JP2010271589A - パターン分割方法、パターン分割処理装置及びコンピュータプログラム - Google Patents

Abstract

【課題】密集パターンを精度よく基板上に形成することが可能となるパターン分割方法を提供することを課題とする。
【解決手段】マスクパターンＵを取得する工程と、所定領域内を複数の領域に分割し、前記複数の領域を第一グループと第二グループに分類する分割パターンＲを準備する工程と、対象マスクパターンＵにレイアウトされた二つ以上のパターン１０を各パターン１０の略中心に向かって縮小し、縮小マスクパターンＵ´を生成する工程と、分割パターンＲと縮小マスクパターンＵ´とを重ね合わせ、分割パターンＲの前記第一グループに分類された領域と重なる縮小パターン１１を抽出した第一縮小マスクパターンＲ×Ｕ´を生成する工程と、第一縮小マスクパターンＲ×Ｕ´にレイアウトされた縮小パターン１１を、前記縮小マスクパターンを生成する工程を実行する前の元サイズに戻す工程と、を有するパターン分割方法を提供する。
【選択図】図１

Description

本発明は、パターン分割方法、パターン分割処理装置及びコンピュータプログラムに関する。

近年、半導体装置の微細化に伴い、フォトリソグラフィを利用しての密集パターンの形成が難しくなりつつある。そこで、複数回の露光、加工を行うことで密集パターンを精度よく基板上に形成するダブル・パターニング法が利用されている。なお、分割数が多いほどフォトマスクの枚数が増え、製造コスト増を招いてしまう。かかる理由などにより、分割数を２までとすることがダブル・パターニング法の事実上の前提となっている。

ここで、ダブル・パターニング法では、膨大な情報量を有する設計データ、例えば複数のホールパターンがレイアウトされたマスクパターンを、高精度かつ効率よく二つのグループに分割し、それぞれのグループのレイアウトを別々のフォトマスクに搭載する技術が求められる。このような技術としては、例えば、特許文献１に開示されたものなどがある。

特許文献１に記載の技術では、まず、分割処理対象のデータである複数のホールパターンがレイアウトされた全ホールパターンＵに、単位長さがホールパターンの最小ピッチと同じ値であるグリッドＧＲを設定する。グリッドＧＲの縦ラインＶＬには、交互に理論値「０」、「１」を割り当てる。また、横ラインＨＬについても同様に、交互に理論値「０」、「１」を割り当てる。

次に、全ホールパターンＵにレイアウトされた全ホールに対して、ホールごとに、ホールの中心からの距離が最も近い縦ラインＶＬと、横ラインＨＬを抽出する。そして、ホールごとに、抽出した縦ラインＶＬに割り当てられている理論値と、横ラインＨＬに割り当てられている理論値と、の排他的論理和を算出する。

その後、ホールごとに算出した排他的論理和の値に応じて、全てのホールをグループ「０」と、グループ「１」に分割し、各グループのホールを別々のフォトマスクに搭載する。

特開２００７−２５８３６６号公報

分割処理対象のマスクパターンを二つのグループに分割する手段としては、最近接パターンどうしが別々のグループに属するよう分割する手段が考えられる。この手段によれば、図１３、１４に示すような特定の規則的なマスクパターンの場合、精度よく効率的に、分割処理対象のマスクパターンを二つのグループに分割することができる。図１３、１４は、複数のパターン１がレイアウトされたマスクパターンを、複数のパターン１Ａがレイアウトされた一つのマスクパターンと、複数のパターン１Ｂがレイアウトされたもう一つのマスクパターンに分割する様子を示している。

しかし、最近接パターンどうしが別々のグループに属するよう分割する手段は、例えば、図１５、１６に示すような互いに最近接パターンとなる三つ以上のパターンが存在するマスクパターンを、矛盾なく二つのグループに分割できない。現実的には、図１３、１４に示すような規則的なマスクパターンが利用されることは稀であり、不規則にパターンをレイアウトされたマスクパターンがほとんどである。このような不規則にパターンをレイアウトされたマスクパターンの場合、図１５に示すような、互いに最近接パターンとなる三つ以上のパターンが存在するケースが往々にある。すなわち、最近接パターンどうしが別々のグループに属するよう分割する手段は、実用的な分割手段ではない。

また、特許文献１に記載された技術の場合、分割処理対象のマスクパターンにレイアウトされた複数のパターンのすべてを個別に識別し、パターンごとに、「縦ラインＶＬおよび横ラインＨＬの抽出」、「演算処理の実行」、「演算結果を各パターンに関連付けて保持」、などの複数の処理を実行する必要がある。かかる場合、パターンの数が大量になると処理量が多くなり、当該処理を実行する装置の負担が大きくなる。

また、このような処理を実行する装置、プログラムを新たに作成する必要があり、投資費用の負担が大きい。

本発明によれば、一つのマスクパターンにレイアウトされた二つ以上のパターンを第一マスクパターンと第二マスクパターンとに分割するパターン分割方法であって、分割処理対象のマスクパターンである対象マスクパターンを取得する対象マスクパターン取得工程と、所定領域内を複数の領域に分割し、前記複数の領域を互い違いに第一グループと第二グループに分類する分割パターンを準備する分割パターン準備工程と、前記対象マスクパターンにレイアウトされた前記二つ以上のパターンを各パターンの略中心に向かって縮小し、前記縮小後のパターンである縮小パターンがレイアウトされた縮小マスクパターンを生成する縮小マスクパターン生成工程と、前記分割パターンと、前記縮小マスクパターンと、を重ね合わせ、前記分割パターンの前記第一グループに分類された領域と重なる前記縮小パターンを抽出した第一縮小マスクパターンを生成する第一縮小マスクパターン生成工程と、前記第一縮小マスクパターンにレイアウトされた前記縮小パターンを、前記縮小マスクパターン生成工程を実行する前の元サイズに戻すことで前記第一マスクパターンを生成する第一マスクパターン生成工程と、を有するパターン分割方法が提供される。

また、本発明によれば、一つのマスクパターンにレイアウトされた二つ以上のパターンを第一マスクパターンと第二マスクパターンとに分割するパターン分割処理装置であって、分割処理対象のマスクパターンである対象マスクパターンを取得する対象マスクパターン取得部と、所定領域内を複数の領域に分割し、前記複数の領域を互い違いに第一グループと第二グループに分類する分割パターンを準備する分割パターン準備部と、前記対象マスクパターンにレイアウトされた前記二つ以上のパターンを各パターンの略中心に向かって縮小し、前記縮小後のパターンである縮小パターンがレイアウトされた縮小マスクパターンを生成する縮小マスクパターン生成部と、前記分割パターンと、前記縮小マスクパターンと、を重ね合わせ、前記分割パターンの前記第一グループに分類された領域と重なる前記縮小パターンを抽出した第一縮小マスクパターンを生成する第一縮小マスクパターン生成部と、前記第一縮小マスクパターンにレイアウトされた前記縮小パターンを、前記縮小マスクパターン生成部により前記縮小される前の元サイズに戻すことで第一マスクパターンを生成する第一マスクパターン生成部と、を有するパターン分割処理装置が提供される。

