JP2010111621A - 芳香族アミン化合物及びこれを用いた有機電界発光素子、並びに有機電界発光素子を用いた表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高い蛍光量子収率で赤色発光を呈し安定性に優れた芳香族アミン化合物及びこれを用いた有機電界発光素子並びにこれを用いた表示素子を提供すること。
【解決手段】有機電界発光素子は、基板１上に、透明陽極２、発光層５、陰極３が積層され保護膜４によって構成され、発光３０は陰極で反射されたものを含み陽極を透過して透明基板側から観測される。発光層は、窒素に−Ｘ¹、−Ｘ²、−（Ａｒ¹−Ａｒ²−Ｙ_ｎ）が結合した芳香族アミン化合物を含み、Ｘ¹、Ｘ²は互いに同一又は異なってもよく、アルキル基、アリール基、アリル基、アルコキシ基、アリールオキシ基から選ばれ、Ａｒ¹、Ａｒ²はアリーレン基、Ｙ（ｎ≧１）の少なくとも１つはトリフルオロメチル基、シアノ基、ハロゲン基から選ばれた基であり、残りは、ヒドロ基、アルキル基、アリール基、アリル基、アルコキシ基、アリールオキシ基から選ばれた基である。
【選択図】図１

Description

本発明は、有機電界発光素子の電子輸送材料、ホール輸送材料、発光材料として有用な芳香族アミン化合物及びこれを用いた有機電界発光素子、並びに有機電界発光素子を用いた表示装置に係わるものである。

近年、自発光であって応答速度が高速であり、視野角依存性のないフラットパネルディスプレイの一候補として、有機電界発光素子（ＥＬ素子）への注目されており、それを構成する有機材料への関心が高まっている。その中でも特に、安定な青色発光層を形成しうる材料は少なく、フルカラー有機電界発光素子の実現には不可欠な課題となっている。

有機電界発光素子を高輝度、高効率とするために、ホスト化合物及びゲスト化合物（ドーパント）を用いて発光層を構成するドーピング法が用いられている。ホスト化合物からドーパント化合物へのエネルギー移動効率が大であるようなホスト化合物を選ぶことによって、有機電界発光素子の発光効率を大とすることができる。例えば、９，１０−ジフェニルアントラセン系化合物は電子輸送性ホスト、ホール輸送性ホストとなり得ることが知られている。

芳香族アミンは電子写真用感光体として多く研究されてきたが、その後有機電界素子のホール輸送材料として優れた特性を示すことが報告され、多くの化合物が報告されている。最近では、芳香族アミンを発光層に用いる提案もなされている。

有機電界発光素子を構成する有機層は、以下に示すように、種々の有機材料を用いて形成されている。

先ず、「有機エレクトロルミネッセンス素子」と題する後記の特許文献１には、正孔と電子とが再結合する再結合領域及び該再結合に応答して発光する発光領域を少なくとも有する有機化合物層と、この有機化合物層を挾持する一対の電極とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子において、上記再結合領域及び／又は発光領域に、蛍光性ドーパントとして芳香族アミンを含有させ、発光材料（ホスト材料）として、ジスチリルアリーレン系化合物を含有させた有機ＥＬ素子に関する記載があり、特許文献１の発明の有機ＥＬ素子は、正孔と電子とが再結合する再結合領域又は該再結合に応答して発光する発光領域の少なくとも何れかに、特定の構造の蛍光性ドーパントを含有させたものであって、長時間駆動しても発光色の変化が少ない等、長寿命を有し、且つ発光効率が高く、例えば情報産業機器のディスプレイ等に好適に用いられるとしている。

また、「有機エレクトロルミネッセント素子」と題する後記の特許文献２には、ペリレン化合物を、特定の芳香族炭化水素或いは芳香族複素環を置換基にもつ芳香族アミン化合物、芳香族ジアミン化合物又は芳香族トリアミン化合物と混合して用いた場合に、特に優れた特性を有する赤色発光有機ＥＬ素子が得られるとの記載がある。

また、「有機エレクトロルミネッセント素子」と題する後記の特許文献３には、５−シアノピロメテン−ＢＦ₂錯体を、特定の芳香族炭化水素或いは芳香族複素環を置換基にもつ芳香族アミン化合物、芳香族ジアミン化合物又は芳香族トリアミン化合物と混合して用いた場合に、特に優れた特性を有する赤色発光有機ＥＬ素子が得られるとの記載がある。

また、「有機エレクトロルミネッセンス素子」と題する後記の特許文献４には、ビス−２，５−（２−ベンザゾイル）ヒドロキノン化合物を、特定の芳香族炭化水素或いは芳香族複素環を置換基にもつ芳香族アミン化合物、芳香族ジアミン化合物又は芳香族トリアミン化合物と混合して用いた場合に、特に優れた特性を有する赤色発光有機ＥＬ素子が得られるとの記載がある。

また、「炭化水素化合物及び有機電界発光素子」と題する後記の特許文献５には、一対の電極間に、９，１０−ジ（３’−フルオランテニル）アントラセン誘導体を少なくとも一種含有する層を、少なくとも一層挟持してなる有機電界発光素子が記載されている。

また、「有機エレクトロルミネッセンス素子」と題する後記の特許文献６には、フルオランテン構造にアリール構造が結合した新規炭化水素化合物を有機化合物膜に添加すると有機エレクトロルミネッセンス素子の耐熱性が向上し、更に正孔輸送性及び電子輸送性が向上して高発光効率となることの記載がある。

また、「有機系多層型エレクトロルミネセンス素子」と題する後記の特許文献７には、正孔輸送層材料の代表例としてアントラセン誘導体が記載されている。

また、「有機ＥＬ素子用化合物」と題する後記の特許文献８には、フェニルアントラセン誘導体である有機ＥＬ素子用化合物の記載がある。

また、「有機エレクトロルミネッセンス）素子」と題する後記の特許文献９には、中心にジフェニルアントラセン構造、末端にアリール基置換された特定構造を有する化合物の記載がある。

また、「有機発光デバイス」と題する後記の特許文献１０には、多環式炭化水素（ＰＡＨ）及び２種以上のＰＡＨ（ベンゼン、ナフタレン、アントラセンを含む）の組合せを含んでなり、有機発光デバイスの発光層のホスト成分として好適なベンゼノイド化合物の記載がある。

更に、「有機エレクトロルミネッセンス素子及びのアントラセン誘導体」と題する後記の特許文献１１には、有機ＥＬ素子を実現するためのアントラセン誘導体の記載がある。

特許３５０６２８１号明細書（段落０００６〜００１０、段落００７９、段落００８５） 特許３１０４２２３号明細書（段落０００６〜０００８、段落０１２３） 特許３０１１１６５号明細書（段落０００８〜００１０、段落０１９６） 特許３０９２５８４号明細書（段落０００８〜００１０、段落０１４ 特開２００１−２５７０７４号公報（段落０００４〜０００６、００１７） 特開２００２−６９０４４号公報（段落０００４、段落００１１） 特開２０００−１８２７７６号公報（段落０００８〜００１３） 特許第３８３８８１６号明細書(段落０００９〜００１２) 特開２００１−３３５５１６号公報（段落０００４〜００１４） 特開２００２−２６０８６１号公報（段落０００４〜０００５、段落００１３） 特許第４０４１８１６号明細書(段落０００４〜０００６、段落００２１)

特許文献４では、ビス−２，５−（２−ベンザゾイル）ヒドロキノン化合物と芳香族アミン化合物の混合層、特許文献３では、５−シアノピロメテン−ＢＦ₂錯体と芳香族アミン化合物の混合層、また、特許文献２では、ペリレンと芳香族アミン化合物の混合層で発光層を形成することで赤色発光を実現しているが、発光輝度が低く、実用には十分でない。

有機電界発光素子の開発において、発光材料の選択は、素子の信頼性を確保する上で最重要の課題である。赤色発光材料となりうる候補のうち、色純度に優れていると共に蛍光量子収率が高く、且つ、安定なアモルファス薄膜を形成しうるものは少ない。更に、高輝度で安定、且つ、色純度の高い赤色発光素子の実現が望まれているのが現状である。

本発明は、上述したような課題を解決するためになされたものであって、その目的は、有機電界発光素子を構成する有機層の形成に好適に使用することができ、高い蛍光量子収率で赤色発光を呈する芳香族アミン化合物これを用いた有機電界発光素子、並びに有機電界発光素子を用いた表示装置を提供することにある。

我々は上記課題を解決するために鋭意検討した結果、特定の構造を有する芳香族アミン化合物と、それに効率良くエネルギーを伝達することが可能な材料とから発光層を構成した有機電界発光素子を作製し、更に高輝度、高信頼性の赤色発光素子の提供する本発明に到達したものである。

即ち、本発明は、下記一般式［I］で示される芳香族アミン化合物に係るものである。

一般式［I］：

（但し、前記一般式［I］において、Ｘ¹、Ｘ²は、アルキル基、アリール基、アリル基、アルコキシ基、アリールオキシ基から選ばれた基であり、Ｘ¹、Ｘ²は互いに同一又は異なってもよく、Ａｒ¹、Ａｒ²はアリーレン基であり、ｎ≧１であり、Ａｒ²の置換基であるＹの少なくとも１つはトリフルオロメチル基、シアノ基、ハロゲン基から選ばれた置換基であり、残りの置換基Ｙは、ヒドロ基、アルキル基、アリール基、アリル基、アルコキシ基、アリールオキシ基から選ばれた基である。）。

また、本発明は、陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられた有機層とを有し、前記有機層の少なくとも一層が、上記の芳香族アミン化合物の少なくとも１種類をドーパント材料として含んだアミン化合物含有層である、有機電界発光素子に係るものである。

また、本発明は、上記の有機電界発光素子を有する画素が複数個配置された画素部と、前記画素部の各画素に印加される電圧のオンオフを制御する制御部とを有する表示装置に係るものである。

本発明によれば、有機電界発光素子を構成する際に、アントラセン骨格を含む化合物からなるホスト材料と好適に組み合わせることができる好適なゲスト材料とすることができ、高い蛍光量子収率で赤色発光を呈する芳香族アミン化合物を提供することができる。

また、本発明によれば、前記芳香族アミン化合物を、アントラセン骨格を含む化合物からなるホスト材料と好適に組み合わせることによって、高い蛍光量子収率で赤色発光を呈する有機電界発光素子を提供することができる。

また、本発明によれば、高い蛍光量子収率で赤色発光を呈し、フルカラー表示可能な表示装置を提供することができる。

本発明の芳香族アミン化合物では、Ｘ¹、Ｘ²に関し、前記アルキル基は、置換基を有さない時の炭素数が１以上、１２以下であり置換基を有してもよく、前記アリール基は、置換基を有さない時の炭素数が６以上、２５以下であり置換基を有してもよく、前記アリル基は置換基を有してもよく、前記アルコキシ基は、置換基を有さない時の炭素数が１以上、１２以下であり置換基を有してもよく、前記アリールオキシ基は、置換基を有さない時の炭素数が６以上、２５以下であり置換基を有してもよく、Ａｒ¹は、置換基を有さない時の炭素数が６以上、２５以下であり置換基を有してもよく、Ａｒ²は、置換基を有さない時の炭素数が６以上、２５以下であり、Ａｒ²の置換基であるＹに関して、前記アルキル基は、置換基を有さない時の炭素数が１以上、１２以下であり置換基を有してもよく、前記アリール基は、置換基を有さない時の炭素数が６以上、２５以下であり置換基を有してもよく、前記アリル基は置換基を有してもよく、前記アルコキシ基は、置換基を有さない時の炭素数が１以上、１２以下であり置換基を有してもよく、前記アリールオキシ基は、置換基を有さない時の炭素数が６以上、２５以下であり置換基を有してもよい構成とするのがよい。このような構成によれば、合成時に市販の試薬から比較的容易に当該の芳香族アミン化合物を合成することができ、分子量を適正な範囲にすることができるので合成時の精製が容易である。

また、前記一般式［I］において、Ｘ¹、Ｘ²は、互いに同一又は異なるアリール基であり、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、iso−プロピル基、ｎ−ブチル基、iso−ブチル基、tert−ブチル基、シクロヘキシル基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいアントラニル基、置換基を有してもよいアリル基から選ばれた置換基を有してもよく、Ａｒ¹は下記一般式（１）〜（４４）から選ばれた基であり、下記一般式［a］で示される基は、下記一般式（４５）〜（６９）から選ばれた基であり、この選ばれた基の有するＲ^m（ｍは４５６から７３２の範囲の整数）から選ばれた少なくとも１つは、トリフルオロメチル基、シアノ基、ハロゲン基から選ばれた置換基であり、残りのＲ^m（ｍは４５６から７３２の範囲の整数）、及び、選ばれたＡｒ¹の有するＲ^k（ｋは１から４５３の範囲の整数）はそれぞれ、ヒドロ基、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、iso−プロピル基、ｎ−ブチル基、iso−ブチル基、tert−ブチル基、シクロヘキシル基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいアントラニル基、置換基を有してもよいアリル基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、iso−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、シクロヘキシルオキシ基、置換基を有してもよいフェノキシ基、置換基を有してもよいナフトキシ基、置換基を有してもよいアントラニルオキシ基から選ばれた基である構成とするのがよい。このような構成によれば、分子自身の嵩高さが適当であるので分子同士の相互作用が強すぎずまた弱すぎない程度になり、真空蒸着、スピンコート、その他の方法による製膜であっても自身の濃度消光を抑制してホスト分子からのエネルギー移動効率を高めることができ、真空蒸着による有機電界素子の作製時には昇華しやすいために有利である。

一般式［a］：

一般式（１）〜（２１）：

一般式（２２）〜（４４）：

一般式（４５）〜（５５）：

一般式（５６）〜（６９）：

また、選ばれたＡｒ¹の有するＲ^k（ｋは１から４５３の範囲の整数）の全てがヒドロ基であり、前記一般式［a］で示される基から選ばれた基の有するＲ^m（ｍは４５６から７３２の範囲の整数）の２つが、トリフルオロメチル基、シアノ基、ハロゲン基から選ばれた基である構成とするのがよい。このような構成によれば、一般式［a］で示される基の電子吸引性が高まり一般式［a］はアクセプター性を帯び、ドナー性であるアミン部から一般式［a］で示される基への電子移動が起きて分子の分極率が多きい電荷移動状態を形成しやすくなる。一般式［I］で示される化合物の電荷移動状態は蛍光性のエキシプレックスであり、エキシプレックスからの蛍光は構成要素であるドナー部、またはアクセプター部の個別の蛍光よりも長波長である。すなわち、アミン部のドナー性、又は一般式［a］で示される基のアクセプター性を調整することで一般式［I］で示される化合の蛍光を赤色シフトさせることができる。

また、Ｘ¹がフェニル基、Ｘ²が２−ナフチル基、Ａｒ¹が２，６−ナフチレン基、下記一般式［a］で示される基が、９位及び１０位にシアノ基、７位にメチル基の置換基を有する２−フェナントリル基であり、下記［Ia］によって示される第三アミン化合物である構成とするのがよい。このような構成によれば、上記の原理により、赤色発光材料として最適な５８０ｎｍ〜６５０ｎｍに蛍光極大を有する材料とすることができる。

一般式［a］：

［Ia］：

また、Ｘ¹がフェニル基、Ｘ²が２−ナフチル基、Ａｒ¹が２，６−ナフチレン基、下記一般式［a］で示される基が、９位及び１０位にシアノ基の置換基を有する２−アンスリル基であり、下記［Ib］によって示される第三アミン化合物である構成とするのがよい。このような構成によれば、上記の原理により、赤色発光材料として最適な６３０ｎｍ〜７００ｎｍに蛍光極大を有する材料とすることができる。

一般式［a］：

［Ib］：

本発明の有機電界発光素子では、前記有機層は、ホール輸送層と電子輸送層が積層された構造を有する構成とするのがよい。このような構成によれば、ホールおよび電子の注入障壁を小さくすることができる。

また、少なくとも前記ホール輸送層が前記アミン化合物含有層である構成とするのがよい。このような構成によれば、ホール輸送材料層から前記アミン化合物層へのホールの注入障壁を最小化することができる。

また、少なくとも前記電子輸送層が前記アミン化合物含有層である構成とするのがよい。このような構成によれば、電子輸送材料層から前記アミン化合物層への電子の注入障壁を最小化することができる。

また、前記有機層は、ホール輸送層、発光層、及び、電子輸送層が積層された構造を有する構成とするのがよい。このような構成によれば、ホール輸送層からのホールと電子輸送層からの電子が発光層に閉じ込められ、効率的に再結合を起すので発光効率を最大化することができる。

また、少なくとも前記発光層が前記アミン化合物含有層である構成とするのがよい。このような構成によれば、発光層内のホール移動度と電子移動度がともに大きいので発光層の抵抗成分を最小化することができる。

また、前記発光層が、前記ドーパント材料とホスト材料とから形成された前記アミン化合物含有層であり、前記ホスト材料がアントラセン骨格を含む化合物である構成とするのがよい。このような構成によれば、ホール輸送層からのホールと電子輸送層からの電子の再結合確率が高いアントラセンホスト分子上で再結合し、そのエネルギーがドーパント分子に移動するので、アントラセンホストの青色蛍光の代わりに前記ドーパント材料に由来する赤色発光を高効率に得ることができる。

また、前記アミン化合物含有層に含まれる前記ドーパント材料は５０％以下である構成とするのがよい。このような構成によれば、前記ドーパント材料自身による濃度消光を抑制することができる。

本発明の表示装置では、前記制御部はスイッチング素子を含む構成とするのがよい。このような構成によれば、動画を表示するディスプレイ装置として利用することができる。

本発明は、陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に設けられた有機層とを有し、有機層の少なくとも一層が、上記の芳香族アミン化合物の少なくとも１種類、及び、下記一般式［IIa］から一般式［IIe］によって示されるアントラセン誘導体化合物の少なくとも１種類を含む混合層である、有機電界発光素子Ａに係るものである。本発明によれば、鮮やかな赤色発光を高効率、低消費電力で呈する高信頼性の有機電界発光素子を提供することができる。

一般式［IIa］：

一般式［IIb］：９，１０−ジ（３−フルオランテニル）アントラセン

一般式［IIc］：９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン

一般式［IId］：

一般式［IIe］：

また、有機電界発光素子Ａにおいて、前記有機層がホール輸送層と電子輸送層が積層された構造を有する構成（ａ）とするのがよい。このような構成によれば、ホールおよび電子の注入障壁を小さくすることができる。

また、構成（ａ）において、少なくとも前記ホール輸送層が前記混合層からなる構成とするのがよい。このような構成によれば、ホール輸送材料層から前記アミン化合物層へのホールの注入障壁を最小化することができる。

また、構成（ａ）において、少なくとも前記電子輸送層が前記混合層からなる構成とするのがよい。このような構成によれば、電子輸送材料層から前記アミン化合物層への電子の注入障壁を最小化することができる。

