[go: up one dir, main page]

JP2010263152A - Reflective light emitting diode - Google Patents

Reflective light emitting diode Download PDF

Info

Publication number
JP2010263152A
JP2010263152A JP2009114743A JP2009114743A JP2010263152A JP 2010263152 A JP2010263152 A JP 2010263152A JP 2009114743 A JP2009114743 A JP 2009114743A JP 2009114743 A JP2009114743 A JP 2009114743A JP 2010263152 A JP2010263152 A JP 2010263152A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
light
emitting diode
reflective
support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009114743A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kaoru Kumagai
馨 熊谷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pearl Lighting Co Ltd
Original Assignee
Pearl Lighting Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pearl Lighting Co Ltd filed Critical Pearl Lighting Co Ltd
Priority to JP2009114743A priority Critical patent/JP2010263152A/en
Publication of JP2010263152A publication Critical patent/JP2010263152A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H10W72/5522
    • H10W90/756

Landscapes

  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】反射面で光の散乱が起こり、一様な強度の光を出力できる反射型発光ダイオードを提供する。
【解決手段】液晶ポリマーからなり、内部に凹面状の反射面2を有する支持体6と、反射面の上方中央部において反射面に発光面を向けて配置された発光素子10とを備える。支持体に液晶ポリマーを用いた場合は、反射面はミクロな凹凸による適度なざらつきのある面となるため、発光素子から出射した光は反射面で散乱され、出射光は一様な強度の光となる。
【選択図】図1
The present invention provides a reflective light emitting diode capable of outputting light with uniform intensity by scattering light on a reflective surface.
A support body 6 made of a liquid crystal polymer and having a concave reflecting surface 2 inside, and a light emitting element 10 disposed at an upper central portion of the reflecting surface with a light emitting surface facing the reflecting surface. When a liquid crystal polymer is used for the support, the reflective surface becomes a surface with moderate roughness due to micro unevenness, so that the light emitted from the light emitting element is scattered by the reflective surface, and the emitted light is light of uniform intensity. It becomes.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、プリント回路基板等の表面に実装される表面実装型の反射型発光ダイオードに関する。   The present invention relates to a surface-mounted reflective light-emitting diode mounted on the surface of a printed circuit board or the like.

発光素子と、その発光素子が固定され、内部に凹面形状の反射面を有する支持体とを有し、発光素子から出射された光を反射面で反射して外部に出力する反射型発光ダイオードが知られている(例えば、特許文献1参照)。反射型発光ダイオードの支持体をポリエーテルエーテルケトン(PEEK)樹脂のような材料で形成した場合、反射面の凹部底面を高度の平滑面に仕上げることができる。   A reflective light emitting diode having a light emitting element and a support having a concave reflecting surface fixed to the light emitting element and reflecting the light emitted from the light emitting element at the reflecting surface and outputting the light to the outside It is known (see, for example, Patent Document 1). When the support of the reflective light emitting diode is formed of a material such as polyether ether ketone (PEEK) resin, the concave bottom surface of the reflective surface can be finished to a highly smooth surface.

しかしながら、反射型発光ダイオードから一様な強度の光を出力するためには、反射面で光がある程度散乱することが有効である。このため、反射面の表面に適度なざらつき、即ち凹凸があることが好ましい。PEEK樹脂を支持体に使用した場合には鏡面が平滑すぎて反射面での光の散乱が起こらず、反射型発光ダイオードから出力される光が一様な強度にならないという問題があった。   However, in order to output light of uniform intensity from the reflective light emitting diode, it is effective that the light is scattered to some extent on the reflecting surface. For this reason, it is preferable that the surface of the reflecting surface has an appropriate roughness, that is, has irregularities. When PEEK resin is used for the support, there is a problem that the mirror surface is too smooth and light is not scattered on the reflecting surface, and the light output from the reflective light emitting diode does not have a uniform intensity.

特許第3982635号公報Japanese Patent No. 3968235

上記問題点に鑑み、本発明は、反射面で光の散乱が起こり、一様な強度の光を出力できる反射型発光ダイオードを提供することを目的とする。   In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a reflective light emitting diode capable of outputting light with uniform intensity by scattering light on a reflecting surface.

本発明の一態様によれば、液晶ポリマーからなり、内部に凹面状の反射面を有する支持体と、前記反射面の上方中央部において反射面に発光面を向けて配置された発光素子とを備えた反射型発光ダイオードが提供される。   According to one aspect of the present invention, a support body made of a liquid crystal polymer and having a concave reflecting surface therein, and a light emitting element arranged with the light emitting surface facing the reflecting surface at an upper central portion of the reflecting surface, A reflective light emitting diode is provided.

本発明によれば、反射面で光の散乱が起こり、一様な強度の光を出力できる反射型発光ダイオードを提供できる。   According to the present invention, it is possible to provide a reflection type light emitting diode capable of outputting light with uniform intensity by scattering of light on a reflection surface.

本発明の第1の実施形態に係る反射型発光ダイオードの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the reflection type light emitting diode which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る反射型発光ダイオードの発光素子搭載部分を下から見た底面図である。It is the bottom view which looked at the light emitting element mounting part of the reflection type light emitting diode which concerns on the 1st Embodiment of this invention from the bottom. 本発明の第1の実施形態に用いる発光素子の外形図であり、図3(a)は発光素子の正面図、図3(b)は発光素子の側面図である。3A and 3B are external views of the light-emitting element used in the first embodiment of the present invention. FIG. 3A is a front view of the light-emitting element, and FIG. 3B is a side view of the light-emitting element. 本発明の第1の実施形態に用いる発光素子の等価回路図である。It is an equivalent circuit schematic of the light emitting element used for the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態に係る反射型発光ダイオードの支持体の斜視図である。It is a perspective view of the support body of the reflection type light emitting diode which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 図1に示した反射型発光ダイオードのVI−VI方向に沿った断面図である。It is sectional drawing along the VI-VI direction of the reflection type light emitting diode shown in FIG. 本発明の第1の実施形態に係る反射型発光ダイオードの製造において使用するリードフレームの一部破断した平面図である。1 is a partially cutaway plan view of a lead frame used in manufacturing a reflective light emitting diode according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施形態に係る反射型発光ダイオードの製造方法を説明するための工程図である。It is process drawing for demonstrating the manufacturing method of the reflection type light emitting diode which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態に係る反射型発光ダイオードの構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the reflection type light emitting diode which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施形態に係る反射型発光ダイオードの発光素子搭載部分を下から見た底面図である。It is the bottom view which looked at the light emitting element mounting part of the reflection type light emitting diode which concerns on the 2nd Embodiment of this invention from the bottom.