また、本発明によれば、前記パターン分割処理装置のためのコンピュータプログラムであって、分割処理対象のマスクパターンである対象マスクパターンを取得する対象マスクパターン取得処理と、所定領域内を複数の領域に分割し、前記複数の領域を互い違いに第一グループと第二グループに分類する分割パターンを準備する分割パターン準備処理と、前記対象マスクパターンにレイアウトされた二つ以上のパターンを各パターンの略中心に向かって縮小し、前記縮小後のパターンである縮小パターンがレイアウトされた縮小マスクパターンを生成する縮小マスクパターン生成処理と、前記分割パターンと、前記縮小マスクパターンと、を重ね合わせ、前記分割パターンの前記第一グループに分類された領域と重なる前記縮小パターンを抽出した第一縮小マスクパターンを生成する第一縮小マスクパターン生成処理と、前記第一縮小マスクパターンにレイアウトされた前記縮小パターンを、前記縮小マスクパターン生成処理を実行する前の元サイズに戻すことで第一マスクパターンを生成する第一マスクパターン生成処理と、前記対象マスクパターンにレイアウトされた二つ以上のパターンから、前記第一マスクパターンにレイアウトされたパターンを差し引き、第二マスクパターンを生成する第二マスクパターン生成処理と、を前記パターン分割処理装置に実行させるためのコンピュータプログラムが提供される。

本発明によれば、分割対象のマスクパターンである対象マスクパターンにレイアウトされた二つ以上のパターンを、各パターンの略中心に向かって縮小した後、所定領域内を第一グループと第二グループとに分割する分割パターンと重ね合わせる。そして、縮小後の各パターンが分割パターンの第一グループと第二グループのいずれの領域内に位置するかを基準に、二つ以上のパターンを二つのグループに分割する。すなわち、縮小後のパターンを、前記分割パターンに重ね合わせるので、各パターンは、分割パターンの第一グループと第二グループにまたがることなく、いずれかの領域内に位置することとなる。

その結果、不規則にパターンをレイアウトした対象マスクパターンであっても、矛盾なく、レイアウトされた二つ以上のパターンを、二つのグループに分割することができる。

本発明のパターン分割方法、パターン分割処理装置およびパターン分割処理装置に実行させるコンピュータプログラムによれば、密集パターンを精度よく基板上に形成することが可能となる。

実施形態１のパターン分割方法を説明する概略図である。 実施形態１のパターン分割処理装置の機能ブロック図である。 実施形態１のパターン分割方法のフローチャート図である。 マスクパターンと分割パターンを説明するための概略図 分割パターンの一例を説明するための概略図である。 分割パターンの一例を説明するための概略図である。 分割パターンの一例を説明するための概略図である。 分割パターンの一例を説明するための概略図である。 本発明の効果を説明するための概略図である。 本発明の効果を説明するためのグラフである。 実施形態１のパターン分割方法のフローチャート図である。 実施形態２のパターン分割処理装置の機能ブロック図である。 実施形態２のパターン分割方法のフローチャート図である。 マスクパターンと分割パターンを説明するための概略図である。 マスクパターンを分割する様子を説明するための概略図である。 マスクパターンを分割する様子を説明するための概略図である。 マスクパターンの一例である。 マスクパターンの一例である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

なお、各実施形態のパターン分割処理装置を構成する各部は、任意のコンピュータのＣＰＵ、メモリ、メモリにロードされたプログラム（あらかじめ装置を出荷する段階からメモリ内に格納されているプログラムのほか、ＣＤなどの記憶媒体やインターネット上のサーバなどからダウンロードされたプログラムも含む）、そのプログラムを格納するハードディスクなどの記憶ユニット、ネットワーク接続用インタフェースを中心にハードウエアとソフトウエアの任意の組合せによって実現される。そして、その実現方法、装置にはいろいろな変形例があることは、当業者には理解されるところである。

また、各実施形態の説明において利用する図２ａ、図１１ａの機能ブロック図は、ハードウエア単位の構成ではなく、機能単位のブロックを示している。これらの図においては、各実施形態のパターン分割処理装置は一つの物理的に分離した装置により実現されるよう記載されているが、その実現手段はこれに限定されない。すなわち、二つ以上の装置を有線または無線で接続し、これら複数の装置により、各実施形態のパターン分割処理装置を実現してもよい。
＜＜実施形態１＞＞
＜実施形態１の構成＞

本実施形態のパターン分割処理装置は、図２ａの機能ブロック図に示すように、対象マスクパターン取得部１００と、分割パターン準備部２００と、縮小マスクパターン生成部３００と、第一縮小マスクパターン生成部４００と、第一マスクパターン生成部５００と、第二マスクパターン生成部６００と、ＯＰＣ部７００と、を有する。なお、マスクパターンのレイアウト次第では、ＯＰＣ部７００を有さない構成とすることも可能である。また、第二マスクパターン生成部６００を有さず、他の構成により実現される手段により、第二マスクパターンを生成することも可能である。

以下、本実施形態のパターン分割処理装置の構成について、詳細に説明する。

本実施形態のパターン分割処理装置は、一つのマスクパターンにレイアウトされた二つ以上のパターンを、第一マスクパターンと第二マスクパターンとに分割する装置である。例えば、図１（１）に示すように二つ以上のホールパターン１０がレイアウトされた一つのマスクパターンＵを、図１（５）に示すような二つ以上のホールパターン１０Ａがレイアウトされた第一マスクパターンＵＡと、図１（６）に示すような二つ以上のホールパターン１０Ｂがレイアウトされた第二マスクパターンＵＢと、に分割する。なお、図１（１）〜（６）は、マスクパターンまたは以下の説明で出てくる分割パターンの一部領域のみを示した概略図である。

対象マスクパターン取得部１００は、図１（１）に示すような分割処理対象のマスクパターンである対象マスクパターンＵを、取得するよう構成される。分割処理とは、対象マスクパターンＵにレイアウトされた二つ以上のパターン１０を、第一マスクパターンＵＡ（例：図１（５））と、第二マスクパターンＵＢ（例：図１（６））と、に分割する処理のことである。

対象マスクパターン取得部１００が対象マスクパターンＵを取得する具体的手段としては特段制限されず、例えば、有線または無線での通信により、本実施形態のパターン分割処理装置以外の装置内に格納されている対象マスクパターンＵを取得することで実現してもよい。または、本実施形態のパターン分割処理装置内に格納されている対象マスクパターンＵを、そのメモリ内から取り出すことで実現してもよい。

分割パターン準備部２００は、図１（２）に示すような、所定領域内を複数の領域に分割し、前記複数の領域を互い違いに第一グループと第二グループに分類する分割パターンＲを、準備するよう構成される。なお、図１（２）は、分割パターンＲ上に、対象マスクパターンＵにレイアウトされたパターン１０を破線で示してある。

ここで、図１（２）に示す分割パターンＲは、第一矩形２０と、第一矩形２０と同一形状の第二矩形２１とを互い違いに並べた市松模様であり、この市松模様により、所定領域内を第一グループと第二グループに分割する。すなわち、所定領域内における第一矩形２０の占める領域を第一グループ、第二矩形２１の占める領域を第二グループとして、分類する。

