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JP2010228998A - Glass member with sealing material layer, electronic device using the same, and manufacturing method thereof - Google Patents

Glass member with sealing material layer, electronic device using the same, and manufacturing method thereof Download PDF

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JP2010228998A
JP2010228998A JP2009080342A JP2009080342A JP2010228998A JP 2010228998 A JP2010228998 A JP 2010228998A JP 2009080342 A JP2009080342 A JP 2009080342A JP 2009080342 A JP2009080342 A JP 2009080342A JP 2010228998 A JP2010228998 A JP 2010228998A
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glass
glass substrate
material layer
groove
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JP2009080342A
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Koichi Shibuya
幸一 渋谷
Akira Ide
旭 井出
Sohei Kawanami
壮平 川浪
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Asahi Glass Co Ltd
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Abstract

【課題】レーザ封着を適用するにあたって、封着層の線幅やガラス基板間の間隔を狭小化する場合においても、ガラス基板と封着層との接着強度を高めることを可能にする。
【解決手段】ガラス基板3は封止領域に形成された溝6を有し、溝6内に封着ガラスと低膨張充填材とレーザ吸収材とを含有する封着用ガラス材料の焼成層からなる封着材料層5が設けられている。封着材料層5はその上部が溝6から突出するように設けられている。このようなガラス基板3と電子素子を備える素子形成領域2aを有するガラス基板2とを積層し、封着材料層5にガラス基板3側からレーザ光7を照射して溶融させることによって、ガラス基板2、3間を封着する。
【選択図】図2
When applying laser sealing, the adhesive strength between a glass substrate and a sealing layer can be increased even when the line width of the sealing layer and the interval between the glass substrates are reduced.
A glass substrate 3 has a groove 6 formed in a sealing region, and includes a fired layer of a sealing glass material containing a sealing glass, a low expansion filler, and a laser absorber in the groove 6. A sealing material layer 5 is provided. The sealing material layer 5 is provided so that the upper part protrudes from the groove 6. By laminating such a glass substrate 3 and a glass substrate 2 having an element forming region 2a including an electronic element, the sealing material layer 5 is irradiated with a laser beam 7 from the glass substrate 3 side to be melted, whereby a glass substrate is obtained. Seal between 2 and 3.
[Selection] Figure 2

Description

本発明は封着材料層付きガラス部材とそれを用いた電子デバイスおよびその製造方法に関する。   The present invention relates to a glass member with a sealing material layer, an electronic device using the same, and a method for manufacturing the same.

有機ELディスプレイ(Organic Electro−Luminescence Display:OELD)、プラズマディスプレイパネル(PDP)、液晶表示装置(LCD)等の平板型ディスプレイ装置(FPD)は、発光素子を形成した素子用ガラス基板と封止用ガラス基板とを対向配置し、これら2枚のガラス基板を封着したガラスパッケージで発光素子を封止した構造を有している(特許文献1参照)。さらに、色素増感型太陽電池のような太陽電池においても、2枚のガラス基板で太陽電池素子(光電変換素子)を封止したガラスパッケージを適用することが検討されている(特許文献2参照)。   Flat-type display devices (FPD) such as organic electro-luminescence display (OELD), plasma display panel (PDP), liquid crystal display device (LCD), etc. are used for sealing glass substrates for elements on which light emitting elements are formed and for sealing It has a structure in which a light emitting element is sealed with a glass package in which a glass substrate is opposed to each other and these two glass substrates are sealed (see Patent Document 1). Further, in solar cells such as dye-sensitized solar cells, it has been studied to apply a glass package in which solar cell elements (photoelectric conversion elements) are sealed with two glass substrates (see Patent Document 2). ).

2枚のガラス基板間を封止する封着材料には、耐湿性等に優れる封着ガラスの適用が進められている。ただし、封着ガラスによる封着温度は400〜600℃程度であるため、通常の加熱炉を用いて焼成した場合にはOEL素子等の電子素子部の特性が劣化してしまう。そこで、2枚のガラス基板の周辺部に設けられた封止領域間にレーザ吸収材を含む封着用ガラス材料層を配置し、これにレーザ光を照射し加熱、溶融させて封着層を形成することが試みられている(特許文献1,2参照)。レーザ照射による封着(レーザ封着)は、電子素子部への熱的影響を抑制できるという利点を有する。   As a sealing material for sealing between two glass substrates, application of sealing glass excellent in moisture resistance or the like is being promoted. However, since the sealing temperature by the sealing glass is about 400 to 600 ° C., the characteristics of the electronic element part such as the OEL element are deteriorated when baked using a normal heating furnace. Therefore, a sealing glass material layer including a laser absorbing material is disposed between the sealing regions provided in the peripheral portions of the two glass substrates, and a sealing layer is formed by irradiating the laser beam to this and heating and melting it. Attempts have been made (see Patent Documents 1 and 2). Sealing by laser irradiation (laser sealing) has an advantage that thermal influence on the electronic element part can be suppressed.

FPDや太陽電池等のガラスパッケージにレーザ封着を適用するにあたって、OEL素子や太陽電池素子等の電子素子の形成面積の拡大を図るために、ガラス基板に設定される封止領域の幅、すなわち封着層の線幅は3mm以下、さらには1mm以下というように狭小化される傾向にある。封着層の線幅が減少するほどガラス基板との接着面積が小さくなるため、ガラス基板と封着層との接着強度が低下しやすくなる。接着強度の低下はガラス基板と封着層との界面における剥離やクラックの発生原因となる。   In applying laser sealing to a glass package such as an FPD or a solar cell, in order to increase the formation area of an electronic element such as an OEL element or a solar cell element, the width of the sealing region set on the glass substrate, The line width of the sealing layer tends to be narrowed to 3 mm or less, and further 1 mm or less. As the line width of the sealing layer decreases, the adhesion area between the glass substrate and the glass substrate decreases, so that the adhesive strength between the glass substrate and the sealing layer tends to decrease. The decrease in adhesive strength causes peeling or cracking at the interface between the glass substrate and the sealing layer.

さらに、FPDではガラスパッケージ内における発光素子の内部散乱を抑制するために、ガラス基板間の間隔(ギャップ)も、例えば30μm以下、さらには10μm以下というように狭くすることが求められている。封着用ガラス材料には、ガラス基板と封着ガラスとの熱膨張係数を整合させるために低膨張充填材等が配合されており、基板間隔の狭小化に伴って充填材粒子を微粒子化する必要が生じる。充填材粒子の微粒子化は表面積の増大を招き、加熱して軟化させた封着ガラスと充填材粒子との間のせん断応力が増加して流動が生じにくくなる。これは封着材料とガラス基板との密着性を低下させる原因となる。これによっても、ガラス基板と封着層との接着強度が低下する。   Further, in the FPD, in order to suppress the internal scattering of the light emitting elements in the glass package, it is required that the interval (gap) between the glass substrates is also narrowed, for example, 30 μm or less, further 10 μm or less. The sealing glass material is blended with a low expansion filler to match the thermal expansion coefficient between the glass substrate and the sealing glass, and it is necessary to make the filler particles finer as the distance between the substrates is reduced. Occurs. When the filler particles are made finer, the surface area is increased, the shear stress between the sealing glass softened by heating and the filler particles is increased, and the flow hardly occurs. This causes a decrease in the adhesion between the sealing material and the glass substrate. This also reduces the adhesive strength between the glass substrate and the sealing layer.

特許文献1にはOEL素子の形成領域(画素領域)を有する素子用ガラス基板の封止領域(非画素領域)に凹凸部を形成することが記載されている。ここでは凹凸部を有しない封止用ガラス基板に封着用ガラス材料層を形成し、封止用ガラス基板側からレーザ光を照射して封止している。このような方法ではレーザ光の照射面から凹部に近づくほど封着用ガラス材料が軟化しにくくなり、凹部内を封着用ガラス材料で十分に埋めることが困難になる。これでは接着強度を十分に高めることができないだけでなく、凹部内に残存する空隙が剥離やクラックの起点となるおそれがある。   Patent Document 1 describes that an uneven portion is formed in a sealing region (non-pixel region) of an element glass substrate having an OEL element formation region (pixel region). Here, a sealing glass material layer is formed on a sealing glass substrate that does not have an uneven portion, and sealing is performed by irradiating laser light from the sealing glass substrate side. In such a method, the closer to the recess from the laser light irradiation surface, the harder the softening glass material becomes, and it becomes difficult to sufficiently fill the recess with the sealing glass material. In this case, not only the adhesive strength cannot be sufficiently increased, but also the voids remaining in the recesses may become a starting point of peeling or cracking.

特許文献2には封止用ガラス基板に溝を形成し、この溝内に封着用ガラス材料を充填した後、封止用ガラス基板側からレーザ光を照射して、封着用ガラス材料を素子用ガラス基板に向けて盛り上がらせることによって、ガラス基板間を封着することが記載されている。この方法では封着層の幅が溝幅より狭くなることが避けられないことから、ガラス基板と封着層との接着強度を十分に高めることはできない。また、レーザ封着工程の前に溝内に充填した封着用ガラス材料の表面を平坦化しているが、その際にガラス基板に傷が生じることが避けられず、ガラス基板の特性が低下しやすいという難点がある。   In Patent Document 2, a groove is formed in a glass substrate for sealing, and after the glass material for sealing is filled in the groove, laser light is irradiated from the glass substrate side for sealing, and the glass material for sealing is used for the element. It is described that the glass substrates are sealed by being raised toward the glass substrates. In this method, it is inevitable that the width of the sealing layer becomes narrower than the groove width, and thus the adhesive strength between the glass substrate and the sealing layer cannot be sufficiently increased. Further, the surface of the sealing glass material filled in the groove is flattened before the laser sealing step, but it is inevitable that the glass substrate is damaged at that time, and the characteristics of the glass substrate are likely to deteriorate. There is a difficulty.

特表2006−524419号公報JP-T-2006-524419 特開2008−115057号公報JP 2008-115057 A 特開2007−200838号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-200838 国際公開2005/122645号International Publication No. 2005/122645

本発明の目的は、封着層の線幅やガラス基板間の間隔を狭小化する場合においても、ガラス基板と封着層との接着強度を十分に高めることを可能にした封着材料層付きガラス部材とそれを用いた電子デバイスおよびその製造方法を提供することにある。   The object of the present invention is to provide a sealing material layer that can sufficiently increase the adhesive strength between the glass substrate and the sealing layer even when the line width of the sealing layer and the interval between the glass substrates are reduced. An object of the present invention is to provide a glass member, an electronic device using the glass member, and a manufacturing method thereof.

本発明の態様に係る封着材料層付きガラス部材は、封止領域と、前記封止領域に連続して形成された溝とを有するガラス基板と、前記溝内に設けられ、封着ガラスと低膨張充填材とレーザ吸収材とを含有する封着用ガラス材料の焼成層からなる枠状の封着材料層とを具備し、前記封着材料層はその上部が前記溝から突出するように設けられていることを特徴としている。   A glass member with a sealing material layer according to an aspect of the present invention includes a sealing substrate, a glass substrate having a groove formed continuously in the sealing region, a sealing glass provided in the groove, A frame-like sealing material layer made of a fired layer of a sealing glass material containing a low expansion filler and a laser absorber, and the sealing material layer is provided so that the upper part protrudes from the groove It is characterized by being.

本発明の態様に係る電子デバイスは、電子素子を備える素子形成領域と、前記素子形成領域の外周に沿って設けられた第1の封止領域とを有する第1のガラス基板と、前記第1のガラス基板の前記第1の封止領域に対応する第2の封止領域と、前記第2の封止領域に連続して形成された溝とを有する第2のガラス基板と、前記第1のガラス基板の前記第1の封止領域と前記第2のガラス基板の前記第2の封止領域との間を、前記素子形成領域上に間隙を設けつつ封止するように形成され、封着ガラスと低膨張充填材とレーザ吸収材とを含有する封着用ガラス材料の溶融固着層からなる封着層とを具備し、前記封着層の一部は前記溝内に埋め込まれていることを特徴としている。   An electronic device according to an aspect of the present invention includes a first glass substrate having an element formation region including an electronic element, and a first sealing region provided along an outer periphery of the element formation region, and the first glass substrate. A second glass substrate having a second sealing region corresponding to the first sealing region of the glass substrate, and a groove formed continuously in the second sealing region; The first sealing region of the glass substrate and the second sealing region of the second glass substrate are formed so as to be sealed while providing a gap on the element formation region. A sealing layer composed of a melt-fixed layer of a glass material for sealing containing glass, a low expansion filler, and a laser absorber, and a part of the sealing layer is embedded in the groove It is characterized by.

本発明の態様に係る電子デバイスの製造方法は、電子素子を備える素子形成領域と、前記素子形成領域の外周に沿って設けられた第1の封止領域とを有する第1のガラス基板を用意する工程と、前記第1のガラス基板の前記第1の封止領域に対応する第2の封止領域と、前記第2の封止領域に連続して形成された溝と、その上部が前記溝から突出するように前記溝内に設けられ、封着ガラスと低膨張充填材とレーザ吸収材とを含有する封着用ガラス材料の焼成層からなる枠状の封着材料層とを有する第2のガラス基板を用意する工程と、前記素子形成領域上に間隙を形成しつつ、前記封着材料層を介して前記第1のガラス基板と前記第2のガラス基板とを積層する工程と、前記第2のガラス基板を通して前記封着材料層にレーザ光を照射し、前記封着材料層を溶融させて前記第1のガラス基板と前記第2のガラス基板との間を封止する封着層を形成する工程とを具備することを特徴としている。   An electronic device manufacturing method according to an aspect of the present invention provides a first glass substrate having an element formation region including an electronic element and a first sealing region provided along an outer periphery of the element formation region. A step of performing, a second sealing region corresponding to the first sealing region of the first glass substrate, a groove formed continuously in the second sealing region, and an upper portion thereof A second sealing material layer provided in the groove so as to protrude from the groove and having a frame-shaped sealing material layer made of a fired layer of a sealing glass material containing a sealing glass, a low expansion filler, and a laser absorbing material; Preparing the glass substrate, laminating the first glass substrate and the second glass substrate through the sealing material layer while forming a gap on the element formation region, Irradiating the sealing material layer with a laser beam through a second glass substrate; By melting Kifugi material layer is characterized by comprising a step of forming a sealing layer for sealing between the second glass substrate and the first glass substrate.

本発明の態様に係る封着材料層付きガラス部材とそれを用いた電子デバイスおよびその製造方法によれば、封着層の線幅やガラス基板間の間隔を狭小化する場合においても、ガラス基板と封着層との接着強度を十分に高めることができる。従って、封着性やその信頼性に優れる電子デバイスを再現性よく提供することが可能となる。   According to the glass member with the sealing material layer according to the aspect of the present invention, the electronic device using the glass member, and the manufacturing method thereof, the glass substrate even when the line width of the sealing layer and the interval between the glass substrates are reduced. Adhesive strength between the sealing layer and the sealing layer can be sufficiently increased. Accordingly, it is possible to provide an electronic device excellent in sealing performance and reliability with high reproducibility.

本発明の実施形態による電子デバイスの構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the electronic device by embodiment of this invention. 本発明の実施形態による電子デバイスの製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the electronic device by embodiment of this invention. 図2に示す電子デバイスの製造工程で使用する第1のガラス基板を示す平面図である。It is a top view which shows the 1st glass substrate used in the manufacturing process of the electronic device shown in FIG. 図3のA−A線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the AA line of FIG. 図2に示す電子デバイスの製造工程で使用する第2のガラス基板を示す平面図である。It is a top view which shows the 2nd glass substrate used at the manufacturing process of the electronic device shown in FIG. 図5のA−A線に沿った断面図である。It is sectional drawing along the AA line of FIG. 図5に示す第2のガラス基板の一部を拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which expands and shows a part of 2nd glass substrate shown in FIG. 図1に示す電子デバイスの一部を拡大して示す断面図である。It is sectional drawing which expands and shows a part of electronic device shown in FIG.