次に、図面を参照して、本発明の第1及び第2の実施形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。   Next, first and second embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals.

本発明の第1の実施形態に係る反射型発光ダイオード1は、図1に示すように、液晶ポリマーからなり、内部に凹面状の反射面2を有する支持体6と、反射面2の上方中央部から支持体6の第1の壁面61に向けて水平に延びるアノード接続アーム7aを有する第1電極リード7と、反射面2の上方中央部から支持体6の第1の壁面61に対向する第2の壁面62に向けて水平に延びるカソード接続アーム8aを有する第2電極リード8と、アノード接続アーム7aの先端部と電気的に接続するアノード電極、及びカソード接続アーム8aの先端部と電気的に接続するカソード電極を有し、反射面2の上方中央部において反射面2に発光面を向けて配置された発光素子10とを備える。   As shown in FIG. 1, the reflective light emitting diode 1 according to the first embodiment of the present invention is composed of a liquid crystal polymer, a support 6 having a concave reflective surface 2 inside, and an upper center of the reflective surface 2. The first electrode lead 7 having an anode connection arm 7a extending horizontally from the first portion toward the first wall surface 61 of the support 6 and the first wall surface 61 of the support 6 from the upper central portion of the reflection surface 2 are opposed to each other. The second electrode lead 8 having the cathode connection arm 8a extending horizontally toward the second wall surface 62, the anode electrode electrically connected to the tip of the anode connection arm 7a, and the tip of the cathode connection arm 8a and the electricity And a light emitting element 10 having a cathode electrode connected to the light emitting surface and disposed at the upper central portion of the reflecting surface 2 with the light emitting surface facing the reflecting surface 2.

支持体6は液晶ポリマーで一体物として形成されている。「液晶ポリマー」は、溶融状態で規則性を持ち、液晶様性質を示す熱可塑性樹脂である。液晶ポリマーは固化時にも基本的にはその構造が変わらない。このため、収縮等の成形変化なしに分子が規則的な成形品が得られる。支持体6に使用可能な液晶ポリマーとしては、例えばエチレンテレフタレートとパラヒドロキシ安息香酸との重縮合体、フェノール及びフタル酸とパラヒドロキシ安息香酸との重縮合体、2,6-ヒドロキシナフトエ酸とパラヒドロキシ安息香酸との重縮合体等がある。   The support 6 is formed of a liquid crystal polymer as a single body. “Liquid crystal polymer” is a thermoplastic resin having regularity in a molten state and exhibiting liquid crystal-like properties. The structure of the liquid crystal polymer is basically unchanged even when solidified. For this reason, a molded article having a regular molecule can be obtained without molding change such as shrinkage. Examples of the liquid crystal polymer that can be used for the support 6 include polycondensates of ethylene terephthalate and parahydroxybenzoic acid, polycondensates of phenol and phthalic acid and parahydroxybenzoic acid, 2,6-hydroxynaphthoic acid and para And polycondensates with hydroxybenzoic acid.

支持体6の上面側に形成される放物凹曲面の鏡面仕上げを行うために凸面の金型に注型して液晶ポリマーを硬化させると、支持体6にPEEK樹脂を用いた場合ほどには放物凹曲面は滑らかな鏡面にならない。つまり、放物凹曲面はミクロな凹凸により適度なざらつきがある表面状態になる。放物凹曲面がざらつきのある状態である場合、放物凹曲面に銀若しくはアルミニウムを蒸着した後の反射面2も同様にざらつきがある状態になる。つまり、支持体6にPEEK樹脂を用いた場合には反射面2はほぼ完全な鏡面になるのに対し、支持体6に液晶ポリマーを用いた場合は、反射面2はミクロな凹凸による適度なざらつきがある面になる。   When the liquid crystal polymer is cured by casting into a convex mold in order to perform a mirror finish of the parabolic concave curved surface formed on the upper surface side of the support 6, as much as when PEEK resin is used for the support 6. The parabolic concave surface does not become a smooth mirror surface. That is, the parabolic concave curved surface becomes a surface state having an appropriate roughness due to micro unevenness. When the parabolic concave curved surface is rough, the reflective surface 2 after silver or aluminum is deposited on the parabolic concave curved surface is also rough. That is, when PEEK resin is used for the support 6, the reflective surface 2 becomes almost perfect mirror surface, whereas when the liquid crystal polymer is used for the support 6, the reflective surface 2 is moderate due to micro unevenness. It becomes a rough surface.

このため、支持体6に液晶ポリマーを用いることにより、発光素子10から出射された光は反射面2で反射する際に散乱され、この散乱された光が反射型発光ダイオード1の外部に出力される。その結果、反射型発光ダイオード1から出力される光Lは一様な強度の光になる。   For this reason, by using a liquid crystal polymer for the support 6, the light emitted from the light emitting element 10 is scattered when reflected by the reflecting surface 2, and the scattered light is output to the outside of the reflective light emitting diode 1. The As a result, the light L output from the reflective light emitting diode 1 becomes light of uniform intensity.

