JP2010278041A - インプリント用テンプレートの形成方法およびこのテンプレートを用いたインプリント方法 - Google Patents
インプリント用テンプレートの形成方法およびこのテンプレートを用いたインプリント方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010278041A JP2010278041A JP2009125997A JP2009125997A JP2010278041A JP 2010278041 A JP2010278041 A JP 2010278041A JP 2009125997 A JP2009125997 A JP 2009125997A JP 2009125997 A JP2009125997 A JP 2009125997A JP 2010278041 A JP2010278041 A JP 2010278041A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- template
- pattern
- forming
- imprint
- positional deviation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
【課題】パターンの重ね合わせ精度を向上させることが可能なインプリント用テンプレートの形成方法および、この方法により形成されたテンプレートを用いたインプリント方法を提供すること。
【解決手段】基板にパターンを形成することによりテンプレート13を形成する工程と、テンプレート13のパターンの位置ずれを評価する工程と、この評価の結果に基づいて、テンプレート13の側面に、パターンの位置ずれに対応した凹凸を形成する工程と、によって、テンプレート13を形成する。このように形成されたテンプレート13の側面17を、インプリント装置のクランプピン16によってクランプすることにより、パターンの位置ずれが補正されるようにテンプレート13を歪ませてインプリントする。
【選択図】図1
【解決手段】基板にパターンを形成することによりテンプレート13を形成する工程と、テンプレート13のパターンの位置ずれを評価する工程と、この評価の結果に基づいて、テンプレート13の側面に、パターンの位置ずれに対応した凹凸を形成する工程と、によって、テンプレート13を形成する。このように形成されたテンプレート13の側面17を、インプリント装置のクランプピン16によってクランプすることにより、パターンの位置ずれが補正されるようにテンプレート13を歪ませてインプリントする。
【選択図】図1
Description
本発明は、インプリント用テンプレートの形成方法およびインプリント方法に関する。
一般に、半導体デバイスの製造においては、ウエハ表面に微細な回路パターンが形成されるが、このような回路パターンは、ウエハ上に塗布されたレジストに対してフォトリソグラフィによってマスクに形成された回路パターンを転写することにより形成される。
このようなフォトリソグラフィ工程において使用される露光装置は、装置自身のコストが指数関数的に増大していることに加え、使用光波長と同程度の解像度を得るためのマスクの価格が急騰している等の理由により、コストの上昇が問題となっている。この問題を解決するパターン形成技術として、インプリント法が知られている。
一般に、インプリント法とは、形成すべきパターンが形成されたテンプレートを、ウエハ上に形成された樹脂層からなるパターン転写層に押し当てることにより、パターンを転写する方法である。すなわち、インプリント法は、1対1の転写技術である。なお、テンプレートに形成されるパターンは、一般に、基板をEB描画及びエッチングすることにより形成される。
上述したインプリント法は、熱インプリント法と、光インプリント法とに大別される。このうち、熱インプリント法とは、転写層となる樹脂層を熱により融解させ、この樹脂層にテンプレートを押し当てた後、樹脂層を冷却して硬化させることにより、テンプレートのパターンを樹脂層に転写する方法である。また、光インプリント法とは、光硬化性樹脂からなる樹脂層に、ガラス等からなる透明なテンプレートを押し当てた後、樹脂層に紫外線を照射して硬化させることにより、テンプレートのパターンを樹脂層に転写する方法である。
上述したインプリント法では、ウエハ上にパターンを積層する際に、テンプレートに形成されたパターンが1対1でウエハ表面に既に形成されたパターン(以下、ウエハ表面の回路パターンと称す)に対して転写される為に、テンプレート上に形成されたパターンの位置誤差がそのまま重ね合わせ誤差となり、重ね合わせ精度が悪いという問題がある。
例えば、ウエハ表面の第1の回路パターンが、この第1の回路パターン上の絶縁膜に設けられたビアホールを介して絶縁膜上の第2の回路パターンと電気的に接続されて形成される多層配線層を有する半導体装置を製造する場合において、パターンの重ね合わせ精度とは、例えば第1の回路パターンの配線とビアホールとの重ね合わせ精度のことである。重ね合わせ精度が悪い場合、第1の回路パターンの配線上から外れた箇所にビアホールが形成されるといった不都合が生じる。
このような問題に対して、テンプレートを圧縮してテンプレートに形成されたパターンの大きさを補正することにより、テンプレートに形成されたパターンをウエハ表面のパターンの大きさに一致させて樹脂層に転写するインプリント方法が知られている(特許文献1参照)。このインプリント方法によれば、ウエハ表面のパターンと、樹脂層に転写されるパターンとの大きさが一致するため、重ね合わせ精度を向上させることが可能である。
しかし、テンプレート上のパターン形成に用いられるEB描画装置に起因する位置ずれにより、インプリント方法において使用されるテンプレートには、位置ずれを有するパターンが形成される。一方で、ウエハ表面のパターンは、マスク原版をウエハに転写する露光装置により形成される。露光装置の収差によるパターン転写位置誤差や、マスク原版の持つパターン位置精度誤差の理由により、ウエハ表面のパターンは位置ずれを有する。従って、単にテンプレートの圧縮によるパターンの縮小及び、テンプレートのx方向、y方向への位置の補正のみでは、ウエハ表面のパターンと樹脂層に形成されるパターンとの重ね合わせ精度を向上させることは困難であるという問題がある。
本発明は、パターンの重ね合わせ精度を向上させることが可能なインプリント用テンプレート、このテンプレートの形成方法および、パターンの重ね合わせ精度を向上させることが可能なインプリント方法を提供することにある。
本発明のインプリント用テンプレートの形成方法は、基板にパターンを形成することによりテンプレートを形成する工程と、前記パターンの基準位置に対する、前記テンプレートに形成されたパターンの位置ずれを検出する工程と、この検出結果に基づいて、前記テンプレートの面内または周縁部に、前記位置ずれに対応した凹凸を形成する工程と、を具備することを特徴とする方法である。
また、本発明のインプリント用テンプレートの形成方法は、基板にパターンを形成することによりテンプレートを形成する工程と、前記テンプレートが載置されるウエハ表面に形成されたパターンを基準位置として、この基準位置に対する、前記テンプレートに形成されたパターン若しくは、前記テンプレートによって形成されたパターンの位置ずれを検出する工程と、この検出結果に基づいて、前記テンプレートの面内または周縁部に、前記位置ずれに対応した凹凸を形成する工程と、を具備することを特徴とするものである。
また、本発明のインプリント方法は、上述のいずれかのインプリント用テンプレートの形成方法により形成されたテンプレートの側面に圧力を加えることにより、前記テンプレートに形成された前記パターンの位置ずれを補正する工程と、この補正する工程により前記位置ずれが補正された前記テンプレートを用いて、前記ウエハ上に形成された樹脂層にインプリントする工程と、を具備することを特徴とする方法である。
本発明によれば、パターンの重ね合わせ精度を向上させることが可能なインプリント用テンプレートの形成方法および、パターンの重ね合わせ精度を向上させることが可能なインプリント方法を提供することができる。
以下に、本発明の実施の形態に係るインプリント方法について、詳細に説明する。
(第1の実施形態)
まず、本発明の第1の実施形態のインプリント方法について、図1を参照して説明する。
