[go: up one dir, main page]

JP2010034542A - Tape for wafer processing - Google Patents

Tape for wafer processing Download PDF

Info

Publication number
JP2010034542A
JP2010034542A JP2009152150A JP2009152150A JP2010034542A JP 2010034542 A JP2010034542 A JP 2010034542A JP 2009152150 A JP2009152150 A JP 2009152150A JP 2009152150 A JP2009152150 A JP 2009152150A JP 2010034542 A JP2010034542 A JP 2010034542A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tape
ring frame
wafer
adhesive layer
dicing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009152150A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5683794B2 (en
Inventor
Yusuke Nezu
裕介 根津
Tomonori Shinoda
智則 篠田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lintec Corp
Original Assignee
Lintec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lintec Corp filed Critical Lintec Corp
Priority to JP2009152150A priority Critical patent/JP5683794B2/en
Publication of JP2010034542A publication Critical patent/JP2010034542A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5683794B2 publication Critical patent/JP5683794B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

【課題】ダイシング工程において、ダイシングテープの接着剤層がチップ上面に付着せずチップを汚染することがないウェハ加工用テープを提供すること。
【解決手段】本発明に係るウェハ加工用テープは、基材上に接着剤層が積層されたダイシングテープと、リング状のリングフレーム汚染防止用粘着テープとからなり、前記ダイシングテープの接着剤層上に前記リングフレーム汚染防止用粘着テープが積層されたウェハ加工用テープであって、前記リングフレーム汚染防止用粘着テープが、リングフレームに固定可能な大きさを有し、前記ダイシングテープが、ウェハのダイシングおよびダイボンディングに使用可能な機能を有し、前記リングフレーム汚染防止用粘着テープの内径が、前記ウェハの直径より0〜10mm大きいことを特徴とする。
【選択図】図2
An object of the present invention is to provide a wafer processing tape in which an adhesive layer of a dicing tape does not adhere to the upper surface of a chip and does not contaminate the chip in a dicing process.
A wafer processing tape according to the present invention comprises a dicing tape in which an adhesive layer is laminated on a base material, and a ring-shaped adhesive tape for preventing contamination of a ring frame, and the adhesive layer of the dicing tape. A wafer processing tape having the ring frame contamination prevention adhesive tape laminated thereon, wherein the ring frame contamination prevention adhesive tape has a size that can be fixed to a ring frame, and the dicing tape is a wafer. The ring frame contamination-preventing pressure-sensitive adhesive tape has an inner diameter 0 to 10 mm larger than the diameter of the wafer.
[Selection] Figure 2

Description

本発明は、ウェハ加工用テープに関する。より詳しくは、本発明は、基材上に接着剤層が積層されたダイシングテープと、リング状のリングフレーム汚染防止用粘着テープとからなり、上記ダイシングテープの接着剤層上に上記リングフレーム汚染防止用粘着テープが積層されたウェハ加工用テープに関する。   The present invention relates to a wafer processing tape. More specifically, the present invention comprises a dicing tape in which an adhesive layer is laminated on a base material, and a ring-shaped ring frame contamination-preventing pressure-sensitive adhesive tape, and the ring frame contamination on the adhesive layer of the dicing tape. The present invention relates to a wafer processing tape on which a prevention adhesive tape is laminated.

半導体装置の製造過程において、ダイシング工程では、ウェハ加工用テープを用いて、所定の回路が形成されたウェハを複数個のチップに切断分離する。また、ダイシング工程に続くダイボンディング工程では、チップと配線基板とをダイボンドする。   In the manufacturing process of a semiconductor device, in a dicing process, a wafer on which a predetermined circuit is formed is cut and separated into a plurality of chips using a wafer processing tape. Further, in the die bonding process following the dicing process, the chip and the wiring board are die-bonded.

ウェハ加工用テープとしては、基材上に熱硬化性の接着剤層を有する円形のダイシングテープと、基材上に粘着剤層を有するリング状のリングフレーム汚染防止用粘着テープとからなり、上記ダイシングテープの接着剤層上に上記リングフレーム汚染防止用粘着テープの基材が積層されたウェハ加工用テープが知られている(特許文献1参照)。上記ダイシングテープの接着剤層は、ダイシング時にはウェハを固定できるとともに、ダイボンディング時にはチップと配線基板とをダイボンドできる性能を有している。   The wafer processing tape is composed of a circular dicing tape having a thermosetting adhesive layer on a substrate, and a ring-shaped ring frame contamination-preventing adhesive tape having an adhesive layer on the substrate, A wafer processing tape is known in which a base material for the ring frame contamination preventing adhesive tape is laminated on an adhesive layer of a dicing tape (see Patent Document 1). The adhesive layer of the dicing tape has the capability of fixing the wafer during dicing and capable of die-bonding the chip and the wiring board during die bonding.

このウェハ加工用テープを用いたダイシング工程では、具体的には、まず、リングフレーム汚染防止用粘着テープの粘着剤層上にリングフレームを貼付するとともに、ダイシングテープの接着剤層上にウェハを貼付する。このように、ウェハ加工用テープを介してリングフレームにウェハを固定する。次いで、接着剤層とともにウェハを複数個のチップに切断分離する。   Specifically, in the dicing process using this wafer processing tape, first, a ring frame is affixed on the adhesive layer of the ring frame contamination prevention adhesive tape, and a wafer is affixed on the adhesive layer of the dicing tape. To do. In this way, the wafer is fixed to the ring frame via the wafer processing tape. Next, the wafer is cut and separated into a plurality of chips together with the adhesive layer.

続いて、ダイボンディング工程では、裏面に接着剤層を有する状態でチップをピックアップし、該接着剤層によってチップと配線基板とをダイボンドする。   Subsequently, in the die bonding step, the chip is picked up with the adhesive layer on the back surface, and the chip and the wiring board are die-bonded by the adhesive layer.

なお、チップをピックアップした後、リングフレームを再使用するため、リングフレームからウェハ加工用テープを剥がす。このとき、上記ウェハ加工用テープを用いた場合は、リングフレーム汚染防止用粘着テープとリングフレームとが貼付されているため、リングフレームに糊残りすることなく、ウェハ加工用テープを容易に剥がすことができる。   After picking up the chip, the wafer processing tape is peeled off from the ring frame in order to reuse the ring frame. At this time, when the wafer processing tape is used, the adhesive tape for preventing contamination of the ring frame and the ring frame are affixed, so that the wafer processing tape can be easily peeled off without leaving glue on the ring frame. Can do.

特開平8−213349号公報JP-A-8-213349

ところで、ダイシング工程では、通常ダイシングブレード(回転刃)が用いられ、ウェハ周囲の接着剤層やリングフレーム汚染防止用粘着テープまで、切り込みが入ることがある。このような場合に、上記ウェハ加工用テープを用いると、ダイシング時に、ウェハ周囲の切り込みの入った接着剤層が基材からめくれたり、切り込みが入ってちぎれた接着剤層の小片が飛散したりして、チップ上面に付着するという問題があった。   By the way, in the dicing process, a dicing blade (rotary blade) is usually used, and the adhesive layer around the wafer and the adhesive tape for preventing ring frame contamination may be cut. In such a case, when the wafer processing tape is used, when the dicing is performed, the adhesive layer with cuts around the wafer is turned from the base material, or small pieces of the adhesive layer that have been cut and scattered are scattered. As a result, there is a problem of adhering to the upper surface of the chip.

特に、上記ウェハ加工用テープのダイシングテープを構成する接着剤層のタックが少ないときや粘着力が低いときは、上記の問題が顕著であった。   In particular, when the tackiness of the adhesive layer constituting the dicing tape of the wafer processing tape is small or the adhesive force is low, the above problem is remarkable.

