラルキル基、または一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない二価のモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基から選択される連結基であり；
Ｘ２は、水素、ハロゲン、または一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖であり；
Ｒ₈は、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基、またはアリールであり；
Ｘ３は、水素、直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、ハロゲン、シアノ、または─Ｃ（＝Ｏ）─Ｒ_５０であり、ここでＲ₅₀は、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、または−Ｏ−Ｒ₅₁から選択され、ここでＲ₅₁は、水素または直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖であり；
ｉ及びｋはそれぞれ独立して０または正の整数であり；
ｊは０〜１０であり；
ｍは０〜１０であり；
そしてｎは０〜１０であり、
上記の一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、直鎖状もしくは分枝状アルコキシ鎖、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基、モノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルカルボニル基、アルコキシアルキル、アルコキシカルボニルアルキル、アルキルカルボニル、シクロアルキル環が一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルオキシカルボニルアルキル、シクロアルキル環が一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルオキシアルキル、アラルキル、アリール、ナフチル、アントリル、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない５、６もしくは７員の飽和もしくは不飽和環、またはアリールカルボニルメチル基は置換されていないか、あるいはＺ、ハロゲン、アルキル、Ｃ_1-8パーフルオロアルキル、モノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル、ＯＲ₂₀、アルコキシ、Ｃ_3-20環状アルコキシ、ジアルキルアミノ、二環式ジアルキルアミノ、ヒドロキシル、シアノ、ニトロ、トレシル、オキソ、アリール、アラルキル、酸素原子、ＣＦ₃ＳＯ₃、アリールオキシ、アリールチオ、及び次式（ＩＩ）〜（ＶＩ）の基から選択される一つもしくはそれ以上の基によって置換されており；

式中、Ｒ₁₀及びＲ₁₁は、それぞれ独立して、水素原子、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、または一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基を表すか、あるいはＲ₁₀及びＲ₁₁は、一緒になって、アルキレン基を表して５員もしくは６員の環を形成することができ；
Ｒ₁₂は、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基、またはアラルキルを表すか、あるいはＲ₁₀及びＲ₁₂は、一緒になってアルキレン基を表し、これは、介在する−Ｃ−Ｏ−基と一緒に５員もしくは６員の環を形成し、この際、この環中の炭素原子は、酸素原子によって置き換えられているかまたは置き換えられておらず；
Ｒ₁₃は、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、または一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基を表し；
Ｒ₁₄及びＲ₁₅は、それぞれ独立して、水素原子、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、または一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基を表し；
Ｒ₁₆は、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基、アリール、またはアラルキルを表し；そして
Ｒ₁₇は、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基、アリール、アラルキル、−Ｓｉ（Ｒ₁₆）₂Ｒ₁₇の基、または−Ｏ−Ｓｉ（Ｒ₁₆）₂Ｒ₁₇の基を表し、この際、前記の一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基、アリール及びアラルキルは置換されていないか、または上述の通り置換されている。

好ましい態様の一つでは、Ａｉ及びＢｉはそれぞれ

から選択される。

更に別の好ましい態様の一つでは、Ａｉ及びＢｉは、それぞれ

であり、式中、Ｒ₆及びＲ₇は、それぞれ独立して、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない置換されているかもしくは置換されていない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖または置換されていないかもしくは置換されたアリールであるか、あるいはＲ₆及びＲ₇は、それらが結合しているＳ原子と一緒になって、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない５、６もしくは７員の飽和もしくは不飽和環を形成し；Ｔは、直接結合であるか、またはオキソで置換されているかもしくは置換されていない、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない二価の直鎖状もしくは分枝状アルキル基である。

この態様において、Ｒ₆及びＲ₇が、それぞれ独立して、置換されていないかもしくは置換されたアリールであり、そしてＴが直接結合であることが好ましい。好ましくは、Ｒ_６及びＲ_７のアリールは、それぞれ、ＯＳＯ_２Ｒ_９、ＯＲ_２０、ヒドロキシまたはアルコキシによって置換されている。

上記の態様において、更に、Ｒ_３Ａが、ヒドロキシ及び直鎖状もしくは分枝状アルコキシ鎖から選択され、そしてＲ_２Ａ及びＲ_４Ａのそれぞれが水素、及び一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖から選択されることが好ましい。

また、この態様においては、Ｒ₆及びＲ₇が、それらが結合するＳ原子と一緒になって、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない５、６もしくは７員の飽和もしくは不飽和環を形成し；そしてＴが、オキソで置換されているかもしくは置換されていない、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない二価の直鎖状もしくは分枝状アルキル基であることも好ましい。

他の好ましい態様においては、Ａｉ及びＢｉは、それぞれ

である。

この態様においては、Ｒ_３Ａ及びＲ_３Ｂが、それぞれ、水素、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、及び直鎖状もしくは分枝状アルコキシ鎖から選択される。
特に好ましいものは、ビス［ジ（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［ジ（４−オクチルオキシフェニル）ヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［（４−オクチルオキシフェニル）フェニルヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［（４−メチルフェニル）フェニルヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［（４−ｔ−ブチルフェニル）フェニルヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［（４−メトキシフェニル）フェニルヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（４−メトキシフェニル）ヨードニウムジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（４−オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（トリフェニルスルホニウム）ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［ビス［２−メチル−アダマンチルアセチルオキシメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［ビス［４−（３，５−ジ（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホニルオキシ）−フェニル］フェニルスルホニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［ビス［４，４−ビス（トリフルオロ−メチル）−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０^２，５］−ノニルメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、及びビス［ビス［４−ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシフェニル］フェニルスルホニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテルからなる群から選択される化合物ＡｉＸｉＢｉである。

本発明の化合物は、実施例に記載の方法のようにまたはこれに類似して、当業者には周知の方法によって合成することができる。

酸フッ化物Ｆ−Ｘｉ−Ｆは、商業的に入手することができ、例えばＳｙｎＱｕｅｓｔＬａｂｓ．，Ｉｎｃ．（Ａｌａｃｈｏａ，Ｆｌｏｒｉｄｅ，Ｕ．Ｓ．Ａ．）から入手できる。

基Ａｉ、Ｂｉの合成法は、例えば国際公開第2007/007175号パンフレット（特許文献９）に記載されている。

更に本発明は、化合物ＡｉＸｉＢｉの使用、及びフォトレジスト組成物中の光酸発生剤、好ましくは下記のフォトレジスト組成物中の光酸発生剤としてのその好まし態様にも関する。

また本発明は、酸不安定性基を含むポリマー及び上記の化合物を、一種またはそれ以上の追加の光酸発生剤、好ましくは（ａ）式ＡｉＸｉＢｉ（式中、Ａｉ及びＢｉは上に定義した通りであり、そしてＸｉ１は、式Ｑ−Ｒ_５００−ＳＯ_３ ⁻のアニオンであり、ここでＱは、⁻Ｏ_３Ｓ及び⁻Ｏ_２Ｃから選択され；そしてＲ₅₀₀は、カテナリーＳもしくはＮを含むかもしくは含まない、線状もしくは分枝状アルキル、シクロアルキル、アリールもしくはこれらの組み合わせから選択され、ここで前記のアルキル、シクロアルキル及びアリール基は、置換されていないか、またはハロゲン、置換されていないかもしくは置換されたアルキル、置換されていないかもしくは置換されたＣ_１−８パーフルオロアルキル、ヒドロキシル、シアノ、スルフェート、及びニトロからなる群から選択される一つもしくはそれ以上の基によって置換されている）；及び（ｂ）式ＡｉＸｉ２を有する化合物（式中、Ａｉは、上に定義した有機オニウムカチオンであり、そしてＸｉ２はアニオンである）；及びこれらの（ａ）と（ｂ）との混合物から選択される一種またはそれ以上の追加の光酸発生剤と一緒に含むフォトレジスト組成物にも関する。

Ｘｉ２アニオンの例には、ＣＦ_３ＳＯ_３ ⁻、ＣＨＦ_２ＳＯ_３ ⁻、ＣＨ_３ＳＯ_３ ⁻、ＣＣｌ_３ＳＯ_３ ⁻、Ｃ_２Ｆ_５ＳＯ_３ ⁻、Ｃ_２ＨＦ_４ＳＯ_３ ⁻、Ｃ_４Ｆ_９ＳＯ_３ ⁻、カンフルスルホネート、パーフルオロオクタンスルホネート、ベンゼンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、パーフルオロトルエンスルホネート、（Ｒｆ１ＳＯ_２）_３Ｃ⁻、（Ｒｆ１ＳＯ_２）_２Ｎ⁻、及びＲｇ─Ｏ─Ｒｆ２─ＳＯ_３ ⁻が挙げられ、ここで、各Ｒｆ１は、独立して、高度にフッ化されたもしくは過フッ化されたアルキルまたはフッ化されたアリール基からなる群から選択され、そして任意の二つのＲｆ１基の組み合わせが結合して橋を形成する場合は環状であることができ、更に、Ｒｆ１アルキル鎖は１〜２０個の炭素原子を含み、そして直鎖状、分枝状または環状であることができ、そうして二価の酸素、三価の窒素または六価の硫黄が、その骨格鎖中に割り込むことができ、更に、Ｒｆ１が環状構造を含む場合は、このような構造は５もしくは６個の環員を有し、そしての環員の一つまたは二つは随意にヘテロ原子であることができ；Ｒｆ２は、線状もしくは分枝状（ＣＦ_２）_ｊ（ｊは４〜１０の整数である）、及びＣ_１〜Ｃ_１２シクロパーフルオロアルキル二価基（これは、パーフルオロＣ_1-10アルキルで置換されているかもしくは置換されていない）からなる群から選択され、Ｒｇは、Ｃ₁〜Ｃ₂₀線状、分枝状、モノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀線状、分枝状、モノシクロアルケニルもしくはポリシクロアルケニル、アリール、及びアラルキルからなる群から選択され、そして前記のアルキル、アルケニル、アラルキル及びアリール基は、置換されていないかもしくは置換されており、一つもしくはそれ以上のカテナリー酸素原子を含むかもしくは含まず、また部分的にフッ化されているかもしくは過フッ化されていてもよい。このようなアニオンＸｉ１の例には、（Ｃ_２Ｆ_５ＳＯ_２）_２Ｎ⁻、（Ｃ_４Ｆ_９ＳＯ_２）_２Ｎ⁻、（Ｃ_８Ｆ_１７ＳＯ_２）_３Ｃ⁻、（ＣＦ_３ＳＯ_２）_３Ｃ⁻、（ＣＦ_３ＳＯ_２）_２Ｎ⁻、（ＣＦ_３ＳＯ_２）_２（Ｃ_４Ｆ_９ＳＯ_２）Ｃ⁻、（Ｃ_２Ｆ_５ＳＯ_２）_３Ｃ⁻、（Ｃ_４Ｆ_９ＳＯ_２）_３Ｃ⁻、（ＣＦ_３ＳＯ_２）_２（Ｃ_２Ｆ_５ＳＯ_２）Ｃ⁻、（Ｃ_４Ｆ_９ＳＯ_２）（Ｃ_２Ｆ_５ＳＯ_２）_２Ｃ⁻、（ＣＦ_３ＳＯ_２）（Ｃ_４Ｆ_９ＳＯ_２）Ｎ⁻、［（ＣＦ_３）_２ＮＣ_２Ｆ_４ＳＯ_２］_２Ｎ⁻、（ＣＦ_３）_２ＮＣ_２Ｆ_４ＳＯ_２Ｃ⁻ （ＳＯ_２ＣＦ_３）_２、（３，５−ビス（ＣＦ_３）Ｃ_６Ｈ_３）ＳＯ_２Ｎ⁻ＳＯ_２ＣＦ_３、Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２Ｃ⁻⁻（ＳＯ_２ＣＦ_３）_２、Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２Ｎ⁻⁻ＳＯ_２ＣＦ_３、

