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JP2010161221A - Method of manufacturing mounting substrate, mounting substrate, and light emitting device - Google Patents

Method of manufacturing mounting substrate, mounting substrate, and light emitting device Download PDF

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JP2010161221A
JP2010161221A JP2009002734A JP2009002734A JP2010161221A JP 2010161221 A JP2010161221 A JP 2010161221A JP 2009002734 A JP2009002734 A JP 2009002734A JP 2009002734 A JP2009002734 A JP 2009002734A JP 2010161221 A JP2010161221 A JP 2010161221A
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Japan
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light emitting
emitting elements
substrate
transferred
lines
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JP2009002734A
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Hitoshi Kato
仁 加藤
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

【課題】生産性を向上させることの可能な実装基板の製造方法ならびにその製造方法によって製造された実装基板およびそれを備えた発光装置を提供する。
【解決手段】ウェハ100の一の面上に、複数の発光素子を格子状に形成したのち、ウェハ100上に形成された複数の発光素子のうち種々の特性があまりばらついていない領域(有効画素領域100A)を選択する。次に、有効画素領域100Aに含まれる複数の発光素子を、1ラインまたは複数ラインごとに一括して転写基板200に転写したのち、転写基板200に転写された後の複数の発光素子を、1ラインまたは複数ラインごとに転写基板300に一括して転写する。
【選択図】図6
A method of manufacturing a mounting board capable of improving productivity, a mounting board manufactured by the manufacturing method, and a light emitting device including the mounting board are provided.
A plurality of light emitting elements formed in a lattice pattern on one surface of a wafer 100, and then a region (effective pixel) in which various characteristics among the plurality of light emitting elements formed on the wafer 100 do not vary greatly. Region 100A) is selected. Next, after transferring a plurality of light emitting elements included in the effective pixel region 100A to the transfer substrate 200 collectively for each line or a plurality of lines, the plurality of light emitting elements after being transferred to the transfer substrate 200 are The transfer is performed collectively on the transfer substrate 300 for each line or a plurality of lines.
[Selection] Figure 6

Description

本発明は、発光素子が基板に実装された実装基板の製造方法ならびにその製造方法によって製造された実装基板およびそれを備えた発光装置に関する。   The present invention relates to a mounting substrate manufacturing method in which a light emitting element is mounted on a substrate, a mounting substrate manufactured by the manufacturing method, and a light emitting device including the mounting substrate.

近年、LED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)は、液晶表示装置のバックライトや、LED表示装置の表示パネル、照明器具など、様々な機器に用いられるようになってきている。それに伴い、LEDの低コスト化が強く求められるようになってきている。LEDのコストを下げるためには、例えば、生産性の向上や、安価な材料の選択などが必要となる。   In recent years, LEDs (Light Emitting Diodes) have been used in various devices such as backlights of liquid crystal display devices, display panels of LED display devices, and lighting fixtures. Along with this, there has been a strong demand for cost reduction of LEDs. In order to reduce the cost of LEDs, for example, it is necessary to improve productivity, select inexpensive materials, and the like.

例えば、生産性を向上させるために、チップサイズを小さくして、1枚のウェハから数多くのLEDを取ることが一般的に行われている。近年では、チップサイズが例えば20μmと極めて小さくなってきており、LEDチップ単体でのハンドリングが難しくなってきている。そのため、マウンタを用いて個々のLEDチップを回路基板に実装することが現実的ではなくなってきている。   For example, in order to improve productivity, it is common to reduce the chip size and take a large number of LEDs from a single wafer. In recent years, the chip size has become extremely small, for example, 20 μm, and it has become difficult to handle the LED chip alone. Therefore, it is not practical to mount individual LED chips on a circuit board using a mounter.

そこで、従来から、マウンタによる実装の代わりに、例えば、以下に説明する拡大転写が行われている(特許文献1参照)。まず、表面に接着層の設けられた支持ウェハを用意する。次に、その支持ウェハの接着層側の面を、基板上に複数の発光素子がマトリクス状に形成されたウェハのうち発光素子側の面に接触させたのち、レーザリフトオフによって、ウェハから発光素子を所定の間隔ごとに剥離し、支持ウェハに転写する。これにより、発光素子の配列ピッチが疎になる。次に、疎に配置された発光素子の配列ピッチと等しいピッチで接続電極が形成された回路基板を用意し、支持ウェハに付着した発光素子を回路基板に転写する。このようにして、回路基板上に発光素子が実装された実装基板を作製することができる。   Therefore, conventionally, for example, enlarged transfer described below is performed instead of mounting by a mounter (see Patent Document 1). First, a support wafer having an adhesive layer on the surface is prepared. Next, the surface on the adhesive layer side of the supporting wafer is brought into contact with the surface on the light emitting element side of the wafer in which a plurality of light emitting elements are formed in a matrix on the substrate, and then the light emitting element is removed from the wafer by laser lift-off. Are peeled at predetermined intervals and transferred to a supporting wafer. Thereby, the arrangement pitch of the light emitting elements becomes sparse. Next, a circuit board on which connection electrodes are formed at a pitch equal to the arrangement pitch of the sparsely arranged light emitting elements is prepared, and the light emitting elements attached to the support wafer are transferred to the circuit board. In this manner, a mounting board in which the light emitting element is mounted on the circuit board can be manufactured.

特開2002−182580号公報JP 2002-182580 A

ところで、回路基板上に発光素子を実装する方法としては、例えば、ウェハ上にマトリクス状に形成された発光素子を回路基板などに一つずつ転写することが考えられる。しかし、この方法では、例えば一枚の表示パネルに実装される発光素子の個数が数百万個レベルにまで達している大型の表示装置を作製する際には、数百万回の転写が必要となり、生産性が著しく低い。このような問題は、表示装置に限らず、大型のバックライトや照明装置などにおいても生じ得るものである。   By the way, as a method for mounting the light emitting elements on the circuit board, for example, it is conceivable to transfer the light emitting elements formed in a matrix on the wafer one by one to the circuit board. However, with this method, for example, when producing a large display device in which the number of light-emitting elements mounted on a single display panel reaches the level of millions, transfer of millions of times is required. Therefore, productivity is remarkably low. Such a problem can occur not only in a display device but also in a large-sized backlight, a lighting device, or the like.

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、生産性を向上させることの可能な実装基板の製造方法ならびにその製造方法によって製造された実装基板およびそれを備えた発光装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of such problems, and an object thereof is to provide a mounting substrate manufacturing method capable of improving productivity, a mounting substrate manufactured by the manufacturing method, and a light emitting device including the mounting substrate. It is to provide.