なお、前記市松模様を構成する第一矩形２０および第二矩形２１は、対象マスクパターンＵ（図３（１）参照）にレイアウトされるパターン１０の最小ピッチｓを、一辺の長さｌとする正方形であるのが望ましい（図３（２）参照）。なお、ここでの最小ピッチｓとは、対象マスクパターンＵの設計において、デザインルール上定められる、パターン１０間の最小ピッチが該当する。このような分割パターンＲの場合、図１（２）に示すように、分割パターンＲと対象マスクパターンＵとを重ね合わせると、おおむね一つの第一矩形２０または第二矩形２１内には、一つのパターン１０が包含されることとなる。その結果、対象マスクパターンＵを、可能な限り局所的に密度の高い部分が残らないよう、二つのグループに分割することが可能となる。そのメカニズムについては、以下の他の構成要件の説明で明らかになるので、ここでの説明は省略する。

なお、分割パターン準備部２００が準備する分割パターンＲは、上述した図３（２）に示すようなパターンに限定されず、その他、図４、５に示すようなパターンであってもよい。図４、５に示す分割パターンＲは、対象マスクパターンＵにレイアウトされた二つ以上のパターン１０の最小ピッチｓよりも、ある程度大きい長さｌ´を一辺の長さとする正方形（第一矩形２０、第二矩形２１）を互い違いに並べた市松模様である。正方形（第一矩形２０、第二矩形２１）の一辺の長さｌ´の大きさは任意に設定可能である。しかし、対象マスクパターンＵのレイアウトによっては、ｌ´を大きくしすぎると、分割後のパターンに局所的に密度の高すぎる部分が残ってしまい、密集パターンを精度よく基板上に形成することが困難になる。よって、ｌ´は、２ｓから５ｓ程度を上限にするのが望ましい。なお、図４、５は、分割パターンＲと対象マスクパターンＵとを重ねて表示した図である。このような表示は、以下の説明で利用する図６、７についても同様である。

その他、分割パターン準備部２００が準備する分割パターンＲは、図６に示すようなパターンであってもよい。図６に示す分割パターンＲは、対象マスクパターンＵにレイアウトされた二つ以上のパターン１０の最小ピッチｓを、一辺の長さｌとする長方形（第一矩形２０、第二矩形２１）を互い違いに並べた市松模様である。長方形（第一矩形２０、第二矩形２１）の他の辺の長さｌ´は任意に設定可能である。しかし、対象マスクパターンＵのレイアウトによっては、ｌ´を大きくしすぎると、分割後のパターンに局所的に密度の高すぎる部分が残ってしまい、密集パターンを精度よく基板上に形成することが困難になる。よって、ｌ´は、２ｓから５ｓ程度を上限にするのが望ましい。

その他、分割パターン準備部２００が準備する分割パターンＲは、上述したような市松模様のほか、図７に示すようなパターンであってもよい。図７に示す分割パターンＲは、対象マスクパターンＵにレイアウトされた二つ以上のパターン１０の最小ピッチｓを、一辺の長さｌとする長方形（第一長方形２２および第二長方形２３）を互い違いに並べた縞模様である。

ここで、図４、５、６、７に示すような、一辺の長さが比較的大きい矩形（第一矩形２０、第二矩形２１、第一長方形２２、第二長方形２３）を互い違いに並べた分割パターンＲの場合、一辺の長さが小さい矩形を互い違いに並べた分割パターンＲ（例：図３（２））に比べて、分割パターンＲそのもののデータ量を小さくすることができる。その結果、以下で説明する分割パターンＲを利用した処理を実行する際の、装置負担を軽減することができるというメリットがある。

なお、対象マスクパターン取得部１００が分割パターンＲの前記複数のバリエーションの中から、いずれのタイプを準備するよう構成するかは任意の設計事項であり、例えば、ユーザの操作に応じて、前記複数の中から一つの分割パターンＲを準備するよう構成することも可能である。かかる場合、ユーザは、対象マスクパターンＵのレイアウト、要求される解像度、などに応じて、任意に一つの分割パターンＲを選択することができる。

ここで、分割パターン準備部２００が分割パターンＲを準備する具体的手段としては、例えば、対象マスクパターン取得部１００が取得した対象マスクパターンＵのレイアウトに応じて、上述したようなレイアウトの分割パターンＲを生成することで実現することができる。すなわち、対象マスクパターン取得部１００が取得した対象マスクパターンＵを利用して、対象マスクパターンＵにレイアウトされている二つ以上のパターン１０の最小ピッチを識別し、識別した最小ピッチを利用して、上述したようなレイアウトの分割パターンＲを生成してもよい。最小ピッチの識別は、対象マスクパターンＵに最小ピッチが関連付けられている場合には、その情報を取得することで識別してもよい。対象マスクパターンＵに最小ピッチが関連付けられていない場合には、対象マスクパターンＵを利用して、最小ピッチを算出することで識別してもよい。

上述したような分割パターンＲの生成は、通常のパターン生成方法と何ら変わるところはなく、現在広く利用されているパターン作成ツールにより実現することができる。なお、その他の分割パターンＲを準備する具体的手段としては、あらかじめ本実施形態のパターン分割処理装置内に格納されていた分割パターンＲを取り出すことで実現してもよい。

縮小マスクパターン生成部３００は、図１（１）に示すような対象マスクパターンＵにレイアウトされた二つ以上のパターン１０を各パターン１０の略中心に向かって縮小し、縮小後のパターンである図１（３）に示すような縮小パターン１１がレイアウトされた縮小マスクパターンＵ´を生成するよう構成されている。なお、縮小の程度は対象マスクパターンＵのレイアウトに応じて定めることができる任意の設計事項であるが、分割パターン準備部２００で準備された図１（２）に示すような分割パターンＲと、図１（３）に示すような縮小マスクパターンＵ´とを重ね合わせた際、縮小パターン１１が分割パターンＲの第一矩形２０または第二矩形２１のいずれかの中に完全に包含される程度まで縮小する必要がある。このような縮小を実現する具体的手段としては、例えば、縮小処理前のパターン１０が図１（１）に示すような正方形（一辺の長さ：ｍ）のパターンである場合には、中心位置は縮小処理前の正方形（パターン１０）の中心位置と同一にし、各辺の長さは縮小処理前の正方形（パターン１０）の各辺（長さ：ｍ）に「−ｍ＋α」（α：十分小さい正の数）を加えた数値とする正方形（縮小パターン１１）を生成することで実現してもよい。この処理は、中心位置は縮小処理前の正方形（パターン１０）の中心位置と同一であって、一辺の長さがα（α：十分小さい正の数）の正方形（縮小パターン１１）を作成するのと同等である。すなわち、α（α：十分小さい正の数）の設計次第で、縮小の程度を自在に操作することができる。なお、縮小マスクパターン生成部３００による縮小処理は、その他の手段を利用して実現することも可能である。

