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JP2010266498A - Electro-optical device, driving method thereof, and electronic apparatus - Google Patents

Electro-optical device, driving method thereof, and electronic apparatus Download PDF

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JP2010266498A
JP2010266498A JP2009115229A JP2009115229A JP2010266498A JP 2010266498 A JP2010266498 A JP 2010266498A JP 2009115229 A JP2009115229 A JP 2009115229A JP 2009115229 A JP2009115229 A JP 2009115229A JP 2010266498 A JP2010266498 A JP 2010266498A
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JP
Japan
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transistor
control signal
driving
line
electro
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Application number
JP2009115229A
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Japanese (ja)
Inventor
Kei Yoshizaki
圭 吉崎
Hitoshi Ota
人嗣 太田
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

【課題】 各単位回路に関する移動度補償の実行時間をばらつかせない。
【解決手段】電気光学装置は、駆動電流の大きさに応じた光量で発光する発光素子、発光素子に駆動電流を出力する駆動トランジスター、駆動トランジスター自身に前記駆動電流を流すか否かを司る第1トランジスター、及び、一端が駆動トランジスターのゲートに接続され他端がデータ線に接続されたデータ書込用トランジスター、を含む単位回路を複数備える。前記各種のトランジスターは、それぞれ、走査線に含まれる各配線に供給される制御信号によって制御されるが、移動度補償動作時において、これらのうちの第1トランジスターを導通状態とする際には、その制御信号として、ランプ波形を含む前記第1制御信号(GEL[i])が利用される。
【選択図】図4
PROBLEM TO BE SOLVED: To vary the execution time of mobility compensation for each unit circuit.
An electro-optical device controls a light emitting element that emits light with a light amount corresponding to the magnitude of a driving current, a driving transistor that outputs a driving current to the light emitting element, and whether or not the driving current is supplied to the driving transistor itself. A plurality of unit circuits including one transistor and a data writing transistor having one end connected to the gate of the driving transistor and the other end connected to the data line are provided. Each of the various transistors is controlled by a control signal supplied to each wiring included in the scanning line. In the mobility compensation operation, when the first transistor is turned on, As the control signal, the first control signal (GEL [i]) including the ramp waveform is used.
[Selection] Figure 4

Description

本発明は、有機EL(electro luminescent)素子等の発光素子を含む電気光学装置、及びその駆動方法、並びに、当該電気光学装置を含む電子機器法に関する。   The present invention relates to an electro-optical device including a light-emitting element such as an organic EL (electroluminescent) element, a driving method thereof, and an electronic apparatus method including the electro-optical device.

薄型で軽量な発光源として、OLED(organic light emitting diode)、即ち有機EL素子がある。有機EL素子は、有機材料を含む少なくとも一層の有機薄膜を画素電極と対向電極とで挟んだ構造を有する。このうち画素電極は例えば陽極として、対向電極は陰極として機能する。両者間に電流が流されると、前記有機薄膜で電子及び正孔間の再結合が生じ、これにより、当該有機薄膜ないしは有機EL素子は発光する。
かかる有機EL素子、ないしはこれを備えた画像表示装置としては、例えば特許文献1及び2に開示されているようなものが知られている。
As a thin and light-emitting source, there is an organic light emitting diode (OLED), that is, an organic EL element. The organic EL element has a structure in which at least one organic thin film containing an organic material is sandwiched between a pixel electrode and a counter electrode. Among these, the pixel electrode functions as, for example, an anode, and the counter electrode functions as a cathode. When a current is passed between the two, recombination between electrons and holes occurs in the organic thin film, whereby the organic thin film or the organic EL element emits light.
As such an organic EL element or an image display device provided with the organic EL element, those disclosed in Patent Documents 1 and 2, for example, are known.

特開2007−133283号公報JP 2007-133283 A

ところで、上述のような有機EL素子は、適当な構成をもつ駆動回路によって駆動される。駆動回路としては例えば、駆動トランジスターのゲート電位に応じてそのソース・ドレイン間に流れる電流を有機EL素子に供給するものがある。この場合、そのゲート電位の調整を通じて、有機EL素子の発光輝度の調整等が可能になる。
もっとも、このような駆動回路には様々な解決すべき課題がある。例えば、その1つに、前記駆動トランジスターの移動度、あるいは閾値電圧等の各種特性のバラツキがある。前述した画像表示装置は通常、多数の有機EL素子、及びそれら各々に付随する前記駆動トランジスターを含む駆動回路を備えるが、製造プロセス上の各種パラメータのバラツキ等が要因となって、これら複数の駆動トランジスターの各々の特性がばらつけば、各有機EL素子の発光輝度の調整等にもバラツキが生じることになり、その結果、表示画像の品質向上の障害となる。
By the way, the organic EL element as described above is driven by a drive circuit having an appropriate configuration. As a drive circuit, for example, there is a circuit that supplies an organic EL element with a current flowing between a source and a drain in accordance with a gate potential of a drive transistor. In this case, the light emission luminance of the organic EL element can be adjusted by adjusting the gate potential.
However, such a drive circuit has various problems to be solved. For example, one of them is variation in various characteristics such as mobility of the driving transistor or threshold voltage. The above-described image display device is usually provided with a drive circuit including a large number of organic EL elements and the drive transistors associated with each of the organic EL elements, and these multiple drives are caused by variations in various parameters in the manufacturing process. If the characteristics of the transistors vary, there will also be variations in the adjustment of the light emission luminance of each organic EL element, resulting in an obstacle to improving the quality of the displayed image.

前記特許文献1は、このような課題に関する技術を開示する。すなわち、特許文献1は、発光制御トランジスター、駆動トランジスター及び有機EL素子が直列に接続され、このうち駆動トランジスターのゲートにデータ電位書込用トランジスターが接続された構成をもつ駆動回路において、移動度補償動作を実行する技術を開示する。特許文献1では、この移動度補償動作は、以下の2つの動作、即ち〔1〕発光制御トランジスターをオフ状態、データ書込用トランジスターをオン状態として、前者のゲートにデータ電位を書込む動作(書込動作)と、〔2〕発光制御トランジスターをオン状態、データ書込用トランジスターをオフ状態として、駆動トランジスター由来の電流を有機EL素子に供給する動作(発光動作)と、の間において実行され、具体的には、〔3〕発光制御トランジスター及びデータ書込用トランジスターをともにオン状態として、駆動トランジスターに移動度に応じた電流を流す工程を含む(特許文献1の〔図5〕中の「T6」及び「T7」間、あるいは〔0031〕等参照)。
この〔3〕の動作により、駆動トランジスターのソース電位は、自身を流れる電流によって上昇し、その結果、ゲート・ソース間電圧は小さくなるが、その電流の減衰度は各駆動トランジスターの移動度に応じることから、結局、個々の駆動トランジスターに関して前記〔3〕の動作を同一の時間だけ実行すれば、それら各々のゲート・ソース間電圧は、当該各々の移動度の大きさに応じた値をもつことになる(つまり、個々の駆動トランジスターに関する移動度特性のバラツキが補償される。)。
Patent Document 1 discloses a technique related to such a problem. That is, Patent Document 1 discloses mobility compensation in a drive circuit having a configuration in which a light emission control transistor, a drive transistor, and an organic EL element are connected in series, and a data potential writing transistor is connected to the gate of the drive transistor. Techniques for performing operations are disclosed. In Patent Document 1, this mobility compensation operation is performed by the following two operations: [1] An operation in which the light emission control transistor is turned off and the data writing transistor is turned on to write the data potential to the former gate ( Writing operation) and [2] an operation (light emission operation) in which the light emission control transistor is turned on, the data writing transistor is turned off, and a current derived from the drive transistor is supplied to the organic EL element. Specifically, [3] includes a step of turning on both the light emission control transistor and the data writing transistor and causing a current corresponding to mobility to flow through the driving transistor (see “FIG. 5” in Patent Document 1). Between T6 "and" T7 "or [0031] etc.).
By the operation [3], the source potential of the driving transistor is increased by the current flowing through the driving transistor. As a result, the gate-source voltage is reduced, but the attenuation of the current depends on the mobility of each driving transistor. As a result, if the operation of [3] is executed for each driving transistor for the same time, the gate-source voltage has a value corresponding to the magnitude of the mobility. (In other words, variations in mobility characteristics regarding individual driving transistors are compensated).

しかしながら、この特許文献1の技術では、次のような問題がある。すなわち、前記〔3〕の動作を好適に行うためには、その実行時間の長短が極めて重要になる。つまり、前述の〔1〕と〔3〕との間を画する発光制御トランジスターをオン状態とする時間と、前述の〔3〕と〔2〕との間を画するデータ書込用トランジスターをオフ状態とする時間とが、個々の駆動回路に関して正確に管理されなければならない。そうでなければ、個々の駆動トランジスターに関し、前述した電流の減衰の程度が、あるものについては行き過ぎ、またあるものについて足りない、というようにばらばらとなってしまい、意図した移動度補償効果が確保されないことになるからである。
しかし、そのような時間管理を正確に行うことは一般に困難である。例えば、駆動回路がマトリクス状に配列されていれば、ある行に並ぶデータ書込用トランジスターをオフ状態とするための制御信号を、そのデータ書込用トランジスターに対して供給する必要があるが、当該制御信号の供給線がもつ寄生容量や寄生抵抗等の存在によって、その信号の波形が供給線を伝わるに連れて歪むなどの結果、その行の先頭に位置する駆動回路と最後尾に位置するそれとで、当該データ書込用トランジスターの開閉時間に差が生じてしまうおそれがある。
However, the technique of Patent Document 1 has the following problems. That is, in order to suitably perform the operation [3], the length of the execution time is extremely important. That is, the time during which the light emission control transistor that defines between [1] and [3] is turned on and the data writing transistor that defines between [3] and [2] are turned off. The time to state must be accurately managed for each drive circuit. Otherwise, for each drive transistor, the degree of current attenuation described above will be scattered, such as being too much for some and not enough for some, ensuring the intended mobility compensation effect. It will not be done.
However, it is generally difficult to accurately perform such time management. For example, if the drive circuits are arranged in a matrix, it is necessary to supply a control signal for turning off the data write transistors arranged in a row to the data write transistors. Due to the presence of parasitic capacitance, parasitic resistance, etc. in the control signal supply line, the waveform of the signal is distorted as it propagates through the supply line, and as a result, the drive circuit is located at the beginning of the row and located at the end. This may cause a difference in the opening / closing time of the data writing transistor.

