JP2010245739A

JP2010245739A - SAW device

Info

Publication number: JP2010245739A
Application number: JP2009090949A
Authority: JP
Inventors: Shozo Matsumoto; 省三松本; Yuji Ogawa; 祐史小川; Yoshihisa Watanabe; 芳久渡辺
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2009-04-03
Filing date: 2009-04-03
Publication date: 2010-10-28

Abstract

【課題】ダムを利用してフィルター部における配置及び配線の自由度を向上させることにより小型化が可能なＳＡＷデバイスを提供すること。
【解決手段】ＳＡＷデバイス１は、実装基板２０と、導体バンプ１４と、実装基板２０にフリップチップ実装されたＳＡＷチップ１０と、ＳＡＷチップ１０を被覆する封止樹脂３０と、を含み、さらに、金属又は合金で構成され、封止樹脂３０の流入を阻止するためのダム１５が設けられている。ＳＡＷチップ１０の圧電基板１１には、直列に接続されたＳＡＷフィルター４０と５０を含むフィルター部１２が形成されている。ＳＡＷフィルター４０、５０は、縦結合１次−３次ＤＭＳフィルターとして構成され、ＳＡＷフィルター４０のＩＤＴ４３の櫛形電極４３ａ及びＩＤＴ４５の櫛形電極４５ａと、ＳＡＷフィルター５０のＩＤＴ５３の櫛形電極５３ｂ及びＩＤＴ５５の櫛形電極５５ｂとがダム１５と配線接続されている。
【選択図】図３To provide a SAW device that can be miniaturized by improving the degree of freedom of arrangement and wiring in a filter section using a dam.
A SAW device includes a mounting substrate, a conductor bump, a SAW chip that is flip-chip mounted on the mounting substrate, and a sealing resin that covers the SAW chip. A dam 15 is provided which is made of metal or alloy and prevents the sealing resin 30 from flowing in. A filter unit 12 including SAW filters 40 and 50 connected in series is formed on the piezoelectric substrate 11 of the SAW chip 10. The SAW filters 40, 50 are configured as vertically coupled primary-third order DMS filters, and the comb electrode 43a of the IDT 43 and the comb electrode 45a of the IDT 45 of the SAW filter 40, the comb electrode 53b of the IDT 53 of the SAW filter 50, and the comb of the IDT 55. The electrode 55b is connected to the dam 15 by wiring.
[Selection] Figure 3

Description

本発明は、ＳＡＷデバイス等に関する。 The present invention relates to a SAW device and the like.

圧電基板上に形成されたＩＤＴ（Interdigital Transducer）により励振される弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）を利用した弾性表面波（ＳＡＷ）フィルターを備えたＳＡＷデバイスは、高周波帯域の周波数フィルターとして携帯電話機やキーレスエントリーシステム等、様々な電子機器やシステムに用いられている。 A SAW device including a surface acoustic wave (SAW) filter using a surface acoustic wave (SAW) excited by an IDT (Interdigital Transducer) formed on a piezoelectric substrate is portable as a frequency filter in a high frequency band. It is used in various electronic devices and systems such as telephones and keyless entry systems.

近年、半導体部品においてＣＳＰ（Chip Size Package）と呼ばれる小型パッケージング技術が一般化するのに伴って、ＳＡＷデバイスにおいても、デバイスの小型化を容易にし、バッチ式の製造方法により生産性を向上させる目的で、ＣＳＰ技術を用いた生産方法が導入されるようになっている。 In recent years, along with the generalization of small packaging technology called CSP (Chip Size Package) in semiconductor components, SAW devices can be easily downsized and productivity can be improved by a batch manufacturing method. For the purpose, a production method using CSP technology has been introduced.

例えば、ＳＡＷフィルターが形成されたＳＡＷチップを実装基板にフェイスダウンでフリップチップ実装し、ＳＡＷフィルターの周辺に気密な内部空間が形成されるように、ＳＡＷチップの外面を樹脂で封止したＳＡＷデバイスが知られている。これにより、基板に実装したＳＡＷチップの外面が露出しないようにして破損から保護し、耐湿性、気密性に優れた高品質なＳＡＷデバイスが提供される。 For example, a SAW device in which a SAW chip on which a SAW filter is formed is flip-chip mounted on a mounting substrate face down, and the outer surface of the SAW chip is sealed with a resin so that an airtight inner space is formed around the SAW filter. It has been known. This provides a high-quality SAW device that is protected from breakage so that the outer surface of the SAW chip mounted on the substrate is not exposed, and is excellent in moisture resistance and airtightness.

特許文献１では、このようなＳＡＷデバイスにおいて、基板に実装したＳＡＷチップを封止する樹脂がＳＡＷフィルターの周辺に流入することを防止するために、ＳＡＷチップの電極形成面の周縁部に樹脂からなるダムを形成したＳＡＷデバイスが提案されている。さらに、特許文献２に記載されているようにダムの幅を広くして補強を図ったり、特許文献３に記載されているようにダムを吸音材として利用するＳＡＷデバイスも提案されている。 In Patent Document 1, in such a SAW device, in order to prevent the resin sealing the SAW chip mounted on the substrate from flowing into the periphery of the SAW filter, a resin is applied to the peripheral portion of the electrode forming surface of the SAW chip. A SAW device in which a dam is formed has been proposed. Further, a SAW device has been proposed in which a dam is widened for reinforcement as described in Patent Document 2 or a dam is used as a sound absorbing material as described in Patent Document 3.

特開２００６−２２９６３２号公報JP 2006-229632 A 特開２００７−３２４６５２号公報JP 2007-324652 A 特開２００８−４２４３０号公報JP 2008-42430 A

このような従来のＳＡＷデバイスでは、ＳＡＷチップは図７に示すように構成される。図７は、ＳＡＷチップの下面側の概略的な平面図であり、図７においてＳＡＷチップ２００の下面には、フィルター部２０２、接続パッド２０３Ａ〜２０３Ｈ、ダム２０５等が形成されている。フィルター部２０２は、２つの縦結合１次−３次２重モードＳＡＷフィルター（縦結合１次−３次ＤＭＳ（Double Mode SAW）フィルター）２１０及び２２０が直列に接続されて構成されている。すなわち、ＩＤＴ２１３の櫛形電極２１３ｂ及びＩＤＴ２１５の櫛形電極２１５ｂがそれぞれＩＤＴ２２３の櫛形電極２２３ａ及びＩＤＴ２２５の櫛形電極２２５ａと接続されている。また、ＩＤＴ２１４の櫛形電極２１４ａ及び２１４ｂは、それぞれ接続パッド２０３Ａ及び２０３Ｂに接続されており、接続パッド２０３Ａ及び２０３Ｂにそれぞれ接続された２つの導体バンプ（図示しない）を介して平衡入力信号又は不平衡入力信号が入力される。さらに、ＩＤＴ２２４の櫛形電極２２４ａ及び２２４ｂは、それぞれ接続パッド２０３Ｃ及び２０３Ｄに接続されており、接続パッド２０３Ｃ及び２０３Ｄにそれぞれ接続された２つの導体バンプ（図示しない）を介して平衡出力信号又は不平衡出力信号を出力する。 In such a conventional SAW device, the SAW chip is configured as shown in FIG. FIG. 7 is a schematic plan view of the lower surface side of the SAW chip. In FIG. 7, the filter unit 202, connection pads 203A to 203H, a dam 205, and the like are formed on the lower surface of the SAW chip 200. The filter unit 202 is configured by connecting two longitudinally coupled primary-third-order dual mode SAW filters (vertically coupled primary-third order DMS (Double Mode SAW) filters) 210 and 220 in series. That is, the comb electrode 213b of the IDT 213 and the comb electrode 215b of the IDT 215 are connected to the comb electrode 223a of the IDT 223 and the comb electrode 225a of the IDT 225, respectively. Further, the comb-shaped electrodes 214a and 214b of the IDT 214 are connected to the connection pads 203A and 203B, respectively, and a balanced input signal or unbalanced via two conductor bumps (not shown) connected to the connection pads 203A and 203B, respectively. Input signal is input. Further, the comb electrodes 224a and 224b of the IDT 224 are connected to the connection pads 203C and 203D, respectively, and a balanced output signal or unbalanced via two conductor bumps (not shown) connected to the connection pads 203C and 203D, respectively. Output the output signal.