第一縮小マスクパターン生成部４００は、図１（２）に示すような分割パターンＲと、図１（３）に示すような第一縮小マスクパターンＵ´と、を重ね合わせ、分割パターンＲの第一グループに分類された領域（第一矩形２０が占める領域）と重なる縮小パターン１１Ａを抽出することで、図１（４）に示すような第一縮小マスクパターンＲ×Ｕ´を生成するよう構成されている。なお、図１（４）中、実線四角が縮小パターン１１Ａであり、破線四角は、抽出されなかった縮小パターン１１、および、分割パターンＲを示している。

このような処理を行う第一縮小マスクパターン生成部４００は、例えば、広く利用されている「層合成＋バイアス処理」専用のツールにより実現することができる。このようなツールによれば、分割パターンＲと、第一縮小マスクパターンＵ´とを、ａｎｄ処理することで、縮小パターン１１Ａがレイアウトされた第一縮小マスクパターンＲ×Ｕ´を生成することができる。なお、ｏｒ処理、または、ｎｏｔ処理を行うことで、所望の第一縮小マスクパターンＲ×Ｕ´を生成することも可能である。

第一マスクパターン生成部５００は、図１（４）に示すような第一縮小マスクパターンＲ×Ｕ´にレイアウトされた縮小パターン１１Ａを、縮小マスクパターン生成部３００により縮小される前の元サイズに戻すことで、図１（５）に示すようなパターン１０Ａがレイアウトされた第一マスクパターンＵＡを生成するよう構成されている。縮小パターン１１Ａのサイズを元に戻す処理は、上述した縮小マスクパターン生成部３００による処理と逆の処理を行うことで実現できる。例えば、縮小マスクパターン生成部３００が、中心位置は縮小前の正方形（パターン１０）の中心位置と同一とし、各辺の長さは縮小前の正方形（パターン１０）の各辺に「−ｍ＋α」（α：十分小さい正の数）を加えた数値とした正方形（縮小パターン１１）を生成することで縮小処理を実現している場合、縮小パターン１１Ａのサイズを元に戻す処理は、次のような処理により実現できる。中心位置は縮小パターン１１Ａの中心位置と同一で、各辺の長さは縮小パターン１１Ａの各辺に「ｍ−α」（α：十分小さい正の数）を加えた数値とした正方形を生成する。この処理により、縮小パターン１１Ａ（図１（４））のサイズを元サイズに戻したパターン１０Ａ（図１（５））を生成することができる。

第二マスクパターン生成部６００は、図１（１）に示すような対象マスクパターンＵにレイアウトされた二つ以上のパターン１０から、図１（５）に示すような第一マスクパターンＵＡにレイアウトされたパターン１０Ａを差し引くことで、図１（６）に示すような第二マスクパターンＵＢを生成するよう構成されている。このような第二マスクパターン生成部６００は、上述した「層合成＋バイアス処理」専用のツールにより実現することができる。

上述した、対象マスクパターン取得部１００、分割パターン準備部２００、縮小マスクパターン生成部３００、第一縮小マスクパターン生成部４００、第一マスクパターン生成部５００、第二マスクパターン生成部６００を備える本実施形態のパターン分割処理装置により、不規則にパターンがレイアウトされた対象マスクパターンＵであっても、矛盾なく、第一マスクパターンＵＡと第二マスクパターンＵＢに分割することが可能となる。

しかし、分割パターンＲが、図４〜７に示すような比較的大きい矩形（第一矩形２０、第二矩形２１、第一長方形２２、第二長方形２３）を互い違いに並べたものである場合、第一マスクパターンＵＡおよび第二マスクパターンＵＢには、局所的にパターン（１０Ａ、１１Ａ）が密集した領域が発生してしまう。

また、対象マスクパターンＵに、図１５、１６に示すような、物理的に最近接パターンどうしを別々のグループに分割できないようなレイアウトが存在する場合にも、第一マスクパターンＵＡおよび／または第二マスクパターンＵＢには、局所的にパターン（１０Ａ、１１Ａ）が密集した領域が発生してしまう。

このような局所的にパターン（１０Ａ、１１Ａ）が密集した領域が存在するマスクパターンを利用した場合、十分な解像を得られない。すなわち、密集パターンを精度よく基板上に形成することができない。

本実施形態のパターン分割処理装置によれば、分割後の第一マスクパターンＵＡおよび第二マスクパターンＵＢに対して、次に説明するＯＰＣ部７００による処理を実行することで、上述したような不都合を解消することができる。

ＯＰＣ部７００は、第一マスクパターンＵＡおよび第二マスクパターンＵＢに対して、ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）を行うよう構成されている。なお、対象マスクパターンＵのレイアウトに応じ、第一マスクパターンＵＡおよび第二マスクパターンＵＢのいずれか一方のみにＯＰＣを行うようにすることも可能である。ＯＰＣ部７００が行うＯＰＣは、いわゆるモデルベースＯＰＣとするのが望ましい。モデルベースＯＰＣとは、レジストの特性や投影光学の特性などをモデル化し、シミュレーションを行うことにより、適切なパターンを生成する処理である。なお、ＯＰＣ部７００によるＯＰＣは、ルールベースＯＰＣとすることも可能である。

ここで、図８、９を用いて、ＯＰＣ部７００によるモデルベースＯＰＣのシミュレーション結果の一例を説明する。

図８（１）は、二つ以上のパターン１０がレイアウトされた対象マスクパターンＵを示している。

図８（２）は、二つ以上のパターン１０Ａがレイアウトされている第一マスクパターンＵＡを示している。この第一マスクパターンＵＡは、図８（１）に示す対象マスクパターンＵを、本実施形態の分割処理装置により分割したものである。なお、図８（２）には、あわせて、シミュレーションにより算出された、第一マスクパターンＵＡを利用して基板上に形成されるパターン３０を破線で示している。

図８（３）は、図８（２）に示す第一マスクパターンＵＡに対してモデルベースＯＰＣを行ったマスクパターンを示している。モデルベースＯＰＣにより、パターン１０Ａは長方形１２Ａに補正されている。なお、図８（３）には、あわせて、シミュレーションにより算出された、ＯＰＣを行ったマスクパターンを利用して基板上に形成されるパターン３０を破線で示している。

図９は、図８（１）〜（３）を、最近接方向に沿って切った時（図中、太線）の光学像を示したグラフである。

このシミュレーションは、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）液露光、Ｎａ＝１．２、σ＝０．７通常照明において、図８（１）に示す対象マスクパターンＵは、一辺が８０ｎｍの正方形による六方最密パターンとしたものである。解像性の指標として、光強度勾配（ｌｏｇ−ｓｌｏｐｅ、（１／Ｉ）ｄＩ／ｄｘ）に線幅を乗じたＮＩＬＳ（ｎｏｒｍａｌｉｚｅｄ ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ ｌｏｇ−ｓｌｏｐｅ）を用いた。安定した解像のためには、１以上のＮＩＬＳが必要である。

図８（１）に示す対象マスクパターンＵでは、最近接パターンどうしが同一のマスクパターンに含まれている。このようなマスクパターンのＮＩＬＳは０．４１８となり、解像は全く期待できない（図９（１））。なお、図８（１）に示す対象マスクパターンＵでは、配置が稠密であるため、モデルベースＯＰＣを行っても、満足できる補正結果を得ることができない。

