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JP2010226020A - Device mounting method, droplet discharge head, and droplet discharge apparatus - Google Patents

Device mounting method, droplet discharge head, and droplet discharge apparatus Download PDF

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JP2010226020A
JP2010226020A JP2009074182A JP2009074182A JP2010226020A JP 2010226020 A JP2010226020 A JP 2010226020A JP 2009074182 A JP2009074182 A JP 2009074182A JP 2009074182 A JP2009074182 A JP 2009074182A JP 2010226020 A JP2010226020 A JP 2010226020A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
anisotropic conductive
conductive paste
droplet discharge
wiring connection
Prior art date
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Pending
Application number
JP2009074182A
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Japanese (ja)
Inventor
Hideo Miyasaka
英男 宮坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2009074182A priority Critical patent/JP2010226020A/en
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Abstract

【課題】異方導電性ペーストを利用して、導通に寄与する導電性粒子をデバイス基板と被接続基板との間の加圧領域に集中的に集めながら両基板をOLB接続すること。
【解決手段】異方導電性ペーストWを利用して、第1配線接続部61が形成されたデバイス基板21を第2配線接続部40が形成された被接続基板23に実装して、両配線接続部を電気的に接続する方法であって、第1配線接続部の端子部62a又は第2配線接続部の端子部40aのいずれかに上記ペーストを塗布する工程と、両端子部が対向するように被接続基板上にデバイス基板を位置させる工程と、ボンディング工具70によりデバイス基板を被接続基板に対して押し付け、ペーストを介して両端子部を電気的に接続する工程と、を備え、塗布工程の際、ボンディング工具の中心軸線Cから、塗布後に盛り上がる最頂点中心Nが一定距離H離間するようにペーストを塗布するデバイス実装方法を提供する。
【選択図】図8
An anisotropic conductive paste is used to OLB-connect both substrates while concentrating conductive particles contributing to conduction in a pressure region between a device substrate and a connected substrate.
Using an anisotropic conductive paste W, a device substrate 21 on which a first wiring connection portion 61 is formed is mounted on a connected substrate 23 on which a second wiring connection portion 40 is formed. A method of electrically connecting the connecting portions, wherein the paste is applied to either the terminal portion 62a of the first wiring connecting portion or the terminal portion 40a of the second wiring connecting portion, and both terminal portions face each other. A step of positioning the device substrate on the substrate to be connected, and a step of pressing the device substrate against the substrate to be connected by the bonding tool 70 and electrically connecting both terminal portions via paste. Provided is a device mounting method in which a paste is applied so that a center N of a bonding tool rises after application and is spaced a certain distance H from the center axis C of the bonding tool during the process.
[Selection] Figure 8

Description

本発明は、デバイス実装方法、液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置に関するものである。   The present invention relates to a device mounting method, a droplet discharge head, and a droplet discharge apparatus.

マイクロデバイスを製造する方法の一つとして液滴吐出法(インクジェット法)が提案されている。この液滴吐出法は、デバイスを形成するための材料を含む機能液を液滴状にして、液滴吐出ヘッドより吐出する方法である。特許文献1には、液滴吐出ヘッドに関する技術の一例が開示されており、ワイヤボンディングを用いて半導体チップの上面に設けられた端子と回路基板上の端子とを電気的に配線接続する技術が記載されている。また、特許文献2には、駆動素子(圧電素子)が、駆動デバイス(ドライバIC)にワイヤボンディングで接続された液滴吐出ヘッドが記載されている。   A droplet discharge method (inkjet method) has been proposed as one method for manufacturing a microdevice. This droplet discharge method is a method in which a functional liquid containing a material for forming a device is formed into droplets and discharged from a droplet discharge head. Patent Document 1 discloses an example of a technique related to a droplet discharge head, and a technique for electrically connecting a terminal provided on an upper surface of a semiconductor chip and a terminal on a circuit board using wire bonding. Are listed. Patent Document 2 describes a droplet discharge head in which a driving element (piezoelectric element) is connected to a driving device (driver IC) by wire bonding.

特に近年では、液滴吐出法に基づいてマイクロデバイスを製造する際、マイクロデバイスのさらなる微細化の要求に応えるために、アウターリードとして機能する配線パターンを予め形成したフレキシブル基板を用いて、アウターリードボンディング(OLB:Outer Lead Bonding)接続を行うことで、ワイヤ同士の短絡等の不都合を生じさせることなく、駆動素子と駆動デバイスとの間の電気的接続を行うことが考えられている(特許文献3参照)。   Particularly in recent years, when manufacturing microdevices based on the droplet discharge method, in order to meet the demand for further miniaturization of microdevices, outer leads are used by using a flexible substrate in which a wiring pattern that functions as outer leads is formed in advance. By performing bonding (OLB: Outer Lead Bonding) connection, it is considered to perform electrical connection between the drive element and the drive device without causing inconvenience such as short circuit between wires (Patent Literature). 3).

一般的にOLB接続する場合には、異方導電性接着剤を利用してフレキシブル基板と被接続基板とを接続する場合が多い。この方法は、フレキシブル基板と被接続基板との間に異方導電性接着剤を配した後、この接着剤を加熱しながらフレキシブル基板を被接続基板に加圧することで接続を行う方法である。
特に、この異方導電性接着剤は、熱硬化性樹脂に混ぜ合わされた導電性粒子の状況によって、導電性と絶縁性との異方性を容易に形成できるのでOLB接続には好適に用いられる。
In general, in the case of OLB connection, an anisotropic conductive adhesive is often used to connect a flexible substrate and a connected substrate. In this method, after an anisotropic conductive adhesive is disposed between the flexible substrate and the connected substrate, the connection is performed by pressing the flexible substrate to the connected substrate while heating the adhesive.
In particular, this anisotropic conductive adhesive is suitable for OLB connection because it can easily form anisotropy between conductivity and insulation depending on the condition of the conductive particles mixed with the thermosetting resin. .

特開2002−9235号公報JP 2002-9235 A 特開2003−159800号公報JP 2003-159800 A 特開2000−68989号公報JP 2000-68989 A

ところで、異方導電性接着剤を用いるにあたって、上述したように導電性と絶縁性とを両立させるためには、導電性粒子を効率良く導通に寄与する部分に集めることが重要である。しかしながら、異方導電性接着剤として異方導電性ペースト(ACP:Anisotropic Conductive Paste)を用いた場合には、導通に寄与する導電性粒子をフレキシブル基板と被接続基板との間の加圧領域(接続領域)に集中的に集めることが困難であった。   By the way, when using the anisotropic conductive adhesive, as described above, in order to achieve both conductivity and insulation, it is important to collect the conductive particles in a portion that efficiently contributes to conduction. However, when anisotropic conductive paste (ACP: Anisotropic Conductive Paste) is used as the anisotropic conductive adhesive, conductive particles that contribute to conduction are applied to the pressurization region between the flexible substrate and the connected substrate ( It was difficult to concentrate on the connection area.

詳細に説明すると、異方導電性ペーストの場合においては、バインダーがペースト状であるため、被接続基板上に塗布された時点で導電性粒子の分布は既に不均一な状態となり易い。この点、図11及び図12を参照して説明する。
図11は、被接続基板100の配線パターン101上に異方導電性ペーストWを塗布した後、配線パターン111を有するフレキシブル基板110をボンディング工具120で加圧する直前の状態を示した図である。図12は、ボンディング工具120でフレキシブル基板110を加圧し、異方導電性ペーストWを利用して両基板100、110をOLB接続した状態の図である。
More specifically, in the case of an anisotropic conductive paste, since the binder is in the form of a paste, the distribution of the conductive particles is likely to be in a non-uniform state already when applied on the substrate to be connected. This point will be described with reference to FIGS.
FIG. 11 is a view showing a state immediately before the flexible substrate 110 having the wiring pattern 111 is pressed by the bonding tool 120 after the anisotropic conductive paste W is applied on the wiring pattern 101 of the connected substrate 100. FIG. 12 is a view showing a state in which the flexible substrate 110 is pressed with the bonding tool 120 and the substrates 100 and 110 are OLB-connected using the anisotropic conductive paste W.

図11に示すように、異方導電性ペーストWは、バインダーがペースト状であるので、塗布後の形状は蒲鉾のような断面半球状となってしまう。そのため、導電性粒子Rは、異方導電性ペーストWの塗布中心(塗布後に盛り上がる最頂点中心)Nを貫く中心線上に多く存在し、外縁にいくほど少ない状態となっている。   As shown in FIG. 11, since the anisotropic conductive paste W has a paste-like binder, the shape after application becomes a semispherical cross-section like a candy. Therefore, there are many conductive particles R on the center line penetrating the application center (the center of the highest vertex rising after application) N of the anisotropic conductive paste W, and the number of the conductive particles R decreases toward the outer edge.

そして、異方導電性ペーストWを塗布した後、ボンディング工具120の中心軸線Cを異方導電性ペーストWの塗布中心Nに合わせながら、該工具120を利用してフレキシブル基板110をボンディング(加熱加圧)する。これにより、図12に示すように、異方導電性ペーストWは、フレキシブル基板110と被接続基板100との間で左右に流動しながら拡がった後、硬化する。その結果、異方導電性ペーストWを利用して、フレキシブル基板110と被接続基板100とをOLB接続することができる。   Then, after the anisotropic conductive paste W is applied, the flexible substrate 110 is bonded (heated) by using the tool 120 while aligning the center axis C of the bonding tool 120 with the application center N of the anisotropic conductive paste W. Pressure). As a result, as shown in FIG. 12, the anisotropic conductive paste W spreads while flowing left and right between the flexible substrate 110 and the connected substrate 100 and then hardens. As a result, the flexible substrate 110 and the substrate to be connected 100 can be OLB-connected using the anisotropic conductive paste W.

ところで、電気的接続に寄与する主な導電性粒子Rは、ボンディング工具120によって加圧された加圧領域に存在している粒子であり、その周囲に分布する導電性粒子Rは接続に寄与しない。よって、加圧領域に効率良く導電性粒子Rを捕捉しておく(残しておく)必要がある。しかしながら、ボンディング工具120の中心軸線Cを異方導電性ペーストWの塗布中心Nに一致させた状態でボンディングを行っているので、塗布中心Nを貫く中心線上に多く存在する異方導電性ペーストWは左右に流動して逃げてしまう。そのため、導電性粒子Rも同様に左右に流動し、加圧領域から外側に逃げてしまい易かった。その結果、導通に寄与する導電性粒子Rをフレキシブル基板110と被接続基板100との間の加圧領域に集中的に存在させておくことが困難であった。   By the way, the main conductive particles R that contribute to the electrical connection are particles that exist in the pressurization region pressurized by the bonding tool 120, and the conductive particles R distributed around the conductive particles R do not contribute to the connection. . Therefore, it is necessary to efficiently capture (leave) the conductive particles R in the pressurized region. However, since bonding is performed in a state where the center axis C of the bonding tool 120 is aligned with the application center N of the anisotropic conductive paste W, the anisotropic conductive paste W present in a large amount on the center line passing through the application center N. Flows left and right and escapes. For this reason, the conductive particles R also flowed to the left and right in the same manner, and easily escaped from the pressure region. As a result, it has been difficult to concentrate the conductive particles R contributing to conduction in the pressure region between the flexible substrate 110 and the connected substrate 100.

特に、異方導電性ペーストWを塗布した時点の高さは略100〜500μmであるが、ボンディング後の厚み(両基板間距離)は1/10程度の略10〜50μmとなってしまう。従って、中心線上に存在する異方導電性ペーストWは、過大に押し潰されて加圧領域から外側に移動し易く、上述した不都合が生じ易いものであった。   In particular, the height when the anisotropic conductive paste W is applied is about 100 to 500 μm, but the thickness after bonding (distance between both substrates) is about 1/10, which is about 10 to 50 μm. Therefore, the anisotropic conductive paste W present on the center line is crushed excessively and easily moves to the outside from the pressure region, and the above-described disadvantages are likely to occur.