ＣＦ_３ＣＨＦＯ（ＣＦ_２）_４ＳＯ_３ ⁻、ＣＦ_３ＣＨ_２Ｏ（ＣＦ_２）_４ＳＯ_３ ⁻、ＣＨ_３ＣＨ_２Ｏ（ＣＦ_２）_４ＳＯ_３ ⁻、ＣＨ_３ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ（ＣＦ_２）_４ＳＯ_３ ⁻、ＣＨ_３Ｏ（ＣＦ_２）_４ＳＯ_３ ⁻、Ｃ_２Ｈ_５Ｏ（ＣＦ_２）_４ＳＯ_３ ⁻、Ｃ_４Ｈ_９Ｏ（ＣＦ_２）_４ＳＯ_３ ⁻、Ｃ_６Ｈ_５ＣＨ_２Ｏ（ＣＦ_２）_４ＳＯ_３ ⁻、Ｃ_２Ｈ_５ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＳＯ_３ ⁻、ＣＨ_２＝ＣＨＣＨ_２Ｏ（ＣＦ_２）_４ＳＯ_３ ⁻、ＣＨ_３ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＳＯ_３ ⁻、Ｃ_４Ｈ_９ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＳＯ_３ ⁻、Ｃ_８Ｈ_１７Ｏ（ＣＦ_２）_２ＳＯ_３ ⁻、及びＣ_４Ｈ_９Ｏ（ＣＦ_２）_２ＳＯ_３ ⁻が挙げられる。適当なアニオンの他の例は、米国特許第6,841,333号明細書（特許文献７）及び米国特許第5,874,616号明細書（特許文献８）に見出すことができる。
ＡｉＸｉ２の例には、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムビス−パーフルオロエタンスルホンイミド、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、４−（１−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムビス−（パーフルオロブタンスルホニル）イミド、４−（１−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムビス−（パーフルオロエタンスルホニル）イミド、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウムビス−パーフルオロブタンスルホニル）イミド、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウムビス−（パーフルオロエタンスルホニル）イミド、トルエンジフェニルスルホニウムビス−（パーフルオロブタンスルホニル）イミド、トルエンジフェニルスルホニウムビス−（パーフルオロエタンスルホニル）イミド、トルエンジフェニルスルホニウム−（トリフルオロメチルパーフルオロブチルスルホニル）イミド、トリス−（ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルホニウム−（トリフルオロメチルパーフルオロブチルスルホニル）イミド、トリス−（ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルホニウムビス−（パーフルオロブタンスルホニル）イミド、トリス−（ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルホニウム−ビス−（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、及びこれらの類似物、並びに当業者には既知の他の光酸発生剤が挙げられる。

本明細書全体にわたり、他に記載がなければ、以下の用語は次の意味を有する。

本明細書で使用するアルキルという用語は、直鎖状もしくは分枝鎖状炭化水素、好ましくは炭素原子数１〜１０の直鎖状もしくは分枝鎖状炭化水素である。アルキルの代表的な例には、次のものには限定されないが、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉｓｏ−プロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｉｓｏ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｎ−ヘキシル、３−メチルヘキシル、２，２−ジメチルペンチル、２，３−ジメチルペンチル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル、ｎ−ノニル、及びｎ−デシルなどが挙げられる。

アルキレンは、二価のアルキル基のことであり、これは線状もしくは分枝状であることができ、好ましくは１〜１０個の炭素原子を有し、例えばメチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン、またはこれらの類似物などである。

アリールという用語は、一つの水素原子を除去することによって芳香族炭化水素から誘導される基（好ましくは６〜１４個の炭素原子を有する）を意味し、これは置換されていてもまたは置換されていなくともよい。前記芳香族炭化水素は、単核もしくは多核であることができる。単核のタイプのアリールの例には、フェニル、トリル、キシリル、メシチル、クメニル、及びこれらの類似物などが挙げられる。多核のタイプのアリールの例には、ナフチル、アントリル、フェナントリル、及びこれらの類似物などが挙げられる。アリール基は、置換されていなくともよいし、または上に記載のように置換されていてもよい。

アルコキシという用語は、アルキル−Ｏ−の基のことであり、ここでアルキルはここで定義した通りである。アルコキシの代表的な例には、限定はされないが、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、２−プロポキシ、ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、及びヘキシルオキシなどが挙げられる。

アリールオキシという用語は、アリール−Ｏ−の基のことであり、この際、アリールはここで定義されるものである。

アラルキルという用語は、アリール基を含むアルキル基、好ましくは（Ｃ₆〜Ｃ₁₄）−アリール−（Ｃ₁〜Ｃ₁₀）−アルキルを意味する。これは、芳香族構造と脂肪族構造の両方を有する炭化水素基である。すなわち、低級アルキルの水素原子が単核もしくは多核アリール基で置換された炭化水素基である。アラルキルの例としては、限定はされないが、ベンジル、２−フェニル−エチル、３−フェニル−プロピル、４−フェニル−ブチル、５−フェニル−ペンチル、４−フェニルシクロヘキシル、４−ベンジルシクロヘキシル、４−フェニルシクロヘキシルメチル、４−ベンジルシクロヘキシルメチル、ナフチルメチル、及びこれらの類似物などが挙げられる。

本明細書で使用するモノシクロアルキルという用語は、置換されているかもしくは置換されておらずそして飽和もしくは部分的に不飽和のモノシクロアルキル環系（好ましくは３〜１０個の炭素原子を有する）のことであり、ここでこの環が部分的に不飽和の場合は、これはモノシクロアルケニル基である。本明細書で使用するポリシクロアルキルという用語は、置換されているかもしくは置換されておらずそして飽和もしくは部分的に不飽和の二つもしくはそれ以上の環を含むポリシクロアルキル環系（好ましくは７〜１２個の炭素原子を有する）のことであり、ここでこの環が部分的に不飽和の場合は、これはポリシクロアルケニル基である。一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルまたはポリシクロアルキル基の例は、当業者には周知であり、そして例えば、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘプチル、シクロヘキシル、２−メチル−２−ノルボルニル、２−エチル−２−ノルボルニル、２−メチル−２−イソボルニル、２−エチル−２−イソボルニル、２−メチル−２−アダマンチル、２−エチル−２−アダマンチル、１−アダマンチル−１−メチルエチル、アダマンチル、トリシクロデシル、３−オキサトリシクロ［４．２．１．０^2.5］ノニル、テトラシクロドデカニル、テトラシクロ［５．２．２．０．０］ウンデカニル、ボルニル、イソボルニルノルボルニルラクトン、アダマンチルラクトン、及びこれらの類似物などが挙げられる。

アルコキシカルボニルアルキルという用語は、ここで定義したアルコキシカルボニル基で置換されたアルキル基を包含する。アルコキシカルボニルアルキル基の例には、メトキシカルボニルメチル［ＣＨ₃Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ₂−］、エトキシカルボニルメチル［ＣＨ₃ＣＨ₂Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ₂−］、メトキシカルボニルエチル［ＣＨ₃Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ₂ＣＨ₂−］、及びエトキシカルボニルエチル［ＣＨ₃ＣＨ₂Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ₂ＣＨ₂−］などが挙げられる。

本明細書で使用するアルキルカルボニルという用語は、ここで定義されるように、母体となる分子部分にカルボニル基を介して結合する、ここに定義されるアルキル基を意味する。これは、一般的に、アルキル−Ｃ（Ｏ）−として表すことができる。
アルキルカルボニルの代表的な例には、限定はされないが、アセチル（メチルカルボニル）、ブチリル（プロピルカルボニル）、オクタノイル（ヘプチルカルボニル）、ドデカノイル（ウンデシルカルボニル）、及びこれらの類似物などが挙げられる。

アルコキシカルボニルはアルキル−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−を意味し、ここでアルキルは上記の通りである。非限定的な例には、メトキシカルボニル［ＣＨ₃Ｏ−Ｃ（Ｏ）−］及びエトキシカルボニル［ＣＨ₃ＣＨ₂Ｏ−Ｃ（Ｏ）−］、ベンジルオキシカルボニル［Ｃ₆Ｈ₅ＣＨ₂Ｏ−Ｃ（Ｏ）−］及びこれらの類似物などが挙げられる。

アルコキシアルキルは、末端アルキル基が、エーテル酸素原子を介してアルキル部分に結合していることを意味し、これは、一般的にアルキル−Ｏ−アルキルと表すことができ、ここでアルキル基は線状もしくは分枝状であることができる。アルコキシアルキルの例には、限定はされないが、メトキシプロピル、メトキシブチル、エトキシプロピル、メトキシメチルなどが挙げられる。

モノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルオキシカルボニルアルキルは、末端モノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基が、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−を介してアルキル部分に結合していることを意味し、一般的にモノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキル−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−アルキルと表される。

モノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルオキシアルキルは、末端モノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基が、エーテル酸素原子を介してアルキル部分に結合していることを意味し、これは、一般的にモノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキル−Ｏ−アルキルとして表すことができる。

モノシクロフルオロアルキル−もしくはポリシクロフルオロアルキルは、一つもしくはそれ以上のフッ素原子で置換されたモノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキル基を意味する。

該フォトレジスト組成物に有用なポリマーには、ポリマーを水性アルカリ性溶液中に不溶性にする酸不安定性基を有するものなどが挙げられるが、このポリマーは、酸の存在下に触媒作用により解保護化され、水性アルカリ性溶液中に可溶性になる。このポリマーは、好ましくは２００ｎｍ未満で透過性であり、そして本質的に非芳香族系であり、そして好ましくはアクリレート及び／またはシクロオレフィンポリマーである。このようなポリマーは、限定はされないが、例えば、米国特許第5,843,624号明細書（特許文献３）、米国特許第5,879,857号明細書（特許文献１０）、国際公開第97/33,198号パンフレット（特許文献１１）、欧州特許出願公開第789,278号明細書（特許文献１２）、及び英国特許出願公開第 2,332,679号明細書（特許文献１３）に記載されているものである。２００ｎｍ未満での照射に好ましい非芳香族系ポリマーは、置換されたアクリレート、シクロオレフィン、置換されたポリエチレン類などである。ポリヒドロキシスチレンに基づく芳香族ポリマー及びそれのコポリマーも使用でき、特に２４８ｎｍ露光用に使用できる。

アクリレートに基づくポリマーは、一般的に、ポリ（メタ）アクリレートに基づき、これは、脂肪環式側基を含む少なくとも一種の単位、及びポリマー主鎖に及び／または前記の脂肪環式基に側基として結合している酸不安定性基を有する。脂肪環式側基の例は、アダマンチル、トリシクロデシル、イソボルニル、メンチル、及びこれらの誘導体であることができる。他の側基もポリマーに組み入れることができ、これには例えばメバロノラクトン、ガンマブチロラクトン、アルキルオキシアルキルなどがある。脂肪環式基の構造の例としては、次のものなどが挙げられる。

ポリマーに組み込まれるモノマーの種及びそれの比率は、最良のリソグラフィ性能を得るために最適化される。このようなポリマーは、R.R. Dammel et al., Advances in Resist Technology and Processing, SPIE, Vol. 3333, p144, (1998)（非特許文献１）に記載されている。これらのポリマーの例としては、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−メバロノラクトンメタクリレート）、ポリ（カルボキシ−テトラシクロドデシルメタクリレート−ｃｏ−テトラヒドロピラニルカルボキシテトラシクロドデシルメタクリレート）、ポリ（トリシクロデシルアクリレート−ｃｏ−テトラヒドロピラニルメタクリレート−ｃｏ−メタクリル酸）、ポリ（３−オキソシクロヘキシルメタクリレート−ｃｏ−アダマンチルメタクリレート）などが挙げられる。

