JP2010114134A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】接続不良を低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、ワイヤ４０にて外部電極と電気的に接続可能に構成されている。半導体装置１００は、基板１０と、その基板１０上に形成され基板１０とワイヤ４０により電気的に接続される半導体チップ２０とを備える。半導体チップ２０は、ワイヤ４０と電気的に接続された配線層２３と、配線層２３上に形成された保護層２４を有する。配線層２３は、保護層２４が上層に形成される一方、下層において他の層と電気的に接続される配線部２３１Ａと、保護層２４が上層に形成されず露出した表面においてワイヤ４０の一端が接続されるボンディング部２３１Ｂと、配線部２３１Ａとボンディング部２３１Ｂとを結ぶ接続部２３１Ｃとを備える。接続部２３１Ｃは、配線層２３を彫り込んで形成されたエッチング部６０を備える。
【選択図】図３

Description

本発明は、ワイヤにて外部電極と電気的に接続可能に構成された半導体装置に関する。

従来、半導体チップを外部電極と電気的に接続するための様々な技術がなされてきている。このような技術に用いられる半導体チップは、ボンディングパッドを有する。ボンディングパッドは、その上部にワイヤの一端を接続するために用いられる。なお、ワイヤの他端は、外部電極と電気的に接続される。

ワイヤの接続時、ボンディングパッドには、物理的な衝撃が加わる。この衝撃により、ボンディングパッドが破損するおそれがある。すなわち、接続不良が生じるおそれがある。このような問題に対応した半導体装置が、特許文献１，２に開示されている。

しかしながら、特許文献１，２に開示された半導体装置を用いても、上記問題を十分に解消することは困難である。
特開平３−２２７５４０号公報 特開２００５−２２３１７２号公報

本発明は、接続不良を低減した半導体装置を提供する。

本発明の一態様に係る半導体装置は、基板と、前記基板上に形成され前記基板とワイヤにより電気的に接続されるチップとを備え、前記チップは、前記ワイヤと電気的に接続された配線層と、前記配線層上に形成された保護層とを備え、前記配線層は、前記保護層が上層に形成される一方、下層において他の層と電気的に接続される配線部と、前記保護層が上層に形成されず露出した表面において前記ワイヤの一端が接続されるボンディング部と、前記配線部と前記ボンディング部とを結ぶ接続部とを備え、前記接続部は、前記配線層を彫り込んで形成されたエッチング部を備えることを特徴とする。

本発明は、接続不良を低減した半導体装置を提供することが可能となる。

以下、図面を参照して、本発明に係る半導体装置の一実施形態について説明する。

［第１実施形態］
（第１実施形態に係る半導体装置１００の構成）
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置１００の上面図を示し、図２は、その側面図を示す。図１、及び図２に示すように、第１実施形態に係る半導体装置１００は、基板１０、及び半導体チップ２０を有する。基板１０は、配線（図示略）に電気的に接続された複数の電極１１を所定間隔毎に設けている。半導体チップ２０は、その両端に複数のボンディングパッド３０を所定間隔毎に設けている。ボンディングパッド３０には、ワイヤ４０の一端が接続されている。ワイヤ４０の他端は、電極１１に接続されている。

チップ２０は、図２に示すように、第１配線層２１（Ｍ１）、第２配線層２２（Ｍ２）、第３配線層２３（第４、第５配線層２３１、２３２）（Ｍ３）、保護層２４、及びプラグ層２５を有する。ここで、符号「Ｍ１」は、最下層を意味し、符号「Ｍ３」は、最上層を意味し、符号「Ｍ２」は、「Ｍ１」と「Ｍ２」の間の中間層を意味する。保護層２４は、第３配線層２３の表面に形成され、第３配線層２３を保護している。第３配線層２３において、保護層２４が剥離された部分が、ボンディングパッド３０として機能する。プラグ層２５は、第２配線層２２と第３配線層２３との間を電気的に接続している。

次に、半導体チップ２０の具体的構成について、図３〜図７を参照して説明する。図３は、半導体チップ２０の上面図である。図４は、図３から保護層２４を省略した図である。図５は、図４から第３配線層２３を省略した図である。図６は、図３のＡ−Ａ’断面図である。図７は、図３のＢ−Ｂ’断面図である。例えば、第１〜第３配線層２１〜２３の間には層間絶縁層が形成されている。しかしながら、図３〜図７は、それら層間絶縁層を省略して記載している。

