JP2010263219A - バンプパッド構造及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】バンプパッド構造の機械強度を高め、ＵＳＧ層と低誘電体層との間の界面を保護するバンプパッド構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】バンプパッド構造は、上層を有する基板と、上層上に形成された強化パッドと、上層の上方に形成された中間層と、中間層上に形成された中間接続パッドと、中間層の上方に形成された外層と、外層に形成された開口を介し、中間接続パッドに接続されたＵＢＭとを備える。
【選択図】図３

Description

本発明は、半導体装置のバンプパッド構造に関し、特に、フリップチップアセンブリのバンプパッド構造に関する。

フリップチップパッケージは、半田バンプを利用し、基板と電気的かつ物理的（ｍｅｃｈａｎｉｃａｌｌｙ）に接続されたフェイスダウン半導体チップを含む。フリップチップパッケージは、スケーラビリティ（ｓｃａｌａｂｉｌｉｔｙ）により小型化に応用することができるため、従来の他のパッケージより優れている。しかし、フリップチップパッケージは、小型化及び低誘電体の使用の増加にともない、機械応力によりバンプパッドメタル及び低誘電体に関する問題が発生し易い。

図１Ａを参照する。図１Ａは、半田バンプパッド及びその下方の相互接続構造の一部を示す断面図である。図１Ａに示すように、半田バンプ２は、半導体チップ上の外側のパッシベーション層６中に設けた開口を介し、アルミニウムパッド８と接続されたＵＢＭ（Ｕｎｄｅｒ Ｂｕｍｐ Ｍｅｔａｌ）パッド４と物理的に接続されている。アルミニウムパッド８は、内側のパッシベーション層１０上に形成されている。内側のパッシベーション層１０は、低誘電率の誘電体層１４上のＵＳＧ（Ｕｎｄｏｐｅｄ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｇｌａｓｓ）層１２上に形成されている。ＵＳＧ層１２は、回路を含む多数の独立した金属層を含んでもよい。アルミニウムパッド８は、アルミニウム配線１６により、相互接続構造中のアルミニウムコンタクト１８と電気的に接続されている。アルミニウムコンタクト１８は、内側のパッシベーション層１０のビア２０ａ，２０ｂ，２０ｃを介し、第１のコンタクト２２と接続されている。第１のコンタクト２２は、数個のビア２４を介して第２のコンタクト２６と接続されている。コンタクト及びビアは、例えば、半導体装置に必要な相互接続構造を付加的に含んでもよい。

図１Ｂを参照する。図１Ｂは、ＵＢＭパッド４、アルミニウムパッド８、アルミニウム配線１６、アルミニウムコンタクト１８及びビア２０ａ，２０ｂ，２０ｃを示すレイアウト図である。外側の八角形領域はアルミニウムパッド８を表す。中間の八角形領域はＵＢＭパッド４を表す。内側の八角形領域はＵＢＭパッド４の凹部を表す。

図１Ａ及び図１Ｂを参照する。図１Ａ及び図１Ｂに示すように、バンプパッドは、一般にフリップチップアセンブリに応用する。フリップチップアセンブリは、そのスケーラビリティにより小型化の技術に適用することができるため、最新の科学技術に応用することができる。取り付けサイズの縮小に伴い（特に２２ｎｍ技術において）、低誘電体の使用が普及し、特に、誘電率が２．５より低い場合、バンプパッドからの機械応力の衝撃力が増大する。そのため、例えば、半導体装置と付着するパッケージ基板との間の熱膨張係数（Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ：ＣＴＥ）のミスマッチにより発生する剥離又はせん断力により、バンプパッドが応力を受け、例えば、ＵＳＧ、低誘電体又は半田バンプが破裂するなどして半導体装置に故障が発生する虞がある。

