JP2010034539A5 - 光電変換装置モジュールの作製方法 - Google Patents

Claims (6)

1. 第１の電極を間に介して一表面上に絶縁層が形成され、且つ、内部に脆化層が形成された第１導電型の単結晶半導体基板を、複数準備する工程と、
   前記複数の単結晶半導体基板を前記ベース基板上に間隔を隔てて配置し、前記絶縁層と前記ベース基板とを接合させることにより、前記ベース基板上に前記複数の単結晶半導体基板を貼り合わせる工程と、
   前記脆化層を境として、前記複数の単結晶半導体基板をそれぞれ分割することにより、前記ベース基板上に、前記絶縁層、前記第１の電極、及び前記第１導電型の第１の単結晶半導体層が順に積層された積層体を、複数形成する工程と、
   前記複数の積層体、及び隣接する前記積層体同士の隙間を覆うように第２の単結晶半導体層を形成する工程と、
   前記第２の単結晶半導体層上に、前記第１導電型と逆の導電型である第２導電型の第１の半導体層を形成することにより、前記第１の単結晶半導体層、前記第２の単結晶半導体層及び前記第１の半導体層が積層された第１の光電変換層を形成する工程と、
   前記第１の半導体層上に、前記第１導電型の第２の半導体層、非単結晶半導体層、及び前記第２導電型の第３の半導体層を順に積層することにより、第２の光電変換層を形成する工程と、
   前記第３の半導体層上に第２の電極を形成する工程と、
   前記複数の積層体同士の間で分断され、且つ、前記複数の積層体それぞれが有する前記第１の電極が部分的に露出するように、前記第２の電極、前記第２の光電変換層、及び前記第１の光電変換層を選択的にエッチングすることにより、前記ベース基板上に間隔を隔てて配置された複数の光電変換セルを形成する工程と、
   隣接する前記光電変換セル同士の間に、一方の光電変換セルが有する第１の電極と、他方の光電変換セルが有する第２の電極とを電気的に接続する接続電極を形成する工程と、を有することを特徴とする光電変換装置モジュールの作製方法。
2. 請求項１において、
   前記複数の積層体、及び隣接する前記積層体同士の隙間を覆うように非単結晶半導体層を形成した後、熱処理を行うことにより、前記第２の単結晶半導体層を形成することを特徴とする光電変換装置モジュールの作製方法。
3. 請求項１または請求項２において、
   水素、ヘリウム、またはハロゲンを前記単結晶半導体基板の内部に導入することにより、前記脆化層を形成することを特徴とする光電変換装置モジュールの作製方法。
4. 請求項１または請求項２において、
   多光子吸収を生じさせるレーザビームを用い、前記レーザビームの焦点を前記単結晶半導体基板の内部に合わせて前記レーザビームを走査することにより、前記脆化層を形成することを特徴とする光電変換装置モジュールの作製方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記ベース基板として、ガラス基板を用いることを特徴とする光電変換装置モジュールの作製方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
   前記第１導電型はｎ型とし、
   前記第２導電型はｐ型とすることを特徴とする光電変換装置モジュールの作製方法。