また、有機電界発光素子Ａにおいて、前記有機層がホール輸送層、発光層、及び、電子輸送層が積層された構造を有する構成（ｂ）とするのがよい。このような構成によれば、ホール輸送層からのホールと電子輸送層からの電子が発光層に閉じ込められ、効率的に再結合を起すので発光効率を最大化することができる。

また、構成（ｂ）において、前記発光層が前記混合層からなる構成とするのがよい。このような構成によれば、発光層内のホール移動度と電子移動度がともに大きいので発光層の抵抗成分を最小化することができる。

また、前記発光層が、ホスト材料とドーパント材料から形成され、前記芳香族アミン化合物が前記ドーパント材料として含有されている構成とするのがよい。このような構成によれば、ホール輸送層からのホールと電子輸送層からの電子の再結合確率が高いホスト分子上で再結合し、そのエネルギーがドーパント分子に移動するので、アホストの蛍光の代わりに前記ドーパント材料に由来する赤色シフトした発光を高効率に得ることができる。

一般式［IIa］から一般式［IIe］によって示されるアントラセン誘導体化合物は、そのアントラセン環の９位の水素原子が、１−ナフチル基、３−フルオランテニル基、２−ナフチル基、イソプロピル基の何れかで置換されている。また、アントラセン環の１０位の水素原子が、フェニル基、３−フルオランテニル基、２−ナフチル基の何れかで置換されている。

なお、一般式［IIa］から一般式［IIe］によって示されるアントラセン誘導体化合物のアントラセン環の１位から８位の水素原子は、トリフルオロメチル基、シアノ基、ハロゲン基、炭素数１から１２で置換基を有してもよいアルキル基、炭素数５から２５で置換基を有してもよくヘテロ原子を環の構成成分として含んでもよいアリール基、置換基を有してもよいアリル基、炭素数１から１２で置換基を有してもよいアルコキシ基、炭素数６から２５で置換基を有してもよいアリールオキシ基から選ばれた基で置換されていてもよい。

また、アントラセン環の１０位に結合する第１のフェニル基の水素原子、及び、この第１のフェニル基の水素原子が置換され結合された第２のフェニル基の水素原子は、トリフルオロメチル基、シアノ基、ハロゲン原子、炭素数１から１２で置換基を有してもよいアルキル基、炭素数６から２５で置換基を有してもよくヘテロ原子を環の構成成分として含んでもよいアリール基、置換基を有してもよいアリル基、炭素数１から１２で置換基を有してもよいアルコキシ基、炭素数６から２５で置換基を有してもよいアリールオキシ基から選ばれた基で置換されていてもよく、隣り合う基同士が相同して環を形成してもよい。

更に、アントラセン環に結合するフルオランテニル基及びナフチル基の水素原子は、置換基で置換されていてもよい。

本発明の芳香族アミン化合物、及び、これに混合して使用するアントラセン誘導体化合物（ホスト化合物）ついて説明する。

［芳香族アミン化合物の構成］
本発明の芳香族アミン化合物は、上述の一般式［I］によって示され、上述の一般式（１）〜（４４）から選択される２価の基Ａｒ¹と、上述の一般式（４５）〜（６９）から選択され、上述の一般式［a］で示される１価の基との結合によって与えられる化合物である。

本発明の明細書で使用する、アリール（Aryl）基は、芳香族炭化水素から１個の水素原子を引き抜いて形成された基を意味し、アリーレン（Arylene）基は、アリール基から１個の水素原子を引き抜いて形成された基を意味するものとする。なお、芳香族炭化水素（アーレン（Arene）、Aromatic hydrocarbons）は、芳香族性を示す単環又は複数の環から構成される炭化水素であり、その複数の水素原子の一部が置換されていてもよく、単環又は多環芳香環の芳香族化合物を意味するものとする。芳香族性を示す複数の環は、複数の単環が縮合せずに直線状に結合されてなるアセン（acene）又はポリアセン（plyacene）と呼ばれるもの、２個又はそれ以上の環が２個又はそれ以上の炭素原子を共有して結合してなる縮合環であってもよい。また、アリール（Aryl）基は、単環又は複数の環から構成され芳香族性を示す複素環式化合物（炭素原子（Ｃ）以外に、酸素原子（Ｏ）、窒素原子（Ｎ）、硫黄原子（Ｓ）等のヘテロ原子が環を構成する原子として含む化合物）から１個の水素原子を引き抜いて形成された基を含むものとする。

本発明の芳香族アミン化合物（上述の一般式［I］によって示される。）において、Ｘ¹、Ｘ²は、互いに同一又は異なる基であり、Ａｒ¹、Ａｒ²はアリーレン基である。Ａｒ¹は、アルキル基（alkyl基、−Ｃ_nＨ_2n+1）、アリール基、アリル基（allyl基、−ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨ₂）、アルコキシ基（alkoxy基、−ＯＣ_nＨ_2n+1）、アリールオキシ基（Aryloxy基、−ＯＡｒ（ＡｒはAryl基を示す。）から選ばれた基で置換されていてもよい。Ａｒ²は、少なくとも１つ以上の置換基Ｙを有し、置換基Ｙの少なくとも１つは、トリフルオロメチル基（−ＣＦ₃）、シアノ基（−ＣＮ）、ハロゲン基（ハロ基、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ）から選ばれた基であり、残りの置換基Ｙは、ヒドロ基（−Ｈ）、アルキル基（alkyl基、−Ｃ_nＨ_2n+1）、アリール基、アリル基（allyl基、−ＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨ₂）、アルコキシ基（alkoxy基、−ＯＣ_nＨ_2n+1）、アリールオキシ基（Aryloxy基、−ＯＡｒ（ＡｒはAryl基を示す。）から選ばれた基である。

Ｘ¹、Ｘ²は、ヒドロ基、アルキル基、アリール基、アリル基、アルコキシ基、アリールオキシ基から選ばれる。Ａｒ¹、Ａｒ²は、置換基を有さない時の炭素数が６以上、２５以下であり、置換基を有してもよい、アリーレン基である。

Ａｒ¹、Ａｒ²は、例えば、フェニレン基（phenylene基、−Ｃ₆Ｈ₄−）、ナフチレン基（naphthylene基、−Ｃ₁₀Ｈ₆−）、アントリレン基（anthrylene基、−Ｃ₁₄Ｈ₈−）、フェナントレン基（phenanthrylene基、−Ｃ₁₄Ｈ₈−）等のアリーレン基である。

Ａｒ²は、トリフルオロメチル基（−ＣＦ₃）、シアノ基（−ＣＮ）、ハロゲン基（ハロ基、−Ｆ、−Ｃｌ、−Ｂｒ、−Ｉ）から選ばれた置換基を少なくとも１つ有し、更に、Ａｒ²はアルキル基、アリール基、アリル基、アルコキシ基、アリールオキシ基から選ばれた置換基Ｙを有してもよい。

なお、Ａｒ¹とＸ¹、又は／及び、Ａｒ²とＸ²が相同して環を形成していてもよい。また、Ａｒ¹とＡｒ²が相同して環を形成していてもよい。

Ｘ¹、Ｘ²において、アルキル基、アルコキシ基は、置換基を有さない時の炭素数が１以上、１２以下であり、アリール基、アリールオキシ基は、置換基を有さない時の炭素数が６以上、２５以下である。また、アルキル基、アリール基、アリル基、アルコキシ基、アリールオキシ基は、置換基を有してもよい。

Ｘ¹、Ｘ²は、互いに同一又は異なるアリール基であり、メチル基（methyl基、−ＣＨ₃）、エチル基（ethyl基、−ＣＨ₂ＣＨ₃）、ｎ−プロピル基（propyl基、−(ＣＨ₂)₂ＣＨ₃）、iso−プロピル基（iso-propyl基、−ＣＨ(ＣＨ₃)₂）、ｎ−ブチル基（n-butyl基、−(ＣＨ₂)₃ＣＨ₃）、iso−ブチル基（iso-butyl基、−ＣＨ₂ＣＨ(ＣＨ₃)₂）、tert−ブチル基（tert-butyl基、−(ＣＨ₃)₃）、sec−ブチル基（sec-butyl基、−ＣＨ（ＣＨ₃）ＣＨ₂ＣＨ₃）、シクロヘキシル基（cyclohexyl基、−Ｃ₆Ｈ₁₁）、フェニル基（phenyl基、−Ｃ₆Ｈ₅）、ナフチル基（naphthyl基、−Ｃ₁₀Ｈ₇）、アントラニル（アントリル）基（anthryl基、−Ｃ₁₄Ｈ₉）、フェナントリル基（phenanthryl基、−Ｃ₁₄Ｈ₉）、アリル基から選ばれた置換基を有してもよい。

なお、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナントリル基、アリル基は、置換基を有してもよい。

上述の一般式［a］で示される１価の基において、Ａｒ²は、置換基を有さない時の炭素数が６以上、２５以下であり、少なくとも１つ以上の置換基Ｙを有し、置換基Ｙの少なくとも１つはトリフルオロメチル基、シアノ基、ハロゲン基から選ばれた置換基であり、残りの置換基Ｙは、ヒドロ基、アルキル基、アリール基、アリル基、アルコキシ基、アリールオキシ基から選ばれた基である。アルキル基、アルコキシ基は、置換基を有さない時の炭素数が１以上、１２以下であり、また、アリール基、アリールオキシ基は、置換基を有さない時の炭素数が６以上、２５以下である。また、アルキル基、アリール基、アリル基、アルコキシ基、アリールオキシ基は、置換基を有してもよい。

［芳香族アミン化合物における２価の基（−Ａｒ¹−）］
Ａｒ¹は、上述の一般式（１）〜（４４）から選ばれた基であり、上述の一般式［a］で示される１価の基は、上述の一般式（４５）〜（６９）から選ばれた基である。

Ａｒ²の置換基Ｙは、上述の一般式（４５）〜（６９）から選ばれ、上述の一般式［a］で示される１価の基の有するＲ^m（ｍは４５６から７３２の範囲の整数）から選ばれた１つである。

上述の一般式（１）〜（４４）に示される２価の基Ａｒ¹は、芳香族化合物（複数の異性構造を含む。）及びその誘導体を母体として、この母体から、２個の水素原子を引き抜いて形成された２価の基である。なお、母体から引き抜かれる２個の水素原子の位置よって、２価の基（−Ａｒ¹−）は、複数の異性構造のものが存在する。この母体の芳香族炭化水素の例を次に示す。

ベンゼン（benzene、Ｃ₆Ｈ₆）、ナフタレン（naphthalene、Ｃ₁₀Ｈ₈）、アントラセン（anthracene、Ｃ₁₄Ｈ₁₀）、フェナントレン（phenanthrene、Ｃ₁₄Ｈ₁₀）、テトラセン（ナフタセン）（tetracene（naphthacene）、Ｃ₁₈Ｈ₁₂）、テトラフェン（ナフトアントラセン）（tetraphene（naphtoanthracene）、Ｃ₁₈Ｈ₁₂）、クリセン（chrysene、Ｃ₁₈Ｈ₁₂）、ピレン（pyrene、Ｃ₁₆Ｈ₁₀）、ペリレン（perylene、Ｃ₂₀Ｈ₁₂）、ビフェニル（biphenyl、Ｃ₁₂Ｈ₁₀）、テルフェニル（terphenyl、Ｃ₁₈Ｈ₁₄）、クァテルフェニル（quaterphenyl、Ｃ₂₄Ｈ₁₈）、９Ｈ−フルオレン（Ｃ₁₃Ｈ₁₀、9H-fluorene）、フェニル−９Ｈ−フルオレン（Ｃ₁₉Ｈ₁₄、phenyl-9H-fluorene）、ジフェニル−９Ｈ−フルオレン（Ｃ₂₅Ｈ₁₈、diphenyl-9H-fluorene）、ビ−［９Ｈ−フルオレン］（Ｃ₂₆Ｈ₁₈、bi-[9H-fluorene]）、フェニルナフタレン（phenylnaphthalene、Ｃ₁₆Ｈ₁₂）、ジフェニルナフタレン（diphenylnaphthalene、Ｃ₂₂Ｈ₁₆）、ジフェニルナアントラセン（diphenylanthracene、Ｃ₂₆Ｈ₁₈）、ビナフタレン（binaphthalene、Ｃ₂₀Ｈ₁₄）、ビアントラセン（bianthracene、Ｃ₂₈Ｈ₁₈）。

次に、一般式（１）〜（４４）を、置換基を有さない２価の芳香族炭化水素基（−Ａｒ¹−）を例にとって説明する。

（１）：ｐ−フェニレン基、（２）：１，４−ナフチレン基、（３）：１，５−ナフチレン基、（４）：９，１０−アントリレン基、（５）：１，４−アントリレン基、（６）：１，５−アントリレン基、（７）：６，１１−ナフタセニレン基、（８）：ベンゾ［ａ］アントラセン（benz[a]anthracene、Ｃ₁₈Ｈ₁₂）の７位と２位の水素原子を引き抜いて形成された基、（９）：５，１１−クリセニレン基、（１０）：２，６−ナフチレン基。

（１１）：６，１０−フェナントリレン基、（１２）：６，１２−クリセニレン基、（１３）：ベンゾ［ａ］アントラセンの２位と６位の水素原子を引き抜いて形成された基、（１４）：４，９−ピレニレン基、（１５）：２，６−アントリレン基、（１６）：１，６−ピレニレン基、（１７）：２，７−フェナントリレン基、（１８）：５，１１−ペリレニレン基、（１９）：１，６−ペリレニレン基、（２０）：１，７−ペリレニレン基。

（２１）：ベンゾ［ａ］アントラセンの５位と１０位の水素原子を引き抜いて形成された基、（２２）：４，４’−ビフェ二レン基、（２３）：４，４’−テルフェニレン基、（２４）：４，４'−クァテルフェニレン基、（２５）：２，７−フルオレニレン基、（２６）：２−フェニル−９Ｈ−フルオレン（2-phenyl-9H-fluorene、Ｃ₁₉Ｈ₁₄）における、９Ｈ−フルオレンの７位とフェニル基の４位の水素原子を引き抜いて形成された基、（２７）：２，７−ジフェニル−９Ｈ−フルオレン（2,7-diphenyl-9H-fluorene、Ｃ₂₅Ｈ₁₈）における、２個のフェニル基の４位の水素原子を引き抜いて形成された基。

（２８）：２，２'−ビ［９Ｈ−フルオレン］（2,2'-bi[9H-fluorene]、Ｃ₂₆Ｈ₁₈）における、７位、７’位の水素原子を引き抜いて形成された基、（２９）：１−フェニルナフタレン（phenylnaphthalene、Ｃ₁₆Ｈ₁₂）における、ナフタレンの４位とフェニル基の４位の水素原子を引き抜いて形成された基、（３０）：１，１'−ビナフタレン（1,1'-binaphthalene、Ｃ₂₀Ｈ₁₄）における、４位、４’位の水素原子を引き抜いて形成された基。

（３１）：２−フェニルナフタレン（2-phenylnaphthalene、Ｃ₁₆Ｈ₁₂）における、ナフタレンの６位とフェニル基の４位の水素原子を引き抜いて形成された基、（３２）：１，４−ジフェニルナフタレン（1,4-diphenylnaphthalene、Ｃ₂₂Ｈ₁₆）における、２個のフェニル基の４位の水素原子を引き抜いて形成された基、（３３）：９，１０−ジフェニルアントラセン（9,10-diphenylanthracene、Ｃ₂₆Ｈ₁₈）における、２個のフェニル基の４位の水素原子を引き抜いて形成された基、（３４）：２，２’−ビナフタレン（2,2'-binaphthalene、Ｃ₂₀Ｈ₁₄）における、６位、６’位の水素原子を引き抜いて形成された基。

（３５）：１，５−ジフェニルナフタレン（1,5-diphenylnaphthalene、Ｃ₂₂Ｈ₁₆）における、２個のフェニル基の４位の水素原子を引き抜いて形成された基、（３６）：１，２−ジヒドロナフタレン（1,2-dihydronaphthalene、Ｃ₁₀Ｈ₁₀）における、３位、７位の水素原子を引き抜いて形成された基、（３７）：１，２−ジヒドロフェナントレン（1,2-dihydrophenanthrene、Ｃ₁₄Ｈ₁₂）における、３位、９位の水素原子を引き抜いて形成された基、（３８）：３，４−ジヒドロベンゾ［ａ］アントラセン（3,4-dihydrobenz[a]anthracene、Ｃ₁₈Ｈ₁₄）における、２位、６位の水素原子を引き抜いて形成された基。

（３９）：１，２−ジヒドロアントラセン（1,2-dihydroanthracene、Ｃ₁₄Ｈ₁₂）における、３位、７位の水素原子を引き抜いて形成された基、（４０）：７−フェニル−１，２−ジヒドロナフタレン（7-phenyl-1,2-dihydronaphthalene、Ｃ₁₆Ｈ₁₄）における、ナフタレンの３位とフェニル基の４位の水素原子を引き抜いて形成された基、（４１）：３−（２−ナフチル）−１，２−ジヒドロナフタレン（3-(2-naphthyl)-1,2-dihydronaphthalene、Ｃ₂₀Ｈ₁₆）における、ナフチル基の６位、ジヒドロナフタレンの７位の水素原子を引き抜いて形成された基。

（４２）：３−（１，２−ジヒドロナフチル）−１，２−ジヒドロナフタレン（3-(1,2-dihydronaphthyl)-1,2-dihydronaphthalene）における、ジヒドロナフチル基の７位、ジヒドロナフタレンの３位の水素原子を引き抜いて形成された基、（４３）：３−フェニル−１，２−ジヒドロアントラセン（3-phenyl-1,2-dihydronaphthalene、Ｃ₂₀Ｈ₁₆）における、フェニル基の４位、ジヒドロアントラセン７位の水素原子を引き抜いて形成された基、（４４）：５，６，１１，１２−テトラヒドロクリセン（5,6,11,12-tetrahydorochrysene、Ｃ₁₈Ｈ₁₆）。

以上説明した（１）〜（４４）は、上述の一般式（１）〜（４４）において、置換基を有さない２価の芳香族炭化水素基（−Ａｒ¹−）である。そして、上記の（１）〜（４４）に示した２価の芳香族炭化水素基において、ヒドロ基（−Ｈ）を置換基Ｒで置換したものが、上述の一般式（１）〜（４４）である。

［芳香族アミン化合物における上述の一般式［a］で示される１価の基］
上述の一般式［a］で示される基は、上述の一般式（４５）〜（６９）から選ばれた基であり、この選ばれた基の有するＲ^m（ｍは４５６から７３２の範囲の整数）から選ばれた少なくとも１つは、トリフルオロメチル基、シアノ基、ハロゲン基から選ばれた置換基であり、残りのＲ^m（ｍは４５６から７３２の範囲の整数は、ヒドロ基、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、iso−プロピル基、ｎ−ブチル基、iso−ブチル基、tert−ブチル基、シクロヘキシル基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいアントラニル基、置換基を有してもよいアリル基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、iso−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、シクロヘキシルオキシ基、置換基を有してもよいフェノキシ基、置換基を有してもよいナフトキシ基、置換基を有してもよいアントラニルオキシ基から選ばれた基である。