フリップチップ技術でよく利用される他の構造としては、ＤＢＯＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｕｍｐ Ｏｎ Ｃｏｐｐｅｒ）構造がある。ＵＢＭと最上メタライゼーション層の銅金属とは、ＤＢＯＣ構造中で直接接触される。無アルミニウムパッド（ｎｏ ａｌｕｍｉｎｕｍ ｐａｄ）又はパッシベーション内層は、ＤＢＯＣ構造中に応用する。無アルミニウムパッド又はパッシベーション内層は、緩衝として用い、ＤＢＯＣ構造の機械強度が一般に低いため、上述したような問題が発生する虞がある。そのため、従来技術の問題点を解決するために、バンプパッドの機械強度を高めることが求められている。

本発明は、バンプパッド構造の機械強度を高め、ＵＳＧ層と低誘電体層との間の界面を保護するバンプパッド構造及びその製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係るバンプパッド構造は、
上層を有する基板と、
前記上層上に形成された強化パッドと、
前記上層の上方に形成された中間層と、
前記中間層上に形成された中間接続パッドと、
前記中間層の上方に形成された外層と、
前記外層に形成された開口を介し、前記中間接続パッドに接続されたＵＢＭと、を備えることを特徴とする。

前記強化パッドの半径又は外接円半径は、前記ＵＢＭの半径又は外接円半径より大きくてもよい。

前記強化パッドの半径又は外接円半径は、前記ＵＢＭの半径又は外接円半径より少なくとも５μｍ大きくてもよい。

前記中間接続パッドと前記強化パッドとを物理的に接続するビアをさらに備えてもよい。

前記ビアは、中空でないビア、環状のビア及び５×５のアレイ状に配列されたビアからなる群から選ばれるフィーチャを含んでもよい。

前記中間接続パッドの厚さは２．５μｍでもよい。

前記基板は内層をさらに有し、前記内層上に形成された第２の強化パッドと、
前記強化パッドと前記第２の強化パッドとを物理的に接続する第２のビアと、をさらに備えてもよい。

上記目的を達成するために、本発明の第２の観点に係るバンプパッド構造の製造方法は、
基板の上層上に強化パッドを形成する工程と、
前記基板の前記上層上に中間層を形成する工程と、
前記中間層上に中間接続パッドを形成し、前記中間層のビアを介し、前記中間接続パッドと前記強化パッドとを接続させる工程と、
前記基板上に外層を形成する工程と、
前記外層の開口の中にＵＢＭを形成し、前記ＵＢＭを前記中間接続パッドに接続させる工程と、を含むことを特徴とする。

前記基板の下方層上に第２の強化パッドを形成する工程をさらに含み、
前記強化パッドを形成する工程は、前記基板の前記上層に、前記強化パッドと前記第２の強化パッドとを接続させる第２のビアを形成する工程を含んでもよい。

前記強化パッドを形成する工程は、
前記基板の前記上層上に形成されたレジスト層をパターニングし、前記上層中の前記強化パッドを配置する領域を露出させる工程と、
前記上層の露出された領域をエッチングする工程と、
前記上層上に金属を堆積する工程と、を含んでもよい。

前記中間接続パッドを形成する工程は、
前記中間層上の第１のレジスト層をパターニングし、前記中間層中の前記ビアが形成される領域を露出させる工程と、
前記中間層の露出された領域をエッチングする工程と、
前記中間層上に金属層を堆積し、メタライゼーション層及び前記ビアを形成する工程と、
前記メタライゼーション層上に形成されたレジスト層をパターニングし、前記メタライゼーション層により、前記中間接続パッドの一部が露出されないようにする工程と、
前記メタライゼーション層の露出部分をエッチングする工程と、を含んでもよい。

前記ＵＢＭを形成する工程は、
前記外層の上方に形成されたレジスト層をパターニングし、前記外層の前記開口が形成される領域を露出させる工程と、
前記外層をエッチングし、前記開口を形成する工程と、を含んでもよい。