以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。図1は本発明の実施形態による電子デバイスの構成を示す図、図2は本発明の実施形態による電子デバイスの製造工程を示す図、図3ないし図6はそれに用いる第1および第2のガラス基板の構成を示す図、図7は第2のガラス基板の一部を拡大して示す図、図8は電子デバイスの封着部を拡大して示す図である。図1に示す電子デバイス1は、OELD、PDP、LCD等のFPD、OEL素子等の発光素子を使用した照明装置(OEL照明等)、あるいは色素増感型太陽電池のような太陽電池等を構成するものである。   Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. 1 is a diagram showing a configuration of an electronic device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing a manufacturing process of the electronic device according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 3 to 6 are first and second glasses used therefor. FIG. 7 is an enlarged view showing a part of the second glass substrate, and FIG. 8 is an enlarged view showing a sealing portion of the electronic device. The electronic device 1 shown in FIG. 1 constitutes an illuminating device (such as OEL illumination) using a light emitting element such as an OPD, PDP, LCD, or other FPD, or a solar cell such as a dye-sensitized solar cell. To do.

電子デバイス1は、電子素子を備える素子形成領域2aを有する第1のガラス基板(素子用ガラス基板)2と、第2のガラス基板(封止用ガラス基板)3とを具備している。第1および第2のガラス基板2、3は、例えば無アルカリガラスやソーダライムガラス等で構成される。無アルカリガラスは35〜40×10−7/℃程度の熱膨張係数を有している。ソーダライムガラスは85〜90×10−7/℃程度の熱膨張係数を有している。 The electronic device 1 includes a first glass substrate (element glass substrate) 2 having an element formation region 2 a including an electronic element, and a second glass substrate (sealing glass substrate) 3. The first and second glass substrates 2 and 3 are made of, for example, non-alkali glass or soda lime glass. The alkali-free glass has a thermal expansion coefficient of about 35 to 40 × 10 −7 / ° C. Soda lime glass has a thermal expansion coefficient of about 85 to 90 × 10 −7 / ° C.

第1のガラス基板2の素子形成領域2aには、電子デバイス1に応じた電子素子、例えばOELDやOEL照明であればOEL素子、PDPであればプラズマ発光素子、LCDであれば液晶表示素子、太陽電池であれば色素増感型光電変換部等が形成されている。OEL素子のような発光素子や色素増感型光電変換部のような太陽電池素子等の電子素子は各種公知の構造を備えており、これら素子構造に限定されるものではない。   In the element formation region 2a of the first glass substrate 2, an electronic element corresponding to the electronic device 1, for example, an OEL element for OELD or OEL illumination, a plasma light emitting element for PDP, a liquid crystal display element for LCD, In the case of a solar cell, a dye-sensitized photoelectric conversion unit and the like are formed. Electronic elements such as light emitting elements such as OEL elements and solar cell elements such as dye-sensitized photoelectric conversion units have various known structures, and are not limited to these element structures.

第1のガラス基板2は図3および図4に示すように素子形成領域2aの外周に沿って設けられた第1の封止領域2bを有している。第1の封止領域2bは素子形成領域2aを囲うように設定されている。第2のガラス基板3は図5および図6に示すように第2の封止領域3aを有している。第2の封止領域3aは第1の封止領域2bに対応するものである。すなわち、第1のガラス基板2と第2のガラス基板3とを対向配置した際に、第1の封止領域2bと第2の封止領域3aとは対面するように設定されており、後述するように封着層の形成領域(第2のガラス基板3については封着材料層の形成領域)となる。   As shown in FIGS. 3 and 4, the first glass substrate 2 has a first sealing region 2 b provided along the outer periphery of the element formation region 2 a. The first sealing region 2b is set so as to surround the element formation region 2a. As shown in FIGS. 5 and 6, the second glass substrate 3 has a second sealing region 3a. The second sealing region 3a corresponds to the first sealing region 2b. That is, when the first glass substrate 2 and the second glass substrate 3 are disposed to face each other, the first sealing region 2b and the second sealing region 3a are set to face each other, which will be described later. Thus, a sealing layer forming region (a sealing material layer forming region for the second glass substrate 3) is formed.

第1のガラス基板2と第2のガラス基板3とは、素子形成領域2a上に間隙を形成するように対向配置されている。第1のガラス基板2と第2のガラス基板3との間の空間は封着層4で封止されている。すなわち、封着層4は第1のガラス基板2の封止領域2bと第2のガラス基板3の封止領域3aとの間を、素子形成領域2a上に間隙を設けつつ封止するように形成されている。素子形成領域2aに形成された電子素子は、第1のガラス基板2と第2のガラス基板3と封着層4とで構成されたガラスパネルで気密封止されている。なお、第1のガラス基板2と第2のガラス基板3との間の間隙は空間であることに限らず、そのような空間に透明な樹脂が充填されていてもよい。透明樹脂はガラス基板2、3に接着されていてもよいし、単に接触しているだけであってもよい。   The first glass substrate 2 and the second glass substrate 3 are disposed to face each other so as to form a gap on the element formation region 2a. The space between the first glass substrate 2 and the second glass substrate 3 is sealed with a sealing layer 4. That is, the sealing layer 4 is sealed between the sealing region 2b of the first glass substrate 2 and the sealing region 3a of the second glass substrate 3 while providing a gap on the element formation region 2a. Is formed. The electronic element formed in the element formation region 2 a is hermetically sealed with a glass panel constituted by the first glass substrate 2, the second glass substrate 3, and the sealing layer 4. Note that the gap between the first glass substrate 2 and the second glass substrate 3 is not limited to a space, and such a space may be filled with a transparent resin. The transparent resin may be adhered to the glass substrates 2 and 3 or may simply be in contact.

封着層4は第2のガラス基板3の封止領域3aに形成された封着材料層5をレーザ光で溶融させて第1のガラス基板2の封止領域2bに固着させた溶融固着層からなるものである。すなわち、電子デバイス1の作製に用いられる第2のガラス基板3の封止領域3aには、図5および図6に示すように枠状の封着材料層5が形成されている。第2のガラス基板3の封止領域3aに形成された封着材料層5を、レーザ光の熱で第1のガラス基板2の封止領域2bに溶融固着させることによって、第1のガラス基板2と第2のガラス基板3との間の空間(素子配置空間)を封止する封着層4が形成されている。   The sealing layer 4 is a fusion fixing layer in which the sealing material layer 5 formed in the sealing region 3 a of the second glass substrate 3 is melted with a laser beam and fixed to the sealing region 2 b of the first glass substrate 2. It consists of That is, the frame-shaped sealing material layer 5 is formed in the sealing region 3a of the second glass substrate 3 used for manufacturing the electronic device 1 as shown in FIGS. By sealing the sealing material layer 5 formed in the sealing region 3a of the second glass substrate 3 to the sealing region 2b of the first glass substrate 2 with the heat of the laser beam, the first glass substrate is obtained. A sealing layer 4 that seals a space (element arrangement space) between 2 and the second glass substrate 3 is formed.

封着材料層5は封着ガラスと低膨張充填材とレーザ吸収材とを含有する封着用ガラス材料の焼成層である。封着用ガラス材料は主成分としての封着ガラスにレーザ吸収材と低膨張充填材とを配合したものである。封着用ガラス材料はこれら以外の添加材を必要に応じて含有していてもよい。封着ガラス(ガラスフリット)には、例えば錫−リン酸系ガラス、ビスマス系ガラス、バナジウム系ガラス、鉛系ガラス等の低融点ガラスが用いられる。これらのうち、ガラス基板2、3に対する封着性(接着性)やその信頼性(接着信頼性や密閉性)、さらには環境や人体に対する影響性等を考慮して、錫−リン酸系ガラスやビスマス系ガラスからなる封着ガラスを使用することが好ましい。   The sealing material layer 5 is a fired layer of a sealing glass material containing a sealing glass, a low expansion filler, and a laser absorber. The glass material for sealing is obtained by blending a laser absorbing material and a low expansion filler into sealing glass as a main component. The glass material for sealing may contain additives other than these as required. For the sealing glass (glass frit), for example, low-melting glass such as tin-phosphate glass, bismuth glass, vanadium glass, lead glass or the like is used. Of these, tin-phosphate glass is used in consideration of sealing properties (adhesiveness) to the glass substrates 2 and 3, reliability thereof (adhesion reliability and sealing properties), and influence on the environment and human body. It is preferable to use sealing glass made of bismuth glass.

錫−リン酸系ガラス(ガラスフリット)は、20〜68モル%のSnO、0.5〜5モル%のSnO2および20〜40モル%のP25(基本的には合計量を100モル%とする)の組成を有することが好ましい。SnOはガラスを低融点化させるための成分である。SnOの含有量が20モル%未満であるとガラスの粘性が高くなって封着温度が高くなりすぎ、68モル%を超えるとガラス化しなくなる。 Tin-phosphate glass (glass frit) is composed of 20 to 68 mol% SnO, 0.5 to 5 mol% SnO 2 and 20 to 40 mol% P 2 O 5 (basically a total amount of 100%). It is preferable to have a composition of (mol%). SnO is a component for lowering the melting point of glass. If the SnO content is less than 20 mol%, the viscosity of the glass will be high and the sealing temperature will be too high, and if it exceeds 68 mol%, it will not vitrify.

SnO2はガラスを安定化するための成分である。SnO2の含有量が0.5モル%未満であると封着作業時に軟化溶融したガラス中にSnO2が分離、析出し、流動性が損なわれて封着作業性が低下する。SnO2の含有量が5モル%を超えると低融点ガラスの溶融中からSnO2が析出しやすくなる。P25はガラス骨格を形成するための成分である。P25の含有量が20モル%未満であるとガラス化せず、その含有量が40モル%を超えるとリン酸塩ガラス特有の欠点である耐候性の悪化を引き起こすおそれがある。 SnO 2 is a component for stabilizing the glass. If the content of SnO 2 is less than 0.5 mol%, SnO 2 is separated and precipitated in the glass that has been softened and melted during the sealing operation, the fluidity is impaired and the sealing workability is lowered. If the content of SnO 2 exceeds 5 mol%, SnO 2 is likely to precipitate during melting of the low-melting glass. P 2 O 5 is a component for forming a glass skeleton. If the content of P 2 O 5 is less than 20 mol%, the glass does not vitrify, and if the content exceeds 40 mol%, the weather resistance, which is a disadvantage specific to phosphate glass, may be deteriorated.

ここで、ガラスフリット中のSnOおよびSnO2の割合(モル%)は以下のようにして求めることができる。まず、ガラスフリット(低融点ガラス粉末)を酸分解した後、ICP発光分光分析によりガラスフリット中に含有されているSn原子の総量を測定する。次に、Sn2+(SnO)は酸分解したものをヨウ素滴定法により求められるので、そこで求められたSn2+の量をSn原子の総量から減じてSn4+(SnO2)を求める。 Here, the ratio (mol%) of SnO and SnO 2 in the glass frit can be determined as follows. First, after the glass frit (low melting point glass powder) is acid-decomposed, the total amount of Sn atoms contained in the glass frit is measured by ICP emission spectroscopic analysis. Next, since Sn 2+ (SnO) is obtained by acidimetric decomposition, Sn 4+ (SnO 2 ) is obtained by subtracting the obtained Sn 2+ from the total amount of Sn atoms.

上記した3成分で形成されるガラスはガラス転移点が低く、低温用の封着材料に適したものであるが、SiO2等のガラスの骨格を形成する成分やZnO、B23、Al23、WO3、MoO3、Nb25、TiO2、ZrO2、Li2O、Na2O、K2O、Cs2O、MgO、CaO、SrO、BaO等のガラスを安定化させる成分等を任意成分として含有していてもよい。ただし、任意成分の含有量が多すぎるとガラスが不安定となって失透が発生したり、またガラス転移点や軟化点が上昇するおそれがあるため、任意成分の合計含有量は30モル%以下とすることが好ましい。この場合のガラス組成は基本成分と任意成分との合計量が基本的には100モル%となるように調整される。 The glass formed of the above three components has a low glass transition point and is suitable for a low-temperature sealing material. However, a component that forms a glass skeleton such as SiO 2 , ZnO, B 2 O 3 , Al 2 O 3, WO 3, MoO 3, Nb 2 O 5, TiO 2, ZrO 2, Li 2 O, stabilizing Na 2 O, K 2 O, Cs 2 O, MgO, CaO, SrO, the glass BaO, etc. The component to be made may be contained as an optional component. However, if the content of any component is too large, the glass becomes unstable and devitrification may occur, and the glass transition point and softening point may increase. Therefore, the total content of any component is 30 mol%. The following is preferable. The glass composition in this case is adjusted so that the total amount of the basic component and the optional component is basically 100 mol%.

ビスマス系ガラス(ガスフリット)は、70〜90質量%のBi23、1〜20質量%のZnOおよび2〜12質量%のB23(基本的には合計量を100質量%とする)の組成を有することが好ましい。Bi23はガラスの網目を形成する成分である。Bi23の含有量が70質量%未満であると低融点ガラスの軟化点が高くなり、低温での封着が困難になる。Bi23の含有量が90質量%を超えるとガラス化しにくくなると共に、熱膨張係数が高くなりすぎる傾向がある。 Bismuth-based glass (gas frit) is composed of 70 to 90% by mass of Bi 2 O 3 , 1 to 20% by mass of ZnO and 2 to 12% by mass of B 2 O 3 (basically, the total amount is 100% by mass). Preferably). Bi 2 O 3 is a component that forms a glass network. When the content of Bi 2 O 3 is less than 70% by mass, the softening point of the low-melting glass becomes high and sealing at a low temperature becomes difficult. When the content of Bi 2 O 3 exceeds 90% by mass, it becomes difficult to vitrify and the thermal expansion coefficient tends to be too high.

ZnOは熱膨張係数等を下げる成分である。ZnOの含有量が1質量%未満であるとガラス化が困難になる。ZnOの含有量が20質量%を超えると低融点ガラス成形時の安定性が低下し、失透が発生しやすくなる。B23はガラスの骨格を形成してガラス化が可能となる範囲を広げる成分である。B23の含有量が2質量%未満であるとガラス化が困難となり、12質量%を超えると軟化点が高くなりすぎて、封着時に荷重をかけたとしても低温で封着することが困難となる。 ZnO is a component that lowers the thermal expansion coefficient and the like. Vitrification becomes difficult when the content of ZnO is less than 1% by mass. When the content of ZnO exceeds 20% by mass, stability during low-melting glass molding is lowered, and devitrification is likely to occur. B 2 O 3 is a component that increases the range in which vitrification is possible by forming a glass skeleton. If the content of B 2 O 3 is less than 2% by mass, vitrification becomes difficult, and if it exceeds 12% by mass, the softening point becomes too high, and even if a load is applied during sealing, sealing is performed at a low temperature. It becomes difficult.

上記した3成分で形成されるガラスはガラス転移点が低く、低温用の封着材料に適したものであるが、Al23、CeO2、SiO2、Ag2O、MoO3、Nb23、Ta25、Ga23、Sb23、Li2O、Na2O、K2O、Cs2O、CaO、SrO、BaO、WO3、P25、SnOx(xは1または2である)等の任意成分を含有していてもよい。ただし、任意成分の含有量が多すぎるとガラスが不安定となって失透が発生したり、またガラス転移点や軟化点が上昇するおそれがあるため、任意成分の合計含有量は30質量%以下とすることが好ましい。この場合のガラス組成は基本成分と任意成分との合計量が基本的には100質量%となるように調整される。 The glass formed of the above three components has a low glass transition point and is suitable for a sealing material for low temperature. Al 2 O 3 , CeO 2 , SiO 2 , Ag 2 O, MoO 3 , Nb 2 O 3 , Ta 2 O 5 , Ga 2 O 3 , Sb 2 O 3 , Li 2 O, Na 2 O, K 2 O, Cs 2 O, CaO, SrO, BaO, WO 3 , P 2 O 5 , SnO x (X is 1 or 2) etc. may be contained. However, if the content of any component is too large, the glass becomes unstable and devitrification may occur, and the glass transition point and softening point may increase. Therefore, the total content of any component is 30% by mass. The following is preferable. The glass composition in this case is adjusted so that the total amount of the basic component and the optional component is basically 100% by mass.