まず、本発明の第1の実施形態のインプリント方法について、図1を参照して説明する。
図1は、第1の実施形態に係るインプリント方法を説明するためのフローチャートである。図1に示されるインプリント方法は、インプリント用テンプレートを所望の外形形状に形成し(S101乃至S104)、この形成されたテンプレートを用いてインプリントする方法(S105乃至S109)である。そこで、初めにS101乃至S104に示されるインプリント用テンプレートの形成方法について、図1、図2A乃至図2Dおよび図3A乃至図3Cを参照して説明し、次に、S105乃至S109に示されるインプリント方法について、図1および図4A乃至図4Gを参照して説明する。
まず、図2Aに示すように、EB描画及びエッチングにより、テンプレートとなる基板であるガラス基板11の中央部12に、パターンを形成することにより、テンプレート13を形成する。そして、この形成されたテンプレート13のパターン位置精度を、インプリント装置とは別の絶対位置計測装置を用いて評価する(S101)。
ガラス基板11の中央部12に形成されるパターンは、例えば回路パターン等の所望のパターンと、位置評価用マーク15とを含む。このうち、位置評価用マーク15は、例えばダイシングラインに対応する領域などの回路パターンが形成されない箇所に、例えば格子状に複数形成されたL字状のパターンである。なお、テンプレート13には、図4Eおよび図4Gにそれぞれ示されるように、第2の基準マーク26−2および、第2のボックス状のマーク27−2も形成されるが、図4E、図4Gの説明以外においては、省略する。
ここでパターン位置精度とは、テンプレート13に形成されたパターン若しくは位置評価用マーク15の絶対位置のずれである。すなわち、テンプレート13に形成されたパターン若しくは位置評価用マーク15の基準位置に対する位置ずれである。具体的には、例えば図2Aに示されるように格子状に孤立パターン14および位置評価用マーク15が形成されたテンプレート13におけるパターン位置精度とは、形成された各孤立パターン14の基準位置14aに対する位置ずれ、若しくは形成された位置評価用マーク15の基準位置15aに対する位置ずれである。
次に、テンプレート13のパターン位置精度の評価結果からパターン位置精度を算出することにより、テンプレート13のパターン位置精度を検出し、検出されたパターン位置精度を補正するパターン位置誤差補正係数を算出する(S102)。
パターン位置精度は、以下のようにして算出される。
例えばS101の工程において、位置評価用マーク15のパターン位置精度を評価した場合において、実際の位置評価用マーク15の座標系における位置を(x´、y´)、位置評価用マーク15の座標系における基準位置を(x、y)とすれば、位置評価用マーク15のパターン位置精度は、(x´−x、y´−y)により算出される。ここで座標系は、例えばテンプレート13上において、パターンが形成された中央部12の左下を原点とした、x軸とy軸とによって張られる座標系とする。
例えばS101の工程において、位置評価用マーク15のパターン位置精度を評価した場合において、実際の位置評価用マーク15の座標系における位置を(x´、y´)、位置評価用マーク15の座標系における基準位置を(x、y)とすれば、位置評価用マーク15のパターン位置精度は、(x´−x、y´−y)により算出される。ここで座標系は、例えばテンプレート13上において、パターンが形成された中央部12の左下を原点とした、x軸とy軸とによって張られる座標系とする。
このように算出されたパターン位置精度は、例えば図2Bに示すように、ベクトルマップとして表示されてもよい。ここで、図2Bに示すベクトルマップは、各位置評価用マーク15のパターン位置精度(xi´−xi、yi´−yi)(但し、iは、それぞれの位置評価用マーク15に対応する)を、ベクトルを用いて表示したものである。すなわち、このベクトルが長いほど、パターン位置精度、すなわち、基準位置15aに対する位置評価用マーク15の位置ずれが大きいことを示す。
なお、上述したベクトルマップは、本実施形態および、第2、第3の実施形態においては、必ずしも表示しなければならないものではない。
また、パターン位置精度を補正するパターン位置誤差補正係数は、以下のようにして算出される。
後述する補正式により補正された後の位置評価用マーク15の位置を(dxi´、dyi´)、位置評価用マーク15のパターン位置精度を(dxi、dyi)とすると(ただし、iは各位置評価用マーク15の評価点を表す。i=0…m)、補正した後の各評価点での誤差、すなわち、補正された位置とパターン位置精度との誤差の自乗和Eは(1)式のように表現される。
ただし、mは、位置精度が評価されたテンプレート13に形成された位置評価用マーク15の数である。
後述する補正式により補正された後の位置評価用マーク15の位置を(dxi´、dyi´)、位置評価用マーク15のパターン位置精度を(dxi、dyi)とすると(ただし、iは各位置評価用マーク15の評価点を表す。i=0…m)、補正した後の各評価点での誤差、すなわち、補正された位置とパターン位置精度との誤差の自乗和Eは(1)式のように表現される。
ここで、各位置評価用マーク15の基準位置(設計上の位置)(xi、yi)および後述する補正係数k1、k2、k3、k4、k5、k6、k7、k11、k12、k13、k19から求められる位置評価用マーク15の位置が補正された後の位置(dxi´、dyi´)は、例えば(2)式に示される補正式によって表現される。
(2)式において、各項の補正係数は、各位置ずれ成分を示す。ここで、k1、k2は、それぞれx方向、y方向の位置ずれ成分、k3、k4は、それぞれx方向、y方向のスケール成分、k5、k6の項は、それぞれ回転ずれ成分を示す。これらの項の係数は、1次成分(線形成分)の補正パラメータであり、ステージの移動によって補正することができる。これに対して、k7は、偏心倍率成分、k11、k12は、それぞれy軸弓なり成分、x軸弓なり成分、k13、k19はそれぞれ3次倍率成分を示す。これらの各項の補正係数は、高次成分(非線形成分)の補正パラメータであり、ステージの移動のみによって補正することはできない位置ずれ成分を示す。
(3)式に示された正規方程式の解法は、例えばLU分解法や、掃き出し法である。
図2Bに示されたパターン位置精度に対して、上述の(3)式によりパターン位置誤差補正係数を算出した場合、各補正係数は、図2Cに示すように算出される。図2Cは、横軸に補正式の各補正係数(kパラメータ)示し、縦軸に各kパラメータに対応した位置ずれ量を示す。図2Cに示す結果が算出された場合、パターン位置精度の主要因は、k11成分の位置ずれ、すなわち、y軸弓なり成分の位置ずれであることがわかる。従って、このk11成分であるy軸弓なり成分の位置ずれを補正することにより、テンプレート13に形成されたパターンのパターン位置精度を小さくすることができる。
なお、k11以外の高次成分(非線形成分)の位置ずれ成分を示すkパラメータと、これに対応したベクトルマップとの関係は、後述の図9A乃至図13Aにそれぞれ示し、以下の説明においては、パターン位置精度の主要因がk11成分、すなわち、最大の補正係数に対応する位置ずれ成分をパターン位置精度の主要因として、この主要因を補正する場合について説明する。しかし、最大の補正係数のみに限らず、予め定めた値以上の複数の補正係数に対応する各位置ずれ成分をパターン位置精度の主要因としてもよい。
次に、算出されたパターン位置誤差補正係数を基にテンプレート13の外形を決定し、テンプレート外形補正量を算出する(S103)。テンプレート13の外形は、パターン位置精度の主要因となる成分が、後に図4Aを参照して説明するように、インプリント装置のクランプピン16によりテンプレート13がクランプされる際に、パターン位置精度の主要因を相殺する方向に応力が加わるような形状に決定される。
例えば、図2Cに示されるように、パターン位置精度の主要因がk11成分であることがわかった場合、テンプレート13の外形は、図2Dに示すように、テンプレート13の四方の側面17のうち、図2Bに示されるベクトルとは反対方向に直交する側面17aおよび、側面17aに対向する側面17bにそれぞれ凹凸を有する形状に決定される。より具体的には、側面17aの中央部に凹部18aを有し、側面17bの中央部には凸部18bを有する形状に決定される。