本発明のバンプパッド構造及びその製造方法は、バンプパッド構造の機械強度を高め、ＵＳＧ層と低誘電体層との間の界面を保護することができる。

従来のバンプパッド構造及び相互接続構造を示す断面図である。 従来のバンプパッド構造及び相互接続構造を示す平面図である。 本発明の第１実施形態に係るバンプパッド構造を示す断面図である。 本発明の第２実施形態に係るバンプパッド構造を示す断面図である。 従来技術及び本発明に係るＵＳＧ層と低誘電率の誘電体層との間の界面箇所に発生する応力を示すグラフである。 銅パッドのサイズがＵＳＧ層と低誘電率の誘電体層との間の界面箇所に発生する応力を示すグラフである。 本発明の実施形態に係るビア及びバンプパッド構造を示す平面図である。 本発明の実施形態に係るビア及びバンプパッド構造を示す平面図である。 本発明の実施形態に係るビア及びバンプパッド構造を示す平面図である。 本発明の実施形態に係るビア及びバンプパッド構造を示す平面図である。 ＵＳＧ層と低誘電率の誘電体層との間の界面箇所に発生する応力に、異なるレイアウトを有するビアが与える影響を示すグラフである。 本発明の第３実施形態に係るバンプパッド構造を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係るバンプパッド構造を製造するときの状態を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係るバンプパッド構造を製造するときの状態を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係るバンプパッド構造を製造するときの状態を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係るバンプパッド構造を製造するときの状態を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係るバンプパッド構造を製造するときの状態を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係るバンプパッド構造を製造するときの状態を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係るバンプパッド構造を製造するときの状態を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係るバンプパッド構造を製造するときの状態を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係るバンプパッド構造を製造するときの状態を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係るバンプパッド構造を製造するときの状態を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係るバンプパッド構造を製造するときの状態を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係るバンプパッド構造を製造するときの状態を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係るバンプパッド構造を製造するときの状態を示す模式図である。

（第１実施形態）
図２を参照する。図２は、本発明の第１実施形態に係るバンプパッド構造を示す断面図である。半田バンプ３０は、半導体チップ上の外側のパッシベーション層３４中に設けられた開口を介し、アルミニウムパッド３６に接続されたＵＢＭパッド３２と物理的に接続されている。アルミニウムパッド３６は、低誘電率の誘電体層４４上のＵＳＧ層４２の上方に設けられている内側のパッシベーション層３８上に配置されている。中空でない銅パッド４０は、ＵＳＧ層４２上かつアルミニウムパッド３６の下方に設けられている。低誘電率の誘電体層４４は、回路４６をさらに含んでもよい。これらの層は、その他よく知られた方式で配置したり、その他の材料を含んでもよい。例えば、低誘電率の誘電体層４４がＵＳＧ層で代替されたり、相互接続構造がアルミニウム配線（図２、図３及び図８では図示せず）を介し、アルミニウムパッド３６と電気的に接続されたりしてもよい。

（第２実施形態）
図３は、本発明の第２実施形態に係るバンプパッド構造を示す断面図である。図３の構造は、図２と同様に、数個のビア４８を有する以外に、これらビア４８を介してアルミニウムパッド３６が銅パッド４０に接続されている。

上述の実施形態では、ＵＳＧ層４２及び低誘電率の誘電体層４４の応力を下げることができる。図４は、ＵＳＧ層４２と低誘電率の誘電体層４４との間の界面箇所に発生する応力が減少する状態を示すグラフである。図１Ａは、従来のアルミニウムパッドを示す断面図である。図２は、銅パッドを有するアルミニウムパッドを示す断面図である。図３は、銅パッド及びビアコネクションを備えるアルミニウムパッドを示す断面図である。従来のパッドをベースラインとして用い、界面上の応力を正規化する。アルミニウムパッド及び銅パッド構造（図２に示す）は、剥離応力が正規化ベースラインで９％低下し、せん断力が正規化ベースラインで１２％低下する。ビア構造を有するアルミニウムパッド及び銅パッド構造（図３に示す）は、剥離応力が正規化ベースラインで１５％低下し、せん断力が正規化ベースラインで２２％低下する。

界面上の応力は、銅パッド４０により発生するヤング率の増大に伴い低下する。低誘電体のヤング率は約１０ＧＰａであり、ＵＳＧのヤング率は約７０ＧＰａであるが、銅のヤング率は約２１８ＧＰａである。そのため、銅が挿入された構造は、ヤング係数が向上して機械強度が高くなるため、界面を好適に保護することができる。

