JP2010165944A - 光起電力装置とその製造方法および光起電力装置の製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】太陽電池を製造する際に、グラビアオフセット印刷を用いてバスバー電極のパターンとグリッド電極のパターンとを導電性ペーストで形成する場合に、バスバー電極とグリッド電極の接続部付近での接続の安定性を高めることができる太陽電池を得ること。
【解決手段】ＰＮ接合面が基板面に平行に形成されたシリコン基板１２と、シリコン基板１２の第１の主面上に第１の方向に延在して平行に複数形成されるグリッド電極２１と、第１の主面上に第２の方向に複数のグリッド電極２１と接続するように形成されるバスバー電極２２と、シリコン基板１２の第２の主面上に形成される裏面電極３０と、を備え、バスバー電極２２は、グリッド電極２１の幅よりも広い幅を有し、かつグリッド電極２１の高さよりも低い高さを有する。
【選択図】 図１−３

Description

この発明は、光起電力装置とその製造方法および光起電力装置の製造装置に関するものである。

太陽電池の受光面側に導電性ペースト材料によって形成される集電極は、スクリーン印刷法などの方法により塗布されるのが一般的である。この集電極は、シリコンなどの半導体で光電変換層を構成した太陽電池セルの表面に一定ピッチで平行に多数本形成された線状のグリッド電極と、すべてのグリッド電極と電気的に接続し、グリッド電極と直交方向に延在するバスバー電極と、から構成される。ここで、グリッド電極は、主にグリッド電極近傍の太陽電池セルで発生した電子（電流）を集め、バスバー電極に送電する役割を有し、バスバー電極は、主にグリッド電極から送られてきた電子をさらに集め、はんだ付けなどの方法によってバスバー電極と電気的に接続された電線や金属箔によるリード線によって他の太陽電池セルや外部と接続する役割を有する。

グリッド電極では、太陽電池セルで発電された電流が流れると電圧降下が起き、ジュール熱としてエネルギが排出される。このジュール熱の発生は発電効率の低下をもたらすため、単位長さ当たりのグリッド電極の電気抵抗を低下させるように、グリッド電極の断面積をできるだけ確保する試みがなされる。一方、太陽電池セルの受光面積を損なわないためには、受光面側の電極線を狭くすることも考慮される。これらのことから、太陽電池セルの表面側に形成される電極は、細くそして高く形成する必要があった。このような構造の太陽電池セルの表面側の電極線を形成する方法として、従来では、たとえばグラビアオフセット印刷を複数回繰り返すことによって、電極線を狭くかつ厚く形成する試みがなされている（たとえば、特許文献１参照）。なお、繰り返し印刷するときには、積層ズレによるグリッド電極の幅の拡大を抑制するために、印刷方向は、グリッド電極線と平行方向としている。

バスバー電極に関しても、受光面積を損なわないために、バスバー電極幅を狭くすることが期待されるが、多数のグリッド線から集められる電流が通るため、グリッド線よりも単位長さ当たりの電気抵抗がさらに低いことが求められる。したがって、グリッド電極から集められた電子をバスバー電極で外部端子まで送電する場合には、グリッド電極よりもバスバー電極の断面積が広く形成される。このとき、グリッド電極とバスバー電極の厚みが同程度であれば、グリッド電極の線幅よりもバスバー電極の線幅の方が広くなる。

また、バスバー電極を外部へ接続するときに金属箔を用いる場合には、バスバー電極の抵抗値を下げるため、一般的に、バスバー電極上のほぼ全面にわたって、金属箔をはんだ付けなどの方法によって接続することが行われている。この場合には、バスバー電極自体の単位長さ当たりの抵抗を低くする必要はないが、金属箔をはんだ付けする工程において、金属箔を所定の位置に設置する時の位置ずれを考慮して、グリッド電極の線幅よりもバスバー電極の線幅の方が広く設定される。

特開２００７−４４９７４号公報

以上のように、バスバー電極はグリッド電極と比べて線幅が太いため、特許文献１に記載のグラビアオフセット印刷法を用いて表面側の電極線の印刷を行う場合に、半導体基板に電極パターンの転写を行うゴムロールからなるブランケット胴上での導電性ペーストの溶剤の揮発速度がバスバー電極部分とグリッド電極部分とで異なる。すなわち、比較的太いバスバー電極やその近傍のグリッド電極は、半導体基板表面の単位面積当たりの導電性ペーストの被覆比率が高いため、溶剤が揮発しにくい。その結果、ブランケット胴上から半導体基板表面に導電性ペーストが転写されるときに、場所によって導電性ペーストの乾燥状態が異なる。そのため、たとえばバスバー電極を転写するのにふさわしい印刷条件では、グリッド電極部分は乾燥しすぎて転写しにくい状態となり、逆にグリッド電極を転写するのにふさわしい印刷条件においては、バスバー電極およびその近傍のグリッド電極が転写されにくい状態となる。

そして、どちらの印刷条件においても、バスバー電極近傍においては、バスバー電極からの距離によって導電性ペーストの乾燥状態は大きく異なるため、転写が不安定となり、バスバー電極とグリッド電極との接続が不安定となる。その結果、バスバー電極近傍のグリッド電極の断面積が極度に薄くなったり、場合によっては断線したりすることによって、太陽電池の発電効率が大きく劣化してしまうという問題点があった。

また、バスバー電極とグリッド電極は同時に印刷されるため、高さを必要とするグリッド電極に合わせて繰り返し印刷を行うと、バスバー電極は、グリッド電極と同等の厚さを有することになる。ここで、バスバー電極から外部へ接続するときに金属箔を用いる場合には、バスバー電極の断面積を大きくする必要はないため、グリッド電極部分には余分な導電性ペーストが使用されることとなる。特に、導電性ペースト材料は、銀、金、パラジウムなどの貴金属を主成分とするために、高価であり、生産性を損なってしまうという問題点があった。

この発明は、上記に鑑みてなされたもので、光起電力装置を製造する際に、グラビアオフセット印刷を用いてバスバー電極のパターンとグリッド電極のパターンとを導電性ペーストで形成する場合に、バスバー電極とグリッド電極の接続部付近での接続の安定性を高めることができる光起電力装置とその製造方法および光起電力装置の製造装置を得ることを目的とする。また、バスバー電極に使用する貴金属の量を抑え、生産性を向上することができる光起電力装置とその製造方法および光起電力装置の製造装置を得ることも目的とする。