また、テンプレート13の外形補正量の算出においては、決定されたテンプレート13の形状、テンプレート13の材料および、クランプピン16により加えられる圧力の大きさに基づいて、パターン位置精度の主要因を相殺する大きさの応力が加わるような値が算出される。
例えば、k11=0.05(PPM)なるパターン位置誤差補正係数が算出された場合、図2Dに示すようなテンプレート13の外形形状が決定され、この形状と、テンプレート13の材料とクランプピン16により加えられる圧力の大きさとに基づいて、凹部18aの深さhaおよび、凸部18bの高さhbが、共に500μmであると算出される。
次に、決定されたテンプレート13の形状および、算出されたテンプレート外形補正量に基づいて、テンプレート13の側面17が所望の凹凸形状になるように加工することにより、テンプレート13を形成する(S104)。このようなテンプレート13は、以下のように加工される。
まず、図3Aおよび、図3Aの破線X−X´に沿った断面図である図3Bに示すように、テンプレート13の表面に、保護膜50を全面塗布する。
次に、図3Cに示すように、表面に保護膜50が塗布された状態で、図2Dに示すテンプレート13の形状になるように、テンプレート13の側面17a、17bを研削する。
最後に、保護膜50を除去した後、テンプレート13の表面を硫酸過水液でリンスし、さらに純水でリンスする。
以上のようにテンプレート13は加工される。
以上のようにテンプレート13は加工される。
以上に示すS101乃至S104の工程により、インプリント用テンプレートが形成される。
次に、上述したインプリント用テンプレートの形成方法によって形成されたテンプレート13を用いたインプリント方法について、図1のフローチャート及び図4A乃至図4Gを参照して説明する。
まず、図4Aに示すように、S101乃至S104の工程によって形成されたテンプレート13を、インプリント装置に設けられたクランプピン16により四方の側面17にそれぞれ圧力を加えることによりクランプする(S105)。このとき、クランプピン16がテンプレート13に加えようとする圧力が全て等しく制御された場合であっても、テンプレート13の側面17aの凹部18a以外の箇所および、側面17bに形成された凸部18bには、それぞれ他の箇所よりも大きな圧力がかかる。なお、テンプレート13の側面17aの凹部18aおよび、側面17bの凸部18以外の箇所にも、クランプピン16は接触する。しかし、テンプレート13の側面17aの凹部18aおよび、側面17bの凸部18以外の箇所に加わる圧力は、テンプレート13の側面17aの凹部18a以外の箇所および、側面17bに形成された凸部18bに加えられる圧力に比べて小さいため、図4Bに示されるように弓状に歪み、パターン位置精度の主要因が補正される。
なお、テンプレート13が安定してクランプされれば、テンプレート13の側面17aの凹部18aおよび、側面17bの凸部18以外の箇所には、クランプピン16は接触しなくともよい。
なお、テンプレート13がクランプされる際には、図4Aの破線X−X´に沿った断面図である図4Cに示されるように、クランプピン16によるテンプレート13のクランプと同時に、インプリント装置内の窓29の側部に備えられた吸引管30によってテンプレート13が吸引されることにより、インプリント装置内に装着される。
次に、図4Dに示すように、ウエハ21に既に形成されたウエハ表面のパターン22(下地パターン22)上に酸化膜23を介して、テンプレート13に形成されたパターンが転写される樹脂層であるレジスト24を塗布し、このレジスト24に、パターン位置精度の主要因が補正されたテンプレート13を押し当てる。そして、この状態にてテンプレート13のx方向、y方向の位置を、インプリント装置内のウエハ21が載置されたステージ25を移動させることにより補正する(S106)。
テンプレート13の位置の補正は、図4Eに示すように、ウエハ21上の各ショット位置(テンプレート13を押し当てる位置)毎に4隅に形成されたテンプレート13の基準位置を示す第1の基準マーク26−1と、テンプレート13の4隅に形成された第2の基準マーク26−2とが重なるようにステージ25を図中の矢印の方向に移動させることにより行われる。
次に、レジスト24に紫外線を照射することによりレジスト24を硬化させる(S107)。
次に、図4Fに示すように、硬化されたレジスト24からテンプレート13を取り外すことにより、レジスト24にパターン位置精度の主要因が補正されたパターン28が形成される(S108)。
最後に、レジスト24にパターン28が形成された状態で、合わせ精度検査装置を用いて、ショット位置の合わせ精度を検査することにより、レジスト24に形成されたパターン28の下地パターン22に対する相対位置ずれを評価する。(S109)。
ここで、合わせ精度とは、実際のショット位置と、基準のショット位置との相対位置ずれを意味する。この相対位置ずれの評価は、図4Gに示すように、予めウエハ21上に形成された第1のボックス状のマーク27−1と、テンプレート13によりレジスト24に対してインプリントされた第2のボックス状のマーク27−2とを用いて行われる。
具体的には、第1のボックス状のマークの左辺部27−1aと第2のボックス状のマークの左辺部27−2aとの位置ずれをL1、第1のボックス状のマークの右辺部27−1bと第2のボックス状のマークの左辺部27−2bとの位置ずれをL2、第1のボックス状のマークの下辺部27−1cと第2のボックス状のマークの下辺部27−2cとの位置ずれをR1、第1のボックス状のマークの上辺部27−1dと第2のボックス状のマークの上辺部27−2dとの位置ずれをR2として、合わせ精度(Δx、Δy)を、(4)式により検査する。
以上に示したように、合わせ精度を検査することにより、レジスト24に形成されたパターン28の下地パターン22に対する相対位置ずれが評価される。この相対位置ずれを評価した結果、相対位置ずれが規定の範囲内であれば、インプリント工程を終了する。反対に、規定の範囲外であれば、上述の相対位置ずれを検出して、これを補正する補正係数(以降、アライメント誤差補正係数と称す)を算出し、これを基にS103乃至S109の各工程を、合わせ精度が規定の範囲内に収まるまで繰り返す。
以上のS101乃至S109の工程により、テンプレート13のパターン位置精度が補正された状態で、レジスト24に所望のパターンが形成される。
なお、S105乃至S109の工程におけるインプリント工程は、上述のように実際にパターンが形成されるウエハ21を用いてもよいし、このウエハ21と同様のウエハ表面のパターン22が形成された試験用ウエハを用いてもよい。
上述したように、第1の実施形態に係るインプリント方法によれば、S101乃至S104に示すインプリント用テンプレートの形成方法によって、テンプレート13に形成されたパターンのパターン位置精度が、クランプされる際に補正されるようにテンプレート13が形成される。従って、S105乃至S109に示すインプリント工程において、テンプレート13をクランプする際に、テンプレート13に形成されたパターンのパターン位置精度が補正される。これにより、パターンの重ね合わせ精度を向上させることが可能となる。
(第2の実施形態)
次に、本発明の第2の実施形態のインプリント方法について説明する。
次に、本発明の第2の実施形態のインプリント方法について説明する。
図5は、第2の実施形態に係るインプリント方法を説明するためのフローチャートである。図5に示されるインプリント方法も、インプリント用テンプレートを所望の外形形状に加工し(S201乃至S205)、この加工されたテンプレートを用いてインプリントする方法(S206乃至S210)である。ここで、第2の実施形態のインプリント方法の説明については、主に第1の実施形態のインプリント方法と比較して、テンプレートの形成方法(S201乃至S205)が異なるため、これについて説明する。なお、S206乃至S210に示す第2の実施形態のインプリント方法は、第1の実施形態のインプリント方法と同様であるため、説明を省略する。
第2の実施形態に係るテンプレートの形成方法は、まず、EB描画及びエッチングによりガラス基板11の中央部12に、位置評価用マーク15を含むパターンを形成することによりテンプレート13を形成し、このテンプレート13を用いて、第1の実施形態におけるインプリント工程(S105乃至S108)と同様のインプリント工程を実行する(S201)。
