JP2010212379A - Electronic component module, and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
【課題】気密性が高く、かつ信頼性の高い電子部品モジュール及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】絶縁体からなる基板2と、基板2の上面にフリップチップ実装されたSAWデバイスチップ10と、基板2の上面に実装されたチップ部品12と、チップ部品12の電極の少なくとも一つとは離間するように、SAWデバイスチップ10とチップ部品12とを封止する封止半田18と、SAWデバイスチップ10、チップ部品12及び封止半田18の上に設けられたリッド16と、チップ部品12の上面とリッド16との間に設けられた絶縁物20と、を具備することを特徴とする電子部品モジュール及びその製造方法。
【選択図】図1An electronic component module having high airtightness and high reliability and a method for manufacturing the same are provided.
A substrate 2 made of an insulator, a SAW device chip 10 flip-chip mounted on the upper surface of the substrate 2, a chip component 12 mounted on the upper surface of the substrate 2, and at least one of electrodes of the chip component 12; Sealing solder 18 for sealing the SAW device chip 10 and the chip component 12, a lid 16 provided on the SAW device chip 10, the chip component 12 and the sealing solder 18, and the chip component And an insulator 20 provided between the upper surface of 12 and the lid 16.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は電子部品モジュール及びその製造方法に関し、特にデバイスチップを基板にフリップチップ実装する電子部品モジュール及びその製造方法に関する。 The present invention relates to an electronic component module and a manufacturing method thereof, and more particularly to an electronic component module in which a device chip is flip-chip mounted on a substrate and a manufacturing method thereof.
近年、電子部品の小型化、低コスト化、高機能化の要求に伴い、基板上にデバイスチップだけでなく、チップインダクタ、チップキャパシタ、及びチップ抵抗等のいわゆるチップ部品も実装し、高集積化を図った電子部品モジュールが利用されている。こうした電子部品モジュールに、異物付着や外部からの水分の浸入等があると、デバイスチップの機能が損なわれることがある。特に、デバイスチップがSAWデバイスチップ(Surface Acoustic Wave:弾性表面波)やFBAR(Film Bulk Acoustic Resonator:薄膜圧電共振器)等の弾性波デバイスである場合、その特性が悪化しやすい。特性悪化を抑制するために、デバイスチップを封止する技術が用いられている。 In recent years, with the demands for electronic components to be smaller, lower cost, and higher functionality, not only device chips but also so-called chip components such as chip inductors, chip capacitors, and chip resistors are mounted on the substrate to achieve high integration. The electronic component module which aimed at is used. If such an electronic component module has adhesion of foreign matter or intrusion of moisture from the outside, the function of the device chip may be impaired. In particular, when the device chip is an acoustic wave device such as a SAW device chip (Surface Acoustic Wave) or an FBAR (Film Bulk Acoustic Resonator), the characteristics are likely to deteriorate. In order to suppress deterioration of characteristics, a technique for sealing a device chip is used.
特許文献1には、基板上にSAWチップとはんだ部品とを混載し、かつ樹脂側壁及び樹脂蓋により封止する技術が開示されている。特許文献2には、基板上にSAWチップとはんだ部品とを混載し、SAWチップのみを樹脂側壁及び樹脂蓋により封止する技術が開示されている。
Patent Document 1 discloses a technique in which a SAW chip and a solder component are mixedly mounted on a substrate and sealed with a resin side wall and a resin lid.
しかしながら、樹脂側壁及び樹脂蓋による封止では気密性が十分ではないため、電子部品モジュールの信頼性が低下する恐れがある。また、樹脂による封止では、外部からの電波による影響等を遮断しにくいため、特に高周波用の電子部品モジュールでは、特性悪化が発生する可能性もある。 However, the sealing with the resin side wall and the resin lid is not sufficiently airtight, so that the reliability of the electronic component module may be reduced. In addition, since sealing with resin makes it difficult to block influences from external radio waves, characteristics deterioration may occur particularly in high frequency electronic component modules.
本発明は、上記課題に鑑み、気密性が高く、かつ信頼性の高い電子部品モジュール及びその製造方法を提供することを目的とする。 In view of the above problems, an object of the present invention is to provide an electronic component module having high airtightness and high reliability and a method for manufacturing the same.