本発明の実装基板の製造方法は、以下の工程を含むものである。
(A1)複数の発光素子がマトリクス状に形成された第1基板の所定の領域に含まれる複数の発光素子を、1ラインまたは複数ラインごとに第2基板に一括して転写する第1工程
(A2)第2基板に転写された後の複数の発光素子を、1ラインまたは複数ラインごとに第3基板に一括して転写する第2工程
The manufacturing method of the mounting substrate of the present invention includes the following steps.
(A1) a first step of collectively transferring a plurality of light emitting elements included in a predetermined region of the first substrate on which a plurality of light emitting elements are formed in a matrix to a second substrate for each line or a plurality of lines ( A2) Second step of transferring a plurality of light emitting elements after being transferred to the second substrate to the third substrate in a lump for each line or every plurality of lines.

本発明の実装基板の製造方法では、複数の発光素子がマトリクス状に形成された第1基板のうち所定の領域に含まれる複数の発光素子が1ラインまたは複数ラインごとに第2基板に一括して転写される。その後、第2基板に転写された後の複数の発光素子が1ラインまたは複数ラインごとに第3基板に一括して転写される。これにより、発光素子を一つずつ回路基板などに実装する場合と比べて、転写回数を大幅に減らすことができる。   In the mounting substrate manufacturing method of the present invention, a plurality of light emitting elements included in a predetermined region of the first substrate in which the plurality of light emitting elements are formed in a matrix are bundled on the second substrate for each line or a plurality of lines. Is transcribed. Thereafter, the plurality of light emitting elements after being transferred to the second substrate are collectively transferred to the third substrate for each line or every plurality of lines. Thereby, the number of times of transfer can be greatly reduced as compared with the case where the light emitting elements are mounted one by one on a circuit board or the like.

ここで、上述した各工程において、1ラインまたは複数ラインの発光素子を基板の一の端部から他の端部に向かって等間隔で転写してもよいし、不等間隔で転写してもよい。   Here, in each of the steps described above, one line or a plurality of lines of light emitting elements may be transferred from one end of the substrate to the other end at equal intervals, or may be transferred at unequal intervals. Good.

本発明の実装基板は、複数の発光素子を第4基板上に備えたものである。複数の発光素子は、以下の工程を経て第4基板上に実装されたものである。
(B1)複数の発光素子がマトリクス状に形成された第5基板の所定の領域に含まれる複数の発光素子を、1ラインまたは複数ラインごとに第6基板に一括して転写する工程
(B2)第6基板に転写された後の複数の発光素子を、1ラインまたは複数ラインごとに第4基板に一括して転写する工程
The mounting substrate of the present invention is provided with a plurality of light emitting elements on a fourth substrate. The plurality of light emitting elements are mounted on the fourth substrate through the following steps.
(B1) A step of transferring a plurality of light emitting elements included in a predetermined region of the fifth substrate on which the plurality of light emitting elements are formed in a matrix to the sixth substrate in a lump on a line or a plurality of lines (B2) A step of transferring a plurality of light emitting elements after being transferred to the sixth substrate to the fourth substrate in a lump for each line or a plurality of lines.

本発明の表示装置は、複数の発光素子と、複数の発光素子を駆動する駆動ICとを有する実装基板を備えたものである。複数の発光素子は、以下の工程を経て実装基板上に実装されたものである。
(C1)複数の発光素子がマトリクス状に形成された第5基板の所定の領域に含まれる複数の発光素子を、1ラインまたは複数ラインごとに第6基板に一括して転写する工程
(C2)第6基板に転写された後の複数の発光素子を、1ラインまたは複数ラインごとに実装基板に一括して転写する工程
The display device of the present invention includes a mounting substrate having a plurality of light emitting elements and a drive IC for driving the plurality of light emitting elements. The plurality of light emitting elements are mounted on a mounting substrate through the following steps.
(C1) A step of collectively transferring a plurality of light emitting elements included in a predetermined region of the fifth substrate on which the plurality of light emitting elements are formed in a matrix to the sixth substrate for each line or a plurality of lines (C2) A step of transferring a plurality of light emitting elements after being transferred to the sixth substrate to the mounting substrate in a lump for each line or a plurality of lines.

本発明の実装基板および表示装置では、複数の発光素子がマトリクス状に形成された第5基板の所定の領域に含まれる複数の発光素子が1ラインまたは複数ラインごとに第6基板に一括して転写される。その後、第6基板に転写された後の発光素子が1ラインまたは複数ラインごとに実装基板に一括して転写される。これにより、発光素子を一つずつ回路基板などに実装する場合と比べて、転写回数を大幅に減らすことができる。   In the mounting substrate and the display device of the present invention, a plurality of light emitting elements included in a predetermined region of the fifth substrate in which the plurality of light emitting elements are formed in a matrix are collectively placed on the sixth substrate for each line or a plurality of lines. Transcribed. Thereafter, the light-emitting elements that have been transferred to the sixth substrate are collectively transferred to the mounting substrate for each line or a plurality of lines. Thereby, the number of times of transfer can be greatly reduced as compared with the case where the light emitting elements are mounted one by one on a circuit board or the like.

本発明の実装基板の製造方法によれば、複数の発光素子がマトリクス状に形成された第1基板のうち所定の領域に含まれる複数の発光素子を1ラインまたは複数ラインごとに第2基板に一括して転写した後、第2基板に転写された後の複数の発光素子を1ラインまたは複数ラインごとに第3基板に一括して転写するようにした。これにより、発光素子を一つずつ回路基板などに実装する場合と比べて、生産性を向上させることができる。   According to the method for manufacturing a mounting substrate of the present invention, a plurality of light emitting elements included in a predetermined region of the first substrate in which a plurality of light emitting elements are formed in a matrix are placed on the second substrate for each line or every plurality of lines. After the batch transfer, the plurality of light emitting elements after being transferred to the second substrate are collectively transferred to the third substrate for each line or every plurality of lines. Thereby, productivity can be improved compared with the case where a light emitting element is mounted in a circuit board etc. one by one.