図８（２）に示す第一マスクパターンＵＡについても、最近接パターンどうしが同一のマスクパターンに含まれ、それらのパターン形状は補正されず残っている。このようなマスクパターンのＮＩＬＳは０．７５７と依然低く、安定した解像を得ることはできない（図９（２））。このようなマスクパターンを利用して基板上にパターンを形成する場合、図８（２）に示すように、基板上のパターン３０は、最近接パターンどうしがショートしてしまう。

図８（３）に示す第一マスクパターンＵＡに対してＯＰＣを行ったマスクパターンの場合、各パターン１２Ａの形状は縦５０ｎｍ、横１７０ｎｍの長方形状に補正され、ＮＩＬＳは１．０８１と、安定した解像のために十分な値を確保することができる（図９（３））。このようなマスクパターンを利用して基板上にパターンを形成する場合、図８（３）に示すように、基板上のパターン３０は最近接パターンどうしがショートしない。すなわち、密集パターンを精度よく基板上に形成することが可能となる。

このように、本実施形態のパターン分割処理装置によれば、密集パターンを精度よく基板上に形成することができる。また、上述したように、本実施形態のパターン分割処理装置の各部は、一般的に利用されているツールを利用して実現することが可能であるので、新たに装置を製造したり、プルグラムを作成したりすることなく、既存のツールを組み合わせることで本実施形態のパターン分割処理装置を実現することが可能である。

上述した本実施形態のパターン分割方法は、分割処理対象のマスクパターンである対象マスクパターンＵを取得する対象マスクパターン取得処理と、所定領域内を複数の領域に分割し、前記複数の領域を互い違いに第一グループと第二グループに分類する分割パターンＲを準備する分割パターン準備処理と、対象マスクパターンＵにレイアウトされた二つ以上のパターン１０を各パターン１０の略中心に向かって縮小し、前記縮小後のパターンである縮小パターン１１がレイアウトされた縮小マスクパターＵ´を生成する縮小マスクパターン生成処理と、分割パターンＲと、縮小マスクパターンＵ´と、を重ね合わせ、分割パターンＲの前記第一グループに分類された領域と重なる縮小パターン１１を抽出した第一縮小マスクパターンＲ×Ｕ´を生成する第一縮小マスクパターン生成処理と、第一縮小マスクパターンＲ×Ｕ´にレイアウトされた縮小パターン１１Ａを、前記縮小マスクパターン生成処理を実行する前の元サイズに戻すことで第一マスクパターンＵＡを生成する第一マスクパターン生成処理と、対象マスクパターンＵにレイアウトされた二つ以上のパターン１０から、第一マスクパターンＵＡにレイアウトされたパターン１０Ａを差し引き、第二マスクパターンＵＢを生成する第二マスクパターン生成処理と、第一マスクパターンＵＡおよび第二マスクパターンＵＢに対して、ＯＰＣを行うＯＰＣ処理と、をコンピュータに実行させるためのプログラムにより実現することもできる。なお、前記ＯＰＣ処理を含まないプログラムとすることも可能である。

また、上述したプログラムは、上述したすべての処理を連続的に実行するような一つのプログラムであってもよいし、または、上述した処理を処理単位で複数に分割し、前記分割単位ごとの複数のプログラムの組み合わせにより実現されるプログラムであってもよい。

次に、図２ｂのフローチャート図を用いて、本実施形態のパターン分割方法について説明する。

本実施形態のパターン分割方法は、一つのマスクパターンにレイアウトされた二つ以上のパターンを第一マスクパターンと第二マスクパターンとに分割する方法であり、図２ｂのフローチャート図に示すように、対象マスクパターン取得工程Ｓ１０と、分割パターン準備工程Ｓ２０と、縮小マスクパターン生成工程Ｓ３０と、第一縮小マスクパターン生成工程Ｓ４０と、第一マスクパターン生成工程Ｓ５０と、第二マスクパターン生成工程Ｓ６０と、ＯＰＣ工程Ｓ７０と、を有する。なお、マスクパターンの種類によっては、ＯＰＣ工程Ｓ６０を有さない構成とすることも可能である。また、第二マスクパターン生成工程Ｓ５０を有さず、他の工程により第二マスクパターンを生成することも可能である。本実施形態のパターン分割方法は、例えば、本実施形態のパターン分割処理装置により実現することができる。以下、図１を用いて、本実施形態のパターン分割方法の各工程について説明する。

対象マスクパターン取得工程Ｓ１０は、図１（１）に示すような分割処理対象のマスクパターンである対象マスクパターンＵを取得する工程である。この工程は、本実施形態のパターン分割処理装置の対象マスクパターン取得部１００の実行により実現される。

分割パターン準備工程Ｓ２０は、図１（２）に示すような所定領域内を複数の領域に分割し、前記複数の領域を互い違いに第一グループと第二グループに分類する分割パターンＲを準備する工程である。この工程は、本実施形態のパターン分割処理装置の分割パターン準備部２００の実行により実現される。

縮小マスクパターン生成工程Ｓ３０は、図１（１）に示すような対象マスクパターンＵにレイアウトされた二つ以上のパターン１０を各パターン１０の略中心に向かって縮小し、縮小後のパターンである図１（３）に示すような縮小パターン１１がレイアウトされた縮小マスクパターンＵ´を生成する工程である。この工程は、本実施形態のパターン分割処理装置の縮小マスクパターン生成部３００の実行により実現される。

第一縮小マスクパターン生成工程Ｓ４０は、図１（２）に示すような分割パターンＲと、図１（３）に示すような縮小マスクパターンＵ´と、を重ね合わせ、分割パターンＲの第一グループに分類された領域（例：図中、斜線領域）と重なる縮小パターン１１を抽出した、図１（４）に示すような第一縮小マスクパターンＲ×Ｕ´を生成する工程である。この工程は、本実施形態のパターン分割処理装置の第一縮小マスクパターン生成部４００の実行により実現される。

第一マスクパターン生成工程Ｓ５０は、第一縮小マスクパターンＲ×Ｕ´にレイアウトされた縮小パターン１１Ａを、縮小マスクパターン生成工程Ｓ３０を実行する前の元サイズに戻すことで、図１（５）に示すような第一マスクパターンＵＡを生成する工程である。この工程は、本実施形態のパターン分割処理装置の第一マスクパターン生成部５００の実行により実現される。

第二マスクパターン生成工程Ｓ６０は、対象マスクパターンＵにレイアウトされた二つ以上のパターン１０から、第一マスクパターンＵＡにレイアウトされたパターン１０Ａを差し引くことで、図１（６）に示すような第二マスクパターンＵＢを生成する工程である。この工程は、本実施形態のパターン分割処理装置の第二マスクパターン生成部６００の実行により実現される。

ＯＰＣ工程Ｓ７０は、第一マスクパターンＵＡおよび第二マスクパターンＵＢに対して、ＯＰＣを行う工程である。この工程は、本実施形態のパターン分割処理装置のＯＰＣ部７００の実行により実現される。