上記目的を達成するため、この発明にかかる光起電力装置は、ＰＮ接合面が基板面に平行に形成された半導体基板と、前記半導体基板の第１の主面上に第１の方向に延在して平行に複数形成されるグリッド電極と、前記第１の主面上に第２の方向に前記複数のグリッド電極と接続するように形成されるバスバー電極と、前記半導体基板の第２の主面上に形成される裏面電極と、を備える光起電力装置において、前記バスバー電極は、前記グリッド電極の幅よりも広い幅を有し、かつ前記グリッド電極の高さよりも低い高さを有することを特徴とする。

この発明によれば、グリッド電極の高さをバスバー電極の高さに比して低くしたので、バスバー電極とグリッド電極の接続部付近での接続の安定性を高めるとともに、バスバー電極に使用する貴金属の量を抑え、生産性を向上することができるという効果を有する。

以下に添付図面を参照して、この発明にかかる光起電力装置とその製造方法および光起電力装置の製造装置の実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の実施の形態では、光起電力装置として太陽電池を例に挙げて説明を行うが、この発明がこれらの実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。また、以下の実施の形態で用いられる太陽電池の断面図は模式的なものであり、層の厚みと幅との関係や各層の厚みの比率などは現実のものとは異なる。

実施の形態１．
最初に、この実施の形態１による太陽電池の構造の一例について説明する。図１−１〜図１−４は、太陽電池の全体構成の一例を模式的に示す図であり、図１−１は太陽電池の上面図であり、図１−２は太陽電池の裏面図であり、図１−３は図１−１のＡ−Ａ断面図である。また、図１−４は、太陽電池の表面にタブ電極を形成した状態の断面図である。太陽電池１０は、半導体基板としてのＰ型シリコン基板（以下、単にシリコン基板ともいう）１２と、このＰ型シリコン基板１２の一方の主面（受光面）側の表面にＮ型の不純物を拡散させたＮ型拡散層１３と、他方の主面（裏面）側の表面にシリコン基板１２よりも高濃度にＰ型の不純物を含んだＰ＋層１４と、を含む光電変換層１１を備える。

また、太陽電池１０は、光電変換層１１の受光面への入射光の反射を防止する反射防止膜１５と、光電変換層１１で発電された電気を局所的に集電するために受光面に所定のピッチで複数平行に設けられる銀などからなるグリッド電極２１と、グリッド電極２１で集電された電気を送電するためにグリッド電極２１にほぼ直交して設けられる銀などからなるバスバー電極２２と、光電変換層１１で発電された電気の集電と光電変換層１１を透過した入射光の反射を目的としてＰ型シリコン基板１２の裏面のほぼ全面に設けられるアルミニウムなどからなる裏側集電電極３１と、この裏側集電電極３１に生じた電気を外部に取り出すための銀などからなる裏側取出電極３２と、を備える。なお、光電変換層１１の受光面側には、入射光を効率よく光電変換層１１内に導くために、数μｍ〜数十μｍの凹凸を有するテクスチャ構造が一般的に形成されている。また、受光面側（表面側）のグリッド電極２１とバスバー電極２２とを合わせて、以下では、表面電極２０ともいい、裏面側の裏側集電電極３１と裏側取出電極３２とを合わせて、以下では、裏面電極３０ともいう。

さらに、バスバー電極２２上と裏側取出電極３２上には、光電変換層１１で発電された電気を外部に取り出すためのタブ電極２３がそれぞれ形成される。バスバー電極２２上に形成されたタブ電極２３は、隣接する一方の太陽電池１０の裏側取出電極３２と接続され、裏側取出電極３２上に形成されたタブ電極２３は、隣接する他方の太陽電池のバスバー電極２２と接続される。以下では、表面側に形成されるタブ電極２３は、バスバー電極２２上の全面に取り付けられる場合を前提に説明するが、バスバー電極２２上の一部に取り付けられるような構造でもよい。このタブ電極２３は、金属箔などによって構成され、タブ電極２３上にはんだ付けなどの方法で取り付けられる。

ここで、バスバー電極２２は、グリッド電極２１の幅に比して太く、そしてグリッド電極２１の高さに比して低く形成されている。具体的には、バスバー電極２２の幅は、グリッド電極の幅の４倍以上８０倍以下であることが望ましく、タブ電極２３の取り付けの信頼性を考慮して、０．５ｍｍ以上の幅を有することが望ましい。また、バスバー電極２２の高さはグリッド電極２１の高さの０％よりも大きく７５％以下であることが望ましい。

このように構成された太陽電池１０では、太陽光が太陽電池１０の受光面側からＰＮ接合面（Ｐ型シリコン基板１２とＮ型拡散層１３との接合面）に照射されると、ホールと電子が生成する。ＰＮ接合面付近の電界によって、生成した電子はＮ型拡散層１３に向かって移動し、ホールはＰ＋層１４に向かって移動する。これにより、Ｎ型拡散層１３に電子が過剰となり、Ｐ＋層１４にホールが過剰となる結果、光起電力が発生する。この光起電力はＰＮ接合を順方向にバイアスする向きに生じ、Ｎ型拡散層１３に接続した表面電極２０がマイナス極となり、Ｐ＋層１４に接続した裏面電極３０がプラス極となり、図示しない外部回路に電流が流れる。

つぎに、このような構造の太陽電池１０の製造方法について説明する。図２−１〜図２−６は、この実施の形態１による太陽電池の製造方法の処理手順の一例を模式的に示す断面図である。

まず、Ｐ型シリコン基板１２を用意する（図２−１）。シリコン基板１２としては、単結晶基板でも多結晶基板でもよい。たとえば、多結晶シリコン基板の場合には、多結晶シリコンインゴットからマルチワイヤソーでスライスしたものを、酸またはアルカリ溶液を用いたウェットエッチングでスライス時のダメージを除去して製造する。なお、ダメージ除去と同時に、またはそれに続いて、テクスチャ構造を形成する場合も多い。これはシリコン基板１２に入射する光を効率的に内部に吸収させるための方策として、シリコン基板１２の表面に凹凸形状を設けるものである。

ついで、ダメージ除去後のシリコン基板１２を熱酸化炉へ投入し、Ｎ型の不純物としてのリン（Ｐ）の雰囲気下で加熱し、シリコン基板１２表面にリンを拡散させ、導電型を反転させたＮ型拡散層１３を形成する（図２−２）。ここではリン雰囲気の形成にオキシ塩化リン（ＰＯＣｌ₃）を用いて、８００〜８５０℃で拡散させる。また、特に工夫の無い場合には、Ｎ型拡散層１３はＰ型シリコン基板１２の全面に形成される。その後、オキシ塩化リン蒸気の存在下で加熱して生じたリンガラス層をフッ酸溶液中で除去する。