したがって、本発明の目的は、ダイシング工程において、ダイシングテープの接着剤層がチップ上面に付着せずチップを汚染することがないウェハ加工用テープを提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a wafer processing tape in which the adhesive layer of the dicing tape does not adhere to the upper surface of the chip and does not contaminate the chip in the dicing process.

本発明者らは、特定の内径を有するリングフレーム汚染防止用粘着テープを用いることによって上記課題を解決できることを見出した。   The present inventors have found that the above problem can be solved by using an adhesive tape for preventing ring frame contamination having a specific inner diameter.

すなわち、本発明に係るウェハ加工用テープは、基材上に接着剤層が積層されたダイシングテープと、リング状のリングフレーム汚染防止用粘着テープとからなり、上記ダイシングテープの接着剤層上に上記リングフレーム汚染防止用粘着テープが積層されたウェハ加工用テープであって、上記リングフレーム汚染防止用粘着テープが、リングフレームに固定可能な大きさを有し、上記ダイシングテープが、ウェハのダイシングおよびダイボンディングに使用可能な機能を有し、上記リングフレーム汚染防止用粘着テープの内径が、上記ウェハの直径より0〜10mm大きいことを特徴とする。   That is, the wafer processing tape according to the present invention comprises a dicing tape in which an adhesive layer is laminated on a base material and a ring-shaped ring frame contamination-preventing pressure-sensitive adhesive tape, on the adhesive layer of the dicing tape. A wafer processing tape on which the ring frame contamination prevention adhesive tape is laminated, wherein the ring frame contamination prevention adhesive tape has a size that can be fixed to the ring frame, and the dicing tape is used for dicing a wafer. The ring frame contamination-preventing pressure-sensitive adhesive tape has a function that can be used for die bonding, and the inside diameter of the ring frame contamination prevention tape is 0 to 10 mm larger than the diameter of the wafer.

上記ウェハの直径は、100〜450mmであることが好ましい。   The diameter of the wafer is preferably 100 to 450 mm.

また、本発明に係るウェハ貼着済みウェハ加工用テープは、基材上に接着剤層が積層されたダイシングテープと、リング状のリングフレーム汚染防止用粘着テープとからなり、上記ダイシングテープの接着剤層上に上記リングフレーム汚染防止用粘着テープが積層されたウェハ加工用テープに、ウェハの裏面全面が貼着されたウェハ貼着済みウェハ加工用テープであって、上記リングフレーム汚染防止用粘着テープが、リングフレームに固定可能な大きさを有し、上記ダイシングテープが、ウェハのダイシングおよびダイボンディングに使用可能な機能を有し、上記リングフレーム汚染防止用粘着テープの内径が、上記ウェハの直径より0〜10mm大きいことを特徴とする。   The wafer-bonded tape for wafer processing according to the present invention comprises a dicing tape in which an adhesive layer is laminated on a base material, and a ring-shaped ring frame contamination-preventing pressure-sensitive adhesive tape. A wafer processing tape in which the entire back surface of the wafer is bonded to a wafer processing tape in which the ring frame contamination prevention adhesive tape is laminated on the adhesive layer, and the ring frame contamination prevention adhesive The tape has a size that can be fixed to the ring frame, the dicing tape has a function that can be used for dicing and bonding of the wafer, and the inner diameter of the adhesive tape for preventing contamination of the ring frame is It is 0-10 mm larger than the diameter.

本発明に係るウェハ加工用テープによれば、ダイシング工程において、ダイシングテープの接着剤層がチップ上面に付着してチップを汚染することが抑えられる。   According to the wafer processing tape of the present invention, in the dicing step, the adhesive layer of the dicing tape is prevented from adhering to the upper surface of the chip and contaminating the chip.

図1は、本発明に係るウェハ加工用テープを説明するための図である。FIG. 1 is a view for explaining a wafer processing tape according to the present invention. 図2は、本発明に係るウェハ加工用テープを説明するための図である。FIG. 2 is a view for explaining a wafer processing tape according to the present invention. 図3は、リングフレームを示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a ring frame. 図4は、従来のウェハ加工用テープを説明するための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining a conventional wafer processing tape.

以下、本発明について具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be specifically described.

図1は、本発明に係るウェハ加工用テープを上から見た図であり、図2は、図1の線A−Aで切断した断面図である。本発明に係るウェハ加工用テープ100は、プリカット構成を有するウェハ加工用テープであり、基材102上に接着剤層104が積層された円形のダイシングテープ106と、基材108上に粘着剤層110が積層されたリング状のリングフレーム汚染防止用粘着テープ112とからなる。また、ダイシングテープ106とリングフレーム汚染防止用粘着テープ112とは、接着剤層104と基材108とによって接着している。なお、図1および図2には、ダイシング工程においてウェハ200およびリングフレーム300が貼付される位置を点線で示した。   1 is a top view of a wafer processing tape according to the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. A wafer processing tape 100 according to the present invention is a wafer processing tape having a pre-cut configuration, a circular dicing tape 106 in which an adhesive layer 104 is laminated on a base material 102, and an adhesive layer on the base material 108. It is composed of an adhesive tape 112 for preventing contamination of a ring-shaped ring frame on which 110 is laminated. The dicing tape 106 and the ring frame contamination-preventing pressure-sensitive adhesive tape 112 are bonded to each other by the adhesive layer 104 and the base material 108. 1 and 2, the positions where the wafer 200 and the ring frame 300 are attached in the dicing process are indicated by dotted lines.

まず、本発明に係るウェハ加工用テープ100を構成するダイシングテープ106につ
いて説明する。ダイシングテープ106の接着剤層104は、基材102上剥離可能に積層されており、ウェハ200のダイシングおよびダイボンディングに使用可能な機能を有する。すなわち、接着剤層104は、ウェハ200のダイシングの際には、ウェハを保持できる。また、ダイシングにより得られたチップをダイボンディングする際には、この接着剤層によって、チップを配線基板、または配線基板上に固定されたチップに接着できる。ダイシングテープ106としては、具体的には、特開昭60−35531号公報、特開平2−32181号公報に記載のダイシングテープが挙げられる。
First, the dicing tape 106 constituting the wafer processing tape 100 according to the present invention will be described. The adhesive layer 104 of the dicing tape 106 is detachably laminated on the base material 102 and has a function that can be used for dicing and die bonding of the wafer 200. That is, the adhesive layer 104 can hold the wafer when the wafer 200 is diced. When the chip obtained by dicing is die-bonded, the adhesive layer can adhere the chip to the wiring board or the chip fixed on the wiring board. Specific examples of the dicing tape 106 include dicing tapes described in JP-A-60-35531 and JP-A-2-32181.

基材102には、樹脂フィルムが用いられる。基材102の表面張力は、好ましくは40mN/m以下、さらに好ましくは35mN/m以下であることが望ましい。表面張力が上記範囲にあると、接着剤層との剥離性が向上し、裏面に接着剤層を有する状態でチップを容易にピックアップできる。このような基材としては、元々表面張力の低い材料を用いてもよいが、表面にシリコーン樹脂などを塗布する離型処理を施し、表面張力を低下させた材料を用いてもよい。   A resin film is used for the base material 102. The surface tension of the substrate 102 is preferably 40 mN / m or less, more preferably 35 mN / m or less. When the surface tension is in the above range, the peelability from the adhesive layer is improved, and the chip can be easily picked up with the adhesive layer on the back surface. As such a base material, a material having a low surface tension may be used originally, or a material having a surface tension lowered by applying a release treatment by applying a silicone resin or the like to the surface may be used.