上述の一般式［a］で示される基は、芳香族化合物（複数の異性構造を含む。）及びその誘導体を母体として、この母体から、１個の水素原子を引き抜いて形成された基である。なお、母体から引き抜かれる１個の水素原子の位置よって、１価の基は、複数の異性構造のものが存在する。この母体の芳香族炭化水素の例を次に示す。

ベンゼン（benzene、Ｃ₆Ｈ₆）、ナフタレン（naphthalene、Ｃ₁₀Ｈ₈）、アントラセン（anthracene、Ｃ₁₄Ｈ₁₀）、フェナントレン（phenanthrene、Ｃ₁₄Ｈ₁₀）、テトラセン（ナフタセン）（tetracene（naphthacene）、Ｃ₁₈Ｈ₁₂）、テトラフェン（ナフトアントラセン）（tetraphene（naphtoanthracene）、Ｃ₁₈Ｈ₁₂）、クリセン（chrysene、Ｃ₁₈Ｈ₁₂）、３，４−ベンゾフェナントレン（3,4-bennzophenanthrene）、Ｃ₁₈Ｈ₁₂）、トリフェニレン（９，１０−ベンゾフェナントレン）（triphenylene(9,10-benzophenanthrene)、Ｃ₁₈Ｈ₁₂）。

次に、上述の一般式［a］で示され、一般式（４５）〜（６９）で示される１価の基をを、置換基を有さない１価の芳香族炭化水素基とした場合を例にとって説明する。
（４５）：フェニル基、（４６）：１−ナフチル基、（４７）：２−ナフチル基、（４８）：１−アントリル基、（４９）：２−アントリル基、（５０）：９−アントリル基、（５１）：４−フェナントリル基、（５２）：３−フェナントリル基。

（５３）：２−フェナントリル基、（５４）：１−フェナントリル基、（５５）：８−フェナントリル基、（５６）：１，２−ジヒドロナフタレン（1,2-dihydronaphthalene、Ｃ₁₀Ｈ₁₀）における、３位の水素原子を引き抜いて形成された基、（５７）：１，２−ジヒドロフェナントレン（1,2-dihydrophenanthrene、Ｃ₁₄Ｈ₁₂）における、３位の水素原子を引き抜いて形成された基、（５８）：３，４−ジヒドロフェナントレン（3,4-dihydrophenanthrene、Ｃ₁₄Ｈ₁₂）における、２位の水素原子を引き抜いて形成された基、（５９）：１，２−ジヒドロアントラセン（1,2-dihydroanthracene、Ｃ₁₄Ｈ₁₂）における、３位の水素原子を引き抜いて形成された基。

（６０）：３，４−ジヒドロベンゾ［ａ］アントラセン（3,4-dihydrobenz[a]anthracene、Ｃ₁₈Ｈ₁₄）における、２位の水素原子を引き抜いて形成された基、（６１）：１，２−ジヒドロベンゾ［ａ］アントラセン（1,2-dihydrobenz[a]anthracene、Ｃ₁₈Ｈ₁₄）における、３位の水素原子を引き抜いて形成された基、（６２）：１，２−ジヒドロナフタセン（1,2-dihydronaphthacene、Ｃ₁₈Ｈ₁₄）における、３位の水素原子を引き抜いて形成された基、（６３）：１，２−ジヒドロクリセン（1,2-dihydrochrysene、Ｃ₁₈Ｈ₁₄）における、３位の水素原子を引き抜いて形成された基、（６４）：３，４−ジヒドロベンゾ［ｃ］アントラセン（3,4-dihydrobenz[c]anthracene、Ｃ₁₈Ｈ₁₄）における、５位の水素原子を引き抜いて形成された基。

（６５）：１，２−ジヒドロトリフェニレン（1,2-dihydrotriphenylene、Ｃ₁₈Ｈ₁₄）における、3位の水素原子を引き抜いて形成された基、（６６）：３，４−ジヒドロクリセン（3,4-dihydrochrysene、Ｃ₁₈Ｈ₁₄）における、２位の水素原子を引き抜いて形成された基、（６７）：５，６−ジヒドロベンゾ［ｃ］アントラセン（5,6-dihydrobenz[c]anthracene、Ｃ₁₈Ｈ₁₄）における、４位の水素原子を引き抜いて形成された基、（６８）：１０，１１−ジヒドロベンゾ［ａ］アントラセン（10,11-dihydrobenz[a]anthracene、Ｃ₁₈Ｈ₁₄）における、９位の水素原子を引き抜いて形成された基、（６９）：８，９−ジヒドロベンゾ［ａ］アントラセン（8,9-dihydrobenz[a]anthracene、Ｃ₁₈Ｈ₁₄）における、１０位の水素原子を引き抜いて形成された基。

以上説明した（４５）〜（６９）は、上述の一般式（４５）〜（６９）において、置換基を有さない１価の芳香族炭化水素基である。そして、上記の（４５）〜（６９）に示した１価の芳香族炭化水素基において、ヒドロ基（−Ｈ）を置換基Ｒで置換したものが、上述の一般式（４５）〜（６９）である。

なお、上記の２価の基（−Ａｒ¹−）、上記の１価の基（上述の一般式［a］で示される基）はそれぞれ、上記に示した母体以外から水素原子を引き抜いて形成された基であってもよい。例えば、次に示す母体から1個或いは２個の水素原子を引き抜いて形成された基（複数の異性構造の基が存在する。）であってもよい。

ペンタレン（pentalene、Ｃ₈Ｈ₆）、ベンゾシクロブテン（benzocyclobutene、Ｃ₈Ｈ₆）、１Ｈインデン（1H-indene、Ｃ₉Ｈ₈）、アズレン（azulene、Ｃ₁₀Ｈ₈）、アセナフチレン（acenaphthylene、Ｃ₁₂Ｈ₈）、インダセン（indacene、Ｃ₁₂Ｈ₈）、ビフェニレン（biphenylene、Ｃ₁₂Ｈ₈）、ヘプタレン（heptalene、Ｃ₁₂Ｈ₁₀）、フェナレン（peri−ベンゾナフタレン）（phenalene（peri-benzonaphthalene）、Ｃ₁₃Ｈ₁₀）、アセアントリレン（aceanthrylene、Ｃ₁₆Ｈ₁₀）、フェニルナフタレン（phenylnaphthalene、Ｃ₁₆Ｈ₁₂）、アセフェナントリレン（acephenanthrylene、Ｃ₁₆Ｈ₁₀）、ペンタセン（pentacene、Ｃ₂₂Ｈ₁₄）、ベンゾナフタセン（benznaphthacene、Ｃ₂₂Ｈ₁₄）、ピセン（picene、Ｃ₂₂Ｈ₁₄）、ベンゾクリセン（benzochrysene、Ｃ₂₂Ｈ₁₄）、ジベンゾアントラセン（dibenzanthracene、Ｃ₂₂Ｈ₁₄）、ジベンゾフェナンレン（dibenzphenanthrene、Ｃ₂₂Ｈ₁₄）、ジベンゾピレン（dibenzopyrene、Ｃ₂₄Ｈ₁₂）、テルナフタレン（ternaphthalene、Ｃ₃₀Ｈ0₂₀）、クァテルナフタレン（quaternaphthalene、Ｃ₄₀Ｈ0₂₆）、テルアントラセン（teranthracene、Ｃ₄₂Ｈ₂₆）、クァテルアントラセン（quateranthracene、Ｃ₅₆Ｈ₃₄）。

［置換基Ｒ］
上述の一般式（１）〜（４４）から選ばれたＡｒ¹の有するＲ^k（ｋは１から４５３の範囲の整数）、上述の一般式（４５）〜（６９）から選ばれた１価の基の有するＲ^m（ｍは４５６から７３２の範囲の整数）、及び、Ａｒ²の置換基Ｙはそれぞれ、次に示す基から選ばれた基である。なお、Ａｒ²の置換基Ｙの少なくとも１つはトリフルオロメチル基、シアノ基、ハロゲン基から選ばれた基であるものとする。

即ち、ヒドロ基、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、iso−プロピル基、ｎ−ブチル基、iso−ブチル基、tert−ブチル基、sec−ブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナントリル基、アリル基、メトキシ基（methoxy基、−ＯＣＨ₃）、エトキシ基（ethoxy基、−ＯＣＨ₂ＣＨ₃）、ｎ−プロポキシ基（n-propoxy基、−Ｏ(ＣＨ₂)₂ＣＨ₃）、iso−プロポキシ基（iso-propoxy基、−ＯＣＨ(ＣＨ₃)₂）、ｎ−ブトキシ基（n-butoxy基、−Ｏ(ＣＨ₂)₃ＣＨ₃）、iso−ブトキシ基（iso-butoxy基、−ＯＣＨ₂ＣＨ(ＣＨ₃)₂）、tert−ブトキシ基（tert-butoxy基、−Ｏ(ＣＨ₃)₃）、sec−ブトキシ基（sec-butoxy基、−ＯＣＨ（ＣＨ₃）ＣＨ₂ＣＨ₃）、シクロヘキシルオキシ基（cyclohexyloxy基、−ＯＣ₆Ｈ₁₁）、フェノキシ基（phenoxy基、−ＯＣ₆Ｈ₅）、ナフトキシ基（naphtoxy基、−ＯＣ₁₀Ｈ₇）、アントラニルオキシ（アントリルオキシ）基（anthryloxy基、−ＯＣ₁₄Ｈ₉）、フェナントリルオキシ基（phenanthryloxy基、−ＯＣ₁₄Ｈ₉）から選ばれる。

ここで、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナントリル基、アリル基、フェノキシ基、ナフトキシ基、アントラニルオキシ基、フェナントリルオキシ基は、置換基を有してもよい。

上述の一般式（１）〜（４４）から選ばれたＡｒ¹の有するＲ^k（ｋは１から４５３の範囲の整数）は、それら全てがヒドロ基であってもよい。また、上述の一般式（４５）〜（６９）から選ばれた１価の基の有するＲ^m（ｍは４５６から７３２の範囲の整数）のうちの少なくとも１個又は２個は、トリフルオロメチル基、シアノ基、ハロゲン基（ハロ基）から選ばれた基である。

本発明の芳香族アミン化合物として、次に示す（ａ）或いは（ｂ）の第三アミン化合物が好ましい。

（ａ）上述の一般式［I］において、Ｘ¹がフェニル基（−Ｃ₆Ｈ₅）、Ｘ²が２−ナフチル基（−Ｃ₁₀Ｈ₇）、Ａｒ¹が２，６−ナフチレン基（−Ｃ₁₀Ｈ₆）であり、Ａｒ²が９位及び１０位にシアノ基（−ＣＮ）、７位にメチル基（−ＣＨ₃）の置換基を有する２−フェナントリル基である上述の［Ia］によって示される第三アミン化合物。

この第三アミン化合物は、無置換のフェニル基、無置換の２−ナフチル基、及び、２，６−ナフチレン基がそれぞれ、アミン窒素（Ｎ）に結合されている芳香族第三アミン化合物である。この２−フェナントリル基は、９位及び１０位にシアノ基（−ＣＮ）、７位にメチル基の置換基を有する基（−Ｃ₁₄Ｈ₆ＣＨ₃（ＣＮ）₂）である。

（ｂ）上述の一般式［I］において、Ｘ¹がフェニル基、Ｘ²が２−ナフチル基、Ａｒ¹が２，６−ナフチレン基であり、Ａｒ²が９位及び１０位にシアノ基の置換基を有する２，６−アントリル基である上述の［Ib］によって示される第三アミン化合物。

この第三アミン化合物は、無置換のフェニル基、無置換の２−ナフチル基、及び、２６−ナフチレン基がそれぞれ、アミン窒素（Ｎ）に結合されている芳香族第三アミン化合物である。この２，６−アントリル基は、９位及び１０位にシアノ基（−ＣＮ）の置換基を有する基（−Ｃ₁₄Ｈ₇（ＣＮ）₂）である。

本発明による芳香族アミン化合物は、Ｘ¹、Ｘ²の双方がヒドロ基である場合、第一アミン化合物であり、Ｘ¹、Ｘ²の一方がヒドロ基、他方がアリール基である場合、第ニアミン化合物であり、Ｘ¹、Ｘ²の双方がアリール基である場合、第三アミン化合物である。

本発明による芳香族アミン化合物は、優れた特性を有する有機電界発光素の作製のために好適に使用することができる。上述の一般式［I］で示される構造を有する芳香族アミン化合物の複数種類のものを、発光領域を有する有機層に含ませて、有機電界発光素子を構成することができる。

また、本発明の化合物を含む層を形成するに使用可能な材料としては、本発明の化合物の他に、ホール輸送材料（例えば、芳香族アミン類等）、電子輸送材料（例えば、Ａｌｑ₃、ピラゾリン類等）、又は、一般に赤色発光用ドーパントとして用いられる一連の化合物（ＤＣＭ及びその類似化合物、ポルフィリン類、フタロシアニン類、ペリレン化合物、ナイルレッド、スクアリリウム化合物等）、及び導電性高分子（ポリフルオレン、ポリビニルカルバゾール、ポリフェニレンビニレン等）が挙げられる。

［芳香族アミン化合物と共に使用されるアントラセン誘導体化合物（ホスト化合物）］
本発明の有機電界発光素子は、陽極と、陰極と、陽極と陰極との間に設けられた有機層とを有し、有機層の少なくとも一層が、上述の一般式［I］によって示される芳香族アミン化合物の少なくとも１種類、及び、アントラセン誘導体化合物の少なくとも１種類を含む混合層である。

この有機電界発光素子において、有機層は、ホール輸送層、発光層、及び、電子輸送層が積層された構造を有しており、発光層が上記の混合層からなり、発光層が、ホスト材料とドーパント材料から形成され、上述の一般式［I］によって示される芳香族アミン化合物がドーパント材料として含有されている。

即ち、発光層は、上述の一般式［I］によって示される芳香族アミン化合物とアントラセン誘導体化合物との混合層である。このアントラセン誘導体化合物として、上述の一般式［IIa］から一般式［IIe］によって示される化合物を使用することができる。発光層を、ホスト材料とドーパント材料から形成される混合層とすることによって、芳香族アミン化合物単独で発光層を構成した場合に比較して、発光強度（蛍光強度）を大幅に向上させることができ、耐熱性を向上させることができる。

［IIa］：

［IIa］によって示される化合物は、アントラセン誘導体からなる芳香族化合物であり、９位に１−ナフチル基（−Ｃ₁₀Ｈ₇）、１０位にｏ−ビフェニル基（−Ｃ₆Ｈ₄Ｃ₆Ｈ₅）を有するアントラセンであり、９−（ビフェニル−２−イル）アントラセン（（Ｃ₂₆Ｈ₁₈）、9-(biphenyl-2-yl)anthracene）の１０位の水素原子を、１−ナフチル基（−Ｃ₁₀Ｈ₇）で置換した化合物である。

［IIb］：

［IIb］によって示される化合物は、フルオランテン（Ｃ₁₆Ｈ₁₀、fluoranthene）とアントラセン（Ｃ₁₄Ｈ₁₀、anthracene）が結合した芳香族化合物であり、アントラセンの９位、１０位にそれぞれ、フルオランテニル基（fluoranthenyl基、−Ｃ₁₆Ｈ₉）が結合した構造を有する。

一般式［IIc］：

［IIc］によって示される化合物は、ナフタレンとアントラセンが結合した芳香族化合物であり、アントラセンの９位、１０位にそれぞれ、２−ナフチル基（naphthyl基、−Ｃ₁₀Ｈ₇）が結合した構造を有する。

一般式［IId］：

［IId］によって示される化合物は、アントラセンの９位、１０位にそれぞれ、１−ナフチル基（naphthyl基、−Ｃ₁₀Ｈ₇）、第１のフェニル基（phenyl基、−Ｃ₆Ｈ₅）が結合した構造を有し、第１のフェニル基が、置換基としてシアノ基（−ＣＮ）を有する第２のフェニル基（phenyl基、−Ｃ₆Ｈ₄（ＣＮ）を有している。

一般式［IIe］：

［IIe］によって示される化合物は、アントラセンの９位、１０位にそれぞれ、イソプロピル基（isopropyl基、−Ｃ₃Ｈ₆）、第１のフェニル基（phenyl基、−Ｃ₆Ｈ₅）が結合した構造を有し、第１のフェニル基が、置換基として第２のフェニル基（phenyl基、−Ｃ₆Ｈ₄（ＣＮ）を有している。

本発明による芳香族アミン化合物は、アミン窒素（Ｎ）に−Ｘ¹、−Ｘ²、−Ａｒ¹−がそれぞれ結合され、上述の一般式［a］によって示される基が−Ａｒ¹−に結合してなるものである。Ｘ¹、Ｘ²は、ヒドロ基、アルキル基、アリール基、アリル基、アルコキシ基、アリールオキシ基から選ばれた互いに同一又は異なる基、Ａｒ¹、Ａｒ²はアリーレン基、ＹはＡｒ²の置換基であり、置換基Ｙの少なくとも１つはトリフルオロメチル基、シアノ基、ハロゲン基から選ばれた置換基であり、残りの置換基Ｙは、ヒドロ基、アルキル基、アリール基、アリル基、アルコキシ基、アリールオキシ基から選ばれた基である。

本発明による芳香族アミン化合物は、有機電界発光素子の電子輸送層、ホール輸送層、及び、発光層を構成する材料として、好適に使用することができ、最適な波長で高輝度且つ安定な赤色発光を呈する。
る。

本発明による芳香族アミン化合物を備えた有機電界発光素子は、表示装置、照明装置等に好適に使用することができる。

以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について詳細に説明する。

先ず、本発明による有機電界発光素子の構成例について説明する。

＜実施の形態＞
［透過型有機電界発光素子の構成例］
図１は、本発明の実施の形態における、透過型有機電界発光素子４０Ａの構成例を説明する要部概略断面図である。

図１に示す下面発光型の有機電界発光素子は、基板１上に、順次、透明陽極２、有機層（発光層）５、陰極３が積層され、積層されたこれらの層が保護膜４によって保護された構造を有し、透明陽極２と陰極３の間に電圧が印加されて、有機層５から発光３０を生じる。この発光３０は、陽極２を透過する透過型の構成によって、陰極３で反射されたものを含み、透明陽極２を透過して外部に放射され、透明な基板１の側から観測される。

