JP2010153070A - El装置、el装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】陰極の面抵抗が抑制されたトップエミッション型のEL装置を製造コストを増加させることなく得る。
【解決手段】第1の電極25と、第1の電極25に対向する第2の電極27と、第1の電極25と第2の電極27との間に挟持されたEL材料層を含む発光機能層26と、を備え、EL材料層の発光を第2の電極27を介して射出するEL素子29と、隣り合うEL素子29間を隔てる隔離領域102と、複数のEL素子29と隔離領域102を含む表示領域100と、隔離領域102に形成された第2の電極27と電気的に接続された補助配線と、を備えるEL装置であって、補助配線は第1の方向に延在する第1の補助配線21と、第2の方向に延在する第2の補助配線22と、を含んでおり、第1の補助配線21と第2の補助配線22との少なくとも一方は、表示領域内100において一方の延在する方向に少なくとも一箇所の間隙を有しているEL装置。
【選択図】図4
【解決手段】第1の電極25と、第1の電極25に対向する第2の電極27と、第1の電極25と第2の電極27との間に挟持されたEL材料層を含む発光機能層26と、を備え、EL材料層の発光を第2の電極27を介して射出するEL素子29と、隣り合うEL素子29間を隔てる隔離領域102と、複数のEL素子29と隔離領域102を含む表示領域100と、隔離領域102に形成された第2の電極27と電気的に接続された補助配線と、を備えるEL装置であって、補助配線は第1の方向に延在する第1の補助配線21と、第2の方向に延在する第2の補助配線22と、を含んでおり、第1の補助配線21と第2の補助配線22との少なくとも一方は、表示領域内100において一方の延在する方向に少なくとも一箇所の間隙を有しているEL装置。
【選択図】図4
Description
本発明は、EL装置、EL装置の製造方法、及び電子機器に関する。
近年、携帯電話機等の電子機器の表示部に用いる表示装置として、表示領域内に規則的に配置されたEL素子を発光させて画像を形成するEL(エレクトロルミネッセンス)装置の実用化が進んでいる。EL素子は、駆動素子が形成された素子基板側に配置された陽極(画素電極)と、該画素電極と対向する陰極(共通電極)と、の一対の電極と、該一対の電極間に挟持される少なくともEL層(EL材料層)を含む発光機能層とからなる。近年、EL材料に有機系のEL材料を用いた有機EL装置の採用が進んでおり、また、発光を有効に利用して輝度を向上させるために、陰極側から発光を射出するトップエミッション型の有機EL装置の採用が進んでいる。
トップエミッション型の有機EL装置における問題の一つに、陰極(共通電極)の抵抗がある。陰極は、一般的に表示領域全面に形成されている。そして、透光性と導電性を両立させるために、層厚数nm乃至数十nmの極薄い金属層、あるいは金属に比較して高抵抗のITO(酸化インジウム・錫合金)等で形成されており、高い面抵抗(シート抵抗)を有している。したがって、表示領域の中央近傍においては、電圧降下により有機EL素子に対する電流の供給量が低下して、表示品質が劣化する現象が生じ得る。そのため、例えば特許文献1では、有機EL素子間を区画する隔壁の対向基板側の面に、各々が陰極と導通しており、かつ、互いに平行に延在する複数本の補助配線をマスク成膜法、すなわち基板面を間隙を有するマスクで覆い、導電材料粒子を前記基板に向けて直線的に飛翔させて、マスクの間隙部に該粒子を堆積させる手法により形成する方法が提示されている。かかる補助配線は、層厚(素子基板の法線方向の寸法)の制限が緩いため、上述の面抵抗を低減でき、表示品質の劣化を緩和できる。
しかし、かかる態様の補助配線を備える陰極は、陰極電流の流れる方向が上述の延在方向に偏るため、実質的な面抵抗の低減効果があまり大きくないという課題がある。ここで、補助配線を格子状に形成して、上述の延在方向を互いに略直交する縦方向と横方向との2方向にすると、上述の低減効果は向上できる。しかし、かかる態様は、マスク成膜工程を少なくとも2回行なう必要があり、製造コストを増加させるという課題がある。また、補助配線同士が交差する部分すなわち交点においては、陰極の対向基板側に形成されるパッシベーション膜のカバレッジが劣化するため、信頼性の低下をもたらし得るという課題がある。
本発明は上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
[適用例1]第1の電極と、上記第1の電極に対向して設けられた第2の電極と、上記第1の電極と上記第2の電極との間に挟持された少なくともEL材料層を含む発光機能層と、を備え、上記EL材料層の発光を上記第2の電極を介して射出するEL素子と、複数の上記EL素子の隣り合う上記EL素子間を隔てる隔離領域と、上記複数の上記EL素子と上記隔離領域を含む表示領域と、上記隔離領域に形成された、上記第2の電極と電気的に接続された補助配線と、を備えるEL装置であって、上記補助配線は第1の方向に延在する第1の補助配線と、上記第1の方向とは異なる方向である第2の方向に延在する第2の補助配線と、を含んでおり、上記第1の補助配線と上記第2の補助配線との少なくとも一方は、上記表示領域内において上記一方の延在する方向に少なくとも一箇所の間隙を有していることを特徴とするEL装置。
このような構成のEL装置であれば、1回のマスク成膜工程で形成された補助配線を用いて互いに異なる2方向に陰極電流を流すことができる。したがって、電圧降下による表示品質の劣化を効果的に抑制でき、表示品質を向上できる。
なお、隔離領域とは、EL素子の発光領域を隔てる領域であり、例えば、隔壁が形成された領域や、ブラックマトリクスが形成されている領域が具体的に上げられる。
また、隔離領域に形成された、前記第2の電極と電気的に接続された補助配線は、製造上のばらつきで、EL素子の発光領域に形成されることもあるが、該補助配線が発光領域を隔てることになるのであれば、このように形成された補助配線も含むものとする。
なお、隔離領域とは、EL素子の発光領域を隔てる領域であり、例えば、隔壁が形成された領域や、ブラックマトリクスが形成されている領域が具体的に上げられる。