また、従来のＳＡＷデバイスでは、ＩＤＴ２１３の櫛形電極２１３ａ及びＩＤＴ２１５の櫛形電極２１５ａは、それぞれ接続パッド２０３Ｅ及び２０３Ｆに接続されており、接続パッド２０３Ｅ及び２０３Ｆにそれぞれ接続された２つの導体バンプ（図示しない）を介して接地されている。同様に、ＩＤＴ２２３の櫛形電極２２３ｂ及びＩＤＴ２２５の櫛形電極２２５ｂは、それぞれ接続パッド２０３Ｇ及び２０３Ｈに接続されており、接続パッド２０３Ｇ及び２０３Ｈにそれぞれ接続された２つの導体バンプ（図示しない）を介して接地されている。 In the conventional SAW device, the comb electrode 213a of the IDT 213 and the comb electrode 215a of the IDT 215 are connected to the connection pads 203E and 203F, respectively, and two conductor bumps (not shown) connected to the connection pads 203E and 203F, respectively. ) Is grounded through. Similarly, the comb electrode 223b of the IDT 223 and the comb electrode 225b of the IDT 225 are connected to the connection pads 203G and 203H, respectively, and are grounded via two conductor bumps (not shown) connected to the connection pads 203G and 203H, respectively. Has been.

このように、従来のＳＡＷデバイスでは、ＩＤＴ２１３の櫛形電極２１３ａ及びＩＤＴ２１５の櫛形電極２１５ａ、ＩＤＴ２２３の櫛形電極２２３ｂ及びＩＤＴ２２５の櫛形電極２２５ｂをすべて同電位とするために接続パッド２０３Ｅ〜２０３Ｈを介して接地する必要があった。しかし、ダム２０５の配置領域を確保する必要があり、また、接続パッドは導体バンプを接続可能なサイズでなければならないため、接続パッドの配置が制限されるとともに接続パッドに接続される配線の自由度も小さくなり、ＳＡＷデバイスを小型化することが難しいという問題があった。さらに、マルチバンドのフィルターデバイスのように複数のフィルター部を含むＳＡＷデバイスでは、接続パッドの配置がさらに制限されるため、ＳＡＷデバイスの小型化がより難しい。 Thus, in the conventional SAW device, the comb electrode 213a of the IDT 213, the comb electrode 215a of the IDT 215, the comb electrode 223b of the IDT 223, and the comb electrode 225b of the IDT 225 are all grounded via the connection pads 203E to 203H in order to have the same potential. There was a need to do. However, it is necessary to secure the arrangement area of the dam 205, and the connection pads must be sized to connect the conductor bumps. Therefore, the arrangement of the connection pads is restricted and the wiring connected to the connection pads is free. There is a problem that it is difficult to reduce the size of the SAW device. Furthermore, in a SAW device including a plurality of filter units such as a multiband filter device, the arrangement of connection pads is further limited, and thus it is more difficult to reduce the size of the SAW device.

本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様によれば、ダムを利用してフィルター部における配置及び配線の自由度を向上させることにより小型化が可能なＳＡＷデバイスを提供することができる。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and according to some aspects of the present invention, a small size can be obtained by improving the degree of freedom of arrangement and wiring in the filter section using a dam. It is possible to provide a SAW device that can be configured.

（１）本発明は、絶縁基板と、当該絶縁基板の底部に設けられた表面実装用の実装端子と、当該絶縁基板の上部に設けられ前記実装端子と導通した配線パターンと、を備えた実装基板と、導体バンプと、第１のＳＡＷフィルターと第２のＳＡＷフィルターとを直列接続したフィルター部及び前記フィルター部の入力又は出力に接続された接続パッドが形成された圧電基板を備え、前記接続パッドが前記導体バンプを介して前記配線パターンと接続されることにより前記実装基板にフリップチップ実装されたＳＡＷチップと、前記ＳＡＷチップと前記実装基板との間に気密空間が形成されるように前記ＳＡＷチップの外面を被覆する封止樹脂と、を含むＳＡＷデバイスであって、前記ＳＡＷチップの外周には、金属又は合金で構成され、前記ＳＡＷフィルターの周辺への前記封止樹脂の流入を阻止するためのダムが設けられ、前記フィルター部は、前記第１のＳＡＷフィルター及び前記第２のＳＡＷフィルターは、前記接続パッドに接続された第１のＩＤＴと、当該第１のＩＤＴの両側に近接して配置された第２のＩＤＴ及び第３のＩＤＴと、前記第１のＩＤＴ、前記第２のＩＤＴ及び前記第３のＩＤＴを挟むように前記第２のＩＤＴ及び前記第３のＩＤＴの隣に近接してそれぞれ配置された２つの反射器とを含み、前記第１のＩＤＴ、前記第２のＩＤＴ及び前記第３のＩＤＴの間の音響結合によって生じる１次と３次の振動モードを利用する縦結合１次−３次２重モードＳＡＷフィルターとして構成され、前記第１のＳＡＷフィルターの前記第２のＩＤＴの一方の櫛形電極と前記第２のＳＡＷフィルターの前記第２のＩＤＴの一方の櫛形電極とが配線接続されるとともに、前記第１のＳＡＷフィルターの前記第３のＩＤＴの一方の櫛形電極と前記第２のＳＡＷフィルターの前記第３のＩＤＴの一方の櫛形電極とが配線接続され、前記第１のＳＡＷフィルターの前記第２のＩＤＴの他方の櫛形電極及び前記第３のＩＤＴの他方の櫛形電極と、前記第２のＳＡＷフィルターの前記第２のＩＤＴの他方の櫛形電極及び前記第３のＩＤＴの他方の櫛形電極とが前記ダムと配線接続されていることを特徴とする。 (1) The present invention provides a mounting including an insulating substrate, a mounting terminal for surface mounting provided on the bottom of the insulating substrate, and a wiring pattern provided on the insulating substrate and electrically connected to the mounting terminal. A piezoelectric substrate having a substrate, a conductor bump, a filter unit in which a first SAW filter and a second SAW filter are connected in series, and a connection pad connected to an input or output of the filter unit; The pad is connected to the wiring pattern via the conductor bump, so that a SAW chip flip-chip mounted on the mounting substrate and an airtight space is formed between the SAW chip and the mounting substrate. A sealing resin that covers an outer surface of the SAW chip, wherein the outer periphery of the SAW chip is made of a metal or an alloy, and the S A dam for preventing the sealing resin from flowing into the periphery of the W filter is provided, and the filter section includes the first SAW filter and the second SAW filter connected to the connection pad. 1 IDT, the second IDT and the third IDT arranged close to both sides of the first IDT, and the first IDT, the second IDT, and the third IDT Two reflectors disposed adjacent to and adjacent to the second IDT and the third IDT, respectively, between the first IDT, the second IDT, and the third IDT. It is configured as a longitudinally coupled primary-third-double mode SAW filter using primary and tertiary vibration modes generated by acoustic coupling, and one comb electrode of the second IDT of the first SAW filter and the First One of the second IDT comb electrodes of the SAW filter is connected by wiring, and one of the third IDT comb electrodes of the first SAW filter and the third SAW filter of the third SAW filter are connected to each other. And the other comb electrode of the second IDT of the first SAW filter and the other comb electrode of the third IDT and the second SAW filter of the second SAW filter. The other comb electrode of the second IDT and the other comb electrode of the third IDT are connected to the dam by wiring.

本発明のＳＡＷデバイスでは、封止樹脂の流入を阻止するためのダムを低抵抗な配線としても利用し、第１のＳＡＷフィルター及び第２のＳＡＷフィルターの両側ＩＤＴ（第２のＩＤＴと第３のＩＤＴ）の基準電位をすべて同電位とすることにより、フィルター部がフィルターとして機能できるようにしている。すなわち、本発明のＳＡＷデバイスでは、従来と異なり、第１のＳＡＷフィルター及び第２のＳＡＷフィルターの両側ＩＤＴに接地用の導体バンプを直接接続する必要がないため、この接地用の導体バンプを接続する接続パッドの配置領域を確保する必要がない。従って、本発明によれば、フィルター部の配置及び配線の自由度を向上させることができ、ＳＡＷデバイスを小型化することができる。 In the SAW device of the present invention, the dam for preventing the inflow of the sealing resin is also used as a low resistance wiring, and both side IDTs (second IDT and third IDT) of the first SAW filter and the second SAW filter are used. By making all the reference potentials of IDT) the same potential, the filter portion can function as a filter. That is, in the SAW device of the present invention, unlike the conventional case, it is not necessary to directly connect the grounding conductor bumps to the IDTs on both sides of the first SAW filter and the second SAW filter. There is no need to secure a connection pad layout area. Therefore, according to the present invention, it is possible to improve the degree of freedom of arrangement and wiring of the filter portion, and the SAW device can be miniaturized.

