JP2010171379A - 発光デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】ガラス材料に発光素子を封止して、高信頼性の発光デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の発光デバイスは、ガラス基板２の表面に形成された窪み６に発光素子を配置し、発光素子を覆うように封止材が設けられた構成である。ここで、リードフレームがガラス基板２の側面と窪み６の底面において露出するようにガラス基板に埋め込まれており、発光素子が窪みに露出したリードフレームに電気的に接続して実装されている。このような構成により、発光デバイスの耐久性が向上する。
【選択図】図１

Description

本発明は、ガラス基板を用いたパッケージ材料に発光素子を実装した発光デバイスに関する。

近年、ガラスパッケージを使用した電子部品が実用化されている。ガラス材料は、外部から浸入する水分や汚染物質を防げ、気密性が高い。また、ガラス材料は、半導体素子を形成するシリコン基板と熱膨張係数が近似するので、ガラスパッケージに半導体素子を実装したときの実装面や接合面の信頼性が高い。また、ガラス材料は安価であることから、製品のコスト上昇を抑制することができる。

図１９は、ガラス材料にＬＥＤ素子を実装したＬＥＤ発光装置の断面図である（特許文献１の図１）。ガラス基板５１には貫通電極５２が形成されている。貫通電極５２の上には接続用の電極メタライズ５３Ｂが形成され、電極メタライズ５３Ｂの上には複数のＬＥＤ素子５６Ａが実装されている。ＬＥＤ素子５６Ａの上面と電極メタライズ５３Ｂとはワイヤー５７により電気的に接続されている。ガラス基板５１の下面には外部と接続用の電極メタライズ５３Ａが形成されている。電極メタライズ５３Ａは貫通電極５２に電気的に接続されている。従って、ＬＥＤ素子５６Ａに対して、下面に形成した電極メタライズ５３Ａから電力を供給することができる。

ガラス基板５１の上面には、貫通孔５８が形成されたＳｉ基板５４が、ＬＥＤ素子５６Ａを囲むように設置されている。Ｓｉ基板５４はガラス基板５１の表面に陽極接合されている。Ｓｉ基板５４の内壁面は傾斜し、内壁面の表面には反射膜５５が形成されている。ＬＥＤ素子５６Ａで発光した光は反射膜５５により反射して、上方向に指向性のある光として射出される。ＬＥＤ素子５６Ａは複数個実装されているので、発光の強度を高くすることができる。また、ＬＥＤ素子５６Ａから生成される熱は、貫通電極５２と電極メタライズ５３Ａを介して外部へ放熱することができる。

この従来例では、ガラス基板５１の貫通電極５２は、ガラス基板５１に形成した貫通孔の内壁にＣｕ、Ｎｉなどをメッキし、その後、導電性樹脂やはんだなどを充填して形成されている。また、ガラス基板５１の裏面のメタライズ５３Ａは、ガラスの表面にＴｉ層、その上にＴｉ層保護のためのバリア層となるＰｔ層、あるいはＮｉ層、さらに表面酸化を防止するＡｕ層などをスパッタリング法や蒸着法などにより堆積し、フォトプロセスを通してパターニングされている。

図２０は、ガラス材料にＬＥＤ発光素子６１を埋め込んだ発光装置６０の断面図であり（特許文献２の図１）、図２１は金型を用いてガラス封止を行う直前の状態を示す（特許文献２の図３）。ＬＥＤ発光素子６１は面実装によりバンプ６２を介してサブマウント６３に実装され、サブマウント６３は、リード６４Ａ、６４Ｂの先端に形成された段差部に接続されている。周囲は封止部材６５により覆われており、封止部材６５としてガラスを使用することが記載されている。ガラスからなる封止部材６５はリード６４Ａ、６４Ｂの下部側で薄く、ＬＥＤ発光素子６１から発光される光が射出する側は凸状に厚く形成されている。

この発光装置６０は、ＬＥＤ発光素子６１に対して熱膨張率が１５０％から５００％の範囲の透光性ガラス部及び金属部で全体が包囲されている。また、ＬＥＤ発光素子６１あるいはサブマウント６３の部材に比べて、給電部材（リード６４Ａ、６４Ｂ）及び封止部材６５の熱膨張率が大きくなるように形成されている。これにより、応力方向が調整されて熱収縮差に起因して生じるクラック等の発生を防止することができる、というものである。

この発光装置６０の製造方法は次のようなものである。表面に半円状の凹部７１Ａを有する上金型７１と、底面が平坦な凹部７２Ａを有する下金型７２との間に、薄いガラスシート６８と、ＬＥＤ発光素子６１が実装されたサブマウント６３、このサブマウント６３に電気的に接続した２本のリード６４Ａ、６４Ｂと、その上に厚いガラスシート６７を設置する。次に、真空雰囲気中でガラスシート６７、６８を４５０℃に加熱して軟化させた状態で、上金型７１と下金型７２とを矢印の方向に移動させることによってガラスシート６７、６８に圧力かける。これにより、ガラスシート６７、６８が図２０に示す封止部材６５のようなドーム状に成形される。

特開２００７−４２７８１号公報 特開２００７−３０６０３６号公報

しかしながら、特許文献１に記載されるように、貫通電極として貫通孔に導電樹脂を充填して、熱処理により固化して貫通電極を形成すると、固化の際の収縮により気密性を保持することが難しかった。また、ＬＥＤは発光すると発熱する。そのため、ＬＥＤの点灯と消灯を繰り返すと、昇温と降温が繰り返される温度サイクルが生じ、膨張と収縮が繰り返される。その結果、ガラスと貫通電極の界面の気密性が低下し、外部から水分等が浸入してＬＥＤの寿命を低下させる。

また、特許文献１においては、貫通孔に導電性樹脂やはんだなどを充填・固化して貫通電極を形成し、これとは別に、スパッタリング法や蒸着法により導体膜を堆積し、フォトマスクを用いたフォトプロセスを通して裏面電極パターンを形成している。その結果、製造工数が増えてコスト高となる要因となっていた。