［反射型有機電界発光素子の構成例］
図２は、本発明の実施の形態における、反射型有機電界発光素子４０Ｂの構成例を説明する要部概略断面図である。

図２に示す上面発光型の有機電界発光素子は、基板１上に、順次、陽極２、有機層（発光層）５、薄い陰極３が積層され、積層されたこれらの層が保護膜４によって保護された構造を有し、陽極２と陰極３の間に電圧が印加されて、有機層５から発光３０を生じる。この発光３０は、陽極２によって反射される反射型の構成によって、陽極２で反射されたものを含み、薄い陰極３を透過して外部に放射され、陰極３の側から観測される。

図１、図２において、基板１として、ガラス、プラスチック、又は、他の適宜の材料を用いることができ、有機電界発光素子を他の発光素子と組み合わせて用いる場合には、他の発光素子と基板を共用することもできる。

陽極２として、ＩＴＯ、ＳｎＯ₂等を使用できる。陰極３を構成する電極材料としては、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ等の活性な金属とＡｇ、Ａｌ、Ｉｎ等の金属との合金或いは積層した構造を使用することができる。

また、陰極３の厚さを調節することにより、透過型有機電界発光素子１Ａにおいては、用途に合った光反射率、反射型有機電界発光素子１Ｂにおいては、用途に合った光透過率をそれぞれ得ることができる。有機電界発光素子全体を覆い封止して保護する保護層４は、耐湿性、低い水透過性、耐紫外線性を有し、透明な材質であり、気密性を保持することできるものであれば、各種の材料を使用することができる。

また、有機層（発光層）５は、上述した芳香族アミン化合物を発光材料として含有している。この発光層について、有機電界発光３０を得る層構成としては、従来公知の種々の構成を用いることができる。後述するように、例えば、正孔輸送層と電子輸送層の何れかを構成する材料が発光性を有する場合、これらの薄膜を積層した構造を使用できる。

更に、電荷輸送性能を上げるために、正孔輸送層と電子輸送層の何れ若しくは両方が、複数種の材料の薄膜を積層した構造、又は、複数種の材料を混合した組成からなる薄膜を使用してもよい。

また、発光性能を上げるために、少なくとも１種以上の蛍光性の材料を用いて、この材料からなる薄膜を正孔輸送層と電子輸送層の間に挟持した構造、更に、少なくとも１種以上の蛍光性の材料を正孔輸送層若しくは電子輸送層、又は、これらの両方に含ませた構造を使用してもよい。これらの場合には、発光効率を改善するために、正孔又は電子の輸送を制御するための薄膜をその層構成に含ませることも可能である。

上述の一般式［I］で示した芳香族アミン化合物は、電子輸送性能と正孔輸送性能の両方を持つため、素子構造中、電子輸送性材料との混合発光層としても、或いは、正孔輸送性材料との混合発光層としても用いることが可能である。また、この化合物を含む混合層を電子輸送層と正孔輸送層に挟み込んだ構成で発光材料として用いることも可能である。

なお、有機層５は、真空蒸着、スピンコート、インクジェット、スクリーン印刷、フレキソ印刷やオフセット印刷、グラビア印刷、レーザー転写、熱転写、エレクトロスプレイデポジション等の方法で作成することができる。

本発明に基づく有機電界発光素子においては、有機層が、正孔輸送層と電子輸送層とが積層された有機積層構造（シングルへテロ構造）を有しており、正孔輸送層又は電子輸送層の形成材料として上述した芳香族アミン化合物を含む混合層が用いられてもよい。

或いは、有機層が正孔輸送層と発光層と電子輸送層とが順次積層された有機積層構造（ダブルヘテロ構造）を有しており、発光層の形成材料として上述した芳香族アミン化合物を含む混合層が用いられてもよい。このような有機積層構造を有する有機電界発光素子の例を次に説明する。

［シングルへテロ型の有機電界発光素子の構成例］
図３は、本発明の実施の形態における、シングルへテロ型の有機電界発光素子４０Ｃの構成例を説明する要部概略断面図である。

図３に示す下面発光型の有機電界発光素子は、基板１上に、順次、陽極２、正孔輸送層６と電子輸送層７とからなる有機層５ａ、陰極３とが積層され、積層されたこれらの層が保護膜４によって保護された構造を有している。陽極２と陰極３の間に電圧が印加されて、有機層５ａから発光３０を生じる。

図３に示す発光層を省略した層構成の素子では、正孔輸送層６と電子輸送層７の界面から発生する所定波長の発光３０は、陽極２を透過する透過型、又は、陽極２によって反射される反射型の構成によって、外部に放射される。透過型の構成では、陰極３で反射されたものを含み透明な陽極２を透過して放射され、透明な基板１側から観測され、反射型の構成では、陽極２で反射されたものを含み薄い陰極３を透過して放射され、陰極３の側から観測される。

［ダブルへテロ型の有機電界発光素子の構成例］
図４は、本発明の実施の形態における、ダブルへテロ型の有機電界発光素子４０Ｄの構成例を説明する要部概略断面図である。

図４に示す上面発光型の有機電界発光素子は、基板１上に、順次、陽極２、正孔輸送層１０と発光層１１と電子輸送層１２とからなる有機層５ｂ、陰極３が積層され、積層されたこれらの層が保護膜４によって保護された構造を有している。陽極２と陰極３の間に電圧が印加されて、有機層５ｂから発光３０を生じるダブルへテロ構造の有機電界発光素子４０Ｄである。

図４に示す層構成の素子では、陽極２と陰極３の間に直流電圧を印加することにより、陽極２から注入された正孔が正孔輸送層１０を経て、また、陰極３から注入された電子が電子輸送層１２を経て、それぞれ発光層１１に到達する。この結果、発光層１１においては電子／正孔の再結合が生じて一重項励起子が生成し、この一重項励起子から所定波長の発光３０を発生する。

図４に示す層構成の素子では、発光層１１から発生する所定波長の発光３０は、陽極２を透過する透過型、又は、陽極２によって反射される反射型の構成によって、外部に放射される。透過型の構成では、陰極３で反射されたものを含み透明な陽極２を透過して放射され、透明な基板１側から観測され、反射型の構成では、陽極２で反射されたものを含み薄い陰極３を透過して放射され、陰極３の側から観測される。

図３、図４に示す有機電界発光素子において、基板１として、例えば、ガラス、プラスチック等の光透過性の材料を適宣用いることができる。図３、図４に示す素子を他の発光素子と組み合わせて用いる場合や、図３、図４に示す素子の積層構造をマトリックス状に配置する場合等には、この基板を共用してもよい。また、図３、図４に示す素子は何れも、上述したように、透過型、反射型の何れの構造も採ることができる。

陽極２として、ＩＴＯ（indium tin oxide）やＳｎＯ₂等が使用できる。この陽極２と正孔輸送層６（又は、正孔輸送層１０）との間には、電荷注入効率を改善する目的で、有機物若しくは有機金属化合物からなる薄膜を設けてもよい。なお、保護層４が金属等の導電性材料で形成されている場合は、陽極２の側面に絶縁膜が設けられていてもよい。

陰極３に用いる材料としては、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｃｓ等の活性な金属とＡｇ、Ａｌ、Ｉｎ等の金属との合金を使用でき、これらの金属層が積層した構造であってもよい。なお、陰極の厚みや材質を適宜選択することによって、透過型、反射型として構成され用途に見合った有機電界発光素子を作製できる。

保護層４は、封止膜として作用するものであり、有機電界発光素子全体を覆う構造とすることで、電荷注入効率や発光効率を向上できる。保護層４はその気密性が保たれればよく、アルミニウム、金、クロム等の単金属又は合金、有機又は無機樹脂等から適宜その材料を選択することができる。

図３に示すシングルへテロ構造の有機電界発光素子Ｃにおける有機層５ａは、正孔輸送層６と電子輸送層７とが積層された有機層であり、これらの何れか又は双方に上述した芳香族アミン化合物を含む混合層が含有され、発光性の正孔輸送層６又は電子輸送層７としてよい。

また、有機電界発光素子Ｃにおいて、発光層は電子輸送性発光層７であってよいが、電源から印加される電圧によっては、正孔輸送層６やその界面で発光される場合がある。

図４に示すダブルへテロ構造の有機電界発光素子Ｄにおける有機層５ｂは、正孔輸送層１０と上述した芳香族アミン化合物を含む混合層を含有する発光層１１と電子輸送層１２とが積層された有機層であるが、その他、種々の積層構造を採ることができる。例えば、正孔輸送層と電子輸送層の何れか若しくは両方が発光してもよい。

また、正孔輸送層において、正孔輸送性能を向上させるため、複数種の正孔輸送材料を積層した正孔輸送層を形成してもよい。

また、有機電界発光素子Ｄにおいて、発光層は、発光層１１以外に、電子輸送層１２であってもよく、正孔輸送層１０であってもよい。発光性能を向上させるため、少なくとも１種の蛍光性材料を用いた発光層１１を正孔輸送層と電子輸送層との間に狭持させた構造であるのがよい。また、この蛍光性材料を正孔輸送層又は電子輸送層、或いはこれら両層に含有させた構造を構成してよい。このような場合、発光効率を改善するために、正孔又は電子の輸送を制御するための薄膜（ホールブロッキング層やエキシトン生成層等）をその層構成に含ませることも可能である。

上述した各有機電界発光素子Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに印加する電流は通常、直流であるが、パルス電流や交流を用いてもよい。電流値、電圧値は、素子が破壊しない範囲内であれば特に制限はないが、有機電界発光素子の消費電力や寿命を考慮すると、なるべく小さい電気エネルギーで効率良く発光させることが望ましい。

次に、本発明による有機電界発光素子を使用した表示装置の例について説明する。

［有機電界発光素子を用いたフルカラー平面ディスプレイの構成例］
図５は、本発明の実施の形態における、有機電界発光素子を用いたフルカラーの平面ディスプレイの構成例を説明する図である。

図５に示すように、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の３原色を発光可能な有機層５（５ａ、５ｂ）が、陰極３と陽極２との間に配されている。陰極３及び陽極２は、互いに交差するストライプ状に設けることができる。陰極３及び陽極２は、輝度信号回路３４及びシフトレジスタ内蔵の制御回路３５により選択されて、それぞれに信号電圧が印加される。これによって、単純マトリックス方式又はアクティブマトリックス方式で選択された陰極３及び陽極２が交差する位置（画素）の有機層５が発光するように構成されている。

図５に示す例は、８×３ＲＧＢ単純マトリックスを示し、正孔輸送層５と電子輸送層６からなる有機層５ａ、又は、正孔輸送層５と発光層１１と電子輸送層６からなる有機層５ｂを陰極３と陽極２の間に配設したものである（図３、図４参照）。陰極３と陽極２は共にストライプ状にパターニングされ、互いにマトリクス状に直交しており、シフトレジスタ内蔵の制御回路３５及び輝度信号３４により時系列的に信号電圧が印加される。これにより、陰極３と陽極２のストライプ状パターンの交差位置で発光するように構成されている。

上述した有機電界発光素子は、文字・記号等のディスプレイとしては勿論、画像再生装置としても使用できる。また、陰極３と陽極２のストライプ状パターンを赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の色毎に配し、マルチカラー或いはフルカラーの全固体型フラットパネルディスプレイを構成することが可能となる。

上述した各有機電界発光素子は薄膜トランジスタによって駆動されてもよい。

次に、薄膜トランジスタ駆動上面発光素子の例を図６に示す。

［薄膜トランジスタ駆動上面発光素子の構成例］
図６は、本発明の実施の形態における、薄膜トランジスタ駆動による上面発光（トップエミッション）素子の構成例を説明する要部概略断面図である。

図６に示す発光素子は、有機層５から発生する発光が、陽極２で反射されたものを含み薄い陰極３を透過して放射され、陰極３の側から観測される反射型の素子として構成され上面に光が放射される上面発光（トップエミッション）素子である。

図６に示すように、薄膜トランジスタ１７は、ゲート電極２３、ドレイン電極１９、ソース電極２４、半導体層２１、層間絶縁膜２２、層間絶縁膜２０、配線２５、配線２６、絶縁膜２７、平坦化層１８等からなり、これらが基板１上に形成されている。発光３０を生じる有機層（発光層）５、及び、陰極３が障壁１６によって分離されて、有機電界発光素子の複数個が陽極２上に形成され、保護膜４によって保護されている。

次に、本発明による芳香族アミン化合物の例について説明する。

［芳香族アミン化合物の例］
本発明の芳香族アミン化合物の好ましい例として、次に示す化合物（７１）、化合物（７７）の第三アミン化合物を挙げることができる。

化合物（７１）：Ｎ−フェニル−２，２’−［６’−（９’，１０’−ジシアノ）フェナントリル］ジナフチルアミン

化合物（７７）：Ｎ−フェニル−２，２’−［６’−（９’，１０’−ジシアノ）アントリル］ジナフチルアミン

化合物（７１）は、上述の一般式［I］において、Ｘ¹を２−フェニル基（−Ｃ₆Ｈ₅）、Ｘ²をナフチル基（−Ｃ₁₀Ｈ₇）、Ａｒ¹を２，６−ナフチレン基（−Ｃ₁₀Ｈ₆−）、Ａｒ²を、９位及び１０位にシアノ基（−ＣＮ）、７位にメチル基（−ＣＨ₃）の置換基を有する２−フェナントリル基とする第三アミン化合物である。

この第三アミン化合物は、無置換のフェニル基、無置換の２−ナフチル基、及び、２，６−ナフチレン基がそれぞれ、アミン窒素（Ｎ）に結合されている芳香族第三アミン化合物である。この２，６−ナフチレン基には、９位及び１０位にシアノ基（−ＣＮ）、７位にメチル基の置換基を有する２−フェナントリル基（−Ｃ₁₄Ｈ₆ＣＨ₃（ＣＮ）₂）が結合されている。

化合物（７７）は、上述の一般式［I］において、Ｘ¹をフェニル基、Ｘ²を２−ナフチル基、Ａｒ¹を２，６−ナフチレン基、Ａｒ²を、９位及び１０位にシアノ基の置換基を有する２−アントリレル基とする第三アミン化合物である。

この第三アミン化合物は、無置換のフェニル基、無置換の２−ナフチル基、及び、２，６２−ナフチル基がそれぞれ、アミン窒素（Ｎ）に結合されている芳香族第三アミン化合物である。この２，６２−ナフチル基には、９位及び１０位にシアノ基（−ＣＮ）の置換基を有する６−アントリル基（−Ｃ₁₄Ｈ₇（ＣＮ）₂）が結合されている。

次に、本発明による芳香族アミン化合物の合成例について説明する。

［芳香族アミン化合物の合成例］
本発明による化合物（７１）及び化合物（７７）の合成スキームの例を次に説明する。

［化合物（７１）の芳香族第三アミン化合物の合成スキーム例］
図７は、本発明の実施の形態における、化合物（７１）の合成スキーム例を説明する図である。

先ず、化合物Ａ１（Ｃ₇Ｈ₄ＢｒＮ（４−ブロモフェニルイソシアニド））と化合物Ａ２（Ｃ₉Ｈ₉Ｎ（ｐ−メチルベンジルシアニド））を、Ｅｔ₂Ｏ（無水エチルエーテル）に溶解し、沃素Ｉ₂を加える。次いで、ＮａＯＭｅ（ナトリウムメトキシド）のＭｅＯＨ（メタノール）溶液を滴下、攪拌させて、化合物（７２）を含む粗体を得る。

化合物（７２）を含む粗体をtoluene（トルエン）に溶解し、沃素Ｉ₂を加えた反応溶液に酸素Ｏ₂を通気させながら、紫外線を照射して、副生成物と化合物（７３）を含む粗体を得る。この粗体をシリカゲルクロマトグラフィーによって精製された化合物（７３）を得る。

化合物Ａ３（Ｃ₁₀Ｈ₇ＢｒＯ、６−ブロモ−ナフタレン−２−オール）のＣＨ₂Ｃｌ₂（（ジクロロメタン）溶液に、2,6-Lutidine（Ｃ₇Ｈ₉Ｎ、２，６−ルチジン、２，６−ジメチルピリジン）とＣＦ₃ＳＯ₃Ｈ（トリフルオロメタンスルホン酸）を添加し反応させる。この反応液をシリカゲルクロマトグラフィーによって精製して化合物（７４）を得る。

化合物（７４）、化合物Ａ４（Ｃ₁₆Ｈ₁₃Ｎ、Ｎ‐フェニル−２−ナフチルアミン、２‐アニリノナフタレン）、Ｐｄ（ＯＡｃ）₂（二酢酸パラジウム（II））、Ｐ（ｔ−Ｂｕ）₃（Ｂｕ＝Ｃ₄Ｈ₉、トリ（tert−ブチル）ホスフィン）、Ｎａ（Ｏ−ｔＢｕ）（ナトリウムtert−ブトキシド）、及び、xylenes（０−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレンの混合物を xylenes という。）を、Ａｒ（アルゴン）ガス流下で、混合し、反応させる。この反応生成物をシリカゲルクロマトグラフィーによって精製して化合物（７５）を得る。

化合物（７５）、化合物Ａ５（Ｃ₁₂Ｈ₂₄Ｂ₂Ｏ₄、ビスピナコラートジボロン、bis(pinacolate)diboron）、ＰｄＣｌ₂（ｄｐｐｆ）（Ｃ₃₄Ｈ₂₈ＦｅＰ₂・ＰｄＣｌ₂、ジクロロパラジウムジフェニルフォスフィノフェロセン、(bis(diphenylphosphino)ferrocene)dichloropalladium）、ｄｐｐｆ（Ｃ₃₄Ｈ₂₈ＦｅＰ₂、ジフェニルフォスフィノフェロセン）、ＫＯＡｃ（酢酸カリウム）、及び、1,4-dioxane（Ｃ₄Ｈ₈Ｏ₂）を混合し、Ａｒガス流下で、還流させ反応させる。この反応液をシリカゲルクロマトグラフィーによって精製して化合物（７６）を得る。なお、ＰｄＣｌ₂（ｄｐｐｆ）は、フェロセン骨格上に２個のホスフィン部位を有する構造をもつｄｐｐｆ（Ｃ₃₄Ｈ₂₈ＦｅＰ₂）とＰｄＣｌ₂との配位化合物である。

化合物（７６）、化合物（７３）を含む粗体、Ｐｄ（ＰＰｈ₃）₄（Ｐｄ［Ｐ（Ｃ₆Ｈ₅）₃］₄、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、Tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0)）、Ｎａ₂ＣＯ₃（炭酸ナトリウム）、ＭｅＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＭｅ（１，２−ジメトキシエタン）を混合し、Ａｒガス流下で、還流させ反応させて化合物（７１）を含む粗体を得る。この粗体をシリカゲルクロマトグラフィーによって精製して化合物（７１）を得る。