接着剤層104は、常温で粘着性を有するか、または、40℃程度の加熱により粘着性を有するようになるため、ダイシング工程の際にウェハに貼着できる。また、熱硬化性を有するため、ダイボンディング工程の際にチップと配線基板とを加熱硬化により強固に接着固定化できる。接着剤層104を構成する成分は、具体的には、熱硬化性樹脂、バインダー樹脂、硬化剤および必要に応じて添加される硬化促進剤などである。熱硬化性樹脂としては、たとえばエポキシ、フェノキシ、フェノール、レゾルシノール、ユリア、メラミン、フラン、不飽和ポリエステル、シリコーンなどの樹脂が挙げられ、バインダー樹脂としては、たとえばアクリル、ポリエステル、ポリビニルエーテル、ウレタン、ポリアミドなどの樹脂が挙げられる。   Since the adhesive layer 104 has adhesiveness at room temperature or comes to have adhesiveness by heating at about 40 ° C., it can be attached to the wafer during the dicing process. Moreover, since it has thermosetting property, the chip and the wiring board can be firmly bonded and fixed by heat curing in the die bonding step. Specifically, the components constituting the adhesive layer 104 are a thermosetting resin, a binder resin, a curing agent, and a curing accelerator added as necessary. Examples of the thermosetting resin include resins such as epoxy, phenoxy, phenol, resorcinol, urea, melamine, furan, unsaturated polyester, and silicone. Examples of the binder resin include acrylic, polyester, polyvinyl ether, urethane, and polyamide. And other resins.

また、接着剤層104は、Bステージ(半硬化状)の熱硬化型接着成分からなっていてもよい。   The adhesive layer 104 may be made of a B-stage (semi-cured) thermosetting adhesive component.

接着剤層104を構成する成分として、紫外線硬化性成分がさらに配合されていてもよい。このような接着剤層104は、紫外線を照射すると基材102との剥離性が向上するため、ピックアップ時に、裏面に接着剤層を有するチップがピックアップしやすくなる。   As a component constituting the adhesive layer 104, an ultraviolet curable component may be further blended. When such an adhesive layer 104 is irradiated with ultraviolet rays, the peelability from the base material 102 is improved, so that a chip having an adhesive layer on the back surface can be easily picked up at the time of picking up.

接着剤層104の厚さは、通常5〜200μmであり、好ましくは10〜100μmである。   The thickness of the adhesive layer 104 is usually 5 to 200 μm, preferably 10 to 100 μm.

本発明のウェハ加工テープは、常温での粘着性が乏しいダイシングテープやタックが小さいダイシングテープによって構成されていても、後述するように、ダイシング工程において、ダイシングテープの接着剤層はチップ上面に付着せず、チップは汚染されにくい。   Even if the wafer processing tape of the present invention is composed of a dicing tape with poor tackiness at room temperature or a dicing tape with a small tack, as will be described later, in the dicing process, the adhesive layer of the dicing tape is attached to the upper surface of the chip. The tip is not worn and the chip is not easily contaminated.

次に、本発明に係るウェハ加工用テープ100を構成するリングフレーム汚染防止用粘着テープ112について説明する。リングフレーム汚染防止用粘着テープ112は、リング状であり、空洞部(内部開口)を有し、図3に示すようなリングフレーム300に固定可能な大きさを有する。具体的には、リングフレーム300の内径R300は、リングフレ
ーム汚染防止用粘着テープ112の外径よりも小さい。また、通常R300は、リングフレ
ーム汚染防止用粘着テープ112の内径R112よりも多少大きい。なお、このリングフレ
ーム300は、通常金属またはプラスチックの成形体である。リングフレーム汚染防止用粘着テープ112は、図3に示すように基材108と粘着剤層110から構成され、粘着剤層110にリングフレーム300を貼着する。
Next, the ring frame contamination-preventing pressure-sensitive adhesive tape 112 constituting the wafer processing tape 100 according to the present invention will be described. The adhesive tape 112 for preventing contamination of the ring frame has a ring shape, has a hollow portion (internal opening), and has a size that can be fixed to the ring frame 300 as shown in FIG. Specifically, the inner diameter R 300 of the ring frame 300 is smaller than the outer diameter of the ring frame contamination preventing adhesive tape 112. In general, R 300 is slightly larger than the inner diameter R 112 of the ring frame contamination preventing adhesive tape 112. The ring frame 300 is usually a molded body of metal or plastic. As shown in FIG. 3, the ring frame contamination-preventing pressure-sensitive adhesive tape 112 includes a base material 108 and a pressure-sensitive adhesive layer 110, and a ring frame 300 is attached to the pressure-sensitive adhesive layer 110.

リングフレーム汚染防止用粘着テープ112を構成する基材108としては、特に制限
されないが、たとえばポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体フィルム、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム等のポリオレフィンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルムなどが挙げられる。これらのうちで、エキスパンド性を考慮するとポリエチレンフィルムおよびポリ塩化ビニルフィルムが好ましく、ポリ塩化ビニルフィルムがより好ましい。
The substrate 108 constituting the ring frame contamination-preventing pressure-sensitive adhesive tape 112 is not particularly limited. For example, a polyethylene film, a polypropylene film, an ethylene-vinyl acetate copolymer film, an ethylene- (meth) acrylic acid copolymer film, Examples thereof include polyolefin films such as ethylene- (meth) acrylic acid ester copolymer films and ionomer resin films, polyvinyl chloride films, and polyethylene terephthalate films. Among these, in consideration of expandability, a polyethylene film and a polyvinyl chloride film are preferable, and a polyvinyl chloride film is more preferable.

基材108の厚さは、好ましくは15〜200μm、より好ましくは30〜150μm、さらに好ましくは40〜100μmである。15μm未満のときは、ダイシングテープ106と貼り合わせた際に変形して形状を保持できないことがある。200μmを超えるときは、ウェハ加工用テープを保管や輸送のためにロール状にすると、段差による巻跡がつくことがある。   The thickness of the base material 108 is preferably 15 to 200 μm, more preferably 30 to 150 μm, and still more preferably 40 to 100 μm. If the thickness is less than 15 μm, the shape may not be maintained due to deformation when bonded to the dicing tape 106. When the thickness exceeds 200 μm, if the wafer processing tape is rolled for storage or transportation, a trace due to a step may be formed.

粘着剤層110を形成する粘着剤としては、特に制限されないが、たとえばアクリル粘着剤、ゴム系粘着剤、またはシリコーン粘着剤からなることが好ましい。これらのうちで、リングフレームからの再剥離性を考慮するとアクリル粘着剤が好ましい。また、粘着剤層110を形成する粘着剤は、単独で用いても、二種以上混合して用いてもよい。   Although it does not restrict | limit especially as an adhesive which forms the adhesive layer 110, For example, it is preferable to consist of an acrylic adhesive, a rubber-type adhesive, or a silicone adhesive. Among these, an acrylic pressure-sensitive adhesive is preferable in consideration of removability from the ring frame. Moreover, the adhesive which forms the adhesive layer 110 may be used independently, or 2 or more types may be mixed and used for it.

粘着剤層110の厚さは、好ましくは2〜20μm、より好ましくは3〜15μm、さらに好ましくは4〜10μmである。2μm未満のときは、十分な密着性が発現しないことがある。20μmを超えるときは、リングフレームから剥離する際に、リングフレームに粘着剤の残渣物が残り、リングフレームを汚染することがある。   The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 110 is preferably 2 to 20 μm, more preferably 3 to 15 μm, and still more preferably 4 to 10 μm. When it is less than 2 μm, sufficient adhesion may not be exhibited. When the thickness exceeds 20 μm, an adhesive residue may remain on the ring frame when it is peeled from the ring frame, which may contaminate the ring frame.