特許文献２に記載されたＬＥＤ発光素子は、発光面側の封止部材６５がドーム形状、凸状に湾曲した形状である。そのため、ＬＥＤ発光素子６１から発光した光は周囲の全面に拡散する。したがって、ＬＥＤ発光素子６１から発光した光を上方向に集光させたり、上方向に指向性を持たせたりすることができず、発光した光を有効に活用できない。一方、この発光装置６０では、ＬＥＤ発光素子６１やサブマウント６３の熱膨張係数より周囲の封止部材６５の熱膨張係数を大きくして、熱膨張係数の差に基づく内部応力が、ＬＥＤ発光素子６１の中心に向かう圧縮応力となるように調整している。これにより、ガラス材にクラック等が発生しないようにしている。従って、ＬＥＤ発光素子６１を封止する封止部材６５の形状を、例えば凹部のような形状に変更して指向性のある光を射出させようとすると、中心部に向かう圧縮応力のバランスが崩れて、クラック等が発生して信頼性が低下する虞がある。

また、特許文献２の製造方法では、ガラスからなる封止部材を軟化させてＬＥＤ発光素子６１を封止するので、ＬＥＤ発光素子６１が、例えば４５０℃以上の高温に晒される。また、ＬＥＤ発光素子がワイヤーボンディングにより接続される場合には、軟化したガラスの粘度が高いため、ガラスによってそのワイヤーが潰れてしまう。また、封止部材６５に蛍光体を分散させて、ＬＥＤで発光した光の波長を他の波長に変換する場合に、高温となるため使用できる蛍光体が限られてしまう。さらに、高温且つ高粘度のガラスに蛍光体を均一に分散させることは困難であり、望む効果を得ることができない。従って、ＬＥＤ発光素子の構造や実装構造が制限される、などの課題があった。

そこで、本発明は、少ない製造工数で製造可能な信頼性の高い電子デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明の発光デバイスは、表面と、この表面に対向する裏面と、周囲を囲う側面を有したガラス基板上に発光素子が実装された構成であり、ガラス基板の表面には窪みが形成され、ガラス基板の側面と窪みの底面において露出するようにリードフレームがガラス基板に埋め込まれている。そして、窪みで露出したリードフレームに発光素子が電気的に接続され、発光素子を覆うように封止材が設けられている。

さらに、リードフレームには、発光素子の実装面の裏面に下方へ突起した突起部が形成され、この突起部がガラス基板を貫通してガラス基板の底面で露出するように構成した。

また、少なくとも窪みを構成する領域のガラス基板は、白色又は乳白色を呈することとした。ここで、封止材を金属アルコキシドから形成した。

また、ガラス基板とリードフレームの熱膨張係数の差を、４×１０^−６／Ｋ（Ｋはケルビン）以下とした。また、ガラス基板の熱膨張係数は８×１０^−６／Ｋから１１×１０^−６／Ｋであり、リードフレームの熱膨張係数は４×１０^−６から１５×１０^−６／Ｋである。

リードフレームの材料として、Ｎｉ及びＦｅを含む合金、あるいは、材料の異なる金属が接合されたクラッド材が例示できる。このクラッド材が、Ｃｕからなる金属を含むこととした。

また、リードフレームにＡｕからなる薄膜を形成した。リードフレームとガラス基板との間の接合面には、リードフレームを構成する金属材料の酸化物からなる酸化膜を形成した。

また、リードフレームには、ガラス基板に埋め込まれた領域において貫通孔を形成することとした。また、リードフレームは、ガラス基板の側面からリードフレームが突出する構造とした。

本発明の発光デバイスは、リードフレームがガラス基板の側面と窪みの底面において露出するようにガラス基板に埋め込まれており、発光素子が窪みに露出したリードフレームに電気的に接続して実装されている。このような構成により、密閉性、及び温度サイクルに対する信頼性を向上させ、かつ、少ない工程数の製造方法により製造可能な電子デバイスを提供することができる。

本発明の実施形態に係る発光デバイスを説明するための模式図である。 本発明の実施形態に係る発光デバイスを説明するための模式図である。 本発明の実施形態に係る発光デバイスを説明するための模式的な上面図である。 本発明の実施形態に係る発光デバイスを説明するための模式図である。 本発明の実施形態に係る発光デバイスの模式的な縦断面図である。 本発明の実施形態に係る発光デバイスの模式的な縦断面図である。 本発明の実施形態に係る発光デバイスの模式的な縦断面図である。 本発明の実施形態に係る発光デバイスを説明するための模式図である。 本発明の実施形態に係る発光デバイスを説明するための模式図である。 本発明の実施形態に係る発光デバイスを説明するための模式図である。 発光デバイスの製造方法を表すフロー図である。 発光デバイスの製造方法を表す模式図である。 発光デバイスの製造方法を説明するための模式図である。 発光デバイスの製造方法を説明するための模式図である。 発光デバイスの製造方法における設置工程及び接合工程を表す模式図である。 発光デバイスの製造方法における実装工程を表す模式図である。 発光デバイスの製造方法における封止工程を表す模式図である。 発光デバイスの製造方法を説明するための模式図である。 従来公知のＬＥＤ発光装置の断面図である。 従来公知の発光装置の断面図である。 従来公知の発光装置の金型によりガラス封止を行う状態を表す図である。

本発明の発光デバイスは、表面に窪みが形成されたガラス基板に発光素子が実装された構成である。ガラス基板は、表面と、この表面に対向する裏面と、周囲を囲う側面を有しており、表面に窪みが形成されている。このガラス基板にはリードフレームが埋め込まれており、リードフレームにはガラス基板の側面と窪みの底面から露出する部位がある。窪みから露出したリードフレームに発光素子が電気的に接続され、封止材がこの発光素子を覆っている。このような構成によれば、ガラス基板とリードフレームとの密着強度が高くなるので、耐久性に優れた発光デバイスが実現できる。