［化合物（７７）の芳香族第三アミン化合物の合成スキーム例］
図８は、本発明の実施の形態における、化合物（７７）の合成スキーム例を説明する図である。

化合物（７８）及び化合物（７９）は、図７に示す化合物（７５）及び化合物（７６）と同様にして合成することができる。

図７と同様にして得られた化合物（７４）、化合物Ｂ１（Ｃ₁₆Ｈ₁₃Ｎ、Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミン、１−アニリノナフタレン）、Ｐｄ（ＯＡｃ）₂（二酢酸パラジウム（II））、Ｐ（ｔ−Ｂｕ）₃（Ｂｕ＝Ｃ₄Ｈ₉、トリ（tert−ブチル）ホスフィン）、Ｎａ（Ｏ−ｔＢｕ）（ナトリウムtert−ブトキシド）、及び、xylenes を混合し、Ａｒガス流下で、反応させる。この反応液をシリカゲルクロマトグラフィーによって精製して化合物（７８）を得る。

化合物（７８）、化合物Ａ５（ビスピナコラートジボロン（Ｃ₁₂Ｈ₂₄Ｂ₂Ｏ₄））、ＰｄＣｌ₂（ｄｐｐｆ）（Ｃ₃₄Ｈ₂₈ＦｅＰ₂・ＰｄＣｌ₂、ジクロロパラジウムジフェニルフォスフィノフェロセン、(bis(diphenylphosphino)ferrocene)dichloropalladium）、ｄｐｐｆ（Ｃ₃₄Ｈ₂₈ＦｅＰ₂、ジフェニルフォスフィノフェロセン）、ＫＯＡｃ（酢酸カリウム）、及び、1,4-dioxane（Ｃ₄Ｈ₈Ｏ₂）を混合し、Ａｒガス流下で、還流させ反応させる。この反応液をシリカゲルクロマトグラフィーによって精製して化合物（７９）を得る。

暗室にてオイル除去したＮａＨ（水素化ナトリウム）と、脱水ＤＭＳＯ（Ｃ₂Ｈ₆ＯＳ、ジメチルスルホキシド）と、化合物Ｂ２（Ｃ₁₄Ｈ₇Ｃｌ₂、２−クロロ−９，１０−アントラキノン）を混合する。この混合液に、アルゴン雰囲気下で、Ｍｅ₃Ｓ⁺Ｉ^-（Ｃ₃Ｈ₉Ｓ⁺Ｉ^-（トリメチルヨード硫黄（ＩＶ）、trimethyliodosulfur(IV)））の脱水ＤＭＳＯ溶液を室温以下で時間をかけて滴下する。室温で攪拌後、氷水に注ぎ、終夜攪拌する。酢酸エチルを加え分液する。有機層を水、食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し減圧下濃縮して、化合物Ｂ２をエポキシ化（epoxidization）させて化合物（エポキシド）（８０）の粗液体を得る。なお、Ｃ₃Ｈ₉Ｓ⁺Ｉ^-は、Ｃ₃Ｈ₉Ｓ⁺（トリメチルスルホニウム、trimethylsulfonium）とＩ^-の塩である。

ＬｉＢｒ（臭化リチウム）及びＫＩ（ヨウ化カリウム）の acetonitrile（Ｃ₂Ｈ₃Ｎ、アセトニトリル）溶液に、暗室にてアルゴン雰囲気下で、化合物（８０）を加える。加温下
にて長時間攪拌し反応させた後、析出した固体をろ別する。粗結晶をアセトニトリルで洗浄して、化合物（８０）のエポキシ環を開環させたオレンジ色結晶の化合物（８１）を得る。

化合物（８１）から化合物（８２）を経て化合物（８３）を得る方法は、一般的な有機合成の手法に従って、化合物（８１）のＮＥｔ₃／pyridine：ＳＯ₃酸化により、−ＣＯＨを選択的に−Ｃ＝Ｏに酸化して、化合物（８２）を得、続いて、ＮＨ₄ＯＨ・ＨＣｌ（塩酸ヒドロキシアンモニウム）によりアルデヒド化合物（８２）からオキシムを経由してニトリル化合物（８３）を得ることができる。

化合物（８１）の脱水ＤＭＳＯ溶液に、３７℃以下、アルゴン雰囲気下で、ＮＥｔ₃（Ｃ₆Ｈ₁₅Ｎ、トリエチルアミン）とPyridine：ＳＯ₃（Ｃ₅Ｈ₅Ｎ・ＳＯ₃、ピリジン・三酸化硫黄錯体、Pyridine-Sulfur Trioxide Complex、sulfur trioxide・pyridine salt）を加える。攪拌後、水に注ぎ、析出物をろ過し、この析出物を、再度、水中で懸濁させ攪拌後、ろ過する。次に、メタノール中で懸濁させ攪拌後、ろ過し、オレンジ色結晶の化合物（８２）を得る。

ＮａＯＡｃ（酢酸ナトリウム）のＨＯＡｃ（ＡｃはＣＨ₃ＣＯを示し、ＨＯＡｃは酢酸である。）溶液に、ＮＨ₄ＯＨ・ＨＣｌ（塩酸ヒドロキシアンモニウム）と化合物（８２）を加えて還流し反応させ、冷却後、水に注ぎ、結晶をろ過する。得られた結晶粗体を、水とメタノールで順に洗浄した後、シリカゲルカラム（溶出液：熱トルエン）で精製し、得られた粗精製固体をＴＨＦ（テトラヒドロフラン）で複数回再結晶して鮮黄色結晶の化合物（８３）を得る。

化合物（７９）、化合物（８３）、Ｐｄ（ＰＰｈ₃）₄（Ｐｄ［Ｐ（Ｃ₆Ｈ₅）₃］₄、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、Tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0)）、Ｎａ₂ＣＯ₃（炭酸ナトリウム）、ＤＭＥ（ＭｅＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＭｅ、１，２−ジメトキシエタン）を混合し、Ａｒガス流下で、還流して反応させる。反応液を減圧乾燥し、得られた粗体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶出液：熱トルエン）で精製し、赤色の粗体を得る。これを昇華精製し、化合物（７７）の純品を得る。

次に、本発明の実施例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。

＜実施例＞
［有機電界発光素子（その１）］
先ず、化合物（７１）、下記のホスト化合物（８４）を含む有機発光層を用いた有機電界発光素子について説明する。

（１）化合物（７１）を含む有機発光層の構成と蛍光強度
ガラス基板上に真空蒸着法により１０^-4Ｐａ以下の真空下で、化合物（７１）とホスト化合物（８４）の混合膜（共蒸着膜、厚さ２５ｎｍ）を形成した。

化合物（７１）：

化合物（８４）：

ホスト化合物（８４）は、アントラセン誘導体からなる芳香族化合物であり、９位に１−ナフチル基（−Ｃ₁₀Ｈ₇）、１０位にｏ−ビフェニル基（−Ｃ₆Ｈ₄Ｃ₆Ｈ₅）を有する９−（ビフェニル−２−イル）−１０−（１−ナフチル）アントラセン（Ｃ₃₆Ｈ₂₄、9-(biphenyl-2-yl)-10-(1-naphthyl)anthracene）である。ホスト化合物（８４）は、９−（ビフェニル−２−イル）アントラセン）（Ｃ₂₆Ｈ₁₈、9-(biphenyl-2-yl)anthracene）の１０位のヒドロ基（−Ｈ）を１−ナフチレン基（−Ｃ₁₀Ｈ₇）で置換して得ることができる。化合物（８４）は、９−（１−ナフチル）−１０−ブロモ−アントラセンと２−ビフェニルボロン酸を反応させて合成することができるが、合成方法の詳細については、実施例において後述する。

図９は、本発明の実施例における、化合物（７１）を含む有機発光層の構成例と蛍光強度の関係を示す図である。

図９は蛍光スペクトルを示し、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は蛍光強度（任意単位）を示す。図９において、（ａ）は化合物（７１）１００％の薄膜に関する蛍光スペクトル、（ｂ）は化合物（７１）４０％とホスト化合物（８４）６０％の混合膜（共蒸着膜）の蛍光スペクトルを示す（共蒸着膜の組成を示す％は体積％である。以下の説明においても同様である。）。

なお、図９において、（ａ）は化合物（７１）の吸収極大である４５３ｎｍ、（ｂ）はホスト化合物（８４）の吸収極大である３８２ｎｍでそれぞれ励起して得られた蛍光スペクトルであり、共蒸着膜ではホスト化合物（８４）の蛍光が見えずに、エネルギー移動の結果、化合物（７１）から赤色の蛍光が見えている。

図９中の（ａ）に示す化合物（７１）１００％薄膜に関する蛍光スペクトルは、蛍光極大６１０ｎｍで良好な赤色発光材料となることが示された。一方、図９中の（ｂ）に示す共蒸着膜では、蛍光強度が、（ａ）は化合物（７１）１００％の薄膜に比べて、３倍に増加し、適切なフィルターと組み合わせることで良好な赤色発光素子を与えることを示唆している。

（２）有機電界発光素子の作製
第一の正孔輸送層と第二の正孔輸送層によって構成された正孔輸送層層１０（図４を参照。）と、化合物（７１）とホスト化合物（８４）の混合層（共蒸着膜）からなる発光層を有する、図４に示すダブルヘテロ構造透過型有機電界発光素子を作製した。

第一の正孔輸送層は、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（Ｃ₅₇Ｈ₄₈Ｎ₄、4,4',4”-tris(3-methyl-phenylphenylamino)tri-phenylamine、トリス［４−（３−メチルフェニルアミノ）フェニル］アミン）からなる。第ニの正孔輸送層は、α−ＮＰＤ（Ｃ₄₄Ｈ₃₂Ｎ₂、4,4'-bis[Ｎ,Ｎ'-di(1-naphthyl)-Ｎ,Ｎ'-diphenyl]biphenyldiamine、４，４'−ビス［フェニル（１−ナフチル）アミノ］ビフェニル）からなる。

ｍ−ＭＴＤＡＴＡ：

α−ＮＰＤ：

先ず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マスクとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法により１０^-4Ｐａ以下の真空下で、第一の正孔輸送層を構成する材料であるｍ−ＭＴＤＡＴＡを１１０ｎｍの厚さで蒸着した。続いて、第二の正孔輸送層を構成する材料であるα−ＮＰＤを１１０ｎｍの厚さで蒸着した。

更に、発光層を構成する材料として化合物（７１）とホスト化合物（８４）を４０％：６０％の比率となるように正孔輸送層に接して６５ｎｍの厚さで蒸着した。更に、電子輸送層としてＡｌｑ₃（Ｃ₂₇Ｈ₁₈ＡｌＮ₃Ｏ₃、tris(8-quinolinyloxy) aluminum、トリス（８−キノリノール）アルミニウム）を発光層に接して３０ｎｍの厚さで蒸着した。蒸着レートは各々０．２ｎｍ／秒とした。

陰極を構成する材料としてＭｇとＡｇの積層膜を採用し蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として、Ｍｇ膜を５０ｍｎの厚さ、及び、Ａｇ膜を１５０ｎｍの厚さで形成し、図４に示したような有機電界発光素子を作製した。

（３）有機電界発光素子の特性
以上のようにして作製した有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を行った結果、図９と類似の発光スペクトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダイオードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、電圧−輝度特性、外部量子効率を測定した。

図１０は、本発明の実施例における、有機電界発光素子の電圧−輝度特性の例を示す図であり、横軸は印加電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（Ｃｄ／ｃｍ²）を示す。

図１１は、本発明の実施例における、有機電界発光素子の輝度−外部量子効率特性の例を示す図であり、横軸は輝度（Ｃｄ／ｃｍ²）、縦軸は外部量子効率（％）を示す。

図１２は、本発明の実施例における、有機電界発光素子の発光スペクトル（有機電界発光スペクトル）の例を示す図であり、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を示す。

図１０、図１１に示すように、電圧−輝度特性の測定から、８Ｖで３０００ｃｄ／ｍ²の輝度であり、このときの外部量子効率は２．２％と非常に高効率であり、図１２はこのときの有機電界発光スペクトルを示す。

この有機電界発光素子の作製後、窒素雰囲気下に１カ月間放置したが、発光素子の特性劣化は観察されなかった。また、初期輝度１００ｃｄ／ｍ²で電流値を一定に通電して連続発光させて、強制劣化させた際、輝度が半減するまでの時間は２０００時間であった。

［有機電界発光素子（その２）］
次に、化合物（７７）、下記のホスト化合物（８５）を含む有機発光層を用いた有機電界発光素子について説明する。

（１）化合物（７７）を含む有機発光層の構成と蛍光強度
ガラス基板上に真空蒸着法により１０^-4Ｐａ以下の真空下で、化合物（７７）とホスト化合物（８５）の混合膜（共蒸着膜、厚さ３０ｎｍ）を形成した。

化合物（７７）：

化合物（８５）：９，１０−ジ（３−フルオランテニル）アントラセン

化合物（８５）は、特許文献５及び特許文献６に記載されている化合物である。この化合物（８５）は、フルオランテン（Ｃ₁₆Ｈ₁₀、fluoranthene）とアントラセン（Ｃ₁₄Ｈ₁₀、anthracene）が結合した芳香族化合物であり、アントラセンの９位、１０位にそれぞれ、フルオランテニル基（fluoranthenyl基、−Ｃ₁₆Ｈ₉）が結合した構造を有する。

図１３は、本発明の実施例における、化合物（７７）を含む有機発光層の構成例と蛍光強度の関係を示す図である。

図１３は蛍光スペクトルを示し、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は蛍光強度（任意単位）を示す。図１３において、（ａ）は化合物（７７）１００％の薄膜に関する蛍光スペクトル、（ｂ）は化合物（７７）５％とホスト化合物（８５）９５％の混合膜（共蒸着膜）の蛍光スペクトルを示す。

なお、図９において、（ａ）は化合物（７７）の吸収極大である４８４ｎｍ、（ｂ）はホスト化合物（８５）の吸収極大である３８４ｎｍでそれぞれ励起して得られた蛍光スペクトルであり、共蒸着膜ではホスト化合物（８５）の蛍光が抑制され、エネルギー移動の結果、化合物（７７）から赤色の蛍光が見えている。

図１３中の（ａ）に示す化合物（７７）１００％薄膜に関する蛍光スペクトルは、蛍光極大６９５ｎｍで深赤色発光材料となることが示された。一方、図１３中の（ｂ）に示す共蒸着膜では、蛍光強度が、（ａ）は化合物（７７）１００％の薄膜に比べて、１００倍に増加し、適切なフィルターと組み合わせることで良好な赤色発光素子を与えることを示唆している。

（２）有機電界発光素子の作製
第一の正孔輸送層と第二の正孔輸送層によって構成された正孔輸送層層１０（図４を参照。）と、化合物（７７）とホスト化合物（８５）の混合層（共蒸着膜）からなる発光層を有する、図４に示すダブルヘテロ構造透過型有機電界発光素子を作製した。第一の正孔輸送層はｍ−ＭＴＤＡＴＡ、第ニの正孔輸送層はα−ＮＰＤである。

先ず、真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚さのＩＴＯからなる陽極が一表面に形成された３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス基板をセッティングした。蒸着マスクとして複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有する金属マスクを基板に近接して配置し、真空蒸着法により１０^-4Ｐａ以下の真空下で、第一の正孔輸送層を構成する材料であるｍ−ＭＴＤＡＴＡを１１０ｎｍの厚さで蒸着した。続いて、第二の正孔輸送層を構成する材料であるα−ＮＰＤを１４０ｎｍの厚さで蒸着した。

更に、発光層を構成する材料として化合物（７７）とホスト化合物（８５）を５％：９５％の比率となるように正孔輸送層に接して５５ｎｍの厚さで蒸着した。更に、電子輸送層としてトリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ₃）を発光層に接して３０ｎｍの厚さで蒸着した。蒸着レートは各々０．２ｎｍ／秒とした。

陰極を構成する材料としてＭｇとＡｇの積層膜を採用し蒸着により、蒸着レート１ｎｍ／秒として、Ｍｇ膜を５０ｍｎの厚さ、及び、Ａｇ膜を１５０ｎｍの厚さで形成し、図４に示したような有機電界発光素子を作製した。

（３）有機電界発光素子の特性
以上のようにして作製した有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を行った結果、図９と同様の発光スペクトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダイオードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、電圧−輝度特性、外部量子効率を測定した。

図１４は、本発明の実施例における、有機電界発光素子の電圧−輝度特性の例を示す図であり、横軸は印加電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（Ｃｄ／ｃｍ²）を示す。

図１５は、本発明の実施例における、有機電界発光素子の輝度−外部量子効率特性の例を示す図であり、横軸は輝度（Ｃｄ／ｃｍ²）、縦軸は外部量子効率（％）を示す。

図１６は、本発明の実施例における、有機電界発光素子の発光スペクトル（有機電界発光スペクトル）の例を示す図であり、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を示す。

図１４、図１５に示すように、電圧−輝度特性の測定から、８Ｖで５００ｃｄ／ｍ²の輝度であり、このときの外部量子効率は１．８％と非常に高効率であり、図１６はこのときの有機電界発光スペクトルを示す。

この有機電界発光素子の作製後、窒素雰囲気下に１カ月間放置したが、発光素子の特性劣化は観察されなかった。また、初期輝度１００ｃｄ／ｍ²で電流値を一定に通電して連続発光させて、強制劣化させた際、輝度が半減するまでの時間は２０００時間であった。

［有機電界発光素子（その３）］
次に、化合物（７１）、下記のホスト化合物（８６）を含む有機発光層を用いた有機電界発光素子について説明する。

（１）化合物（７１）を含む有機発光層の構成と蛍光強度
ガラス基板上に真空蒸着法により１０^-4Ｐａ以下の真空下で、化合物（７１）とホスト化合物（８６）（ＡＤＮの慣用名で知られている。）の混合膜（共蒸着膜、厚さ２５ｎｍ）を形成した。

化合物（８６）：９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン

図１７は、本発明の実施例における、化合物（７１）を含む有機発光層の構成例と蛍光強度の関係を示す図である。

図１７は蛍光スペクトルを示し、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は蛍光強度（任意単位）を示す。図１７において、（ａ）は化合物（７１）１００％の薄膜に関する蛍光スペクトル、（ｂ）は化合物（７１）３０％とホスト化合物（８６）７０％の混合膜（共蒸着膜）の蛍光スペクトルを示す。

なお、図１７において、（ａ）は化合物（７１）の吸収極大である４５３ｎｍ、（ｂ）はホスト化合物（８６）の吸収極大である３８２ｎｍでそれぞれ励起して得られた蛍光スペクトルであり、共蒸着膜ではホスト化合物（８６）の蛍光が見えずに、エネルギー移動の結果、化合物（７１）から赤色の蛍光が見えている。共蒸着膜では蛍光強度が２．３倍に増加し、適切なフィルターと組み合わせることによって、良好な赤色発光素子を与えることを示唆している。

（２）有機電界発光素子の作製
有機電界発光素子（その１）において、発光層を、化合物（７１）とホスト化合物（８６）の比率が３０％：７０％となるように、正孔輸送層に接して厚さ３５ｎｍで共蒸着し、その他は有機電界発光素子（その１）と同様にして、ダブルヘテロ構造透過型の有機電界発光素子を作製した。