また、隔離領域に形成された、前記第2の電極と電気的に接続された補助配線は、製造上のばらつきで、EL素子の発光領域に形成されることもあるが、該補助配線が発光領域を隔てることになるのであれば、このように形成された補助配線も含むものとする。
[適用例2]上述のEL装置であって、上記第1の方向と上記第2の方向とは、互いに略直交していることを特徴とするEL装置。
このような構成のEL装置であれば、上述の電圧降下をより一層低減できる。したがって、表示品質の劣化をより一層効果的に抑制でき、表示品質をより一層向上できる。
[適用例3]上述のEL装置であって、上記間隙は、上記第1の補助配線と上記第2の補助配線との双方に形成されていることを特徴とするEL装置。
このような構成のEL装置であれば、陰極電流の流れる方向が、上記第1の方向と上記第2の方向のどちらか一方に偏ることを抑制できる。したがって、表示品質の劣化をより一層効果的に抑制でき、表示品質をより一層向上できる。
[適用例4]上述のEL装置を備えることを特徴とする電子機器。
このような構成によれば、表示画面の中心部と周辺部とで輝度等の差異が低減された電子機器を得ることができる。
[適用例5]基板上に形成された第1の電極と、上記第1の電極に対向して設けられた第2の電極と、上記第1の電極と上記第2の電極との間に挟持された少なくともEL材料層を含む発光機能層と、を備え、上記EL材料層の発光を上記第2の電極を介して射出するEL素子と、複数の上記EL素子の隣り合う上記EL素子間を隔てる隔離領域と、上記複数の上記EL素子と上記隔離領域を含む表示領域と、上記隔離領域に形成された、上記第2の電極と電気的に接続された補助配線と、を備えるEL装置を製造する方法であって、第1の方向に延在する第1の開口部と、上記第1の方向とは異なる第2の方向に延在する第2の開口部と、を有し、かつ、上記第1の開口部と上記第2の開口部とにより完全に囲まれた領域を有しないマスクを用意する第1の工程と、上記第1の開口部と上記第2の開口部との双方が上記隔離領域内に位置するように、上記マスクを上記基板に被せる第2の工程と、導電材料粒子を上記マスクを被せられた上記基板に向けて直線的に飛翔させて、上記隔離領域内の、上記第1の開口部と上記第2の開口部とのいずれかと重なる領域に上記導電材料粒子からなる補助配線を形成する第3の工程と、上記第2の工程の前、又は上記第3の工程の後に上記表示領域全体に上記第2の電極を形成する工程と、を有することを特徴とするEL装置の製造方法。
このような構成であれば、1回のマスク成膜工程で互いに異なる2方向の補助配線を形成できる。したがって、画像表示時の電圧降下が効果的に抑制された高表示品質のEL装置を、製造コストの増加を抑制しつつ得ることができる。
以下、図面を参照し、EL装置及びEL装置の製造方法の実施形態について説明する。本発明はトップエミッション型のEL装置であれば無機EL材料を用いたEL装置にも適用可能であるが、本実施形態においては、EL材料に有機系のEL材料を用いた有機EL装置を例にして説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態にかかる有機EL装置1の全体構成を示す回路構成図である。有機EL装置1は、表示領域100と該表示領域の周辺部に形成された周辺領域(符号無し)とを備えている。表示領域100には、X方向に延在する複数の走査線103と、Y方向に延在する複数の信号線104と、同じくY方向に延在する複数の電源線106と、が形成されている。X方向が信号線104と電源線106とで規定され、Y方向が走査線103の中心線で規定される方形の区画毎に3種類の有機EL画素30(赤色有機EL画素30R、緑色有機EL画素30G、青色有機EL画素30B、)が規則的に形成されている。
図1は、第1の実施形態にかかる有機EL装置1の全体構成を示す回路構成図である。有機EL装置1は、表示領域100と該表示領域の周辺部に形成された周辺領域(符号無し)とを備えている。表示領域100には、X方向に延在する複数の走査線103と、Y方向に延在する複数の信号線104と、同じくY方向に延在する複数の電源線106と、が形成されている。X方向が信号線104と電源線106とで規定され、Y方向が走査線103の中心線で規定される方形の区画毎に3種類の有機EL画素30(赤色有機EL画素30R、緑色有機EL画素30G、青色有機EL画素30B、)が規則的に形成されている。
なお、有機EL画素30(図3参照)に付与されているアルファベットは該有機EL画素に対応するカラーフィルター75の色に対応しており、各有機EL画素30に対応する発光領域101(図2参照)から射出される光の色を表わしている。以下の記載において、対応する色を区別しない場合には、単に有機EL画素30とも呼ぶ。後述する発光領域101についても同様である。
有機EL装置1はアクティブマトリクス型の表示装置であり、各々の有機EL画素30は、走査線103を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用TFT(薄膜トランジスタ)108と、スイッチング用TFT108を介して信号線104から供給される画像信号を保持する保持容量110と、保持容量110によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用TFT112と、駆動用TFT112を介して電源線106から駆動電流が流れ込む有機EL素子29(図3参照)等からなる。なお、有機EL画素30とは、上述の各要素等で構成される機能的な概念である。それに対して、後述する発光領域101(図2参照)及び隔離領域102(図2参照)は平面的な概念である。
周辺領域には、走査線駆動回路120、及び信号線駆動回路130が形成されている。走査線駆動回路120は、図示しない外部回路より供給される各種信号に応じて、走査線103に走査信号を順次供給する。信号線駆動回路130は、信号線104に画像信号を供給する。電源線106には、図示しない外部回路から画素駆動電流が供給される。走査線駆動回路120の動作と信号線駆動回路130の動作とは、同期信号線140を介して外部回路から供給される同期信号により相互に同期が図られている。