図1に示した発光素子10は、光を出射する発光面と、発光面に対向する電極面100を有する。電極面100には、アノード接続アーム7aの先端部に接するアノード電極と、カソード接続アーム8aの先端部に接するカソード電極とが配置されている。   The light emitting element 10 shown in FIG. 1 has a light emitting surface that emits light and an electrode surface 100 that faces the light emitting surface. On the electrode surface 100, an anode electrode in contact with the tip of the anode connection arm 7a and a cathode electrode in contact with the tip of the cathode connection arm 8a are disposed.

図2に、第1電極リード7と第2電極リード8からなる一対のリードに発光素子10を搭載した状態を示す。図2は、発光素子10の搭載箇所を反射面2側から見た図であり、発光素子10は、光を出射する発光面110を支持体6の反射面2に向けて、第1電極リード7と第2電極リード8上に搭載されている。図2では、発光素子10を透過してアノード電極101及びカソード電極102が破線で表示されている。アノード電極101はアノード接続アーム7aの先端部に接し、カソード電極102はカソード接続アーム8aの先端部に接している。つまり、図1に示した反射型発光ダイオード1では、発光素子10のアノード電極及びカソード電極が第1電極リード7及び第2電極リード8それぞれと直接に接触しており、ボンディングワイヤは使用されていない。   FIG. 2 shows a state in which the light emitting element 10 is mounted on a pair of leads including the first electrode lead 7 and the second electrode lead 8. FIG. 2 is a view of the mounting location of the light emitting element 10 as viewed from the reflective surface 2 side. The light emitting element 10 has the first electrode lead with the light emitting surface 110 that emits light directed toward the reflective surface 2 of the support 6. 7 and the second electrode lead 8. In FIG. 2, the anode electrode 101 and the cathode electrode 102 are indicated by broken lines through the light emitting element 10. The anode electrode 101 is in contact with the tip of the anode connection arm 7a, and the cathode electrode 102 is in contact with the tip of the cathode connection arm 8a. That is, in the reflective light emitting diode 1 shown in FIG. 1, the anode electrode and the cathode electrode of the light emitting element 10 are in direct contact with the first electrode lead 7 and the second electrode lead 8, respectively, and bonding wires are used. Absent.

発光素子10には、例えば図3(a)〜図3(b)に示すような、発光部11と蛍光発光部12とを積層した箱型の発光ダイオード(LED)チップ等が採用可能である。発光部11の一方の主面にアノード電極101及びカソード電極102が形成され、他方の主面上に樹脂に蛍光体を混入した構成或いはガラスに蛍光体を塗布した構成の蛍光発光部12が配置されている。   As the light emitting element 10, for example, a box-type light emitting diode (LED) chip in which a light emitting unit 11 and a fluorescent light emitting unit 12 are stacked as shown in FIGS. 3A to 3B can be adopted. . An anode electrode 101 and a cathode electrode 102 are formed on one main surface of the light emitting unit 11, and a fluorescent light emitting unit 12 having a configuration in which a phosphor is mixed into a resin or a configuration in which a phosphor is applied to glass is disposed on the other main surface. Has been.

例えば、発光部11に波長470nm程度の青色光を出力する青色光発光体を使用し、蛍光発光部12にイットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)等の黄色蛍光体を使用する。アノード電極101とカソード電極102間に所定の電圧が印加されると、発光部11から青色光が出力される。この青色光が黄色蛍光体の蛍光発光部12に入射し、蛍光発光部12を透過した光Lが白色光として発光素子10から出射される。   For example, a blue light emitter that outputs blue light having a wavelength of about 470 nm is used for the light emitting portion 11, and a yellow phosphor such as yttrium, aluminum, garnet (YAG) is used for the fluorescent light emitting portion 12. When a predetermined voltage is applied between the anode electrode 101 and the cathode electrode 102, blue light is output from the light emitting unit 11. The blue light is incident on the fluorescent light emitting unit 12 of the yellow phosphor, and the light L transmitted through the fluorescent light emitting unit 12 is emitted from the light emitting element 10 as white light.

図4に示すように、発光素子10に光Lを出射する発光ダイオード10aと保護素子10bを並列接続した構成を採用し、発光ダイオード10aを保護することが有効である。保護素子10bには、発光ダイオード10aに逆並列接続されたツェナーダイオード等が使用可能である。   As shown in FIG. 4, it is effective to employ a configuration in which a light emitting diode 10a that emits light L and a protective element 10b are connected in parallel to the light emitting element 10 to protect the light emitting diode 10a. As the protection element 10b, a Zener diode or the like connected in reverse parallel to the light emitting diode 10a can be used.

図1、図2に示したように、第1電極リード7は、アノード接続アーム7a、広幅リード側面部71及び広幅リード底面部72を有し、第2電極リード8は、カソード接続アーム8a、広幅リード側面部81及び広幅リード底面部82を有する。広幅リード側面部71及び広幅リード側面部81は、支持体6の壁面に沿って配置され、広幅リード底面部72及び広幅リード底面部82は、支持体6の底面に沿って配置される。つまり、第1電極リード7及び第2電極リード8は、支持体6の外側面に沿ってそれぞれ折り曲げられている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the first electrode lead 7 has an anode connection arm 7a, a wide lead side surface portion 71 and a wide lead bottom surface portion 72, and the second electrode lead 8 includes a cathode connection arm 8a, A wide lead side surface portion 81 and a wide lead bottom surface portion 82 are provided. The wide lead side surface portion 71 and the wide lead side surface portion 81 are disposed along the wall surface of the support body 6, and the wide lead bottom surface portion 72 and the wide lead bottom surface portion 82 are disposed along the bottom surface of the support body 6. That is, the first electrode lead 7 and the second electrode lead 8 are each bent along the outer surface of the support 6.