本発明は、絶縁体からなる基板と、前記基板の上面にフリップチップ実装されたデバイスチップと、前記基板の上面に実装されたチップ部品と、前記チップ部品の電極の少なくとも一つとは離間するように、前記デバイスチップと前記チップ部品とを封止する封止半田と、前記デバイスチップ、前記絶縁物及び前記封止半田の上に設けられたリッドと、前記チップ部品の上面と前記リッドとの間に設けられた絶縁物と、を具備することを特徴とする電子部品モジュールである。本発明によれば、気密性が高く、かつ信頼性の高い電子部品モジュールを提供することができる。 The present invention provides a substrate made of an insulator, a device chip flip-chip mounted on the upper surface of the substrate, a chip component mounted on the upper surface of the substrate, and at least one of the electrodes of the chip component. A sealing solder for sealing the device chip and the chip component, a lid provided on the device chip, the insulator and the sealing solder, and an upper surface of the chip component and the lid An electronic component module comprising an insulator provided therebetween. According to the present invention, it is possible to provide an electronic component module having high airtightness and high reliability.
上記構成において、前記絶縁物は前記チップ部品の全面に設けられている構成とすることができる。この構成によれば、チップ部品と、デバイスチップ、リッド及び封止半田とを絶縁することができる。 The said structure WHEREIN: The said insulator can be set as the structure provided in the whole surface of the said chip component. According to this configuration, it is possible to insulate the chip component from the device chip, the lid, and the sealing solder.
上記構成において、前記絶縁物は前記チップ部品の上面に設けられ、前記チップ部品と前記デバイスチップ及び前記封止半田との間には空間が形成されている構成とすることができる。この構成によれば、チップ部品と、デバイスチップ、リッド及び封止半田とを絶縁することができる。 The said structure WHEREIN: The said insulator is provided in the upper surface of the said chip component, It can be set as the structure by which the space is formed between the said chip component, the said device chip, and the said sealing solder. According to this configuration, it is possible to insulate the chip component from the device chip, the lid, and the sealing solder.
上記構成において、前記基板の上面から前記絶縁物の上面までの高さは、前記基板の上面から前記デバイスチップの上面までの高さより高い構成とすることができる。この構成によれば、絶縁物により、チップ部品とリッドとの接触を抑制することができる。また、デバイスチップの上面に封止半田が配置されるため、封止半田がシールドとして機能する。 In the above configuration, the height from the upper surface of the substrate to the upper surface of the insulator may be higher than the height from the upper surface of the substrate to the upper surface of the device chip. According to this configuration, the contact between the chip component and the lid can be suppressed by the insulator. Further, since the sealing solder is disposed on the upper surface of the device chip, the sealing solder functions as a shield.
上記構成において、前記リッドの前記基板と対向する面に設けられた金属膜を具備する構成とすることができる。この構成によれば、金属膜がデバイスチップやチップ部品を保護するシールドとして機能するため、電子部品モジュールの信頼性が向上する。 The said structure WHEREIN: It can be set as the structure which comprises the metal film provided in the surface facing the said board | substrate of the said lid. According to this configuration, since the metal film functions as a shield for protecting the device chip and the chip component, the reliability of the electronic component module is improved.
上記構成において、前記リッドは金属からなる構成とすることができる。この構成によれば、リッドがデバイスチップやチップ部品を保護するシールドとして機能するため、電子部品モジュールの信頼性が向上する。 The said structure WHEREIN: The said lid can be set as the structure which consists of metals. According to this configuration, since the lid functions as a shield for protecting the device chip and the chip component, the reliability of the electronic component module is improved.
上記構成において、前記デバイスチップは弾性波デバイスチップである構成とすることができる。この構成によれば、封止半田により弾性波デバイスチップを気密封止するため、弾性波デバイスチップの特性の悪化を抑制することができる。 In the above configuration, the device chip may be an acoustic wave device chip. According to this configuration, since the acoustic wave device chip is hermetically sealed with the sealing solder, it is possible to suppress deterioration of the characteristics of the acoustic wave device chip.
