JP2010268008A - Heat dissipation device - Google Patents
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Abstract
【課題】材料コストが安く、しかも放熱性能の優れた放熱装置を提供する。
【解決手段】放熱装置１は、一面が発熱体搭載面となされた絶縁基板３と、絶縁基板３の他面に固定されたヒートシンク５とを備えている。絶縁基板３における発熱体搭載面とは反対側の面に金属層７を形成する。絶縁基板３の金属層７とヒートシンク５との間に、複数の貫通穴９が形成されたアルミニウム板10からなり、かつ貫通穴９が応力吸収空間となっている応力緩和部材４を介在させる。応力緩和部材４を、絶縁基板３の金属層７およびヒートシンク５にろう付する。
【選択図】図１Disclosed is a heat dissipation device with low material cost and excellent heat dissipation performance.
A heat dissipation device includes an insulating substrate having one surface serving as a heating element mounting surface and a heat sink fixed to the other surface of the insulating substrate. A metal layer 7 is formed on the surface of the insulating substrate 3 opposite to the heating element mounting surface. Between the metal layer 7 of the insulating substrate 3 and the heat sink 5, a stress relaxation member 4 made of an aluminum plate 10 in which a plurality of through holes 9 are formed and in which the through holes 9 are stress absorbing spaces is interposed. The stress relaxation member 4 is brazed to the metal layer 7 and the heat sink 5 of the insulating substrate 3.
[Selection] Figure 1
Description
この発明は放熱装置に関し、さらに詳しくは、一面が発熱体搭載面となされた絶縁基板と、絶縁基板の他面に固定されたヒートシンクとを備えており、絶縁基板に搭載される半導体素子などの発熱体から発せられる熱をヒートシンクから放熱する放熱装置に関する。 The present invention relates to a heat radiating device, and more particularly, includes an insulating substrate whose one surface is a heating element mounting surface, and a heat sink fixed to the other surface of the insulating substrate, such as a semiconductor element mounted on the insulating substrate. The present invention relates to a heat dissipation device that dissipates heat generated from a heating element from a heat sink.
この明細書および特許請求の範囲において、「アルミニウム」という用語には、「純アルミニウム」と表現する場合を除いて、純アルミニウムの他にアルミニウム合金を含むものとする。 In this specification and claims, the term “aluminum” includes aluminum alloys in addition to pure aluminum, unless expressed as “pure aluminum”.
たとえばIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）などの半導体素子を使用したパワーモジュールにおいては、半導体素子から発せられる熱を効率良く放熱して、半導体素子の温度を所定温度以下に保つ必要がある。そこで、従来、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などのセラミックからなりかつ一面が発熱体搭載面となされた絶縁基板と、アルミニウムまたは銅（同合金を含む。以下、同じ）などの高熱伝導性金属により形成され、かつ絶縁基板の他面にはんだ付けされたヒートシンクとを備えた放熱装置が用いられており、放熱装置の絶縁基板の発熱体搭載面に半導体素子がはんだ付けされることによってパワーモジュールが構成されていた。 For example, in a power module using a semiconductor element such as an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), it is necessary to efficiently dissipate heat generated from the semiconductor element to keep the temperature of the semiconductor element below a predetermined temperature. Therefore, conventionally, an insulating substrate made of a ceramic such as aluminum oxide (Al 2 O 3 ) or aluminum nitride (AlN) and having one surface as a heating element mounting surface, and aluminum or copper (including the same alloy, the same applies hereinafter). A heat dissipation device is used that is made of a highly heat-conductive metal such as a heat sink that is soldered to the other surface of the insulating substrate. The semiconductor element is soldered to the heating element mounting surface of the insulating substrate of the heat dissipation device. As a result, a power module was configured.
ところで、たとえばハイブリットカーなどに用いられるパワーモジュールにおいては、放熱装置の放熱性能が長期間にわたって維持されることが要求されているが、上述した従来の放熱装置によれば、使用条件によっては、絶縁基板とヒートシンクとの熱膨張係数の相違に起因して熱応力が発生し、絶縁基板にクラックが生じたり、絶縁基板とヒートシンクとを接合しているはんだ層にクラックが生じたり、ヒートシンクの絶縁基板への接合面に反りが生じたりすることがあり、いずれの場合にも放熱性能が低下するという問題があった。 By the way, in a power module used for a hybrid car, for example, the heat dissipation performance of the heat dissipation device is required to be maintained over a long period of time. Thermal stress occurs due to the difference in thermal expansion coefficient between the substrate and the heat sink, causing cracks in the insulating substrate, cracks in the solder layer joining the insulating substrate and the heat sink, and insulating substrate of the heat sink In some cases, there is a problem that the heat dissipation performance is deteriorated.
そこで、このような問題を解決した放熱装置として、一面が発熱体搭載面となされた絶縁基板と、絶縁基板の他面にはんだ付けされた放熱体と、放熱体にねじ止めされたヒートシンクとを備えており、放熱体が、アルミニウム、銅などの高熱伝導性材料からなる１対の板状放熱体本体間に、インバー合金などの低熱膨張材が介在させられたものが提案されている（特許文献１参照。）
しかしながら、特許文献１記載の放熱装置においては、高熱伝導性材料と低熱膨張材とからなる放熱体を用いる必要があるので、材料コストが高くなるという問題がある。さらに、放熱体とヒートシンクとがねじ止めされているだけであるので、両者間での熱伝導性が十分ではなく、十分な放熱性能が得られない。
Therefore, as a heat dissipation device that solves such problems, an insulating substrate whose one surface is a heating element mounting surface, a heat radiator that is soldered to the other surface of the insulating substrate, and a heat sink that is screwed to the heat radiator are provided. It has been proposed that a heat dissipating body has a low thermal expansion material such as Invar alloy interposed between a pair of plate-shaped heat dissipating body bodies made of a high thermal conductivity material such as aluminum or copper (patent) (See
However, in the heat radiating device described in
この発明の目的は、上記問題を解決し、材料コストが安く、しかも放熱性能の優れた放熱装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a heat dissipation device that solves the above problems, has a low material cost, and is excellent in heat dissipation performance.
本発明は、上記目的を達成するために以下の態様からなる。 In order to achieve the above object, the present invention comprises the following aspects.