（２）このＳＡＷデバイスにおいて、前記ダムは、前記導体バンプのいずれにも接続されていないように構成されていてもよい。 (2) In this SAW device, the dam may be configured not to be connected to any of the conductor bumps.

本発明のＳＡＷデバイスでは、ダムは、金属又は合金で構成されており、かつ、封止樹脂の流入を阻止するのに十分な厚みがあるので、抵抗値が十分小さい。従って、ＳＡＷフィルターの特性要求が厳しくなければ、フローティングにしたダムの電位をＳＡＷフィルターの基準電位とすることが可能であり、そのためダムを接地するための導体バンプが不要である。従って、本発明によれば、ＳＡＷデバイスを小型化することができる。 In the SAW device of the present invention, the dam is made of a metal or an alloy and has a sufficient thickness to prevent the inflow of the sealing resin, so that the resistance value is sufficiently small. Therefore, if the characteristic requirements of the SAW filter are not strict, the potential of the floating dam can be used as the reference potential of the SAW filter, and therefore a conductor bump for grounding the dam is unnecessary. Therefore, according to the present invention, the SAW device can be reduced in size.

（３）このＳＡＷデバイスにおいて、前記ダムは、少なくとも１つの前記導体バンプを介して接地されているように構成されていてもよい。 (3) In this SAW device, the dam may be configured to be grounded via at least one conductor bump.

本発明によれば、ダムを接地することによりダムの電位を安定させることができるので、ダムをフローティングする場合と比較してより良好なフィルター特性を実現することができる。 According to the present invention, since the potential of the dam can be stabilized by grounding the dam, better filter characteristics can be realized as compared with the case of floating the dam.

（４）このＳＡＷデバイスは、複数の前記フィルター部を含むように構成されていてもよい。 (4) The SAW device may be configured to include a plurality of the filter units.

本発明によれば、複数のフィルター部を含むＳＡＷデバイスにおいても、ダムを配線として利用することにより、第１のＳＡＷフィルター及び第２のＳＡＷフィルターの両側ＩＤＴの基準電位をすべて同電位とすることができる。そのため、複数のフィルター部を含むＳＡＷデバイスにおいても、第１のＳＡＷフィルター及び第２のＳＡＷフィルターの両側ＩＤＴを接地用の導体バンプと接続するための接続パッドの配置領域を確保する必要がない。従って、本発明によれば、フィルター部の配置及び配線の自由度を向上させることができ、ＳＡＷデバイスを小型化することができる。 According to the present invention, even in a SAW device including a plurality of filter units, the reference potentials of the IDTs on both sides of the first SAW filter and the second SAW filter are all set to the same potential by using the dam as a wiring. Can do. Therefore, even in a SAW device including a plurality of filter units, it is not necessary to secure a connection pad arrangement region for connecting the IDTs on both sides of the first SAW filter and the second SAW filter to the grounding conductor bump. Therefore, according to the present invention, it is possible to improve the degree of freedom of arrangement and wiring of the filter portion, and the SAW device can be miniaturized.

（５）このＳＡＷデバイスにおいて、前記フィルター部は、入力及び出力の少なくとも一方が平衡であるように構成されていてもよい。 (5) In this SAW device, the filter unit may be configured such that at least one of the input and the output is balanced.

第１実施形態のＳＡＷデバイスの外観斜視図。1 is an external perspective view of a SAW device according to a first embodiment. 第１実施形態のＳＡＷデバイスの概略断面図。1 is a schematic cross-sectional view of a SAW device according to a first embodiment. ＳＡＷチップの下面側の概略平面図。The schematic plan view of the lower surface side of a SAW chip. 第１実施形態の変形例におけるＳＡＷチップの概略平面図。The schematic plan view of the SAW chip in the modification of 1st Embodiment. 第２実施形態におけるＳＡＷチップの概略平面図。The schematic plan view of the SAW chip in 2nd Embodiment. 第２実施形態の変形例におけるＳＡＷチップの概略平面図。The schematic plan view of the SAW chip in the modification of 2nd Embodiment. 従来のＳＡＷデバイスにおけるＳＡＷチップの概略平面図。The schematic plan view of the SAW chip in the conventional SAW device.

以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The embodiments described below do not unduly limit the contents of the present invention described in the claims. Also, not all of the configurations described below are essential constituent requirements of the present invention.

［第１実施形態］
図１は、第１実施形態のＳＡＷデバイスの外観斜視図であり、図２は、第１実施形態のＳＡＷデバイスの概略断面図である。 [First Embodiment]
FIG. 1 is an external perspective view of the SAW device according to the first embodiment, and FIG. 2 is a schematic sectional view of the SAW device according to the first embodiment.

図１及び図２に示すように、第１実施形態のＳＡＷデバイス１は、ＳＡＷチップ１０、実装基板２０及び封止樹脂３０を含んで構成されている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the SAW device 1 according to the first embodiment includes a SAW chip 10, a mounting substrate 20, and a sealing resin 30.

図２に示すように、実装基板２０は、絶縁基板２１と、絶縁基板２１の底部に設けられた表面実装用の実装端子２２と、絶縁基板２１の上面に設けられ内部配線２４を介して実装端子２２と導通した配線パターン２３と、を備えている。絶縁基板２１は、ガラス、樹脂、セラミック、ガラスエポキシ、アルミナ等で構成されている。 As shown in FIG. 2, the mounting substrate 20 is mounted via an insulating substrate 21, a surface mounting mounting terminal 22 provided at the bottom of the insulating substrate 21, and an internal wiring 24 provided on the upper surface of the insulating substrate 21. And a wiring pattern 23 electrically connected to the terminal 22. The insulating substrate 21 is made of glass, resin, ceramic, glass epoxy, alumina, or the like.

ＳＡＷチップ１０は、圧電基板１１を備え、圧電基板１１の下面にはフィルター部１２及びフィルター部１２の入力又は出力に接続された接続パッド１３が形成されている。圧電基板１１は、水晶、ニオブ酸リチウム（LiNbO₃）、タンタル酸リチウム（LiTaO₃）、四ほう酸リチウム（Li₂B₄O₇, LBO）等の単結晶材料や、酸化亜鉛（ZnO）、窒化アルミニウム（AlN）等の圧電性薄膜、圧電性セラミックス材料などで構成されている。 The SAW chip 10 includes a piezoelectric substrate 11, and a connection portion 13 connected to the input or output of the filter portion 12 and the filter portion 12 is formed on the lower surface of the piezoelectric substrate 11. The piezoelectric substrate 11 is made of a single crystal material such as quartz, lithium niobate (LiNbO ₃ ), lithium tantalate (LiTaO ₃ ), lithium tetraborate (Li ₂ B ₄ O ₇ , LBO), zinc oxide (ZnO), or nitride. It is composed of a piezoelectric thin film such as aluminum (AlN) or a piezoelectric ceramic material.

そして、接続パッド１３が導体バンプ１４を介して実装基板２０の配線パターン２３と接続されることにより、ＳＡＷチップ１０が実装基板２０にフリップチップ実装されている。導体バンプ１４は、アルミニウム（Al）、金（Au）、銀（Ag）、銅（Cu）、ニッケル（Ni）、チタン（Ti）、クロム（Cr）、タンタル（Ta）、モリブデン（Mo）、タングステン（W）等の金属、導電性接着剤、半田等で構成される。 Then, the connection pad 13 is connected to the wiring pattern 23 of the mounting substrate 20 via the conductor bump 14, so that the SAW chip 10 is flip-chip mounted on the mounting substrate 20. The conductor bump 14 is made of aluminum (Al), gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), nickel (Ni), titanium (Ti), chromium (Cr), tantalum (Ta), molybdenum (Mo), It is composed of a metal such as tungsten (W), a conductive adhesive, solder or the like.