支持体6は、図5に示すように、凹面状の反射面2を囲む周囲の壁部3のうち、第1の壁面61の上部に溝31が形成され、第1の壁面61に対向する第2の壁面62の上部に溝32が形成された構造である。   As shown in FIG. 5, the support 6 has a groove 31 formed in the upper part of the first wall surface 61 in the surrounding wall portion 3 surrounding the concave reflecting surface 2, and faces the first wall surface 61. The groove 32 is formed in the upper part of the second wall surface 62.

図1に示すように、第1電極リード7のアノード接続アーム7aが溝31に嵌合され、第2電極リード8のカソード接続アーム8aが溝32に嵌合される。また、支持体6の溝31において、第1電極リード7の嵌合部分の上面から支持体6の上縁面までの段差を塞ぐように、堰止め301が形成されている。同様に、支持体6の溝32において、第2電極リード8の嵌合部分の上面から支持体6の上縁面までの段差を塞ぐように、堰止め302が形成されている。堰止め301〜302は、例えばUV硬化性樹脂を段差部分に詰めて硬化させることにより形成される。これにより、アノード接続アーム7a及びカソード接続アーム8aの基部が固定される。   As shown in FIG. 1, the anode connection arm 7 a of the first electrode lead 7 is fitted into the groove 31, and the cathode connection arm 8 a of the second electrode lead 8 is fitted into the groove 32. Further, in the groove 31 of the support 6, a dam 301 is formed so as to block the step from the upper surface of the fitting portion of the first electrode lead 7 to the upper edge surface of the support 6. Similarly, a dam 302 is formed in the groove 32 of the support 6 so as to block the step from the upper surface of the fitting portion of the second electrode lead 8 to the upper edge surface of the support 6. The weirs 301 to 302 are formed, for example, by filling and curing a UV curable resin in a stepped portion. Thereby, the base part of the anode connection arm 7a and the cathode connection arm 8a is fixed.

更に、支持体6の凹部内に、例えばカチオン重合型透明エポキシ樹脂等の透明エポキシ樹脂若しくは透明シリコン樹脂のような透明樹脂14を、支持体6の上縁面に達する深さに充填して硬化させる。これにより、発光素子10、アノード接続アーム7a、及びカソード接続アーム8aを透明樹脂14の中に埋没させた状態で固定している。   Further, a transparent epoxy resin such as a cationic polymerization type transparent epoxy resin or a transparent resin 14 such as a transparent silicon resin is filled in the recesses of the support 6 to a depth reaching the upper edge surface of the support 6 and cured. Let Thereby, the light emitting element 10, the anode connection arm 7a, and the cathode connection arm 8a are fixed in a state of being buried in the transparent resin 14.

支持体6の底面に配置された第1電極リード7の広幅リード底面部72、及び第2電極リード8の広幅リード底面部82をプリント回路基板(図示略)上の配線パターンに接続するようにして、反射型発光ダイオード1をプリント回路基板に表面実装する。例えば半田等を用いて、広幅リード底面部72及び広幅リード底面部82とプリント回路基板とを接続する。これにより、反射型発光ダイオード1から光Lを出力させるために、プリント回路基板上の配線パターンを介して第1電極リード7と第2電極リード8間に所定の電圧を印加できる。   The wide lead bottom surface portion 72 of the first electrode lead 7 and the wide lead bottom surface portion 82 of the second electrode lead 8 arranged on the bottom surface of the support 6 are connected to a wiring pattern on a printed circuit board (not shown). Then, the reflective light emitting diode 1 is surface-mounted on the printed circuit board. For example, the wide lead bottom surface portion 72 and the wide lead bottom surface portion 82 are connected to the printed circuit board using solder or the like. Thereby, in order to output the light L from the reflective light emitting diode 1, a predetermined voltage can be applied between the first electrode lead 7 and the second electrode lead 8 through the wiring pattern on the printed circuit board.

発光素子10から出射された光Lは、図6に示すように大部分が下方に向かい、放物曲面の反射面2で反射される。反射面2で反射された後、光Lはほぼ平行光線となって、支持体6の上面から、この上面に垂直な方向に出射される。このため、反射型発光ダイオード1から出射される光Lは、砲弾型の発光面の発光ダイオード等に比べて、向きが揃った指向性の強い光である。したがって、反射型発光ダイオード1によれば、光Lが照射された位置における輝度の高い光を得ることができる。   As shown in FIG. 6, most of the light L emitted from the light emitting element 10 is directed downward and reflected by the reflecting surface 2 having a parabolic curved surface. After being reflected by the reflecting surface 2, the light L becomes a substantially parallel light beam and is emitted from the upper surface of the support 6 in a direction perpendicular to the upper surface. For this reason, the light L emitted from the reflective light emitting diode 1 is light having a strong directivity with a uniform orientation compared to a light emitting diode or the like having a bullet-shaped light emitting surface. Therefore, according to the reflective light emitting diode 1, it is possible to obtain light with high luminance at the position where the light L is irradiated.

また、発光素子10と第1電極リード7及び第2電極リード8との接続にボンディングワイヤは使用されていない。このため、発光素子10から出射された光がボンディングワイヤ等に遮られることはない。   Further, no bonding wire is used to connect the light emitting element 10 to the first electrode lead 7 and the second electrode lead 8. For this reason, the light emitted from the light emitting element 10 is not blocked by the bonding wire or the like.

以上に説明したように、本発明の第1の実施形態に係る反射型発光ダイオード1では、支持体6に液晶ポリマーを使用することにより、反射面2において散乱された光Lが反射型発光ダイオード1から出力される。その結果、図1に示した反射型発光ダイオード1から出力される光Lは一様な強度の光になる。   As described above, in the reflective light emitting diode 1 according to the first embodiment of the present invention, the light L scattered on the reflective surface 2 is reflected by using the liquid crystal polymer for the support 6. 1 is output. As a result, the light L output from the reflective light emitting diode 1 shown in FIG. 1 becomes light of uniform intensity.