本発明に係るウェハ加工用テープにおいて、リングフレーム汚染防止用粘着テープ112の内径R112は、貼付されるウェハの直径R200より0〜10mm大きい。すなわち、R112はR200と等しいか、または、R112がR200よりも0mmを超え10mm以下の長さだけ大きい。また、R112がR200よりも0mmを超え10mm以下の長さだけ大きいことが好ましい。R112とR200との差が0〜10mmであると、後述するように、ダイシング工程において、ダイシングテープの接着剤層はチップ上面に付着せず、チップは汚染されにくい。さらに好ましくは、R112とR200との差が0〜5mmである。上記差が10mmを超えると、チップは汚染されやすくなる。上記差が0mm未満であると、汚染防止用粘着テープにウェハが貼着されることがあり、また、上記差が1mm未満であると、汚染防止用粘着テープにウェハが貼着されないようにウェハ貼着装置の精度が必要となる場合がある。したがって、リングフレーム汚染防止用粘着テープ112の内径R112は、貼付され
るウェハの直径R200より1〜10mm大きいことがより好ましい。
In the wafer processing tape according to the present invention, the inside diameter R 112 of the ring frame pollution adhesive tape 112, 0 to 10 mm larger than the diameter R 200 of the wafer to be attached. That is, R 112 is equal to R 200 or R 112 is greater than R 200 by a length greater than 0 mm and no greater than 10 mm. R 112 is preferably larger than R 200 by more than 0 mm and not more than 10 mm. When the difference between R 112 and R 200 is 0 to 10 mm, as will be described later, in the dicing process, the adhesive layer of the dicing tape does not adhere to the upper surface of the chip, and the chip is hardly contaminated. More preferably, the difference between R 112 and R 200 is 0 to 5 mm. If the difference exceeds 10 mm, the chip is easily contaminated. If the difference is less than 0 mm, the wafer may be attached to the contamination-preventing adhesive tape. If the difference is less than 1 mm, the wafer is not attached to the contamination-preventing adhesive tape. The accuracy of the sticking device may be required. Accordingly, the inside diameter R 112 of the ring frame pollution adhesive tape 112 is more preferably 1~10mm larger than the diameter R 200 of the wafer to be attached.

上記ウェハの直径R200は、100〜450mmであることが好ましく、具体的には、
直径R200が100mm、150mm、200mm、300mm、400mm、450m
mのウェハが用いられる。
The diameter R 200 of the wafer is preferably 100 to 450 mm, specifically,
Diameter R200 is 100mm, 150mm, 200mm, 300mm, 400mm, 450m
m wafers are used.

本発明のウェハ加工用テープ100は、半導体製造の過程において、たとえば以下のように使用される。まず、リングフレーム汚染防止用粘着テープ112の粘着剤層110にリングフレーム300を貼着し、ダイシングテープ106の接着剤層104に、常温で加圧しながら、好ましくは40℃程度に加熱および加圧しながらウェハ200を貼着する。なお、粘着剤層110の貼着条件は、接着剤層104の貼着条件と同じであってもよく、異なっていてもよい。このようにして、ウェハ加工用テープ100を介してリングフレーム300にウェハ200を固定する(ウェハ貼着済みウェハ加工用テープ)。   The wafer processing tape 100 of the present invention is used, for example, as follows in the process of manufacturing a semiconductor. First, the ring frame 300 is adhered to the adhesive layer 110 of the adhesive tape 112 for preventing contamination of the ring frame, and the adhesive layer 104 of the dicing tape 106 is heated and pressurized to about 40 ° C. while being pressurized at room temperature. Then, the wafer 200 is adhered. In addition, the sticking conditions of the adhesive layer 110 may be the same as or different from the sticking conditions of the adhesive layer 104. In this way, the wafer 200 is fixed to the ring frame 300 via the wafer processing tape 100 (wafer-attached wafer processing tape).

次に、ダイシングブレードにより、接着剤層104とともにウェハ200をダイシング(切断分離)してチップを得る。このとき、ダイシングブレードにより、ウェハ200周
囲の接着剤層104やリングフレーム汚染防止用粘着テープ112まで切断され、切り込みが入ることがある。この場合に、本発明に係るウェハ加工用テープのように、リングフレーム汚染防止用粘着テープ112の内径R112とウェハ200の直径R200との差が0〜10mmに抑えられていると、接着剤層104のうちダイシングの際に切り込みの入った部分がめくれにくい。また、この切り込みの入った部分がちぎれにくく、小片となって飛散することも抑えられる。したがって、チップ上面に接着剤層104が付着せず、チップは汚染されにくい。さらに、R112とR200との差が0〜10mmに抑えられていると、ダイシングテープの接着剤層のタックが少ない場合であっても、上記のようにチップの汚染を防止できる。
Next, the wafer 200 is diced (cut and separated) together with the adhesive layer 104 by a dicing blade to obtain chips. At this time, the adhesive layer 104 and the ring frame contamination-preventing pressure-sensitive adhesive tape 112 around the wafer 200 may be cut by the dicing blade and cut. In this case, as in wafer processing tape according to the present invention, when the difference between the diameter R 200 of the inner diameter R 112 and the wafer 200 of the ring frame pollution adhesive tape 112 is kept to 0 to 10 mm, the adhesive The portion of the agent layer 104 that is cut during dicing is difficult to turn. In addition, the cut-in part is difficult to tear, and it is possible to suppress scattering as a small piece. Therefore, the adhesive layer 104 does not adhere to the upper surface of the chip, and the chip is not easily contaminated. Furthermore, when the difference between R 112 and R 200 is suppressed to 0 to 10 mm, contamination of the chip can be prevented as described above even when the adhesive layer of the dicing tape has little tack.

なお、ダイシング後は、必要に応じて洗浄、乾燥を行ってもよい。また、接着剤層104が紫外線硬化性成分を含むときは、ダイシングの前またはチップのピックアップの前に紫外線を照射する。これによりダイシングの際のチッピングが少なくなり、また、チップをピックアップする際の剥離性が向上する。   In addition, after dicing, you may perform washing | cleaning and drying as needed. Further, when the adhesive layer 104 contains an ultraviolet curable component, the ultraviolet ray is irradiated before dicing or before chip pickup. This reduces chipping during dicing and improves the releasability when picking up the chip.

次に、裏面に接着剤層104が付着した状態でチップをピックアップする。次いで、このチップを配線基板上にダイボンドし、接着剤層104を加熱硬化することにより、チップと配線基板とを強固に接着固定する。   Next, the chip is picked up with the adhesive layer 104 attached to the back surface. Next, this chip is die-bonded on the wiring substrate, and the adhesive layer 104 is heated and cured, thereby firmly bonding and fixing the chip and the wiring substrate.

なお、チップのピックアップ後に、リングフレーム300からウェハ加工用テープ100を剥離するが、本発明のウェハ加工用テープ100は、リングフレーム汚染防止用粘着テープ112を介してリングフレーム300に貼着されるため、リングフレーム300に糊残りしにくい。   The wafer processing tape 100 is peeled off from the ring frame 300 after picking up the chip. The wafer processing tape 100 of the present invention is attached to the ring frame 300 via the adhesive tape 112 for preventing contamination of the ring frame. Therefore, it is difficult for adhesive to remain on the ring frame 300.