走査線103が駆動されスイッチング用TFT108がオン状態になると、その時点の信号線104の電位が保持容量110に保持され、保持容量110の状態に応じて駆動用TFT112のレベルが決まる。そして、駆動用TFT112を介して電源線106から第1の電極としての画素電極25(図3参照)に駆動電流が流れ、有機EL素子29は駆動電流の大きさに応じて発光する。そして、カラーフィルター75により3原色光のいずれかの光となって、各々の有機EL画素30に対応する発光領域101から射出される。
図2は、第1の実施形態にかかる有機EL装置1の概略を示す斜視図である。有機EL装置1は、周辺シール材13、及び後述する接着層78(図3参照)により互いに対向するように貼り合わされた素子基板10と対向基板11等からなる。素子基板10は、表示領域100内に通電により発光する有機EL素子29が形成され、周辺領域に走査線駆動回路120等が形成されている基板である。一方、対向基板11は、素子基板10と対向する側の面にカラーフィルター75(図3参照)等が形成されており、素子基板10の反対側には円偏光板88が貼付されている基板である。
上述したように、有機EL装置1はトップエミッション型の有機EL装置であり、通電により有機EL素子29内で生じた発光48を、カラーフィルター75を介して矢印の方向、すなわち対向基板11側に射出する。したがって対向基板11は透明材料からなる。一方で素子基板10は、絶縁性は必要であるが、透明性を必ずしも必要としない。円偏光板88は直線偏光板と1/4波長補正板(直交する偏光成分間に1/4波長の位相差を与える素子。)との積層体である。光が反射する際に、偏光の回転方向が逆転する性質を利用して外光の反射を抑制して、表示品質を向上させるために貼付されている。
図示するように、表示領域100には3原色のいずれかの光を射出する3種類の発光領域101、すなわち、赤色光を射出する赤色発光領域101Rと緑色光を射出する緑色発光領域101Gと青色光を射出する青色発光領域101Bとが規則的に配置されている。本実施形態にかかる有機EL装置1の有機EL素子29は3種類の発光領域101間で共通であり、上述の光の色はカラーフィルター75により決定される。各々の発光領域101は対応する有機EL素子29に供給される駆動電流により任意の強度の光を射出できる。したがって、上記3つ(3種類)の発光領域101で構成されるユニットは、任意の色の光を射出できる。
隣り合う発光領域101間の領域が、隔離領域102である。かかる隔離領域102は、平面視で、後述するブラックマトリクス75Kが形成されている領域であり、有機EL素子29の形成領域と略一致している。該隔離領域の幅は、上述の3つの発光領域101で構成されるユニット間では広く、ユニット内においてX方向に隣り合う赤色発光領域101Rと緑色発光領域101Gとの間、及び緑色発光領域101Gと青色発光領域101Bとの間では狭くなっている。そして、本実施形態にかかる有機EL装置1においては、後述する補助陰極配線は、上述のユニット間の広い幅を有する隔離領域102に形成されている。
図3は、本実施形態の有機EL装置の模式断面図である。本実施形態の有機EL装置は、隣り合う発光領域101間を区画する隔離領域102に形成された補助陰極配線に特徴がある。そこで、図3では、隔離領域102と平面視で重なる隔壁77、及び該隔壁の対向基板11側の面に形成された補助陰極配線(図3においては第2の補助陰極配線22)、そして、各々の発光領域101に対応する有機EL素子29と該有機EL素子を駆動する駆動用TFT(以下、単に「TFT」と称する。)112の断面を表示し、スイッチング用TFT108と保持容量110は図示を省略している。以下、素子基板10側から順に説明する。
TFT112は素子基板10上に形成されている。なお、素子基板10との界面に別途保護層を形成してもよい。TFT112は、半導体層31と、走査線103と同一の層をパターニングして形成されたゲート電極33、及び、半導体層31とゲート電極33との間に形成されたゲート絶縁層70等からなる。半導体層31のうちゲート電極33と重なる領域がチャネル領域38であり、該チャネル領域の両側にソース領域35とドレイン領域36とが形成されている。
なお、ゲート電極33は、素子基板10側から順にTi(チタン)とAlCu(アルミニウム・銅合金)とTiN(窒化チタン)とが積層された構造を有している。また、ソース電極53とドレイン電極54とは、素子基板10側から順にTiとAlCuとTiとが積層された構造を有している。
TFT112の対向基板11側には、窒化シリコン、又は酸化シリコンからなる層間絶縁層71が形成されている。なお、以下の記載において、「対向基板11側」を「上面」又は「上層」と表記する。ソース領域35は、層間絶縁層71を局所的にエッチングして形成されたコンタクトホール(符号無し)を介してソース電極53と電気的に接続されており、同様にドレイン領域36は層間絶縁層71を局所的にエッチングして形成されたコンタクトホール(符号無し)を介してドレイン電極54と電気的に接続されている。
ソース電極53とドレイン電極54との上層には、窒化シリコンからなる第1の保護層73と平坦化層72とが順に積層されている。平坦化層72の層厚は、略2.0μmであり、形成材料にはアクリル樹脂等の有機系材料を用いることが好ましい。
平坦化層72の上層における所定の領域には反射層28が形成されている。上記「所定の領域」とは、将来的に有機EL素子29が形成される領域を含む領域である。反射層28は、有機EL素子29の発光を上層方向に反射する機能を果たしている。したがって、反射層28は将来的に有機EL素子29が形成される領域を少なくとも含むように形成される必要がある。反射層28の形成材料量は、反射率が高く加工性(パターニング性)に優れた材料が好ましい。したがって、反射層28は、Al(アルミニウム)等で形成することが好ましい。反射層28の上面は、窒化シリコンからなる第2の保護層74で覆われている。該第2の保護層は、後述する第1の電極としての画素電極(陽極)25の形成時に反射層28を保護する機能を果たしている。
反射層28の形成領域を含む平坦化層72の上面には、該反射層を覆うように画素電極25が、TFT112毎に形成されている。画素電極25は、後述する第2の電極としての陰極27よりも仕事関数が高く、かつ、導電性を有していることが必要である。本実施形態にかかる有機EL装置1では、画素電極25を透明導電材料であるITO(酸化インジウム・錫合金)で形成している。なお、画素電極25を反射性の金属材料で形成した場合、反射層28は必要とされない。