更に、図1に示した反射型発光ダイオード1では、発光素子10で発生した熱が、支持体6の外側面に沿って配置された広幅リード側面部71、81を通じて反射型発光ダイオード1の外部に放熱される。このため、反射型発光ダイオード1の熱抵抗を低減させることができ、発光素子10の大電流の通電が可能になる。そのため、反射型発光ダイオード1の高出力化が可能という利点がある。   Further, in the reflective light emitting diode 1 shown in FIG. 1, heat generated in the light emitting element 10 is external to the reflective light emitting diode 1 through the wide lead side surface portions 71 and 81 arranged along the outer surface of the support 6. Heat is dissipated. For this reason, the thermal resistance of the reflective light emitting diode 1 can be reduced, and the light emitting element 10 can be energized with a large current. Therefore, there is an advantage that the output of the reflective light emitting diode 1 can be increased.

図7及び図8(a)〜図8(d)を用いて、本発明の第1の実施形態に係る反射型発光ダイオード1の製造方法を説明する。なお、以下に述べる反射型発光ダイオード1の製造方法は一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々の製造方法により実現可能であることは勿論である。   A method for manufacturing the reflective light-emitting diode 1 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 and 8A to 8D. In addition, the manufacturing method of the reflection type light emitting diode 1 described below is an example, and it is needless to say that it can be realized by various other manufacturing methods including this modified example.

大量生産においては、図7に示すような、第1電極リード7と第2電極リード8とが両側に対向して多数横並びになるように形成されたリードフレーム20を使用する。具体的には、良導電性の材料、例えば、銅(Cu)を主成分として98%〜99%含み、若干の鉄(Fe)、硫黄(S)を含み、更に2μm〜6μm厚に銀メッキが施された薄板を材料とし、これにエッチング或いは打ち抜き加工にてリードフレーム20を形成する。   In mass production, as shown in FIG. 7, a lead frame 20 formed such that a large number of first electrode leads 7 and second electrode leads 8 are arranged side by side on both sides is used. Specifically, a highly conductive material, for example, containing 98% to 99% of copper (Cu) as a main component, including some iron (Fe) and sulfur (S), and further silver-plated to a thickness of 2 μm to 6 μm. The lead frame 20 is formed by etching or punching on a thin plate to which is applied.

リードフレーム20において、第1電極リード7の広幅リード側面部71となる部分と広幅リード底面部72となる部分との境目に相当する部分に、曲げ応力を緩和するための応力逃がし穴を形成してもよい。同様に、第2電極リード8の広幅リード側面部81となる部分と広幅リード底面部82となる部分との境目に相当する部分に、応力逃がし穴を形成してもよい。   In the lead frame 20, a stress relief hole for relaxing the bending stress is formed in a portion corresponding to the boundary between the portion that becomes the wide lead side surface portion 71 and the portion that becomes the wide lead bottom surface portion 72 of the first electrode lead 7. May be. Similarly, a stress relief hole may be formed in a portion corresponding to the boundary between the portion that becomes the wide lead side surface portion 81 and the portion that becomes the wide lead bottom surface portion 82 of the second electrode lead 8.

なお、図7において、第1電極リード7の広幅リード底面部72及び第2電極リード8の広幅リード底面部82それぞれの端部に相当する位置に形成されている扁平楕円形の穴21、22は、破断線23、24にて切断加工する時の切断抵抗を小さくするためのものである。   In FIG. 7, flat elliptical holes 21, 22 formed at positions corresponding to the ends of the wide lead bottom surface portion 72 of the first electrode lead 7 and the wide lead bottom surface portion 82 of the second electrode lead 8. Is for reducing the cutting resistance when the cutting process is performed at the break lines 23 and 24.

上記のリードフレーム20において、図2に示したように、アノード接続アーム7a及びカソード接続アーム8aに発光素子10を搭載する。例えば、アノード接続アーム7aの先端部に発光素子10のアノード電極101を銀ペーストにて固着し、カソード接続アーム8aの先端部に発光素子10のカソード電極102を銀ペーストにて固着する。   In the lead frame 20, the light emitting element 10 is mounted on the anode connection arm 7a and the cathode connection arm 8a as shown in FIG. For example, the anode electrode 101 of the light emitting element 10 is fixed to the front end portion of the anode connection arm 7a with silver paste, and the cathode electrode 102 of the light emitting element 10 is fixed to the front end portion of the cathode connection arm 8a with silver paste.

図8(a)〜図8(d)に、リードフレーム20の各一対の第1電極リード7及び第2電極リード8を、支持体6に取り付ける手順を示す。   8A to 8D show a procedure for attaching each pair of first electrode lead 7 and second electrode lead 8 of the lead frame 20 to the support 6.

(イ)図8(a)に示すように、発光素子10が搭載された一対の第1電極リード7及び第2電極リード8を、発光素子10の発光面110を反射面2に向けて、支持体6に取り付ける。このとき、第1電極リード7のアノード接続アーム7aを溝31に嵌合し、第2電極リード8のカソード接続アーム8aを溝32に嵌合する。これにより、支持体6の内部において、アノード接続アーム7a及びカソード接続アーム8aが反射面2の上方に位置する。そして、広幅リード側面部71、81、及び広幅リード底面部72、82が、支持体6の外部に位置する。   (A) As shown in FIG. 8A, the pair of first electrode lead 7 and second electrode lead 8 on which the light emitting element 10 is mounted are arranged with the light emitting surface 110 of the light emitting element 10 facing the reflecting surface 2. Attach to support 6. At this time, the anode connection arm 7 a of the first electrode lead 7 is fitted into the groove 31, and the cathode connection arm 8 a of the second electrode lead 8 is fitted into the groove 32. As a result, the anode connection arm 7 a and the cathode connection arm 8 a are positioned above the reflecting surface 2 inside the support 6. The wide lead side surface portions 71 and 81 and the wide lead bottom surface portions 72 and 82 are located outside the support 6.