さらに、リードフレームには、ガラス基板を貫通して底面で露出する突起部が、発光素子の実装面の裏側に形成されている。これにより、発光素子で発生した熱は、リードフレームや突起を伝わって外部に放熱されるようになる。
以下、本発明の発光デバイスについて、図面を用いて具体的に説明する。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る発光デバイスの模式図である。図１（ａ）は発光デバイスの縦断面図であり、図１（ｂ）はその上面図である。図１（ｂ）のＸ−Ｘ部分の断面を図１（ａ）に示す。ガラス基板２の中央部には窪み６が形成されている。窪み６は上方の直径が大きくなるすり鉢状の形状を有している。図示するように、ＬＥＤ３の下面には図示しない電極が形成され、図示しない導電材を介してリードフレームＬＦａと電気的に接続されている。ＬＥＤ３の表面にも図示しない電極が形成され、この電極は、窪み６の底面から露出するリードフレームＬＦｂと、Ａｕ等からなるワイヤー４により電気的に接続されている。さらに、窪み６には封止材５が塗布されており、ＬＥＤ３とワイヤー４を外気に触れないように覆って封止している。

ここで、リードフレームとは、薄板状又は線状の金属や合金から一体的に形成された導体をいう。従って、半導体分野で使用されるようなテープ状の金属板をエッチングや打ち抜きにより形成した導体であってもよいし、金属等を延伸して形成した線状の導体であってもよい。

図１（ｂ）に示すように、窪み６の底面２ｄに露出するリードフレームＬＦａ、ＬＦｂの線幅は、窪み６の周囲のガラス基板２を貫通する領域のリードフレームＬＦａ、ＬＦｂの線幅よりも狭く形成されている。リードフレームＬＦａ、ＬＦｂはガラス基板２の側面に折り曲げられて接合している。この折り曲げられたリードフレームＬＦａ、ＬＦｂが端子９ａ、９ｂを構成している。端子９ａ、９ｂに電力を供給してＬＥＤ３を発光させる。ＬＥＤ３で発光した光は、上方に照射されるとともに、窪み６の壁面で上方に反射されるので、出射光に指向性を持たせることができる。また、ＬＥＤ３の下にはリードフレームＬＦａがあるので、ＬＥＤ３で発生した熱を、リードフレームＬＦａを介して外部に放熱することができる。すなわち、ＬＦａ、ＬＦｂは電極供給手段であるとともに、放熱手段でもある。

ここで、ガラス基板２とリードフレームＬＦの熱膨張係数の差を、４×１０^−６／Ｋ以下とすることが好ましい。実装したＬＥＤ３のオンオフの繰り返しに起因する熱サイクルに晒される場合でも、熱膨張係数の差を４×１０^−６／Ｋ以下とすることにより、リードフレームＬＦとガラス基板２の間の接合が維持され、リードフレームＬＦとガラス基板２の間の気密性が保持される。これにより、実装したＬＥＤ３の信頼性が向上する。

また、ガラス基板２の熱膨張係数を８×１０^−６／Ｋから１１×１０^−６／Ｋとし、リードフレームＬＦの熱膨張係数を４×１０^−６から１５×１０^−６／Ｋとする。これにより、ガラス基板２との間の熱膨張係数差をあまり大きくしないで、リードフレームＬＦの利用可能な材料の範囲を拡大させることができる。

リードフレームＬＦとして、ＮｉＦｅ合金やコバールを使用することができる。例えば４２％ＮｉＦｅ合金や、４５％ＮｉＦｅ合金を使用することができる。熱膨張係数がガラス材料に近く、ガラス材料との接合性もよい。また、リードフレームＬＦにより構成される裏面電極３ａ、３ｂの表面に、ＮｉやＡｕメッキを施すことにより、はんだ付けが容易となる。なお、リードフレームＬＦの厚さは概ね０．１ｍｍから０．５ｍｍである。

また、窪み６の傾斜面及び底面に金属又は絶縁体の多層膜を形成して、反射面を構成させてもよい。これにより、ＬＥＤ３から発光した光を効率よく上方に反射させることができる。また、反射膜を形成する代わりに、ガラス基板２として白色又は乳白色を呈する材料を用いてもよい。例えば、ガラス材料に燐酸（Ｐ２Ｏ５）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ボロン（Ｂ２Ｏ３）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）等の酸化物を混入させることにより乳白色ガラスとすることができる。この白色又は乳白色はＬＥＤ３から発光した光や熱により変色することがないので、発光デバイス１の劣化を防ぐことができる。

また、封止材５は、ガラス基板２を成形加工した後で設けられている。従って、封止材５には、蛍光体分散に適した粘度の材料を選択することができる。また、ガラスが軟化するような高温に晒されないため、封止材５に混入する蛍光体等の選択肢が制限されることがない。

（第２実施形態）
図２は、本実施形態に係る発光デバイス１の模式図である。図２（ｂ）は発光デバイス１の上面図であり、図中のＹ−Ｙ部分の断面を図２（ａ）に示す。ガラス基板２の中央部には窪み６が形成されている。窪み６は上方の直径が大きくなるすり鉢状の形状を有している。窪み６の底面からガラス基板２を貫通して側面に露出するようにリードフレームＬＦａ、ＬＦｂが設置されている。また、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂは、ガラス基板２の側面から突出して端子１０ａ、１０ｂを構成している。そのため、ＬＥＤ３で発生した熱は、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂを介して端子１０ａ、１０ｂに伝達し、放熱される。端子１０ａ、１０ｂはガラス基板２に接合していないので、放熱効率が向上する。

また、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂは、ガラス基板２に埋め込まれた領域において貫通孔７を有している。この貫通孔７は、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂをガラス基板２に埋め込む際に、ガラス材料の流動性を促進するために設けられている。即ち、ガラス基板２の上にリードフレームＬＦを設置して、加熱しながら型により押圧したときに、軟化したガラス材料がこの貫通孔７を通してその上部に短時間で回り込むことができるようにした。その他の構成、及び、リードフレームＬＦの材料、ガラス基板２の材料、封止材５等については、第１実施形態と同様なので、説明を省略する。

なお、ここでは各リードフレームＬＦａ、ＬＦｂに１個の貫通孔７を設けたが、多数個の貫通孔７を設けてもよい。多数の貫通孔７を設けたほうが、ガラス基板２を軟化させたときのガラス材料の流動性が向上する。