1)一面が発熱体搭載面となされた絶縁基板と、絶縁基板の他面に固定されたヒートシンクとを備えた放熱装置において、
絶縁基板における発熱体搭載面とは反対側の面に金属層が形成され、当該金属層とヒートシンクとの間に、高熱伝導性材料からなり、かつ応力吸収空間を有する応力緩和部材が介在させられ、応力緩和部材が、絶縁基板の金属層およびヒートシンクに金属接合されている放熱装置。
1) In a heat dissipation device including an insulating substrate whose one surface is a heating element mounting surface and a heat sink fixed to the other surface of the insulating substrate,
A metal layer is formed on the surface of the insulating substrate opposite to the heating element mounting surface, and a stress relaxation member made of a highly thermally conductive material and having a stress absorption space is interposed between the metal layer and the heat sink. The heat dissipation device in which the stress relaxation member is metal-bonded to the metal layer of the insulating substrate and the heat sink.
2)応力緩和部材が絶縁基板の金属層およびヒートシンクにろう付されている上記1)記載の放熱装置。 2) The heat dissipation device according to 1) above, wherein the stress relaxation member is brazed to the metal layer of the insulating substrate and the heat sink.
3)絶縁基板がセラミックからなる上記1)または2)記載の放熱装置。 3) The heat dissipation device according to 1) or 2) above, wherein the insulating substrate is made of ceramic.
4)応力緩和部材が、複数の貫通穴が形成されたアルミニウム板からなり、貫通穴が応力吸収空間となっている上記1)〜3)のうちのいずれかに記載の放熱装置。 4) The heat dissipation device according to any one of 1) to 3) above, wherein the stress relaxation member is made of an aluminum plate in which a plurality of through holes are formed, and the through holes are stress absorbing spaces.
5)貫通穴が、アルミニウム板における少なくとも絶縁基板の周縁部と対応する位置に形成されている上記4)記載の放熱装置。 5) The heat dissipating device according to 4) above, wherein the through hole is formed at a position corresponding to at least the peripheral edge of the insulating substrate in the aluminum plate.
6)貫通穴が非角形であり、貫通穴の円相当径が１〜４ｍｍである上記4)または5)記載の放熱装置。 6) The heat radiating device according to 4) or 5) above, wherein the through hole is non-square and the equivalent circle diameter of the through hole is 1 to 4 mm.
なお、この明細書および特許請求の範囲において、「非角形」という用語は、数学的に定義される鋭角、鈍角および直角を持たない形状、すなわち円、だ円、長円や、コーナ部がアール状となされたほぼ多角形状などを意味するものとする。また、この明細書および特許請求の範囲において、「円相当径」は、ある形状の面積を、この面積と等しい円の直径で表したものである。 In this specification and claims, the term “non-square” means a shape that does not have a mathematically defined acute angle, obtuse angle, or right angle, ie, a circle, an ellipse, an ellipse, or a corner. It means a substantially polygonal shape formed into a shape. Further, in this specification and claims, the “equivalent circle diameter” is an area of a certain shape expressed by the diameter of a circle equal to this area.
上記6)の放熱装置において、貫通穴の円相当径を１〜４ｍｍとしたのは、貫通穴の円相当径が小さすぎると、絶縁基板とヒートシンクとの熱膨張係数の相違に起因して放熱装置に熱応力が発生した場合の応力緩和部材の変形が不十分になって、応力緩和部材による応力緩和性能が十分ではなくなるおそれがあり、貫通穴の円相当径が大きすぎると、熱伝導性が低下するおそれがあるからである。特に、応力緩和部材を絶縁基板の金属層およびヒートシンクにろう付する場合には、上記円相当径が小さすぎると、貫通穴がろう材により塞がれ、その結果放熱装置に熱応力が発生した場合にも応力緩和部材て全く変形しなくなることがある。 In the heat radiating device of 6) above, the equivalent circle diameter of the through hole is set to 1 to 4 mm. If the equivalent circle diameter of the through hole is too small, the heat radiation is caused by the difference in thermal expansion coefficient between the insulating substrate and the heat sink. The stress relaxation member may not be sufficiently deformed when thermal stress is generated in the equipment, and the stress relaxation performance of the stress relaxation member may not be sufficient. If the equivalent circle diameter of the through hole is too large, the thermal conductivity It is because there exists a possibility that it may fall. In particular, when the stress relaxation member is brazed to the metal layer and the heat sink of the insulating substrate, if the equivalent circle diameter is too small, the through hole is blocked by the brazing material, and as a result, thermal stress is generated in the heat dissipation device. In some cases, the stress relaxation member may not be deformed at all.
7)アルミニウム板の一面の面積に対するすべての貫通穴の面積の合計の割合が３〜５０％の範囲内にある上記4)〜6)のうちのいずれかに記載の放熱装置。 7) The heat radiating device according to any one of 4) to 6) above, wherein a ratio of a total area of all through holes to an area of one surface of the aluminum plate is in a range of 3 to 50%.
上記7)の放熱装置において、アルミニウム板の一面の面積に対するすべての貫通穴の面積の合計の割合を３〜５０％の範囲内としたのは、この割合が低すぎると、絶縁基板とヒートシンクとの熱膨張係数の相違に起因して放熱装置に熱応力が発生した場合の応力緩和部材の変形が不十分になって、応力緩和部材による応力緩和性能が十分ではなくなるおそれがあり、高すぎると、熱伝導性が低下するおそれがあるからである。 In the heat radiating device of the above 7), the ratio of the total area of all the through holes to the area of one surface of the aluminum plate is set within the range of 3 to 50%. When the thermal stress is generated in the heat dissipation device due to the difference in thermal expansion coefficient, the deformation of the stress relaxation member becomes insufficient, and the stress relaxation performance by the stress relaxation member may not be sufficient. This is because the thermal conductivity may be lowered.
8)応力緩和部材が、少なくともいずれか一面に複数の凹所が形成されたアルミニウム板からなり、凹所が応力吸収空間となっている上記1)〜3)のうちのいずれかに記載の放熱装置。 8) The heat dissipation member according to any one of the above 1) to 3), wherein the stress relaxation member is made of an aluminum plate in which a plurality of recesses are formed on at least one surface, and the recesses are stress absorption spaces. apparatus.
9)凹所が、アルミニウム板における少なくとも絶縁基板の周縁部と対応する位置に形成されている上記8)記載の放熱装置。 9) The heat dissipating device according to 8) above, wherein the recess is formed at a position corresponding to at least the peripheral edge of the insulating substrate in the aluminum plate.
10)凹所の開口が非角形であり、凹所の開口の円相当径が１〜４ｍｍである上記8)または9)記載の放熱装置。 10) The heat dissipating device according to 8) or 9) above, wherein the opening of the recess is non-square, and the equivalent circle diameter of the opening of the recess is 1 to 4 mm.