(ロ)図8(b)に示すように、第1電極リード7の嵌合部分の上面から支持体6の上縁面までの段差を塞ぐように堰止め301を形成し、第2電極リード8の嵌合部分の上面から支持体6の上縁面までの段差を塞ぐように堰止め302を形成する。既に述べたように、堰止め301〜302にはUV硬化性樹脂等が採用可能である。   (B) As shown in FIG. 8B, a weir 301 is formed so as to block the step from the upper surface of the fitting portion of the first electrode lead 7 to the upper edge surface of the support 6, and the second electrode lead The dam 302 is formed so as to block the step from the upper surface of the fitting portion 8 to the upper edge surface of the support 6. As already described, UV curable resin or the like can be used for the weirs 301 to 302.

(ハ)図8(c)に示すように、硬化触媒を含む高粘度の透明エポキシ樹脂や透明シリコン樹脂等の透明樹脂14を、支持体6の凹部にその上縁面まで充填する。その後、透明樹脂14を80℃〜130℃での雰囲気炉で硬化させる。これにより、アノード接続アーム7a、カソード接続アーム8a、及び発光素子10を支持体6と一体化する。   (C) As shown in FIG. 8C, a transparent resin 14 such as a high-viscosity transparent epoxy resin or a transparent silicon resin containing a curing catalyst is filled in the concave portion of the support 6 up to its upper edge surface. Thereafter, the transparent resin 14 is cured in an atmosphere furnace at 80 ° C. to 130 ° C. Thereby, the anode connection arm 7 a, the cathode connection arm 8 a, and the light emitting element 10 are integrated with the support 6.

(ニ)図8(d)に示すように、第1電極リード7及び第2電極リード8の支持体6の外側に出ている部分に曲げ加工を施す。この曲げ加工では、広幅リード側面部71に相当する部分と連結するアノード接続アーム7aの基部、及び広幅リード側面部81に相当する部分と連結するカソード接続アーム8aの基部を、支持体6の側面に沿うように底面側に折り曲げる。更に、支持体6の底面に広幅リード底面部72、82に相当する部分が接するように、第1電極リード7及び第2電極リード8を内側に折り曲げる。このようにして、第1電極リード7及び第2電極リード8それぞれが折り曲げられて、曲げ加工が完了する。この曲げ加工が完了すると、図1に示した反射型発光ダイオード1が完成する。なお、必要に応じて、第1電極リード7の広幅リード底面部72及び第2電極リード8の広幅リード底面部82を支持体6の底面に半田で固定してもよい。   (D) As shown in FIG. 8 (d), the first electrode lead 7 and the second electrode lead 8 are bent on the portions of the support 6 that are outside. In this bending process, the base portion of the anode connection arm 7 a connected to the portion corresponding to the wide lead side surface portion 71 and the base portion of the cathode connection arm 8 a connected to the portion corresponding to the wide lead side surface portion 81 are connected to the side surface of the support 6. Fold it down along the bottom. Further, the first electrode lead 7 and the second electrode lead 8 are bent inward so that portions corresponding to the wide lead bottom surface portions 72 and 82 are in contact with the bottom surface of the support 6. In this way, each of the first electrode lead 7 and the second electrode lead 8 is bent, and the bending process is completed. When this bending process is completed, the reflection type light emitting diode 1 shown in FIG. 1 is completed. If necessary, the wide lead bottom surface portion 72 of the first electrode lead 7 and the wide lead bottom surface portion 82 of the second electrode lead 8 may be fixed to the bottom surface of the support 6 with solder.

上記のような本発明の第1の実施形態に係る反射型発光ダイオード1の製造方法によれば、反射面2で光Lの散乱が起こり、一様な強度の光Lを出力する反射型発光ダイオード1を提供することができる。   According to the manufacturing method of the reflection type light emitting diode 1 according to the first embodiment of the present invention as described above, the reflection type light emission in which the light L is scattered on the reflection surface 2 and the light L having a uniform intensity is output. A diode 1 can be provided.

(第2の実施形態)
本発明の第2の実施形態に係る反射型発光ダイオード1Aは、図9に示すように、第1電極リード70に搭載された発光素子10Aが、ボンディングワイヤ901を介して第2電極リード80に接続されている。その他の構成については、第1の実施形態と同様である。
(Second Embodiment)
As shown in FIG. 9, in the reflective light emitting diode 1 </ b> A according to the second embodiment of the present invention, the light emitting element 10 </ b> A mounted on the first electrode lead 70 is connected to the second electrode lead 80 via the bonding wire 901. It is connected. About another structure, it is the same as that of 1st Embodiment.

即ち、支持体6は液晶ポリマーからなり、内部に凹面状の反射面2を有する。発光素子10Aは反射面2の上方中央部において反射面2に発光面を向けて配置されている。また、第1電極リード70は、反射面2の上方中央部から第1の壁面61に向けて水平に延びるアノード接続アーム70aを有し、第2電極リード80は、反射面2の上方中央部から第2の壁面62に向けて水平に延びるカソード接続アーム80aを有する。   That is, the support 6 is made of a liquid crystal polymer and has a concave reflecting surface 2 inside. The light emitting element 10 </ b> A is disposed in the upper center portion of the reflecting surface 2 with the light emitting surface facing the reflecting surface 2. The first electrode lead 70 has an anode connection arm 70 a that extends horizontally from the upper central portion of the reflective surface 2 toward the first wall surface 61, and the second electrode lead 80 is an upper central portion of the reflective surface 2. To a second wall surface 62 of the cathode connection arm 80a extending horizontally.