なお、このS201の工程においても、第1の実施形態において説明したように、実際にパターンが形成されるウエハ21を用いてもよいし、このウエハ21と同様のウエハ表面のパターン22が形成された試験用ウエハを用いてもよい。
次に、S201の工程において形成されたレジスト24のパターン28の、ウエハ表面のパターン22(下地パターン22)に対する相対的な位置ずれを評価する(S202)。これは、第1の実施形態におけるS109と同様に行えばよい。すなわち、下地パターン22の位置をレジスト24に形成されたパターン28の基準位置として、第1の実施形態におけるS109と同様の評価を行う。
このように相対的な位置ずれを評価した後は、第1の実施形態において説明したS102乃至S104と同様に、相対的な位置ずれの評価結果に基づいて位置ずれを算出することにより相対的な位置ずれを検出して、アライメント誤差補正係数を算出し(S203)、算出されたアライメント誤差補正係数をもとにテンプレート13の外形を決定して、テンプレート外形補正量を算出し(S204)、この外形補正量に基づいてテンプレート13の外形を加工する(S205)。
以上のS201乃至S205の工程により、インプリント用テンプレートが形成される。
なお、図5のS206乃至S210に示すインプリント工程は、第1の実施形態において説明したS105乃至S109の工程と同様であるため、説明を省略する。
上述したように、第2の実施形態に係るインプリント方法によっても、S201乃至S205に示すインプリント用テンプレートの形成方法によって、テンプレート13に形成されたパターンのパターン位置精度が、クランプされる際に補正されるようにテンプレート13が形成される。従って、S206乃至S210に示すインプリント工程において、テンプレート13をクランプする際に、テンプレート13に形成されたパターンのパターン位置精度が補正される。これにより、パターンの重ね合わせ精度を向上させることが可能となる。
(第3の実施形態)
次に、本発明の第3の実施形態のインプリント方法について説明する。
次に、本発明の第3の実施形態のインプリント方法について説明する。
図6は、第3の実施形態に係るインプリント方法を説明するためのフローチャートである。図6に示されるインプリント方法も、インプリント用テンプレートを所望の外形形状に加工し(S301乃至S305)、この加工されたテンプレートを用いてインプリントする方法(S306乃至S311)である。ここで、第3の実施形態のインプリント方法の説明については、主に上述した第1、第2の実施形態のインプリント方法と比較して、テンプレートの形成方法(S301乃至S305)が異なるため、これについて説明する。なお、S306乃至S311に示す第3の実施形態のインプリント方法は、第1、第2の実施形態のインプリント方法とほぼ同様であるため、説明を省略する。
第3の実施形態に係るテンプレートの形成方法は、まず、第1、第2の実施形態において使用されるテンプレート13と同様のテンプレート13のパターン位置精度を、例えば、第1の実施形態の工程S101と同様に、インプリント装置とは別の絶対位置計測装置を用いて評価する(S301)。
次に、絶対位置計測装置において、ウエハ表面のパターン22(下地パターン22)のパターン位置精度を評価する(S302)。この下地パターン22のパターン位置精度の評価は、S301と同様の評価方法により行われる。
なお、S301の工程とS302の工程とは、必ずしもこの順で行われる必要はなく、逆の順序で行われてもよい。
次に、テンプレート13のパターン位置精度の評価と、下地パターン22のパターン位置精度の評価とによってそれぞれ得られたデータから、テンプレート13に形成された位置評価用マーク15のウエハ表面の位置評価用マークに対する相対的な位置ずれ、若しくは、テンプレート13に形成されたパターンのウエハ表面のパターン22に対する相対的な位置ずれを評価する(S303)。すなわち、下地パターン22の位置を基準位置として、この基準位置に対するテンプレート13に形成されたパターンの相対的な位置ずれを評価する。
このように相対的な位置ずれを評価した後は、第1の実施形態において説明したS102乃至S104と同様に、相対的な位置ずれの評価結果に基づいて位置ずれを算出することにより相対的な位置ずれを検出して、アライメント誤差補正係数を算出し(S304)、算出されたアライメント位置誤差補正係数をもとにテンプレート13の外形を決定して、テンプレート外形補正量を算出し(S305)、この外形補正量に基づいてテンプレート13の外形を加工する(S306)。
以上のS301乃至S306の工程により、インプリント用テンプレートが形成される。
なお、図6のS307乃至S311に示すインプリント工程は、第1の実施形態において説明したS105乃至S109の工程と同様である。
上述したように、第3の実施形態に係るインプリント方法によっても、S301乃至S306に示すインプリント用テンプレートの形成方法によって、テンプレート13に形成されたパターンのパターン位置精度が、クランプされる際に補正されるようにテンプレート13が形成される。従って、S307乃至S311に示すインプリント工程において、テンプレート13をクランプする際に、テンプレート13に形成されたパターンのパターン位置精度が補正される。これにより、パターンの重ね合わせ精度を向上させることが可能となる。
以上に本発明の実施形態について説明した。上述の各実施形態の説明においては、図2Bのベクトルマップに示されるベクトルと反対方向にテンプレート13を歪ませるために、テンプレート13の側面17a、17bに適切な凹凸を形成するように加工した。しかし、凹凸の形成箇所は、側面17に限るものではなく、テンプレート13の面内又は周縁部(表面内、裏面内または四方の側面17)のいずれかに凹凸を形成することによっても、同様にテンプレート13を歪ませることができる。
例えば、図2Bに示されるベクトルマップが算出された場合、図7Aに示すように、テンプレート13の表面から裏面方向に向かって、左上部、左下部及び、右中央部にそれぞれ溝41を形成すればよい。このように溝41が形成されたテンプレート13がクランプされると、図7AのX−X´方向に沿った断面図である図7Bに示されるように、矢印の方向にテンプレート13が歪む。従って、テンプレート13のパターンのパターン位置精度を補正することができる。
また、図8Aに示すように、テンプレート13の裏面から表面方向に向かって、右上部、右下部及び、左中央部にそれぞれ溝41を形成してもよい。このように溝41が形成されたテンプレート13がクランプされると、図8AのX−X´方向に沿った断面図である図8Bに示されるように、矢印の方向にテンプレート13が歪む。従って、パターン位置精度を補正することができる。
以上に示されるように、本発明の実施形態においては、テンプレート13の側面17、表面、裏面のいずれかに、適切な凹凸を形成するように加工することにより、テンプレート13のパターンのパターン位置精度を補正することができる。
なお、本発明のテンプレートの形成方法およびインプリント方法は、パターン位置精度を示すベクトルマップが、図2B以外であっても、適宜テンプレート13の形状を加工することにより、パターン位置精度を補正することができる。以下に、パターン位置精度を示す他のベクトルマップと、これに対応してパターン位置精度を補正することができるテンプレート13の形状について説明する。
図9A乃至図13Aは、それぞれ、パターン位置精度を示すベクトルマップを示す。また、図9B乃至図13Bは、それぞれのベクトルマップに対応して、側面17を加工することにより、パターン位置精度を補正することができるテンプレート13の外形を示す。さらに、図9C乃至図13Cには、それぞれのベクトルマップに対応して、表面を加工することにより、パターン位置精度を補正することができるテンプレート13の外形を示す。また、図10A乃至図13Aに示されるようにベクトルマップが算出された場合には、テンプレート13の裏面を加工することによりパターン位置精度を補正することができるため、これらをそれぞれ図10D乃至図13Dに示す。なお、図9B乃至図13B、図9C乃至図13C、図10D乃至図13Dにおいては、テンプレート13の外形のみを示している。