図1および図2に示す本発明に係るウェハ加工用テープ100は、たとえば以下のようにして作製される。所定の形状とする前のダイシングテープおよびリングフレーム汚染防止用粘着テープは、それぞれ公知の塗工方法に基づき製造される。ダイシングテープの接着剤層の表面およびリングフレーム汚染防止用粘着テープの粘着剤層の表面には、剥離フィルムを積層しておく。まず、リングフレーム汚染防止用粘着テープの剥離フィルムを残して、基材および粘着剤層を打ち抜いて、所定の内径を有する開口部を形成する。次に、ダイシングテープの剥離フィルムを剥離して、ダイシングテープの接着剤層と汚染防止用粘着テープの基材面とが合わさるように貼付する。さらに、リングフレーム汚染防止用粘着テープの剥離フィルムを残して、ダイシングテープおよび汚染防止用粘着テープを打ち抜き、ウェハ加工用テープの外縁を形成する。このとき、ウェハ加工用テープの外縁を形成する円と、リングフレーム汚染防止用粘着テープの開口部の円とが同心円になるように打ち抜く。最後に、剥離フィルム上に複数のウェハ加工用テープが貼付された状態のまま巻き取って、保管や搬送する。また、上述したウェハ加工用テープの作製において、加工の順番などは適宜変更してもよい。   The wafer processing tape 100 according to the present invention shown in FIGS. 1 and 2 is manufactured, for example, as follows. The dicing tape before the predetermined shape and the adhesive tape for preventing ring frame contamination are each produced based on a known coating method. A release film is laminated on the surface of the adhesive layer of the dicing tape and the surface of the adhesive layer of the adhesive tape for preventing ring frame contamination. First, leaving the release film of the adhesive tape for preventing ring frame contamination, the base material and the adhesive layer are punched out to form an opening having a predetermined inner diameter. Next, the release film of the dicing tape is peeled off, and the dicing tape is attached so that the adhesive layer of the dicing tape and the base material surface of the anti-contamination adhesive tape are combined. Further, the dicing tape and the anti-contamination adhesive tape are punched out while leaving the release film of the ring frame anti-contamination adhesive tape to form the outer edge of the wafer processing tape. At this time, the wafer forming tape is punched so that the circle forming the outer edge of the wafer processing tape and the circle of the opening of the ring frame contamination preventing adhesive tape are concentric. Finally, it winds up with the some wafer processing tape affixed on the peeling film, and stores and conveys. Moreover, in the production of the wafer processing tape described above, the processing order and the like may be appropriately changed.

なお、本発明に係るウェハ加工用テープは、基材上に接着剤層が積層された円形のダイシングテープと、リング状の両面粘着テープであるリングフレーム汚染防止用粘着テープとからなっていてもよい。上記両面粘着テープは、芯材と、その一方の面に形成される積層用粘着剤層と、その他方の面に形成される固定用粘着剤層からなる。積層用粘着剤層は、ダイシングテープの接着剤層と積層され、固定用粘着剤層は、ダイシング工程においてリングフレームに貼付される。   The wafer processing tape according to the present invention may be composed of a circular dicing tape in which an adhesive layer is laminated on a base material and a ring frame contamination-preventing adhesive tape that is a ring-shaped double-sided adhesive tape. Good. The double-sided pressure-sensitive adhesive tape comprises a core, a laminating pressure-sensitive adhesive layer formed on one surface thereof, and a fixing pressure-sensitive adhesive layer formed on the other surface. The laminating pressure-sensitive adhesive layer is laminated with the adhesive layer of the dicing tape, and the fixing pressure-sensitive adhesive layer is attached to the ring frame in the dicing process.

両面粘着テープの芯材としては、基材108と同様のものが挙げられる。これらのうちで、エキスパンド性を考慮するとポリオレンフィルムおよび可塑化したポリ塩化ビニルフィルムが好ましい。   Examples of the core material of the double-sided pressure-sensitive adhesive tape include the same materials as those of the base material 108. Among these, in consideration of expandability, a polyolene film and a plasticized polyvinyl chloride film are preferable.

芯材の厚さは、通常15〜200μm、好ましくは30〜150μm、より好ましくは40〜100μmである。15μm未満では、上記両面粘着テープをダイシングテープに貼り合わせた際に形状を保持できないことがある。200μmを超えると、保管や輸送のために製造されたウェハ加工用テープをロール状にすると、段差による巻跡がつくことがある。   The thickness of the core material is usually 15 to 200 μm, preferably 30 to 150 μm, more preferably 40 to 100 μm. When the thickness is less than 15 μm, the shape may not be retained when the double-sided pressure-sensitive adhesive tape is bonded to a dicing tape. When the thickness exceeds 200 μm, if a wafer processing tape manufactured for storage or transportation is rolled, a trace due to a step may be formed.

両面粘着テープの積層用粘着剤層および固定用粘着剤層は、同じ粘着剤からなる層であっても異なる粘着剤からなる層であってもよい。固定用粘着剤層とリングフレームとの接着力が、接着剤層と積層用粘着剤層との接着力よりも小さくなるように適宜選択される。このような粘着剤としては、たとえばアクリル粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン粘着剤が挙げられる。これらのうちで、リングフレームからの再剥離性を考慮するとアクリル粘着剤が好ましい。固定用粘着剤層を形成する粘着剤は、単独で用いても、二種以上混合して用いてもよい。積層用粘着剤層についても同様である。   The laminating pressure-sensitive adhesive layer and the fixing pressure-sensitive adhesive layer of the double-sided pressure-sensitive adhesive tape may be a layer made of the same pressure-sensitive adhesive or a layer made of different pressure-sensitive adhesives. The adhesive force between the fixing pressure-sensitive adhesive layer and the ring frame is appropriately selected so as to be smaller than the adhesive force between the adhesive layer and the laminating pressure-sensitive adhesive layer. Examples of such adhesives include acrylic adhesives, rubber adhesives, and silicone adhesives. Among these, an acrylic pressure-sensitive adhesive is preferable in consideration of removability from the ring frame. The pressure-sensitive adhesive forming the fixing pressure-sensitive adhesive layer may be used alone or in combination of two or more. The same applies to the adhesive layer for lamination.

積層用粘着剤層および固定用粘着剤層の厚さは、粘着剤層110の厚さと同様である。   The thickness of the laminating pressure-sensitive adhesive layer and the fixing pressure-sensitive adhesive layer is the same as the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 110.

このようなリングフレーム汚染防止用粘着テープとしての両面粘着テープを用いたウェハ加工用テープによっても、上述したように、ダイシング工程において、ダイシングテープの接着剤層はチップ上面に付着せず、チップは汚染されにくい。   Even with the wafer processing tape using the double-sided adhesive tape as the ring frame contamination prevention adhesive tape, as described above, in the dicing process, the adhesive layer of the dicing tape does not adhere to the upper surface of the chip, Not easily contaminated.

以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated further more concretely based on an Example, this invention is not limited to these Examples.

[実施例]
<粘着テープの作製>
粘着剤層の作製には、アクリル粘着剤(ブチルアクリレートを主成分としたアクリル共重合体、綜研化学株式会社製、SKダイン1811L)100部に対して、芳香族性ポリイソシアナート(日本ポリウレタン工業株式会社製、コロネートL)を3部、トルエンを50部加えた粘着剤溶液を用いた。
[Example]
<Production of adhesive tape>
For preparation of the pressure-sensitive adhesive layer, an aromatic polyisocyanate (Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) was used for 100 parts of an acrylic pressure-sensitive adhesive (acrylic copolymer based on butyl acrylate, manufactured by Soken Chemical Co., Ltd., SK Dyne 1811L). A pressure-sensitive adhesive solution containing 3 parts of Coronate L) and 50 parts of toluene was used.