封止樹脂３０は、ＳＡＷチップ１０の下面と実装基板２０の上面との間の空間を気密化させて気密空間３１が形成されるように、ＳＡＷチップ１０の下面を除いた外面（上面及び側面）を被覆している。気密空間３１を形成することにより、ＳＡＷフィルター１２における弾性表面波の伝搬を確保し、所望のフィルター特性を実現することができる。 The sealing resin 30 is an outer surface (upper surface and side surfaces) excluding the lower surface of the SAW chip 10 so that the space between the lower surface of the SAW chip 10 and the upper surface of the mounting substrate 20 is airtight to form an airtight space 31. ). By forming the airtight space 31, it is possible to secure the propagation of the surface acoustic wave in the SAW filter 12 and realize desired filter characteristics.

封止樹脂３０は、樹脂シートを一旦軟化温度まで加熱昇温させてから加圧変形させてＳＡＷチップ１０の外面と実装基板２０の上面に密着させた後で、硬化温度まで加熱昇温させて形状を固定することにより形成される。封止樹脂３０により、ＳＡＷチップ１０の気密性を確保するとともに、実装基板２０に対するＳＡＷチップ１０の固定力を補強することができる。 The sealing resin 30 is heated and heated to the curing temperature after the resin sheet is heated and heated to the softening temperature and then pressed and deformed to adhere to the outer surface of the SAW chip 10 and the upper surface of the mounting substrate 20. It is formed by fixing the shape. The sealing resin 30 can secure the airtightness of the SAW chip 10 and reinforce the fixing force of the SAW chip 10 with respect to the mounting substrate 20.

樹脂封止工程の際にフィルター部１２の周辺に封止樹脂３０が流入するのを防止するために、ＳＡＷチップ１０の下面の周縁部にダム１５が設けられている。樹脂封止工程の際の加熱と加圧によってダム１５が変形しないように、ダム１５は金属又は合金から形成されている。また、ダム１５は実装基板２０に接触しておらず、ダム１５の下面と実装基板２０との間はギャップＧだけ離れている。そのため、ダム１５には、実装基板２０とＳＡＷチップ１５との熱膨張係数の差に起因する応力が発生しないようになっている。 In order to prevent the sealing resin 30 from flowing into the periphery of the filter portion 12 during the resin sealing step, a dam 15 is provided at the peripheral edge portion of the lower surface of the SAW chip 10. The dam 15 is made of a metal or an alloy so that the dam 15 is not deformed by heating and pressurization during the resin sealing step. Further, the dam 15 is not in contact with the mounting substrate 20, and the lower surface of the dam 15 and the mounting substrate 20 are separated by a gap G. Therefore, the dam 15 is prevented from being stressed due to the difference in thermal expansion coefficient between the mounting substrate 20 and the SAW chip 15.

フィルター部１２の周辺への封止樹脂３０の流入量を低減するためにギャップＧは狭い方が好ましい。例えば、ダム１５の厚みを大きくしたり、ダム１５の真下の実装基板２０の上面に外周パターンを設けることにより、ギャップＧを狭くすることができる。 In order to reduce the inflow amount of the sealing resin 30 to the periphery of the filter part 12, it is preferable that the gap G is narrow. For example, the gap G can be narrowed by increasing the thickness of the dam 15 or providing an outer peripheral pattern on the upper surface of the mounting substrate 20 directly below the dam 15.

なお、ダム１５は実装基板２０の上面に設けても良いが、実装基板２０を複数個連接した配線基板母材上に、一括して、且つ高い寸法精度で金属又は合金からなるダム１５を形成するには、ダムパターンに対応したフォトリソグラフィ技術によるレジストパターンを配線基板母材上に形成する必要がある。高寸法精度であるレジストパターンに対し、配線基板母材上の配線パターンは寸法精度が悪く、配線基板母材全体に渡って精度良く配線パターンとダムパターンを合わせ込むことが困難であり、高密度配線に不向きである。従って、ダム１５はＳＡＷチップ１０の下面に形成するのが好ましい。 Although the dam 15 may be provided on the upper surface of the mounting substrate 20, the dam 15 made of a metal or an alloy is formed collectively and with high dimensional accuracy on a wiring board base material in which a plurality of mounting substrates 20 are connected. In order to achieve this, it is necessary to form a resist pattern corresponding to the dam pattern on the wiring board base material by a photolithography technique. Compared to resist patterns with high dimensional accuracy, the wiring pattern on the wiring board base material has poor dimensional accuracy, and it is difficult to accurately match the wiring pattern and dam pattern over the entire wiring board base material. Not suitable for wiring. Therefore, the dam 15 is preferably formed on the lower surface of the SAW chip 10.

図３は、ＳＡＷチップ１０の一例を示す図であり、ＳＡＷチップ１０の下面側の概略平面図である。 FIG. 3 is a diagram illustrating an example of the SAW chip 10, and is a schematic plan view of the lower surface side of the SAW chip 10.

図３に示すように、第１実施形態におけるＳＡＷチップ１０は、その下面の周縁部にダム１５が形成されており、ダム１５に取り囲まれるようにフィルター部１２が形成されている。 As shown in FIG. 3, the SAW chip 10 according to the first embodiment has a dam 15 formed on the peripheral edge of the lower surface thereof, and a filter portion 12 formed so as to be surrounded by the dam 15.

フィルター部１２は、２つの縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター４０及び５０を含んで構成されている。 The filter unit 12 includes two longitudinally coupled primary-third order DMS filters 40 and 50.

縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター４０は、圧電基板１１の主表面上に形成された、反射器４１、ＩＤＴ４３（本発明における「第２のＩＤＴ」に相当する）、ＩＤＴ４４（本発明における「第１のＩＤＴ」に相当する）、ＩＤＴ４５（本発明における「第３のＩＤＴ」に相当する）、反射器４２を含んで構成されている。 The longitudinally coupled primary-third order DMS filter 40 includes a reflector 41, IDT 43 (corresponding to “second IDT” in the present invention), IDT 44 (in the present invention “ The IDT 45 (corresponding to the “third IDT” in the present invention), and the reflector 42.

ＩＤＴ４３、ＩＤＴ４４、ＩＤＴ４５は、弾性表面波の伝搬方向に沿って、反射器４１と反射器４２の間にこの順に近接して配置されている。 IDT43, IDT44, and IDT45 are arrange | positioned adjacent to this order between the reflector 41 and the reflector 42 along the propagation direction of a surface acoustic wave.

ＩＤＴ４３は、一定間隔ｄ_１で形成された複数の電極指を有する櫛状の電極４３ａ、４３ｂが互いに間挿し合うように対向して配置されている。 IDT43 is disposed opposite to the comb-shaped electrodes 43a having a plurality of electrode fingers which are formed at regular intervals d _1, 43 b are interdigitated with each other.

ＩＤＴ４４は、ＩＤＴ４３と同じ一定間隔ｄ_１で形成された複数の電極指を有する櫛状の電極４４ａ、４４ｂが互いに間挿し合うように対向して配置されている。 IDT44 is comb-shaped electrode 44a having a plurality of electrode fingers which are formed at the same constant distance _{d 1} and IDT43, 44b are disposed opposite to interdigitate with each other.

ＩＤＴ４５は、ＩＤＴ４３と同じ一定間隔ｄ_１で形成された複数の電極指を有する櫛状の電極４５ａ、４５ｂが互いに間挿し合うように対向して配置されている。 IDT45 is comb-shaped electrode 45a having a plurality of electrode fingers which are formed at the same constant distance _{d 1} and IDT43, 45b are disposed opposite to interdigitate with each other.

反射器４１と反射器４２は、ＩＤＴ４３、ＩＤＴ４４、ＩＤＴ４５の両側に近接して配置され、一定のグレーティングピッチ（ｄ_２）で電極が形成されている。 The reflector 41 and the reflector 42 are disposed close to both sides of the IDT 43, IDT 44, and IDT 45, and electrodes are formed at a constant grating pitch (d ₂ ).

同様に、縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター５０は、圧電基板１１の主表面上に形成された、反射器５１、ＩＤＴ５３、ＩＤＴ５４、ＩＤＴ５５、反射器５２を含んで構成されている。これらの配置は、図３に示すように、縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター４０と同じであるため、その説明を省略する。 Similarly, the longitudinally coupled primary-third order DMS filter 50 includes a reflector 51, IDT 53, IDT 54, IDT 55, and reflector 52 formed on the main surface of the piezoelectric substrate 11. Since these arrangements are the same as those of the longitudinally coupled primary-third order DMS filter 40 as shown in FIG.

縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター４０において、ＩＤＴ４４の電極４４ａ及び４４ｂはそれぞれ接続パッド１３Ａ及び１３Ｂと接続されている。同様に、縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター５０において、ＩＤＴ５４の電極５４ａ及び５４ｂはそれぞれ接続パッド１３Ｃ及び１３Ｄと接続されている。そして、接続パッド１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃ、１３Ｄは、図２に示すように、導体バンプ１４を介して実装基板２０の異なる４つの配線パターン２３とそれぞれ接続されている。 In the longitudinally coupled primary-third order DMS filter 40, the electrodes 44a and 44b of the IDT 44 are connected to the connection pads 13A and 13B, respectively. Similarly, in the longitudinally coupled primary-third order DMS filter 50, the electrodes 54a and 54b of the IDT 54 are connected to the connection pads 13C and 13D, respectively. The connection pads 13A, 13B, 13C, and 13D are connected to four different wiring patterns 23 on the mounting substrate 20 via the conductor bumps 14 as shown in FIG.

また、ＩＤＴ４３の電極４３ｂとＩＤＴ５３の電極５３ａ、ＩＤＴ４５の電極４５ｂとＩＤＴ５５の電極５５ａがそれぞれ接続されている。 Further, the electrode 43b of the IDT 43 and the electrode 53a of the IDT 53, and the electrode 45b of the IDT 45 and the electrode 55a of the IDT 55 are connected to each other.

このように、第１実施形態のフィルター部１２は、２つの縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター４０及び５０が直列に接続されて構成されている。 As described above, the filter unit 12 of the first embodiment is configured by connecting two longitudinally coupled primary-third order DMS filters 40 and 50 in series.

接続パッド１３Ａ及び１３Ｂとそれぞれ導通する２つの実装端子２２から、ｆ＝ｖ／２ｄ_１（ｖは弾性表面波が圧電基板１１の表面を伝搬する速度）付近の周波数を有する平衡入力信号又は不平衡入力信号が供給されると、ＩＤＴ４４により１波長（λ_１）が２ｄ_１に等しい弾性表面波が励起される。そして、ＩＤＴ４４により励起された弾性表面波がＩＤＴ４３及びＩＤＴ４５に到達すると、ＩＤＴ４３の電極４３ｂ及びＩＤＴ４５の電極４５ｂにｆ＝ｖ／２ｄ_１付近の周波数を有する信号が発生する。 From two mounting terminals 22 that are electrically connected to the connection pads 13A and 13B, respectively, a balanced input signal or an unbalanced frequency having a frequency near f = v / 2d ₁ (v is a speed at which the surface acoustic wave propagates on the surface of the piezoelectric substrate 11). When the input signal is supplied, a surface acoustic wave having one wavelength (λ ₁ ) equal to 2d ₁ is excited by the IDT 44. When the surface acoustic waves excited by the IDT 44 reach the IDT 43 and the IDT 45, signals having a frequency near f = v / 2d ₁ are generated at the electrode 43b of the IDT 43 and the electrode 45b of the IDT 45.

この信号がＩＤＴ５３の電極５３ａ及びＩＤＴ５５の電極５５ａに供給され、ＩＤＴ５３及び５５により１波長（λ_１）が２ｄ_１に等しい弾性表面波が励起される。そして、ＩＤＴ５３及び５５により励起された弾性表面波がＩＤＴ５４に到達すると、ＩＤＴ５４の電極５４ａ及５４ｂにｆ＝ｖ／２ｄ_１付近の周波数を有する平衡出力信号又は不平衡出力信号が発生し、接続パッド１３Ｃ及び１３Ｄを介して２つの実装端子２２から出力される。 This signal is supplied to the electrode 53a of the IDT 53 and the electrode 55a of the IDT 55, and a surface acoustic wave having one wavelength (λ ₁ ) equal to 2d ₁ is excited by the IDTs 53 and 55. When the surface acoustic waves excited by the IDTs 53 and 55 reach the IDT 54, a balanced output signal or an unbalanced output signal having a frequency near f = v / 2d ₁ is generated at the electrodes 54a and 54b of the IDT 54, and the connection pad The signals are output from the two mounting terminals 22 via 13C and 13D.

このようにして、第１実施形態におけるフィルター部１２は、中心周波数をｆ＝ｖ／２ｄ_１とするバンドパスフィルターとして機能することができる。この中心周波数が所望の周波数になるように、縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター４０及び５０の電極指ピッチｄ_１が決められる。そして、ＩＤＴ４３、４４、４５の間の音響結合によって生じる１次と３次の振動モードが反射器４１と反射器４２の間に閉じ込められるとともに、ＩＤＴ５３、５４、５５の間の音響結合によって生じる１次と３次の振動モードが反射器５１と反射器５２の間に閉じ込められ、これら２つの振動モードに基づいてフィルター部１２の通過帯域が決定される。 In this manner, the filter unit 12 in the first embodiment can function the center frequency band-pass filter to f = v / 2d _1. The electrode finger pitch d ₁ of the longitudinally coupled primary-third order DMS filters 40 and 50 is determined so that the center frequency becomes a desired frequency. The first-order and third-order vibration modes generated by the acoustic coupling between the IDTs 43, 44, and 45 are confined between the reflector 41 and the reflector 42, and 1 generated by the acoustic coupling between the IDTs 53, 54, and 55. The second and third vibration modes are confined between the reflector 51 and the reflector 52, and the pass band of the filter unit 12 is determined based on these two vibration modes.

圧電基板１１の材料として温度による周波数シフトが少ないＳＴカット水晶を使用することにより、例えば、中心周波数が数１００ＭＨｚ、通過帯域幅が数１００ｋＨｚ（すなわち、比帯域（通過帯域幅／中心周波数）が０．１％程度）のバンドパスフィルターを実現することができる。 By using ST-cut quartz with a small frequency shift due to temperature as the material of the piezoelectric substrate 11, for example, the center frequency is several hundred MHz and the pass bandwidth is several hundred kHz (that is, the specific band (pass bandwidth / center frequency) is 0). (About 1%) band pass filter can be realized.

なお、反射効率を高め低損失のフィルターを実現すべく、縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター４０において、反射器４１および反射器４２のグレーティングピッチｄ_２をＩＤＴ４３、ＩＤＴ４４及びＩＤＴ４５の電極指ピッチｄ_１よりも少しく大きく設定することが望ましい。縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター５０についても同様である。 Incidentally, in order to realize a filter of low loss increase the reflection efficiency, the longitudinally coupled primary - tertiary DMS filter 40, the reflector 41 and the reflector 42 of a grating pitch _{d 2} of the IDT43, IDT 44 and IDT45 electrode finger pitch d It is desirable to set a little larger than ₁ . The same applies to the longitudinally coupled primary-third order DMS filter 50.

第１実施形態では、ＩＤＴ４３の電極４３ａ及びＩＤＴ４５の電極４５ａが接続パッド１３のいずれにも接続されておらず、それぞれ配線パターン４６及び４７を介してダム１５と接続されている点に特徴がある。同様に、ＩＤＴ５３の電極５３ｂ及びＩＤＴ５５の電極５５ｂは、接続パッド１３のいずれにも接続されておらず、それぞれ配線パターン５６及び５７を介してダム１５と接続されている。 The first embodiment is characterized in that the electrode 43a of the IDT 43 and the electrode 45a of the IDT 45 are not connected to any of the connection pads 13 and are connected to the dam 15 via the wiring patterns 46 and 47, respectively. . Similarly, the electrode 53b of the IDT 53 and the electrode 55b of the IDT 55 are not connected to any of the connection pads 13 and are connected to the dam 15 via the wiring patterns 56 and 57, respectively.