本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決することの可能な電気光学装置、及びその駆動方法、並びに電子機器を提供することを目的とする。
また、本発明は、かかる態様の電気光学装置、及びその駆動方法、並びに電子機器に関連する課題を解決可能な、電気光学装置、及びその駆動方法、並びに電子機器を提供することをも目的とする。
An object of the present invention is to provide an electro-optical device, a driving method thereof, and an electronic apparatus that can solve at least a part of the problems described above.
Another object of the present invention is to provide an electro-optical device, a driving method thereof, and an electronic apparatus that can solve the problems related to the electro-optical device, the driving method thereof, and the electronic apparatus. To do.

本発明に係る電気光学装置は、上述した課題を解決するため、複数の走査線及び複数のデータ線の交差に対応して設けられた複数の単位回路と、前記複数の走査線の各々に前記単位回路を制御するための制御信号を供給する走査線駆動回路と、を含む電気光学装置であって、前記複数の単位回路の各々は、駆動電流の大きさに応じた光量で発光する発光素子と、前記データ線を介して供給されるデータ電位がゲートに供給されることに応じて前記駆動電流を出力する駆動トランジスターと、前記駆動トランジスターに前記駆動電流を流すか否かを司る第1トランジスターと、一端が前記駆動トランジスターのゲートに接続され、他端が前記データ線に接続されたスイッチング素子と、を含み、前記複数の走査線の各々は、当該走査線の延在方向に沿って並ぶ前記第1トランジスターのゲートに、当該第1トランジスターの導通及び非導通状態間の遷移を指令する、前記制御信号としての第1制御信号の伝送路となる第1制御線を含み、前記走査線駆動回路は、所定のタイミングにおいて、前記第1制御線に、前記第1トランジスターを導通状態とする、ランプ波形を含む前記第1制御信号を供給する。   In order to solve the above-described problem, an electro-optical device according to an aspect of the invention includes a plurality of unit circuits provided corresponding to intersections of a plurality of scanning lines and a plurality of data lines, and each of the plurality of scanning lines. And a scanning line driving circuit that supplies a control signal for controlling the unit circuit, wherein each of the plurality of unit circuits emits light with a light amount corresponding to the magnitude of the driving current. A driving transistor that outputs the driving current in response to a data potential supplied through the data line being supplied to the gate, and a first transistor that controls whether or not the driving current flows through the driving transistor And a switching element having one end connected to the gate of the driving transistor and the other end connected to the data line, each of the plurality of scanning lines extending in the direction of the scanning line Including a first control line serving as a transmission path of the first control signal as the control signal that commands the transition between the conductive state and the non-conductive state of the first transistor to the gates of the first transistors arranged along The scanning line driving circuit supplies the first control signal including a ramp waveform for bringing the first transistor into a conductive state to the first control line at a predetermined timing.

本発明によれば、第1制御線にランプ波形を含む第1制御信号が供給される。ここでいう「ランプ波形」には、より具体的に言えば、第1に、一のレベルから他のレベルへの遷移が(垂直的にはではなく)所定の傾きをもって、あるいは所定の遷移時間でもって行われる部分、第2に、遷移後の他のレベルが一定期間維持される部分、第3に、その他のレベルから前記一のレベルへの遷移が(垂直的にはではなく)所定の傾きをもって、あるいは所定の遷移時間をもって行われる部分、の3つの部分を含む波形が含まれる。この場合、前記他のレベルにおいて、第1トランジスターが導通状態となる場合が想定される。
本発明においては、このようなランプ波形を含む第1制御信号が、所定のタイミングにおいて、第1制御線に供給される。この場合、ランプ波形は前述のような波形を含んでいることから、第1制御線が寄生抵抗や寄生容量等をもっていても、その基端と終端とで、第1制御信号の波形に歪み等が生じる可能性は極めて低い。したがって、「所定のタイミング」が、例えば“移動度補償動作を行うタイミング”であれば、その実行時間の管理は、全単位回路に関して極めて正確に行われ得ることになる。
According to the present invention, the first control signal including the ramp waveform is supplied to the first control line. More specifically, in the “ramp waveform” here, first, a transition from one level to another level has a predetermined slope (not vertically) or a predetermined transition time. The part to be carried out, secondly, the part in which the other level after the transition is maintained for a certain period, and thirdly, the transition from the other level to the one level (not vertically) is predetermined. A waveform including three portions, that is, a portion performed with an inclination or with a predetermined transition time is included. In this case, it is assumed that the first transistor becomes conductive at the other level.
In the present invention, the first control signal including such a ramp waveform is supplied to the first control line at a predetermined timing. In this case, since the ramp waveform includes the waveform as described above, even if the first control line has a parasitic resistance, a parasitic capacitance, or the like, the waveform of the first control signal is distorted at the base end and the terminal end. Is very unlikely. Therefore, if the “predetermined timing” is, for example, “timing for performing the mobility compensation operation”, the management of the execution time can be performed very accurately for all unit circuits.

この発明の電気光学装置では、前記複数の走査線の各々は、前記第1制御線のほか、前記駆動トランジスターのゲートに前記データ電位を供給するか否かを決める前記スイッチング素子の導通及び非導通状態間の遷移を指令する、前記制御信号としての第2制御信号の伝送路となる第2制御線を含み、前記走査線駆動回路は、前記第2制御線に、前記スイッチング素子を導通状態とする前記第2制御信号を供給している最中において、前記第1制御線に、前記ランプ波形を含む前記第1制御信号を供給する、ように構成してもよい。
この態様によれば、前記スイッチング素子が導通状態にありながら、第1制御線に、第1トランジスターを導通状態とするランプ波形を含む第1制御信号が供給される。これにより、駆動トランジスターのゲートにはデータ電位が供給されつつ、そのソース・ドレイン間には電流が流れることになる。そして、この電流の大きさ、あるいは減衰度は、駆動トランジスターの移動度に応じることから、第1トランジスターを導通状態とする時間が、全単位回路についてある所定の時間で一定とされているならば、全駆動トランジスターに関する移動度補償動作が好適に実行されることになる。
この点、本発明においては、前述のように、第1トランジスターを導通状態とする時間が前記ランプ波形を含む第1制御信号によって確定されるようになっているのだから、前記移動度補償を実行する時間は正確に管理される。したがって、本態様によれば、より好適な、あるいはより実効的な移動度補償動作が行われる。
In the electro-optical device according to the aspect of the invention, each of the plurality of scanning lines includes conduction and non-conduction of the switching element that determines whether to supply the data potential to the gate of the driving transistor in addition to the first control line. A second control line serving as a transmission path of a second control signal as the control signal that commands transition between states, and the scanning line driving circuit sets the switching element in a conductive state to the second control line. During the supply of the second control signal, the first control signal including the ramp waveform may be supplied to the first control line.
According to this aspect, the first control signal including the ramp waveform that makes the first transistor conductive is supplied to the first control line while the switching element is conductive. As a result, a data potential is supplied to the gate of the driving transistor, and a current flows between the source and drain thereof. Since the magnitude or attenuation of the current depends on the mobility of the driving transistor, if the time for which the first transistor is in a conductive state is constant for a predetermined time for all unit circuits. Thus, the mobility compensation operation for all the driving transistors is preferably executed.
In this regard, according to the present invention, as described above, the time for turning on the first transistor is determined by the first control signal including the ramp waveform, so the mobility compensation is performed. The time to do is managed accurately. Therefore, according to this aspect, a more preferable or more effective mobility compensation operation is performed.

また、本態様では特に、前記スイッチング素子を導通状態としている「最中」において、第1制御線にランプ波形を含む第1制御信号が供給される。つまり、これによると、書込信号の状態が、ハイレベル又はローレベルのいずれか一方(どちらであるかは「スイッチング素子」を導通状態とするのがいずれのレベルであるかによって決まる。)に維持されながら、第1トランジスターは非導通状態から導通状態へ、そしてまた導通状態から非導通状態へと遷移する。このことから、本態様においては、移動度補償動作が、ランプ波形を含む第1制御信号の供給の有無だけに基づいて行われることになる。
このように、本態様では、移動度補償動作の実行が、第1トランジスターの挙動1つ、あるいは、第1制御信号の挙動1つによって司られるようになっており、例えば複数のトランジスターが関与することによって移動度補償動作の実行時間が画定されるなどという場合に比べて、その制御態様がより簡易化される。
Further, particularly in this aspect, the first control signal including the ramp waveform is supplied to the first control line during the “middle” in which the switching element is in the conductive state. That is, according to this, the state of the write signal is either high level or low level (which is determined depending on which level the “switching element” is in the conductive state). While maintained, the first transistor transitions from a non-conducting state to a conducting state and from a conducting state to a non-conducting state. For this reason, in this aspect, the mobility compensation operation is performed only based on whether or not the first control signal including the ramp waveform is supplied.
Thus, in this aspect, the execution of the mobility compensation operation is governed by one behavior of the first transistor or one behavior of the first control signal. For example, a plurality of transistors are involved. As a result, the control mode is further simplified as compared with the case where the execution time of the mobility compensation operation is defined.