本発明は、このような事情に考慮してなされたもので、その主目的は、異方導電性ペーストを利用して、導通に寄与する導電性粒子をデバイス基板と被接続基板との間の加圧領域に集中的に集めながら両基板をOLB接続することができるデバイス実装方法を提供することである。
また、別の目的は、この方法で実装されたデバイス基板及び被接続基板を有する液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置を提供することである。
The present invention has been made in view of such circumstances, and its main purpose is to use anisotropic conductive paste to transfer conductive particles contributing to conduction between the device substrate and the connected substrate. It is an object to provide a device mounting method capable of OLB connection of both substrates while being concentrated in a pressurizing region.
Another object is to provide a droplet discharge head and a droplet discharge apparatus having a device substrate and a connected substrate mounted by this method.

なお、加圧領域に導電性粒子をできるだけ残すために、異方導電性ペーストに含まれる導電性粒子の比率を高めにした場合には、絶縁性能が低下してしまうので、絶縁性を保ちたい領域にとっては不都合になるものであった。また、異方導電性ペーストの塗布量自体を減らしてしまった場合には、フレキシブル基板と被接続基板との間に異方導電性ペーストが十分に充填されない恐れがある。
従って、異方導電性ペーストの塗布量や導電性粒子の比率を変えずに、上述した目的を達成することが望まれている。
In addition, in order to leave conductive particles in the pressurized region as much as possible, if the ratio of the conductive particles contained in the anisotropic conductive paste is increased, the insulation performance will deteriorate, so it is desirable to maintain the insulation properties. It was inconvenient for the area. Further, when the amount of the anisotropic conductive paste applied itself is reduced, the anisotropic conductive paste may not be sufficiently filled between the flexible substrate and the connected substrate.
Therefore, it is desired to achieve the above-mentioned object without changing the amount of anisotropic conductive paste applied and the ratio of conductive particles.

本発明は、前記課題を解決するために以下の手段を提供する。
(1)本発明に係るデバイス実装方法は、異方導電性ペーストを利用して、第1配線接続部が形成されたデバイス基板を第2配線接続部が形成された被接続基板に実装して、両配線接続部を電気的に接続するデバイス実装方法であって、前記第1配線接続部の端子部又は前記第2配線接続部の端子部のいずれかに前記異方導電性ペーストを塗布する塗布工程と、塗布した前記異方導電性ペーストを間に挟んで、前記第1配線接続部の端子部と前記第2配線接続部の端子部とが対向するように、前記被接続基板上に前記デバイス基板を位置させるセット工程と、前記異方導電性ペーストを加熱すると共にボンディング工具により前記デバイス基板を前記被接続基板に対して加圧しながら押し付け、前記第1配線接続部の端子部と前記第2配線接続部の端子部とを異方導電性ペーストを介して電気的に接続するボンディング工程と、を備え、前記塗布工程の際、前記ボンディング工具の中心軸線から、塗布後に盛り上がる最頂点中心が一定距離離間するように異方導電性ペーストを塗布することを特徴とする。
The present invention provides the following means in order to solve the above problems.
(1) A device mounting method according to the present invention uses an anisotropic conductive paste to mount a device substrate on which a first wiring connection portion is formed on a connected substrate on which a second wiring connection portion is formed. A device mounting method for electrically connecting both wiring connecting portions, wherein the anisotropic conductive paste is applied to either the terminal portion of the first wiring connecting portion or the terminal portion of the second wiring connecting portion. On the substrate to be connected, the terminal part of the first wiring connection part and the terminal part of the second wiring connection part are opposed to each other with the application process and the applied anisotropic conductive paste interposed therebetween. A setting step of positioning the device substrate; heating the anisotropic conductive paste and pressing the device substrate against the connected substrate with a bonding tool; and pressing the terminal portion of the first wiring connection portion and the Second wiring connection A bonding step for electrically connecting the terminal portion of the portion via an anisotropic conductive paste, and the center of the highest vertex that rises after coating is spaced from the central axis of the bonding tool by a certain distance during the coating step. Thus, an anisotropic conductive paste is applied.

この発明に係るデバイス実装方法においては、まず、デバイス基板に形成された第1配線接続部の端子部、又は、被接続基板に形成された第2配線接続部の端子部に、導電性粒子が含まれた異方導電性ペーストを所定量塗布する塗布工程を行う。この際、後のボンディング工程時にデバイス基板の所定位置にあてがわれるボンディング工具の中心軸線から、塗布後に盛り上がる最頂点中心(塗布中心)が一定距離離間するように、異方導電性ペーストを塗布する。
次いで、塗布した異方導電性ペーストを間に挟んで、第1配線接続部の端子部と第2配線接続部の端子部とが対向するように、被接続基板上にデバイス基板を位置させるセット工程を行う。
In the device mounting method according to the present invention, first, conductive particles are applied to the terminal portion of the first wiring connecting portion formed on the device substrate or the terminal portion of the second wiring connecting portion formed on the connected substrate. An application step of applying a predetermined amount of the included anisotropic conductive paste is performed. At this time, the anisotropic conductive paste is applied so that the center of the highest peak (coating center) that rises after application is spaced from the central axis of the bonding tool applied to a predetermined position on the device substrate in the subsequent bonding process. .
Next, the device substrate is positioned on the connected substrate so that the terminal portion of the first wiring connection portion and the terminal portion of the second wiring connection portion face each other with the applied anisotropic conductive paste interposed therebetween. Perform the process.

次いで、ボンディング工具を利用してデバイス基板を被接続基板に実装して、第1配線接続と第2配線接続部とを電気的に接続するボンディング工程を行う。
まず、ボンディング工具をデバイス基板の所定位置にあてがった後、異方導電性ペーストを加熱すると共にボンディング工具によりデバイス基板を被接続基板に対して加圧しながら押し付ける。すると、異方導電性ペーストは、押し潰されてデバイス基板と被接続基板との間で流動しながら拡がり、その後硬化する。この際、異方導電性ペーストに含まれる導電性粒子が、第1配線接続部の端子部と第2配線接続部の端子部との間で接触し合うので、両配線接続部を導通させる。その結果、第1配線接続部と第2配線接続部とを電気的に接続することができる。
Next, a bonding process is performed in which the device substrate is mounted on the substrate to be connected using a bonding tool, and the first wiring connection and the second wiring connection portion are electrically connected.
First, after applying the bonding tool to a predetermined position of the device substrate, the anisotropic conductive paste is heated and the device substrate is pressed against the connected substrate while being pressed by the bonding tool. Then, the anisotropic conductive paste is crushed and spread while flowing between the device substrate and the connected substrate, and then cured. At this time, since the conductive particles contained in the anisotropic conductive paste come into contact with each other between the terminal part of the first wiring connection part and the terminal part of the second wiring connection part, both wiring connection parts are made conductive. As a result, the first wiring connection portion and the second wiring connection portion can be electrically connected.

特に、異方導電性ペーストは、塗布工程時にボンディング工具の中心軸線から最頂点中心が横にずれるように塗布されている。そのため、導電性粒子が最も多く存在する領域が、ボンディング工具の中心軸線から横にずれた状態となっている。よって、ボンディング工程時に両基板の間で異方導電性ペーストが押し潰されると、導電性粒子が最も多く存在する領域の一部がボンディング工具の中心軸線に向かって流動する。従って、従来とは異なり、ボンディング工具で加圧される加圧領域内にできるだけ多くの導電性粒子を集中的に残すこと(存在させること)ができる。つまり、導通に寄与する導電性粒子をできるだけ多く加圧領域、即ち、接続領域内に留めておくことができる。   In particular, the anisotropic conductive paste is applied such that the center of the highest vertex is shifted laterally from the central axis of the bonding tool during the application process. Therefore, the region where the most conductive particles are present is shifted laterally from the central axis of the bonding tool. Therefore, when the anisotropic conductive paste is crushed between both substrates during the bonding process, a part of the region where the most conductive particles exist flows toward the central axis of the bonding tool. Therefore, unlike the prior art, as many conductive particles as possible can be concentrated (exist) in the pressurizing region pressed by the bonding tool. That is, as many conductive particles that contribute to conduction can be kept in the pressure region, that is, the connection region.

従って、両基板を従来よりも遥かに導通性良くOLB接続することができ、接続の信頼性を向上することができる。しかも、異方導電性ペーストの量や、異方導電性ペーストに含まれる導電性粒子の比率を変えずに、導通に寄与する導電性粒子の数だけを増やすことができ、導通性を高めることができる。   Therefore, the OLB connection between the two substrates can be performed with much higher conductivity than in the past, and the connection reliability can be improved. Moreover, without changing the amount of anisotropic conductive paste and the ratio of conductive particles contained in the anisotropic conductive paste, it is possible to increase only the number of conductive particles that contribute to conduction, thereby improving conductivity. Can do.

(2)本発明に係るデバイス実装方法は、上記本発明のデバイス実装方法において、前記ボンディング工程時に前記異方導電性ペーストを前記中心軸線に向けて流動させる流動規制部を、前記被接続基板に予め形成しておくことを特徴とする。 (2) The device mounting method according to the present invention is the device mounting method according to the present invention, wherein a flow regulating portion that causes the anisotropic conductive paste to flow toward the central axis during the bonding step is provided on the connected substrate. It is characterized by being formed in advance.

この発明に係るデバイス実装方法においては、ボンディング工程時にデバイス基板と被接続基板との間で異方導電性ペーストが押し潰されると、該異方導電性ペーストは流動規制部によって全体的に中心軸線に向かって流動する。従って、導電性粒子が最も多く存在する領域のほぼ全体がボンディング工具の中心軸線に向かって流動する。従って、ボンディング工具で加圧される加圧領域内にさらに多くの導電性粒子を集中的に残すことができる。よって、導通性をさらに高めて接続の信頼性をより向上することができる。   In the device mounting method according to the present invention, when the anisotropic conductive paste is crushed between the device substrate and the connected substrate during the bonding step, the anisotropic conductive paste is entirely center axis by the flow restricting portion. It flows toward. Accordingly, almost the entire region where the most conductive particles are present flows toward the central axis of the bonding tool. Therefore, a larger number of conductive particles can be intensively left in the pressurization region pressed by the bonding tool. Therefore, the continuity can be further improved and the connection reliability can be further improved.

(3)本発明に係る液滴吐出ヘッドは、上記本発明のデバイス実装方法で得られた前記デバイス基板及び前記被接続基板と、前記第1配線接続部に電気的に接続された状態で前記デバイス基板に実装された駆動デバイスと、前記第2配線接続部に電気的に接続された状態で前記被接続基板に実装され、作動時に該基板を変位させる駆動素子と、前記被接続基板の下面側に配設され、液滴を吐出するノズル開口が形成されたノズル基板と、該ノズル基板と前記被接続基板との間に挟まれた状態で両基板に接合され、前記被接続基板の変位に伴って前記液滴を吐出させるための圧力を発生させる圧力発生室を両基板の間に形成させる流路形成基板と、を備えていることを特徴とする。 (3) The liquid droplet ejection head according to the present invention includes the device substrate and the connected substrate obtained by the device mounting method of the present invention, and the electrical connection to the first wiring connection portion. A driving device mounted on the device substrate; a driving element mounted on the connected substrate in a state of being electrically connected to the second wiring connection portion; and displacing the substrate during operation; and a lower surface of the connected substrate Displacement of the connected substrate, which is disposed on the side and bonded to both substrates in a state of being sandwiched between the nozzle substrate and the connected substrate, in which a nozzle opening for discharging droplets is formed And a flow path forming substrate for forming a pressure generating chamber for generating a pressure for discharging the droplet between the two substrates.