シクロオレフィンとノルボルネン及びテトラシクロドデセン誘導体とから合成されるポリマーは、開環メタセシスもしくは遊離基重合によってまたは有機金属触媒を用いて重合することができる。シクロオレフィン誘導体は、環状酸無水物またはマレイミドまたはそれらの誘導体と共重合することもできる。環状酸無水物の例は、無水マレイン酸（ＭＡ）及び無水イタコン酸である。シクロオレフィンはポリマーの主鎖中に組み入れられ、そしてこれは、不飽和結合を含む任意の置換されたもしくは置換されていない多環式炭化水素であることができる。このモノマーには、酸不安定性基が結合していることができる。該ポリマーは、不飽和結合を有する一種もしくはそれ以上のシクロオレフィンモノマーから合成することができる。該シクロオレフィンモノマーは、置換されているかもしくは置換されていないノルボルネン、またはテトラシクロドデカンであることができる。該シクロオレフィン上の置換基は、脂肪族もしくは環状脂肪族アルキル、エステル、酸、ヒドロキシル、ニトリルまたはアルキル誘導体であることができる。シクロオレフィンモノマーの例には、限定はされないが、次のものなどが挙げられる。

次の他のシクロオレフィンモノマーも該ポリマーの合成に使用することができる。

このようなポリマーは、M-D. Rahman et al, Advances in Resist Technology and Processing, SPIE, Vol. 3678, p1193, (1999)（非特許文献２）に記載されている。この文献の内容は、本明細書に掲載されたものとする。これらのポリマーの例としては、ポリ（（ｔ−ブチル−５−ノルボルネン−２−カルボキシレート−ｃｏ−２−ヒドロキシエチル−５−ノルボルネン−２−カルボキシレート−ｃｏ−５−ノルボルネン−２−カルボン酸−ｃｏ−無水マレイン酸）、ポリ（ｔ−ブチル−５−ノルボルネン−２−カルボキシレート−ｃｏ−イソボルニル−５−ノルボルネン−２−カルボキシレート−ｃｏ−２−ヒドロキシエチル−５−ノルボルネン−２−カルボキシレート−ｃｏ−５−ノルボルネン−２−カルボン酸−ｃｏ−無水マレイン酸）、ポリ（テトラシクロドデセン−５−カルボキシレート−ｃｏ−無水マレイン酸）、ポリ（ｔ−ブチル−５−ノルボルネン−２−カルボキシレート−ｃｏ−無水マレイン酸−ｃｏ−２−メチルアダマンチルメタクリレート−ｃｏ−２−メバロノラクトンメタクリレート）、ポリ（２−メチルアダマンチルメタクリレート−ｃｏ−２−メバロノラクトンメタクリレート）及びこれらの類似物などが挙げられる。

（メタ）アクリレートモノマー、シクロオレフィン性モノマー及び環状酸無水物の混合物（これらのモノマーは上述したものである）を含むポリマーを組み合わせてハイブリッドポリマーとすることもできる。シクロオレフィンモノマーの例には、ｔ−ブチルノルボルネンカルボキシレート（ＢＮＣ）、ヒドロキシエチルノルボルネンカルボキシレート（ＨＮＣ）、ノルボルネンカルボン酸（ＮＣ）、ｔ−ブチルテトラシクロ［４.４.０.１.^2,6１.^７,１０］ドデカン−８−エン−３−カルボキシレート、及びｔ−ブトキシカルボニルメチルテトラシクロ［４.４.０.１.^2,6１.^７,１０］ドデカン−８−エン−３−カルボキシレートから選択されるものなどが挙げられる。幾つかの場合には、シクロオレフィンの好ましい例には、ｔ−ブチルノルボルネンカルボキシレート（ＢＮＣ）、ヒドロキシエチルノルボルネンカルボキシレート（ＨＮＣ）、及びノルボルネンカルボン酸（ＮＣ）などが挙げられる。（メタ）アクリレートモノマーの例には、中でも、次のものから選択されるもの、すなわちメバロノラクトンメタクリレート（ＭＬＭＡ）、２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート（ＭＡｄＭＡ）、２−アダマンチルメタクリレート（ＡｄＭＡ）、２−メチル−２−アダマンチルアクリレート（ＭＡｄＡ）、２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート（ＥＡｄＭＡ）、３，５−ジメチル−７−ヒドロキシアダマンチルメタクリレート（ＤＭＨＡｄＭＡ）、アダマンチルメチルオキシ−メチルメタクリレート（ＡｄＯＭＭＡ）、イソアダマンチルメタクリレート、ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン（ＨＡｄＭＡ；例えば、３位にヒドロキシ）、ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート（ＨＡＤＡ；例えば、３位にヒドロキシ）、エチルシクロペンチルアクリレート（ＥＣＰＡ）、エチルシクロペンチルメタクリレート（ＥＣＰＭＡ）、トリシクロ［５,２,１,０^２，６］デカ−８−イルメタクリレート（ＴＣＤＭＡ）、３，５−ジヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン（ＤＨＡｄＭＡ）、β−メタクリルオキシ−γ−ブチロラクトン、α−もしくはβ−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート（α−もしくはβ−ＧＢＬＭＡのいずれか）、５−メタクリロイルオキシ−２，６−ノルボルナンカルボラクトン（ＭＮＢＬ）、５−アクリロイルオキシ−２，６−ノルボルナンカルボラクトン（ＡＮＢＬ）、イソブチルメタクリレート（ＩＢＭＡ）、α−ガンマ−ブチロラクトンアクリレート（α−ＧＢＬＡ）、スピロラクトン（メタ）アクリレート、オキシトリシクロデカン（メタ）アクリレート、アダマンタンラクトン（メタ）アクリレート、及びα−メタクリルオキシ−γ−ブチロラクトンから選択されるものなどが挙げられる。これらのモノマーを用いて形成されるポリマーの例には、ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）；ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）；ポリ（ｔ−ブチルノルボルネンカルボキシレート−ｃｏ−無水マレイン酸−ｃｏ−２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−メタクリロイルオキシノルボルネンメタクリレート）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５,２,１,０^２，６］デカ−８−イルメタクリレート）；ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）；ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５,２,１,０^２，６］デカ−８−イルメタクリレート）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３，５−ジヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３，５−ジメチル−７−ヒドロキシアダマンチルメタクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５,２,１,０^２，６］デカ−８−イルメタクリレート）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−エチルシクロペンチルアクリレート）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５,２,１,０^２，６］デカ−８−イルメタクリレート）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−メタクリロイルオキシノルボルネンメタクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）；ポリ（エチルシクロペンチルメタクリレート−ｃｏ−２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンアクリレート）；ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−イソブチルメタクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンアクリレート）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５,２,１,０２，６］デカ−８−イルメタクリレート）；ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンアクリレート）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−メタクリロイルオキシノルボルネンメタクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−メタクリロイルオキシノルボルネンメタクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５,２,１,０２，６］デカ−８−イルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）；ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５,２,１,０２，６］デカ−８−イルメタクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）；ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンアクリレート）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−２−エチル−２−アダマンチル−ｃｏ−メタクリレート）；ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５,２,１,０^２，６］デカ−８−イルメタクリレート）；ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−５−アクリロイルオキシ−２，６−ノルボルナンカルボラクトン）；ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンアクリレート）；ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−２−アダマンチルメタクリレート）；及びポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンアクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５,２,１,０２，６］デカ−８−イルメタクリレート）などが挙げられる。

適当なポリマーの他の例には、米国特許第6,610,465号明細書（特許文献１４）、米国特許第6,120,977号明細書（特許文献１５）、米国特許第6,136,504号明細書（特許文献１６）、米国特許第6,013,416号明細書（特許文献１７）、米国特許第5,985,522号明細書（特許文献１８）、米国特許第5,843,624号明細書（特許文献３）、米国特許第5,693,453号明細書（特許文献１９）、米国特許第4,491,628号明細書（特許文献１）、国際公開第00/25178号パンフレット（特許文献２０）、国際公開第00/67072号パンフレット（特許文献５）、特開2000-275845号公報（特許文献２１）、特開2000-137327号公報（特許文献２２）、及び特開平09-73173号公報（特許文献２３）に記載のものなどが挙げられる。なお、これらの特許文献の内容は本明細書に掲載されたものとする。一種またはそれ以上のフォトレジスト樹脂のブレンドも使用できる。上記の様々なタイプの適当なポリマーを製造するためには、通常、標準的な合成法が使用される。適切な標準法（例えば遊離基重合）またはそれの参考文献は、上記の文献に見出すことができる。

上記のシクロオレフィン及び環状酸無水物モノマーは、交互ポリマー構造を形成すると考えられ、そしてポリマーに組み入れられる（メタ）アクリレートモノマーの量は、最適なリソグラフィ性を得るために変えることができる。該ポリマー内でのシクロオレフィン／酸無水物モノマーに対する（メタ）アクリレートモノマーの割合は、約９５モル％〜約５モル％の範囲、更に約７５モル％〜約２５モル％の範囲、また更には約５５モル％〜約４５モル％の範囲である。

１５７ｎｍ露光に有用なフッ化非フェノール系ポリマーもラインエッジラフネスを示し、それゆえ、本発明に記載の光活性化合物の新規混合物の使用から利益を享受することができる。このようなポリマーは、国際公開第00/17712号パンフレット（特許文献６）及び国際公開第00/67072号パンフレット（特許文献５）に記載されている。これらの特許文献の内容は本明細書に掲載されたものとする。このようなポリマーの一つの例が、ポリ（テトラフルオロエチレン−ｃｏ−ノルボルネン−ｃｏ−５−ヘキサフルオロイソプロパノールで置換された２−ノルボルネンである。

シクロオレフィン及びシアノ含有エチレン性モノマーから合成されたポリマーは、米国特許第6,686,429号明細書（特許文献２４）に記載されており、これもまた使用することができる。この特許文献の内容は本明細書に掲載されたものとする。

該ポリマーの分子量は、使用するケミストリーのタイプ及び望むリソグラフィ性能に基づいて最適化される。典型的には、重量平均分子量は３，０００〜３０，０００の範囲であり、多分散性は１．１〜５、好ましくは１．５〜２．５の範囲である。

他の重要なポリマーには、今は２００３年１２月１７日に米国特許出願第10/658,840号として出願され、米国特許出願公開第2004/0166433号(特許文献２５)として公開された、２００３年２月２１日に出願された米国特許出願第10/371,262号明細書（特許文献２６）に記載のものなどが挙げられる。これらの文献の内容は本明細書に掲載されたものとする。２００３年５月１６日に出願された発明の名称が“Photoresist Composition for Deep UV and Process Thereof（深紫外線用フォトレジスト組成物及びそれの製法）の米国特許出願第10/440,542号明細書（特許文献２７）（国際公開第2004/102272号パンフレット（特許文献２８）として公開）に記載のものなどの更に別の他のポリマーも使用することができる。この特許文献の内容も本明細書に掲載されたものとする。