このタイプの構造は、ＵＳＧ層４２の応力に影響を与える上、銅パッド４０のサイズもこの応力に影響を与える。図５は、銅パッド４０のサイズが応力に与える影響を示すグラフである。図５のｘ軸は差Δを表し、その単位はマイクロメートルである。差Δとは、図３が示すＵＢＭパッド３２の外接円半径と、銅パッド４０の外接円半径との差である。図５に示すように、ベースラインによりＵＳＧ層４２と低誘電率の誘電体層４４との間の界面上の応力を正規化する。このベースラインは、銅パッド４０の外接円半径がＵＢＭパッド３２の外接円半径に等しいときの差Δがゼロである。図５のグラフから分かるように、応力は、差Δの増加に伴って減少するが、差Δが５μｍを超えると、正規化応力の減少に伴い小さくなる。即ち、差Δは、５μｍのときに飽和するといえる。差Δは、何れのサイズでもよいが、５μｍであることが好ましい。

さらに、アルミニウムパッド３６を用いて銅パッド４０のビア４８に接続するレイアウトは、ＵＳＧ層４２及び低誘電率の誘電体層４４に与える応力に影響を与える。図６Ａ〜図６Ｄは、数種類のビア４８を示すレイアウト図である。図６Ａは、中空でない八角形ビア４８ａを示すレイアウト図である。図６Ａでは、ＵＢＭパッド３２が点線により表され、銅パッド４０が実線により表されている。ＵＢＭパッド３２の外接円半径は、約７５〜１２０μｍである。アルミニウムパッド３６（図示せず）の外接円半径は、ＵＢＭパッド３２の外接円半径より約４μｍより大きい。図６Ｂに示すように、八角形環状ビア４８ｂは、外側の外接円半径が内側の外接円半径より１０μｍ大きい。図６Ｃに示すように、八角形環状ビア４８ｃは、外側の外接円半径が内側の外接円半径より２０μｍ大きい。図６Ｂのビアの表面積は、アルミニウムパッド３６の表面積の２８．４％であり、図６Ｃのビアの表面積は、アルミニウムパッド３６の表面積の５２．１％である。また、八角形環状のビア４８ｂ及びビア４８ｃの内側の外接円半径と外側の外接円半径との差は、例えば、５μｍ又は２５μｍに増減させてもよい。差が５μｍである場合、ビアの表面積はアルミニウムパッド３６の１４．８％であり、差が２５μｍである場合、ビアの表面積はアルミニウムパッド３６の６２．１％である。図６Ｄは、５×５のアレイ状に配列されたビア４８ｄを示すレイアウト図である。

図７を参照する。図７は、ＵＳＧ層４２と低誘電率の誘電体層４４との界面にこれら異なるレイアウトが与える影響を示すグラフである。図６Ａの中空でない八角形ビア４８ａをベースラインとして用い、その他全てのレイアウトは、このレイアウトに基づいて正規化を行う。図７のグラフから分かるように、正規化を行った後の応力は、ベースラインから図６Ｃ中の２０μｍの八角形環状ビア４８ｃまで縮小し、図６Ｄ中の５×５のアレイ状に配列されたビア４８ｄに縮小してから、図６Ｂ中の１０μｍの八角形環状ビア４８ｂまで縮小する。

上述の実施形態の欠点は、ＵＳＧ層４２中の銅パッド４０がさらに大きな面積が必要となったり、ＵＳＧ層４２に付加的な金属層が必要となったりする点である。本実施形態は、図１Ａ中のバンプパッドと異なり、ＵＳＧ層４２中の上金属層上に、銅パッド４０を設けるために用いる領域が必要である。これにより、銅パッド４０を設ける領域を得るために、上金属層上の回路システムの配線を改めて設定し直す必要がある。或いは、銅パッド４０を設けるために、ＵＳＧ層４２中へ付加的に金属層を設けてもよい。この場合、既存の半導体装置の回路システムの配線を改めて設計する必要はないが、付加的な金属層により工程が増えて材料にかかる費用が多くなる。