なお、分割パターン準備工程Ｓ２０で準備する分割パターンＲは、対象マスクパターンＵにレイアウトされた二つ以上のパターン１０の最小ピッチを一辺の長さとする第一矩形２０と、第一矩形２０と同一形状の第二矩形２１とを互い違いに並べた市松模様であり、第一矩形２０の占める領域を前記第一グループ、第二矩形２１の占める領域を前記第二グループとするものであってもよい。この第一矩形２０および第二矩形２１は、正方形であってもよい。

または、分割パターン準備工程Ｓ２０で準備する分割パターンＲは、対象マスクパターンＵにレイアウトされた二つ以上のパターン１０の最小ピッチを一辺の長さとする第一長方形２２と、第一長方形２２と同一形状の第二長方形２３とを互い違いに並べた縞模様であり、第一長方形２２の占める領域を前記第一グループ、第二長方形２３の占める領域を前記第二グループとするものであってもよい。

本実施形態のパターン分割方法により、不規則にパターンがレイアウトされた対象マスクパターンＵであっても、矛盾なく、第一マスクパターンＵＡと第二マスクパターンＵＢに分割することができる。

また、分割後の第一マスクパターンＵＡおよび／または第二マスクパターンＵＢに、局所的にパターン（１０Ａ、１１Ａ）が密集した領域が発生してしまう場合であっても、第一マスクパターンＵＡおよび／または第二マスクパターンＵＢに対してＯＰＣを行うことで、密集パターンを精度よく基板上に形成することが可能となる。

なお、本実施形態のパターン分割処理装置、パターン分割方法は、ホールパターンや、配線パターン、基板に素子分離領域を形成するためのパターンなど、あらゆるパターンをレイアウトしたマスクパターンに対して利用することが可能である。例えば、図１２に示すような、一次元ラインパターン１０をレイアウトしたマスクパターンであっても、図示するような縞模様の分割パターンを利用することで、問題なく分割することができる。当該前提は、以下の実施形態についても同様である。
＜実施形態１の処理の流れ＞

以下、図１０のフローチャート図を用いて、本実施形態のパターン分割処理装置を用いて、本実施形態のパターン分割方法を具体化した際の処理の流れの一例について説明する。

ステップＳ１００では、対象マスクパターンＵを取得する。例えば、パターン分割処理装置内のメモリに格納されている対象マスクパターンＵを取り出す（対象マスクパターン取得工程Ｓ１０）。

ステップＳ２００では、対象マスクパターンＵにレイアウトされた二つ以上のパターンの最小ピッチを識別する。そして、ステップＳ３００では、分割パターンＲを準備する。例えば、ステップＳ２００で識別した最小ピッチを一辺の長さとする第一矩形（正方形）と第二矩形（正方形）とを互い違いに並べた市松模様である分割パターンＲを生成する（分割パターン準備工程Ｓ２０）。

ステップＳ４００では、対象マスクパターンＵを一律リサイズ（各パターンの略中心に向かって縮小）し、縮小マスクパターンＵ´を生成する。例えば、中心位置は対象マスクパターンＵにレイアウトされたリサイズ前のパターンの中心位置と同一にし、各辺の長さはリサイズ前のパターンの各辺の長さｍに、「−ｍ＋α」（α：十分小さい正の数）を加えた値とした縮小パターンを生成する。前記処理を、すべてのパターンに対して実行することで、縮小マスクパターンＵ´を生成する。（縮小マスクパターン生成工程Ｓ３０）。

ステップＳ５００では、分割パターンＲと、縮小マスクパターンＵ´と、を重ね合わせ、分割パターンＲの第一グループに分類された領域（第一矩形が占める領域）と重なる縮小パターンを抽出することで、第一縮小マスクパターンＲ×Ｕ´を生成する（第一縮小マスクパターン生成工程Ｓ４０）。

ステップＳ６００では、第一縮小マスクパターンＲ×Ｕ´を一律リサイズし（ステップＳ４００のリサイズ前のサイズに戻す）、第一マスクパターンＵＡを生成する（第一マスクパターン生成工程Ｓ５０）。

ステップＳ７００では、対象マスクパターンＵから第一マスクパターンＵＡを差し引き、第二マスクパターンＵＢを生成する（第二マスクパターン生成工程Ｓ６０）。

その後、必要に応じ、第一マスクパターンＵＡおよび第二マスクパターンＵＢに対して、ＯＰＣを行う。例えば、第一マスクパターンＵＡおよび第二マスクパターンＵＢに対して、モデルベースＯＰＣを行う。（ＯＰＣ工程Ｓ７０）。
＜＜実施形態２＞＞

実施形態２のパターン分割処理装置およびパターン分割方法は、第二マスクパターンを生成する手段が、実施形態１のパターン分割処理装置およびパターン分割方法と異なる。
＜実施形態２の構成＞

本実施形態のパターン分割処理装置は、図１１ａの機能ブロック図に示すように、対象マスクパターン取得部１００と、分割パターン準備部２００と、縮小マスクパターン生成部３００と、第一縮小マスクパターン生成部４００と、第一マスクパターン生成部５００と、第二縮小マスクパターン生成部５１０と、第二マスクパターン生成部６００と、ＯＰＣ部７００と、を有する。マスクパターンのレイアウト次第では、ＯＰＣ部７００を有さない構成とすることも可能である。

以下、本実施形態のパターン分割処理装置の構成について、詳細に説明する。なお、対象マスクパターン取得部１００、分割パターン準備部２００、縮小マスクパターン生成部３００、第一縮小マスクパターン生成部４００、第一マスクパターン生成部５００、ＯＰＣ部７００については、実施形態１で説明した構成と同様であるので、ここでの詳細な説明は省略する。

第二縮小マスクパターン生成部５１０は、図１（２）に示すような分割パターンＲと、図１（３）に示すような第一縮小マスクパターンＵ´と、を重ね合わせ、分割パターンＲの第二グループに分類された領域（第二矩形２１が占める領域）と重なる縮小パターン（図示せず）を抽出することで、第二縮小マスクパターン（図示せず）を生成するよう構成されている。すなわち、第二縮小マスクパターン（図示せず）は、図１（４）中、破線で示す縮小パターンのみを抽出したマスクパターンである。第二縮小マスクパターン生成部５１０は、第一縮小マスクパターン生成部４００と同様に、例えば、広く利用されている「層合成＋バイアス処理」専用のツールにより実現することができる。このツールを利用した具体的処理は、実施形態１で説明した第一縮小マスクパターン生成部４００における「層合成＋バイアス処理」専用のツールを利用した処理と同様である。

第二マスクパターン生成部６００は、第二縮小マスクパターンにレイアウトされた二つ以上の縮小パターン（図示せず）を、縮小マスクパターン生成部３００により縮小される前の元サイズに戻すことで、第二マスクパターンＵＢを生成するよう構成されている。なお、第二マスクパターン生成部６００は、実施形態１で説明した第一マスクパターン生成部５００と同様の構成により実現される。よって、ここでの詳細な説明は省略する。