図9Aは、ウエハ表面のパターン22に対してテンプレート13のパターンが大きい場合のベクトルマップを示す。この場合、補正係数のうち、k2およびk3の値が最も大きく算出される。この場合は、図9Bに示すように、テンプレート13の側面17を加工する必要はなく、テンプレート13をクランプする際に、テンプレート13が所望の大きさになるように圧縮すればよい。また、図9Cに示すように、テンプレート13の周に沿って表面に溝41を形成してもよい。
なお、図9Aに示されるベクトルマップが算出された場合においては、テンプレート13の裏面を加工しても、パターン位置精度を補正することはできない。
上述のようにテンプレート13の表面に溝41を形成する場合は、ドライエッチングによって形成してもよいし、ウエットエッチングによって形成してもよい。以下に示すテンプレート13に形成される溝41についても同様に形成される。
図10Aは、テンプレート13に形成されたパターンのうち、図面上方に向かうほど−x方向に位置ずれが生じ、図面下方に向かうほどx方向に位置ずれが生じている場合のベクトルマップを示す。なお、図10Aの場合は、図面上方と図面下方の位置ずれの割合が実質的に等しい場合である。この場合、補正係数のうち、k6−k5の値が最も大きく算出される。この場合は、図10Bに示すように、テンプレート13の側面17のうち、x軸に直交する側面17a、17bを加工すればよい。具体的には、−x方向の位置ずれを補正するために、側面17aにおける図面上方に凸部42aを形成し、x方向の位置ずれを補正するために、側面17bにおける図面下方に凸部42bを形成すればよい。ここで、凸部42aの高さhaと凸部42bの高さhbとは、実質的に等しい高さに形成される。また、図10Cに示すように、テンプレート13の表面から裏面方向に向かって、図面左上および図面右下に溝41を形成してもよい。さらに、図10Dに示すように、テンプレート13の裏面から表面方向に向かって、図面右上および図面左下に溝41を形成してもよい。ここで、図10Cの左上と右下にそれぞれ示される溝41の深さは、実質的に等しい深さに形成される。図10Dにおいても同様である。
図11Aは、テンプレート13に形成されたパターンのうち、図面上方に向かうほどx方向に位置ずれが生じ、図面下方に向かうほど−x方向に位置ずれが生じている場合のベクトルマップを示す。なお、図11Aの場合は、x方向の位置ずれが、−x方向の位置ずれよりも大きい場合である。この場合、補正係数のうち、k19の値が最も大きく算出される。この場合は、図11Bに示すように、テンプレート13の側面17のうち、x軸に直交する側面17a、17bを加工すればよい。具体的には、x方向の位置ずれを補正するために、側面17bにおける図面上方に凸部42bを形成し、−x方向の位置ずれを補正するために、側面17aにおける図面下方に凸部42aを形成すればよい。ここで、凸部42bの高さhbは、凸部42aの高さhaよりも高く形成される。また、図11Cに示すように、テンプレート13の表面から裏面方向に向かって、図面右上および図面左下に溝41を形成してもよい。さらに、図10Dに示すように、テンプレート13の裏面から表面方向に向かって、図面左上および図面右下に溝41を形成してもよい。ここで、図11Cにおいて、右上に形成される溝41の深さは、左下にそれぞれ示される溝41の深さよりも深く形成される。図10Dにおいては、左上に形成される溝41の深さは、右下にそれぞれ示される溝41の深さよりも深く形成される。
図12Aは、テンプレート13に形成されたパターンのうち、図面右側に向かうほど、また、図面左側に向かうほど、y方向に位置ずれが生じている場合のベクトルマップを示す。この場合、補正係数のうち、k12の値が最も大きく算出される。この場合は、図12Bに示すように、テンプレート13の側面17のうち、y軸に直交する側面17c、17dを加工すればよい。具体的には、側面17cにおいては中央部に凹部43cを形成し、側面17bにおいては中央部に凸部42dを形成すればよい。また、図12Cに示すように、テンプレート13の表面から裏面方向に向かって、図面右上、図面左上および図面下中央に溝41を形成してもよい。さらに、図12Dに示すように、テンプレート13の裏面から表面方向に向かって、図面左下、図面右下および図面上中央に溝41を形成してもよい。
図13Aは、テンプレート13に形成されたパターンのうち、図面上方においては、図面左側に向かうほど−y方向に、図面右側に向かうほどy方向に位置ずれが生じ、図面下方においては、図面左側に向かうほどy方向に、図面右側に向かうほど−y方向に位置ずれが生じている場合のベクトルマップを示す。この場合、補正係数のうち、k10の値が最も大きく算出される。この場合は、図13Bに示すように、テンプレート13の側面17のうち、y軸に直交する側面17c、17dを加工すればよい。具体的には、側面17c、側面17dにおいて、それぞれ図面右側にそれぞれ凸部42c、42dを形成すればよい。また、図13Cに示すように、テンプレート13の表面から裏面方向に向かって、図面右上、図面右下に溝41を形成してもよい。さらに、図13Dに示すように、テンプレート13の裏面から表面方向に向かって、図面左上、図面左下に溝41を形成してもよい。
以上に、パターンの位置ずれを示すベクトルマップの例と、それぞれに対応してパターン位置精度を補正することができるテンプレート13の外形の例を示した。図9A乃至図13Aには示されていないが、本発明においては、ウエハ表面のパターン22に対してテンプレート13のパターンが小さい場合のベクトルマップが算出された場合であっても、パターン位置精度を補正することが可能である。すなわち、図14に示すように、テンプレート13の周に沿って裏面に溝41を形成することにより、テンプレート13のパターンを拡大してインプリントすることも可能である。
以上は、テンプレート13に形成されたパターンの位置ずれを検出し、この位置ずれから、数1式乃至数3式を用いて位置ずれを補正する補正係数を算出し、この算出された補正係数から、パターンの位置ずれが補正されるように適宜テンプレート13の外形形状を加工する方法であった。
しかし、本発明においては、テンプレート13のクランプ時に、例えば図2Bのようなベクトルマップに示されたベクトルの向きと反対方向に圧力が加えられるように適宜テンプレート13が加工されればよい。従って、このようにテンプレート13を加工することすることができるような、あらゆる方法を適用することができ、必ずしも数1式乃至数3式を用いる必要はない。
以上に、本発明のインプリント用テンプレートの形成方法および、この方法により形成されたテンプレートを用いたインプリント方法について説明した。しかし、本発明の実施形態は、上述に限定されるものではない。
例えば、テンプレート13の側面17、表面、裏面もしくはこれらのうちの複数の面を、クランプピン16の数を考慮して適宜加工することにより、様々なパターン位置精度を補正することができる。
また、本発明においては、テンプレート13の側面17それぞれに対して、複数本のクランプピン16でクランプする場合のインプリント装置を使用する場合について適用可能であり、一側面に対するクランプピン16の本数は3本に限定されるものではない。さらに、上述の実施形態においては、クランプピン16によってテンプレート13により加えられる圧力は一定であったが、テンプレート13の外形を加工することに加えて、クランプピン16によって加えられる圧力をそれぞれ調節することにより、パターン位置精度を補正してもよい。
また、上述したテンプレート13は、原版を用いてもよいし、テンプレート13の原版からインプリント方法により複製された複製版を用いてもよい。
なお、上述の各実施形態に係るインプリント方法としては、光インプリントを採用した場合について説明した。しかし、本発明は光インプリントの場合に限定されるものではなく、熱インプリント等の他のインプリント方法においても、適用することができる。
11・・・ガラス基板
12・・・ガラス基板の中央部
13・・・テンプレート
14・・・孤立パターン
14a・・・孤立パターンの基準位置
15・・・位置検査用マーク
15a・・・位置検査用マークの基準位置
16・・・クランプピン
17、17a、17b、17c、17d・・・テンプレートの側面
18a・・・テンプレート側面の凸部