隣り合う画素電極25間には、隔壁77が形成されている。隔壁77は、層厚略2.0μmの樹脂層を図示するように若干テーパーがつくようにパターニングして形成されている。該パターニングにより生じる開口領域(符号無し)すなわち画素電極25が露出する領域が、将来的に有機EL素子29が形成される領域である。上述したように、有機EL素子29が形成される領域は、有機EL層内で生じた光が射出される領域、すなわち発光領域101(R,G,B)である。そして、有機EL装置1においては、隔壁77の幅(本図においてはX方向の寸法)は区画される発光領域101の色により異なっている。すなわち、赤色発光領域101Rと青色発光領域101Bとを区画する隔壁77は幅が広く形成されており、赤色発光領域101Rと緑色発光領域101Gとを区画する隔壁77、及び緑色発光領域101Gと青色発光領域101Bとを区画する隔壁77、は、幅が狭く形成されている。
上述したように、そして図2に示すように、3種類の発光領域101(R,G,B)で1つのユニットとなる。したがって、該ユニット間を区画する隔壁77は幅が広く形成されている。なお、Y方向に隣り合う同色の発光領域101間の隔壁77も、広い幅(この場合はY方向の寸法)で形成されている。
隔壁77、及び該隔壁のパターニングにより露出した画素電極25の上層には、発光機能層26が形成されている。発光機能層26は、素子基板10側から順に正孔注入層と正孔輸送層と有機EL層と電子輸送層と電子注入層との計5層が積層されて形成されている。本実施形態の有機EL装置1の有機EL層は白色光を発光する層であり、上述の3種類の有機EL画素(R,G,B)間で共通である。
そして、上述の広い幅を有する隔壁77の上層には、発光機能層26を介して補助陰極配線(本図においては第2の補助陰極配線22)が形成されている。なお、以下の記載の文章において、第2の補助陰極配線22と後述する第1の補助陰極配線21(図4参照)との総称を、単に「補助陰極配線」と符号を付けずに表記する。
補助陰極配線の形成材料は低抵抗性が必要であり、本実施形態の有機EL装置1においてはAl等で形成されている。また、補助陰極配線は、外光の反射を抑制する機能を有することが好ましいので、Alの上層にクロム等の低反射性材料の層を積層してもよい。補助陰極配線は隣り合う発光領域101を区画する隔壁77上に形成され、発光領域101内には形成されていない。したがって、透明性を必要とせず、充分な層厚で形成して低抵抗化を果たすことができる。
補助陰極配線が形成された発光機能層26の上面には、第2の電極としての陰極27が形成されている。有機EL装置1はトップエミッション型の有機EL装置であるため、陰極27は導電性と共に、透明性又は半透過反射性を有することが必要である。一方で、陰極27は画素電極25の形成材料よりも仕事係数が低い材料で形成される必要がある。したがって、層厚数nm〜十数nmのAl(アルミニウム)あるいはMgAg(マグネシウム・銀)合金等で形成することが好ましい。
陰極27は共通電極であり、素子基板10の表示領域100の全域に形成されている。したがって、隔壁77で囲まれた領域内において画素電極25と発光機能層26と陰極27の積層体が形成される。かかる積層体が有機EL素子29である。陰極27は、表示領域100(図1参照)の全域において0電位となっている。したがって、画素電極25に電圧が印加されると該電圧に応じた電流が発光機能層26に流れる。そして発光機能層26は、該電流量に応じて発光する。ここで、陰極27は、発光機能層26及び隔壁77の広い幅を有する部分においては補助陰極配線の上層に形成されるため、補助陰極配線と電気的に接続されている。したがって、陰極27は上述の隔壁77の広い幅を有する部分においては層厚が厚くなっており、低抵抗化されていると考えることができる。
上述の発光機能層に流れる電流は電圧降下をもたらし、画素電極25と陰極27との間に印加される電圧を低下させる作用が生じる。かかる現象は、表示領域100の中央近傍において特に著しい。補助陰極配線は、陰極27の透明性を要しない領域において層厚を実質的に増加させて低抵抗化することで、かかる現象を抑制する機能を果たしている。本実施形態にかかる有機EL装置1は、補助陰極配線が表示領域100内の縦横に、すなわち第1の方向としてのX方向と第2の方向としてのY方向の双方に延在するように形成されていることが特徴である。かかる態様は、後述する図4に示す。
なお、本実施形態の有機EL装置1における補助陰極配線は、隔壁77の上層において発光機能層26と陰極27との間に形成されている。しかし、補助陰極配線は、隔壁77の上層において陰極27と後述するパシベーション層85との間に形成することも可能である。補助陰極配線と陰極27とは直接的に積層されていれば電気的な導通は得られるため、どちらが先に形成されていても本実施形態に記載する効果を得ることができる。
陰極27の上層には、有機EL素子29等を保護するためにパシベーション層85が形成されている。そして、該パシベーション層まで形成された素子基板10は、接着層78及び周辺シール材13(図2参照)を介して対向基板11と貼り合わされている。対向基板11の素子基板10と対向する側の面にカラーフィルター層76が配置されており、上記の面の反対側の面には、上述したように外光反射を抑制するための円偏光板88が配置されている。カラーフィルター層76は、3種類(3色)のカラーフィルター75(赤色カラーフィルター75Rと緑色カラーフィルター75Gと青色カラーフィルター75B)と、カラーフィルター75間に形成されたブラックマトリクス75Kと、からなる。各々の有機EL素子29で形成された光、は該カラーフィルターにより3原色のいずれかの色の光とされて、発光48として対向基板11側に射出される。
上述したように、ブラックマトリクス75Kが形成されている領域は隔離領域102であり、カラーフィルター75(R,G,B)が形成されている領域が発光領域101である。また、隔離領域102は隔壁77が形成されている領域であり、発光領域101は有機EL素子29が形成されている領域でもある。上述したように補助陰極配線は隔壁77の上層に形成されているため、上述の発光48の射出を妨げることはない。