本発明の固形成分は有機溶剤中に溶解される。溶剤または複数種の溶剤の混合物中の固形物の量は、約１重量％〜約５０重量％の範囲である。ポリマーは、固形物の５重量％〜９０重量％の範囲であることができ、そして光酸発生剤は、固形物の１重量％〜約５０重量％の範囲であることができる。このようなフォトレジストに好適な溶剤は、例えば、ケトン類、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン、メチルイソアミルケトン、２−ヘプタノン４−ヒドロキシ、及び４−メチル２−ペンタノン；Ｃ₁〜Ｃ₁₀脂肪族アルコール類、例えばメタノール、エタノール、及びプロパノール；芳香族基含有アルコール類、例えばベンジルアルコール；環状カーボネート類、例えばエチレンカーボネート及びプロピレンカーボネート；脂肪族もしくは芳香族炭化水素類（例えば、ヘキサン、トルエン、キシレンなど及びこれらの類似物）；環状エーテル類、例えばジオキサン及びテトラヒドロフラン；エチレングリコール；プロピレングリコール；ヘキシレングリコール；エチレングリコールモノアルキルエーテル類、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル；エチレングリコールアルキルエーテルアセテート類、例えばメチルセロソルブアセテート及びエチルセロソルブアセテート；エチレングリコールジアルキルエーテル類、例えばエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル類、例えばジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、及びジエチレングリコールジメチルエーテル；プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、例えばプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、及びプロピレングリコールブチルエーテル；プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート類、例えばプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、及びプロピレングリコールブチルエーテルアセテート；プロピレングリコールアルキルエーテルプロピオネート類、例えばプロピレングリコールメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールプロピルエーテルプロピオネート、及びプロピレングリコールブチルエーテルプロピオネート；２−メトキシエチルエーテル（ジグリム）；エーテル部及びヒドロキシ部の両方を有する溶剤、例えばメトキシブタノール、エトキシブタノール、メトキシプロパノール、及びエトキシプロパノール；エステル類、例えばメチルアセテート、エチルアセテート、プロピルアセテート、及びブチルアセテートメチル−ピルベート、エチルピルベート；エチル２−ヒドロキシプロピオネート、メチル２−ヒドロキシ２−メチルプロピオネート、エチル２−ヒドロキシ２−メチルプロピオネート、メチルヒドロキシアセテート、エチルヒドロキシアセテート、ブチルヒドロキシアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、メチル３−ヒドロキシプロピオネート、エチル３−ヒドロキシプロピオネート、プロピル３−ヒドロキシプロピオネート、ブチル３−ヒドロキシプロピオネート、メチル２−ヒドロキシ３−メチル酪酸、メチルメトキシアセテート、エチルメトキシアセテート、プロピルメトキシアセテート、ブチルメトキシアセテート、メチルエトキシアセテート、エチルエトキシアセテート、プロピルエトキシアセテート、ブチルエトキシアセテート、メチルプロポキシアセテート、エチルプロポキシアセテート、プロピルプロポキシアセテート、ブチルプロポキシアセテート、メチルブトキシアセテート、エチルブトキシアセテート、プロピルブトキシアセテート、ブチルブトキシアセテート、メチル２−メトキシプロピオネート、エチル２−メトキシプロピオネート、プロピル２−メトキシプロピオネート、ブチル２−メトキシプロピオネート、メチル２−エトキシプロピオネート、エチル２−エトキシプロピオネート、プロピル２−エトキシプロピオネート、ブチル２−エトキシプロピオネート、メチル２−ブトキシプロピオネート、エチル２−ブトキシプロピオネート、プロピル２−ブトキシプロピオネート、ブチル２−ブトキシプロピオネート、メチル３−メトキシプロピオネート、エチル３−メトキシプロピオネート、プロピル３−メトキシプロピオネート、ブチル３−メトキシプロピオネート、メチル３−エトキシプロピオネート、エチル３−エトキシプロピオネート、プロピル３−エトキシプロピオネート、ブチル３−エトキシプロピオネート、メチル３−プロポキシプロピオネート、エチル３−プロポキシプロピオネート、プロピル３−プロポキシプロピオネート、ブチル３−プロポキシプロピオネート、メチル３−ブトキシプロピオネート、エチル３−ブトキシプロピオネート、プロピル３−ブトキシプロピオネート、及びブチル３−ブトキシプロピオネート；オキシイソ酪酸エステル類、例えば、メチル−２−ヒドロキシイソブチレート、メチルα-メトキシイソブチレート、エチルメトキシイソブチレート、メチルα-エトキシイソブチレート、エチルα-エトキシイソブチレート、メチルβ-メトキシイソブチレート、エチルβ-メトキシイソブチレート、メチルβ-エトキシイソブチレート、エチルβ-エトキシイソブチレート、メチルβ−イソプロポキシイソブチレート、エチルβ-イソプロポキシイソブチレート、イソプロピルβ-イソプロポキシイソブチレート、ブチルβ-イソプロポキシイソブチレート、メチルβ-ブトキシイソブチレート、エチルβ-ブトキシイソブチレート、ブチルβ-ブトキシイソブチレート、メチルα-ヒドロキシイソブチレート、エチルα-ヒドロキシイソブチレート、イソプロピルα-ヒドロキシイソブチレート、及びブチルα-ヒドロキシイソブチレート；及び他の溶剤、例えば二塩基性エステル類; ケトンエーテル誘導体、例えばジアセトンアルコールメチルエーテル; ケトンアルコール誘導体、例えばアセトールもしくはジアセトンアルコール；ラクトン類、例えばブチロラクトン及びガンマ-ブチロラクトン；アミド誘導体、例えばジメチルアセトアミドまたはジメチルホルムアミド、アニソール、及びこれらの混合物などを挙げることができる。

様々な他の添加剤を、フォトレジスト組成物を基材に塗布する前にこれに加えることができ、このような添加剤としては、着色剤、非化学線（non-actinic）染料、アンチストライエーション剤、可塑剤、粘着性促進剤、溶解防止剤、塗布助剤、感光速度増強剤、追加の光酸発生剤、及び溶解性増強剤（例えば、主となる溶剤の一部としては使用されない少量の溶剤；これの例としては、グリコールエーテル類及びグリコールエーテルアセテート類、バレロラクトン、ケトン類、ラクトン類、及びこれらの類似物などが挙げられる）、及び界面活性剤などがある。膜厚の均一性を向上する界面活性剤、例えばフッ化された界面活性剤をフォトレジスト溶液に加えることができる。エネルギーを特定の範囲の波長から異なる露光波長にシフトさせる感光化剤もフォトレジスト組成物に加えることができる。フォトレジスト像の表面でのｔ−トップまたはブリッジングを防ぐためにしばしば塩基もフォトレジストに加えられる。塩基の例は、アミン類、水酸化アンモニウム、及び感光性塩基である。特に好ましい塩基は、トリオクチルアミン、ジエタノールアミン、及びテトラブチルアンモニウムヒドロキシドである。

調製したフォトレジスト組成物溶液は、フォトレジストの分野で使用される任意の慣用の方法によって基材に塗布することができ、このような方法には、ディップコート法、スプレーコート法、及びスピンコート法などがある。例えばスピンコート法の場合は、使用するスピンコート装置及びスピンコートプロセスに許される時間量の下に、所望の厚さの塗膜を得るために固形物含有率に関してフォトレジスト溶液を調節することができる。適当な基材には、ケイ素、アルミニウム、ポリマー性樹脂、二酸化ケイ素、ドープした二酸化ケイ素、窒化ケイ素、タンタル、銅、ポリシリコン、セラミック、アルミニウム／銅混合物；ヒ化ガリウム及び他のこのようなＩＩＩ／Ｖ族化合物などが挙げられる。該フォトレジストは、反射防止膜の上に塗布することもできる。

上記の手順によって形成されたフォトレジスト被膜は、マイクロプロセッサ及び他の微細化された集積回路部品の製造に使用されるようなケイ素／二酸化ケイ素ウェハに使用するのに特に適している。アルミニウム／酸化アルミニウムウェハも使用できる。また、基材は、様々なポリマー性樹脂、特にポリエステルなどの透明なポリマーからなることもできる。

次いで、フォトレジスト組成物溶液は基材に塗布され、そしてこの基材は、約７０℃〜約１５０℃の温度で、ホットプレートの場合は約３０秒〜約１８０秒、熱対流炉では約１５〜約９０分間、処理（ベーク処理）する。この温度処理は、フォトレジスト中の残留溶剤の濃度を減少させるために選択され、固形成分を熱分解させることは実質的にない。一般的に、溶剤濃度は最小化することが望まれるので、この最初の温度処理（ベーク処理）は、実質的に全ての溶剤が蒸発し、そして半ミクロン（マイクロメータ）のオーダーの厚さのフォトレジスト組成物の薄い被膜が基材上に残るまで行われる。好ましい態様の一つでは、温度は約９５℃〜約１２０℃である。この処理は、溶剤除去の変化の割合が比較的取るに足らないものになるまで行われる。膜厚、温度及び時間の選択は、ユーザーによって望まれるフォトレジストの性質、並びに使用した装置及び商業的に望ましい塗布時間に依存する。次いで、被覆された基材を、適当なマスク、ネガ、ステンシル、テンプレートなどの使用によって形成される任意の所望のパターンに、化学線、例えば約１００ｎｍ（ナノメータ）〜約３００ｎｍの波長の紫外線、Ｘ線、電子ビーム、イオンビームまたはレーザー線などで像様露光することができる。

次いで、フォトレジストは、現像の前に、露光後第二ベーク処理または熱処理に付される。加熱温度は、約９０℃〜約１５０℃、より好ましくは約１００℃〜約１３０℃の範囲であることができる。加熱は、ホットプレートでは約３０秒〜約２分、より好ましくは約６０秒〜約９０秒、熱対流炉では約３０〜約４５分、行うことができる。

フォトレジストで被覆されそして露光された基材は、現像溶液中に浸漬するか、またはスプレー現像法により現像して、像様露光された領域を除去する。好ましくは、この溶液は、例えば窒素噴出攪拌（nitrogen burst agitation）によって攪拌する。基材は、全てのまたは実質的に全てのフォトレジスト被膜が露光された領域から溶解されるまで現像剤に曝しておく。現像剤としては、アンモニウム水酸化物類またはアルカリ金属水酸化物類の水溶液などが挙げられる。好ましい現像剤の一つは、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液である。被覆されたウェハを現像溶液から除去した後、任意の現像後熱処理またはベーク処理を行って、被膜の粘着性、並びにエッチング条件及び他の物質に対する被膜の耐化学薬品性を高めることができる。現像後熱処理は、被膜の軟化点未満での被膜及び基材のオーブンベーク処理またはＵＶ硬化プロセスを含むことができる。工業的な用途、特にケイ素／二酸化ケイ素タイプの基材上に超小型回路ユニットを製造する場合には、現像された基材は、緩衝されたフッ化水素酸に基づくエッチング溶液またはドライエッチングで処理することができる。ドライエッチングの前に、フォトレジストを、それの耐ドライエッチング性を向上させるために電子ビームにより硬化することもできる。

本発明は、更に、適当な基材をフォトレジスト組成物で被覆することによって基材上にフォトイメージを形成することによる半導体デバイスの製造方法も提供する。該方法は、適当な基材をフォトレジスト組成物で被覆し、この被覆された基材を、実質的に全てのフォトレジスト溶剤が除去されるまで熱処理し；該組成物を像様露光し、そしてこの組成物の像様露光された領域を適当な現像剤で除去することを含む。

以下の例は、本発明を製造及び使用する方法の例示を与えるものである。しかし、これらの例は、本発明の範囲を如何様にも限定もしくは減縮することを意図したものではなく、本発明を実施するにあたり排他的に使用しなければならない条件、パラメータまたは値を教示するものと解釈するべきものではない。特に他に記載が無ければ、全ての部及び百分率は重量に基づく値である。

例１：ビス［ジ（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテルの合成

Ｓｙｎｑｕｅｓｔから入手したビス［２−（フルオロスルホニル）テトラフルオロエチル］エーテル（５ｇ）を、フラスコ中で、水及び過剰量のＫＯＨ中に入れ、そして攪拌しながら８０℃で６時間攪拌しながら加熱した。この溶液を室温に冷却し、そして水及びＴＨＦ（テトラヒドロフラン）中のジｔ−ブチルフェニルフェニルヨードニウムアセテート（２モル当量）を攪拌しながら加えた。6時間後、クロロホルムを加え、そして３時間攪拌した。クロロホルム層を水で数回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、そしてクロロホルムを蒸発させた。ヘキサンを加えて結晶を形成し、濾過し、そして減圧下に乾燥した。融点１０１℃。６．５ｇの収量が単離された。

例２：ビス［（トリフェニル）スルホニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテルの合成

Ｓｙｎｑｕｅｓｔから入手したビス［２−（フルオロスルホニル）テトラフルオロエチル］エーテル（５ｇ）を、フラスコ中で、水及び過剰量のＫＯＨ（２．９３ｇ）中に入れ、そして８０℃で攪拌しながら６時間加熱した。この溶液を室温に冷却し、そして水及びＴＨＦ中のトリフェニルスルホニウムブロマイド（２モル当量）を攪拌しながら加えた。３時間後、ジクロロメタンを加えそして２時間攪拌した。ジクロロメタン層を水で数回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、そしてジクロロメタンを蒸発した。ヘキサンを加えて結晶を形成し、濾過し、そして減圧下に乾燥した。融点８６〜８７℃。８．０ｇの収量が単離された。