また、本発明の実装基板の製造方法において、1ラインまたは複数ラインの発光素子を基板の一の端部から他の端部に向かって等間隔で転写したり、不等間隔で転写したりすることにより、第3基板に転写された後の複数の発光素子を第1基板での位置関係とは異なる位置関係にした場合には、生産性を低下させることなく、転写後の発光素子から発せられる光に生じうる面内の色むらを低減することができる。   In the method for manufacturing a mounting board of the present invention, one line or a plurality of lines of light emitting elements are transferred from one end of the board to the other end at equal intervals, or transferred at unequal intervals. Thus, when the plurality of light emitting elements after being transferred to the third substrate have a positional relationship different from the positional relationship on the first substrate, the light emitting elements after the transfer are emitted without reducing the productivity. The in-plane color unevenness that can occur in the emitted light can be reduced.

本発明の実装基板および表示装置によれば、複数の発光素子がマトリクス状に形成された第5基板の所定の領域に含まれる複数の発光素子を1ラインまたは複数ラインごとに第6基板に一括して転写した後、第6基板に転写された後の発光素子を1ラインまたは複数ラインごとに実装基板に一括して転写するようにした。これにより、発光素子を一つずつ回路基板などに実装する場合と比べて、生産性を向上させることができる。   According to the mounting substrate and the display device of the present invention, a plurality of light-emitting elements included in a predetermined region of the fifth substrate in which a plurality of light-emitting elements are formed in a matrix are collectively placed on the sixth substrate for each line or a plurality of lines. After the transfer, the light-emitting elements that have been transferred to the sixth substrate are collectively transferred to the mounting substrate for each line or a plurality of lines. Thereby, productivity can be improved compared with the case where a light emitting element is mounted in a circuit board etc. one by one.

本発明の一実施の形態に係る表示装置の斜視図である。1 is a perspective view of a display device according to an embodiment of the present invention. 図1の画像表示領域の上面図である。FIG. 2 is a top view of the image display area in FIG. 1. 図1の表示パネルの製造過程の一例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating an example of the manufacturing process of the display panel of FIG. 図1の表示パネルの製造過程の他の例を説明するための模式図である。FIG. 12 is a schematic diagram for explaining another example of the manufacturing process of the display panel of FIG. 1. 図1の表示パネルの製造過程のその他の例を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the other example of the manufacturing process of the display panel of FIG. 図3〜図5に続く工程を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the process following FIGS. 図6の工程を経た後の表示画素のレイアウトの模式図である。FIG. 7 is a schematic diagram of a layout of a display pixel after undergoing the process of FIG. 6.

以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。

1.表示装置の構成
表示パネル、駆動IC
2.表示パネルの製造方法
3.表示装置の動作・効果
4.変形例
Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The description will be given in the following order.

1. Configuration of display device
Display panel, drive IC
2. 2. Manufacturing method of display panel 3. Operation and effect of display device Modified example

図1は、本発明の一実施の形態に係る表示装置1(発光装置)の概略構成の一例を斜視的に表したものである。本実施の形態の表示装置1は、いわゆるLEDディスプレイと呼ばれるものであり、表示画素としてLEDが用いられたものである。この表示装置1は、例えば、図1に示したように、複数の発光素子12と、駆動IC20とを有する表示パネル10(第4基板、実装基板)を備えている。   FIG. 1 is a perspective view showing an example of a schematic configuration of a display device 1 (light emitting device) according to an embodiment of the present invention. The display device 1 according to the present embodiment is a so-called LED display, and uses LEDs as display pixels. For example, as shown in FIG. 1, the display device 1 includes a display panel 10 (fourth substrate, mounting substrate) having a plurality of light emitting elements 12 and a drive IC 20.

[表示パネル10]
表示パネル10は、一の面内に、画像表示領域10Aと、画像表示領域10Aを取り囲む環状のフレーム領域10Bとを有している。画像表示領域10Aには、例えば、複数のデータ配線(図示せず)が垂直方向に延在して形成されており、さらに、例えば、複数のスキャン配線(図示せず)がデータ配線と交差する方向(例えば水平方向)に延在して形成されている。データ配線およびスキャン配線は、画像表示領域10Aにおいて、基板10の法線方向から見て互いに交差(直交)している。データ配線とスキャン配線との交差部分に、例えば、図2に示したような表示画素11が設けられており、複数の表示画素11が画像表示領域10A内において格子状に配置されている。なお、図2は、画像表示領域10Aの上面構成の一例を表したものである。
[Display panel 10]
The display panel 10 has an image display area 10A and an annular frame area 10B surrounding the image display area 10A in one plane. In the image display area 10A, for example, a plurality of data wirings (not shown) are formed extending in the vertical direction, and further, for example, a plurality of scanning wirings (not shown) intersect with the data wirings. It extends in a direction (for example, a horizontal direction). The data lines and the scan lines intersect (orthogonal) with each other when viewed from the normal direction of the substrate 10 in the image display region 10A. For example, display pixels 11 as shown in FIG. 2 are provided at the intersections between the data lines and the scan lines, and a plurality of display pixels 11 are arranged in a grid pattern in the image display area 10A. FIG. 2 shows an example of the upper surface configuration of the image display area 10A.

表示画素11には1または複数の発光素子12が実装されている。例えば、図2に示したように、表示画素11には3つの発光素子12R、12G、12Bが実装されており、これら3つの発光素子12R、12G、12Bによって一つの表示画素11が構成されている。表示画素11は、例えば、水平方向にピッチP1で配列されており、かつ垂直方向にピッチP2で配列されている。   One or more light emitting elements 12 are mounted on the display pixel 11. For example, as shown in FIG. 2, three light emitting elements 12R, 12G, and 12B are mounted on the display pixel 11, and one display pixel 11 is configured by these three light emitting elements 12R, 12G, and 12B. Yes. For example, the display pixels 11 are arranged at a pitch P1 in the horizontal direction and at a pitch P2 in the vertical direction.

発光素子12Rは赤色光を出力するLED素子であり、発光素子12Gは緑色光を出力するLED素子であり、発光素子12Bは青色光を出力するLED素子である。発光素子12R、12G、12Bには、当該発光素子12R、12G、12Bに電流を注入するための一対の電極(図示せず)が設けられており、一方の電極がデータ配線に電気的に接続されており、他方の電極がスキャン配線に電気的に接続されている。   The light emitting element 12R is an LED element that outputs red light, the light emitting element 12G is an LED element that outputs green light, and the light emitting element 12B is an LED element that outputs blue light. The light emitting elements 12R, 12G, and 12B are provided with a pair of electrodes (not shown) for injecting current into the light emitting elements 12R, 12G, and 12B, and one electrode is electrically connected to the data wiring. The other electrode is electrically connected to the scan wiring.