半導体チップ２０は、上記図２の説明と同様、図３〜図７に示すように、層間絶縁層を介して下層から順次、第１配線層２１、第２配線層２２、第３配線層２３、及び保護層２４を有する。第２配線層２２と第３配線層２３の間には、プラグ層２５が形成されている。第２配線層２２と第３配線層２３は、プラグ層２５を介して電気的に接続されている。

第３配線層２３は、図４に示すように、第４配線層２３１、及び第５配線層２３２にて構成されている。第４配線層２３１は、Ｖｓｓ等の大電流を流すため、第５配線層２３２よりも広い幅を有する。第５配線層２３２は、第４配線層２３１と比較して小電流を流すため、第４配線層２３２よりも狭い幅を有する。ここで、「幅」とは、電流が流れる方向に対する幅であり、「広い」とは配線の少なくとも１部分が広いことを意味する。

第４配線層２３１は、図４及び図６に示すように、配線部２３１Ａ、配線部２３１Ａから第２方向に突出した先端に設けられたボンディング部２３１Ｂ、及び配線部２３１Ａとボンディング部２３１Ｂとを結ぶ接続部２３１Ｃを有する。ここで、配線部２３１Ａ、ボンディング部２３１Ｂ、及び接続部２３１Ｃは、連続して一体に形成されている。なお、積層方向は、製造時に各層を積層させていく方向である。第１方向は、積層方向に直交する方向である。第２方向は、積層方向及び第１方向に直交する方向である。

配線部２３１Ａは、図４〜図６に示すように、その下層にてプラグ層２５を介して第２配線層２２と電気的に接続されている。配線部２３１Ａの上面は、保護層２４にて覆われている。

ボンディング部２３１Ｂの上面は、図３及び図６に示すように、保護層２４にて覆われていない。すなわち、ボンディング部２３１Ｂの表面は露出され、ワイヤ４０の一端と電気的に接続可能な状態とされている。ボンディング部２３１Ｂの上面には、ワイヤバンプ５０が形成されている。ワイヤバンプ５０は、ワイヤ４０の一端をボンディング部２３１Ｂに電気的に接続させるためのものである。ボンディング部２３１Ｂには、接地電圧が印加される。

接続部２３１Ｃは、図３、図４及び図６に示すように、第４配線層２３１を掘り込んで形成されたエッチング部６０を有する。エッチング部６０は、第４配線層２３１を貫通するように形成されたスリット（貫通孔）にて構成されている。接続部２３１Ｃの上面は、エッチング部６０を除き、保護層２４にて覆われている。エッチング部（スリット）６０は、第１方向に延びる矩形状に形成されている。エッチング部（スリット）６０は、所定ピッチを設けて第２方向に並ぶように形成されている。

第５配線層２３２は、図４に示すように、上方からみて略矩形状に形成されている。第５配線層２３２は、第４配線層２３１の配線部２３１Ａに沿って、第１方向に所定間隔をもって形成されている。第５配線層２３２は、図４及び図７に示すように、配線部２３２Ａ、及び配線部２３２Ａに隣接して設けられたボンディング部２３２Ｂを有する。

配線部２３２Ａは、図４及び図７に示すように、第５配線層２３２の第２方向の一方側に設けられている。配線部２３２Ａの下面は、図７に示すように、プラグ層２５を介して第２配線層２２と電気的に接続されている。

ボンディング部２３２Ｂは、図４及び図７に示すように、第５配線層２３２の第２方向の他方側に設けられている。ボンディング部２３２Ｂの上面は、図３及び図７に示すように、保護層２４にて覆われていない。すなわち、ボンディング部２３２Ｂの表面は、露出されている。ボンディング部２３２Ｂの上面には、ワイヤバンプ５０が形成されている。ボンディング部２３２Ｂは、上述したボンディングパッド３０の一部として機能する。