ついで、Ｐ型シリコン基板１２の受光面となる主面にレジストを塗布して保護した後、エッチングによって、レジストで保護した一主面のみにＮ型拡散層１３を残すように、Ｐ型シリコン基板１２の他の表面に形成されたＮ型拡散層１３を除去する。その後、レジストを有機溶剤などを用いて除去する。これによって、受光面側にのみＮ型拡散層１３が形成されたＰ型シリコン基板１２が得られる（図２−３）。

その後、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって、Ｎ型拡散層１３の表面に反射防止膜１５としてのＳｉＮ膜を形成する（図２−４）。膜厚および屈折率は、光反射を最も抑制する値に設定する。なお、反射防止膜１５として、屈折率の異なる２層以上の膜を積層してもよい。また、スパッタ法など異なる成膜方法によって形成してもよい。

ついで、アルミニウムの混入した導電性ペーストをシリコン基板１２の裏面の裏側取出電極３２形成位置以外の全面にスクリーン印刷法で印刷して裏側集電電極形成層３１Ａを形成する。また、銀などを混入した導電性ペーストをシリコン基板１２の裏面の所定の位置（裏側取出電極３２形成位置）にスクリーン印刷法で印刷して裏側取出電極形成層３２Ａを形成する（図２−５）。

その後、銀などを混入した導電性ペーストをシリコン基板１２の表面に櫛形にグラビアオフセット印刷法で印刷し、表面電極形成層を形成する。以下に、表面電極形成層の形成方法について詳細に説明する。図３は、グラビアオフセット印刷装置の構成の一例を模式的に示す図である。このグラビアオフセット印刷装置１００は、基台１０１上に、印刷対象のシリコン基板１２を載置し基台１０１上を移動させるコンベア１０２と、印刷ユニット１１０と、シリコン基板１２のアライメントを検出するＣＣＤ（Charge-Coupled Device）カメラ１０４などを有する位置合わせ手段１０３と、を備える。

印刷ユニット１１０は、印刷するグリッド電極２１とバスバー電極２２の形状に印刷パターンとしての凹部が形成された版胴１１１と、版胴１１１に導電性ペーストを供給するディスペンサ１１２と、版胴１１１の凹部に供給された導電性ペーストを掻き取るブレード１１３と、版胴１１１に供給された導電性ペーストを受理しコンベア１０２上に載置されたシリコン基板１２上に転写するゴムなどからなるブランケット胴１１４と、を有する。版胴１１１とブランケット胴１１４とは、円柱状の構造を有し、円柱の上下面の中心を通る軸が互いに平行となるように配置されるとともに、その側面の一部が互いに接するように配置されている。なお、この例では、版胴１１１は円柱状の構造を有しているが、板状の構造を有しているものでもよい。

版胴１１１は、ステンレスや銅、真鍮などの材料、またはこれらのうち２つ以上の材料を組み合わせることによって形成される。また、ブレード１１３との接触による磨耗を抑制するために、クロムメッキなどで版胴１１１の表面を保護してもよい。この版胴１１１には、後述するようにグリッド電極２１とバスバー電極２２を形成するための印刷パターンが形成されているが、印刷パターンは、エキシマレーザなどのレーザ光によって形成される。

ディスペンサ１１２から供給される導電性ペーストは、主導電材としての銀、金、銅、白金、パラジウム、ニッケルおよびこれらの混合物のいずれかからなる導電性金属粉末と、テルピネオールなどの溶剤と、を加えて攪拌、分散させることによって得られる。印刷特性や半導体基板との接触抵抗の調整のために、導電性ペーストに、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、エチルセルロースなどのバインダ樹脂と、シリコン、ホウ素、鉛、亜鉛、ナトリウムの酸化物の混合物などからなるガラス粉末とをさらに加えてもよい。

ここで、シリコン基板表面に印刷される導電性ペーストの乾燥時間と重量減少の関係について説明する。図４と図５は、シリコン基板表面に印刷した導電性ペーストの乾燥時間と重量減少の関係を示す図である。図４は、印刷厚みを０．２ｍｍとし、直径をそれぞれ８，４，２，１ｍｍとした円形の導電性ペーストをシリコン基板表面に印刷し、２５℃で相対湿度５０％の環境下で乾燥させたときの乾燥時間と導電性ペーストの重量減少との関係を示している。また、図５は、直径を１ｍｍとし、印刷厚みをそれぞれ、０．５，０．３，０．２，０．１ｍｍとした円形の導電性ペーストをシリコン基板表面に印刷し、２５℃で相対湿度５０％の環境下で乾燥させたときの乾燥時間と導電性ペーストの重量減少の関係を示している。

図４に示されるように、印刷面積が大きいもの、すなわち、シリコン基板表面の単位面積当たりの導電性ペーストの被覆比率が高いものほど、乾燥しにくいことがわかる。このことは、バスバー電極２２とその近傍のグリッド電極２１のように、シリコン基板１２表面の単位面積当たりの導電性ペーストの被覆比率が高い領域では、バスバー電極２２から比較的はなれたグリッド電極２１と比べて、導電性ペーストが乾燥しにくいことを示している。

また、図５に示されるように、印刷物の厚みが厚いものほど、乾燥しにくいことがわかる。すなわち、印刷物の厚みが薄いほど、導電性ペーストは乾燥しやすくなる。その結果、グリッド電極２１と比較して太いバスバー電極２２の厚みを薄くすることにより、グリッド電極２１とバスバー電極２２の乾燥状態の差異を小さくすることができる。

そこで、この実施の形態１では、バスバー電極２２に対応するパターン（以下、バスバー電極パターンという）をグリッド電極２１に対応するパターン（以下、グリッド電極パターンという）よりも単位面積当たりのペースト充填体積を少なくした印刷パターン、具体的には、グリッド電極２１と比較して太いバスバー電極２２の厚みを薄くして、バスバー電極パターンをグリッド電極パターンよりも単位面積当たりのペースト充填体積を９０％以下にした印刷パターンを用いてグラビアオフセット印刷に行うようにしている。

図６−１は、この実施の形態１で使用される凹版パターンの一例を模式的に示す平面図であり、図６−２は、図６−１のＢ−Ｂ断面図である。なお、図６−１と図６−２では、グラビアオフセット印刷で印刷パターンが形成された平板状の凹版パターン１３０を示しているが、この凹版パターン１３０をロール状にしたものが図３のグラビアオフセット印刷装置１００の版胴１１１に対応する。