[駆動IC20]
駆動IC20は、例えば、図1に示したように、2つの駆動IC20A、20Bを有している。駆動IC20Aは、表示画素11に接続されたデータ配線を駆動するデータドライバであり、例えば、図1に示したように、細長い棒状のチップとなっている。駆動IC20Bは、表示画素11に接続されたスキャン配線を駆動するスキャンドライバであり、例えば、図1に示したように、細長い棒状のチップとなっている。
[Drive IC 20]
The drive IC 20 has, for example, two drive ICs 20A and 20B as shown in FIG. The driving IC 20A is a data driver that drives the data wiring connected to the display pixel 11, and is, for example, an elongated bar-shaped chip as shown in FIG. The drive IC 20B is a scan driver that drives the scan wiring connected to the display pixel 11, and is, for example, an elongated bar-shaped chip as shown in FIG.

[表示パネル10の製造方法]
次に、本実施の形態の表示パネル10の製造方法の一例について説明する。
[Method for Manufacturing Display Panel 10]
Next, an example of a method for manufacturing the display panel 10 of the present embodiment will be described.

まず、ウェハ100(第1基板、第5基板)の一の面上に、複数の発光素子(12R、12Gまたは12B)を格子状に形成する。複数の発光素子の形成方法として、例えば、以下に示したようなバリエーションが考えられる。なお、以下では、発光素子12R,12G,12Bの総称として発光素子12を用いる。   First, a plurality of light emitting elements (12R, 12G, or 12B) are formed in a lattice pattern on one surface of the wafer 100 (first substrate, fifth substrate). As a method for forming a plurality of light emitting elements, for example, the following variations can be considered. Hereinafter, the light emitting element 12 is used as a general term for the light emitting elements 12R, 12G, and 12B.

(その1)図3に示したように、3種類の発光素子12R、12Gおよび12Bを1枚のウェハ100上に種類ごとに一の方向にライン状に形成すると共に、上記一の方向と交差する方向に周期的に形成する。   (Part 1) As shown in FIG. 3, three types of light emitting elements 12R, 12G, and 12B are formed in a line in one direction for each type on one wafer 100, and intersect with the one direction. It forms periodically in the direction.

(その2)図4(A)に示したように、3種類の発光素子12R、12Gおよび12Bのうち2種類の発光素子(例えば12R、12G)を1枚のウェハ100上に種類ごとに一の方向にライン状に形成すると共に上記一の方向と交差する方向に周期的に形成する。また、図4(B)に示したように、3種類の発光素子12R、12Gおよび12Bのうち残りの1種類の発光素子(例えば12B)を別のウェハ100上に格子状に形成する。   (No. 2) As shown in FIG. 4A, two kinds of light emitting elements (for example, 12R, 12G) out of three kinds of light emitting elements 12R, 12G, and 12B are arranged on a single wafer 100 for each kind. And in a direction intersecting with the one direction, it is formed periodically. 4B, the remaining one type of light emitting elements (for example, 12B) among the three types of light emitting elements 12R, 12G, and 12B is formed on another wafer 100 in a lattice shape.

(その3)図5(A),(B),(C)に示したように、3種類の発光素子12R、12Gおよび12Bを種類ごとに別個のウェハ100上に格子状に形成する。   (Part 3) As shown in FIGS. 5A, 5B, and 5C, three types of light emitting elements 12R, 12G, and 12B are formed in a grid pattern on separate wafers 100 for each type.

次に、ウェハ100上に形成された複数の発光素子12のうち種々の特性があまりばらついていない領域(有効画素領域100A)を選択する。続いて、有効画素領域100Aに含まれる複数の発光素子12を、1ラインまたは複数ラインごとに一括して転写基板200(第2基板、第6基板)に転写する。   Next, an area (effective pixel area 100A) in which various characteristics do not vary greatly is selected from the plurality of light emitting elements 12 formed on the wafer 100. Subsequently, the plurality of light emitting elements 12 included in the effective pixel region 100A are transferred to the transfer substrate 200 (second substrate, sixth substrate) in a lump for each line or a plurality of lines.

このとき、1ラインまたは複数ラインの発光素子12を転写基板200の一の端部から他の端部に向かって等間隔で転写してもよいし、不等間隔で転写してもよい。これらの結果、転写基板200に転写された後の複数の発光素子12がウェハ100での位置関係と同一の位置関係となっていてもよいし、異なる位置関係となっていてもよい。   At this time, the light emitting elements 12 of one line or a plurality of lines may be transferred at regular intervals from one end of the transfer substrate 200 to the other end, or may be transferred at irregular intervals. As a result, the plurality of light emitting elements 12 after being transferred to the transfer substrate 200 may have the same positional relationship as that on the wafer 100, or may have a different positional relationship.

また、上記の工程において、発光素子12の、転写基板200への転写はレーザ転写によって行うことが可能である。例えば、図6(A)に示したように、有効画素領域100Aに含まれる1ラインまたは複数ラインの発光素子12に帯状のレーザ光L1を照射する。このとき、レーザ光L1の光源(図示せず)の位置を固定した状態で、ウェハ100と転写基板200とを互いに逆の方向に所定のピッチで移動させることが好ましい(図中の白抜き矢印参照)。これにより、図7(A)に示したように、照射された1ラインまたは複数ラインの発光素子12が一括して転写基板200に転写される。このとき、転写基板200に転写された後の複数の発光素子12は、レーザ光Lの延在方向と平行な方向にウェハ100上のピッチと等ピッチで配置されると共に、レーザ光Lの延在方向と直交する方向に所定のピッチP1で配置される。   In the above process, the light emitting element 12 can be transferred to the transfer substrate 200 by laser transfer. For example, as shown in FIG. 6A, the band-shaped laser light L1 is irradiated to the light emitting elements 12 of one line or plural lines included in the effective pixel region 100A. At this time, it is preferable to move the wafer 100 and the transfer substrate 200 at a predetermined pitch in directions opposite to each other with the position of the light source (not shown) of the laser light L1 fixed (the white arrow in the figure). reference). As a result, as shown in FIG. 7A, the irradiated one or more lines of the light emitting elements 12 are collectively transferred to the transfer substrate 200. At this time, the plurality of light emitting elements 12 after being transferred to the transfer substrate 200 are arranged at a pitch equal to the pitch on the wafer 100 in a direction parallel to the extending direction of the laser light L, and the extending of the laser light L. They are arranged at a predetermined pitch P1 in a direction orthogonal to the current direction.