本発明は、絶縁体からなる基板の上面にデバイスチップをフリップチップ実装する工程と、前記基板の上面にチップ部品を実装する工程と、前記チップ部品の少なくとも上面に絶縁物を設ける工程と、前記チップ部品の電極の少なくとも一つとは離間するように、前記デバイスチップと前記チップ部品とを封止半田により封止する工程と、前記デバイスチップ、前記絶縁物及び前記封止半田の上にリッドを設ける工程と、を有することを特徴とする電子部品モジュールの製造方法である。本発明によれば、気密性が高く、かつ信頼性の高い電子部品モジュールの製造方法を提供することができる。 The present invention includes a step of flip-chip mounting a device chip on an upper surface of a substrate made of an insulator, a step of mounting a chip component on the upper surface of the substrate, a step of providing an insulator on at least the upper surface of the chip component, Sealing the device chip and the chip component with sealing solder so as to be separated from at least one of the electrodes of the chip component; and a lid on the device chip, the insulator, and the sealing solder. And a step of providing the electronic component module. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of an electronic component module with high airtightness and high reliability can be provided.
上記構成において、前記絶縁物を設ける工程は、前記チップ部品の全面に前記絶縁物を設ける工程である構成とすることができる。この構成によれば、チップ部品と、デバイスチップ、リッド及び封止半田とを絶縁することができる。 The said structure WHEREIN: The process of providing the said insulator can be set as the structure which is a process of providing the said insulator on the whole surface of the said chip component. According to this configuration, it is possible to insulate the chip component from the device chip, the lid, and the sealing solder.
上記構成において、前記絶縁物を設ける工程は、前記チップ部品の上面に前記絶縁物を設ける工程であり、前記封止する工程は、前記チップ部品と前記デバイスチップ及び前記封止半田との間に空間が形成されるように封止する工程である構成とすることができる。この構成によれば、チップ部品と、デバイスチップ、リッド及び封止半田とを絶縁することができる。 In the above configuration, the step of providing the insulator is a step of providing the insulator on the top surface of the chip component, and the step of sealing is performed between the chip component and the device chip and the sealing solder. It can be set as the structure which is the process of sealing so that space may be formed. According to this configuration, it is possible to insulate the chip component from the device chip, the lid, and the sealing solder.
上記構成において、前記絶縁物を設ける工程は、前記デバイスチップの上面及び前記基板の上面の周辺部にマスクを設ける工程と、前記マスクの上面、及び前記チップ部品の上面に前記絶縁物を設ける工程と、前記マスクを除去する工程と、を含む構成とすることができる。この構成によれば、簡単な工程により、所望の領域に絶縁物を精度よく形成することができる。 In the above configuration, the step of providing the insulator includes a step of providing a mask around the upper surface of the device chip and the upper surface of the substrate, and a step of providing the insulator on the upper surface of the mask and the upper surface of the chip component. And a step of removing the mask. According to this configuration, the insulator can be accurately formed in a desired region by a simple process.
本発明によれば、気密性が高く、かつ信頼性の高い電子部品モジュール及びその製造方法を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a highly airtight and highly reliable electronic component module and a method for manufacturing the same.
図面を用いて、本発明の実施例について説明する。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1は実施例1に係る電子部品モジュールを例示する断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an electronic component module according to the first embodiment.