上記粘着剤溶液をシリコーン処理された剥離フィルム(リンテック株式会社製、SP-
PET3811(S))上に塗布し、オーブンにて100℃で1分間乾燥して、粘着剤層を得た。粘着剤層を基材フィルム(50μmPVC、オカモト株式会社製、PVC50 OSGP42B)に貼り合せ、該基材フィルム上に転写して、粘着剤層の厚みが10μmの粘着テープを得た。
The above adhesive solution was treated with a silicone-treated release film (Lintec Corporation, SP-
PET3811 (S)) and dried in an oven at 100 ° C. for 1 minute to obtain an adhesive layer. The pressure-sensitive adhesive layer was bonded to a base film (50 μm PVC, manufactured by Okamoto Co., Ltd., PVC50 OSGP42B) and transferred onto the base film to obtain a pressure-sensitive adhesive tape having a pressure-sensitive adhesive layer thickness of 10 μm.

なお、上記粘着テープは、ウェハ加工用テープにおいてはリングフレーム汚染防止用粘着テープを構成する。   In addition, the said adhesive tape comprises the adhesive tape for ring frame contamination prevention in the tape for wafer processing.

<接着テープの作製>
接着テープの接着剤層の作製に用いた成分は下記の通りである。
<Preparation of adhesive tape>
The components used for preparing the adhesive layer of the adhesive tape are as follows.

(A)アクリル共重合体:ブチルアクリレートを主成分としたアクリル共重合体(日本合成化学工業株式会社製、N−2359−6)
(B)−1 エポキシ樹脂:アクリルゴム微粒子分散ビスフェノールA型液状エポキシ樹脂(日本触媒社製、BPA328)
(B)−2 エポキシ樹脂:o-クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬社製、
エピコート104 S)
(B)−3 エポキシ樹脂:ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製、EPICLON HP−7200HH)
(C) 熱硬化剤:ジシアンジアミド硬化剤(旭電化社製、アデカハードナー3636AS)
(D)硬化促進剤:イミダゾール(四国化成工業株式会社製、キュアゾール2PHZ)
(E) カップリング剤:シランカップリング剤(三菱化学株式会社製、MKCシリケ
ートMSEP2)
(F)無機充填剤:シリカフィラー(株式会社アドマテックス製、アドマファインSC2050)
(G)エネルギー線硬化性成分:ジシクロペンタジエン骨格含有アクリレート(日本化薬社製、カヤラッドR684)
(H)光重合開始剤:イルガキュア184(チバ・スペシャリティ・ケミカルズ株式会社製)
まず、表1に記載の組成の接着剤組成物1を調製した。なお、表の数値は、固形分換算の重量部を示す。接着剤組成物1をシリコーン処理された剥離フィルム(リンテック株式会社製SP-PET381031)上に30μmの厚みになるように塗布し、オーブンにて100℃で1分間乾燥して、接着剤層を得た。次に、接着剤層を基材(ポリエチレンフィルム、厚さ100μm、表面張力33mN/m)に貼り合せ、該基材上に転写して、接着テープ1を得た。
(A) Acrylic copolymer: Acrylic copolymer based on butyl acrylate (manufactured by Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd., N-2359-6)
(B) -1 Epoxy resin: acrylic rubber fine particle dispersed bisphenol A type liquid epoxy resin (manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd., BPA328)
(B) -2 Epoxy resin: o-cresol novolac type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.,
Epicoat 104 S)
(B) -3 Epoxy resin: Dicyclopentadiene type epoxy resin (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, EPICLON HP-7200HH)
(C) Thermosetting agent: Dicyandiamide curing agent (Adeka Hardener 3636AS, manufactured by Asahi Denka Co., Ltd.)
(D) Curing accelerator: Imidazole (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., Curesol 2PHZ)
(E) Coupling agent: Silane coupling agent (Mitsubishi Chemical Co., Ltd., MKC silicate MSEP2)
(F) Inorganic filler: Silica filler (manufactured by Admatechs, Admafine SC2050)
(G) Energy ray-curable component: dicyclopentadiene skeleton-containing acrylate (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., Kayrad R684)
(H) Photopolymerization initiator: Irgacure 184 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals)
First, an adhesive composition 1 having the composition shown in Table 1 was prepared. In addition, the numerical value of a table | surface shows the weight part of solid content conversion. The adhesive composition 1 was applied to a silicone-treated release film (SP-PET 381031 manufactured by Lintec Corporation) to a thickness of 30 μm and dried in an oven at 100 ° C. for 1 minute to obtain an adhesive layer It was. Next, the adhesive layer was bonded to a substrate (polyethylene film, thickness 100 μm, surface tension 33 mN / m) and transferred onto the substrate to obtain an adhesive tape 1.

また、表1に記載の組成の接着剤組成物2を調製し、上記と同様にして、接着テープ2を得た。   Also, an adhesive composition 2 having the composition shown in Table 1 was prepared, and an adhesive tape 2 was obtained in the same manner as described above.

なお、上記接着テープは、ウェハ加工用テープにおいてはダイシングテープを構成する。   In addition, the said adhesive tape comprises a dicing tape in the tape for wafer processing.

Figure 2010034542
Figure 2010034542

[実施例1]
粘着テープを内径155mmに型抜きし、接着テープ1の剥離フィルムを剥離しながら、型抜きした上記粘着テープの基材側に積層した。型抜きされた円と同心円となるように、積層されたテープを外径220mmに型抜きした。ウェハに貼付する前に、粘着テープの剥離フィルムを剥離した。このようにして、図1および図2示されるようにプリカットされたテープであって、直径150mmのウェハとともに使用するためのウェハ加工用テープ100を作製した(表2参照)。
[Example 1]
The pressure-sensitive adhesive tape was die-cut to an inner diameter of 155 mm and laminated on the substrate side of the die-cut pressure-sensitive adhesive tape while peeling the release film of the adhesive tape 1. The laminated tape was punched to an outer diameter of 220 mm so as to be concentric with the punched circle. Before sticking on a wafer, the peeling film of the adhesive tape was peeled off. In this way, a tape 100 for wafer processing that was precut as shown in FIGS. 1 and 2 and was used with a wafer having a diameter of 150 mm was produced (see Table 2).

[実施例2]
接着テープ2を用いた他は、実施例1と同様にして、プリカットされたウェハ加工用テ
ープ100を作製した(表2参照)。
[Example 2]
A precut wafer processing tape 100 was produced in the same manner as in Example 1 except that the adhesive tape 2 was used (see Table 2).

[実施例3]
粘着テープを内径152mmに型抜きした以外は、実施例1と同様にして、プリカットされたウェハ加工用テープ100を作製した(表2参照)。
[Example 3]
A pre-cut wafer processing tape 100 was produced in the same manner as in Example 1 except that the pressure-sensitive adhesive tape was punched to an inner diameter of 152 mm (see Table 2).

[実施例4]
粘着テープを内径158mmに型抜きした以外は、実施例1と同様にして、プリカットされたウェハ加工用テープ100を作製した(表2参照)。
[Example 4]
A precut wafer processing tape 100 was produced in the same manner as in Example 1 except that the pressure-sensitive adhesive tape was die-cut to an inner diameter of 158 mm (see Table 2).