（３）有機電界発光素子の特性
上述のようにして作製された有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を行った結果、図１７と類似の発光スペクトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダイオードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、電圧−輝度特性、外部量子効率を測定した。

図１８は、本発明の実施例における、有機電界発光素子の電圧−輝度特性の例を示す図であり、横軸は印加電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（Ｃｄ／ｃｍ²）を示す。

図１９は、本発明の実施例における、有機電界発光素子の輝度−外部量子効率特性の例を示す図であり、横軸は輝度（Ｃｄ／ｃｍ²）、縦軸は外部量子効率（％）を示す。

図２０は、本発明の実施例における、有機電界発光素子の発光スペクトル（有機電界発光スペクトル）の例を示す図であり、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を示す。

図１８、図１９に示すように、電圧−輝度特性の測定から、８Ｖで３５００ｃｄ／ｍ²の輝度、このときの外部量子効率は２．４％と非常に高効率であり、図２０はこのときの有機電界発光スペクトルを示す。

この有機電界発光素子の作製後、窒素雰囲気下に１カ月間放置したが、発光素子の特性劣化は観察されなかった。また、初期輝度１００ｃｄ／ｍ²で電流値を一定に通電して連続発光させて、強制劣化させた際、輝度が半減するまで２１００時間であった。

［有機電界発光素子（その４）］
次に、化合物（７７）、ホスト化合物（８６）を含む有機発光層を用いた有機電界発光素子について説明する。

（１）化合物（７７）を含む有機発光層の構成と蛍光強度
ガラス基板上に真空蒸着法により１０^-4Ｐａ以下の真空下で化合物（７７）とホスト化合物（８６）の混合膜（共蒸着膜、厚さ２５ｎｍ）を形成した。

図２１は、本発明の実施例における、化合物（７７）を含む有機発光層の構成例と蛍光強度の関係を示す図である。

図２１は蛍光スペクトルを示し、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は蛍光強度（任意単位）を示す。図２１において、（ａ）は化合物（７７）１００％の薄膜に関する蛍光スペクトル、（ｂ）は化合物（７７）５％とホスト化合物（８６）９５％の混合膜（共蒸着膜）の蛍光スペクトルを示す。

なお、図２１において、（ａ）は化合物（７７）の吸収極大である３８４ｎｍ、（ｂ）はホスト化合物（８６）の吸収極大である３８２ｎｍでそれぞれ励起して得られた蛍光スペクトルであり、共蒸着膜ではホスト化合物（８６）の蛍光が抑制され、代わりにエネルギー移動の結果、化合物（７７）から赤色の蛍光が見えている。共蒸着膜では蛍光強度が１１０倍に増加し、適切なフィルターと組み合わせることによって、良好な赤色発光素子を与えることを示唆している。

（２）有機電界発光素子の作製
有機電界発光素子（その１）において、発光層を、化合物（７７）とホスト化合物（８６）の比率が５％：９５％となるように、正孔輸送層に接して厚さ５０ｎｍで共蒸着し、更に、電子輸送層としてトリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ_３）を発光層に接して２０ｎｍ蒸着し、その他は有機電界発光素子（その１）と同様にして、ダブルヘテロ構造透過型の有機電界発光素子を作製した。

（３）有機電界発光素子の特性
上述のようにして作製された有機電界発光素子に、窒素雰囲気下で順バイアス直流電圧を加えて発光特性を評価した。発光色は赤色であり、分光測定を行った結果、図２１と類似の発光スペクトルを得た。分光測定は、大塚電子社製のフォトダイオードアレイを検出器とした分光器を用いた。また、電圧−輝度特性、外部量子効率を測定した。

図２２は、本発明の実施例における、有機電界発光素子の電圧−輝度特性の例を示す図であり、横軸は印加電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（Ｃｄ／ｃｍ²）を示す。

図２３は、本発明の実施例における、有機電界発光素子の輝度−外部量子効率特性の例を示す図であり、横軸は輝度（Ｃｄ／ｃｍ²）、縦軸は外部量子効率（％）を示す。

図２４は、本発明の実施例における、有機電界発光素子の発光スペクトル（有機電界発光スペクトル）の例を示す図であり、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を示す。

図２２、図２３に示すように、電圧−輝度特性の測定から、８Ｖで２２０ｃｄ／ｍ²の輝度、このときの外部量子効率は１．２％と非常に高効率であり、図２４はこのときの有機電界発光スペクトルを示す。

この有機電界発光素子の作製後、窒素雰囲気下に１カ月間放置したが、発光素子の特性劣化は観察されなかった。また、初期輝度１００ｃｄ／ｍ²で電流値を一定に通電して連続発光させて、強制劣化させた際、輝度が半減するまで１８００時間であった。

なお、上述した有機電界発光素子（その１）〜有機電界発光素子（その４）において、ホスト化合物として、後述するホスト化合物（８７）、ホスト化合物（８８）を使用することもできる。また、芳香族アミン化合物とホスト化合物の組合せは、変更してもよい。

次に、本発明による芳香族アミン化合物、ホスト化合物の合成例について説明する。

［芳香族アミン化合物の合成例］
本発明による化合物（７１）及び化合物（７７）の合成例を、図７に従って以下に説明する。

（１）化合物（７１）の芳香族第三アミン化合物の合成例
化合物（７１）：

（１−１）化合物（７２）の合成例
化合物Ａ１（Ｃ₇Ｈ₄ＢｒＮ、４−ブロモフェニルイソシアニド、p-bromo-tolucyanide）４８．０ｇ（０．２４ｍｏｌ）と化合物Ａ２（Ｃ₉Ｈ₉Ｎ、ｐ−メチルベンジルシアニド、p-xylylcyanide）９６．４ｇ（０．７３ｍｏｌ）を、Ｅｔ₂Ｏ（無水エチルエーテル）１．５Ｌに溶解した。ヨウ素（Ｉ₂）２４９ｇ（０．９８ｍｏｌ）を加えた。続いて、反応液を氷浴上で１５℃に保ちつつ、ＮａＯＭｅ（ナトリウムメトキシド）１０６ｇ（１．９６ｍｏｌ）のＭｅＯＨ（メタノール）溶液５００ｍＬを滴下し、３０分間攪拌した。析出結晶をろ別し、ＭｅＯＨで洗浄後、化合物（７２）の他に副生成物を含む粗体９５．２ｇを得た。

（１−２）化合物（７３）の合成例
化合物（７２）を含む粗体９３．５ｇをtoluene（トルエン）１９Ｌに溶解し、ヨウ素（Ｉ₂）５ｇ（１９．７ｍｍｏｌ）を添加した。反応溶液に酸素を通気させ、攪拌しながら２日間紫外線を照射した。反応液を半分に濃縮し、析出結晶をろ別した。粗結晶をシリカゲルクリマトグラフィー（溶出液：toluene）にて精製し、化合物（７３）の他に副生成物を含む祖体１７ｇを得た。

（１−３）化合物（７４）の合成例
化合物Ａ３（6-bromonaphthol、Ｃ₁₀Ｈ₇ＢｒＯ、６−ブロモ−ナフタレン−２−オール）２９．６ｇ（０．１３ｍｏｌ）の dichloromethane（ＣＨ₂Ｃｌ₂、ジクロロメタン）溶液４５０ｍＬに、2,6-Lutidine（Ｃ₇Ｈ₉Ｎ、２，６−ルチジン、２，６−ジメチルピリジン）２８．４ｇ（０．２６ｍｏｌ）と trifluoromethanesulfonic acid（ＣＦ₃ＳＯ₃Ｈ、トリフルオロメタンスルホン酸）４４．４ｇ（０．１６ｍｏｌ）を添加し、３５℃で１時間攪拌した。反応液をシリカゲルクロマトグラフィー（溶出液：toluene）にて精製し、化合物（７４）４６．０ｇ（収率９８％）を得た。

（１−４）化合物（７５）の合成例
化合物（７４）４５．０ｇ（０．１３ｍｏｌ）、N-phenyl-2-naphthylamine ２７．９ｇ（０．１３ｍｏｌ）、Ｐｄ（ＯＡｃ）₂ ０．７０ｇ（３．１ｍｍｏｌ）、化合物Ａ４（tri-tert-phenylphosphine、Ｃ₁₆Ｈ₁₃Ｎ、Ｎ−フェニル−２−ナフチルアミン、２−アニリノナフタレン）２．８５ｇ（１４．１ｍｏｌ）、Ｎａ（Ｏ-tert-Ｂｕ）（ナトリウムtert−ブトキシド）１４．７ｇ（０．１５ｍｏｌ）、及び、xylenes ４１８ｍＬを、Ａｒガス流下で、混合して１２０℃で２時間攪拌した。反応液に水を加えて分液し、有機層を減圧濃縮した。粗体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶出液：toluene）で精製し、化合物（７５）５３．９ｇ（収率８６％）を得た。

（１−５）化合物（７６）の合成例
化合物（７５）４０．５ｇ（０．０８２ｍｏｌ）、化合物Ａ５（Ｃ₁₂Ｈ₂₄Ｂ₂Ｏ₄、bis(pinacolate)diboron、ビスピナコラートジボロン）２５．０ｇ（０．０９８ｍｏｌ）、ＰｄＣｌ₂(dppf)（Ｃ₃₄Ｈ₂₈ＦｅＰ₂・ＰｄＣｌ₂、ジクロロパラジウムジフェニルフォスフィノフェロセン、bis(diphenylphosphino)ferrocene））dichloropalladium）３．９ｇ（５．３ｍｍｏｌ）、dppf（Ｃ₃₄Ｈ₂₈ＦｅＰ₂、ジフェニルフォスフィノフェロセン）１．４ｇ（２．５ｍｏｌ）、Ｋ（ＯＡｃ）₂（酢酸カリウム）２４．３ｇ（０．２５ｍｏｌ）、及び、1,4-dioxane（Ｃ₄Ｈ₈Ｏ₂）４８６ｍＬを混合して、Ａｒガス流下で、一晩還流し反応させた。反応液を減圧乾燥し粗体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶出液：toluene/hexane＝２／３〜２／１）で精製し、化合物（７６） ２５．０ｇ（収率６５％）を得た。

（１−６）化合物（７１）の合成例
化合物（７６）１３．０ｇ（２７．６ｍｏｌ）、化合物（７３）を約３５％含む粗体１６ｇ、Ｐｄ（ＰＰｈ₃）₄（Ｐｄ［Ｐ（Ｃ₆Ｈ₅）₃］₄、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0)）１．８ｇ（１．６ｍｍｏｌ）、１ＭＮa₂ＣＯ₃（炭酸ナトリウム）９６ｍＬ、ethyleneglycol（ＭｅＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＭｅ、１，２−ジメトキシエタン）、dimethyl ether（Ｃ₂Ｈ₆Ｏ、ＤＭＥ、ジメチエーテル）１１３ｍＬを混合して、Ａｒガス流下で、一晩還流し反応させた。反応液を減圧乾燥し粗体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶出液：toluene）で精製し、化合物（７１）を含む粗体２１ｇを得た。昇華精製により化合物（７１）の純品３．０ｇ（５．１ｍｍｏｌ）を得た（昇華後の収率１８％）。

図２５は、本発明の実施例における、化合物（７１）の ¹Ｈ ＮＭＲ（核磁気共鳴）スペクトルを示す図である。

図２５において、横軸はケミカルシフト（ｐｐｍ）、縦軸は核磁気共鳴信号強度を示し、各信号ピークのケミカルシフト値を上部に示し、信号ピークの近傍に信号強度を示している。なお、ＮＭＲスペクトルは、日本電子株式会社の型番 JNM-AL300 ＦＴ ＮＭＲ装置を用いて測定した。

δｐｐｍ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）；２．７４（ｓ，３Ｈ），７．１３（ｔ，１Ｈ），７．２２−７．２６（ｍ，２Ｈ），７．３１−７．４５（ｍ，６Ｈ），７．５２（ｄ，２Ｈ），７．６２（ｄ，１Ｈ），７．６９（ｄ，１Ｈ），７．７５−７．８９（ｍ，５Ｈ），８．１４−８．１８（ｍ，２Ｈ），８．２６（ｄ，１Ｈ），８．４２（ｄ，１Ｈ），８．６２（ｓ，１Ｈ），８．９６（ｓ，１Ｈ）。

脂肪族水素３個に対して芳香族水素が２４個観測されており、化合物（７１）の分子構造と一致する。

図２６は、本発明の実施例における、化合物（７１）の MALDI-TOF-MS（Matrix Assisted Laser Desorption Ionization−Time Of Flight−Mass Spectrometer、マトリックス支援レーザー脱離イオン化法−飛行時間型−質量分析計）スペクトルを示す図である。

図２６に示すＭＳスペクトルは、島津製作所製の型番 KRATOS AXIMA-CFR の装置を用いて測定したものであり、測定された各ピークに関するｍ／ｚ（ｍ：分子量、ｚ：電荷数）の計算値を示す。

図２６に示すように、化合物（７１）（化学式Ｃ₄₃Ｈ₂₇Ｎ₃）の分子量の計算値５８５．６９に対して、測定された各ピークに関するｍ／ｚ（ｍ：分子量、ｚ：電荷数）とパターン係数（出現頻度係数）は、５８５．２２（１００％）、５８６．２２（４７．６％）、５８７．２３（１０．７％）、５８８．２３（１．６％）であった。分子量の測定値は５８５．８４であった。

図２５、図２６に示したＮＭＲスペクトル、ＭＳスペクトルは、合成された化合物（７１）が所望のものであることを示していた。

次に、合成された化合物（７１）の吸収、発光特性について説明する。吸収スペクトル、発光スペクトルは、日立製作所製の型番 U-3310 分光光度計及び FL-4500 蛍光光度計を用いて測定した。化合物（７１）はＴＨＦ中で吸収極大４２５ｎｍ、モル吸光係数２４，２００を示し、蛍光極大６４１ｎｍ、蛍光量子収率０．２４を示した。

なお、示差走査熱量測定（ＤＳＣ、Differential Thermal Analysis）により、化合物（７１）のガラス転移温度は観測されず、融点は３０７℃であることを確認した。

（２）化合物（７７）の芳香族第三アミン化合物の合成例
化合物（７７）：

（２−１）化合物（７８）の合成例
図８に示す化合物（７８）は、図７に示す化合物（７５）と同様の方法にて合成した。

（２−２）化合物（７９）の合成例
図８に示す化合物（７９）は、図７に示す化合物（７６）と同様の方法にて合成した。

（２−３）化合物（８０）の合成例
暗室にてオイル除去した６０％ＮａＨ（水素化ナトリウム）１８．０ｇ（０．４５ｍｏｌ）と、脱水ＤＭＳＯ（Ｃ₂Ｈ₆ＯＳ、ジメチルスルホキシド）（１．２Ｌ）と、化合物Ｂ２（Ｃ₁₄Ｈ₇Ｃｌ₂、２−クロロ−９，１０−アントラキノン）４８．５ｇ（０．２０ｍｏｌ）を混合した。この混合液に、アルゴン雰囲気下で、Ｍｅ₃Ｓ⁺Ｉ^-（Ｃ₃Ｈ₉Ｓ⁺Ｉ^-（トリメチルヨード硫黄（ＩＶ）、trimethyliodosulfur(IV)））９１．８．０ｇ（０．４５ｍｏｌ）の脱水ＤＭＳＯ溶液（０．８Ｌ）を２７℃以下で１時間をかけて滴下した。２５℃で３時間攪拌後、氷水４Ｌに注ぎ、終夜攪拌した。酢酸エチルを加え分液した。有機層を水、食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し減圧下濃縮して、化合物Ｂ２をエポキシ化（epoxidization）させて化合物（エポキシド）（８０）の粗液体５２，８ｇを得た（収率９７％）。なお、Ｃ₃Ｈ₉Ｓ⁺Ｉ^-は、Ｃ₃Ｈ₉Ｓ⁺（トリメチルスルホニウム、trimethylsulfonium）とＩ^-の塩である。

（２−４）化合物（８１）の合成例
ＬｉＢｒ（臭化リチウム）８４．７ｇ（０．９８ｍｏｌ）の acetonitrile（Ｃ₂Ｈ₃Ｎ、アセトニトリル）溶液（２．０Ｌ）に、暗室にてアルゴン雰囲気下で、化合物（８０）５２．８ｇ（０．２０ｍｏｌ）を加えた。６０℃にて１８時間攪拌し反応させた後、析出した固体をろ別した。粗結晶をアセトニトリルで洗浄して、化合物（８０）のエポキシ環を開環させたオレンジ色結晶の化合物（８１）５７．３ｇを得た。

化合物（８１）から化合物（８２）を経て化合物（８３）を得る方法は、一般的な有機合成の手法に従って、化合物（８１）のＮＥｔ₃／pyridine：ＳＯ₃酸化により、−ＣＯＨを選択的に−Ｃ＝Ｏに酸化して、化合物（８２）を得、続いて、ＮＨ₄ＯＨ・ＨＣｌ（塩酸ヒドロキシアンモニウム）によりアルデヒド化合物（８２）からオキシムを経由してニトリル化合物（８３）を得ることができる。

（２−５）化合物（８２）の合成例
化合物（８１）５４．１ｇ（０．２ｍｏｌ）の脱水ＤＭＳＯ溶液（４００ｍＬ）に、３７℃以下、アルゴン雰囲気下で、ＮＥｔ₃（Ｃ₆Ｈ₁₅Ｎ、トリエチルアミン）４０／５ｇ（０．４ｍｏｌ）と Pyridine：ＳＯ₃錯体（Ｃ₅Ｈ₅Ｎ・ＳＯ₃、ピリジン・三酸化硫黄錯体、Pyridine-Sulfur Trioxide Complex、sulfur trioxide・pyridine salt）６３．７ｇ（０．４ｍｏｌ）を加えた。２時間攪拌後、水に注ぎ、析出物をろ過し、この析出物を、再度、水中で懸濁させ攪拌後、ろ過した。次に、メタノール中で懸濁させ攪拌後、ろ過し、オレンジ色結晶の化合物（８２）３０．８ｇ（収率５７％）を得た。

（２−６）化合物（８３）の合成例
ＮａＯＡｃ（酢酸ナトリウム）１８．０ｇ（０．２２ｍｏｌ）のＨＯＡｃ（ＡｃはＣＨ₃ＣＯを示し、ＨＯＡｃは酢酸である。）溶液（３００ｍＬ）に、ＮＨ₄ＯＨ・ＨＣｌ（塩酸ヒドロキシアンモニウム）１５．３ｇ（０．２２ｍｏｌ）と化合物（８２）２６．９ｇ（０．１０ｍｏｌ）を加えて２７時間還流し反応させ、冷却後、水に注ぎ、結晶をろ過した。得られた結晶粗体を、水とメタノールで順に洗浄した後、シリカゲルカラム（溶出液：熱トルエン）で精製し、得られた粗精製固体１５．０ｇをＴＨＦ（Ｃ₄Ｈ₈Ｏ、テトラヒドロフラン、tetrahydrofuran）で複数回再結晶して鮮黄色結晶の化合物（８３）２．２ｇ（収率８．４％、純度９８．７％）を得た。