封着用ガラス材料は低膨張充填材を含有している。低膨張充填材としては、シリカ、アルミナ、ジルコニア、珪酸ジルコニウム、コージェライト、リン酸ジルコニウム系化合物、ソーダライムガラス、および硼珪酸ガラスから選ばれる少なくとも1種を用いることが好ましい。リン酸ジルコニウム系化合物としては、(ZrO)227、AZr2(PO43(AはNa、KおよびCaから選ばれる少なくとも1種)、NbZr2(PO43、Zr2(WO3)(PO42、これらの複合化合物が挙げられる。低膨張充填材とは封着用ガラス材料の主成分である封着ガラスより低い熱膨張係数を有するものである。 The glass material for sealing contains a low expansion filler. As the low expansion filler, it is preferable to use at least one selected from silica, alumina, zirconia, zirconium silicate, cordierite, zirconium phosphate compound, soda lime glass, and borosilicate glass. Zirconium phosphate compounds include (ZrO) 2 P 2 O 7 , AZr 2 (PO 4 ) 3 (A is at least one selected from Na, K and Ca), NbZr 2 (PO 4 ) 3 , Zr 2. (WO 3 ) (PO 4 ) 2 , and complex compounds thereof. The low expansion filler has a lower thermal expansion coefficient than the sealing glass which is the main component of the sealing glass material.

低膨張充填材の含有量は、封着ガラスの熱膨張係数がガラス基板2、3の熱膨張係数に近づくように適宜に設定される。低膨張充填材は封着ガラスやガラス基板2、3の熱膨張係数にもよるが、封着用ガラス材料に対して15〜50体積%の範囲で含有させることが好ましい。ガラス基板2、3を無アルカリガラス(熱膨張係数:35〜40×10−7/℃)で形成する場合には、比較的多量(例えば30〜50体積%の範囲)の低膨張充填材を添加することが好ましい。ガラス基板2、3をソーダライムガラス(熱膨張係数:85〜90×10−7/℃)で形成する場合には、比較的少量(例えば15〜40体積%の範囲)の低膨張充填材を添加することが好ましい。 The content of the low expansion filler is appropriately set so that the thermal expansion coefficient of the sealing glass approaches the thermal expansion coefficient of the glass substrates 2 and 3. The low expansion filler is preferably contained in the range of 15 to 50% by volume with respect to the sealing glass material, although it depends on the thermal expansion coefficient of the sealing glass and the glass substrates 2 and 3. When the glass substrates 2 and 3 are formed of alkali-free glass (thermal expansion coefficient: 35 to 40 × 10 −7 / ° C.), a relatively large amount (for example, a range of 30 to 50% by volume) of a low expansion filler is used. It is preferable to add. When the glass substrates 2 and 3 are formed of soda lime glass (thermal expansion coefficient: 85 to 90 × 10 −7 / ° C.), a relatively small amount (for example, a range of 15 to 40% by volume) of a low expansion filler is used. It is preferable to add.

封着用ガラス材料はさらにレーザ吸収材を含有している。レーザ吸収材としてはFe、Cr、Mn、Co、NiおよびCuから選ばれる少なくとも1種の金属または前記金属を含む酸化物等の化合物が用いられる。レーザ吸収材の含有量は封着用ガラス材料に対して0.1〜10体積%の範囲とすることが好ましい。レーザ吸収材の含有量が0.1体積%未満であると、レーザ照射時に封着材料層5を十分に溶融させることができない。レーザ吸収材の含有量が10体積%を超えると、レーザ照射時に第2のガラス基板3との界面近傍で局所的に発熱して第2のガラス基板3に割れ等が生じたり、また封着用ガラス材料の溶融時の流動性が劣化して第1のガラス基板2との接着性が低下するおそれがある。   The glass material for sealing further contains a laser absorber. As the laser absorbing material, a compound such as at least one metal selected from Fe, Cr, Mn, Co, Ni and Cu or an oxide containing the metal is used. The content of the laser absorber is preferably in the range of 0.1 to 10% by volume with respect to the sealing glass material. When the content of the laser absorber is less than 0.1% by volume, the sealing material layer 5 cannot be sufficiently melted at the time of laser irradiation. When the content of the laser absorbing material exceeds 10% by volume, the second glass substrate 3 is cracked or sealed due to local heat generation near the interface with the second glass substrate 3 during laser irradiation, or sealing. There is a possibility that the fluidity at the time of melting of the glass material is deteriorated and the adhesiveness with the first glass substrate 2 is lowered.

第2のガラス基板3は、図7(a)に示すように第2の封止領域3aに形成された溝6を有している。溝6は枠状の封止領域3aの全周に沿って連続して形成されており、深さT1を有している。溝6の形状は角溝に限らず、段付き形状、傾斜形状、湾曲形状等であってもよい。そして、図7(b)に示すように、封着材料層5は溝6内に設けられており、その上部は溝6から突出している。第2のガラス基板3から突出した部分の高さ(封着材料層5のガラス基板3上における膜厚)T3に基づいて、第1のガラス基板2と第2のガラス基板3との間の間隔T2が維持される。   The 2nd glass substrate 3 has the groove | channel 6 formed in the 2nd sealing area | region 3a, as shown to Fig.7 (a). The groove 6 is continuously formed along the entire circumference of the frame-shaped sealing region 3a and has a depth T1. The shape of the groove 6 is not limited to a square groove, but may be a stepped shape, an inclined shape, a curved shape, or the like. As shown in FIG. 7B, the sealing material layer 5 is provided in the groove 6, and the upper portion protrudes from the groove 6. Based on the height T3 of the portion protruding from the second glass substrate 3 (film thickness on the glass substrate 3 of the sealing material layer 5), between the first glass substrate 2 and the second glass substrate 3. The interval T2 is maintained.

このように、溝6内にその一部が充填された封着材料層5を用いることによって、溝6による接着面積の拡大効果やアンカー効果等に基づいて、封着層4とガラス基板2、3との接着強度を向上させることが可能となる。溝6内に形成した封着材料層5による接着強度の向上効果について、封着材料層5の形成工程とレーザ光による封着工程(レーザ封着工程)を踏まえて説明する。封着材料層5は、例えば以下のようにして第2のガラス基板3の封止領域3aに設けられた溝6内に形成される。   In this way, by using the sealing material layer 5 in which the groove 6 is partially filled, the sealing layer 4 and the glass substrate 2, 3 can be improved in adhesive strength. The effect of improving the adhesive strength by the sealing material layer 5 formed in the groove 6 will be described based on the sealing material layer 5 forming step and the sealing step by laser light (laser sealing step). The sealing material layer 5 is formed in the groove 6 provided in the sealing region 3a of the second glass substrate 3 as follows, for example.

まず、第2のガラス基板3の封止領域3aに溝6を形成する。溝6の形成方法は特に限定されるものではないが、例えばサンドブラスト、エッチング、レーザ加工等を適用することができる。溝6の深さT1は、第2のガラス基板3の厚さ、第1のガラス基板2と第2のガラス基板3との間の間隔T2にもよるが、例えば5〜60μmの範囲とすることが好ましい。溝6の深さT1が5μm未満の場合には、溝6による接着面積の拡大効果やアンカー効果等を十分に得ることができないおそれがある。溝6を深さT1が60μmを超えるように形成しても、それ以上に効果を高めることができないだけでなく、相対的にガラス基板3の厚さが減少することで、ガラス基板3の強度を低下させるおそれがある。   First, the groove 6 is formed in the sealing region 3 a of the second glass substrate 3. The method for forming the groove 6 is not particularly limited, and for example, sandblasting, etching, laser processing, or the like can be applied. The depth T1 of the groove 6 depends on the thickness of the second glass substrate 3 and the interval T2 between the first glass substrate 2 and the second glass substrate 3, but is in the range of, for example, 5 to 60 μm. It is preferable. When the depth T1 of the groove 6 is less than 5 μm, there is a possibility that the effect of expanding the adhesion area by the groove 6 or the anchor effect cannot be obtained sufficiently. Even if the groove 6 is formed so that the depth T1 exceeds 60 μm, the effect cannot be further increased, and the thickness of the glass substrate 3 is relatively reduced, so that the strength of the glass substrate 3 is reduced. May be reduced.

さらに、溝6の深さT1は基板間隔(ギャップ)T2に対して、T1/(T1+T2)≧0.2の関係を満足させることが好ましい。(T1+T2)に対するT1の割合が0.2未満であると、溝6を形成したことによる接着強度の向上効果、また狭ギャップ化した際の接着強度の向上効果を十分に得ることができない。ただし、(T1+T2)に対するT1の割合を大きくしすぎても、相対的にガラス基板3の厚さを減少させることになり、ガラス基板3の強度が低下するおそれがあるため、実用的な溝6の形状としては0.2≦T1/(T1+T2)≦0.9の関係を満足させることが好ましい。   Further, the depth T1 of the groove 6 preferably satisfies the relationship of T1 / (T1 + T2) ≧ 0.2 with respect to the substrate interval (gap) T2. When the ratio of T1 to (T1 + T2) is less than 0.2, the effect of improving the adhesive strength due to the formation of the groove 6 and the effect of improving the adhesive strength when the gap is narrowed cannot be sufficiently obtained. However, even if the ratio of T1 to (T1 + T2) is increased too much, the thickness of the glass substrate 3 is relatively reduced, and the strength of the glass substrate 3 may be reduced. It is preferable to satisfy the relationship of 0.2 ≦ T1 / (T1 + T2) ≦ 0.9.

溝6の幅は封着材料層5の線幅Wに応じて設定される。封着材料層5の一部が充填される溝6は、封着材料層5の線幅Wを3mm以下、さらには1mm以下とする場合に有効である。従って、溝6の幅も3mm以下、さらには1mm以下とすることが好ましい。溝6の幅は実用的には0.1mm以上とすることが好ましい。線幅Wが狭小の封着材料層5を適用する場合、すなわち溝6を有しないガラス基板3では封着層4の接着面積が小さくなる場合においても、溝6による封着層4の接着面積の拡大効果やアンカー効果等に基づいて、封着層4とガラス基板2、3との接着強度を向上させることが可能となる。   The width of the groove 6 is set according to the line width W of the sealing material layer 5. The groove 6 filled with a part of the sealing material layer 5 is effective when the line width W of the sealing material layer 5 is 3 mm or less, further 1 mm or less. Therefore, the width of the groove 6 is preferably 3 mm or less, more preferably 1 mm or less. The width of the groove 6 is preferably 0.1 mm or more practically. Even when the sealing material layer 5 having a narrow line width W is applied, that is, when the bonding area of the sealing layer 4 is small in the glass substrate 3 without the groove 6, the bonding area of the sealing layer 4 by the groove 6 The adhesion strength between the sealing layer 4 and the glass substrates 2 and 3 can be improved based on the expansion effect and the anchor effect.

溝6の底面の状態は鏡面および粗面のいずれであってもよいが、レーザ封着時におけるレーザ光の散乱効果を得る上で、適度に粗面化されていることが好ましい。具体的には、溝6の底面の表面粗さは算術平均粗さRaで0.3μm以上であることが好ましい。このような粗面を有する溝6によれば、封着材料層5に照射したレーザ光が散乱され、封着材料層5の線幅方向に対して均質な加熱を行うことができる。これによって、封着材料層5の加熱・冷却工程で生じる残留応力を低減することができ、封着材料層5の溶融固化層である封着層4の耐ヒートショック性を高めることが可能となる。   The state of the bottom surface of the groove 6 may be either a mirror surface or a rough surface, but is preferably appropriately roughened in order to obtain a laser light scattering effect during laser sealing. Specifically, the surface roughness of the bottom surface of the groove 6 is preferably 0.3 μm or more in terms of arithmetic average roughness Ra. According to the groove 6 having such a rough surface, the laser light applied to the sealing material layer 5 is scattered, and uniform heating can be performed in the line width direction of the sealing material layer 5. As a result, the residual stress generated in the heating / cooling step of the sealing material layer 5 can be reduced, and the heat shock resistance of the sealing layer 4 that is the melt-solidified layer of the sealing material layer 5 can be improved. Become.

ただし、溝6の底面の表面粗さが大きすぎると、その部分を起点としてガラス基板3が破壊されやすくなる。このため、溝6の底面の表面粗さは算術平均粗さRaで1μm未満とすることが好ましい。溝6の底面の表面粗さRaが1μmを超える場合、表面の凹凸が破壊の起点となりやすくなる。従って、溝6の底面の表面粗さは算術平均粗さRaで0.3μm以上1μm未満の範囲であることが好ましい。このような粗面化された溝6は上述した各種の形成方法を適用して得ることができるが、特にサンドブラストやレーザ加工を適用して溝6を形成することによって、底面を適度に粗面化することができる。   However, if the surface roughness of the bottom surface of the groove 6 is too large, the glass substrate 3 is easily broken starting from that portion. For this reason, the surface roughness of the bottom surface of the groove 6 is preferably less than 1 μm in terms of arithmetic average roughness Ra. When the surface roughness Ra of the bottom surface of the groove 6 exceeds 1 μm, the surface irregularities are likely to be the starting point of destruction. Therefore, the surface roughness of the bottom surface of the groove 6 is preferably in the range of 0.3 μm or more and less than 1 μm in terms of arithmetic average roughness Ra. Such a roughened groove 6 can be obtained by applying the above-described various forming methods. In particular, by forming the groove 6 by applying sandblasting or laser processing, the bottom surface is appropriately roughened. Can be

次に、封着用ガラス材料をビヒクルと混合して封着材料ペーストを調製する。ビヒクルとしては、例えばメチルセルロース、エチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、オキシエチルセルロース、ベンジルセルロース、プロピルセルロース、ニトロセルロース等を、ターピネオール、ブチルカルビトールアセテート、エチルカルビトールアセテート等の溶剤に溶解したもの、あるいはメチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、ブチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロオキシエチル(メタ)アクリレート等のアクリル系樹脂を、メチルエチルケトン、ターピネオール、ブチルカルビトールアセテート、エチルカルビトールアセテート等の溶剤に溶解したものが用いられる。   Next, the sealing glass paste is prepared by mixing the sealing glass material with the vehicle. As the vehicle, for example, methyl cellulose, ethyl cellulose, carboxymethyl cellulose, oxyethyl cellulose, benzyl cellulose, propyl cellulose, nitrocellulose or the like dissolved in a solvent such as terpineol, butyl carbitol acetate, ethyl carbitol acetate, or methyl (meth) An acrylic resin such as acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate or the like dissolved in a solvent such as methyl ethyl ketone, terpineol, butyl carbitol acetate, or ethyl carbitol acetate. Is used.

封着材料ペーストの粘度は、ガラス基板3に塗布する装置に対応した粘度に合わせればよく、樹脂(バインダ成分)と溶剤の割合や封着用ガラス材料とビヒクルの割合により調整することができる。封着材料ペーストには、消泡剤や分散剤のようにガラスペーストで公知の添加物を加えてもよい。封着材料ペーストの調製には、撹拌翼を備えた回転式の混合機やロールミル、ボールミル等を用いた公知の方法を適用することができる。   The viscosity of the sealing material paste may be adjusted to the viscosity corresponding to the apparatus applied to the glass substrate 3, and can be adjusted by the ratio of the resin (binder component) and the solvent or the ratio of the sealing glass material and the vehicle. A known additive may be added to the sealing material paste as a glass paste such as an antifoaming agent or a dispersing agent. A known method using a rotary mixer equipped with a stirring blade, a roll mill, a ball mill or the like can be applied to the preparation of the sealing material paste.