上記10)の放熱装置において、凹所の開口の円相当径を１〜４ｍｍとしたのは、凹所の開口の円相当径が小さすぎると、絶縁基板とヒートシンクとの熱膨張係数の相違に起因して放熱装置に熱応力が発生した場合の応力緩和部材の変形が不十分になって、応力緩和部材による応力緩和性能が十分ではなくなるおそれがあり、凹所の開口の円相当径が大きすぎると、熱伝導性が低下するおそれがあるからである。特に、応力緩和部材を絶縁基板の金属層およびヒートシンクにろう付する場合には、上記円相当径が小さすぎると、凹所がろう材により塞がれ、その結果放熱装置に熱応力が発生した場合にも応力緩和部材て全く変形しなくなることがある。 In the heat dissipation device of the above 10), the reason why the equivalent circle diameter of the recess opening is set to 1 to 4 mm is that if the equivalent circle diameter of the recess opening is too small, the thermal expansion coefficient is different between the insulating substrate and the heat sink. As a result, when the thermal stress is generated in the heat dissipation device, the stress relaxation member may not be sufficiently deformed, and the stress relaxation performance by the stress relaxation member may not be sufficient, and the equivalent circle diameter of the opening in the recess is large. It is because thermal conductivity may fall when too large. In particular, when the stress relaxation member is brazed to the metal layer and the heat sink of the insulating substrate, if the equivalent circle diameter is too small, the recess is blocked by the brazing material, and as a result, thermal stress is generated in the heat dissipation device. In some cases, the stress relaxation member may not be deformed at all.
11)アルミニウム板の凹所が形成された面の面積に対する当該面に形成された全凹所の開口面積の合計の割合が３〜５０％の範囲内にある上記8)〜10)のうちのいずれかに記載の放熱装置。 11) Of the above 8) to 10), the ratio of the total opening area of all the recesses formed in the surface to the area of the surface in which the recesses of the aluminum plate are formed is in the range of 3 to 50% A heat dissipation device according to any one of the above.
上記11)の放熱装置において、アルミニウム板の凹所が形成された面の面積に対する当該面に形成された全凹所の開口面積の合計の割合を３〜５０％の範囲内としたのは、この割合が低すぎると、絶縁基板とヒートシンクとの熱膨張係数の相違に起因して放熱装置に熱応力が発生した場合の応力緩和部材の変形が不十分になって、応力緩和部材による応力緩和性能が十分ではなくなるおそれがあり、高すぎると、熱伝導性が低下するおそれがあるからである。 In the heat dissipation device of the above 11), the ratio of the total opening area of all the recesses formed in the surface to the area of the surface in which the recesses of the aluminum plate are formed is in the range of 3 to 50%. If this ratio is too low, the stress relaxation member is not sufficiently deformed when thermal stress is generated in the heat dissipation device due to the difference in thermal expansion coefficient between the insulating substrate and the heat sink, and the stress relaxation by the stress relaxation member. This is because the performance may not be sufficient, and if it is too high, the thermal conductivity may decrease.
12)応力緩和部材が、少なくとも一面に複数の凹所が形成されるとともに、複数の貫通穴が形成されたアルミニウム板からなり、凹所および貫通穴が応力吸収空間となっている上記1)〜3)のうちのいずれかに記載の放熱装置。 12) The stress relaxation member is formed of an aluminum plate having a plurality of recesses formed on at least one surface and a plurality of through holes, and the recesses and the through holes are stress absorbing spaces. The heat radiating device according to any one of 3).
13)応力緩和部材を形成するアルミニウム板の肉厚が０．３〜３ｍｍである上記4)〜12)のうちのいずれかに記載の放熱装置。 13) The heat dissipation device according to any one of 4) to 12) above, wherein the thickness of the aluminum plate forming the stress relaxation member is 0.3 to 3 mm.
上記13)の放熱装置において、応力緩和部材を形成するアルミニウム板の肉厚を０．３〜３ｍｍとしたのは、この肉厚が薄すぎると、絶縁基板とヒートシンクとの熱膨張係数の相違に起因して放熱装置に熱応力が発生した場合の応力緩和部材の変形が不十分になって、応力緩和部材による応力緩和性能が十分ではなくなるおそれがあり、この肉厚が厚すぎると熱伝導性が低下するおそれがあるからである。 In the heat radiating device of the above 13), the thickness of the aluminum plate forming the stress relaxation member is set to 0.3 to 3 mm because, if this thickness is too thin, the thermal expansion coefficient of the insulating substrate and the heat sink is different. Due to this, when the thermal stress is generated in the heat dissipation device, the deformation of the stress relaxation member may become insufficient, and the stress relaxation performance by the stress relaxation member may not be sufficient. It is because there exists a possibility that it may fall.
14)アルミニウム板が、純度９９％以上の純アルミニウムからなる上記4)〜13)のうちのいずれかに記載の放熱装置。 14) The heat radiating device according to any one of 4) to 13), wherein the aluminum plate is made of pure aluminum having a purity of 99% or more.
15)応力緩和部材が、芯材と芯材の両面を被覆するろう材製皮材とからなるブレージングシートにより形成され、ブレージングシートの皮材を用いて絶縁基板の金属層と、ヒートシンクとにろう付されている上記4)〜14)のうちのいずれかに記載の放熱装置。 15) The stress relaxation member is formed of a brazing sheet comprising a core material and a brazing material skin covering both surfaces of the core material, and the brazing sheet skin material is used to braze the metal layer of the insulating substrate and the heat sink. The heat radiating device according to any one of 4) to 14) above.
16)応力緩和部材が、シート状ろう材を用いて絶縁基板の金属層と、ヒートシンクとにろう付されている上記4)〜14)のうちのいずれかに記載の放熱装置。 16) The heat dissipation device according to any one of the above 4) to 14), wherein the stress relaxation member is brazed to the metal layer of the insulating substrate and the heat sink using a sheet-like brazing material.
17)上記1)〜16)のうちのいずれかに記載の放熱装置と、放熱装置の絶縁基板に搭載された半導体素子とを備えたパワーモジュール。 17) A power module comprising the heat dissipation device according to any one of 1) to 16) above and a semiconductor element mounted on an insulating substrate of the heat dissipation device.