この発明に係る液滴吐出ヘッドにおいては、デバイス基板に実装された駆動デバイスと、被接続基板に実装された駆動素子とが、第1配線接続部及び第2配線接続部の接続によって電気的に接続されている。駆動デバイスの指示に基づいて駆動素子が作動すると、被接続基板が変位する。すると、圧力発生室内に液滴を吐出させるための圧力が発生する。これにより、ノズル開口から液滴を吐出することができる。
特に、導通性が高く接続の信頼性が向上したデバイス基板及び被接続基板を備えているので、作動の信頼性が高く高品質な液滴吐出ヘッドとすることができる。
In the droplet discharge head according to the present invention, the drive device mounted on the device substrate and the drive element mounted on the connected substrate are electrically connected by the connection of the first wiring connection portion and the second wiring connection portion. It is connected. When the drive element is activated based on an instruction from the drive device, the connected substrate is displaced. As a result, a pressure is generated for discharging the droplets into the pressure generating chamber. Thereby, a droplet can be discharged from a nozzle opening.
In particular, since the device substrate and the connected substrate having high conductivity and improved connection reliability are provided, a high-quality droplet discharge head with high operation reliability can be obtained.

(4)本発明に係る液滴吐出装置は、上記本発明の液滴吐出ヘッドを備えていることを特徴とする。 (4) A droplet discharge apparatus according to the present invention includes the droplet discharge head according to the present invention.

この発明に係る液滴吐出装置においては、作動の信頼性が高く高品質な液滴吐出ヘッドを備えているので、同様に作動の信頼性を高めて高品質化を図ることができる。   Since the droplet discharge device according to the present invention includes the droplet discharge head having high operation reliability and high quality, the operation reliability can be similarly improved and the quality can be improved.

本発明に係るデバイス実装方法によれば、異方導電性ペーストを利用して、導通に寄与する導電性粒子をデバイス基板と被接続基板との間の加圧領域に集中的に集めながら両基板をOLB接続することができ、導通性を高めて接続の信頼性を向上することができる。
また、本発明に係る液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置によれば、作動の信頼性を高めて高品質化を図ることができる。
According to the device mounting method of the present invention, the anisotropic conductive paste is used to concentrate both conductive particles contributing to conduction in the pressure region between the device substrate and the connected substrate while concentrating on both substrates. Can be OLB connected, and the continuity can be improved to improve the connection reliability.
Further, according to the droplet discharge head and the droplet discharge device according to the present invention, it is possible to improve the reliability of the operation and improve the quality.

本発明に係る液滴吐出ヘッドの一実施形態を示す外観斜視図である。1 is an external perspective view showing an embodiment of a droplet discharge head according to the present invention. 図1に示す液滴吐出ヘッドの分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the droplet discharge head shown in FIG. 図1に示す液滴吐出ヘッドをノズル開口側から見た斜視図の一部破断図である。FIG. 2 is a partially cutaway perspective view of the droplet discharge head shown in FIG. 1 as viewed from the nozzle opening side. 図1に示す断面矢視A−A図である。It is a cross-sectional arrow AA figure shown in FIG. 図4に示すフレキシブル基板と振動板とをOLB接続した部分を拡大した断面図である。FIG. 5 is an enlarged cross-sectional view of a portion where the flexible substrate and the diaphragm shown in FIG. 4 are OLB-connected. フレキシブル基板の平面図である。It is a top view of a flexible substrate. 図1に示す液滴吐出ヘッドを製造する際のフローチャートである。3 is a flowchart for manufacturing the droplet discharge head shown in FIG. 1. 図1に示す液滴吐出ヘッドを製造する際の一工程図であって、振動板のリード電極の端子部上に異方導電性ペーストを塗布した後、ボンディング工具でフレキシブル基板を加圧する直前の状態を示す図である。FIG. 2 is a process diagram when manufacturing the droplet discharge head shown in FIG. 1, just after applying an anisotropic conductive paste on a terminal portion of a lead electrode of a diaphragm and immediately before pressing a flexible substrate with a bonding tool. It is a figure which shows a state. 本発明に係る液滴吐出装置の一実施形態を示す斜視図である。It is a perspective view showing one embodiment of a droplet discharge device concerning the present invention. 図1に示す液滴吐出ヘッドを製造する際の一工程図であって、図8とは異なる位置に異方導電性ペーストを塗布した状態を示す図である。FIG. 9 is a process diagram when manufacturing the droplet discharge head shown in FIG. 1, and shows a state where an anisotropic conductive paste is applied to a position different from FIG. 8. 従来のOLB接続を示す図であって、被接続基板上に異方導電性ペーストを塗布した後、ボンディング工具でデバイス基板を加圧する直前の状態を示す図である。It is a figure which shows the conventional OLB connection, Comprising: After apply | coating anisotropic conductive paste on a to-be-connected board | substrate, it is a figure which shows the state just before pressurizing a device board | substrate with a bonding tool. 図11に示す状態の後、異方導電性ペーストにより両基板をOLB接続した状態を示す図である。It is a figure which shows the state which carried out OLB connection of both board | substrates with the anisotropic conductive paste after the state shown in FIG.

(液滴吐出ヘッド)
以下、本発明に係る液滴吐出ヘッドの一実施形態を、図1から図8を参照して説明する。なお、本実施形態では、XYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。この際、液滴吐出ヘッドの短手方向(ノズルの配列方向)をX軸方向、液滴吐出ヘッドの長手方向(X軸方向と直交する方向)をY軸方向、液滴吐出ヘッドの厚さ方向(即ち、X軸方向及びY軸方向のそれぞれに直交する方向)をZ軸方向とする。
(Droplet ejection head)
Hereinafter, an embodiment of a droplet discharge head according to the present invention will be described with reference to FIGS. In the present embodiment, an XYZ orthogonal coordinate system is set, and the positional relationship of each member will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. At this time, the transverse direction of the droplet discharge head (arrangement direction of the nozzles) is the X-axis direction, the longitudinal direction of the droplet discharge head (direction perpendicular to the X-axis direction) is the Y-axis direction, and the thickness of the droplet discharge head A direction (that is, a direction orthogonal to each of the X-axis direction and the Y-axis direction) is defined as a Z-axis direction.

本実施形態の液滴吐出ヘッド1は、図1及び図2に示すように、ドライバIC(駆動デバイス)20が実装されたフレキシブル基板(デバイス基板)21と、圧電素子(駆動素子)22が実装され、この圧電素子22の作動時に変位する振動板(被接続基板)23と、この振動板23の上面に接合されたリザーバ形成基板24と、このリザーバ形成基板24の上面に接合されたケース部材25と、振動板23の下面側に配設され、液滴を吐出するノズル開口26が形成されたノズル基板27と、このノズル基板27と振動板23との間に挟まれた状態で接合された流路形成基板28と、を備えた基体1Aを主体に構成されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the droplet discharge head 1 of the present embodiment is mounted with a flexible substrate (device substrate) 21 on which a driver IC (drive device) 20 is mounted and a piezoelectric element (drive element) 22. A vibration plate (connected substrate) 23 that is displaced when the piezoelectric element 22 is operated, a reservoir forming substrate 24 bonded to the upper surface of the vibration plate 23, and a case member bonded to the upper surface of the reservoir forming substrate 24. 25 and a nozzle substrate 27 disposed on the lower surface side of the vibration plate 23 and formed with a nozzle opening 26 for discharging droplets, and bonded between the nozzle substrate 27 and the vibration plate 23. The main body 1A provided with the flow path forming substrate 28 is mainly configured.

なお、図1は液滴吐出ヘッド1を示す外観斜視図であり、図2は液滴吐出ヘッド1の分解斜視図である。また、本実施形態では、1つの基体1Aにより液滴吐出ヘッド1を構成した場合を例に挙げて説明するが、複数の基体1Aをユニット化することで液滴吐出ヘッドを構成しても構わない。   FIG. 1 is an external perspective view showing the droplet discharge head 1, and FIG. 2 is an exploded perspective view of the droplet discharge head 1. In this embodiment, the case where the droplet discharge head 1 is configured by one substrate 1A will be described as an example. However, the droplet discharge head may be configured by unitizing a plurality of substrates 1A. Absent.

以下、各上述した各構成品について、詳細に説明する。
まず、ケース部材25は、ステンレス等の金属材料によって形成されており、液滴吐出ヘッド1を、例えば液滴吐出装置に搭載する際の取付部材として利用されるものである。
ノズル基板27は、例えば、ステンレスやガラスセラミックスによって構成された基板であり、図3に示すように、この基板27を貫通する貫通孔であって機能液の液滴を吐出するノズル開口26が複数形成されている。なお、図3は、液滴吐出ヘッド1をノズル開口26側から見た斜視図の一部破断図である。
Hereinafter, each of the above-described components will be described in detail.
First, the case member 25 is formed of a metal material such as stainless steel, and is used as an attachment member when the droplet discharge head 1 is mounted on, for example, a droplet discharge device.
The nozzle substrate 27 is a substrate made of, for example, stainless steel or glass ceramics. As shown in FIG. 3, the nozzle substrate 27 is a through-hole penetrating the substrate 27 and has a plurality of nozzle openings 26 for discharging functional liquid droplets. Is formed. FIG. 3 is a partially cutaway perspective view of the droplet discharge head 1 as viewed from the nozzle opening 26 side.

この際、Y軸方向に複数並んで形成されたノズル開口26によって、第1から第4のノズル開口群26A〜26Dが構成されている。
なお、第1ノズル開口群26Aと第2ノズル開口群26BとはX軸方向に関して対向配置され、第3ノズル開口群26Cと第4ノズル開口群26DとはX軸方向に関して対向配置されている。そして、第3ノズル開口群26Cが第1ノズル開口群26Aに対してY軸方向で隣り合うように形成され、第4ノズル開口群26Dが第2ノズル開口群26Bに対してY軸方向で隣り合うように形成されている。
At this time, the first to fourth nozzle opening groups 26 </ b> A to 26 </ b> D are configured by a plurality of nozzle openings 26 formed side by side in the Y-axis direction.
The first nozzle opening group 26A and the second nozzle opening group 26B are arranged to face each other in the X axis direction, and the third nozzle opening group 26C and the fourth nozzle opening group 26D are arranged to face each other in the X axis direction. The third nozzle opening group 26C is formed so as to be adjacent to the first nozzle opening group 26A in the Y-axis direction, and the fourth nozzle opening group 26D is adjacent to the second nozzle opening group 26B in the Y-axis direction. It is formed to fit.

また、図3では、第1から第4ノズル開口群26A〜26Dがそれぞれ6個のノズル開口26によって構成されているように図示しているが、実際には、例えば720個程度のノズル開口26が形成されている。   In FIG. 3, the first to fourth nozzle opening groups 26 </ b> A to 26 </ b> D are illustrated as being configured by six nozzle openings 26, but actually, for example, about 720 nozzle openings 26. Is formed.

流路形成基板28は、例えば、剛体であるシリコン単結晶によって形成された基板であり、複数の隔壁30が流路形成基板28の母材であるシリコン単結晶基板を異方性エッチングすることで形成されている。
この流路形成基板28の下面には、例えば接着剤や熱溶着フィルム等を介して上述したノズル基板27が固定されている。同様に、流路形成基板28の上面には、例えば接着剤や熱溶着フィルム等を介して振動板23が固定されている。
The flow path forming substrate 28 is a substrate formed of, for example, a rigid silicon single crystal, and a plurality of partition walls 30 anisotropically etch the silicon single crystal substrate that is the base material of the flow path forming substrate 28. Is formed.
The above-described nozzle substrate 27 is fixed to the lower surface of the flow path forming substrate 28 via, for example, an adhesive or a heat welding film. Similarly, the vibration plate 23 is fixed to the upper surface of the flow path forming substrate 28 via, for example, an adhesive or a heat welding film.