（第３実施形態）
図８は、本発明の第３実施形態に係るバンプパッド構造を示す断面図である。図８は、図３の実施形態に類似するが、第２の銅パッド５２がＵＳＧ層４２の下方かつ低誘電率の誘電体層４４上に位置する点が異なる。銅パッド４０は、数個のビア５０を介して第２の銅パッド５２に接続されている。ビア５０は、１つ又は多数の単独のビアでもよいし、図６Ａ〜図６Ｄのレイアウトに対応したビアでもよい。さらに、より多くの銅パッドを図８の構造中に加えてもよい。これら銅パッドは、ＵＳＧ層４２を含む多重金属層中に設けたり、ＵＳＧ層４２及び低誘電率の誘電体層４４中に設けたりしてもよい。多数の銅パッドは、ビアを利用して接続したりしなくてもよい。第２の銅パッド５２を加えると、構造のヤング率が高まり、構造全体の機械強度が高まる。

本実施形態は、その他の特徴として、アルミニウムパッド３６及び／又はアルミニウム配線が厚い点、ＵＳＧ層４２が厚い点、又は下方の銅パッドを有さず、内側のパッシベーション層３８に形成された数個のビア４８だけを含む点がある。一般に、アルミニウムパッド３６の厚さは約１．４５μｍである。この厚さは、例えば２．５μｍまで増大させると、構造の機械強度が向上し、ＵＳＧ層４２及び低誘電率の誘電体層４４を保護することができる。同様に、ＵＳＧ層４２の厚さを大きくすると、ＵＳＧ層４２の機械強度が高まり、ＵＳＧ層４２及び低誘電率の誘電体層４４を保護することができる。ＵＳＧ層４２の厚さを大きくする方式としては、ＵＳＧ層４２の中にすでに存在する層を厚くする方式や、ＵＳＧ層４２の中へ新たに数層を加える方式を利用してもよい。内側のパッシベーション層３８に形成され、下方の銅パッドを備えていない数個のビア４８の機械強度は、従来のバンプパッドより大きい。

図９Ａ〜図９Ｍを参照する。図９Ａ〜図９Ｍは、本発明の一実施形態に係る、図３のバンプパッド構造の製造工程を行うときの状態を示す断面図である。図９Ａに示すように、低誘電体層（図示せず）上にＵＳＧ層１００を形成する。図９Ｂに示すように、ＵＳＧ層１００上のフォトレジスト層１０２をパターニングし、数個の相互接続ビア開口１０４のエッチング箇所からＵＳＧ層１００を露出させる。続いて、従来のフォトリソグラフィ技術を利用し、相互接続ビア開口１０４をエッチングする。次に、図９Ｃに示すように、相互接続ビア開口１０４の一部に、数個のプラグ（ｐｌｕｇ）１０６を充填してからフォトレジスト層１０２を除去する。図９Ｄに示すように、ＵＳＧ層１００上にもう一つのフォトレジスト層１０８を形成してから、フォトレジスト層１０８をパターニングし、相互接続ビア開口１０４上の相互接続コンタクトが形成された箇所と、銅パッドが形成された箇所とから、ＵＳＧ層１００が露出される。続いて、従来のフォトリソグラフィ技術を利用してＵＳＧ層１００に対してエッチングを行い、少なくともプラグ１０６の頂部の位置までエッチングを行う。

図９Ｅに示すように、フォトレジスト層１０８及びプラグ１０６を除去する。続いて、ＵＳＧ層１００上に銅１１０を堆積する。また、銅１１０を堆積する前に、物理気相堆積を利用し、拡散障壁層を形成してもよい。また、拡散障壁層を形成した後で、銅１１０を堆積する前に、電解メッキが都合良く行えるように、銅シード層（ｃｏｐｐｅｒ ｓｅｅｄ ｌａｙｅｒ）を形成してもよい。図９Ｆに示すように、例えば、化学機械研磨を利用し、余分な銅１１０を除去し、数個の相互接続ビア１１２、相互接続コンタクト１１４及び銅パッド１１６を形成してもよい。或いは、従来のデュアルダマシン製造工程を利用し、相互接続ビア１１２、相互接続コンタクト１１４及び銅パッド１１６を形成してもよい。

