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JP2010128192A - Manufacturing method of wiring board and display device - Google Patents

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JP2010128192A
JP2010128192A JP2008302806A JP2008302806A JP2010128192A JP 2010128192 A JP2010128192 A JP 2010128192A JP 2008302806 A JP2008302806 A JP 2008302806A JP 2008302806 A JP2008302806 A JP 2008302806A JP 2010128192 A JP2010128192 A JP 2010128192A
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JP
Japan
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wiring
manufacturing
ink
substrate
conductive layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP2008302806A
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Japanese (ja)
Inventor
Toru Senoo
亨 妹尾
Yuki Yasuda
有希 安田
Hiromitsu Katsui
宏充 勝井
Wataru Nakamura
渉 中村
Mitsuru Honda
充 本多
Katsuhiro Yamamoto
勝博 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2008302806A priority Critical patent/JP2010128192A/en
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Abstract

【課題】工程数の増加を抑制しながら配線抵抗を低下させることができる配線基板の製造方法及び表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に配線を備える配線基板の製造方法であって、上記製造方法は、上記基板上に上記配線を形成し、上記基板から上記配線を凸状に突出させる工程と、導電粒子を含むインクを吐出し、上記配線の上面の幅全体に連続して広がるインク滴を上記配線上に配置する工程と、上記インク滴を焼成し、上記配線上に導電層を形成する工程とを含む配線基板の製造方法である。
【選択図】 図5
A method of manufacturing a wiring board and a display device capable of reducing wiring resistance while suppressing an increase in the number of processes.
A method of manufacturing a wiring board comprising wiring on a substrate, the manufacturing method comprising: forming the wiring on the substrate and projecting the wiring from the substrate in a convex shape; and conductive particles And a step of disposing ink droplets continuously spreading over the entire width of the upper surface of the wiring on the wiring, and a step of firing the ink droplet and forming a conductive layer on the wiring. It is a manufacturing method of a wiring board containing.
[Selection] Figure 5

Description

本発明は、配線基板の製造方法及び表示装置に関する。より詳しくは、大型で高精細な表示装置に好適な配線基板の製造方法及び表示装置に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing a wiring board and a display device. More specifically, the present invention relates to a method of manufacturing a wiring board suitable for a large and high-definition display device and the display device.

表示装置の大型化、高精細化が進むにつれて、表示装置に使用される配線は、細く、かつ長くなる傾向がある。近年、上記傾向に伴った配線抵抗の増大に起因する信号遅延が問題視されており、配線抵抗を低下させる技術が望まれている。 As the display device is increased in size and definition, the wiring used in the display device tends to be thinner and longer. In recent years, signal delay due to an increase in wiring resistance accompanying the above trend has been regarded as a problem, and a technique for reducing the wiring resistance is desired.

配線の形成方法としては、一般的に、フォトリソグラフィ法、インクジェット法が知られている。 As a wiring formation method, a photolithography method and an ink jet method are generally known.

フォトリソグラフィ法は、CVD法等によって導電層を形成した後、導電層上にレジストパターンを形成し、レジストパターンに沿って導電層の不要な部分を除去することで、配線パターンを形成する方法である。フォトリソグラフィ法によれば、高精細な配線パターンを形成することができる。しかしながら、フォトリソグラフィ法では、導電層の不要な部分を除去する工程が必要であり、導電層の材料の利用効率が低いという点で改善の余地があった。 The photolithography method is a method of forming a wiring pattern by forming a conductive layer by a CVD method or the like, then forming a resist pattern on the conductive layer, and removing unnecessary portions of the conductive layer along the resist pattern. is there. According to the photolithography method, a high-definition wiring pattern can be formed. However, the photolithography method requires a step of removing unnecessary portions of the conductive layer, and there is room for improvement in that the utilization efficiency of the material of the conductive layer is low.

これに対し、インクジェット法は、金属等の導電性粒子が分散した溶液(インク)を基板等の表面に塗布した後、インク中の溶媒成分を除去することで導電層を形成する方法である。インクジェット法によれば、必要な部分だけに導電層を容易に形成することができるため、導電層の不要な部分を除去する工程を設けることなく、配線パターンを形成することができる。したがって、インクジェット法は、フォトリソグラフィ法と比較して、省資源化を実現することができるという点で優れていると言える。 In contrast, the ink jet method is a method in which a conductive layer is formed by applying a solution (ink) in which conductive particles such as metal are dispersed on the surface of a substrate or the like and then removing a solvent component in the ink. According to the inkjet method, a conductive layer can be easily formed only in a necessary portion, and thus a wiring pattern can be formed without providing a step of removing an unnecessary portion of the conductive layer. Therefore, it can be said that the inkjet method is superior in that resource saving can be realized as compared with the photolithography method.

インクジェット法を用いた配線の形成方法として、特許文献1では、バンクで区画された領域にインクを塗布した後、加熱処理によってインク中の溶媒成分を除去することで、薄膜を形成する態様が開示されている。
特開2006−78859号公報
As a method for forming a wiring using an inkjet method, Patent Document 1 discloses a mode in which a thin film is formed by applying ink to a region partitioned by a bank and then removing a solvent component in the ink by heat treatment. Has been.
JP 2006-78859 A

ところで、配線抵抗は、配線の断面積に反比例する傾向がある。したがって、元々の配線上に導電層を形成し、その導電層を配線の一部として利用することで、配線の断面積を増加させ、配線抵抗を低下させることができる。すなわち、配線抵抗を充分に低下させるという観点からは、厚い導電層を形成することが好ましい。 Incidentally, the wiring resistance tends to be inversely proportional to the cross-sectional area of the wiring. Therefore, by forming a conductive layer on the original wiring and using the conductive layer as a part of the wiring, the cross-sectional area of the wiring can be increased and the wiring resistance can be reduced. That is, it is preferable to form a thick conductive layer from the viewpoint of sufficiently reducing the wiring resistance.