上記第１〜第３配線層２１〜２３は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）にて構成されている。保護層２４、及び層間絶縁層（図示略）は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）にて構成されている。プラグ層２５は、例えば、タングステン（Ｗ）にて構成されている。ワイヤバンプ５０は、例えば、金（Ａｕ）にて構成されている。

（第１実施形態に係る半導体装置１００の取り付け方法）
次に、図８を参照して、半導体装置１００のワイヤ４０の取り付け方法について説明する。図８に示すように、第１実施形態の半導体装置１００において、ワイヤ４０は、ワイヤバンプ５０にキャピラリ７０にて押圧され、ワイヤバンプ５０に取り付けられる。よって、ワイヤ４０のワイヤバンプ５０への接触の際に、第３配線層２３の全体に振動（共振）が生じる。

（第１実施形態に係る半導体装置１００の効果）
次に、第１実施形態に係る半導体装置１００の効果について説明する。ここで、第１実施形態の効果を説明するため、比較例を考える。比較例は、第１実施形態と略同様の構成を有するものとする。比較例は、第１実施形態と異なり、エッチング部（スリット）６０を有していないものとする。

上記のような比較例においては、ワイヤ４０取り付け時の振動（共振）により、第４配線層２３１全体（配線部２３１Ａ、ボンディング部２３１Ｂ、及び接続部２３１Ｃ）は、大きく揺さぶられる。これにより、比較例では、第４配線層２３１のボンディング部２３１Ｂ、及び接続部２３１Ｃにて、破損が生じる。

一方、第１実施形態に係る半導体装置１００は、接続部２３１Ｃに第３配線層２３を掘り込むように形成されたエッチング部（スリット）６０を有する。したがって、第１実施形態に係る半導体装置１００は、エッチング部（スリット）６０にて、ワイヤ４０の取付け時の振動（共振）の影響を抑えることができる。すなわち、第１実施形態に係る半導体装置１００は、第３配線層２３の第４配線層２３１の共振に係る固有振動数を制御することができる。これにより、第１実施形態では、第４配線層２３１のボンディング部２３１Ｂ、及び接続部２３１Ｃにて、破損を抑制することができ、接続不良を低減させることができる。

［第２実施形態］
（第２実施形態に係る半導体装置２００の構成）
次に、図９を参照して、第２実施形態に係る半導体装置２００の構成について説明する。図９は、第２実施形態に係る半導体装置２００の側面図である。なお、第２実施形態において、第１実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。

図９に示すように、第２実施形態に係る半導体装置２００は、第１実施形態と同様に、基板１０、及び半導体チップ２０を有する。第２実施形態に係る半導体装置２００は、半導体チップ２０の下に、さらに、スペーサチップ２０ｂ、及び半導体チップ２０ａを有する。半導体チップ２０は、スペーサチップ２０ｂを介して、半導体チップ２０ａと重なるように積層されている。半導体チップ２０ａは、半導体チップ２０と同様の構成を有する。スペーサチップ２０ｂの占有面積は、半導体チップ２０、２０ａよりも小さい。スペーサチップ２０ｂは、ボンディングパッド３０の上方（下方）に位置する領域を避けて、半導体チップ２０ａ上に設けられている。すなわち、半導体チップ２０のボンディングパッド３０の下方は、スペーサチップ２０ｂにより支持されておらず、半導体チップ２０ａと隙間をもった状態とされている。

ここで、半導体チップ２０ａのボンディングパッド３０には、ワイヤ４０を接続する必要がある。例えば、単に、半導体チップ２０ａ上に半導体チップ２０を積層するだけでは、下層の半導体チップ２０ａに接続されたワイヤ４０は、上層の半導体チップ２０に接触してしまう。そこで、第２実施形態においては、半導体チップ２０ａ上にスペーサチップ２０ｂを積層して、半導体チップ２０とワイヤ４０との間のスペースを確保している。

（第２実施形態に係る半導体装置２００の効果）
次に、第２実施形態に係る半導体装置２００の効果について説明する。第２実施形態に係る半導体装置２００は、第１実施形態と同様の構成を有する。したがって、第２実施形態に係る半導体装置２００は、第１実施形態と同様の効果を奏する。さらに、第２実施形態に係る半導体装置２００は、半導体チップ２０、２０ａを積層した構成を有する。したがって、第２実施形態に係る半導体装置２００は、第１実施形態よりもその占有面積を小さくすることができる。