凹版パターン１３０には、シリコン基板１２上に形成されるグリッド電極２１の形状となるように、第１の方向に延在した溝状の複数のグリッド電極パターン１３１が平行に形成されている。また、凹版パターン１３０には、第１の方向とは異なる第２の方向、たとえばグリッド電極パターン１３１に直交する方向にバスバー電極２２の形状となる溝状のバスバー電極パターン１３２も形成されている。ここでは、構造をわかりやすくするために、グリッド電極パターン１３１は４本しか形成されていないが、実際には図１−１に示されるようにグリッド電極２１に対応して多数本のグリッド電極パターン１３１が形成される。以下では、図３のグラビアオフセット印刷装置１００の版胴１１１に図６−１と図６−２に示される凹版パターン１３０を適用した場合を説明する。

この実施の形態１では、バスバー電極パターン１３２の単位面積当たりのペースト充填体積をグリッド電極パターン１３１の単位面積当たりのペースト充填体積よりも少なくなるようにバスバー電極パターン１３２とグリッド電極パターン１３１を印刷パターンとして有する版胴１１１を用いて表面電極を形成している。具体的には、バスバー電極パターン１３２の幅Ｗｂは、グリッド電極パターン１３１の幅Ｗｇの４倍以上で８０倍以下としている。バスバー電極パターン１３２の幅Ｗｂがグリッド電極パターン１３１の幅Ｗｇの４倍未満の場合や８０倍よりも大きい場合には、後述するこの実施の形態１の効果が得られないことから、バスバー電極パターン１３２の幅Ｗｂとして上記の範囲が決定された。また、バスバー電極パターン１３２の深さＤｂは、グリッド電極パターン１３１の深さＤｇよりも浅く形成されている。具体的には、バスバー電極パターン１３２の深さＤｂは、グリッド電極パターン１３１の深さＤｇの０％よりも大きく７５％以下であることが望ましい。バスバー電極パターン１３２の深さＤｂがグリッド電極パターン１３１の深さＤｇの７５％よりも深い場合にも、後述するこの実施の形態１の効果が得られないことから、バスバー電極パターン１３２の深さＤｂとして上記の範囲が決定された。

このような構造の印刷パターンを用いることで、グリッド電極パターン１３１よりも低い高さを有するバスバー電極パターン１３２が形成され、シリコン基板１２に受理されたグリッド電極パターン１３１とバスバー電極パターン１３２の乾燥速度をほぼ同じとすることができる。

このような構造のグラビアオフセット印刷装置１００のコンベア１０２上に、図２−５までに示した裏側集電電極形成層３１Ａと裏側取出電極形成層３２Ａを形成したシリコン基板１２を、表面を上側に向けて配置し、シリコン基板１２を印刷ユニット１１０まで移動させる。印刷ユニット１１０では、回転する版胴１１１にディスペンサ１１２から導電性ペーストが供給され、過剰な導電性ペーストはブレード１１３で掻き取られる。また、版胴１１１の回転とともに、ブランケット胴１１４も回転し、版胴１１１に形成されたパターンは、ブランケット胴１１４と接触する位置でブランケット胴１１４に受理される。そして、ブランケット胴１１４に受理されたパターンは、ブランケット胴１１４の下方をコンベア１０２とともに移動するシリコン基板１２の表面に転写される（図２−６）。これによって、第１の方向に配列した複数のグリッド電極形成層２１Ａと、すべてのグリッド電極形成層２１Ａと接続するように第２の方向に延在するバスバー電極形成層２２Ａと、を含む転写パターンが形成される。この転写パターンは版胴１１１の印刷パターンを反映して、バスバー電極形成層２２Ａの幅は、グリッド電極形成層２１Ａの幅の４倍以上８０倍以下であり、バスバー電極形成層２２Ａの高さは、グリッド電極形成層２１Ａの高さの７５％以下となっている。

このグラビアオフセット印刷装置１００によって転写パターンを複数回重ねて印刷し、表面電極形成層を形成する。この場合、先に印刷した転写パターン上に、重ねて新たな転写パターンが形成されるように、位置合わせ手段１０３によって、シリコン基板１２を印刷ユニット１１０に対して位置合わせを行う。以上で、グラビアオフセット印刷装置１００による表面電極形成層の形成処理が終了する。

以上のようにして表面電極２０の基となる転写パターンを形成した後、シリコン基板１２の焼成処理を実施する。焼成処理は、たとえば、大気雰囲気中、７６０℃で実施し、表面には表面電極２０が形成され、裏面には裏面電極３０が形成される。このとき、表面電極２０は、接合部分において、反射防止膜１５を突き抜けＮ型拡散層１３とコンタクトする。これによって、Ｎ型拡散層１３は表面電極と良好な抵抗性接合を得ることができる。また、裏面に形成されたアルミニウムの混入したペーストからアルミニウムがシリコン基板１２中に拡散し、シリコン基板１２の裏面側にＢＳＦ（Back Surface Field）機能を有するＰ＋層１４を形成するとともに、Ｐ＋層１４の形成に使用されなかったペースト中のアルミニウムは、裏側集電電極３１となる。以上の工程によって、単位面積当たりの導電性ペースト充填体積がグリッド電極２１よりも小さいバスバー電極２２となる構造の太陽電池１０が作製される。

つぎに、この実施の形態１の方法によって作製した太陽電池を、従来の方法で作製した太陽電池と比較した実験結果について説明する。ここでは、主導電材としての８０ｗｔ％の銀粉末と、溶剤としての１０ｗｔ％のテルピネオールと、バインダ樹脂としての１０ｗｔ％のポリエステルと、を含む導電性ペーストを用いた。また、幅Ｗｇを５０μｍとし、深さＤｇを４０μｍとしたグリッド電極パターン１３１と、種々の幅Ｗｂおよび深さＤｂを有するバスバー電極パターン１３２とが形成された版胴１１１を有する印刷ユニット１１０で５回繰り返し印刷を行う。