ここで、ダム１５は、ＳＡＷチップ１０の下面に形成された接続パッド１３や接続パッド１３とフィルター部１２とを接続する配線等よりも膜厚が厚いので低抵抗な配線として利用することができる。すなわち、第１実施形態では、ダム１５を低抵抗な配線として利用することで、ＩＤＴ４３の電極４３ａ及び４５ａ、ＩＤＴ５３の電極５３ｂ及び５５ｂの電位（基準電位）をほぼ等しくしている。 Here, the dam 15 is thicker than the connection pad 13 formed on the lower surface of the SAW chip 10, the wiring connecting the connection pad 13 and the filter unit 12, etc., and thus can be used as a low resistance wiring. . That is, in the first embodiment, the potential (reference potential) of the electrodes 43a and 45a of the IDT 43 and the electrodes 53b and 55b of the IDT 53 is made substantially equal by using the dam 15 as a low resistance wiring.

さらに、ダム１５の抵抗値は十分に低く、ダム１５自体も接続パッドを介して接地用の導体バンプに接続する必要がないためフローティングになっている。すなわち、ＩＤＴ４３の電極４３ａ及び４５ａ、ＩＤＴ５３の電極５３ｂ及び５５ｂは接地されていない。 Further, the resistance value of the dam 15 is sufficiently low, and the dam 15 itself does not need to be connected to the grounding conductor bump via the connection pad, so that it is floating. That is, the electrodes 43a and 45a of the IDT 43 and the electrodes 53b and 55b of the IDT 53 are not grounded.

このように、第１実施形態のＳＡＷデバイスでは、従来と異なり、ＩＤＴ４３の電極４３ａ及び４５ａ、ＩＤＴ５３の電極５３ｂ及び５５ｂをそれぞれ接地するための導体バンプが不要であり、さらに、ダム１５を接地するための導体バンプも不要であるため、これらの導体バンプに接続される接続パッドの配置領域を確保する必要がない。従って、第１実施形態によれば、フィルター部１２の配置及び配線の自由度を向上させることができ、ＳＡＷデバイスを小型化することができる。 Thus, unlike the conventional case, the SAW device of the first embodiment does not require conductor bumps for grounding the electrodes 43a and 45a of the IDT 43 and the electrodes 53b and 55b of the IDT 53, and further grounds the dam 15. Therefore, it is not necessary to secure an arrangement area of connection pads connected to these conductor bumps. Therefore, according to the first embodiment, the degree of freedom of arrangement and wiring of the filter unit 12 can be improved, and the SAW device can be reduced in size.

図４は、第１実施形態のＳＡＷデバイス１の変形例におけるＳＡＷチップ１０の構成を示す図であり、ＳＡＷチップ１０の下面側の概略平面図である。本変形例において、ＳＡＷチップ１０以外は図２と同じ構成にすることができるため、その説明を省略する。 FIG. 4 is a diagram showing a configuration of the SAW chip 10 in a modification of the SAW device 1 of the first embodiment, and is a schematic plan view on the lower surface side of the SAW chip 10. In the present modification, the configuration other than the SAW chip 10 can be the same as that shown in FIG.

図４に示す本変形例におけるＳＡＷチップ１０では、ダム１５の形状を八角形にして、圧電基板１１の四隅にダム１５が配置されないようにしている。即ち、図３に示したようにダム１５を圧電基板１１の四隅まで形成した場合、フリップチップ実装時にＳＡＷチップ１０が傾いてしまった場合にダム１５が実装基板２０に当たってしまい、ＳＡＷチップ１０の実装強度の劣化やＳＡＷチップ１０の破損等の不具合が生じる場合がある。特に、ＳＡＷチップ１０に設けたダム１５と実装基板２０とのギャップＧを小さくするほど、ダム１５が実装基板２０に当たりやすくなってしまう問題が生じる。このような理由から、圧電基板１１のの四隅にダム１５が配置されないようにすれば、フリップチップ実装時にＳＡＷチップ１０が多少傾いたとしても、ダム１５が実装基板２０に当たらなくなる。 In the SAW chip 10 in this modification shown in FIG. 4, the shape of the dam 15 is an octagon so that the dam 15 is not disposed at the four corners of the piezoelectric substrate 11. That is, when the dam 15 is formed up to the four corners of the piezoelectric substrate 11 as shown in FIG. 3, if the SAW chip 10 is tilted during flip chip mounting, the dam 15 hits the mounting substrate 20 and the SAW chip 10 is mounted. In some cases, problems such as deterioration of strength and breakage of the SAW chip 10 may occur. In particular, the smaller the gap G between the dam 15 provided on the SAW chip 10 and the mounting substrate 20, the more likely the dam 15 will hit the mounting substrate 20. For this reason, if the dams 15 are not disposed at the four corners of the piezoelectric substrate 11, even if the SAW chip 10 is tilted slightly during flip chip mounting, the dam 15 will not hit the mounting substrate 20.

本変形例におけるＳＡＷチップ１０のその他の構成は、図３に示した第１実施形態におけるＳＡＷチップ１０の構成と同様であるため、同じ符号を付しておりその説明を省略する。 Since the other configuration of the SAW chip 10 in this modification is the same as the configuration of the SAW chip 10 in the first embodiment shown in FIG. 3, the same reference numerals are given and description thereof is omitted.

このように、本変形例のＳＡＷデバイスによれば、ダム１５が圧電基板１１の四隅に配置されないようにしたので、ＳＡＷチップ１０の実装角度を厳密に制御する必要がなくなり、製造効率を高めることができる。なお、図４ではダム１５の形状は八角形となっているが、ＳＡＷチップ１０の四隅にダム１５が配置されないようにしてあれば、八角形以上の多角形、円、楕円等の形状であっても良い。また、ダム１５の形状が多角形の場合、各頂点の少なくとも一つを円弧により丸めても良い。 As described above, according to the SAW device of this modification, the dams 15 are not disposed at the four corners of the piezoelectric substrate 11, so that it is not necessary to strictly control the mounting angle of the SAW chip 10, thereby improving the manufacturing efficiency. Can do. In FIG. 4, the shape of the dam 15 is an octagon. However, if the dam 15 is not disposed at the four corners of the SAW chip 10, the shape of the dam 15 may be a polygon, circle, ellipse or the like larger than the octagon. May be. When the shape of the dam 15 is a polygon, at least one of the vertices may be rounded with an arc.

［第２実施形態］
図５は、第２実施形態のＳＡＷデバイス１におけるＳＡＷチップ１０の構成を示す図であり、ＳＡＷチップ１０の下面側の概略平面図である。第２実施形態において、ＳＡＷチップ１０以外は図２に示した第１実施形態と同じ構成にすることができるため、その説明を省略する。 [Second Embodiment]
FIG. 5 is a diagram showing the configuration of the SAW chip 10 in the SAW device 1 of the second embodiment, and is a schematic plan view of the lower surface side of the SAW chip 10. In the second embodiment, the configuration other than the SAW chip 10 can be the same as that of the first embodiment shown in FIG.

図５に示すように、第２実施形態におけるＳＡＷチップ１０は、３つのフィルター部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃを含んで構成されており、マルチバンドフィルターとして機能する。 As shown in FIG. 5, the SAW chip 10 according to the second embodiment is configured to include three filter units 12A, 12B, and 12C, and functions as a multiband filter.

フィルター部１２Ａは、２つの縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター６０及び７０が直列に接続されており、接続パッド１３Ａ及び１３Ｂとそれぞれ導通した２つの実装端子２２を入力端子とし、接続パッド１３Ｃ及び１３Ｄとそれぞれ導通した２つの実装端子２２を出力端子とするバンドパスフィルターとして機能する。縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター６０は、反射器６１、ＩＤＴ６３、ＩＤＴ６４、ＩＤＴ６５、反射器６２を含んで構成されており、縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター７０は、反射器７１、ＩＤＴ７３、ＩＤＴ７４、ＩＤＴ７５、反射器７２を含んで構成されている。 In the filter unit 12A, two vertically coupled primary-third order DMS filters 60 and 70 are connected in series. The two mounting terminals 22 that are electrically connected to the connection pads 13A and 13B are input terminals, and the connection pads 13C and 13C are connected. It functions as a band-pass filter having two mounting terminals 22 that are electrically connected to 13D as output terminals. The longitudinally coupled primary / third-order DMS filter 60 includes a reflector 61, IDT 63, IDT 64, IDT 65, and reflector 62. The longitudinally-coupled primary / third-order DMS filter 70 includes a reflector 71 and an IDT 73. , IDT 74, IDT 75, and reflector 72.