一方、上層の半導体チップ２０のボンディングパッド３０の下には隙間が空いた状態となり、ワイヤ４０の取付け時の振動（共振）の影響が強くなる。しかしながら、接続部２３１Ｃは、第３配線層２３を掘り込むように形成されたエッチング部（スリット）６０を有するので、ワイヤ４０の取付け時の振動（共振）の影響を抑え、接続不良を低減することができる。

［第３実施形態］
次に、図１０Ａを参照して、第３実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。図１０Ａは、第３実施形態に係る半導体装置の半導体チップの拡大上面図である。図１０Ａに示すように、第３実施形態に係る半導体装置は、第１及び第２実施形態と異なる接続部２３１Ｃａを有する。なお、第３実施形態において、第１及び第２実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。

接続部２３１Ｃａは、図１０Ａに示すように、第１及び第２実施形態と異なる形状のエッチング部６０Ａを有する。エッチング部６０Ａは、第４配線層２３１を貫通するようにスリット状に形成されている。接続部２３１Ｃａの上面は、エッチング部６０Ａを除き、保護層２４にて覆われている。エッチング部（スリット）６０Ａは、第１方向に延びる矩形状に形成されている。第２方向に並ぶエッチング部（スリット）６０Ａは、接続部２３１Ｃａの第１方向の中心線から互い違いにずれるように形成されている。

第３実施形態に係る半導体装置は、第１実施形態と略同様の構成を有するので、第１実施形態と同様の効果を奏する。

［第４実施形態］
次に、図１０Ｂを参照して、第４実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。図１０Ｂは、第４実施形態に係る半導体装置の半導体チップの拡大上面図である。図１０Ｂに示すように、第４実施形態に係る半導体装置は、第１〜第３実施形態と異なる接続部２３１Ｃｂを有する。なお、第４実施形態において、第１〜第３実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。

接続部２３１Ｃｂは、図１０Ｂに示すように、第１〜第３実施形態と異なるエッチング部６０Ｂを有する。エッチング部６０Ｂは、第４配線層２３１を貫通するように形成されたスリット（貫通孔）にて構成されている。接続部２３１Ｃｂの上面は、エッチング部６０Ｂを除き、保護層２４にて覆われている。エッチング部（スリット）６０Ｂは、第２方向に延びる矩形状に形成されている。エッチング部（スリット）６０Ｂは、第１方向に並んで形成されている。

第４実施形態に係る半導体装置は、第１実施形態と略同様の構成を有するので、第１実施形態と同様の効果を奏する。

［第５実施形態］
次に、図１０Ｃを参照して、第５実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。図１０Ｃは、第５実施形態に係る半導体装置の半導体チップの拡大上面図である。図１０Ｃに示すように、第５実施形態に係る半導体装置は、第１〜第４実施形態と異なる接続部２３１Ｃｃを有する。なお、第５実施形態において、第１〜第４実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。

接続部２３１Ｃｃは、図１０Ｃに示すように、第１〜第４実施形態と異なるエッチング部６０Ｃを有する。エッチング部６０Ｃは、第４配線層２３１を貫通するように形成されたスリット（貫通孔）にて構成されている。接続部２３１Ｃｃの上面は、エッチング部６０Ｃを除き、保護層２４にて覆われている。エッチング部（スリット）６０Ｃは、正方形状に形成されている。エッチング部（スリット）６０Ｃは、第１方向及び第２方向にマトリクス状に位置するように形成されている。

第５実施形態に係る半導体装置は、第１実施形態と略同様の構成を有するので、第１実施形態と同様の効果を奏する。

［第６実施形態］
次に、図１０Ｄを参照して、第６実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。図１０Ｄは、第６実施形態に係る半導体装置の半導体チップの拡大上面図である。図１０Ｄに示すように、第６実施形態に係る半導体装置は、第１〜第５実施形態と異なる接続部２３１Ｃｄを有する。なお、第６実施形態において、第１〜第５実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。