例３：ビス［（４−オクチルオキシフェニルフェニル）ヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテルの合成

Ｓｙｎｑｕｅｓｔから入手したビス［２−（フルオロスルホニル）テトラフルオロエチル］エーテル（５ｇ）を、フラスコ中で、水及び過剰量のＫＯＨ（２．９ｇ）中に入れ、そして攪拌しながら８０℃で６時間加熱した。この溶液を室温に冷却し、そして水及びＴＨＦ中の４−オクチルオキシフェニルフェニルヨードニウムクロライド（１１．６４ｇ）を攪拌しながら加えた。６時間後、クロロホルムを加えそして３時間攪拌した。クロロホルム層を水で数回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、そしてクロロホルムを蒸発した。ヘキサンを攪拌しながら加え、油層として分離し、デカントし、そして減圧下に乾燥した。１４．５ｇの収量が油状物として単離された。

例４：ビス［（ジフェニル）ヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテルの合成

Ｓｙｎｑｕｅｓｔから入手したビス［２−（フルオロスルホニル）テトラフルオロエチル］エーテル（５ｇ）を、フラスコ中で、水及び過剰量のＫＯＨ（２．９ｇ）中に入れ、そして攪拌しながら８０℃で６時間加熱した。この溶液を室温に冷却し、そして水及びＴＨＦ中のジフェニルヨードニウムクロライド（８．２ｇ）を攪拌しながら加えた。６時間後、クロロホルムを加え、そして３時間攪拌した。クロロホルム層を水で数回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、濾過し、そしてクロロホルムを蒸発した。ヘキサンを攪拌しながら加え、白色の結晶を形成した。溶液を濾過し、そして白色の結晶をヘキサンで洗浄した。この結晶を減圧下に乾燥し、単離した（６．５ｇ；融点２１０℃）。

例１の手順に従い、対応するヨードニウムアセテートもしくはハライドまたはスルホニウムアセテートもしくはハライドから以下の化合物を製造することができる：
ビス［ジ（４−オクチルオキシフェニル）ヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［（４−メチルフェニル）フェニルヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［（４−ｔ−ブチルフェニル）フェニルヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［（４−メトキシフェニル）フェニルヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（４−メトキシフェニル）ヨードニウムジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（トリフェニルスルホニウム）ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［ビス［２−メチル−アダマンチルアセチルオキシメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［ビス［４−（３，５−ジ（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホニルオキシ）−フェニル］フェニルスルホニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［ビス［４，４−ビス（トリフルオロ−メチル）−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０^２，５］−ノニルメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［ビス［４−ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシフェニル］フェニルスルホニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル。

例５：
ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート（ＥＡｄＭＡ）／アダマンチルメトキシメチルメタクリレート（ＡｄＯＭＭＡ）／ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート（ＨＡｄＡ）／α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート（α−ＧＢＬＭＡ）／２−アダマンチルメタクリレート（ＡｄＭＡ）；２０／１０／２０／４０／１０）ポリマー０．５３５２ｇ、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムビス−パーフルオロエタンスルホンイミド０．０１２４ｇ（３０μｍｏｌ／ｇ）、及びビス（トリフェニルスルホニウム）パーフルオロブタン−１，４−ジスルホネート０．０１４２ｇ（３０μｍｏｌ／ｇ）、及び例１からのビス［ジ（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル０．０２９２ｇ（４７μｍｏｌ／ｇ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）中１重量％の２，６−ジイソプロピルアニリン（ＤＩＰＡ）０．３９１９ｇ、及び界面活性剤（３ＭＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ，Ｓｔ．ＰａｕｌＭｉｎｎｅｓｏｔａから供給されるフルオロ脂肪族ポリマー性エステル）の１０重量％ＰＧＭＥＡ溶液０．０２０４ｇを、メチル−２−ヒドロキシイソブチレート（ＭＨＩＢ）１３．１２２ｇ及びプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）３．２２４ｇ中に溶解して、１７ｇのフォトレジスト溶液を調製した。

例６：
底面反射防止膜溶液（ＡＺＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＭａｔｅｒｉａｌｓＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ，Ｓｏｍｅｒｖｉｌｌｅ，ＮＪから入手できるＡＺ（登録商標）ＡｒＦ−３８）をケイ素基材上にスピンコートすることによって、底面反射防止膜（Ｂ．Ａ．Ｒ．Ｃ．）で被覆されたケイ素基材を用意し、そしてこれを２２５℃で９０秒間ベーク処理した。Ｂ．Ａ．Ｒ．Ｃ．膜厚は８７ｎｍであった。次いで、例５からのフォトレジスト溶液を、このＢ．Ａ．Ｒ．Ｃ．被覆ケイ素基材上に塗布した。スピン速度は、フォトレジストの膜厚が３００ｎｍとなるように調節し、１００℃／６０秒でソフトベークし、バイナリマスクを用いてＮｉｋｏｎ３０６Ｄ（０．７８ＮＡ及び４／５輪帯照明）で露光し、次いでウェハを、１１０℃／６０秒で露光後ベーク処理し、そしてテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの２．３８重量％水溶液を用いて３０秒間現像した。次いで、ライン・アンド・スペースパターンを、走査電子顕微鏡で観察した。このフォトレジストは、６８．０ｍＪ／ｃｍ^２の感光度を有し、良好に良好な露光寛容度（１８．７％）、良好なラインエッジラフネス（ＬＥＲ）及び側面形状を有していた。

例７：
ポリ（ＥＡｄＭＡ／ＨＡｄＡ／α−ＧＢＬＭＡ／ＡｄＭＡ；３０／２０／４０／１０）ポリマー０．６４４３ｇ、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムビス−パーフルオロエタンスルホンイミド０．０１９９ｇ（４０μｍｏｌ／ｇ）、及びビス（トリフェニルスルホニウム）パーフルオロブタン−１，４−ジスルホネート０．０１７１ｇ（３０μｍｏｌ／ｇ）、及び例１からのビス［ジ（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル０．０１５０ｇ（２０μｍｏｌ／ｇ）、ＤＩＰＡ（ＰＧＭＥＡ中１重量％）０．３５９８ｇ、及び界面活性剤（３ＭＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ，Ｓｔ．ＰａｕｌＭｉｎｎｅｓｏｔａから供給されるフルオロ脂肪族ポリマー性エステル）の１０重量％ＰＧＭＥＡ溶液０．０２０４ｇを、ＭＨＩＢ１３．１２２ｇ及びＰＧＭＥ３．７９１４ｇ中に溶解して、２０ｇのフォトレジスト溶液を調製した。

例８：
底面反射防止膜溶液（ＡＺＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＭａｔｅｒｉａｌｓＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ，Ｓｏｍｅｒｖｉｌｌｅ，ＮＪから入手可能なＡＺ（登録商標）ＡｒＦ−３８）をケイ素基材上にスピンコートし、そして２２５℃で９０秒間ベーク処理することによって、底面反射防止膜（Ｂ．Ａ．Ｒ．Ｃ．）で被覆されたケイ素基材を用意した。Ｂ．Ａ．Ｒ．Ｃ．膜厚は８７ｎｍであった。次いで、例７からのフォトレジスト溶液を、Ｂ．Ａ．Ｒ．Ｃ．被覆ケイ素基材上に塗布した。スピン速度は、フォトレジストの膜厚が３００ｎｍとなるように調節し、１００℃／６０秒間でソフトベーク処理し、バイナリマスクを用いてＮｉｋｏｎ３０６Ｄ（０．７８ＮＡ及び４／５輪帯照明）で露光し、次いでこのウェハを１１０℃／６０秒間で露光後ベーク処理し、そしてテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの２．３８重量％水溶液で３０秒間現像した。次いで、ライン・アンド・スペースパターンを走査電子顕微鏡で観察した。このフォトレジストは、６８．０ｍＪ／ｃｍ^２の感光度を有し、そして非常に良好な露光寛容度（１８．７％）、良好なＬＥＲ及び側面形状を有していた。

例９：
ポリ（エチルシクロペンチルメタクリレート（ＥＣＰＭＡ）／ＨＡｄＡ／α−ＧＢＬＭＡ；３０／３０／４０）ポリマー０．５３５２ｇ、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムビス−パーフルオロエタンスルホンイミド０．０１２４ｇ（３０μｍｏｌ／ｇ）、及びビス（トリフェニルスルホニウム）パーフルオロブタン−１，４−ジスルホネート０．０１４２ｇ（３０μｍｏｌ／ｇ）、及び例１からのビス［ジ（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル０．０２９２ｇ（４７μｍｏｌ／ｇ）、ＤＩＰＡ（ＰＧＭＥＡ中１重量％）０．３９１９ｇ、及び界面活性剤（３ＭＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ，Ｓｔ．Ｐａｕｌ，Ｍｉｎｎｅｓｏｔａから供給されるフルオロ脂肪族ポリマー性エステル）の１０重量％ＰＧＭＥＡ溶液０．０２０４ｇをＭＨＩＢ１３．１２２ｇ及びＰＧＭＥ３．２２４ｇ中に溶解して、１７ｇのフォトレジスト溶液を調製した。

例１０：
底面反射防止膜溶液（ＡＺＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＭａｔｅｒｉａｌｓＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ，Ｓｏｍｅｒｖｉｌｌｅ，ＮＪから入手可能なＡＺ（登録商標）ＡｒＦ−３８）をケイ素基材上にスピンコートし、そして２２５℃で９０秒間ベーク処理することによって、底面反射防止膜（Ｂ．Ａ．Ｒ．Ｃ．）で被覆されたケイ素基材を用意した。Ｂ．Ａ．Ｒ．Ｃ．の膜厚は８７ｎｍであった。次いで、例９からのフォトレジスト溶液を、このＢ．Ａ．Ｒ．Ｃ．被覆ケイ素基材上に塗布した。スピン速度は、フォトレジストの膜厚が３００ｎｍ厚となるように調節し、１００℃／６０秒でソフトベーク処理し、バイナリマスクを用いてＮｉｋｏｎ３０６Ｄ（０．７８ＮＡ及び４／５輪帯照明）で露光し、次いでこのウェハを１１０℃／６０秒で露光後ベーク処理し、そしてテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの２．３８重量％水溶液を用いて３０秒間現像した。次いで、ライン・アンド・スペースパターンを、走査電子顕微鏡で観察した。このフォトレジストは、６８．０ｍＪ／ｃｍ^２の感光度を有し、そして非常に良好な露光寛容度（１８．７％）、良好なＬＥＲ及び側面形状を有していた。

例１１：
ポリ（ＥＡｄＭＡ／ＥＣＰＭＡ／ＨＡｄＡ／α−ＧＢＬＭＡ；１５／１５／３０／４０）ポリマー０．５３５２ｇ、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムビス−パーフルオロエタンスルホンイミド０．０１２４ｇ（３０μｍｏｌ／ｇ）、及びビス（トリフェニルスルホニウム）パーフルオロブタン−１，４−ジスルホネート０．０１４２ｇ（３０μｍｏｌ／ｇ）、及び例１からのビス［ジ（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル０．０２９２ｇ（４７μｍｏｌ／ｇ）、ＰＧＭＥＡ中１重量％のＤＩＰＡ０．３９１９ｇ、及び界面活性剤（３ＭＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ，Ｓｔ．ＰａｕｌＭｉｎｎｅｓｏｔａから供給されるフルオロ脂肪族ポリマー性エステル）の１０重量％ＰＧＭＥＡ溶液０．０２０４ｇを、ＭＨＩＢ１３．１２２ｇ及びＰＧＭＥ３．２２４ｇ中に溶解して、１７ｇのフォトレジスト溶液を調製した。