インクジェット法を用いる場合、導電層の厚さは、配線上に配置されるインク滴の厚さ(インクの量)に比例する。したがって、インクジェット法を用いて厚い導電層を形成するためには、配線上に厚いインク滴を配置する必要がある。 When the ink jet method is used, the thickness of the conductive layer is proportional to the thickness (ink amount) of the ink droplet disposed on the wiring. Therefore, in order to form a thick conductive layer using the inkjet method, it is necessary to dispose thick ink droplets on the wiring.

ここで、従来の方法で配線上にインク滴を配置したときのインク滴の挙動について、図を参照して説明する。図7は、従来の方法で配線上にインク滴が配置された状態を示す平面模式図である。また、図8(a)は、図7中のB1−B2線に対応する断面模式図であり、(b)は(a)中の破線で囲まれた領域を拡大した図である。図7及び図8においては、絶縁基板122上に、配線層110a、110b、110cが絶縁基板122側からこの順に積層された積層配線110が配置されており、積層配線110上(配線層110c上)にインク滴121aが配置されている。 Here, the behavior of the ink droplet when the ink droplet is arranged on the wiring by the conventional method will be described with reference to the drawings. FIG. 7 is a schematic plan view showing a state in which ink droplets are arranged on the wiring by a conventional method. 8A is a schematic cross-sectional view corresponding to the line B1-B2 in FIG. 7, and FIG. 8B is an enlarged view of a region surrounded by a broken line in FIG. 7 and 8, a laminated wiring 110 in which wiring layers 110a, 110b, and 110c are laminated in this order from the insulating substrate 122 side is arranged on the insulating substrate 122, and the laminated wiring 110 (on the wiring layer 110c) is arranged. ) Is provided with ink droplets 121a.

図7及び図8に示すように、従来の方法で配線層110c上にインク滴121aを配置すると、インク滴121aは図7中の白矢印の方向に広がっていく。このとき、インク滴121aの厚さは、配線層110cの上面に対するインク滴121aの接触角によって決定される。一般的な材料を用いて配線層110c及びインク滴121aを形成した場合、配線層110cの上面に対するインク滴121aの接触角は6°未満である。この状態でインク滴121aを焼成して導電層を形成したとしても、充分な厚さの導電層を形成することができない。したがって、従来の方法では、配線層110c上に厚い導電層を形成するためには、配線層110cの上面の外縁に対してフッ素プラズマ処理等の撥液化処理を行い、配線層110cの上面に対するインク滴121aの接触角を大きくする必要があり、工程数が増加するという点で改善の余地があった。 As shown in FIGS. 7 and 8, when the ink droplet 121a is arranged on the wiring layer 110c by the conventional method, the ink droplet 121a spreads in the direction of the white arrow in FIG. At this time, the thickness of the ink droplet 121a is determined by the contact angle of the ink droplet 121a with respect to the upper surface of the wiring layer 110c. When the wiring layer 110c and the ink droplet 121a are formed using a general material, the contact angle of the ink droplet 121a with respect to the upper surface of the wiring layer 110c is less than 6 °. Even if the ink droplet 121a is baked in this state to form the conductive layer, the conductive layer having a sufficient thickness cannot be formed. Therefore, in the conventional method, in order to form a thick conductive layer on the wiring layer 110c, the outer edge of the upper surface of the wiring layer 110c is subjected to a liquid repellency treatment such as a fluorine plasma treatment, and the ink on the upper surface of the wiring layer 110c. There is room for improvement in that the contact angle of the droplet 121a needs to be increased and the number of steps increases.

また、撥液性を有する特別な材料を用いて配線層110cを形成することでも、配線層110cの上面に対するインク滴121aの接触角を大きくすることができる。しかしながら、この方法では、配線層110cの上面に、一回の描画でライン状にインク滴121aを配置することが困難であるため、複数回の描画や乾燥工程が必要となるという点で改善の余地があった。 Further, the contact angle of the ink droplet 121a with respect to the upper surface of the wiring layer 110c can also be increased by forming the wiring layer 110c using a special material having liquid repellency. However, this method is difficult in that it is difficult to arrange the ink droplets 121a in a line by a single drawing on the upper surface of the wiring layer 110c, so that a plurality of drawing and drying steps are required. There was room.

更に、特許文献1のように、バンクによって囲まれた領域(断面が凹形状である領域)にインク滴を配置することにより、厚い導電層を形成することができる。しかしながら、この方法では、バンクを形成するための工程を設ける必要があり、工程数が増加するという点で改善の余地があった。 Furthermore, as in Patent Document 1, a thick conductive layer can be formed by disposing ink droplets in a region surrounded by banks (region having a concave cross section). However, this method requires a process for forming a bank, and there is room for improvement in that the number of processes increases.

本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、工程数の増加を抑制しながら配線抵抗を低下させることができる配線基板の製造方法及び表示装置を提供することを目的とするものである。 The present invention has been made in view of the above situation, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a wiring board and a display device that can reduce the wiring resistance while suppressing an increase in the number of processes. .

本発明者らは、工程数の増加を抑制しながら配線抵抗を低下させることができる配線基板の製造方法について種々検討したところ、配線上に配置されるインク滴の幅と、配線の上面に対するインク滴の接触角との関係に着目した。そして、配線の上面の幅全体に連続してインク滴を配置することで、配線の幅方向の端部上で働く表面張力によってインク滴が保持(ピン止め)されることを見いだすとともに、上記表面張力を利用することで、配線に対するインク滴の接触角を大きくし、配線上にインク滴を厚く積むことができることを見いだし、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。 The inventors of the present invention have made various studies on a method of manufacturing a wiring board that can reduce the wiring resistance while suppressing an increase in the number of processes. As a result, the width of ink droplets arranged on the wiring and the ink on the upper surface of the wiring We focused on the relationship with the contact angle of the drops. And by arranging ink droplets continuously over the entire width of the upper surface of the wiring, it is found that the ink droplets are held (pinned) by the surface tension acting on the end in the width direction of the wiring, and the above surface By using the tension, the contact angle of the ink droplet with respect to the wiring is increased, and it has been found that the ink droplet can be thickly stacked on the wiring, and the inventors have conceived that the above problems can be solved brilliantly, thereby reaching the present invention. It is a thing.