図７は、実施例と比較例によるバスバー電極パターンの形状と、バスバー電極パターンによって形成されたバスバー電極の形状の結果を示す図である。この実施の形態１に対応する実施例１〜４では、バスバー電極パターン１３２の幅Ｗｂを１．０ｍｍとし、深さＤｂをそれぞれ３０，２０，１５，１０μｍとした版胴１１１を用いて印刷を行った。また、実施例５〜７では、バスバー電極パターン１３２の幅Ｗｂを０．５ｍｍとし、深さＤｂをそれぞれ３０，１０，５μｍとした版胴１１１を用いて印刷を行った。さらに、実施例８では、バスバー電極パターン１３２の幅Ｗｂを４．０ｍｍとし、深さＤｂを３０μｍとした版胴１１１を用いて印刷を行った。一方、比較例１〜３では、バスバー電極パターン１３２の深さＤｂをグリッド電極パターン１３１の深さＤｇと同じ４０μｍとし、幅Ｗｂをそれぞれ１．０，０．２，０．１ｍｍとした版胴１１１を用いて印刷を行った。また、比較例４では、バスバー電極パターン１３２の幅Ｗｂを５．０ｍｍとし、深さＤｂを３０μｍとした版胴１１１を用いて印刷を行った。

図７に示されるように、実施例１〜８においては、バスバー電極２２とグリッド電極２１とは、断線を生じることなく印刷することができた。一方、バスバー電極パターン１３２の深さがグリッド電極パターン１３１と同等である比較例１，２においては、バスバー電極２２とグリッド電極２１との間の断線が確認されたが、比較例３では、断線が見られなかった。これは、比較例３では、バスバー電極パターン１３２の幅Ｗｂとグリッド電極パターン１３１の幅Ｗｇとの差が少なくなり（Ｗｂ／Ｗｇの比率が１に近くなり）、ブランケット胴１１４からシリコン基板１２の表面への移行時の導電性ペーストの乾燥状態に差異が少なくなったためであると考えられる。その結果、少なくとも、バスバー電極パターン１３２の幅Ｗｂはグリッド電極パターン１３１の幅Ｗｇの４倍以上である印刷パターンでなければ、この実施の形態１の効果が顕著に現れないことがわかる。ただし、比較例２，３のようにバスバー電極パターン１３２の幅Ｗｂが０．５ｍｍよりも細い場合には、太陽電池モジュールとして組み立てる際に、図１−４に示した外部への接続に用いるタブ電極２３とバスバー電極２２との間の接続信頼性が低くなってしまう。そのため、太陽電池のバスバー電極２２の幅としては、０．５ｍｍ以上有することが望ましい。

また、比較例４においては、断線は確認できなかったものの、バスバー電極２２近傍のグリッド電極２１の厚みが、バスバー電極２２から比較的離れたグリッド電極２１の厚みと比較し、薄いことが確認された。これは、繰り返し印刷を５回行ったが、その内の少なくとも１回は、バスバー電極２２近傍のグリッド電極２１が印刷されなかったためである。しかし、実施例１においては、バスバー電極パターン１３２の深さは比較例４と同じであるが、そのような現象は見られなかった。これは、バスバー電極２２の太さが比較例４と異なるため、バスバー電極２２近傍のグリッド電極２１と、比較的バスバー電極２２から離れたグリッド電極２１との導電性ペーストの乾燥速度が、同じ厚さでも差異が大きかったためと考えられる。その結果、少なくとも、実施例８のように、バスバー電極パターン１３２の幅Ｗｂはグリッド電極パターン１３１の幅Ｗｇの８０倍以下でないと、この実施の形態１の効果が顕著に現れないことがわかる。

さらに、バスバー電極パターン１３２の深さＤｂは、実施例１，５，８に見られるように、グリッド電極パターン１３１の深さＤｇの７５％以下で効果があることが確認できた。

なお、実施例４においては、バスバー電極パターン１３２がシリコン基板１２の表面に完全に転写されず、一部がかすれてしまった。これは、版胴１１１のバスバー電極パターン１３２に充填された導電性ペーストが、ブレード１１３によって大部分が掻き取られてしまったためであり、バスバー電極２２に相当する部分で版胴１１１からブランケット胴１１４への転写が不十分であったためである。また、実施例７においても同様の結果となった。

しかし、バスバー電極パターン１３２の深さＤｂは実施例４と同じ１０μｍであるが、幅Ｗｂを実施例４よりも狭くした実施例６においては、バスバー電極２２のかすれは認められなかった。バスバー電極２２がかすれると、外部への接続に用いるタブ電極２３との接続部分の面積を制御できなくなり、歩留まりが悪くなることが懸念される。そのため、バスバー電極２２がかすれない方が好ましい。実施例４，７で作製した太陽電池１０のバスバー電極２２に接続したタブ電極２３（金属箔）に、ピール試験によって基板面に対して垂直方向に荷重をかけたところ、タブ電極２３とバスバー電極２２との界面で剥離した。しかし、その他の実施例で同様の試験を行ったところ、タブ電極２３とバスバー電極２２との界面で剥離せず、シリコン基板１２が破壊した。この結果から、バスバー電極２２とタブ電極２３との接続信頼性は、バスバー電極２２がかすれてしまうと（実施例４，７）低くなることがわかる。

バスバー電極２２がかすれる原因は、バスバー電極パターン１３２の幅Ｗｂによりブレード１１３で掻き取られる量が異なるためと考えられるが、実際にかすれが発生するかどうかは、バスバー電極パターン１３２の幅Ｗｂだけが要因ではなく、幅Ｗｂと深さＤｂの比率に相関があると考えられる。たとえば実施例４，７のように深さＤｂに対する幅Ｗｂの比率が１００の場合では、バスバー電極２２はかすれるが、実施例３のよう深さＤｂに対する幅の比率Ｗｂが６７の場合には、かすれが発生しない。これより、バスバー電極パターン１３２の深さＤｂに対する幅Ｗｂの比率は６７以下であることが好ましい。

この実施の形態１によれば、太陽電池１０の表面電極２０を形成する際に、バスバー電極パターン１３２の単位面積当たりのペースト充填体積を、グリッド電極パターン１３１の単位面積当たりのペースト充填体積よりも少なくするように、グラビアオフセット印刷で印刷するようにしたので、バスバー電極形成層２２Ａとその近傍のグリッド電極形成層２１Ａでの導電性ペーストの溶剤の揮発速度を、バスバー電極形成層２２Ａから離れた位置でのグリッド電極形成層２１Ａでの導電性ペーストの溶剤の揮発速度に近づけ、ブランケット胴１１４からシリコン基板１２表面に転写された転写パターン全体での乾燥状態の差異を少なくすることができる。その結果、バスバー電極２２とグリッド電極２１との接続部において断線を生じさせることなく表面電極２０を一体的に形成することができる。さらに、バスバー電極２２を形成する際に、その断面積を従来に比して小さくすることができるので、表面電極２０に使用される導電性ペーストの材料を従来に比して削減することができ、生産性が向上するという効果も有する。また、このようにして製造された太陽電池１０は、バスバー電極２２とグリッド電極２１との間で断線がないので、発電効率を向上させることができる。