また、この流路形成基板28とノズル基板27と振動板23とで囲まれた空間は、ノズル開口26より吐出される機能液が配置され、振動板23の変位に伴って機能液の液滴を吐出させるための圧力を発生させる圧力発生室31となっている。この圧力発生室31は、第1から第4ノズル開口群26A〜26Dのそれぞれを構成する複数のノズル開口26に対応するようにして、Y軸方向に複数並んで形成されている。   In addition, in the space surrounded by the flow path forming substrate 28, the nozzle substrate 27, and the vibration plate 23, the functional liquid discharged from the nozzle opening 26 is arranged, and the liquid droplet of the functional liquid is generated as the vibration plate 23 is displaced. The pressure generating chamber 31 generates a pressure for discharging the water. A plurality of pressure generating chambers 31 are formed side by side in the Y-axis direction so as to correspond to the plurality of nozzle openings 26 constituting each of the first to fourth nozzle opening groups 26A to 26D.

そして、第1ノズル開口群26Aに対応して形成された複数の圧力発生室31によって第1圧力発生室群31Aが構成される。同様に、第2ノズル開口群26BDに対応する複数の圧力発生室31によって第2圧力発生室群31Bが構成され、第3ノズル開口群26Cに対応する複数の圧力発生室31によって第3圧力発生室群31Cが構成され、第4ノズル開口群26Dに対応する複数の圧力発生室31によって第4圧力発生室群31Dが構成されている。
なお、第1圧力発生室群31Aと第2圧力発生室群31BとはX軸方向に関して互いに対向するように配置され、第3圧力発生室群31Cと第4圧力発生室群31DとはX軸方向に関して互いに対向するように配置されている。
The first pressure generating chamber group 31A is configured by the plurality of pressure generating chambers 31 formed corresponding to the first nozzle opening group 26A. Similarly, a second pressure generation chamber group 31B is configured by a plurality of pressure generation chambers 31 corresponding to the second nozzle opening group 26BD, and a third pressure generation is performed by the plurality of pressure generation chambers 31 corresponding to the third nozzle opening group 26C. The chamber group 31C is configured, and the fourth pressure generating chamber group 31D is configured by the plurality of pressure generating chambers 31 corresponding to the fourth nozzle opening group 26D.
The first pressure generation chamber group 31A and the second pressure generation chamber group 31B are arranged so as to face each other in the X-axis direction, and the third pressure generation chamber group 31C and the fourth pressure generation chamber group 31D are X-axis. It arrange | positions so that it may mutually oppose regarding a direction.

第1圧力発生室群31Aを構成する複数の圧力発生室31の一方の端部は、図4に示すように、リザーバ35の一部を構成する供給路35aを介して連通部35bにより互いに連通されている。なお、図4は、図1に示すA−A線矢視断面図である。
この連通部35bは、流路形成基板28に形成された貫通孔であって、後述するリザーバ部35cに接続されている。同様に、第2から第4圧力発生室群31B〜31Dを構成する圧力発生室31の端部も、それぞれ供給路35aを介して連通部35bによって互いに連通されている。
As shown in FIG. 4, one end of the plurality of pressure generating chambers 31 constituting the first pressure generating chamber group 31A communicates with each other by a communicating portion 35b via a supply path 35a constituting a part of the reservoir 35. Has been. FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line AA shown in FIG.
The communication portion 35b is a through hole formed in the flow path forming substrate 28, and is connected to a reservoir portion 35c described later. Similarly, the end portions of the pressure generation chambers 31 constituting the second to fourth pressure generation chamber groups 31B to 31D are also connected to each other by the communication portion 35b via the supply path 35a.

流路形成基板28とリザーバ形成基板24との間に配置された振動板23は、流路形成基板28の上面を覆うように設けられた弾性膜23aと、弾性膜23aの上面に設けられた下電極膜23bとを備えている。
弾性膜23aは、例えば厚さ1〜2μm程度の二酸化シリコンによって形成されており、下電極膜23bは、例えば厚さ0.2μm程度の白金等によって形成されている。なお、本実施形態において、下電極膜23bは複数の圧電素子22に共通する電極となっている。
The vibration plate 23 disposed between the flow path forming substrate 28 and the reservoir forming substrate 24 is provided on the upper surface of the elastic film 23a and an elastic film 23a provided to cover the upper surface of the flow path forming substrate 28. And a lower electrode film 23b.
The elastic film 23a is made of, for example, silicon dioxide having a thickness of about 1 to 2 μm, and the lower electrode film 23b is made of, for example, platinum having a thickness of about 0.2 μm. In the present embodiment, the lower electrode film 23 b is an electrode common to the plurality of piezoelectric elements 22.

ところで、振動板23の上面、具体的に下電極膜23bの上面には、図4及び図5に示すように、リード電極(第2配線接続部)40が形成されている。なお、図5は、図4に示すフレキシブル基板21と振動板23とをOLB接続した部分を拡大した断面図である。このリード電極40は、圧電素子22に対して電気的に接続されている電極であると共に、異方導電性ペーストWを介してフレキシブル基板21の後述する配線パターン61(第1配線接続部)と電気的に接続されている。なお、本実施形態では、リード電極40が圧電素子22を構成する電極としても機能している。   Incidentally, as shown in FIGS. 4 and 5, lead electrodes (second wiring connecting portions) 40 are formed on the upper surface of the diaphragm 23, specifically, the upper surface of the lower electrode film 23 b. 5 is an enlarged cross-sectional view of a portion where the flexible substrate 21 and the diaphragm 23 shown in FIG. 4 are OLB-connected. The lead electrode 40 is an electrode that is electrically connected to the piezoelectric element 22 and is connected to a wiring pattern 61 (first wiring connecting portion) to be described later of the flexible substrate 21 via an anisotropic conductive paste W. Electrically connected. In the present embodiment, the lead electrode 40 also functions as an electrode constituting the piezoelectric element 22.

振動板23を変位させるための圧電素子22は、下電極膜23bの上面に設けられた圧電体膜22aと、この圧電体膜22aの上面に設けられた上電極膜22bと、この上電極膜22bの引出配線である上記リード電極40とで構成されている。
圧電体膜22aは、例えば厚さ1μm程度の金属酸化物によって構成されている。上電極膜22bは、例えば厚さ0.1μm程度の白金等によって構成されている。リード電極40は、例えば厚さ0.1μm程度の金等によって構成されている。なお、リード電極40と下電極膜23bとの間には、絶縁膜(図示略)が設けられている。
The piezoelectric element 22 for displacing the diaphragm 23 includes a piezoelectric film 22a provided on the upper surface of the lower electrode film 23b, an upper electrode film 22b provided on the upper surface of the piezoelectric film 22a, and the upper electrode film. The lead electrode 40 is a lead wire 22b.
The piezoelectric film 22a is made of, for example, a metal oxide having a thickness of about 1 μm. The upper electrode film 22b is made of, for example, platinum having a thickness of about 0.1 μm. The lead electrode 40 is made of, for example, gold having a thickness of about 0.1 μm. An insulating film (not shown) is provided between the lead electrode 40 and the lower electrode film 23b.

圧電素子22は、複数のノズル開口26及び圧力発生室31のそれぞれに対応するように複数設けられている。即ち、圧電素子22は、ノズル開口26ごと(圧力発生室31ごと)に設けられている。そして、上述のように、下電極膜23bが複数の圧電素子22の共通電極として機能し、上電極膜22b及びリード電極40が複数の圧電素子22の個別電極として機能する。   A plurality of piezoelectric elements 22 are provided so as to correspond to each of the plurality of nozzle openings 26 and the pressure generation chamber 31. That is, the piezoelectric element 22 is provided for each nozzle opening 26 (for each pressure generation chamber 31). As described above, the lower electrode film 23 b functions as a common electrode for the plurality of piezoelectric elements 22, and the upper electrode film 22 b and the lead electrode 40 function as individual electrodes for the plurality of piezoelectric elements 22.

また、第1ノズル開口群26Aを構成する各ノズル開口26と対応するようにY軸方向に複数並んで設けられた圧電素子22により、第1圧電素子群22Aが形成される。同様に、第2ノズル開口群26Bと対応する第2圧電素子群22Bが形成され、第3ノズル開口群26Cと対応する第3圧電素子群(図示略)が形成され、第4ノズル開口群26Dと対応する第4圧電素子群(図示略)が形成されている。
これら第1圧電素子群22Aと第2圧電素子群22Bとは、X軸方向において互いに対向するように配置されている。また、第3圧電素子群と第4圧電素子群とは、X軸方向において互いに対向するように配置されている。
In addition, a first piezoelectric element group 22A is formed by a plurality of piezoelectric elements 22 provided side by side in the Y-axis direction so as to correspond to each nozzle opening 26 constituting the first nozzle opening group 26A. Similarly, a second piezoelectric element group 22B corresponding to the second nozzle opening group 26B is formed, a third piezoelectric element group (not shown) corresponding to the third nozzle opening group 26C is formed, and a fourth nozzle opening group 26D. Corresponding to the fourth piezoelectric element group (not shown).
The first piezoelectric element group 22A and the second piezoelectric element group 22B are arranged so as to face each other in the X-axis direction. Further, the third piezoelectric element group and the fourth piezoelectric element group are arranged so as to face each other in the X-axis direction.

リザーバ形成基板24は、例えば流路形成基板28と同一材料であるシリコン単結晶をエッチングすることで形成された基板である。このリザーバ形成基板24は、例えば熱酸化により表面に絶縁膜が形成された状態となっている。なお、リザーバ形成基板24としては、流路形成基板28の熱膨張率とほぼ同一の熱膨張率を有する材料によって形成されていることが好ましく、例えばガラスやセラミックス材料等を用いても良い。   The reservoir forming substrate 24 is, for example, a substrate formed by etching a silicon single crystal that is the same material as the flow path forming substrate 28. The reservoir forming substrate 24 is in a state where an insulating film is formed on the surface by, for example, thermal oxidation. The reservoir forming substrate 24 is preferably formed of a material having a thermal expansion coefficient substantially the same as the thermal expansion coefficient of the flow path forming substrate 28. For example, glass or a ceramic material may be used.

このリザーバ形成基板24には、図4に示すように、連通部35bのそれぞれと対応するリザーバ部35cがY軸方向に延びるように形成されている。このリザーバ部35cと、上述した連通部35b及び供給路35aとによってリザーバ35が構成される。また、このリザーバ形成基板24には、各連通部35bの側壁に接続されて各連通部35bに機能液を導入する導入路41が形成されている。   As shown in FIG. 4, reservoir portions 35c corresponding to the respective communication portions 35b are formed on the reservoir forming substrate 24 so as to extend in the Y-axis direction. The reservoir 35 is configured by the reservoir 35c, the communication portion 35b, and the supply path 35a described above. In addition, the reservoir forming substrate 24 is formed with an introduction path 41 that is connected to the side wall of each communication portion 35b and introduces the functional liquid into each communication portion 35b.

リザーバ形成基板24の上面には、コンプライアンス基板42が接合されている。このコンプライアンス基板42は、封止膜43及び固定板44を備えている。
封止膜43は、例えば厚さ6μm程度のポリフェニレンスルフィドフィルムのような剛性が低く可撓性を有する材料によって形成されている。そして、封止膜43によってリザーバ部35cの上部が封止されている。
A compliance substrate 42 is bonded to the upper surface of the reservoir forming substrate 24. The compliance substrate 42 includes a sealing film 43 and a fixing plate 44.
The sealing film 43 is formed of a material having low rigidity and flexibility, such as a polyphenylene sulfide film having a thickness of about 6 μm. The upper portion of the reservoir portion 35 c is sealed with the sealing film 43.