上述した封着材料ペーストを、第2のガラス基板3の封止領域3aに設けられた溝6内に充填しつつ塗布し、これを乾燥させて封着材料ペーストの塗布層を形成する。封着材料ペーストの塗布層は、その上部が溝6から突出するように形成される。封着材料ペーストは、例えばスクリーン印刷やグラビア印刷等の印刷法を適用して第2の封止領域3aに塗布したり、あるいはディスペンサ等を用いて第2の封止領域3aに沿って塗布する。封着材料ペーストの塗布層は、例えば120℃以上の温度で10分以上乾燥させる。乾燥工程は塗布層内の溶剤を除去するために実施するものである。塗布層内に溶剤が残留していると、その後の焼成工程でバインダ成分を十分に除去できないおそれがある。   The sealing material paste described above is applied while filling the grooves 6 provided in the sealing region 3a of the second glass substrate 3, and is dried to form an application layer of the sealing material paste. The coating layer of the sealing material paste is formed so that the upper part protrudes from the groove 6. The sealing material paste is applied to the second sealing region 3a by applying a printing method such as screen printing or gravure printing, or is applied along the second sealing region 3a using a dispenser or the like. . The coating layer of the sealing material paste is dried, for example, at a temperature of 120 ° C. or more for 10 minutes or more. A drying process is implemented in order to remove the solvent in an application layer. If the solvent remains in the coating layer, the binder component may not be sufficiently removed in the subsequent firing step.

上記した封着材料ペーストの塗布層を焼成して封着材料層5を形成する。焼成工程は、まず塗布層を封着用ガラス材料の主成分である封着ガラス(ガラスフリット)のガラス転移点以下の温度に加熱し、塗布層内のバインダ成分を除去した後、封着ガラス(ガラスフリット)の軟化点以上の温度に加熱し、封着用ガラス材料を溶融してガラス基板3に焼き付ける。このようにして、深さT1の溝6内に一部が充填されていると共に、ガラス基板3上の膜厚が高さT3の封着用ガラス材料の焼成層からなる封着材料層5を形成する。封着材料層5の全体としての膜厚は(T1+T3)となる。   The coating layer of the sealing material paste described above is fired to form the sealing material layer 5. In the firing step, first, the coating layer is heated to a temperature not higher than the glass transition point of sealing glass (glass frit), which is the main component of the sealing glass material, and the binder component in the coating layer is removed. The glass material for sealing is heated to a temperature equal to or higher than the softening point of the glass frit to melt and seal the glass material for sealing. In this way, the sealing material layer 5 is formed which is partially filled in the groove 6 having the depth T1 and is made of the fired layer of the sealing glass material having the thickness T3 on the glass substrate 3. To do. The overall film thickness of the sealing material layer 5 is (T1 + T3).

次に、図2(a)に示すように、封着材料層5を有する第2のガラス基板3と、それとは別に作製した電子素子を備える素子形成領域2aを有する第1のガラス基板2とを用いて、OELD、PDP、LCD等のFPD、OEL素子を用いた照明装置、色素増感型太陽電池のような太陽電池等の電子デバイス1を作製する。すなわち、図2(b)に示すように、第1のガラス基板2と第2のガラス基板3とを、素子形成領域2aを有する面と封着材料層5を有する面とが対向するように積層する。第1のガラス基板2の素子形成領域2a上には、封着材料層5のガラス基板3上での膜厚T3に基づいて間隙が形成される。   Next, as shown to Fig.2 (a), the 2nd glass substrate 3 which has the sealing material layer 5, and the 1st glass substrate 2 which has the element formation area 2a provided with the electronic device produced separately from it, Is used to manufacture an electronic device 1 such as an OELD, PDP, LCD or other FPD, an illumination device using an OEL element, or a solar cell such as a dye-sensitized solar cell. That is, as shown in FIG. 2B, the first glass substrate 2 and the second glass substrate 3 are arranged such that the surface having the element formation region 2a and the surface having the sealing material layer 5 face each other. Laminate. On the element formation region 2a of the first glass substrate 2, a gap is formed based on the film thickness T3 of the sealing material layer 5 on the glass substrate 3.

封着材料層5のガラス基板3上における膜厚T3は、第1のガラス基板2と第2のガラス基板3との間の間隔(ギャップ)T2に応じて設定される。この実施形態は特に基板間隔T2を30μm以下、さらには10μm以下とする場合に有効である。このような狭ギャップのガラスパッケージの作製にレーザ封着を適用した場合においても、封着材料層5の一部を溝6内に充填しているため、封着材料層5全体としての膜厚(T1+T3)を保つことができる。これは後に詳述するように封着層4の接着面積の拡大のみならず、封着層4自体の強度の向上等に貢献するものである。基板間隔T2は電子デバイス1の構造にもよるが、実用的には5μm以上とすることが好ましい。   The film thickness T3 of the sealing material layer 5 on the glass substrate 3 is set according to the interval (gap) T2 between the first glass substrate 2 and the second glass substrate 3. This embodiment is particularly effective when the substrate interval T2 is 30 μm or less, and further 10 μm or less. Even when laser sealing is applied to the production of such a narrow gap glass package, since a part of the sealing material layer 5 is filled in the groove 6, the film thickness of the sealing material layer 5 as a whole. (T1 + T3) can be maintained. As will be described in detail later, this contributes not only to an increase in the bonding area of the sealing layer 4 but also to an improvement in the strength of the sealing layer 4 itself. Although the substrate interval T2 depends on the structure of the electronic device 1, it is preferably 5 μm or more in practice.

次に、図2(c)に示すように、第2のガラス基板3を通して封着材料層5にレーザ光7を照射する。レーザ光7は枠状の封着材料層5に沿って走査しながら照射される。そして、封着材料層5の全周にわたってレーザ光7を照射することによって、図2(d)に示すように第1のガラス基板2と第2のガラス基板3との間を封止する封着層4を形成する。このようにして、第1のガラス基板2と第2のガラス基板3と封着層4とで構成したガラスパネルで、素子形成領域2aに形成された電子素子を気密封止した電子デバイス1を作製する。なお、ガラスパネルは電子デバイス1に限らず、電子部品の封止体、あるいは真空ペアガラスのようなガラス部材(建材等)にも応用することが可能である。   Next, as shown in FIG. 2C, the sealing material layer 5 is irradiated with laser light 7 through the second glass substrate 3. The laser beam 7 is irradiated while scanning along the frame-shaped sealing material layer 5. Then, by irradiating the entire circumference of the sealing material layer 5 with the laser beam 7, as shown in FIG. 2 (d), a seal that seals between the first glass substrate 2 and the second glass substrate 3 is sealed. The wearing layer 4 is formed. In this way, an electronic device 1 in which an electronic element formed in the element formation region 2a is hermetically sealed with a glass panel constituted by the first glass substrate 2, the second glass substrate 3, and the sealing layer 4 is formed. Make it. The glass panel can be applied not only to the electronic device 1 but also to a sealing member of an electronic component or a glass member (building material or the like) such as vacuum pair glass.

レーザ光7は特に限定されるものではなく、半導体レーザ、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、YAGレーザ、HeNeレーザ等からのレーザ光が使用される。レーザ光7の出力は封着材料層5の厚さ等に応じて適宜に設定されるものであるが、例えば2〜150Wの範囲とすることが好ましい。レーザ出力が2W未満であると封着材料層5を溶融できないおそれがあり、また150Wを超えるとガラス基板2、3にクラックや割れ等が生じやすくなる。レーザ光の出力は5〜100Wの範囲であることがより好ましい。   The laser beam 7 is not particularly limited, and a laser beam from a semiconductor laser, a carbon dioxide laser, an excimer laser, a YAG laser, a HeNe laser, or the like is used. The output of the laser beam 7 is appropriately set according to the thickness of the sealing material layer 5 and the like, but is preferably in the range of 2 to 150 W, for example. If the laser output is less than 2 W, the sealing material layer 5 may not be melted, and if it exceeds 150 W, cracks and cracks are likely to occur in the glass substrates 2 and 3. The output of the laser beam is more preferably in the range of 5 to 100W.

第2のガラス基板3を通してレーザ光7を照射した際に、封着材料層5は再溶融されることになる。この際、第1のガラス基板2と封着材料層5との界面に関しては、新たな接着界面となるため、比較的良好な密着性を得ることができる。一方、第2のガラス基板3と封着材料層5との界面は、再溶融後の固着界面となるために密着性が低下しやすい。すなわち、レーザ光7の照射時に封着材料層5が再溶融することによって、第2のガラス基板3との界面に新たに熱応力が発生する。さらに、第2のガラス基板3と封着層4との界面には、封着材料層5の再溶融に伴ってボイドや結晶核が生じやすい。これらは第2のガラス基板3と封着層4との接着強度を低下させる要因となる。   When the laser beam 7 is irradiated through the second glass substrate 3, the sealing material layer 5 is remelted. At this time, since the interface between the first glass substrate 2 and the sealing material layer 5 becomes a new adhesive interface, relatively good adhesion can be obtained. On the other hand, since the interface between the second glass substrate 3 and the sealing material layer 5 becomes a fixed interface after remelting, the adhesion tends to be lowered. That is, when the sealing material layer 5 is remelted when the laser beam 7 is irradiated, a new thermal stress is generated at the interface with the second glass substrate 3. Furthermore, voids and crystal nuclei are likely to occur at the interface between the second glass substrate 3 and the sealing layer 4 as the sealing material layer 5 is remelted. These are factors that reduce the adhesive strength between the second glass substrate 3 and the sealing layer 4.

このような点に対して、この実施形態の封着材料層5はその一部が溝6内に充填されているため、第2のガラス基板3と封着層4との接着強度を向上させることができる。すなわち、封着材料層5と第2のガラス基板3との接着面積は溝6により拡大されているため、その分だけ封着材料層5を溶融した際の熱容量を高めることができる。これは溶融後の冷却速度の緩和効果をもたらし、界面における応力発生が抑制されるため、第2のガラス基板3と封着層4との接着強度を向上させることが可能となる。さらに、界面にボイドや結晶核が生じたとしても、溝6で接着面積が拡大されていると共に、溝6によるアンカー効果が得られるため、第2のガラス基板3と封着層4との接着強度が維持される。   On the other hand, since the sealing material layer 5 of this embodiment is partially filled in the groove 6, the adhesive strength between the second glass substrate 3 and the sealing layer 4 is improved. be able to. That is, since the bonding area between the sealing material layer 5 and the second glass substrate 3 is expanded by the groove 6, the heat capacity when the sealing material layer 5 is melted can be increased accordingly. This brings about an effect of relaxing the cooling rate after melting, and the generation of stress at the interface is suppressed, so that the adhesive strength between the second glass substrate 3 and the sealing layer 4 can be improved. Further, even if voids or crystal nuclei are generated at the interface, the bonding area is enlarged by the groove 6 and the anchor effect by the groove 6 is obtained. Therefore, the adhesion between the second glass substrate 3 and the sealing layer 4 is achieved. Strength is maintained.

第2のガラス基板3と封着層4との接着強度の向上効果は、特に封着層4の線幅Wや基板間隔T2を狭くする場合に有効に機能する。封着層4の線幅Wを狭くするほど、封着層4とガラス基板2、3との接着面積は減少することになる。この接着面積の減少を溝6で補うと共に、上述した溝6による各種効果を得ることによって、線幅Wが狭い封着材料層5にレーザ封着を適用する場合においても、第2のガラス基板3と封着層4との接着強度を十分に高めることが可能となる。従って、この実施形態は封着層4の線幅Wを3mm以下、さらには1mm以下とする場合に有効である。   The effect of improving the adhesive strength between the second glass substrate 3 and the sealing layer 4 functions effectively particularly when the line width W of the sealing layer 4 and the substrate interval T2 are narrowed. As the line width W of the sealing layer 4 is reduced, the adhesion area between the sealing layer 4 and the glass substrates 2 and 3 decreases. Even when applying the laser sealing to the sealing material layer 5 having a narrow line width W by compensating for the decrease in the adhesion area with the groove 6 and obtaining various effects by the groove 6 described above, the second glass substrate. 3 and the sealing layer 4 can be sufficiently increased in adhesive strength. Therefore, this embodiment is effective when the line width W of the sealing layer 4 is 3 mm or less, and further 1 mm or less.

基板間隔T2を狭くした場合、従来のパッケージ構造では低膨張充填材粒子の粒径を基板間隔T2以上にすることはできず、必然的に低膨張充填材を微粒子化する必要が生じる。これは前述したように低膨張充填材粒子の表面積の増大、それに基づくせん断応力の増加による流動性の低下等を招き、封着層4とガラス基板2、3との密着性を低下させる原因となる。この実施形態では基板間隔T2を狭くした場合でも、封着材料層5全体としての膜厚(T1+T3)を保つことができるため、この膜厚(T1+T3)に応じた粒径を有する低膨張充填材を使用することが可能となる。従って、封着用ガラス材料の流動性を維持して封着層4とガラス基板2、3との密着性を向上させることができる。この実施形態は基板間隔T2を30μm以下、さらには10μm以下とする場合に有効である。   When the substrate interval T2 is narrowed, the particle size of the low expansion filler particles cannot be made larger than the substrate interval T2 in the conventional package structure, and it is inevitably necessary to make the low expansion filler fine particles. As described above, this causes an increase in the surface area of the low expansion filler particles, a decrease in fluidity due to an increase in shear stress based on the increase, and a decrease in the adhesion between the sealing layer 4 and the glass substrates 2 and 3. Become. In this embodiment, since the film thickness (T1 + T3) as the whole sealing material layer 5 can be maintained even when the substrate interval T2 is narrowed, the low expansion filler having a particle size corresponding to this film thickness (T1 + T3) Can be used. Accordingly, the fluidity of the glass material for sealing can be maintained and the adhesion between the sealing layer 4 and the glass substrates 2 and 3 can be improved. This embodiment is effective when the substrate interval T2 is 30 μm or less, and further 10 μm or less.

さらに、上述した封着材料層5全体としての膜厚(T1+T3)、それに基づく封着層4全体としての膜厚(T1+T2)に応じた粒径を有する低膨張充填材は、封着層4自体の強度の向上に寄与する。すなわち、溝6内に埋め込まれた封着層4はせん断応力等が印加された際に、ガラス基板3の表面に沿って破壊が生じるおそれがある。このような点に対して、膜厚(T1+T2)内に収まる大粒径の低膨張充填材粒子を使用することで、封着層4の強度を高めることが可能となる。このような低膨張充填材粒子は封着材料層5に対してスペーサ効果を付与するため、封着材料層5の溶融・固化に伴う膜厚減少が抑制される。これによって、膜厚の減少に基づく応力の発生を抑制することが可能となる。   Furthermore, the low expansion filler having a particle size corresponding to the film thickness (T1 + T3) of the sealing material layer 5 as a whole and the film thickness (T1 + T2) of the sealing layer 4 as a whole based on the sealing material layer 5 is the sealing layer 4 itself. Contributes to the improvement of strength. That is, the sealing layer 4 embedded in the groove 6 may be broken along the surface of the glass substrate 3 when a shear stress or the like is applied. In contrast, the strength of the sealing layer 4 can be increased by using low-expansion filler particles having a large particle size that can be accommodated within the film thickness (T1 + T2). Such low-expansion filler particles impart a spacer effect to the sealing material layer 5, so that a decrease in film thickness due to melting and solidification of the sealing material layer 5 is suppressed. As a result, it is possible to suppress the generation of stress due to the decrease in film thickness.

このような点から、低膨張充填材は封着層4全体としての膜厚(T1+T2)を超える粒径を有する粒子(低膨張充填材粒子)を含まないと共に、溝深さT1と基板間隔T2のいずれか大きい寸法(T4)を超える粒径を有する粒子を体積割合で0.05%以上の範囲で含んでいることが好ましい。このような粒子構成を有する低膨張充填材は、例えば低膨張充填材粉末を篩や風力分離等により分級したり、また粒度分布が異なる2種類以上の低膨張充填材粉末を混合することにより得ることができる。   From this point, the low expansion filler does not contain particles (low expansion filler particles) having a particle size exceeding the film thickness (T1 + T2) of the sealing layer 4 as a whole, and the groove depth T1 and the substrate interval T2 It is preferable that the particle | grains which have a particle size which exceeds any one of these larger dimensions (T4) are contained in 0.05% or more of volume range. The low expansion filler having such a particle structure is obtained, for example, by classifying the low expansion filler powder by sieving or wind separation, or by mixing two or more types of low expansion filler powders having different particle size distributions. be able to.