発光素子10Aは、対向する一対の主面のそれぞれにアノード電極とカソード電極がそれぞれ配置され、カソード電極が配置された主面を発光面とするLEDである。図10に示すように、アノード電極がアノード接続アーム70aの先端部に接触するように発光素子10Aが第1電極リード70に搭載され、カソード電極はカソード接続アーム80aの先端部とボンディングワイヤ901を介して接続される。例えば、アノード接続アーム70aの先端部に、発光素子10Aのアノード電極を銀ペーストにて固着する。次いで、この固着された発光素子10Aのカソード電極とカソード接続アーム80aとをボンディングワイヤ901により接続する。ボンディングワイヤ901には金線等が使用可能である。   The light emitting element 10A is an LED in which an anode electrode and a cathode electrode are disposed on each of a pair of opposed main surfaces, and the main surface on which the cathode electrode is disposed is a light emitting surface. As shown in FIG. 10, the light emitting element 10A is mounted on the first electrode lead 70 so that the anode electrode contacts the tip of the anode connection arm 70a, and the cathode electrode connects the tip of the cathode connection arm 80a and the bonding wire 901. Connected through. For example, the anode electrode of the light emitting element 10A is fixed to the tip of the anode connection arm 70a with silver paste. Next, the cathode electrode of the fixed light emitting element 10A and the cathode connection arm 80a are connected by the bonding wire 901. A gold wire or the like can be used for the bonding wire 901.

支持体6に液晶ポリマーを用いているため、発光素子10Aから出射された光は反射面2で反射する際に散乱され、この散乱された光が反射型発光ダイオード1Aの外部に出力される。その結果、反射型発光ダイオード1Aから出力される光Lは一様な強度の光になる。   Since the liquid crystal polymer is used for the support 6, the light emitted from the light emitting element 10 </ b> A is scattered when reflected by the reflecting surface 2, and the scattered light is output to the outside of the reflective light emitting diode 1 </ b> A. As a result, the light L output from the reflective light emitting diode 1A becomes light of uniform intensity.

図9〜図10は、発光素子10Aがカソード電極を配置された主面110Aを発光面とするLEDである例を示している。発光素子10Aの発光面がアノード電極を配置された主面である場合には、発光素子10Aのカソード電極と接してカソード接続アーム80aの先端部に発光素子10Aが搭載される。そして、発光素子10Aのアノード電極がアノード接続アーム70aの先端部とボンディングワイヤによって接続される。   9 to 10 show an example in which the light emitting element 10A is an LED having a main surface 110A on which a cathode electrode is disposed as a light emitting surface. When the light emitting surface of the light emitting element 10A is the main surface on which the anode electrode is disposed, the light emitting element 10A is mounted on the tip of the cathode connection arm 80a in contact with the cathode electrode of the light emitting element 10A. And the anode electrode of 10 A of light emitting elements is connected with the front-end | tip part of the anode connection arm 70a by the bonding wire.

図10に示したように発光素子10Aが電気的に接続された第1電極リード70及び第2電極リード80は、図8を参照して説明した方法と同様にして、支持体6に取り付けられる。即ち、アノード接続アーム70aが支持体6の溝31に嵌合され、カソード接続アーム80aが支持体6の溝32に嵌合される。支持体6の凹部に透明樹脂14を充填した後、第1電極リード70を支持体6の外側面に沿って折り曲げて、広幅リード側面部701を第1の壁面61に沿って配置し、広幅リード底面部702を支持体6の底面に沿って配置する。同様に、第2電極リード80を支持体6の外側面に沿って折り曲げて、広幅リード側面部801を第2の壁面62に沿って配置し、広幅リード底面部802を支持体6の底面に沿って配置する。   As shown in FIG. 10, the first electrode lead 70 and the second electrode lead 80 to which the light emitting element 10A is electrically connected are attached to the support 6 in the same manner as described with reference to FIG. . That is, the anode connection arm 70 a is fitted in the groove 31 of the support 6, and the cathode connection arm 80 a is fitted in the groove 32 of the support 6. After filling the concave portion of the support 6 with the transparent resin 14, the first electrode lead 70 is bent along the outer surface of the support 6, and the wide lead side surface portion 701 is disposed along the first wall surface 61. The lead bottom surface portion 702 is disposed along the bottom surface of the support 6. Similarly, the second electrode lead 80 is bent along the outer side surface of the support body 6, the wide lead side surface portion 801 is disposed along the second wall surface 62, and the wide lead bottom surface portion 802 is formed on the bottom surface of the support body 6. Arrange along.

図9に示したアノード接続アーム70a及びカソード接続アーム80aの先端部は、第1の壁面61及び第2の壁面62と平行な方向に沿って配置されている。このため、ボンディングワイヤ901は、アノード接続アーム70a及びカソード接続アーム80aが延伸する方向と垂直な方向に沿って配線される。したがって、ボンディングワイヤ901は、第1電極リード70及び第2電極リード80を折り曲げる加工の際に発生する先端部を引き離す力によって引っ張られることがない。この結果、製造時におけるボンディングワイヤ901の断線を防止でき、反射型発光ダイオード1Aの製造歩留まりが向上する。他は、第1の実施形態と実質的に同様であり、重複した記載を省略する。   The tip ends of the anode connection arm 70 a and the cathode connection arm 80 a shown in FIG. 9 are arranged along a direction parallel to the first wall surface 61 and the second wall surface 62. For this reason, the bonding wire 901 is wired along a direction perpendicular to the extending direction of the anode connection arm 70a and the cathode connection arm 80a. Therefore, the bonding wire 901 is not pulled by a force that separates the tip portion generated during the process of bending the first electrode lead 70 and the second electrode lead 80. As a result, disconnection of the bonding wire 901 during manufacturing can be prevented, and the manufacturing yield of the reflective light emitting diode 1A can be improved. Others are substantially the same as those in the first embodiment, and redundant description is omitted.