18b・・・テンプレート側面の凹部
21・・・ウエハ
22・・・ウエハ表面のパターン
23・・・酸化膜
24・・・レジスト
25・・・ステージ
26−1・・・第1の基準マーク
26−2・・・第2の基準マーク
27−1・・・第1のボックス状のマーク
27−1a・・・第1のボックス状のマークの左辺部
27−1b・・・第1のボックス状のマークの右辺部
27−1c・・・第1のボックス状のマークの下辺部
27−1d・・・第1のボックス状のマークの上辺部
27−2・・・第2のボックス状のマーク
27−2a・・・第2のボックス状のマークの左辺部
27−2b・・・第2のボックス状のマークの右辺部
27−2c・・・第2のボックス状のマークの下辺部
27−2d・・・第2のボックス状のマークの上辺部
28・・・レジストに形成されたパターン
29・・・窓
30・・・吸引管
41・・・溝
42a、42b、42c、42d・・・凸部
43c・・・凹部
50・・・保護膜
12・・・ガラス基板の中央部
13・・・テンプレート
14・・・孤立パターン
14a・・・孤立パターンの基準位置
15・・・位置検査用マーク
15a・・・位置検査用マークの基準位置
16・・・クランプピン
17、17a、17b、17c、17d・・・テンプレートの側面
18a・・・テンプレート側面の凸部
18b・・・テンプレート側面の凹部
21・・・ウエハ
22・・・ウエハ表面のパターン
23・・・酸化膜
24・・・レジスト
25・・・ステージ
26−1・・・第1の基準マーク
26−2・・・第2の基準マーク
27−1・・・第1のボックス状のマーク
27−1a・・・第1のボックス状のマークの左辺部
27−1b・・・第1のボックス状のマークの右辺部
27−1c・・・第1のボックス状のマークの下辺部
27−1d・・・第1のボックス状のマークの上辺部
27−2・・・第2のボックス状のマーク
27−2a・・・第2のボックス状のマークの左辺部
27−2b・・・第2のボックス状のマークの右辺部
27−2c・・・第2のボックス状のマークの下辺部
27−2d・・・第2のボックス状のマークの上辺部
28・・・レジストに形成されたパターン
29・・・窓
30・・・吸引管
41・・・溝
42a、42b、42c、42d・・・凸部
43c・・・凹部
50・・・保護膜
Claims (5)
- 基板にパターンを形成することによりテンプレートを形成する工程と、
前記パターンを形成すべき基準位置に対する、前記テンプレートに形成されたパターンの位置ずれを検出する工程と、
この検出結果に基づいて、前記テンプレートの面内または周縁部に、前記位置ずれに対応した凹凸を形成する工程と、
を具備することを特徴とするテンプレートの形成方法。 - 基板にパターンを形成することによりテンプレートを形成する工程と、
前記テンプレートが載置されるウエハ表面に形成されたパターンを基準位置として、この基準位置に対する、前記テンプレートに形成されたパターン若しくは、前記テンプレートによって形成されたパターンの位置ずれを検出する工程と、
この検出結果に基づいて、前記テンプレートの面内または周縁部に、前記位置ずれに対応した凹凸を形成する工程と、
を具備することを特徴とするテンプレートの形成方法。 - 前記凹凸を形成する工程は、前記テンプレートに形成されたパターン若しくは、前記テンプレートによって形成されたパターンの基準位置(xi、yi)および、補正係数群k1、k2、k3、k4、k5、k6、k7、k11、k12、k13、k19から(1)式
によって算出される補正された後の位置(dxi´、dyi´)と、前記パターンの位置ずれ(dxi、dyi)との差の自乗和Eを求める(2)式
を用いて前記自乗和Eを最小にするような前記補正係数群を算出し、
この算出工程により算出された前記補正係数群に基づいて、前記テンプレートの面内又は周縁部に、前記凹凸を形成する工程であることを特徴とする請求項1または2に記載のテンプレートの形成方法 - 前記請求項1乃至前記請求項3のテンプレートの形成方法によって形成された前記テンプレートの側面に圧力を加えることにより、前記テンプレートに形成された前記パターンの位置ずれを補正する工程と、
この補正する工程により前記位置ずれが補正された前記テンプレートを用いて、前記ウエハ上に形成された樹脂層にインプリントする工程と、
を具備することを特徴とするインプリント方法。 - 前記パターンの位置ずれを補正する工程は、前記テンプレートの少なくとも一側面および、この側面に対向する側面がインプリント装置にクランプされる際に、前記テンプレートに加えられる圧力が、前記テンプレートに形成されたパターンの前記基準位置からの位置ずれを示すベクトルの向きと反対方向に向くように加えられる工程を含むことを特徴とする請求項4に記載のインプリント方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009125997A JP2010278041A (ja) | 2009-05-26 | 2009-05-26 | インプリント用テンプレートの形成方法およびこのテンプレートを用いたインプリント方法 |
| US12/718,370 US20100304280A1 (en) | 2009-05-26 | 2010-03-05 | Method of forming a template, and method of manufacturing a semiconductor device using the template |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009125997A JP2010278041A (ja) | 2009-05-26 | 2009-05-26 | インプリント用テンプレートの形成方法およびこのテンプレートを用いたインプリント方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010278041A true JP2010278041A (ja) | 2010-12-09 |
Family
ID=43220631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009125997A Pending JP2010278041A (ja) | 2009-05-26 | 2009-05-26 | インプリント用テンプレートの形成方法およびこのテンプレートを用いたインプリント方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20100304280A1 (ja) |
| JP (1) | JP2010278041A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012256680A (ja) * | 2011-06-08 | 2012-12-27 | Toshiba Corp | テンプレート、テンプレートの製造方法及びテンプレートの製造装置 |
| JP2013098291A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Canon Inc | インプリント装置およびインプリント方法、それを用いた物品の製造方法 |
| WO2013136921A1 (en) * | 2012-03-14 | 2013-09-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus, mold, imprint method, and method of manufacturing article |
| JP2014225637A (ja) * | 2013-04-24 | 2014-12-04 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置および物品の製造方法 |
| US8912103B2 (en) | 2012-04-05 | 2014-12-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of fabricating and correcting nanoimprint lithography templates |