（第３実施形態）
図３は、本実施形態に係る発光デバイス１の模式的な上面図である。ガラス基板２の表面の中央部には窪み６が形成されている。窪み６の底面２ｄからガラス基板２を貫通して側面に露出するように対向する２つのリードフレームＬＦａ、ＬＦｂの他に、これらのリードフレームＬＦａ、ＬＦｂの方向に直交する方向にリードフレームＬＦｃ、ＬＦｄが設けられている。各リードフレームＬＦａ、ＬＦｂ、ＬＦｃ、ＬＦｄは、窪み６の底面２ｄにおいてガラス基板２から露出し、窪み６の周囲においてガラス基板２に埋め込まれ、ガラス基板２の側面において露出して、ガラス基板２に接合している。ガラス基板２の側面に露出するリードフレームＬＦａ、ＬＦｂ、ＬＦｃ、ＬＦｄは、端子９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄを構成している。リードフレームＬＦａ、ＬＦｂ、ＬＦｃ、ＬＦｄには、ガラス基板２に埋め込まれた領域において貫通孔７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄが形成されている。また、リードフレームＬＦｃとＬＦｄは１枚又は１本の導体から形成されている。

ここでは、ＬＥＤ３は上面にアノードとカソード電極を形成した構造のＬＥＤであり、窪み６の中央部のＬＦ上に高熱伝導性の接着剤で固定されている。ＬＥＤ３の上部に形成された図示しないアノードおよびカソード電極と、リードフレームＬＦａ及びＬＦｂの夫々がワイヤー４ａ及び４ｂを介して電気的に接続されている。従って、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂからＬＥＤ３に電力が供給される。

リードフレームＬＦｃ、ＬＦｄはＬＥＤ３で発生した熱の放熱用熱伝導体として機能する。図３ではリードフレームＬＦｃ、ＬＦｄには貫通孔７を形成しているが、貫通孔を小さくするか無くすことにより、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂよりも熱抵抗を下げることができ、ＬＥＤ３で発生した熱を効果的に外部へ放出することができる。その他の構成は実施形態１と同様なので、説明を省略する。

（第４実施形態）
図４は本実施形態に係る発光デバイス１の模式図である。図４（ａ）に発光デバイス１の縦断面を、図４（ｂ）にその上面概観を模式的に示す。また、図４（ｃ）は図４（ｂ）の変形例の上面図である。図示するように、窪み６の底面からガラス基板２を貫通して側面に露出する２つのリードフレームＬＦａ、ＬＦｂの他に、これらのリードフレームＬＦａ、ＬＦｂの方向に直交する方向にリードフレームＬＦｃ、ＬＦｄが設けられている。各リードフレームＬＦａ、ＬＦｂ、ＬＦｃ、ＬＦｄは、窪み６の底面２ｄにおいてガラス基板２から露出し、窪み６の周囲においてガラス基板２に埋め込まれ、ガラス基板２の側面から突出している。この突出部において、各リードフレームＬＦａ、ＬＦｂ、ＬＦｃ、ＬＦｄは端子１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄを構成している。従って、端子１０ａ、１０ｂは、ＬＥＤ３への電力供給用として、また、１０ｃ、１０ｄは放熱用の放熱フィンとして機能する。その他の構成は、第３実施形態と同様なので、説明を省略する。

図４（ｃ）に示す構成では、端子１０’ｃ、１０’ｄは、端子１０ｃ、１０ｄよりも面積が広く形成されている。これにより、端子１０ｃ、１０ｄは、放熱用フィンとしての機能が高くなり、ＬＥＤ３で発生した熱を更に効率的に外部に放熱することができる。

（第５実施形態）
図５に、本実施形態に係る発光デバイス１の断面構成を模式的に示す。ここでは、ガラス基板２とリードフレームＬＦとの間の接合面に酸化膜を形成し、リードフレームＬＦとガラス基板２との接合性を向上させている。

図５に示すように、ガラス基板２の中央部には窪み６が形成されている。窪み６は上方の直径が大きくなるすり鉢状の形状である。窪み６の底面においてガラス基板２から露出し、窪み６の周囲のガラス基板２を貫通してその側面に露出するように、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂが設置されている。窪み６の底面に露出したリードフレームＬＦａの表面には発光素子であるＬＥＤ３が実装されている。リードフレームＬＦａ、ＬＦｂとガラス基板２との間には、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂを構成する金属材料を酸化させた酸化膜８が形成されている。この酸化膜８を形成することにより、ガラス基板２とリードフレームＬＦａ、ＬＦｂとの間の接合性、密着性が向上する。また、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂの、少なくともＬＥＤ３が実装される表面、ワイヤー４による接続面、また、端子９の表面は、他の端子と電気的に接続するために酸化膜８は除去されている。

（第６実施形態）
図６に、本実施形態に係る発光デバイス１の断面構成を模式的に示す。ここでは、リードフレームＬＦとして、２種類以上の異なる金属を貼り合わせたクラッド材を使用している。例えば、一層目をＮｉＦｅ合金（ＬＦａ１、ＬＦｂ１）とし、二層目をＣｕ（ＬＦａ２、ＬＦｂ２）とする。また、更に三層目にＮｉＦｅ合金を貼り合わせることもできる。その他の構成は第１実施形態と同じなので説明を省略する。

このようにすれば、熱膨張係数はガラス基板２に近く、例えば熱膨張係数の差を４×１０^−６／Ｋ以下とすることができる。また、電気抵抗が小さく、かつ熱伝導性を高くすることができる。これにより、ＬＥＤ３に電力を供給する際の電圧降下を低減することができる。更に、ＬＥＤ３で発生した熱を、リードフレームＬＦを介して効率よく放熱することができる。また、リードフレームＬＦの一層目をＮｉＦｅ合金、ＬＥＤが実装される二層目をＣｕとすれば、リードフレームＬＦに対するはんだ付けが可能となる。また、ＮｉＦｅ合金が外側にむき出しの場合でも、ＣｕやＡｕのメッキ処理を施すことにより、はんだ付けが容易となる。

（第７実施形態）
図７に、本実施形態に係る発光デバイス１の断面構成を模式的に示す。ここでは、発光デバイス１の側面に露出する端子が、発光デバイス１の裏面１３と同じ平面上に折り曲げられている。この側面に露出する端子以外の構成は、第１実施形態の構成と同様なので、説明を省略する。