図1に示すように、例えばAu等の金属からなるバンプ8を用いて、例えばセラミック等の絶縁体からなる基板2の上面に、SAWデバイスチップ10がフリップチップ実装されている。また、基板2の上面に、例えば二つのチップ部品12が例えばSn−Agからなる半田14を用いて実装されている。SAWデバイスチップ10とチップ部品12とは離間して配置されている。また、二つのチップ部品12は互いに離間して配置されている。バンプ8と基板2の上面に設けられた例えばAu等の金属からなる電極4とは接続されている。また、半田14と電極4とは接続されている。チップ部品12の全面に、例えばエポキシ樹脂等からなる絶縁物20が設けられている。言い換えれば、絶縁物20はチップ部品12の全面を覆っている。また、絶縁物20とチップ部品12の表面とは接触している。
As shown in FIG. 1, a
SAWデバイスチップ10、チップ部品12及び絶縁物20は、例えばSn−Agからなる封止半田18により封止されている。言い換えれば、絶縁物20は、チップ部品12と封止半田18との間に設けられている。封止半田18は、基板2の上面に設けられた例えばAu等の金属からなる封止パターン6に接合されている。SAWデバイスチップ10、絶縁物20及び封止半田18の上には、例えばコバール等の金属からなるリッド16が設けられている。言い換えれば、絶縁物20はチップ部品12とリッド16との間に設けられている。また、基板2とリッド16とは、封止半田18により接合されている。さらに、封止半田18、及びリッド16の表面に例えばNi等の金属からなる保護膜22が設けられている。電極4、バンプ8及び半田14と、封止半田18とは離間している。言い換えれば、SAWデバイスチップ10及びチップ部品12は、封止半田18及びリッド16と電気的に接続されておらず、絶縁している。
The
基板2の上面からSAWデバイスチップ10の上面までの高さH1は例えば0.2mm、基板2の上面からチップ部品12の上面までの高さH2は例えば0.3mmである。また、チップ部品12上における絶縁物20の厚さは例えば数十μmである。
A height H1 from the upper surface of the
次に、実施例1に係る電子部品モジュールの製造方法について説明する。図2(a)から図2(d)は、実施例1に係る電子部品モジュールの製造方法を例示する断面図である。 Next, a method for manufacturing the electronic component module according to the first embodiment will be described. FIG. 2A to FIG. 2D are cross-sectional views illustrating the method for manufacturing the electronic component module according to the first embodiment.
図2(a)に示すように、まず、半田14を用いて基板2の上面に設けられた電極4にチップ部品12を接続する。言い換えれば、基板2の上面にチップ部品12を実装する。
As shown in FIG. 2A, first, the
図2(b)に示すように、次にバンプ8を用いて、基板2の上面に設けられた電極4にSAWデバイスチップ10を実装する。言い換えれば、基板2の上面にSAWデバイスチップ10をフリップチップ実装する。なお、図2(a)の工程と図2(b)の工程とは、順番を入れ替えて実施してもよい。
Next, as shown in FIG. 2B, the
図2(c)に示すように、例えばエポキシ樹脂からなる絶縁物20をチップ部品12の全面に設ける。絶縁物20を設ける工程は例えばポッティング工程により行われる。また、基板2、SAWデバイスチップ10及び絶縁物20の上に封止半田18を配置する。封止半田18のさらに上にはリッド16を配置する。封止半田18を例えば270℃に加熱しながら、封止半田18及びリッド16を加圧する。この工程により、溶解した封止半田18は、封止パターン6上を流動し、SAWデバイスチップ10、チップ部品12及び絶縁物20を封止する。
As shown in FIG. 2C, an
図2(d)に示すように、SAWデバイスチップ10、絶縁物20及び封止半田18の上にリッド16を設ける。図2(d)の工程の後、例えばメッキ法により、封止半田18、及びリッド16の表面に例えばNiからなる保護膜22を形成する。以上の工程により、図1に示すように実施例1に係る電子部品モジュールが完成する。
As shown in FIG. 2D, the
実施例1によれば、SAWデバイスチップ10及びチップ部品12を封止半田18により封止するため、樹脂で封止する場合よりも気密性が高くなる。また、絶縁物20がチップ部品12を覆っているため、チップ部品12と、SAWデバイスチップ10、封止半田18及びリッド16とを絶縁することができる。さらに、封止半田18は、SAWデバイスチップ10及びチップ部品12を外部の電波等から遮蔽するシールドとして機能する。このため、電子部品モジュールの信頼性が向上する。すなわち、実施例1によれば気密性が高く、かつ信頼性の高い電子部品モジュールを実現することができる。
According to the first embodiment, since the
また、リッド16は、金属により形成されているため、シールドとして機能する。従って、樹脂蓋を用いる場合よりも、電子部品モジュールの信頼性が向上する。
Further, since the
実施例1では、ポッティング工程により絶縁物20を設ける。このため、簡単な工程により絶縁物20をチップ部品12の全面に設け、チップ部品12と、SAWデバイスチップ10及び封止半田18とを絶縁することができる。
In Example 1, the
絶縁物20が設けられているため、基板2の上面からチップ部品12の上面までの高さH2が、基板2の上面からSAWデバイスチップ10の上面までの高さH1よりも高い場合でも、チップ部品12とリッド16とが接触することが抑制される。また、SAWデバイスチップ10の上面に封止半田18が配置され、シールドの効果がより高まるため、H2はH1より高いことが好ましい。
Since the
保護膜22は設けられていなくてもよいが、外部からの衝撃や温度から電子部品モジュールを保護するためには、設けられていることが好ましい。また、封止パターン6は半田に対する濡れ性の高い金属により形成することが好ましい。
The
次に、実施例2について説明する。図3は実施例2に係る電子部品モジュールを例示する断面図である。既述した構成と同様の構成については、説明を省略する。 Next, Example 2 will be described. FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating an electronic component module according to the second embodiment. The description of the same configuration as that described above is omitted.