すなわち、本発明は、基板上に配線を備える配線基板の製造方法であって、上記製造方法は、上記基板上に上記配線を形成し、上記基板から上記配線を凸状に突出させる工程と、導電粒子を含むインクを吐出し、上記配線の上面の幅全体に連続して広がるインク滴を上記配線上に配置する工程と、上記インク滴を焼成し、上記配線上に導電層を形成する工程とを含む配線基板の製造方法である。
以下に本発明を詳述する。
That is, the present invention is a method for manufacturing a wiring board comprising wiring on a substrate, the manufacturing method includes forming the wiring on the substrate and projecting the wiring from the substrate in a convex shape, A step of ejecting ink containing conductive particles and disposing ink droplets continuously spreading over the entire width of the upper surface of the wiring on the wiring; and firing the ink droplets to form a conductive layer on the wiring A method for manufacturing a wiring board including:
The present invention is described in detail below.

上記基板から上記配線を凸状に突出させた状態とは、基板上に配置された配線の周囲にバンク等の隔壁が形成されていない状態(配線の幅方向に沿った配線基板の断面が凹形状ではない状態)をいい、例えば、後述の図2に示した状態をいう。この状態で配線上にインク滴を配置するとき、配線の上面に配置されるインク滴の幅を配線の上面の幅よりも小さくすると、図7及び図8に示したように、配線(配線層110c)上でインク滴(インク滴121a)が広がり、配線上にインク滴を厚く積むことができない。これに対し、本発明の配線基板の製造方法によれば、インクを吐出する領域を調節し、配線の上面の幅全体に連続して広がるようにインク滴を配置することで、配線上に配置されるインク滴を厚くすることができるため、インク滴を保持するためのバンクを配線の周囲に形成する必要がない。これにより、工程数の増加を抑制しながら、配線抵抗を低下させることができる。 The state in which the wiring is protruded from the substrate is a state in which no partition walls such as banks are formed around the wiring arranged on the substrate (the cross section of the wiring substrate along the width direction of the wiring is concave). For example, the state shown in FIG. 2 described later. When ink droplets are arranged on the wiring in this state, if the width of the ink droplets arranged on the upper surface of the wiring is made smaller than the width of the upper surface of the wiring, as shown in FIG. 7 and FIG. 110c), the ink droplet (ink droplet 121a) spreads, and the ink droplet cannot be thickly stacked on the wiring. On the other hand, according to the method for manufacturing a wiring board of the present invention, the ink ejection area is adjusted and the ink droplets are arranged so as to spread continuously over the entire width of the upper surface of the wiring. Therefore, it is not necessary to form a bank for holding the ink droplet around the wiring. Thereby, wiring resistance can be reduced, suppressing the increase in the number of processes.

また、本発明の配線基板の製造方法によれば、バンクが配線の上面の外縁に対して撥液化処理を行うことなく、配線上に配置されるインク滴を厚くすることができるため、工程数の増加を抑制しながら、配線抵抗を低下させることができる。このように、本発明は、配線の上面に対して撥液化処理を行う工程及び/又は配線の周囲にバンクを形成する工程を含まない態様に特に好適である。 Further, according to the method for manufacturing a wiring board of the present invention, the ink droplets disposed on the wiring can be thickened without the bank performing the liquid repellency treatment on the outer edge of the upper surface of the wiring. The wiring resistance can be reduced while suppressing the increase in the resistance. Thus, the present invention is particularly suitable for an aspect that does not include a step of performing a liquid repellent treatment on the upper surface of the wiring and / or a step of forming a bank around the wiring.

上記インクは、導電粒子と溶媒とを混合した溶液である。上記導電粒子は、インク滴を焼成する工程で融着等をすることにより、導電層を形成することができる粒子であればよく、例えば、Ag、Cu等の単一の金属からなる金属粒子や、Ag、Cu等を含む合金からなる合金粒子を好適に用いることができる。また、上記溶媒は、インク滴を焼成する工程で容易に除去される溶媒であればよく、例えば、0.005〜0.015Pa・s(5〜15cP)の粘度を有するテトラデカンを好適に用いることができる。 The ink is a solution in which conductive particles and a solvent are mixed. The conductive particles may be particles that can form a conductive layer by fusing or the like in the step of firing ink droplets. For example, metal particles made of a single metal such as Ag and Cu, Alloy particles made of an alloy containing Ag, Ag, Cu and the like can be suitably used. Moreover, the said solvent should just be a solvent removed easily at the process of baking an ink drop, for example, should use tetradecane which has a viscosity of 0.005-0.015 Pa.s (5-15 cP) suitably. Can do.

上記導電粒子は、ナノ粒子(平均粒子径1μm未満)であることが好ましい。これにより、配線上に抵抗の低い導電層を形成することができ、配線抵抗をより低下させることができる。また、インク中での導電粒子の分散安定性が向上し、導電粒子の凝集による沈殿物の発生を抑制することができる。更に、導電粒子の融点が低下するため、導電層を形成するためのインク滴の焼成を低温で行うことができる。 The conductive particles are preferably nanoparticles (average particle diameter of less than 1 μm). Thereby, a conductive layer having a low resistance can be formed on the wiring, and the wiring resistance can be further reduced. Further, the dispersion stability of the conductive particles in the ink is improved, and the generation of precipitates due to the aggregation of the conductive particles can be suppressed. Furthermore, since the melting point of the conductive particles is lowered, ink droplets for forming the conductive layer can be fired at a low temperature.