図4は、第1の実施形態にかかる有機EL装置1の、表示領域100内における補助陰極配線の、平面視での態様を示す図である。上述したように、3種類(3色)の発光領域101(R,G,B)で形成されるユニット間は幅の広い隔離領域102となっている。そして、かかる隔離領域102内に第1の方向としてのX方向に延在する第1の補助陰極配線21と第2の方向としてのY方向に延在する第2の補助陰極配線22とが形成されている。各発光領域101は矩形であるため、上述の双方の補助陰極配線の延在方向は互いに略直交している。そして、第1の補助陰極配線21は表示領域100内を間隙(切れ目)なく延在している。
一方、第2の補助陰極配線22は、該第2の補助陰極配線の延在方向が第1の補助陰極配線21の延在方向と交差する部分において、第1の補助陰極配線21により分割されている。すなわち、第2の補助陰極配線22は、所定の間隔を持ってY方向に並んでいる、Y方向の寸法が発光領域101のY方向の寸法と略一致する複数の細長い矩形のパターンからなる。したがって、第1の補助陰極配線21と第2の補助陰極配線22とは、格子状に形成されている隔壁77上、すなわち同一平面上に形成されているにもかかわらず、平面視的に互いに分離しており、該双方の補助陰極配線の間には間隙23が形成されている。
かかる第2の補助陰極配線22は、互いに分割された矩形のパターン、すなわち互いに独立する矩形のパターンの集合であるにもかかわらず、陰極27のY方向の面抵抗を低減できる。上述したように、陰極27は表示領域100の全域に形成されている。したがって、第2の補助陰極配線22自体は互いに独立していても、陰極27を介することで電気的に接続されている。同様に、第1の補助陰極配線21と第2の補助陰極配線22とは、陰極27によって電気的に接続されている。
上述の、陰極27を介して接続されている領域、すなわち平面視で第1の補助陰極配線21と第2の補助陰極配線22との双方が形成されていない領域は、若干高い抵抗(面抵抗)値を有している。しかし、かかる領域は一部に過ぎないため、本実施形態の有機EL装置1の陰極27は、表示領域100の全域に形成された薄膜部と、隔壁77と重なるように格子状に形成された厚膜部と、からなる構造と略等価である。したがって、表示領域100に画像を形成する際の陰極電流は、X方向とY方向とに略均一に流れることとなり、陰極27の面抵抗を実質的に大きく低減される。したがって、本実施形態にかかる有機EL装置1は、表示領域100の中央近傍における電圧降下を低減でき、該中央近傍における表示品質の劣化(例えば輝度の低下等)を抑制できる。
かかる第1の補助陰極配線21と第2の補助陰極配線22とは、後述するように、従来のX方向とY方向のどちらか一方に延在する補助陰極配線の形成工程と同一の工程で一括形成できる。したがって、本実施形態にかかる有機EL装置1は、製造コストを増加させることなく、表示領域100の中央近傍における表示品質の劣化が低減された、高品質の画像を表示できる。
(第2の実施形態)
次に、第2の実施形態として、上述の第1の補助陰極配線21と第2の補助陰極配線22とを一括形成する方法を示す。図5は、本実施形態にかかる補助陰極配線の形成に用いる蒸着マスク40を模試的に示す図である。蒸着マスク40は、所定の領域に第1の補助陰極配線21に対応する第1の開口部41と第2の補助陰極配線22に対応する第2の開口部42とが設けられた板状部材である。
次に、第2の実施形態として、上述の第1の補助陰極配線21と第2の補助陰極配線22とを一括形成する方法を示す。図5は、本実施形態にかかる補助陰極配線の形成に用いる蒸着マスク40を模試的に示す図である。蒸着マスク40は、所定の領域に第1の補助陰極配線21に対応する第1の開口部41と第2の補助陰極配線22に対応する第2の開口部42とが設けられた板状部材である。
第1の開口部41はX方向に間隙(切れ目)なく延在している。一方、第2の開口部42は、Y方向を長手方向とする矩形のパターンである。複数の第2の開口部42は、互いに間隔を空けてY方向に並んでいる。かかる間隔があるため、全周囲を開口部で囲まれる領域は存在していない。そのため、延在方向が互いに直交する2種類の開口部(第1の開口部41と第2の開口部42の総称)を有しているにもかかわらず、蒸着マスク40は1つの板状部材として成立している。
図6は、補助陰極配線の形成時における、蒸着マスク40の開口部と隔壁77との位置関係を模式的に示す斜視図である。隔壁77上の2点鎖線で囲まれた領域が、開口部が位置する領域である。X方向に延在する隔壁77には第1の開口部41が位置しY方向に延在する隔壁77の内、赤色発光領域101Rと青色発光領域101Bとを隔てる幅の広い隔壁77上に第2の開口部42が位置するように、蒸着マスク40は素子基板10(図3参照)に密着させられる。図示するように、開口部の幅は隔壁77の幅よりも若干狭く設定されており、発光領域101に後述するAl粒子45(図7参照)が堆積することが抑制される。
図7は、補助陰極配線の形成方法を模式的に示す工程断面図である。以下、順に説明する。まず、図7(a)に示すように、隔壁77まで形成された素子基板10上に、図6に示したように隔壁77上に開口部が位置するように蒸着マスク40を密着させる。本図はZ方向に垂直な断面図であるため、隔壁77上に第2の開口部42が位置している。なお、隔壁77間の領域は、発光領域101である。
次に、図7(b)に示すように、図示しない蒸着源より、導電材料粒子としてのAl粒子45を素子基板10に向けて飛翔させる。そして、隔壁77上の開口部(本図では第2の開口部42)が位置する領域にAl粒子45を堆積させる。
次に、図7(c)に示すように、蒸着マスク40を素子基板10から分離する。隔壁77上の開口部が位置していた領域、すなわち図6における2点鎖線で囲まれた領域にAlからなる補助陰極配線(21,22)が形成される。なお、上述したように補助陰極配線を2層以上に異なる材料を積層して形成する場合も在り得る。かかる場合は、図7(b)に示す積層工程を、同一の蒸着マスク40を密着させたままで複数回繰り返す。