また、本発明の電気光学装置では、前記ランプ波形は、前記第1制御信号が一のレベルから他のレベルへ至るまでの遷移時間をTs1、前記他のレベルから前記一のレベルへ至るまでの遷移時間をTs2、前記Ts1の開始時点から前記Ts2の終了時点までの時間をTa、とする場合において、
(Ts1+Ts2)/Ta>0.5
が成立するように定められる、ように構成してもよい。
この態様によれば、当該ランプ波形において他のレベルが維持される時間が、全時間Taの半分以下となることを意味する。逆に言えば、全時間Taに占める遷移時間Ts1及びTs2の割合がより大きいということである。
このように、遷移時間Ts1及びTs2がより長くなるのならば、そのランプ波形についての、前述したような歪みの影響は相対的により小さくなるといえる。したがって、本態様によれば、前述した本発明に係る作用効果がより実効的に奏される。
ちなみに、このような場合においては(あるいは、本発明一般に関して)、前述したような遷移時間Ts1及びTs2の双方がともに一致している必要はない。つまり、Ts1≠Ts2であってよい。
In the electro-optical device according to the aspect of the invention, the ramp waveform has a transition time until the first control signal reaches from one level to another level, Ts1, and from the other level to the one level. In the case where the transition time is Ts2, and the time from the start time of Ts1 to the end time of Ts2 is Ta,
(Ts1 + Ts2) / Ta> 0.5
It is also possible to configure so as to be established.
According to this aspect, it means that the time during which another level is maintained in the ramp waveform is less than half of the total time Ta. In other words, the ratio of the transition times Ts1 and Ts2 to the total time Ta is larger.
Thus, if the transition times Ts1 and Ts2 become longer, it can be said that the influence of the distortion described above on the ramp waveform becomes relatively smaller. Therefore, according to this aspect, the above-described operational effects according to the present invention are more effectively achieved.
Incidentally, in such a case (or regarding the present invention in general), it is not necessary that both the transition times Ts1 and Ts2 as described above coincide with each other. That is, Ts1 ≠ Ts2.

また、本発明の他の電気光学装置は、上記課題を解決するため、複数の走査線及び複数のデータ線の交差に対応して設けられた複数の単位回路と、前記複数の走査線の各々に前記単位回路を制御するための制御信号を供給する走査線駆動回路と、電源線と、を含む電気光学装置であって、前記複数の単位回路の各々は、発光素子と、前記発光素子と前記電源線との間に介挿された駆動トランジスターと、前記電源線と前記駆動トランジスターとの間に介挿された第1トランジスターと、一端が前記駆動トランジスターのゲートに接続され、他端が前記データ線に接続されたスイッチング素子と、を含み、前記複数の走査線の各々は、当該走査線の延在方向に沿って並ぶ前記第1トランジスターのゲートに電気的に接続された第1制御線を含み、前記走査線駆動回路は、開始パルスをクロック信号に従って転送して転送パルスを生成するシフトレジスターと、前記転送パルスを契機にランプ波形を生成し、前記第1制御線に供給する回路と、を備える。   According to another electro-optical device of the present invention, in order to solve the above problem, a plurality of unit circuits provided corresponding to intersections of a plurality of scanning lines and a plurality of data lines, and each of the plurality of scanning lines. An electro-optical device including a scanning line driving circuit for supplying a control signal for controlling the unit circuit and a power supply line, wherein each of the plurality of unit circuits includes a light emitting element, the light emitting element, A drive transistor interposed between the power supply line, a first transistor interposed between the power supply line and the drive transistor, one end connected to the gate of the drive transistor, and the other end A switching element connected to the data line, and each of the plurality of scanning lines is electrically connected to a gate of the first transistor arranged along the extending direction of the scanning line. Including The scanning line driving circuit includes a shift register that generates a transfer pulse by transferring a start pulse according to a clock signal, and a circuit that generates a ramp waveform triggered by the transfer pulse and supplies the ramp waveform to the first control line. .

本発明によれば、走査線駆動回路がランプ波形を生成し、これを第1制御線に供給することから、冒頭に述べた本発明に係る電気光学装置によって奏された作用効果と略同様の作用効果が奏される。
なお、本発明において、ランプ波形は、転送パルスを「契機」として生成されるが、この「契機」という用語には、転送パルスの生成から、ランプ波形の生成までの間に、一定の時間の遅れ等が設定されてよいこと、即ち、両者間に遅延回路等が設けられてよいこと等を含意する。
According to the present invention, since the scanning line driving circuit generates a ramp waveform and supplies it to the first control line, it is substantially the same as the operational effect achieved by the electro-optical device according to the present invention described at the beginning. An effect is produced.
In the present invention, the ramp waveform is generated with the transfer pulse as an “opportunity”, and the term “trigger” includes a certain period of time between the generation of the transfer pulse and the generation of the ramp waveform. This implies that a delay or the like may be set, that is, a delay circuit or the like may be provided between them.

また、本発明の電子機器は、上記課題を解決するために、上述した各種の電気光学装置を備える。
本発明の電子機器は、上述した各種の電気光学装置を備えてなるので、移動度補償動作が好適に実行された上での、高品質な画像表示が可能である。
Moreover, in order to solve the above-described problems, an electronic apparatus according to the present invention includes the various electro-optical devices described above.
Since the electronic apparatus of the present invention includes the various electro-optical devices described above, high-quality image display can be performed while the mobility compensation operation is suitably executed.

一方、本発明の電気光学装置の駆動方法では、上記課題を解決するために、駆動電流の大きさに応じた光量で発光する発光素子と、ゲートに供給されるデータ電位に応じた前記駆動電流を出力する駆動トランジスターと、前記駆動トランジスター自身に前記駆動電流を流すか否かを司る発光制御トランジスターと、を備えた電気光学装置 の駆動方法であって、一端が前記駆動トランジスターのゲートに接続され他端が前記データ電位を供給するデータ線に接続されたスイッチング素子を導通状態として前記駆動トランジスターのゲートに前記データ電位を供給する第1工程と、前記第1工程の最中において、前記発光制御トランジスターを導通状態とするランプ波形を含む発光制御信号によって、前記発光制御トランジスターを導通状態とする第2工程と、を含む。   On the other hand, in the driving method of the electro-optical device of the present invention, in order to solve the above-described problem, a light emitting element that emits light with a light amount corresponding to the magnitude of the driving current and the driving current according to the data potential supplied to the gate A drive transistor that outputs a light source, and a light emission control transistor that controls whether or not the drive current flows to the drive transistor itself, wherein one end is connected to the gate of the drive transistor. The first step of supplying the data potential to the gate of the drive transistor by turning on the switching element connected to the data line for supplying the data potential at the other end, and the light emission control during the first step The light emission control transistor is turned on by a light emission control signal including a ramp waveform that makes the transistor conductive. And a second step.

本発明によれば、上述した本発明の電気光学装置によって奏された作用効果と同様の作用効果が奏される。   According to the present invention, the same operational effects as the operational effects achieved by the electro-optical device of the present invention described above can be achieved.

本発明の実施形態に係る電気光学装置を示すブロック図である。1 is a block diagram illustrating an electro-optical device according to an embodiment of the invention. 有機EL装置を構成する単位回路の詳細を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the detail of the unit circuit which comprises an organic EL apparatus. 走査線駆動回路の詳細を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the detail of a scanning line drive circuit. 図2の単位回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。3 is a timing chart for explaining the operation of the unit circuit of FIG. 2. 走査線駆動回路(103)からみて遠くに位置する発光制御トランジスター(Tel)に対しては、近くに位置するそれに対してよりも、より歪みの大きい信号が供給されること、及び、それに対して本実施形態ではそのような懸念が少なくなること、を説明するための説明図である。A light-distortion control transistor (Tel) located far from the scanning line driving circuit (103) is supplied with a signal having a larger distortion than that of a light-emission control transistor (Tel) located near the scanning line driving circuit (103). It is explanatory drawing for demonstrating that such a concern decreases in this embodiment. 移動度補償動作を実行する時間に対する、駆動トランジスターのドレイン・ソース間電流の変化の様子を示すグラフである(移動度の異なる駆動トランジスターTdr〔A〕〜Tdr〔C〕(における当該移動度)がパラメータである。)。FIG. 11 is a graph showing changes in the drain-source current of a driving transistor with respect to the time for executing the mobility compensation operation (driving transistors Tdr [A] to Tdr [C] having different mobility). Parameter). 好適なランプ波形について説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating a suitable ramp waveform. 本発明に係る有機EL装置を適用した電子機器を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the electronic device to which the organic electroluminescent apparatus which concerns on this invention is applied. 本発明に係る有機EL装置を適用した他の電子機器を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the other electronic device to which the organic EL apparatus which concerns on this invention is applied. 本発明に係る有機EL装置を適用したさらに他の電子機器を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the further another electronic device to which the organic EL apparatus which concerns on this invention is applied.

以下では、本発明に係る実施の形態について図1乃至図4を参照しながら説明する。なお、ここに言及した図1乃至図3に加え、以下で参照する各図面においては、各部の寸法の比率が実際のものとは適宜に異ならせてある場合がある。   Hereinafter, an embodiment according to the present invention will be described with reference to FIGS. In addition to FIGS. 1 to 3 referred to here, in each drawing referred to below, the ratio of dimensions of each part may be appropriately different from the actual one.

有機EL装置100は、図1に示すように、素子基板7と、この素子基板7上に形成される各種の要素とを備えている。各種の要素とは、有機EL素子8、走査線3及びデータ線6、電源線113、走査線駆動回路103、及びデータ線駆動回路106である。   As shown in FIG. 1, the organic EL device 100 includes an element substrate 7 and various elements formed on the element substrate 7. The various elements are the organic EL element 8, the scanning line 3 and the data line 6, the power supply line 113, the scanning line driving circuit 103, and the data line driving circuit 106.