図７（ａ）では、２つの端子１１ａ、１１ｂは、発光デバイス１の側面に露出するリードフレームＬＦａ、ＬＦｂが折り曲げられて、ガラス基板２の側面に接合し、更に裏面１３に接合して形成されている。これにより、場所をとらないで発光デバイス１を回路基板等へ実装することが容易となる。図７（ｂ）では、２つの端子１２ａ、１２ｂは、ガラス基板２の側面に露出するリードフレームＬＦａ、ＬＦｂが折り曲げられてガラス基板２の側面に接合し、更に、ガラス基板２の裏面１３と同じ平面上に側面から突出するように折り曲げられて形成されている。これにより、回路基板等への実装が容易となるとともに、放熱効果を向上させることができる。

なお、上述の第１実施形態から第７実施形態において、ＬＥＤ３が実装されるリードフレームＬＦａは、なるべく熱伝導率を高くすることが好ましい。そこで、ガラス基板２に埋め込まれる領域のリードフレームＬＦの、熱が伝達される方向に直交する面の断面積について、ＬＥＤ３が実装されるリードフレームＬＦａの当該断面積をワイヤー４が接続されるリードフレームＬＦｂの当該断面積よりも大きく形成する。そして、リードフレームＬＦｂの当該断面積は、ＬＥＤ３に必要な電力が供給できる程度とする。これにより、リードフレームＬＦの材料を有効に使用することができ、製造コストの低減を図ることができる。なお、図３又は図４に示すような３本以上のリードフレームＬＦを形成した発光デバイス１は、ＬＥＤ３が固定されるリードフレームＬＦｃ、ＬＦｄの全体の当該断面積をリードフレームＬＦａ、ＬＦｂの全体の当該断面積よりも大きく形成するとよい。

（第８実施形態）
図８に、本実施形態に係る発光デバイス１を模式的に示す。図８（ａ）は発光デバイス１の縦断面図であり、図８（ｂ）はその上面図である。本実施形態は、ＬＥＤ３をリードフレームＬＦａ、ＬＦｂに表面実装した例である。

図８（ａ）、（ｂ）に示すように、ガラス基板２には窪み６が形成されている。リードフレームＬＦａ、ＬＦｂは、窪み６の底面２ｄにおいて露出し、更に、窪み６の周囲のガラス基板２を貫通し、側面において露出している。リードフレームＬＦａ、ＬＦｂは、窪み６の底面２ｄにおいてガラス基板２と接合し、窪み６の周囲においてガラス基板２に埋め込まれ、ガラス基板２の側面において折り曲げられて、ガラス基板２に接合している。リードフレームＬＦａ、ＬＦｂには、ガラス基板２に埋め込まれた領域に貫通孔７が形成されている。リードフレームＬＦａ、ＬＦｂは、ガラス基板２の側面において端子９ａ、９ｂを構成している。窪み６の底面２ｄに露出するリードフレームＬＦａ、ＬＦｂの上には導電材１４ａ、１４ｂを介してＬＥＤ３が平面実装されている。ＬＥＤ３は、封止材５により封止されている。ＳｎＡｇＣｕやＡｕＳｎ等の合金接合、或いは導電性接着材等を使用して、フリップチップボンディングすることができる。

これにより、ワイヤーボンディングが不要となるので、製造工程数を減少させて製造コストを低減することができる。また、ＬＥＤ３において発生した熱を、２つのリードフレームＬＦａ、ＬＦｂにより外部へ放熱することができるので、放熱効果を向上させることができる。また、ワイヤーを形成する必要がないので、発光デバイス１の厚さを薄くすることができる。その他の構成は、第１実施形態や第２実施形態と同様なので、説明を省略する。

（第９実施形態）
図９に、本実施形態に係る発光デバイス１を模式的に示す。図９（ｂ）は発光デバイス１の上面図であり、図中のＸ−Ｘ部分の断面を図９（ａ）に示す。ガラス基板２の中央部には窪み６が形成されている。窪み６は上方の直径が大きくなるすり鉢状の形状である。第１実施形態と同様に、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂは、窪み６の周囲のガラス基板２を横方向に貫通して設けられており、窪み６の底面とガラス基板２の側面から露出している。側面から露出したリードフレームＬＦａ、ＬＦｂが端子９ａ、端子９ｂとして使用される。リードフレームには、ＬＥＤ３が実装された表面の裏側に突起９ｅが形成されており、この突起９ｅはガラス基板２を貫通してガラス基板の底面で露出している。ＬＥＤ３で発生した熱は、リードフレームＬＦａもしくは突起９ｅを介して外部に放熱することができる。ここでは、突起９ｅの熱抵抗がはるかに小さいため、突起９ｅにヒートシンクを接合することにより、高い放熱効果が得られる。なお、ＬＥＤ３を発光させるための電力供給端子として端子９ａ、端子９ｂを用いるが、端子９ａの代わりに突起９ｅを用いることも可能である。

突起を有するリードフレームは、圧延接合法、異形加工・プレス加工等の塑性加工法、或いは溶接法によって容易に製作することが可能である。その他、ガラス基板２の材料、封止材５等については、第１実施形態と同様なので、説明を省略する。なお、第３実施形態のように、リードフレームに貫通孔を設ければ、ガラス基板２を軟化させたときのガラス材料の流動性が向上することは、第３実施形態と同様である。

（第１０実施形態）
図１０に、本実施形態に係る発光デバイス１を模式的に示す。図１０（ｃ）は発光デバイス１の上面図であり、図中のＸ−Ｘ部分の断面を図１０（ａ）に、Ｙ-Ｙ部分の断面を図１０（ｂ）に示す。図示するように、ＬＥＤ３の実装部にはリードフレームに突起９ｅが形成されており、ガラス基板２を貫通して底面で露出している。ＬＥＤ３で発生した熱は、リードフレームの突起９ｅを介して外部に放熱することができるため、例えば突起９ｅにヒートシンクを接合することにより、高い放熱効果が得られる。なお、ＬＥＤ３を発光させるための電力供給端子として端子９ａ、端子９ｂ、端子９ｃ、端子９ｄが使用されるが、端子９ｃ、端子９ｄの代わりに突起９ｅを使うことも可能である。