図3に示すように、例えばエポキシ樹脂からなる、例えば厚さT1が数十μmである板状の絶縁物20が、チップ部品12の上面に接して設けられている。次に、実施例2に係る電子部品モジュールの製造方法について説明する。図4(a)及び図4(b)は実施例2に係る電子部品モジュールの製造方法を例示する断面図である。なお、図4(a)以前の工程は、実施例1の図2(a)及び図2(b)に例示した工程と同じである。
As shown in FIG. 3, a plate-
図4(a)に示すように、絶縁物20をチップ部品12の上面に設ける。また、基板2、SAWデバイスチップ10及び絶縁物20の上に封止半田18を配置する。封止半田18のさらに上には、リッド16を配置する。封止半田18を例えば270℃に加熱しながら、封止半田18及びリッド16を加圧する。この工程により、溶解した封止半田18は、封止パターン6上を流動し、SAWデバイスチップ10、チップ部品12及び絶縁物20を封止する。このとき、溶解した封止半田18の表面張力により、チップ部品12及び半田14と、SAWデバイスチップ10及び封止半田18との間には、空間が形成される。また、二つのチップ部品12の間にも、空間が形成される。
As shown in FIG. 4A, the
図4(b)に示すように、SAWデバイスチップ10、絶縁物20及び封止半田18の上にリッド16を設ける。図4(b)の工程の後、例えばメッキ法により、封止半田18、及びリッド16の表面に例えばNiからなる保護膜22を形成する。以上の工程により、図3に例示した実施例2に係る電子部品モジュールが完成する。
As shown in FIG. 4B, the
実施例2によれば、実施例1と同様に、気密性が高く、かつ信頼性の高い電子部品モジュールを実現することができる。また、封止半田18には表面張力が発生するため、封止パターン6の配置を調整することにより、封止半田18がチップ部品12及び半田14に接触しないようにすることができる。すなわち、チップ部品12及び半田14と、SAWデバイスチップ10及び封止半田18との間には、空間が形成される。これにより、絶縁物20がチップ部品12の全面に設けられていない場合でも、チップ部品12と、SAWデバイスチップ10及び封止半田18とを絶縁することができる。
According to the second embodiment, similarly to the first embodiment, an electronic component module having high airtightness and high reliability can be realized. Further, since surface tension is generated in the sealing
絶縁物20は接着剤によりチップ部品12上に固定してもよい。また、粘着性のある材質により絶縁物20を形成し、材質自体の粘着性を用いてチップ部品12上に固定してもよい。
The
次に、実施例3について説明する。図5は実施例3に係る電子部品モジュールを例示する断面図である。既述した構成と同様の構成については、説明を省略する。 Next, Example 3 will be described. FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating an electronic component module according to the third embodiment. The description of the same configuration as that described above is omitted.