次に、図7(d)に示すように、素子基板10の全面にスパッタ法等により、陰極27を形成する。陰極27の形成材料は、上述したようにAlあるいはMgAg合金等が好ましい。補助陰極配線は導電材料粒子の積層体であるため、陰極27は形成時において補助陰極配線と電気的に接続される。以上の工程により、表示領域100の全域に形成された陰極27と略格子状の補助陰極配線との積層体を形成できる。かかる積層体は、実質的に発光領域101(すなわち有機EL素子29が形成される領域)に対応する薄膜部と隔壁77に対応する略格子状の厚膜部との積層体であり、発光領域101から射出される発光48(図3参照)を妨げることなく陰極27の面抵抗を、X方向とY方向の双方において低減できる。
なお、上述したように、補助陰極配線の形成工程と陰極27の形成工程の順序を逆にしてもよい。すなわち、上述の工程断面図において、先に図7(d)に示すように素子基板10の全面に陰極27を形成した後、図7(a)〜図7(c)に示す工程を実施して補助陰極配線を形成することも可能である。どちらを先に形成しても互いの電気的な接続は得られるため、上述の効果を発揮できる。また、補助陰極配線の形成は、蒸着法以外にイオンプレーティング法、スパッタリング法、イオンビーム法等を用いることもできる。上記いずれの方法においても、蒸着マスク40と同様のマスクを用いることで、第1の補助陰極配線21と第2の補助陰極配線22とを一括形成できる。
(第3の実施形態)
図8は、第3の実施形態にかかる有機EL装置の補助陰極配線の態様、すなわち平面視での形状を示す図である。本実施形態にかかる有機EL装置は第1の実施形態にかかる有機EL装置と略同一の構成を有しており、補助陰極配線の態様のみが異なっている。そこで、上述の図1〜3に対応する図は省略し、補助陰極配線の態様のみを示す。
図8は、第3の実施形態にかかる有機EL装置の補助陰極配線の態様、すなわち平面視での形状を示す図である。本実施形態にかかる有機EL装置は第1の実施形態にかかる有機EL装置と略同一の構成を有しており、補助陰極配線の態様のみが異なっている。そこで、上述の図1〜3に対応する図は省略し、補助陰極配線の態様のみを示す。
本実施形態にかかる有機EL装置が備える補助陰極配線の特徴は、X方向に延在する第1の補助陰極配線21とY方向に延在する第2の補助陰極配線22の双方が、間隙23を有していることである。
本実施形態の有機EL装置の発光領域101は、第1の実施形態の有機EL装置1の発光領域101と同様に、3種類の発光領域101(R,G,B)で一つのユニットを形成しており、補助陰極配線は該ユニット間の隔離領域102に形成されている。かかるユニットを1つの矩形のパターンと仮定した場合、本実施形態にかかる有機EL装置が備える補助陰極配線は、第1の補助陰極配線21はX方向の寸法が該ユニットのX方向の辺と同一又は若干短い矩形のパターンであり、第2の補助陰極配線22はY方向の寸法が該ユニットのY方向の辺と同一又は若干短い矩形のパターンとなっている。したがって、上記双方の補助陰極配線の延在方向の交点近傍の領域が、双方の補助陰極配線に共通の間隙23となっている。
上述したように、陰極27(図3参照)は、補助陰極配線が形成される領域を含む表示領域100の全面に形成されている。したがって、第1の補助陰極配線21は間隙23を有しているにもかかわらず、該陰極のX方向の抵抗を低減できる。したがって、本実施形態にかかる有機EL装置の補助陰極配線は、第1の実施形態にかかる有機EL装置1の補助陰極配線と同様に、表示領域100の中央近傍における電圧降下を低減でき、該中央近傍における表示品質の劣化を抑制できる。
そして、本実施形態の有機EL装置の補助陰極配線は、形成に用いる蒸着マスク40の強度を向上させる効果がある。本実施形態の有機EL装置の第1の補助陰極配線21は間隙23を有しているため、形成に用いる蒸着マスク40の第1の開口部41(図5参照)は細かい矩形のパターンに分割されており、表示領域100の全域を横切ることがない。したがって、蒸着マスク40の強度が向上し、撓み等の変形が抑制される。そのため、補助陰極配線の形成時により一層隔壁77に密着させることができ、補助陰極配線のパターン精度を向上できる。かかるパターン精度の向上を利用すると、同一の隔離領域102に対してより一層幅(短辺側の寸法)の広い補助陰極配線を形成できる。そのため、陰極27の面抵抗をより一層低減できる。
(第4の実施形態)
図9は、第4の実施形態にかかる有機EL装置の補助陰極配線の態様、すなわち平面視での形状を示す図である。本実施形態にかかる有機EL装置は、第3の実施形態にかかる有機EL装置と同様に、第1の実施形態にかかる有機EL装置と略同一の構成を有しており、補助陰極配線の態様のみが異なっている。そこで、上述の図1〜3に対応する図は省略し、補助陰極配線の態様のみを示す。
図9は、第4の実施形態にかかる有機EL装置の補助陰極配線の態様、すなわち平面視での形状を示す図である。本実施形態にかかる有機EL装置は、第3の実施形態にかかる有機EL装置と同様に、第1の実施形態にかかる有機EL装置と略同一の構成を有しており、補助陰極配線の態様のみが異なっている。そこで、上述の図1〜3に対応する図は省略し、補助陰極配線の態様のみを示す。
本実施形態にかかる有機EL装置が備える補助陰極配線の特徴は、第1の補助陰極配線21と第2の補助陰極配線22の双方が間隙23を有しており、かつ該間隙が2つのユニット(上述の3種類の発光領域101(R,G,B)で形成されるユニット)毎に形成されていることである。そして、上記双方の補助陰極配線は表示領域100内において千鳥状に形成されている。したがって、上記双方の補助陰極配線の長軸方向(長手方向)の寸法は上述のユニットの一辺の長さよりも長いにもかかわらず、上記双方の補助陰極配線で完全に囲まれた領域は形成されない。したがって、本実施形態の補助陰極配線は、1つの蒸着マスク40で一括形成できる。
そして、本実施形態の有機EL装置の補助陰極配線は、陰極27の面抵抗をより一層低減する効果がある。本実施形態の補助陰極配線は、上記第3の実施形態の補助陰極配線と同一の幅(長手方向ではない方向の寸法)であり、かつ表示領域100内の間隙23の密度は略1/2である。したがって、該間隙の部分における電圧降下がより一層抑制されている。したがって、本実施形態の有機EL装置は、表示領域100の中央近傍における電圧降下をより一層低減でき、該中央近傍における表示品質の劣化をより一層抑制できる。