ここで、先の工程が上記(その1)であった場合には、ウェハ100上の周期的な配列方向と平行な方向またはウェハ100上の周期的な配列方向と交差(直交)する方向に延在する帯状のレーザ光Lを有効画素領域100Aに照射する。また、先の工程が上記(その2)であった場合には、2種類の発光素子が形成されたウェハ100上の周期的な配列方向と平行な方向またはウェハ100上の周期的な配列方向と交差(直交)する方向に延在する帯状のレーザ光Lを有効画素領域100Aに照射する。さらに、残りの1種類の発光素子が形成されたウェハ100上の一の配列方向と平行な方向に延在する帯状のレーザ光Lを有効画素領域100Aに照射する。また、先の工程が上記(その3)であった場合には、ウェハ100上の一の配列方向と平行な方向に延在する帯状のレーザ光Lを有効画素領域100Aに照射する。   Here, when the previous step is the above (1), the direction is parallel to the periodic arrangement direction on the wafer 100 or in the direction intersecting (orthogonal) with the periodic arrangement direction on the wafer 100. The extending strip-shaped laser light L is irradiated to the effective pixel region 100A. When the previous process is the above (2), the direction parallel to the periodic arrangement direction on the wafer 100 on which two types of light emitting elements are formed or the periodic arrangement direction on the wafer 100 The effective pixel region 100 </ b> A is irradiated with a strip-shaped laser beam L extending in a direction intersecting (orthogonal) with. Further, the effective pixel region 100A is irradiated with a strip-shaped laser beam L extending in a direction parallel to one arrangement direction on the wafer 100 on which the remaining one type of light emitting element is formed. If the previous step is the above (No. 3), the effective pixel region 100A is irradiated with a strip-shaped laser beam L extending in a direction parallel to one arrangement direction on the wafer 100.

次に、転写基板200に転写された後の複数の発光素子12を、1ラインまたは複数ラインごとに転写基板300(第3基板)に一括して転写する。なお、転写基板300が、例えば上記の表示パネル10に対応している。このとき、1ラインまたは複数ラインの発光素子12を転写基板300に等間隔で転写してもよいし、ランダムに転写してもよい。   Next, the plurality of light emitting elements 12 after being transferred to the transfer substrate 200 are collectively transferred to the transfer substrate 300 (third substrate) for each line or every plurality of lines. The transfer substrate 300 corresponds to the display panel 10 described above, for example. At this time, one line or a plurality of lines of light emitting elements 12 may be transferred to the transfer substrate 300 at equal intervals, or may be transferred randomly.

このとき、1ラインまたは複数ラインの発光素子12を転写基板300の一の端部から他の端部に向かって等間隔で転写してもよいし、不等間隔で転写してもよい。なお、先の工程で、1ラインまたは複数ラインの発光素子12を等間隔で転写基板200に転写した場合に、この工程において、1ラインまたは複数ラインの発光素子12を等間隔で転写基板300に転写してもよいし、不等間隔で転写してもよい。また、先の工程で、1ラインまたは複数ラインの発光素子12を不等間隔で転写基板200に転写した場合に、この工程において、1ラインまたは複数ラインの発光素子12を等間隔で転写基板300に転写してもよいし、不等間隔で転写してもよい。これらの工程を経た結果、転写基板300に転写された後の複数の発光素子12がウェハ100での位置関係と同一の位置関係となっていてもよいし、異なる位置関係となっていてもよい。   At this time, the light emitting elements 12 of one line or a plurality of lines may be transferred at regular intervals from one end of the transfer substrate 300 to the other end, or may be transferred at irregular intervals. In addition, when the light emitting elements 12 of one line or a plurality of lines are transferred to the transfer substrate 200 at equal intervals in the previous process, the light emitting elements 12 of one line or a plurality of lines are transferred to the transfer substrate 300 at equal intervals in this process. It may be transferred or transferred at unequal intervals. Further, when one line or a plurality of lines of light emitting elements 12 are transferred to the transfer substrate 200 at unequal intervals in the previous step, in this step, one line or a plurality of lines of light emitting elements 12 are transferred at equal intervals. Or may be transferred at unequal intervals. As a result of these steps, the plurality of light emitting elements 12 after being transferred to the transfer substrate 300 may have the same positional relationship as that on the wafer 100 or may have a different positional relationship. .

また、上記の工程において、発光素子12の、転写基板300への転写はレーザ転写によって行うことが可能である。例えば、図6(B)に示したように、転写基板200に転写された後の複数の発光素子12のうち1ラインまたは複数ラインの発光素子12に帯状のレーザ光L2を照射する。このとき、レーザ光L2の光源(図示せず)の位置を固定した状態で、転写基板200と転写基板300とを互いに逆の方向に所定のピッチで移動させることが好ましい(図中の白抜き矢印参照)。これにより、図7(B)に示したように、照射された1ラインまたは複数ラインの発光素子12が一括して転写基板300に転写される。このとき、転写基板300に転写された後の複数の発光素子12は、レーザ光Lの延在方向と平行な方向に所定のピッチP1で配置されると共に、レーザ光Lの延在方向と直交する方向に所定のピッチP2で配置される。   In the above process, the light emitting element 12 can be transferred to the transfer substrate 300 by laser transfer. For example, as shown in FIG. 6B, one or more lines of the light emitting elements 12 after being transferred to the transfer substrate 200 are irradiated with the belt-shaped laser light L2. At this time, it is preferable to move the transfer substrate 200 and the transfer substrate 300 at a predetermined pitch in directions opposite to each other with the position of the light source (not shown) of the laser light L2 fixed (the white in the drawing). See arrow). As a result, as shown in FIG. 7B, the irradiated one or more lines of the light emitting elements 12 are collectively transferred to the transfer substrate 300. At this time, the plurality of light emitting elements 12 after being transferred to the transfer substrate 300 are arranged at a predetermined pitch P1 in a direction parallel to the extending direction of the laser light L and orthogonal to the extending direction of the laser light L. Are arranged at a predetermined pitch P2 in the direction of

ここで、先の工程が上記(その1)、(その2)および(その3)のいずれの場合であっても、転写基板200上において密に配列されている方向と直交する方向に延在する帯状のレーザ光Lを転写基板200に照射する。   Here, even if the previous step is any of the above (Part 1), (Part 2), and (Part 3), it extends in a direction orthogonal to the direction in which the transfer substrate 200 is densely arranged. The transfer substrate 200 is irradiated with a strip-shaped laser beam L.