上記1)の放熱装置によれば、絶縁基板における発熱体搭載面とは反対側の面に金属層が形成され、当該金属層とヒートシンクとの間に、高熱伝導性材料からなり、かつ応力吸収空間を有する応力緩和部材が介在させられ、応力緩和部材が、絶縁基板の金属層およびヒートシンクに金属接合されているので、絶縁基板とヒートシンクとの間の熱伝導性が優れたものになり、絶縁基板に搭載される半導体素子から発せられる熱の放熱性能が向上する。しかも、絶縁基板とヒートシンクとの熱膨張係数の相違に起因して放熱装置に熱応力が発生した場合にも、応力吸収空間の働きによりにより応力緩和部材が変形し、これにより熱応力が緩和されるので、絶縁基板にクラックが生じたり、絶縁基板の金属層と応力緩和部材との接合部にクラックが生じたり、ヒートシンクの絶縁基板への接合面に反りが生じたりすることが防止される。したがって、放熱性能が長期間にわたって維持される。また、応力緩和部材として、たとえば上記4)〜13)記載のものを用いると、応力緩和部材のコストが安くなり、その結果放熱装置の材料コストが安くなる。 According to the heat dissipation device of 1) above, a metal layer is formed on the surface of the insulating substrate opposite to the heating element mounting surface, and is made of a highly thermally conductive material between the metal layer and the heat sink and absorbs stress. A stress relaxation member having a space is interposed, and the stress relaxation member is metal-bonded to the metal layer of the insulating substrate and the heat sink, so that the thermal conductivity between the insulating substrate and the heat sink is excellent, and insulation is achieved. The heat radiation performance of heat generated from the semiconductor element mounted on the substrate is improved. In addition, even when thermal stress is generated in the heat dissipation device due to the difference in thermal expansion coefficient between the insulating substrate and the heat sink, the stress relaxation member is deformed by the action of the stress absorption space, thereby relaxing the thermal stress. Therefore, it is possible to prevent a crack from being generated in the insulating substrate, a crack from occurring in the joint portion between the metal layer of the insulating substrate and the stress relaxation member, and a warp of the bonding surface of the heat sink to the insulating substrate. Therefore, the heat dissipation performance is maintained for a long time. Further, when the stress relieving member described in the above 4) to 13) is used, for example, the stress relieving member is reduced in cost, and as a result, the material cost of the heat dissipation device is reduced.
上記2)の放熱装置によれば、応力緩和部材が絶縁基板の金属層およびヒートシンクにろう付されているので、応力緩和部材と絶縁基板の金属層、および応力緩和部材とヒートシンクとを同時に接合することができ、製作する際の作業性が向上する。特許文献１記載の放熱装置においては、絶縁基板と放熱体とをはんだ付けした後に放熱体とヒートシンクとをねじ止めする必要があり、製作の際の作業性が悪い。
According to the heat dissipation device of 2) above, since the stress relaxation member is brazed to the metal layer and the heat sink of the insulating substrate, the stress relaxation member and the metal layer of the insulating substrate are bonded simultaneously to the stress relaxation member and the heat sink. This improves the workability during production. In the heat radiating device described in
上記4)〜13)の放熱装置によれば、応力緩和部材のコストが安くなり、その結果放熱装置の材料コストが安くなる。 According to the heat radiating device of 4) to 13) above, the cost of the stress relaxation member is reduced, and as a result, the material cost of the heat radiating device is reduced.
上記4)〜7)の放熱装置によれば、貫通穴からなる応力吸収空間の働きにより応力緩和部材が変形し、これにより熱応力が緩和される。 According to the heat radiating device of the above 4) to 7), the stress relaxation member is deformed by the action of the stress absorption space formed by the through hole, and thereby the thermal stress is relaxed.
上記5)の放熱装置によれば、熱応力緩和効果が優れたものになる。すなわち、放熱装置における絶縁基板の周縁部に最も大きな熱応力や歪みが発生しやすいが、上記5)のように構成されていると、貫通穴の働きによりによりアルミニウム板における絶縁基板の周縁部と対応する部分が変形しやすくなり、これにより熱応力が緩和される。 According to the heat radiating device of 5), the thermal stress relaxation effect is excellent. That is, the largest thermal stress or distortion is likely to occur at the peripheral portion of the insulating substrate in the heat dissipation device, but when configured as in 5) above, the peripheral portion of the insulating substrate in the aluminum plate is caused by the function of the through hole. Corresponding portions are easily deformed, thereby relieving thermal stress.
上記8)の放熱装置によれば、凹所からなる応力吸収空間の働きにより応力緩和部材が変形し、これにより熱応力が緩和される。 According to the heat radiating device of the above 8), the stress relaxation member is deformed by the action of the stress absorption space formed by the recess, and thereby the thermal stress is relaxed.
上記9)の放熱装置によれば、熱応力緩和効果が優れたものになる。すなわち、放熱装置における絶縁基板の周縁部に最も大きな熱応力や歪みが発生しやすいが、上記9)のように構成されていると、凹所の働きによりによりアルミニウム板における絶縁基板の周縁部と対応する部分が変形しやすくなり、これにより熱応力が緩和される。 According to the heat radiating device of 9), the thermal stress relaxation effect is excellent. That is, the largest thermal stress or distortion is likely to occur at the peripheral portion of the insulating substrate in the heat dissipation device, but when configured as described in 9) above, the peripheral portion of the insulating substrate in the aluminum plate is caused by the action of the recess. Corresponding portions are easily deformed, thereby relieving thermal stress.
上記12)の放熱装置によれば、凹所および貫通穴からなる応力吸収空間の働きにより応力緩和部材が変形し、これにより熱応力が緩和される。 According to the heat radiating device of the above 12), the stress relaxation member is deformed by the action of the stress absorption space composed of the recess and the through hole, and thereby the thermal stress is relaxed.
上記14)の放熱装置によれば、応力緩和部材と、絶縁基板の金属層およびヒートシンクとをろう付する際の応力緩和部材に対する溶融ろう材の濡れ性が優れたものになるので、ろう付性が向上する。しかも、上記ろう付の際の加熱により応力緩和部材の強度が低下し、放熱装置に熱応力が発生した場合に、応力緩和部材が変形しやすく、応力緩和効果が優れたものになる。 According to the heat dissipation device of the above 14), the brazing property is excellent because the brazing material has excellent wettability to the stress relaxation member when brazing the stress relaxation member and the metal layer and heat sink of the insulating substrate. Will improve. In addition, when the stress during the brazing is reduced, the strength of the stress relaxation member is reduced, and when a thermal stress is generated in the heat dissipation device, the stress relaxation member is easily deformed, and the stress relaxation effect is excellent.