封着層4の膜厚(T1+T2)に対して、粒径がT4を超える粒子を0.05体積%以上含む低膨張充填材を使用することによって、特に封着層4のガラス基板3の表面に沿った破壊を再現性よく抑制することができる。従って、封着層4を有する電子デバイス1の機械的強度や信頼性を向上させることが可能となる。粒径がT4を超える粒子の体積割合が0.05%未満であると、そのような効果を十分に得ることができない。低膨張充填材における粒径がT4を超える粒子の体積割合は0.1%以上であることがより好ましい。   By using a low expansion filler containing 0.05% by volume or more of particles having a particle size exceeding T4 with respect to the film thickness (T1 + T2) of the sealing layer 4, the surface of the glass substrate 3 of the sealing layer 4 in particular. Can be prevented with good reproducibility. Therefore, the mechanical strength and reliability of the electronic device 1 having the sealing layer 4 can be improved. If the volume ratio of the particles having a particle size exceeding T4 is less than 0.05%, such an effect cannot be sufficiently obtained. It is more preferable that the volume ratio of the particles having a particle size exceeding T4 in the low expansion filler is 0.1% or more.

ただし、粒径がT4を超える粒子の体積割合が多くなりすぎると、それ以下の粒径を有する低膨張充填材粒子の含有量が相対的に減少し、封着材料層5における低膨張充填材粒子の分布が不均一になるおそれがある。この場合、封着材料層5の熱膨張係数が部分的に増大して封着層4自体にクラック等が生じやすくなる。このため、粒径がT4を超える粒子の体積割合は20%以下とすることが好ましく、さらに低膨張充填材の実用性等を考慮すると5%以下とすることが望ましい。   However, if the volume ratio of the particles having a particle size exceeding T4 is excessively increased, the content of the low expansion filler particles having a particle size smaller than that is relatively reduced, and the low expansion filler in the sealing material layer 5 is reduced. There is a possibility that the distribution of particles becomes non-uniform. In this case, the thermal expansion coefficient of the sealing material layer 5 is partially increased, and cracks or the like are likely to occur in the sealing layer 4 itself. For this reason, the volume ratio of the particles having a particle size exceeding T4 is preferably 20% or less, and more preferably 5% or less considering the practicality of the low expansion filler.

この実施形態の電子デバイス1とその製造工程によれば、封着層4とガラス基板2、3との接着強度、特に第2のガラス基板3との接着強度を十分に高めることができる。接着強度の向上効果は、特に封着層4の線幅Wや基板間隔T2を狭くする場合に有効に機能し、封着層4の線幅Wを狭くして素子形成領域2aの面積の拡大を図った電子デバイス1、また基板間隔T2を狭くして光の内部散乱を抑制した電子デバイス1においても、封着層4とガラス基板2、3との接着強度を高めることができる。従って、封着層4の線幅Wや基板間隔T2を狭くする場合を含めて、電子デバイス1の機械的信頼性、気密封止性やその信頼性等を向上させることが可能となる。   According to the electronic device 1 of this embodiment and its manufacturing process, the adhesive strength between the sealing layer 4 and the glass substrates 2 and 3, particularly the adhesive strength between the second glass substrate 3 can be sufficiently increased. The effect of improving the adhesive strength functions effectively particularly when the line width W of the sealing layer 4 and the substrate interval T2 are narrowed, and the line width W of the sealing layer 4 is narrowed to increase the area of the element formation region 2a. Also in the electronic device 1 that achieves the above and the electronic device 1 in which the substrate interval T2 is narrowed to suppress the internal scattering of light, the adhesive strength between the sealing layer 4 and the glass substrates 2 and 3 can be increased. Therefore, including the case where the line width W of the sealing layer 4 and the substrate interval T2 are narrowed, it is possible to improve the mechanical reliability, the hermetic sealing performance, and the reliability of the electronic device 1.

次に、本発明の具体的な実施例およびその評価結果について述べる。なお、以下の説明は本発明を限定するものではく、本発明の趣旨に沿った形での改変が可能である。   Next, specific examples of the present invention and evaluation results thereof will be described. In addition, the following description does not limit this invention, The modification | change in the form along the meaning of this invention is possible.

(実施例1)
まず、SnO63.0モル%、SnO22.0モル%、P2529.5モル%、ZnO5.0モル%、Al230.3モル%、SiO20.2モル%の組成を有し、平均粒径が3μmの錫−リン酸系ガラスフリット(軟化点:399℃、比重:3.9)、低膨張充填材として平均粒径(D50)が9μm、最大粒径(Dmax)が44μmのリン酸ジルコニウム((ZrO)227)粉末、Fe23−Cr23−Co23−MnO組成を有し、最大粒径が9μmのレーザ吸収材を用意した。
Example 1
First, SnO63.0 mol%, SnO 2 2.0 mol%, P 2 O 5 29.5 mol%, ZnO5.0 mol%, Al 2 O 3 0.3 mol%, of SiO 2 0.2 mol% Tin-phosphate glass frit having a composition and an average particle size of 3 μm (softening point: 399 ° C., specific gravity: 3.9), an average particle size (D50) of 9 μm as a low expansion filler, maximum particle size ( Dmax) 44 μm zirconium phosphate ((ZrO) 2 P 2 O 7 ) powder, Fe 2 O 3 —Cr 2 O 3 —Co 2 O 3 —MnO composition, laser absorber with maximum particle size of 9 μm Prepared.

上述した錫−リン酸系ガラスフリット51体積%とリン酸ジルコニウム粉末45.2体積%とレーザ吸収材3.8体積%とを混合して封着用ガラス材料(熱膨張係数:45×10−7/℃)を作製した。この封着用ガラス材料80質量%をビヒクル20質量%と混合して封着材料ペーストを調製した。ビヒクルはバインダ成分としてのニトロセルロース4質量%をブチルカルビトールアセテートからなる溶剤96質量%に溶解したものである。 Glass material (thermal expansion coefficient: 45 × 10 −7) which is prepared by mixing 51 volume% of the tin-phosphate glass frit described above, 45.2 volume% of zirconium phosphate powder, and 3.8 volume% of the laser absorber. / ° C.). A sealing material paste was prepared by mixing 80% by mass of this glass material for sealing with 20% by mass of vehicle. The vehicle is obtained by dissolving 4% by mass of nitrocellulose as a binder component in 96% by mass of a solvent composed of butyl carbitol acetate.

次に、無アルカリガラス(熱膨張係数:38×10−7/℃)からなる第2のガラス基板(寸法:90×90×0.7mmt)を用意し、このガラス基板の封止領域(外周領域)に、サンドブラストを適用して深さT1が25μm、幅が0.5mmの溝を形成した。溝は封止領域の全周にわたって連続するように形成した。溝底面の表面粗さを測定したところ、算術平均粗さRaで0.6μmの表面粗さを有していた。 Next, a second glass substrate (dimension: 90 × 90 × 0.7 mmt) made of alkali-free glass (thermal expansion coefficient: 38 × 10 −7 / ° C.) is prepared, and a sealing region (outer periphery) of this glass substrate is prepared. In the region), sandblasting was applied to form a groove having a depth T1 of 25 μm and a width of 0.5 mm. The groove was formed to be continuous over the entire circumference of the sealing region. When the surface roughness of the groove bottom surface was measured, it had an arithmetic average roughness Ra of 0.6 μm.

次いで、第2のガラス基板の溝内に封着材料ペーストをスクリーン印刷法で塗布した後、130℃×5分の条件で乾燥させた。封着材料ペーストはその一部が溝から突出するように塗布した。この塗布層を430℃×10分の条件で焼成することによって、溝から突出した部分の高さT3が21μm、溝内に充填された部分を含む膜厚(T1+T3)が46μmの封着材料層を形成した。封着層によるガラス基板間の間隔T2の設定値は20μmである。従って、溝深さT1と基板間隔T2のうちの大きい方の値(T4)は、溝の深さT1である25μmとなる。   Next, the sealing material paste was applied by screen printing in the grooves of the second glass substrate, and then dried under conditions of 130 ° C. × 5 minutes. The sealing material paste was applied so that a part thereof protruded from the groove. By baking this coating layer under the condition of 430 ° C. × 10 minutes, a sealing material layer in which the height T3 of the portion protruding from the groove is 21 μm and the film thickness including the portion filled in the groove (T1 + T3) is 46 μm Formed. The set value of the interval T2 between the glass substrates by the sealing layer is 20 μm. Therefore, the larger value (T4) of the groove depth T1 and the substrate interval T2 is 25 μm, which is the groove depth T1.

低膨張充填材としてのリン酸ジルコニウム粉末は、溝深さT1と基板間隔T2との合計(45μm)を超える粒子を含んでおらず、さらに溝深さT1と基板間隔T2のうちの大きい方の値T4(溝の深さT1:25μm)を超える粒子を体積割合で3.4%含んでいる。従って、このような低膨張充填材を錫−リン酸系ガラスフリットおよびレーザ吸収材と混合して作製した封着用ガラス材料は、T4(25μm)を超える粒子を体積割合で1.5%含んでいる。リン酸ジルコニウム粉末はボールミルで粉砕した後、気流分級機で粒径が44μmを超える粒子を除去することにより粒子構成を調整したものである。   The zirconium phosphate powder as the low expansion filler does not contain particles exceeding the total (45 μm) of the groove depth T1 and the substrate interval T2, and the larger one of the groove depth T1 and the substrate interval T2 is larger. It contains 3.4% by volume of particles exceeding the value T4 (groove depth T1: 25 μm). Therefore, a sealing glass material prepared by mixing such a low expansion filler with a tin-phosphate glass frit and a laser absorber contains 1.5% by volume of particles exceeding T4 (25 μm). Yes. The zirconium phosphate powder is pulverized with a ball mill, and the particle structure is adjusted by removing particles with a particle size exceeding 44 μm with an airflow classifier.

上述した封着材料層を有する第2のガラス基板と素子形成領域(OEL素子を形成した領域)を有する第1のガラス基板(第2のガラス基板と同組成、同形状の無アルカリガラスからなる基板)とを積層した。次いで、第2のガラス基板を通して封着材料層に対して、波長940nm、出力35Wのレーザ光(半導体レーザ)を10mm/sの走査速度で照射し、封着材料層を溶融並びに急冷固化することによって、第1のガラス基板と第2のガラス基板とを封着した。このようにして、素子形成領域をガラスパネルで封止した電子デバイスを後述する特性評価に供した。   The second glass substrate having the sealing material layer described above and a first glass substrate having an element formation region (region in which an OEL element is formed) (consisting of an alkali-free glass having the same composition and shape as the second glass substrate). Substrate). Next, the sealing material layer is irradiated with a laser beam (semiconductor laser) having a wavelength of 940 nm and an output of 35 W through the second glass substrate at a scanning speed of 10 mm / s to melt and rapidly solidify the sealing material layer. Thus, the first glass substrate and the second glass substrate were sealed. Thus, the electronic device in which the element formation region was sealed with the glass panel was subjected to the characteristic evaluation described later.

(実施例2)
サンドブラストで深さT1が35μmの溝(Ra=0.6μm)を形成した第2のガラス基板を使用し、膜厚(T1+T3)が46μmの封着材料層を、実施例1と同様にして形成した。この例での基板間隔T2の設定値は10μmである。リン酸ジルコニウム粉末はT1+T2(45μm)を超える粒子を含んでおらず、さらにT4(35μm)を超える粒子を体積割合で0.5%含んでいる。このような低膨張充填材を用いて作製した封着用ガラス材料は、T4(35μm)を超える粒子を体積割合で0.2%含んでいる。
(Example 2)
Using a second glass substrate on which a groove (Ra = 0.6 μm) having a depth T1 of 35 μm was formed by sandblasting, a sealing material layer having a thickness (T1 + T3) of 46 μm was formed in the same manner as in Example 1. did. The set value of the substrate interval T2 in this example is 10 μm. The zirconium phosphate powder does not contain particles exceeding T1 + T2 (45 μm), and further contains 0.5% by volume of particles exceeding T4 (35 μm). The glass material for sealing produced using such a low expansion filler contains 0.2% by volume of particles exceeding T4 (35 μm).

次に、封着材料層を有する第2のガラス基板と素子形成領域(OEL素子を形成した領域)を有する第1のガラス基板とを積層した。第1および第2のガラス基板は実施例1と同様に無アルカリガラスからなるものである。次いで、第2のガラス基板を通して封着材料層に、波長940nm、出力35Wのレーザ光(半導体レーザ)を10mm/sの走査速度で照射し、封着材料層を溶融並びに急冷固化することによって、第1のガラス基板と第2のガラス基板とを封着した。このようにして、素子形成領域をガラスパネルで封止した電子デバイスを後述する特性評価に供した。   Next, the 2nd glass substrate which has a sealing material layer, and the 1st glass substrate which has an element formation area (area | region which formed the OEL element) were laminated | stacked. The first and second glass substrates are made of non-alkali glass as in the first embodiment. Next, the sealing material layer is irradiated with a laser beam (semiconductor laser) having a wavelength of 940 nm and an output of 35 W through the second glass substrate at a scanning speed of 10 mm / s to melt and rapidly solidify the sealing material layer. The first glass substrate and the second glass substrate were sealed. Thus, the electronic device in which the element formation region was sealed with the glass panel was subjected to the characteristic evaluation described later.

(実施例3)
平均粒径(D50)が3μm、最大粒径(Dmax)が19μmのリン酸ジルコニウム粉末を用いると共に、エッチングで深さT1が15μmの溝を形成した第2のガラス基板を使用し、膜厚(T1+T3)を21μmとした封着材料層を、実施例1と同様にして形成した。溝底面の表面粗さRaは0.2μmであった。この例での基板間隔T2の設定値は5μmである。リン酸ジルコニウム粉末はT1+T2(20μm)を超える粒子を含んでおらず、さらにT4(15μm)を超える粒子を体積割合で0.8%含んでいる。このような低膨張充填材を用いて作製した封着用ガラス材料は、T4(15μm)を超える粒子を体積割合で0.4%含んでいる。
Example 3
A zirconium phosphate powder having an average particle diameter (D50) of 3 μm and a maximum particle diameter (Dmax) of 19 μm is used, and a second glass substrate in which grooves having a depth T1 of 15 μm are formed by etching is used. A sealing material layer having T1 + T3) of 21 μm was formed in the same manner as in Example 1. The surface roughness Ra of the groove bottom surface was 0.2 μm. The set value of the substrate interval T2 in this example is 5 μm. The zirconium phosphate powder does not contain particles exceeding T1 + T2 (20 μm), and further contains 0.8% by volume of particles exceeding T4 (15 μm). The glass material for sealing produced using such a low expansion filler contains 0.4% by volume of particles exceeding T4 (15 μm).

次に、封着材料層を有する第2のガラス基板と素子形成領域(OEL素子を形成した領域)を有する第1のガラス基板とを積層した。第1および第2のガラス基板は実施例1と同様に無アルカリガラスからなるものである。次いで、第2のガラス基板を通して封着材料層に、波長940nm、出力40Wのレーザ光(半導体レーザ)を10mm/sの走査速度で照射し、封着材料層を溶融並びに急冷固化することによって、第1のガラス基板と第2のガラス基板とを封着した。このようにして、素子形成領域をガラスパネルで封止した電子デバイスを後述する特性評価に供した。   Next, the 2nd glass substrate which has a sealing material layer, and the 1st glass substrate which has an element formation area (area | region which formed the OEL element) were laminated | stacked. The first and second glass substrates are made of non-alkali glass as in the first embodiment. Next, the sealing material layer is irradiated with a laser beam (semiconductor laser) having a wavelength of 940 nm and an output of 40 W through the second glass substrate at a scanning speed of 10 mm / s to melt and rapidly cool and solidify the sealing material layer. The first glass substrate and the second glass substrate were sealed. Thus, the electronic device in which the element formation region was sealed with the glass panel was subjected to the characteristic evaluation described later.