固定板44は、例えば厚さ30μm程度のステンレス鋼のような金属等の硬質の材料によって形成されている。この固定板44のうち、リザーバ部35cに対応する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部44aとなっている。従って、リザーバ部35cの上部は、可撓性を有する封止膜43のみによって封止されたものとなっている。これにより、内部圧力の変化によって変形可能な可撓部43aとして機能するようになっている。また、コンプライアンス基板42上には、ケース部材25が設けられている。   The fixing plate 44 is made of a hard material such as a metal such as stainless steel having a thickness of about 30 μm. A region of the fixing plate 44 corresponding to the reservoir portion 35c is an opening 44a that is completely removed in the thickness direction. Therefore, the upper portion of the reservoir portion 35c is sealed only by the flexible sealing film 43. Thereby, it functions as a flexible portion 43a that can be deformed by a change in internal pressure. A case member 25 is provided on the compliance substrate 42.

また、リザーバ部35cの外側のコンプライアンス基板42及びケース部材25には、導入路41に連通してリザーバ部35cに機能液を供給するための機能液導入口45が形成されている。通常、機能液導入口45からリザーバ部35cに機能液が供給されると、例えば圧電素子22の駆動時の機能液の流れや周囲の熱等によってリザーバ部35c内に圧力変化が生じる。しかしながら、上述のように、リザーバ部35cの上部が封止膜43のみによって封止された可撓部43aとなっているので、この可撓部43aが撓み変形してその圧力変化を吸収する。従って、リザーバ部35c内は一定の圧力に保持されるようになっている。なお、他の部分は固定板44によって十分な強度に保持されている。また、ケース部材25は、可撓部43aの変形状態を損なわないように可撓部43aに非接触状態で設けられている。   Further, the compliance substrate 42 and the case member 25 outside the reservoir portion 35c are formed with a functional liquid introduction port 45 that communicates with the introduction path 41 and supplies the functional liquid to the reservoir portion 35c. Normally, when the functional liquid is supplied from the functional liquid introduction port 45 to the reservoir section 35c, a pressure change occurs in the reservoir section 35c due to, for example, the flow of the functional liquid at the time of driving the piezoelectric element 22 or ambient heat. However, as described above, since the upper portion of the reservoir portion 35c is the flexible portion 43a sealed only by the sealing film 43, the flexible portion 43a is bent and deformed to absorb the pressure change. Therefore, the inside of the reservoir portion 35c is held at a constant pressure. The other portions are held at a sufficient strength by the fixing plate 44. The case member 25 is provided in a non-contact state with the flexible portion 43a so as not to impair the deformation state of the flexible portion 43a.

リザーバ形成基板24のX軸方向における中央部には、図2に示すようにY軸方向に延びる溝状の開口部46が2つ形成されている。また、図4に示すように、開口部46におけるX軸方向外側の領域には、第1圧電素子群22Aから第4圧電素子群を振動板23との間で封止する第1及び第2封止部50A、50Bと、第3及び第4封止部とが形成されている。
より詳しくは、第1封止部50Aは、第1圧力発生室群31Aに対応する第1圧電素子群22Aを振動板23との間で封止し、第2封止部50Bは第2圧電素子群22Bを封止している。第3封止部及び第4封止部は、図4には図示されていないが、第3及び第4圧電素子群を封止している。
Two groove-shaped openings 46 extending in the Y-axis direction are formed in the central portion of the reservoir forming substrate 24 in the X-axis direction, as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 4, in the region outside the X-axis direction in the opening 46, the first and second piezoelectric elements that seal the first to fourth piezoelectric element groups between the first piezoelectric element group 22 </ b> A and the diaphragm 23. Sealing portions 50A and 50B and third and fourth sealing portions are formed.
More specifically, the first sealing portion 50A seals the first piezoelectric element group 22A corresponding to the first pressure generating chamber group 31A with the diaphragm 23, and the second sealing portion 50B is the second piezoelectric member. The element group 22B is sealed. Although the third sealing portion and the fourth sealing portion are not shown in FIG. 4, they seal the third and fourth piezoelectric element groups.

リザーバ形成基板24のうち、圧電素子22と対向する領域には、圧電素子22の運動を阻害しない程度の空間が確保されており、この空間を密封可能な圧電素子保持部51が形成されている。圧電素子保持部51は、第1及び第2封止部50A、50Bと、第3及び第4封止部と、にそれぞれに形成されており、第1圧電素子群22Aから第4圧電素子群を覆う大きさで形成されている。また、圧電素子22のうち、少なくとも圧電体膜22aは、この圧電素子保持部51内に密封されている。   In the reservoir forming substrate 24, a space that does not hinder the movement of the piezoelectric element 22 is secured in a region facing the piezoelectric element 22, and a piezoelectric element holding portion 51 that can seal this space is formed. . The piezoelectric element holding portion 51 is formed in each of the first and second sealing portions 50A and 50B and the third and fourth sealing portions, and the first piezoelectric element group 22A to the fourth piezoelectric element group. It is formed with the size which covers. Of the piezoelectric elements 22, at least the piezoelectric film 22 a is sealed in the piezoelectric element holding portion 51.

このように、リザーバ形成基板24は、圧電素子22を外部環境から遮断し、圧電素子22を封止するための封止部材としての機能を有している。リザーバ形成基板24で圧電素子22を封止することにより、水分等の外部環境による圧電素子22の破壊を防止することができる。
なお、本実施形態では、圧電素子保持部51の内部を密封した状態としただけであるが、例えば圧電素子保持部51内の空間を真空や、窒素又はアルゴン雰囲気等とすることで圧電素子保持部51内を低湿度に保持することができ、圧電素子22の破壊をより確実に防止することができる。
As described above, the reservoir forming substrate 24 functions as a sealing member for blocking the piezoelectric element 22 from the external environment and sealing the piezoelectric element 22. By sealing the piezoelectric element 22 with the reservoir forming substrate 24, it is possible to prevent the piezoelectric element 22 from being damaged by an external environment such as moisture.
In the present embodiment, the inside of the piezoelectric element holding part 51 is only sealed, but for example, the space in the piezoelectric element holding part 51 is maintained in a vacuum, nitrogen or argon atmosphere, etc. The inside of the part 51 can be kept at a low humidity, and the destruction of the piezoelectric element 22 can be more reliably prevented.

ところで、リザーバ形成基板24のうち開口部46の内周壁24aは、異方導電性ペーストWを利用して振動板23にフレキシブル基板21を実装する際に、異方導電性ペーストWを後述するボンディング工具70の中心軸線Cに向けて流動させる流動規制部として機能する。この点については、後に詳細に説明する。   By the way, the inner peripheral wall 24a of the opening 46 of the reservoir forming substrate 24 is bonded to the anisotropic conductive paste W, which will be described later, when the flexible substrate 21 is mounted on the diaphragm 23 using the anisotropic conductive paste W. It functions as a flow restricting portion that flows toward the central axis C of the tool 70. This point will be described in detail later.

また、第1封止部50Aの圧電素子保持部51によって封止されている圧電素子22のうち、リード電極40の一方の端部は、フレキシブル基板21側の端子部62aに接続される端子部40aとして機能する部分であり、第1封止部50Aの外側まで延び、開口部46によって露出した流路形成基板28上に配置されている。
同様に、第2封止部50Bの圧電素子保持部51によって封止される圧電素子22のうち、リード電極40の一方の端部は、図4及び5に示すように、フレキシブル基板21側の端子部62aに接続される端子部40aとして機能する部分であり、第2封止部50Bの外側まで延び、開口部46によって露出した流路形成基板28上に配置されている。
なお、第3及び第4封止部の圧電素子保持部51によって封止される圧電素子22に関しても同様である。
Of the piezoelectric elements 22 sealed by the piezoelectric element holding part 51 of the first sealing part 50A, one end of the lead electrode 40 is a terminal part connected to the terminal part 62a on the flexible substrate 21 side. This is a portion that functions as 40 a, extends to the outside of the first sealing portion 50 A, and is disposed on the flow path forming substrate 28 exposed by the opening 46.
Similarly, in the piezoelectric element 22 sealed by the piezoelectric element holding part 51 of the second sealing part 50B, one end part of the lead electrode 40 is on the flexible substrate 21 side as shown in FIGS. It is a part that functions as the terminal part 40 a connected to the terminal part 62 a, extends to the outside of the second sealing part 50 B, and is disposed on the flow path forming substrate 28 exposed by the opening 46.
The same applies to the piezoelectric element 22 sealed by the piezoelectric element holding part 51 of the third and fourth sealing parts.

ケース部材25のX軸方向における中央部には、図1及び図2に示すように、Y軸方向に沿って形成される開口部55が形成されている。この開口部55は、少なくともリザーバ形成基板24に形成された開口部46の開口領域を含む大きさとされていると共に、ドライバIC20の保持領域56が切欠状に形成されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, an opening 55 formed along the Y-axis direction is formed at the center of the case member 25 in the X-axis direction. The opening 55 is sized to include at least the opening region of the opening 46 formed in the reservoir forming substrate 24, and the holding region 56 of the driver IC 20 is formed in a notch shape.

ドライバIC20は、例えば回路基板や駆動回路を含む半導体集積回路(IC)を有するドライバICであり、第1から第4ノズル開口群26A〜26Dに応じて4つ設けられている。各ドライバIC20は、4つのフレキシブル基板21A〜21Dの一方の面の所定領域(実装領域)にそれぞれフリップチップ実装されている。この際、ドライバIC20とフレキシブル基板21との間には、図5に示すように、接続強度を高めるための樹脂(接着剤)W1が設けられている。   The driver IC 20 is a driver IC having, for example, a semiconductor integrated circuit (IC) including a circuit board and a driving circuit, and four driver ICs 20 are provided according to the first to fourth nozzle opening groups 26A to 26D. Each driver IC 20 is flip-chip mounted on a predetermined region (mounting region) on one surface of each of the four flexible substrates 21A to 21D. At this time, a resin (adhesive) W1 for increasing the connection strength is provided between the driver IC 20 and the flexible substrate 21 as shown in FIG.

また、このドライバIC20は、図1及び図5に示すように、ケース部材25に形成された開口部55の保持領域56の側壁面56aに放熱性樹脂W2によってモールドされている。これにより、ドライバIC20は、ケース部材25の保持領域56の側壁面56aにリザーバ形成基板24の面方向(XY平面)に対して垂直状態で保持されている。
特に、放熱性樹脂W2を介してドライバIC20がケース部材25に固定されているので、液滴吐出ヘッド1の駆動時にドライバIC20で発生した熱を、放熱性樹脂W2及びケース部材25を介して放熱させることができる。従って、高い放熱特性を得ることができ、ドライバIC20を安定的に動作させることが可能である。
As shown in FIGS. 1 and 5, the driver IC 20 is molded with a heat-dissipating resin W <b> 2 on the side wall surface 56 a of the holding region 56 of the opening 55 formed in the case member 25. Accordingly, the driver IC 20 is held on the side wall surface 56 a of the holding region 56 of the case member 25 in a state perpendicular to the surface direction (XY plane) of the reservoir forming substrate 24.
In particular, since the driver IC 20 is fixed to the case member 25 via the heat-dissipating resin W2, the heat generated by the driver IC 20 when the droplet discharge head 1 is driven is dissipated via the heat-dissipating resin W2 and the case member 25. Can be made. Accordingly, high heat dissipation characteristics can be obtained, and the driver IC 20 can be stably operated.