以下、この発明の実施形態を、図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、図１の上下を上下というものとする。また、全図面を通じて同一部分および同一物には同一符号を付して重複する説明を省略する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the following description, the top and bottom in FIG. Moreover, the same code | symbol is attached | subjected to the same part and the same thing through all drawings, and the overlapping description is abbreviate | omitted.
図１はこの発明の実施形態の放熱装置を用いたパワーモジュールの一部分を示し、図２は応力緩和部材を示す。 FIG. 1 shows a part of a power module using a heat dissipation device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows a stress relaxation member.
図１において、パワーモジュールは、放熱装置(1)と、放熱装置(1)に搭載された、たとえばIGBTなどの半導体素子(2)とを備えている。 In FIG. 1, the power module includes a heat dissipation device (1) and a semiconductor element (2) such as an IGBT mounted on the heat dissipation device (1).
放熱装置(1)は、上面が発熱体搭載面となされたセラミック製絶縁基板(3)と、絶縁基板(3)の下面に接合された応力緩和部材(4)と、応力緩和部材(4)の下面に接合されたヒートシンク(5)とを備えている。 The heat dissipation device (1) includes a ceramic insulating substrate (3) whose upper surface is a heating element mounting surface, a stress relaxation member (4) bonded to the lower surface of the insulating substrate (3), and a stress relaxation member (4). And a heat sink (5) joined to the lower surface of the.
絶縁基板(3)は、必要とされる絶縁特性、熱伝導率および機械的強度を満たしていれば、どのようなセラミックから形成されていてもよいが、たとえば酸化アルミニウムや窒化アルミニウムにより形成される。絶縁基板(3)の上面に回路層(6)が形成され、回路層(6)上に半導体素子(2)がはんだ付けされている。はんだ層の図示は省略する。回路層(6)は導電性に優れたアルミニウム、銅などの金属により形成されるが、電気伝導率が高く、変形能が高く、しかも半導体素子とのはんだ付け性に優れた純度の高い純アルミニウムにより形成されていることが好ましい。また、絶縁基板(3)の下面に金属層(7)が形成され、金属層(7)に応力緩和部材(4)がろう付されている。ろう材層の図示は省略する。金属層(7)は、熱伝導性に優れたアルミニウム、銅などの金属により形成されるが、熱伝導率が高く、変形能が高く、しかも溶融したろう材との濡れ性に優れた純度の高い純アルミニウムにより形成されていることが好ましい。そして、絶縁基板(3)、回路層(6)および金属層(7)によりパワーモジュール用基板(8)が構成されている。 The insulating substrate (3) may be formed of any ceramic as long as it satisfies the required insulating properties, thermal conductivity, and mechanical strength. For example, the insulating substrate (3) is formed of aluminum oxide or aluminum nitride. . A circuit layer (6) is formed on the upper surface of the insulating substrate (3), and the semiconductor element (2) is soldered on the circuit layer (6). Illustration of the solder layer is omitted. The circuit layer (6) is formed of a metal such as aluminum or copper having excellent conductivity, but has high electrical conductivity, high deformability, and high purity pure aluminum with excellent solderability with a semiconductor element. It is preferable that it is formed by. Further, a metal layer (7) is formed on the lower surface of the insulating substrate (3), and the stress relaxation member (4) is brazed to the metal layer (7). The brazing material layer is not shown. The metal layer (7) is formed of a metal such as aluminum or copper having excellent thermal conductivity, but has high thermal conductivity, high deformability, and purity with excellent wettability with molten brazing material. It is preferably formed of high pure aluminum. The insulating substrate (3), the circuit layer (6), and the metal layer (7) constitute a power module substrate (8).
応力緩和部材(4)は高熱伝導性材料からなり、応力吸収空間を有している。図２に示すように、応力緩和部材(4)は、複数の非角形、ここでは円形貫通穴(9)が千鳥配置状に形成されたアルミニウム板(10)からなり、貫通穴(9)が応力吸収空間となっている。円形貫通穴(9)は、アルミニウム板(10)における少なくとも絶縁基板(3)の周縁部と対応する位置、すなわちアルミニウム板(10)における絶縁基板(3)の周縁部と対応する周縁部を含んで、全体に形成されている。アルミニウム板(10)は、熱伝導率が高く、ろう付時の加熱により強度が低下して変形能が高く、しかも溶融したろう材との濡れ性に優れた純度９９％以上、望ましく純度９９．５％以上の純アルミニウムにより形成されているのがよい。アルミニウム板(10)の肉厚は０．３〜３ｍｍであることが好ましく、０．３〜１．５ｍｍであることが望ましい。貫通穴(9)の円相当径、ここでは貫通穴(9)が円形であるから、その穴径は１〜４ｍｍであることが好ましい。また、アルミニウム板(10)の一面の面積に対するすべての貫通穴(9)の面積の合計の割合が３〜５０％の範囲内にあることが好ましい。 The stress relaxation member (4) is made of a high thermal conductivity material and has a stress absorption space. As shown in FIG. 2, the stress relaxation member (4) is composed of an aluminum plate (10) in which a plurality of non-square shapes, here circular through holes (9) are formed in a staggered arrangement, and the through holes (9) are formed. It is a stress absorption space. The circular through hole (9) includes at least a position corresponding to the peripheral edge of the insulating substrate (3) in the aluminum plate (10), that is, a peripheral edge corresponding to the peripheral edge of the insulating substrate (3) in the aluminum plate (10). And it is formed in the whole. The aluminum plate (10) has a high thermal conductivity, a strength that is reduced by heating during brazing, high deformability, and excellent wettability with the molten brazing material. It is good to be formed with 5% or more pure aluminum. The thickness of the aluminum plate (10) is preferably 0.3 to 3 mm, and more preferably 0.3 to 1.5 mm. Since the equivalent circular diameter of the through hole (9), here the through hole (9) is circular, the hole diameter is preferably 1 to 4 mm. Moreover, it is preferable that the ratio of the total area of all the through holes (9) to the area of one surface of the aluminum plate (10) is in the range of 3 to 50%.
ヒートシンク(5)は、複数の冷却流体通路(11)が並列状に設けられた偏平中空状であり、熱伝導性に優れるとともに、軽量であるアルミニウムにより形成されていることが好ましい。冷却流体としては、液体および気体のいずれを用いてもよい。 The heat sink (5) is preferably a flat hollow shape in which a plurality of cooling fluid passages (11) are provided in parallel, is excellent in thermal conductivity, and is preferably formed of lightweight aluminum. Either a liquid or a gas may be used as the cooling fluid.