(実施例4)
平均粒径(D50)が3μm、最大粒径(Dmax)が19μmのリン酸ジルコニウム粉末を用いると共に、サンドブラストで深さT1が20μmの溝(Ra=0.6μm)を形成した第2のガラス基板を使用し、膜厚(T1+T3)を25μmとした封着材料層を、実施例1と同様にして形成した。この例での基板間隔T2の設定値は5μmである。リン酸ジルコニウム粉末はT1+T2(25μm)を超える粒子を含んでおらず、さらにT4(25μm)を超える粒子も含んでいない。
Example 4
A second glass substrate in which a zirconium phosphate powder having an average particle diameter (D50) of 3 μm and a maximum particle diameter (Dmax) of 19 μm is used, and a groove (Ra = 0.6 μm) having a depth T1 of 20 μm is formed by sandblasting. A sealing material layer having a film thickness (T1 + T3) of 25 μm was formed in the same manner as in Example 1. The set value of the substrate interval T2 in this example is 5 μm. The zirconium phosphate powder does not contain particles exceeding T1 + T2 (25 μm), and further does not contain particles exceeding T4 (25 μm).

次に、封着材料層を有する第2のガラス基板と素子形成領域(OEL素子を形成した領域)を有する第1のガラス基板とを積層した。第1および第2のガラス基板は実施例1と同様に無アルカリガラスからなるものである。次いで、第2のガラス基板を通して封着材料層に、波長940nm、出力35Wのレーザ光(半導体レーザ)を10mm/sの走査速度で照射し、封着材料層を溶融並びに急冷固化することによって、第1のガラス基板と第2のガラス基板とを封着した。このようにして、素子形成領域をガラスパネルで封止した電子デバイスを後述する特性評価に供した。   Next, the 2nd glass substrate which has a sealing material layer, and the 1st glass substrate which has an element formation area (area | region which formed the OEL element) were laminated | stacked. The first and second glass substrates are made of non-alkali glass as in the first embodiment. Next, the sealing material layer is irradiated with a laser beam (semiconductor laser) having a wavelength of 940 nm and an output of 35 W through the second glass substrate at a scanning speed of 10 mm / s to melt and rapidly solidify the sealing material layer. The first glass substrate and the second glass substrate were sealed. Thus, the electronic device in which the element formation region was sealed with the glass panel was subjected to the characteristic evaluation described later.

(実施例5)
実施例1と同組成の錫−リン酸系ガラスフリット52.5体積%と平均粒径(D50)が4μm、最大粒径(Dmax)が31μmのシリカ(SiO2)粉末44.6体積%とレーザ吸収材2.9体積%とを混合して封着用ガラス材料(熱膨張係数:49×10−7/℃)を作製した。この封着用ガラス材料80質量%を実施例1と同様なビヒクル20質量%と混合して封着材料ペーストを調製した。次いで、実施例1と同様な無アルカリガラスからなる第2のガラス基板の封止領域(外周領域)に、エッチング加工を適用して深さT1が25μm、幅が0.5mmの溝(Ra=0.3μm)を形成した。
(Example 5)
52.5% by volume of tin-phosphate glass frit having the same composition as in Example 1, 44.6% by volume of silica (SiO 2 ) powder having an average particle size (D50) of 4 μm and a maximum particle size (Dmax) of 31 μm, A glass material for sealing (thermal expansion coefficient: 49 × 10 −7 / ° C.) was prepared by mixing 2.9% by volume of the laser absorber. A sealing material paste was prepared by mixing 80% by mass of this glass material for sealing with 20% by mass of the same vehicle as in Example 1. Next, an etching process is applied to the sealing region (outer peripheral region) of the second glass substrate made of non-alkali glass similar to that in Example 1, and a groove (Ra = 25 μm) having a depth T1 of 25 μm and a width of 0.5 mm. 0.3 μm) was formed.

次いで、上記した封着材料ペーストとガラス基板とを用いて、膜厚(T1+T3)を36μmとした封着材料層を、実施例1と同様にして形成した。この例での基板間隔T2の設定値は10μmである。シリカ粉末はT1+T2(35μm)を超える粒子を含んでおらず、さらにT4(25μm)を超える粒子を体積割合で0.2%含んでいる。このような低膨張充填材を用いて作製した封着用ガラス材料は、T4(25μm)を超える粒子を体積割合で0.09%含んでいる。   Next, a sealing material layer having a film thickness (T1 + T3) of 36 μm was formed in the same manner as in Example 1 using the above-described sealing material paste and glass substrate. The set value of the substrate interval T2 in this example is 10 μm. The silica powder does not contain particles exceeding T1 + T2 (35 μm), and further contains 0.2% by volume of particles exceeding T4 (25 μm). The glass material for sealing produced using such a low expansion filler contains 0.09% by volume of particles exceeding T4 (25 μm).

次に、封着材料層を有する第2のガラス基板と素子形成領域(OEL素子を形成した領域)を有する第1のガラス基板とを積層した。第1および第2のガラス基板は実施例1と同様に無アルカリガラスからなるものである。次いで、第2のガラス基板を通して封着材料層に、波長940nm、出力35Wのレーザ光(半導体レーザ)を10mm/sの走査速度で照射し、封着材料層を溶融並びに急冷固化することによって、第1のガラス基板と第2のガラス基板とを封着した。このようにして、素子形成領域をガラスパネルで封止した電子デバイスを後述する特性評価に供した。   Next, the 2nd glass substrate which has a sealing material layer, and the 1st glass substrate which has an element formation area (area | region which formed the OEL element) were laminated | stacked. The first and second glass substrates are made of non-alkali glass as in the first embodiment. Next, the sealing material layer is irradiated with a laser beam (semiconductor laser) having a wavelength of 940 nm and an output of 35 W through the second glass substrate at a scanning speed of 10 mm / s to melt and rapidly solidify the sealing material layer. The first glass substrate and the second glass substrate were sealed. Thus, the electronic device in which the element formation region was sealed with the glass panel was subjected to the characteristic evaluation described later.

(実施例6)
質量割合でBi2382.0%、B236.5%、ZnO11.0%、Al230.5%の組成を有し、平均粒径が2μmのビスマス系ガラスフリット(軟化点:420℃、比重:7.3)、低膨張充填材として平均粒径(D50)が6μm、最大粒径(Dmax)が24μmのコージェライト粉末、および実施例1と同一のレーザ吸収材を用意した。
(Example 6)
Bismuth glass frit having a composition of Bi 2 O 3 82.0%, B 2 O 3 6.5%, ZnO 11.0%, Al 2 O 3 0.5% by mass ratio and an average particle diameter of 2 μm (Softening point: 420 ° C., specific gravity: 7.3), cordierite powder having an average particle size (D50) of 6 μm and a maximum particle size (Dmax) of 24 μm as a low expansion filler, and the same laser absorption as in Example 1. Materials were prepared.

上述したビスマス系ガラスフリット80.4体積%とコージェライト粉末17.6体積%とレーザ吸収材2.0体積%とを混合して封着用ガラス材料(熱膨張係数:82×10−7/℃)を作製した。この封着用ガラス材料80質量%をビヒクル20質量%と混合して封着材料ペーストを調製した。ビヒクルはバインダ成分としてのエチルセルロース5質量%をターピネオール(31.6%)とプロピレングリコールジアセテート(68.4%)との混合溶剤95質量%に溶解して作製したものである。 Glass material (thermal expansion coefficient: 82 × 10 −7 / ° C.) for sealing by mixing 80.4% by volume of the bismuth-based glass frit, 17.6% by volume of cordierite powder, and 2.0% by volume of the laser absorber. ) Was produced. A sealing material paste was prepared by mixing 80% by mass of this glass material for sealing with 20% by mass of vehicle. The vehicle was prepared by dissolving 5% by mass of ethyl cellulose as a binder component in 95% by mass of a mixed solvent of terpineol (31.6%) and propylene glycol diacetate (68.4%).

次に、ソーダライムガラス(熱膨張係数:87×10−7/℃)からなる第2のガラス基板(寸法:100×100×1.1mmt)を用意し、このガラス基板の封止領域(外周領域)に、レーザ加工を適用して深さT1が5μm、幅が1mmの溝を形成した。溝は封止領域の全周にわたって連続するように形成した。溝底面の表面粗さを測定したところ、算術平均粗さRaで1.0μmの表面粗さを有していた。 Next, a second glass substrate (dimensions: 100 × 100 × 1.1 mmt) made of soda lime glass (thermal expansion coefficient: 87 × 10 −7 / ° C.) is prepared, and a sealing region (outer periphery) of this glass substrate is prepared. In the region), laser processing was applied to form a groove having a depth T1 of 5 μm and a width of 1 mm. The groove was formed to be continuous over the entire circumference of the sealing region. When the surface roughness of the groove bottom surface was measured, it had an arithmetic average roughness Ra of 1.0 μm.

次いで、第2のガラス基板の溝内に封着材料ペーストをスクリーン印刷法で塗布した後、130℃×5分の条件で乾燥させた。封着材料ペーストはその一部が溝から突出するように塗布した。この塗布層を450℃×10分の条件で焼成することによって、溝から突出した部分の高さT3が21μm、溝内に充填された部分を含む膜厚(T1+T3)が26μmの封着材料層を形成した。封着層によるガラス基板間の間隔T2の設定値は20μmである。従って、溝深さT1と基板間隔T2のうちの大きい方の値(T4)は、基板間隔T2である20μmとなる。   Next, the sealing material paste was applied by screen printing in the grooves of the second glass substrate, and then dried under conditions of 130 ° C. × 5 minutes. The sealing material paste was applied so that a part thereof protruded from the groove. By baking this coating layer under the conditions of 450 ° C. × 10 minutes, a sealing material layer in which the height T3 of the portion protruding from the groove is 21 μm and the film thickness including the portion filled in the groove (T1 + T3) is 26 μm Formed. The set value of the interval T2 between the glass substrates by the sealing layer is 20 μm. Therefore, the larger value (T4) of the groove depth T1 and the substrate interval T2 is 20 μm, which is the substrate interval T2.

コージェライト粉末は、溝深さT1と基板間隔T2との合計(25μm)を超える粒子を含んでおらず、さらに溝深さT1と基板間隔T2のうちの大きい方の値T4(基板間隔T2:20μm)を超える粒子を体積割合で3.2%含んでいる。このような低膨張充填材を用いて作製した封着用ガラス材料は、T4(20μm)を超える粒子を体積割合で0.6%含んでいる。コージェライト粉末はボールミルで粉砕した後、気流分級機で粒径が24μmを超える粒子を除去することにより粒子構成を調整したものである。   The cordierite powder does not contain particles exceeding the sum (25 μm) of the groove depth T1 and the substrate interval T2, and the larger value T4 (substrate interval T2: substrate interval T2: the groove depth T1 and the substrate interval T2). Particles containing more than 20 μm) are included in a volume ratio of 3.2%. The glass material for sealing produced using such a low expansion filler contains 0.6% by volume of particles exceeding T4 (20 μm). The cordierite powder is prepared by pulverizing with a ball mill and adjusting the particle structure by removing particles with a particle size exceeding 24 μm with an airflow classifier.

上述した封着材料層を有する第2のガラス基板と素子形成領域(OEL素子を形成した領域)を有する第1のガラス基板(第2のガラス基板と同組成、同形状のソーダライムガラスからなる基板)とを積層した。次いで、第2のガラス基板を通して封着材料層に対して、波長940nm、出力60Wのレーザ光(半導体レーザ)を5mm/sの走査速度で照射し、封着材料層を溶融並びに急冷固化することによって、第1のガラス基板と第2のガラス基板とを封着した。このようにして、素子形成領域をガラスパネルで封止した電子デバイスを後述する特性評価に供した。   The second glass substrate having the sealing material layer and the first glass substrate having the element formation region (region where the OEL element is formed) (soda lime glass having the same composition and shape as the second glass substrate). Substrate). Next, the sealing material layer is irradiated with laser light (semiconductor laser) having a wavelength of 940 nm and an output of 60 W through the second glass substrate at a scanning speed of 5 mm / s to melt and rapidly solidify the sealing material layer. Thus, the first glass substrate and the second glass substrate were sealed. Thus, the electronic device in which the element formation region was sealed with the glass panel was subjected to the characteristic evaluation described later.

(実施例7)
実施例6と同組成のビスマス系ガラスフリット73.5体積%と平均粒径(D50)が5μm、最大粒径(Dmax)が19μmのコージェライト粉末24.7体積%とレーザ吸収材1.8体積%とを混合して封着用ガラス材料(熱膨張係数:73×10−7/℃)を作製した。この封着用ガラス材料80質量%を実施例6と同様なビヒクル20質量%と混合して封着材料ペーストを調製した。次いで、実施例6と同様なソーダライムガラスからなる第2のガラス基板の封止領域(外周領域)に、エッチング加工を適用して深さT1が15μm、幅が1mmの溝(Ra=0.6μm)を形成した。
(Example 7)
73.5% by volume of a bismuth glass frit having the same composition as in Example 6, 24.7% by volume of cordierite powder having an average particle size (D50) of 5 μm and a maximum particle size (Dmax) of 19 μm, and a laser absorber 1.8 A glass material (thermal expansion coefficient: 73 × 10 −7 / ° C.) for sealing was prepared by mixing with volume%. A sealing material paste was prepared by mixing 80% by mass of this sealing glass material with 20% by mass of the same vehicle as in Example 6. Next, an etching process is applied to the sealing region (outer peripheral region) of the second glass substrate made of the same soda lime glass as in Example 6 to obtain a groove having a depth T1 of 15 μm and a width of 1 mm (Ra = 0. 6 μm) was formed.

次いで、上記した封着材料ペーストとガラス基板とを用いて、膜厚(T1+T3)を20μmとした封着材料層を、実施例6と同様にして形成した。この例での基板間隔T2の設定値は5μmである。コージェライト粉末はT1+T2(20μm)を超える粒子を含んでおらず、さらにT4(15μm)を超える粒子を体積割合で0.5%含んでいる。このような低膨張充填材を用いて作製した封着用ガラス材料は、T4(15μm)を超える粒子を体積割合で0.12%含んでいる。   Next, a sealing material layer having a thickness (T1 + T3) of 20 μm was formed in the same manner as in Example 6 using the above-described sealing material paste and glass substrate. The set value of the substrate interval T2 in this example is 5 μm. The cordierite powder does not contain particles exceeding T1 + T2 (20 μm), and further contains 0.5% by volume of particles exceeding T4 (15 μm). The glass material for sealing produced using such a low expansion filler contains 0.12% by volume of particles exceeding T4 (15 μm).

次に、封着材料層を有する第2のガラス基板と素子形成領域(OEL素子を形成した領域)を有する第1のガラス基板とを積層した。第1および第2のガラス基板は実施例6と同様にソーダライムガラスからなるものである。次いで、第2のガラス基板を通して封着材料層に、波長940nm、出力65Wのレーザ光(半導体レーザ)を5mm/sの走査速度で照射し、封着材料層を溶融並びに急冷固化することによって、第1のガラス基板と第2のガラス基板とを封着した。このようにして、素子形成領域をガラスパネルで封止した電子デバイスを後述する特性評価に供した。   Next, the 2nd glass substrate which has a sealing material layer, and the 1st glass substrate which has an element formation area (area | region which formed the OEL element) were laminated | stacked. The first and second glass substrates are made of soda lime glass as in the sixth embodiment. Next, the sealing material layer is irradiated with a laser beam (semiconductor laser) having a wavelength of 940 nm and an output of 65 W through the second glass substrate at a scanning speed of 5 mm / s to melt and quench and solidify the sealing material layer. The first glass substrate and the second glass substrate were sealed. Thus, the electronic device in which the element formation region was sealed with the glass panel was subjected to the characteristic evaluation described later.