有機EL素子(発光素子)8は、図1に示すように、素子基板7上に複数備えられる。それら複数の有機EL素子8はN行×M列のマトリクス状に配列されている(N,Mは自然数)。有機EL素子8の各々は、陽極としての画素電極、発光機能層及び陰極としての対向電極から構成されている。
画像表示領域7aは、素子基板7上、これら複数の有機EL素子8が配列されている領域である。画像表示領域7aでは、各有機EL素子8の個別の発光及び非発光に基づき、所望の画像が表示され得る。なお、以下では、素子基板7の面のうち、この画像表示領域7aを除く領域を、「周辺領域」と呼ぶ。
A plurality of organic EL elements (light emitting elements) 8 are provided on an element substrate 7 as shown in FIG. The plurality of organic EL elements 8 are arranged in a matrix of N rows × M columns (N and M are natural numbers). Each of the organic EL elements 8 includes a pixel electrode as an anode, a light emitting functional layer, and a counter electrode as a cathode.
The image display area 7 a is an area where the plurality of organic EL elements 8 are arranged on the element substrate 7. In the image display area 7 a, a desired image can be displayed based on individual light emission and non-light emission of each organic EL element 8. Hereinafter, the area excluding the image display area 7a on the surface of the element substrate 7 is referred to as a “peripheral area”.

走査線3及びデータ線6は、それぞれ、マトリクス状に配列された有機EL素子8の各行及び各列に対応するように配列されている。より詳しくは、走査線3は、図1に示すように、図中左右方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されている走査線駆動回路103に接続されている。一方、データ線6は、図中上下方向に沿って延び、かつ、周辺領域上に形成されているデータ線駆動回路106に接続されている。なお、電源線113は、データ線6と並行するように配列されている。この電源線113には、高電源電位Velが供給される。
前記のうち走査線駆動回路103は、走査線3のそれぞれを順番に選択するための回路である。また、データ線駆動回路106は、走査線駆動回路103によって選択された走査線3に対応する各有機EL素子8に向けて、各データ線6を通じてデータ信号を供給するための回路である。
The scanning lines 3 and the data lines 6 are arranged so as to correspond to the respective rows and columns of the organic EL elements 8 arranged in a matrix. More specifically, as shown in FIG. 1, the scanning line 3 extends in the left-right direction in the drawing and is connected to a scanning line driving circuit 103 formed on the peripheral region. On the other hand, the data line 6 extends along the vertical direction in the drawing and is connected to the data line driving circuit 106 formed on the peripheral region. The power supply line 113 is arranged in parallel with the data line 6. A high power supply potential Vel is supplied to the power supply line 113.
Among the above, the scanning line driving circuit 103 is a circuit for selecting each of the scanning lines 3 in order. The data line driving circuit 106 is a circuit for supplying a data signal through each data line 6 toward each organic EL element 8 corresponding to the scanning line 3 selected by the scanning line driving circuit 103.

各走査線3及び各データ線6の各交点の近傍には、前述の有機EL素子8等を含む単位回路(画素回路)Pが設けられている。
単位回路Pは、図2に示すように、有機EL素子8を含むほか、駆動トランジスターTdr、発光制御トランジスターTel、第1〜第3トランジスターTr1〜Tr3、及び容量素子C1を含む。
なお、図1では便宜的に1本の配線として図示された走査線3は、図2に示すように実際には4本の配線を含む。各配線には走査線駆動回路103から所定の信号が供給される。より詳細には、これら各配線には、それぞれ、走査信号GWRT[i]、第1補償制御信号GINI1[i]、第2補償制御信号GINI2[i]、及び発光制御信号GEL[i]が供給される。これら各信号の具体的な意義やこれに応じた単位回路Pの動作については後述する。なお、ここで使われた記号iは、前記マトリクス状配列の中の行番号を意味する(図1参照。1本の走査線3が4本の配線からなるので、全走査線3に含まれる配線数は結局、4N本である。)。
In the vicinity of each intersection of each scanning line 3 and each data line 6, a unit circuit (pixel circuit) P including the above-described organic EL element 8 and the like is provided.
As shown in FIG. 2, the unit circuit P includes the organic EL element 8, and also includes a drive transistor Tdr, a light emission control transistor Tel, first to third transistors Tr1 to Tr3, and a capacitive element C1.
Incidentally, the scanning line 3 shown as one wiring for convenience in FIG. 1 actually includes four wirings as shown in FIG. A predetermined signal is supplied from the scanning line driving circuit 103 to each wiring. More specifically, each of these wirings is supplied with a scanning signal GWRT [i], a first compensation control signal GINI1 [i], a second compensation control signal GINI2 [i], and a light emission control signal GEL [i]. Is done. The specific significance of each signal and the operation of the unit circuit P corresponding to this will be described later. The symbol i used here means a row number in the matrix array (see FIG. 1. Since one scanning line 3 is composed of four wirings, it is included in all scanning lines 3. The number of wires is 4N after all.)

本実施形態においては特に、上記各種信号のうちの発光制御信号GEL[i]が、所定形状のランプ波形を含むことに特徴があるが、この点については後に改めて触れる。
また、前述した走査線駆動回路103は、図3に示すように、前記各種信号に対応するシフトレジスターSL1乃至SL4を含んでいる。これら各シフトレジスターSL1乃至SL4は、図示しない複数の単位シフト回路を含み、そのうちの第1段目の単位シフト回路が開始パルスの入力を受けると、これら複数の単位シフト回路の各々は、そのうちの前段のものから後段のものに向かって発せされる転送パルスを生成する。マトリクス状に並ぶ単位回路Pの各行には、この転送パルスを契機として、前記走査信号GWRT[i]等々の各種信号が供給される。
ちなみに、発光制御信号GEL[i]は、前述のようにランプ波形を含むことがあるが、GEL用シフトレジスターSL4には、これに対応するようにランプ波形生成回路Vが設けられている。GEL用シフトレジスターSL4から発せられた発光制御信号GEL[i]の基となる原発光制御信号が、このランプ波形生成回路Vに入力される場合は、当該発光制御信号GEL[i]は、ランプ波形を含むことになる。もっとも、図示するように、このランプ波形生成回路Vを回避する経路もあり、原発光制御信号がランプ波形生成回路Vに入力されない場合は、ランプ波形を含まない発光制御信号GEL[i]が、単位回路Pに供給される。
なお、図3においては図示されないが、レベルシフター等その他の回路が、ランプ波形生成回路Vと走査線3との間、あるいは、GEL用シフトレジスターSL4とランプ波形生成回路Vとの間等に配置されてよい。
The present embodiment is particularly characterized in that the light emission control signal GEL [i] among the various signals described above includes a ramp waveform having a predetermined shape, which will be described later.
Further, the scanning line driving circuit 103 described above includes shift registers SL1 to SL4 corresponding to the various signals, as shown in FIG. Each of the shift registers SL1 to SL4 includes a plurality of unit shift circuits (not shown). When the first stage unit shift circuit receives the start pulse, each of the plurality of unit shift circuits A transfer pulse emitted from the preceding stage to the subsequent stage is generated. Various signals such as the scanning signal GWRT [i] are supplied to each row of the unit circuits P arranged in a matrix in response to the transfer pulse.
Incidentally, the light emission control signal GEL [i] may include a ramp waveform as described above, but the GEL shift register SL4 is provided with a ramp waveform generation circuit V corresponding to this. When the original light emission control signal that is the basis of the light emission control signal GEL [i] generated from the GEL shift register SL4 is input to the ramp waveform generation circuit V, the light emission control signal GEL [i] It will contain the waveform. However, as shown in the figure, there is also a path for avoiding the ramp waveform generation circuit V. When the original emission control signal is not input to the ramp waveform generation circuit V, the emission control signal GEL [i] not including the ramp waveform is It is supplied to the unit circuit P.
Although not shown in FIG. 3, other circuits such as a level shifter are arranged between the ramp waveform generation circuit V and the scanning line 3 or between the GEL shift register SL4 and the ramp waveform generation circuit V. May be.

駆動トランジスターTdrはnチャネル型であり、電源線113から有機EL素子8の画素電極に至る経路上にある。この駆動トランジスターTdrのドレイン(D)は発光制御トランジスターTelのソースに接続される。
この駆動トランジスターTdrは、ソース(S)とドレイン(D)との導通状態(ソース−ドレイン間の抵抗値)がゲート電位Vgに応じて変化することで当該ゲート電位Vgに応じた駆動電流Ielを生成する手段である。なお、ゲート電位Vgは、データ線6を通じて供給されるデータ信号Dataの大きさに応じる。
こうして、有機EL素子8は、駆動トランジスターTdrの導通状態、ないしはデータ信号Dataに応じて駆動される。
The driving transistor Tdr is an n-channel type and is on a path from the power supply line 113 to the pixel electrode of the organic EL element 8. The drain (D) of the drive transistor Tdr is connected to the source of the light emission control transistor Tel.
The drive transistor Tdr has a conduction state (resistance value between the source and drain) between the source (S) and the drain (D) that changes according to the gate potential Vg, so that the drive current Iel according to the gate potential Vg is obtained. Means for generating. Note that the gate potential Vg depends on the magnitude of the data signal Data supplied through the data line 6.
Thus, the organic EL element 8 is driven according to the conduction state of the drive transistor Tdr or the data signal Data.