例１２：
底面反射防止膜溶液（ＡＺＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＭａｔｅｒｉａｌｓＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ，Ｓｏｍｅｒｖｉｌｌｅ，ＮＪから入手可能なＡＺ（登録商標）ＡｒＦ−３８）をケイ素基材上にスピンコートし、そして２２５℃で９０秒間ベーク処理することによって、底面反射防止膜（Ｂ．Ａ．Ｒ．Ｃ．）で被覆されたケイ素基材を用意した。このＢ．Ａ．Ｒ．Ｃ．の膜厚は８７ｎｍであった。次いで、例１１からのフォトレジスト溶液をこのＢ．Ａ．Ｒ．Ｃ．被覆ケイ素基材上に塗布した。スピン速度は、フォトレジストの膜厚が３００ｎｍとなるように調節し、１００℃／６０秒でソフトベークし、バイナリマスクを用いてＮｉｋｏｎ３０６Ｄ（０．７８ＮＡ及び４／５輪帯照明）で露光し、そしてこのウェハを１１０℃／６０秒で露光後ベーク処理し、そしてテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの２．３８重量％水溶液で３０秒間現像した。次いで、ライン・アンド・スペースパターンを走査電子顕微鏡で観察した。このフォトレジストは、６８．０ｍＪ／ｃｍ^２の感光度を有し、そして非常に良好な露光寛容度（１８．７％）、良好なＬＥＲ及び側面形状を有していた。

例１３：
ポリ（ＥＡｄＭＡ／ＥＣＰＭＡ／ＡｄＯＭＭＡ／ＨＡｄＡ／α−ＧＢＬＭＡ；５／１５／１０／３０／４０）ポリマー０．６２９１ｇ、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムビス−パーフルオロエタンスルホンイミド０．０１４６ｇ（３０μｍｏｌ／ｇ）、及びビス（トリフェニルスルホニウム）パーフルオロブタン−１，４−ジスルホネート０．０１４２ｇ（３０μｍｏｌ／ｇ）、及び例２からのビス［ジ（トリフェニル）スルホニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル０．０１７０ｇ（４７μｍｏｌ／ｇ）、ＤＩＰＡ０．５３３６ｇ、ＭＨＩＢ中１重量％のＮ，Ｎ−ジブチルアニリン（ＤＢＡ）、及び界面活性剤（３ＭＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ，Ｓｔ．ＰａｕｌＭｉｎｎｅｓｏｔａから供給されるフルオロ脂肪族ポリマー性エステル）の１０重量％ＰＧＭＥＡ溶液０．０２０４ｇを、ＭＨＩＢ１１．３９９４ｇ及びＰＧＭＥ３．７９１８ｇ中に溶解して、２０ｇのフォトレジスト溶液を調製した。

例１４：
底面反射防止膜溶液（ＡＺＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＭａｔｅｒｉａｌｓＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ，Ｓｏｍｅｒｖｉｌｌｅ，ＮＪから入手可能なＡＺ（登録商標）ＡｒＦ−３８）をケイ素基材上にスピンコートし、そして２２５℃で９０秒間ベーク処理することによって、底面反射防止膜（Ｂ．Ａ．Ｒ．Ｃ．）で被覆されたケイ素基材を用意した。Ｂ．Ａ．Ｒ．Ｃ．の膜厚は８７ｎｍであった。次いで、例１３からのフォトレジスト溶液をこのＢ．Ａ．Ｒ．Ｃ．被覆ケイ素基材上に塗布した。スピン速度は、フォトレジストの膜厚が３００ｎｍとなるように調節し、１００℃／６０秒でソフトベーク処理し、バイナリマスクを用いてＮｉｋｏｎ３０６Ｄ（０．７８ＮＡ及び４／５輪帯照明）で露光し、次いでこのウェハを１１０℃／６０秒で露光後ベーク処理し、そしてテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの２．３８重量％水溶液で３０秒間現像した。ライン・アンド・スペースパターンを次いで走査電子顕微鏡で観察した。このフォトレジストは、３７．５ｍＪ／ｃｍ^２の感光度を有し、そして非常に良好な露光寛容度（８．５２％）、良好なＬＥＲ及び側面形状を有していた。

例１５：
例５、７、９、１１及び１３を、これらの例で使用したポリマーを次のポリマーのうちの一つに代えることによって繰り返し、フォトレジスト溶液を調製することができる。これらから調製されたフォトレジスト溶液は、例４、６、８及び１０に記載のものと類似の結果を与えることが期待される：
ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）；ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）；ポリ（ｔ−ブチルノルボルネンカルボキシレート−ｃｏ−無水マレイン酸−ｃｏ−２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−メタクリロイルオキシノルボルネンメタクリレート）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５，２，１，０^２，６］デカ−８−イルメタクリレート）；ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）；ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５，２，１，０^２，６］デカ−８−イルメタクリレート）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３，５−ジヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３，５−ジメチル−７−ヒドロキシアダマンチルメタクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５，２，１，０^２，６］デカ−８−イルメタクリレート）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−エチルシクロペンチルアクリレート）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５，２，１，０^２，６］デカ−８−イルメタクリレート）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−メタクリロイルオキシノルボルネンメタクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）；ポリ（エチルシクロペンチルメタクリレート−ｃｏ−２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンアクリレート）；ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−イソブチルメタクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンアクリレート）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５，２，１，０２，６］デカ−８−イルメタクリレート）；ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンアクリレート）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−β ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−メタクリロイルオキシノルボルネンメタクリレート−ｃｏ−β−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−メタクリロイルオキシノルボルネンメタクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５，２，１，０２，６］デカ−８−イルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）；ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５，２，１，０２，６］デカ−８−イルメタクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）；ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンアクリレート）；ポリ（２−メチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−メタクリルオキシアダマンタン−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−２−エチル−２−アダマンチル−ｃｏ−メタクリレート）；ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５，２，１，０^２，６］デカ−８−イルメタクリレート）；ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート−ｃｏ−２−アダマンチルメタクリレート）；ポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンメタクリレート）；及びポリ（２−エチル−２−アダマンチルメタクリレート−ｃｏ−３−ヒドロキシ−１−アダマンチルアクリレート−ｃｏ−α−ガンマ−ブチロラクトンアクリレート−ｃｏ−トリシクロ［５，２，１，０２，６］デカ−８−イルメタクリレート）。

例１６：
例１からのビス［ジ（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテルを、以下に挙げるもののうちの一つに代えることによって例１５を繰り返すことができる：
ビス［ジ（４−オクチルオキシフェニル）ヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［（４−オクチルオキシフェニル）フェニルヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［（４−メチルフェニル）フェニルヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［（４−ｔ−ブチルフェニル）フェニルヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［（４−メトキシフェニル）フェニルヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（４−メトキシフェニル）ヨードニウムジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（４−オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［ビス［２−メチル−アダマンチルアセチルオキシメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［ビス［４−（３，５−ジ（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホニルオキシ）−フェニル］フェニルスルホニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［ビス［４，４−ビス（トリフルオロ−メチル）−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０^２，５］−ノニルメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、またはビス［ビス［４−ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシフェニル］フェニルスルホニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル。これから調製されるフォトレジスト溶液は、例６、８、１０、１２及び１４に記載のものと類似の結果を与えることが期待される。

式ＡｉＸｉ１Ｂｉの追加の光酸発生剤は、２００５年７月１２日に出願された米国特許出願第11/179,886号明細書（特許文献２９）及び２００６年２月１６日に出願された同第11/355,762号明細書（特許文献３０）（国際公開第2007/007175号パンフレット（特許文献３１）として公開）に記載の手順に従い製造することができる。なお、これらの特許文献の内容は本明細書に掲載されたものとする。他の例は、２００６年２月１６日に出願された米国特許出願第11/355,400号明細書（特許文献３２）、米国特許出願公開第2004-0229155号明細書（特許文献３３）、及び米国特許出願公開第2005-0271974号明細書（特許文献３４）、米国特許第5,837,420号明細書（特許文献３５）、米国特許第6,111,143号明細書（特許文献３６）、及び米国特許第6,358,665号明細書（特許文献３７）に記載されている。これらの特許文献の内容は本明細書に掲載されたものとする。式ＡｉＸｉ２のこれらの追加の光酸発生剤は当業者には周知であり、例えば米国特許出願公開第2003-0235782号明細書及び米国特許出願公開第2005-0271974号明細書（特許文献３４）から知られている。これらの特許文献の内容は本明細書に掲載されたものとする。

本発明の上記の記載は、本発明を例示及び説明するものである。更に、上記の開示は、本発明の或る特定の態様のみを示しそして説明するものであるが、上述の通り、本発明は、様々な他の組み合わせ、変法または状況での使用も可能であり、そして上記の教示及び／または関連技術分野における技術もしくは知識に相応して、本明細書に表される発明思想の範囲内において変更もしくは改変することが可能である。更に、上記の態様は、本発明の実施に関して現在把握しているベストモードを説明すること、及び他の当業者が本発明をそのままで、あるいは本発明を特定の用途等に使用する際に必要な様々な改変をした上での他の態様で利用することを可能にすることを意図したものである。それ故、上記の記載は、ここに記載した形態に本発明を限定することを意図したものではない。また、添付の請求項は、代わりの態様も包含するものと解釈されることも意図される。

Claims

次式で表される化合物。
ＡｉＸｉＢｉ
但し前記式中、
Ａｉ及びＢｉは、それぞれ独立して、有機オニウムカチオンであり；そして
Ｘｉは、式⁻Ｏ_３Ｓ−ＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ_２ＣＦ_２−ＳＯ_３ ⁻のアニオンであり、
ここで、Ａｉ及びＢｉは、それぞれ、