各フレキシブル基板21は、可撓性を有したフレキシブル回路基板からなるものであり、図6に示すように、フィルム基材60と、フィルム基材60の下面に形成された配線パターン61と、を備えている。なお、図6は、フレキシブル基板21A、21Dの平面図である。
各フレキシブル基板21は、平面視略L字状に形成されており、一端側の端部が一点鎖線Oにて略90度折曲された接続部60aとなっている。そして、各フレキシブル基板21は、この接続部60aを介してリード電極40の端子部40aに接続されるようになっている。
なお、図6においてはフレキシブル基板21A、21Dを図示しているが、フレキシブル基板21B、21Cについては後述する外部信号入力部65の延在方向が反対となる点が異なるだけで、それ以外の構成については同様である。
Each flexible board 21 is made of a flexible circuit board having flexibility. As shown in FIG. 6, a film base 60 and a wiring pattern 61 formed on the lower surface of the film base 60 are provided. I have. FIG. 6 is a plan view of the flexible substrates 21A and 21D.
Each flexible substrate 21 is formed in a substantially L shape in plan view, and has an end portion on one end side that is a connection portion 60 a bent by about 90 degrees along a one-dot chain line O. Each flexible substrate 21 is connected to the terminal portion 40a of the lead electrode 40 through the connection portion 60a.
In FIG. 6, the flexible boards 21 </ b> A and 21 </ b> D are illustrated, but the flexible boards 21 </ b> B and 21 </ b> C are different except that the extension direction of the external signal input unit 65 described later is opposite. The same applies to.

フィルム基材60は、例えば厚さ25μm程度のポリイミドからなる絶縁性のフィルムである。配線パターン61は、銅等の導電性材料からなり、プリント方式により電解メッキやエッチング等の手法によってフィルム基材60上に形成されている。この配線パターン61は、実装されたドライバIC20にそれぞれ電気的に接続される第1配線パターン62、第2配線パターン63及びグランド配線64を備えている。   The film base 60 is an insulating film made of polyimide having a thickness of about 25 μm, for example. The wiring pattern 61 is made of a conductive material such as copper, and is formed on the film substrate 60 by a technique such as electrolytic plating or etching by a printing method. The wiring pattern 61 includes a first wiring pattern 62, a second wiring pattern 63, and a ground wiring 64 that are electrically connected to the mounted driver IC 20, respectively.

第1配線パターン62は、接続部60aに向かって延在するパターンであり、接続部60aにおける一端側がリード電極40の端子部40aに電気的に接続される端子部62aとして機能する。
また、本実施形態の第1配線パターン62は、圧電素子22に対して電気的な接続に寄与しないダミーパターン62bを含んでいる。このダミーパターン62bは、フレキシブル基板21上に実装されるドライバIC20の駆動検査時に用いるものであり、リード電極40に電気的に接続されることがない。そして、このダミーパターン62bは、圧電素子22に対する駆動検査等を行うための検査用のダミーパターンをなすリード電極40に接続されるようになっている。このようなダミーパターン62bは、例えば第1配線パターン62の配列方向における接続部60aの一端側に形成されている。
The first wiring pattern 62 is a pattern extending toward the connection portion 60 a, and one end side of the connection portion 60 a functions as a terminal portion 62 a that is electrically connected to the terminal portion 40 a of the lead electrode 40.
Further, the first wiring pattern 62 of the present embodiment includes a dummy pattern 62 b that does not contribute to electrical connection to the piezoelectric element 22. The dummy pattern 62b is used for driving inspection of the driver IC 20 mounted on the flexible substrate 21 and is not electrically connected to the lead electrode 40. The dummy pattern 62b is connected to the lead electrode 40 that forms a dummy pattern for inspection for performing a driving inspection on the piezoelectric element 22 and the like. Such a dummy pattern 62b is formed on one end side of the connection portion 60a in the arrangement direction of the first wiring patterns 62, for example.

一方、第2配線パターン63及びグランド配線64は、外部コントローラCTと電気的に接続される外部信号入力部65として機能する。そして、外部信号入力部65から入力された外部信号は、第2の配線パターン61を介してドライバIC20へと入力されるようになっている。   On the other hand, the second wiring pattern 63 and the ground wiring 64 function as an external signal input unit 65 that is electrically connected to the external controller CT. An external signal input from the external signal input unit 65 is input to the driver IC 20 via the second wiring pattern 61.

このように構成されたフレキシブル基板21は、図4及び図5に示されるようにリザーバ形成基板24に形成された開口部46及びケース部材25に形成された開口部55内に挿入された状態とされている。これにより、フレキシブル基板21の接続部60aは、異方導電性ペーストWを介して開口部46内に配置されているリード電極40に対してOLB接続されている。その結果、フレキシブル基板21側の配線パターン61を構成する第1配線パターン62の端子部62aと、リード電極40の端子部40aとが、電気的に接続された状態となっている。   The flexible substrate 21 configured as described above is inserted into the opening 46 formed in the reservoir forming substrate 24 and the opening 55 formed in the case member 25 as shown in FIGS. 4 and 5. Has been. Thereby, the connection portion 60 a of the flexible substrate 21 is OLB-connected to the lead electrode 40 disposed in the opening 46 via the anisotropic conductive paste W. As a result, the terminal portion 62a of the first wiring pattern 62 constituting the wiring pattern 61 on the flexible substrate 21 side and the terminal portion 40a of the lead electrode 40 are in an electrically connected state.

(液滴吐出ヘッド1の製造方法)
次に、上述した構成の液滴吐出ヘッド1の製造方法について、図7に示すフローチャートを参照しながら説明する。なお、以下の説明において、フレキシブル基板21を振動板23に対して実装するデバイス実装方法を主に説明し、液滴吐出ヘッド1のうち、ノズル基板27、流路形成基板28、リザーバ形成基板24、ケース部材25、圧電素子22等の製造及び接続、配置作業は既に完了しているものとする。
(Manufacturing method of the droplet discharge head 1)
Next, a method for manufacturing the droplet discharge head 1 having the above-described configuration will be described with reference to the flowchart shown in FIG. In the following description, a device mounting method for mounting the flexible substrate 21 on the diaphragm 23 will be mainly described. Among the droplet discharge heads 1, the nozzle substrate 27, the flow path forming substrate 28, and the reservoir forming substrate 24. It is assumed that the manufacturing, connection, and arrangement of the case member 25, the piezoelectric element 22, and the like have already been completed.

はじめに、フレキシブル基板21を準備する準備工程(S1)を行う。
図6に示したように、フィルム基材60の表面に、端子部62a及びダミーパターン62bを含む第1配線パターン62、第2配線パターン63、グランド配線64等の配線パターン61を形成する。これらは、フィルム基材60上に、プリント方式を用いた電解メッキやエッチング等の手法を用いて形成する。ここで、端子部62aを含む第1配線パターン62は、ノズル開口26同士の間隔(ノズルピッチ)、即ち、圧電素子22同士の間隔に応じて精度良く形成する。
First, a preparation step (S1) for preparing the flexible substrate 21 is performed.
As shown in FIG. 6, the wiring pattern 61 such as the first wiring pattern 62, the second wiring pattern 63, and the ground wiring 64 including the terminal portion 62 a and the dummy pattern 62 b is formed on the surface of the film base 60. These are formed on the film substrate 60 using a technique such as electrolytic plating or etching using a printing method. Here, the first wiring pattern 62 including the terminal portion 62 a is formed with high accuracy according to the interval between the nozzle openings 26 (nozzle pitch), that is, the interval between the piezoelectric elements 22.

そして、第1から第4のフレキシブル基板21A〜21Dに、第1から第4のドライバIC20A〜20Dをそれぞれ実装する。これは、第1から第4のドライバIC20A〜20Dを、第1から第4のフレキシブル基板21A〜21Dのフィルム基材60の一面(フレキシブル基板21の下面)の実装領域(所定領域)にそれぞれフリップチップ実装する。これにより、各ドライバIC20は、配線パターン61に対して電気的に接続される。その後、樹脂W1によって第1から第4のフレキシブル基板21A〜21Dと第1から第4のドライバIC20A〜20Dとをそれぞれ固定する。そして、各フレキシブル基板21を一点鎖線Oにて折り曲げ加工(例えば、プレス加工)を施す。
この時点で、準備工程(S1)が終了する。
Then, the first to fourth driver ICs 20A to 20D are mounted on the first to fourth flexible boards 21A to 21D, respectively. This flips the first to fourth driver ICs 20A to 20D to the mounting region (predetermined region) on one surface of the film base 60 of the first to fourth flexible substrates 21A to 21D (the lower surface of the flexible substrate 21). Mount the chip. Thereby, each driver IC 20 is electrically connected to the wiring pattern 61. Thereafter, the first to fourth flexible boards 21A to 21D and the first to fourth driver ICs 20A to 20D are fixed by the resin W1, respectively. Then, each flexible substrate 21 is subjected to a bending process (for example, a pressing process) along a one-dot chain line O.
At this point, the preparation process (S1) is completed.

次に、図8に示すように、フレキシブル基板21に形成された配線パターン61の端子部62a、又は、振動板23に形成されたリード電極40の端子部40aのいずれかに、導電性粒子Rが含まれた異方導電性ペーストWを所定量塗布する塗布工程(S2)を行う。本実施形態では、リード電極40の端子部40a上に異方導電性ペーストWを塗布する場合を例に挙げて説明する。なお、図8は、リード電極40の端子部40a上に異方導電性ペーストWを塗布した後、リード電極40上にフレキシブル基板21を対向配置させた状態を示す図である。   Next, as shown in FIG. 8, the conductive particles R are placed on either the terminal portion 62 a of the wiring pattern 61 formed on the flexible substrate 21 or the terminal portion 40 a of the lead electrode 40 formed on the diaphragm 23. An application step (S2) of applying a predetermined amount of the anisotropic conductive paste W containing slag is performed. In the present embodiment, the case where the anisotropic conductive paste W is applied onto the terminal portion 40a of the lead electrode 40 will be described as an example. FIG. 8 is a view showing a state in which the flexible substrate 21 is disposed oppositely on the lead electrode 40 after the anisotropic conductive paste W is applied on the terminal portion 40a of the lead electrode 40.

ところで、塗布する際、後のボンディング工程時にフレキシブル基板21側の所定位置にあてがわれるボンディング工具70の中心軸線Cから、塗布後に盛り上がる最頂点中心(塗布中心)Nが一定距離H離間するように、異方導電性ペーストWを塗布する。なお、本実施形態では、異方導電性ペーストWがリザーバ形成基板24の内周壁24a側に寄るように塗布する。   By the way, when applying, the highest vertex center (application center) N that rises after application is separated from the center axis C of the bonding tool 70 applied to a predetermined position on the flexible substrate 21 side in the subsequent bonding step by a certain distance H. Then, an anisotropic conductive paste W is applied. In the present embodiment, the anisotropic conductive paste W is applied so as to approach the inner peripheral wall 24 a side of the reservoir forming substrate 24.

次いで、フレキシブル基板21の端子部62a側を、ケース部材25に形成された開口部55及びリザーバ形成基板24に形成された開口部46内に挿入し、塗布した異方導電性ペーストWを間に挟んで振動板23側のリード電極40の端子部40aに対向するように、振動板23上にフレキシブル基板21を位置させるセット工程(S3)を行う。   Next, the terminal portion 62a side of the flexible substrate 21 is inserted into the opening 55 formed in the case member 25 and the opening 46 formed in the reservoir forming substrate 24, and the applied anisotropic conductive paste W is interposed therebetween. A setting step (S3) is performed in which the flexible substrate 21 is positioned on the vibration plate 23 so as to face the terminal portion 40a of the lead electrode 40 on the vibration plate 23 side.

次いで、ボンディング工具70を利用してフレキシブル基板21を振動板23に実装して、配線パターン61を構成する第1配線パターン62とリード電極40とを電気的に接続するボンディング工程(S4)を行う。この工程について、詳細に説明する。   Next, a bonding step (S4) is performed in which the flexible substrate 21 is mounted on the diaphragm 23 by using the bonding tool 70, and the first wiring pattern 62 and the lead electrode 40 constituting the wiring pattern 61 are electrically connected. . This process will be described in detail.