（２−７）化合物（７７）の合成例
化合物（７９）３．８０ｇ（８．０７ｍｍｏｌ）、化合物（８３）２，１２ｇ（８．０７ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ₃）₄（Ｐｄ［Ｐ（Ｃ₆Ｈ₅）₃］₄、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、Tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0)）０．２８ｇ（０．２４ｍｍｏｌ）、Ｎａ₂ＣＯ₃（炭酸ナトリウム）１．７１ｇ（１６．１ｍｍｏｌ）、ＤＭＥ（ＭｅＯＣＨ₂ＣＨ₂ＯＭｅ、１，２−ジメトキシエタン）（７６ｍＬ）を混合し、Ａｒガス流下で、２２時間還流して反応させた。反応液を減圧乾燥し、得られた粗体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶出液：熱トルエン）で精製し、赤色の粗体４．３ｇ（収率９３％）を得た。これを昇華精製し、化合物（７７）の純品を得た。

図２７は、本発明の実施例における、化合物（７７）の ¹Ｈ ＮＭＲ（核磁気共鳴）スペクトルを示す図である。

図２７において、横軸はケミカルシフト（ｐｐｍ）、縦軸は核磁気共鳴信号強度を示し、各信号ピークのケミカルシフト値を上部に示し、信号ピークの近傍に信号強度を示している。なお、ＮＭＲスペクトルは、日本電子株式会社の型番 JNM-AL300 ＦＴ ＮＭＲ装置を用いて測定した。

δｐｐｍ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）；７．０４（ｔ，１Ｈ），７．１７（ｄ，２Ｈ），７．２６−７．２９（ｍ，３Ｈ），７．３３−７．５５（ｍ，５Ｈ），７．６６（ｄ，１Ｈ），７．８０−７．８４（ｍ，５Ｈ），７．９２（ｄ，１Ｈ），７．９８（ｄ，１Ｈ），８．１７（ｓ，１Ｈ），８．２２（ｄ，１Ｈ），８．４９−８．５３（ｍ，２Ｈ），８．５７（ｄ，１Ｈ），８．７１（ｓ，１Ｈ）。

芳香族水素が２５個観測されており、化合物（７７）の分子構造と一致する。

図２８は、本発明の実施例における、化合物（７７）の MALDI-TOF-MSスペクトルを示す図である。

図２８に示すＭＳスペクトルは、島津製作所製の型番 KRATOS AXIMA-CFR の装置を用いて測定したものであり、測定された各ピークに関するｍ／ｚ（ｍ：分子量、ｚ：電荷数）の計算値を示す。

図２８に示すように、化合物（７７）（化学式Ｃ₄₂Ｈ₂₅Ｎ₃）の分子量の計算値５７１．６７に対して、測定された各ピークに関するｍ／ｚ（ｍ：分子量、ｚ：電荷数）とパターン係数（出現頻度係数）は、５７１．２０（１００％）、５７２．２１（４５．７％）、５７３．２１（１０．７％）、５７４．２１（１．６％）、５７２．２０（１．１％）であった。分子量の測定値は５７１．６６であった。

図２７、図２８に示したＮＭＲスペクトル、ＭＳスペクトルは、合成された化合物（７７）が所望のものであることを示していた。

次に、合成された化合物（７７）の吸収、発光特性について説明する。吸収スペクトル、発光スペクトルは、日立製作所製の型番 U-3310 分光光度計及び FL-4500 蛍光光度計を用いて測定した。化合物（７７）は 1,4-dioxane 中で吸収極大４８４ｎｍ、モル吸光係数１２，１００を示し、蛍光極大６４７ｎｍ、蛍光量子収率０．３３を示した。

なお、示差走査熱量測定（ＤＳＣ、Differential Thermal Analysis）により、化合物（７７）のガラス転移温度はは１３４℃、融点は２８５℃であることを確認した。

［ホスト化合物の合成例］
図２９は、本発明の実施例における、アントラセン誘導体化合物からなるホスト化合物の合成スキーム例を説明する図であり、図２９（Ａ）は下記のホスト化合物（８４）、図２９（Ｂ）は下記のホスト化合物（８７）、図２９（Ｃ）は下記のホスト化合物（８８）の合成スキーム例を説明する図である。

化合物（８４）：

化合物（８７）：

化合物（８８）：

（１）ホスト化合物（８４）の合成例
図２９（Ａ）に従って、ホスト化合物（８４）の合成について説明する。

（１−１）化合物（９０）の合成例
アリールボロン酸とハロゲン化アリールを塩基存在下で、Ｐｄ触媒を用いてビアリールを生成させるすずきカップリング反応によって、化合物（９０）を合成する。化合物Ｃ１（Ｃ₁₀Ｈ₉ＢＯ₂、１−ナフチルボロン酸、（1-naphthyl)boronic acid）１２．８ｇ（７４．７ｍｍｏｌ）、化合物Ｃ２（Ｃ₁₄Ｈ₉Ｂｒ、９−ブロモアントラセン、9-bromoanthracene）１２．８ｇ（４９．８ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ₃）₄（Ｐｄ［Ｐ（Ｃ₆Ｈ₅）₃］₄、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0)）１．１５ｇ（０．９９６ｍｍｏｌ）、飽和重炭酸ナトリウム（ＮａＨＣＯ₃）、sodiumbicarbonate）水溶液150ｍＬ、ＥｔＯＨ（エチルアルコール）１００ｍＬ、及び、ＴＨＦ（Ｃ₄Ｈ₈Ｏ、テトラヒドロフラン、tetrahydrofuran）４００ｍＬを混合して、攪拌しつつ窒素にて３回雰囲気置換した後に、７５℃で１４時間攪拌した。反応液に飽和食塩水を加えて分液し、有機層を硫酸ナトリウム（Ｎａ₂ＳＯ₄、sodium sulfate）上で乾燥したのち減圧濃縮した。粗体をアルミナクロマトグラフィー（溶出液：Toluene〜Toluene/THF＝２０／１）で精製し、Acetone-EtOHで再結晶して化合物（９０）（Ｃ₂₄Ｈ₁₆、９−（１−ナフチル）アントラセン、9-(1-naphthyl)anthracene）１４．２ｇ（収率９４％）を得た。

¹Ｈ ＮＭＲ及びＦＡＢ（高速原子衝突イオン化法）−ＭＳ測定により、目的物と同定した。

¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：７．３２（ｔ，２Ｈ），７．４６（ｔ，２Ｈ），７．５５−７．６０（ｍ，３Ｈ），７．６８（ｄ，２Ｈ），７．６９−７．９３（ｍ，２Ｈ），８．００−８．０８（ｍ，４Ｈ），８．５３（ｓ，１Ｈ）。

（１−２）化合物（９１）の合成例
化合物（９０）１４．２ｇ（４６．７ｍｍｏｌ）をクロロベンゼン（Ｃ₆Ｈ₅Ｃｌ、chlorobenzene）４００ｍＬと（Ｃ₃Ｈ₃ＮＯ、ジメチルホルムアミド、ＤＭＦ、dimethylformamide）５０ｍＬの混合溶媒に溶解し、Ｎ−ブロモスクシンイミド（Ｃ₄Ｈ₄ＢｒＮＯ₂、N-bromosuccinimide（ＮＢＳ））９．０ｇ（５０．７ｍｍｏｌ）を添加して、８５℃で３時間攪拌した。反応液を冷却後、アルミナクロマトグラフィー（溶出液：Toluene）にて精製し、溶出液を減圧濃縮して析出結晶をろ別し、ＥｔＯＨで洗浄して化合物（９１）１４．７ｇ（収率８２％）を得た。

¹Ｈ ＮＭＲ及びＦＡＢ−ＭＳ測定により、目的物と同定した。

¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：７．３４（ｄ，１Ｈ），７．３６（ｄ，１Ｈ），７．５２（ｄ，１Ｈ），７．５８−７．６２（ｍ，６Ｈ），７．８９−７．９１（ｍ，２Ｈ），８．０１（ｄ，１Ｈ），８．０６（ｄ，１Ｈ），８．６３（ｄ，２Ｈ）。

（１−３）化合物（８４）の合成例
化合物（９１）４．１７ｇ（１０．８ｍｍｏｌ）、化合物Ｃ３（Ｃ₁₂Ｈ₁₁ＢＯ₂、２−ビフェニルボロン酸、2-bromobiphenylboronic acid，2-Biphenylboronic acid）２．８０ｇ（１４．１ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ₃）₄（Ｐｄ［Ｐ（Ｃ₆Ｈ₅）₃］₄、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム）０．６２４ｇ（０．５４０ｍｍｏｌ）、飽和重炭酸ナトリウム（ＮａＨＣＯ₃）水溶液１００ｍＬ、ＥｔＯＨ ５０ｍＬ、及び、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）１００ｍＬを混合して、攪拌しつつ窒素にて３回雰囲気置換した後に、７５℃で５時間攪拌した。反応液に飽和食塩水を加えて分液し、有機層を硫酸ナトリウム（Ｎａ₂ＳＯ₄）上で乾燥したのち減圧濃縮した。粗体をシリカゲルグラフィー（溶出液：Toluene/Hexane＝１／２０）で精製し、Acetone-EtOHで再結晶して化合物（８４）１．４９ｇ（収率３０％）を得た。１０^-5Ｔｏｒｒの真空下、２８０℃で４．４４ｇから昇華精製して化合物（８４）３．６７ｇを得た。

¹Ｈ ＮＭＲ、¹³Ｃ ＮＭＲ、及び、ＦＡＢ−ＭＳ測定により、目的物と同定した。

図３０は、本発明の実施例における、化合物（８４）の ¹Ｈ ＮＭＲ（核磁気共鳴）スペクトルを示す図である。

図３１は、本発明の実施例における、化合物（８４）の ¹³Ｃ ＮＭＲ（核磁気共鳴）スペクトルを示す図である。

図３０、図３１において、横軸はケミカルシフト（ｐｐｍ）、縦軸は核磁気共鳴信号強度を示し、各信号ピークのケミカルシフト値を上部に示し、信号ピークの近傍に信号強度を示している。なお、ＮＭＲスペクトルは、日本電子株式会社の型番 JNM-AL300 ＦＴ ＮＭＲ装置を用いて測定した。

¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：６．７１（ｄ，１Ｈ），６．８６−６．９７（ｍ，５Ｈ），７．１１−７．１７（ｍ，３Ｈ），７．２４−７．２８（ｍ，２Ｈ），７．３３（ｄ，２Ｈ），７．４５（ｔ，１Ｈ），７．５７−７．６１（ｍ， ３Ｈ），７．６５−７．７２（ｍ，５Ｈ），７．９７（ｄ，１Ｈ），８．０３（ｄ，１Ｈ）。

¹Ｈ ＮＭＲスペクトルでは芳香族水素のみが観測されており、不純物や溶媒のピークを差し引いた積分値は化合物（８４）の水素数２４個を示しており、化合物（８４）の分子構造と一致する。¹³Ｃ ＮＭＲスペクトル（コンプリートデカップリング）は、アントラセンに由来する磁気的に等価な炭素が７個だとすると、化合物（８４）に由来する磁気的等価な炭素数は２９個であることを示している。

化合物（８４）の質量スペクトルは、日本電子株式会社の型番 GC-mate II ガスクロマトグラフ／質量分析装置で直接導入法により測定した。質量スペクトルは、ＥＩ⁺（電子衝突イオン化法）で確認したところ、分子イオンピークＣ₃₆Ｈ₂₄＝４５６に対応するｍ／ｚが測定された。

図３２は、本発明の実施例における、化合物（８４）の 1,4-dioxane 溶液の吸収及び蛍光スペクトルを示す図である。

図３２において、（ａ）吸収（Absorbance）スペクトル、（ｂ）は蛍光（Fluorescence）スペクトルを示し、縦軸は最大値で規格化した規格化強度（Normalized Intensity）、横軸は波長（ｎｍ）を示す。

図３２に示すように、1,4-Dioxane 溶液の可視吸収極大は３５８，３７８，３９８ｎｍ、蛍光極大波長は４１３，４３３，４５８ｎｍであった。相対蛍光量子収率は０．８７と非常に高かった。

なお、示差走査熱量測定（ＤＳＣ、Differential Thermal Analysis）により、化合物（８４）のガラス転移温度が９２℃、融点が２６４℃であることを確認した。

（２）ホスト化合物（８７）の合成例
図２９（Ｂ）に従って、ホスト化合物（８７）の合成について説明する。

（２−１）化合物（９２）の合成例
化合物Ｄ１（Ｃ₇Ｈ₆ＢＮＯ₂、３−シアノフェニルボロン酸、3-cyanophenylboronic acid）１５．５ｇ（０．１１９ｍｏｌ）、化合物Ｄ２（Ｃ₆Ｈ₄Ｂｒ₂、１，２−ジブロモベンゼン、1,2-dibromobenzene）４６．３ｇ（０．１７８ｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ₃）₄（Ｐｄ［Ｐ（Ｃ₆Ｈ₅）₃］₄、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム）６．８８ｇ（５．９６ｍｍｏｌ）、炭酸ジセシウム（Ｃｓ₂ＣＯ₃、carbonic acid dicesium）４７．３５ｇ（０．１４５ｍｏｌ）、ＤＭＡ（Ｃ₄Ｈ₉ＮＯ、ジメチルアセトアミド、dimethylacetamide）３００ｍＬ、Acetonitrile １００ｍＬ、及び、ＴＨＦ ４００ｍＬを混合して、攪拌しつつ窒素にて３回雰囲気置換した後に、７５℃で１８時間攪拌した。反応液から不溶物をろ別し、飽和食塩水を加えて分液し、有機層をＮａ₂ＳＯ₄上で乾燥したのち減圧濃縮した。粗体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶出液：Toluene/Hexane＝１／１０〜１／２）で精製し、Acetone-EtOHで再結晶して化合物（２２）（Ｃ₁₃Ｈ₈ＮＢｒ、２’−ブロモ−１，１’−ビフェニル−３−カルボ二トリル、2'-bromo-1,1'-biphenyl-3-3carbonitrile）８．３１ｇ（収率２７％）を得た。

¹Ｈ ＮＭＲ及びＦＡＢ−ＭＳ測定により、目的物と同定した。

¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：７．２４−７．３０（ｍ，２Ｈ），７．４０（ｔ，１Ｈ），７．５３（ｔ，１Ｈ），７．６４−７．７７（ｍ，４Ｈ）。

（２−２）化合物（９３）の合成例
窒素気流下、化合物（９２）８．３１ｇ（３２．２ｍｍｏｌ）、化合物Ａ５（ビスピナコラートジボロン、Bis(pinacolate)diboron）１２．７ｇ（３５．４ｍｍｏｌ）、ＰｄＣｌ₂（ｄｐｐｆ）（ジクロロパラジウムジフェニルフォスフィノフェロセン）２．６３ｇ（３．２２ｍｍｏｌ）、ｄｐｐｆ（ジフェニルフォスフィノフェロセン）１．７９ｇ（３．２２ｍｍｏｌ）、Ｋ（ＯＡｃ）₂（酢酸カリウム）６．３２ｇ（６４．４ｍｍｏｌ）、及び、ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）４００ｍＬを混合して１００℃で１４時間攪拌した。反応液から不溶物をろ別し、飽和食塩水を加えて分液し、有機層をＮａ₂ＳＯ₄上で乾燥したのち減圧濃縮した。シリカゲルクロマトグラフィー（溶出液：Toluene/Hexane＝１／２０〜Toluene/THF＝２５０／１）で精製し、化合物（２３）の粗体６．４８ｇを得た（収率〜６６％）。

（２−３）化合物（８７）の合成例
化合物（９１）３．６７ｇ（９．５５ｍｍｏｌ）、化合物（９３）４．４８ｇ（１４．７ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ₃）₄（テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、）０．５５２ｇ（０．３５５ｍｍｏｌ）、飽和ＮａＨＣＯ₃水溶液２５０ｍＬ、ＥｔＯＨ５０ｍＬ、及び、Toluene ４００ｍＬを混合して、攪拌しつつ窒素にて３回雰囲気置換した後に、８０℃で１６時間攪拌した。反応液に飽和食塩水を加えて分液し、有機層をＮａ₂ＳＯ₄上で乾燥したのち減圧濃縮した。粗体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶出液：Toluene/Hexane＝１／２０〜１／１）で精製し、Acetone-EtOHで再結晶して化合物（１８）１．４２ｇ（収率３２％）を得た。１０^-5Ｔｏｒｒの真空下、２４０℃で昇華精製して１．１２ｇを得た。

図３３は、本発明の実施例における、化合物（８７）の ¹Ｈ ＮＭＲ（核磁気共鳴）スペクトルを示す図である。

図３４は、本発明の実施例における、化合物（８７）の ¹³Ｃ ＮＭＲ（核磁気共鳴）スペクトルを示す図である。

¹Ｈ ＮＭＲ及びＦＡＢ−ＭＳ測定により、目的物と同定した。

¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：６．８２−６．９３（ｍ，１Ｈ），７．１４−７．２６（ｍ，４Ｈ），７．２９−７．３７（ｍ，３Ｈ），７．５０−７．６６（ｍ，１１Ｈ），７．８７−７．９２（ｍ，２Ｈ），７．９７−８．０５（ｍ， ２Ｈ）。

¹Ｈ ＮＭＲスペクトルでは芳香族水素のみが観測されており、不純物や溶媒のピークを差し引いた積分値は化合物（８７）の水素数２３個を示しており、化合物（８７）の分子構造と一致する。

¹³Ｃ ＮＭＲスペクトル（コンプリートデカップリング）は、シアノ基の置換した炭素を示す１１１ｐｐｍのピーク、及び、シアノ基の炭素を示す１１８ｐｐｍのピークが２本重なっていることから回転異性体を含むことを示唆しているが、各異性体に対して磁気的等価な３０個の炭素であることと矛盾しない。

質量スペクトルはＦＡＢ−ＭＳ（ＥＩ⁺）で確認し、分子イオンピークＣ₃₇Ｈ₂₃Ｎ＝４８１に対応するｍ／ｚが測定された。

図３５は、本発明の実施例における、化合物（８７）の 1,4-dioxane 溶液の吸収及び蛍光スペクトルを示す図である。

図３５において、（ａ）吸収（Absorbance）スペクトル、（ｂ）は蛍光（Fluorescence）スペクトルを示し、縦軸は最大値で規格化した規格化強度（Normalized Intensity）、横軸は波長（ｎｍ）を示す。

図３５に示すように、1,4-Dioxane 溶液の可視吸収極大は３５８，３７８，３９９ｎｍ、蛍光極大波長は４１３，４３６ｎｍであった。相対蛍光量子収率は０．７９と非常に高かった。