突起を有するリードフレームは、圧延接合法、異形加工・プレス加工等の塑性加工法、或いは溶接法によって容易に製作することが可能である。その他、ガラス基板２の材料、封止材５等については、第１実施形態と同様なので、説明を省略する。なお、第３実施形態のように、リードフレームに貫通孔を設ければ、ガラス基板２を軟化させたときのガラス材料の流動性が向上することは、第３実施形態と同様である。

上述の各実施形態では、発光デバイス１の平面形状を四角形、窪み６を丸い擂鉢状の形状として説明したが、これに限定されない。発光デバイス１の平面形状は円形でも、四角形以外の多角形でもよい。また、窪み６は、四角形或いは他の多角形でもよいし、傾斜面が円弧状、或いは双曲線状の形状でもよい。

次に、図１１〜図１８を用いて、発光デバイス１の製造方法について説明する。

（第１参考例）
図１１は、発光デバイス１の製造方法を表すフロー図である。ここでは貫通孔７が形成されたリードフレームＬＦを用いている。

＜設置工程＞
図１１（ａ）は、設置工程を表す模式図である。ガラス板１８の上にリードフレームＬＦを設置する。リードフレームＬＦは、板状の導体からなる２つのリードフレームＬＦａとリードフレームＬＦｂを向かい合わせて設置している。各リードフレームＬＦａ、ＬＦｂの幅広部分には、軟化したガラス材料が迅速に流動するように貫通孔７ａ、７ｂが形成されている。このリードフレームＬＦが設置されたガラス板１８を、凹部２０を形成した下型１９と、表面に凸部１６を形成した上型１５の間に設置する。上型１５の凸部１６をリードフレームＬＦａ、ＬＦｂに対向させて設置している。

＜接合工程＞
次に、下型１９、上型１５及びガラス板１８を加熱してガラス板１８を軟化させる。ガラス板１８を加熱して、下型１９及び上型１５を矢印の方向に押圧する。従って、上型１５の表面に形成された凸部１６の上面がリードフレームＬＦａ、ＬＦｂに当接する。これにより、ガラス板１８の一部のガラス材料は上型１５の窪み１７に流動する。リードフレームＬＦａ及びＬＦｂの夫々には貫通孔７ａ及び７ｂがあるので、ガラス板１８の流動が促進される。

図９（ｂ）は、下型１９及び上型１５から取り出したガラス基板２を表す縦断面図及び上面図である。ガラス基板２の上面には、上型１５の凸部１６に対応する位置に窪み６が形成される。リードフレームＬＦａ、ＬＦｂの夫々の端部は、窪み６の底面２ｄにおいて外部に露出するようにして、ガラス基板２の表面に接合される。リードフレームＬＦａ、ＬＦｂは、窪み６の周辺部においてガラス基板２に埋め込まれて接合される。ガラス基板２の側面には、端子１０ａ、１０ｂとなるリードフレームＬＦａ、ＬＦｂが突出する。

＜実装工程＞
図１１（ｃ）は、窪み６の底面２ｄに露出したリードフレームＬＦａの上に発光素子であるＬＥＤ３を実装した状態を表す縦断面図である。ＳｎＡｇＣｕやＡｕＳｎ等の合金接合、或いは導電性接着材を使用して、実装することができる。更に、ＬＥＤ３の上面に形成した図示しない電極と、露出したリードフレームＬＦｂとを、Ａｕ等からなるワイヤー４によりボンディングを行う。

＜封止工程＞
図１１（ｄ）は、窪み６に封止材５を塗布した状態を表す縦断面図及び上面図である。透明樹脂からなる封止材５を塗布して、電子部品３及びワイヤー４を封止した。なお、封止材５は、金属アルコキシド又は金属アルコキシドから形成されたポリメタロキサンを硬化させたシリコン酸化物とすることができる。具体的には、ディスペンサー等を用いて金属アルコキシドの溶液を窪み６に充填する。例えば、ｎＳｉ（ＯＣＨ_３）_４、４ｎＨ_２Ｏ、触媒ＮＨ_４ＯＨ、亀裂防止剤ＤＭＦ（ＤＭＦ：ジメチルホルムアミド）の混合液を使用することができる。これを室温から約６０℃において加水分解及び重合を行って、ポリメタロキサンのゾルを形成する。更に室温から６０℃において重合してシリコン酸化物の湿潤ゲルを形成し、温度約１００℃又は１００℃以上において乾燥、焼成を行い、シリコン酸化物を形成する。或いは、ポリメタロキサンを充填して、上記と同様に重合及び焼成してシリコン酸化物を形成してもよい。

このように、封止材５として金属アルコキシド又は金属アルコキシドから形成されたポリメタロキサンを用いれば、発光デバイス１を無機材料だけで構成することができる。そのために、ＬＥＤ３から発光される紫外線や可視光線により材料が変色する等の不具合を防止することができる。

このように、ガラス基板２に窪み６を形成すると同時に、リードフレームＬＦを窪みの周辺部に埋め込み、更にガラス基板２から突出させて端子１０ａ、１０ｂも形成する。このような方法によるガラス基板２とリードフレームＬＦの接合は、密着性や気密性が優れているので、信頼性の高い発光デバイス１が実現できる。また、ガラス板１８を軟化させて窪み６を形成した後に、ＬＥＤ３を実装しているので、半導体技術でよく使用されるワイヤーボンディングによる配線を行うことができる。

また、窪み６の壁面を反射面として使用するために、反射率の高い金属膜や誘電体多層膜を形成してもよい。これにより、発光デバイス１から射出される光に指向性を付与することが容易である。また、ガラス基板２として白色又は乳白色を呈する材料を使用することができる。これにより経時的に変色のない反射層を構成することができる。更に、封止材５として、蛍光体分散に適した粘度の材料を選択することができる。また、ガラス基板２が軟化するような温度に晒されないので、この封止材５に混入させる蛍光材の選択の幅が拡大する。

（第２参考例）
図１２から図１７は、本例の発光デバイス１の製造方法を説明するフロー図である。ここでは、第１ガラス基板２ａと第２ガラス基板２ｂの間にリードフレームＬＦを挟み、上型１５と下型１９の間に挿入設置して、ガラスとリードフレームＬＦとを接合する。