(第5の実施形態)
図10は、第5の実施形態にかかる有機EL装置の補助陰極配線の態様、すなわち平面視での形状を示す図である。本実施形態にかかる有機EL装置は、第3の実施形態にかかる有機EL装置と同様に、第1の実施形態にかかる有機EL装置と略同一の構成を有しており、補助陰極配線の態様のみが異なっている。そこで、上述の図1〜3に対応する図は省略し、補助陰極配線の態様のみを示す。
図10は、第5の実施形態にかかる有機EL装置の補助陰極配線の態様、すなわち平面視での形状を示す図である。本実施形態にかかる有機EL装置は、第3の実施形態にかかる有機EL装置と同様に、第1の実施形態にかかる有機EL装置と略同一の構成を有しており、補助陰極配線の態様のみが異なっている。そこで、上述の図1〜3に対応する図は省略し、補助陰極配線の態様のみを示す。
本実施形態にかかる有機EL装置が備える補助陰極配線は、上述の第4の実施形態の補助陰極配線と略共通している。すなわち、第1の補助陰極配線21と第2の補助陰極配線22の双方は、2つのユニット毎に形成された間隙23を有しており、かつ、表示領域100内において千鳥状に形成されている。ただし、どちらか一方の補助陰極配線が上述のユニット1つ分ずれているため、双方の補助陰極配線が交差する部分が上述のユニット1つおきに、すなわち2つのユニットにつき1つの割合で生じている。
かかる態様の補助陰極配線は、間隙23の形成に余裕が生じるという特徴がある。本実施形態の補助陰極配線の間隙23は、一点に向けて四方から補助陰極配線が延在するようにして形成されるため、1つの補助陰極配線が多少突き出ていても間隙23は確実に形成される。一方、どちらか一方の補助陰極配線の長辺側に、もう一方の補助陰極配線が直角の方向から突き当たる寸前まで延在する態様では、該もう一方の補助陰極配線の長手方向の寸法が僅かに変動しただけで、間隙23が形成されない場合も在り得る。本実施形態の補助陰極配線は間隙23が余裕をもって形成されるため、蒸着マスク40の形成が容易であるという特徴がある。また、該蒸着マスクと隔壁77との密着が多少損われていても確実に間隙23を形成できるという特徴がある。
(電子機器)
次に、上述の第1〜第5の実施形態にかかる有機EL装置のいずれかを、電子機器に適用した例について説明する。図13は、電子機器としてのモバイル型のパーソナルコンピューターの斜視図である。パーソナルコンピューター90は、各種の画像を表示する表示部92と、キーボード94等が設置された本体部91とを具備する。そして、キーボード94を用いて入力された内容等の様々な情報等を、表示部92に表示する。
次に、上述の第1〜第5の実施形態にかかる有機EL装置のいずれかを、電子機器に適用した例について説明する。図13は、電子機器としてのモバイル型のパーソナルコンピューターの斜視図である。パーソナルコンピューター90は、各種の画像を表示する表示部92と、キーボード94等が設置された本体部91とを具備する。そして、キーボード94を用いて入力された内容等の様々な情報等を、表示部92に表示する。
ここで、表示部92は、内部に、第1の実施形態にかかる有機EL装置1(あるいは第3〜5の実施形態にかかるいずれかの有機EL装置)を備えており、該有機EL装置により表示を行なっている。上述したように有機EL装置1は、第1の補助陰極配線21と、該第1の補助陰極配線と略直交する第2の補助陰極配線22とを備えており、表示領域100(図2参照)の中央近傍における電圧降下を低減できる。したがって、パーソナルコンピューター90は、表示部92に、周縁部と中央部とで品質の差の少ない高品質の画像を表示できる。
(変形例1)
図11は、変形例1にかかる有機EL装置の補助陰極配線の態様を示す図である。本変形例の有機EL装置は上述の各実施形態の有機EL装置とは異なり、全ての発光領域101(R,G,B)がX方向にも等間隔で配置されている。したがって、上述した3種類の発光領域101からなるユニットは形成されていない。その他の点は、上述の各実施形態にかかる有機EL装置と略同一である。個々の発光領域101の発光を独立に制御するアクティブマトリクス型の有機EL装置であり、対向基板11(図3参照)側に発光48(図3参照)を射出するトップエミッション型の有機EL装置である。
図11は、変形例1にかかる有機EL装置の補助陰極配線の態様を示す図である。本変形例の有機EL装置は上述の各実施形態の有機EL装置とは異なり、全ての発光領域101(R,G,B)がX方向にも等間隔で配置されている。したがって、上述した3種類の発光領域101からなるユニットは形成されていない。その他の点は、上述の各実施形態にかかる有機EL装置と略同一である。個々の発光領域101の発光を独立に制御するアクティブマトリクス型の有機EL装置であり、対向基板11(図3参照)側に発光48(図3参照)を射出するトップエミッション型の有機EL装置である。
発光領域101(R,G,B)がX方向にも等間隔で配置されているため、図示するように、第2の補助陰極配線22は各発光領域101間に形成されている。そしてX方向に延在する第1の補助陰極配線21は、第1の実施形態の有機EL装置の補助陰極配線と同様にX方向に間隙23(切れ目)を有さずに形成されている。かかる構成は、隣り合う全ての発光領域101間に隔離領域102を形成する必要がある有機EL装置において該隔離領域を有効に利用でき、陰極27の面抵抗を充分に低減できる。
(変形例2)
図12は、変形例2にかかる有機EL装置の補助陰極配線の態様を示す図である。本変形例の有機EL装置は、上述の各実施形態の有機EL装置とは異なり発光領域101(R,G,B)が千鳥状に配置されている。したがって、X方向に延在する隔離領域102は直線状であるが、Y方向に延在する隔離領域102は階段状に形成されている。そしてかかる隔離領域102の配置に合わせて、補助陰極配線も、X方向に間隙23を設けることなく延在する第1の補助陰極配線21と、千鳥状に形成されたY方向に延在する第2の補助陰極配線22と、が組み合わされている。