[実施例5]
粘着テープを内径306mmに型抜きし、接着テープ1の剥離フィルムを剥離しながら、型抜きした上記粘着テープの基材側に積層した。型抜きされた円と同心円となるように、積層されたテープを外径390mmに型抜きした。ウェハに貼付する前に、粘着テープの剥離フィルムを剥離した。このようにして、図1および図2示されるようにプリカットされたテープであって、直径300mmのウェハとともに使用するためのウェハ加工用テープ100を作製した(表2参照)。
[Example 5]
The pressure-sensitive adhesive tape was die-cut to an inner diameter of 306 mm and laminated on the substrate side of the die-cut pressure-sensitive adhesive tape while peeling the release film of the adhesive tape 1. The laminated tape was punched to an outer diameter of 390 mm so as to be concentric with the punched circle. Before sticking on a wafer, the peeling film of the adhesive tape was peeled off. In this way, a tape 100 for wafer processing that was precut as shown in FIGS. 1 and 2 and was used with a wafer having a diameter of 300 mm was produced (see Table 2).

[比較例1]
粘着テープを内径165mmに型抜きし、接着テープ1の剥離フィルムを剥離しながら、型抜きした上記粘着テープの基材側に積層した。型抜きされた円と同心円となるように、積層されたテープを外径220mmに型抜きした。ウェハに貼付する前に、粘着テープの剥離フィルムを剥離した。このようにして、図4に示されるようにプリカットされたテープであって、直径150mmのウェハとともに使用するためのウェハ加工用テープ400を作製した(表2参照)。
[Comparative Example 1]
The pressure-sensitive adhesive tape was die-cut to an inner diameter of 165 mm and laminated on the substrate side of the die-cut pressure-sensitive adhesive tape while peeling the release film of the adhesive tape 1. The laminated tape was punched to an outer diameter of 220 mm so as to be concentric with the punched circle. Before sticking on a wafer, the peeling film of the adhesive tape was peeled off. In this manner, a wafer processing tape 400 that was precut as shown in FIG. 4 and was used with a wafer having a diameter of 150 mm was produced (see Table 2).

[比較例2]
接着テープ2を用いた他は、比較例1と同様にして、プリカットされたウェハ加工用テープ400を作製した(表2参照)。
[Comparative Example 2]
A pre-cut wafer processing tape 400 was produced in the same manner as in Comparative Example 1 except that the adhesive tape 2 was used (see Table 2).

Figure 2010034542
Figure 2010034542

<ダイシング適性評価>
実施例および比較例で作製したウェハ加工用テープについて、以下のようにしてダイシング適性を評価した。まず、ウェハ加工用テープの粘着剤層(リングフレーム汚染防止用粘着テープ)にウェハのサイズに対応したリングフレーム(実施例1〜4、比較例1、2では内径195mm、実施例5では内径350mm)を貼り付け、ウェハ加工用テープの接着剤層(ダイシングテープ)にウェハ(実施例1〜4、比較例1、2では厚み350μm、直径150mm、実施例5では厚み350μm、直径300mm)を貼り付け、紫外線を照射した(リンテック社製、製品名:RAD2000)。次に、ダイシング装置(株式
会社ディスコ製、DFD651)を使用して、5mm×5mmのチップサイズにダイシン
グした。ダイシングの際の切り込み量は、基材を20μm切り込むようにした。また、ウ
ェハ周囲の接着剤層にも切り込みが入っていた。ダイシングを行った後、ウェハ周囲の切り込みの入った接着剤層について、めくれや飛散が生じていないかを目視によって確認した。
<Dicing aptitude evaluation>
With respect to the wafer processing tapes produced in the examples and comparative examples, dicing suitability was evaluated as follows. First, a ring frame (inner diameter of 195 mm in Examples 1 to 4, Comparative Examples 1 and 2 and inner diameter of 350 mm in Example 5) corresponding to the wafer size as an adhesive layer (an adhesive tape for preventing contamination of the ring frame) of the wafer processing tape. ) And a wafer (Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2 having a thickness of 350 μm and a diameter of 150 mm, and Example 5 having a thickness of 350 μm and a diameter of 300 mm) to the adhesive layer (dicing tape) of the wafer processing tape. And irradiated with ultraviolet rays (product name: RAD2000, manufactured by Lintec Corporation). Next, dicing was performed to a chip size of 5 mm × 5 mm using a dicing apparatus (DFD651, manufactured by DISCO Corporation). The amount of cut during dicing was such that the substrate was cut by 20 μm. In addition, the adhesive layer around the wafer was also cut. After the dicing, the adhesive layer with the notches around the wafer was checked by visual inspection for turning or scattering.

評価結果を表3に示す。   The evaluation results are shown in Table 3.

Figure 2010034542
Figure 2010034542

表3からわかるように、リングフレーム汚染防止用粘着テープのリング内径R112とウ
ェハ直径R200との差が10mm以下のウェハ加工用テープ(実施例1〜5)では、ダイ
シングの際に接着剤層の飛散やめくれは見られず、チップは汚染されなかった。
As can be seen from Table 3, in the tape for wafer processing (Examples 1 to 5) in which the difference between the ring inner diameter R 112 of the ring frame contamination prevention pressure-sensitive adhesive tape and the wafer diameter R 200 is 10 mm or less (Examples 1 to 5), The layers were not scattered or turned over, and the chip was not contaminated.

しかし、リングフレーム汚染防止用粘着テープのリング内径R112とウェハ直径R200との差が10mm以上のウェハ加工用テープ(比較例1、2)では、ダイシングの際に接着剤層の飛散やめくれが見られ、チップは汚染されていた。 However, in the wafer processing tape (Comparative Examples 1 and 2) in which the difference between the ring inner diameter R 112 of the ring frame contamination prevention adhesive tape and the wafer diameter R 200 is 10 mm or more (Comparative Examples 1 and 2), the adhesive layer is scattered and turned up during dicing. And the chip was contaminated.

なお、実施例で用いたダイシングテープはタックが少ないものであったが、R112とR200との差を10mm以下としたため、上述のようにチップの汚染を防止できた。 Although the dicing tape used in the examples were those tack is small, due to the difference between R 112 and R 200 and 10mm or less, it could prevent contamination of the chip as described above.

100: 本発明に係るウェハ加工用テープ
102: 基材
104: 接着剤層
106: ダイシングテープ
108: 基材
110: 粘着剤層
112: リングフレーム汚染防止用粘着テープ
200: ウェハ
300: リングフレーム
400: 従来のウェハ加工用テープ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100: Wafer processing tape which concerns on this invention 102: Base material 104: Adhesive layer 106: Dicing tape 108: Base material 110: Adhesive layer 112: Adhesive tape for ring frame contamination prevention 200: Wafer 300: Ring frame 400: Conventional tape for wafer processing

Claims (3)