発光制御トランジスターTelはpチャネル型であり、駆動トランジスターTdrと電源線113との間にある。この発光制御トランジスターTelのゲートには、前記発光制御信号GEL[i]が供給される。この発光制御信号GEL[i]がローレベルに遷移すると発光制御トランジスターTelがON状態に変化して有機EL素子8に対する駆動電流Ielの供給が可能となる。これにより、有機EL素子8は駆動電流Ielに応じた階調(輝度)で発光する。これに対して、発光制御信号GEL[i]がハイレベルである場合には発光制御トランジスターTelがOFF状態を維持するから、駆動電流Ielの経路が遮断されて有機EL素子8は消灯する。
なお、有機EL素子8の画素電極は、この発光制御トランジスターTel及び前記駆動トランジスターTdrを介して前述した高電源電位Velが供給される電源線113に接続され、その対向電極は低電源電位VCTが供給される電位線(不図示)に接続される。発光制御トランジスターTelは、前述のように、有機EL素子8への電流供給の有無の制御を司るが、それに伴って、駆動トランジスターTdr自身に電流を流すか否かに係る制御をも司っているとみることができる。
The light emission control transistor Tel is a p-channel type, and is located between the driving transistor Tdr and the power supply line 113. The light emission control signal GEL [i] is supplied to the gate of the light emission control transistor Tel. When the light emission control signal GEL [i] transitions to a low level, the light emission control transistor Tel changes to an ON state, and the drive current Iel can be supplied to the organic EL element 8. As a result, the organic EL element 8 emits light with a gradation (luminance) corresponding to the drive current Iel. On the other hand, when the light emission control signal GEL [i] is at a high level, the light emission control transistor Tel is maintained in the OFF state, so that the path of the drive current Iel is blocked and the organic EL element 8 is turned off.
The pixel electrode of the organic EL element 8 is connected to the power supply line 113 to which the above-described high power supply potential Vel is supplied via the light emission control transistor Tel and the drive transistor Tdr, and the counter electrode has a low power supply potential VCT. It is connected to a potential line (not shown) to be supplied. The light emission control transistor Tel controls the presence / absence of current supply to the organic EL element 8 as described above, and accordingly, also controls the current flow to the driving transistor Tdr itself. Can be seen.

容量素子C1は、2つの電極間に誘電体が介挿された素子である。その容量値は、Ch1である。この容量素子C1の一方の電極(図中上方の電極)は駆動トランジスターTdrのゲートに接続される。また、容量素子C1の他方の電極(図中下方の電極)は駆動トランジスターTdrのソース(S)に接続されるとともに、後述する第3トランジスターTr3のソースにも接続される。   The capacitive element C1 is an element in which a dielectric is interposed between two electrodes. Its capacitance value is Ch1. One electrode (upper electrode in the figure) of the capacitive element C1 is connected to the gate of the drive transistor Tdr. The other electrode (lower electrode in the figure) of the capacitive element C1 is connected to the source (S) of the driving transistor Tdr and also to the source of a third transistor Tr3 described later.

第1トランジスターTr1は、ノードZ1とデータ線6との間に介在して両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。第1トランジスターTr1のゲートには前記の走査信号GWRT[i]が供給される。
第2トランジスターTr2は、ノードZ1と初期化電位VSTが供給される電位線との間に設けられ両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。第2トランジスターTr2のゲートには前記の第1補償制御信号GINI1[i]が供給される。
第3トランジスターTr3は、初期化電位VINIの供給線と駆動トランジスターTdrのソースとの間に設けられ両者の電気的な接続を制御するスイッチング素子である。第3トランジスターTr3のゲートには第2補償制御信号GINI2[i]が供給される。
The first transistor Tr1 is a switching element that is interposed between the node Z1 and the data line 6 and controls the electrical connection therebetween. The scanning signal GWRT [i] is supplied to the gate of the first transistor Tr1.
The second transistor Tr2 is a switching element that is provided between the node Z1 and the potential line to which the initialization potential VST is supplied and controls the electrical connection between them. The first compensation control signal GINI1 [i] is supplied to the gate of the second transistor Tr2.
The third transistor Tr3 is a switching element that is provided between the supply line of the initialization potential VINI and the source of the drive transistor Tdr and controls the electrical connection between them. The second compensation control signal GINI2 [i] is supplied to the gate of the third transistor Tr3.

次に、以上のような構成をもつ有機EL装置100の動作ないし作用について、既に参照した図1及び図2に加えて図4乃至図6を参照しながら説明する。
〔i〕初期化: まず、第1補償制御信号GINI1[i]と第2補償制御信号GINI2[i]がハイレベルとなることで、第2トランジスターTr2と第3トランジスターTr3がON状態となる。これにより、駆動トランジスターTdrのゲート電位Vgとソース電位Vsはそれぞれ、図4に示すように下落して、初期化電位VSTとVINIとなる。
なお、単位回路Pは、いま述べている〔i〕初期化から、後に述べる〔v〕駆動までの各動作を繰り返し行う。〔i〕の初期化動作は、最後の〔v〕の駆動動作(発光動作)が終わった後、即ち発光制御信号GEL[i]がローレベルからハイレベルに遷移した後に行われる。図4の最左方に示される、前記ソース電位Vsの下落に先立つ、ゲート電位Vg及びソース電位Vsの双方の下落は、そのような発光制御信号GEL[i]の遷移に対応している。
Next, the operation or action of the organic EL device 100 having the above configuration will be described with reference to FIGS. 4 to 6 in addition to FIGS. 1 and 2 already referred to.
[I] Initialization: First, when the first compensation control signal GINI1 [i] and the second compensation control signal GINI2 [i] become high level, the second transistor Tr2 and the third transistor Tr3 are turned on. As a result, the gate potential Vg and the source potential Vs of the drive transistor Tdr drop as shown in FIG. 4 to become the initialization potential VST and VINI, respectively.
The unit circuit P repeatedly performs each operation from [i] initialization described above to [v] driving described later. The initialization operation [i] is performed after the last [v] driving operation (light emission operation), that is, after the light emission control signal GEL [i] transitions from a low level to a high level. The decrease in both the gate potential Vg and the source potential Vs prior to the decrease in the source potential Vs shown in the leftmost part of FIG. 4 corresponds to such a transition of the light emission control signal GEL [i].

〔ii〕Vth補償: 次に、第2補償制御信号GINI2[i]がローレベルに遷移し、続いて更に、発光制御信号GEL[i]がローレベルに遷移する。これにより、第3トランジスターTr3がOFF状態となり、続いて更に、発光制御トランジスターTelがON状態となる。このことから、ソース電位Vsは初期化電位VSTの供給から開放されることになる。その結果、駆動トランジスターTdr及び高電源電位Vel間が導通状態となることも相まって、駆動トランジスターTdrのソース電位Vsは、図4に示すように上昇を開始し、そのゲート・ソース間電圧は閾値電圧Vthに漸近する。なお、この一連の過程中、駆動トランジスターTdrのゲート及びソース間は接続する容量素子C1は閾値電圧Vthを保持する(なお、容量素子C1は、以下の各動作においても、その時々に応じた適宜の電圧を保持する。)。
以上のように、この〔ii〕における動作では、各駆動トランジスターTdrの閾値電圧Vthの補償が行われることになる。
[Ii] Vth compensation: Next, the second compensation control signal GINI2 [i] transitions to a low level, and then the light emission control signal GEL [i] transitions to a low level. Thereby, the third transistor Tr3 is turned off, and further, the light emission control transistor Tel is turned on. For this reason, the source potential Vs is released from the supply of the initialization potential VST. As a result, the source potential Vs of the drive transistor Tdr starts to rise as shown in FIG. 4 together with the conduction state between the drive transistor Tdr and the high power supply potential Vel, and the gate-source voltage is the threshold voltage. Asymptotic to Vth. Note that, during this series of processes, the capacitive element C1 connected between the gate and source of the driving transistor Tdr holds the threshold voltage Vth (note that the capacitive element C1 is appropriately changed depending on the time even in the following operations. Hold the voltage.)
As described above, in the operation in [ii], the threshold voltage Vth of each drive transistor Tdr is compensated.

〔iii〕データ書込: 次に、発光制御信号GEL[i]及び第1補償制御信号GINI1[i]が、それぞれ、ハイレベル及びローレベルに遷移して発光制御トランジスターTel及び第2トランジスターTr2がOFF状態となる一方、走査信号GWRT[i]がハイレベルとなることで、第1トランジスターTr1がON状態となる。この際、適当なデータ電位Vdataをもつデータ信号がデータ線6を通じて供給されると、それに応じてノードZ1の電位、即ちゲート電位Vgは、当該データ電位Vdataの足し込み分に応じた電圧だけ変動する。したがって、駆動トランジスターTdrのゲート・ソース間電圧は、図4に示すようにVth+Vdata’となる。ここでVdata’=Vdata・(Ch2/(Ch2+Ch1))である。この式中、Ch2は、有機EL素子8がもつ寄生容量の容量値である。 [Iii] Data writing: Next, the light emission control signal GEL [i] and the first compensation control signal GINI1 [i] transition to the high level and the low level, respectively, and the light emission control transistor Tel and the second transistor Tr2 On the other hand, when the scanning signal GWRT [i] becomes high level, the first transistor Tr1 is turned on. At this time, when a data signal having an appropriate data potential Vdata is supplied through the data line 6, the potential of the node Z1, that is, the gate potential Vg, fluctuates by a voltage corresponding to the added amount of the data potential Vdata. To do. Therefore, the gate-source voltage of the driving transistor Tdr is Vth + Vdata ′ as shown in FIG. Here, Vdata ′ = Vdata · (Ch2 / (Ch2 + Ch1)). In this equation, Ch2 is a capacitance value of the parasitic capacitance of the organic EL element 8.