なお、本実施形態のパターン分割方法は、分割処理対象のマスクパターンである対象マスクパターンＵを取得する対象マスクパターン取得処理と、所定領域内を複数の領域に分割し、前記複数の領域を互い違いに第一グループと第二グループに分類する分割パターンＲを準備する分割パターン準備処理と、対象マスクパターンＵにレイアウトされた二つ以上のパターン１０を各パターン１０の略中心に向かって縮小し、前記縮小後のパターンである縮小パターン１１がレイアウトされた縮小マスクパターンＵ´を生成する縮小マスクパターン生成処理と、分割パターンＲと、縮小マスクパターンＵ´と、を重ね合わせ、分割パターンＲの前記第一グループに分類された領域と重なる縮小パターン１１を抽出した第一縮小マスクパターンＲ×Ｕ´を生成する第一縮小マスクパターン生成処理と、第一縮小マスクパターンＲ×Ｕ´にレイアウトされた縮小パターン１１を、前記縮小マスクパターン生成処理を実行する前の元サイズに戻すことで第一マスクパターンＵＡを生成する第一マスクパターン生成処理と、分割パターンＲと、縮小マスクパターンＲ×Ｕ´と、を重ね合わせ、分割パターンＲの前記第二グループに分類された領域と重なる縮小パターン１１を抽出した第二縮小マスクパターンを生成する第二縮小マスクパターン生成処理と、前記第二縮小マスクパターンにレイアウトされた縮小パターン１１Ｂを、前記縮小マスクパターン生成処理を実行する前の元サイズに戻すことで第二マスクパターンＵＢを生成する第二マスクパターン生成処理と、第一マスクパターンＵＡおよび第二マスクパターンＵＢに対して、ＯＰＣを行うＯＰＣ処理と、をコンピュータに実行させるためのプログラムにより実現することもできる。なお、前記ＯＰＣ処理を含まないプログラムとすることも可能である。

また、上述したプログラムは、上述したすべての処理を連続的に実行するような一つのプログラムであってもよいし、または、上述した処理を処理単位で複数に分割し、前記分割単位ごとの複数のプログラムの組み合わせにより実現されるプログラムであってもよい。

次に、図１１ｂのフローチャート図を用いて、本実施形態のパターン分割方法について説明する。

本実施形態のパターン分割方法は、図１１ｂのフローチャート図に示すように、第一マスクパターン生成工程Ｓ５０と、第二マスクパターン生成工程Ｓ６０と、の間に、第二縮小マスクパターン生成工程Ｓ５１を有する。かかる点で、実施形態１のパターン分割方法と異なる。また、第二マスクパターン生成工程Ｓ６０の処理内容が、実施形態１のパターン分割方法と異なる。なお、その他の構成については、実施形態１のパターン分割方法と同様である。

以下、本実施形態のパターン分割方法の第二縮小マスクパターン生成工程Ｓ５１と、第二マスクパターン生成工程Ｓ６０について説明する。

第二縮小マスクパターン生成工程Ｓ５１は、図１（２）に示すような分割パターンＲと、図１（３）に示すような第一縮小マスクパターンＵ´と、を重ね合わせ、分割パターンＲの第二グループに分類された領域（第二矩形２１が占める領域）と重なる縮小パターン（図示せず）を抽出することで、第二縮小マスクパターン（図示せず）を生成する工程である。この工程は、本実施形態のパターン分割処理装置の第二縮小マスクパターン生成部５１０の実行により実現される。

第二マスクパターン生成工程Ｓ６０は、第二縮小マスクパターンにレイアウトされた縮小パターン（図示せず）を、縮小マスクパターン生成工程Ｓ３０を実行する前の元サイズに戻すことで、第二マスクパターンＵＢを生成する工程である。

本実施形態のパターン分割方法、パターン分割処理装置、および、パターン分割処理装置に実行させるコンピュータプログラムにより、不規則にパターンがレイアウトされた対象マスクパターンＵであっても、矛盾なく、第一マスクパターンＵＡと第二マスクパターンＵＢに分割することが可能となる。

また、分割後の第一マスクパターンＵＡおよび／または第二マスクパターンＵＢに、局所的にパターン（１０Ａ、１１Ａ）が密集した領域が発生してしまう場合であっても、第一マスクパターンＵＡおよび／または第二マスクパターンＵＢに対してＯＰＣを行うことで、密集パターンを精度よく基板上に形成することが可能となる。

１０ ：パターン
１０Ａ：第一パターン
１０Ｂ：第二パターン
１１ ：縮小パターン
１１Ａ：縮小パターン
１２Ａ：ＯＰＣ後の第一パターン
２０：第一矩形
２１：第二矩形
２２：第一長方形
２３：第二長方形
３０：モデルベースＯＰＣによるシミュレーション形状
Ｕ ：対象マスクパターン
ＵＡ ：第一マスクパターン
ＵＢ ：第二マスクパターン
Ｒ ：分割パターン
１００：対象マスクパターン取得部
２００：分割パターン準備部
３００：縮小マスクパターン生成部
４００：第一縮小マスクパターン生成部
５００：第一マスクパターン生成部
５１０：第二縮小マスクパターン生成部
６００：第二マスクパターン生成部
７００：ＯＰＣ部

Claims (17)