＜準備工程＞
図１２は、第２ガラス基板２ｂを準備する工程を説明する模式図であり、図１３は、第１ガラス基板２ａを準備する工程を説明する模式図である。第１ガラス基板２ａ、第２ガラス基板２ｂともに、ガラス板を軟化させて成形法により形成する。

図１２（ａ）は、上ガラス板２３を下型２２と上型２１の間に挿入した状態を表す模式図である。図１２（ａ）に示すように、下型２２の表面には凹部２６が形成されている。上型２１の表面には凸部２４が形成され、その周囲には窪み２５が形成されている。上ガラス板２３を下型２２と上型２１の間に挿入し、上ガラス板２３が軟化する温度に加熱して、下型２２に上型２１を押圧する。その結果、図１２（ｂ）及び（ｃ）に示すように、中央部に開口部３０を有する第２ガラス基板２ｂが成形される。開口部３０は第２ガラス基板２ｂの斜面２７によって周囲を囲まれている。ここで、図１２（ｂ）は第２ガラス基板２ｂの縦断面図であり、図１２（ｃ）は第２ガラス基板２ｂの上面図である。

図１３（ａ）は、下ガラス板２３’を下型２２’と上型２１’の間に挿入した状態を表す模式図である。図１３（ａ）に示すように、下型２２’の表面には凹部２６’が形成され、上型２１’にも凹部２５’が形成されている。下ガラス板２３’を下型２２’と上型２１’との間に挿入し、下ガラス板２３’が軟化する温度に加熱して、下型２２’に上型２１’を押圧する。その結果、図１３（ｂ）及び（ｃ）に示すように、第１ガラス基板２ａの左右の端部にリードフレームＬＦの端子９ａ、９ｂを接合するための電極装着部２９ａ、２９ｂが形成される。ここで、図１３（ｂ）は第１ガラス基板２ａの縦断面図、図１３（ｃ）は第１ガラス基板２ａの上面図である。

図１４は、リードフレームＬＦを準備する工程を説明する模式図であり、図１４（ａ）はリードフレームＬＦａ、ＬＦｂの上面図、図１４（ｂ）はリードフレームＬＦａ、ＬＦｂの側面図である。金属又は合金の導体板を型による打ち抜きやエッチングにより成型してから、端部を折り曲げてリードフレームＬＦａ、ＬＦｂを形成する。折り曲げられた端部は、電力供給用及び放熱用の端子９ａ、９ｂとして機能する。リードフレームＬＦａとＬＦｂは、中央部の幅が狭く、周辺部は幅広に形成している。２つのリードフレームＬＦａとＬＦｂとは、幅の狭いほうを向かい合わせる。リードフレームＬＦａ、ＬＦｂの幅広の部分に、軟化したガラス材料の流動性をよくするために、貫通孔を設けてもよい。

＜設置工程＞
図１５（ａ）は、設置工程を表す模式図である。第１ガラス基板２ａの上にリードフレームＬＦａ、ＬＦｂを向かい合わせて設置し、その上に第２ガラス基板２ｂを設置する。この状態のまま第１ガラス基板２ａと第２ガラス基板２ｂを、下型１９と上型１５の間に設置する。下型１９の表面には凹部２０が形成されている。上型１５の表面には凸部１６が形成され、その周辺は窪み１７が形成されている。第１ガラス基板２ａ、第２ガラス基板２ｂの材料、リードフレームＬＦの材料、熱膨張係数等は、第１実施形態で説明したものと同様なので、説明を省略する。

なお、上型１５の凸部１６の直径は、第２ガラス基板２ｂの開口部３０より大きく形成し、上型１５の窪み１７の深さは、第２ガラス基板２ｂの厚さより厚く、即ち深く形成している。第２ガラス基板２ｂを軟化させて下型１９に上型１５を押圧したときに、上型１５の窪み１７に第２ガラス基板２ｂを流動させるためである。

＜接合工程＞
次に、下型１９、上型１５、第１及び第２ガラス基板２ａ、２ｂを加熱して、第１及び第２ガラス基板２ａ、２ｂを軟化させる。この状態で、下型１９及び上型１５を矢印の方向に押圧する。従って、上型１５の表面に形成される凸部１６の上面がリードフレームＬＦａ、ＬＦｂに当接する。これにより、第２ガラス基板２ｂと第１ガラス基板２ａの少なくとも一方のガラス材料は上型１５の窪み１７に流動する。リードフレームＬＦａ及びＬＦｂの夫々に貫通孔がある場合は、ガラス材料の流動が促進される。

このように成型したパッケージ基体を図１５（ｂ）、（ｃ）に模式的に示す。すなわち、図１５（ｂ）は、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂと第１ガラス基板２ａ、及び第２ガラス基板２ｂを接合した後に型から取り出したガラス基板２の断面図であり、図１５（ｃ）はその上面図である。図示するように、ガラス基板２の上面には、上型１５の凸部１６に対応する位置に窪み６が形成される。窪み６の底面２ｄには、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂの夫々の端部が外部に露出して、ガラス基板２の表面に接合される。窪み６の周辺部において、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂは、ガラス基板２に埋め込まれて接合される。リードフレームＬＦａ、ＬＦｂの端部はガラス基板２の側面に接合して端子９ａ、９ｂが形成される。

＜実装工程＞
図１６は、窪み６の底面に露出したリードフレームＬＦａの上に発光素子としてＬＥＤ３を実装した状態を表す模式図である。図１６（ａ）はその縦断面図であり（ｂ）はその上面図である。図１６（ａ）に示すように、図示しない導電材を介在して、リードフレームＬＦａの上にＬＥＤ３を実装する。ここで、ＳｎＡｇＣｕやＡｕＳｎ等の合金接合、或いは導電性接着材を使用して、ボンディングすることができる。更に、ＬＥＤ３の図示しない上部電極と、露出したリードフレームＬＦｂとを、Ａｕ等からなるワイヤー４によりワイヤーボンディングを行って接続する。

＜封止工程＞
図１７は、窪み６に封止材５を塗布した状態を表す縦断面図及び上面図である。透明樹脂からなる封止材５を塗布して、ＬＥＤ３及びワイヤー４を封止した。なお、封止材５には、金属アルコキシド又は金属アルコキシドから形成されたポリメタロキサンを硬化させたシリコン酸化物を用いることができる。具体的には、第１参考例の説明と同様なので、説明を省略する。