なお、本明細書において、配線の幅とは、配線の延伸方向に直交する方向の配線の長さを意味する。また、本明細書において、上とは、基板からより遠い方を意味し、下とは、基板により近い方を意味する。 Note that in this specification, the width of the wiring means the length of the wiring in a direction orthogonal to the extending direction of the wiring. In the present specification, “upper” means a side farther from the substrate, and “lower” means a side closer to the substrate.

本発明の配線基板の製造方法は、上記工程を有するものである限り、その他の工程により特に限定されるものではないが、配線の上面に対して撥液化処理を行う工程及び/又は配線の周囲にバンクを形成する工程を含まない態様が好適である。
本発明の配線基板の製造方法における好ましい態様について、以下に詳しく説明する。なお、以下に示す各種態様は、適宜組み合わされてもよい。
The method for producing a wiring board of the present invention is not particularly limited by other steps as long as it has the above-described steps, but a step of performing a liquid repellency treatment on the upper surface of the wiring and / or the periphery of the wiring An embodiment that does not include a step of forming a bank is preferable.
The preferable aspect in the manufacturing method of the wiring board of this invention is demonstrated in detail below. In addition, the various aspects shown below may be combined as appropriate.

上記配線の上面近傍の断面は、逆テーパ形状であることが好ましい。これにより、配線上に配置されるインク滴の量を多くし、より厚い導電層を形成することができる。その結果、配線抵抗をより低下させることができる。なお、上記配線の上面近傍とは、上記配線の上面から50nmまでの領域を含むことが好ましく、例えば、上面から400nmまでの領域が挙げられる。また、上記配線の上面近傍は、上記配線の上面から底面までの領域であることがより好ましい。なお、上記配線が複数の配線層が積層されて形成された積層配線である場合、複数の配線層の中で一番上に配置される配線層、すなわち、インク滴に直接接する配線層(インク滴の直下に位置する配線層)の上面近傍の断面が、逆テーパ形状であればよい。 The cross section in the vicinity of the upper surface of the wiring preferably has an inversely tapered shape. Thereby, the amount of ink droplets arranged on the wiring can be increased and a thicker conductive layer can be formed. As a result, the wiring resistance can be further reduced. Note that the vicinity of the upper surface of the wiring preferably includes a region from the upper surface of the wiring to 50 nm, for example, a region from the upper surface to 400 nm. The vicinity of the upper surface of the wiring is more preferably a region from the upper surface to the bottom surface of the wiring. When the wiring is a laminated wiring formed by laminating a plurality of wiring layers, the wiring layer arranged at the top of the plurality of wiring layers, that is, a wiring layer (ink) that is in direct contact with ink droplets. The cross section in the vicinity of the upper surface of the wiring layer located immediately below the droplets only needs to be reversely tapered.

なお、本明細書において、逆テーパ形状とは、基板表面に対する側面の角度(テーパ角)が90°を超える形状をいい、他方、順テーパ形状とは、基板表面に対する側面の角度が90°未満の形状をいう。 In this specification, the reverse tapered shape refers to a shape in which the side surface angle (taper angle) with respect to the substrate surface exceeds 90 °, while the forward tapered shape refers to a side surface angle with respect to the substrate surface of less than 90 °. The shape.

上記インク滴は、上記配線の上面に対する接触角が6°以上であることが好ましい。これにより、配線上の導電層の厚さをより確実に確保することができ、配線抵抗をより確実に低下させることができる。なお、配線に対するインク滴の接触角が10°を超えると、配線上にインク滴を保持しておくことができなくなるおそれがある。したがって、上記インク滴は、上記配線の上面に対する接触角が10°以下であることが好ましい。すなわち、上記インク滴は、上記配線の上面に対する接触角が6〜10°であることがより好ましい。また、配線に対するインク滴の接触角の測定方法としては特に限定されず、例えば、配線の断面方向から、配線上に配置したインク滴の形をスクリーン上に投影して測定する方法が挙げられる。 The ink droplet preferably has a contact angle of 6 ° or more with respect to the upper surface of the wiring. Thereby, the thickness of the conductive layer on the wiring can be ensured more reliably, and the wiring resistance can be more reliably reduced. If the contact angle of the ink droplet with respect to the wiring exceeds 10 °, there is a possibility that the ink droplet cannot be held on the wiring. Therefore, the ink droplet preferably has a contact angle with respect to the upper surface of the wiring of 10 ° or less. That is, the contact angle of the ink droplet with respect to the upper surface of the wiring is more preferably 6 to 10 °. In addition, the method for measuring the contact angle of the ink droplet with respect to the wiring is not particularly limited, and for example, a method of measuring the shape of the ink droplet arranged on the wiring on the screen from the cross-sectional direction of the wiring can be mentioned.

上記インクは、上記配線の上面に対して垂直な方向から吐出されることが好ましい。これにより、配線上にインク滴を均一に配置することができ、表面凹凸の少ない導電層を配線上に形成することができる。 The ink is preferably ejected from a direction perpendicular to the upper surface of the wiring. Thereby, ink droplets can be uniformly arranged on the wiring, and a conductive layer with less surface irregularities can be formed on the wiring.

本発明はまた、本発明の配線基板の製造方法を用いて製造された配線基板を備える表示装置でもある。本発明の配線基板の製造方法を用いて製造された配線基板は、配線抵抗が低いという特徴を有している。したがって、例えば、ゲートバスライン等の配線を備える表示装置用の薄膜トランジスタ基板に対して本発明の配線基板の製造方法を適用することにより、配線抵抗の低い薄膜トランジスタ基板を製造することができるため、大型で高精細の表示装置における信号遅延の発生を抑制することができる。 This invention is also a display apparatus provided with the wiring board manufactured using the manufacturing method of the wiring board of this invention. A wiring board manufactured by using the method for manufacturing a wiring board according to the present invention has a feature of low wiring resistance. Therefore, for example, a thin film transistor substrate with low wiring resistance can be manufactured by applying the method for manufacturing a wiring substrate of the present invention to a thin film transistor substrate for a display device including wiring such as gate bus lines. Thus, the occurrence of signal delay in a high-definition display device can be suppressed.