図5に示すように、チップ部品12の全面が、例えば厚さT2が数十μmである絶縁物20により覆われている。言い換えれば、絶縁物20は層状に形成されている。次に、実施例3に係る電子部品モジュールの製造方法について説明する。図6(a)から図6(c)は実施例3に係る電子部品モジュールの製造方法を例示する断面図である。なお、なお、図6(a)以前の工程は、実施例1の図2(a)及び図2(b)に例示した工程と同じである。
As shown in FIG. 5, the entire surface of the
図6(a)に示すように、封止パターン6の上面、及びSAWデバイスチップ10の上面にマスク24を設ける。さらに、絶縁物20をチップ部品12の上面、及びマスク24の上面に塗布する。
As shown in FIG. 6A, a
図6(b)に示すように、マスク24を除去する。これにより、封止パターン6及びSAWデバイスチップ10上の絶縁物20は、マスク24とともに除去される。また、チップ部品12上面には絶縁物20が残存する。また、基板2、SAWデバイスチップ10及び絶縁物20の上に封止半田18を配置する。封止半田18のさらに上には、リッド16を配置する。封止半田18を例えば270℃に加熱しながら、封止半田18及びリッド16を加圧する。この工程により、溶解した封止半田18は、封止パターン6上を流動し、SAWデバイスチップ10、チップ部品12及び絶縁物20を封止する。
As shown in FIG. 6B, the
図6(c)に示すように、SAWデバイスチップ10、絶縁物20及び封止半田18の上にリッド16を設ける。図6(c)の工程の後、例えばメッキ法により、封止半田18、及びリッド16の表面に例えばNiからなる保護膜22を形成する。以上の工程により、図5に例示した実施例2に係る電子部品モジュールが完成する。
As shown in FIG. 6C, the
実施例3によれば、実施例1と同様に、気密性が高く、かつ信頼性の高い電子部品モジュールを実現することができる。また、絶縁物20を全体に設けた後、マスク24とともに絶縁物20を封止パターン6の上面、及びSAWデバイスチップ10の上面から除去する。このため、簡単な工程により、所望の領域に絶縁物20を精度よく設けることができる。また、絶縁物20がチップ部品12の全面に設けられるため、チップ部品12と、SAWデバイスチップ10及び封止半田18とを絶縁することができる。絶縁物20は塗布するとしたが、例えばスプレー法等、他の方法により設けてもよい。
According to the third embodiment, similarly to the first embodiment, an electronic component module having high airtightness and high reliability can be realized. Further, after the
次に、実施例4について説明する。図7は実施例4に係る電子部品モジュールを例示する断面図である。既述した構成と同様の構成については、説明を省略する。 Next, Example 4 will be described. FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating an electronic component module according to the fourth embodiment. The description of the same configuration as that described above is omitted.
図7に示すように、例えばエポキシ樹脂等の絶縁体からなるリッド16の基板2と対向する面、より詳細には基板2の上面と対向する面に、例えばコバール等の金属からなる金属膜26が設けられている。
As shown in FIG. 7, for example, a
実施例4に係る電子部品モジュールの製造方法は、金属膜26が設けられたリッド16を用いる以外は、図2(a)から図2(d)に例示したものと同じである。
The manufacturing method of the electronic component module according to the fourth embodiment is the same as that illustrated in FIGS. 2A to 2D except that the
実施例4によれば、リッド16が絶縁体からなる場合でも、リッド16に設けられた金属膜26が、SAWデバイスチップ10及びチップ部品12を外部の電波等から遮蔽するシールドとして機能する。このため、電子部品モジュールの信頼性が向上する。
According to the fourth embodiment, even when the
実施例4は実施例1において、リッド16に金属膜26を設けた例であるが、これに限定されない。すなわち、実施例2または実施例3において、リッド16に金属膜26を設けてもよい。また、金属膜26はリッド16の基板2と対向する面の一部に設けられていればシールドとして機能する。ただし、シールドとしての効果をより高めるには、金属膜26がリッド16の基板2と対向する面の全面に設けられていることが好ましい。
The fourth embodiment is an example in which the
各実施例では、封止半田18はチップ部品12と電気的に接触していないとしたが、チップ部品12の接地電極と接触していてもよい。つまり、封止半田18はチップ部品12の電極の少なくとも一つと離間していればよい。
In each embodiment, the sealing
実施例1、3及び4では絶縁物20がチップ部品12の全面を覆っているのに対し(図1、図5及び図7参照)、実施例2では絶縁物20がチップ部品12の上面に設けられている(図3参照)。すなわち、絶縁物20はチップ部品12の少なくとも上面に設けられていればよい。
In the first, third, and fourth embodiments, the
また、実施例1、3及び4では絶縁物20とリッド16との間に封止半田18が残存している(図1、図5及び図7参照)。これに対し、実施例2では、絶縁物20とリッド16との間に封止半田18が残存していない(図3参照)。封止半田18が残存するかは、リッド16を押圧する力の強さに依存するものである。実施例によれば、絶縁物20とリッド16との間における、封止半田18の有無に関らず、電子部品モジュールの気密性及び信頼性の向上が可能である。
In Examples 1, 3 and 4, the sealing
各実施例では、デバイスチップがSAWデバイスチップである例を示したが、デバイスチップは例えば弾性境界波デバイスチップやFBAR等の弾性波デバイスチップであってもよい。また、デバイスチップは弾性波デバイスチップ以外のデバイスチップでもよい。特に、弾性波デバイスチップの場合、気密封止により、特性の悪化が抑制される。また、基板2に実装されるチップ部品12は二つとしたが、一つでもよいし、また三つ以上でもよい。さらに、二つ以上のデバイスチップを実装してもよい。