基材上に接着剤層が積層されたダイシングテープと、リング状のリングフレーム汚染防止用粘着テープとからなり、前記ダイシングテープの接着剤層上に前記リングフレーム汚染防止用粘着テープが積層されたウェハ加工用テープであって、
前記リングフレーム汚染防止用粘着テープが、リングフレームに固定可能な大きさを有し、
前記ダイシングテープが、ウェハのダイシングおよびダイボンディングに使用可能な機能を有し、
前記リングフレーム汚染防止用粘着テープの内径が、前記ウェハの直径より0〜10mm大きいことを特徴とするウェハ加工用テープ。
A dicing tape in which an adhesive layer is laminated on a base material and a ring-shaped adhesive tape for preventing contamination of a ring frame, and the adhesive tape for preventing contamination of a ring frame is laminated on the adhesive layer of the dicing tape. Wafer processing tape,
The ring frame contamination prevention adhesive tape has a size that can be fixed to the ring frame,
The dicing tape has a function usable for wafer dicing and die bonding,
The wafer processing tape, wherein an inner diameter of the ring frame contamination-preventing pressure-sensitive adhesive tape is 0 to 10 mm larger than a diameter of the wafer.
前記ウェハの直径が、100〜450mmであることを特徴とする請求項1に記載のウェハ加工用テープ。   The wafer processing tape according to claim 1, wherein the wafer has a diameter of 100 to 450 mm. 基材上に接着剤層が積層されたダイシングテープと、リング状のリングフレーム汚染防止用粘着テープとからなり、前記ダイシングテープの接着剤層上に前記リングフレーム汚染防止用粘着テープが積層されたウェハ加工用テープに、ウェハの裏面全面が貼着されたウェハ貼着済みウェハ加工用テープであって、
前記リングフレーム汚染防止用粘着テープが、リングフレームに固定可能な大きさを有し、
前記ダイシングテープが、ウェハのダイシングおよびダイボンディングに使用可能な機能を有し、
前記リングフレーム汚染防止用粘着テープの内径が、前記ウェハの直径より0〜10mm大きいことを特徴とするウェハ貼着済みウェハ加工用テープ。
A dicing tape in which an adhesive layer is laminated on a base material and a ring-shaped adhesive tape for preventing contamination of a ring frame, and the adhesive tape for preventing contamination of a ring frame is laminated on the adhesive layer of the dicing tape. Wafer-attached wafer processing tape in which the entire back surface of the wafer is attached to the wafer processing tape,
The ring frame contamination prevention adhesive tape has a size that can be fixed to the ring frame,
The dicing tape has a function usable for wafer dicing and die bonding,
A wafer-bonded wafer processing tape, wherein an inner diameter of the ring frame contamination-preventing pressure-sensitive adhesive tape is 0 to 10 mm larger than a diameter of the wafer.
JP2009152150A 2008-06-30 2009-06-26 Wafer processing tape Active JP5683794B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009152150A JP5683794B2 (en) 2008-06-30 2009-06-26 Wafer processing tape

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008170537 2008-06-30
JP2008170537 2008-06-30
JP2009152150A JP5683794B2 (en) 2008-06-30 2009-06-26 Wafer processing tape

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010034542A true JP2010034542A (en) 2010-02-12
JP5683794B2 JP5683794B2 (en) 2015-03-11

Family

ID=41738607

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009152150A Active JP5683794B2 (en) 2008-06-30 2009-06-26 Wafer processing tape

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5683794B2 (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010278198A (en) * 2009-05-28 2010-12-09 Lintec Corp Wafer processing sheet
JP2012230930A (en) * 2011-04-22 2012-11-22 Furukawa Electric Co Ltd:The Tape for wafer processing and manufacturing method of semiconductor device using the same
JP2014192463A (en) * 2013-03-28 2014-10-06 Lintec Corp Resin film formation sheet
JP2015070059A (en) * 2013-09-27 2015-04-13 リンテック株式会社 Adhesive sheet for semiconductor processing and method for manufacturing semiconductor device
WO2015105002A1 (en) * 2014-01-08 2015-07-16 リンテック株式会社 Composite sheet for protective-film formation

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08213349A (en) * 1994-11-29 1996-08-20 Lintec Corp Method for preventing adhesion of adhesive to ring frame for dicing, pressure-sensitive adhesive sheet used in the method, and wafer processing sheet including the pressure-sensitive adhesive sheet
JP2004119718A (en) * 2002-09-26 2004-04-15 Shinko Electric Ind Co Ltd Method for manufacturing thin semiconductor chip
WO2005004216A1 (en) * 2003-07-08 2005-01-13 Lintec Corporation Hardenable pressure sensitive adhesive sheet for dicing/die-bonding and method for manufacturing semiconductor device
JP2005203749A (en) * 2003-12-15 2005-07-28 Furukawa Electric Co Ltd:The Wafer processing tape and manufacturing method thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08213349A (en) * 1994-11-29 1996-08-20 Lintec Corp Method for preventing adhesion of adhesive to ring frame for dicing, pressure-sensitive adhesive sheet used in the method, and wafer processing sheet including the pressure-sensitive adhesive sheet
JP2004119718A (en) * 2002-09-26 2004-04-15 Shinko Electric Ind Co Ltd Method for manufacturing thin semiconductor chip
WO2005004216A1 (en) * 2003-07-08 2005-01-13 Lintec Corporation Hardenable pressure sensitive adhesive sheet for dicing/die-bonding and method for manufacturing semiconductor device
JP2005203749A (en) * 2003-12-15 2005-07-28 Furukawa Electric Co Ltd:The Wafer processing tape and manufacturing method thereof

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010278198A (en) * 2009-05-28 2010-12-09 Lintec Corp Wafer processing sheet
JP2012230930A (en) * 2011-04-22 2012-11-22 Furukawa Electric Co Ltd:The Tape for wafer processing and manufacturing method of semiconductor device using the same
JP2014192463A (en) * 2013-03-28 2014-10-06 Lintec Corp Resin film formation sheet
JP2015070059A (en) * 2013-09-27 2015-04-13 リンテック株式会社 Adhesive sheet for semiconductor processing and method for manufacturing semiconductor device
WO2015105002A1 (en) * 2014-01-08 2015-07-16 リンテック株式会社 Composite sheet for protective-film formation
CN105899631A (en) * 2014-01-08 2016-08-24 琳得科株式会社 Composite sheet for protective-film formation
KR20160106588A (en) * 2014-01-08 2016-09-12 린텍 가부시키가이샤 Composite sheet for protective-film formation
US20160326403A1 (en) * 2014-01-08 2016-11-10 Lintec Corporation Composite Sheet For Protective-Film Formation
JPWO2015105002A1 (en) * 2014-01-08 2017-03-23 リンテック株式会社 Composite sheet for protective film formation
KR102258918B1 (en) 2014-01-08 2021-06-02 린텍 가부시키가이샤 Composite sheet for protective-film formation

Also Published As

Publication number Publication date
JP5683794B2 (en) 2015-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103620742B (en) Adhesive film, diced chip junction film and use the semiconductor processing method of this diced chip junction film
KR101058659B1 (en) Semiconductor film, manufacturing method of semiconductor film and semiconductor device
KR102051271B1 (en) Dicing sheet with protective film formation layer and method for producing chip
JP5255465B2 (en) Wafer processing tape
JP4503429B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP5683794B2 (en) Wafer processing tape
JP2012209386A (en) Film-shaped semiconductor chip adhesive agent, semiconductor processing adhesive sheet, and semiconductor device manufacturing method
JP2011228642A (en) Wafer processing tape
JP5455443B2 (en) Wafer processing sheet
JP6574787B2 (en) Sheet laminate for resin film formation
JP4785095B2 (en) Wafer processing tape
JP6369996B2 (en) Resin film forming sheet
JP4372463B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP4999066B2 (en) Wafer processing tape
JP2016111158A (en) Tape for wafer processing
JP2010260897A (en) Adhesive film and wafer processing tape
JP6407060B2 (en) Wafer processing tape
JP2016194020A (en) Adhesive for dicing film integrated type semiconductor
JP6406999B2 (en) Wafer processing tape
JP2014192463A (en) Resin film formation sheet
JP5270191B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP6382088B2 (en) Wafer processing tape
JP2007073647A (en) A die attach film with a dicing sheet function, a method of manufacturing a semiconductor device using the same, and a semiconductor device.
JP5578911B2 (en) Wafer processing tape
JP5566749B2 (en) Wafer processing tape

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20120222

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20120222

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130605

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130618

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130802

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131126

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140127

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140701

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140930

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20141007

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150106

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150114

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5683794

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250