本発明の配線基板の製造方法及び表示装置によれば、工程数の増加を抑制しながら配線抵抗を低下させることができる配線基板の製造方法及び表示装置を提供することができる。 According to the wiring board manufacturing method and display device of the present invention, it is possible to provide a wiring board manufacturing method and display device capable of reducing the wiring resistance while suppressing an increase in the number of processes.

以下に実施形態を掲げ、本発明を図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。 Embodiments will be described below, and the present invention will be described in more detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited only to these embodiments.

(実施形態1)
本実施形態の表示装置は、液晶表示パネルと、液晶表示パネルの背面側に設けられたバックライトユニットとを備える液晶表示装置である。液晶表示パネルは、薄膜トランジスタ(TFT)基板と、カラーフィルタ(CF)基板と、両基板の間に挟持された液晶層とを備えている。
(Embodiment 1)
The display device of this embodiment is a liquid crystal display device including a liquid crystal display panel and a backlight unit provided on the back side of the liquid crystal display panel. The liquid crystal display panel includes a thin film transistor (TFT) substrate, a color filter (CF) substrate, and a liquid crystal layer sandwiched between the two substrates.

次に、主に1つの絵素に着目し、本実施形態の構成を図を参照して詳細に説明する。図1は、本実施形態の表示装置におけるTFT基板の絵素を示す平面模式図である。図1に示すように、TFT基板は、液晶表示パネルを正面視したときの左右方向に互いに平行に延設されたゲートバスライン10と、各ゲートバスライン10に直交する方向、すなわち液晶表示パネルを正面視したときの上下方向に互いに平行に延設されたソースバスライン11と、各ゲートバスライン10に平行に、すなわち液晶表示パネルを正面視したときの左右方向に延設されたCsバスライン(保持容量配線)12とを備えている。このように、各ゲートバスライン10及び各Csバスライン12は、互いに交互、かつ平行に配置される。本実施形態において、各絵素領域は、概略、これら各ゲートバスライン10及び各ソースバスライン11で囲まれた領域として規定され、マトリクス状に配置されている。また、ゲートバスライン10及びソースバスライン11の交差部近傍には、TFT13が設けられている。TFT13は、ゲート配線18と重なって形成された半導体層16と、半導体層16と一部平面的に重なって形成されたソース配線17及びドレイン配線14とを備えている。ドレイン配線14は、TFT13とは反対側の端部に平面視略矩形状の保持容量部19を有し、保持容量部19は、コンタクトホール20を介して画素電極15と電気的に接続されている。 Next, mainly focusing on one picture element, the configuration of this embodiment will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic plan view showing a picture element of a TFT substrate in the display device of this embodiment. As shown in FIG. 1, the TFT substrate includes a gate bus line 10 extending in parallel in the left-right direction when the liquid crystal display panel is viewed from the front, and a direction orthogonal to each gate bus line 10, that is, the liquid crystal display panel. When viewed from the front, the source bus lines 11 extending in parallel with each other in the vertical direction and the Cs bus extending in parallel with each gate bus line 10, that is, extending in the left-right direction when the liquid crystal display panel is viewed from the front. Line (holding capacity wiring) 12. Thus, the gate bus lines 10 and the Cs bus lines 12 are alternately arranged in parallel with each other. In the present embodiment, each picture element region is roughly defined as a region surrounded by each gate bus line 10 and each source bus line 11 and is arranged in a matrix. A TFT 13 is provided near the intersection of the gate bus line 10 and the source bus line 11. The TFT 13 includes a semiconductor layer 16 formed so as to overlap the gate wiring 18, and a source wiring 17 and a drain wiring 14 formed so as to partially overlap the semiconductor layer 16 in plan view. The drain wiring 14 has a storage capacitor portion 19 having a substantially rectangular shape in plan view at the end opposite to the TFT 13, and the storage capacitor portion 19 is electrically connected to the pixel electrode 15 through the contact hole 20. Yes.

ゲートバスライン10は、3層の配線層が積層された積層配線であり、ゲートバスライン10上には、導電層21が配置されている。図2は、図1中のA1−A2線に対応する断面模式図である。図2に示すように、ゲートバスライン10は、無色透明な絶縁基板22上に、絶縁基板22側から、順テーパ形状を有する配線層10a、10bと、逆テーパ形状を有する配線層10cとがこの順に積層されて構成されている。更に、ゲートバスライン10上(配線層10c上)には、金属ナノ粒子を用いて形成された導電層21が配置されている。導電層21は、ゲートバスライン10の一部として機能する。 The gate bus line 10 is a laminated wiring in which three wiring layers are laminated, and a conductive layer 21 is disposed on the gate bus line 10. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view corresponding to line A1-A2 in FIG. As shown in FIG. 2, the gate bus line 10 includes a wiring layer 10a, 10b having a forward taper shape and a wiring layer 10c having a reverse taper shape on a colorless and transparent insulating substrate 22 from the insulating substrate 22 side. They are stacked in this order. Furthermore, a conductive layer 21 formed using metal nanoparticles is disposed on the gate bus line 10 (on the wiring layer 10c). The conductive layer 21 functions as a part of the gate bus line 10.

以下、本実施形態の表示装置の製造方法について説明する。なお、ここでは、導電層21が配置されたゲートバスライン10の製造方法についてのみ説明するが、その他の部材の製造方法については特に限定されず、一般的な方法を用いて製造すればよい。 Hereinafter, a method for manufacturing the display device of this embodiment will be described. Here, only the manufacturing method of the gate bus line 10 in which the conductive layer 21 is disposed will be described, but the manufacturing method of other members is not particularly limited, and may be manufactured using a general method.