In each embodiment, the device chip is an SAW device chip. However, the device chip may be an elastic wave device chip such as a boundary acoustic wave device chip or an FBAR. The device chip may be a device chip other than the acoustic wave device chip. In particular, in the case of an acoustic wave device chip, deterioration of characteristics is suppressed by hermetic sealing. In addition, the number of
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to such specific embodiments, and various modifications and changes can be made within the scope of the gist of the present invention described in the claims. It can be changed.
基板 2
電極 4
封止パターン 6
バンプ 8
SAWデバイスチップ 10
チップ部品 12
半田 14
リッド 16
封止半田 18
絶縁物 20
マスク 24
金属膜 26
Electrode 4
Sealing pattern 6
Bump 8
Sealing
Claims (11)
前記基板の上面にフリップチップ実装されたデバイスチップと、
前記基板の上面に実装されたチップ部品と、
前記チップ部品の電極の少なくとも一つとは離間するように、前記デバイスチップと前記チップ部品とを封止する封止半田と、
前記デバイスチップ、前記チップ部品及び前記封止半田の上に設けられたリッドと、
前記チップ部品の上面と前記リッドとの間に設けられた絶縁物と、
を具備することを特徴とする電子部品モジュール。 A substrate made of an insulator;
A device chip flip-chip mounted on the upper surface of the substrate;
Chip components mounted on the upper surface of the substrate;
Sealing solder for sealing the device chip and the chip component so as to be separated from at least one of the electrodes of the chip component;
A lid provided on the device chip, the chip component and the sealing solder;
An insulator provided between the upper surface of the chip component and the lid;
An electronic component module comprising:
前記基板の上面にチップ部品を実装する工程と、
前記チップ部品の少なくとも上面に絶縁物を設ける工程と、
前記チップ部品の電極の少なくとも一つとは離間するように、前記デバイスチップと前記チップ部品とを封止半田により封止する工程と、
前記デバイスチップ、前記絶縁物及び前記封止半田の上にリッドを設ける工程と、を有することを特徴とする電子部品モジュールの製造方法。 Flip chip mounting a device chip on the top surface of an insulating substrate;
Mounting a chip component on the upper surface of the substrate;
Providing an insulator on at least the upper surface of the chip component;
Sealing the device chip and the chip component with sealing solder so as to be separated from at least one of the electrodes of the chip component;
And a step of providing a lid on the device chip, the insulator and the sealing solder.
前記封止する工程は、前記チップ部品と前記デバイスチップ及び前記封止半田との間に空間が形成されるように封止する工程であることを特徴とする請求項8記載の電子部品モジュールの製造方法。 The step of providing the insulator is a step of providing the insulator on the upper surface of the chip component,
9. The electronic component module according to claim 8, wherein the sealing step is a step of sealing so that a space is formed between the chip component and the device chip and the sealing solder. Production method.
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| JP2009055626A JP2010212379A (en) | 2009-03-09 | 2009-03-09 | Electronic component module, and method of manufacturing the same |
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|---|---|---|---|---|
| JP2012028484A (en) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Panasonic Corp | Module and manufacturing method of the same |
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-
2009
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| JP2017199969A (en) * | 2016-04-25 | 2017-11-02 | 株式会社村田製作所 | Circuit module |
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