応力緩和部材(4)と、パワーモジュール用基板(8)の金属層(7)およびヒートシンク(5)とのろう付は、たとえば次のようにして行われる。すなわち、応力緩和部材(4)を上記純アルミニウムからなる芯材と、芯材の両面を被覆するアルミニウムろう材製皮材とからなるアルミニウムブレージングシートにより形成する。なお、アルミニウムろう材としては、たとえばＡｌ−Ｓｉ系合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系合金などが用いられる。また、皮材の厚みは１０〜２００μｍ程度であることが好ましい。この厚みが薄すぎるとろう材の供給不足となってろう付不良を起こすおそれがあり、この厚みが厚すぎるとろう材過多となってボイドの発生や熱伝導性の低下を招くおそれがある。 The stress relaxation member (4), the metal layer (7) of the power module substrate (8), and the heat sink (5) are brazed, for example, as follows. That is, the stress relieving member (4) is formed by an aluminum brazing sheet comprising the core material made of the pure aluminum and the aluminum brazing material skin material covering both surfaces of the core material. As the aluminum brazing material, for example, an Al—Si alloy, an Al—Si—Mg alloy, or the like is used. The thickness of the skin material is preferably about 10 to 200 μm. If the thickness is too thin, the brazing material may be insufficiently supplied and brazing failure may occur, and if the thickness is too thick, the brazing material may become excessive and voids may be generated or the thermal conductivity may be reduced.
ついで、パワーモジュール用基板(8)、応力緩和部材(4)およびヒートシンク(5)を積層状に配置するとともに適当な治具により拘束し、接合面に適当な荷重を加えながら、真空雰囲気中または不活性ガス雰囲気中において、５７０〜６００℃に加熱する。こうして、応力緩和部材(4)と、パワーモジュール用基板(8)の金属層(7)およびヒートシンク(5)とが同時にろう付される。 Next, the power module substrate (8), the stress relaxation member (4), and the heat sink (5) are arranged in a stack and restrained by an appropriate jig, while applying an appropriate load to the joint surface, in a vacuum atmosphere or Heat to 570-600 ° C in an inert gas atmosphere. Thus, the stress relaxation member (4), the metal layer (7) of the power module substrate (8), and the heat sink (5) are brazed simultaneously.
また、応力緩和部材(4)と、パワーモジュール用基板(8)の金属層(7)およびヒートシンク(5)とのろう付は、次のようにして行ってもよい。すなわち、応力緩和部材(4)を上記純アルミニウムのベア材により形成する。ついで、パワーモジュール用基板(8)、応力緩和部材(4)およびヒートシンク(5)を積層状に配置する。このとき、応力緩和部材(4)と、パワーモジュール用基板(8)の金属層(7)およびヒートシンク(5)との間に、それぞれＡｌ−Ｓｉ系合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系合金などからなるシート状アルミニウムろう材を介在させておく。シート状アルミニウムろう材の厚みは１０〜２００μｍ程度であることが好ましい。この厚みが薄すぎるとろう材の供給不足となってろう付不良を起こすおそれがあり、この厚みが厚すぎるとろう材過多となってボイドの発生や熱伝導性の低下を招くおそれがある。その後、上述したアルミニウムブレージングシートを用いた場合と同様にしてろう付する。こうして、応力緩和部材(4)と、パワーモジュール用基板(8)の金属層(7)およびヒートシンク(5)とが同時にろう付される。 The stress relaxation member (4), the metal layer (7) of the power module substrate (8), and the heat sink (5) may be brazed as follows. That is, the stress relieving member (4) is formed from the bare aluminum material. Next, the power module substrate (8), the stress relaxation member (4), and the heat sink (5) are arranged in a laminated form. At this time, between the stress relaxation member (4) and the metal layer (7) and the heat sink (5) of the power module substrate (8), respectively, an Al-Si alloy, an Al-Si-Mg alloy, etc. A sheet-like aluminum brazing material is interposed. The thickness of the sheet-like aluminum brazing material is preferably about 10 to 200 μm. If the thickness is too thin, the brazing material may be insufficiently supplied and brazing failure may occur, and if the thickness is too thick, the brazing material may become excessive and voids may be generated or the thermal conductivity may be reduced. Then, it brazes like the case where the aluminum brazing sheet mentioned above is used. Thus, the stress relaxation member (4), the metal layer (7) of the power module substrate (8), and the heat sink (5) are brazed simultaneously.
図３〜図１４は応力緩和部材の変形例を示す。 3-14 shows the modification of a stress relaxation member.
図３に示す応力緩和部材(20)は、複数の方形貫通穴(21)が千鳥配置状に形成されたアルミニウム板(10)からなり、貫通穴(21)が応力吸収空間となっている。貫通穴(21)は、アルミニウム板(10)における少なくとも絶縁基板(3)の周縁部と対応する位置、すなわちアルミニウム板(10)における絶縁基板(3)の周縁部と対応する周縁部を含んで、全体に形成されている。アルミニウム板(10)の一面の面積に対するすべての貫通穴(21)の面積の合計の割合は、図２に示す応力緩和部材(4)の場合と同様に、３〜５０％の範囲内にあることが好ましい。 The stress relaxation member (20) shown in FIG. 3 includes an aluminum plate (10) in which a plurality of rectangular through holes (21) are formed in a staggered arrangement, and the through holes (21) serve as stress absorbing spaces. The through hole (21) includes at least a position corresponding to the peripheral edge of the insulating substrate (3) in the aluminum plate (10), that is, a peripheral edge corresponding to the peripheral edge of the insulating substrate (3) in the aluminum plate (10). , Is formed throughout. The ratio of the total area of all the through holes (21) to the area of one surface of the aluminum plate (10) is in the range of 3 to 50% as in the case of the stress relaxation member (4) shown in FIG. It is preferable.
図４に示す応力緩和部材(22)の場合、アルミニウム板(10)の周縁部のみ、すなわちアルミニウム板(10)における絶縁基板(3)の周縁部と対応する位置のみに、複数の円形貫通穴(9)が形成されている。この場合にも、アルミニウム板(10)の一面の面積に対するすべての貫通穴(9)の面積の合計の割合は、図２に示す応力緩和部材(4)の場合と同様に、３〜５０％の範囲内にあることが好ましい。 In the case of the stress relaxation member (22) shown in FIG. 4, a plurality of circular through-holes are formed only in the peripheral portion of the aluminum plate (10), that is, only in the position corresponding to the peripheral portion of the insulating substrate (3) in the aluminum plate (10). (9) is formed. Also in this case, the ratio of the total area of all the through holes (9) to the area of one surface of the aluminum plate (10) is 3 to 50% as in the case of the stress relaxation member (4) shown in FIG. It is preferable to be within the range.