なお、ＤＳＣ（示差走査熱量測定）により、化合物（８７）のガラス転移温度が９８℃、融点が２０４℃であることを確認した。

（３）ホスト化合物（８８）の合成例
図２９（Ｃ）に従って、ホスト化合物（８８）の合成について説明する。

（３−１）化合物（９４）の合成例
１Ｍの iso-PrMgBr（イソプロピルマグネシウムブロミド、iso-Propylmagnesium bromide）５００ｍＬ（０．５０ｍｏｌ）を dry ＴＨＦ（テトラフラン）３００ｍＬで希釈し、氷浴上で化合部Ｅ１（Ｃ₁₄Ｈ₁₀Ｏ、アントロン、anthrone）２５．０ｇ（１２９ｍｍｏｌ）の dry ＴＨＦ溶液１００ｍＬを滴下し、３０分攪拌した。次に、再度０℃に冷却して１．６ＭのＨ₂ＳＯ₄ １００ｍＬ（１６０ｍｍｏｌ）を添加して徐々に昇温した後に１５時間還流した。反応液に飽和食塩水を加えて分液し、有機層をＮａ₂ＳＯ₄上で乾燥した後、減圧濃縮した。粗体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶出液：Toluene/Hexane＝１／４０）で精製し、Acetone-EtOHで再結晶して化合物（９５）（Ｃ₁₇Ｈ₁₄、９−イソプロピル−アントラセン、9-isopropyl-anthracene）２４．５ｇ（二段階収率８６％）を得た。

（３−２）化合物（９６）の合成例
化合物（９５）３１．１ｇ（１４１ｍｍｏｌ）をクロロベンゼン（Chlorobenzene）７００ｍＬとＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）１００ｍＬの混合溶媒に溶解し、Ｎ−ブロモスクシンイミド（N-bromosuccinimide（ＮＢＳ））２７．７ｇ（１５５ｍｍｏｌ）を添加して７０℃で３時間攪拌した。反応液を冷却後、アルミナクロマトグラフィー（溶出液：Toluene）、続いてシリカゲルクロマトグラフィー（溶出液：Toluene/Hexane＝１／２０）にて精製し、溶出液を減圧濃縮してワックス状の化合物（９６）（Ｃ₁₇Ｈ₁₃Ｂｒ、９−イソプロピル−１０−ブロモアントラセン、9-isopropyl-10-bromoanthracene）２４．３ｇ（収率５７％）を得た。

¹Ｈ ＮＭＲ及びＦＡＢ−ＭＳ測定により、目的物と同定した。

¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：１．７５（ｄ，６Ｈ），４．５８（ｍ，１Ｈ），７．４８−７．５２（ｍ，２Ｈ），７．５７（ｔ，２Ｈ），７．４７（ｄ，２Ｈ），８．６３（ｄ，２Ｈ）。

（３−３）化合物（８８）の合成例
化合物（９６）１．００ｇ（３．３４ｍｍｏｌ）、化合物Ｃ３（２−ビフェニルボロン酸）０．５００ｇ（２．５２ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ₃）₄（テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、）０．２００ｇ（０．１７３ｍｍｏｌ）、飽和ＮａＨＣＯ₃水溶液５０ｍＬ、ＥｔＯＨ１０ｍＬ、及び、Toluene ８０ｍＬを混合して、攪拌しつつ窒素にて３回雰囲気置換した後に、８０℃で４８時間攪拌した。反応液に飽和食塩水を加えて分液し、有機層をＮａ₂ＳＯ₄上で乾燥した後、減圧濃縮した。粗体をシリカゲルクロマトグラフィー（溶出液：Toluene/Hexane＝１／２０〜１／１）で精製し、Acetone-EtOHで再結晶して化合物（８８）０．１３７ｇ（収率１１％）を得た。１０^-5Ｔｏｒｒの真空下、２．２８ｇを２３０℃で昇華精製して化合物（８８）１．９４ｇを得た。

¹Ｈ ＮＭＲ及びＦＡＢ−ＭＳ測定により、目的物と同定した。

¹Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）：１．７４（ｄ，６Ｈ），４．５５（ｍ，１Ｈ），６．７９−６．８５（ｍ，３Ｈ），６．９２（ｄ，２Ｈ），７．２３−７．２７（ｍ，２Ｈ），７．３６（ｍ，３Ｈ），７．４９−７．５２（ｍ，１Ｈ），７．６０（ｄ，２Ｈ），７．６３（ｄ，２Ｈ）。

図３６は、本発明の実施例における、化合物（８８）の ¹Ｈ ＮＭＲ（核磁気共鳴）スペクトルを示す図である。

イソプロピル基を示す１．７４ｐｐｍのダブレットと４．５５ｐｐｍのマルチプレットの積分値が水素７個分に相当するのに対して、６．７９ｐｐｍ以上の低磁場側のピークの積算値が水素１７個を示しており、化合物（８８）の分子構造と一致する。

質量スペクトルはＦＡＢ−ＭＳ（ＥＩ⁺）で確認し、分子イオンピークＣ₂₉Ｈ₂₄＝３７２に対応するｍ／ｚが測定された。

図３７は、本発明の実施例における、化合物（８８）の 1,4-dioxane 溶液の吸収及び蛍光スペクトルを示す図である。

図３７において、（ａ）吸収（Absorbance）スペクトル、（ｂ）は蛍光（Fluorescence）スペクトルを示し、縦軸は最大値で規格化した規格化強度（Normalized Intensity）、横軸は波長（ｎｍ）を示す。

図３７に示すように、1,4-Dioxane 溶液の可視吸収極大は３５８，３７８，３９９ｎｍ、蛍光極大波長は４１３，４３４，４６０ｎｍであった。相対蛍光量子収率は０．７９と非常に高かった。

なお、ＤＳＣ（示差走査熱量測定）により、化合物（８８）のガラス転移温度が４２℃、融点が１５６℃であることを確認した。

以上説明した何れの実施例においても、芳香族アミン化合物とアントラセン誘導体化合物の混合膜を共蒸着法によって形成しこれを発光層としたが、形成された混合膜はアモルファスであり、熱的、化学的に安定なものであった。

なお、以上説明した実施例において、ホスト化合物（８４）、（８８）、（８９）は置換基を有していてもよい。これらの化合物のアントラセン環の水素原子は、トリフルオロメチル基、シアノ基、ハロゲン基、炭素数１から１２で置換基を有してもよいアルキル基、炭素数５から２５で置換基を有してもよくヘテロ原子を環の構成成分として含んでもよいアリール基、置換基を有してもよいアリル基、炭素数１から１２で置換基を有してもよいアルコキシ基、炭素数６から２５で置換基を有してもよいアリールオキシ基から選ばれた基で置換されていてもよい。

また、アントラセン環の１０位に結合する第１のベンゼン環の水素原子、及び、この第１のベンゼン環に結合する第２のベンゼン環の水素原子は、トリフルオロメチル基、シアノ基、ハロゲン原子、炭素数１から１２で置換基を有してもよいアルキル基、炭素数６から２５で置換基を有してもよくヘテロ原子を環の構成成分として含んでもよいアリール基、置換基を有してもよいアリル基、炭素数１から１２で置換基を有してもよいアルコキシ基、炭素数６から２５で置換基を有してもよいアリールオキシ基から選ばれた基で置換されていてもよく、隣り合う基同士が相同して環を形成してもよい。

更に、アントラセン環の９位に結合するナフタレン環の水素原子は、置換基で置換されていてもよい。

以上の実施の形態の説明では、特定の芳香族第三アミン化合物、ホスト化合物の合成方法とこれを使用した有機電界発光素子を例にとって説明したが、この特定の化合物とこれを使用した有機電界発光素子に限定されるものではない。

有機電界発光素子の発光効率は、発光層を形成する芳香族アミン化合物（ドーパント化合物）とアントラセン誘導体化合物（ホスト化合物）の組成比に依存する。この組成比の好適な値は、ドーパント化合物とホスト化合物の組合せによって異なり、素子の発光色、素子の駆動電圧、発光効率等を考慮して、素子の特性が好適なものとなるように、調製されることは言うまでもない。例えば、実施例で説明した有機電界発光素子（その１）、有機電界発光素子（その３）では、ドーパント化合物の組成（体積％）は０．５％〜５％であり、有機電界発光素子（その２）、有機電界発光素子（その４）では、ドーパント化合物の組成（体積％）は２０％〜４０％である。また、ドーパント化合物とホスト化合物の組合せは、これらの間でのエネルギー移動が大となるように選ばれることは言うまでもない。

本発明によれば、芳香族アミン化合物、ホスト化合物を用いて、発光性に優れ最適な波長で高輝度、安定な発光を呈する有機電界発光素子を提供することができる。

本発明の実施例における、透過型有機電界発光素子の構成例を説明する要部概略断面図である。 同上、反射型有機電界発光素子の構成例を説明する要部概略断面図である。 同上、シングルへテロ型の有機電界発光素子の構成例を説明する要部概略断面図である。 同上、ダブルへテロ型の有機電界発光素子の構成例を説明する要部概略断面図である。 同上、有機電界発光素子を用いた平面ディスプレイ構成例を説明する図である。 同上、薄膜トランジスタ駆動上面発光素子の構成例を説明する要部概略断面図である。 同上、化合物（７１）の合成スキーム例を説明する図である。 同上、化合物（７７）の合成スキーム例を説明する図である。 本発明の実施例における、化合物（７１）を含む有機発光層の構成例と蛍光強度の関係を示す図である。 同上、有機電界発光素子の電圧−輝度特性の例を示す図である。 同上、有機電界発光素子の輝度−外部量子効率特性の例を示す図である。 同上、有機電界発光素子の発光スペクトルの例を示す図である。 同上、化合物（７７）を含む有機発光層の構成例と蛍光強度の関係を示す図である。 同上、有機電界発光素子の電圧−輝度特性の例を示す図である。 同上、有機電界発光素子の輝度−外部量子効率特性の例を示す図である。 同上、有機電界発光素子の発光スペクトルの例を示す図である。 同上、化合物（７１）を含む有機発光層の構成例と蛍光強度の関係を示す図である。 同上、有機電界発光素子の電圧−輝度特性の例を示す図である。 同上、有機電界発光素子の輝度−外部量子効率特性の例を示す図である。 同上、有機電界発光素子の発光スペクトルの例を示す図である。 同上、化合物（７７）を含む有機発光層の構成例と蛍光強度の関係を示す図である。 同上、有機電界発光素子の電圧−輝度特性の例を示す図である。 同上、有機電界発光素子の輝度−外部量子効率特性の例を示す図である。 同上、有機電界発光素子の発光スペクトルの例を示す図である。 同上、化合物（７１）の¹Ｈ ＮＭＲスペクトルを示す図である。 同上、化合物（７１）の MALDI-TOF-MS スペクトルを示す図である。 同上、化合物（７７）の¹Ｈ ＮＭＲスペクトルを示す図である。 同上、化合物（７７）の MALDI-TOF-MS スペクトルを示す図である。 同上、ホスト化合物の合成スキーム例を説明する図である。 同上、化合物（８４）の ¹Ｈ ＮＭＲスペクトルを示す図である。 同上、化合物（８４）の ¹³Ｃ ＮＭＲスペクトルを示す図である。 同上、化合物（８４）の 1,4-dioxane 溶液の吸収及び蛍光スペクトルを示す図である。 同上、化合物（８７）の ¹Ｈ ＮＭＲスペクトルを示す図である。 同上、化合物（８７）の ¹³Ｃ ＮＭＲスペクトルを示す図である。 同上、化合物（８７）の 1,4-dioxane 溶液の吸収及び蛍光スペクトルを示す図である。 同上、化合物（８８）の ¹Ｈ ＮＭＲスペクトルを示す図である。 同上、化合物（８８）の 1,4-dioxane 溶液の吸収及び蛍光スペクトルを示す図である。

符号の説明

１…基板、２…陽極、３…陰極、４…保護膜、５、５ａ、５ｂ…有機層、
６、１０…正孔輸送層、７、１２…電子輸送層、１１…発光層、１６…障壁、
１７…薄膜トランジスタ、１８…平坦化層、１９…ドレイン電極、
２０、２２…層間絶縁膜、２１…半導体層、２３…ゲート電極、２４…ソース電極、
２５、２６…配線、２７…絶縁膜、３０…発光、３４…輝度信号回路、３５…制御回路、
４０Ａ…透過型有機電界発光素子、４０Ｂ…反射型有機電界発光素子、
４０Ｃ…シングルへテロ構造の有機電界発光素子、
４０Ｄ…ダブルへテロ構造の有機電界発光素子

Claims (16)

1. 下記一般式［I］によって示される芳香族アミン化合物。
   一般式［I］：
   

   

   （但し、前記一般式［I］において、Ｘ¹、Ｘ²は、アルキル基、アリール基、アリル基、アルコキシ基、アリールオキシ基から選ばれた基であり、Ｘ¹、Ｘ²は互いに同一又は異なってもよく、Ａｒ¹、Ａｒ²はアリーレン基であり、ｎ≧１であり、Ｙの少なくとも１つはトリフルオロメチル基、シアノ基、ハロゲン基から選ばれた置換基であり、残りのＹは、ヒドロ基、アルキル基、アリール基、アリル基、アルコキシ基、アリールオキシ基から選ばれた基である。）
2. Ｘ¹、Ｘ²に関し、前記アルキル基は、置換基を有さない時の炭素数が１以上、１２以下であり置換基を有してもよく、前記アリール基は、置換基を有さない時の炭素数が６以上、２５以下であり置換基を有してもよく、前記アリル基は置換基を有してもよく、前記アルコキシ基は、置換基を有さない時の炭素数が１以上、１２以下であり置換基を有してもよく、前記アリールオキシ基は、置換基を有さない時の炭素数が６以上、２５以下であり置換基を有してもよく、Ａｒ¹は、置換基を有さない時の炭素数が６以上、２５以下であり置換基を有してもよく、Ａｒ²は、置換基を有さない時の炭素数が６以上、２５以下であり、Ｙに関して、前記アルキル基は、置換基を有さない時の炭素数が１以上、１２以下であり置換基を有してもよく、前記アリール基は、置換基を有さない時の炭素数が６以上、２５以下であり置換基を有してもよく、前記アリル基は置換基を有してもよく、前記アルコキシ基は、置換基を有さない時の炭素数が１以上、１２以下であり置換基を有してもよく、前記アリールオキシ基は、置換基を有さない時の炭素数が６以上、２５以下であり置換基を有してもよい、請求項１に記載の芳香族アミン化合物。
3. 前記一般式［I］において、Ｘ¹、Ｘ²は、互いに同一又は異なるアリール基であり、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、iso−プロピル基、ｎ−ブチル基、iso−ブチル基、tert−ブチル基、シクロヘキシル基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいアントラニル基、置換基を有してもよいアリル基から選ばれた置換基を有してもよく、Ａｒ¹は下記一般式（１）〜（４４）から選ばれた基であり、下記一般式［a］で示される基は、下記一般式（４５）〜（６９）から選ばれた基であり、この選ばれた基の有するＲ^m（ｍは４５６から７３２の範囲の整数）から選ばれた少なくとも１つは、トリフルオロメチル基、シアノ基、ハロゲン基から選ばれた置換基であり、残りのＲ^m（ｍは４５６から７３２の範囲の整数）、及び、選ばれたＡｒ¹の有するＲ^k（ｋは１から４５３の範囲の整数）はそれぞれ、ヒドロ基、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、iso−プロピル基、ｎ−ブチル基、iso−ブチル基、tert−ブチル基、シクロヘキシル基、置換基を有してもよいフェニル基、置換基を有してもよいナフチル基、置換基を有してもよいアントラニル基、置換基を有してもよいアリル基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、iso−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、シクロヘキシルオキシ基、置換基を有してもよいフェノキシ基、置換基を有してもよいナフトキシ基、置換基を有してもよいアントラニルオキシ基から選ばれた基である、請求項２に記載の芳香族アミン化合物。
   一般式［a］：
   

   

   一般式（１）〜（２１）：
   

   

   一般式（２２）〜（４４）
   

   

   一般式（４５）〜（５５）：
   

   

   一般式（５６）〜（６９）
   

   
4. 選ばれたＡｒ¹の有するＲ^k（ｋは１から４５３の範囲の整数）の全てがヒドロ基であり、前記一般式［a］で示される基から選ばれた基の有するＲ^m（ｍは４５６から７３２の範囲の整数）の２つが、トリフルオロメチル基、シアノ基、ハロゲン基から選ばれた基である、請求項３に記載の芳香族アミン化合物。
5. Ｘ¹がフェニル基、Ｘ²が２−ナフチル基、Ａｒ¹が２，６−ナフチレン基、下記一般式［a］で示される基が、９位及び１０位にシアノ基、７位にメチル基の置換基を有する２−フェナントリル基であり、下記［Ia］によって示される第三アミン化合物である、請求項１に記載の芳香族アミン化合物。
   一般式［a］：
   

   

   ［Ia］：
   

   
6. Ｘ¹がフェニル基、Ｘ²が２−ナフチル基、Ａｒ¹が２，６−ナフチレン基、下記一般式［a］で示される基が、９位及び１０位にシアノ基の置換基を有する２−フェナントリル基であり、下記［Ib］によって示される第三アミン化合物である、請求項１に記載の芳香族アミン化合物。
   一般式［a］：
   

   

   ［Ib］：
   

   
7. 陽極と、
   陰極と、
   前記陽極と前記陰極との間に設けられた有機層と
   を有し、前記有機層の少なくとも一層が、請求項１から請求項６の何れか１項に記載の芳香族アミン化合物の少なくとも１種類をドーパント材料として含んだアミン化合物含有層である、有機電界発光素子。
8. 前記有機層は、ホール輸送層と電子輸送層が積層された構造を有する、請求項７に記載の有機電界発光素子。
9. 少なくとも前記ホール輸送層が前記アミン化合物含有層である、請求項８に記載の有機電界発光素子。
10. 少なくとも前記電子輸送層が前記アミン化合物含有層である、請求項８に記載の有機電界発光素子。
11. 前記有機層は、ホール輸送層、発光層、及び、電子輸送層が積層された構造を有する、請求項７に記載の有機電界発光素子。
12. 少なくとも前記発光層が前記アミン化合物含有層である、請求項１１に記載の有機電界発光素子。
13. 前記発光層が、前記ドーパント材料とホスト材料とから形成された前記アミン化合物含有層であり、前記ホスト材料がアントラセン骨格を含む化合物である、請求項１１に記載の有機電界発光素子。
14. 前記アミン化合物含有層に含まれる前記ドーパント材料は５０％以下である、請求項１３に記載の有機電界発光素子。
15. 請求項７から請求項１４の何れか１項に記載の有機電界発光素子を有する画素が複数
    個配置された画素部と、
    前記画素部の各画素に印加される電圧のオンオフを制御する制御部と
    を有する表示装置。
16. 前記制御部はスイッチング素子を含む、請求項１５に記載の表示装置。

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