実施の形態２．
図８と図９は、この実施の形態２で使用される凹版パターンの一例を模式的に示す平面図である。なお、図８と図９では、グラビアオフセット印刷で印刷パターンが形成された平板状の凹版パターン１３０を示しているが、この凹版パターン１３０をロール状にしたものが図３のグラビアオフセット印刷装置１００の版胴１１１に対応する。この凹版パターン１３０には、シリコン基板１２上に形成されるグリッド電極２１の形状となるように、第１の方向に延在した複数の溝状のグリッド電極パターン１３１が平行に形成されている。また、凹版パターン１３０には、第１の方向とは異なる第２の方向に延在するバスバー電極２２の形状となる溝状のバスバー電極パターン１３２も形成されている。

この実施の形態２では、バスバー電極パターン１３２をシリコン基板上に転写したときに、バスバー電極形成層の幅よりも寸法が小さくシリコン基板表面に到達する凹部がバスバー電極形成層に複数形成されるように、バスバー電極パターン１３２内にドットパターンが設けられている。ドットパターンは、図８に示されるように円柱状のドットパターン１３３Ａでもよいし、図９に示されるように直方体状のドットパターン１３３Ｂでもよい。また、これらの形状以外のドットパターンでもよい。このドットパターン１３３Ａ，１３３Ｂを凹版パターン１３０のバスバー電極パターン１３２内に設けることによって、バスバー電極パターン１３２に充填された導電性ペーストの単位面積当たりのペースト充填体積を減らしている。なお、この実施の形態２の場合には、グリッド電極パターン１３１の深さとバスバー電極パターン１３２の深さを同じとしてもよい。

また、バスバー電極２２の中でより電流が集中するグリッド電極２１を第１の方向に延長した領域上でバスバー電極２２（導電性ペースト）の断面積を確保するために、この領域に対応するバスバー電極パターン１３２の領域上にはドットパターンを形成しなくてもよい。

この様な凹版パターン１３０を用いてグラビアオフセット印刷を行うと、実施の形態１の場合と同様にバスバー電極とグリッド電極の接続信頼性を確保できるだけでなく、バスバー電極パターン１３２に導電性ペーストがブレードによって充填されるときに、凹版パターン１３０のパターンが形成されていない位置での母材と同じ高さを持つドットパターン１３３Ａ，１３３Ｂにブレードが接触することによって、ブレードの先端が、バスバー電極パターン１３２の内部に侵入しにくくなる。そのため、バスバー電極形状がかすれにくくなり、浅い溝の凹版パターン１３０を用いてバスバー電極を形成した場合においても、タブ電極とバスバー電極との接続信頼性を確保することができる。

なお、図３に示されるロール状の版胴１１１を用いる場合には、余分な導電性ペーストを除去するためには、ロールの回転中心軸に対して平行に、すなわち、グリッド電極パターン１３１の延在方向に直交する方向（第２の方向）にブレード１１３の先端を版胴１１１に接触させる必要がある。このとき、ブレード１１３の先端がバスバー電極パターン１３２内になるべく侵入させないようにするためには、第２の方向の、バスバー電極パターン１３２内に作り得るすべての線分において、必ず一つ以上のドットが交差することが好ましい。

また、このような印刷パターンは、実施の形態１と同様にレーザ加工により形成することができるが、グリッド電極パターン１３１の深さとバスバー電極パターン１３２の深さが同じとすると、エッチングによる形成も可能である。このエッチングによるパターン形成方法は、比較的簡便な加工方法であり、また、凹版パターン１３０を彫刻するときにバリが発生しにくいという特徴がある。パターン形成時にバリが発生すると、その部分で導電性ペーストにクラックが入り、断線する可能性がある。そのため、エッチングで形成した凹版パターン１３０を用いて表面電極を形成すると、より信頼性が高く、生産性にも優れる利点を有する。

つぎに、この実施の形態２の方法によって作製した太陽電池を、従来の方法で作製した太陽電池と比較した実験結果について説明する。ここでは、主導電材としての８０ｗｔ％の銀粉末と、溶剤としての１０ｗｔ％のテルピネオールと、バインダ樹脂としての１０ｗｔ％のポリエステルと、を含む導電性ペーストを用いた。また、幅Ｗｇを５０μｍとし、深さＤｇを変えたグリッド電極パターン１３１と、種々の幅Ｗｂおよび深さＤｂを有するバスバー電極パターン１３２とが形成された版胴を有する印刷ユニットで５回繰り返し印刷を行って表面電極形成層を形成した。

図１０は、実施例と比較例によるバスバー電極パターンの形状と、バスバー電極パターンによって形成されたバスバー電極の形状の結果を示す図である。なお、この図において、ドット占有率とは、バスバー電極パターン１３２の領域の内ドットパターン１３３Ａ，１３３Ｂが占める面積の割合をいうものとする。

この実施の形態２に対応する実施例９，１０では、グリッド電極パターン１３１の深さＤｇを１０μｍとし、バスバー電極パターン１３２の幅Ｗｂを１．０ｍｍとし、深さＤｂを１０μｍとし、ドットパターン形状をそれぞれ円形状と方形状とし、ドット占有率を２５％とした版胴１１１を用いて印刷を行った。また、実施例１１〜１４では、グリッド電極パターン１３１の深さＤｇを４０μｍとし、バスバー電極パターン１３２の幅Ｗｂを１．０ｍｍとし、深さＤｂを４０μｍとし、ドットパターン形状を方形状とし、ドット占有率をそれぞれ１０，２５，５０，７５％とした版胴１１１を用いて印刷を行った。さらに、比較例５では、グリッド電極パターン１３１の深さＤｇを１０μｍとし、バスバー電極パターン１３２の幅Ｗｂを１．０ｍｍとし、深さＤｂを１０μｍとし、ドットパターンを形成しない版胴１１１を用いて印刷を行った。

比較例５では、バスバー電極とグリッド電極が断線するとともに、バスバー電極の形状もかすれが発生していた。これに対して、実施例９，１０では、断線もかすれも発生しておらず、上述した効果が得られていることがわかる。また、実施例９，１０を実施例４と比較しても、バスバー電極パターン１３２の深さＤｂが同じであるにもかかわらず、実施例９，１０においてはバスバー電極にかすれが発生していなかった。また、実施の形態１で行ったようにバスバー電極とタブ電極のピール試験を行うと、実施例９，１０はシリコン基板で破壊した。これによって、バスバー電極とタブ電極との間の接続信頼性は確保できていると考えられる。