[表示装置1の動作・効果]
本実施の形態では、表示画素11が単純マトリクス配置されたデータ配線およびスキャン配線によって駆動(単純マトリクス駆動)される。これにより、データ配線とスキャン配線との交差部分に設けられた表示画素11に順次、電流が供給され、画像表示領域10Aに画像が表示される。
[Operation / Effect of Display Device 1]
In the present embodiment, the display pixel 11 is driven (simple matrix drive) by data lines and scan lines arranged in a simple matrix. Thus, current is sequentially supplied to the display pixels 11 provided at the intersections between the data lines and the scan lines, and an image is displayed in the image display area 10A.

本実施の形態では、製造過程において、複数の発光素子12がマトリクス状に形成されたウェハ100の有効画素領域100Aに含まれる複数の発光素子12が、1ラインまたは複数ラインごとに一括して転写基板200に転写される。その後、転写基板200に転写された後の複数の発光素子12が1ラインまたは複数ラインごとに転写基板300に一括して転写される。これにより、発光素子12を一つずつ回路基板などに実装する場合と比べて、転写回数を大幅に減らすことができ、生産性を向上させることができる。   In the present embodiment, in the manufacturing process, the plurality of light emitting elements 12 included in the effective pixel region 100A of the wafer 100 in which the plurality of light emitting elements 12 are formed in a matrix shape are collectively transferred for each line or a plurality of lines. Transferred to the substrate 200. Thereafter, the plurality of light emitting elements 12 after being transferred to the transfer substrate 200 are collectively transferred to the transfer substrate 300 for each line or every plurality of lines. Thereby, compared with the case where the light emitting element 12 is mounted in a circuit board etc. one by one, the frequency | count of transcription | transfer can be reduced significantly and productivity can be improved.

ところで、ウェハ100上にマトリクス状に配置された発光素子12を、表示パネル10の画素ピッチと等しいピッチごとに間引いて転写する一括間引き転写を行った場合には、色むらが生じることがある。この色むらは、製造プロセスにおいて例えばウェハ100上のガス流のむらなどに起因して発光素子12の構造がウェハ100上の位置に応じて少しずつ異なっていることが原因となって生じるものである。   By the way, when the collective thinning transfer is performed in which the light emitting elements 12 arranged in a matrix on the wafer 100 are thinned and transferred at a pitch equal to the pixel pitch of the display panel 10, color unevenness may occur. This uneven color is caused by a slight difference in the structure of the light emitting element 12 depending on the position on the wafer 100 due to, for example, uneven gas flow on the wafer 100 in the manufacturing process. .

そこで、例えば、一括間引き転写をする代わりに、発光素子12を一つずつ転写基板200,300にランダムに転写する方法が考えられる。しかし、この方法では、例えば一枚の表示パネル10に実装される発光素子12の個数が数百万個レベルにまで達している大型の表示装置を作製する際に、数百万回の転写が必要となり、生産性が著しく低下してしまう。   Therefore, for example, a method of randomly transferring the light emitting elements 12 to the transfer substrates 200 and 300 one by one instead of performing collective thinning transfer is conceivable. However, in this method, for example, when producing a large display device in which the number of light emitting elements 12 mounted on one display panel 10 reaches a level of several million, transfer is performed several million times. This is necessary and productivity is significantly reduced.

一方、本実施の形態において、1ラインまたは複数ラインの発光素子12を転写基板200の一の端部から他の端部に向かって等間隔で転写したり、不等間隔で転写したりすることにより、転写基板300に転写された後の複数の発光素子12をウェハ100での位置関係と異なる位置関係にした場合には、生産性を低下させることなく、転写後の発光素子12から発せられる光に生じうる面内の色むらを低減することができる。また、本実施の形態において、1ラインまたは複数ラインの発光素子12を転写基板300の一の端部から他の端部に向かって等間隔で転写したり、不等間隔で転写したりすることにより、転写基板300に転写された後の複数の発光素子12をウェハ100での位置関係と異なる位置関係にした場合にも、生産性を低下させることなく、転写後の発光素子12から発せられる光に生じうる面内の色むらを低減することができる。   On the other hand, in the present embodiment, one line or a plurality of lines of light emitting elements 12 are transferred from one end portion of the transfer substrate 200 to the other end portion at equal intervals, or transferred at unequal intervals. Thus, when the plurality of light emitting elements 12 after being transferred to the transfer substrate 300 have a positional relationship different from the positional relationship on the wafer 100, the light emitting elements 12 after the transfer are emitted without reducing productivity. In-plane color unevenness that can occur in light can be reduced. In the present embodiment, the light-emitting elements 12 of one line or a plurality of lines are transferred at an equal interval from one end portion of the transfer substrate 300 to the other end portion, or transferred at unequal intervals. Thus, even when the plurality of light emitting elements 12 after being transferred to the transfer substrate 300 have a positional relationship different from the positional relationship on the wafer 100, the light emitting elements 12 after the transfer are emitted without reducing productivity. In-plane color unevenness that can occur in light can be reduced.

以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。   While the present invention has been described with reference to the embodiment, the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made.

例えば、上記実施の形態では、本発明をLEDディスプレイに適用した場合について具体的に説明していたが、他のディスプレイにも適用することはもちろん可能である。また、上記実施の形態では、本発明を単純マトリクス駆動タイプのディスプレイに適用した場合について具体的に説明していたが、アクティブマトリクス駆動タイプのディスプレイにももちろん適用することが可能である。   For example, in the above-described embodiment, the case where the present invention is applied to an LED display has been specifically described. However, the present invention can of course be applied to other displays. In the above embodiment, the case where the present invention is applied to a simple matrix drive type display has been specifically described. However, the present invention can also be applied to an active matrix drive type display.

1…表示装置、10…表示パネル、10A…画像表示領域、10B…フレーム領域、11…表示画素、12,12R,12G,12B…発光素子、100…ウェハ、200,300…転写基板、15…基板、16…層間絶縁膜、17…ビア、18,19,22…接続パッド、20,20A,20B…駆動IC、21…半導体チップ、23…バンプ、30…異方性導電膜、D1…幅、P1,P2,P3,P4…ピッチ。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Display apparatus, 10 ... Display panel, 10A ... Image display area, 10B ... Frame area, 11 ... Display pixel, 12, 12R, 12G, 12B ... Light emitting element, 100 ... Wafer, 200, 300 ... Transfer substrate, 15 ... Substrate, 16 ... interlayer insulating film, 17 ... via, 18, 19, 22 ... connection pad, 20, 20A, 20B ... driver IC, 21 ... semiconductor chip, 23 ... bump, 30 ... anisotropic conductive film, D1 ... width , P1, P2, P3, P4... Pitch.