〔iv〕移動度補償: 次に、走査信号GWRT[i]のハイレベルが維持されたまま、発光制御信号GEL[i]がローレベルへの遷移を開始する。
本実施形態においては、ここで特に、発光制御信号GEL[i]は、図4に示すようにランプ波形をもつ。すなわち、この場合において、発光制御信号GEL[i]は、第1に、ハイレベルにある状態から、なだらかにローレベルにある状態へと遷移し、第2に、ローレベルの状態に至った後当該状態を暫く維持し、第3に、このローレベルにある状態から、なだらかにハイレベルにある状態へと遷移する。この際、図3に示したランプ波形生成回路Vが利用される。これにより、発光制御トランジスターTelは、前述の第1の遷移において発光制御信号GEL[i]が所定レベル以下となったときにON状態となり、第3の遷移において、所定レベル以上となったときにOFF状態となる。
このように、発光制御信号GEL[i]が所定レベル以下にある時間に限り、発光制御トランジスターTelは再びON状態となることから、駆動トランジスターTdrのソース電位Vsは上昇を開始する。図4においては、ソース電位Vsの上昇後のゲート・ソース間電圧がVth+Vaになることが表現されているが、これは、当該ソース電位Vsの上昇分が、“Vdata’−Va”と表現可能であることを意味する。その結果、逆に、駆動トランジスターTdrのゲート・ソース間電圧は小さくなることになる。
このようなソース電位Vsの上昇、ないしはゲート・ソース間で電圧の下降の程度は、一般に、各単位回路Pに含まれる駆動トランジスターTdrの各々が相異なる移動度特性を持つことに応じて、異なることになる。すなわち、定性的には、より大きな移動度μをもつ駆動トランジスターTdrでは、ソース電位Vsの上昇量は大きく、より小さな移動度μをもつ駆動トランジスターTdrでは、ソース電位Vsの上昇量は小さくなる。
以上のように、この〔iv〕における動作では、各駆動トランジスターTdrの移動度補償が行われることになる。
なお、ここに述べたランプ波形の意義・作用・効果等については、後に改めて説明する。
[Iv] Mobility compensation: Next, while the high level of the scanning signal GWRT [i] is maintained, the light emission control signal GEL [i] starts transitioning to the low level.
In the present embodiment, in particular, the light emission control signal GEL [i] has a ramp waveform as shown in FIG. That is, in this case, the light emission control signal GEL [i] first transitions from the high level state to the low level state, and secondly, after reaching the low level state. The state is maintained for a while, and thirdly, a transition is made from this low level state to a gently high level state. At this time, the ramp waveform generation circuit V shown in FIG. 3 is used. Accordingly, the light emission control transistor Tel is turned on when the light emission control signal GEL [i] is equal to or lower than a predetermined level in the first transition described above, and when the light emission control signal GEL [i] is equal to or higher than the predetermined level in the third transition. It will be in the OFF state.
Thus, the light emission control transistor Tel is turned on again only during the time when the light emission control signal GEL [i] is equal to or lower than the predetermined level, so that the source potential Vs of the drive transistor Tdr starts to rise. In FIG. 4, it is expressed that the gate-source voltage after the increase of the source potential Vs becomes Vth + Va, but this indicates that the increase of the source potential Vs can be expressed as “Vdata′−Va”. It means that. As a result, on the contrary, the gate-source voltage of the driving transistor Tdr is reduced.
In general, the degree of the increase in the source potential Vs or the decrease in the voltage between the gate and the source differs depending on each of the driving transistors Tdr included in each unit circuit P having different mobility characteristics. It will be. That is, qualitatively, the drive transistor Tdr having a larger mobility μ has a large increase amount of the source potential Vs, and the drive transistor Tdr having a smaller mobility μ has a small increase amount of the source potential Vs.
As described above, in the operation in [iv], the mobility compensation of each driving transistor Tdr is performed.
The significance, action, effect, etc. of the ramp waveform described here will be described later.

〔v〕駆動: 走査信号GWRT[i]がローレベルに遷移して第1トランジスターTr1がOFF状態となる一方、発光制御信号GEL[i]が三度ローレベルとなることで、発光制御トランジスターTelがON状態となる。これにより、有機EL素子8には、ゲート電位Vgに応じた大きさの駆動電流Ielが駆動トランジスターTdrから供給されることになり、当該有機EL素子8は発光する。 [V] Driving: The scanning signal GWRT [i] transitions to a low level and the first transistor Tr1 is turned off, while the light emission control signal GEL [i] is set to a low level three times, thereby causing the light emission control transistor Tel. Is turned on. Thereby, the organic EL element 8 is supplied with the drive current Iel having a magnitude corresponding to the gate potential Vg from the drive transistor Tdr, and the organic EL element 8 emits light.

次に、前述した発光制御信号GEL[i]のランプ波形について、既に参照した図1乃至図4に加えて、図5以降の各図面を参照しながら説明する。
本実施形態においては、上述のように、発光制御トランジスターTelを制御するために、ランプ波形をもつ発光制御信号GEL[i]が用いられるが、その意義は以下のようである。
まず、本実施形態の有機EL装置100では、上述のように、単位回路Pがマトリクス状に配列されていることから(図1参照)、発光制御トランジスターTelも同様にマトリクス状に配列される。したがって、そのマトリクス状配列の各行には、図5に示すように、複数の発光制御トランジスターTelが属する(なお、図5では1行分のみが示されている。)。このような複数の発光制御トランジスターTelを制御するためには、前述のように、走査線3を構成する4本の配線のうちの1つが用いられるが(図2及びその説明参照)、この配線3elには、同じく図5に示すように、寄生抵抗RK、寄生容量CKが存在する。したがって、この配線3elに何らかの信号を供給すると、これら寄生抵抗RK、寄生容量CKの存在によって、その信号の波形が歪むことが考えられる。
Next, the ramp waveform of the light emission control signal GEL [i] described above will be described with reference to FIGS.
In the present embodiment, as described above, the light emission control signal GEL [i] having a ramp waveform is used to control the light emission control transistor Tel, and the significance thereof is as follows.
First, in the organic EL device 100 of the present embodiment, since the unit circuits P are arranged in a matrix as described above (see FIG. 1), the light emission control transistors Tel are similarly arranged in a matrix. Therefore, a plurality of light emission control transistors Tel belong to each row of the matrix arrangement as shown in FIG. 5 (only one row is shown in FIG. 5). In order to control such a plurality of light emission control transistors Tel, as described above, one of the four wirings constituting the scanning line 3 is used (see FIG. 2 and its description). 3el also includes a parasitic resistance RK and a parasitic capacitance CK as shown in FIG. Therefore, when any signal is supplied to the wiring 3el, it is considered that the waveform of the signal is distorted due to the presence of the parasitic resistance RK and the parasitic capacitance CK.

実際、発光制御信号GEL[i]が「矩形波」をもつ場合、信号供給源たる走査線駆動回路103の近くに位置する発光制御トランジスターTelに対しては、所望どおりの矩形波を持つ発光制御信号GEL[i]を供給することができるが、より遠くに位置する発光制御トランジスターTelに対しては、それが困難になる。すなわち、図示するように、信号の立下り時点においても、立上り時点においても所定のレベルとなる時点が遅れる、などということが生じ得る。このようなことは、走査線駆動回路103から遠ざかれば遠ざかるほど、顕著になる傾向がある。このようであると、発光制御トランジスターTelをON状態に維持しておく時間が、各発光制御トランジスターTelに関してばらつくことになる。   Actually, when the light emission control signal GEL [i] has a “rectangular wave”, the light emission control transistor Tel located near the scanning line driving circuit 103 as a signal supply source has a light emission control having a desired rectangular wave. Although the signal GEL [i] can be supplied, it becomes difficult for the light-emission control transistor Tel located further away. That is, as shown in the drawing, it may occur that the time when the signal reaches a predetermined level is delayed both at the falling edge of the signal and at the rising edge. Such a tendency tends to become more noticeable as the distance from the scanning line driving circuit 103 increases. In this case, the time for maintaining the light emission control transistor Tel in the ON state varies with respect to each light emission control transistor Tel.

しかし、このようなことが前記〔iv〕の移動度補償動作に関して生じるのは具合が悪い。というのも、前述のように、本実施形態に係る移動度補償動作は、各駆動トランジスターTdrの移動度の大小に応じたソース電位Vsの上昇の程度を調整することを前提とするとともに、この移動度補償動作を実行する時間を適当に設定することによって、最終的には、そのような移動度のバラツキを補償することを目的としているからである。
すなわち、図6に示すように、駆動トランジスターTdr〔A〕からからTdr〔C〕の順に従って移動度特性が悪くなる場合において、これら駆動トランジスターTdr〔A〕乃至Tdr〔C〕に電流を流す場合における減衰度は、この順番に大きくなる。そうすると、これら駆動トランジスターTdr〔A〕乃至Tdr〔C〕に関する移動度のバラツキを表象する、図6に示す各曲線については、それらが一定の範囲内に収まる領域XRがあることが想定される。
最適な移動度補償時間T1は、このような領域XRの存在を前提にして好適に設定される(図6参照)。
However, it is bad that such a situation occurs with respect to the mobility compensation operation [iv]. This is because, as described above, the mobility compensation operation according to the present embodiment is based on the premise that the degree of increase in the source potential Vs is adjusted according to the mobility of each drive transistor Tdr. This is because the purpose is finally to compensate for such variation in mobility by appropriately setting the time for executing the mobility compensation operation.
That is, as shown in FIG. 6, when the mobility characteristics deteriorate in the order from the drive transistor Tdr [A] to Tdr [C], a current is passed through these drive transistors Tdr [A] to Tdr [C]. The degree of attenuation increases in this order. Then, it is assumed that there is a region XR in which each curve shown in FIG. 6 representing the variation in mobility related to these drive transistors Tdr [A] to Tdr [C] is within a certain range.
The optimum mobility compensation time T1 is suitably set on the assumption of the existence of such a region XR (see FIG. 6).

しかし、このような最適な移動度補償時間T1が、図5を参照して説明したように、発光制御信号GEL[i]の歪みによって変化するならば、もはや最適な移動度補償動作を実行することは困難になる。図6においては、移動度補償時間が、当初はT1となるように意図されているにもかかわらず、それよりも短いT2なってしまうと、前記領域XRから外れた地点で、駆動トランジスターTdr〔A〕の移動度補償動作が完了してしまう場合が例示されている。このような場合における駆動トランジスターTdr〔A〕が、図5においては、走査線駆動回路103からより遠い同図の最右方に位置する発光制御トランジスターTelを含む単位回路P内に含まれるもの、でありうることを想定するのは容易である。
結局、このようなことになると、各駆動トランジスターTdrに関して最適な移動度補償が行わる可能性は極めて低いことになってしまう。
However, if the optimum mobility compensation time T1 changes due to the distortion of the light emission control signal GEL [i] as described with reference to FIG. 5, the optimum mobility compensation operation is no longer performed. It becomes difficult. In FIG. 6, although the mobility compensation time is originally intended to be T1, if it becomes T2 shorter than that, the driving transistor Tdr [ The case where the mobility compensation operation of A] is completed is illustrated. In FIG. 5, the drive transistor Tdr [A] in such a case is included in the unit circuit P including the light emission control transistor Tel located on the rightmost side of the figure farther from the scanning line drive circuit 103. It is easy to assume that it can be.
Eventually, when this happens, the possibility of optimal mobility compensation for each drive transistor Tdr is extremely low.