まず、先端が平坦なボンディング工具70をフレキシブル基板21の所定位置〔接続部60aとして機能するフィルム基材60の上面(配線パターン61が形成されていない側の面)〕にあてがう。そして、異方導電性ペーストWを所定温度に加熱すると共に、ボンディング工具70を矢印B方向に押し下げて、フレキシブル基板21を振動板23に対して加圧しながら押し付ける。すると、異方導電性ペーストWは、押し潰されてフレキシブル基板21と振動板23との間で流動しながら拡がり、その後、図5に示すように硬化する。この際、異方導電性ペーストWに含まれる導電性粒子Rが、フレキシブル基板21側の端子部62aと振動板23側のリード電極40の端子部40aとの間で接触し合うので、両端子部40a、62aを導通させる。その結果、第1配線パターン62とリード電極40とを電気的に接続することができる。   First, the bonding tool 70 having a flat tip is applied to a predetermined position of the flexible substrate 21 [the upper surface of the film base 60 functioning as the connection portion 60a (the surface on which the wiring pattern 61 is not formed)]. Then, the anisotropic conductive paste W is heated to a predetermined temperature, and the bonding tool 70 is pushed down in the direction of the arrow B to press the flexible substrate 21 against the diaphragm 23 while pressing it. Then, the anisotropic conductive paste W is crushed and spreads while flowing between the flexible substrate 21 and the diaphragm 23, and then hardened as shown in FIG. At this time, the conductive particles R contained in the anisotropic conductive paste W come into contact with each other between the terminal portion 62a on the flexible substrate 21 side and the terminal portion 40a of the lead electrode 40 on the diaphragm 23 side. The parts 40a and 62a are made conductive. As a result, the first wiring pattern 62 and the lead electrode 40 can be electrically connected.

特に、異方導電性ペーストWは、塗布工程(S1)時にボンディング工具70の中心軸線Cから最頂点中心Nが一定距離Hだけ横(内周壁24a側)にずれるように塗布されている。そのため、導電性粒子Rが最も多く存在する領域が、ボンディング工具70の中心軸線Cから横にずれた状態となっている。よって、ボンディング工程時に異方導電性ペーストWが押し潰されると、導電性粒子Rが最も多く存在する領域がボンディング工具70の中心軸線Cに向かって流動する。しかも、本実施形態では、内周壁24a側にずれた位置に異方導電性ペーストWが塗布されているので、押し潰されると、内周壁24aによって異方導電性ペーストWが全体的に中心軸線Cに向かって流動する。
従って、導電性粒子Rが最も多く存在する領域のほぼ全体がボンディング工具70の中心軸線Cに向かって流動する。
但し、異方導電性ペーストWの若干量は、フレキシブル基板21と内周壁24aとの間の若干の隙間に毛細管現象等によって入り込んだ状態となる。
In particular, the anisotropic conductive paste W is applied such that the center of the highest vertex N is shifted laterally (on the inner peripheral wall 24a side) by a certain distance H from the central axis C of the bonding tool 70 during the application step (S1). Therefore, the region where the most conductive particles R are present is shifted laterally from the central axis C of the bonding tool 70. Therefore, when the anisotropic conductive paste W is crushed during the bonding process, the region where the conductive particles R are most present flows toward the central axis C of the bonding tool 70. In addition, in the present embodiment, since the anisotropic conductive paste W is applied at a position shifted toward the inner peripheral wall 24a, the anisotropic conductive paste W is entirely removed from the central axis by the inner peripheral wall 24a when crushed. It flows toward C.
Accordingly, almost the entire region where the most conductive particles R are present flows toward the central axis C of the bonding tool 70.
However, a slight amount of the anisotropic conductive paste W enters a slight gap between the flexible substrate 21 and the inner peripheral wall 24a due to a capillary phenomenon or the like.

従って、従来とは異なり、ボンディング工具70で加圧される領域内にできるだけ多くの導電性粒子Rを集中的に残すこと(存在させること)ができる。つまり、導通に寄与する導電性粒子Rをできるだけ多く加圧領域、即ち、接続領域内に留めておくことができる。よって、フレキシブル基板21と振動板23とを、従来よりも遥かに導通性良くOLB接続することができ、接続の信頼性を向上することができる。しかも、異方導電性ペーストWの量や、異方導電性ペーストWに含まれる導電性粒子Rの比率を変えずに、導通に寄与する導電性粒子Rの数だけを増やすことができ、導通性を高めることができる。   Therefore, unlike the prior art, as many conductive particles R as possible can be concentrated (exist) in the region pressed by the bonding tool 70. That is, it is possible to keep as many conductive particles R that contribute to conduction as possible in the pressure region, that is, the connection region. Therefore, the flexible substrate 21 and the diaphragm 23 can be OLB-connected with much better conductivity than the conventional one, and the connection reliability can be improved. Moreover, without changing the amount of the anisotropic conductive paste W and the ratio of the conductive particles R contained in the anisotropic conductive paste W, only the number of conductive particles R contributing to conduction can be increased. Can increase the sex.

上述したように本実施形態のデバイス実装方法によれば、異方導電性ペーストWを利用して、導通に寄与する導電性粒子Rをフレキシブル基板21と振動板23との間の加圧領域に集中的に集めながらOLB接続することができ、導通性を高めて接続の信頼性を向上することができる。   As described above, according to the device mounting method of the present embodiment, using the anisotropic conductive paste W, the conductive particles R that contribute to conduction are applied to the pressure region between the flexible substrate 21 and the diaphragm 23. OLB connection can be performed while concentrating, and the continuity can be improved to improve the connection reliability.

なお、本実施形態ではフレキシブル基板21の端子部62aとリード電極40の端子部40aとを電気的接続するのと同時に、ドライバIC20をケース部材25に固定する。具体的には、予めケース部材25の側壁面56aに放熱性樹脂W2を塗布しておく。これにより、上述したOLB接続と同時に、この放熱性樹脂W2を利用してドライバIC20をケース部材25に固定することができ、ドライバIC20の放熱性を良好なものとすることができる。
なお、放熱性樹脂W2は、フレキシブル基板21の端子部62aがリード電極40の端子部40aに確実に接続されるまでは硬化させないでおく。これによって、フレキシブル基板21の端子部62aとリード電極40の端子部40aとを良好に接続することができる。
In the present embodiment, the driver IC 20 is fixed to the case member 25 at the same time as the terminal portion 62a of the flexible substrate 21 and the terminal portion 40a of the lead electrode 40 are electrically connected. Specifically, the heat-dissipating resin W2 is applied to the side wall surface 56a of the case member 25 in advance. Thereby, simultaneously with the OLB connection described above, the driver IC 20 can be fixed to the case member 25 using the heat radiating resin W2, and the heat dissipation of the driver IC 20 can be improved.
The heat-dissipating resin W2 is not allowed to cure until the terminal portion 62a of the flexible substrate 21 is securely connected to the terminal portion 40a of the lead electrode 40. Thereby, the terminal part 62a of the flexible substrate 21 and the terminal part 40a of the lead electrode 40 can be satisfactorily connected.

以上により、液滴吐出ヘッド1を製造することができる。
次に、この液滴吐出ヘッド1を作動させて機能液の液滴を吐出させる場合を簡単に説明する。この場合には、まず、外部信号入力部65を介して外部コントローラCTからドライバIC20に外部信号を入力する。すると、ドライバIC20は、各圧電素子22を作動させる。圧電素子22が作動すると、振動板23が変位し、圧力発生室31内に液滴を吐出させるための圧力が発生する。これにより、ノズル開口26から機能液の液滴を吐出させることができる。
特に、本実施形態の液滴吐出ヘッド1によれば、導通性が高く接続の信頼性が向上したフレキシブル基板21及び振動板23を備えているので、作動の信頼性が高く高品質な液滴吐出ヘッド1とすることができる。
As described above, the droplet discharge head 1 can be manufactured.
Next, the case where the liquid droplet ejection head 1 is operated to eject functional liquid droplets will be briefly described. In this case, first, an external signal is input from the external controller CT to the driver IC 20 via the external signal input unit 65. Then, the driver IC 20 operates each piezoelectric element 22. When the piezoelectric element 22 is actuated, the diaphragm 23 is displaced, and a pressure is generated for ejecting droplets into the pressure generating chamber 31. As a result, functional liquid droplets can be ejected from the nozzle openings 26.
In particular, according to the droplet discharge head 1 of the present embodiment, since the flexible substrate 21 and the diaphragm 23 having high conductivity and improved connection reliability are provided, the droplets have high operation reliability and high quality. The ejection head 1 can be obtained.

(液滴吐出装置)
次に、上述した液滴吐出ヘッド1を備えた本発明に係る液滴吐出装置の一実施形態について、図9を参照して説明する。なお、図9は、液滴吐出装置の概略構成を示す斜視図である。
(Droplet discharge device)
Next, an embodiment of a droplet discharge apparatus according to the present invention provided with the above-described droplet discharge head 1 will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a perspective view showing a schematic configuration of the droplet discharge device.

図9に示すように、本実施形態の液滴吐出装置IJは、液滴吐出ヘッド1と、駆動軸4と、ガイド軸5と、外部コントローラCTと、ステージ7と、クリーニング機構8と、基台9と、ヒータ6と、で主に構成されている。
液滴吐出ヘッド1は、不図示のキャッリッジにケース部材25が固定されることで液滴吐出装置IJに取付けられている。ステージ7は、液滴吐出ヘッド1によって機能液が吐出される基板Pを支持するもので、基板Pを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えたものである。液滴吐出ヘッド1のノズル開口26からは、ステージ7に支持されている基板Pに対し、機能液が吐出されるようになっている。
As shown in FIG. 9, the droplet discharge device IJ of this embodiment includes a droplet discharge head 1, a drive shaft 4, a guide shaft 5, an external controller CT, a stage 7, a cleaning mechanism 8, and a basic mechanism. The base 9 and the heater 6 are mainly configured.
The droplet discharge head 1 is attached to the droplet discharge device IJ by fixing a case member 25 to a carriage (not shown). The stage 7 supports the substrate P from which the functional liquid is discharged by the droplet discharge head 1 and includes a fixing mechanism (not shown) that fixes the substrate P at a reference position. The functional liquid is discharged from the nozzle opening 26 of the droplet discharge head 1 to the substrate P supported by the stage 7.

駆動軸4には、駆動モータ2が接続されている。この駆動モータ2は、ステッピングモータ等からなるもので、外部コントローラCTからY軸方向の駆動信号が供給されると、駆動軸4を回転させるようになっている。駆動軸4が回転すると、液滴吐出ヘッド1はY軸方向に移動する。ガイド軸5は、基台9に対して動かないように固定されている。ステージ7は、駆動モータ3を備えている。この駆動モータ3は、ステッピングモータ等からなるもので、外部コントローラCTからX軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ7をX軸方向に移動するようになっている。   A drive motor 2 is connected to the drive shaft 4. The drive motor 2 is a stepping motor or the like, and rotates the drive shaft 4 when a drive signal in the Y-axis direction is supplied from the external controller CT. When the drive shaft 4 rotates, the droplet discharge head 1 moves in the Y-axis direction. The guide shaft 5 is fixed so as not to move with respect to the base 9. The stage 7 includes a drive motor 3. The drive motor 3 is composed of a stepping motor or the like. When a drive signal in the X-axis direction is supplied from the external controller CT, the stage 7 is moved in the X-axis direction.