Claims (6)

複数の発光素子がマトリクス状に形成された第1基板の所定の領域に含まれる複数の発光素子を、1ラインまたは複数ラインごとに第2基板に一括して転写する第1工程と、
前記第2基板に転写された後の複数の発光素子を、1ラインまたは複数ラインごとに第3基板に一括して転写する第2工程と
を含む実装基板の製造方法。
A first step of collectively transferring a plurality of light emitting elements included in a predetermined region of the first substrate in which the plurality of light emitting elements are formed in a matrix to the second substrate for each line or a plurality of lines;
And a second step of collectively transferring the plurality of light emitting elements after being transferred to the second substrate to the third substrate for each line or every plurality of lines.
前記第1工程において、前記1ラインまたは複数ラインの発光素子を前記第2基板の一の端部から他の端部に向かって等間隔で転写し、
前記第2工程において、前記1ラインまたは複数ラインの発光素子を前記第3基板の一の端部から他の端部に向かって等間隔で転写する
請求項1に記載の実装基板の製造方法。
In the first step, the one or more lines of light emitting elements are transferred at equal intervals from one end of the second substrate to the other end,
The manufacturing method of the mounting substrate according to claim 1, wherein in the second step, the light emitting elements of the one line or the plurality of lines are transferred at regular intervals from one end portion of the third substrate to the other end portion.
前記第1工程において、前記1ラインまたは複数ラインの発光素子を前記第2基板の一の端部から他の端部に向かって不等間隔で転写し、
前記第2工程において、前記1ラインまたは複数ラインの発光素子を前記第3基板の一の端部から他の端部に向かって不等間隔で転写する
請求項1に記載の実装基板の製造方法。
In the first step, the one or more lines of light emitting elements are transferred at unequal intervals from one end of the second substrate to the other end,
The manufacturing method of the mounting substrate according to claim 1, wherein in the second step, the light emitting elements of the one line or the plurality of lines are transferred at unequal intervals from one end of the third substrate to the other end. .
前記第1工程において、前記第2基板に転写された後の複数の発光素子が前記第1基板での位置関係とは異なる位置関係となるように、前記第1基板の所定の領域に含まれる複数の発光素子を前記第2基板に転写し、
前記第2工程において、前記第3基板に転写された後の複数の発光素子が前記第2基板での位置関係とは異なる位置関係となるように、前記第2基板に転写された後の複数の発光素子を前記第3基板に転写する
請求項1に記載の実装基板の製造方法。
In the first step, the plurality of light emitting elements after being transferred to the second substrate are included in a predetermined region of the first substrate so as to have a positional relationship different from the positional relationship on the first substrate. Transferring a plurality of light emitting elements to the second substrate;
In the second step, the plurality of light-emitting elements that have been transferred to the third substrate are transferred to the second substrate so that the plurality of light-emitting elements have a different positional relationship from the positional relationship on the second substrate. The manufacturing method of the mounting substrate according to claim 1, wherein the light emitting element is transferred to the third substrate.
複数の発光素子を第4基板上に備え、
前記複数の発光素子は、以下の工程を経て前記第4基板上に実装されたものである
実装基板。
前記複数の発光素子がマトリクス状に形成された第5基板の所定の領域に含まれる複数の発光素子を、1ラインまたは複数ラインごとに第6基板に一括して転写する工程
前記第6基板に転写された後の複数の発光素子を、1ラインまたは複数ラインごとに第4基板に一括して転写する工程
A plurality of light emitting elements are provided on the fourth substrate,
The plurality of light emitting elements are mounted on the fourth substrate through the following steps.
A step of transferring a plurality of light emitting elements included in a predetermined region of the fifth substrate, in which the plurality of light emitting elements are formed in a matrix, to the sixth substrate in a lump for each line or a plurality of lines; A step of transferring a plurality of light-emitting elements after the transfer to the fourth substrate in a lump for each line or a plurality of lines.
複数の発光素子と、前記複数の発光素子を駆動する駆動ICとを有する実装基板を備え、
前記複数の発光素子は、以下の工程を経て前記実装基板上に実装されたものである
発光装置。
前記複数の発光素子がマトリクス状に形成された第5基板の所定の領域に含まれる複数の発光素子を、1ラインまたは複数ラインごとに第6基板に一括して転写する工程
前記第6基板に転写された後の複数の発光素子を、1ラインまたは複数ラインごとに前記実装基板に一括して転写する工程
A mounting substrate having a plurality of light emitting elements and a driving IC for driving the plurality of light emitting elements;
The plurality of light emitting elements are mounted on the mounting substrate through the following steps.
A step of transferring a plurality of light emitting elements included in a predetermined region of the fifth substrate, in which the plurality of light emitting elements are formed in a matrix, to the sixth substrate in a lump for each line or a plurality of lines; A step of transferring a plurality of light-emitting elements after the transfer onto the mounting substrate in a lump for each line or a plurality of lines;
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012089572A (en) * 2010-10-15 2012-05-10 Sony Corp Light emitting device and display device
WO2018061896A1 (en) * 2016-09-29 2018-04-05 東レエンジニアリング株式会社 Transfer method, mounting method, transfer device, and mounting device
KR101953797B1 (en) * 2017-12-26 2019-03-04 엘지디스플레이 주식회사 Method of fabricating micro led display device
KR101956231B1 (en) * 2017-11-20 2019-03-08 엘지디스플레이 주식회사 Display device and method of manufacturing the same
KR20190032064A (en) * 2017-09-19 2019-03-27 엘지이노텍 주식회사 Semiconductor module and display device including same
CN109791959A (en) * 2016-09-29 2019-05-21 东丽工程株式会社 Transfer method, installation method, transfer device and mounting device
KR20190129872A (en) 2017-03-24 2019-11-20 토레 엔지니어링 가부시키가이샤 Pick-up Method, Pick-up Device, and Mounting Device
JP2021072390A (en) * 2019-10-31 2021-05-06 日亜化学工業株式会社 Method for manufacturing light emitting device
WO2021200074A1 (en) * 2020-03-31 2021-10-07 東レエンジニアリング株式会社 Transfer device, and position correction method for transfer device
KR20210129065A (en) 2019-02-26 2021-10-27 닛토덴코 가부시키가이샤 Method of manufacturing device mounting substrate
WO2022158461A1 (en) 2021-01-19 2022-07-28 ナガセケムテックス株式会社 Flux sheet for semiconductor transfer
KR20220114005A (en) 2019-12-12 2022-08-17 토레이 엔지니어링 컴퍼니, 리미티드 Method of adjusting the height of the condenser lens and the chip transfer method, and the height adjusting apparatus and the chip transfer apparatus of the condenser lens
JP2022545976A (en) * 2019-08-28 2022-11-01 セミエルイーディーズ コーポレーション Method for fabricating (LED) dice using laser lift-off from substrate to backing plate
WO2023238676A1 (en) 2022-06-10 2023-12-14 ナガセケムテックス株式会社 Water-soluble adhesive composition for component capture, water-soluble adhesive sheet for component capture, and method for producing electronic component
US12009452B2 (en) 2018-07-23 2024-06-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic device including LED transmission device, and control method therefor