接続部２３１Ｃｄは、図１０Ｄに示すように、第５実施形態と同様の形状にて構成されたエッチング部（スリット）６０Ｄを有する。エッチング部（スリット）６０Ｄは、第１方向及び第２方向に並ぶように形成されている。第２方向に並ぶエッチング部（スリット）６０Ｄは、接続部２３１Ｃｄの第１方向の中心線から互い違いにずれるように形成されている。

第６実施形態に係る半導体装置は、第１実施形態と略同様の構成を有するので、第１実施形態と同様の効果を奏する。

［第７実施形態］
次に、図１０Ｅを参照して、第７実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。図１０Ｅは、第７実施形態に係る半導体装置の半導体チップの拡大上面図である。図１０Ｅに示すように、第７実施形態に係る半導体装置は、第１〜第６実施形態と異なる接続部２３１Ｃｅを有する。なお、第７実施形態において、第１〜第６実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。

接続部２３１Ｃｅは、図１０Ｅに示すように、第１〜第６実施形態と異なるエッチング部６０Ｅを有する。エッチング部６０Ｅは、第４配線層２３１を貫通するように形成されたスリット（貫通孔）にて構成されている。接続部２３１Ｃｅの上面は、エッチング部６０Ｅを除き、保護層２４にて覆われている。エッチング部（スリット）６０Ｅは、第１方向及び第２方向に延びる十字型に構成されている。スリット６０Ｅは、所定長さＬの幅を有する。スリット６０Ｅは、例えば、第２方向の２ｎ−１番目（ｎは１以上の整数）（例えば、１番目、３番目）の位置に２つ設けられ、第２方向の２ｎ番目（例えば、２番目、４番目）の位置に３つ設けられている。２ｎ−１番目の２つのスリット６０Ｅの第２方向の端部は、２ｎ番目の３つのスリット６０Ｅの第２方向の端部と揃うように形成されている。２ｎ−１番目の２つのスリット６０Ｅ、及びｎ番目の３つのスリット６０Ｅは、第１方向に所定長さＬのスペースをもって離れて形成されている。２ｎ番目の１つのスリット６０Ｅの中心は、２ｎ−１番目の２つのスリット６０Ｅの中心を結ぶ線分の第１方向の中心に位置する。

第７実施形態に係る半導体装置は、第１実施形態と略同様の構成を有するので、第１実施形態と同様の効果を奏する。

［第８実施形態］
次に、図１０Ｆを参照して、第８実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。図１０Ｆは、第８実施形態に係る半導体装置の半導体チップの拡大上面図である。図１０Ｆに示すように、第８実施形態に係る半導体装置は、第１〜第７実施形態と異なる接続部２３１Ｃｆを有する。なお、第８実施形態において、第１〜第７実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。

接続部２３１Ｃｆは、図１０Ｆに示すように、第１〜第７実施形態と異なるエッチング部６０Ｆを有する。エッチング部６０Ｆは、第４配線層２３１を貫通するように形成されたスリット（貫通孔）にて構成されている。接続部２３１Ｃｆの上面は、エッチング部６０Ｆを除き、保護層２４にて覆われている。エッチング部（スリット）６０Ｆは、Ｌ字型に構成されている。一対のエッチング部（スリット）６０Ｆは、対向させるように形成されている。一方のエッチング部（スリット）６０Ｆは、他方のエッチング部（スリット）６０Ｆを所定面（第１及び第２方向にて構成される面）上で１８０°回転させた形状を有する。

第８実施形態に係る半導体装置は、第１実施形態と略同様の構成を有するので、第１実施形態と同様の効果を奏する。

［第９実施形態］
次に、図１０Ｇを参照して、第９実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。図１０Ｇは、第９実施形態に係る半導体装置の半導体チップの拡大上面図である。図１０Ｇに示すように、第９実施形態に係る半導体装置は、第１〜第８実施形態と異なる接続部２３１Ｃｇを有する。なお、第９実施形態において、第１〜第８実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。