1. 一つのマスクパターンにレイアウトされた二つ以上のパターンを第一マスクパターンと第二マスクパターンとに分割するパターン分割方法であって、
   分割処理対象のマスクパターンである対象マスクパターンを取得する対象マスクパターン取得工程と、
   所定領域内を複数の領域に分割し、前記複数の領域を互い違いに第一グループと第二グループに分類する分割パターンを準備する分割パターン準備工程と、
   前記対象マスクパターンにレイアウトされた前記二つ以上のパターンを各パターンの略中心に向かって縮小し、前記縮小後のパターンである縮小パターンがレイアウトされた縮小マスクパターンを生成する縮小マスクパターン生成工程と、
   前記分割パターンと、前記縮小マスクパターンと、を重ね合わせ、前記分割パターンの前記第一グループに分類された領域と重なる前記縮小パターンを抽出した第一縮小マスクパターンを生成する第一縮小マスクパターン生成工程と、
   前記第一縮小マスクパターンにレイアウトされた前記縮小パターンを、前記縮小マスクパターン生成工程を実行する前の元サイズに戻すことで前記第一マスクパターンを生成する第一マスクパターン生成工程と、
   を有するパターン分割方法。
2. 前記対象マスクパターンにレイアウトされた二つ以上のパターンから、前記第一マスクパターンにレイアウトされたパターンを差し引き、前記第二マスクパターンを生成する第二マスクパターン生成工程、
   をさらに有する請求項１に記載のパターン分割方法。
3. 前記分割パターンと、前記縮小マスクパターンと、を重ね合わせ、前記分割パターンの前記第二グループに分類された領域と重なる前記縮小パターンを抽出した第二縮小マスクパターンを生成する第二縮小マスクパターン生成工程と、
   前記第二縮小マスクパターンにレイアウトされた前記縮小パターンを、前記縮小マスクパターン生成工程を実行する前の元サイズに戻すことで第二マスクを生成する第二マスクパターン生成工程、
   をさらに有する請求項１に記載のパターン分割方法。
4. 前記第一マスクパターンおよび前記第二マスクパターンに対して、ＯＰＣを行うＯＰＣ工程をさらに有する請求項１から３のいずれか一に記載のパターン分割方法。
5. 前記分割パターンは、
   前記対象マスクパターンにレイアウトされた二つ以上のパターンの最小ピッチを一辺の長さとする第一矩形と、前記第一矩形と同一形状の第二矩形とを互い違いに並べた市松模様であり、
   前記第一矩形の占める領域を前記第一グループ、前記第二矩形の占める領域を前記第二グループに分類する請求項１から４のいずれか一に記載のパターン分割方法。
6. 前記第一矩形および第二矩形は正方形である請求項５に記載のパターン分割方法。
7. 前記分割パターンは、
   前記対象マスクパターンにレイアウトされた二つ以上のパターンの最小ピッチを一辺の長さとする第一長方形と、前記第一長方形と同一形状の第二長方形とを互い違いに並べた縞模様であり、
   前記第一長方形の占める領域を前記第一グループ、前記第二長方形の占める領域を前記第二グループに分類する請求項１から４のいずれか一に記載のパターン分割方法。
8. 一つのマスクパターンにレイアウトされた二つ以上のパターンを第一マスクパターンと第二マスクパターンとに分割するパターン分割処理装置であって、
   分割処理対象のマスクパターンである対象マスクパターンを取得する対象マスクパターン取得部と、
   所定領域内を複数の領域に分割し、前記複数の領域を互い違いに第一グループと第二グループに分類する分割パターンを準備する分割パターン準備部と、
   前記対象マスクパターンにレイアウトされた前記二つ以上のパターンを各パターンの略中心に向かって縮小し、前記縮小後のパターンである縮小パターンがレイアウトされた縮小マスクパターンを生成する縮小マスクパターン生成部と、
   前記分割パターンと、前記縮小マスクパターンと、を重ね合わせ、前記分割パターンの前記第一グループに分類された領域と重なる前記縮小パターンを抽出した第一縮小マスクパターンを生成する第一縮小マスクパターン生成部と、
   前記第一縮小マスクパターンにレイアウトされた前記縮小パターンを、前記縮小マスクパターン生成部により前記縮小される前の元サイズに戻すことで第一マスクパターンを生成する第一マスクパターン生成部と、
   を有するパターン分割処理装置。
9. 前記対象マスクパターンにレイアウトされた二つ以上のパターンから、前記第一マスクパターンにレイアウトされたパターンを差し引き、前記第二マスクパターンを生成する第二マスクパターン生成部、
   をさらに有する請求項８に記載のパターン分割処理装置。
10. 前記分割パターンと、前記縮小マスクパターンと、を重ね合わせ、前記分割パターンの前記第二グループに分類された領域と重なる前記縮小パターンを抽出した第二縮小マスクパターンを生成する第二縮小マスクパターン生成部と、
    前記第二縮小マスクパターンにレイアウトされた前記縮小パターンを、前記縮小マスクパターン生成部により前記縮小される前の元サイズに戻すことで前記第二マスクパターンを生成する第二マスクパターン生成部、
    をさらに有する請求項８に記載のパターン分割処理装置。
11. 前記第一マスクパターンおよび前記第二マスクパターンに対して、ＯＰＣを行うＯＰＣ部をさらに有する請求項８から１０のいずれか一に記載のパターン分割処理装置。
12. 前記分割パターンは、
    前記対象マスクパターンにレイアウトされた二つ以上のパターンの最小ピッチを一辺の長さとする第一矩形と、前記第一矩形と同一形状の第二矩形とを互い違いに並べた市松模様であり、
    前記第一矩形の占める領域を前記第一グループ、前記第二矩形の占める領域を前記第二グループに分類する請求項８から１１のいずれか一に記載のパターン分割処理装置。
13. 前記第一矩形および第二矩形は正方形である請求項１２に記載のパターン分割処理装置。
14. 前記分割パターンは、
    前記対象マスクパターンにレイアウトされた二つ以上のパターンの最小ピッチを一辺の長さとする第一長方形と、前記第一長方形と同一形状の第二長方形とを互い違いに並べた縞模様であり、
    前記第一長方形の占める領域を前記第一グループ、前記第二長方形の占める領域を前記第二グループに分類する請求項８から１１のいずれか一に記載のパターン分割処理装置。
15. 分割処理対象のマスクパターンである対象マスクパターンを取得する対象マスクパターン取得処理と、
    所定領域内を複数の領域に分割し、前記複数の領域を互い違いに第一グループと第二グループに分類する分割パターンを準備する分割パターン準備処理と、
    前記対象マスクパターンにレイアウトされた二つ以上のパターンを各パターンの略中心に向かって縮小し、前記縮小後のパターンである縮小パターンがレイアウトされた縮小マスクパターンを生成する縮小マスクパターン生成処理と、
    前記分割パターンと、前記縮小マスクパターンと、を重ね合わせ、前記分割パターンの前記第一グループに分類された領域と重なる前記縮小パターンを抽出した第一縮小マスクパターンを生成する第一縮小マスクパターン生成処理と、
    前記第一縮小マスクパターンにレイアウトされた前記縮小パターンを、前記縮小マスクパターン生成処理を実行する前の元サイズに戻すことで第一マスクパターンを生成する第一マスクパターン生成処理と、
    前記対象マスクパターンにレイアウトされた二つ以上のパターンから、前記第一マスクパターンにレイアウトされたパターンを差し引き、第二マスクパターンを生成する第二マスクパターン生成処理と、
    をコンピュータに実行させるためのプログラム。
16. 分割処理対象のマスクパターンである対象マスクパターンを取得する対象マスクパターン取得処理と、
    所定領域内を複数の領域に分割し、前記複数の領域を互い違いに第一グループと第二グループに分類する分割パターンを準備する分割パターン準備処理と、
    前記対象マスクパターンにレイアウトされた二つ以上のパターンを各パターンの略中心に向かって縮小し、縮小後のパターンである縮小パターンがレイアウトされた縮小マスクパターンを生成する縮小マスクパターン生成処理と、
    前記分割パターンと、前記縮小マスクパターンと、を重ね合わせ、前記分割パターンの前記第一グループに分類された領域と重なる前記縮小パターンを抽出した第一縮小マスクパターンを生成する第一縮小マスクパターン生成処理と、
    前記第一縮小マスクパターンにレイアウトされた前記縮小パターンを、前記縮小マスクパターン生成処理を実行する前の元サイズに戻すことで第一マスクパターンを生成する第一マスクパターン生成処理と、
    前記分割パターンと、前記縮小マスクパターンと、を重ね合わせ、前記分割パターンの前記第二グループに分類された領域と重なる前記縮小パターンを抽出した第二縮小マスクパターンを生成する第二縮小マスクパターン生成処理と、
    前記第二縮小マスクパターンにレイアウトされた前記縮小パターンを、前記縮小マスクパターン生成処理を実行する前の元サイズに戻すことで第二マスクパターンを生成する第二マスクパターン生成処理と、
    をコンピュータに実行させるためのプログラム。
17. 請求項１５または１６に記載のプログラムであって、
    前記第二マスクパターン生成処理の後に、さらに、
    前記第一マスクパターンおよび前記第二マスクパターンに対して、ＯＰＣを行うＯＰＣ処理をコンピュータに実行させるためのプログラム。

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