また、グリッド電極パターン１３１の深さＷｇとバスバー電極パターン１３２の深さＷｂが同じであり、ドット占有率を変化させた実施例１１〜１４を見ると、ドット占有率が１０％以上あれば、上述した効果が得られていることがわかる。このことから、ドットパターンを形成しない凹版パターンと比較して、ドット占有率が１０％以上の（すなわち単位面積当たりのペースト充填体積がドットパターンを形成しないときの９０％以下の）バスバー電極パターン１３２を形成することで、上述した効果が得られることが確認できる。

この実施の形態２によれば、グリッド電極パターン１３１の深さとバスバー電極パターン１３２の深さとを同じにすることができるので、容易に凹版パターンを製造することができるという効果を、実施の形態１の効果に加えて得ることができる。

実施の形態３．
上述した説明では、グラビアオフセット印刷において、１つの版胴を用いて複数回の重ね印刷を行う場合を説明したが、異なる複数の版胴を用いて複数回の重ね印刷を行うことも可能である。たとえば、実施の形態１の図３のグラビアオフセット印刷装置において、異なる版胴１１１が設定された複数の印刷ユニット１１０を基台１０１上の基板の搬送方向に複数設ければよい。

この場合には、実施の形態２で用いた版胴１１１において、バスバー電極パターン内のドットパターンの位置を印刷ユニット１１０毎に変えることによって、繰り返し重ねて印刷した後に形成されるバスバー電極の、単位面積当たりの導電性ペーストの被覆面積が大きくなる。その結果、バスバー電極と外部への接続に用いるタブ電極との接続面積が拡がり、タブ電極とバスバー電極との間の接続信頼性をさらに向上させることができる。

また、このような場合には、ある一つの凹版パターンにおいて、バスバー電極パターンがドットパターンによって断線していても、他の凹版パターンにおいてその断線領域が印刷されるようにドットパターンの位置を調整すれば、バスバー電極内の電気的接続を確保することができる。

図１１と図１２は、この実施の形態３で使用される凹版パターンの一例を模式的に示す平面図である。なお、図１１と図１２では、グラビアオフセット印刷で印刷パターンが形成された平板状の凹版パターン１３０を示しているが、この凹版パターン１３０をロール状にしたものが図３のグラビアオフセット印刷装置１００の版胴１１１に対応する。この凹版パターン１３０には、シリコン基板上に形成されるグリッド電極の形状となるように、第１の方向に延在した複数の溝状のグリッド電極パターン１３１が平行に形成されている。また、凹版パターン１３０には、第１の方向とは異なる第２の方向に延在するバスバー電極２２の形状となる溝状のバスバー電極パターン１３２も形成されている。

図１１では、バスバー電極パターン１３２にメッシュ状の形状のパターン１３３Ｃが形成されており、図１２では、バスバー電極パターン１３２にディンプル状のパターン１３３Ｄが形成されている。これらの形状を有する凹版パターン１３０で形成した表面電極においては、断線、かすれともになく、実施の形態１で行ったようにバスバー電極とタブ電極のピール試験を行うと、シリコン基板で破壊した。これによって、バスバー電極とタブ電極との間の接続信頼性は確保できていると考えられる。

図１３は、この実施の形態３で使用される凹版パターンの一例を模式的に示す平面図であり、図１４は、図１３のＣ−Ｃ断面図であり、図１５は、図１３のＤ−Ｄ断面図である。なお、図１３〜図１５では、グラビアオフセット印刷で印刷パターンが形成された平板状の凹版パターン１３０を示しているが、この凹版パターン１３０をロール状にしたものが図３のグラビアオフセット印刷装置１００の版胴１１１に対応する。この凹版パターン１３０は、グラビアオフセット印刷装置１００の後段（最終段）に設けられる印刷ユニット１１０に用いられる凹版パターン１３０であり、グリッド電極パターン１３１のみが形成され、バスバー電極パターン１３２がグリッド電極パターン１３１形成位置以外の領域に形成されていない転写パターンを有する。つまり、バスバー電極パターン１３２のグリッド電極パターン１３１形成位置以外では、印刷パターンが形成されていない位置での母材と同じ高さとなっている。

先に印刷に用いる（前段に設けられる）たとえば図１１や図１２などの凹版パターン１３０によって、充分なバスバー電極が形成できれば、後段の印刷に、図１３〜図１５に示される凹版パターン１３０を用いてもよい。このように、前段で図１１や図１２に示されるような凹版パターン１３０を有する印刷ユニット１１０で印刷パターンを形成し、後段で図１３〜図１５に示される凹版パターン１３０を有する印刷ユニット１１０で印刷パターンを形成する場合にも、断線、かすれともにないことが確認できる。

この実施の形態３によれば、バスバー電極パターン１３２の単位面積当たりのペースト充填体積をさらに小さくすることができる凹版パターン１３０を用いて表面電極の印刷を行ったので、バスバー電極の断面積を実施の形態２の場合に比してさらに小さくすることができる。その結果、消費される導電性ペーストをさらに削減でき、銀などの貴金属の使用量を抑えることができるので、太陽電池の製造における生産性を向上させることができる。

以上のように、この発明にかかる光起電力装置の製造方法は、貴金属を有する導電性ペーストを用いて表面電極を形成する場合に有用である。

太陽電池の上面図である。 太陽電池の裏面図である。 図１−１のＡ−Ａ断面図である。 太陽電池の表面にタブ電極を形成した状態の断面図である。 この実施の形態１による太陽電池の製造方法の処理手順の一例を模式的に示す断面図である（その１）。 この実施の形態１による太陽電池の製造方法の処理手順の一例を模式的に示す断面図である（その２）。 この実施の形態１による太陽電池の製造方法の処理手順の一例を模式的に示す断面図である（その３）。 この実施の形態１による太陽電池の製造方法の処理手順の一例を模式的に示す断面図である（その４）。 この実施の形態１による太陽電池の製造方法の処理手順の一例を模式的に示す断面図である（その５）。 この実施の形態１による太陽電池の製造方法の処理手順の一例を模式的に示す断面図である（その６）。 グラビアオフセット印刷装置の構成の一例を模式的に示す図である。 シリコン基板表面に印刷した導電性ペーストの乾燥時間と重量減少の関係を示す図である。 シリコン基板表面に印刷した導電性ペーストの乾燥時間と重量減少の関係を示す図である。 この実施の形態１で使用される凹版パターンの一例を模式的に示す平面図である。 図６−１のＢ−Ｂ断面図である。 実施例と比較例によるバスバー電極パターンの形状と、バスバー電極パターンによって形成されたバスバー電極の形状の結果を示す図である。 この実施の形態２で使用される凹版パターンの一例を模式的に示す平面図である。 この実施の形態２で使用される凹版パターンの一例を模式的に示す平面図である。 実施例と比較例によるバスバー電極パターンの形状と、バスバー電極パターンによって形成されたバスバー電極の形状の結果を示す図である。 この実施の形態３で使用される凹版パターンの一例を模式的に示す平面図である。 この実施の形態３で使用される凹版パターンの一例を模式的に示す平面図である。 この実施の形態３で使用される凹版パターンの一例を模式的に示す平面図である。 図１３のＣ−Ｃ断面図である。 図１３のＤ−Ｄ断面図である。