図５に示す応力緩和部材(23)の場合、アルミニウム板(10)の周縁部のみ、すなわちアルミニウム板(10)における絶縁基板(3)の周縁部と対応する位置のみに、複数の円形貫通穴(9)が、内外２重に形成されている。この場合にも、アルミニウム板(10)の一面の面積に対するすべての貫通穴(9)の面積の合計の割合は、図２に示す応力緩和部材(4)の場合と同様に、３〜５０％の範囲内にあることが好ましい。 In the case of the stress relieving member (23) shown in FIG. 5, a plurality of circular through holes are provided only in the peripheral portion of the aluminum plate (10), that is, only in the position corresponding to the peripheral portion of the insulating substrate (3) in the aluminum plate (10). (9) is formed in double inside and outside. Also in this case, the ratio of the total area of all the through holes (9) to the area of one surface of the aluminum plate (10) is 3 to 50% as in the case of the stress relaxation member (4) shown in FIG. It is preferable to be within the range.
図４および図５に示す応力緩和部材(22)(23)において、円形貫通穴(9)の代わりに、方形貫通穴(21)が形成されていてもよい。いずれの場合においても、貫通穴(9)(21)が応力吸収空間となっている。 In the stress relaxation members (22) and (23) shown in FIGS. 4 and 5, a square through hole (21) may be formed instead of the circular through hole (9). In either case, the through holes (9) and (21) are stress absorbing spaces.
図６に示す応力緩和部材(25)は、一面に複数の球状凹所(26)が千鳥配置状に形成されたアルミニウム板(10)からなり、凹所(26)が応力吸収空間となっている。 The stress relaxation member (25) shown in FIG. 6 is composed of an aluminum plate (10) having a plurality of spherical recesses (26) formed in a staggered arrangement on one surface, and the recess (26) serves as a stress absorption space. Yes.
図７に示す応力緩和部材(30)は、両面に複数の球状凹所(26)が千鳥配置状に形成されたアルミニウム板(10)からなり、凹所(26)が応力吸収空間となっている。アルミニウム板(10)の一面の凹所(26)と他面の凹所(26)とは、平面から見て異なった位置に形成されている。 The stress relaxation member (30) shown in FIG. 7 is composed of an aluminum plate (10) having a plurality of spherical recesses (26) formed on both sides in a staggered arrangement, and the recesses (26) serve as stress absorption spaces. Yes. The recess (26) on one surface of the aluminum plate (10) and the recess (26) on the other surface are formed at different positions when viewed from the plane.
図８に示す応力緩和部材(31)は、一面に複数の円錐台状凹所(32)が千鳥配置状に形成されたアルミニウム板(10)からなり、凹所(32)が応力吸収空間となっている。 The stress relaxation member (31) shown in FIG. 8 is made of an aluminum plate (10) having a plurality of frustoconical recesses (32) formed in a staggered arrangement on one surface, and the recesses (32) are formed as stress absorption spaces. It has become.
図９に示す応力緩和部材(34)は、両面に複数の円錐台状凹所(32)が千鳥配置状に形成されたアルミニウム板(10)からなり、凹所(32)が応力吸収空間となっている。アルミニウム板(10)の一面の凹所(32)と他面の凹所(32)とは、平面から見て異なった位置に形成されている。 The stress relaxation member (34) shown in FIG. 9 is composed of an aluminum plate (10) in which a plurality of frustoconical recesses (32) are formed on both sides in a staggered arrangement, and the recesses (32) are formed as stress absorption spaces. It has become. The recess (32) on one surface of the aluminum plate (10) and the recess (32) on the other surface are formed at different positions as viewed from the plane.
図６〜図９に示す応力緩和部材(25)(30)(31)(34)において、凹所(26)(32)は、アルミニウム板(10)における少なくとも絶縁基板(3)の周縁部と対応する周縁部を含んで、全体に形成されているが、図４および図５に示す応力緩和部材(22)(23)の場合と同様に、絶縁基板(3)の周縁部と対応する周縁部のみに形成されていればよい。また、図６〜図９に示す応力緩和部材(25)(30)(31)(34)において、凹所(26)(32)の開口の円相当径、ここでは凹所(26)(32)の開口は円形であるから、その直径は１〜４ｍｍであることが好ましい。また、アルミニウム板(10)の凹所(26)(32)が形成された面の面積に対する当該面に形成された全凹所(26)(32)の開口面積の合計の割合が３〜５０％の範囲内にあることが好ましい。 In the stress relaxation members (25), (30), (31), and (34) shown in FIGS. 6 to 9, the recesses (26) and (32) are at least the peripheral portion of the insulating substrate (3) in the aluminum plate (10). The peripheral edge corresponding to the peripheral edge of the insulating substrate (3) is formed on the whole including the corresponding peripheral edge, as in the case of the stress relaxation members (22) and (23) shown in FIGS. It suffices if it is formed only on the part. Further, in the stress relaxation members (25), (30), (31), and (34) shown in FIGS. 6 to 9, the equivalent circular diameter of the openings of the recesses (26) and (32), here the recesses (26) and (32) ) Is circular, and the diameter is preferably 1 to 4 mm. Further, the ratio of the total opening area of all the recesses (26) (32) formed on the surface to the area of the surface of the aluminum plate (10) where the recesses (26) (32) are formed is 3 to 50. % Is preferably in the range of%.
図１０に示す応力緩和部材(36)は、一面に複数の四角錐状凹所(37)が千鳥配置状に形成されたアルミニウム板(10)からなり、凹所(37)が応力吸収空間となっている。 The stress relaxation member (36) shown in FIG. 10 is composed of an aluminum plate (10) in which a plurality of quadrangular pyramid recesses (37) are formed in a staggered arrangement on one surface, and the recess (37) is defined as a stress absorption space. It has become.
図１１に示す応力緩和部材(38)は、両面に複数の四角錐状凹所(37)が千鳥配置状に形成されたアルミニウム板(10)からなり、凹所(37)が応力吸収空間となっている。アルミニウム板(10)の一面の凹所(37)と他面の凹所(37)とは、平面から見て異なった位置に形成されている。 The stress relaxation member (38) shown in FIG. 11 includes an aluminum plate (10) in which a plurality of quadrangular pyramid recesses (37) are formed on both sides in a staggered arrangement, and the recess (37) is a stress absorption space. It has become. The recess (37) on one surface of the aluminum plate (10) and the recess (37) on the other surface are formed at different positions as viewed from the plane.