図3(a)〜(c)は、実施形態1のゲートバスラインの製造工程を示す断面模式図である。
まず、基板22を準備する。基板22の材質としては特に限定されず、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、金属板、プラスチック基板、フレキシブル有機基板及びステンレス板の表面に絶縁膜が形成された基板等を用いることができる。本実施形態では、基板22として、無色透明な絶縁基板であるガラス基板を使用している。
3A to 3C are schematic cross-sectional views illustrating the manufacturing process of the gate bus line according to the first embodiment.
First, the substrate 22 is prepared. The material of the substrate 22 is not particularly limited, and a glass substrate, a quartz substrate, a silicon substrate, a metal plate, a plastic substrate, a flexible organic substrate, a substrate having an insulating film formed on the surface of a stainless plate, or the like can be used. In this embodiment, a glass substrate which is a colorless and transparent insulating substrate is used as the substrate 22.

次に、スパッタ法を用いて、配線層10a、10b、10cを基板22側からこの順に形成する(図3(a))。配線層10a、10b、10cの材料としては、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)、銅(Cu)、銀(Ag)等の低抵抗金属、又は、これら低抵抗金属を主成分とする合金材料若しくは化合物材料を好適に用いることができる。本実施形態では、配線層10a、10cの材料としてTiを使用し、配線層10bの材料としてAlを使用している。このように、Tiを使用した配線層10a、10cの間にAlを使用した配線層10bを配置することで、ヒロックの発生を防止することができる。 Next, the wiring layers 10a, 10b, and 10c are formed in this order from the substrate 22 side by sputtering (FIG. 3A). As a material of the wiring layers 10a, 10b, and 10c, low resistance metals such as aluminum (Al), titanium (Ti), molybdenum (Mo), copper (Cu), silver (Ag), or these low resistance metals are mainly used. An alloy material or a compound material as a component can be preferably used. In this embodiment, Ti is used as the material of the wiring layers 10a and 10c, and Al is used as the material of the wiring layer 10b. Thus, by arranging the wiring layer 10b using Al between the wiring layers 10a and 10c using Ti, generation of hillocks can be prevented.

次に、フォトリソグラフィ法を用いて、配線層10a、10b、10cをパターニングする(図3(b))。これにより、ゲートバスライン10を形成することができる。後の工程でインク滴21aが配置される配線層10cの上面の幅は、数十〜数百μmであればよい。また、配線層10cのテーパ角は、90°を超えている。すなわち、配線層10cの断面は、逆テーパ形状である。 Next, the wiring layers 10a, 10b, and 10c are patterned by photolithography (FIG. 3B). Thereby, the gate bus line 10 can be formed. The width of the upper surface of the wiring layer 10c on which the ink droplets 21a are arranged in a later step may be several tens to several hundreds of μm. Further, the taper angle of the wiring layer 10c exceeds 90 °. That is, the cross section of the wiring layer 10c has an inversely tapered shape.

次に、インクジェット装置を用いて、インク滴21aをゲートバスライン10上(配線層10c上)に配置する(図3(c))。より具体的には、配線層10cの上面に対して、導電粒子を含むインクを滴状にしてインクヘッドから分散して吐出する。配線層10cの上面に着弾した複数の液滴(滴状のインク)は、配線層10c上で広がり、液滴同士が集合することで、一続きの形状を有するインク滴21aが形成される。このようにして、配線層10cの上面の幅全体に連続して広がるインク滴21aを配線層10c上に配置することができる。インク滴21aの厚さは、数μm程度であればよい。本実施形態では、3〜10pl/滴の液滴を、着弾面(配線層10cの上面)に対して垂直な方向から5〜10m/sの飛翔速度で吐出している。また、液滴を吐出するインクヘッドは、ノズル直径が30μm〜20mm(20φ)であればよい。インクに含まれる導電粒子は、Ag、Cu等の単一の金属からなる金属粒子や、Ag、Cu等を含む合金からなる合金粒子を好適に用いることができ、粒子径は、3〜7nmであることが好ましい。このように、導電粒子は金属ナノ粒子であることが好ましい。また、インクに含まれる溶媒は、0.005〜0.015Pa・s(5〜15cP)の粘度を有するテトラデカンを好適に用いることができる。インクの比重は、1.62g/ml程度であればよい。 Next, the ink droplet 21a is arranged on the gate bus line 10 (on the wiring layer 10c) using the ink jet device (FIG. 3C). More specifically, ink containing conductive particles is dropped from the ink head and discharged onto the upper surface of the wiring layer 10c. A plurality of liquid droplets (droplet ink) landed on the upper surface of the wiring layer 10c spread on the wiring layer 10c, and the liquid droplets gather to form an ink droplet 21a having a continuous shape. In this manner, the ink droplets 21a that continuously spread over the entire width of the upper surface of the wiring layer 10c can be disposed on the wiring layer 10c. The thickness of the ink droplet 21a may be about several μm. In this embodiment, 3 to 10 pl / droplet droplets are ejected at a flying speed of 5 to 10 m / s from a direction perpendicular to the landing surface (the upper surface of the wiring layer 10c). Moreover, the ink head which discharges a droplet should just have a nozzle diameter of 30 micrometers-20 mm (20 (phi)). As the conductive particles contained in the ink, metal particles made of a single metal such as Ag or Cu, or alloy particles made of an alloy containing Ag, Cu or the like can be suitably used, and the particle diameter is 3 to 7 nm. Preferably there is. Thus, the conductive particles are preferably metal nanoparticles. As the solvent contained in the ink, tetradecane having a viscosity of 0.005 to 0.015 Pa · s (5 to 15 cP) can be preferably used. The specific gravity of the ink may be about 1.62 g / ml.