| JP2016103603A (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | キヤノン株式会社 | モールドおよびその製造方法、インプリント方法、ならびに、物品製造方法 |
| JP2016149578A (ja) * | 2016-05-11 | 2016-08-18 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用レプリカテンプレートの製造方法 |
| KR20160137952A (ko) | 2014-04-01 | 2016-12-02 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 임프린트용 몰드 및 임프린트 방법 |
| JP2017022416A (ja) * | 2016-10-18 | 2017-01-26 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用テンプレートの製造方法及びテンプレート |
| KR20170038872A (ko) | 2014-08-04 | 2017-04-07 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 임프린트용 몰드와 임프린트 방법 및 와이어 그리드 편광자와 그 제조 방법 |
| JP2017152673A (ja) * | 2015-11-05 | 2017-08-31 | ボード・オブ・リージェンツ, ジ・ユニバーシティー・オブ・テキサス・システム | ジェット・アンド・フラッシュ・インプリントリソグラフィにおけるマルチフィールドオーバーレイ制御 |
| JP2019145591A (ja) * | 2018-02-16 | 2019-08-29 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、物品の製造方法及びモールド |
| WO2019163565A1 (ja) * | 2018-02-26 | 2019-08-29 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置、モールドの製造方法、および、物品の製造方法 |
| JP2019161020A (ja) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | キヤノン株式会社 | モールド、インプリント装置、および物品の製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5661666B2 (ja) | 2012-02-29 | 2015-01-28 | 株式会社東芝 | パターン形成装置及び半導体装置の製造方法 |
| CN114624970B (zh) * | 2022-02-21 | 2024-07-26 | 合肥芯碁微电子装备股份有限公司 | 一种用于直写光刻机曝光工序的纠偏对位方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5581324A (en) * | 1993-06-10 | 1996-12-03 | Nikon Corporation | Thermal distortion compensated projection exposure method and apparatus for manufacturing semiconductors |
| US6929762B2 (en) * | 2002-11-13 | 2005-08-16 | Molecular Imprints, Inc. | Method of reducing pattern distortions during imprint lithography processes |
| JP2005005284A (ja) * | 2003-06-09 | 2005-01-06 | Canon Inc | 微細加工装置およびこれを用いたデバイス |
| US7927089B2 (en) * | 2005-06-08 | 2011-04-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Mold, apparatus including mold, pattern transfer apparatus, and pattern forming method |
| US8125613B2 (en) * | 2006-04-21 | 2012-02-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
-
2009
- 2009-05-26 JP JP2009125997A patent/JP2010278041A/ja active Pending
-
2010
- 2010-03-05 US US12/718,370 patent/US20100304280A1/en not_active Abandoned
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012256680A (ja) * | 2011-06-08 | 2012-12-27 | Toshiba Corp | テンプレート、テンプレートの製造方法及びテンプレートの製造装置 |
| JP2013098291A (ja) * | 2011-10-31 | 2013-05-20 | Canon Inc | インプリント装置およびインプリント方法、それを用いた物品の製造方法 |
| EP2826060A4 (en) * | 2012-03-14 | 2015-08-05 | Canon Kk | EMBODIMENT, FORM, MOLDING METHOD AND METHOD FOR PRODUCING AN ARTICLE |
| JP2013191777A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Canon Inc | インプリント装置、モールド、インプリント方法及び物品の製造方法 |
| WO2013136921A1 (en) * | 2012-03-14 | 2013-09-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus, mold, imprint method, and method of manufacturing article |
| US9921470B2 (en) | 2012-03-14 | 2018-03-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint method for an imprint apparatus which transfers a pattern onto a substrate by using a mold |
| US8912103B2 (en) | 2012-04-05 | 2014-12-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of fabricating and correcting nanoimprint lithography templates |
| JP2014225637A (ja) * | 2013-04-24 | 2014-12-04 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置および物品の製造方法 |
| KR20200090948A (ko) | 2014-04-01 | 2020-07-29 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 임프린트용 몰드 및 임프린트 방법 |
| KR20160137952A (ko) | 2014-04-01 | 2016-12-02 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 임프린트용 몰드 및 임프린트 방법 |
| US10265724B2 (en) | 2014-04-01 | 2019-04-23 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Imprint mold and imprint method |