Cited By (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9373274B2 (en) 2010-10-15 2016-06-21 Sony Corporation Light-emitting device and display device
US20160276323A1 (en) * 2010-10-15 2016-09-22 Sony Corporation Light-emitting device and display device
US9786638B2 (en) 2010-10-15 2017-10-10 Sony Corporation Light-emitting device and display device
JP2012089572A (en) * 2010-10-15 2012-05-10 Sony Corp Light emitting device and display device
US10755958B2 (en) 2016-09-29 2020-08-25 Toray Engineering Co., Ltd. Transfer method, mounting method, transfer device, and mounting device
WO2018061896A1 (en) * 2016-09-29 2018-04-05 東レエンジニアリング株式会社 Transfer method, mounting method, transfer device, and mounting device
CN109791959B (en) * 2016-09-29 2021-09-17 东丽工程株式会社 Transfer method, mounting method, transfer device, and mounting device
CN109791959A (en) * 2016-09-29 2019-05-21 东丽工程株式会社 Transfer method, installation method, transfer device and mounting device
KR20190057054A (en) 2016-09-29 2019-05-27 토레 엔지니어링 가부시키가이샤 A transfer method, a mounting method, a transfer apparatus, and a mounting apparatus
TWI737821B (en) * 2016-09-29 2021-09-01 日商東麗工程股份有限公司 Transfer method, installation method, transfer device and installation device
KR102416296B1 (en) 2017-03-24 2022-07-01 토레 엔지니어링 가부시키가이샤 Pickup method, pickup device, and mounting device
KR20190129872A (en) 2017-03-24 2019-11-20 토레 엔지니어링 가부시키가이샤 Pick-up Method, Pick-up Device, and Mounting Device
KR20190032064A (en) * 2017-09-19 2019-03-27 엘지이노텍 주식회사 Semiconductor module and display device including same
KR102415243B1 (en) 2017-09-19 2022-06-30 엘지이노텍 주식회사 Semiconductor module and display device including same
US10957812B2 (en) 2017-11-20 2021-03-23 Lg Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US10510923B2 (en) 2017-11-20 2019-12-17 Lg Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
KR101956231B1 (en) * 2017-11-20 2019-03-08 엘지디스플레이 주식회사 Display device and method of manufacturing the same
KR101953797B1 (en) * 2017-12-26 2019-03-04 엘지디스플레이 주식회사 Method of fabricating micro led display device
US12009452B2 (en) 2018-07-23 2024-06-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Electronic device including LED transmission device, and control method therefor
KR20210129065A (en) 2019-02-26 2021-10-27 닛토덴코 가부시키가이샤 Method of manufacturing device mounting substrate
US12426410B2 (en) 2019-08-28 2025-09-23 Tslc Corporation Semiconductor components and semiconductor structures and methods of fabrication
JP2022545976A (en) * 2019-08-28 2022-11-01 セミエルイーディーズ コーポレーション Method for fabricating (LED) dice using laser lift-off from substrate to backing plate
JP7454200B2 (en) 2019-08-28 2024-03-22 セミエルイーディーズ コーポレーション Method for manufacturing (LED) dice using laser lift-off from substrate to receiving plate
US11862755B2 (en) 2019-08-28 2024-01-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for fabricating (LED) dice using laser lift-off from a substrate to a receiving plate
US11862754B2 (en) 2019-08-28 2024-01-02 Semileds Corporation Method for fabricating (LED) dice using semiconductor structures on a substrate and laser lift-off to a receiving plate
JP7389331B2 (en) 2019-10-31 2023-11-30 日亜化学工業株式会社 Manufacturing method of light emitting device
JP2021072390A (en) * 2019-10-31 2021-05-06 日亜化学工業株式会社 Method for manufacturing light emitting device
KR20220114005A (en) 2019-12-12 2022-08-17 토레이 엔지니어링 컴퍼니, 리미티드 Method of adjusting the height of the condenser lens and the chip transfer method, and the height adjusting apparatus and the chip transfer apparatus of the condenser lens
JP2021163816A (en) * 2020-03-31 2021-10-11 東レエンジニアリング株式会社 Transcriber and position correction method for transcriber
JP7307024B2 (en) 2020-03-31 2023-07-11 東レエンジニアリング株式会社 Transfer device and position correction method for transfer device
KR20220161399A (en) 2020-03-31 2022-12-06 토레이 엔지니어링 컴퍼니, 리미티드 Transfer device and position correction method of the transfer device
CN115398609A (en) * 2020-03-31 2022-11-25 东丽工程株式会社 Transfer device and position correction method for transfer device
WO2021200074A1 (en) * 2020-03-31 2021-10-07 東レエンジニアリング株式会社 Transfer device, and position correction method for transfer device
KR20230131932A (en) 2021-01-19 2023-09-14 나가세케무텍쿠스가부시키가이샤 Flux sheet for semiconductor transfer
WO2022158461A1 (en) 2021-01-19 2022-07-28 ナガセケムテックス株式会社 Flux sheet for semiconductor transfer
WO2023238676A1 (en) 2022-06-10 2023-12-14 ナガセケムテックス株式会社 Water-soluble adhesive composition for component capture, water-soluble adhesive sheet for component capture, and method for producing electronic component
KR20250022044A (en) 2022-06-10 2025-02-14 나가세케무텍쿠스가부시키가이샤 Water-soluble adhesive composition for capturing parts and water-soluble adhesive sheet for capturing parts and method for manufacturing electronic parts

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