及び
Ｙ−Ａｒ
から選択され、
ここで、Ａｒは、

ナフチルまたはアントリル
から選択され；
Ｙは、

から選択され、
ここで、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_１Ａ、Ｒ_１Ｂ、Ｒ_２Ａ、Ｒ_２Ｂ、Ｒ_３Ａ、Ｒ_３Ｂ、Ｒ_４Ａ、Ｒ_４Ｂ、Ｒ_５Ａ、及びＲ_５Ｂは、それぞれ独立して、Ｚ、水素、ＯＳＯ_２Ｒ_９、ＯＲ_２０、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基、モノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルカルボニル基、アリール、アラルキル、アリールカルボニルメチル基、アルコキシアルキル、アルコキシカルボニルアルキル、アルキルカルボニル、シクロアルキル環が一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルオキシカルボニルアルキル、シクロアルキル環が一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルオキシアルキル、直鎖状もしくは分枝状パーフルオロアルキル、モノシクロパーフルオロアルキルもしくはポリシクロパーフルオロアルキル、直鎖状もしくは分枝状アルコキシ鎖、ニトロ、シアノ、ハロゲン、カルボキシル、ヒドロキシル、スルフェート、トレシルまたはヒドロキシルから選択され；
Ｒ_６及びＲ_７は、それぞれ独立して、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基、モノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルカルボニル基、アリール、アラルキル、直鎖状もしくは分枝状パーフルオロアルキル、モノシクロパーフルオロアルキルもしくはポリシクロパーフルオロアルキル、アリールカルボニルメチル基、ニトロ、シアノ、またはヒドロキシルから選択されるか、あるいはＲ₆とＲ₇は、それらが結合するＳ原子と一緒になって、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない５、６もしくは７員の飽和もしくは不飽和環を形成し；
Ｒ₉は、アルキル、フルオロアルキル、パーフルオロアルキル、アリール、フルオロアリール、パーフルオロアリール、シクロアルキル環が一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基、シクロアルキル環が一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロフルオロアルキルもしくはポリシクロフルオロアルキル基、またはシクロアルキル環が一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロパーフルオロアルキルもしくはポリシクロパーフルオロアルキル基から選択され；
Ｒ_２０は、アルコキシアルキル、アルコキシカルボニルアルキル、アルキルカルボニル、シクロアルキル環が一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルオキシカルボニルアルキル、またはシクロアルキル環が一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルオキシアルキルであり；
Ｔは、直接結合、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない二価の直鎖状もしくは分枝状アルキル基、二価のアリール基、二価のアラルキル基、または一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない二価のモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基であり；
Ｚは、─（Ｖ）_ｊ─（Ｃ（Ｘ１１）（Ｘ１２））_ｎ─Ｏ─Ｃ（＝Ｏ）─Ｒ_８であり、ここで、（ｉ）Ｘ１１またはＸ１２のいずれか一方は、少なくとも一つのフッ素原子を含む直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖であり、そして他方は、水素、ハロゲン、または直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖であるか、または（ｉｉ）Ｘ１１とＸ１２の両方とも、少なくとも一つのフッ素原子を含む直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖であり；
Ｖは、直接結合、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない二価の直鎖状もしくは分枝状アルキル基、二価のアリール基、二価のアラルキル基、または一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない二価のモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基から選択される連結基であり；
Ｘ２は、水素、ハロゲン、または一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖であり；
Ｒ_８は、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基、またはアリールであり；
Ｘ３は、水素、直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖, ハロゲン、シアノ、または─Ｃ（＝Ｏ）─Ｒ_５０であり、ここで、Ｒ_５０は、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖または─Ｏ─Ｒ_５１から選択され、ここでＲ₅₁は、水素または直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖であり；
ｉ及びｋは、それぞれ独立して、０または正の整数であり；
ｊは、０〜１０であり；
ｍは、０〜１０であり；
そしてｎは、０〜１０であり、
上記の一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、直鎖状もしくは分枝状アルコキシ鎖、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基、モノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルカルボニル基、アルコキシアルキル、アルコキシカルボニルアルキル、アルキルカルボニル、シクロアルキル環が一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルオキシカルボニルアルキル、シクロアルキル環が一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキル−もしくはポリシクロアルキルオキシアルキル、アラルキル、アリール、ナフチル、アントリル、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない５、６もしくは７員の飽和もしくは不飽和環、またはアリールカルボニルメチル基は、置換されていないか、またはＺ、ハロゲン、アルキル、Ｃ_１−８パーフルオロアルキル、モノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル、ＯＲ_２０，アルコキシ、Ｃ_３−２０環状アルコキシ、ジアルキルアミノ、二環式ジアルキルアミノ、ヒドロキシル、シアノ、ニトロ、トレシル、オキソ、アリール、アラルキル、酸素原子、ＣＦ_３ＳＯ_３、アリールオキシ、アリールチオ、及び以下の式（ＩＩ）〜（ＶＩ）の基からなる群から選択される一つもしくはそれ以上の基によって置換されており；

ここで、Ｒ_１０及びＲ_１１は、それぞれ独立して、水素原子、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、または一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキルを表すか、あるいはＲ₁₀及びＲ₁₁は、一緒になってアルキレン基を表して、５員または６員の環を形成することができ；
Ｒ₁₂は、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基、またはアラルキルを表すか、あるいはＲ_１０及びＲ_１２は、一緒になってアルキレン基を表し、介在する―Ｃ―Ｏ―基と一緒になって５員もしくは６員の環を形成し、ここでこの環中の炭素原子は、酸素原子によって置換されているかまたは置換されておらず；
Ｒ_１３は、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖または一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基を表し；
Ｒ_１４及びＲ_１５は、それぞれ独立して、水素原子、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、または一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基を表し；
Ｒ_１６は、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基、アリール、またはアラルキルを表し；そして
Ｒ_１７は、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル基、アリール、アラルキル、―Ｓｉ（Ｒ_１６）_２Ｒ_１７の基、または―Ｏ―Ｓｉ（Ｒ_１６）_２Ｒ_１７の基を表し、前記の一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まないモノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル、アリール及びアラルキルは、置換されていないか、または上述のように置換されている。
Ａｉ及びＢｉが、それぞれ

から選択される、請求項１の化合物。
Ａｉ及びＢｉが、それぞれ

であり、ここでＲ_６及びＲ_７は、それぞれ独立して、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない置換されていないかもしくは置換された直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、または置換されていないかもしくは置換されたアリールであるか、あるいＲ_６及びＲ_７は、それらが結合するＳ原子と一緒になって、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない５、６もしくは７員の飽和もしくは不飽和環を形成し；Ｔは、直接結合、またはオキソで置換されているかもしくは置換されていない、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない二価の直鎖状もしくは分枝状アルキル基である、請求項１または２の化合物。
Ｒ_６及びＲ_７が、それぞれ独立して、置換されていないかもしくは置換されたアリールであり；そしてＴが直接結合である、請求項３の化合物。
Ｒ_６及びＲ_７のアリールが、それぞれ、ＯＳＯ_２Ｒ_９、ＯＲ_２０、ヒドロキシ、またはアルコキシによって置換されている、請求項４の化合物。
Ｒ_３Ａが、ヒドロキシ及び直鎖状もしくは分枝状アルコキシ鎖から選択され、そしてＲ_２Ａ及びＲ_４Ａのそれぞれが、水素、及び一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖から選択される、請求項３〜５のいずれか一つの化合物。
Ｒ_６及びＲ_７が、それらが結合するＳ原子と一緒になって、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない５、６もしくは７員の飽和もしくは不飽和環を形成し、そしてＴが、オキソで置換されているかもしくは置換されていない、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない二価の直鎖状もしくは分枝状アルキル基である、請求項３または６の化合物。
Ａｉ及びＢｉがそれぞれ

である、請求項１または２の化合物。
Ｒ_３Ａ及びＲ_３Ｂが、それぞれ、水素、一つもしくはそれ以上のＯ原子を含むかもしくは含まない直鎖状もしくは分枝状アルキル鎖、及び直鎖状もしくは分枝状アルコキシ鎖から選択される、請求項８の化合物。
ビス［ジ（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［ジ（４−オクチルオキシフェニル）ヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［（４−オクチルオキシフェニル）フェニルヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［（４−メチルフェニル）フェニルヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［（４−ｔ−ブチルフェニル）フェニルヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［（４−メトキシフェニル）フェニルヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（４−メトキシフェニル）ヨードニウムジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（４−オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（トリフェニルスルホニウム）ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［ビス［２−メチル−アダマンチルアセチルオキシメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［ビス［４−（３，５−ジ（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホニルオキシ）−フェニル］フェニルスルホニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［ビス［４，４−ビス（トリフルオロ−メチル）−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０^２，５］−ノニルメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、及びビス［ビス［４−ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシフェニル］フェニルスルホニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテルの群から選択される、請求項１〜９のいずれか一つの化合物。
ａ）酸不安定性基を含むポリマー；
ｂ）請求項１〜１０のいずれか一つの化合物；及び
ｃ）一種または二種以上の追加の光酸発生剤、
を含む、深紫外線（ｄｅｅｐＵＶ）での像形成に有用なフォトレジスト組成物。
前記一種または二種以上の追加の光酸発生剤ｃ）が、
（ａ）式
ＡｉＸｉ１Ｂｉ
但し、Ａｉ及びＢｉは、それぞれ独立して、請求項１に定義した有機オニウムカチオンであり、
Ｘｉ１は、次式のアニオンであり、
Ｑ−Ｒ_５００−ＳＯ_３ ⁻
ここで、Ｑは、⁻Ｏ_３Ｓ及び⁻Ｏ_２Ｃから選択され；
Ｒ₅₀₀は、線状もしくは分枝状アルキル、シクロアルキル、アリール、もしくはこれらの組み合わせから選択される基であり、これらは、カテナリーＳもしくはＮを含むかもしくは含まず、ここで、前記のアルキル、シクロアルキル及びアリール基は、置換されていないか、またはハロゲン、置換されていないかもしくは置換されたアルキル、置換されていないかもしくは置換されたＣ_１−８パーフルオロアルキル、ヒドロキシル、シアノ、スルフェート及びニトロからなる群から選択される一つもしくはそれ以上の基によって置換されている；及び
（ｂ）次式を有する化合物；
ＡｉＸｉ２
但し式中、Ａｉは上に定義した有機オニウムカチオンであり、そしてＸｉ２はアニオンである；及び
これらの（ａ）及び（ｂ）の混合物、
から選択される、請求項１１の組成物。
Ｘｉ２が、ＣＦ_３ＳＯ_３ ⁻、ＣＨＦ_２ＳＯ_３ ⁻、ＣＨ_３ＳＯ_３ ⁻、ＣＣｌ_３ＳＯ_３ ⁻、Ｃ_２Ｆ_５ＳＯ_３ ⁻、Ｃ_２ＨＦ_４ＳＯ_３ ⁻、Ｃ_４Ｆ_９ＳＯ_３ ⁻、カンフルスルホネート、パーフルオロオクタンスルホネート、ベンゼンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、パーフルオロトルエンスルホネート、（Ｒｆ１ＳＯ_２）_３Ｃ⁻、（Ｒｆ１ＳＯ_２）_２Ｎ⁻、及びＲｇ─Ｏ─Ｒｆ２─ＳＯ_３ ⁻から選択され、但し、各Ｒｆ１は、独立して、高度にフッ化されたもしくは過フッ化されたアルキルまたはフッ素化されたアリール基からなる群から選択され、任意の二つのＲｆ１基の組み合わせが結合して橋を形成する場合には環状であることができ、更に、Ｒｆ１アルキル鎖は１〜２０個の炭素原子を含み、そして直鎖状、分枝状または環状であることができ、そうして二価の酸素、三価の窒素または六価の硫黄がその骨格鎖中に割り込むことができ、更に、Ｒｆ１が環状構造を含む場合は、その構造は５もしくは６個の環員を含み、この際、これらの環員の一つもしくは二つは随意にヘテロ原子であることができ；Ｒｆ２は、線状もしくは分枝状（ＣＦ₂）ｊ（ｊは４〜１０の整数である）、及びパーフルオロＣ_1-10アルキルによって置換されているかもしくは置換されていないＣ₁〜Ｃ₁₂シクロパーフルオロアルキル二価基からなる群から選択され、Ｒｇは、Ｃ₁〜Ｃ₂₀線状、分枝状、モノシクロアルキルもしくはポリシクロアルキル、Ｃ₁〜Ｃ₂₀線状、分枝状、モノシクロアルケニルもしくはポリシクロアルケニル、アリール、及びアラルキルからなる群から選択され、前記のアルキル、アルケニル、アラルキル及びアリール基は、置換されていないかもしくは置換されており、一つもしくはそれ以上のカテナリー酸素原子を含むかもしくは含まず、また随意に部分的にフッ化されているかもしくは過フッ化されていてもよい、請求項１２の組成物。
アニオンＸｉ２が、（Ｃ_２Ｆ_５ＳＯ_２）_２Ｎ⁻、（Ｃ_４Ｆ_９ＳＯ_２）_２Ｎ⁻、（Ｃ_８Ｆ_１７ＳＯ_２）_３Ｃ⁻、（ＣＦ_３ＳＯ_２）_３Ｃ⁻、（ＣＦ_３ＳＯ_２）_２Ｎ⁻、（ＣＦ_３ＳＯ_２）_２（Ｃ_４Ｆ_９ＳＯ_２）Ｃ⁻、（Ｃ_２Ｆ_５ＳＯ_２）_３Ｃ⁻、（Ｃ_４Ｆ_９ＳＯ_２）_３Ｃ⁻、（ＣＦ_３ＳＯ_２）_２（Ｃ_２Ｆ_５ＳＯ_２）Ｃ⁻、（Ｃ_４Ｆ_９ＳＯ_２）（Ｃ_２Ｆ_５ＳＯ_２）_２Ｃ⁻ＣＦ_３ＳＯ_２）（Ｃ_４Ｆ_９ＳＯ_２）Ｎ⁻、［（ＣＦ_３）_２ＮＣ_２Ｆ_４ＳＯ_２］_２Ｎ⁻、（ＣＦ_３）_２ＮＣ_２Ｆ_４ＳＯ_２Ｃ⁻ （ＳＯ_２ＣＦ_３）_２、（３，５−ビス（ＣＦ_３）Ｃ_６Ｈ_３）ＳＯ_２Ｎ⁻ＳＯ_２ＣＦ_３、Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２Ｃ⁻⁻（ＳＯ_２ＣＦ_３）_２、Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２Ｎ⁻⁻ＳＯ_２ＣＦ_３、