接続部２３１Ｃｇは、図１０Ｇに示すように、第１〜第８実施形態と異なるエッチング部６０Ｇを有する。エッチング部６０Ｇは、第４配線層２３１を貫通するように形成されたスリット（貫通孔）にて構成されている。接続部２３１Ｃｇの上面は、エッチング部６０Ｇを除き、保護層２４にて覆われている。エッチング部（スリット）６０Ｇは、コの字型に構成されている。一対のエッチング部（スリット）６０Ｇは、第１方向にずれ、且つ第２方向に対向させるように形成されている。一方のエッチング部（スリット）６０Ｇは、他方のエッチング部（スリット）６０Ｇを所定面（第１及び第２方向にて構成される面）上で１８０°回転させた形状を有する。

第９実施形態に係る半導体装置は、第１実施形態と略同様の構成を有するので、第１実施形態と同様の効果を奏する。

［第１０実施形態］
次に、図１０Ｈを参照して、第１０実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。図１０Ｈは、第１０実施形態に係る半導体装置の半導体チップの拡大上面図である。図１０Ｈに示すように、第１０実施形態に係る半導体装置は、第１〜第９実施形態と異なる接続部２３１Ｃｈを有する。なお、第１０実施形態において、第１〜第９実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。

接続部２３１Ｃｈは、図１０Ｈに示すように、第１〜第９実施形態と異なるエッチング部６０Ｈを有する。エッチング部６０Ｈは、第４配線層２３１を貫通するように形成されたスリット（貫通孔）にて構成されている。接続部２３１Ｃｈの上面は、エッチング部６０Ｈを除き、保護層２４にて覆われている。エッチング部（スリット）６０Ｈは、第１方向の一端から、第１方向の中心へと延びる形状を有する。例えば、エッチング部（スリット）６０Ｈは、第２方向に２つ設けられている。一方のエッチング部（スリット）６０Ｈは、第２方向の第１位置にて、第１方向の一端から延びるように形成されている。他方のエッチング部（スリット）６０Ｈは、第２方向の第２位置にて、第１方向の他端から延びるように形成されている。

第１０実施形態に係る半導体装置は、第１実施形態と略同様の構成を有するので、第１実施形態と同様の効果を奏する。

［第１１実施形態］
次に、図１１Ａ及び図１１Ｂを参照して、第１１実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。図１１Ａは、第１１実施形態に係る半導体装置の半導体チップの拡大上面図であり、図１１Ｂは、図１１ＡのＣ−Ｃ’断面図である。第１１実施形態に係る半導体装置は、図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、第１〜第１０実施形態と異なる接続部２３１Ｃｉを有する。なお、第１１実施形態において、第１〜第１０実施形態と同様の構成については、同一符号を付し、その説明を省略する。

接続部２３１Ｃｉは、図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、エッチング部６０Ｉを有する。エッチング部６０Ｉは、第４配線層２３１をハーフエッチングして形成され凹部にて構成されている。すなわち、エッチング部６０Ｉは第４配線層２３１の上部が削られ、下部は残った形状となっている。接続部２３１Ｃｉの上面は、エッチング部６０Ｉを除き、保護層２４にて覆われている。エッチング部（凹部）６０Ｉは、第１方向を長手とする矩形状に形成されている。エッチング部（凹部）６０Ｉは、第２方向に並ぶように形成されている。

第１１実施形態に係る半導体装置は、第１実施形態と略同様の構成を有するので、第１実施形態と同様の効果を奏する。さらに、エッチング部６０Ｉにおいて第４配線層２３１が残存しているため、電気抵抗を低くすることができる。

［その他実施形態］
以上、半導体装置の一実施形態を説明してきたが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において種々の変更、追加、置換等が可能である。

本発明において問題とする振動は、半導体チップ２０の端部で生じやすい。したがって、例えば、図１２に示すように、半導体装置１００ｂにおいて、エッチング部６０は、半導体チップ２０の第１方向の端部８１に位置する接続部２３１Ｃのみに設けられるものであってもよい。すなわち、エッチング部６０は、端部８１以外のその他の部分８２に位置する接続部２３１Ｃに設けられていなくともよい。その結果、端部８１以外の第４配線層２３１の電気的抵抗を低くすることができる。