この点、本実施形態では、上述のように、移動度補償動作が、ランプ波形をもつ発光制御信号GEL[i]に基づいて行われるようになっているので、上述した不具合は実効的に解決される。というのも、この場合においては、図5に示すように、ランプ波形がスロープ状の遷移帯をもっているため、発光制御信号GEL[i]にさほど大きな歪みが生じないからである。なお、この場合でも、走査線駆動回路103から遠ざかれば遠ざかるほど、信号の遅延が生じる可能性はあるが(図5中の破線で示すランプ波形参照)、このことは、上述した作用効果に大きな影響を及ぼさない。この遅延による悪影響を回避するためには、簡単には例えば、図4に示す、走査信号GWRT[i]がハイレベルを維持する時間twを適宜に調整すればよい。具体的には例えば、図4中右端の立下り時点を遅らせるなどによって、当該時間twが、ランプ波形の全体を包み込むように継続するような長さをもてばよい。   In this respect, in the present embodiment, as described above, the mobility compensation operation is performed based on the light emission control signal GEL [i] having a ramp waveform. Is done. This is because in this case, as shown in FIG. 5, since the ramp waveform has a slope-like transition band, the light emission control signal GEL [i] is not significantly distorted. Even in this case, as the distance from the scanning line driving circuit 103 increases, the signal delay may occur (see the ramp waveform indicated by the broken line in FIG. 5). Does not have a significant effect. In order to avoid the adverse effect due to this delay, for example, the time tw for maintaining the scanning signal GWRT [i] at the high level shown in FIG. 4 may be adjusted as appropriate. Specifically, for example, the time tw may be long enough to wrap around the entire ramp waveform by delaying the falling edge at the right end in FIG.

このようにして、本実施形態によれば、走査線駆動回路103からみた発光制御トランジスターTelの位置の遠近に関わらず、当該発光制御トランジスターTelをON状態に維持する期間が好適に管理される。したがって、本実施形態における移動度補償動作は極めて実効的に奏されることになる。   In this way, according to the present embodiment, the period during which the light emission control transistor Tel is maintained in the ON state is preferably managed regardless of the position of the light emission control transistor Tel as viewed from the scanning line driving circuit 103. Therefore, the mobility compensation operation in the present embodiment is extremely effectively performed.

以上に述べたような有機EL装置100ないし単位回路Pによれば、次のような効果が奏される。
(1) まず、本実施形態の単位回路Pによれば、上述したように、移動度補償動作にあたって、ランプ波形をもつ発光制御信号GEL[i]が用いられることから、最適な移動度補償時間に基づく、好適な移動度補償動作が実行される。これにより、各有機EL素子8の発光輝度のバラツキは抑制され、より高品質な画像表示が可能になる。
According to the organic EL device 100 or the unit circuit P as described above, the following effects are exhibited.
(1) First, according to the unit circuit P of the present embodiment, as described above, the light emission control signal GEL [i] having a ramp waveform is used in the mobility compensation operation. Based on the above, a suitable mobility compensation operation is performed. Thereby, the variation in the light emission luminance of each organic EL element 8 is suppressed, and a higher quality image display becomes possible.

(2) また、本実施形態においては、移動度補償動作(特に、その実行時間)が、上述のように発光制御トランジスターTelの挙動1つ、あるいは、発光制御信号GEL[i]の挙動1つによって司られるようになっているので、前述した(1)の効果がより実効的に奏され、また、その制御態様の簡易化等が実現される。
例えば、従来技術の中においては、図2に示したような各種のトランジスターのON・OFF間の遷移を適当に関連づけることによって、移動度補償の実行時間を確定する手法がとられることがある。例えば〔発明が解決しようとする課題〕の欄で述べたように、〔1〕発光制御トランジスターをオフ状態、データ書込用トランジスターをオン状態とする、〔3〕発光制御トランジスター及びデータ書込用トランジスターをともにオン状態とする、〔2〕発光制御トランジスターをオン状態、データ書込用トランジスターをオフ状態とする、という各動作を、〔1〕→〔3〕→〔2〕と行う場合においては、移動度補償時間は、発光制御トランジスターのオフ状態からオン状態への遷移(〔1〕→〔3〕)と、データ書込用トランジスターのオン状態からオフ状態への遷移(〔3〕→〔2〕)と、によって確定されることになる。
しかし、このように複数のトランジスターが関与する場合であると、それら各々のトランジスターを制御するための信号の各々に関して、図5に示したような歪み、あるいは遅延等が生じることを懸念しなければならない。その結果、移動度補償時間の管理にあたっては、両信号の関係如何(例えば、どちらの遅延が大きいのか等々)をも考慮に入れなければならないことになるから、移動度補償時間の最適性を維持することには、より大きな困難が伴うことになる。
(2) In the present embodiment, the mobility compensation operation (particularly the execution time thereof) is one behavior of the light emission control transistor Tel or one behavior of the light emission control signal GEL [i] as described above. Therefore, the above-described effect (1) can be more effectively achieved, and the control mode can be simplified.
For example, in the prior art, a method for determining the execution time of mobility compensation by appropriately associating transitions between ON and OFF of various transistors as shown in FIG. 2 may be used. For example, as described in the section of [Problems to be solved by the invention], [1] The light emission control transistor is turned off and the data writing transistor is turned on. [3] The light emission control transistor and the data writing transistor When performing the operations [1] → [3] → [2] in which both the transistors are turned on, [2] the light emission control transistor is turned on, and the data writing transistor is turned off. The mobility compensation time includes the transition of the light emission control transistor from the off state to the on state ([1] → [3]) and the transition of the data writing transistor from the on state to the off state ([3] → [ 2]).
However, in the case where a plurality of transistors are involved in this way, there is no concern that distortion or delay as shown in FIG. 5 will occur with respect to each of the signals for controlling each of the transistors. Don't be. As a result, in managing the mobility compensation time, it is necessary to take into account the relationship between the two signals (for example, which delay is greater), so the mobility compensation time is maintained optimally. To do that comes with greater difficulty.

このような観点から見て、本実施形態は、より優位に立つ。というのも、既に述べたように、本実施形態においては、移動度補償時間は、発光制御信号GEL[i]の挙動1つによって定まるようになっているから、上述のような複数の信号の関係等に配慮する必要は特になく、その制御は、あるいは移動度補償時間の最適性の維持は、比較的容易に実現可能だからである。   From this point of view, the present embodiment is more advantageous. This is because, as described above, in this embodiment, the mobility compensation time is determined by one behavior of the light emission control signal GEL [i]. There is no particular need to consider the relationship, etc., because the control or the maintenance of the optimum mobility compensation time can be realized relatively easily.

なお、本発明は、「ランプ波形」の、その(より詳細な)形が、どのようなものであるかについては、基本的に特に限定しないが、この「ランプ波形」について、以下に記すような条件が満たされるのであれば、より好適である。
すなわち、図7に示すように、ランプ波形の開始時点から終了時点までの時間をTa、ハイレベルからローレベルへ至るまでの遷移時間をTs1、ローレベルからハイレベルへ至るまでの遷移時間をTs2とすれば、これらの間には、(Ts1+Ts2)/Ta>0.5が成立するとよい。この場合即ち、当該ランプ波形においてローレベルが維持される時間が、全時間Taの半分以下となることを意味する。逆に言えば、全時間Taに占める遷移時間Ts1及びTs2の割合がより大きいということである。
このように、遷移時間Ts1及びTs2がより長くなるのならば、そのランプ波形についての、前述したような歪みの影響は相対的により小さくなるといえる。したがって、前述した本実施形態に係る作用効果がより実効的に奏されることになるのである。
ちなみに、このような場合においては(あるいは、本発明一般に関して)、前述したような遷移時間Ts1及びTs2の双方がともに一致している必要はない。つまり、Ts1≠Ts2であってよい(図7参照)。
In the present invention, the (ramp waveform) shape of the “ramp waveform” is basically not particularly limited, but the “ramp waveform” will be described below. If such a condition is satisfied, it is more preferable.
That is, as shown in FIG. 7, the time from the start point to the end point of the ramp waveform is Ta, the transition time from the high level to the low level is Ts1, and the transition time from the low level to the high level is Ts2. Then, it is preferable that (Ts1 + Ts2) / Ta> 0.5 is established between them. In this case, this means that the time during which the low level is maintained in the ramp waveform is less than half of the total time Ta. In other words, the ratio of the transition times Ts1 and Ts2 to the total time Ta is larger.
Thus, if the transition times Ts1 and Ts2 become longer, it can be said that the influence of the distortion described above on the ramp waveform becomes relatively smaller. Therefore, the operational effects according to this embodiment described above are more effectively achieved.
Incidentally, in such a case (or regarding the present invention in general), it is not necessary that both the transition times Ts1 and Ts2 as described above coincide with each other. That is, Ts1 ≠ Ts2 may be satisfied (see FIG. 7).