ＣＦ_３ＣＨＦＯ（ＣＦ_２）_４ＳＯ_３ ⁻、ＣＦ_３ＣＨ_２Ｏ（ＣＦ_２）_４ＳＯ_３ ⁻、ＣＨ_３ＣＨ_２Ｏ（ＣＦ_２）_４ＳＯ_３ ⁻、ＣＨ_３ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ（ＣＦ_２）_４ＳＯ_３ ⁻、ＣＨ_３Ｏ（ＣＦ_２）_４ＳＯ_３ ⁻、Ｃ_２Ｈ_５Ｏ（ＣＦ_２）_４ＳＯ_３ ⁻、Ｃ_４Ｈ_９Ｏ（ＣＦ_２）_４ＳＯ_３ ⁻、Ｃ_６Ｈ_５ＣＨ_２Ｏ（ＣＦ_２）_４ＳＯ_３ ⁻、Ｃ_２Ｈ_５ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＳＯ_３ ⁻、ＣＨ_２＝ＣＨＣＨ_２Ｏ（ＣＦ_２）_４ＳＯ_３ ⁻、ＣＨ_３ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＳＯ_３ ⁻、Ｃ_４Ｈ_９ＯＣＦ_２ＣＦ（ＣＦ_３）ＳＯ_３ ⁻、Ｃ_８Ｈ_１７Ｏ（ＣＦ_２）_２ＳＯ_３ ⁻、及びＣ_４Ｈ_９Ｏ（ＣＦ_２）_２ＳＯ_３ ⁻から選択される、請求項１２または１３の組成物。
前記一種または二種以上の追加の光酸発生剤ｃ）が、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフェニルスルホニウムパーフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフェニルスルホニウムパーフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフェニルスルホニウムパーフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフェニルスルホニウムパーフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフェニルスルホニウムパーフルオロメタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフェニルスルホニウムメタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフェニルスルホニウムパーフルオロエタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフェニルスルホニウムエタンジスルホネート、ビス（トリフェニルスルホニウム）パーフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス（トリフェニルスルホニウム）パーフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）パーフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）パーフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）パーフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）パーフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）パーフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）パーフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス（トリフェニルスルホニウム）パーフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス（トリフェニルスルホニウム）パーフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）パーフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）パーフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）パーフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）パーフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）パーフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）パーフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）メタンジスルホネート、ビス（トリフェニルスルホニウム）メタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）パーフルオロメタンジスルホネート、ビス（トリフェニルスルホニウム）パーフルオロメタンジスルホネート、ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）パーフルオロメタンジスルホネート、ビス（ベンゾイル−テトラメチレンスルホニウム）メタンジスルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）パーフルオロメタンジスルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）メタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）パーフルオロメタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）メタンジスルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）ヨードニウムパーフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）ヨードニウムエタンジスルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）ヨードニウムパーフルオロエタンジスルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）ヨードニウムパーフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）ヨードニウムパーフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）ヨードニウムパーフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）ヨードニウムメタンジスルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）ヨードニウムパーフルオロメタンジスルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムパーフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムエタンジスルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムパーフルオロエタンジスルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムパーフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムパーフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムパーフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムメタンジスルホネート、ビス（４−オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムパーフルオロメタンジスルホネート、ビス［ビス［４−ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ−フェニル］フェニルスルホニウム］パーフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス［ビス［４−ペンタフルオロ−ベンゼン−スルホニルオキシフェニル］フェニルスルホニウム］エタンジスルホネート、ビス［ビス［４−ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシフェニル］フェニル−スルホニウム］パーフルオロエタンジスルホネート、ビス［ビス［４−ペンタフルオロベンゼン−スルホニルオキシフェニル］フェニルスルホニウム］パーフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス［ビス［４−ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシフェニル］フェニルスルホニウム］パーフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス［ビス［４−ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシ−フェニル］フェニルスルホニウム］パーフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス［ビス［４−ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシフェニル］フェニルスルホニウム］メタンジスルホネート、ビス［ビス［４−ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシフェニル］フェニルスルホニウム］パーフルオロメタンジスルホネート、ビス［ビス［４−（３，５−ジ（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホニルオキシ）−フェニル］フェニルスルホニウム］パーフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス［ビス［４−（３，５−ジ（トリフルオロメチル）−ベンゼンスルホニルオキシ）フェニル］フェニルスルホニウム］エタンジスルホネート、ビス［ビス［４−（３，５−ジ（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホニルオキシ）フェニル］フェニルスルホニウム］パーフルオロエタンジスルホネート、ビス［ビス［４−（３，５−ジ（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホニルオキシ）フェニル］フェニルスルホニウム］パーフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス［ビス［４−（３，５−ジ（トリフルオロ−メチル）−ベンゼンスルホニルオキシ）フェニル］フェニルスルホニウム］パーフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス［ビス［４−（３，５−ジ（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホニルオキシ）−フェニル］フェニルスルホニウム］パーフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス［ビス［４−（３，５−ジ（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホニルオキシ）フェニル］フェニルスルホニウム］メタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）エタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）パーフルオロエタンジスルホネート、ビス（トリフェニルスルホニウム）エタンジスルホネート、ビス（トリフェニルスルホニウム）パーフルオロエタンジスルホネート、ビス（ベンゾイルテトラメチレン−スルホニウム）パーフルオロエタンジスルホネート、ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）エタンジスルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）パーフルオロエタンジスルホネート、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）エタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニル−スルホニウム）パーフルオロエタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）エタンジスルホネート、ビス［ビス［２−メチルアダマンチルアセチルオキシメトキシフェニル］フェニル−スルホニウム］パーフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス［ビス［２−メチルアダマンチルアセチル−オキシメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］エタンジスルホネート、ビス［ビス［２−メチル−アダマンチルアセチルオキシメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］パーフルオロエタンジスルホネート、ビス［ビス［２−メチルアダマンチルアセチルオキシメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］パーフルオロ−プロパン−１，３−ジスルホネート、ビス［ビス［２−メチルアダマンチルアセチルオキシメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］パーフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス［ビス［２−メチル−アダマンチルアセチルオキシメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］パーフルオロブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス［ビス［２−メチルアダマンチルアセチルオキシメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］メタンジスルホネート、ビス［ビス［２−メチルアダマンチルアセチルオキシ−メトキシフェニル］フェニルスルホニウム］パーフルオロメタンジスルホネート、ビス［ビス［４，４−ビス（トリフルオロメチル）−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０^２，５］−ノニルメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］パーフルオロブタン−１，４−ジスルホネート、ビス［ビス［４，４−ビス（トリフルオロメチル）−３−オキサトリシクロ−［４．２．１．０^２，５］−ノニルメトキシ−フェニル］フェニルスルホニウム］エタンジスルホネート、ビス［ビス［４，４−ビス（トリフルオロメチル）−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０^２，５］−ノニルメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］−パーフルオロエタンジスルホネート、ビス［ビス［４，４−ビス（トリフルオロメチル）−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０^２，５］−ノニルメトキシ−フェニル］フェニルスルホニウム］パーフルオロプロパン−１，３−ジスルホネート、ビス［ビス［４，４−ビス（トリフルオロ−メチル）−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０^２，５］−ノニルメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］−パーフルオロプロパン−１−カルボキシレート−３−スルホネート、ビス［ビス［４，４−ビス（トリフルオロ−メチル）−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０^２，５］−ノニルメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］パーフルオロ−ブタン−１−カルボキシレート−４−スルホネート、ビス［ビス［４，４−ビス（トリフルオロメチル）−３−オキサトリシクロ−［４．２．１．０^２，５］−ノニルメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］メタンジスルホネート、ビス［ビス［４，４−ビス（トリフルオロメチル）−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０^２，５］−ノニルメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］パーフルオロメタンジスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムビス−パーフルオロエタンスルホンイミド、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート，ジフェニルヨードニウムノナフルオロブタンスルホネー

ト、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、４−（１−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムビス−（パーフルオロブタンスルホニル）イミド、４−（１−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウムビス−（パーフルオロエタンスルホニル）イミド、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウムビス−パーフルオロブタンスルホニル）イミド、２，４，６−トリメチルフェニルジフェニルスルホニウムビス−（パーフルオロエタンスルホニル）イミド、トルエンジフェニルスルホニウムビス−（パーフルオロブタンスルホニル）イミド、トルエンジフェニルスルホニウムビス−（パーフルオロエタンスルホニル）イミド、トルエンジフェニルスルホニウム−（トリフルオロメチルパーフルオロブチルスルホニル）イミド、トリス−（ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルホニウム−（トリフルオロメチルパーフルオロブチルスルホニル）イミド、トリス−（ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルホニウムビス−（パーフルオロブタンスルホニル）イミド、トリス−（ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルホニウム−ビス−（トリフルオロメタンスルホニル）イミド、及びこれらの混合物の群から選択される、請求項１１〜１４のいずれか一つの組成物。
請求項１の化合物ｂ）が、ビス［ジ（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［ジ（４−オクチルオキシフェニル）ヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［（４−オクチルオキシフェニル）フェニルヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［（４−メチルフェニル）フェニルヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［（４−ｔ−ブチルフェニル）フェニルヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［（４−メトキシフェニル）フェニルヨードニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（４−メトキシフェニル）ヨードニウムジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（４−オクチルオキシフェニル）フェニルスルホニウムジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルジフェニルスルホニウム）ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（４−ｔ−ブチルフェニルヨードニウム）トリフェニルスルホニウムジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（ベンゾイルテトラメチレンスルホニウム）ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（トリフェニルスルホニウム）ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス（トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウム）ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［ビス［２−メチル−アダマンチルアセチルオキシメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［ビス［４−（３，５−ジ（トリフルオロメチル）ベンゼンスルホニルオキシ）−フェニル］フェニルスルホニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、ビス［ビス［４，４−ビス（トリフルオロ−メチル）−３−オキサトリシクロ［４．２．１．０^２，５］−ノニルメトキシフェニル］フェニルスルホニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、及びビス［ビス［４−ペンタフルオロベンゼンスルホニルオキシフェニル］フェニルスルホニウム］ジ−（テトラフルオロエチルスルホネート）エーテル、及びこれらの混合物の群から選択される、請求項１１〜１５のいずれか一つの組成物。
ｂ）とｃ）との比率が約１：１〜約１：４の範囲である、請求項１１〜１６のいずれか一つの組成物。
ｂ）とｃ）との比率が約１：１．２５〜約１：３．５の範囲である、請求項１１〜１７のいずれか一つの組成物。
ａ）請求項１１〜１８のいずれか一つの組成物を用いて基材に被覆層を塗布し；
ｂ）前記基材をベーク処理し溶剤を実質的に除去し；
ｃ）フォトレジストの塗膜を像様露光し；
ｄ）任意付加工程として、フォトレジストの塗膜を露光後ベーク処理し；及び
ｅ）フォトレジストの塗膜を水性アルカリ性溶液で現像する、
段階を含む、フォトレジストに像を形成する方法。
フォトレジストの塗膜を有する基材を含む被覆された基材であって、このフォトレジストの塗膜が、請求項１１〜１８のいずれか一つのフォトレジスト組成物から形成されたものである、前記基材。
フォトレジスト組成物中の光酸発生剤としての、請求項１〜１０のいずれか一つの化合物の使用。