同様に、フィルター部１２Ｂは、２つの縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター８０及び９０が直列に接続されており、接続パッド１３Ｅ及び１３Ｆとそれぞれ導通した２つの実装端子２２を入力端子とし、接続パッド１３Ｇ及び１３Ｈとそれぞれ導通した２つの実装端子２２を出力端子とするバンドパスフィルターとして機能する。縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター８０は、反射器８１、ＩＤＴ８３、ＩＤＴ８４、ＩＤＴ８５、反射器８２を含んで構成されており、縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター９０は、反射器９１、ＩＤＴ９３、ＩＤＴ９４、ＩＤＴ９５、反射器９２を含んで構成されている。 Similarly, in the filter unit 12B, two vertically coupled primary-third order DMS filters 80 and 90 are connected in series, and the two mounting terminals 22 that are electrically connected to the connection pads 13E and 13F, respectively, are connected as input terminals. It functions as a band-pass filter that uses two mounting terminals 22 that are electrically connected to the pads 13G and 13H as output terminals. The longitudinally coupled primary / third-order DMS filter 80 includes a reflector 81, IDT 83, IDT 84, IDT 85, and reflector 82. The longitudinally coupled primary / third-order DMS filter 90 includes a reflector 91 and an IDT 93. , IDT94, IDT95, and reflector 92.

同様に、フィルター部１２Ｃは、２つの縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター１００及び１１０が直列に接続されており、接続パッド１３Ｉ及び１３Ｊとそれぞれ導通した２つの実装端子２２を入力端子とし、接続パッド１３Ｋ及び１３Ｌとそれぞれ導通した２つの実装端子２２を出力端子とするバンドパスフィルターとして機能する。縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター１００は、反射器１０１、ＩＤＴ１０３、ＩＤＴ１０４、ＩＤＴ１０５、反射器１０２を含んで構成されており、縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター１１０は、反射器１１１、ＩＤＴ１１３、ＩＤＴ１１４、ＩＤＴ１１５、反射器１１２を含んで構成されている。 Similarly, in the filter unit 12C, two longitudinally coupled primary-third order DMS filters 100 and 110 are connected in series, and two mounting terminals 22 that are electrically connected to the connection pads 13I and 13J, respectively, are connected as input terminals. It functions as a band-pass filter that uses two mounting terminals 22 that are electrically connected to the pads 13K and 13L as output terminals. The longitudinally coupled primary / third-order DMS filter 100 includes a reflector 101, an IDT 103, an IDT 104, an IDT 105, and a reflector 102. The longitudinally coupled primary / third-order DMS filter 110 includes a reflector 111 and an IDT 113. , IDT 114, IDT 115, and reflector 112.

入力あるいは出力が不平衡信号に限定される場合は基準電位に接続される実装端子２２はお互いに接続し共通化することが可能であり、複数の１次−３次ＤＭＳフィルターを含む構成であっても互いのフィルターの間で実装端子２２を共通化して端子の数を少なくすることができる。 When the input or output is limited to an unbalanced signal, the mounting terminals 22 connected to the reference potential can be connected to each other and used in common, and include a plurality of primary-third order DMS filters. However, it is possible to reduce the number of terminals by sharing the mounting terminals 22 between the filters.

フィルター部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの具体的な構成は、図３に示したフィルター部１２の構成と同様であるため、その説明を省略する。 The specific configuration of the filter units 12A, 12B, and 12C is the same as the configuration of the filter unit 12 shown in FIG.

第１実施形態と同じく第２実施形態においても、フィルター部１２Ａにおいて、ＩＤＴ６３の電極６３ａ及びＩＤＴ６５の電極６５ａが接続パッド１３のいずれにも接続されておらず、それぞれ配線パターン６６及び６７を介してダム１５と接続されている。また、ＩＤＴ７３の電極７３ｂ及びＩＤＴ７５の電極７５ｂは、接続パッド１３のいずれにも接続されておらず、それぞれ配線パターン７６及び７７を介してダム１５と接続されている。 Similarly to the first embodiment, in the second embodiment as well, in the filter unit 12A, the electrode 63a of the IDT 63 and the electrode 65a of the IDT 65 are not connected to any of the connection pads 13 and are respectively connected via the wiring patterns 66 and 67. Connected to the dam 15. Further, the electrode 73 b of the IDT 73 and the electrode 75 b of the IDT 75 are not connected to any of the connection pads 13, and are connected to the dam 15 via the wiring patterns 76 and 77, respectively.

同様に、フィルター部１２Ｂにおいて、ＩＤＴ８３の電極８３ａ及びＩＤＴ８５の電極８５ａが接続パッド１３のいずれにも接続されておらず、それぞれ配線パターン８６及び８７を介してダム１５と接続されている。また、ＩＤＴ９３の電極９３ｂ及びＩＤＴ９５の電極９５ｂは、接続パッド１３のいずれにも接続されておらず、それぞれ配線パターン９６及び９７を介してダム１５と接続されている。 Similarly, in the filter unit 12B, the electrode 83a of the IDT 83 and the electrode 85a of the IDT 85 are not connected to any of the connection pads 13, and are connected to the dam 15 via the wiring patterns 86 and 87, respectively. Further, the electrode 93b of the IDT 93 and the electrode 95b of the IDT 95 are not connected to any of the connection pads 13 and are connected to the dam 15 via the wiring patterns 96 and 97, respectively.

同様に、フィルター部１２Ｃにおいて、ＩＤＴ１０３の電極１０３ａ及びＩＤＴ１０５の電極１０５ａが接続パッド１３のいずれにも接続されておらず、それぞれ配線パターン１０６及び１０７を介してダム１５と接続されている。また、ＩＤＴ１１３の電極１１３ｂ及びＩＤＴ１１５の電極１１５ｂは、接続パッド１３のいずれにも接続されておらず、それぞれ配線パターン１１６及び１１７を介してダム１５と接続されている。 Similarly, in the filter unit 12C, the electrode 103a of the IDT 103 and the electrode 105a of the IDT 105 are not connected to any of the connection pads 13, and are connected to the dam 15 via the wiring patterns 106 and 107, respectively. Further, the electrode 113b of the IDT 113 and the electrode 115b of the IDT 115 are not connected to any of the connection pads 13, and are connected to the dam 15 via the wiring patterns 116 and 117, respectively.

このように、第１実施形態と同じく第２実施形態においても、従来は必要であった接地用の導体バンプと接続する接続パッドの配置領域を確保する必要がなく、フィルター部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの配置及び配線の自由度を向上させることができる。例えば、図５に示すように、フィルター部１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃの間隔を非常に狭く配置することにより、ＳＡＷチップ１０をより小型化することができる。 As described above, in the second embodiment as well as the first embodiment, it is not necessary to secure a connection pad arrangement region to be connected to the grounding conductor bump, which has been necessary in the past, and the filter portions 12A, 12B, and 12C. The degree of freedom of arrangement and wiring can be improved. For example, as shown in FIG. 5, the SAW chip 10 can be further reduced in size by arranging the intervals between the filter portions 12A, 12B, and 12C very narrow.

図６は、第２実施形態のＳＡＷデバイス１の変形例におけるＳＡＷチップ１０の構成を示す図であり、ＳＡＷチップ１０の下面側の概略平面図である。本変形例において、ＳＡＷチップ１０以外は第２実施形態と同じ構成にすることができるため、その説明を省略する。 FIG. 6 is a diagram showing a configuration of the SAW chip 10 in a modification of the SAW device 1 of the second embodiment, and is a schematic plan view on the lower surface side of the SAW chip 10. In this modification, since the configuration other than the SAW chip 10 can be the same as that of the second embodiment, the description thereof is omitted.

図４に示した第１実施形態の変形例におけるＳＡＷチップ１０と同じく図６に示す本変形例におけるＳＡＷチップ１０では、ダム１５の形状を八角形にして、圧電基板１１の四隅にダム１５が配置されないようにしており、フリップチップ実装時にＳＡＷチップ１０が多少傾いたとしても、ダム１５が実装基板２０に当たらなくなる。 Similar to the SAW chip 10 in the modification of the first embodiment shown in FIG. 4, in the SAW chip 10 in this modification shown in FIG. 6, the dam 15 has an octagonal shape, and the dams 15 are formed at the four corners of the piezoelectric substrate 11. The dam 15 does not hit the mounting substrate 20 even if the SAW chip 10 is tilted slightly during flip chip mounting.