このように、ガラス基板２に窪み６を形成すると同時にその周辺部にリードフレームＬＦを埋め込み、更に端子も同時に形成するので、製造工程数を削減し、製造コストを低減することができる。特に、窪み６を第２ガラス基板２ｂから形成しているので、ガラス材料の流動距離が減少し、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂとガラス基板２との間を短時間で接合させることができる。また、ガラス基板２とリードフレームＬＦの接合は密着性、気密性が優れているので、信頼性の高い発光デバイス１を製造することができる。また、ガラス板１８を軟化させて窪み６を形成した後に、ＬＥＤ３を実装しているので、半導体技術でよく使用されるワイヤーボンディングによる配線を行うことができる。更に、窪み６の壁面を反射面として使用する場合に、反射率の高い金属膜や誘電体多層膜を形成することができる。これにより、発光デバイス１から射出される光に指向性を付与することが容易である。また、第２ガラス基板２ｂとして白色又は乳白色を呈する材料を使用することができる。これにより経時的に変色の少ない反射層を構成することができる。更に、封止材５は、蛍光体分散に適した粘度の材料を選択することができる。また、ガラス基板２が軟化する温度に晒されないので、ＬＥＤ３から発光する光の波長を変換させるための蛍光材の選択の幅が拡大する。

（第３参考例）
図１８は、発光デバイス１の製造方法を説明する模式図である。本例では、接合工程の前にリードフレームＬＦの表面に酸化膜を形成して、リードフレームＬＦとガラス基板２との間の接合性を向上させている。

図１８（ａ）は、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂを、金属又は合金の板からプレス抜きにより形成した状態を表す縦断面図である。図１８（ｂ）は、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂの表面に酸化膜を形成する酸化工程を表す縦断面図である。リードフレームＬＦを酸素雰囲気中で熱処理し、表面に酸化膜３１を形成する。例えば、水分を含んだ大気中で熱処理する。リードフレームＬＦとして、ＮｉＦｅ系合金、例えばコバールを使用する場合には、温度約８００℃以上で、表面が灰色になる程度に酸化処理を行う。

図１８（ｃ）は、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂの端部をプレス加工により折り曲げた状態を表す縦断面図である。この折り曲げにより、端子９ａ、９ｂを形成する。なお、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂを折り曲げた後に、酸化工程を行って表面に酸化膜３１を形成してもよい。

図１８（ｄ）は、リードフレームＬＦ、ＬＦｂをガラス基板２に接合した状態を表す縦断面図である。設置工程及び接合工程は、第１参考例や第２参考例と同様でよいので、説明を省略する。図示するように、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂとガラス基板２との接触面には酸化膜３１が介在している。そのために、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂとガラス基板２との間の密着性、気密性が向上する。

次に、還元処理を行って外部に露出するリードフレームＬＦａ、ＬＦｂの表面から酸化膜を除去する。図１８（ｅ）に、酸化膜除去工程により、リードフレームＬＦａ、ＬＦｂの露出表面から酸化膜３１が除去された状態を表す。酸化膜除去工程では、水素ガス或いはキャリアガスとしてＮ２ガスを混入した水素ガスの雰囲気中でガラス基板２を加熱処理する。或いは、フッ酸等によりリードフレームＬＦａ、ＬＦｂの表面から酸化膜を除去する。これにより、ＬＥＤ３を実装する実装面や、端子９ａ、９ｂの表面に金属又は合金が露出することとなり、他の導電材料との電気的接続が可能となる。

図１８（ｆ）は、ＬＥＤ３をリードフレームＬＦａの上に実装した実装工程を表す縦断面図である。図１８（ｇ）は、ＬＥＤ３及びワイヤー４を封止材５により封止した状態を表す縦断面図である。実装工程及び封止工程は第１参考例や第２参考例と同様でよいので説明を省略する。なお、酸化処理は接合工程の前であればよい。従って、リードフレームＬＦのプレス加工による曲げ加工（図１８（ｃ））の後でもよいし、リードフレームＬＦのプレス抜き加工（図１８（ａ））の前でもよい。また、酸化処理前に、ＬＥＤ３の実装面および端子９ａ、９ｂに当たる箇所に、レジスト塗布や遮蔽板設置等によって酸化を防止すれば、上述の酸化膜除去工程が不要になる。

１ 発光デバイス
２ ガラス基板
３ ＬＥＤ
４ ワイヤー
５ 封止材
６ 窪み
７ 貫通孔
８ 酸化膜
９、１０、１１、１２ 端子

Claims (9)

1. 表面に窪みが形成されたガラス基板と、
   前記ガラス基板に埋め込まれるとともに、前記ガラス基板の側面と前記窪みの底面から露出する部位を持つリードフレームと、
   前記窪みから露出したリードフレームに電気的に接続された発光素子と、
   前記発光素子を覆う封止材と、を備えた発光デバイス。
2. 前記リードフレームには、前記発光素子を実装した部分の裏側に突起部が形成されており、前記突起部は前記ガラス基板を貫通して前記ガラス基板の底面で露出することを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
3. 前記ガラス基板は、前記窪みを構成する領域において白色又は乳白色であることを特徴とする請求項１または２に記載の発光デバイス。
4. 前記封止材は、金属アルコキシドから形成されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光デバイス。
5. 前記ガラス基板と前記リードフレームの熱膨張係数の差が、４×１０^−６／Ｋ（Ｋはケルビン）以下である請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光デバイス。
6. 前記ガラス基板の熱膨張係数は８×１０^−６／Ｋから１１×１０^−６／Ｋであり、前記リードフレームの熱膨張係数は４×１０^−６から１５×１０^−６／Ｋであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光デバイス。
7. 前記リードフレームは、材料の異なる金属が接合されたクラッド材からなることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光デバイス。
8. 前記リードフレームは金属材料で形成されており、前記リードフレームと前記ガラス基板との間の接合面には、前記リードフレームを構成する金属材料の酸化物からなる酸化膜が形成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の発光デバイス。
9. 前記リードフレームには、前記ガラス基板に埋め込まれた領域において貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の発光デバイス。

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