本発明の第2の実施形態に係る反射型発光ダイオード1Aによれば、第1電極リード70又は第2電極リード80とボンディングワイヤで接続される発光素子10Aを使用する場合に、反射面2で光Lの散乱が起こり、反射型発光ダイオード1Aから出力される光Lを一様な強度の光にすることができる。   According to the reflective light emitting diode 1A according to the second embodiment of the present invention, when the light emitting element 10A connected to the first electrode lead 70 or the second electrode lead 80 with a bonding wire is used, the reflective surface 2 Scattering of the light L occurs, and the light L output from the reflection type light emitting diode 1A can be made into light of uniform intensity.

(その他の実施形態)
上記のように、本発明は第1及び第2の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
(Other embodiments)
As described above, the present invention has been described according to the first and second embodiments. However, it should not be understood that the description and drawings constituting a part of this disclosure limit the present invention. From this disclosure, various alternative embodiments, examples and operational techniques will be apparent to those skilled in the art.

既に述べた実施形態の説明においては、青色光を出力する発光部11と黄色蛍光体を用いた蛍光発光部12を積層した発光素子10により白色光を出力する例を示した。種々の発光部11と蛍光発光部12とを組み合わせることにより、反射型発光ダイオード1の出力する光Lの色を任意に設定可能である。また、発光素子10Aの発光色も限定されるものではない。   In the description of the above-described embodiment, an example in which white light is output by the light emitting element 10 in which the light emitting unit 11 that outputs blue light and the fluorescent light emitting unit 12 that uses yellow phosphor is laminated is shown. By combining various light emitting units 11 and fluorescent light emitting units 12, the color of the light L output from the reflective light emitting diode 1 can be arbitrarily set. Further, the emission color of the light emitting element 10A is not limited.

このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。   As described above, the present invention naturally includes various embodiments not described herein. Therefore, the technical scope of the present invention is defined only by the invention specifying matters according to the scope of claims reasonable from the above description.

L…光
1、1A…反射型発光ダイオード
2…反射面
3…壁部
6…支持体
7、70…第1電極リード
7a、70a…アノード接続アーム
8、80…第2電極リード
8a、80a…カソード接続アーム
10、10A…発光素子
10a…発光ダイオード
10b…保護素子
11…発光部
12…蛍光発光部
14…透明樹脂
31、32…溝
61…第1の壁面
62…第2の壁面
71、81、701、801…広幅リード側面部
72、82、702、802…広幅リード底面部
100…電極面
101…アノード電極
102…カソード電極
110…発光面
901…ボンディングワイヤ
L: Light 1, 1A ... Reflective light emitting diode 2 ... Reflecting surface 3 ... Wall 6 ... Support body 7, 70 ... First electrode lead 7a, 70a ... Anode connection arm 8, 80 ... Second electrode lead 8a, 80a ... Cathode connection arm 10, 10A ... Light emitting element 10a ... Light emitting diode 10b ... Protection element 11 ... Light emitting part 12 ... Fluorescent light emitting part 14 ... Transparent resin 31, 32 ... Groove 61 ... First wall surface 62 ... Second wall surface 71, 81 , 701, 801... Wide lead side surface portion 72, 82, 702, 802... Wide lead bottom surface portion 100... Electrode surface 101 .. Anode electrode 102.

Claims (1)

液晶ポリマーからなり、内部に凹面状の反射面を有する支持体と、
前記反射面の上方中央部において前記反射面に発光面を向けて配置された発光素子と
を備えたことを特徴とする反射型発光ダイオード。
A support made of a liquid crystal polymer and having a concave reflecting surface inside;
A reflective light emitting diode, comprising: a light emitting element disposed at an upper central portion of the reflective surface with the light emitting surface facing the reflective surface.
JP2009114743A 2009-05-11 2009-05-11 Reflective light emitting diode Pending JP2010263152A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009114743A JP2010263152A (en) 2009-05-11 2009-05-11 Reflective light emitting diode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009114743A JP2010263152A (en) 2009-05-11 2009-05-11 Reflective light emitting diode

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2010263152A true JP2010263152A (en) 2010-11-18

Family

ID=43360990

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009114743A Pending JP2010263152A (en) 2009-05-11 2009-05-11 Reflective light emitting diode

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010263152A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4174823B2 (en) Semiconductor light emitting device
JP4432275B2 (en) Light source device
JP4572312B2 (en) LED and manufacturing method thereof
JP5569389B2 (en) LIGHT EMITTING DEVICE MANUFACTURING METHOD AND LIGHT EMITTING DEVICE
US20070241362A1 (en) Light emitting diode package and fabrication method thereof
US9281460B2 (en) Light emitting device package and light emitting device having lead-frames
JP2008544577A (en) Top mounted power light emitter with integrated heat sink
JP2008502159A (en) Power light emitting die package having a reflective lens and method of manufacturing
JP2010153666A (en) Light-emitting device, light emitting module, method of manufacturing light-emitting device
JP2017037919A (en) Lead frame, package, light emitting device, and manufacturing method thereof
JP4037404B2 (en) Light emitting element mounting substrate and manufacturing method thereof
JP2014049764A (en) Side emission type light-emitting diode package and manufacturing method therefor
JP3185994U (en) Light emitting diode device and lead frame plate
JP6634724B2 (en) Lead frame, package, light emitting device, and manufacturing method thereof
US8258697B2 (en) Light emitting device
KR20120075180A (en) Light emitting device package and method of manufacturing the same
JP2005116937A (en) Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof
JP2016092419A (en) Light emitting device
JP2007005722A (en) Envelope for optical semiconductor element and optical semiconductor device using the same
JP5556369B2 (en) LIGHT EMITTING DEVICE AND DISPLAY DEVICE USING THE SAME
JP2005217308A (en) Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof
JP2010263152A (en) Reflective light emitting diode
JP2007201405A (en) Light emitting diode device
JP2018157232A (en) Package, light-emitting device, and manufacturing methods therefor
JP2010263151A (en) Reflective light emitting diode