(実施例8)
実施例6と同組成のビスマス系ガラスフリット67.2体積%と平均粒径(D50)が11μm、最大粒径(Dmax)が52μmのコージェライト粉末31.1体積%とレーザ吸収材1.6体積%とを混合して封着用ガラス材料(熱膨張係数:63×10−7/℃)を作製した。この封着用ガラス材料80質量%を実施例6と同様なビヒクル20質量%と混合して封着材料ペーストを調製した。次いで、実施例6と同様なソーダライムガラスからなる第2のガラス基板(板厚=3mm)の封止領域(外周領域)に、サンドブラストを適用して深さT1が45μm、幅が1mmの溝(Ra=0.8μm)を形成した。
(Example 8)
Bismuth glass frit having the same composition as in Example 6 67.2% by volume, 31.1% by volume of cordierite powder having an average particle size (D50) of 11 μm and a maximum particle size (Dmax) of 52 μm, and a laser absorber 1.6 A glass material (thermal expansion coefficient: 63 × 10 −7 / ° C.) for sealing was prepared by mixing with volume%. A sealing material paste was prepared by mixing 80% by mass of this sealing glass material with 20% by mass of the same vehicle as in Example 6. Next, a groove having a depth T1 of 45 μm and a width of 1 mm is applied to the sealing region (outer peripheral region) of a second glass substrate (plate thickness = 3 mm) made of soda-lime glass similar to that in Example 6 by applying sandblasting. (Ra = 0.8 μm) was formed.

次いで、上記した封着材料ペーストとガラス基板とを用いて、膜厚(T1+T3)を62μmとした封着材料層を、実施例6と同様にして形成した。この例での基板間隔T2の設定値は15μmである。コージェライト粉末はT1+T2(60μm)を超える粒子を含んでおらず、さらにT4(45μm)を超える粒子を体積割合で1.3%含んでいる。このような低膨張充填材を用いて作製した封着用ガラス材料は、T4(45μm)を超える粒子を体積割合で0.4%含んでいる。   Next, a sealing material layer having a film thickness (T1 + T3) of 62 μm was formed in the same manner as in Example 6 using the above-described sealing material paste and glass substrate. The set value of the substrate interval T2 in this example is 15 μm. The cordierite powder does not contain particles exceeding T1 + T2 (60 μm), and further contains 1.3% by volume of particles exceeding T4 (45 μm). The glass material for sealing produced using such a low expansion filler contains 0.4% by volume of particles exceeding T4 (45 μm).

次に、封着材料層を有する第2のガラス基板と素子形成領域(OEL素子を形成した領域)を有する第1のガラス基板とを積層した。第1および第2のガラス基板は実施例6と同様にソーダライムガラスからなるものである。次いで、第2のガラス基板を通して封着材料層に、波長940nm、出力65Wのレーザ光(半導体レーザ)を5mm/sの走査速度で照射し、封着材料層を溶融並びに急冷固化することによって、第1のガラス基板と第2のガラス基板とを封着した。このようにして、素子形成領域をガラスパネルで封止した電子デバイスを後述する特性評価に供した。   Next, the 2nd glass substrate which has a sealing material layer, and the 1st glass substrate which has an element formation area (area | region which formed the OEL element) were laminated | stacked. The first and second glass substrates are made of soda lime glass as in the sixth embodiment. Next, the sealing material layer is irradiated with a laser beam (semiconductor laser) having a wavelength of 940 nm and an output of 65 W through the second glass substrate at a scanning speed of 5 mm / s to melt and quench and solidify the sealing material layer. The first glass substrate and the second glass substrate were sealed. Thus, the electronic device in which the element formation region was sealed with the glass panel was subjected to the characteristic evaluation described later.

(比較例1)
実施例1と同組成の錫−リン酸系ガラスフリット、平均粒径(D50)が2μm、最大粒径(Dmax)が9μmのリン酸ジルコニウム粉末、およびレーザ吸収材を使用し、実施例1と同様にして作製した封着用ガラス材料と、溝を形成していない無アルカリガラスからなる第2のガラス基板(熱膨張係数や形状は実施例1と同一である)とを用いて、膜厚が10μmの封着材料層を形成した。この例での基板間隔T2の設定値は10μmである。リン酸ジルコニウム粉末は封着材料層の膜厚(10μm)、さらには封着層の膜厚を超える粒子を含んでいない。
(Comparative Example 1)
Using a tin-phosphate glass frit having the same composition as in Example 1, zirconium phosphate powder having an average particle diameter (D50) of 2 μm and a maximum particle diameter (Dmax) of 9 μm, and a laser absorber, Using a glass material for sealing produced in the same manner and a second glass substrate made of non-alkali glass with no groove formed (the thermal expansion coefficient and shape are the same as those in Example 1), the film thickness is A 10 μm sealing material layer was formed. The set value of the substrate interval T2 in this example is 10 μm. The zirconium phosphate powder does not contain particles exceeding the film thickness (10 μm) of the sealing material layer and further the film thickness of the sealing layer.

次に、封着材料層を有する第2のガラス基板と素子形成領域(OEL素子を形成した領域)を有する第1のガラス基板とを積層した。第1および第2のガラス基板は実施例1と同様に無アルカリガラスからなるものである。次いで、第2のガラス基板を通して封着材料層に、波長940nm、出力35Wのレーザ光(半導体レーザ)を10mm/sの走査速度で照射し、封着材料層を溶融並びに急冷固化することによって、第1のガラス基板と第2のガラス基板とを封着した。このようにして、素子形成領域をガラスパネルで封止した電子デバイスを後述する特性評価に供した。   Next, the 2nd glass substrate which has a sealing material layer, and the 1st glass substrate which has an element formation area (area | region which formed the OEL element) were laminated | stacked. The first and second glass substrates are made of non-alkali glass as in the first embodiment. Next, the sealing material layer is irradiated with a laser beam (semiconductor laser) having a wavelength of 940 nm and an output of 35 W through the second glass substrate at a scanning speed of 10 mm / s to melt and rapidly solidify the sealing material layer. The first glass substrate and the second glass substrate were sealed. Thus, the electronic device in which the element formation region was sealed with the glass panel was subjected to the characteristic evaluation described later.

(比較例2)
封着材料層に照射するレーザ光(半導体レーザ)の出力を50Wに変更すると共に、レーザ光の走査速度を5mm/sに変更する以外は比較例1と同様にして、第1のガラス基板と第2のガラス基板とを封着した。このようにして、素子形成領域をガラスパネルで封止した電子デバイスを後述する特性評価に供した。
(Comparative Example 2)
In the same manner as in Comparative Example 1 except that the output of the laser light (semiconductor laser) irradiated to the sealing material layer is changed to 50 W and the scanning speed of the laser light is changed to 5 mm / s, the first glass substrate and The second glass substrate was sealed. Thus, the electronic device in which the element formation region was sealed with the glass panel was subjected to the characteristic evaluation described later.

(比較例3)
実施例1と同組成の錫−リン酸系ガラスフリット58.2体積%と平均粒径(D50)が3μm、最大粒径(Dmax)が12μmのリン酸ジルコニウム粉末37.9体積%とレーザ吸収材3.9体積%とを混合して封着用ガラス材料(熱膨張係数:61×10−7/℃)を作製した。この封着用ガラス材料80質量%を実施例1と同様なビヒクル20質量%と混合して封着材料ペーストを調製した。
(Comparative Example 3)
Laser absorption with 58.2% by volume of tin-phosphate glass frit having the same composition as in Example 1, 37.9% by volume of zirconium phosphate powder having an average particle size (D50) of 3 μm and a maximum particle size (Dmax) of 12 μm. A glass material for sealing (thermal expansion coefficient: 61 × 10 −7 / ° C.) was prepared by mixing 3.9% by volume of the material. A sealing material paste was prepared by mixing 80% by mass of this glass material for sealing with 20% by mass of the same vehicle as in Example 1.

次いで、上記した封着材料ペーストと溝を形成していない無アルカリガラスからなる第2のガラス基板(熱膨張係数や形状は実施例1と同一である)とを用いて、膜厚が16μmの封着材料層を形成した。この例での基板間隔T2の設定値は15μmである。リン酸ジルコニウム粉末は封着材料層の膜厚(16μm)、さらには封着層の膜厚(15μm)を超える粒子を含んでいない。   Next, using the above-described sealing material paste and a second glass substrate made of non-alkali glass not forming grooves (thermal expansion coefficient and shape are the same as in Example 1), the film thickness is 16 μm. A sealing material layer was formed. The set value of the substrate interval T2 in this example is 15 μm. The zirconium phosphate powder does not contain particles exceeding the film thickness (16 μm) of the sealing material layer and further the film thickness (15 μm) of the sealing layer.

次に、封着材料層を有する第2のガラス基板と素子形成領域(OEL素子を形成した領域)を有する第1のガラス基板とを積層した。第1および第2のガラス基板は実施例1と同様に無アルカリガラスからなるものである。次いで、第2のガラス基板を通して封着材料層に、波長940nm、出力35Wのレーザ光(半導体レーザ)を10mm/sの走査速度で照射し、封着材料層を溶融並びに急冷固化することによって、第1のガラス基板と第2のガラス基板とを封着した。このようにして、素子形成領域をガラスパネルで封止した電子デバイスを後述する特性評価に供した。   Next, the 2nd glass substrate which has a sealing material layer, and the 1st glass substrate which has an element formation area (area | region which formed the OEL element) were laminated | stacked. The first and second glass substrates are made of non-alkali glass as in the first embodiment. Next, the sealing material layer is irradiated with a laser beam (semiconductor laser) having a wavelength of 940 nm and an output of 35 W through the second glass substrate at a scanning speed of 10 mm / s to melt and rapidly solidify the sealing material layer. The first glass substrate and the second glass substrate were sealed. Thus, the electronic device in which the element formation region was sealed with the glass panel was subjected to the characteristic evaluation described later.

次に、実施例1〜8および比較例1〜3のガラスパネルの外観について、レーザ光の照射終了時点における基板割れや封着層のクラックを評価した。外観は光学顕微鏡で観察して評価した。また、各ガラスパネルの気密性を測定した。気密性はヘリウムリークテストを適用して評価した。さらに、各例で用いたガラス基板(溝の有無を含む)と封着用ガラス材料について、以下に示す剥離試験を実施して接着強度を評価した。これらの測定・評価結果をガラスパネルの製造条件と併せて表1、表2および表3に示す。   Next, about the external appearance of the glass panel of Examples 1-8 and Comparative Examples 1-3, the board | substrate crack and the crack of a sealing layer in the time of completion | finish of irradiation of a laser beam were evaluated. The appearance was evaluated by observing with an optical microscope. Moreover, the airtightness of each glass panel was measured. The airtightness was evaluated by applying a helium leak test. Furthermore, the peeling test shown below was implemented about the glass substrate (including the presence or absence of a groove | channel) used for each example, and the glass material for sealing, and adhesive strength was evaluated. These measurement / evaluation results are shown in Table 1, Table 2 and Table 3 together with the glass panel production conditions.

剥離試験は以下のようにして実施した。40×40mmのガラス基板(板厚は各例と同一とし、実施例の評価においては溝付きのガラス基板を使用)に、各例の封着材料ペーストをディスペンサで1辺が30mmの額縁状パターン(線幅:1mm)に塗布した。これを乾燥・焼成した後、対向基板をずらして配置してレーザ封着した。レーザ封着は各例に準じた条件で実施した。このようにして形成した剥離試験用サンプルの一方のガラス基板を治具で固定し、他方のガラス基板の面方向に荷重(せん断応力)を加え、その際の破壊状態を観察した。なお、剥離試験では封着層の接着強度やそれ自体の強度以外の要因を排除するために、40×40mmのガラス基板を使用した。   The peel test was performed as follows. A 40 × 40 mm glass substrate (plate thickness is the same as in each example, and a grooved glass substrate is used in the evaluation of the examples), and the sealing material paste of each example is dispensed with a dispenser in a frame-like pattern with a side of 30 mm (Line width: 1 mm). After drying and baking this, the counter substrate was shifted and laser-sealed. Laser sealing was performed under conditions according to each example. One glass substrate of the peel test sample thus formed was fixed with a jig, a load (shear stress) was applied in the surface direction of the other glass substrate, and the fracture state at that time was observed. In the peel test, a 40 × 40 mm glass substrate was used to eliminate factors other than the adhesive strength of the sealing layer and the strength of the sealing layer itself.

上記した剥離試験において、破壊モードが[ガラス基板の破壊(基板破壊)]である場合に、ガラスパッケージ(気密容器)として好ましい接着状態であると言うことができる。破壊モードが[封着層の破壊]である場合、ガラスパッケージ(気密容器)として使用できるものの、[基板破壊]の場合と比べて若干機械的な信頼性が劣るものである。破壊モードが[封着層と基板との界面で剥離(界面剥離)]である場合には、界面の接着強度が弱く、ガラスパッケージ(気密容器)に適さないと判断することができる。   In the peeling test described above, it can be said that when the break mode is [break of glass substrate (substrate break)], it is a preferable adhesive state as a glass package (airtight container). When the destruction mode is [destruction of sealing layer], it can be used as a glass package (airtight container), but the mechanical reliability is slightly inferior to that of [substrate destruction]. When the failure mode is [peeling at the interface between the sealing layer and the substrate (interfacial peeling)], it can be determined that the adhesive strength at the interface is weak and is not suitable for a glass package (airtight container).

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表1、表2および表3から明らかなように、実施例1〜8によるガラスパネルはいずれも外観や気密性に優れ、さらに良好な接着強度が得られていることが分かる。実施例4は低膨張充填材の粒径が小さいため、封着層の強度が他の実施例と比べると劣るものであった。実施例3は溝部でのレーザ散乱が小さいため、レーザ光の出力を上げる必要があった。実施例6は溝部の表面粗さが若干大きいため、剥離試験で溝部から破壊が生じた。これらに対し、溝を形成していないガラス基板を用いた比較例1〜3のガラスパネルは、いずれも剥離試験で界面剥離が生じ、十分な接着強度が得られていないことが確認された。   As can be seen from Tables 1, 2 and 3, all of the glass panels according to Examples 1 to 8 are excellent in appearance and airtightness, and have better adhesive strength. In Example 4, since the particle size of the low expansion filler was small, the strength of the sealing layer was inferior to that of the other examples. In Example 3, since the laser scattering at the groove was small, it was necessary to increase the output of the laser beam. In Example 6, since the surface roughness of the groove portion was slightly large, breakage occurred from the groove portion in the peel test. On the other hand, it was confirmed that all of the glass panels of Comparative Examples 1 to 3 using a glass substrate in which no groove was formed did not have sufficient adhesive strength because interfacial peeling occurred in the peeling test.

1…電子デバイス、2…第1のガラス基板、2a…素子形成領域、2b…第1の封止領域、3…第2のガラス基板、3a…第2の封止領域、4…封着層、5…封着材料層、6…溝、7…レーザ光。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electronic device, 2 ... 1st glass substrate, 2a ... Element formation area, 2b ... 1st sealing area, 3 ... 2nd glass substrate, 3a ... 2nd sealing area, 4 ... Sealing layer 5 ... Sealing material layer, 6 ... Groove, 7 ... Laser light.