外部コントローラCTは、液滴吐出ヘッド1に対して液滴吐出を制御するための電圧を供給する。さらに、この外部コントローラCTは、駆動モータ2に対して液滴吐出ヘッド1のY軸方向への移動を制御する駆動パルス信号を供給すると共に、駆動モータ3に対してステージ7のX軸方向への移動を制御する駆動パルス信号を供給する。   The external controller CT supplies a voltage for controlling droplet ejection to the droplet ejection head 1. Further, the external controller CT supplies a drive pulse signal for controlling the movement of the droplet discharge head 1 in the Y-axis direction to the drive motor 2 and also the drive motor 3 in the X-axis direction of the stage 7. A drive pulse signal for controlling the movement of is supplied.

クリーニング機構8は、液滴吐出ヘッド1をクリーニングするものであって、図示しない駆動モータを備えている。この駆動モータの駆動により、クリーニング機構8はガイド軸5に沿ってX軸方向に移動する。なお、クリーニング機構8の移動も外部コントローラCTにより制御される。ヒータ6は、ここではランプアニールにより基板Pを熱処理する手段であり、基板P上に塗布された機能液に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行うようになっている。このヒータ6の電源の投入及び遮断も、外部コントローラCTによって制御されるようになっている。
そして、液滴吐出装置IJは、液滴吐出ヘッド1と基板Pを支持するステージ7とを相対的に走査しつつ基板Pに対して液滴を吐出する。
The cleaning mechanism 8 cleans the droplet discharge head 1 and includes a drive motor (not shown). By driving the drive motor, the cleaning mechanism 8 moves in the X-axis direction along the guide shaft 5. The movement of the cleaning mechanism 8 is also controlled by the external controller CT. Here, the heater 6 is means for heat-treating the substrate P by lamp annealing, and evaporates and dries the solvent contained in the functional liquid applied on the substrate P. The power on and off of the heater 6 is also controlled by the external controller CT.
The droplet discharge device IJ discharges droplets onto the substrate P while relatively scanning the droplet discharge head 1 and the stage 7 supporting the substrate P.

このように構成された液滴吐出装置IJによれば、作動の信頼性が高く高品質な液滴吐出ヘッド1を備えているので、同様に作動の信頼性を高めて高品質化を図ることができる。
なお、本実施形態において、液滴吐出ヘッド1より吐出される機能液としては、液晶表示デバイスを形成するための液晶表示デバイス形成用材料、有機EL表示デバイスを形成するための有機EL形成用材料、電子回路の配線パターンを形成するための配線パターン形成用材料等を含むものとする。これにより、液滴吐出装置IJは、液滴吐出法に基づいて吐出した機能液によって、前記各デバイスを製造することができる。
According to the droplet discharge device IJ configured as described above, since the high-quality droplet discharge head 1 with high operation reliability is provided, the operation reliability can be similarly improved to improve the quality. Can do.
In this embodiment, the functional liquid discharged from the droplet discharge head 1 includes a liquid crystal display device forming material for forming a liquid crystal display device and an organic EL forming material for forming an organic EL display device. And a wiring pattern forming material for forming a wiring pattern of an electronic circuit. Thereby, the droplet discharge apparatus IJ can manufacture each of the devices with the functional liquid discharged based on the droplet discharge method.

なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。   The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

例えば、上記実施形態では、液滴吐出ヘッド1を一例に挙げ、デバイス実装方法で得られたデバイス基板及び被接続基板を、フレキシブル基板21及び振動板23に適用した場合を説明したが、液滴吐出ヘッド1に限定されるものではない。
異方導電性ペーストWを利用して、第1配線接続部が形成されたデバイス基板を、第2配線接続部が形成された被接続基板に実装する場合であれば、本発明に係るデバイス実装方法を適用することが可能である。
For example, in the above embodiment, the case where the droplet discharge head 1 is taken as an example and the device substrate and the connected substrate obtained by the device mounting method are applied to the flexible substrate 21 and the diaphragm 23 has been described. The present invention is not limited to the ejection head 1.
If the anisotropic conductive paste W is used to mount the device substrate on which the first wiring connection portion is formed on the connected substrate on which the second wiring connection portion is formed, the device mounting according to the present invention will be described. It is possible to apply the method.

また、上記実施形態では、異方導電性ペーストWを塗布する際に、リード電極40の端子部40a側に塗布したが、フレキシブル基板21の端子部62a側に塗布しても構わない。この場合であっても、同様の作用効果を奏することができる。
また、ボンディング工具70の中心軸線Cから一定距離Hだけ横にずらして異方導電性ペーストWを塗布する際に、リザーバ形成基板24の内周壁24a側に寄った位置に塗布したが、図10に示すように、内周壁24aから離れる側に塗布しても構わない。この場合であっても、加圧領域内に導通に寄与する導電性粒子Rをできるだけ多く残すことができ、高い導通性を確保することができる。
Further, in the above embodiment, when the anisotropic conductive paste W is applied, it is applied to the terminal portion 40 a side of the lead electrode 40, but may be applied to the terminal portion 62 a side of the flexible substrate 21. Even in this case, the same effects can be achieved.
Further, when the anisotropic conductive paste W is applied laterally shifted from the central axis C of the bonding tool 70 by a certain distance H, it is applied to a position close to the inner peripheral wall 24a side of the reservoir forming substrate 24. FIG. As shown in FIG. 4, it may be applied to the side away from the inner peripheral wall 24a. Even in this case, it is possible to leave as many conductive particles R that contribute to conduction in the pressurized region as possible, and high conductivity can be ensured.

C…ボンディング工具の中心軸線
N…異方導電性ペーストの最頂点中心
W…異方導電性ペースト
IJ…液滴吐出装置
1…液滴吐出ヘッド
20…ICデバイス(駆動デバイス)
21…フレキシブル基板(デバイス基板)
23…振動板(被接続基板)
22…圧電素子(駆動素子)
24a…内周壁(流動規制部)
26…ノズル開口
27…ノズル基板
28…流路形成基板
31…圧力発生室
40…リード電極(第2配線接続部)
40a…第2配線接続部の端子部
61…配線パターン(第1配線接続部)
62a…第1配線接続部の端子部
70…ボンディング工具
C ... Center axis of bonding tool N ... Center of top of anisotropic conductive paste W ... Anisotropic conductive paste IJ ... Droplet ejection device 1 ... Droplet ejection head 20 ... IC device (drive device)
21 ... Flexible substrate (device substrate)
23 ... Diaphragm (Substrate to be connected)
22 ... Piezoelectric element (drive element)
24a ... Inner wall (flow regulation part)
26 ... Nozzle opening 27 ... Nozzle substrate 28 ... Flow path forming substrate 31 ... Pressure generating chamber 40 ... Lead electrode (second wiring connection portion)
40a ... Terminal portion of second wiring connection portion 61 ... Wiring pattern (first wiring connection portion)
62a ... Terminal part of the first wiring connection part 70 ... Bonding tool

Claims (4)

異方導電性ペーストを利用して、第1配線接続部が形成されたデバイス基板を第2配線接続部が形成された被接続基板に実装して、両配線接続部を電気的に接続するデバイス実装方法であって、
前記第1配線接続部の端子部又は前記第2配線接続部の端子部のいずれかに前記異方導電性ペーストを塗布する塗布工程と、
塗布した前記異方導電性ペーストを間に挟んで、前記第1配線接続部の端子部と前記第2配線接続部の端子部とが対向するように、前記被接続基板上に前記デバイス基板を位置させるセット工程と、
前記異方導電性ペーストを加熱すると共にボンディング工具により前記デバイス基板を前記被接続基板に対して加圧しながら押し付け、前記第1配線接続部の端子部と前記第2配線接続部の端子部とを異方導電性ペーストを介して電気的に接続するボンディング工程と、を備え、
前記塗布工程の際、前記ボンディング工具の中心軸線から、塗布後に盛り上がる最頂点中心が一定距離離間するように異方導電性ペーストを塗布することを特徴とするデバイス実装方法。
A device in which an anisotropic conductive paste is used to mount a device substrate on which a first wiring connection portion is formed on a connected substrate on which a second wiring connection portion is formed, and to electrically connect both wiring connection portions An implementation method,
An application step of applying the anisotropic conductive paste to either the terminal portion of the first wiring connection portion or the terminal portion of the second wiring connection portion;
The device substrate is placed on the to-be-connected substrate so that the terminal portion of the first wiring connection portion and the terminal portion of the second wiring connection portion face each other with the applied anisotropic conductive paste interposed therebetween. A set process to be positioned;
While heating the anisotropic conductive paste and pressing the device substrate against the connected substrate with a bonding tool, the terminal portion of the first wiring connection portion and the terminal portion of the second wiring connection portion are A bonding step of electrically connecting through an anisotropic conductive paste,
In the coating step, the anisotropic conductive paste is coated such that the center of the highest vertex that rises after coating is spaced from the central axis of the bonding tool by a certain distance.
請求項1に記載のデバイス実装方法において、
前記ボンディング工程時に前記異方導電性ペーストを前記中心軸線に向けて流動させる流動規制部を、前記被接続基板に予め形成しておくことを特徴とするデバイス実装方法。
The device mounting method according to claim 1,
A device mounting method, wherein a flow restricting portion that causes the anisotropic conductive paste to flow toward the central axis during the bonding step is formed in advance on the connected substrate.
請求項1又は2に記載のデバイス実装方法で得られた前記デバイス基板及び前記被接続基板と、
前記第1配線接続部に電気的に接続された状態で前記デバイス基板に実装された駆動デバイスと、
前記第2配線接続部に電気的に接続された状態で前記被接続基板に実装され、作動時に該基板を変位させる駆動素子と、
前記被接続基板の下面側に配設され、液滴を吐出するノズル開口が形成されたノズル基板と、
該ノズル基板と前記被接続基板との間に挟まれた状態で両基板に接合され、前記被接続基板の変位に伴って前記液滴を吐出させるための圧力を発生させる圧力発生室を両基板の間に形成させる流路形成基板と、を備えていることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
The device substrate and the connected substrate obtained by the device mounting method according to claim 1 or 2,
A driving device mounted on the device substrate in a state of being electrically connected to the first wiring connecting portion;
A drive element mounted on the connected substrate in a state of being electrically connected to the second wiring connection portion, and displacing the substrate during operation;
A nozzle substrate disposed on the lower surface side of the connected substrate and having a nozzle opening for discharging droplets;
A pressure generating chamber that is bonded to both substrates in a state of being sandwiched between the nozzle substrate and the connected substrate and generates pressure for discharging the liquid droplets in accordance with the displacement of the connected substrate. And a flow path forming substrate formed between the two.
請求項3に記載の液滴吐出ヘッドを備えていることを特徴とする液滴吐出装置。   A droplet discharge apparatus comprising the droplet discharge head according to claim 3.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105599450A (en) * 2014-10-27 2016-05-25 精工爱普生株式会社 Liquid ejecting head and liquid ejecting apparatus
JP2024048290A (en) * 2022-09-27 2024-04-08 シチズンファインデバイス株式会社 Pressure bonding device

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105599450A (en) * 2014-10-27 2016-05-25 精工爱普生株式会社 Liquid ejecting head and liquid ejecting apparatus
EP3015269A3 (en) * 2014-10-27 2016-07-06 Seiko Epson Corporation Liquid ejecting head and liquid ejecting apparatus
US10059106B2 (en) 2014-10-27 2018-08-28 Seiko Epson Corporation Liquid ejecting head and liquid ejecting apparatus
CN105599450B (en) * 2014-10-27 2019-10-29 精工爱普生株式会社 Liquid ejecting head and liquid injection apparatus
JP2024048290A (en) * 2022-09-27 2024-04-08 シチズンファインデバイス株式会社 Pressure bonding device
JP7778050B2 (en) 2022-09-27 2025-12-01 シチズンファインデバイス株式会社 Crimping and bonding equipment

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