図９Ｇに示すように、ＵＳＧ層１００の上方に、第１のパッシベーション層１１８が堆積される。図９Ｈに示すように、第１のパッシベーション層１１８上に、フォトレジスト層１２０が形成される。フォトレジスト層１２０をパターニングすると、相互接続コンタクト１１４及び銅パッド１１６上に設けられた第１のパッシベーション層１１８の一部が露出される。続いて、従来のフォトリソグラフィ技術を利用して第１のパッシベーション層１１８をエッチングすると、数個のビア開口１２２，１２４が残存される。図９Ｉに示すように、フォトレジスト層１２０を除去し、アルミニウム１２６を堆積する。アルミニウム１２６は、第１のビア開口１２２に充填されてアルミニウム相互接続ビア１２８が形成され、第２のビア開口１２４を充填してアルミニウムビア１３０が形成される。図９Ｊに示すように、アルミニウム１２６の上方に形成したフォトレジスト層１３２をパターニングし、アルミニウム相互接続コンタクト１３４、アルミニウム配線１３６及びアルミニウムパッド１３８を形成する。続いて、アルミニウム１２６をエッチングしてパターニングし、素子が形成される。

図９Ｋに示すように、フォトレジスト層１３２を除去した後、この構造上に第２のパッシベーション層１４０を堆積させる。図９Ｌに示すように、第２のパッシベーション層１４０上にフォトレジスト層１４２を形成する。そして、このフォトレジスト層１４２をパターニングし、アルミニウムパッド１３８上に形成された第２のパッシベーション層１４０の一部を露出させる。続いて、第２のパッシベーション層１４０をアルミニウムパッド１３８の位置までエッチングし、ＵＢＭ開口１４４を残存させる。図９Ｍに示すように、フォトレジスト層１４２を除去した後、ＵＢＭ開口１４４中にＵＢＭパッド１４６を形成し、ＵＢＭパッド１４６とアルミニウムパッド１３８とを接続させる。

当該分野の技術を熟知するものが理解できるように、本発明の好適な実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本発明を限定するものではない。本発明の主旨と範囲を逸脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができる。従って、本発明による特許請求の範囲は、このような変更や修正を含めて広く解釈されるべきである。例えば、上述の実施形態の多くの特徴には、銅又はアルミニウムが含まれているが、アルミニウムの代わりに銅を用いたり、銅の代わりにアルミニウムを用いたりしてもよい。当業者であれば容易に分かるように、上述した各層（例えば、パッシベーション層、ＵＳＧ層、誘電体層など）は何ら限定されるわけではなく、その他の層を用いてもよい。

２ 半田バンプ
４ ＵＢＭパッド
６ 外側のパッシベーション層
８ アルミニウムパッド
１０ 内側のパッシベーション層
１２ ＵＳＧ層
１４ 低誘電率の誘電体層
１６ アルミニウム配線
１８ アルミニウムコンタクト
２０ａ ビア
２０ｂ ビア
２０ｃ ビア
２２ 第１のコンタクト
２４ ビア
２６ 第２のコンタクト
３０ 半田バンプ
３２ ＵＢＭパッド
３４ 外側のパッシベーション層
３６ アルミニウムパッド
３８ 内側のパッシベーション層
４０ 銅パッド
４２ ＵＳＧ層
４４ 低誘電率の誘電体層
４６ 回路
４８ ビア
４８ａ ビア
４８ｂ ビア
４８ｃ ビア
４８ｄ ビア
５０ ビア
５２ 銅パッド
１００ ＵＳＧ層
１０２ フォトレジスト層
１０４ 相互接続ビア開口
１０６ プラグ
１０８ フォトレジスト層
１１０ 銅
１１２ 相互接続ビア
１１４ 相互接続コンタクト
１１６ 銅パッド
１１８ 第１のパッシベーション層
１２０ フォトレジスト層
１２２ 第１のビア開口
１２４ 第２のビア開口
１２６ アルミニウム
１２８ アルミニウム相互接続ビア
１３０ アルミニウムビア
１３２ フォトレジスト層
１３４ アルミニウム相互接続コンタクト
１３６ アルミニウム配線
１３８ アルミニウムパッド
１４０ 第２のパッシベーション層
１４２ フォトレジスト層
１４４ ＵＢＭ開口
１４６ ＵＢＭパッド