図12は、変形例2にかかる有機EL装置の補助陰極配線の態様を示す図である。本変形例の有機EL装置は、上述の各実施形態の有機EL装置とは異なり発光領域101(R,G,B)が千鳥状に配置されている。したがって、X方向に延在する隔離領域102は直線状であるが、Y方向に延在する隔離領域102は階段状に形成されている。そしてかかる隔離領域102の配置に合わせて、補助陰極配線も、X方向に間隙23を設けることなく延在する第1の補助陰極配線21と、千鳥状に形成されたY方向に延在する第2の補助陰極配線22と、が組み合わされている。
間隙23により、本変形例の有機EL装置は、上述の各実施形態と同様に補助陰極配線で囲まれた領域を有していない。したがって、かかる態様の補助陰極配線は1つの蒸着マスク40を用いて一括形成でき、かつ、陰極27(図3参照)の面抵抗を充分に低減できる。
(変形例3)
上述の各実施形態及び各変形例の有機EL装置における補助陰極配線は、表示領域100内に均一の密度で形成されている。しかし、補助陰極配線の密度、あるいは間隙23の形成密度は、表示領域100の中央近傍と外周部とで異ならせることもできる。例えば、中央近傍の領域に補助陰極配線を高い密度で形成し、間隙23の形成密度は低下させることができる。かかる態様であれば、該中央近傍における電圧降下をより一層低減でき、表示領域100内の周辺部と中央近傍との表示品質の差をより一層低減できる。
上述の各実施形態及び各変形例の有機EL装置における補助陰極配線は、表示領域100内に均一の密度で形成されている。しかし、補助陰極配線の密度、あるいは間隙23の形成密度は、表示領域100の中央近傍と外周部とで異ならせることもできる。例えば、中央近傍の領域に補助陰極配線を高い密度で形成し、間隙23の形成密度は低下させることができる。かかる態様であれば、該中央近傍における電圧降下をより一層低減でき、表示領域100内の周辺部と中央近傍との表示品質の差をより一層低減できる。
1…第1の実施形態の有機EL装置、10…素子基板、11…対向基板、13…周辺シール材、21…第1の補助陰極配線、22…第2の補助陰極配線、25…第1の電極としての画素電極、26…発光機能層、27…第2の電極としての陰極、28…反射層、29…有機EL素子、30…有機EL画素、30R…赤色有機EL画素、30G…緑色有機EL画素、30B…青色有機EL画素、31…半導体層、33…ゲート電極、35…ソース領域、36…ドレイン領域、38…チャネル領域、40…蒸着マスク、41…第1の開口部、42…第2の開口部、45…導電材料粒子としてのAl粒子、53…ソース電極、54…ドレイン電極、70…ゲート絶縁層、71…層間絶縁層、72…平坦化層、73…第1の保護層、74…第2の保護層、75B…青色カラーフィルター、75G…緑色カラーフィルター、75K…ブラックマトリクス、75R…赤色カラーフィルター、76…カラーフィルター層、77…隔壁、78…接着層、85…パシベーション層、88…円偏光板、90…電子機器としてのパーソナルコンピューター、91…本体部、92…表示部、94…キーボード、100…表示領域、101…発光領域、101B…青色発光領域、101G…緑色発光領域、101R…赤色発光領域、102…隔離領域、103…走査線、104…信号線、106…電源線、108…スイッチング用TFT、110…保持容量、112…駆動用TFT、120…走査線駆動回路、130…信号線駆動回路、140…同期信号線。
Claims (5)
- 第1の電極と、前記第1の電極に対向して設けられた第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に挟持された少なくともEL材料層を含む発光機能層と、を備え、前記EL材料層の発光を前記第2の電極を介して射出するEL素子と、
複数の前記EL素子の隣り合う前記EL素子間を隔てる隔離領域と、
前記複数の前記EL素子と前記隔離領域を含む表示領域と、
前記隔離領域に形成された、前記第2の電極と電気的に接続された補助配線と、
を備えるEL装置であって、
前記補助配線は第1の方向に延在する第1の補助配線と、前記第1の方向とは異なる方向である第2の方向に延在する第2の補助配線と、を含んでおり、
前記第1の補助配線と前記第2の補助配線との少なくとも一方は、前記表示領域内において前記一方の延在する方向に少なくとも一箇所の間隙を有していることを特徴とするEL装置。 - 請求項1に記載のEL装置であって、
前記第1の方向と前記第2の方向とは、互いに略直交していることを特徴とするEL装置。 - 請求項1又は2に記載のEL装置であって、
前記間隙は、前記第1の補助配線と前記第2の補助配線との双方に形成されていることを特徴とするEL装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載のEL装置を備えることを特徴とする電子機器。
- 基板上に形成された第1の電極と、前記第1の電極に対向して設けられた第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に挟持された少なくともEL材料層を含む発光機能層と、を備え、前記EL材料層の発光を前記第2の電極を介して射出するEL素子と、
複数の前記EL素子の隣り合う前記EL素子間を隔てる隔離領域と、
前記複数の前記EL素子と前記隔離領域を含む表示領域と、
前記隔離領域に形成された、前記第2の電極と電気的に接続された補助配線と、
を備えるEL装置を製造する方法であって、
第1の方向に延在する第1の開口部と、前記第1の方向とは異なる第2の方向に延在する第2の開口部と、を有し、かつ、前記第1の開口部と前記第2の開口部とにより完全に囲まれた領域を有しないマスクを用意する第1の工程と、
前記第1の開口部と前記第2の開口部との双方が前記隔離領域内に位置するように、前記マスクを前記基板に被せる第2の工程と、
導電材料粒子を前記マスクを被せられた前記基板に向けて直線的に飛翔させて、前記隔離領域内の、前記第1の開口部と前記第2の開口部とのいずれかと重なる領域に前記導電材料粒子からなる補助配線を形成する第3の工程と、
前記第2の工程の前、又は前記第3の工程の後に前記表示領域全体に前記第2の電極を形成する工程と、
を有することを特徴とするEL装置の製造方法。
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