Claims (13)

封止領域と、前記封止領域に連続して形成された溝とを有するガラス基板と、
前記溝内に設けられ、封着ガラスと低膨張充填材とレーザ吸収材とを含有する枠状の封着用ガラス材料の焼成層からなる封着材料層とを具備し、
前記封着材料層はその上部が前記溝から突出するように設けられていることを特徴とする封着材料層付きガラス部材。
A glass substrate having a sealing region and a groove formed continuously in the sealing region;
A sealing material layer comprising a fired layer of a frame-like sealing glass material, which is provided in the groove and contains a sealing glass, a low expansion filler, and a laser absorber;
The glass member with a sealing material layer, wherein the sealing material layer is provided so that an upper portion thereof protrudes from the groove.
前記溝は5〜60μmの範囲の深さと3mm以下の範囲の幅とを有することを特徴とする請求項1記載の封着材料層付きガラス部材。   2. The glass member with a sealing material layer according to claim 1, wherein the groove has a depth in the range of 5 to 60 [mu] m and a width in the range of 3 mm or less. 前記溝の底面の表面粗さが算術平均粗さRaで0.3μm以上1μm未満の範囲であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の封着材料層付きガラス部材。   3. The glass member with a sealing material layer according to claim 1, wherein the surface roughness of the bottom surface of the groove is in the range of 0.3 μm or more and less than 1 μm in terms of arithmetic average roughness Ra. 前記低膨張充填材はシリカ、アルミナ、ジルコニア、珪酸ジルコニウム、コージェライト、リン酸ジルコニウム系化合物、ソーダライムガラスおよび硼珪酸ガラスから選ばれる少なくとも1種からなり、かつ前記封着用ガラス材料は前記低膨張充填材を15〜50体積%の範囲で含有することを特徴とする請求項1記載の封着材料層付きガラス部材。   The low expansion filler is made of at least one selected from silica, alumina, zirconia, zirconium silicate, cordierite, zirconium phosphate compound, soda lime glass and borosilicate glass, and the sealing glass material is the low expansion 2. The glass member with a sealing material layer according to claim 1, comprising a filler in a range of 15 to 50% by volume. 前記レーザ吸収材はFe、Cr、Mn、Co、NiおよびCuから選ばれる少なくとも1種の金属または前記金属を含む化合物からなり、かつ前記封着用ガラス材料は前記レーザ吸収材を0.1〜10体積%の範囲で含有することを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項記載の封着材料層付きガラス部材。   The laser absorber is made of at least one metal selected from Fe, Cr, Mn, Co, Ni and Cu or a compound containing the metal, and the glass material for sealing contains 0.1 to 10 of the laser absorber. It contains in the range of volume%, The glass member with a sealing material layer of any one of Claim 1 thru | or 4 characterized by the above-mentioned. 前記封着ガラスは錫−リン酸系ガラスまたはビスマス系ガラスからなることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項記載の封着材料層付きガラス部材。   6. The glass member with a sealing material layer according to claim 1, wherein the sealing glass is made of tin-phosphate glass or bismuth glass. 電子素子を備える素子形成領域と、前記素子形成領域の外周に沿って設けられた第1の封止領域とを有する第1のガラス基板と、
前記第1のガラス基板の前記第1の封止領域に対応する第2の封止領域と、前記第2の封止領域に連続して形成された溝とを有する第2のガラス基板と、
前記第1のガラス基板の前記第1の封止領域と前記第2のガラス基板の前記第2の封止領域との間を、前記素子形成領域上に間隙を設けつつ封止するように形成され、封着ガラスと低膨張充填材とレーザ吸収材とを含有する封着用ガラス材料の溶融固着層からなる封着層とを具備し、
前記封着層の一部は前記溝内に埋め込まれていることを特徴とする電子デバイス。
A first glass substrate having an element formation region including an electronic element, and a first sealing region provided along an outer periphery of the element formation region;
A second glass substrate having a second sealing region corresponding to the first sealing region of the first glass substrate, and a groove formed continuously in the second sealing region;
Formed so as to seal between the first sealing region of the first glass substrate and the second sealing region of the second glass substrate while providing a gap on the element formation region. A sealing layer comprising a sealing glass, a low-expansion filler and a laser-absorbing material, and a sealing layer composed of a melt-fixed layer of a sealing glass material,
An electronic device, wherein a part of the sealing layer is embedded in the groove.
前記溝は、前記第1のガラス基板と前記第2のガラス基板との間の間隔T2に対して、T1/(T1+T2)≧0.2の関係を満足する深さT1を有することを特徴とする請求項7項記載の電子デバイス。   The groove has a depth T1 that satisfies a relationship of T1 / (T1 + T2) ≧ 0.2 with respect to an interval T2 between the first glass substrate and the second glass substrate. The electronic device according to claim 7. 前記溝は5〜60μmの範囲の深さと3mm以下の範囲の幅とを有することを特徴とする請求項7または請求項8項記載の電子デバイス。   9. The electronic device according to claim 7, wherein the groove has a depth in the range of 5 to 60 [mu] m and a width in the range of 3 mm or less. 前記封着用ガラス材料は、前記溝の深さT1と前記第1のガラス基板と前記第2のガラス基板との間の間隔T2との合計(T1+T2)を超える粒径を有する前記低膨張充填材粒子を含まないと共に、前記深さT1と前記間隔T2のいずれか大きい寸法を超える粒径を有する前記低膨張充填材粒子を体積割合で0.05%以上の範囲で含むことを特徴とする請求項7ないし請求項9のいずれか1項記載の電子デバイス。   The low-expansion filler having a particle diameter exceeding the total (T1 + T2) of the groove depth T1 and the interval T2 between the first glass substrate and the second glass substrate. The low-expansion filler particles not containing particles and having a particle diameter exceeding the larger dimension of either the depth T1 or the interval T2 are included in a volume ratio of 0.05% or more. The electronic device of any one of Claims 7 thru | or 9. 前記電子素子は有機EL素子または太陽電池素子であることを特徴とする請求項7ないし請求項10のいずれか1項記載の電子デバイス。   The electronic device according to claim 7, wherein the electronic device is an organic EL device or a solar cell device. 電子素子を備える素子形成領域と、前記素子形成領域の外周に沿って設けられた第1の封止領域とを有する第1のガラス基板を用意する工程と、
前記第1のガラス基板の前記第1の封止領域に対応する第2の封止領域と、前記第2の封止領域に連続して形成された溝と、その上部が前記溝から突出するように前記溝内に設けられ、封着ガラスと低膨張充填材とレーザ吸収材とを含有する封着用ガラス材料の焼成層からなる枠状の封着材料層とを有する第2のガラス基板を用意する工程と、
前記素子形成領域上に間隙を形成しつつ、前記封着材料層を介して前記第1のガラス基板と前記第2のガラス基板とを積層する工程と、
前記第2のガラス基板を通して前記封着材料層にレーザ光を照射し、前記封着材料層を溶融させて前記第1のガラス基板と前記第2のガラス基板との間を封止する封着層を形成する工程と
を具備することを特徴とする電子デバイスの製造方法
Preparing a first glass substrate having an element forming region including an electronic element and a first sealing region provided along an outer periphery of the element forming region;
A second sealing region corresponding to the first sealing region of the first glass substrate, a groove formed continuously with the second sealing region, and an upper portion thereof protruding from the groove. A second glass substrate having a frame-shaped sealing material layer formed of a fired layer of a sealing glass material, which is provided in the groove and contains sealing glass, a low expansion filler, and a laser absorber. A process to prepare;
Laminating the first glass substrate and the second glass substrate through the sealing material layer while forming a gap on the element formation region;
Sealing that seals a gap between the first glass substrate and the second glass substrate by irradiating the sealing material layer with laser light through the second glass substrate to melt the sealing material layer. And a method of manufacturing an electronic device comprising:
前記電子素子は有機EL素子または太陽電池素子であることを特徴とする請求項12記載の電子デバイスの製造方法。   The method of manufacturing an electronic device according to claim 12, wherein the electronic element is an organic EL element or a solar cell element.
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Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010280554A (en) * 2009-06-08 2010-12-16 Nippon Electric Glass Co Ltd Glass for dye-sensitized solar cell, and material for dye-sensitized solar cell
WO2012093698A1 (en) * 2011-01-06 2012-07-12 旭硝子株式会社 Method and device for manufacturing glass members with sealing material layer, and method for manufacturing electronic devices
KR101219245B1 (en) * 2011-04-21 2013-01-21 삼성에스디아이 주식회사 Photoelectric conversion device and method of preparing the same
JP2013062231A (en) * 2011-08-21 2013-04-04 Nippon Electric Glass Co Ltd Manufacturing method of electronic device
WO2013080549A1 (en) * 2011-11-29 2013-06-06 三洋電機株式会社 Solar cell module and method for producing same
WO2013080550A1 (en) * 2011-11-30 2013-06-06 三洋電機株式会社 Solar cell module
CN103280540A (en) * 2013-05-09 2013-09-04 深圳市华星光电技术有限公司 Display device and manufacturing method thereof
CN103311445A (en) * 2012-12-24 2013-09-18 上海天马微电子有限公司 Organic light emitting diode packaging structure and forming method thereof
CN103474561A (en) * 2013-09-10 2013-12-25 京东方科技集团股份有限公司 OLED device encapsulation structure
JP2013545709A (en) * 2010-11-30 2013-12-26 コーニング インコーポレイテッド Method and apparatus for bending a material sheet into a molded article
JP2013258006A (en) * 2012-06-12 2013-12-26 Shin-Nippon Stainless Industry Co Ltd Manufacturing method of display panel
JP2013256437A (en) * 2012-05-15 2013-12-26 Asahi Glass Co Ltd Glass paste
WO2013190981A1 (en) * 2012-06-22 2013-12-27 株式会社 日立製作所 Sealed container, electronic device, and solar cell module
JP2014118188A (en) * 2012-12-17 2014-06-30 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd Flanged heat-resistant glass tube body piling structure body, flanged heat-resistant glass container and manufacturing methods of the same
US20150008819A1 (en) * 2013-07-05 2015-01-08 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. OLED Panel and Package Method Thereof
CN104508731A (en) * 2012-08-10 2015-04-08 夏普株式会社 display panel
WO2016086533A1 (en) * 2014-12-02 2016-06-09 深圳市华星光电技术有限公司 Oled encapsulation method and oled encapsulation structure
WO2016086538A1 (en) * 2014-12-02 2016-06-09 深圳市华星光电技术有限公司 Oled encapsulation structure and oled encapsulation method
US9368748B2 (en) 2013-05-09 2016-06-14 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP2016521675A (en) * 2013-06-14 2016-07-25 コーニング インコーポレイテッド Laminate sealing sheet
JP2016531384A (en) * 2013-07-17 2016-10-06 深▲せん▼市華星光電技術有限公司Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Glass sealing structure and sealing method
WO2016194529A1 (en) * 2015-06-04 2016-12-08 株式会社ブリヂストン Sealing film for solar cells and solar cell module
CN106601847A (en) * 2016-11-29 2017-04-26 梁结平 Photovoltaic component panel, production method thereof, and photovoltaic component
WO2019123649A1 (en) * 2017-12-22 2019-06-27 堺ディスプレイプロダクト株式会社 Sealing structure, organic el display device, display device, and method for manufacturing display device
CN114063351A (en) * 2020-07-31 2022-02-18 詹宜频 Sealing structure and electronic device with same
US11314111B2 (en) * 2019-04-03 2022-04-26 AU Optronics (Kunshan) Co., Ltd. Display panel
US11500248B2 (en) 2020-07-31 2022-11-15 Innolux Corporation Sealing structure and an electronic device having the same
CN117916652A (en) * 2021-07-01 2024-04-19 福耀玻璃工业集团股份有限公司 Light-adjusting element and manufacturing method thereof, light-transmitting component, and vehicle

Cited By (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010280554A (en) * 2009-06-08 2010-12-16 Nippon Electric Glass Co Ltd Glass for dye-sensitized solar cell, and material for dye-sensitized solar cell
US9284212B2 (en) 2010-11-30 2016-03-15 Corning Incorporated Method and apparatus for bending a sheet of material into a shaped article
JP2013545709A (en) * 2010-11-30 2013-12-26 コーニング インコーポレイテッド Method and apparatus for bending a material sheet into a molded article
US9676653B2 (en) 2010-11-30 2017-06-13 Corning Incorporated Method and apparatus for bending a sheet of material into a shaped article
WO2012093698A1 (en) * 2011-01-06 2012-07-12 旭硝子株式会社 Method and device for manufacturing glass members with sealing material layer, and method for manufacturing electronic devices
KR101219245B1 (en) * 2011-04-21 2013-01-21 삼성에스디아이 주식회사 Photoelectric conversion device and method of preparing the same
JP2013062231A (en) * 2011-08-21 2013-04-04 Nippon Electric Glass Co Ltd Manufacturing method of electronic device
WO2013080549A1 (en) * 2011-11-29 2013-06-06 三洋電機株式会社 Solar cell module and method for producing same
WO2013080550A1 (en) * 2011-11-30 2013-06-06 三洋電機株式会社 Solar cell module
JPWO2013080550A1 (en) * 2011-11-30 2015-04-27 パナソニックIpマネジメント株式会社 Solar cell module
JP2013256437A (en) * 2012-05-15 2013-12-26 Asahi Glass Co Ltd Glass paste
JP2013258006A (en) * 2012-06-12 2013-12-26 Shin-Nippon Stainless Industry Co Ltd Manufacturing method of display panel
WO2013190981A1 (en) * 2012-06-22 2013-12-27 株式会社 日立製作所 Sealed container, electronic device, and solar cell module
JP2014007214A (en) * 2012-06-22 2014-01-16 Hitachi Ltd Sealed container, electronic device and solar battery module
CN104508731B (en) * 2012-08-10 2017-05-03 夏普株式会社 Display panel
CN104508731A (en) * 2012-08-10 2015-04-08 夏普株式会社 display panel
JP2014118188A (en) * 2012-12-17 2014-06-30 Shinetsu Quartz Prod Co Ltd Flanged heat-resistant glass tube body piling structure body, flanged heat-resistant glass container and manufacturing methods of the same
US8957410B2 (en) 2012-12-24 2015-02-17 Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. Organic light-emitting diode package structure and method for forming the same
EP2747162A1 (en) * 2012-12-24 2014-06-25 Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. Organic light-emitting diode package structure and method for forming the same
CN103311445A (en) * 2012-12-24 2013-09-18 上海天马微电子有限公司 Organic light emitting diode packaging structure and forming method thereof
US9368748B2 (en) 2013-05-09 2016-06-14 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
WO2014180044A1 (en) * 2013-05-09 2014-11-13 深圳市华星光电技术有限公司 Display device and manufacturing method therefor
CN103280540A (en) * 2013-05-09 2013-09-04 深圳市华星光电技术有限公司 Display device and manufacturing method thereof
JP2016521675A (en) * 2013-06-14 2016-07-25 コーニング インコーポレイテッド Laminate sealing sheet
US20150008819A1 (en) * 2013-07-05 2015-01-08 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. OLED Panel and Package Method Thereof
US9966559B2 (en) 2013-07-17 2018-05-08 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Glass packaging structure and glass packaging method of utilizing the same
JP2016531384A (en) * 2013-07-17 2016-10-06 深▲せん▼市華星光電技術有限公司Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Glass sealing structure and sealing method
CN103474561A (en) * 2013-09-10 2013-12-25 京东方科技集团股份有限公司 OLED device encapsulation structure
WO2015035711A1 (en) * 2013-09-10 2015-03-19 京东方科技集团股份有限公司 Package structure of oled device
US9362523B2 (en) 2013-09-10 2016-06-07 Boe Technology Group Co, Ltd. Encapsulation structure of OLED device
WO2016086533A1 (en) * 2014-12-02 2016-06-09 深圳市华星光电技术有限公司 Oled encapsulation method and oled encapsulation structure
WO2016086538A1 (en) * 2014-12-02 2016-06-09 深圳市华星光电技术有限公司 Oled encapsulation structure and oled encapsulation method
WO2016194529A1 (en) * 2015-06-04 2016-12-08 株式会社ブリヂストン Sealing film for solar cells and solar cell module
CN106601847A (en) * 2016-11-29 2017-04-26 梁结平 Photovoltaic component panel, production method thereof, and photovoltaic component
WO2019123649A1 (en) * 2017-12-22 2019-06-27 堺ディスプレイプロダクト株式会社 Sealing structure, organic el display device, display device, and method for manufacturing display device
US11314111B2 (en) * 2019-04-03 2022-04-26 AU Optronics (Kunshan) Co., Ltd. Display panel
CN114063351A (en) * 2020-07-31 2022-02-18 詹宜频 Sealing structure and electronic device with same
US11500248B2 (en) 2020-07-31 2022-11-15 Innolux Corporation Sealing structure and an electronic device having the same
CN117916652A (en) * 2021-07-01 2024-04-19 福耀玻璃工业集团股份有限公司 Light-adjusting element and manufacturing method thereof, light-transmitting component, and vehicle

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