本変形例におけるＳＡＷチップ１０のその他の構成は、図５に示した第２実施形態におけるＳＡＷチップ１０の構成と同様であるため、同じ符号を付しておりその説明を省略する。 The other configuration of the SAW chip 10 in this modification is the same as the configuration of the SAW chip 10 in the second embodiment shown in FIG.

このように、本変形例のＳＡＷデバイスによれば、ダム１５が圧電基板１１の四隅に配置されないようにしたので、ＳＡＷチップ１０の実装角度を厳密に制御する必要がなくなり、製造効率を高めることができる。なお、図６ではダム１５の形状は八角形となっているが、ＳＡＷチップ１０の四隅にダム１５が配置されないようにしてあれば、八角形以上の多角形、円、楕円等の形状であっても良い。また、ダム１５の形状が多角形の場合、各頂点の少なくとも一つを円弧により丸めても良い。 As described above, according to the SAW device of this modification, the dams 15 are not disposed at the four corners of the piezoelectric substrate 11, so that it is not necessary to strictly control the mounting angle of the SAW chip 10, thereby improving the manufacturing efficiency. Can do. In FIG. 6, the shape of the dam 15 is an octagon. However, if the dam 15 is not disposed at the four corners of the SAW chip 10, the shape of the dam 15 may be a polygon, circle, ellipse or the like larger than the octagon. May be. When the shape of the dam 15 is a polygon, at least one of the vertices may be rounded with an arc.

なお、本発明は本実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。 In addition, this invention is not limited to this embodiment, A various deformation | transformation implementation is possible within the range of the summary of this invention.

例えば、図３〜図６に示したＳＡＷチップ１０では、ダム１５は接続パッドを介して導体バンプのいずれにも接続されておらずフローティングになっているが、接地用の少なくとも１つの導体バンプを設けて、ダム１５を接続パッドを介してこの導体バンプに接続するようにしてもよい。このようにすれば、接地用の接続パッドを配置するための領域とダム１５とこの接続パッドを接続する配線領域が必要になるためＳＡＷチップ１０のサイズが少しだけ大きくなる場合もあるが、ダム１５の電位を安定させることができるのでより良好なフィルター特性を実現することができる。 For example, in the SAW chip 10 shown in FIGS. 3 to 6, the dam 15 is not connected to any of the conductor bumps via the connection pads and is floating, but at least one conductor bump for grounding is used. It is also possible to provide the dam 15 and connect it to the conductor bump via the connection pad. In this case, since the area for arranging the connection pads for grounding and the wiring area for connecting the connection pads to the dam 15 are required, the size of the SAW chip 10 may be slightly increased. Since the potential of 15 can be stabilized, better filter characteristics can be realized.

本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。 The present invention includes configurations that are substantially the same as the configurations described in the embodiments (for example, configurations that have the same functions, methods, and results, or configurations that have the same objects and effects). In addition, the invention includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced. In addition, the present invention includes a configuration that exhibits the same operational effects as the configuration described in the embodiment or a configuration that can achieve the same object. Further, the invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment.

１ＳＡＷデバイス、１０ＳＡＷチップ、１１圧電基板、１２フィルター部、１２Ａ〜１２Ｃフィルター部、１３接続パッド、１３Ａ〜１３Ｌ接続パッド、１４導体バンプ、１５ダム、２０実装基板、２１絶縁基板、２２実装端子、２３配線パターン、２４内部配線、３０封止樹脂、３１気密空間、４０縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、４１〜４２反射器、４３〜４５ＩＤＴ、４６〜４７配線パターン、５０縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、５１〜５２反射器、５３〜５５ＩＤＴ、５６〜５７配線パターン、６０縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、６１〜６２反射器、６３〜６５ＩＤＴ、６６〜６７配線パターン、７０縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、７１〜７２反射器、７３〜７５ＩＤＴ、７６〜７７配線パターン、８０縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、８１〜８２反射器、８３〜８５ＩＤＴ、８６〜８７配線パターン、９０縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、９１〜９２反射器、９３〜９５ＩＤＴ、９６〜９７配線パターン、１００縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、１０１〜１０２反射器、１０３〜１０５ＩＤＴ、１０６〜１０７配線パターン、１１０縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、１１１〜１１２反射器、１１３〜１１５ＩＤＴ、１１６〜１１７配線パターン、２００ＳＡＷチップ、２０２フィルター部、２０３Ａ〜２０３Ｈ接続パッド、２０５ダム、２１０縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、２１３〜２１５ＩＤＴ、２２０縦結合１次−３次ＤＭＳフィルター、２２３〜２２５ＩＤＴ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 SAW device, 10 SAW chip, 11 Piezoelectric board, 12 Filter part, 12A-12C Filter part, 13 Connection pad, 13A-13L Connection pad, 14 Conductor bump, 15 Dam, 20 Mounting board, 21 Insulating board, 22 Mounting terminal , 23 Wiring pattern, 24 Internal wiring, 30 Sealing resin, 31 Airtight space, 40 Vertical coupling primary-third order DMS filter, 41-42 reflector, 43-45 IDT, 46-47 wiring pattern, 50 Vertical coupling 1 Next-third order DMS filter, 51-52 reflector, 53-55 IDT, 56-57 wiring pattern, 60 Vertical coupling primary-third order DMS filter, 61-62 reflector, 63-65 IDT, 66-67 wiring Pattern, 70 Longitudinal coupled primary-third order DMS filter, 71-72 reflector, 73-75 IDT, 76-77 wiring pattern, 80 longitudinally coupled primary-third order DMS filter, 81-82 reflector, 83-85 IDT, 86-87 wiring pattern, 90 longitudinally coupled primary-third order DMS filter, 91-92 Reflector, 93-95 IDT, 96-97 Wiring pattern, 100 Longitudinal coupled primary-third order DMS filter, 101-102 Reflector, 103-105 IDT, 106-107 Wiring pattern, 110 Vertically coupled primary-third order DMS filter, 111-112 reflector, 113-115 IDT, 116-117 wiring pattern, 200 SAW chip, 202 filter section, 203A-203H connection pad, 205 dam, 210 longitudinally coupled primary-third order DMS filter, 213- 215 IDT, 220 Longitudinal coupled primary-third order DMS filter 223-225 IDT

Claims

A mounting board comprising: an insulating substrate; a mounting terminal for surface mounting provided on the bottom of the insulating substrate; and a wiring pattern provided on the insulating substrate and electrically connected to the mounting terminal;
Conductor bumps,
A filter unit including a first SAW filter and a second SAW filter connected in series, and a piezoelectric substrate on which a connection pad connected to an input or output of the filter unit is formed, and the connection pad is interposed through the conductor bump. A SAW chip flip-chip mounted on the mounting substrate by being connected to the wiring pattern;
A sealing resin that covers an outer surface of the SAW chip so that an airtight space is formed between the SAW chip and the mounting substrate,
The outer periphery of the SAW chip is made of metal or alloy, and a dam is provided to prevent the sealing resin from flowing into the periphery of the SAW filter.
The filter section is
The first SAW filter and the second SAW filter include a first IDT connected to the connection pad, a second IDT and a third IDT arranged close to both sides of the first IDT. An IDT, and two reflectors disposed adjacent to and adjacent to the second IDT and the third IDT so as to sandwich the first IDT, the second IDT, and the third IDT, respectively A first-order-third-order dual-mode SAW filter using first-order and third-order vibration modes generated by acoustic coupling between the first IDT, the second IDT, and the third IDT The first comb electrode of the second IDT of the first SAW filter and the one comb electrode of the second IDT of the second SAW filter are connected to each other by wiring. S One comb electrode of the third IDT of the W filter and one comb electrode of the third IDT of the second SAW filter are connected by wiring, and the second IDT of the first SAW filter is connected. The other comb-shaped electrode and the other comb-shaped electrode of the third IDT, the other comb-shaped electrode of the second IDT of the second SAW filter, and the other comb-shaped electrode of the third IDT are connected to the dam. A SAW device that is connected by wiring.

In claim 1,
The dam is
A SAW device that is not connected to any of the conductor bumps.

In claim 1,
The dam is
A SAW device that is grounded via at least one of the conductor bumps.

In any one of Claims 1 thru | or 3,
A SAW device comprising a plurality of the filter units.

In any one of Claims 1 thru | or 4,
The filter section is
A SAW device characterized in that at least one of input and output is balanced.