| US10088617B2 (en) | 2014-08-04 | 2018-10-02 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Imprint mold, imprint method, wire grid polarizer, and method for manufacturing wire grid polarizer |
| KR20170038872A (ko) | 2014-08-04 | 2017-04-07 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 임프린트용 몰드와 임프린트 방법 및 와이어 그리드 편광자와 그 제조 방법 |
| JP2016103603A (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | キヤノン株式会社 | モールドおよびその製造方法、インプリント方法、ならびに、物品製造方法 |
| JP2017152673A (ja) * | 2015-11-05 | 2017-08-31 | ボード・オブ・リージェンツ, ジ・ユニバーシティー・オブ・テキサス・システム | ジェット・アンド・フラッシュ・インプリントリソグラフィにおけるマルチフィールドオーバーレイ制御 |
| JP2022104992A (ja) * | 2015-11-05 | 2022-07-12 | ボード オブ リージェンツ,ザ ユニバーシティ オブ テキサス システム | ジェット・アンド・フラッシュ・インプリントリソグラフィにおけるマルチフィールドオーバーレイ制御 |
| JP7284850B2 (ja) | 2015-11-05 | 2023-05-31 | ボード オブ リージェンツ,ザ ユニバーシティ オブ テキサス システム | ジェット・アンド・フラッシュ・インプリントリソグラフィにおけるマルチフィールドオーバーレイ制御 |
| JP2016149578A (ja) * | 2016-05-11 | 2016-08-18 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用レプリカテンプレートの製造方法 |
| JP2017022416A (ja) * | 2016-10-18 | 2017-01-26 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリント用テンプレートの製造方法及びテンプレート |
| JP2019145591A (ja) * | 2018-02-16 | 2019-08-29 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、物品の製造方法及びモールド |
| JP7041545B2 (ja) | 2018-02-16 | 2022-03-24 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、物品の製造方法及びモールド |
| WO2019163565A1 (ja) * | 2018-02-26 | 2019-08-29 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置、モールドの製造方法、および、物品の製造方法 |
| JP2019149415A (ja) * | 2018-02-26 | 2019-09-05 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置、モールドの製造方法、および、物品の製造方法 |
| JP7022615B2 (ja) | 2018-02-26 | 2022-02-18 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置、モールドの製造方法、および、物品の製造方法 |
| TWI756514B (zh) * | 2018-02-26 | 2022-03-01 | 日商佳能股份有限公司 | 壓印方法、壓印裝置、模具之製造方法及物品之製造方法 |
| JP2019161020A (ja) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | キヤノン株式会社 | モールド、インプリント装置、および物品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20100304280A1 (en) | 2010-12-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2010278041A (ja) | インプリント用テンプレートの形成方法およびこのテンプレートを用いたインプリント方法 | |
| US8804137B2 (en) | Unique mark and method to determine critical dimension uniformity and registration of reticles combined with wafer overlay capability | |
| US7494830B2 (en) | Method and device for wafer backside alignment overlay accuracy | |
| CN104423140B (zh) | 光掩模的制造方法、显示装置的制造方法以及描绘装置 | |
| TW201706725A (zh) | 微影裝置之校準方法、使用該方法之微影裝置及元件製造方法 | |
| US11131924B2 (en) | Method and apparatus for forming pattern on imprint material | |
| KR20160145637A (ko) | 웨이퍼의 휨의 평가방법 및 웨이퍼의 선별방법 | |
| US10996560B2 (en) | Real-time correction of template deformation in nanoimprint lithography | |
| US20180130845A1 (en) | Flat panel array with the alignment marks in active area | |
| JP2010191162A (ja) | レチクルの製造方法、面形状計測装置、及びコンピュータ。 | |
| CN101430502A (zh) | 掩膜图案校正方法、半导体装置制造方法和半导体装置 | |
| JP2011066323A (ja) | 露光処理の補正方法 | |
| JP2014110368A (ja) | ナノインプリント方法およびそれを用いたパターン化基板の製造方法 | |
| CN105911813B (zh) | 光掩模制造方法、检查方法及装置,描绘装置、显示装置制造方法 | |
| US20120090489A1 (en) | Nanoimprint method | |
| CN102043343B (zh) | 测量曝光机聚焦点的方法 | |
| JP5868813B2 (ja) | 位置ずれ計測方法 | |
| JP2006310446A (ja) | 半導体装置の製造方法、および露光装置 | |
| US20230170314A1 (en) | Process for reducing pattern-induced wafer deformation | |
| JP6418744B2 (ja) | パターン形成方法、リソグラフィ装置およびシステム、ならびに物品製造方法 | |
| TW201316389A (zh) | 用以校正結合至第二晶圓之第一晶圓上之位置偏差之方法 | |
| JP2015179717A (ja) | マスク製造装置及びマスク製造方法 | |
| TW201913729A (zh) | 圖案化方法、微影蝕刻裝置及物品製造方法 | |
| JP4401834B2 (ja) | 露光装置及び位置合わせ方法 | |
| JP6459284B2 (ja) | インプリントモールドの検査方法及び製造方法 |