その後、インク滴21aを焼成することで、インク滴21a中の溶媒成分を除去するとともに、導電粒子を融着させる。これにより、ゲートバスライン10上(配線層10c上)に導電層21が形成される。焼成は、大気や窒素雰囲気の下、200〜400℃で10〜60分間行うことが好ましい。このような工程を経て、図2に示すように、ゲートバスライン10上に導電層21を形成することができる。導電層21の膜厚は、数百nmであればよい。以上の工程を経て、図2に示すように、ゲートバスライン10上(配線層10c上)に導電層21を形成することができる。 Thereafter, the ink droplet 21a is baked to remove the solvent component in the ink droplet 21a and to fuse the conductive particles. Thereby, the conductive layer 21 is formed on the gate bus line 10 (on the wiring layer 10c). Firing is preferably performed at 200 to 400 ° C. for 10 to 60 minutes in an air or nitrogen atmosphere. Through such steps, the conductive layer 21 can be formed on the gate bus line 10 as shown in FIG. The film thickness of the conductive layer 21 may be several hundred nm. Through the above steps, the conductive layer 21 can be formed on the gate bus line 10 (on the wiring layer 10c) as shown in FIG.

ここで、本実施形態において、ゲートバスライン10上に充分な厚さを有する導電層21を形成することができる理由について、図を参照してより詳細に説明する。図4は、実施形態1の表示装置の製造工程において、ゲートバスライン上にインク滴が配置された状態を示す平面模式図である。また、図5(a)は、図4中のA3−A4線に対応する断面模式図であり、(b)は(a)中の破線で囲まれた領域を拡大した図である。更に、図6は、インク滴が配置された状態のゲートバスラインを示す平面写真である。 Here, the reason why the conductive layer 21 having a sufficient thickness can be formed on the gate bus line 10 in the present embodiment will be described in more detail with reference to the drawings. FIG. 4 is a schematic plan view illustrating a state in which ink droplets are arranged on the gate bus line in the manufacturing process of the display device according to the first embodiment. 5A is a schematic cross-sectional view corresponding to the line A3-A4 in FIG. 4, and FIG. 5B is an enlarged view of a region surrounded by a broken line in FIG. Further, FIG. 6 is a plan photograph showing the gate bus line in a state where ink droplets are arranged.

図4〜6に示すように、本実施形態では、配線層10cの上面の幅全体に連続して広がるインク滴21aが配置される。すなわち、配線層10cの上面の幅は、インク滴21aの底面の幅と等しくなっている。これにより、配線層10cの幅方向の端部上では、表面張力によってインク滴21aが保持される効果が発生する。したがって、インク滴21aは、配線層10cの上面の幅以上に広がることなく、厚さ方向に膨らんだ形状で配線層10c上に配置される。その結果、図7に示した従来の態様と比較して、配線層10c上に厚いインク滴21aを配置することが可能となり、充分な厚さの導電層21を形成することができる。本実施形態では、膜厚が数百nmの導電層21をゲートバスライン10上に配置することで、ゲートバスライン10の配線抵抗を1/2以下にしている。このようにして、ゲートバスライン10の配線抵抗を低下させ、信号遅延の発生を抑制することができる。 As shown in FIGS. 4-6, in this embodiment, the ink droplet 21a which spreads continuously over the whole width | variety of the upper surface of the wiring layer 10c is arrange | positioned. That is, the width of the upper surface of the wiring layer 10c is equal to the width of the bottom surface of the ink droplet 21a. Thereby, the effect that the ink droplet 21a is held by the surface tension is generated on the end portion in the width direction of the wiring layer 10c. Therefore, the ink droplet 21a is disposed on the wiring layer 10c in a shape that swells in the thickness direction without spreading beyond the width of the upper surface of the wiring layer 10c. As a result, it is possible to dispose thick ink droplets 21a on the wiring layer 10c as compared with the conventional mode shown in FIG. 7, and the conductive layer 21 having a sufficient thickness can be formed. In the present embodiment, by arranging the conductive layer 21 having a thickness of several hundred nm on the gate bus line 10, the wiring resistance of the gate bus line 10 is reduced to ½ or less. In this way, the wiring resistance of the gate bus line 10 can be reduced and the occurrence of signal delay can be suppressed.

また、本実施形態では、インクを吐出する領域を調節し、配線層10cの上面の幅全体に広がるようにインク滴21aを配置することで、インク滴21aを厚くすることができるため、配線層10cを囲むようにバンクを形成したり、配線層10cの上面の外縁に対して撥液化処理を行う必要がない。したがって、工程数の増加を抑制しながら、配線抵抗を低下させることができる。 In the present embodiment, the ink droplet 21a can be thickened by adjusting the region where ink is ejected and arranging the ink droplet 21a so as to spread over the entire width of the upper surface of the wiring layer 10c. There is no need to form a bank so as to surround 10c or to perform a liquid repellency treatment on the outer edge of the upper surface of the wiring layer 10c. Accordingly, it is possible to reduce the wiring resistance while suppressing an increase in the number of processes.

また、本実施形態では、配線層10cの断面が逆テーパ形状である。これにより、配線層10c上に保持されるインク滴21aの量を多くし、配線層10c上により厚いインク滴21aを配置することが可能となる。その結果、導電層21をより厚く形成することができ、ゲートバスライン10の配線抵抗をより低下させることができる。 In the present embodiment, the cross section of the wiring layer 10c has an inversely tapered shape. As a result, the amount of ink droplets 21a held on the wiring layer 10c can be increased, and thicker ink droplets 21a can be disposed on the wiring layer 10c. As a result, the conductive layer 21 can be formed thicker, and the wiring resistance of the gate bus line 10 can be further reduced.

更に、本実施形態では、配線層10cに対するインク滴21aの接触角が6°以上である。これにより、配線層10c上の導電層21の厚さをより確実に確保することができ、ゲートバスライン10の配線抵抗をより確実に低下させることができる。 Furthermore, in the present embodiment, the contact angle of the ink droplet 21a with respect to the wiring layer 10c is 6 ° or more. Thereby, the thickness of the conductive layer 21 on the wiring layer 10c can be ensured more reliably, and the wiring resistance of the gate bus line 10 can be more reliably reduced.