本発明において問題とする振動は、硬度の低い金属層等の上層に位置する層では生じにくい。したがって、例えば、図１３の半導体チップ２０ｂの領域ＡＲ１に示すように、ボンディング部２３１Ｂの直下に第２配線層２２等の金属層が位置しない場合のみ、エッチング部６０は、そのボンディング部２３１Ｂに接続された接続部２３１Ｃに設けられるものとしてもよい。すなわち、図１３の半導体チップ２０ｂの領域ＡＲ１に示すように、ボンディング部２３１Ｂの直下に第２配線層２２等の金属層が位置する場合には、エッチング部６０は、そのボンディング部２３１Ｂに接続された接続部２３１Ｃに設けられていなくともよい。その結果、領域ＡＲ１以外の第４配線層２３１の電気的抵抗を低くすることができる。

また、ワイヤ４０の材質が銅のように金に比べて堅い金属になると、ワイヤ４０取り付け時の振動（共振）が強くなり接続不良が増加する。しかし、本発明のよう接続部にエッチング部（スリット）を有していればワイヤ４０の材質が銅であったとしても接続不良を低減できる。

本発明の第１実施形態に係る半導体装置１００の上面図である。 第１実施形態に係る半導体装置１００の側面図である。 第１実施形態に係る半導体チップ２０の上面図である。 図３から保護層２３を省略した図である。 図４から第３配線層２３を省略した図である。 図３のＡ−Ａ’断面図である。 図３のＢ−Ｂ’断面図である。 半導体装置１００のワイヤ４０の取り付け方法について説明する図である。 本発明の第２実施形態に係る半導体装置２００の側面図である。 本発明の第３実施形態に係る半導体装置の半導体チップの拡大上面図である。 本発明の第４実施形態に係る半導体装置の半導体チップの拡大上面図である。 本発明の第５実施形態に係る半導体装置の半導体チップの拡大上面図である。 本発明の第６実施形態に係る半導体装置の半導体チップの拡大上面図である。 本発明の第７実施形態に係る半導体装置の半導体チップの拡大上面図である。 本発明の第８実施形態に係る半導体装置の半導体チップの拡大上面図である。 本発明の第９実施形態に係る半導体装置の半導体チップの拡大上面図である。 本発明の第１０実施形態に係る半導体装置の半導体チップの拡大上面図である。 本発明の第１１実施形態に係る半導体装置の半導体チップの拡大上面図である。 図１０ＡのＣ−Ｃ’断面図である。 本発明の他の実施形態に係る半導体装置１００ｂの上面図である。 本発明の他の実施形態に係る半導体チップ２０ｂの断面図である。

符号の説明

１０…基板、 ２０、２０ａ、２０ｂ…半導体チップ、 ２１…第１配線層、 ２２…第２配線層、 ２３…第３配線層、 ２４…保護層、 ２５…プラグ層、 ２３１…第４配線層、 ２３２…第２配線層、 ２３１Ａ、２３２Ａ…配線部、２３２Ｂ…ボンディング部、 ４０…ワイヤ、 ５０…ワイヤバンプ、 ６０、６０Ａ〜６０Ｉ…エッチング部、 １００、１００ｂ、２００…半導体装置、 ２３１Ｃ、２３１Ｃａ〜２３１Ｃｉ…接続部。

Claims (5)

1. 基板と、
   前記基板上に形成され前記基板とワイヤにより電気的に接続されるチップとを備え、
   前記チップは、
   前記ワイヤと電気的に接続された配線層と、
   前記配線層上に形成された保護層とを備え、
   前記配線層は、
   前記保護層が上層に形成される一方、下層において他の層と電気的に接続される配線部と、
   前記保護層が上層に形成されず露出した表面において前記ワイヤの一端が接続されるボンディング部と、
   前記配線部と前記ボンディング部とを結ぶ接続部とを備え、
   前記接続部は、前記配線層を彫り込んで形成されたエッチング部を備える
   ことを特徴とする半導体装置。
2. 前記チップは、前記基板上に複数積層されている
   ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. 前記ボンディング部には、接地電圧が印加される
   ことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体装置。
4. 前記エッチング部は、前記配線層を貫通するように形成された貫通孔にて構成されている
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の半導体装置。
5. 前記エッチング部は、前記配線層の上部が削られた凹部にて構成されている
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の半導体装置。

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