１０ 太陽電池
１１ 光電変換層
１２ Ｐ型シリコン基板
１３ Ｎ型拡散層
１４ Ｐ＋層
１５ 反射防止膜
２０ 表面電極
２１ グリッド電極
２１Ａ グリッド電極形成層
２２ バスバー電極
２２Ａ バスバー電極形成層
２３ タブ電極
３０ 裏面電極
３１ 裏側集電電極
３１Ａ 裏側集電電極形成層
３２ 裏側取出電極
３２Ａ 裏側取出電極形成層
１００ グラビアオフセット印刷装置
１０１ 基台
１０２ コンベア
１０３ 位置合わせ手段
１０４ ＣＣＤカメラ
１１０ 印刷ユニット
１１１ 版胴
１１２ ディスペンサ
１１３ ブレード
１１４ ブランケット胴
１３０ 凹版パターン
１３１ グリッド電極パターン
１３２ バスバー電極パターン
１３３Ａ，１３３Ｂ ドットパターン
１３３Ｃ，１３４Ｄ パターン

Claims (12)

1. ＰＮ接合面が基板面に平行に形成された半導体基板と、
   前記半導体基板の第１の主面上に第１の方向に延在して平行に複数形成されるグリッド電極と、
   前記第１の主面上に第２の方向に前記複数のグリッド電極と接続するように形成されるバスバー電極と、
   前記半導体基板の第２の主面上に形成される裏面電極と、
   を備える光起電力装置において、
   前記バスバー電極は、前記グリッド電極の幅よりも広い幅を有し、かつ前記グリッド電極の高さよりも低い高さを有することを特徴とする光起電力装置。
2. 前記バスバー電極は、前記グリッド電極の幅の４倍以上８０倍以下の幅を有し、前記グリッド電極の高さの０．７５倍以下の高さを有することを特徴とする請求項１に記載の光起電力装置。
3. ＰＮ接合面が基板面に平行に形成された半導体基板の表面に、第１の方向に延在して平行に複数形成されるグリッド電極に対応するグリッド電極パターンと、第２の方向に前記グリッド電極間を接続するように形成されるバスバー電極に対応するバスバー電極パターンと、を含む凹版パターンを有する印刷ユニットを用いて導電性ペーストを塗布し、表面電極形成層を形成する光起電力装置の製造装置において、
   前記凹版パターンは、単位面積当たりの前記導電性ペーストの充填体積が、前記グリッド電極パターンよりも前記バスバー電極パターンの方が小さくなるように形成されることを特徴とする光起電力装置の製造装置。
4. 前記バスバー電極パターンの単位面積当たりの前記導電性ペーストの充填体積は、前記グリッド電極パターンの単位面積当たりの前記導電性ペーストの充填体積の９０％以下であることを特徴とする請求項３に記載の光起電力装置の製造装置。
5. 前記バスバー電極パターンの溝の深さは、前記グリッド電極パターンの溝の深さの０．７５倍以下であることを特徴とする請求項３に記載の光起電力装置の製造装置。
6. 前記バスバー電極パターンの溝の幅は、前記グリッド電極パターンの溝の幅の４倍以上８０倍以下であることを特徴とする請求項５に記載の光起電力装置の製造装置。
7. 前記バスバー電極パターンには、前記グリッド電極パターンの溝の深さと同じ深さを有するドットパターンが形成されていることを特徴とする請求項３または４に記載の光起電力装置の製造装置。
8. 前記ドットパターンは、前記バスバー電極内で前記第２の方向に作り得るすべての線分が必ず１つ以上の前記ドットパターンと交差するように、前記バスバー電極パターン内に設けられることを特徴とする請求項７に記載の光起電力装置の製造装置。
9. 前記ドットパターンは、前記バスバー電極パターンのうち、前記グリッド電極パターンを延長した領域以外の領域に設けられることを特徴とする請求項７または８に記載の光起電力装置の製造装置。
10. 前記印刷ユニットは、異なる種類の凹版パターンを備える複数の印刷ユニットからなり、
    前記ドットパターンの形成位置は、前記複数の凹版パターンのそれぞれで異なることを特徴とする請求項７〜９のいずれか１つに記載の光起電力装置の製造装置。
11. 前記印刷ユニットは、異なる種類の凹版パターンを備える複数の印刷ユニットからなり、
    前記印刷ユニットの１つは、前記バスバー電極に対応する領域のうち、前記グリッド電極パターンを延長した領域以外には、溝が設けられないバスバー電極パターンを有する印刷パターンを備えることを特徴とする請求項３〜１０のいずれか１つに記載の光起電力装置の製造装置。
12. 第１の導電型の拡散層が第１の主面側に形成された第２の導電型の半導体基板の第２の主面上に導電性ペーストを塗布して裏面電極となる裏面電極形成層を形成し、前記第１の主面上に第１の方向に複数平行に延在するグリッド電極となるグリッド電極形成層と、第２の方向に延在し、前記グリッド電極間を接続するバスバー電極となるバスバー電極形成層とを含む表面電極形成層を導電性ペーストを塗布して形成し、焼成して光起電力装置を製造する光起電力装置の製造方法において、
    前記表面電極形成層は、単位面積当たりの前記導電性ペーストの充填体積が、前記グリッド電極形成層に対応するグリッド電極パターンよりも前記バスバー電極形成層に対応するバスバー電極パターンの方が小さくなるように形成された印刷パターンを少なくとも１回用いたグラビアオフセット印刷法によって形成されることを特徴とする光起電力装置の製造方法。

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