<応用>
次に、上記実施形態に係る有機EL装置100を適用した電子機器について説明する。
図8は、上記実施形態に係る有機EL装置100を画像表示装置に利用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ2000は、表示装置としての有機EL装置100と本体部2010とを備える。本体部2010には、電源スイッチ2001およびキーボード2002が設けられている。
図9に、上記実施形態に係る有機EL装置100を適用した携帯電話機を示す。携帯電話機3000は、複数の操作ボタン3001およびスクロールボタン3002、ならびに表示装置としての有機EL装置100を備える。スクロールボタン3002を操作することによって、有機EL装置100に表示される画面がスクロールされる。
図10に、上記実施形態に係る有機EL装置100を適用した情報携帯端末(PDA:Personal Digital Assistant)を示す。情報携帯端末4000は、複数の操作ボタン4001および電源スイッチ4002、ならびに表示装置としての有機EL装置100を備える。電源スイッチ4002を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が有機EL装置100に表示される。
<Application>
Next, an electronic apparatus to which the organic EL device 100 according to the above embodiment is applied will be described.
FIG. 8 is a perspective view showing a configuration of a mobile personal computer using the organic EL device 100 according to the above embodiment as an image display device. The personal computer 2000 includes an organic EL device 100 as a display device and a main body 2010. The main body 2010 is provided with a power switch 2001 and a keyboard 2002.
FIG. 9 shows a mobile phone to which the organic EL device 100 according to the above embodiment is applied. A cellular phone 3000 includes a plurality of operation buttons 3001, scroll buttons 3002, and the organic EL device 100 as a display device. By operating the scroll button 3002, the screen displayed on the organic EL device 100 is scrolled.
FIG. 10 shows an information portable terminal (PDA: Personal Digital Assistant) to which the organic EL device 100 according to the embodiment is applied. The information portable terminal 4000 includes a plurality of operation buttons 4001, a power switch 4002, and the organic EL device 100 as a display device. When the power switch 4002 is operated, various types of information such as an address book and a schedule book are displayed on the organic EL device 100.

本発明に係る有機EL装置が適用される電子機器としては、図8から図10に示したもののほか、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、ビデオプレーヤ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。   As electronic devices to which the organic EL device according to the present invention is applied, in addition to those shown in FIGS. 8 to 10, a digital still camera, a television, a video camera, a car navigation device, a pager, an electronic notebook, electronic paper, a calculator, Examples include a word processor, a workstation, a videophone, a POS terminal, a video player, and a device equipped with a touch panel.

100……有機EL装置、103……走査線駆動回路、106……データ線駆動回路、P……単位回路(画素回路)、8……有機EL素子、3……走査線、6……データ線、113……電源線、Tr1〜Tr3……第1〜第3トランジスター、C1〜C3……第1〜第3容量素子、Tdr……駆動トランジスター、Tel……第1トランジスター
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Organic EL device, 103 ... Scan line drive circuit, 106 ... Data line drive circuit, P ... Unit circuit (pixel circuit), 8 ... Organic EL element, 3 ... Scan line, 6 ... Data , 113... Power line, Tr1 to Tr3... First to third transistors, C1 to C3... First to third capacitance elements, Tdr... Driving transistor, Tel.

Claims (6)

複数の走査線及び複数のデータ線の交差に対応して設けられた複数の単位回路と、前記複数の走査線の各々に前記単位回路を制御するための制御信号を供給する走査線駆動回路と、を含む電気光学装置であって、
前記複数の単位回路の各々は、
駆動電流の大きさに応じた光量で発光する発光素子と、
前記データ線を介して供給されるデータ電位がゲートに供給されることに応じて前記駆動電流を出力する駆動トランジスターと、
前記駆動トランジスターに前記駆動電流を流すか否かを司る第1トランジスターと、
一端が前記駆動トランジスターのゲートに接続され、他端が前記データ線に接続されたスイッチング素子と、
を含み、
前記複数の走査線の各々は、
当該走査線の延在方向に沿って並ぶ前記第1トランジスターのゲートに、当該第1トランジスターの導通及び非導通状態間の遷移を指令する、前記制御信号としての第1制御信号の伝送路となる第1制御線を含み、
前記走査線駆動回路は、
所定のタイミングにおいて、
前記第1制御線に、前記第1トランジスターを導通状態とする、ランプ波形を含む前記第1制御信号を供給する、
ことを特徴とする電気光学装置。
A plurality of unit circuits provided corresponding to intersections of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines; and a scanning line driving circuit for supplying a control signal for controlling the unit circuit to each of the plurality of scanning lines. An electro-optical device comprising:
Each of the plurality of unit circuits is
A light emitting element that emits light with a light amount corresponding to the magnitude of the drive current;
A driving transistor that outputs the driving current in response to a data potential supplied through the data line being supplied to a gate;
A first transistor for controlling whether or not to pass the driving current to the driving transistor;
A switching element having one end connected to the gate of the driving transistor and the other end connected to the data line;
Including
Each of the plurality of scan lines is
It becomes a transmission path of a first control signal as the control signal that commands the transition of the first transistor between the conduction state and the non-conduction state to the gates of the first transistor arranged along the extending direction of the scanning line. Including a first control line;
The scanning line driving circuit includes:
At a given timing
Supplying the first control signal including a ramp waveform to bring the first transistor into a conductive state to the first control line;
An electro-optical device.
前記複数の走査線の各々は、前記第1制御線のほか、
前記駆動トランジスターのゲートに前記データ電位を供給するか否かを決める前記スイッチング素子の導通及び非導通状態間の遷移を指令する、前記制御信号としての第2制御信号の伝送路となる第2制御線を含み、
前記走査線駆動回路は、
前記第2制御線に、前記スイッチング素子を導通状態とする前記第2制御信号を供給している最中において、
前記第1制御線に、前記ランプ波形を含む前記第1制御信号を供給する、
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
Each of the plurality of scanning lines includes the first control line,
A second control serving as a transmission path of a second control signal as the control signal for instructing a transition between the conductive state and the non-conductive state of the switching element that determines whether or not to supply the data potential to the gate of the driving transistor; Including lines,
The scanning line driving circuit includes:
During the supply of the second control signal to turn on the switching element to the second control line,
Supplying the first control signal including the ramp waveform to the first control line;
The electro-optical device according to claim 1.
前記ランプ波形は、
前記第1制御信号が一のレベルから他のレベルへ至るまでの遷移時間をTs1、
前記他のレベルから前記一のレベルへ至るまでの遷移時間をTs2、
前記Ts1の開始時点から前記Ts2の終了時点までの時間をTa、とする場合において、
(Ts1+Ts2)/Ta>0.5
が成立するように定められる、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置。
The ramp waveform is
The transition time from the first level to the other level of the first control signal is Ts1,
The transition time from the other level to the one level is Ts2,
In the case where the time from the start time of the Ts1 to the end time of the Ts2 is Ta,
(Ts1 + Ts2) / Ta> 0.5
Is established so that
The electro-optical device according to claim 1 or 2.
複数の走査線及び複数のデータ線の交差に対応して設けられた複数の単位回路と、前記複数の走査線の各々に前記単位回路を制御するための制御信号を供給する走査線駆動回路と、電源線と、を含む電気光学装置であって、
前記複数の単位回路の各々は、
発光素子と、
前記発光素子と前記電源線との間に介挿された駆動トランジスターと、
前記電源線と前記駆動トランジスターとの間に介挿された第1トランジスターと、
一端が前記駆動トランジスターのゲートに接続され、他端が前記データ線に接続されたスイッチング素子と、
を含み、
前記複数の走査線の各々は、
当該走査線の延在方向に沿って並ぶ前記第1トランジスターのゲートに電気的に接続された第1制御線を含み、
前記走査線駆動回路は、
開始パルスをクロック信号に従って転送して転送パルスを生成するシフトレジスターと、
前記転送パルスを契機にランプ波形を生成し、前記第1制御線に供給する回路と、
を備える、
ことを特徴とする電気光学装置。
A plurality of unit circuits provided corresponding to intersections of the plurality of scanning lines and the plurality of data lines; and a scanning line driving circuit for supplying a control signal for controlling the unit circuit to each of the plurality of scanning lines. An electro-optical device including a power line,
Each of the plurality of unit circuits is
A light emitting element;
A drive transistor interposed between the light emitting element and the power line;
A first transistor interposed between the power line and the driving transistor;
A switching element having one end connected to the gate of the driving transistor and the other end connected to the data line;
Including
Each of the plurality of scan lines is
A first control line electrically connected to a gate of the first transistor arranged along the extending direction of the scanning line;
The scanning line driving circuit includes:
A shift register that generates a transfer pulse by transferring a start pulse according to a clock signal; and
A circuit that generates a ramp waveform triggered by the transfer pulse and supplies the ramp waveform to the first control line;
Comprising
An electro-optical device.
請求項1乃至4のいずれか一項に記載の電気光学装置を備える、
ことを特徴とする電子機器。
The electro-optical device according to claim 1 is provided.
An electronic device characterized by that.
駆動電流の大きさに応じた光量で発光する発光素子と、ゲートに供給されるデータ電位に応じた前記駆動電流を出力する駆動トランジスターと、前記発光素子に前記駆動電流を供給するか否かを司る発光制御トランジスターと、を備えた電気光学装置 の駆動方法であって、
一端が前記駆動トランジスターのゲートに接続され他端が前記データ電位を供給するデータ線に接続されたスイッチング素子を導通状態として前記駆動トランジスターのゲートに前記データ電位を供給する第1工程と、
前記第1工程の最中において、前記発光制御トランジスターを導通状態とするランプ波形を含む発光制御信号によって、前記発光制御トランジスターを導通状態とする第2工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
A light emitting element that emits light with a light amount corresponding to the magnitude of the driving current, a driving transistor that outputs the driving current according to a data potential supplied to a gate, and whether or not the driving current is supplied to the light emitting element. A driving method of an electro-optical device including a light emission control transistor,
A first step of supplying the data potential to the gate of the driving transistor by turning on a switching element having one end connected to the gate of the driving transistor and the other end connected to the data line supplying the data potential;
In the middle of the first step, a second step of bringing the light emission control transistor into a conductive state by a light emission control signal including a ramp waveform that turns the light emission control transistor into a conductive state;
A method for driving an electro-optical device.
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