Claims (12)

1. 上層を有する基板と、
   前記上層上に形成された強化パッドと、
   前記上層の上方に形成された中間層と、
   前記中間層上に形成された中間接続パッドと、
   前記中間層の上方に形成された外層と、
   前記外層に形成された開口を介し、前記中間接続パッドに接続されたＵＢＭと、を備えることを特徴とするバンプパッド構造。
2. 前記強化パッドの半径又は外接円半径は、前記ＵＢＭの半径又は外接円半径より大きいことを特徴とする請求項１に記載のバンプパッド構造。
3. 前記強化パッドの半径又は外接円半径は、前記ＵＢＭの半径又は外接円半径より少なくとも５μｍ大きいことを特徴とする請求項２に記載のバンプパッド構造。
4. 前記中間接続パッドと前記強化パッドとを物理的に接続するビアをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のバンプパッド構造。
5. 前記ビアは、中空でないビア、環状のビア及び５×５のアレイ状に配列されたビアからなる群から選ばれるフィーチャを含むことを特徴とする請求項４に記載のバンプパッド構造。
6. 前記中間接続パッドの厚さは２．５μｍであることを特徴とする請求項１に記載のバンプパッド構造。
7. 前記基板は内層をさらに有し、前記内層上に形成された第２の強化パッドと、
   前記強化パッドと前記第２の強化パッドとを物理的に接続する第２のビアと、をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のバンプパッド構造。
8. 基板の上層上に強化パッドを形成する工程と、
   前記基板の前記上層上に中間層を形成する工程と、
   前記中間層上に中間接続パッドを形成し、前記中間層のビアを介し、前記中間接続パッドと前記強化パッドとを接続させる工程と、
   前記基板上に外層を形成する工程と、
   前記外層の開口の中にＵＢＭを形成し、前記ＵＢＭを前記中間接続パッドに接続させる工程と、を含むことを特徴とするバンプパッド構造の製造方法。
9. 前記基板の下方層上に第２の強化パッドを形成する工程をさらに含み、
   前記強化パッドを形成する工程は、前記基板の前記上層に、前記強化パッドと前記第２の強化パッドとを接続させる第２のビアを形成する工程を含むことを特徴とする請求項８に記載のバンプパッド構造の製造方法。
10. 前記強化パッドを形成する工程は、
    前記基板の前記上層上に形成されたレジスト層をパターニングし、前記上層中の前記強化パッドを配置する領域を露出させる工程と、
    前記上層の露出された領域をエッチングする工程と、
    前記上層上に金属を堆積する工程と、を含むことを特徴とする請求項８に記載のバンプパッド構造の製造方法。
11. 前記中間接続パッドを形成する工程は、
    前記中間層上の第１のレジスト層をパターニングし、前記中間層中の前記ビアが形成される領域を露出させる工程と、
    前記中間層の露出された領域をエッチングする工程と、
    前記中間層上に金属層を堆積し、メタライゼーション層及び前記ビアを形成する工程と、
    前記メタライゼーション層上に形成されたレジスト層をパターニングし、前記メタライゼーション層により、前記中間接続パッドの一部が露出されないようにする工程と、
    前記メタライゼーション層の露出部分をエッチングする工程と、を含むことを特徴とする請求項８に記載のバンプパッド構造の製造方法。
12. 前記ＵＢＭを形成する工程は、
    前記外層の上方に形成されたレジスト層をパターニングし、前記外層の前記開口が形成される領域を露出させる工程と、
    前記外層をエッチングし、前記開口を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項８に記載のバンプパッド構造の製造方法。

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