図１２に示す応力緩和部材(40)は、一面に複数の直方体状凹所(41)が縦横に並んで形成されたアルミニウム板(10)からなり、凹所(41)が応力吸収空間となっている。ここでは、縦に並んだ凹所(41)の各列における隣り合う凹所(41)の長手方向は９０度異なった方向を向いており、同じく横に並んだ凹所(41)の各列における隣り合う凹所(41)の長手方向は９０度異なった方向を向いている。 The stress relieving member (40) shown in FIG. 12 is made of an aluminum plate (10) in which a plurality of rectangular parallelepiped recesses (41) are formed on one surface and arranged side by side, and the recess (41) serves as a stress absorption space. ing. Here, the longitudinal direction of the adjacent recesses (41) in each row of the recesses (41) arranged in the vertical direction is different by 90 degrees, and each row of the recesses (41) also arranged in the horizontal direction The longitudinal direction of the adjacent recesses (41) in FIG.
図１３に示す応力緩和部材(42)は、両面に複数の直方体状凹所(41)が千鳥配置状に形成されたアルミニウム板(10)からなり、凹所(41)が応力吸収空間となっている。アルミニウム板(10)の一面の凹所(41)と他面の凹所(41)とは、平面から見て異なった位置に形成されている。また、アルミニウム板(10)の一面の凹所(41)の長手方向は同方向を向いており、他面の凹所(41)の長手方向は、上記一面の凹所(41)の長手方向と直角をなす方向を向いている。 The stress relaxation member (42) shown in FIG. 13 is composed of an aluminum plate (10) having a plurality of rectangular parallelepiped recesses (41) formed on both sides in a staggered arrangement, and the recesses (41) serve as stress absorption spaces. ing. The recess (41) on one surface of the aluminum plate (10) and the recess (41) on the other surface are formed at different positions when viewed from the plane. The longitudinal direction of the recess (41) on one surface of the aluminum plate (10) faces the same direction, and the longitudinal direction of the recess (41) on the other surface is the longitudinal direction of the recess (41) on the one surface. It faces the direction that makes a right angle.
図１４に示す応力緩和部材(45)は、複数の貫通穴(46)(47)が形成されたアルミニウム板(10)からなり、貫通穴(46)(47)が応力吸収空間となっている。すなわち、アルミニウム板(10)の４隅部においては、アルミニウム板(10)の各隅部を挟んで隣接する２つの辺を結ぶ傾斜した複数の平行線上に、それぞれ複数の短尺直線状貫通穴(46)が上記平行線の長さ方向に間隔をおいて形成されている。また、アルミニウム板(10)の４隅部を除いた部分においては、複数の同心円上に、それぞれ複数の円弧状貫通穴(47)が周方向に間隔をおいて形成されている。この応力緩和部材(45)の場合も、アルミニウム板(10)の一面の面積に対するすべての貫通穴(46)(47)の面積の合計の割合が３〜５０％の範囲内にあることが好ましい。 The stress relaxation member (45) shown in FIG. 14 is made of an aluminum plate (10) having a plurality of through holes (46) and (47), and the through holes (46) and (47) serve as stress absorbing spaces. . That is, at the four corners of the aluminum plate (10), a plurality of short straight through holes (each having a plurality of inclined parallel lines connecting two adjacent sides across each corner of the aluminum plate (10) are provided. 46) are formed at intervals in the length direction of the parallel lines. Further, in the portion excluding the four corners of the aluminum plate (10), a plurality of arc-shaped through holes (47) are formed on the plurality of concentric circles at intervals in the circumferential direction. Also in the case of this stress relaxation member (45), the ratio of the total area of all the through holes (46) and (47) to the area of one surface of the aluminum plate (10) is preferably in the range of 3 to 50%. .
図３〜図１４に示す応力緩和部材を形成するアルミニウム板(10)は、図２に示す応力緩和部材(4)の場合と同じである。そして、図３〜図１４に示す応力緩和部材は、上述した実施形態の場合と同様にして、パワーモジュール用基板(8)の金属層(7)およびヒートシンク(5)にろう付される。 The aluminum plate (10) forming the stress relaxation member shown in FIGS. 3 to 14 is the same as the case of the stress relaxation member (4) shown in FIG. 3 to 14 are brazed to the metal layer (7) and the heat sink (5) of the power module substrate (8) in the same manner as in the above-described embodiment.
この発明による放熱装置は、絶縁基板に搭載される半導体素子などの発熱体から発せられる熱をヒートシンクから放熱するのに好適に用いられる。 The heat dissipating device according to the present invention is suitably used for dissipating heat generated from a heating element such as a semiconductor element mounted on an insulating substrate from a heat sink.
(1)：放熱装置
(3)：絶縁基板
(4)：応力緩和部材
(5)：ヒートシンク
(7)：金属層
(9)：貫通穴
(10)：アルミニウム板
(20)(22)(23)：応力緩和部材
(21)：貫通穴
(25)(30)：応力緩和部材
(26)：凹所
(31)(34)：応力緩和部材
(32)：凹所
(36)(38)：応力緩和部材
(37)：凹所
(40)(42)：応力緩和部材
(41)：凹所
(45)：応力緩和部材
(46)(47)：貫通穴
(1): Heat dissipation device
(3): Insulating substrate
(4): Stress relaxation member
(5): Heat sink
(7): Metal layer
(9): Through hole
(10): Aluminum plate
(20) (22) (23): Stress relaxation member
(21): Through hole
(25) (30): Stress relaxation member
(26): Recess
(31) (34): Stress relief member
(32): Recess
(36) (38): Stress relief member
(37): Recess
(40) (42): Stress relief member
(41): Recess
(45): Stress relaxation member
(46) (47): Through hole
Claims (17)
絶縁基板における発熱体搭載面とは反対側の面に金属層が形成され、当該金属層とヒートシンクとの間に、高熱伝導性材料からなり、かつ応力吸収空間を有する応力緩和部材が介在させられ、応力緩和部材が、絶縁基板の金属層およびヒートシンクに金属接合されている放熱装置。 In a heat dissipation device comprising an insulating substrate whose one surface is a heating element mounting surface, and a heat sink fixed to the other surface of the insulating substrate,
A metal layer is formed on the surface of the insulating substrate opposite to the heating element mounting surface, and a stress relaxation member made of a highly thermally conductive material and having a stress absorption space is interposed between the metal layer and the heat sink. The heat dissipation device in which the stress relaxation member is metal-bonded to the metal layer of the insulating substrate and the heat sink.
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