そして、本実施形態では、配線層10cの上面に対して垂直な方向からインクを吐出している。これにより、配線層10c上にインク滴21aを均一に配置することができ、表面凹凸の少ない導電層21を形成することができる。 In this embodiment, ink is ejected from a direction perpendicular to the upper surface of the wiring layer 10c. Thereby, the ink droplets 21a can be uniformly arranged on the wiring layer 10c, and the conductive layer 21 with less surface unevenness can be formed.

このように、本実施形態では、ゲートバスライン10の配線抵抗を低下させることにより、信号遅延の発生を抑制することができる。したがって、本実施形態の表示装置は、信号遅延が問題視されている大型で高精細の表示装置に対して特に好適に用いることができる。 As described above, in the present embodiment, the occurrence of signal delay can be suppressed by reducing the wiring resistance of the gate bus line 10. Therefore, the display device of the present embodiment can be particularly suitably used for a large and high-definition display device in which signal delay is regarded as a problem.

なお、本実施形態では、導電層21をゲートバスライン10に対して配置する場合を例にして説明したが、ゲートバスライン10以外の配線に導電層21を配置してもよい。例えば、ゲートバスライン10と同一層に配置されているCs配線12に対して導電層21を配置する場合は、Cs配線12の上面の幅全体に連続してインク滴21aを配置すればよい。 In the present embodiment, the case where the conductive layer 21 is disposed with respect to the gate bus line 10 has been described as an example. However, the conductive layer 21 may be disposed on a wiring other than the gate bus line 10. For example, when the conductive layer 21 is disposed on the Cs wiring 12 disposed in the same layer as the gate bus line 10, the ink droplet 21 a may be disposed continuously over the entire width of the upper surface of the Cs wiring 12.

本実施形態の表示装置におけるTFT基板の絵素を示す平面模式図である。It is a plane schematic diagram which shows the pixel of the TFT substrate in the display apparatus of this embodiment. 図1中のA1−A2線に対応する断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram corresponding to the A1-A2 line in FIG. (a)〜(c)は、実施形態1のゲートバスラインの製造工程を示す断面模式図である。(A)-(c) is a cross-sectional schematic diagram which shows the manufacturing process of the gate bus line of Embodiment 1. FIG. 実施形態1の表示装置の製造工程において、ゲートバスライン上にインク滴が配置された状態を示す平面模式図である。FIG. 6 is a schematic plan view illustrating a state in which ink droplets are arranged on the gate bus line in the manufacturing process of the display device according to the first embodiment. (a)は、図4中のA3−A4線に対応する断面模式図であり、(b)は(a)中の破線で囲まれた領域を拡大した図である。(A) is the cross-sectional schematic diagram corresponding to the A3-A4 line in FIG. 4, (b) is the figure which expanded the area | region enclosed with the broken line in (a). インク滴が配置された状態のゲートバスラインを示す平面写真である。It is a top view photograph which shows a gate bus line in the state where an ink drop was arranged. 従来の方法で配線上にインク滴が配置された状態を示す平面模式図である。It is a plane schematic diagram which shows the state by which the ink droplet was arrange | positioned on wiring by the conventional method. (a)は、図7中のB1−B2線に対応する断面模式図であり、(b)は(a)中の破線で囲まれた領域を拡大した図である。(A) is the cross-sectional schematic diagram corresponding to the B1-B2 line in FIG. 7, (b) is the figure which expanded the area | region enclosed with the broken line in (a).

符号の説明Explanation of symbols

10:ゲートバスライン
10a、10b、10c、110a、110b、110c:配線層
11:ソースバスライン
12:Csバスライン(保持容量配線)
13:TFT
14:ドレイン配線
15:画素電極
16:半導体層
17:ソース配線
18:ゲート配線
19:保持容量部
20:コンタクトホール
21:導電層
21a、121a:インク滴
22、122:絶縁基板
110:積層配線
10: Gate bus lines 10a, 10b, 10c, 110a, 110b, 110c: Wiring layer 11: Source bus line 12: Cs bus line (retention capacitor wiring)
13: TFT
14: drain wiring 15: pixel electrode 16: semiconductor layer 17: source wiring 18: gate wiring 19: storage capacitor 20: contact hole 21: conductive layer 21a, 121a: ink droplet 22, 122: insulating substrate 110: laminated wiring

Claims (5)

基板上に配線を備える配線基板の製造方法であって、
該製造方法は、
該基板上に該配線を形成し、該基板から該配線を凸状に突出させる工程と、
導電粒子を含むインクを吐出し、該配線の上面の幅全体に連続して広がるインク滴を該配線上に配置する工程と、
該インク滴を焼成し、該配線上に導電層を形成する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
A method of manufacturing a wiring board comprising wiring on a board,
The manufacturing method is as follows:
Forming the wiring on the substrate and projecting the wiring in a convex shape from the substrate;
A step of ejecting ink containing conductive particles and disposing ink droplets that continuously spread over the entire width of the upper surface of the wiring on the wiring;
And a step of firing the ink droplets to form a conductive layer on the wiring.
前記配線の上面近傍の断面は、逆テーパ形状であることを特徴とする請求項1記載の配線基板の製造方法。 2. The method of manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein a cross section in the vicinity of the upper surface of the wiring has an inversely tapered shape. 前記インク滴は、前記配線の上面に対する接触角が6°以上であることを特徴とする請求項1又は2記載の配線基板の製造方法。 The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein the ink droplet has a contact angle with respect to the upper surface of the wiring of 6 ° or more. 前記インクは、前記配線の上面に対して垂直な方向から吐出されることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の配線基板の製造方法。 The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein the ink is ejected from a direction perpendicular to an upper surface of the wiring. 請求項1〜4のいずれかに記載の配線基板の製造方法を用いて製造された配線基板を備えることを特徴とする表示装置。 A display device comprising a wiring board manufactured using the method for manufacturing a wiring board according to claim 1.
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